JP6285346B2 - 透明樹脂組成物、該組成物からなる接着剤、該組成物からなるダイボンド材、該組成物を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、透明樹脂組成物、該組成物からなる接着剤、該組成物からなるダイボンド材、該組成物を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、屋外照明用途や自動車用途の光半導体デバイスへの適用が増えてきている。このような光半導体デバイスは、一般に青色光、近紫外光あるいは紫外光を発光する光半導体発光素子から発する光を、波長変換材料である蛍光体によって波長変換して疑似白色が得られるようにした発光装置である。

近年、光半導体素子の更なる発光効率の向上を目的として、垂直型光半導体素子の開発がなされている。垂直型（Ｖｅｒｔｉｃａｌ）光半導体素子は電極を垂直構造で配置したものであり、単に垂直型ＬＥＤチップとも呼ばれる。垂直型ＬＥＤチップは、発光層に均一に電流が流れることにより、電極を水平配置した構造である同サイズの水平型（ｌａｔｅｒａｌ）ＬＥＤチップに比べ、数十倍の電流を流すことが可能であり、発光層の温度上昇を抑え、発光効率を高めることができる。更に、水平型ＬＥＤチップに見られた局所的な電流密度の増加が抑制され、ＬＥＤの大電流化が可能となるなど、優れた特長を持つため、その実用が進んでいる。

一方で、垂直型ＬＥＤチップは、前述のとおり電極を垂直構造で配置していることから理解されるように、垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載する場合、一方の電極は従来と同様ワイヤーボンドなどの方法を用いて電気的に接続し、もう一方の電極は共晶半田や導電性接着剤などを用いて電気的に接続する必要がある。

従来、垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として、共晶半田やエポキシ樹脂組成物に導電性粒子を配合した導電性接着剤が広く用いられている。しかしながら、共晶半田を用いる方法では、ダイボンド時に必要な半田を溶融するため熱により、光半導体の発光層にダメージを与えるため好ましくない。また、近年では、前述の共晶半田やエポキシ樹脂組成物に導電性粒子を配合した導電性接着剤では、光の反射が十分ではなく、光の取り出し効率に劣ることが問題となっている。更に、光半導体デバイスとしたときの設計の自由度の面からも、ダイボンド材には高透明性が求められている。

一方、導電性接着剤を用いた例として、例えば、特許文献１では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と脂環式エポキシ樹脂を併用し、さらに紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール誘導体を添加することで４５０〜５００ｎｍ付近の光に対する耐光性を改善した導電性接着剤が提案されている。しかしながら、この発明における組成物は、白色の酸化チタンや、有色の導電性粒子を多く含有するため、高透明な接着剤とはならない。

特許文献２には、特定の導電性粉末、（３，５−ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を有するオルガノポリシロキサン及びグリシジル基と反応する硬化触媒（アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤）を含有する、光半導体素子用のダイボンド材が提案されている。しかしながら、イソシアヌリル基に代表される有機基が、短波長の光により劣化を受け、経時で変色、分解するという問題が生じている。更に、該発明では樹脂成分の合計１００質量部に対し３５０〜８００質量部の導電性粒子を添加するため、高透明な接着剤とはならない。

特許文献３には、（ａ）（メタ）アクリル酸アルキルエステル−ブタジエン−スチレン共重合体又は複合体、及び、シリコーン−（メタ）アクリル酸共重合体又は複合体からなる群より選択される少なくとも１種を含む有機微粒子と、（ｂ）ラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、（ｈ）導電性粒子とを含有し、（ｈ）導電性粒子の含有量が、接着剤組成物の固形分全体積を基準として０．１〜３０体積％である、接着剤組成物、及び該接着剤組成物からなるフィルム状接着剤が提案されている。しかしながら、上記と同様に、（ｂ）ラジカル重合性化合物にはグリシジル基に代表される有機基が含まれており、短波長の光により劣化を受け、経時で変色、分解するという問題が生じている。また、導電性粒子は接着剤組成物の固形分全体積を基準として０．１〜３０体積％含有されるとあるが、硬化物の光透過率、透明性に関する記述は見られず、かつ、本発明者らが検証した結果、この範囲の添加量では高透明な材料とはならない。更に、該発明では、導電性粒子の平均粒径は、良好な分散性及び導電性を得る観点から、１〜１８μｍであることが好ましい、との記載があるが、この範囲の平均粒径を有する導電性樹脂材料では、光半導体素子を配線板にダイボンド（導電接続）した際のＢＬＴ（Ｂｏｎｄ ｌｉｎｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が厚くなり、放熱性にも劣る結果となり、有用な高透明ダイボンド材とはならない。

特許３７６９１５２号公報 特開２０１２−５２０２９号公報 特開２０１２−１４９２７４号公報

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与える透明樹脂組成物を提供することを目的とする。また、該組成物からなる接着剤、該組成物からなるダイボンド材、該組成物を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明では、透明樹脂組成物であって、
（Ａ）（Ａ−１） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、

