TWI832225B - 支持玻璃基板之製造方法及層積基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之支持玻璃基板係其特徵為在為了支持加工基板的支持玻璃基板中，對於支持玻璃基板的表面，具備將點作為構成單位之資訊辨識部，且從點伸張之裂化的表面方向之平均長度則為350μm以下者。

Description

支持玻璃基板之製造方法及層積基板之製造方法
本發明係有關為了支持加工基板的支持玻璃基板及使用此之層積基板，具體而言係有關在半導體封裝(半導體裝置)之製造工程，使用於加工基板的支持之支持玻璃基板及使用此之層積基板。
對於行動電話，筆記型電腦，PDA(Personal Data Assistance)等之攜帶型電子機器，係要求小型化及輕量化。伴隨於此，亦嚴格限制使用於此等電子機器之半導體晶片的安裝空間，而半導體晶片的高密度之安裝則成為課題。因此，在近年中，經由三次元安裝技術，即，層積半導體晶片彼此，配線連接各半導體晶片間之時，而謀求半導體封裝之高密度安裝。
另外，以往的晶圓級封裝(WLP)係在晶圓的狀態而形成突起電極之後，經由切割而個片化加以製作。但以往的WLP係加上於不易使銷數增加，在半導體晶片的背面露出之狀態加以安裝之故，而有容易產生有半導體晶片的缺陷等之問題。
因此，作為新的WLP係加以提案有fan out型之WLP。fan out型之WLP係可使銷數增加，另外，經由保護半導體晶片的端部之時，可防止半導體晶片之缺陷等。
對於fan out型之WLP係有著先晶片型與後晶片型之製造方法。在先晶片型中，例如，具有在以樹脂之密封材料而鑄模複數之半導體晶片，形成加工基板之後，配線於加工基板之一方的表面之工程，形成焊錫凸塊之工程等。在後晶片型中，例如，具有在設置配線層於支持基板上之後，配列複數之半導體晶片，以樹脂的密封材料而鑄模形成加工基板之後，形成焊錫凸塊之工程等。
更且，在最近中，亦加以檢討有稱為面板級封裝(PLP)之半導體封裝。在PLP中，使支持基板每1片的半導體封裝之取得數增加同時，為了使製造成本降低，並非晶圓狀，而加以使用矩形狀的支持基板。
在此等之半導體封裝之製造工程中，為了伴隨約200℃之熱處理，而有密封材料產生變形，對於加工基板產生有彎曲之虞。當對於加工基板產生有彎曲時，對於加工基板之一方的表面而言，高密度地進行配線者則變為困難，另外，正確地形成焊錫凸塊者亦變為困難。
從如此之情事，為了抑制加工基板之彎曲，加以檢討為了支持加工基板而使用玻璃基板者(參照專利文獻1)。
玻璃基板係容易將表面平滑化，且具有剛性。因而，當作為支持基板而使用玻璃基板時，可成為將加工基板，堅固，且正確地支持者。另外，玻璃基板係容易透過紫外光，紅外光等之光線。因而，當作為支持基板而使用玻璃基板時，經由設置紫外線硬化型接著劑等之接著層等之時，可容易地固定加工基板者。更且，經由設置吸收紅外線的剝離層等之時，亦可容易地分離加工基板者。作為另外的方式而經由紫外線硬化型膠帶等而設置接著層等之時，亦可容易地固定，分離加工基板者。
[發明欲解決之課題]
但，於支持玻璃基板的表面形成(標記)二維碼的識別資訊部(標示)時，可管理，辨識支持玻璃基板的生產資訊等(例如，玻璃基板之尺寸，線熱膨脹係數，批量，總厚度變異，製造者名，販賣者名)者。此資訊辨識部係一般而言形成於支持玻璃基板的周緣範圍，作為文字，記號等，經由人的眼睛等而辨識。更且，支持玻璃基板之資訊辨識部係有著經由CCD照像機等之光學元件而自動辨識之情況，而此情況係對於資訊辨識部，係要求有即使在自動化工程亦可正確地辨識者。
作為形成資訊辨識部之方法，例如，知道有照射雷射於支持玻璃基板，經由其照射前後之熱衝擊，使裂化(主要為厚度方向之裂化)伸張於支持玻璃基板，而形成資訊辨識部的方法(參照專利文獻2)。
但此方法係在fan out型之WLP與PLP的製造工程中，於為了硬化密封材料之樹脂而歷經加熱層積基板之工程的情況，在加熱層積基板後，冷卻成室溫時，經由加工基板與支持玻璃基板之些微的熱膨脹係數的差，支持玻璃基板則成為容易產生破損。
本發明係有鑑於上述情事所作為之構成，而其技術性的課題係發明即使在形成資訊辨識部於表面之情況，在fan out型之WLP與PLP的製造工程不易產生破損之支持玻璃基板者。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-78113號公報 [專利文獻2] 國際公開第2016/136348號 為了解決課題之手段
本發明者係反覆種種實驗之結果，經由將自構成資訊辨識部的點所產生之裂化的長度，限制為特定值以下之時，發現可解決上述技術性的課題，而作為本發明而提案之構成。即，本發明之支持玻璃基板係其特徵為在為了支持加工基板的支持玻璃基板中，對於支持玻璃基板的表面，具備將點作為構成單位之資訊辨識部，從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為350μm以下者。在此，「從點伸張之裂化的表面方向之最大長度」係在以光學顯微鏡觀察時，沿著裂化的形狀而長度測量者，而並非於連結裂化之始點與終點長度測量兩點間距離者，另外亦非為長度測量厚度方向之裂化者。另外，從點伸張之裂化的表面方向之最大長度係可經由脈衝雷射的照射條件(脈衝寬度，照射口徑，照射速度等)而控制。
另外，本發明之支持玻璃基板係從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為0.1μm以上者為佳。
另外，本發明之支持玻璃基板係以環狀的溝而形成點者為佳。如作為如此，成為經由雷射剝蝕(經由脈衝雷射之照射的玻璃之蒸發)而容易形成點。作為結果，在照射脈衝雷射而形成點時，經由照射條件的控制，可未使過剩的熱積蓄於照射範圍的玻璃，而形成點者。
