CN107039388B - 功率模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。

Description

功率模块的制造方法
本申请是基于2014年12月2日提出的申请号201410720919.8申请(功率模块及其制造方法)的分案申请，以下引用其内容。
技术领域
本发明涉及一种电力用半导体装置等功率模块及其制造方法。
背景技术
作为电力用半导体装置等功率模块，提出了下述功率模块，即，该功率模块具有：高耐压IC(HVIC：High-Voltage Integrated Circuit)、低耐压IC(LVIC：Low-VoltageIntegrated Circuit)、功率晶体管、FWDi(Free Wheeling Diode)以及搭载这些部件的框架(例如专利文献1)。
专利文献1：日本特开2003－189632号公报
近年来，在功率模块的市场中，价格竞争变得激烈，要求进一步低成本化以及小型化。
另外，由于芯片接合机、模塑装置中的功率模块的框架的输送道(lane)以及工作范围等而存在制造上的制约，在此基础上，为了能够应对功率模块的封装尺寸的多样化，设计为框架单列(例如横向一列)排列。因此，在从1片金属板能够生产出的框架的数量由封装件的尺寸决定的现有框架的设计方法中，功率模块的生产量受到限制。
发明内容
因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够将功率模块小型化的技术、或者能够提高功率模块的生产率的技术。
本发明所涉及的功率模块具有1个控制IC和多个RC-IGBT(Reverse ConductingInsulated Gate Bipolar Transistor)，该1个控制IC具有高耐压IC(IntegratedCircuit)的功能和低耐压IC的功能，该多个RC-IGBT配置在所述控制IC的四个方向中的三个方向，仅经由导线与所述控制IC连接。
另外，作为上述内容之外的结构，本发明所涉及的功率模块的制造方法是具有多个框架的功率模块的制造方法，该制造方法具有下述工序：工序(a)，在该工序中，对包含分别排列在延伸方向和垂直方向上的所述多个框架的成型体进行成型；工序(b)，在该工序中，向所述多个框架连接多个半导体装置；工序(c)，在该工序中，对覆盖所述多个半导体装置，并且局部覆盖所述成型体的模塑树脂进行成型；以及工序(d)，在该工序中，将所述成型体中的从所述模塑树脂露出的所述多个框架之间的部分切断。
发明的效果
根据本发明，功率模块具有RC-IGBT和1个控制IC，该控制IC具有高耐压IC的功能和低耐压IC的功能。由此，能够实现功率模块的小型化。
另外，根据本发明，金属成型体的多个框架排列在框架的延伸方向和垂直方向上。因此，可以增加从金属成型体能够生产出的框架的个数，因此，能够提高生产率。
附图说明
图1是表示相关功率模块的结构的剖面图。
图2是表示实施方式1所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。
图3是表示实施方式2所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。
图4是表示实施方式3所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。
图5是表示实施方式3所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。
图6是表示实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。
图7是表示实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。
图8是表示实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。
图9是表示实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。
图10是表示实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。
