TW201634418A - 具有高紫外線透射率和高耐曬性的低熱膨脹係數玻璃 - Google Patents

具有高紫外線透射率和高耐曬性的低熱膨脹係數玻璃 Download PDF

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Abstract

本發明提供了一種具有高紫外線透射率和高耐曬性的低熱膨脹係數玻璃，包括無鹼金屬氧化物的組分：50-75莫耳%的SiO2、3-20莫耳%的Al2O3、5-20莫耳%的B2O3、0-15莫耳%的MgO、0-15莫耳%的CaO、0-15莫耳%的SrO和0-15莫耳%的BaO，其中MgO+CaO+SrO+BaO等於3至25莫耳%，以及每個多面體的非橋氧(NBO)的平均數等於或大於-0.08或等於或小於-0.38。本發明又提供一種無鹼土金屬氧化物的組分：75-85莫耳%的SiO2、0-7莫耳%的Al2O3、8-15莫耳%的B2O3、0-8莫耳%的Na2O、0-5莫耳%的K2O，其中非橋氧(NBO)數較佳等於或大於-0.25且等於或小於-0.10。本發明還提供一種玻璃載體晶片及其用途，該玻璃載體晶片具有在248nm及/或308nm的波長下的高紫外線透射率、良好的耐曬性、長的循環使用壽命和降低的處理成本。

Description

具有高紫外線透射率和高耐曬性的低熱膨脹係數玻璃
本發明關於一種具有高的紫外線透射率和耐曬性的用作玻璃載體晶片的低熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion；CTE)玻璃。本發明還關於一種由該低CTE玻璃製成的玻璃載體晶片和其作為載體晶片在矽基板的處理中的用途。
使矽基板變薄以便滿足對於例如積體電路的尺寸減小的持續需求已經成為半導體工業中的常見處理。矽載體晶片已廣泛地用作用於矽基板的減薄和背面研磨的機械載體，以便於易碎的變薄的基板的處理。矽基板由此通常由黏合劑黏合到載體晶片。取決於黏合劑，矽基板在處理後從載體晶片的脫黏可以通過例如溶劑釋放或熱釋放來實現。
由於其有利的特性、例如視覺檢查的光學透明性和其他基於電磁輻射的處理技術，玻璃已被用作載體晶片材料。特別是，玻璃載體晶片允許通過電磁輻射的照射的脫 黏方法。在這種情況下，黏合劑對某類電磁輻射敏感，並且可以通過透明晶片進行照射，以減少或消除黏合劑效果(失活)。常用的黏合劑通常可以通過用紫外線雷射光輻射的照射(雷射釋放)而失活。紫外線雷射光輻射通常是在248奈米或308奈米的波長下，但取決於黏合劑也可以是其它波長。為了實現足夠的脫黏的效果，通常要求例如在0.5mm的載體晶片的厚度下，在對應的波長下的紫外線透射率為高於20%。
紫外線雷射釋放過程中產生的一個普遍問題是在玻璃載體晶片的曝曬(solarization)，亦即由於通過雷射光輻射的照射，透射率劣化。如果玻璃載體晶片反復暴露於雷射光輻射，這是一個特別的問題。曝曬因此可以顯著限制玻璃載體晶片的循環使用壽命。因此，玻璃載體晶片在半導體工業中的用途也需要具有高的耐曬性(solarization resistance)的玻璃，以產生長的循環使用壽命和最終降低的處理成本。
用於改善耐曬性的已知方法是添加控制量的CeO2、Fe2O3、TiO2、SnO2、As2O3、MnO2和V2O5，但是這將阻止(切除)在小於300nm的波長範圍內的紫外線透射率。例如，諸如EP 0 735 007 B1(歐司朗西爾韋尼亞公司)、US 5,528,107 A(Richard等)、US 7,217,673 B2(肖特股份公司)、US 7,517,822 B2(肖特股份公司)、US 2014/0117294 A(肖特股份公司)、US 2013/0207058 A(肖特股份公司)，US 7,951,312 B2(肖特股份公司)、US 8,283,269 B2(肖特股 份公司)和US 7,535,179 B2(肖特股份公司)的這些專利或申請公開了上述方案。很顯然，用這種方法製備的玻璃由於在248奈米波長下的小於10%的低紫外線透射率而不能用於玻璃載體晶片。
