JP6072663B2 - 加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 - Google Patents
加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6072663B2 JP6072663B2 JP2013214594A JP2013214594A JP6072663B2 JP 6072663 B2 JP6072663 B2 JP 6072663B2 JP 2013214594 A JP2013214594 A JP 2013214594A JP 2013214594 A JP2013214594 A JP 2013214594A JP 6072663 B2 JP6072663 B2 JP 6072663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- group
- mass
- component
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
- C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/14—Peroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/04—Polysiloxanes
- C09J183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/14—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0806—Silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
(B)有機過酸化物:前記(A)成分の合計量100質量部に対して、0.1〜10質量部、
(C)導電性粒子:前記(A)成分と前記(B)成分の固形分100質量部を基準として0.1〜1000質量部
を含有するものであることを特徴とする加熱硬化型導電性シリコーン組成物を提供する。
上記のように、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与える加熱硬化型導電性シリコーン組成物が求められている。
(B)有機過酸化物:(A)成分の合計量100質量部に対して、0.1〜10質量部、
(C)導電性粒子:(A)成分と(B)成分の固形分100質量部を基準として0.1〜1000質量部を含有する加熱硬化型導電性シリコーン組成物が、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を与えることができ、信頼性の高い光半導体装置を提供できることを見出し本発明に至った。
(A)成分のオルガノポリシロキサンは、下記一般式(1)で表される構造を分子中に少なくとも1つ有するオルガノポリシロキサンである。
に示すオルガノシラン又はオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、脂肪族不飽和基(例えば、エチレン性不飽和基、及びアセチレン性不飽和基が挙げられる。)を含むオルガノポリシロキサンとを、塩化白金酸触媒存在下でヒドロシリル化反応させるとよく、この方法で本発明に好適なものを製造することができるが、前記の合成方法に制限されるものではない。また、市販のものを用いても良い。
(B)成分の有機過酸化物は、本組成物を所望の形状に成形した後に、加熱処理を加えて架橋反応により硬化させるために配合される成分であり、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選択する。
本発明の導電性粒子としては、金属粒子、金属被覆樹脂粒子、導電性無機酸化物を用いることができ、単独又は2種以上混合して使用することができる。粒子の大きさは、特に制限は無いが、好ましくは、0.2〜20μm、なお好ましくは0.3〜10μmである。粒子の好ましい形状として、球状、フレーク状、針状、無定型等が挙げられるが、この限りではない。
組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を本発明の組成物に配合することができる。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明の組成物に配合することもできる。
パッケージ基板上の第1のリード2に、導電性ダイボンド材1を定量転写し、その上に光半導体素子4を搭載する。次に導電性ダイボンド材1を加熱硬化させ、光半導体素子4の下部電極と第1のリード2を電気的に接続する。次いで、光半導体素子4が搭載されたパッケージ基板を、光半導体素子4の上部電極と第2のリード3に対してワイヤー5を用いて電気的に接続し、光半導体素子4が搭載されたパッケージ基板を得る。次いで、封止材6を定量塗布し、封止材6の加熱硬化を行う。
(調整例1〜3)
下記成分を用意し、表1に示す組成のシリコーン組成物を調製した。
下記式に示す、MA−D単位、D単位、T単位が、MA−D:D:T=2:6:7の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、3500であるオルガノポリシロキサン。(下記式において、Meはメチル基を示す。)
(B)1,1−Di(t−butylperoxy)cyclohexane(商品名:パーヘキサC、日本油脂株式会社製)
(C6H5)SiO3/2単位、(CH2=CH)(CH3)SiO2/2単位及び(CH3)2SiO2/2単位からなり、平均組成が(CH3)0.65(C6H5)0.55(CH2=CH)0.25SiO1.28で示されるオルガノポリシロキサン樹脂共重合体(シリコーンレジン)の100質量部に対して、ケイ素原子に結合したメチル基、フェニル基、水素原子(SiH基)の合計に対してフェニル基を20モル%有する、水素ガス発生量が150ml/gである、粘度10mPa・sのフェニルメチルハイドロジェンシロキサンを20質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.2質量部、この混合物に白金触媒を白金原子として20ppmを混合し、減圧脱泡してシリコーン組成物を調整した。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品名 EOCN103S、大日本インキ化学工業社製)80質量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品名 エピコート#1007、油化シェルエポキシ社製)20質量部に対し、硬化剤としてフェノール樹脂(商品名 BRG558、昭和高分子社製)40質量部を、ジエチレングリコールジエチルエーテル140質量部中で85℃,1時間溶解反応を行い、粘稠な樹脂を得た。この樹脂28質量部に、硬化触媒としてイミダゾールの2−エチル−4−メチルイミダゾール0.2質量部を混合し、減圧脱泡してエポキシ組成物を調整した。
(実施例1)
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)30質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(導電性樹脂組成物)(a)を製造した。
調整例2で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)30質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(b)を製造した。
調整例3で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)30質量部、補強材として煙霧質シリカ(製品名 レオロシールDM−30S、トクヤマ社製)5質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(c)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径0.3μmの導電性酸化チタン(製品名 EC−210、チタン工業社製)50質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(d)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径0.3μmの導電性酸化ケイ素(製品名 ES−650E、チタン工業社製)100質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(e)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径0.4μmの導電性酸化アルミ(製品名 EC−700、チタン工業社製)50質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(f)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径3.0μmの、樹脂微粒子に金メッキがなされた導電性微粒子(製品名 ミクロパールAU−203、積水化学工業社製)50質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(g)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)1000質量部、溶剤としてキシレンを100質量部混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(h)を製造した。