图11是表示实施方式5所涉及的功率模块的制造工序的图。
图12是表示实施方式6所涉及的功率模块的制造工序的图。
图13是表示实施方式7所涉及的功率模块的制造工序的图。
图14是表示实施方式8所涉及的功率模块的制造工序的图。
图15是表示实施方式9所涉及的功率模块的制造工序的图。
图16是表示实施方式10所涉及的功率模块的制造工序的图。
标号的说明
1第1框架，1a延伸设置部分，1b第1芯片焊盘，1c台阶，2第2框架，2a第2芯片焊盘，3功率芯片，4控制IC，4a第1焊盘，7模塑树脂，7a端面，7b端部，8绝缘片，21RC-IGBT，22栅极导线，31金属成型体，32框架，33连结杆，34树脂流道，41绝缘部，42绝缘帽。
具体实施方式
<实施方式1>
首先，在说明本发明的实施方式1所涉及的功率模块的结构之前，对与其相关的功率模块(下面，称为“相关功率模块”)进行说明。
图1是表示相关功率模块(传递模塑型的电力半导体装置)的结构的剖面图。相关功率模块具有第1框架1、第2框架2、功率芯片3、1个控制IC(Integrated Circuit)4、粗铝线5、细金线6、模塑树脂7、绝缘片8、铜箔9。
第1框架1具有在水平方向上延伸设置的延伸设置部分1a以及第1芯片焊盘1b。在第1芯片焊盘1b搭载有功率芯片3，第1芯片焊盘1b与功率芯片3连接。此外，在延伸设置部分1a与第1芯片焊盘1b之间，在高度方向(图1的上下方向)上设置有台阶1c。
第2框架2具有与延伸设置部分1a对应地在水平方向上延伸设置的第2芯片焊盘2a。即，第2框架2的第2芯片焊盘2a的高度方向的位置与第1框架1的延伸设置部分1a的高度方向的位置相同，或者大致相同。在这里，通过在第1框架1设置所述的台阶1c，从而第1芯片焊盘1b能够与第2芯片焊盘2a相比位于下方(接近模塑树脂7的底面而进行配置)，并且将绝缘片8的厚度变薄。在第2芯片焊盘2a搭载有控制IC4，第2芯片焊盘2a与控制IC4连接。
向第2框架2从外部输入控制信号，输入至第2框架2的控制信号向控制IC4输出。此外，该第2框架2不仅包含具有第2芯片焊盘2a的框架，还包含不具有搭载控制IC4的第2芯片焊盘2a，但经由细金线6与控制IC4连接的框架。
功率芯片3包含功率晶体管的芯片3a和FWDi的芯片3b，芯片3a、3b通过焊料(未图示)与第1框架1的第1芯片焊盘1b连接。
控制IC4通过包含金属的树脂膏(未图示)，与第2框架2的第2芯片焊盘2a连接。控制IC4具有HVIC的功能和LVIC的功能，根据来自第2框架2的控制信号而控制功率芯片3。
粗铝线5将功率芯片3与第1框架1之间连接，细金线6将控制IC4与第2框架2之间连接。另外，功率芯片3彼此之间或者功率芯片3与第2框架2之间，通过与粗铝线或者细金线相同的导线等进行连接。
在第1框架1的第1芯片焊盘1b下，依次配置有绝缘片8以及铜箔9，铜箔9的一部分在模塑树脂7的底面向外部露出。
模塑树脂7除了第1以及第2框架1、2的一部分以及铜箔9的下表面以外，覆盖上述结构要素。第1以及第2框架1、2中的从模塑树脂7露出的一部分是实施有镀敷处理的引线端子11，该引线端子11安装于基板(未图示)等。此外，为了高效地对功率芯片3的动作时的发热进行散热，第1以及第2框架1、2的材质例如使用热阻较低的铜或者铜合金。
在上面说明的相关功率模块中，1个控制IC4具有HVIC的功能和LVIC的功能，因此实现了一定程度的小型化以及低成本化，但还存在能够进一步改善的余地。因此，在本实施方式1所涉及的功率模块中，能够进一步实现小型化以及低成本化。
图2是表示本实施方式1所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。对本实施方式1所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
本实施方式1所涉及的功率模块具有第1以及第2框架1、2、模塑树脂7、栅极导线22、多个(在图2中是6个)RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate BipolarTransistor)21、1个控制IC4。在图2中，为了易于说明，通过假想线(双点划线)表示模塑树脂7。此外，在图2以后的图中，有时同样地通过假想线表示模塑树脂7。
RC-IGBT21是将FWDi内置在IGBT中的逆导IGBT，具有FWDi的功能和IGBT的功能。即，本实施方式1所涉及的功率模块中，取代相关功率模块的功率晶体管的芯片3a以及FWDi的芯片3b，具有RC-IGBT21。此外，RC-IGBT21也可以使用例如日本特开2012-186899号公报所公开的RC-IGBT。RC-IGBT21通过焊料(未图示)与第1框架1的第1芯片焊盘1b连接。
多个RC-IGBT21分散配置在控制IC4的四个方向中的三个方向(在图2中，是除了配置有第2框架2的上方以外的左方、右方以及下方)。而且，各RC-IGBT21的栅极端子仅经由栅极导线22(导线)而与控制IC4的输出端子连接。
根据如上所述的本实施方式1所涉及的功率模块，能够通过使1个控制IC4具有HVIC的功能和LVIC的功能，从而减少在现有的结构中需要具有多个的控制IC的数量。由此，能够实现功率模块的小型化，并且能够实现成本的降低。另外，通过取代功率晶体管的芯片3a以及FWDi的芯片3b而具有RC-IGBT21，从而能够可靠地实现功率模块的小型化，并且能够进一步实现成本的降低。在此基础上，通过将控制IC4与RC-IGBT21仅经由栅极导线22进行连接，从而能够实现封装件的小型化。并且，能够通过将多个RC-IGBT21分散配置在控制IC4的四个方向中的三个方向，从而抑制将控制IC4与各RC-IGBT21连接的栅极导线22的配线长度的波动，能够抑制各相特性的波动。
<实施方式1的变形例1>
在空调的全年工作时间中，制暖中间运转期间在全年中最长，此时的电动机输出电流值较低，因此，优选尽可能改善该期间中的损耗。因此，可以在功率模块中取代RC-IGBT21，而具有材质使用了硅的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)即Si-MOSFET。根据这种具有Si-MOSFET的结构，能够改善低电流区域的损耗。因此，在该功率模块搭载在空调中的情况下，可以预见到下述效果，即，改善表示空调的节能效果的指标即APF(Annual Performance Factor)。
<实施方式1的变形例2>
也可以在功率模块中取代RC-IGBT21，而具有材质使用了碳化硅的MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)即SiC-MOSFET。SiC与Si相比，散热性优异，因此，与RC-IGBT21以及Si-MOSFET相比较，如果实现相同程度的散热性，则能够将芯片尺寸缩小，因此，能够实现封装件的小型化。另外，如果是相同程度的芯片尺寸，则可以预见到散热性的提高，因此，在该功率模块搭载在空调中的情况下，能够实现通过产品性能提高所带来的空调系统整体的成本降低(例如，通过散热性提高所带来的散热片的小型化等)。
<实施方式1的变形例3>
在实施方式1中，说明了RC-IGBT21通过焊料(未图示)与第1框架1的第1芯片焊盘1b连接的结构，即，在芯片焊盘上使用焊料的结构，但并不限定于此。例如，也可以是取代焊料而通过银膏等树脂芯片接合剂(未图示)，将RC-IGBT21与第1框架1的第1芯片焊盘1b连接的结构。由此，能够在RC-IGBT21的芯片接合工序和控制IC4的芯片接合工序中使用相同的芯片接合装置。在此基础上，能够通过使用银膏等树脂芯片接合剂，实现组装加工费的降低。
<实施方式2>
图3是表示本发明的实施方式2所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。对本实施方式2所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
本实施方式2所涉及的控制IC4具有设置在控制IC4正面的第1焊盘4a、和设置在控制IC4背面的第2焊盘(未图示)。在这里，第1焊盘4a经由栅极导线22而与RC-IGBT21连接，第2焊盘经由包含金属的树脂膏等而与第2框架2连接。
根据如上所述的本实施方式2所涉及的功率模块，在控制IC4与第2框架2之间可以不连接栅极导线22，从而能够将与此对应的形成导线接合的工序省略。因此，能够实现组装加工费的降低和制造任务的减少。
<实施方式3>
