CN107001546A - 透明树脂组合物、其粘接剂和固晶材料、用其导电连接方法及由该方法得到的光半导体装置 - Google Patents

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Abstract

一种透明树脂组合物，含有：(A)硅酮组合物，包含100质量份的(A‑1)、以及相对于该(A‑1)成分的合计量100质量份为0.1～10质量份的(A‑2)有机过氧化物，该(A‑1)是在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构的有机聚硅氧烷；以及，(B)导电性粒子，平均粒径是1μm以下，以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，固化前述透明树脂组合物获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上、雾度值为60％以下。由此，提供一种透明树脂组合物，所述透明树脂组合物提供一种固化物，该固化物为高透明且粘接强度及操作性优异，并具有耐热性及耐光性，。

Description

透明树脂组合物、其粘接剂和固晶材料、用其导电连接方法及 由该方法得到的光半导体装置
技术领域
本发明涉及一种透明树脂组合物、由该组合物构成的粘接剂、由该组合物构成的固晶材料、使用该组合物的导电连接方法、以及根据该方法获得的光半导体装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)等光半导体元件由于具有耗电量少的优异特性，因此，光半导体器件(device)在室外照明用途和汽车用途等中的应用逐渐增加。这种光半导体器件是如下这样一种发光装置：通常，将由发射蓝色光、近紫外光或紫外光的光半导体发光元件所发出的光，通过波长转换材料即荧光体进行波长转换，以获得伪白色光。
近年来，为了进一步提高光半导体元件的发光效率，开发出一种垂直型光半导体元件。垂直型(Vertical)光半导体元件是将电极以垂直结构配置而成，也简称为垂直型LED芯片。垂直型LED芯片通过使发光层上均匀地流通电流，与将电极水平配置而成的结构的同尺寸的水平型(lateral)LED芯片相比，可以流通几十倍的电流，能够抑制发光层温度升高，并提高发光效率。而且，垂直型LED芯片由于具有会抑制水平型LED芯片上可见的局部电流密度的增加，可以实现LED大电流化等优异的特点，因此，其实际应用正在不断发展。
另一方面，如上所述，垂直型LED芯片是将电极以垂直结构配置而成，由此可知：当将垂直型LED芯片搭载于线路板上时，需要使用与以往相同的引线接合等方法将一电极电性连接，并使用共晶焊锡和导电性粘接剂等将另一电极电性连接。
以往，作为用于将垂直型LED芯片搭载于线路板上的粘接剂，广泛使用共晶焊锡、或在环氧树脂组合物中调配有导电性粒子而成的导电性粘接剂。但是，在使用共晶焊锡的方法中，由于在固晶时将所需的焊锡熔融，其热量会对光半导体的发光层造成损伤，故而不优选。此外，近年来，如果是前述共晶焊锡、或在环氧树脂组合物中调配有导电性粒子而成的导电性粘接剂，会有光反射并不充分，光的提取效率较差的问题。而且，从作为光半导体器件时的设计的自由度方面而言，还对固晶材料要求高透明性。
另一方面，作为使用导电性粘接剂的一个示例，例如，在专利文献1中，提出一种导电性粘接剂，所述导电性粘接剂是同时使用双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂与脂环式环氧树脂，并通过添加苯并三唑衍生物作为紫外线吸收剂，来改善对450～500nm附近的光的耐光性。然而，由于此发明中的组合物含有大量白色的二氧化钛和有色的导电性粒子，因此，不会形成高透明的粘接剂。
在专利文献2中，提出一种光半导体元件用的固晶材料，其含有：特定的导电性粉末、具有(3,5-二缩水甘油基异氰尿酸酯)烷基的有机聚硅氧烷、以及与缩水甘油基反应的固化催化剂(胺类固化剂、苯酚类固化剂及酸酐类固化剂)。然而，以异氰尿酸酯基为代表的有机基团会产生如下问题：因短波长的光劣化，经时变色、分解。而且，由于在该发明中相对于树脂成分的合计100质量份添加350～800质量份的导电性粒子，因此，不会形成高透明的粘接剂。
在专利文献3中，提出一种粘接剂组合物、以及由该粘接剂组合物组成的薄膜状粘接剂，所述粘接剂组合物含有：(a)有机微粒子，包含选自由(甲基)丙烯酸烷基酯-丁二烯-苯乙烯共聚物或复合物、以及硅酮-(甲基)丙烯酸共聚物或复合物所组成的群组中的至少1种；(b)自由基聚合性化合物；(c)自由基聚合引发剂；以及，(h)导电性粒子；以粘接剂组合物的固体成分总体积为基准，(h)导电性粒子的含量是0.1～30体积％。然而，与上述相同，(b)自由基聚合性化合物中含有以缩水甘油基为代表的有机基团，会产生如下问题：因短波长的光而造成劣化，经时变色、分解。此外，虽然发明中记载有以粘接剂组合物的固体成分总体积为基准，含有0.1～30体积％导电性粒子，但未见固化物的透光率及透明性相关记述，而且，本发明人验证结果发现，此范围的添加量不会形成高透明的材料。而且，在该发明中记载有从获得良好的分散性及导电性的观点来看，导电性粒子的平均粒径优选为1～18μm，但是，如果是具有此范围的平均粒径的导电性树脂材料，将光半导体元件固晶(导电连接)至线路板时的粘接层厚度(Bond line thickness，BLT)变厚，散热性也较差，不会形成有用的高透明固晶材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利3769152号公报；
专利文献2：日本特开2012-52029号公报；
专利文献3：日本特开2012-149274号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于上述问题点而完成的，目的在于提供一种透明树脂组合物，所述组合物会提供一种固化物，其高透明且粘接强度及操作性优异，并具有耐热性及耐光性。另外，目的在于提供一种由该组合物构成的粘接剂、由该组合物构成的固晶材料、使用该组合物的导电连接方法、以及根据该方法获得的半导体装置。
解决问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明提供一种透明树脂组合物，其特征在于，含有：
(A)硅酮组合物，包含100质量份的(A-1)、以及相对于前述(A-1)成分的合计量100质量份是0.1～10质量份的(A-2)有机过氧化物，前述(A-1)是在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构的有机聚硅氧烷，
式(1)中，m是0、1、2中的任一个，R1是氢原子、苯基或卤化苯基，R2是氢原子或甲基，R3是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～12的一价有机基团，Z1是-R4-、-R4-O-、-R4(CH3)2Si-O-中的任一种，Z2是氧原子、或是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团，R4是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团；以及，
(B)导电性粒子，平均粒径为1μm以下；
以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，
固化前述透明树脂组合物所获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上，且雾度值为60％以下。
如果是这种透明树脂组合物，可以提供一种固化物，其高透明且粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
此外，优选的是，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷的Z1是-R4-，前述Z2是氧原子。
此外，优选的是，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷的Z1是-R4-O-、或-R4(CH3)2Si-O-，前述Z2是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团。
如果是这种透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
此外，优选的是，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷，在分子中具有至少一个由下述通式(2)表示的结构：
式(2)中，m、R1、R2、R3、R4与上述相同。
如果是这种透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会更有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
此外，优选的是，在前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷中，具有0.1mol％以上的(SiO2)单元。
如果是这种透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会进一步有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
本发明还提供一种粘接剂，其特征在于，是由上述本发明的透明树脂组合物构成。
如果是这种粘接剂，可以适合用作粘接剂，所述粘接剂用于将LED芯片搭载于线路板上。
本发明还提供一种固晶材料，其特征在于，是由上述本发明的透明树脂组合物构成。
如果是这种固晶材料，可以适合用作固晶材料，所述固晶材料用于将LED芯片搭载于线路板上。
此时优选的是，当粘接层厚度(Bond line thickness，BLT)为5μm以下时，使用将前述固晶材料固化所获得的固化物。
如果是这种固晶材料，可以切实地实现光半导体元件与基板的导电连接。
本发明还提供一种导电连接方法，其特征在于，使用上述本发明的透明树脂组合物，将BLT设为5μm以下，将光半导体元件与基板导电连接。
如果是这种导电连接方法，可以切实地实现光半导体元件与基板的导电连接。
本发明还提供一种光半导体装置，其特征在于，利用上述本发明的导电连接方法将光半导体元件与基板导电连接而成。
本发明的透明树脂组合物可以提供一种固化物，其高透明且粘接强度及操作性优异，耐热性及耐光性优异。此外，如果是本发明的导电连接方法，可以切实地实现光半导体元件与基板的导电连接。由此，利用本发明的导电连接方法所获得的光半导体装置的光提取效率较高，具有耐热性及耐光性，并可以切实地实现导电连接。
发明效果
本发明的透明树脂组合物可以提供一种固化物，其高透明且粘接强度及操作性优异，并具有耐热性及耐光性。由此，本发明的透明树脂组合物可以适合用作粘接剂及固晶材料。这种粘接剂及固晶材料可以适合用作粘接剂，所述粘接剂用于将LED芯片、尤其是将垂直型LED芯片搭载于线路板上。此外，如果是本发明的导电连接方法，可以切实地实现光半导体元件与基板的导电连接。因此，利用本发明的导电连接方法所获得的光半导体装置，光提取效率较高，具有耐热性及耐光性，并可以切实地实现导电连接。此外，本发明的透明树脂组合物也可以作为高透明的各向异性导电性组合物来发挥作用。
附图说明
图1是表示使用本发明的透明树脂组合物将光半导体元件与基板导电连接而成的光半导体装置的一个示例的剖面图。
具体实施方式
以下，更详细地说明本发明。
如上所述，正在寻求一种透明树脂组合物，所述组合物会提供一种固化物，其高透明且粘接强度及操作性优异，并具有耐热性及耐光性。
本发明人为了实现上述目的而潜心研究，结果发现一种透明树脂组合物可以解决上述课题，从而完成本发明，所述透明树脂组合物含有下述(A)～(B)成分，以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，固化前述透明树脂组合物所获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上，且雾度值为60％以下。
以下，更具体地说明本发明，但本发明并不限于此。
本发明的透明树脂组合物含有：
(A)硅酮组合物，包含100质量份的(A-1)、以及相对于前述(A-1)成分的合计量100质量份是0.1～10质量份的(A-2)有机过氧化物，前述(A-1)是在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构的有机聚硅氧烷，
式(1)中，m是0、1、2中的任一个，R1是氢原子、苯基或卤化苯基，R2是氢原子或甲基，R3是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～12的一价有机基团，Z1是-R4-、-R4-O-、-R4(CH3)2Si-O-中的任一种，Z2是氧原子、或者经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团，R4是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团；以及，
(B)导电性粒子，平均粒径为1μm以下；
以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，
固化前述透明树脂组合物所获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上，且雾度值为60％以下。
如上所述，关于本发明的透明树脂组合物，将该组合物制成厚度2mm的固化物时的总透光率为70％以上，优选为80％以上。总透光率为70％以上时，固化后的透明树脂组合物可以维持高透明的状态。总透光率不足70％时，意味着固化后的透明树脂组合物会产生着色或者浑浊，固化物不会高透明。总透光率的上限并无特别限制，更大时固化物会更透明，也不会妨碍提取由LED器件发出的光，因而优选。
此外，根据由(雾度值(％))＝(漫射透光率)/(总透光率)×100定义可知，随着漫射光成分增大及总透光率减少，雾度值增大，固化物由半透明变得微浊，进一步达到白浊。
将本发明的透明树脂组合物制成厚度2mm的固化物时的雾度值为60％以下，这意味着固化物为具有透明至半透明浑浊的状态。上述雾度值优选为40％以下。雾度值超过60％时，固化物浑浊，存在大量使光散射的微粒子，固化物不会高透明。如果雾度值为60％以下，也不会妨碍提取由LED器件发出的光，因而优选。雾度值的下限并无特别限制，更小时固化物的浑浊变少也就是变透明，也不会妨碍提取由LED器件发出的光，因而优选。
[(A)硅酮组合物]