(比較例1)
調整例4で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)30質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(i)を製造した。導電性ペースト(i)は、ダイボンド材の加熱硬化工程で十分な硬化がなされず、後の工程のワイヤーボンドを行うことができず、光半導体パッケージを得ることができなかった。
調整例5で得られたエポキシ組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)30質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(j)を製造した。
調整例1で得られたシリコーン組成物100質量部、導電性粒子として平均粒径6.9μmの銀粉(製品名 シルベストTCG−7、徳力科学研究所社製)1100質量部を混合し、溶剤としてキシレンを100質量部混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して導電性ペースト(k)を製造した。導電性ペースト(k)は、ダイボンダーでのスタンピング工程で十分な作業性を得ることできず(具体的には定量転写が行えなかった)、光半導体素子を実装することができず、光半導体パッケージを得ることができなかった。
LED用パッケージ基板として、光半導体素子を載置する凹部を有し、その底部に銀メッキされた第1のリードと第2のリードが設けられたLED用パッケージ基板[SMD5050(I−CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,社製、樹脂部PPA(ポリフタルアミド))]、光半導体素子として、主発光ピークが450nmの垂直型LED(SemiLEDs社製 EV−B35A)を、それぞれ用意した。
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち10個を、温度サイクル試験(−40℃〜125℃、各20分間を1000サイクル)に用い、顕微鏡で、試験後のサンプルの導電性接着材部のクラックの有無を観察し、クラックが発生した試験片数/総試験片数を数えた。更に、試験後のサンプルの通電試験を行い、点灯した試験片数/総試験片数を数えた。
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち10個を、高温下(85℃)で、350mA通電、1000時間点灯した後、光半導体素子と光半導体素子を載置する凹部の底部との間の剥離等の接着不良の有無、クラック発生の有無、及び光半導体素子周りの接着層の変色の有無を顕微鏡で観察し、外観異常が発生した試験片数/総試験片数を数えた。更に、試験後のサンプルの通電試験を行い、点灯した試験片数/総試験片数を数えた。
上記の方法で得られた封止材を充填しなかった光半導体パッケージのうち10個を、25度の室内でボンドテスター(Dage社製 Series4000)を用いてダイシェア強度の測定を行い、得られた測定値の平均値をMPaで示した。
更に、上記の方法で得られた封止材を充填しなかった光半導体パッケージのうち10個を、高温下(85℃)で、350mA通電、1000時間点灯した後、同様にボンドテスター(Dage社製 Series4000)を用いてダイシェア強度の測定を行い、得られた測定値の平均値をMPaで示した。
Claims (8)
- (A) 下記一般式(1)で表される構造を分子中に少なくとも1つ有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)有機過酸化物:前記(A)成分の合計量100質量部に対して、0.1〜10質量部、
(C)導電性粒子:前記(A)成分と前記(B)成分の固形分100質量部を基準として0.1〜1000質量部
を含有するものであることを特徴とする加熱硬化型導電性シリコーン組成物。 - 前記(A)成分のオルガノポリシロキサンのZ1が−R4−であり、前記Z2が酸素原子であることを特徴とする請求項1に記載の加熱硬化型導電性シリコーン組成物。
- 前記(A)成分のオルガノポリシロキサンのZ1が−R4−O−又は、−R4(CH3)2Si−O−であり、前記Z2が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数1〜10の2価の有機基であることを特徴とする請求項1に記載の加熱硬化型導電性シリコーン組成物。
- 前記(A)成分のオルガノポリシロキサン中に、0.1mol%以上(SiO2)単位を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の加熱硬化型導電性シリコーン組成物。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の加熱硬化型導電性シリコーン組成物からなるものであることを特徴とする導電性接着剤。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の加熱硬化型導電性シリコーン組成物からなるものであり、半導体素子を配線板に導電接続するために使用するものであることを特徴とする導電性ダイボンド材。
- 請求項7に記載の導電性ダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有するものであることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013214594A JP6072663B2 (ja) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 |
US14/468,728 US20150102270A1 (en) | 2013-10-15 | 2014-08-26 | Thermosetting conductive silicone composition, conductive adhesive comprising the same, conductive die bonding material comprising the same, and photosemiconductor apparatus having cured product of die bonding material |
KR1020140137898A KR101657528B1 (ko) | 2013-10-15 | 2014-10-13 | 가열경화형 도전성 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 도전성 접착제, 이 조성물로 이루어진 도전성 다이본드재, 이 다이본드재의 경화물을 갖는 광반도체 장치 |
TW103135676A TWI580750B (zh) | 2013-10-15 | 2014-10-15 | A heat-hardened conductive silicon oxide composition, a conductive adhesive composed of the composition, a conductive viscous material composed of the composition, an optical semiconductor device having a hardened material of the adhered material |
CN201410545612.9A CN104559825B (zh) | 2013-10-15 | 2014-10-15 | 加热固化型导电性硅酮组合物、导电性粘着剂、导电性芯片粘合材料、光半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013214594A JP6072663B2 (ja) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015078256A JP2015078256A (ja) | 2015-04-23 |
JP6072663B2 true JP6072663B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=52808885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013214594A Active JP6072663B2 (ja) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150102270A1 (ja) |
JP (1) | JP6072663B2 (ja) |
KR (1) | KR101657528B1 (ja) |
CN (1) | CN104559825B (ja) |
TW (1) | TWI580750B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6751370B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2020-09-02 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体素子封止材料及び光半導体装置 |