另外，在本發明之支持玻璃基板中，30~380℃之温度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且為165×10 -7/℃以下者為佳。如作為如此，對於在加工基板內變更半導體晶片與密封材料之比例之情況，成為可容易使加工基板與支持玻璃基板之熱膨脹係數周密地進行整合。並且，當兩者之熱膨脹係數整合時，成為在加工處理時，容易抑制加工基板的尺寸變化(特別是，彎曲變形)。作為結果，成為可抑制支持玻璃基板的彎曲者，而成為可使支持玻璃基板之資訊辨識部的裂化作成起點之支持玻璃基板的破損減少者。在此，「在30~380℃之温度範圍的平均線熱膨脹係數」係可以熱膨脹儀測定。
另外，本發明之支持玻璃基板係具有直徑100~500mm之晶圓形狀或略圓板形狀，板厚則不足2.0mm，而總厚度變異則為5μm以下者為佳。在此，「總厚度變異」係支持玻璃基板全體之最大板厚與最小板厚的差，例如，可經由KOBELCO research institute公司製之SBW-331ML/d而測定。「彎曲量」係指在支持玻璃基板全體的最高位點與最小平方焦點面之間的最大距離之絕對值，和最低位點與最小平方焦點面之絕對值的合計，例如，可經由KOBELCO research institute公司製之Bow/Warp測定裝置SBW-331ML/d而測定。
另外，本發明之支持玻璃基板係具有各邊為300mm以上之四角形的形狀，板厚則不足2.0mm，而總厚度變異則為10μm以下者為佳。
另外，本發明之層積基板係至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，支持玻璃基板則為上述之支持玻璃基板者為佳。
另外，本發明之層積基板係具備：至少以密封材料而鑄模加工基板之半導體晶片者為佳。
本發明之半導體封裝之製造方法係具有：準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程，和對於加工基板而言，進行加工處理之工程的同時，支持玻璃基板為上述之支持玻璃基板者為佳。
另外，本發明之半導體封裝之製造方法係加工處理則包含：於加工基板之一方的表面進行配線的工程者為佳。
另外，本發明之半導體封裝之製造方法係加工處理則包含：於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊的工程者為佳。
本發明之玻璃基板係其特徵為具備於表面，將點作為構成單位之資訊辨識部，從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為350μm以下者。
以下，將本發明之一實施形態，參照圖1~4而加以說明。圖1係有關本發明之一實施形態之支持玻璃基板1的平面圖。此支持玻璃基板1係可為了支持加工基板而使用者。如同圖所示，支持玻璃基板1係於其表面2，形成有資訊辨識部3。在本實施形態中，支持玻璃基板1係構成略圓板狀。另外，對於此支持玻璃基板1之周緣部1a係作為定位部而設置有缺口部4，而於此缺口部4之附近形成有資訊辨識部3。
資訊辨識部3係如圖2所示，例如由複數的文字5(在此所稱之文字5係至少如圖2所示，包含數字等之表意文字)的組合所成。另外，各文字5係如擴大圖2中之A部所示地，各以複數的點6而構成。並且，將缺口部4之圓周方向中央位置C3作為基準情況之資訊辨識部3之圓周方向中央位置C4之相位θ(圖2)係設定為2°以上、且10°以下。
更且，對於各點6加以說明。圖4係擴大顯示圖3之B部所示的點6者，如同圖所示，各點6係以環狀的溝7而形成。因此，構成文字5之各點6係辨識為環狀(圖3及圖4)。在本實施形態中，溝7係構成正圓環狀。另外，溝7之外周緣與內周緣係同時構成正圓形狀。因而，此情況，溝7的寬度尺寸係遍佈於全周為一定。
從環狀的溝7係伸張有裂化8，但其裂化8之表面方向的最大長度係成為0.5~10μm。
本發明之支持玻璃基板係具備：於支持玻璃基板的表面，將點作為構成單位的資訊辨識部。 識別資訊部係具有選自包含文字，記號，二維碼，及圖形的群之1種以上的要素，而其要素則由複數的點而構成。資訊辨識部係顯示選自包含支持玻璃基板的尺寸，線熱膨脹係數，批量，厚度偏差率，製造者名，販賣者名，及材質碼的群之至少1個資訊者為佳。然而，對於在此所稱之「尺寸」係作為包含：支持玻璃基板之厚度尺寸，外徑尺寸，缺口部之尺寸等者。
本發明之支持玻璃基板係從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為350μm以下，而理想係300μm以下、250μm以下、0.1~180μm、0.3~100μm、0.3~50μm、0.5~30μm、0.5~20μm、0.8~10μm、特別為1~5μm。當裂化之表面方向的最大長度過大時，成為在fan out型之WLP與PLP的製造工程，支持玻璃基板則容易產生破損。然而，當完全消除自點所產生之表面方向的裂化時，雖成為在fan out型之WLP與PLP的製造工程，支持玻璃基板則更不容易產生破損，但此情況，成為不易經由雷射剝蝕，以短時間形成點，而資訊辨識部的形成效率則極端地降低。
在本發明之支持玻璃基板中，從點伸張之裂化的厚度方向之最大長度係理想為200μm以下、100μm以下、50μm以下、30μm以下、20μm以下、10μm以下、特別是5μm以下。當裂化之厚度方向的最大長度過大時，成為在fan out型之WLP與PLP的製造工程，支持玻璃基板則容易產生破損。
點的外徑尺寸係理想為0.05~0.20mm、0.07~ 0.13mm以下、特別是0.09~0.11mm。當點的外徑尺寸過小時，資訊辨識部的辨識性則成為容易降低。另一方面，當點的外徑尺寸過大時，成為容易確保支持玻璃基板之強度。