［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ^１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ^１は−Ｒ^４−、−Ｒ^４−Ｏ−、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ^４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ^２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
（Ａ−２）有機過酸化物：前記（Ａ−１）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部を含むシリコーン組成物と、
（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
を含有するものであり、
前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
前記透明樹脂組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下であることを特徴とする透明樹脂組成物を提供する。

このような透明樹脂組成物であれば、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。

また、前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンのＺ^１が−Ｒ^４−であり、前記Ｚ^２が酸素原子であることが好ましい。

また、前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンのＺ^１が−Ｒ^４−Ｏ−又は、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−であり、前記Ｚ^２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であることが好ましい。

このような透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとが効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

また、前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンが、下記一般式（２）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するものであることが好ましい。

（式中、ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は上記と同様である。）

このような透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとがより効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

また、前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ_２）単位を有することが好ましい。

このような透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとが更に効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

更に本発明では、上記本発明の透明樹脂組成物からなるものであることを特徴とする接着剤を提供する。

このような接着剤であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として好適に用いることができる。

更に本発明では、上記本発明の透明樹脂組成物からなるものであることを特徴とするダイボンド材を提供する。

このようなダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するためのダイボンド材として好適に用いることができる。

この場合、前記ダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴ（Ｂｏｎｄ ｌｉｎｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が５μｍ以下の場合において使用されるものであることが好ましい。

このようなダイボンド材であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。

更に本発明では、上記本発明の透明樹脂組成物を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法を提供する。

このような導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。

更に本発明では、上記本発明の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置を提供する。

本発明の透明樹脂組成物は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。また、本発明の導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。そのため、本発明の導電接続方法によって得られた光半導体装置は、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなり、導電接続が確実に達成されたものとなる。

本発明の透明樹脂組成物は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与えることができる。そのため、本発明の透明樹脂組成物は、接着剤及びダイボンド材として好適に用いることができる。このような接着剤及びダイボンド材は、ＬＥＤチップ、特に垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として好適に用いることができる。また、本発明の導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。従って、本発明の導電接続方法によって得られた光半導体装置は、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなり、導電接続が確実に達成されたものとなる。また、本発明の透明樹脂組成物は、高透明な異方導電性組成物としても機能することができる。

本発明の透明樹脂組成物を用いて光半導体素子と基板とが導電接続された光半導体装置の一例を示す断面図である。

以下、本発明をより詳細に説明する。

上記のように、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与える透明樹脂組成物が求められている。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、下記（Ａ）〜（Ｂ）成分を含有する透明樹脂組成物であって、前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、前記透明樹脂組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下である透明樹脂組成物が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。

以下、本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

本発明の透明樹脂組成物は、
（Ａ）（Ａ−１） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、

［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ^１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ^１は−Ｒ^４−、−Ｒ^４−Ｏ−、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ^４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ^２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
（Ａ−２）有機過酸化物：前記（Ａ−１）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部を含むシリコーン組成物と、
（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
を含有するものであり、
前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
前記透明樹脂組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下である透明樹脂組成物である。

上記のように本発明の透明樹脂組成物は該組成物を２ｍｍ厚の硬化物とした時の全光線透過率が７０％以上であり、好ましくは８０％以上である。全光線透過率が７０％以上であると、硬化後の透明樹脂組成物は高透明な状態を維持できる。全光線透過率が７０％未満となると、硬化後の透明樹脂組成物は着色、あるいは濁りが生じていることを意味し、硬化物が高透明とはならない。全光線透過率の上限は特に制限はなく、より大きければ硬化物は透明になり、ＬＥＤデバイスからの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。

また、（ヘイズ値（％））＝（拡散光透過率）／（全光線透過率）×１００で定義されることから理解されるように、拡散光成分の増大及び全光線透過率の減少に伴いヘイズ値は増大し、硬化物は半透明から微濁、さらには白濁に至る。

本発明の透明樹脂組成物は該組成物を２ｍｍ厚の硬化物とした時のヘイズ値が６０％以下であり、このことは、硬化物が透明から半透明の曇りを有する状態であることを意味する。上記ヘイズ値は好ましくは４０％以下である。ヘイズ値が６０％を超えると、硬化物は曇り、光を散乱させる微粒子が多く存在し、高透明ではない。ヘイズ値が６０％以下であれば、ＬＥＤデバイスからの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。ヘイズ値の下限は特に制限はなく、より小さければ硬化物の曇りが少なくなり、すなわち、透明になり、ＬＥＤデバイスからの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。

［（Ａ）シリコーン組成物］
（Ａ）シリコーン組成物は、上記の（Ａ−１）成分を１００質量部、上記の（Ａ−２）を（Ａ−１）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部を含むものである。

［（Ａ−１）オルガノポリシロキサン］
（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンは、下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサンである。

［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ^１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ^１は−Ｒ^４−、−Ｒ^４−Ｏ−、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ^４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ^２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］