JP2019085488A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 信越化学工業株式会社 | 基板の接着方法 |
WO2020128626A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Lumileds Holding B.V. | Improved light extraction through adhesive layer between led and converter |
US10804440B2 (en) | 2018-12-21 | 2020-10-13 | Lumileds Holding B.V. | Light extraction through adhesive layer between LED and converter |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0332400B1 (en) * | 1988-03-07 | 1994-11-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photocurable organopolysiloxane composition |
AU630732B2 (en) * | 1989-09-22 | 1992-11-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation-curable silicone elastomers and pressure sensitive adhesives |
US5528474A (en) * | 1994-07-18 | 1996-06-18 | Grote Industries, Inc. | Led array vehicle lamp |
JPH0995652A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
JP3418778B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2003-06-23 | 株式会社トクヤマ | 接着性組成物 |
JP3769152B2 (ja) | 1999-09-03 | 2006-04-19 | 京セラケミカル株式会社 | 導電性ペースト |
JP4563977B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2010-10-20 | 信越化学工業株式会社 | 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子 |
JPWO2008108326A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2010-06-17 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子 |
JP5557324B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-07-23 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンド剤及び光半導体装置 |
JP5485112B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2014-05-07 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
JP2012121950A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物及びシリコーン樹脂硬化物 |
KR20130126946A (ko) * | 2010-12-08 | 2013-11-21 | 다우 코닝 코포레이션 | 봉지재의 형성에 적합한 이산화티타늄 나노입자 함유 실록산 조성물 |
JP5915541B2 (ja) * | 2010-12-20 | 2016-05-11 | セメダイン株式会社 | 導電性接着剤 |
JP2013159776A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-19 | Adeka Corp | ケイ素含有硬化性白色樹脂組成物及びその硬化物並びに該硬化物を用いた光半導体パッケージ及び反射材料 |
-
2013
- 2013-10-15 JP JP2013214594A patent/JP6072663B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-26 US US14/468,728 patent/US20150102270A1/en not_active Abandoned
- 2014-10-13 KR KR1020140137898A patent/KR101657528B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-15 CN CN201410545612.9A patent/CN104559825B/zh active Active
- 2014-10-15 TW TW103135676A patent/TWI580750B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150102270A1 (en) | 2015-04-16 |
KR101657528B1 (ko) | 2016-09-19 |
KR20150043988A (ko) | 2015-04-23 |
TW201514268A (zh) | 2015-04-16 |
CN104559825B (zh) | 2017-12-15 |
TWI580750B (zh) | 2017-05-01 |
JP2015078256A (ja) | 2015-04-23 |
CN104559825A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2584015B1 (en) | Light-reflecting anisotropically conductive adhesive and light emitting device | |
KR102390737B1 (ko) | 가열 경화형 실리콘 조성물, 다이 본드재 및 광반도체 장치 | |
TW201425480A (zh) | 硬化性矽氧樹脂組成物、其硬化物及光半導體裝置 | |
JP6072663B2 (ja) | 加熱硬化型導電性シリコーン組成物、該組成物からなる導電性接着剤、該組成物からなる導電性ダイボンド材、該ダイボンド材の硬化物を有する光半導体装置。 | |
KR102340593B1 (ko) | 투명수지 조성물, 이 조성물로 이루어진 접착제, 이 조성물로 이루어진 다이본드재, 이 조성물을 이용한 도전접속방법, 및 이 방법에 의해 얻어진 광반도체 장치 | |
JP2012052029A (ja) | ダイボンド剤及び光半導体装置 | |
JP6272747B2 (ja) | 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置 | |
JP2022069401A (ja) | ペースト状組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置 | |
KR101915341B1 (ko) | 경화성 에폭시 수지 조성물 | |
WO2016092742A1 (ja) | 接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 | |
JP7296748B2 (ja) | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス | |
JP2007194268A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2019163425A (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置。 | |
JP7360910B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 | |
JP2018044067A (ja) | 無機フィラーを含有する硬化性組成物を封止剤として用いてなる光半導体装置 | |
JP2016111210A (ja) | ダイボンド材を用いた導電接続方法及び光半導体装置 | |
CN115023453A (zh) | 膏状树脂组合物、高导热性材料和半导体装置 | |
JP2019199500A (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6072663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |