JPWO2013058217A1 - 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、支持板の層と樹脂層とガラス基板の層と、をこの順で備え、前記支持板の層と前記樹脂層の界面の剥離強度（ｙ）が、前記樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度（ｘ）または前記樹脂層の凝集破壊強度（ｚ）よりも高く、前記樹脂層の樹脂が架橋シリコーン樹脂であり、前記架橋シリコーン樹脂が、式（１）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）と、式（２）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）と、を含み、全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）＋（Ｂ−１）の割合が７０〜１００モル％であり、かつ（Ａ−１）と（Ｂ−１）の合計に対する（Ａ−１）の割合が１５〜５０モル％の架橋シリコーン樹脂である、積層体に関する：
【化１】

（前記式（１）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。前記式（２）中、Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。）。

Description

本発明は、積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、１枚のガラス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。

また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。

最近では、上記の課題に対応するため、薄板ガラス基板と補強板とを積層した積層体を用意し、積層体の薄板ガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、薄板ガラス基板から支持板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持板と、該支持板上に固定された樹脂層とを有し、樹脂層と薄板ガラス基板とが剥離可能に密着される。積層体の樹脂層と薄板ガラス基板の界面が剥離され、薄板ガラス基板から分離された補強板は、新たな薄板ガラス基板と積層され、積層体として再利用することが可能である。
一方、耐熱性の樹脂層として、特許文献２に記載の熱硬化性樹脂を用いて得られる樹脂層が知られている。

国際公開第０７／０１８０２８号 日本国特開２００９−２１５３４３号公報

特許文献１に記載の積層体に関して、近年さらに高い耐熱性が要求されるようになってきた。積層体のガラス基板上に形成される電子デバイス用部材の高機能化や複雑化に伴い、電子デバイス用部材を形成する際の温度がさらに高温になると共に、その高温に曝される時間も長時間を要する場合が少なくない。
特許文献１に記載の積層体は大気中３００℃、１時間の処理に耐えうる。しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載の積層体における樹脂層のシリコーン樹脂は、４００℃においては短時間のうちに分解が起こり、多量のアウトガスが発生する。このようなアウトガスの発生は、ガラス基板上に形成される電子デバイス用部材を汚染し、結果として電子デバイスの生産性を低下させる原因となる。
また、樹脂層の分解により樹脂層自体にクラックなどが生じ、その上に積層されるガラス基板との密着性が低下し、高温処理が施される電子デバイス用部材の製造時にガラス基板の位置ずれなどが生じやすく、結果として電子デバイスの生産性を低下させる懸念もある。
さらに、積層体からガラス基板を分離する際に、熱劣化した樹脂層の一部が製品側であるガラス基板の剥離面に付着してしまうことがあり、その除去が非常に困難であった。

本発明者は特許文献１に記載の樹脂層の耐熱性向上について検討した。耐熱性の高いシリコーン樹脂として、縮合反応により架橋したシリコーン樹脂が知られている。なお、特許文献１に記載のシリコーン樹脂は、ハイドロシリレーション反応により架橋したシリコーン樹脂である。縮合反応により架橋したシリコーン樹脂のうち、フェニル基などのアリール基がケイ素原子に結合した単位を有するシリコーン樹脂が特に耐熱性が高い。このようなシリコーン樹脂として特許文献２などに記載のシリコーン樹脂が知られている。しかし、特許文献２に記載のシリコーン樹脂を特許文献１に記載の樹脂層の材料として使用したところ、樹脂層のガラス基板と積層する表面の面状が荒れ、ガラス基板の樹脂層に対する密着性が必ずしも十分でなく、特許文献１に記載の積層体として使用することができなかった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理条件下でも使用することができ、清浄化処理を施すことにより分離されたガラス基板の剥離面の清浄性を保持できる積層体、および、該積層体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該積層体を使用した電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持板の層と樹脂層とガラス基板の層と、をこの順で備え、前記支持板の層と前記樹脂層の界面の剥離強度（ｙ）が、前記樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度（ｘ）または前記樹脂層の凝集破壊強度（ｚ）よりも高く、前記樹脂層の樹脂が架橋シリコーン樹脂であり、前記架橋シリコーン樹脂が、後述する式（１）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）と、後述する式（２）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）と、を含み、全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）＋（Ｂ−１）の割合が７０〜１００モル％であり、かつ（Ａ−１）と（Ｂ−１）の合計に対する（Ａ−１）の割合が１５〜５０モル％の架橋シリコーン樹脂である、積層体である。

第１の態様において、架橋シリコーン樹脂が、さらに、後述する式（３）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−２）および後述する式（４）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−２）のいずれか少なくとも一方を含み、［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］に対する［（Ａ−１）＋（Ｂ−２）］の割合が１５〜５０モル％であることが好ましい。
また、式（１）および式（３）において後述する式（９）で表わされるフェニル基（Ｘ）と、式（２）および（４）においてＲ⁶および／またはＲ⁷で表されるアルキル基（Ｙ）の比が、［（Ｘ）］／［（Ｘ）＋（Ｙ）］＝１０〜４０モル％であることが好ましい。
さらに、全オルガノシロキシ単位に対する［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］の割合が９５〜１００モル％であることが好ましい。
また、後述する式（１）〜（４）で表されるオルガノシロキシ単位はいずれもオルガノアルコキシシラン化合物に由来する単位であることが好ましい。

さらに、第１の態様において、剥離強度（ｘ）は凝集破壊強度（ｚ）よりも高いことが好ましい。また、前記樹脂層の厚さは１〜５μｍであることが好ましく、前記支持板はガラス板であることが好ましい。さらに、前記支持板と前記ガラス基板との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差が０〜５００×１０^-7／℃であることが好ましい。

本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様の積層体の製造方法であって、架橋硬化して後述する架橋シリコーン樹脂となる硬化性シリコーン樹脂の膜を支持板の表面に形成し、前記支持板の表面上で硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて架橋シリコーン樹脂の膜を形成し、次いで、前記架橋シリコーン樹脂の膜の表面にガラス基板を積層する、積層体の製造方法である。

第２の態様において、硬化性シリコーン樹脂がオルガノアルコキシシラン化合物の混合物の部分加水分解縮合物からなるとともに、該硬化性シリコーン樹脂および溶媒を含む溶液を支持板の表面に塗布して、溶媒を除去することにより硬化性シリコーン樹脂の膜を形成することが好ましい。また、上記部分加水分解縮合物の重量平均分子量は１万〜２０万であることが好ましい。さらに、上記部分加水分解縮合物の重量平均分子量は１万〜１０万であることがより好ましい。

本発明の第３の態様は、本発明の第１の態様の積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を製造し、該電子デバイス用部材付き積層体から、樹脂層のガラス基板側界面または樹脂層内部を剥離面として、電子デバイス用部材付きガラス基板と樹脂層付き支持板とに分離し、次いで、電子デバイス用部材付きガラス基板の剥離面を清浄化する、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法である。
また、上記清浄化は溶媒を用いた洗浄であることが好ましく、洗浄は、溶解度パラメータが７〜１５の溶媒を使用した洗浄であることが好ましい。
なお、上記電子デバイス用部材付きガラス基板を以下「部材付ガラス基板」という。

本発明によれば、高温加熱処理条件下でも使用することができ、清浄化処理を施すことにより分離されたガラス基板の剥離面の清浄性を保持できる積層体、および、該積層体の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該積層体を使用した部材付ガラス基板の製造方法を提供することもできる。

図１は、本発明に係る積層体の一実施形態の模式的断面図である。 図２は、本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