图4是表示本发明的实施方式3所涉及的功率模块的内部结构的俯视图。对本实施方式3所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
本实施方式3所涉及的功率模块与相关功率模块(图1)相同地，通过在第1框架1沿高度方向设置台阶1c，从而第1芯片焊盘1b与第2芯片焊盘2a相比位于下方(接近模塑树脂7的底面而进行配置)。
根据如上所述的本实施方式3所涉及的功率模块，RC-IGBT21接近模塑树脂7的外部，因此针对RC-IGBT21的发热，可预见到散热性提高。与此相伴，在该功率模块搭载在空调中的情况下，能够实现通过产品性能提高所带来的空调系统整体的成本降低(例如，通过散热性提高所带来的散热片的小型化等)。
此外，本实施方式3所涉及的功率模块不限定于上述图4所示的结构。例如，如图5所示，功率模块可以与相关功率模块(图1)相同地，还具有配置在第1芯片焊盘1b下的绝缘片8。根据这种结构，能够大容量化，由此，能够在相同电流额定值下实现耐压性提高。另外，通过设置上述的台阶1c，从而能够将绝缘片8的厚度变薄，从这个方面考虑，也可以预见到散热性提高。
<实施方式4>
图6～图10是表示本发明的实施方式4所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式4所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
首先，通过将金属板选择性地冲裁而形成图案，从而成型出图6所示的金属成型体(成型体)31。该金属成型体31包含有多个框架32，多个框架32分别排列在延伸方向(图6的x方向)和垂直方向(图6的y方向)上。
在本实施方式4中，多个框架32以功率模块为单位而包含有第1框架1和第2框架2，该第1框架1通过下面的工序与RC-IGBT21(半导体装置)连接，该第2框架2通过下面的工序与控制IC4(半导体装置)连接。在这里，在图6所示的金属成型体31中，功率模块在y方向上配置有2个，在x方向上配置有大于或等于2个。但功率模块的排列并不限定于此，也可以在y方向上配置1个或者大于或等于3个功率模块，而在x方向上配置1个功率模块。
多个功率模块的朝向相同，各功率模块的第1框架1配置在+x方向侧、第2框架2配置在-x方向侧。另外，在这里，多个功率模块彼此的水平方向(图6的x方向以及y方向)的间隔也相同
图7是表示金属成型体31中的与1个功率模块对应的部分的图。如图7所示，在金属成型体31中也包含第1框架1的第1芯片焊盘1b以及第2框架2的第2芯片焊盘2a。
另外，金属成型体31不仅包含多个框架32(第1以及第2框架1、2)，还包含将第1框架1与第1框架1之间、或者第2框架2与第2框架2之间连接的连结杆33。而且，在第1框架1(预定的框架32)与第1框架1侧的连结杆33(预定的连结杆33)处，设置有用于注入树脂的路径即树脂流道34。该树脂流道34可以作为该第1框架1以及该连结杆33的上表面的槽图案而形成，也可以作为它们的内部的空洞图案而形成。
然后，向多个框架32(第1框架1以及第2框架2)连接多个半导体装置(RC-IGBT21以及控制IC4)。在这里，将RC-IGBT21通过芯片接合而搭载及连接至第1框架1的第1芯片焊盘1b，并且，将控制IC4通过芯片接合而搭载及连接至第2框架2的第2芯片焊盘2a。然后，通过对第1以及第2框架1、2、RC-IGBT21以及控制IC4进行导线接合，从而形成栅极导线22等。此外，从图的简化的方面考虑，未图示RC-IGBT21以及控制IC4，但RC-IGBT21以及控制IC4例如与实施方式1～3相同地与第1以及第2框架1、2连接。此外，即使在下面的图中，有时也从图的简化的方面考虑，而省略RC-IGBT21以及控制IC4的图示。另外，在本实施方式4中，也可以如图1所示那样，在第1芯片焊盘1b下依次配置绝缘片8以及铜箔9。
然后，将连接有RC-IGBT21以及控制IC4的金属成型体31配置在用于对模塑树脂7进行成型的模具(下面称为“模塑用模具”)内。在图8中，通过双点划线表示模塑用模具的内部空间35。
如图8的双点划线所示，以配置在模塑用模具中的树脂流道34的出口(树脂注入浇口34a)与模塑用模具的内部空间35连通的方式，将金属成型体31配置在模塑用模具内。在该状态下，固化之前的树脂经由树脂流道34以及树脂注入浇口34a而向模塑用模具的内部空间35注入，然后，该树脂固化。由此，如图9所示，成型出将多个半导体装置(RC-IGBT21以及控制IC4)覆盖，并且，将金属成型体31局部覆盖的模塑树脂7。
即，在本实施方式4中，通过从树脂流道34注入树脂的侧浇口方式，成型出模塑树脂7。此外，由模塑树脂7覆盖的金属成型体31是第1框架1的第1芯片焊盘1b以及第2框架2的第2芯片焊盘2a等。
然后，将金属成型体31中的从模塑树脂7露出的多个框架32之间的部分切断。在这里，通过该切断将第1框架1之间的连结杆33以及第2框架2之间的连结杆33等去除，从而，完成图10所示的功率模块。
在这里，通过现有的功率模块的制造方法成型的金属成型体的多个框架沿延伸方向(图6的x方向)进行单列排列。与此相对，通过本实施方式4所涉及的功率模块的制造方法成型的金属成型体31的多个框架32沿延伸方向进行多列排列。即，多个框架32在延伸方向和垂直方向(图6的y方向)上均进行排列。由此，可以使从金属成型体31能够生产出的框架32的个数比现有制造方法多，因此，能够提高生产率。
另外，根据本实施方式4，通过向设置在第1框架1以及第1框架1侧的连结杆33处的树脂流道34注入树脂的侧浇口方式，将模塑树脂7成型。由此，即使对框架32进行多列排列，也能够从连结杆33的位置处进行树脂注入，因此能够提高生产率。
此外，根据如本实施方式4这样将金属成型体31中的多个功率模块彼此的朝向以及水平方向的间隔设为相同的结构，能够一边抑制由于树脂的流动导致的导线的变形、剥离，一边同时注入模塑树脂7的树脂。
<实施方式4的变形例>
在实施方式4中，通过向设置在第1框架1以及第1框架1侧的连结杆33处的树脂流道34注入树脂，从而成型出模塑树脂7，但并不限定于此。例如，可以不设置所述树脂流道34，而在由相邻的第1框架1和将它们连接的连结杆33包围的空间中配置树脂注入浇口，通过从该树脂注入浇口(未图示)注入树脂，从而将模塑树脂7成型。
另外，在实施方式4中，说明了与第2芯片焊盘2a连接的半导体装置使用了RC-IGBT21的情况。但并不限定于此，可以取代RC-IGBT21而使用功率芯片3。此外，这种情况在实施方式5以后也同样适用。
<实施方式5>
图11是表示本发明的实施方式5所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式5所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
在实施方式4中，金属成型体31中的多个功率模块彼此的朝向相同(图6)。与此相对，在本实施方式5中，如图11所示，金属成型体31中的多个功率模块彼此的朝向不同。
具体地说，在图11的多个功率模块中，-x侧的功率模块(第1功率模块)的朝向与图6的功率模块的朝向相同，其第1框架1配置在+x方向侧，第2框架2配置在-x方向侧。另一方面，在图11的多个功率模块中，+x侧的功率模块(第2功率模块)的朝向与将图6的功率模块旋转180度后的朝向相同，其第1框架1配置在-x方向侧，第2框架2配置在+x方向侧。即，+x侧的功率模块与-x侧的功率模块相邻，并且+x侧的功率模块与-x侧的功率模块逆向配置。
而且，在金属成型体31中，-x侧的功率模块的第1框架1与+x侧的功率模块的第1框架1在垂直方向(y方向)上并排排列。但是，以-x侧的功率模块的第1框架1与+x侧的功率模块的第1框架1不重叠或者不接触的方式，在金属成型体31的设计时，对这些第1框架1的位置进行适当地调整。
在将图11所示的金属成型体31成型之后，与实施方式4相同地，实施该金属成型体31与半导体装置等的连接、模塑树脂7的成型以及金属成型体31中的从模塑树脂7露出的部分的选择性的切断。但在本实施方式5中，在切断工序中，切断-x侧的功率模块的第1框架1的+x侧部分，切断+x侧的功率模块的第1框架1的-x侧部分。
根据如上所述的本实施方式5所涉及的功率模块的制造方法，能够在一个功率模块的第1框架1彼此的间隙中，形成另外的功率模块的第1框架1。因此，可以使从金属成型体31能够生产出的框架32的个数比现有制造方法多，因此，能够提高生产率。另外，第1框架1彼此的间隙与第2框架2彼此的间隙相比较宽，因此，与在一个功率模块的第2框架2彼此的间隙中形成另外的功率模块的第2框架2的情况相比，能够容易进行金属成型体31的成型。
<实施方式6>
图12是表示本发明的实施方式6所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式6所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
在本实施方式6中，如图12所示，金属成型体31中的多个功率模块彼此的朝向不同。
具体地说，在图12的多个功率模块中，+x侧的功率模块的朝向与图6的功率模块的朝向相同，其第1框架1配置在+x方向侧，第2框架2配置在-x方向侧。另一方面，在图12的多个功率模块中，-x侧的功率模块的朝向与将图6的功率模块旋转180后的朝向相同，其第1框架1配置在-x方向侧，第2框架2配置在+x方向侧。由此，在各功率模块中，第1框架1与第2框架2相比配置在金属成型体31的端部。
在将图12所示的金属成型体31成型之后，与实施方式4相同地，实施该金属成型体31与半导体装置等的连接、模塑树脂7的成型以及金属成型体31中的从模塑树脂7露出的部分的选择性的切断。
根据如上所述的本实施方式6所涉及的功率模块的制造方法，第1框架1与第2框架2相比配置在金属成型体31的端部。由此，例如，能够在向所述的树脂流道34注入树脂时，抑制由于树脂的流动所导致的导线的变形、剥离。另外，例如，在与实施方式4的变形例相同地，从配置在由相邻的第1框架1和连结杆33所包围的空间中的树脂注入浇口来注入树脂时，能够抑制由于树脂的流动所导致的导线的变形、剥离。并且，能够从金属成型体31的两端部(图12的+x侧端部以及-x侧端部)同时注入模塑树脂7的树脂，因此，能够提高生产率。
<实施方式7>
图13是表示本发明的实施方式7所涉及的功率模块的制造工序(半导体装置的连接工序)的图。此外，对本实施方式7所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
如图13所示，在本实施方式7中，在连接半导体装置的工序中，在所述的y方向(在预定的方向上)等间隔排列的多个RC-IGBT21与第1芯片焊盘1b连接。即，以同一搭载间距来连接多个RC-IGBT21。根据这种如本实施方式7所涉及的功率模块的制造方法，例如，用于连接多个RC-IGBT21的芯片接合工序通过1次的流程(工序)即可完成，即使连同用于连接控制IC4的芯片接合工序也包含在内，通过2次的流程(工序)即可完成。即，能够减少芯片接合的处理次数。
<实施方式8>
图14是表示本发明的实施方式8所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式8所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
如图14所示，在本实施方式8中，在俯视观察时，在模塑树脂7的边处形成有凹凸。由此，一个框架32凸出处的模塑树脂7的端面7a的位置与相邻的框架32凸出处的模塑树脂7的端面7a的位置，在框架32的凸出方向上不同。根据上述本实施方式8所涉及的功率模块的制造方法，能够将引线端子11(框架32)彼此之间的沿面距离L变长，因此，能够实现功率模块的封装件的小型化。
<实施方式9>
图15是表示本发明的实施方式9所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式9所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
如图15所示，在本实施方式9中，在一个框架32凸出处的模塑树脂7的端部7b与相邻的框架32凸出处的模塑树脂7的端部7b之间形成有绝缘部41。根据这种本实施方式9所涉及的功率模块的制造方法，能够实质上将引线端子11(框架32)彼此之间的沿面距离变长，因此，能够实现功率模块的封装件的小型化。
<实施方式10>
图16是表示本发明的实施方式10所涉及的功率模块的制造工序的图。此外，对本实施方式10所涉及的功率模块的结构要素中的、与上面所说明的结构要素相同或者相类似的结构标注相同的标号，并在下面进行说明。