(A)硅酮组合物含有上述(A-1)成分100质量份，相对于(A-1)成分的合计量100质量份，含有上述(A-2)成分0.1～10质量份。
[(A-1)有机聚硅氧烷]
(A-1)成分的有机聚硅氧烷，在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构，
式(1)中，m是0、1、2中的任一个，R1是氢原子、苯基或卤化苯基，R2是氢原子或甲基，R3是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～12的一价有机基团，Z1是-R4-、-R4-O-、-R4(CH3)2Si-O-中的任一种，Z2是氧原子、或是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团，R4是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团。
作为(A-1)成分也就是有机聚硅氧烷中的Z1、Z2的组合，优选的是，Z1是-R4-且Z2是氧原子；Z1是-R4-O-或-R4(CH3)2Si-O-且Z2是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价的有机基团。如果是含有这种(A-1)成分的透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
此外，优选的是，(A-1)成分也就是有机聚硅氧烷中具有0.1mol％以上的(SiO2)单元。如果是含有这种(A-1)成分的透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会进一步有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
进一步优选的是，(A-1)成分也就是有机聚硅氧烷，在分子中具有至少一个由下述通式(2)表示的结构。如果是含有这种(A-1)成分的透明树脂组合物，可以获得一种固化物，其(A-1)成分会更有效地与(A-2)成分分解时产生的自由基发生反应，粘接强度及操作性优异，并且耐热性及耐光性优异。
式(2)中，m、R1、R2、R3、R4与上述相同。
(A-1)成分也就是有机聚硅氧烷，优选的是，25℃时的粘度为10mPa·s以上的液状或固体分枝状或三维网状结构的有机聚硅氧烷。
在上述式(1)中，作为由R3表示的键结于硅原子上的经被取代或未被取代且可以相同或不同的一价有机基团，通常，可以列举碳数1～12、优选为1～8左右的烃基，具体来说，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基、癸基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯基乙基、苯基丙基等芳烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基、辛烯基等烯烃基；以及，用氟、溴及氯等卤原子、氰基等取代这些基团的部分或全部氢原子所得的基团，例如氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基等卤化烷基或氰乙基等。
在上述式(1)中，作为由R4表示的经被取代或未被取代且可以相同或不同的二价有机基团，具体来说，例示亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等碳数1～10的亚烷基等二价烃基，优选为碳数1～3的亚烷基。
以下，例示(A-1)成分也就是有机聚硅氧烷。(在下式中，Me表示甲基。)此成分可以是单一成分，也可以与其它成分并用。此外，在下式中，作为相当于上述式(1)中的R3的基团，例示了甲基，也可变更为其它基团(经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～12的一价有机基团)。
下式表示的有机聚硅氧烷为：所含有的MA单元、M单元、Q单元的比例为MA：M：Q＝1：4：6，按照换算成聚苯乙烯的重均分子量计，分子量为5000。
下式表示的有机聚硅氧烷为：所含有的MA-D单元、D单元、T单元的比例为MA-D：D：T＝2：6：7，按照换算成聚苯乙烯的重均分子量，分子量为3500。
为了调整组合物的粘度和固化物的硬度等，可以在(A-1)成分中添加如下所示的包含硅酮的反应性稀释剂、或不含硅酮的反应性稀释剂。
作为含有硅酮的反应性稀释剂的具体例，可以列举由下式(3)～(7)表示的有机聚硅氧烷。(下式中，Me表示甲基。)此成分可以是单一成分，也可以与其它成分并用。
式(5)中，p是18，q是180。
式(6)中，p’是20，q是180。
式(7)中，p是18，q是180。
作为这种(A-1)成分的合成方法，例如，可以将如下所示的有机氢硅烷，
(式中，m、R1、R2、R3、Z1与上述相同)
优选为下式所示的化合物，
(式中，m、R1、R2、R3、Z1、Z2与上述相同)
更具体来说，将1,3-双(3-甲基丙烯酰氧基丙基)四甲基二硅氧烷与1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，在存在酸催化剂的条件下，利用平衡化反应所获得的(3-甲基丙烯酰氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、与含有脂肪族不饱和基团(可以列举例如乙烯性不饱和基团、以及乙炔性不饱和基团。)的有机聚硅氧烷，在存在氯铂酸催化剂的条件下，进行氢化硅烷化反应，利用此方法可以制造适用于本发明的(A)成分，但并不限于前述的合成方法。此外，可以利用具有脂肪族不饱和基团的含有机烷氧基硅烷的烷氧基硅烷的(共)水解缩合等公知的方法，制造含有脂肪族不饱和基团的有机聚硅氧烷，也可以使用市售品。
作为不含硅酮的反应性稀释剂，有由H2C＝CGCO2R5表示的(甲基)丙烯酸酯类，在上述式中，G是氢、卤素、碳原子1～4个的烷基中的任一种；R5选自具有1～16个碳原子的烷基、环烷基、烯烃基、环烯烃基、烷芳基、芳烷基及芳基中的任一种，根据需要，这些基团中的任一种可以用硅、氧、卤素、羰基、羟基、酯、羧酸、尿素、聚氨酯、氨基甲酸酯、胺、酰胺、硫、磺酸盐及砜等取代。
作为反应性稀释剂，作为尤其理想的(甲基)丙烯酸酯类，具有如下对应的丙烯酸酯：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚-A(甲基)丙烯酸酯(″EBIPA″或″EBIPMA″)等双酚-A二(甲基)丙烯酸酯；四氢呋喃(甲基)丙烯酸酯和二(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸香草酯和甲基丙烯酸香草酯、羟丙基(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯(″HDDA″或″HDDMA″)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四氢二环戊二烯(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(″ETTA″)、三乙二醇二丙烯酸酯和三乙二醇二甲基丙烯酸酯(″TRIEGMA″)、丙烯酸异冰片酯和甲基丙烯酸异冰片酯。当然，这些(甲基)丙烯酸酯类的组合也可以用作反应性稀释剂。
作为添加反应性稀释剂时的添加量，优选为0.01～30质量％的范围，更优选为0.05～10质量％的范围。
本发明的透明树脂组合物在特定的用途中，也可以含有所需的改变固化或未固化特性的其它成分。例如，可以含有(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、三烷基-或三烯丙基-异氰脲酸酯、缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等增粘剂，优选含有约20质量％以下的量。其它任意成分可以列举非(甲基)丙烯酸硅酮稀释剂或增塑剂，优选含有约30质量％以下的量。作为非(甲基)丙烯酸硅酮类，可以列举具有100～500mPa·s的粘度的三甲基硅烷封端的油及硅酮橡胶。非(甲基)丙烯酸硅酮类可以含有像乙烯基这样的共固化性基。
[(A-2)有机过氧化物]
(A-2)成分的有机过氧化物是用于在使本发明的透明树脂组合物成型为所需的形状后，施加加热处理利用交联反应使其固化而调配的成分，可以根据目标连接温度、连接时间、适用期等适当选择。
从兼顾高反应性与长适用期的观点考虑，优选的是，有机过氧化物的半衰期10小时的温度为40℃以上，且半衰期1分钟的温度为180℃以下，更优选的是，半衰期10小时的温度为60℃以上，且半衰期1分钟的温度为170℃以下。另外，为了防止电路构件的电路电极(连接端子)的腐蚀，优选的是，有机过氧化物中的氯离子和有机酸等的含量在5000ppm以下，而且，更为优选的是，加热分解后产生的有机酸较少的有机过氧化物。
此时，可以通过由有机过氧化物的热解产生的自由基，在上述(A-1)成分中键结于硅原子上的烃基彼此、或上述(A-1)成分中的乙烯基、烯丙基等烯烃基之间产生键结反应，而形成交联固化物。
作为有机过氧化物，可以使用所有用于自由基聚合反应等的公知的有机过氧化物，具体来说，优选使用选自由二酰基过氧化物、二烷基过氧化物、过氧化二碳酸酯、过氧化酯、过氧化缩酮、氢过氧化物及过氧化硅烷组成的群组中的一种以上。其中，为了进一步抑制电路构件的连接结构和半导体装置等中对连接端子的腐蚀，优选为选自由过氧化酯、二烷基过氧化物及氢过氧化物组成的群组中的一种以上。
作为二酰基过氧化物，可以列举例如：异丁基过氧化物、2,4-二氯苯甲酰基过氧化物、3,5,5-三甲基己酰过氧化物、辛酰基过氧化物、月桂酰基过氧化物、硬脂酰基过氧化物、琥珀酸过氧化物、苯甲酰过氧甲苯及过氧化苯甲酰。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为二烷基过氧化物，可以列举例如：α,α’-双(叔丁基过氧化)二异丙基苯、二异丙苯基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧化)己烷及叔丁基异丙苯基过氧化物。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为过氧化二碳酸酯，可以列举例如：二正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化二碳酸酯、双(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基过氧化二碳酸酯、双(2-乙基己基过氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基过氧化二碳酸酯及双(3-甲基-3-甲氧基丁基过氧化)二碳酸酯。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为过氧化酯，可以列举例如：过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化新癸酸1,1,3,3-四甲基丁酯、过氧化新癸酸1-环己基-1-甲基乙酯、过氧化新癸酸叔己酯、过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-双(2-乙基己酰基过氧化)己烷、过氧化-2-乙基己酸1-环己基-1-甲基乙酯、过氧化-2-乙基己酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、1,1-双(叔丁基过氧化)环己烷、过氧化异丙基单碳酸叔己酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5-双(间甲苯酰基过氧化)己烷、过氧化异丙基单碳酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己基单碳酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔己酯、过氧化醋酸叔丁酯及双(叔丁基过氧化)六氢对苯二酸酯。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为过氧化缩酮，可以列举例如：1,1-双(叔己基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-双(叔己基过氧化)环己烷、1,1-双(叔丁基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-(叔丁基过氧化)环十二烷及2,2-双(叔丁基过氧化)癸烷。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为氢过氧化物，可以列举例如过氧化氢二异丙苯及过氧化氢异丙苯。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
作为过氧化硅烷，可以列举例如：叔丁基三甲基过氧化硅烷、双(叔丁基)二甲基过氧化硅烷、叔丁基三乙烯基过氧化硅烷、双(叔丁基)二乙烯基过氧化硅烷、三(叔丁基)乙烯基过氧化硅烷、叔丁基三烯丙基过氧化硅烷、双(叔丁基)二烯丙基过氧化硅烷及三(叔丁基)烯丙基过氧化硅烷。这些化合物可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。
相对于(A-1)成分的有机聚硅氧烷总量100质量份，(A-2)成分的添加量为0.1～10质量份，优选为0.5～5质量份。在添加量低于0.1质量份时，反应可能会无法充分进行。在超过10质量份时，可能无法获得所需的固化后的物性即充分的耐热性、以及耐光性。
[(B)导电性粒子]
构成本发明的透明树脂组合物的(B)成分为平均粒径1μm以下的导电性粒子。上述导电性粒子优选为一次粒径为100nm以下的导电性纳米粒子。平均粒径超过1μm时，因受到粗大粒子的影响，后述粘接层厚度(BLT)不会变成5μm以下，难以获得稳定的导电性。平均粒径的下限并无特别限制。作为这种导电性粒子，可以使用金属纳米粒子等金属粒子、导电性无机氧化物等，可以单独使用一种，也可以混合两种以上使用。粒子的优选形状可以列举：球状、薄片状、针状及无定形状等，但并非限于此。
本发明中的平均粒径为体积基准粒度分布中的中值粒径(D50)，D50值是由利用激光衍射/散射法所获得的粒度分布而求得，除此以外，可以由使用扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)等所观测到的粒子像而算出。
作为金属粒子，可以列举例如：金、镍、铜、银、焊锡、钯、铝、这些金属的合金、这些金属的层叠物(例如，镀镍/闪镀金)等。其中，优选为导电性粒子造成的着色影响较小的银。
另外，作为导电性无机氧化物，可以使用对无机氧化物等无机粒子提供导电性的导电性无机氧化物。作为这种提供导电性的无机粒子，可以列举：氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)、氧化锑锡(Antimony Tin Oxide，ATO)；此外，可以列举：氧化钛(TiO2)、氮化硼(BN)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)及无机玻璃等的对无机粒子提供导电性的导电性无机氧化物。其中，优选为分散在树脂组合物中时容易变透明的ITO、ATO、提供导电性的氧化硅。只要导电性无机氧化物的包覆层被赋予导电性即可，可以用银等金属材料包覆无机氧化物，也可以在氧化锡中掺杂锑，在氧化铟中掺杂锡等，由此来设置导电性包覆层。作为无机粒子的形状，可以列举例如无定形状、球状、鳞片状、针状等。
在本发明的透明树脂组合物中，以(A)成分的固体成分(固体成分体积)为基准，(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，优选为0.001～0.08体积％，更优选为在0.01～0.05体积％的范围内。(B)成分的含量为0.1体积％以上时，会有损本发明的透明树脂组合物的高透明性，会导致总透光率下降及雾度值上升，因此，无法形成高透明的导电性固化物。而且，会导致使LED器件发出的光的提取效率下降。
[(C)其它成分]
为了进一步维持组合物的透明性，抑制固化物的着色、氧化劣化等的产生，可以在本发明的透明树脂组合物中调配2,6-二叔丁基对甲酚等以往公知的抗氧化剂。另外，为了提供对光劣化的抵抗性，还可以在本发明的透明树脂组合物中调配受阻胺类稳定剂等光稳定剂。
为了提高本发明的透明树脂组合物的强度，提供触变性，还可以进一步调配气相二氧化硅、纳米氧化铝等无机填充剂。根据需要，还可以在本发明的透明树脂组合物中调配染料、颜料及阻燃剂等。
此外，为了改善操作性，还可以添加使用溶剂等。对溶剂的种类没有特别限定，可以使用如下溶剂，所述溶剂可以溶解固化前的树脂组合物，使导电性粉末良好地分散，提供均匀的固晶材料或粘接剂等。该溶剂的调配比例根据使用固晶材料等的操作条件、环境及使用时间等适当调整即可。溶剂也可以并用两种以上。作为这种溶剂，可以列举：丁基卡必醇醋酸酯、卡必醇醋酸酯、甲基乙基酮、α-松油醇及乙酸溶纤剂等。
此外，本发明的透明树脂组合物也可以含有用于提高粘接性的增粘剂。作为此增粘剂，例示有硅烷偶联剂和其水解缩合物等。作为硅烷偶联剂，例示有含有环氧基的硅烷偶联剂、含有(甲基)丙烯酸基的硅烷偶联剂、含有异氰酸酯基的硅烷偶联剂、含有异氰脲酸酯基的硅烷偶联剂、含有氨基的硅烷偶联剂及含有巯基的硅烷偶联剂等公知的硅烷偶联剂，相对于(A)成分的合计100质量份，优选可以使用0.1～20质量份，更优选可以使用0.3～10质量份。
本发明的透明树脂组合物可以通过公知的混合方法，也就是使用例如搅拌机、轧辊等将上述各成分混合来制造。另外，本发明的透明树脂组合物的利用旋转粘度计例如E型粘度计在25℃测定的粘度，优选为10～1000000mPa·s，更优选为100～1000000mPa·s，特别优选为100～20000mPa·s。
本发明的透明树脂组合物可以在公知的固化条件下，通过公知的固化方法来固化。具体来说，通常，通过以80～200℃、优选为100～160℃进行加热，可以使该组合物固化。加热时间为0.5分钟～5小时左右、尤其是1分钟～3小时左右即可。可以根据操作条件、生产性、发光元件和与壳体耐热性的平衡而适当选择。
本发明的透明树脂组合物可以适用于将垂直型LED芯片固定在封装体上。另外，也可以适用于其它发光二极管(LED)、有机电致发光元件(有机EL)、激光二极管、以及LED阵列等光半导体元件。
本发明还提供一种粘接剂，其由上述本发明的透明树脂组合物构成。另外，提供一种固晶材料，其由上述本发明的透明树脂组合物构成，用于将半导体元件导电连接在线路板上。
本发明的透明树脂组合物可以提供一种高透明、且粘接强度及操作性优异，耐热性及耐光性优异的固化物。因此，如果是由上述透明树脂组合物构成的粘接剂及固晶材料，可以适合用作粘接剂，所述粘接剂用于将LED芯片搭载于线路板上，且不损害光的提取效率。
进一步优选的是，当BLT为5μm以下时，使用将本发明的固晶材料固化所获得的固化物。BLT指进行导电连接的构件间的距离，可以理解为导电性固化物层的厚度。BLT为5μm以下时，即便仅添加极微量的(B)成分的导电性粒子(导电性微粒子)，仍可以将构件间有效地电性连接。如果上述导电性粒子的含量较少，可以获得更高透明的固化物，此外，对经济方面也更有帮助。BLT值较小时电极间距离变窄，因而优选。而且，从BLT值较小时会降低热阻来看，也有利于释放因光半导体元件发光而产生的热量。
涂布固晶材料的方法没有特别限定，可以列举例如：旋涂、印刷及压缩成型等。固晶材料的厚度适当选择即可，通常为5～50μm，尤其为10～30μm。例如，通过使用点胶涂布装置，在23℃的温度，以0.5～5kgf/cm2的压力喷出，可以容易地进行涂布。另外，通过使用冲压装置，也可以容易地将特定量的固晶材料转印到基板上。
光半导体元件的搭载方法并无特别限制，可以列举例如固晶。决定固晶材料的厚度的要素除了前述固晶材料的粘度以外，还可以列举光半导体元件的压接负荷、压接时间及压接温度。这些条件根据光半导体元件的外形形状、目标固晶材料厚度适当选择即可，压接负荷一般为1gf以上且1kgf以下。优选为10gf以上且100gf以下。如果是1gf以上的压接负荷，可以充分压接固晶材料。此外，如果使用1kgf以下的压接负荷，那么不会对光半导体元件表面的发光层造成破坏。压接时间在兼顾工程生产性的情况下适当选择即可，一般为超过0msec且1sec以下。优选为1msec以上且30msec。如果是1sec以下，从生产性方面而言优选。压接温度并无特别限制，只要符合固晶材料的使用温度范围即可，一般优选为15℃以上且100℃以下。在固晶的压接台上没有加热设备时，以室温附近的温度带使用即可。如果是15℃以上，由于固晶材料的粘度不会变得过高，因此可以充分压接。如果是100℃以下，由于固晶材料的固化不会开始，因此可以达到目标固晶材料的厚度。
本发明还提供一种导电连接方法，其特征在于：使用上述本发明的透明树脂组合物，将BLT设为5μm以下，将光半导体元件与基板导电连接。如果是这种导电连接方法，可以切实地实现光半导体元件与基板的导电连接。
本发明还提供一种光半导体装置，其特征在于：利用上述本发明的导电连接方法将光半导体元件与基板导电连接。本发明的光半导体装置是利用本发明的导电连接方法所获得，因此，光的提取效率较高，具有耐热性及耐光性，可以切实地实现导电连接。
以下，参照图示来说明本发明的光半导体装置的一个方式。图1是表示使用本发明的透明树脂组合物将光半导体元件与基板导电连接而成的光半导体装置的一个示例的剖面图。此光半导体装置中，利用固晶材料1将光半导体元件4的下部电极与第一导线2电性连接，利用引线5将光半导体元件4的上部电极与第二导线3电性连接，并用密封材料6密封光半导体元件4。
作为图1的光半导体装置的制造方法(本发明的导电连接方法)，可以例示以下的方法。
将固晶材料1定量转印至封装基板上的第一导线2，并在其上搭载光半导体元件4。接着加热固化固晶材料1，将光半导体元件4的下部电极与第一导线2电性连接。此时，在本发明的导电连接方法中，将BLT设为5μm以下。作为将BLT设为5μm以下的方法，可以列举例如：调整组合物粘度的方法、调节涂布至基板上的组合物的涂布量的方法、以及控制将光半导体元件固晶至基板上时的压力的方法等。接下来，使用引线5，将搭载有光半导体元件4的封装基板电性连接至光半导体元件4的上部电极与第二导线3，获得搭载有光半导体元件4的封装基板。接下来，定量涂布密封材料6，进行密封材料6的加热固化。
固化本发明的透明树脂组合物而获得的固化物的BLT超过5μm时，会失去由(B)成分的导电性粒子引起的电性连接效果，无法作为导电性固化物使用，无法将半导体元件与基板导电连接。此时，以(A)成分的固体成分为基准，如果将(B)成分的含量设为0.1体积％以上，虽然会恢复导电性，但会导致总透光率下降及雾度值上升，因此，无法形成高透明的固化物。而且，由于会导致热阻增大，因而不优选。
[实施例]
以下，示出实施例和比较例，具体地说明本发明，但本发明不限于下述的实施例。(下式中，Me表示甲基。)
[制备例1～4]
搅拌、混合下述成分，制备表1所示的组成的硅酮组合物。
[(A)成分]
[(A-1)成分]
(a)下式表示的有机聚硅氧烷为：所含有的MA单元、M单元、Q单元的比例为MA：M：Q＝1：4：6，按照换算成聚苯乙烯的重均分子量计，其分子量为5000。
(b)下述式表示的有机聚硅氧烷。(下式中，Me表示甲基。)
(c)下式表示的有机聚硅氧烷为：所含有的MA-D单元、D单元、T单元的比例为MA-D：D：T＝2：6：7，按照换算成聚苯乙烯的重均分子量计，其分子量为3500。(下式中，Me表示甲基。)
(d)下述式表示的有机聚硅氧烷。(下式中，Me表示甲基。)
[(A-2)成分]
(A-2)1,1-二(叔丁基过氧化)环己烷(1,1-Di(t-butylperoxy)cyclohexane)(商品名：PERHEXA C，日本油脂股份有限公司制)
制备例1～4的各成分的调配量如表1所示。
[表1]
(比较制备例1)
搅拌、混合下述成分，制备硅酮组合物(V)。
[(A-1)成分]
((e)成分)平均组成式为MViD300MVi的硅酮油：35质量份
((f)成分)由M单元、MVi单元及Q单元构成，M单元相对MVi单元的摩尔比为6.25，M单元与MVi单元的合计相对Q单元的摩尔比为0.8的硅酮树脂：65质量份
另外，上述的(e)成分、(f)成分中，表示各成分的平均组成的记号，表示如下所示的单元。
M：(CH3)3SiO1/2
MVi：(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2
D：(CH3)2SiO2/2
Q：SiO4/2
[(A-2)成分]
(A-2)1,1-二(叔丁基过氧化)环己烷(商品名：PERHEXA C，日本油脂股份有限公司制)：2质量份
[实施例1～6]
(实施例1)
将100质量份作为(A)成分的在制备例1中获得的硅酮组合物(I)、0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径(一次粒子的平均粒径)0.02μm的掺有锑(Sb)的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(I)的固体成分为基准，是0.015体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(实施例2)
将100质量份作为(A)成分的在制备例2中获得的硅酮组合物(II)、0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.02μm的掺有Sb的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(II)的固体成分为基准，是0.015体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(实施例3)
将100质量份作为(A)成分的在制备例3中获得的硅酮组合物(III)、0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.02μm的掺有Sb的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(III)的固体成分为基准，是0.015体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后，加入10质量份作为稀释剂的二甲苯并充分混合后制备膏状组合物。
(实施例4)
将100质量份作为(A)成分的在制备例1中获得的硅酮组合物(I)、0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.35μm的掺有Sb的SnO2被覆二氧化硅粉(产品名ES-650E，比重4.1，钛工业公司制)(以硅酮组合物(I)的固体成分为基准，是0.024体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(实施例5)
将100质量份作为(A)成分的在制备例1中获得的硅酮组合物(I)、0.01质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.02μm的掺有Sb的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(I)的固体成分为基准，是0.015体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(实施例6)
将100质量份作为(A)成分的在制备例4中获得的硅酮组合物(IV)、0.01质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.05μm的银粉(产品名SILBEST C-34，比重10.5，德力科学研究所公司制)(以硅酮组合物(IV)的固体成分为基准，是0.001体积％)、以及5质量份的作为溶剂的二甲苯进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
[比较例1～4]
(比较例1)
将100质量份作为(A)成分的在制备例1中获得的硅酮组合物(I)、1.0质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.02μm的掺有Sb的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(I)的固体成分为基准，是0.15体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(比较例2)
将100质量份作为(A)成分的在制备例1中获得的硅酮组合物(I)、0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径6.9μm的银粉(产品名SILBEST CG-7，比重10.5，德力科学研究所公司制)(以硅酮组合物(I)的固体成分为基准，是0.001体积％)、以及5质量份作为添加材料的气相二氧化硅(产品名Reolosil DM-30S，德山公司制)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(比较例3)
将100质量份作为(A)成分的在比较制备例1中获得的硅酮组合物(V)、以及0.1质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径0.02μm的掺有Sb的SnO2粉(ATO，产品名SN-100P，石原产业公司制)(以硅酮组合物(V)的固体成分为基准，是0.015体积％)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
(比较例4)
将100质量份作为(A)成分的环氧组合物(VI)(环氧固晶材料，产品名DX-20C，汉高公司制)、以及310质量份作为(B)成分的导电性粒子的平均粒径6.9μm的银粉(SILBESTTCG-7，比重10.5，德力科学研究所公司制)(以环氧组合物(VI)的固体成分为基准，是29.5体积％)进行混合，再用三辊机进行混炼处理，减压脱泡后制备膏状组合物。
对于实施例1～6、比较例1～4的组合物，测定以下各种特性。并将结果示于表2、表3。
[雾度测定及总透光率的测定]
使用日本电色工业公司制的雾度计NDH-5000SP进行雾度测定及总透光率的测定。将在上述条件下混合而成的试样，流入2mm厚的槽中，按既定的条件(实施例1～6、比较例1～3以150℃、1小时的条件，比较例4以170℃、1小时的条件)进行加热固化，获得表面澄清的厚度2mm的固化物后，将其安放在测定部进行测定。求出3度的测定中的雾度值、总透光率的平均值。
[粘度的测定]
使用E型粘度计(东机产业股份有限公司制RE80U)，以25℃、50rpm的条件来测定由实施例及比较例所示的组合物构成的各固晶材料的粘度。
[光半导体封装体的制作]
准备以下LED用封装基板：具有载置光半导体元件的凹部，并在其底部设有镀银第一导线与第二导线[SMD5050(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,公司制，树脂部为聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，PPA))]；并准备以下光半导体元件：主发光峰为450nm的垂直型LED(SemiLEDs公司制EV-B35A)。
使用固晶机(ASM公司制AD-830)，通过冲压将实施例及比较例所示的各固晶材料定量转印在封装基板的镀银第一导线上，并在其上搭载光半导体元件。此时的光半导体元件的搭载条件为：压接时间13msec，压接负荷60gf，不用加温装置而在室温25℃的环境中进行。接下来，将封装基板投入至烘箱中加热固化各固晶材料(实施例1～6、比较例1～3为150℃、1小时，比较例4为170℃、1小时)，将光半导体元件的下部电极与第一导线电性连接。接下来，利用引线接合机，使用金属引线(田中电子工业公司制FA25μm)将搭载有该光半导体元件的该LED用封装基板电性连接于光半导体元件的上部电极与第二导线，获得搭载有光半导体元件的LED用封装基板各一片(封装体数为120个)。
接下来，使用点胶涂布装置(武藏工程公司制，SuperΣ CM II)，对上述所获得的搭载有光半导体元件的LED用封装基板，定量涂布硅酮密封材料(产品名：KER2500，信越化学工业股份有限公司制)，在150℃、4小时的条件下，进行密封材料的加热固化。
如上所述，制作固晶材料不同的光半导体封装体，并用于以下试验。
[亮灯数的确认]
对利用上述方法获得的填充有密封材料的全部光半导体封装体(120个)进行亮灯检查(外加电流IF＝20mA)，数出亮灯的光半导体装置的个数。
[BLT的测定]
用市售室温固化型环氧树脂，包埋利用上述方法获得的填充有密封材料的光半导体封装体，进行切断、研磨以使可以观察到光半导体元件的正下方，制作可观察BLT的试样。用激光显微镜(基恩斯股份有限公司制VK-8700)观察所获得的试样，在三处测定光半导体元件-基板间的距离，求得平均值。
[总光通量的测定]
使用总光通量测定系统HM-9100(大塚电子股份有限公司制)，对10个利用上述方法获得的填充有密封材料的光半导体封装体测定总光通量值(Lm)(外加电流IF＝350mA)，求得平均值。
[高温通电试验(高温亮灯试验)]
将利用上述方法获得的填充有密封材料的光半导体封装体中的10个，在高温下(85℃)，通电350mA，亮灯1000小时后，进行试验后的样本通电试验，数出亮灯的光半导体装置的个数。
将获得的结果示于表2、表3。
[表2]
[表3]
如表2所示，在使用满足本发明的范围的透明树脂组合物作为固晶材料的实施例1～实施例6中，均含有作为(B)成分的平均粒径1μm以下的导电性粒子，以(A)成分的固体成分为基准，上述(B)导电性粒子的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，因为高透明，因此制成厚度2mm的固化物时的总透光率为70％以上，且雾度值为60％以下，而且BLT为5μm以下，由此，所有封装体均可亮灯且总光通量值也较高。也就是说，是一种明亮的封装体。此外，高温通电试验(高温亮灯试验)中，透明树脂组合物的外观也未发生变化，所有封装体均可亮灯。由这些结果可知，如果是本发明的导电连接方法，可以制造一种光的提取效率较高，且可靠性较高的光半导体器件。
另一方面，如表3所示，以(A)成分的固体成分为基准，(B)成分为0.1体积％以上，在不满足本发明的范围的硅酮树脂组合物的比较例1中，不满足总透光率为70％以上且雾度值为60以下的范围，从而无法获得总光通量值较高的封装体。
(B)成分的平均粒径超过1μm，在不满足本发明的范围的组合物的比较例2中，虽然获得透明性，但由于BLT超过5μm，因此导电性较差，在120个封装体中，产生了不亮灯的封装体。此外，高温亮灯试验中的耐久性也较差。
在(A-1)成分与本发明不同的(不具有必需官能团也就是由上述通式(1)表示的结构)比较例3中，无法获得固化物。
一般的不具有透明性的导电性组合物的比较例4，其(B)成分的平均粒径及添加量超出本发明的范围，从而无法获得总光通量值较高的封装体。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，一切具有与本发明的权利要求书记载的技术思想实质相同的结构并发挥相同作用效果的技术方案，均包含在本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种透明树脂组合物，其特征在于，含有：
(A)硅酮组合物，包含100质量份的(A-1)、以及相对于前述(A-1)成分的合计量100质量份为0.1～10质量份的(A-2)有机过氧化物，前述(A-1)是在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构的有机聚硅氧烷，
式(1)中，m是0、1、2中的任一个，R1是氢原子、苯基或卤化苯基，R2是氢原子或甲基，R3是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～12的一价有机基团，Z1是-R4-、-R4-O-、-R4(CH3)2Si-O-中的任一种，Z2是氧原子、或是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团，R4是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团；以及，
(B)导电性粒子，平均粒径是1μm以下，
以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，
固化前述透明树脂组合物所获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上，雾度值是60％以下。