（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサン中の、Ｚ^１、Ｚ^２の組み合わせとしては、Ｚ^１が−Ｒ^４−であり、Ｚ^２が酸素原子であるものや、Ｚ^１が−Ｒ^４−Ｏ−又は、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−であり、Ｚ^２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であるものが好ましい。このような（Ａ−１）成分を含む透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとが効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

また、（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ_２）単位を有することが好ましい。このような（Ａ−１）成分を含む透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとが更に効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

更に、（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンが、下記一般式（２）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するものであることが好ましい。このような（Ａ−１）成分を含む透明樹脂組成物であれば、（Ａ−１）成分と、（Ａ−２）成分が分解する際に発生するフリーラジカルとがより効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる。

（式中、ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は上記と同様である。）

（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンは、２５℃での粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上の液状又は固体の分岐状又は三次元網状構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

上記式（１）において、Ｒ^３で示されるケイ素原子に結合した置換又は非置換で同一又は異なってもよい１価の有機基としては、通常、炭素数１〜１２、好ましくは１〜８程度の炭化水素基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。

上記式（１）において、Ｒ^４で示される置換又は非置換で同一又は異なってもよい２価の有機基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等の炭素原子数１〜１０のアルキレン基などの２価炭化水素基が例示され、炭素原子数１〜３のアルキレン基が好ましい。

以下に（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンを例示する。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）この成分は単一成分でも、他の成分と併用でも良い。また、下記式において、上記式（１）中のＲ^３に相当する基が、メチル基の場合を例示しているが、その他の基（置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基）にも変更できる。

下記式に示す、ＭＡ単位、Ｍ単位、Ｑ単位が、ＭＡ：Ｍ：Ｑ＝１：４：６の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、５０００であるオルガノポリシロキサン。

下記式に示す、ＭＡ−Ｄ単位、Ｄ単位、Ｔ単位が、ＭＡ−Ｄ：Ｄ：Ｔ＝２：６：７の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、３５００であるオルガノポリシロキサン。

（Ａ−１）成分には、組成物の粘度や硬化物の硬度を調整する等の目的で、以下に示すようなシリコーンを含む反応性希釈剤や、シリコーンを含まない反応性希釈剤を添加することが出来る。

シリコーンを含む反応性希釈剤の具体的な例としては、下記式（３）〜（７）で示されるオルガノポリシロキサンが挙げられる。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）この成分は単一でも、他の成分と併用でも良い。

（式中、ｐは１８、ｑは１８０である。）

（式中、ｐ’は２０、ｑは１８０である。）

（式中、ｐは１８、ｑは１８０である。）

このような（Ａ−１）成分の合成方法としては、例えば下記に示すオルガノハイドロジェンシラン、

（式中、ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｚ^１は上記と同様である。）
好ましくは下式に示す化合物、

（式中、ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｚ^１、Ｚ^２は上記と同様である。）
より具体的には、１，３−ビス（３−メタクリロキシプロピル）テトラメチルジシロキサンと１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンを酸触媒存在下で平衡化反応する事によって得られる（３−メタクリロキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、脂肪族不飽和基（例えば、エチレン性不飽和基、及びアセチレン性不飽和基が挙げられる。）を含むオルガノポリシロキサンとを、塩化白金酸触媒存在下でヒドロシリル化反応させるとよく、この方法で本発明に好適なものを製造することができるが、前記の合成方法に制限されるものではない。また、脂肪族不飽和基を含むオルガノポリシロキサンは、脂肪族不飽和基を有するオルガノアルコキシシランを含むアルコキシシランの（共）加水分解縮合など公知の方法で製造することができ、市販のものを用いても良い。

シリコーンを含まない反応性希釈剤としては、Ｈ_２Ｃ＝ＣＧＣＯ_２Ｒ^５によって示されるような（メタ）アクリレート類があり、上記式中、Ｇは、水素、ハロゲン、炭素原子１〜４個のアルキル基のいずれかであり；Ｒ^５は、１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルカリル基、アラルキル基、アリール基のいずれかから選ばれ、これらのいずれかは、必要に応じ、ケイ素、酸素、ハロゲン、カルボニル、ヒドロキシル、エステル、カルボン酸、尿素、ウレタン、カルバメート、アミン、アミド、イオウ、スルホネート、スルホン等で置換し得る。

反応性希釈剤としてとりわけ望ましい（メタ）アクリレート類としては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノール−Ａ（メタ）アクリレート（″ＥＢＩＰＡ″又は″ＥＢＩＰＭＡ″）のようなビスフェノール−Ａジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレート、シトロネリルアクリレート及びシトロネリルメタクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート（″ＨＤＤＡ″又は″ＨＤＤＭＡ″）、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラヒドロジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート（″ＥＴＴＡ″）、トリエチレングリコールジアクリレート及びトリエチレングリコールジメタクリレート（″ＴＲＩＥＧＭＡ″）、イソボルニルアクリレート及びイソボルニルメタクリレート、に相応するアクリレートエステルがある。もちろん、これらの（メタ）アクリレート類の組合せも反応性希釈剤として使用できる。