如图16所示，在本实施方式10中，形成绝缘帽42，该绝缘帽42与一个框架32凸出处的模塑树脂7的端面7a相邻，将该一个框架32的周围覆盖。根据这种本实施方式10所涉及的功率模块的制造方法，能够实质上将引线端子11(框架32)彼此之间的沿面距离变长，因此，能够实现功率模块的封装件的小型化。
此外，本发明能够在其发明范围内，将各实施方式以及各变形例自由组合，或者对各实施方式以及各变形例进行适当地变形、省略。

Claims (7)

1.一种功率模块的制造方法，该功率模块具有多个框架，
该功率模块的制造方法具有下述工序：
工序(a)，在该工序中，对包含分别排列在延伸方向和垂直方向上的所述多个框架的成型体进行成型；
工序(b)，在该工序中，向所述多个框架连接多个半导体装置；
工序(c)，在该工序中，对覆盖所述多个半导体装置，并且局部覆盖所述成型体的模塑树脂进行成型；以及
工序(d)，在该工序中，将所述成型体中的从所述模塑树脂露出的所述多个框架之间的部分切断，
所述工序(a)的所述成型体还包含将所述框架彼此连接的连结杆，
在预定的所述框架以及所述连结杆处，设置用于注入树脂的路径即树脂流路，
在所述工序(c)中，通过从所述树脂流路注入树脂的侧浇口方式，对所述模塑树脂进行成型，
通过所述工序(d)的所述切断，将所述连结杆去除。
2.一种功率模块的制造方法，该功率模块具有多个框架，
该功率模块的制造方法具有下述工序：
工序(a)，在该工序中，对包含分别排列在延伸方向和垂直方向上的所述多个框架的成型体进行成型；
工序(b)，在该工序中，向所述多个框架连接多个半导体装置；
工序(c)，在该工序中，对覆盖所述多个半导体装置，并且局部覆盖所述成型体的模塑树脂进行成型；以及
工序(d)，在该工序中，将所述成型体中的从所述模塑树脂露出的所述多个框架之间的部分切断，
所述工序(a)的所述多个框架以每个功率模块为单位而包含第1框架和第2框架，该第1框架通过所述工序(b)而与作为所述半导体装置的功率芯片或者RC-IGBT连接，该第2框架通过所述工序(b)而与作为所述半导体装置的控制IC连接，
在所述工序(a)的所述成型体中，第1所述功率模块的所述第1框架、和与所述第1所述功率模块相邻且与其逆向配置的第2所述功率模块的所述第1框架，在所述垂直方向上并排排列。
3.根据权利要求2所述的功率模块的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，对在预定的方向上等间隔排列的多个所述功率芯片或者多个所述RC-IGBT进行连接。
4.一种功率模块的制造方法，该功率模块具有多个框架，
该功率模块的制造方法具有下述工序：
工序(a)，在该工序中，对包含分别排列在延伸方向和垂直方向上的所述多个框架的成型体进行成型；
工序(b)，在该工序中，向所述多个框架连接多个半导体装置；
工序(c)，在该工序中，对覆盖所述多个半导体装置，并且局部覆盖所述成型体的模塑树脂进行成型；以及
工序(d)，在该工序中，将所述成型体中的从所述模塑树脂露出的所述多个框架之间的部分切断，
所述工序(a)的所述多个框架包含第1框架和第2框架，该第1框架通过所述工序(b)而与作为所述半导体装置的功率芯片或者RC-IGBT连接，该第2框架通过所述工序(b)而与作为所述半导体装置的控制IC连接，
所述第1框架与所述第2框架相比配置在所述工序(a)的所述成型体的端部。
5.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的功率模块的制造方法，其中，
一个所述框架凸出处的所述模塑树脂的端面的位置、和其相邻的所述框架凸出处的所述模塑树脂的端面的位置，在所述框架的凸出方向上不同。
6.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的功率模块的制造方法，其中，
在一个所述框架凸出处的所述模塑树脂的端部、和其相邻的所述框架凸出处的所述模塑树脂的端部之间，形成绝缘部。
7.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的功率模块的制造方法，其中，
形成绝缘帽，该绝缘帽与一个所述框架凸出处的所述模塑树脂的端面相邻，将该一个框架的周围覆盖。
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