相互鄰接的點之中心間距離係0.06~0.25mm為佳。當相互鄰接的點之中心間距離過小時，成為容易確保支持玻璃基板之強度。另一方面，當相互鄰接的點之中心間距離過大時，資訊辨識部的辨識性則成為容易降低。
資訊辨識部係可以種種方法而形成，但在本發明中，照射脈衝雷射，剝蝕其照射範圍的玻璃而形成資訊辨識部之情況，也就是經由雷射剝蝕而形成資訊辨識部者為佳。如作為如此，可未使過剩的熱積蓄於照射範圍的玻璃，而使剝蝕產生者。作為結果，不僅厚度方向之裂化的長度，而可降低從點伸張之表面方向的裂化的長度者。
以雷射剝蝕而形成資訊辨識部之情況，雷射的照射條件係雖無特別限制，但例如脈衝雷射的脈衝寬度係設定為微微秒程度，理想係豪微微秒程度，具體而言係10fs以上、且500000fs(500ps)以下為佳。另外，此脈衝雷射的波長係200nm以上、且2500nm以下為佳，其反覆頻率係1Hz以上、且1G(吉)Hz以下為佳。另外，脈衝雷射的光束徑係1μm以上、且100μm以下為佳，其掃描速度係1mm/s以上、且800mm/s以下為佳。然而，脈衝雷射的脈衝寬度過大時，在雷射照射時成為容易產生有熱應變。
資訊辨識部係將點作為構成單位，其點的形狀係為環狀的溝者為佳。如此，將點作為環狀的溝時，以此環狀的溝所圍繞之範圍(較溝為內側的範圍)則未經由雷射而被除去殘存之故，成為盡可能地防止設置有資訊辨識部之範圍的強度降低者。另外，如為環狀的溝，只要未改變外徑尺寸，即使縮小溝的寬度尺寸，辨識性亦未有那麼程度大地降低。因而，如只要未改變溝的外徑尺寸而縮小寬度尺寸，可僅此部分加大較溝圍內側的範圍之體積，經由此，可確保辨識性之同時，可確保所需要之強度者。
形成點的溝之深度尺寸係2~30μm為佳。當溝的深度尺寸過小時，資訊辨識部的辨識性則成為容易降低。另一方面，當溝的深度尺寸過大時，成為容易確保支持玻璃基板之強度。
支持玻璃基板之楊氏模量係理想為60GPa以上、65GPa以上、70GPa以上特別是75~130GPa。在加工基板內，半導體晶片的比例為少，密封材料的比例為多之情況，層積基板全體的剛性則降低，在加工處理工程，加工基板則成為容易彎曲。因此，當提高支持玻璃基板之楊氏模量時，成為容易降低加工基板的彎曲，而成為可使支持玻璃基板的資訊辨識部之裂化作為起點之支持玻璃基板的破損減少者。
支持玻璃基板的熱膨脹係數係呈整合於加工基板之熱膨脹係數地加以限制者為佳。具體而言，在加工基板內，半導體晶片的比例為少，密封材料的比例為多之情況，係使支持玻璃基板的熱膨脹係數上升者為佳，而相反地，在加工基板內，半導體晶片的比例為多，密封材料的比例為少之情況，係使支持玻璃基板的熱膨脹係數降低者為佳。
將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為30×10 -7/℃以上、且不足50×10 -7/℃之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 255~75%、Al 2O 315~30%、Li 2O 0.1~6%、Na 2O+K 2O(Na 2O與K 2O的合量) 0~8%、MgO+CaO+SrO+BaO(MgO、CaO、SrO及BaO的合量) 0~10%者為理想，而含有SiO 255~75%、Al 2O 310~30%、Li 2O+Na 2O+K 2O(Li 2O、Na 2O及K 2O的合量) 0~0.3%、MgO+CaO+SrO+BaO 5~20%者亦為理想，含有SiO 255~68%、Al 2O 312~25%、B 2O 30~15%、MgO+CaO+ SrO+BaO 5~30%者亦為理想，而以質量%，含有SiO 265~ 75%、Al 2O 31~10%、B 2O 310~20%、Li 2O 0~3%、Na 2O+ K 2O 3~9%、MgO+CaO+SrO+BaO 0~5%者亦為理想。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為50×10 -7/℃以上、且不足70×10 -7/℃之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 255~75%、Al 2O 33~15%、B 2O 35~20%、MgO 0~5%、CaO 0~10%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、Na 2O 5~15%、K 2O 0~10%者為佳，而含有SiO 264~71%、Al 2O 35~10%、B 2O 38~15%、MgO 0~5%、CaO 0~6%、SrO 0~3%、BaO 0~3%、ZnO 0~3%、Na 2O 5~15%、K 2O 0~5%者則更佳。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為70×10 -7/℃以上、且85×10 -7/℃以下之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 260~75%、Al 2O 35~15%、B 2O 35~20%、MgO 0~5%、CaO 0~10%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、Na 2O 7~16%、K 2O 0~8%者為佳，而含有SiO 260~ 68%、Al 2O 35~15%、B 2O 35~20%、MgO 0~5%、CaO 0~10%、SrO 0~3%、BaO 0~3%、ZnO 0~3%、Na 2O 8~ 16%、K 2O 0~3%者則更佳。