反応性希釈剤を添加する場合の添加量としては、０．０１〜３０質量％の範囲が好ましく、０．０５〜１０質量％の範囲がより好ましい。

本発明の透明樹脂組成物は、特定の用途において所望されるような硬化又は未硬化特性を改変させる他の成分も含ませ得る。例えば、（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリアルキル−又はトリアリル−イソシアヌレート、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のような接着促進剤を含むことができ、約２０質量％までの量含むことが好ましい。他の任意成分は、非（メタ）アクリルシリコーン希釈剤又は可塑剤が挙げられ、約３０質量％までの量含むことが好ましい。非（メタ）アクリルシリコーン類としては、１００〜５００ｍＰａ・ｓの粘度を有するトリメチルシリル末端化オイル、及びシリコーンゴムが挙げられる。非（メタ）アクリルシリコーン類は、ビニル基のような共硬化性基を含み得る。

［（Ａ−２）有機過酸化物］
（Ａ−２）成分の有機過酸化物は、本発明の透明樹脂組成物を所望の形状に成形した後に、加熱処理を加えて架橋反応により硬化させるために配合される成分であり、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選択する。

有機過酸化物は、高い反応性と長いポットライフを両立する観点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下であることが好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１７０℃以下であることがより好ましい。また、有機過酸化物は、回路部材の回路電極（接続端子）の腐食を防止するために、塩素イオンや有機酸の含有量が５０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。

この場合、有機過酸化物の熱分解によって生じるフリーラジカルによって、上記（Ａ−１）成分中のケイ素原子に結合した炭化水素基同士、又は上記（Ａ−１）成分中のビニル基、アリル基等のアルケニル基同士の結合反応が生じて架橋硬化物とすることができる。

有機過酸化物としては、ラジカル重合反応等に用いられる公知のものを全て用いることができ、具体的には、ジアシルパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド及びシリルパーオキサイドからなる群より選ばれる１種以上が好適に用いられる。これらの中では、回路部材の接続構造や半導体装置における接続端子の腐食を更に抑制するために、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド及びハイドロパーオキサイドからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。

ジアシルパーオキサイドとしては、例えば、イソブチルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン及びベンゾイルパーオキサイドが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

ジアルキルパーオキサイドとしては、例えば、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及びｔ−ブチルクミルパーオキサイドが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

パーオキシジカーボネートとしては、例えば、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ビス（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート及びビス（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

パーオキシエステルとしては、例えば、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート及びビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサヒドロテレフタレートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

パーオキシケタールとしては、例えば、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン及び２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカンが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

ハイドロパーオキサイドとしては、例えば、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド及びクメンハイドロパーオキサイドが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

シリルパーオキサイドとしては、例えば、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイド及びトリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイドが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。

（Ａ−２）成分の添加量は、（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサン合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部、好ましくは０．５〜５質量部である。添加量が、０．１質量部未満の場合、反応が十分に進行しない恐れがある。１０質量部を超える場合、所望とする硬化後の物性、すなわち十分な耐熱性、耐光性が得られない恐れがある。

［（Ｂ）導電性粒子］
本発明の透明樹脂組成物を構成する（Ｂ）成分は、平均粒径１μｍ以下の導電性粒子である。上記導電性粒子は、一次粒径で１００ｎｍ以下の導電性ナノ粒子であることが好ましい。平均粒径が１μｍを超えると、粗大粒子の影響で、後に述べるＢＬＴが５μｍ以下とはならず、安定した導電性を得ることが難しい。平均粒径の下限に特に制限はない。このような導電性粒子としては、金属ナノ粒子等の金属粒子、導電性無機酸化物等を用いることができ、単独又は２種以上を混合して使用することができる。粒子の好ましい形状として、球状、フレーク状、針状、無定型等が挙げられるが、この限りではない。

本発明における平均粒径は体積基準粒度分布におけるメジアン径（Ｄ_５０）であり、Ｄ_５０値は、レーザー回折・散乱法により得られた粒度分布から求められるほか、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いて観測された粒子像から算出することができる。

金属粒子としては、例えば、金、ニッケル、銅、銀、半田、パラジウム、アルミニウム、それらの合金、それらの多層化物（例えば、ニッケルメッキ／金フラッシュメッキ物）等、を挙げることができる。中でも、導電性粒子による着色の影響が小さい、銀が好ましい。

また、導電性無機酸化物として、無機酸化物等の無機粒子に導電性を付与したものを使用することができる。このような導電性を付与した無機粒子としては、ＩＴＯ（インジウム−スズ系酸化物）、ＡＴＯ（スズ−アンチモン系酸化物）が挙げられ、また、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、無機ガラス等の無機粒子に導電性を付与（例えば、金属材料を被覆）したもの等が挙げられる。中でも、樹脂組成物中に分散した時に、透明となりやすいＩＴＯ、ＡＴＯ、導電性を付与した酸化ケイ素が好ましい。導電性無機酸化物の被覆層は、導電性を付与されておれば良く、無機酸化物等の無機粒子を銀などの金属材料で被覆したものであっても良いし、酸化錫にアンチモンをドープ、酸化インジウムに錫をドープするなど、導電性の被覆層を設けても良い。無機粒子の形状としては無定型、球状、鱗片状、針状等を挙げることができる。