本発明の積層体は、支持板の層と樹脂層とガラス基板の層と、をこの順で備える。すなわち、支持板の層とガラス基板の層との間に樹脂層を有し、したがって、樹脂層は一方の側が支持板の層に接し、他方の側がガラス基板の層に接している。
樹脂層とガラス基板の界面は剥離強度（ｘ）を有し、樹脂層とガラス基板の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、樹脂層とガラス基板の界面が剥離する。樹脂層と支持板の界面は剥離強度（ｙ）を有し、樹脂層と支持板の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、樹脂層と支持板の界面が剥離する。一方、樹脂層の樹脂はそれ自体の破壊に抗する強度を有し、樹脂層にガラス基板と支持板を引き剥がす方向の応力が加えられるとある程度の応力までは破壊せずにその応力に耐える。しかし、樹脂自体の強度を超える応力が加えられると樹脂層が破壊され、この樹脂層が耐える限度の強度を凝集破壊強度（ｚ）という。
本発明の積層体（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｙ）は、上記剥離強度（ｘ）または上記凝集破壊強度（ｚ）よりも高い。したがって、本発明の積層体にガラス基板と支持板を引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明の積層体は、樹脂層とガラス基板の界面で剥離してガラス基板と樹脂層付き支持板に分離するか、または樹脂層の凝集破壊により樹脂が付着したガラス基板と樹脂が付着した支持板に分離する。両態様のどちらになるかは剥離強度（ｘ）と凝集破壊強度（ｚ）の大きさに依存し、剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも高い場合には樹脂層の凝集破壊が起こり、剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも低い場合には界面剥離が起こると考えられる。

上記のように、本発明の積層体における剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも高い場合、積層体のガラス基板と支持板と、を引き剥がすと、樹脂が付着したガラス基板と樹脂が付着した支持板が生じる。後述のように、積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成した後の積層体では、分離されたガラス基板は部材付ガラス基板である。部材付ガラス基板の剥離面（ガラス基板の、電子デバイス用部材が形成されていない面）に樹脂が付着していることは好ましくないことより、剥離面に付着した樹脂を除去することが好ましい。
さらに、付着した樹脂を除去するとしても、その量が少ないほど除去が容易であることから、分離した直後の剥離面に付着した樹脂は少ない方が好ましい。剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）に近いほど部分的に界面剥離が生じる可能性が高まり、ガラス基板の剥離面に付着した樹脂の量は支持板に付着した樹脂量に比較して少なくなると考えられる。
なお、下記のように剥離強度（ｘ）と凝集破壊強度（ｚ）がほぼ等しい場合は剥離面に樹脂が付着したガラス基板が生じやすいと考えられることより、本発明においては剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも高い場合に含めるものとする。

上記のように、本発明の積層体における剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも低い場合、積層体のガラス基板と支持板と、を引き剥がすと、ガラス基板と樹脂層付き支持板が生じる。剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）に近いほど樹脂層の凝集破壊が生じやすくなり、剥離面に樹脂が付着したガラス基板が生じやすい。剥離強度（ｘ）と凝集破壊強度（ｚ）が近接している場合、個々の積層体毎に樹脂が付着したガラス基板と樹脂が付着していないガラス基板とが生じる可能性がある。したがって、たとえ樹脂の付着がないと思われる場合であっても、分離した後のガラス基板の剥離面に微量の樹脂の付着の可能性を考慮して、樹脂を除去する操作を行うことが好ましい。

剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）と凝集破壊強度（ｚ）に比較して、両者よりも充分高いことが好ましい。これにより、分離後における支持板に付着した樹脂量をガラス基板に比較して相対的に多くすることができる。剥離強度（ｙ）を高めることは、支持板に対する樹脂層の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持板に対する樹脂層の付着力を高めるためには、硬化性シリコーン樹脂を支持板上で架橋硬化させて樹脂層を形成することが好ましい。架橋硬化の際の接着力で、支持板に対して高い結合力で結合した樹脂層を形成することができる。
一方、架橋硬化後の架橋シリコーン樹脂のガラス基板に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持板上で硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて樹脂層を形成し、その後架橋硬化したシリコーン樹脂からなる樹脂層の面にガラス基板を積層して、積層体を製造することが好ましい。

縮合反応により架橋した架橋シリコーン樹脂の層表面の付着性は、特許文献１に記載のハイドロシリレーション反応により架橋した架橋シリコーン樹脂の層表面よりも高い。したがって、本発明において、支持板上で充分架橋硬化させたシリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層した場合、樹脂層表面とガラス基板表面との付着性は特許文献１に記載の積層体における場合よりも高いと考えられる。したがって、本発明の積層体の剥離強度（ｘ）は、特許文献１に記載の積層体における樹脂層とガラス基板層との界面の剥離強度に比較して高くなると考えられる。
さらに、縮合反応により架橋硬化する硬化性シリコーン樹脂の反応性は、ハイドロシリレーション反応により架橋硬化する硬化性シリコーン樹脂の反応性よりも低いと考えられる。したがって、支持板上に形成した樹脂層の樹脂の架橋反応をガラス基板と積層する前に充分に終了させておくことは容易ではない。未反応の架橋点が残存した架橋シリコーンからなる樹脂層にガラス基板を積層すると、積層後に未反応の架橋点が架橋して樹脂がガラス基板に接着し、剥離強度（ｘ）が高くなることが考えられる。特に、積層体のガラス基板表面上に電子デバイス用部材を形成する際は加熱処理が行われることが多いことより、これによりガラス基板と樹脂層の界面の結合が進み、電子デバイス用部材形成後の積層体（電子デバイス用部材付き積層体）における剥離強度（ｘ）はより高くなりやすい。
よって、本発明においては、剥離に際しては、剥離強度（ｘ）が凝集破壊強度（ｚ）よりも高い場合が多いと考えられる。

また、縮合反応により架橋硬化する硬化性シリコーン樹脂は、硬化触媒を使用することなく加熱により架橋反応を充分に進めることができる。硬化触媒が残存した架橋シリコーン樹脂では硬化触媒の作用により架橋シリコーン樹脂の解重合による低分子量シリコーンの発生のおそれがあり、したがって硬化触媒を使用しないことにより低分子量シリコーンの生成を少なくすることができる。
低分子量シリコーンが少ないことにより、積層体のガラス基板表面上に電子デバイス用部材を形成する際の高温条件下において低分子量シリコーンに起因するガス発生が少なく、ガスの発生による電子デバイス用部材の汚染のおそれが少ないという特徴が発揮される。
なお、ガス発生の許容量以下の範囲において、剥離強度の調整の目的でケイ素化合物やフッ素化合物などを用いた積層しようとする界面への易剥離処理を積層前に施しても良い。

本発明において、ガラス基板と支持板の分離は電子デバイス用部材形成後の積層体（電子デバイス用部材付き積層体）に対して行われるのが通例であることより、分離されたガラス基板（部材付ガラス基板）の剥離面には樹脂が付着していると考えられる。上記のように、部材付ガラス基板の剥離面に樹脂が付着していることは好ましくなく、部材付ガラス基板の剥離面に付着した樹脂は通常その除去を必要とする。本発明における樹脂は溶剤溶解性を有し、したがって、溶剤を使用した除去操作で樹脂を除去することが好ましい。

図１は、本発明に係る積層体の一例の模式的断面図である。
図１に示すように、積層体１０は、支持板１２の層とガラス基板１６の層とそれらの間に樹脂層１４が存在する積層体である。樹脂層１４は、その一方の面が支持板１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。言い換えると、樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。
支持板１２の層および樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。なお、積層体１０製造のためにあらかじめ製造される支持板１２の層および樹脂層１４からなる２層部分を樹脂層付き支持板１８という。

この積層体１０は、部材形成工程まで使用される。即ち、この積層体１０は、そのガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成された積層体は、支持板１２と部材付ガラス基板に分離され、部材付ガラス基板の剥離面に樹脂が付着している場合はその付着した樹脂が除去される。樹脂が付着した支持板１２（または樹脂層１４を有する支持板１２）は電子デバイスを構成する部分とはならない。分離された支持板１２は、必要により付着した樹脂や樹脂層１４を除去した後、新たなガラス基板１６と積層され、積層体１０として再利用することができる。

以下で、まず、積層体を構成する各層（ガラス基板、支持板、樹脂層）および樹脂材料について詳述し、その後、積層体および電子デバイスの製造方法について詳述する。

（ガラス基板）
ガラス基板１６は、第１主面１６ａが樹脂層１４と接し、樹脂層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

［支持板］
支持板１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持板１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持板１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持板１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、樹脂層１４の厚さ、および積層体１０の厚さに基づいて、支持板１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さと樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

支持板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持板１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、積層体１０が激しく反ったり、支持板１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持板１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

［樹脂層］
樹脂層１４は、ガラス基板１６と支持板１２と、を分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに密着する。樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｘ）は、樹脂層１４と支持板１２との間の界面の剥離強度（ｙ）よりも低い場合が多い。樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、積層体１０のガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）よりも低いことが好ましい。

樹脂層１４とガラス基板１６の層とは弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。樹脂層１４を形成した後その表面にガラス基板１６を積層する場合、樹脂層１４の架橋シリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、上記のように、樹脂層１４の架橋シリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、積層体製造後その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、樹脂層１４の架橋シリコーン樹脂はガラス基板面に接着し、樹脂層１４とガラス基板１６の層との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前の樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、樹脂層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｘ）を低くすることができる。

樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持板１２表面に結合されている。たとえば、後述する硬化性シリコーン樹脂を支持板１２表面で架橋硬化させることにより、架橋した樹脂を支持板１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持板１２表面と樹脂層１４間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持板１２表面と樹脂層１４間の結合力を高めることができる。
樹脂層１４と支持板１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｙ）が高いことを意味する。

樹脂層１４の厚さは特に限定されないが、１〜５μｍであることが好ましく、１〜４μｍであることがより好ましく、１〜３μｍであることがさらに好ましい。樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、樹脂層１４の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではない。
なお、樹脂層１４は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層１４の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、樹脂層１４が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂が異なる架橋シリコーン樹脂からなってもよい。

樹脂層１４の樹脂は、その材料の特性としてそれ自体の強度を有し、凝集破壊強度（ｚ）以上の応力を受けると樹脂が破壊する。したがって、樹脂層１４にその厚さ方向でかつ引き延ばす方向の応力を受け、その応力が凝集破壊強度（ｚ）以上となると樹脂層１４が層の内部で破壊する。その結果、破壊面からガラス基板側の樹脂層はガラス基板表面に付着し、破壊面から支持板１２側の樹脂層１４はガラス基板１６表面に付着する。したがって、電子デバイス用部材付き積層体において樹脂層１４の樹脂が凝集破壊すると、一方は第１主面１６ａに樹脂が付着した部材付ガラス基板となり、他方は表面に樹脂が付着した支持板１２となる。
架橋シリコーン樹脂の凝集破壊強度（ｚ）は、その材料としての特性として、樹脂層１４と支持板１２の層と間の結合力を特に低くすることがない限り、上記剥離強度（ｙ）よりも高くなることは少ない。一方、上記剥離強度（ｘ）と比較すると、凝集破壊強度（ｚ）は、剥離強度（ｘ）よりも低くなることも高くなることもある。上記のように、剥離強度（ｘ）は調整することができ、また変化することもある。特に、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に電子デバイス用部材を形成する際に剥離強度（ｘ）が上昇しやすく、これにより、凝集破壊強度（ｚ）は剥離強度（ｘ）よりも低くなりやすい。
樹脂層１４が凝集破壊した場合、ガラス基板１６の第１主面１６ａの全面に樹脂が付着するとは限らない。凝集破壊強度（ｚ）と剥離強度（ｘ）との差が小さい場合、樹脂層１４とガラス基板１６の層が部分的に界面剥離し、ガラス基板表面の第１主面１６ａの一部に樹脂が付着していない面が生じることもある。

［架橋シリコーン樹脂］
樹脂層１４は架橋シリコーン樹脂からなる。架橋シリコーン樹脂は、硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化して得られる。本発明における硬化性シリコーン樹脂は、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物（モノマー混合物）であるか、またはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物である。また、部分加水分解縮合物とモノマーの混合物であってもよい。本発明における硬化性シリコーン樹脂としてはモノマー混合物の部分加水分解縮合物が好ましい。
硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させるためには、通常加熱により架橋反応を進めて硬化させる（すなわち、熱硬化させる）。硬化性シリコーン樹脂を熱硬化させることにより、架橋シリコーン樹脂が得られる。ただし、硬化に必ずしも加熱を必要としない場合もあり、室温硬化させることもできる。

通常、架橋シリコーン樹脂は、Ｔ単位と呼ばれる３官能オルガノシロキシ単位とＤ単位と呼ばれる２官能オルガノシロキシ単位とからなる。場合により、Ｍ単位と呼ばれる１官能オルガノシロキシ単位やＱ単位と呼ばれる４官能オルガノシロキシ単位を含むこともある。なお、Ｑ単位はケイ素原子に結合した有機基（ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基）を有しない単位であるが、本発明においてはオルガノシロキシ単位とみなす。本発明における後述するオルガノシロキシ単位（Ａ−１）や後述するオルガノシロキシ単位（Ｂ−２）はＴ単位であり、後述するオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）や後述するオルガノシロキシ単位（Ａ−２）はＤ単位である。なお、以下、オルガノシロキシ単位（Ａ−１）を単に（Ａ−１）単位、オルガノシロキシ単位（Ｂ−１）を単に（Ｂ−１）単位ともいう。他のオルガノシロキシ単位についても同様である。
通常、架橋シリコーン樹脂におけるＭ単位は架橋シリコーン樹脂や硬化性シリコーン樹脂の分子量を調節するために使用され、Ｑ単位は架橋点を増大させるために使用される。本発明における架橋シリコーン樹脂はＭ単位もＱ単位も必要とせず、Ｍ単位もＱ単位も含まないことが好ましく、含む場合があったとしてもその数は少ないことが好ましい。
本発明における架橋シリコーン樹脂の全オルガノシロキシ単位に対するＴ単位とＤ単位の合計の割合は、本発明の効果がより優れる点で、９０〜１００モル％が好ましく、９５〜１００モル％がより好ましい。本発明における架橋シリコーン樹脂がＭ単位および／またはＱ単位を含む場合、Ｍ単位とＱ単位の割合はそれぞれ１０モル％未満（ただし、両者の合計は１０モル％未満）が好ましく、それぞれ５モル％未満（ただし、両者の合計は５モル％未満）が好ましい。本発明における架橋シリコーン樹脂はＭ単位とＱ単位のいずれも含まないことが特に好ましい。
架橋シリコーン樹脂がＭ単位を多く含む場合は樹脂の耐熱性が低下しやすく、Ｑ単位を多く含む場合は樹脂の脆性が大きくなりやすく、いずれも本発明のおける樹脂層の材料として適しないおそれが生じる。

本発明における架橋シリコーン樹脂は、後述する式（１）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）と、後述する式（２）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）と、を含む。全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）単位と（Ｂ−１）単位の合計量（（Ａ−１）＋（Ｂ−１）で表わす）の割合は７０〜１００モル％であり、３０モル％未満は（Ａ−１）単位以外のＴ単位、（Ｂ−１）単位以外のＤ単位、Ｍ単位およびＱ単位の合計量である。Ｍ単位とＱ単位は含まないことが好ましく、その場合３０モル％未満は（Ａ−１）単位以外のＴ単位と（Ｂ−１）単位以外のＤ単位の合計量である。全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）＋（Ｂ−１）の割合は８５〜１００モル％であることが好ましく、９０〜１００モル％であることがより好ましい。残余の単位は（Ａ−１）単位以外のＴ単位（特に後述のオルガノシロキシ単位（Ｂ−２）が好ましい）および／または（Ｂ−１）単位以外のＤ単位（特に後述のオルガノシロキシ単位（Ａ−２）が好ましい）であることが好ましい。

本発明における架橋シリコーン樹脂において、（Ａ−１）単位と（Ｂ−１）単位の合計に対する（Ａ−１）単位の割合、すなわち（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ｂ−１）］は、１５〜５０モル％である。より好ましいこの割合は２０〜４０モル％である。
（Ａ−１）単位が１５モル％未満の場合、架橋シリコーン樹脂の耐熱性が劣り、樹脂層にボイドなどが生じやすく、一方、（Ａ−１）単位が５０モル％超の場合、樹脂の脆性が大きくなり樹脂層にクラックなどが生じやすく、いずれも樹脂層形成時に表面の平坦性が低下しやすく、その樹脂層表面にガラス基板を積層することが困難になりやすい。

架橋シリコーン樹脂が（Ａ−１）単位以外のＴ単位や（Ｂ−１）単位以外のＤ単位を含む場合、（Ａ−１）単位を含めた全Ｔ単位と（Ｂ−１）単位を含めた全Ｄ単位の合計量に対する全Ｔ単位の割合、すなわちＴ／［Ｔ＋Ｄ］は、１５〜５０モル％であることが好ましく、２０〜４０モル％であることがより好ましい。Ｔ単位の割合が１５モル％未満となると架橋シリコーン樹脂の耐熱性が低下しやすく、Ｔ単位の割合が５０モル％超となると架橋シリコーン樹脂の脆性が大きくなりやすい。

本発明におけるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）は下記式（１）で表わされる単位であり、オルガノシロキシ単位（Ｂ−１）は下記式（２）で表わされる単位である。ただし、下記式（１）および式（２）において、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ⁶、Ｒ⁷は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。

式（１）で示されるように、（Ａ−１）単位はフェニル基を有するＴ単位であり、該フェニル基は炭素原子数１〜４のアルキル基を有していてもよい。Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１または２のアルキル基が好ましく、特に水素原子が好ましい。式（２）で示されるように、（Ｂ−１）単位は２つのアルキル基を有するＤ単位である。２つのアルキル基はそれぞれメチル基またはエチル基であることが好ましく、いずれもメチル基であることがより好ましい。
芳香環がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位を有する架橋シリコーン樹脂は、アルキル基がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位を有する架橋シリコーン樹脂に比較して耐熱性が高い。Ｔ単位の割合が大きな架橋シリコーン樹脂は耐熱性が良好であっても脆性が大きくなりやすいが、本発明おける架橋シリコーン樹脂は芳香環を有するＴ単位を有することにより、Ｔ単位の割合がある程度少ないものであっても、耐熱性が高く脆性が低い架橋シリコーン樹脂となる。

（Ａ−１）単位以外の芳香環がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位としては下記式（３）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−２）が好ましく、オルガノシロキシ単位（Ｂ−１）以外のアルキル基がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位としては下記式（４）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−２）が好ましい。（Ａ−２）単位はＤ単位であり、（Ｂ−２）単位はＴ単位である。下記式（３）および式（４）において、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ²は炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ⁶は炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。

（Ａ−１）単位や（Ａ−２）単位以外の芳香環がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位としては、２つの芳香環を有するＤ単位がある。また、（Ｂ−１）単位や（Ｂ−２）単位以外のアルキル基がケイ素原子に結合したオルガノシロキシ単位としては、炭素数が５以上のアルキル基を有するＤ単位やＴ単位がある。しかしこれらの単位を有する架橋シリコーン樹脂は機械的物性などの特性が不充分になるおそれがあり、本発明における架橋シリコーン樹脂としてはこのようなオルガノシロキシ単位を含まないものが好ましい。

本発明における架橋シリコーン樹脂は、（Ａ−２）単位および（Ｂ−２）単位のいずれか少なくとも一方を含んでいてもよい。本発明における架橋シリコーン樹脂が（Ａ−１）単位、（Ｂ−１）単位、および（Ａ−２）単位と（Ｂ−２）単位のいずれか少なくとも一方からなる場合、上記Ｔ単位とＤ単位の合計に対するＴ単位の割合は［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］に対する［（Ａ−１）＋（Ｂ−２）］の割合であり、１５〜５０モル％が好ましく、２０〜４０モル％であることがより好ましい。
また、全オルガノシロキシ単位に対する芳香環を有するオルガノシロキシ単位の割合、すなわち［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］に対する［（Ａ−１）＋（Ａ−２）］の割合は２０〜４０モル％が好ましい。より好ましいこの割合は、２０〜３０モル％である。
なお、上記のように全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）単位と（Ｂ−１）単位の合計の割合、すなわち、［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］に対する［（Ａ−１）＋（Ｂ−１）］の割合は７０〜１００モル％であり、８５〜１００モル％であることが好ましく、９５〜１００モル％であることがより好ましい。

本発明における架橋シリコーン樹脂は、上記式（１）および式（３）において下記式（９）で表わされるフェニル基（Ｘ）と、上記式（２）および（４）におけるＲ⁶および／またはＲ⁷で表されるアルキル基（Ｙ）の比が、［（Ｘ）］／［（Ｘ）＋（Ｙ）］＝１０〜４０（モル％）であることが好ましく、１０〜２０（モル％）であることがより好ましい。１０（モル％）以上であれば耐熱性が良好であり、形成した樹脂層の平滑性が保たれるために良好に積層できる。４０（モル％）以下であれば良好に積層できる程度の粘着性を有する。

式（９）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。

［硬化性シリコーン樹脂］
本発明における架橋シリコーン樹脂における各オルガノシロキシ単位はモノマーである加水分解性オルガノシラン化合物から生じる。加水分解性オルガノシラン化合物における加水分解性基は、アルコキシ基が好ましいがこれに限られず、塩素原子などのハロゲン原子、アシル基、アミノ基、アルコキシアルコキシ基などであってもよい。
架橋シリコーン樹脂となる硬化性シリコーン樹脂としては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物の混合物であってもよいが、加水分解性オルガノシラン化合物の混合物から得られる部分加水分解縮合物が好ましい。部分加水分解縮合物はシラノール基を有し、シラノール基同士の脱水縮合により架橋して架橋シリコーン樹脂となる。部分加水分解縮合物は加水分解性基を含むこともあり、加水分解性基とシラノール基の縮合反応や加水分解性基同士の縮合反応により架橋硬化することもある。

モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物としては、加水分解性基としてアルコキシ基を有するアルコキシシラン化合物が好ましい。（Ａ−１）単位となるアルコキシシラン化合物としては下記式（５）で表わされる化合物が好ましく、（Ｂ−１）単位となるアルコキシシラン化合物としては下記式（６）で表わされる化合物が好ましい。

上記式（５）、式（６）において、Ｒ¹、Ｒ⁶、Ｒ⁷は、それぞれ上記式（１）、式（２）におけるＲ¹、Ｒ⁶、Ｒ⁷と同じである。Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁸、およびＲ⁹は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁸、Ｒ⁹は、それぞれ独立に、メチル基またはエチル基であることが好ましく、特にＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵はいずれもメチル基であることが好ましく、Ｒ⁸、Ｒ⁹はいずれもエチル基であることが好ましい。

（Ａ−２）単位となるアルコキシシラン化合物としては下記式（７）で表わされる化合物が好ましく、（Ｂ−２）単位となるアルコキシシラン化合物としては下記式（８）で表わされる化合物が好ましい。

上記式（７）、式（８）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁶は、それぞれ上記式（３）、式（４）におけるＲ¹、Ｒ²、Ｒ⁶と同じである。Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、メチル基またはエチル基であることが好ましく、特にＲ³、Ｒ⁴はいずれもメチル基であることが好ましく、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰はいずれもエチル基であることが好ましい。

上記式（５）〜（８）と上記式（１）〜（４）とが示すように、各加水分解性オルガノシラン化合物１分子と各オルガノシロキシ単位の１つとは１対１に対応する。すなわち、架橋シリコーン樹脂における上記各オルガノシロキシ単位の割合は、上記各加水分解性オルガノシラン化合物（モノマー）の割合に対応する。したがって、上記各オルガノシロキシ単位の割合と同じ割合で混合したモノマー混合物やそのモノマー混合物から得られる部分加水分解縮合物を硬化性シリコーン樹脂として使用することにより、上記割合のオルガノシロキシ単位を有する架橋シリコーン樹脂が得られる。
なお、Ｍ単位となる加水分解性オルガノシラン化合物としてはトリメチルエトキシシランなどのトリアルキルアルコキシシラン化合物が好ましく、Ｑ単位となる加水分解性シラン化合物（ただし、本明細書では加水分解性オルガノシラン化合物とみなす）としてはテトラエトキシシランなどのテトラアルコキシシラン化合物が好ましい。

硬化性シリコーン樹脂としては、上記加水分解性オルガノシラン化合物を上記各オルガノシロキシ単位の割合となるように混合したモノマー混合物であってもよい。しかし、反応の制御や取り扱いなどの面から、部分加水分解縮合物であることが好ましい。以下、部分加水分解縮合物を硬化性オリゴマーともいう。
部分加水分解縮合物は、加水分解性オルガノシラン化合物を上記各オルガノシロキシ単位の割合となるように混合したモノマー混合物を部分的に加水分解縮合させて得られる。部分的に加水分解縮合させる方法は、特に限定されない。通常は加水分解性オルガノシラン化合物の混合物を溶媒中、触媒存在下で反応させて製造される。触媒としては、酸触媒やアルカリ触媒が使用しうるが、反応を制御し適切な分子量の部分加水分解縮合物を得るためにはアルカリ触媒の使用が好ましい。また、加水分解反応には通常、水を使用することが好ましい。本発明に使用する部分加水分解縮合物は、溶媒中で加水分解性オルガノシラン化合物の混合物をアルカリ水溶液の存在下で反応させて製造された物が好ましい。具体的な部分加水分解縮合物の製造方法としては、上記特許文献２に記載の方法（特にその実施例に記載の方法）が好ましい。

本発明における硬化性シリコーン樹脂が上記硬化性オリゴマー（すなわち、部分加水分解縮合物）である場合、そのＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、５千以上であることが好ましい。より好ましいその重量平均分子量は１万以上である。この分子量が低すぎると架橋反応において副生する水やアルカノールの量が多くなり、架橋シリコーン樹脂中にボイドが生じるおそれが大きくなる。また、重量平均分子量が高くなりすぎると粘度が高くなりすぎたり、溶媒溶解性が低下するなどの不都合をきたすおそれがあることより、硬化性オリゴマーの重量平均分子量は２０万以下が好ましく、１０万以下がより好ましい。
硬化性オリゴマーの分子量の調節は、反応条件を制御することにより行うことができる。例えば、硬化性オリゴマーを製造する際の溶媒量を調節し、加水分解性オルガノシラン化合物の濃度を高くすると高分子量物が得られ、濃度を低くすると低分子量物が得られる。

上記のように硬化性オリゴマーは反応性基として主にシラノール基を有し、シラノール基同士の反応により架橋して架橋シリコーン樹脂となる。この架橋反応を行うには、硬化性シリコーン樹脂を加熱することが好ましい。シラノール基の架橋反応は脱水縮合反応であり水が副生するが、本発明の積層体の樹脂層が薄いことにより、たとえば支持板上で硬化性オリゴマーの膜を硬化させる際に副生する水を充分に除去することができる。
架橋のための温度条件は架橋シリコーン樹脂の耐熱性や支持板との接着性を維持する範囲内で特に制限されないが、３００〜４７５℃が好ましく、３５０〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、３０〜３００分が好ましく、６０〜１２０分がより好ましい。温度が低すぎると、架橋が充分でない樹脂となって樹脂の耐熱性が低下したり樹脂層の平坦性が低下しやすくなり、一方、温度が高すぎると樹脂層の支持板との接着力が低下しやすい。

上記硬化性オリゴマー以外の硬化性シリコーン樹脂の架橋硬化においては、架橋反応により水以外にアルカノールなども副生することがあるが、水と同様に樹脂中から容易に除去が可能である。これにより、積層体の樹脂層における水などの揮発成分の量を極めて少量とすることでき、積層体のガラス基板表面上に電子デバイス用部材を形成する際の高温条件下において水などの低分子化合物に起因するガス発生が少なくすることができる。

支持板１２上に樹脂層１４を形成するために、支持板１２上に硬化性シリコーン樹脂の層を形成し、その硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて樹脂層１４とすることが好ましい。支持板１２上に硬化性シリコーン樹脂の層を形成するためには、硬化性シリコーン樹脂を溶媒に溶解させた溶液を使用し、この溶液を支持板１２上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して硬化性シリコーン樹脂の層とすることが好ましい。溶液の濃度の調整などにより硬化性シリコーン樹脂の層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で硬化性シリコーン樹脂を容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート等を例示することができる。架橋反応により得られる樹脂層が平坦になりやすい点で、１−メトキシ−２−プロパノールアセテートが好ましい。
硬化性シリコーン樹脂と硬化性オリゴマーを含む溶液の固形分濃度としては、３０〜７０質量％が好ましく、４０〜６０質量％がより好ましい。

［積層体およびその製造方法］
本発明の積層体１０は、上述したように、支持板１２とガラス基板１６とそれらの間に樹脂層１４が存在する積層体である。
本発明の積層体１０の製造方法は特に制限されないが、剥離強度（ｙ）が剥離強度（ｘ）または凝集破壊強度（ｚ）よりも高い積層体を得るために、支持板表面上で硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて樹脂層を形成する方法が好ましい。すなわち、硬化性シリコーン樹脂の膜を支持板の表面に形成し、支持板表面上で硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて架橋シリコーン樹脂の膜を形成し、次いで、架橋シリコーン樹脂の膜の表面にガラス基板を積層して、積層体を製造する方法である。
以下、硬化性シリコーン樹脂の膜を支持板の表面に形成し、支持板表面上で硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて架橋シリコーン樹脂の膜を形成する工程を樹脂層形成工程、架橋シリコーン樹脂の膜の表面にガラス基板を積層して積層体とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。

（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、上述した硬化性シリコーン樹脂および溶媒を含む溶液を支持板１２の表面上に塗布し、溶媒を除去して支持板１２の表面上に硬化性シリコーン樹脂の膜を形成する。次いで、支持板１２上の硬化性シリコーン樹脂の膜を熱硬化させ、樹脂層１４を形成する。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、該工程では支持板１２の少なくとも片面の表面上に樹脂層１４が形成される。

支持板１２表面上に硬化性シリコーン樹脂の溶液を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。

硬化性シリコーン樹脂はプレキュア（予備硬化）を行った後硬化（本硬化）を行って硬化させることが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れた樹脂層を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、溶液の膜から溶媒を除去して硬化性シリコーン樹脂の膜を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。溶媒の除去は１００℃以上に加熱して行うことが好ましく、１５０℃以上に加熱することにより引き続きプレキュアを行うことができる。溶媒の除去とプレキュアを行う温度および加熱時間は、１００〜３００℃、５〜６０分が好ましく、１５０〜２５０℃、１０〜３０分がより好ましい。

硬化性シリコーン樹脂を熱硬化させる温度条件は、樹脂層の耐熱性を向上し、ガラス基板と積層後の剥離強度（ｘ）を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、３００〜４７５℃が好ましく、３５０〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、３０〜３００分が好ましく、６０〜１２０分がより好ましい。熱硬化の温度が低すぎると、耐熱性や樹脂層の平坦性が低下し、一方、温度が高すぎると剥離強度（ｘ）が低くなりすぎ、いずれもガラス基板の積層が困難となることがある。

（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られた樹脂層１４の層上にガラス基板１６を積層し、支持板１２の層と樹脂層１４とガラス基板１６の層と、をこの順で備える積層体を得る工程である。より具体的には、図２（Ｂ）に示すように、樹脂層１４の支持板１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａと、を積層面として、樹脂層１４とガラス基板１６と、を積層し、積層体１０を得る。

ガラス基板１６を樹脂層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下で樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いて樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、樹脂層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

ガラス基板１６を積層する際には、樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。

なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６の樹脂層１４に対する接着性が向上し、適切な剥離強度（ｘ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用される樹脂層の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板１６と樹脂層１４の間の剥離強度（ｘ）をより適切なものとする点から、３００℃以上（好ましくは、３００〜４００℃）で５分間以上（好ましく、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

（積層体）
本発明の積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、積層体１０が高温条件（例えば、４００℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（ＭＩＣＲＯ ＥＬＥＣＴＲＯ ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ ＳＹＳＴＥＭＳ）シャッターパネル等が含まれる。

［部材付ガラス基板およびその製造方法］
本発明においては、上述した積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材と、を含む電子デバイス用部材付きガラス基板（部材付ガラス基板）が製造される。
該部材付ガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面または樹脂層内部を剥離面として部材付ガラス基板と樹脂層付き支持板とに分離し、次いで、部材付ガラス基板の剥離面を清浄化する方法が好ましい。
以下、上記積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面または樹脂層内部を剥離面として部材付ガラス基板と樹脂層付き支持板とに分離する工程を分離工程、部材付ガラス基板の剥離面を清浄化する工程を清浄化処理工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られた積層体１０中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２０は、積層体１０中のガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。樹脂層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、樹脂層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持板１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持板１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付ガラス基板を製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層体１０のガラス基板１６の樹脂層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別の積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

［分離工程］
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、樹脂層１４とガラス基板１６との界面または樹脂層１４を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層したガラス基板１６（部材付ガラス基板）と、支持板１２とに分離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１６を含む部材付ガラス基板２４を得る工程である。
剥離時のガラス基板１６上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１６上に形成することもできる。

分離された部材付ガラス基板２４の第１主面１６ａには樹脂が付着している場合も、付着していない場合もある。上記のように、剥離面がガラス基板１６の第１主面１６ａと樹脂層１４の界面である場合は、部材付ガラス基板２４の第１主面１６ａには樹脂が付着していない。剥離面が樹脂層１４の内部である場合（すなわち、樹脂層の凝集破壊により剥離が生じた場合）、部材付ガラス基板２４の第１主面１６ａには樹脂が付着している。部部分的に界面剥離と凝集破壊剥離とが生じた場合には、部材付ガラス基板２４の第１主面１６ａに樹脂が付着している部分と樹脂が付着していない部分とが生じる。
分離された支持板１２の樹脂層１４が存在していた表面には、樹脂が付着している。剥離面がガラス基板１６の第１主面１６ａと樹脂層１４の界面である場合は、上記樹脂層付き支持板１８とほぼ同じ構成の樹脂が付着した支持板１２となる。樹脂層１４の凝集破壊により生じた樹脂付着支持板の場合には、樹脂層１４と接していた表面のほぼ全面に樹脂が付着した支持板となり、樹脂が付着していない面は少ない。
なお、図２（Ｄ）は樹脂層１４が凝集破壊した場合を示し、ガラス基板１６の樹脂層１４と接した表面には樹脂層１４の一部の樹脂が付着している。

ガラス基板１６と支持板１２と、を剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板１６と樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持板１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−樹脂層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持板１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると樹脂層１４とガラス基板１６との界面や樹脂層１４の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持板１２を容易に剥離することができる。
また、支持板１２は、新たなガラス基板と積層して、本発明の積層体１０を製造することができる。分離された支持板１２の表面に樹脂層１４が破壊されることなく付着している場合は、この樹脂層が付着している支持板１２を上記樹脂層付き支持板１８として使用し、新たに積層体１０を上記と同様に製造することができる。また、樹脂層の凝集破壊により分離された支持板１２の場合は、付着した樹脂を除去して樹脂が付着していない支持板１２とし、この樹脂が付着していない支持板１２を使用して上記と同様に新たに積層体１０を製造することができる。この新たな積層体１０の製造方法としては、前述した本発明の製造方法が好ましい。

なお、積層体から部材付ガラス基板を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、樹脂層の欠片が部材付ガラス基板に静電吸着することをより抑制することができる。

［清浄化処理工程］
清浄化処理工程は、上記分離工程で得られた部材付ガラス基板２４中のガラス基板１６の剥離面（第１主面１６ａ）に清浄化処理を施す工程である。該工程を実施することにより、剥離面に付着した樹脂や樹脂層、剥離面に付着した上記部材形成工程で発生する金属片やホコリなどの不純物を除去することができ、剥離面の清浄性を維持することができる。結果として、ガラス基板１６の剥離面に貼り付けられる位相差フィルムや偏光フィルムなどの粘着性が向上する。
より具体的には、本工程を実施することにより、図２（Ｅ）に示すように、図２（Ｄ）でガラス基板１６の表面上に付着していた樹脂層の一部が除去される。

清浄化処理の方法は、剥離面に付着した樹脂やホコリなどを除去することができれば、特にその方法は制限されない。例えば、付着物を熱的に分解する方法や、プラズマ照射または光照射（例えば、ＵＶ照射処理）によって剥離面上の不純物を除去する方法や、溶媒を用いて洗浄処理する方法などが挙げられる。特に、不純物の除去性がより優れる点で、溶媒を用いた洗浄処理方法が好ましい。

溶媒を用いた洗浄処理方法において使用される溶媒の種類は、使用される樹脂層を構成する樹脂の種類により適宜最適な溶媒が選択される。
例えば、ｓｐ値、すなわち溶解度パラメータが７〜１５（単位：ｃａｌ^1/2ｃｍ^-3/2）の溶剤を含む薬液を用いて洗浄処理を行うことが好ましい。より具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、キシレン、ヘキサン、イソパラフィン等を含む薬液を用いることが好ましい。さらに、環境負荷の観点からアルコール系洗浄液（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール）を含有する洗浄液を用いることが好ましい。これらの溶媒は単独で、または、組み合わせて用いられる。
なお、必要に応じて、電子デバイス用部材２０が溶媒と接触しないように、シーリングやマスキング処理を実施してもよい。また、エアブローまたは加熱乾燥など溶剤除去処理を併せて実施するのが望ましい。

上述した部材付ガラス基板２４の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

上記方法で製造された部材付ガラス基板２４としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例１〜６、比較例１〜３では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２４０ｍｍ、横２４０ｍｍ、板厚０．４ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

＜製造例１＞硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）を含む液状物の製造
オルガノシロキシ単位（Ａ−１）を構成する化合物としてフェニルトリメトキシシラン１００質量部と、オルガノシロキシ単位（Ｂ−１）を構成する化合物としてジメチルジエトキシシラン２２５質量部に対して、トルエン２３０質量部を加えた。ついで１０℃以下に保ちながら、この混合物中に０．５質量％の水酸化ナトリウム水溶液１４０質量部を滴下して加え、１０℃で３時間、５０℃で３時間撹拌した。その後７０℃で２時間保持してアルコールを除去したのち、７５℃で１０時間撹拌した。
得られた反応液に、トルエン１５０質量部を加えて希釈したところ、２層分離した。下層の水酸化ナトリウム水溶液層を分液ロートで除去した。上層のトルエン層のｐＨが７以下になるまで水洗したのち、孔径０．５マイクロメートルのメンブレンフィルターにて濾過した。得られた液を７０℃で加熱減圧により有機溶媒を除去し、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）を得た。
得られた硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による重量平均分子量（ポリスチレン換算）が、５５０００であった。またＦＴ−ＩＲ（赤外分光光度計）により、Ｓｉ−ＯＨ基由来の３２００〜３６００ｃｍ^-1の吸収が確認された。
次に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）１００質量部を１−メトキシ−２−プロパノールアセテート２００質量部に溶解させて硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）を含む液状物を作製した。

＜製造例２〜５＞硬化性シリコーン樹脂（Ｓ２）〜（Ｓ５）と、各液状物の製造
硬化性シリコーン樹脂（Ｓ２）〜（Ｓ５）について、製造例１と同様にして、表１に示す組成比で製造した。ついで得られた硬化性シリコーン樹脂（Ｓ２）〜（Ｓ５）を１−メトキシ−２−プロパノールアセテートに溶解させて硬化性シリコーン樹脂（Ｓ２）〜（Ｓ５）を各々含む液状物を作製した。

なお、以下の表１中、「シラノール基」欄は、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）〜（Ｓ５）中にシラノール基が含まれるか否かを意味する。また、表１中、（Ｂ−２）単位のモル％は「０」として計算した。

＜実施例１＞
初めに、板厚０．４ｍｍの支持板を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。
次に、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ１）を含む液状物を、スピンコータにて塗工した（塗工量３０ｇ／ｍ²）。
次に、これを１８０℃にて１０分間大気中で加熱硬化して、支持板上の組成物の層中の溶剤を除去した。その後、さらに４５０℃にて６０分間大気中で加熱硬化して、支持板の第１主面に厚さ２μｍの樹脂層を形成した。

その後、ガラス基板と、支持板の樹脂層面と、を、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、その後３５０℃で１０分間加熱処理を行い、支持板の端部をガラス基板と同じ寸法に切断除去して面取し、積層体Ａを得た。
得られた積層体Ａにおいては、支持板とガラス基板は、樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

次に、積層体Ａを大気下で４５０℃６０分間加熱処理をおこない、室温まで冷却したところ、積層体Ａの支持板とガラス基板の分離や樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、積層体Ａの４箇所のうち１箇所のコーナー部におけるガラス基板と支持板の樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、ガラス基板と支持板それぞれの剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、互いにガラス基板と支持板が分離する方向に外力を加えて、ガラス基板と支持板を破損すること無く分離した。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。具体的には、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。
なお、樹脂層の主要部は支持板と共にガラス基板から分離され、該結果より、支持板の層と樹脂層の界面の剥離強度（ｙ）が、樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度（ｘ）または樹脂層の凝集破壊強度（ｚ）よりも高いことが確認された。

続いて、分離したガラス基板の剥離面をアルコール溶液（日本アルコール販売社製、ネオコールＲ７）によるブラシ洗浄を１分間おこなった後エアブローし、清浄化した。
上記アルコール溶液は、エタノールを８６．６質量％、ノルマルプロピルアルコール（ＮＰＡ）を９．５質量％、メタノールを２．６質量％、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を１．５質量％含むものである。
清浄化後のガラス板の表面を顕微鏡で観察したところ、酸化物や樹脂などの異物、および、傷は見られなかった。

＜実施例２＞
実施例１と同様の方法で、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ２）の加熱硬化物からなる厚さ１．５μｍの樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法で、積層体Ｂを得た。
得られた積層体Ｂにおいては、支持板とガラス基板は、樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、積層体Ｂを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、積層体Ｂの支持板とガラス基板の分離や樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、積層体Ｂを実施例１と同様の方法で、ガラス基板と支持板を破損すること無く分離した。
続いて、実施例１と同様の方法で、分離したガラス基板の剥離面を清浄化した。
清浄化後のガラス板の表面を顕微鏡で観察したところ、酸化物や樹脂などの異物、および、傷は見られなかった。

＜実施例３＞
実施例１と同様の方法で、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ３）の加熱硬化物からなる厚さ２μｍの樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法で、積層体Ｃを得た。
得られた積層体Ｃにおいては、支持板とガラス基板は、樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、積層体Ｃを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、積層体Ｃの支持板とガラス基板の分離や樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、積層体Ｃを実施例１と同様の方法で、ガラス基板と支持板を破損すること無く分離した。
続いて、実施例１と同様の方法で、分離したガラス基板の剥離面を清浄化した。
清浄化後のガラス板の表面を顕微鏡で観察したところ、酸化物や樹脂などの異物、および、傷は見られなかった。

＜実施例４＞
本例では、実施例１で得た積層体Ａを用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、積層体Ａにおけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有する積層体Ａ（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体（支持板付き表示装置用パネル）である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持板表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持板を剥離することができる。
続いて、実施例１と同様の方法で分離したガラス基板の剥離面を清浄化し、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板と、を組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

＜実施例５＞
本例では、実施例１で得た積層体Ａを用いてＬＣＤを製造する。
まず、２枚の積層体Ａを準備して、片方の積層体Ａ１におけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方の積層体Ａ２を大気雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理する。次に、積層体Ａにおけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成された積層体Ａ１を用いて、２枚の積層体Ａのガラス基板の第２主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを得る。

続いて、積層体Ａ１の第２主面を定盤に真空吸着させ、積層体Ａ２のコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第１主面と樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。そして、積層体Ａ２の支持板の第２主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上に、積層体Ａ１の支持板が付いたＬＣＤの空セルのみを残し、支持板を剥離することができる。

次に、第１主面にカラーフィルタが形成されたガラス基板の第２主面を定盤に真空吸着させ、積層体Ａ１のコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第１主面と樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。そして、積層体Ａ１の支持基板の第２主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上にＬＣＤセルのみを残し、樹脂層が固定された支持板を剥離することができる。続いて、実施例１と同様の方法で剥離面を清浄化する。こうして、厚さ０．１ｍｍのガラス基板で構成される複数のＬＣＤのセルが得られる。

続いて、切断する工程により、複数のＬＣＤのセルに分断する。完成された各々のＬＣＤセルに偏光板を貼付する工程を実施し、続いてモジュール形成工程を実施してＬＣＤを得る。こうして得られるＬＣＤは、特性上問題は生じない。

＜実施例６＞
本例では、実施例１で得た積層体Ａを用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、積層体Ａにおけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側にさらに窒化ケイ素を成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側にさらに窒化ケイ素を成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、大気中で４５０℃にて６０分間加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第２主面側にさらにプラズマＣＶＤ法により窒化ケイ素を成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有する積層体Ａ（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体（支持板付き表示装置用パネル）である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持板表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持板を剥離することができる。
続いて、実施例１と同様の方法で分離したガラス基板の剥離面を清浄化し、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板と、を組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

＜比較例１＞
実施例１と同様の方法で、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ４）の加熱硬化物からなる厚さ１μｍの樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法でガラス基板と、支持板の樹脂層面と、を、室温下で真空プレスしたところ、樹脂層が硬く、ガラス基板と支持板の樹脂層面で一部積層していない部分がみられた。その後、３５０℃で１０分間加熱処理を行ったところ、ガラス基板と支持板の樹脂層面全面で分離し、積層体が形成されなかった。

＜比較例２＞
実施例１と同様の方法で、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ５）の加熱硬化物からなる厚さ１μｍの樹脂層を形成した。樹脂層の表面は目視による観察でムラが確認されるほどの平坦度であった。
続いて、実施例１と同様の方法でガラス基板と、支持板の樹脂層面と、を、室温下で真空プレスしたところ、ガラス基板と支持板の樹脂層面全面で分離し、積層体が形成されなかった。

＜比較例３＞
実施例１と同様の方法で、支持板の第１主面上に、硬化性シリコーン樹脂（Ｓ６）の加熱硬化物からなる厚さ１μｍの樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法でガラス基板と、支持板の樹脂層面と、を、室温下で真空プレスしたところ、樹脂層が硬く、ガラス基板と支持板の樹脂層面で一部積層していない部分がみられた。その後、３５０℃で１０分間加熱処理を行ったところ、ガラス基板と支持板の樹脂層面全面で分離し、積層体が形成されなかった。

＜比較例４＞
支持板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、該支持板上に、無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン株式会社製 ＫＮＳ−３２０Ａ）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン株式会社製 ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部の混合物をスピンコータにて塗工し（塗工量１０ｇ／ｍ²）、１８０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して膜厚１６μｍのシリコーン樹脂層を得た。
ガラス基板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、支持板のシリコーン樹脂層形成面と、ガラス基板と、を、室温下真空プレスにて貼り合わせ、付加重合型シリコーン樹脂層を有するガラス積層体Ｐを得た。
まず、積層体Ｐにおけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜した。次に、窒素雰囲気下４５０℃にて６０分間加熱処理し脱水素処理をおこなった。脱水素処理後の積層体Ｐを目視で観察すると、面内の一部および積層体の端部において樹脂の揮発による発泡部が見られ、実施例１と同様の方法で積層体Ａの４箇所のうち１箇所のコーナー部におけるガラス基板と支持板の樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、ガラス基板と支持板それぞれの剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、互いにガラス基板と支持板が分離する方向に外力を加えて、ガラス基板と支持板を分離すると、ガラス基板の剥離面、すなわち第１主面上の一部に樹脂の付着が認められた。
次に、樹脂が付着したガラス基板の剥離面に対して、実施例１で実施したアルコール溶液（日本アルコール販売社製、ネオコールＲ７）によるブラシ洗浄を行ったが、樹脂の付着を除去することはできなかった。

実施例４〜６は、本発明の樹脂層を有する積層体のため、電子デバイスを高温で形成してもデバイス特性への影響がみられない。これは積層体の樹脂層における揮発成分による影響がなかったためと推察される。
一方、本発明の樹脂層ではない比較例４は電子デバイスを高温で形成すると発泡が見られ、揮発成分が発生していると思われる。また、ガラス基板に付着した樹脂を除去することができない。

本出願は、２０１１年１０月１８日出願の日本特許出願２０１１−２２８７９２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１０ 積層体
１２ 支持板
１４ 樹脂層
１４ａ 樹脂層の第１主面
１６ ガラス基板
１６ａ ガラス基板の第１主面
１６ｂ ガラス基板の第２主面
１８ 樹脂層付き支持板
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 部材付ガラス基板

Claims (15)

1. 支持板の層と樹脂層とガラス基板の層と、をこの順で備え、
   前記支持板の層と前記樹脂層の界面の剥離強度（ｙ）が、前記樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度（ｘ）または前記樹脂層の凝集破壊強度（ｚ）よりも高く、
   前記樹脂層の樹脂が架橋シリコーン樹脂であり、
   前記架橋シリコーン樹脂が、式（１）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）と、式（２）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）と、を含み、
   全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）＋（Ｂ−１）の割合が７０〜１００モル％であり、かつ（Ａ−１）と（Ｂ−１）の合計に対する（Ａ−１）の割合が１５〜５０モル％の架橋シリコーン樹脂である、積層体。
   

   

   （前記式（１）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。前記式（２）中、Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。）
2. 前記架橋シリコーン樹脂が、さらに、式（３）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−２）および式（４）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−２）のいずれか少なくとも一方を含み、［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］に対する［（Ａ−１）＋（Ｂ−２）］の割合が１５〜５０モル％である、請求項１に記載の積層体。
   

   

   （前記式（３）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ²は炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。前記式（４）中、Ｒ⁶は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。）
3. 前記式（１）および式（３）において式（９）で表わされるフェニル基（Ｘ）と、前記式（２）および（４）においてＲ⁶および／またはＲ⁷で表されるアルキル基（Ｙ）の比が、［（Ｘ）］／［（Ｘ）＋（Ｙ）］＝１０〜４０モル％である、請求項２に記載の積層体。
   

   

   （前記式（９）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。）
4. 全オルガノシロキシ単位に対する［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ｂ−１）＋（Ｂ−２）］の割合が９５〜１００モル％である、請求項２または３に記載の積層体。
5. 前記式（１）〜（４）で表されるオルガノシロキシ単位がいずれもオルガノアルコキシシラン化合物に由来する単位である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体。
6. 前記樹脂層の厚さが１〜５μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体。
7. 前記支持板がガラス板である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体。
8. 前記支持板と前記ガラス基板との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差が０〜５００×１０^-7／℃である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層体。
9. 架橋硬化して架橋シリコーン樹脂となる硬化性シリコーン樹脂の膜を支持板の表面に形成し、
   前記支持板の表面上で前記硬化性シリコーン樹脂を架橋硬化させて架橋シリコーン樹脂の膜を形成し、次いで、
   前記架橋シリコーン樹脂の膜の表面にガラス基板を積層して、支持板の層と樹脂層とガラス基板の層と、をこの順で備えた積層体を製造する積層体の製造方法。
   架橋シリコーン樹脂：式（１）で表されるオルガノシロキシ単位（Ａ−１）と、式（２）で表されるオルガノシロキシ単位（Ｂ−１）とを含み、全オルガノシロキシ単位に対する（Ａ−１）＋（Ｂ−１）の割合が７０〜１００モル％であり、かつ（Ａ−１）と（Ｂ−１）の合計に対する（Ａ−１）の割合が１５〜５０モル％の架橋シリコーン樹脂。
   

   

   （前記式（１）中、Ｒ¹は水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。前記式（２）中、Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。）
10. 前記硬化性シリコーン樹脂がオルガノアルコキシシラン化合物の混合物の部分加水分解縮合物からなり、該硬化性シリコーン樹脂および溶媒を含む溶液を前記支持板の表面に塗布して、前記溶媒を除去することにより硬化性シリコーン樹脂の膜を形成する、請求項９に記載の積層体の製造方法。
11. 前記部分加水分解縮合物の重量平均分子量が１万〜２０万である、請求項１０に記載の積層体の製造方法。
12. 前記部分加水分解縮合物の重量平均分子量が１万〜１０万である、請求項１０に記載の積層体の製造方法。
13. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の積層体中の前記ガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を製造し、
    前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記樹脂層のガラス基板側界面または前記樹脂層内部を剥離面として、電子デバイス用部材付きガラス基板と樹脂層付き支持板と、に分離し、次いで、
    前記電子デバイス用部材付きガラス基板の剥離面を清浄化する
    電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法。
14. 前記清浄化が溶媒を用いた洗浄である、請求項１３に記載の電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法。
15. 前記洗浄が、溶解度パラメータが７〜１５の溶媒を使用した洗浄である、請求項１４に記載の電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法。

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