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為70×10 -7/℃以上、且85×10 -7/℃以下之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 210~60%、Al 2O 30~8%、B 2O 30~20%、BaO 10~40%、TiO 2+La 2O 33~30%者為佳。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為50×10 -7/℃以上、且85×10 -7/℃以下之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 245~65%、Al 2O 30~15%、B 2O 30~20%、MgO 0~3%、CaO 1~20%、SrO 0~20%、BaO 0~30%、ZnO 0~5%、ZrO 20~10%、TiO 20~20%、Nb 2O 50~20%、La 2O 30~30%、Na 2O 0~5%、K 2O 0~10%者為佳，而含有SiO 245~60%、Al 2O 36~13%、B 2O 30~5%、MgO 0~3%、CaO 1~5%、SrO 10~ 20%、BaO 15~30%者則更佳。另外，含有SiO 220~60%、B 2O 30~20%、CaO 3~20%、SrO 0~3%、BaO 5~20%、ZrO 20~10%、TiO 20~20%、Nb 2O 50~20%、La 2O 30~30%、Na 2O 0~5%、K 2O 0~10%者亦更佳。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為超過85×10 -7/℃、且120×10 -7/℃以下之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 255~70%、Al 2O 33~13%、B 2O 32~8%、MgO 0~5%、CaO 0~10%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、Na 2O 10~21%、K 2O 0~5%者為佳。將支持玻璃基板的30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數限制為超過120×10 -7/℃、且165×10 -7/℃以下之情況，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 253~65%、Al 2O 33~13%、B 2O 30~5%、MgO 0.1~ 6%、CaO 0~10%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、Na 2O+K 2O 20~40%、Na 2O 12~21%、K 2O 7~21%者為佳。如作為如此，可成為容易將熱膨脹係數限制為管理目標範圍內之同時，耐失透性則提升之故，而成為可容易製作總厚度變異小之支持玻璃基板。
支持玻璃基板的液相溫度係理想為不足1150℃，而為1120℃以下、1100℃以下、1080℃以下、1050℃以下、1010℃以下、980℃以下、960℃以下、950℃以下、特別是940℃以下。另外，支持玻璃基板之液相黏度係理想為10 4.8dPa･s以上、10 5.0dPa･s以上、10 5.2dPa･s以上、10 5.4dPa･s以上、特別是10 5.6dPa･s以上。如作為如此，成為容易以下拉法，特別是溢出下拉法而形成為板狀之故，即使未研磨表面，亦可降低總厚度變異者。或者，經由少量的研磨，可將總厚度變異，降低至不足2.0μm，特別是不足1.0μm者。作為結果，亦可低廉化支持玻璃基板之製造成本者。然而，「液相溫度」係通過標準篩30網目(500μm)，將殘留於50網目(300μm)之玻璃粉末，放入至白金皿之後，保持24小時於溫度梯度爐中，可經由測定結晶析出之溫度而算出。「液相黏度」係可經由以白金球提升法而測定在液相溫度之玻璃的黏度而算出者。
本發明之支持玻璃基板係具有以下的形狀者為佳。
本發明之支持玻璃基板係晶圓形狀或略圓板形狀為佳，其直徑係100mm以上500mm以下、特別是150mm以上450mm以下為佳。如作為如此，成為容易適用於fan out型之WLP的製造工程。另外，本發明之支持玻璃基板係四角形的形狀(特別是矩形狀)為佳，而各邊的長度為300mm以上600mm以下、400mm以上550mm以下、415mm以上515mm以下、特別是450mm以上510mm以下為佳。如作為如此，成為容易適用於fan out型之PLP的製造工程。
在本發明之支持玻璃基板中，板厚係理想為不足2.0mm，而為1.8mm以下、1.6mm以下、1.5mm以下、1.2mm以下、1.1mm以下、1.0mm以下、特別是0.9mm以下為佳。板厚越薄，層積基板的質量則越輕之故，處理能力則提升。另一方面，板厚過薄時，支持玻璃基板本身的強度則降低，成為不易達成作為支持基板之機能。因而，板厚係理想為0.1mm以上、0.2mm以上、0.3mm以上、0.4mm以上、0.5mm以上、0.6mm以上、特別是超過0.7mm。
在本發明之支持玻璃基板中，總厚度變異係理想為10μm以下、5μm以下、4μm以下、3μm以下、2μm以下、1μm以下、特別是不足0.1~1μm。另外，算術平均粗度Ra係理想為20nm以下、10nm以下、5nm以下、2nm以下、1nm以下、特別是0.5nm以下。表面精確度越高，越成為容易提高加工處理的精確度。特別是可提高配線精確度之故，成為可進行高密度的配線。另外，支持玻璃基板之強度則提升，而支持玻璃基板及層積基板則成為不易破損。更且可增加支持玻璃基板之再利用次數者。然而，「算術平均粗度Ra」係可經由觸針式表面粗度計或原子力顯微鏡(AFM)而測定。
在本發明之支持玻璃基板中，彎曲量係理想為60μm以下、55μm以下、50μm以下、1~45μm、特別是5~40μm。彎曲量越小，成為越容易提高加工處理的精確度。特別是可提高配線精確度之故，成為可進行高密度的配線。
在本發明之支持玻璃基板中，正圓度係1mm以下、0.1mm以下、0.05mm以下、特別是0.03mm以下為佳。正圓度越小，成為越容易適用於fan out型之WLP與PLP的製造工程。然而，「正圓度」係除了缺口部，自外形之最大值減去最小值的值。
本發明之支持玻璃基板係具有缺口部者為佳，而缺口部的深部係以平面視為略圓形狀或略V溝形狀者為更佳。經由此，使定位銷等之定位的構件抵接於支持玻璃基板的缺口部，而成為容易固定支持玻璃基板的位置。作為結果，支持玻璃基板與加工基板的位置調整則成為容易。特別是對於加工基板，亦形成缺口部，使定位構件抵接時，層積基板全體的位置調整則成為容易。然而，缺口部係抵接定位構件之故，而容易產生有裂化，但本發明之支持玻璃基板係裂化阻抗為高之故，對於具有缺口部的情況特別有效。
於支持玻璃基板之缺口部，抵接定位構件時，應力則容易集中於缺口部，而將缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。特別是經由外力而彎曲支持玻璃基板時，其傾向則變為顯著。因而，本發明之支持玻璃基板係缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的全部或一部分作為倒角者為佳。經由此，可有效地迴避缺口部作為起點之破損。
本發明之支持玻璃基板係缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的全部或一部分作為倒角，而缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的50%以上則作為倒角者為佳，而缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的90%以上則作為倒角者為更佳，缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的全部則作為倒角者為又更佳。在缺口部作為倒角之範圍越大，越可降低缺口部作為起點之破損的機率。
缺口部之表面方向之倒角寬度係理想為50~ 900μm、200~800μm、300~700μm、400~650μm、特別是500~600μm。缺口部之表面方向之倒角寬度過小時，缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。另一方面，缺口部之表面方向之倒角寬度過大時，倒角效率則降低，而支持玻璃基板之製造成本則成為容易高漲。
缺口部之板厚方向的倒角寬度係理想為板厚的5~80%、20~75%、30~70%、35~65%、特別是40~60%。缺口部之板厚方向之倒角寬度過小時，缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。另一方面，缺口部之板厚方向之倒角寬度過大時，外力則成為容易集中於缺口部之端面，缺口部的端面作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。
本發明之支持玻璃基板係調合，混合玻璃原料而製作玻璃批，將此玻璃批投入至玻璃熔融爐之後，將所得到之熔融玻璃作為清澈，攪拌之後，供給至成形裝置，成形為板狀而加以製作所成者為佳。
本發明之支持玻璃基板係以下拉法，特別是溢出下拉法而成形所成者為佳。溢出下拉法係自耐熱性的導管狀構造物的兩側，使熔融玻璃溢出，使溢出的熔融玻璃匯合在導管狀構造物的下頂端同時，延伸成形於下方而成形為板狀的方法。在溢出下拉法中，欲成為支持玻璃基板的表面的面係未接觸於導管狀耐火物，而在自由表面之狀態而成形。因此，經由少量的研磨，可將總厚度變異，降低至不足2.0μm，特別是不足1.0μm者。作為結果，亦可低廉化支持玻璃基板之製造成本者。
本發明之支持玻璃基板係以溢出下拉法而成形所成之後，研磨表面而成者為佳。如作為如此，成為容易將總厚度變異限制為不足2.0μm，1.5μm以下、1.0μm以下、特別是不足0.1~1.0μm。
本發明之支持玻璃基板係未進行離子交換處理者為佳，而於表面未具有壓縮應力層者為佳。當進行離子交換處理時，成為不易降低支持玻璃基板的總厚度變異，但如進行離子交換處理時，可消除如此之不良狀況的情況。然而，本發明之支持玻璃基板係並非進行離子交換處理，排除形成壓縮應力層於表面之型態的構成。當僅著眼於提高機械強度之觀點時，進行離子交換處理，形成壓縮應力層於表面者為佳。
本發明之層積基板係至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，支持玻璃基板則為上述之支持玻璃基板者為特徵。本發明之層積基板係於加工基板與支持玻璃基板之間，具有接著層者為佳。接著層係為樹脂者為佳，例如，熱硬化性樹脂，光硬化性樹脂(特別是紫外線硬化樹脂)等為佳。另外，具有可耐於在fan out型之WLP與PLP的製造工程中之熱處理之耐熱性者為佳。經由此，在fan out型之WLP與PLP的製造工程，接著層則成為不易熔解，而可提高加工處理之精確度。然而，為了容易固定加工基板與支持玻璃基板，而亦可將紫外線硬化型膠帶作為接著層而使用者。
本發明之層積基板係更於加工基板與支持玻璃基板之間，更具體而言係於加工基板與接著層之間，具有剝離層者，或者於支持玻璃基板與接著層之間，具有剝離層者為佳。如作為如此，對於加工基板而言，進行特定之加工處理之後，成為自支持玻璃基板容易剝離加工基板。加工基板之剝離係從生產性的觀點，經由雷射光等之照射光而進行者為佳。作為雷射光源，可使用YAG雷射(波長1064nm)、半導體雷射(波長780~1300nm)等之紅外光雷射光源者。另外，對於剝離層係可使用以照射紅外線雷射而分解之樹脂者。另外，亦可效率佳地吸收紅外線，將變換為熱的物質添加於樹脂者。例如，亦可將碳黑，碳黑粉，微粒子金屬粉末，染料，顏料等添加於樹脂者。
剝離層係以經由雷射光等之照射光而產生「層內剝離」或「界面剝離」之材料而加以構成。也就是當照射一定強度的光時，以在原子或分子中之原子間或分子間的結合力消失或減少，產生消融(ablation)等，使剝離產生之材料而加以構成。然而，有著經由照射光的照射，含於剝離層之成分則成為氣體而加以釋放至分離之情況，和剝離層則吸收光而成為氣體，釋放其蒸氣而至分離之情況。
在本發明之層積基板中，支持玻璃基板係較加工基板為大者為佳。經由此，在支持加工基板與支持玻璃基板時，兩者之中心位置則即使在稍微離間之情況，成為不易自支持玻璃基板溢出有加工基板之緣部。
本發明之半導體封裝之製造方法係具有：準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程，和對於加工基板而言，進行加工處理之工程的同時，支持玻璃基板為上述之支持玻璃基板者為特徵。
本發明之半導體封裝之製造方法係更具有搬送層積基板之工程者為佳。經由此，可提高加工處理之處理效率者。然而，「搬送層積基板之工程」和「對於加工基板而言，進行加工處理之工程」係無須另外進行，而同時進行亦可。
在本發明之半導體封裝之製造方法中，加工處理係於加工基板之一方的表面進行配線的處理，或者於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊之處理為佳。在本發明之半導體封裝之製造方法中，在此等之處理時，加工基板則不易產生尺寸變化之故，可適當地進行此等之工程者。
作為加工處理，除上述以外，亦可為機械性地研磨加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理，乾蝕刻加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理，濕蝕刻加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理之任一。然而，在本發明之半導體封裝之製造方法中，不易於加工基板產生彎曲之同時，可維持層積基板之剛性者。作為結果，可適當地進行上述加工處理者。
對於本發明，參酌圖面同時，更加以說明。圖5係顯示本發明之層積基板9之一例的概念斜視圖。在圖5中，層積基板9係具備：支持玻璃基板10與加工基板11。支持玻璃基板10係為了防止加工基板11之尺寸變化，而加以貼著於加工基板11。對於支持玻璃基板10與加工基板11之間，係加以配置有剝離層12與接著層13。剝離層12係與支持玻璃基板10接觸，而接著層13係與加工基板11接觸。
如自圖5了解到，層積基板9係依支持玻璃基板10，剝離層12，接著層13，加工基板11之順序加以層積配置。支持玻璃基板10之形狀係因應加工基板11而加以決定，但在圖1中，支持玻璃基板10及加工基板11之形狀係均為略圓板形狀。剝離層12係例如可使用以照射雷射而分解之樹脂者。另外，亦可效率佳地吸收雷射光，將變換為熱的物質添加於樹脂者。例如，碳黑，石墨粉，微粒子金屬粉末，染料，顏料等。剝離層12係經由電漿CVD，或經由溶膠-凝膠法之旋塗法等而加以形成。接著層13係以樹脂加以構成，例如，經由各種印刷法，噴墨法，旋塗法，滾輪塗佈法等而加以塗佈形成。另外，亦可使用紫外線硬化型膠帶。接著層13係經由剝離層12而自加工基板11加以剝離支持玻璃基板10之後，經由溶劑等而加以溶解除去。紫外線硬化型膠帶係在照射紫外線之後，可經由剝離用膠帶而除去。
圖6係顯示fan out型之WLP的先晶片型之製造工程的概念剖面圖。圖6(a)係顯示形成接著層21於支持構件20之一方的表面上之狀態。因應必要，形成剝離層於支持構件20與接著層21之間亦可。接著，如圖6(b)所示，於接著層21上貼上複數之半導體晶片22。此時，使半導體晶片22之有效側的面接觸於接著層21。接著，如圖6(c)所示，以樹脂之密封材料23鑄模半導體晶片22。密封材料23係使用壓縮成形後的尺寸變化，成形配線時之尺寸變化少之材料。接著，如圖6(d)、(e)所示，自支持構件20，分離鑄模半導體晶片22之加工基板24之後，藉由接著層25而與支持玻璃基板26接著固定。此時，加工基板24之表面之中，與埋入有半導體晶片22側的表面相反側的表面則加以配置於支持玻璃基板26側。如此作為，可得到層積基板27。然而，因應必要，形成剝離層於接著層25與支持玻璃基板26之間亦可。更且，在搬送所得到之層積基板27之後，如圖6(f)所示，於埋入有加工基板24之半導體晶片22側的表面，形成配線28之後，形成複數之焊錫凸塊29。最後，自支持玻璃基板26分離加工基板24之後，將加工基板24切斷為各半導體晶片22，再供給至之後的封裝工程(圖6(g))。
本發明之玻璃基板係其特徵為具備於表面，將點作為構成單位之資訊辨識部，從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為350μm以下者。然而，對於本發明之玻璃基板之技術性的特徵，係記載完成於本發明之支持玻璃基板的說明欄，而在此係省略詳細的說明。 [實施例]
以下，依據實施例而加以說明本發明。然而，以下的實施例係單純的例示。本發明係對於以下之實施例未有任何限定。
表1係顯示本發明之實施例(試料No.1~10)，比較例(試料No.11)。
如以下作為，製作有關試料No.1之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 259.7%、Al 2O 316.5%、B 2O 310.3%、MgO 0.3%、CaO 8.0%、SrO 4.5%、BaO 0.5%、SnO 20.2%地，調合，混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1550℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.2之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 266.1%、Al 2O 38.5%、B 2O 312.4%、Na 2O 8.4%、CaO 3.3%、ZnO 0.9%、SnO 20.4%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1500℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.3之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 265.8%、Al 2O 38.0%、B 2O 38.9%、Na 2O 12.8%、CaO 3.2%、ZnO 0.9%、SnO 20.4%地，調合，混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1500℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.4之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 261.6%、Al 2O 318.0%、B 2O 30.5%、Na 2O 14.5%、K 2O 2.0%、MgO 3.0%、SnO 20.4%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1650℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.5之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 240.92%、Al 2O 35.0%、B 2O 35.0%、CaO 3.0%、SrO 11.2%、BaO 25.2%、ZnO 3.0%、TiO 24.6%、ZrO 22.0%、Sb 2O 30.08%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1250℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.6之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 272.75%、Al 2O 34.3%、B 2O 315.1%、Na 2O 5.7%、K 2O 1.8%、CaO 0.2%、SnO 20.15%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1600℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.7之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 265.8%、Al 2O 38.0%、B 2O 33.7%、Na 2O 18.1%、CaO 3.2%、ZnO 0.9%、SnO 20.3%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1300℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.8之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 265.7%、Al 2O 38.0%、B 2O 32.1%、Na 2O 19.8%、CaO 3.2%、ZnO 0.9%、SnO 20.3%地，調合、混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1300℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.9之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 265.3%、Al 2O 38.0%、Na 2O 22.3%、CaO 3.2%、ZnO 0.9%、SnO 20.3%地，調合，混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1300℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
如以下作為，製作有關試料No.10、11之玻璃基板。首先，作為玻璃組成，以質量%，呈含有SiO 265.7%、Al 2O 38.0%、B 2O 32.1%、Na 2O 19.8%、CaO 3.2%、ZnO 0.9%、SnO 20.3%地，調合，混合玻璃原料，得到玻璃批之後，供給至玻璃熔融爐，以1650℃進行熔融，接著將所得到之熔融玻璃進行清澈，攪拌之後，供給至溢出下拉法之成形裝置，板厚則呈成為1.05mm地成形。之後，將所得到之玻璃基板切斷成矩形狀。
接著，將切斷後之玻璃基板(試料No.1~11：總厚度變異約4.0μm)，挖通為φ300mm之後，經由研磨裝置而研磨處理玻璃基板之兩表面。具體而言，以外徑不同之一對之研磨墊而夾入玻璃基板之兩表面，同時使玻璃基板與一對之研磨墊旋轉之同時，研磨處理玻璃基板之兩表面。研磨處理時，時而玻璃基板之一部分則呈自研磨墊溢出地加以控制。然而，研磨墊係胺甲酸乙酯製，在研磨處理時使用之研磨漿料的平均粒徑作為2.5μm、研磨速度作為15m/分。對於所得到之各研磨處理完成之玻璃基板，經由KOBELCO research institute公司製之Bow/Warp測定裝置SBW-331ML/d而測定總厚度變異與彎曲量。其結果，總厚度變異則各為不足1.0μm，彎曲量則各為35μm以下。對於所得到之各研磨處理完成之玻璃基板，經由熱膨脹測定裝置，測定在30~380℃之温度範圍之平均線熱膨脹係數。將其結果示於表1。
對於研磨後之玻璃基板而言，使用脈衝型毫微微秒，設置將環狀的溝所成之複數的點作為構成單位之資訊辨識部。在此，對於試料No.1~11係經由調整脈衝型毫微微秒之脈衝寬度之時，控制從點伸張之裂化的最大長度。接著，使用數位顯微鏡VHX-600(KEYENCE股份有限公司製)，測定從點產生之裂化的最大長度。將其結果示於表1，圖7，圖8。圖7係試料No.2之顯微鏡照片。圖8係試料No.11之顯微鏡照片。然而，裂化之最大長度係以長度測長軟體而追蹤裂化，而計測其長度者。
對於形成資訊辨識部之後的玻璃基板而言，進行模仿fan out型之WLP與PLP的製造工程之熱處理，將玻璃基板未破損之構成作為「○」、而將因從點產生裂化引起，玻璃基板破損之構成作為「×」而評估。
呈自表1了解到，試料No.1~10係從點產生裂化之表面方向的最大長度為小之故，認為在fan out型之WLP與PLP的製造工程不易產生破損者。另一方面，試料No.11係從點產生裂化之表面方向的最大長度為大之故，認為在fan out型之WLP與PLP的製造工程容易產生破損者。
1、10、26:支持玻璃基板 1a:周緣部 2:表面 2a、2b:區劃範圍 3:資訊辨識部 4:缺口部 5:文字 6:點 7:環狀的溝 8:裂化 9、27:層積體 11、24:加工基板 12:剝離層 13、21、25:接著層 20:支持構件 22:半導體晶片 23:密封材料 28:配線 29:焊錫凸塊
圖1係顯示本發明之支持玻璃基板之一例的概念平面圖。 圖2係圖1所示之支持玻璃基板的要部擴大圖。 圖3係圖2所示之支持玻璃基板的A部擴大圖。 圖4係圖3所示之支持玻璃基板的B部擴大圖。 圖5係顯示本發明之層積基板之一例的概念斜視圖。 圖6係顯示fan out型之WLP的先晶片型之製造工程的概念剖面圖。 圖7係有關實施例之試料No.2的顯微鏡照片。 圖8係有關比較例之試料No.11的顯微鏡照片。
2:表面
6:點
7:環狀的溝
8:裂化

Claims (9)

  1. 一種支持玻璃基板之製造方法，其在用以支持加工基板之支持玻璃基板之製造方法，其特徵為：具備經由雷射剝蝕，於支持玻璃基板的表面上，形成將經由溝所形成之點作為構成單位之資訊辨識部之工程；形成前述點之溝的深度尺寸係2~30μm，從前述點伸張之裂紋的表面方向之最大長度則為350μm以下者。
  2. 如請求項1記載之支持玻璃基板之製造方法，其中，從點伸張之裂化的表面方向之最大長度則為0.1~10μm以上者。
  3. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板之製造方法，其中，點則由環狀的溝而形成者。
  4. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板之製造方法，其中，在支持玻璃基板之30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10-7/℃以上、且165×10-7/℃以下者。
  5. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板之製造方法，其中，支持玻璃基板係具有直徑100~500mm之晶圓形狀或略圓板形狀，支持玻璃基板之板厚則不足2.0mm，而支持玻璃基板之總厚度變異則為5μm以下者。
  6. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板之製造方法，其中，支持玻璃基板係具有各邊為300mm以上之四角形的形狀，支持玻璃基板之板厚則不足2.0mm，而支 持玻璃基板之總厚度變異則為10μm以下者。
  7. 一種層積基板之製造方法，至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板之製造方法，其特徵係做為支持玻璃基板使用以如請求項1或2記載之方法所製造之支持玻璃基板者。
  8. 如請求項7記載之層積基板之製造方法，其中，加工基板則至少具備利用密封材料所成形之半導體晶片者。
  9. 一種半導體封裝之製造方法，其特徵為：具有準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程，和對加工基板進行加工處理之工程，並且做為支持玻璃基板使用以如請求項1或2記載之方法所製造之支持玻璃基板者。
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