本発明の透明樹脂組成物において、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分の固形分（固形分体積）を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、好ましくは０．００１〜０．０８体積％、より好ましくは０．０１〜０．０５体積％の範囲である。（Ｂ）成分の含有量が０．１体積％以上となると、本発明の透明樹脂組成物の高透明性が損なわれ、全光線透過率の低下及びヘイズ値の上昇を招くため、高透明な導電性の硬化物とすることができない。更に、ＬＥＤデバイスからの光取り出し効率を低下させる原因となる。

［（Ｃ）その他の成分］
組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を本発明の透明樹脂組成物に配合することができる。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明の透明樹脂組成物に配合することもできる。

本発明の透明樹脂組成物の強度を向上させ、チキソ性を付与するために、更に、ヒュームドシリカ、ナノアルミナ等の無機質充填剤を配合してもよい。必要に応じて、本発明の透明樹脂組成物に、染料、顔料、難燃剤等を配合してもよい。

また、作業性を改善する目的で溶剤等を添加して使用することも可能である。溶剤の種類は特に制限されるものでなく、硬化前の樹脂組成物を溶解し、導電性粒子を良好に分散させ、均一なダイボンド材あるいは接着剤等を提供できる溶剤を使用することができる。該溶剤の配合割合はダイボンド材等を使用する作業条件、環境、使用時間等に応じて適宜調整すればよい。溶剤は２種以上を併用してもよい。このような溶剤としては、ブチルカルビトールアセテート、カルビトールアセテート、メチルエチルケトン、α−テルピネオール、及びセロソルブアセテート等が挙げられる。

また、本発明の透明樹脂組成物は、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有してもよい。この接着付与剤としては、シランカップリング剤やその加水分解縮合物等が例示される。シランカップリング剤としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤、イソシアネート基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等公知のものが例示され、（Ａ）成分の合計１００質量部に対して好ましくは０．１〜２０質量部、より好ましくは０．３〜１０質量部用いることができる。

本発明の透明樹脂組成物は、上記各成分を、公知の混合方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造することができる。また、本発明の透明樹脂組成物は、回転粘度計、例えば、Ｅ型粘度計を用いて２５℃で測定した粘度が好ましくは１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特に好ましくは１００〜２０，０００ｍＰａ・ｓである。

本発明の透明樹脂組成物は、公知の硬化条件下で公知の硬化方法により硬化させることができる。具体的には、通常８０〜２００℃、好ましくは１００〜１６０℃で加熱することにより、該組成物を硬化させることができる。加熱時間は、０．５分〜５時間程度、特に１分〜３時間程度でよい。作業条件、生産性、発光素子及び筐体耐熱性とのバランスから適宜選定することができる。

本発明の透明樹脂組成物は、垂直型ＬＥＤチップをパッケージに固定するために好適に用いることができる。また、その他発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機電界発光素子（有機ＥＬ）、レーザーダイオード、及びＬＥＤアレイ等の光半導体素子にも好適に用いることができる。

更に本発明では、上記本発明の透明樹脂組成物からなる接着剤を提供する。また、上記本発明の透明樹脂組成物からなり、半導体素子を配線板に導電接続するために使用することができるダイボンド材を提供する。

本発明の透明樹脂組成物は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。従って、上記透明樹脂組成物からなる接着剤及びダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として光の取り出し効率を損なうことなく好適に用いることができる。

更に、本発明のダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴが５μｍ以下の場合において使用されるものであることが好ましい。ＢＬＴは導電接続を行う部材間の距離を意味し、導電性硬化物層の厚さと理解できる。ＢＬＴが５μｍ以下であると、（Ｂ）成分の導電性粒子（導電性微粒子）が極微量しか添加されていない場合であっても、部材間を有効に電気的に接続することができる。上記導電性粒子の含有量が少なければ、より高透明な硬化物を得ることができ、また、経済的にも有用である。ＢＬＴは小さい値をとる方が電極間距離が狭くなるため好ましい。更に、ＢＬＴは小さい値をとる方が熱抵抗が低減されることから、光半導体素子の発光によって発せられた熱の放熱にも有利である。

ダイボンド材を塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコーティング、印刷、及び圧縮成形等が挙げられる。ダイボンド材の厚みは、適宜選択すればよく、通常５〜５０μｍ、特には１０〜３０μｍである。例えば、ディスペンス装置を用いて２３℃の温度、０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で吐出することで容易に塗布ができる。また、スタンピング装置を用いることで、所定の量のダイボンド材を基板に転写することでも容易にできる。

光半導体素子の搭載方法は特に制限されず、例えば、ダイボンダーが挙げられる。ダイボンド材の厚みを決定する要素は、前述のダイボンド材の粘度に加え、光半導体素子の圧着荷重、圧着時間、圧着温度が挙げられる。これら条件は、光半導体素子の外形形状、目的とするダイボンド材厚みに応じて適宜選択すればよく、圧着荷重は一般的に１ｇｆ以上１ｋｇｆ以下である。好ましくは１０ｇｆ以上１００ｇｆ以下である。１ｇｆ以上の圧着荷重であれば、ダイボンド材を十分に圧着することができる。また１ｋｇｆ以下の圧着荷重を用いれば、光半導体素子表面の発光層にダメージを与えることがない。圧着時間は工程の生産性との兼ね合いで適宜選択すればよく、一般的に０ｍｓｅｃを超え１ｓｅｃ以下である。好ましくは１ｍｓｅｃ以上３０ｍｓｅｃである。１ｓｅｃ以下であれば生産性の点で好ましい。圧着温度は特に制限はなく、ダイボンド材の使用温度範囲に従えばよいが、一般的に１５℃以上１００℃以下であると好ましい。ダイボンダーの圧着ステージに加温設備が無い場合は室温付近での温度帯で使用すればよい。１５℃以上であれば、ダイボンド材の粘度が高くなりすぎないため十分に圧着することができる。１００℃以下であれば、ダイボンド材の硬化が始まることがないため、目的とするダイボンド材の厚さに到達することができる。

更に本発明では、上記本発明の透明樹脂組成物を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法を提供する。このような導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。

更に本発明では、上記本発明の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置を提供する。本発明の光半導体装置は、本発明の導電接続方法によって得られたものであるため、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなり、導電接続が確実に達成されたものとなる。

以下、本発明の光半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。図１は、本発明の透明樹脂組成物を用いて光半導体素子と基板とが導電接続された光半導体装置の一例を示す断面図である。この光半導体装置は、光半導体素子４の下部電極と第１のリード２をダイボンド材１により、電気的に接続し、光半導体素子４の上部電極と第２のリード３をワイヤー５により電気的に接続し、光半導体素子４を封止材６で封止したものである。

図１の光半導体装置の製造方法（本発明の導電接続方法）としては、以下の方法を例示できる。
パッケージ基板上の第１のリード２に、ダイボンド材１を定量転写し、その上に光半導体素子４を搭載する。次にダイボンド材１を加熱硬化させ、光半導体素子４の下部電極と第１のリード２を電気的に接続する。この際、本発明の導電接続方法では、ＢＬＴを５μｍ以下とする。ＢＬＴを５μｍ以下とする方法としては、例えば、組成物の粘度を調整する方法、組成物の基板への塗布量を調節する方法、光半導体素子を基板にダイボンドする際の圧力を制御する方法等を挙げることができる。次いで、光半導体素子４が搭載されたパッケージ基板を、光半導体素子４の上部電極と第２のリード３に対してワイヤー５を用いて電気的に接続し、光半導体素子４が搭載されたパッケージ基板を得る。次いで、封止材６を定量塗布し、封止材６の加熱硬化を行う。

本発明の透明樹脂組成物を硬化して得られる硬化物のＢＬＴが５μｍを超えると、（Ｂ）成分の導電性粒子による電気的な接続効果が失われ、導電性の硬化物として用いることができず、半導体素子と基板とを導電接続することができない。この場合、（Ｂ）成分の含有量を（Ａ）成分の固形分を基準として０．１体積％以上とすれば導電性は回復するが、全光線透過率の低下、及びヘイズ値の上昇を招くため、高透明な硬化物とすることができない。更に、熱抵抗の増大の原因となるため、好ましくない。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）

［調製例１〜４］
下記成分を撹拌、混合し、表１に示す組成のシリコーン組成物を調製した。

［（Ａ）成分］
［（Ａ−１）成分］
（ａ）下記式に示す、ＭＡ単位、Ｍ単位、Ｑ単位が、ＭＡ：Ｍ：Ｑ＝１：４：６の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、５０００であるオルガノポリシロキサン。

（ｂ）下記式に示すオルガノポリシロキサン。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）

（ｃ）下記式に示す、ＭＡ−Ｄ単位、Ｄ単位、Ｔ単位が、ＭＡ−Ｄ：Ｄ：Ｔ＝２：６：７の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、３５００であるオルガノポリシロキサン。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）

（ｄ）下記式に示すオルガノポリシロキサン。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）

［（Ａ−２）成分］
（Ａ−２）１，１−Ｄｉ（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ（商品名：パーヘキサＣ、日本油脂株式会社製）

調製例１〜４の各成分の配合量を表１に示す。

（比較調製例１）
下記成分を撹拌、混合してシリコーン組成物（Ｖ）を調製した。

［（Ａ−１）成分］
（（ｅ）成分）平均組成式：Ｍ^ＶｉＤ_３００Ｍ^Ｖｉのシリコーンオイル：３５質量部
（（ｆ）成分）Ｍ単位とＭ^Ｖｉ単位とＱ単位とから構成され、Ｍ^Ｖｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭ^Ｖｉ単位との合計のモル比が０．８であるシリコーンレジン：６５質量部
なお、上記の（ｅ）成分、（ｆ）成分において、各成分の平均組成を示す記号は以下の通りの単位を示す。
Ｍ：（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２
Ｍ^Ｖｉ：（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２
Ｄ：（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_２／２
Ｑ：ＳｉＯ_４／２

［（Ａ−２）成分］
（Ａ−２）１，１−Ｄｉ（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ（商品名：パーヘキサＣ、日本油脂株式会社製）：２質量部

［実施例１〜６］
（実施例１）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径（一次粒子の平均粒子径）０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．０１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（実施例２）
（Ａ）成分として調製例２で得られたシリコーン組成物（ＩＩ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（ＩＩ）の固形分を基準として０．０１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（実施例３）
（Ａ）成分として調製例３で得られたシリコーン組成物（ＩＩＩ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（ＩＩＩ）の固形分を基準として０．０１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡し、希釈剤としてキシレンを１０質量部加え良く混合してペースト状の組成物を調製した。

（実施例４）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．３５μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２被覆シリカ粉（製品名ＥＳ−６５０Ｅ、比重４．１、チタン工業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．０２４体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（実施例５）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）０．０１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．００１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（実施例６）
（Ａ）成分として調製例４で得られたシリコーン組成物（ＩＶ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０５μｍの銀粉（製品名シルベストＣ−３４、比重１０．５、徳力科学研究所社製）０．０１質量部（シリコーン組成物（ＩＶ）の固形分を基準として０．００１体積％）、溶剤としてキシレン５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

［比較例１〜４］
（比較例１）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）１．０質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（比較例２）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径６．９μｍの銀粉（製品名シルベストＴＣＧ−７、比重１０．５、徳力科学研究所社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．００１体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（比較例３）
（Ａ）成分として比較調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｖ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ_２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ−１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｖ）の固形分を基準として０．０１５体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

（比較例４）
（Ａ）成分としてエポキシ組成物（ＶＩ）（エポキシダイボンド材、製品名ＤＸ−２０Ｃ、ヘンケル社製）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径６．９μｍの銀粉（製品名シルベストＴＣＧ−７、比重１０．５、徳力科学研究所社製）３１０質量部（エポキシ組成物（ＶＩ）の固形分を基準として２９．５体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。

実施例１〜６、比較例１〜４の組成物について、以下の諸特性を測定した。結果を表２、表３に示す。

［ヘイズ測定、及び全光線透過率の測定］
日本電色工業社製 ヘイズメーターＮＤＨ−５０００ＳＰを用いてヘイズ測定、及び全光線透過率の測定を行った。上記の条件で混合した試料を、２ｍｍ厚のセルに流し込み、所定の条件（実施例１〜６、比較例１〜３は１５０℃、１時間、比較例４は１７０℃、１時間）で加熱硬化を行い、表面が清浄な２ｍｍ厚の硬化物を得、これを測定部にセットし測定した。３度の測定におけるヘイズ値、全光線透過率の平均値を求めた。

［粘度の測定］
実施例及び比較例に示す組成物からなる各ダイボンド材の粘度をＥ型粘度計（東機産業株式会社製 ＲＥ８０Ｕ）を用いて２５℃、５０ｒｐｍで測定した。

［光半導体パッケージの作製］
ＬＥＤ用パッケージ基板として、光半導体素子を載置する凹部を有し、その底部に銀メッキされた第１のリードと第２のリードが設けられたＬＥＤ用パッケージ基板［ＳＭＤ５０５０（Ｉ−ＣＨＩＵＮ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＣＯ．，社製、樹脂部ＰＰＡ（ポリフタルアミド））］、光半導体素子として、主発光ピークが４５０ｎｍの垂直型ＬＥＤ（ＳｅｍｉＬＥＤｓ社製 ＥＶ−Ｂ３５Ａ）を、それぞれ用意した。

ダイボンダー（ＡＳＭ社製 ＡＤ−８３０）を用いて、パッケージ基板の銀メッキされた第１のリードに、実施例及び比較例に示す各ダイボンド材をスタンピングにより定量転写し、その上に光半導体素子を搭載した。このときの光半導体素子の搭載条件は、圧着時間１３ｍｓｅｃ、圧着荷重６０ｇｆであり、加温装置を用いず室温２５℃の環境で行った。次にパッケージ基板をオーブンに投入し各ダイボンド材を加熱硬化させ（実施例１〜６、比較例１〜３は１５０℃ １時間、比較例４は１７０℃ １時間）、光半導体素子の下部電極と第１のリードを電気的に接続した。次いでワイヤーボンダーを用いて、該光半導体素子が搭載された該ＬＥＤ用パッケージ基板を、光半導体素子の上部電極と第２のリードに対して金ワイヤー（田中電子工業社製 ＦＡ ２５μｍ）を用いて電気的に接続し、光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板各１枚（パッケージ数にして１２０個）を得た。

次いで、上記で得られた光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板に対し、ディスペンス装置（武蔵エンジニアリング製、ＳｕｐｅｒΣ ＣＭ ＩＩ）を用いて、シリコーン封止材（製品名ＫＥＲ２５００、信越化学工業株式会社製）を定量塗布し、１５０℃、４時間で封止材の加熱硬化を行った。

上記のようにして、ダイボンド材の異なる光半導体パッケージを作製し、以下の試験に用いた。

［点灯数の確認］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージ全数（１２０個）の点灯検査を行い（印加電流ＩＦ＝２０ｍＡ）、点灯した光半導体装置の数を数えた。

［ＢＬＴの測定］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージを、市販の室温硬化型エポキシ樹脂で埋包し、光半導体素子の直下が観察できるように切断、研磨し、ＢＬＴが観察可能な試料を作製した。得られた試料をレーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製 ＶＫ−８７００）で観察し、光半導体素子−基板間の距離を３点測定し、平均値を求めた。

［全光束の測定］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージ１０個を、全光束測定システム ＨＭ−９１００（大塚電子（株）製）を用い、全光束値（Ｌｍ）を測定し（印加電流ＩＦ＝３５０ｍＡ）、平均値を求めた。

［高温通電試験（高温点灯試験）］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち１０個を、高温下（８５℃）で、３５０ｍＡ通電、１０００時間点灯した後、試験後のサンプルの通電試験を行い、点灯した光半導体装置の数を数えた。

得られた結果を表２、表３に示す。

表２に示すように、本発明の範囲を満たす透明樹脂組成物をダイボンド材として用いた実施例１〜実施例６では、いずれも、（Ｂ）成分として平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子を含有し、上記（Ｂ）導電性粒子の含有量が、（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく０．１体積％未満の範囲であって、高透明であるため２ｍｍ厚の硬化物とした時の全光線透過率が７０％以上、かつヘイズ値が６０％以下であり、更にＢＬＴが５μｍ以下であるため、すべてのパッケージで点灯可能であり全光束値も高い値を示した。すなわち、明るいパッケージであった。また、高温通電試験（高温点灯試験）でも透明樹脂組成物に外観の変化はなく、すべてのパッケージで点灯可能であった。これらの結果から、本発明の導電接続方法であれば、光の取り出し効率が高く、信頼性の高い光半導体デバイスを製造できることがわかった。

一方、表３に示すように、（Ｂ）成分が（Ａ）成分の固形分を基準として０．１体積％以上であり、本発明の範囲を満たさないシリコーン樹脂組成物である比較例１では、全光線透過率が７０％以上、かつヘイズ値が６０以下の範囲を満たせず、全光束値の高いパッケージは得られなかった。

（Ｂ）成分の平均粒径が１μｍを超えており、本発明の範囲を満たさない組成物である比較例２では、透明性は得られたが、ＢＬＴが５μｍを超えるため導電性に劣り、１２０個のパッケージ中、不点灯のパッケージが発生した。また、高温点灯試験における耐久性にも劣るものであった。

（Ａ−１）成分が本発明とは異なる（必須官能基である上記一般式（１）で表される構造を有さない）比較例３では、硬化物を得ることができなかった。

一般的な、透明性を有していない導電性組成物である比較例４は、（Ｂ）成分の平均粒径及び添加量が本発明の範囲から外れるものであり、全光束値の高いパッケージは得られなかった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…ダイボンド材、 ２…第１のリード、 ３…第２のリード、 ４…光半導体素子、 ５…ワイヤー、 ６…封止材。

Claims (9)

1. 透明樹脂組成物であって、
   （Ａ）（Ａ−１） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
   

   

   ［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ^１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ^２は水素原子又はメチル基、Ｒ^３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ^１は−Ｒ^４−、−Ｒ^４−Ｏ−、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ^４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ^２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
   （Ａ−２）有機過酸化物：前記（Ａ−１）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部を含むシリコーン組成物と、
   （Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
   を含有するものであり、
   前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
   前記透明樹脂組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下であることを特徴とする透明樹脂組成物。
2. 前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンのＺ^１が−Ｒ^４−であり、前記Ｚ^２が酸素原子であることを特徴とする請求項１に記載の透明樹脂組成物。
3. 前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサンのＺ^１が−Ｒ^４−Ｏ−又は、−Ｒ^４（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−Ｏ−であり、前記Ｚ^２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であることを特徴とする請求項１に記載の透明樹脂組成物。
4. 前記（Ａ−１）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ_２）単位を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の透明樹脂組成物。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の透明樹脂組成物からなるものであることを特徴とする接着剤。
6. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の透明樹脂組成物からなるものであることを特徴とするダイボンド材。
7. 前記ダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴ（Ｂｏｎｄ ｌｉｎｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が５μｍ以下の場合において使用されるものであることを特徴とする請求項６に記載のダイボンド材。
8. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の透明樹脂組成物を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法。
9. 請求項８に記載の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置。

Images