改善耐曬性的另一方法是不使用任何如上所述的紫外線敏感劑或提高在硼矽酸鹽玻璃中BO3的含量(參見例如US 5,547,904 A，肖特股份公司；US 5,599,753 A，Jenaer Glaswerk有限公司；US 5,610,108 A，肖特玻璃)。因此，在這些專利或申請中，硼矽酸鹽玻璃可以具有盡可能高的在248奈米的波長下的紫外線透射率，亦即遠高於20%。然而，在這些文獻中公開的硼矽酸鹽玻璃出於幾個原因不適合用作用於矽的背面研磨和減薄處理的載體玻璃晶片。例如，US 5,547,904 A(肖特股份公司)的一個問題是，Li2O用於硼矽酸鹽玻璃，其在半導體工業中不是較佳的，因為矽基板可能被鋰離子污染。US 5,599,753 A(Jenaer Glaswerk有限公司)和US 5,610,108 A(肖特玻璃)中所述的玻璃的熱膨脹係數(CTE)為4-6ppm/K，因此不適合作為用於矽基板的玻璃載體晶片，因為用作載體晶片的玻璃需要具有非常接近矽的CTE的CTE，以避免在處理過程中由於載體晶片和矽基板之間不平衡的熱膨脹導致的裂紋或翹曲。
因此，本發明的一個目的是提供一種克服了先前技術的缺點的玻璃。尤其是，本發明的一個目的是提供一種特 別是在248nm及/或308nm的波長下具有高的紫外線透射率和高的耐曬性的玻璃，其較佳用作半導體工業中的矽基板的玻璃載體晶片。本發明的另一目的是提供一種允許在半導體工業可重複使用的玻璃載體晶片的玻璃，該玻璃載體晶片具有長的循環使用壽命和低的處理成本。本發明的另一目的是提供一種具有低的CTE，特別是CTE接近矽的CTE的玻璃。此外，本發明的一個目的是提供一種玻璃載體晶片和其在半導體工業中的用途。
該目的通過如在獨立請求項中限定的低CTE玻璃、玻璃載體晶片、用途與方法來解決。附屬請求項中限定了較佳的實施例。本文中的“低CTE玻璃”通常是指CTE等於或小於4.0ppm/K的玻璃。
根據本發明的一個方面，具有高紫外線透射率和高耐曬性的低CTE玻璃包含如下無鹼金屬氧化物的組分(以莫耳百分比計)：50-75莫耳%的SiO2、3-20莫耳%的Al2O3、5-20莫耳%的B2O3、0-15莫耳%的MgO、0-15莫耳%的CaO、0-15莫耳%的SrO、以及0-15莫耳%的BaO，其中MgO+CaO+SrO+BaO等於3-25莫耳%和每個多面體的非橋氧(NBO)的平均數等於或大於-0.08或等於或小於-0.38。
考慮到玻璃的結構，廣泛使用了NBO(非橋氧)的概念。NBO可以視為反映由特定化學組分導致的玻璃的網絡結構一個參數。已經令人驚奇地發現，本文所述的低CTE玻璃的NBO所示的網絡結構影響了光學特性，特別是紫外線透射率。換言之，本文所述的低CTE玻璃的紫外線透射 率可以通過調整玻璃內部的NBO含量而顯著提高。
網絡結構的結構可以用如下定義的四個參數X、Y、Z和R表示。
X=每個多面體的非橋氧，即NBO的平均數。
Y=每個多面體的橋氧的平均數。
Z=每個多面體的氧的總平均數。
R=氧的總數與網絡形成劑的總數的比值。
R可以從低CTE玻璃的莫耳組分推算。四個參數X、Y、Z和R可以根據下式計算。
R=Omol/(Simol+Almol+Bmol) 式(1)
Y=2Z-2R 式(2)
X=2R-Z 式(3)
對於矽酸鹽，Z=4 式(4)
從式(1)、式(3)和式(4)，可以得出如下結論。
X=2 x Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4 式(5)
根據本發明的這一方面，具有等於或大於-0.08或等於或小於-0.38的NBO的無鹼金屬氧化物的低CTE玻璃可以在248奈米的波長下實現高於20%的紫外線透射率，使得該玻璃在半導體工業中的載體晶片的應用中是特別有用的。
在此方面的一個較佳實施方案中，無鹼金屬氧化物的組分包含55-70莫耳%範圍中的SiO2和14-20莫耳%範圍中的B2O3，其中NBO較佳等於或小於-0.38。
在此方面的另一較佳實施方案中，無鹼金屬氧化物的組分包含65-75莫耳%範圍中的SiO2和5-10莫耳%範圍中的B2O3，其中NBO較佳等於或大於-0.08。
在另一較佳實施方案中，無鹼金屬氧化物的組分包含2-15-莫耳%範圍中的MgO及/或0-10莫耳%，特別是0-5莫耳%範圍中的CaO及/或0-10莫耳%，特別是0-5莫耳%範圍中的BaO。
根據另一方面，本發明作為選擇地提供了一種低CTE玻璃，其包括如下無鹼土金屬氧化物的組分(以莫耳百分比計)：78-85莫耳%的SiO2、0-7莫耳%的Al2O3、8-15莫耳%的B2O3、0-8莫耳%的Na2O、以及0-5莫耳%的K2O。
較佳地，該無鹼土金屬氧化物的組分的NBO等於或大於-0.25並且等於或小於-0.10。
已經令人驚奇地發現，根據本發明的這一方面，無鹼土金屬氧化物的低CTE玻璃可以在248奈米的波長下實現高於25%的紫外線透射率，使得玻璃在半導體工業中的載體晶片的應用中是特別有用的。通過將NBO調節至等於或大於-0.25且等於或小於-0.10，可以進一步提高紫外線透射率。
在此方面的一個較佳實施方案中，包括無鹼土金屬氧化物的組分的低CTE玻璃包含0到3莫耳%範圍中的K2O。在另一較佳實施方案中，無鹼土金屬氧化物的組分包含0-6莫耳%範圍中，更佳1-5.5莫耳%範圍中的Na2O。
對於根據本發明的低CTE玻璃在半導體工業中的用 途，低CTE玻璃較佳基本上不包含Li2O，以防止矽基板被鋰離子污染。"基本上不包含"特此是指小於0.01莫耳%的含量。
本發明的低CTE玻璃在248奈米的波長下具有等於或大於20%、較佳等於或大於22%的紫外線透射率，並且在無鹼土金屬氧化物的低CTE玻璃的情況下等於或大於25%。在大於248奈米且小於780奈米的波長下的紫外線透射率由此較佳等於或大於在248nm下的紫外線透射率。低CTE玻璃也具有在248奈米的波長下通過雷射光輻射100,000mJ/cm2的紫外線能量用量之後透射率損失低於1%的耐曬性。
在一個較佳的實施方案中，如果低CTE玻璃具有小於0.01莫耳%的Fe2O3的含量，在248nm的波長下的紫外線透射率可以進一步提高。但是，這樣高純度的玻璃是昂貴的，但對於給定的要求仍然可以是較佳的。
在一個較佳的實施方案中，低CTE玻璃的轉變溫度(Tg)高於550℃，較佳高於650℃和更佳高於700℃。
在另一較佳的實施方案中，低CTE玻璃的熱膨脹係數(CTE)等於或大於2.0ppm/K且等於或小於4.0ppm/K。較佳地，玻璃的CTE接近於矽基板的CTE約3ppm/K)，以便避免由於玻璃載體晶片和矽基板之間的熱膨脹係數的不匹配而可發生的翹曲和破裂。
在一個較佳的實施方案中，本發明的低CTE玻璃提供為玻璃晶片，特別厚度為0.05至1.2mm範圍中，較佳0.1mm 至0.7mm範圍中的玻璃晶片。厚度可以特別是等於或小於1.2mm、等於或小於0.7mm、等於或小於0.5毫米、等於或小於0.25毫米、等於或小於0.1毫米、或者等於或小於0.05毫米。其他較佳選擇的厚度為100μm、200μm、250μm、400μm、500μm、550μm、700μm或1000μm。玻璃晶片的表面尺寸較佳是約15釐米、20釐米、30釐米，或較佳約6"、8"或12"。玻璃晶片的形狀可以是矩形或圓形以及橢圓形。如果特定的應用需要，也可以使用其它的形狀和尺寸。
基於以上描述，由本發明的低CTE玻璃製成的玻璃載體晶片在248奈米的波長下可以具有高紫外線透射率，亦即紫外線透射率大於20%；良好的耐曬性，亦即在248奈米的波長下通過雷射光輻射100,000mJ/cm2的紫外線能量用量之後透射率損失低於1%；和長的循環使用壽命，亦即至少500次循環而不顯著劣化。
本發明還關於一種結合製品，包括根據本發明的低CTE玻璃製成的玻璃載體晶片和結合到其上的矽基板。矽基板較佳通過黏合劑黏合到玻璃載體晶片上，其可以較佳地通過照射UV輻射，特別是通過較佳248奈米或者308奈米的波長下的雷射光輻射而失活。失活特此是指黏合劑層的黏合力可以通過照射UV輻射而充分地降低或消除，以使矽基板從玻璃載體晶片脫黏。
根據本發明的玻璃載體晶片較佳用作用於矽基板的處理，特別是在矽基板的變薄及/或背面研磨期間的載體晶 片。在使用期間，矽基板較佳黏附到玻璃載體晶片，特別是通過黏合劑層，以及在處理過程中經由玻璃載體晶片操作。
本發明的低CTE玻璃示出了，在本發明的又一方面中，提供了一種用於提供具有高的紫外線透射率和高的耐曬性的低CTE玻璃的方法，該低CTE玻璃包括SiO2、Al2O3和B2O3，該方法包括：通過調整NBO數來改變給定的低CTE玻璃組分，以便提高在給定波長，特別是248nm及/或308nm的波長下的紫外線透射率，特別是使紫外線透射率提高至20%以上，其中NBO數定義為NBO=2 x Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4。本案所屬技術領域中具有通常知識者可以立即從本發明內容中得知如何從給定的低CTE玻璃組分開始可以以有限的努力通過調整NBO數實現高的紫外線透射率。
1‧‧‧結合製品
2‧‧‧玻璃載體晶片
3‧‧‧矽基板
4‧‧‧黏合劑層
5‧‧‧雷射
6‧‧‧目的地區域
以下藉助示意性實施例並參照圖式對本發明作進一步說明。在圖式中相同的參考數位用來指示相同或相應的元件。
圖1係具有通過在脫黏處理過程中的雷射照射處理的玻璃載波件的結合製品的剖面圖。
圖2係示意性實施例的相對於NBO的248奈米的波長下的紫外線透射率。
圖3係複數個玻璃組合物的光譜透射率的圖。
圖4係根據本發明的較佳實施例的高純度(低Fe2O3含 量)的玻璃和商品級玻璃之間的紫外線透射率的比較例。
將通過下文中所述的示例和實施例並參照圖式更詳細地示出本發明的目的、特徵和優點。
圖1示意性示出了包括在通過雷射釋放的脫黏處理期間的玻璃載體晶片2的結合製品。結合製品1包括由黏合劑層4黏合在一起的根據本發明的玻璃製成的玻璃載體晶片2和矽基板3，該黏合劑層4可以通過電磁輻射的照射而失活。在本示例中，黏合劑層4可以通過在248nm波長下的UV輻射而失活，使得黏附力減少或消除，使得矽基板3可以脫黏。該脫黏(雷射釋放)通過由雷射5穿過玻璃載體晶片2照射黏合劑層4來實現。在典型的處理中，將晶片安裝在電腦數控(CNC)控制的平臺(未示出)上並移動到靜止的雷射(光束)5的下方。處理細節取決於雷射和移動平臺的性能。例如，具有800mJ的最大脈衝能量的248奈米的雷射5以30赫茲的脈衝重複速率運行並散焦以在尺寸為1.01mm x 1.01mm的目的地區域6上提供200mJ/cm2。低CTE玻璃/矽的結合製品1以30毫米/秒在脈衝式光束(雷射5)的下方移動，使得脈衝重疊10μm。在這些條件下，將玻璃載體晶片2以20平方釐米/分鐘的速率從矽基板3乾淨地脫黏。
下文的表1示出了脫黏處理的一些一般參數。從表1中可以看出，玻璃載體晶片2可以承受至少500個循環，而不顯著損失紫外線透射率，亦即具有高的耐曬性。根據 本發明的玻璃載體晶片2可以承受來自紫外線雷射器的248奈米波長下的至少100,000mJ/cm2的輻射，而在該波長下的透射率的下降遠小於1%。
示例A
一個方面，本發明提供了一種具有高紫外線透射率和高耐曬性的低CTE玻璃，其包括如下無鹼金屬氧化物的組合物(以莫耳百分比計)：SiO2 50-75莫耳%、Al2O3 3-20莫耳%、B2O3 5-20莫耳%、MgO 0-15莫耳%、CaO 0-15莫耳%、SrO 0-15莫耳%、 BaO 0-15莫耳%。
其中MgO+CaO+SrO+BaO等於3-25莫耳%和非橋氧(NBO)的平均數等於或大於-0.08或等於或小於-0.38。
下文列出的表2示出了無鹼金屬氧化物的低CTE玻璃(示例A)的根據本發明的此方面的8個樣品(第1-5號、第13-15號)和7個比較樣品(第6-12號)。
從表2中可以看出，-0.38至-0.08範圍中的NBO數(第6-12號樣品)得到了248nm的波長下的紫外線透射率低於20%(也見圖2)。因此，比較樣品的低CTE玻璃由於在248nm波長下的低紫外線透射率而不適合作為載體玻璃。但是，NBO在-0.53至-0.38範圍內(四捨五入)的第1-5號樣品和NBO在-0.08至0.02範圍內(四捨五入)的第13-15號樣品，亦即NBO數等於或大於-0.08或等於或小於-0.38，在248nm的波長下的紫外線透射率高於20%。第4 號樣品的異常高的紫外線透射率是由於特定的BaO含量的異常影響。
圖3示出了根據本發明的第一方面的幾個玻璃組合物在200奈米至350奈米的波長範圍內的光譜透射率的圖。細虛線對應於第11號樣品並用作根據本發明的玻璃組分的基準。點劃線對應於第13號樣品，其具有-0.08的NBO數。實線對應於第15號樣品，其具有0.01的NBO數(見表2)。如從圖中所顯而易見的，與第11號玻璃樣品相比，根據本發明的第13和15號玻璃組分的具有增強的紫外線透射率。尤其是，也提高了在波長248nm和308奈米下的透射率，使得玻璃組分特別適合於例如玻璃載體晶片的應用。
虛線示出了具有第11號樣品相同組分的玻璃樣品，其中使用了高純度的原料，亦即低的Fe2O3含量(也參見圖4)。立刻顯而易見的是，使用這樣的高純度材料大幅提高了紫外線透射率，其特別是而不僅是除了由調整NBO數導致的提高，使得該玻璃適合用作玻璃載體晶片的應用。
示例B
根據另一方面，本發明作為選擇地提供了一種低CTE玻璃，其包括如下無鹼土金屬氧化物的組分(以莫耳百分比計)：SiO2 78-85莫耳%、Al2O3 0-7莫耳%、B2O3 8-15莫耳%、 Na2O 0-8莫耳%、K2O 0-5莫耳%。
較佳地，NBO等於或大於-0.25並且等於或小於-0.10。
下文列出的表3示出了根據本發明(實施例B)的該方面的無鹼土金屬氧化物玻璃的五個樣品(第16-20號)的參數。
根據表3的無鹼土金屬氧化物玻璃的所有樣品(亦即第16-20號樣品)的NBO數為-0.25至-0.10。所有樣品的相應的248nm波長下的紫外線透射率顯著高於20%。
示例A和示例B的所有樣品製備成厚度為0.5毫米。根據本發明的所有樣品(第1-5和13-20號)的熱膨脹係數(CTE)大於2.0ppm/K且小於4.0ppm/K，其非常接近用於常規目的的矽的熱膨脹係數(約3ppm/K)。低CTE玻璃較佳基本上不含Li2O。
從表2和表3中，第1-5和13-20號樣品的248nm下的紫外線透射率為大於20%。第16-20號樣品的紫外線透射率甚至大於27%。
根據本發明的低CTE玻璃具有在248奈米的雷射下的 100,000mJ/cm2的紫外線能量用量之後透射率損失遠小於1%的耐曬性。如可以從表2和表3中得到的，在500個循環，每個循環的能量用量為200mJ/cm2的雷射照射之後(相當於總計100,000mJ/cm2的紫外線能量用量)，根據本發明的所有樣本(亦即第1-5和13-20號)在248奈米的透射率損失遠小於1%。因此，根據本發明的低CTE玻璃具有優良的耐曬性，其延長了循環使用壽命並降低了處理成本。
圖4示出相同玻璃組分的高純度的和商品級之間的光譜透射率的比較。圖4中所用的玻璃對應於第11號樣品的玻璃。這裡，“高純度”是指與常規商品的可比較的玻璃相比，Fe2O3含量非常低。在本發明中，高純度玻璃的Fe2O3含量小於0.01莫耳%。
圖4中的實驗資料示出了高純度組分的紫外線透射率約為51%以及商品級組分僅約為10%(參照圖4)。同樣地，高純度組分的波長308nm處的紫外線透射率為88%以及商品級組分僅為61%。商品級玻璃的紫外線透射率因此可以通過使用高純度的原材料來顯著改善。如圖4中的示例所示，使用高純度的材料通常顯著改善玻璃，甚至是不形成本發明的一部分的玻璃的紫外線透射率。當然明顯的是，當使用高純度原料時，本發明的玻璃將實現相應的改進。
由於根據本發明的低CTE玻璃的優異性能，由其製成的載體玻璃晶片可以實現在248nm及/或308nm處的高紫外線透射率、良好的耐曬性、長的循環使用壽命以及由此降低的處理成本。
本文中的用於本發明的揭露內容和描述的用語僅出於描述特定方面的目的，並且不以任何方式限制本發明。此外，本發明的整個說明書和申請專利範圍中，單詞“包括”和該單詞的其他形式，例如“包括”和“包含”，是指包括但不限於，不旨在排除例如其他添加劑或成分，除非明確聲明。

Claims (13)

  1. 一種低熱膨脹係數玻璃，係具有高紫外線透射率和高耐曬性，包含如下無鹼金屬氧化物的組分(以莫耳百分比計)：50-75莫耳%的SiO2；3-20莫耳%的Al2O3；5-20莫耳%的B2O3；0-15莫耳%的MgO；0-15莫耳%的CaO；0-15莫耳%的SrO；以及0-15莫耳%的BaO；前述無鹼金屬氧化物的組分中，MgO+CaO+SrO+BaO等於3-25莫耳%以及每個多面體的非橋氧(NBO)的平均數等於或大於-0.08或等於或小於-0.38；或者包含如下的無鹼土金屬氧化物的組合物(以莫耳百分比計)：78-85莫耳%的SiO2；0-7莫耳%的Al2O3；8-15莫耳%的B2O3；0-8莫耳%的Na2O；以及0-5莫耳%的K2O；前述無鹼土金屬氧化物的組合物中，較佳地，非橋氧(NBO)數等於或大於-0.25且等於或小於-0.10； 該非橋氧(NBO)數定義為NBO=2 x Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4。
  2. 如請求項1所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中該低熱膨脹係數玻璃基本上不含Li2O。
  3. 如請求項1或2所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中在248nm處的紫外線透射率大於20%，較佳大於22%。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中該低熱膨脹係數玻璃具有在248奈米的波長下通過雷射光輻射100,000mJ/cm2的紫外線能量用量之後透射率損失低於1%的耐曬性。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中Fe2O3的含量低於0.01莫耳%。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中該低熱膨脹係數玻璃的轉變溫度Tg高於550℃，較佳高於650℃，更較佳高於700℃。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中該熱膨脹係數大於2.0ppm/K且小於4.0ppm/K。
  8. 如請求項1至7中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃，其中該低熱膨脹係數玻璃的厚度介於0.05至1.2毫米，較佳0.1至0.7毫米的範圍內。
  9. 一種由請求項1至8中任一項所記載之低熱膨脹係數玻璃製成的玻璃載體晶片。
  10. 一種結合製品，其包括請求項9所記載之玻璃載體晶片和結合在其上、特別是通過黏合劑黏合在其上的矽基 板，較佳地，該黏合劑可以通過照射UV輻射，特別是通過248奈米波長下的雷射光輻射而失活。
  11. 一種用途，係請求項9所記載之低熱膨脹係數玻璃製成的玻璃載體晶片在作為用於矽基板的處理，特別是在矽基板的變薄及/或背面研磨期間的載體晶片中的用途。
  12. 如請求項11所記載之用途，其中該矽基板黏附到該玻璃載體晶片，特別是通過黏合劑層，以及在處理過程中經由該玻璃載體晶片操作。
  13. 一種用於提供具有高紫外線透射率和高耐曬性的低熱膨脹係數玻璃的方法，該低熱膨脹係數玻璃至少包括SiO2、Al2O3和B2O3，該方法包括：通過調整非橋氧(NBO)數來改變給定的低熱膨脹係數玻璃組分，以便提高在給定波長，特別是248nm及/或308nm的波長下的紫外線透射率，特別是使紫外線透射率提高至20%以上，該非橋氧(NBO)數定義為NBO=2 x Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4。
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