2.如权利要求1所述的透明树脂组合物，其中，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷的Z1是-R4-，前述Z2是氧原子。
3.如权利要求1所述的透明树脂组合物，其中，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷的Z1是-R4-O-、或-R4(CH3)2Si-O-，前述Z2是经被取代或未被取代且可以相同或不同的碳数1～10的二价有机基团。
4.如权利要求1至3中任一项所述的透明树脂组合物，其中，前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷，在分子中具有至少一个由下述通式(2)表示的结构，
式(2)中，m、R1、R2、R3、R4与上述相同。
5.如权利要求1至4中任一项所述的透明树脂组合物，其中，在前述(A-1)成分的有机聚硅氧烷中，具有0.1mol％以上的SiO2单元。
6.一种粘接剂，其特征在于，由权利要求1至5中任一项所述的透明树脂组合物构成。
7.一种固晶材料，其特征在于，由权利要求1至5中任一项所述的透明树脂组合物构成。
8.如权利要求7所述的固晶材料，其中，当粘接层厚度为5μm以下时，使用将前述固晶材料固化所获得的固化物。
9.一种导电连接方法，其特征在于，使用权利要求1至5中任一项所述的透明树脂组合物，将BLT设为5μm以下，将光半导体元件与基板导电连接。
10.一种光半导体装置，其特征在于，利用权利要求9所述的导电连接方法，将光半导体元件与基板导电连接而成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109536122A (zh) * 2018-12-12 2019-03-29 烟台德邦科技有限公司 一种光伏叠瓦组件用有机硅改性丙烯酸导电胶
CN111518513A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 信越化学工业株式会社 图像显示装置用紫外线固化型液状有机聚硅氧烷组合物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6622171B2 (ja) * 2016-11-08 2019-12-18 信越化学工業株式会社 加熱硬化型シリコーン組成物、ダイボンド材及び光半導体装置
JP6962290B2 (ja) * 2018-08-02 2021-11-05 信越化学工業株式会社 光造形用紫外線硬化型シリコーン組成物およびその硬化物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101031614A (zh) * 2004-10-28 2007-09-05 陶氏康宁公司 传导性可固化组合物
CN101148542A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 信越化学工业株式会社 热固性硅树脂组合物及使用其的发光二极管元件
KR20130092283A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 도레이첨단소재 주식회사 도전성 점착제 조성물, 그를 이용한 도전성 점착필름 및 회로기판
KR101300933B1 (ko) * 2006-01-12 2013-08-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 발광 다이오드 소자용 자외선 경화형 실리콘 조성물
CN103374228A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 信越化学工业株式会社 热固化性硅酮树脂组合物、使用该组合物的led用反射器及光半导体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769152B2 (ja) 1999-09-03 2006-04-19 京セラケミカル株式会社 導電性ペースト
JP5015571B2 (ja) * 2006-01-12 2012-08-29 信越化学工業株式会社 発光ダイオード素子用紫外線硬化型シリコーン組成物
JP2008094877A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 紫外線硬化型熱伝導性シリコーン組成物
CN102585709B (zh) 2007-08-08 2016-04-27 日立化成株式会社 粘接剂组合物、膜状粘接剂和电路部件的连接结构
JP2009102603A (ja) * 2007-10-05 2009-05-14 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及び半導体装置
JP5388284B2 (ja) * 2009-05-26 2014-01-15 三菱レイヨン株式会社 硬化性組成物、及び物品
JP5557324B2 (ja) 2010-09-01 2014-07-23 信越化学工業株式会社 ダイボンド剤及び光半導体装置
TWI529487B (zh) * 2011-02-15 2016-04-11 迪愛生股份有限公司 奈米壓印用硬化性組成物之用途、奈米壓印成形體、奈米壓印積層物、複製品模、圖案形成方法、圖案形成物、金屬模的製造方法及樹脂成形體的製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101031614A (zh) * 2004-10-28 2007-09-05 陶氏康宁公司 传导性可固化组合物
KR101300933B1 (ko) * 2006-01-12 2013-08-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 발광 다이오드 소자용 자외선 경화형 실리콘 조성물
CN101148542A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 信越化学工业株式会社 热固性硅树脂组合物及使用其的发光二极管元件
KR20130092283A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 도레이첨단소재 주식회사 도전성 점착제 조성물, 그를 이용한 도전성 점착필름 및 회로기판
CN103374228A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 信越化学工业株式会社 热固化性硅酮树脂组合物、使用该组合物的led用反射器及光半导体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109536122A (zh) * 2018-12-12 2019-03-29 烟台德邦科技有限公司 一种光伏叠瓦组件用有机硅改性丙烯酸导电胶
CN111518513A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 信越化学工业株式会社 图像显示装置用紫外线固化型液状有机聚硅氧烷组合物

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