WO2016092742A1 - 接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 - Google Patents

接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置 Download PDF

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諭 小内
利之 小材
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive, a die bond material made of the adhesive, a conductive connection method using the adhesive, and an optical semiconductor device obtained by the method.
  • an optical semiconductor element such as a light emitting diode (LED) has an excellent characteristic of low power consumption, it is increasingly applied to an optical semiconductor device for outdoor lighting or automobile use.
  • an optical semiconductor device light emitted from an optical semiconductor light emitting element that generally emits blue light, near ultraviolet light, or ultraviolet light is wavelength-converted by a phosphor that is a wavelength conversion material so that a pseudo white color can be obtained.
  • a light emitting device is a light emitting diode
  • the vertical type optical semiconductor element has electrodes arranged in a vertical structure, and is also simply called a vertical type LED chip.
  • the vertical LED chip allows a current to flow uniformly in the light emitting layer, and can pass a current several tens of times higher than a horizontal LED chip of the same size, which has a structure in which electrodes are horizontally arranged.
  • the temperature rise of the light emitting layer can be suppressed and the light emission efficiency can be increased.
  • it since it has excellent features such as suppressing an increase in local current density seen in horizontal LED chips and making it possible to increase the current of the LED, its practical use is progressing.
  • the vertical LED chip has electrodes arranged in a vertical structure as described above, when the vertical LED chip is mounted on a wiring board, one electrode is wire-bonded as before.
  • the other electrode needs to be electrically connected using a method such as eutectic solder or a conductive adhesive.
  • a conductive adhesive in which conductive particles are blended with a eutectic solder or an epoxy resin composition has been widely used.
  • the method using eutectic solder is not preferable because the light emitting layer of the optical semiconductor is damaged by heat for melting the solder necessary for die bonding.
  • conductive adhesives in which conductive particles are blended with the eutectic solder or epoxy resin composition described above have a problem in that light reflection is not sufficient and light extraction efficiency is poor.
  • the die bond material is required to have high transparency from the viewpoint of the degree of freedom of design when an optical semiconductor device is used.
  • a conductive adhesive for example, in Patent Document 1, a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin and an alicyclic epoxy resin are used in combination, and a benzotriazole derivative is added as an ultraviolet absorber.
  • a conductive adhesive having improved light resistance to light in the vicinity of 450 to 500 nm has been proposed.
  • the composition in this invention contains many white titanium oxides and colored electroconductive particles, it does not become a highly transparent adhesive.
  • Patent Document 2 discloses specific conductive powder, organopolysiloxane having (3,5-diglycidyl isocyanuryl) alkyl group, and a curing catalyst that reacts with glycidyl group (amine curing agent, phenol curing agent, acid A die bond material for an optical semiconductor element containing an anhydride-based curing agent) has been proposed.
  • a curing catalyst that reacts with glycidyl group
  • a die bond material for an optical semiconductor element containing an anhydride-based curing agent has been proposed.
  • an organic group typified by an isocyanuryl group is deteriorated by light of a short wavelength and discolors and decomposes with time.
  • 350 to 800 parts by mass of conductive particles are added to 100 parts by mass of the resin components in total, so that the adhesive is not highly transparent.
  • Patent Document 3 includes (a) (meth) acrylic acid alkyl ester-butadiene-styrene copolymer or composite, and at least selected from the group consisting of silicone- (meth) acrylic acid copolymer or composite.
  • An organic fine particle containing one kind, (b) a radical polymerizable compound, (c) a radical polymerization initiator, and (h) conductive particles, and (h) the content of the conductive particles is an adhesive.
  • An adhesive composition that is 0.1 to 30% by volume based on the total solid content of the composition, and a film adhesive made of the adhesive composition have been proposed.
  • the radically polymerizable compound (b) contains an organic group typified by a glycidyl group, which is deteriorated by light of a short wavelength, causing a problem of discoloration and decomposition over time.
  • the conductive particles are contained in an amount of 0.1 to 30% by volume based on the total solid content of the adhesive composition, but no description of the light transmittance and transparency of the cured product is found, and As a result of verification by the present inventors, a highly transparent material is not obtained with an addition amount in this range.
  • the average particle diameter of the conductive particles is preferably 1 to 18 ⁇ m from the viewpoint of obtaining good dispersibility and conductivity.
  • the conductive resin material has a thick BLT (bond line thickness) when the optical semiconductor element is die-bonded (conductively connected) to the wiring board, resulting in poor heat dissipation and is not a useful highly transparent die-bond material.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an adhesive that gives a cured product that is highly transparent, excellent in adhesive strength and workability, and has heat resistance and light resistance. Another object of the present invention is to provide a die bond material made of the adhesive, a conductive connection method using the adhesive, and an optical semiconductor device obtained by the conductive connection method.
  • an adhesive (A) a curable resin composition containing at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin; (B) contains conductive particles having an average particle size of 1 ⁇ m or less, The content of the component (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), A 2 mm thick cured product obtained by curing the adhesive has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less.
  • Such an adhesive can give a cured product that is highly transparent, excellent in adhesive strength and workability, and excellent in heat resistance and light resistance.
  • the curable resin composition (A) is (A-1) a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule; (A-2) an organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure; A thermosetting silicone composition comprising (A-3) an organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, and (A-4) a platinum group metal catalyst is preferred.
  • thermosetting silicone composition can be suitably used as the component (A) constituting the adhesive of the present invention.
  • the present invention provides a die bond material comprising the above adhesive.
  • Such a die bond material can be suitably used as a die bond material for mounting an LED chip on a wiring board.
  • a cured product obtained by curing the die bond material is used when a BLT (Bond line thickness) is 5 ⁇ m or less.
  • Such a die-bonding material can reliably achieve conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate.
  • the present invention provides a conductive connection method characterized by conductively connecting an optical semiconductor element and a substrate with a BLT of 5 ⁇ m or less using the adhesive of the present invention.
  • Such a conductive connection method can reliably achieve a conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate.
  • the present invention provides an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are conductively connected by the conductive connection method of the present invention.
  • the adhesive of the present invention is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and can give a cured product with excellent heat resistance and light resistance. Moreover, according to the conductive connection method of the present invention, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Therefore, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, heat resistance and light resistance, and the conductive connection is reliably achieved.
  • the adhesive of the present invention is highly transparent, excellent in adhesive strength and workability, and can give a cured product having heat resistance and light resistance. Therefore, the adhesive of the present invention can be suitably used as a die bond material. Such an adhesive and a die bond material can be suitably used as an adhesive for mounting an LED chip, particularly a vertical LED chip, on a wiring board. Moreover, according to the conductive connection method of the present invention, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Therefore, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, and has heat resistance and light resistance.
  • the present inventors have (A) a curable resin composition containing at least one selected from silicone resins, modified silicone resins, epoxy resins, and modified epoxy resins; (B) an adhesive containing conductive particles having an average particle size of 1 ⁇ m or less, The content of the component (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), It has been found that an adhesive having a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the adhesive can solve the above-mentioned problems. Completed.
  • the adhesive of the present invention includes (A) a curable resin composition containing at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin, and (B) an average particle. Containing conductive particles having a diameter of 1 ⁇ m or less, and the content of the component (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A)
  • the 2 mm thick cured product obtained by curing the adhesive has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less.
  • the total light transmittance when the adhesive of the present invention is 2 mm thick is 70% or more, preferably 80% or more.
  • the cured adhesive can maintain a highly transparent state.
  • the total light transmittance is less than 70%, it means that the cured adhesive is colored or turbid and does not become highly transparent.
  • the upper limit of the total light transmittance is not particularly limited, and a larger value is preferable because the cured product becomes transparent and does not hinder the extraction of light from the optical semiconductor element.
  • the adhesive of the present invention has a haze value of 60% or less when the adhesive is a cured product having a thickness of 2 mm, which means that the cured product has a transparent to translucent haze. .
  • the haze value is preferably 40% or less. When the haze value exceeds 60%, the cured product is cloudy and there are many fine particles that scatter light, and it is not highly transparent. A haze value of 60% or less is preferable because it does not hinder the extraction of light from the optical semiconductor element.
  • the lower limit of the haze value is not particularly limited. A smaller haze value is preferable because the cured product is less cloudy, that is, transparent and does not hinder the extraction of light from the LED device.
  • the curable resin composition of the component (A) contains at least one or more selected from silicone resins, modified silicone resins, epoxy resins, and modified epoxy resins.
  • the resin or composition having the desired physical properties and transparency that is, the total light transmittance of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the adhesive is 70% or more, And those having a haze value of 60% or less
  • the component (A) is preferably a silicone resin or a modified silicone resin from the viewpoints of transparency, heat resistance, and light resistance. (A) You may use the commercial item which satisfy
  • the component (A) has a viscosity at room temperature (25 ° C.) of preferably 10 mPa ⁇ s or more and 10,000 mPa ⁇ s or less, more preferably 100 mPa ⁇ s or more and 5000 mPa ⁇ s or less. If the said viscosity is 10 mPa * s or more, the below-mentioned (B) component can be favorably disperse
  • the viscosity is 10000 mPa ⁇ s or less, the viscosity of the composition does not become too high, the BLT becomes too large, problems in the application process, specifically, workability due to a decrease in speed when applying a high viscosity liquid. This is preferable because there is no fear that a decrease in the coating amount, a variation in the coating amount due to stringing of the composition, and contamination of the device will occur.
  • thermosetting resin composition As the component (A), it is preferable to use a thermosetting resin composition as the component (A). If a silicone composition is selected as the component (A), a thermosetting silicone composition as exemplified below is preferable, but is not limited thereto.
  • thermosetting silicone composition for example, (A-1) a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule, (A-2) an organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure; (A-3) An organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, and (A-4) a thermosetting silicone composition comprising a platinum group metal catalyst. .
  • A-1 a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule
  • A-2) an organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure
  • A-3) An organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule
  • thermosetting silicone composition comprising a platinum group metal catalyst.
  • the component (A-1) as the base component is an organopolysiloxane that has two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule and is essentially linear.
  • the organopolysiloxane preferably has a viscosity at room temperature of 100 mPa ⁇ s or more and 10,000 mPa ⁇ s or less, and more preferably 100 mPa ⁇ s or more and 5000 mPa ⁇ s or less, from the viewpoint of workability and curability.
  • the molecular structure of the organopolysiloxane is essentially linear, preferably linear.
  • “essentially linear” means that all siloxane units other than the triorganosiloxy group blocking both ends in this component are mainly difunctional units (D units) (specifically, Is composed of a unit represented by the formula: R 1 2 SiO), but is a trifunctional unit (T unit) that forms a branch (specifically, a unit represented by the formula: R 1 SiO 3/2 ) ) And tetrafunctional units (Q units) (specifically, units represented by the formula: SiO 4/2 units), 3 mol% or less, preferably 2 It means that it may be contained in an amount of mol% or less.
  • D units difunctional units
  • T unit trifunctional unit
  • Q units specifically, units represented by the formula: SiO 4/2 units
  • both terminals are composed of monofunctional units (M units) (specifically, units represented by the formula: R 1 3 SiO 1/2 ), and all other siloxane units are from D units.
  • M units monofunctional units
  • R 1 3 SiO 1/2 units represented by the formula: R 1 3 SiO 1/2
  • R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group.
  • the monovalent hydrocarbon group for R 1 those having 1 to 10 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms, are preferred. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, alkyl groups such as tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, octyl group, nonyl group, decyl group; cyclohexyl group; aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group; benzyl group, phenyl group Aralkyl groups such as ethyl group and phenylpropyl group; alkenyl groups such as vinyl group, allyl group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, octen
  • the organopolysiloxane of component (A-1) has two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule.
  • the aliphatic unsaturated bond include alkenyl groups and cycloalkenyl groups having 2 to 8 carbon atoms, particularly 2 to 6 carbon atoms.
  • vinyl groups, allyl groups, propenyl groups, isopropenyl groups, butenyl groups examples thereof include alkenyl groups such as a pentenyl group and hexenyl group, and cycloalkenyl groups such as a cyclohexenyl group.
  • a vinyl group and an allyl group are preferable.
  • a preferred specific example of the organopolysiloxane of the component (A-1) is a linear organoorganism represented by the following general formula (1) having at least one alkenyl group for each silicon atom at both ends of the molecular chain.
  • Polysiloxane can be exemplified.
  • the viscosity at room temperature of the organopolysiloxane is preferably 100 mPa ⁇ s or more and 10,000 mPa ⁇ s or less, more preferably 100 mPa ⁇ s or more and 5000 mPa ⁇ s or less, as described above.
  • R 1 is independently an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group as described above.
  • R 2 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon having no identical or different aliphatic unsaturated bond to each other.
  • K and m are each independently 0 or a positive integer, and k + m is a number at which the viscosity of the organopolysiloxane at room temperature is preferably 100 mPa ⁇ s to 10,000 mPa ⁇ s.
  • the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having no aliphatic unsaturated bond of R 2 is preferably one having 1 to 10 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms, and the same as the specific examples of R 1 above. However, an alkenyl group and a cycloalkenyl group are not included.
  • k and m are preferably 0 or a positive integer satisfying 0 ⁇ k ⁇ 2,000, 1 ⁇ m ⁇ 10,000, and 1 ⁇ k + m ⁇ 10,000, more preferably 5 ⁇ k + m ⁇ 2.
  • organopolysiloxane represented by the general formula (1) include the following.
  • organopolysiloxane of component (A-1) More specific examples of the organopolysiloxane of component (A-1) are as follows.
  • thermosetting silicone composition As the organopolysiloxane having an aliphatic unsaturated bond, the organopolysiloxane having a resin structure is used together with the (A-1) component essentially linear organopolysiloxane. A-2) Used as a component.
  • the (A-2) component organopolysiloxane having an aliphatic unsaturated group is three-dimensionally crosslinked in advance and has a three-dimensional network structure.
  • the organopolysiloxane is composed of R 1 3 SiO 1/2 units and SiO 4/2 units, but may further contain at least one of R 1 SiO 3/2 units and R 1 2 SiO units. That is, it basically comprises R 1 3 SiO 1/2 units and SiO 4/2 units, but may optionally contain R 1 SiO 3/2 units and / or R 1 2 SiO units as appropriate. It is. Preferably, it consists of R 1 3 SiO 1/2 units and SiO 2 units.
  • R 1 is the same or different and is independently a substituted or unsubstituted, preferably a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, as described for the component (A-1).
  • the organopolysiloxane preferably has a weight average molecular weight in the range of 500 to 10,000.
  • the (A-2) component organopolysiloxane differs from the (A-1) component essentially linear organopolysiloxane in that it has a resin structure.
  • the organopolysiloxane of component (A-2) is “having a resin structure” means that 5 mol% or more, preferably 10 mol% or more of all siloxane units in the organopolysiloxane, It means that preferably 15 to 75 mol%, more preferably 25 to 50 mol%, consists of SiO 4/2 units. This unit has a function of making the siloxane skeleton of the molecule into a three-dimensional network structure.
  • organopolysiloxane having a resin structure as the component (A-2) preferred are SiO 4/2 units (QB units), R 3 n R 4 p SiO 1/2 units (MB1 units), and R 3 q R. It is basically composed of 4 r SiO 1/2 units (MB2 units), and may optionally contain either or both of a bifunctional siloxane unit and a trifunctional siloxane unit (ie, organosilsesquioxane unit).
  • Organopolysiloxane is a vinyl group or an allyl group
  • R 4 is a monovalent hydrocarbon group that does not contain an aliphatic unsaturated bond.
  • n is 2 or 3
  • p is 0 or 1
  • n + p 3.
  • q is 0 or 1
  • r is 2 or 3
  • q + r 3.
  • Examples of the substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group not containing an aliphatic unsaturated bond of R 4 include those having 1 to 10 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms, similar to the above R 2 .
  • the synthesis of the organopolysiloxane having such a resin structure is easily performed by combining each unit source compound so that the generated units have a required ratio and co-hydrolyzing in the presence of an acid, for example. be able to.
  • examples of the QB unit source include sodium silicate, alkyl silicate, polyalkyl silicate, silicon tetrachloride and the like.
  • Examples of the MB1 unit source include the following compounds.
  • examples of the MB2 unit source include the following compounds.
  • the organopolysiloxane having the resin structure of the component (A-2) is blended to adjust the hardness of the resulting cured product.
  • the components (A-1) and (A-2) The total amount is preferably 0.1 to 50% by mass, and more preferably 1 to 30% by mass.
  • the hardness of the cured product can be adjusted by adjusting the proportion of the component (A-2).
  • Organohydrogenpolysiloxane The organohydrogenpolysiloxane of component (A-3) reacts with components (A-1) and (A-2) and acts as a crosslinking agent.
  • a cured product is formed by an addition reaction of an aliphatic unsaturated group such as an alkenyl group in component (A) and component (A-2).
  • the component (A-3) has an average of 2 or more, and preferably an average of 3 or more silicon-bonded hydrogen atoms (SiH group) in one molecule, usually 3 to 1,000, preferably It is desirable to have about 3 to 500, more preferably about 3 to 200, and still more preferably about 4 to 100 silicon-bonded hydrogen atoms.
  • the molecular structure of the component (A-3) is not particularly limited, and any of those conventionally used as a crosslinking agent in addition reaction curable silicone compositions can be used.
  • any of those conventionally used as a crosslinking agent in addition reaction curable silicone compositions can be used.
  • linear, cyclic, branched, tertiary Various things such as an original net-like structure (resin-like) can be used.
  • the silicon-bonded hydrogen atoms contained in two or more, preferably three or more in one molecule may be located at either the molecular chain terminal or the molecular chain non-terminal, or both. May be. All monovalent atoms or substituents bonded to silicon atoms other than such hydrogen atoms do not contain an aliphatic unsaturated bond, preferably an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. It is.
  • the number of silicon atoms in one molecule of the organohydrogenpolysiloxane (that is, the degree of polymerization) is usually 2 to 1,000, preferably 3 to 300, more preferably about 4 to 150.
  • organohydrogenpolysiloxane for example, those represented by the following average composition formula (2) are used.
  • R 5 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group bonded to a silicon atom having no aliphatic unsaturated bond, preferably having 1 to 10 carbon atoms, and b is 0.7
  • the number of ⁇ 2.1, c is 0.001 to 1.0, and b + c is in the range of 0.8 to 3.0.
  • Examples of the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group not containing an aliphatic unsaturated bond represented by R 5 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, and tert-butyl.
  • b is a number from 1.0 to 2.0
  • c is a number from 0.01 to 1.0
  • b + c is in a range from 1.5 to 2.5.
  • Such organohydrogenpolysiloxanes are typically R 5 SiHCl 2 , (R 5 ) 3 SiCl, (R 5 ) 2 SiCl 2 , (R 5 ) 2 SiHCl (R 5 is as described above).
  • Such chlorosilanes can be hydrolyzed or siloxanes obtained by hydrolysis can be equilibrated.
  • organohydrogenpolysiloxane represented by the average composition formula (2) include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane.
  • hydrogen organosiloxane having a structure represented by the following formula can be exemplified.
  • L is an integer of 0 to 200
  • M is an integer of 1 to 200
  • R 6 is a functional group-substituted alkyl group containing a functional group selected from an epoxy group, a (meth) acryloxy group, and an alkoxysilyl group. is there.
  • the compounding amount of the organohydrogenpolysiloxane of the component (A-3) is an effective curing amount of the components (A-1) and (A-2), and particularly silicon atom-bonded hydrogen atoms contained therein. Is preferably 0.8 to 4.0 moles per mole of a total of aliphatic unsaturated groups such as alkenyl groups in the components (A-1) and (A-2), 1.0 to 3 The amount is more preferably 0.0 mol, and further preferably 1.0 to 2.0 mol. If the component (A-3) is 4.0 mol or less, there is no possibility that the rubber physical properties will change over time as a result of a large amount of unreacted silicon-bonded hydrogen atoms remaining in the cured product. preferable.
  • the (A-4) component platinum group metal catalyst has the effect of causing an addition curing reaction of the composition of the present invention.
  • the catalyst include platinum-based, palladium-based, and rhodium-based catalysts.
  • platinum-based catalysts such as platinum, platinum black, and chloroplatinic acid such as H 2 PtCl 6 ⁇ mH 2 O, K 2 PtCl 6 , KHPtCl 6 ⁇ mH 2 O, K 2 PtCl 4 , K 2 PtCl 4 ⁇ mH 2 O, PtO 2 ⁇ mH 2 O (m is a positive integer), etc.
  • chloroplatinic acid such as H 2 PtCl 6 ⁇ mH 2 O, K 2 PtCl 6 , KHPtCl 6 ⁇ mH 2 O, K 2 PtCl 4 , K 2 PtCl 4 ⁇ mH 2 O, PtO 2 ⁇ mH 2 O (m is a positive integer), etc.
  • carbonization of olefins and the like examples thereof include a complex with hydrogen, alcohol, or vinyl group-containing organopolysiloxane. These can be used singly or in combination of two or more.
  • the compounding amount of the component (A-4) may be an effective amount as a hydrosilylation catalyst, and is preferably 0.000 in terms of the mass of the platinum group metal element with respect to the total mass of the components (A-1) to (A-3).
  • the range is from 1 to 1,000 ppm, and more preferably from 1 to 500 ppm.
  • [(B) conductive particles] (B) component which comprises the adhesive agent of this invention is electroconductive particle with an average particle diameter of 1 micrometer or less.
  • the conductive particles are preferably conductive nanoparticles having a primary particle size of 100 nm or less.
  • the average particle diameter exceeds 1 ⁇ m, the BLT described later does not become 5 ⁇ m or less due to the influence of coarse particles, and it is difficult to obtain stable conductivity.
  • a metal particle, an electroconductive inorganic oxide, etc. can be used, and it can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • Examples of the preferable shape of the particles include a spherical shape, a flake shape, a needle shape, and an amorphous shape, but are not limited thereto.
  • the average particle diameter in the present invention is the median diameter (D 50 ) in the volume-based particle size distribution, and the D 50 value is obtained from the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method, and is also a scanning electron microscope (SEM). Etc., and can be calculated from the observed particle image.
  • metal particles examples include gold, nickel, copper, silver, solder, palladium, aluminum, alloys thereof, multilayered products thereof (for example, nickel plating / gold flash plating products), and the like.
  • silver is preferable because it is less affected by coloring due to conductive particles.
  • an inorganic oxide can be used as a conductive inorganic oxide.
  • examples of such inorganic particles imparted with conductivity include ITO (indium-tin oxide), ATO (tin-antimony oxide), titanium oxide (TiO 2 ), boron nitride (BN), and zinc oxide (ZnO). ), Silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), inorganic glass, and the like.
  • ITO, ATO, and silicon oxide that are easily transparent when dispersed in the resin composition are preferable.
  • the conductive inorganic oxide coating layer only needs to be imparted with conductivity, and may be one in which inorganic particles are coated with a metal material such as silver, tin oxide is doped with antimony, and indium oxide is tin.
  • a conductive coating layer may be provided.
  • the shape of the inorganic particles include amorphous, spherical, scale-like, and needle-like shapes.
  • the content of the component (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume, preferably 0.001 to 0.00%, based on the solid content of the component (A).
  • the range is 08% by volume, more preferably 0.01 to 0.05% by volume.
  • the content of the component (B) is 0.1% by volume or more, the high transparency of the adhesive of the present invention is impaired, leading to a decrease in total light transmittance and an increase in haze value. It can not be. Furthermore, it becomes a cause of reducing the light extraction efficiency from the optical semiconductor element.
  • antioxidants such as 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol are used in the present invention. It can mix
  • light stabilizers such as a hindered amine stabilizer, can also be mix
  • an inorganic filler such as fumed silica or nano alumina may be further blended. As needed, you may mix
  • a solvent or the like for the purpose of improving workability.
  • the type of the solvent is not particularly limited, and a solvent that can dissolve the resin composition before curing, disperse the conductive particles well, and provide a uniform die-bonding material or an adhesive can be used. What is necessary is just to adjust suitably the mixture ratio of this solvent according to the working conditions, environment, use time, etc. which use a die-bonding material.
  • Two or more solvents may be used in combination. Examples of such a solvent include butyl carbitol acetate, carbitol acetate, methyl ethyl ketone, ⁇ -terpineol, and cellosolve acetate.
  • the adhesive of the present invention may contain an adhesion-imparting agent for improving the adhesion.
  • the adhesion-imparting agent include silane coupling agents and hydrolysis condensates thereof.
  • silane coupling agents epoxy group-containing silane coupling agents, (meth) acrylic group-containing silane coupling agents, isocyanate group-containing silane coupling agents, isocyanurate group-containing silane coupling agents, amino group-containing silane coupling agents
  • known ones such as mercapto group-containing silane coupling agents are used, preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.3 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of component (A). Can do.
  • the adhesive of the present invention can be produced by mixing each of the above components using a known mixing method, for example, a mixer, a roll or the like.
  • the adhesive of the present invention preferably has a viscosity measured at 25 ° C. using a rotational viscometer such as an E-type viscometer, preferably 10 to 1,000,000 mPa ⁇ s, more preferably 100 to 1,000,000. 000 mPa ⁇ s, particularly preferably 100 to 40,000 mPa ⁇ s.
  • the adhesive of the present invention can be cured by a known curing method such as curing with heat or curing with active energy rays.
  • a thermosetting resin is used as the component (A)
  • the adhesive can be cured by heating at 80 to 200 ° C., preferably 100 to 160 ° C.
  • the heating time may be about 0.5 minutes to 5 hours, particularly about 1 minute to 3 hours.
  • the said hardening method can be suitably selected from balance with work conditions, productivity, a light emitting element, and housing
  • the adhesive of the present invention can be suitably used for fixing a vertical LED chip to a package. Moreover, it can be used suitably also for optical semiconductor elements, such as a light emitting diode (LED), an organic electroluminescent element (organic EL), a laser diode, and an LED array.
  • LED light emitting diode
  • organic EL organic electroluminescent element
  • laser diode and an LED array.
  • the present invention provides a die-bonding material that is made of the above adhesive and can be used for conductively connecting a semiconductor element to a wiring board.
  • the adhesive of the present invention is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and can give a cured product with excellent heat resistance and light resistance. Therefore, the die-bonding material made of the above adhesive can be suitably used as an adhesive for mounting the LED chip on the wiring board without impairing the light extraction efficiency.
  • the cured product obtained by curing the die bonding material of the present invention is preferably used when the BLT is 5 ⁇ m or less.
  • BLT means the distance between members that conduct conductive connection, and can be understood as the thickness of the conductive cured product layer.
  • the BLT is 5 ⁇ m or less, even when only a very small amount of the conductive particles of the component (B) is added, the members can be effectively electrically connected. If there is little content of the said electroconductive particle, a highly transparent hardened
  • the BLT has a small value because the distance between the electrodes becomes narrow. Furthermore, the smaller the BLT value, the more the heat resistance is reduced, which is advantageous for the heat radiation generated by the light emission of the optical semiconductor element.
  • a method for applying the die bond material is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, printing, and compression molding.
  • the thickness of the die bond material may be appropriately selected, and is usually 5 to 50 ⁇ m, particularly 10 to 30 ⁇ m. For example, it can be easily applied by discharging at a temperature of 23 ° C. and a pressure of 0.5 to 5 kgf / cm 2 using a dispensing device. Further, by using a stamping device, a predetermined amount of die bond material can be easily transferred to the substrate.
  • the mounting method of the optical semiconductor element is not particularly limited, and examples thereof include a die bonder.
  • Factors that determine the thickness of the die bond material include the pressure of the optical semiconductor element, the pressure bonding time, and the pressure bonding temperature in addition to the viscosity of the die bond material. These conditions may be appropriately selected according to the outer shape of the optical semiconductor element and the target die bond material thickness, and the pressure bonding load is generally 1 gf or more and 1 kgf or less. Preferably they are 10 gf or more and 100 gf or less. If the pressure bonding load is 1 gf or more, the die bond material can be sufficiently bonded.
  • the crimping time may be appropriately selected in consideration of the productivity of the process, and generally exceeds 0 msec and is 1 sec or less. Preferably, it is 1 msec or more and 30 msec. 1 sec or less is preferable in terms of productivity.
  • compression-bonding temperature Although what is necessary is just to follow the operating temperature range of die-bonding material, Generally it is preferable in it being 15 to 100 degreeC. If there is no heating equipment on the die bonder crimping stage, it can be used in the temperature range near room temperature.
  • the present invention provides a conductive connection method characterized by conductively connecting an optical semiconductor element and a substrate with a BLT of 5 ⁇ m or less using the adhesive of the present invention.
  • a conductive connection method characterized by conductively connecting an optical semiconductor element and a substrate with a BLT of 5 ⁇ m or less using the adhesive of the present invention.
  • the present invention provides an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are conductively connected by the conductive connection method of the present invention. Since the optical semiconductor device of the present invention is obtained by the conductive connection method of the present invention, the light extraction efficiency is high, the heat resistance and the light resistance are ensured, and the conductive connection is reliably achieved. .
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and a substrate are conductively connected using a die bond material made of the adhesive of the present invention.
  • the lower electrode of the optical semiconductor element 4 and the first lead 2 are electrically connected by the die bonding material 1
  • the upper electrode of the optical semiconductor element 4 and the second lead 3 are electrically connected by the wire 5.
  • the optical semiconductor element 4 is sealed with a sealing material 6.
  • the following method can be exemplified.
  • the die bond material 1 is quantitatively transferred to the first lead 2 on the package substrate, and the optical semiconductor element 4 is mounted thereon.
  • the die bond material 1 is cured by heating, and the lower electrode of the optical semiconductor element 4 and the first lead 2 are electrically connected.
  • the BLT is set to 5 ⁇ m or less.
  • Examples of the method for adjusting the BLT to 5 ⁇ m or less include a method for adjusting the viscosity of the composition, a method for adjusting the coating amount of the composition on the substrate, a method for controlling the pressure when the optical semiconductor element is die-bonded to the substrate, and the like. Can be mentioned.
  • the package substrate on which the optical semiconductor element 4 is mounted is electrically connected to the upper electrode of the optical semiconductor element 4 and the second lead 3 using the wire 5. Get the substrate.
  • a fixed amount of the sealing material 6 is applied, and the sealing material 6 is heated and cured.
  • the electrical connection effect by the conductive particles of the component (B) is lost, and it cannot be used as a conductive cured product.
  • the semiconductor element and the substrate cannot be conductively connected.
  • the content of the component (B) is 0.1% by volume or more based on the solid content of the component (A)
  • the conductivity is recovered, but the decrease in the total light transmittance and the increase in the haze value are achieved. Therefore, a highly transparent cured product cannot be obtained. Furthermore, it causes an increase in thermal resistance, which is not preferable.
  • Silicone composition (IV) Commercially available silicone die bond material, product name KER-3000-M2 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Epoxy resin composition (V) Commercially available epoxy die bond material, product name DX-20C (manufactured by Henkel)
  • Silicone composition (VI) commercially available modified silicone die bond material, product name SCR-3400-S5 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Example 1 100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), and Sb doped SnO 2 powder (ATO, product name) having an average particle size of 0.02 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) SN-100P (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 0.1 parts by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), and fumed silica (product name Reosirol DM-30S, Tokuyama Co., Ltd.) (Made) 5 parts by mass was mixed, further kneaded with three rolls, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
  • ATO Sb doped SnO 2 powder
  • Example 2 100 parts by mass of the silicone composition (II) obtained in Preparation Example 2 as the component (A), and Sb doped SnO 2 powder (ATO, product name) having an average particle size of 0.02 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) SN-100P (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 0.1 parts by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (II)) is mixed, further kneaded with three rolls, and degassed under reduced pressure Thus, a paste-like composition was prepared.
  • Sb doped SnO 2 powder ATO, product name
  • Example 3 100 parts by mass of the above silicone composition (IV) as component (A), Sb doped SnO 2 powder having an average particle size of 0.02 ⁇ m as conductive particles of component (B) (ATO, product name SN-100P, Ishihara Sangyo) Co., Ltd.) 0.1 parts by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (IV)) is mixed, further kneaded with three rolls, degassed under reduced pressure, and xylene as a diluent. 5 parts by mass was added and mixed well to prepare a paste-like composition.
  • Example 4 100 parts by weight of the above-mentioned epoxy resin composition (V) as component, silver powder having an average particle size of 0.05 ⁇ m as conductive particles of component (B) (product name Sylbest C-34, specific gravity 10.5, Tokiki Scientific Research) (Made by Tosho) 0.01 parts by mass (0.001% by volume based on the solid content of the epoxy resin composition (V)), further kneaded with three rolls, degassed under reduced pressure and pasty A composition was prepared.
  • component (B) product name Sylbest C-34, specific gravity 10.5, Tokiki Scientific Research) (Made by Tosho) 0.01 parts by mass (0.001% by volume based on the solid content of the epoxy resin composition (V)
  • Example 5 100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), and Sb-doped SnO 2 coated silica powder having an average particle size of 0.35 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) (product name) ES-650E, specific gravity 4.1, manufactured by Titanium Industry Co., Ltd. 0.1 parts by mass (0.024% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) were mixed, and further kneaded with three rolls. And degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
  • Example 6 100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), and Sb doped SnO 2 powder (ATO, product name) having an average particle size of 0.02 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) SN-100P (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 0.01 parts by mass (0.0015% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, fumed silica (product name Reosilol DM-30S, Tokuyama 5 parts by mass) were mixed, further kneaded with three rolls, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
  • ATO Sb doped SnO 2 powder
  • Example 7 (A) 100 parts by weight of the above silicone composition (VI) as the component, (B) silver powder having an average particle size of 0.05 ⁇ m as the conductive particles (product name: Sylbest C-34, specific gravity: 10.5, Tokugawa Institute for Scientific Research) Co., Ltd.) 0.01 parts by mass (0.001% by volume based on the solid content of the silicone composition (VI)), further kneaded with three rolls, degassed under reduced pressure, and pasty composition A product was prepared.
  • Comparative Example 1 100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), and Sb doped SnO 2 powder (ATO, product name) having an average particle size of 0.02 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) SN-100P (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 1.0 part by mass (0.15% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, fumed silica (product name Reosilol DM-30S, Tokuyama 5 parts by mass) were mixed, further kneaded with three rolls, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
  • Sb doped SnO 2 powder ATO, product name
  • Comparative Example 2 100 parts by weight of the silicone composition (III) obtained in Preparation Example 3 as the component (A), and Sb doped SnO 2 powder (ATO, product name) having an average particle size of 0.02 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) SN-100P, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. 1 part by mass (0.15% by volume based on the solid content of the silicone composition (III)), and 5 parts by mass of fumed silica (product name Leosilol DM-30S) as an additive Were further kneaded with three rolls and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
  • Sb doped SnO 2 powder ATO, product name
  • Comparative Example 3 100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), silver powder having an average particle size of 6.9 ⁇ m as the conductive particles of the component (B) (product name: Sylbest TCG-7, Tokiki Scientific Research) (Made by Tosho) 0.1 parts by mass (0.001% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), further kneaded with three rolls, degassed under reduced pressure, and pasty A composition was prepared.
  • An LED package substrate having an indentation for mounting an optical semiconductor element as the LED package substrate and having a silver-plated first lead and a second lead provided on the bottom thereof [SMD5050 (I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., Ltd., resin part PPA (polyphthalamide))]
  • vertical LEDs (EV-B35A manufactured by SemiLEDs) having a main emission peak of 450 nm were prepared as optical semiconductor elements.
  • each die bond material made of the adhesive shown in Examples and Comparative Examples is quantitatively transferred by stamping to the silver-plated first lead of the package substrate, and then on the first lead.
  • An optical semiconductor element was mounted.
  • the mounting conditions of the optical semiconductor element at this time were a pressure bonding time of 13 msec and a pressure bonding load of 60 gf, and were performed in an environment at room temperature of 25 ° C. without using a heating device.
  • the package substrate is put into an oven and each die bond material is heated and cured (Examples 1 to 3, 5 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 are 150 ° C. for 1 hour, and Examples 4 and 4 are 170 ° C. for 1 hour.
  • the LED package substrate on which the optical semiconductor element is mounted is applied to the upper electrode of the optical semiconductor element and the second lead using a gold wire (FA 25 ⁇ m, Tanaka Denshi Kogyo Co., Ltd.). Electrical connection was made to obtain one LED package substrate (120 in number of packages) on which an optical semiconductor element was mounted.
  • a gold wire FA 25 ⁇ m, Tanaka Denshi Kogyo Co., Ltd.
  • a silicone sealing material product name KER2500, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • a dispensing device Super ⁇ CM II manufactured by Musashi Engineering
  • optical semiconductor packages having different die-bonding materials were produced and used for the following tests.
  • the optical semiconductor package filled with the sealing material obtained by the above method is embedded in a commercially available room temperature curable epoxy resin, cut and polished so that the direct underside of the optical semiconductor element can be observed, and BLT can be observed.
  • Sample was prepared. The obtained sample was observed with a laser microscope (VK-8700, manufactured by Keyence Corporation), and the distance between the optical semiconductor element and the substrate was measured at three points to obtain an average value.
  • conductive particles having an average particle size of 1 ⁇ m or less are used as the component (B).
  • the content of the conductive particles (B) is in the range of more than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), and since it is highly transparent, it has a thickness of 2 mm.
  • the cured product has a total light transmittance of 70% or more, a haze value of 60% or less, and a BLT of 5 ⁇ m or less, all packages can be lit and the total luminous flux value is also high. It was. That is, it was a bright package.
  • the conductive connection method of the present invention can produce an optical semiconductor device with high light extraction efficiency and high reliability.
  • Comparative Example 3 which is a composition that does not satisfy the range of the present invention, the average particle diameter of the component (B) is 1 ⁇ m or more, but transparency was obtained, but because BLT exceeds 5 ⁇ m, the conductivity is inferior, 120 Among the packages, a non-lighted package occurred. Moreover, it was inferior also in the durability in a high temperature lighting test.
  • Comparative Example 4 using a general conductive resin composition having no transparency the average particle diameter and the amount of component (B) are out of the scope of the present invention, and the total luminous flux value is high. The package was not obtained.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

　本発明は、接着剤であって、（Ａ）シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含む硬化性樹脂組成物と、（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子とを含有するものであり、前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、前記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下である接着剤である。これにより、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与える接着剤が提供される。

Description

接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置
　本発明は、接着剤、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、及び該方法によって得られた光半導体装置に関する。
　発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、屋外照明用途や自動車用途の光半導体デバイスへの適用が増えてきている。このような光半導体デバイスは、一般に青色光、近紫外光あるいは紫外光を発光する光半導体発光素子から発する光を、波長変換材料である蛍光体によって波長変換して疑似白色が得られるようにした発光装置である。
　近年、光半導体素子の更なる発光効率の向上を目的として、垂直型光半導体素子の開発がなされている。垂直型（Ｖｅｒｔｉｃａｌ）光半導体素子は電極を垂直構造で配置したものであり、単に垂直型ＬＥＤチップとも呼ばれる。垂直型ＬＥＤチップは、発光層に均一に電流が流れることにより、電極を水平配置した構造である同サイズの水平型（ｌａｔｅｒａｌ）ＬＥＤチップに比べ、数十倍の電流を流すことが可能であり、発光層の温度上昇を抑え、発光効率を高めることができる。更に、水平型ＬＥＤチップに見られた局所的な電流密度の増加が抑制され、ＬＥＤの大電流化が可能となるなど、優れた特長を持つため、その実用が進んでいる。
　一方で、垂直型ＬＥＤチップは、前述のとおり電極を垂直構造で配置していることから理解されるように、垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載する場合、一方の電極は従来と同様ワイヤーボンドなどの方法を用いて電気的に接続し、もう一方の電極は共晶半田や導電性接着剤などを用いて電気的に接続する必要がある。
　従来、垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として、共晶半田やエポキシ樹脂組成物に導電性粒子を配合した導電性接着剤が広く用いられている。しかしながら、共晶半田を用いる方法では、ダイボンド時に必要な半田を溶融するための熱により、光半導体の発光層にダメージを与えるため好ましくない。また、近年では、前述の共晶半田やエポキシ樹脂組成物に導電性粒子を配合した導電性接着剤では、光の反射が十分ではなく、光の取り出し効率に劣ることが問題となっている。更に、光半導体デバイスとしたときの設計の自由度の面からも、ダイボンド材には高透明性が求められている。
　一方、導電性接着剤を用いた例として、例えば、特許文献１では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と脂環式エポキシ樹脂を併用し、さらに紫外線吸収剤としてベンゾトリアゾール誘導体を添加することで４５０～５００ｎｍ付近の光に対する耐光性を改善した導電性接着剤が提案されている。しかしながら、この発明における組成物は、白色の酸化チタンや、有色の導電性粒子を多く含有するため、高透明な接着剤とはならない。
　特許文献２には、特定の導電性粉末、（３，５－ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を有するオルガノポリシロキサン及びグリシジル基と反応する硬化触媒（アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤）を含有する、光半導体素子用のダイボンド材が提案されている。しかしながら、イソシアヌリル基に代表される有機基が、短波長の光により劣化を受け、経時で変色、分解するという問題が生じている。更に、該発明では樹脂成分の合計１００質量部に対し３５０～８００質量部の導電性粒子を添加するため、高透明な接着剤とはならない。
　特許文献３には、（ａ）（メタ）アクリル酸アルキルエステル－ブタジエン－スチレン共重合体又は複合体、及び、シリコーン－（メタ）アクリル酸共重合体又は複合体からなる群より選択される少なくとも１種を含む有機微粒子と、（ｂ）ラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、（ｈ）導電性粒子とを含有し、（ｈ）導電性粒子の含有量が、接着剤組成物の固形分全体積を基準として０．１～３０体積％である、接着剤組成物、及び該接着剤組成物からなるフィルム状接着剤が提案されている。しかしながら、上記と同様に、（ｂ）ラジカル重合性化合物にはグリシジル基に代表される有機基が含まれており、短波長の光により劣化を受け、経時で変色、分解するという問題が生じている。また、導電性粒子は接着剤組成物の固形分全体積を基準として０．１～３０体積％含有されるとあるが、硬化物の光透過率、透明性に関する記述は見られず、かつ、本発明者らが検証した結果、この範囲の添加量では高透明な材料とはならない。更に、該発明では、導電性粒子の平均粒径は、良好な分散性及び導電性を得る観点から、１～１８μｍであることが好ましい、との記載があるが、この範囲の平均粒径を有する導電性樹脂材料では、光半導体素子を配線板にダイボンド（導電接続）した際のＢＬＴ（Ｂｏｎｄ　ｌｉｎｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が厚くなり、放熱性にも劣る結果となり、有用な高透明ダイボンド材とはならない。
特許３７６９１５２号公報 特開２０１２－５２０２９号公報 特開２０１２－１４９２７４号公報
　本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与える接着剤を提供することを目的とする。また、該接着剤からなるダイボンド材、該接着剤を用いた導電接続方法、該導電接続方法によって得られた光半導体装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明では、接着剤であって
　（Ａ）シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含む硬化性樹脂組成物と、
　（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
を含有するものであり、
　前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
　前記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下であることを特徴とする接着剤を提供する。
　このような接着剤であれば、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。
　また、前記硬化性樹脂組成物（Ａ）が、
　（Ａ－１）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）一分子中にケイ素原子結合水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
　（Ａ－４）白金族金属系触媒
からなる熱硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。
　このような熱硬化性シリコーン組成物であれば、本発明の接着剤を構成する（Ａ）成分として好適に用いることができる。
　更に本発明では、上記の接着剤からなるダイボンド材を提供する。
　このようなダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するためのダイボンド材として好適に用いることができる。
　この場合、前記ダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴ（Ｂｏｎｄ　ｌｉｎｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が５μｍ以下の場合において使用されるものであることが好ましい。
　このようなダイボンド材であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。
　更に本発明では、上記本発明の接着剤を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法を提供する。
　このような導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。
　更に本発明では、上記本発明の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置を提供する。
　本発明の接着剤は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。また、本発明の導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。そのため、本発明の導電接続方法によって得られた光半導体装置は、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなり、導電接続が確実に達成されたものとなる。
　本発明の接着剤は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与えることができる。そのため、本発明の接着剤は、ダイボンド材として好適に用いることができる。このような接着剤及びダイボンド材は、ＬＥＤチップ、特に垂直型ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として好適に用いることができる。また、本発明の導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。従って、本発明の導電接続方法によって得られた光半導体装置は、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなる。
本発明のダイボンド材を用いて光半導体素子と基板とが導電接続された光半導体装置の一例を示す断面図である。
　以下、本発明をより詳細に説明する。
　上記のように、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を与える接着剤が求められている。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、
　（Ａ）シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含む硬化性樹脂組成物と、
　（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
を含有する接着剤であって、
　前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
　前記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下である接着剤が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
　以下、本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　上述のように、本発明の接着剤は、（Ａ）シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含む硬化性樹脂組成物と、（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子とを含有するものであり、前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、前記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下である接着剤である。
　本発明の接着剤を２ｍｍ厚の硬化物とした時の全光線透過率は、７０％以上であり、好ましくは８０％以上である。全光線透過率が７０％以上であると、硬化後の接着剤は高透明な状態を維持できる。全光線透過率が７０％未満となると、硬化後の接着剤は着色、あるいは濁りが生じていることを意味し、高透明とはならない。全光線透過率の上限は特に制限はなく、より大きければ硬化物は透明になり、光半導体素子からの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。
　また、（ヘイズ値（％））＝（拡散光透過率）／（全光線透過率）×１００で定義されることから理解されるように、拡散光成分の増大及び全光線透過率の減少に伴いヘイズ値は増大し、硬化物は半透明から微濁、さらには白濁に至る。
　本発明の接着剤は、該接着剤を２ｍｍ厚の硬化物とした時のヘイズ値が６０％以下であり、このことは硬化物が透明から半透明の曇りを有する状態であることを意味する。上記ヘイズ値は好ましくは４０％以下である。ヘイズ値が６０％を超えると、硬化物は曇り、光を散乱させる微粒子が多く存在し、高透明ではない。ヘイズ値が６０％以下であれば、光半導体素子からの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。ヘイズ値の下限は特に制限はなく、より小さければ硬化物の曇りが少なくなり、すなわち、透明になり、ＬＥＤデバイスからの光の取り出しの妨げになることもないため好ましい。
［（Ａ）硬化性樹脂組成物］
　（Ａ）成分の硬化性樹脂組成物は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含むものである。
　上記硬化性樹脂組成物としては、目的の物性、透明性を有する樹脂又は組成物（すなわち、上記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下であるもの）を選択すればよく、２種以上を任意に組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分は、透明性、耐熱性、耐光性の観点から、シリコーン樹脂又は変性シリコーン樹脂であることが好ましい。（Ａ）成分として、本発明の範囲を満たす市販品を用いてもよい。
　また、（Ａ）成分は、室温（２５℃）における粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下である。上記粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上であれば、後述の（Ｂ）成分を、硬化性樹脂組成物中に比重に影響を受けることなく良好に分散させることができる。上記粘度が１００００ｍＰａ・ｓ以下であれば、組成物の粘度が高くなりすぎず、ＢＬＴが大きくなりすぎたり、塗布工程における不具合、具体的には高粘度液体を塗布する際の速度低下による作業性の低下、組成物の糸引きによる塗布量のバラツキ、及びデバイスの汚れ等が発生する恐れがないため好ましい。
　また、（Ａ）成分として、熱硬化性の樹脂組成物を用いるのが好ましい。（Ａ）成分として、シリコーン組成物を選択した場合であれば次に例示するような熱硬化型シリコーン組成物が好ましいが、これに限定されるわけではない。
［熱硬化性シリコーン組成物］
　上記熱硬化性シリコーン組成物として、例えば、
　（Ａ－１）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）一分子中にケイ素原子結合水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
　（Ａ－４）白金族金属系触媒
からなる熱硬化性シリコーン組成物を例示することができる。
　以下、各成分について具体的に説明する。
〈（Ａ－１）脂肪族不飽和結合含有オルガノポリシロキサン〉
　ベース成分である（Ａ－１）成分は、一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンである。該オルガノポリシロキサンは、作業性、硬化性などの点から、室温における粘度が１００ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上５０００ｍＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。
　上記オルガノポリシロキサンの分子構造は、本質的に直鎖状であり、好ましくは直鎖状である。ここで、「本質的に直鎖状である」とは、本成分中の両末端を封鎖するトリオルガノシロキシ基以外の全てのシロキサン単位が、主に２官能単位（Ｄ単位）（具体的には、式：Ｒ１ ２ＳｉＯで表される単位）で構成されるが、分岐を形成する３官能単位（Ｔ単位）（具体的には、式：Ｒ１ＳｉＯ３／２で表される単位）及び４官能単位（Ｑ単位）（具体的には、式：ＳｉＯ４／２単位で表される単位）のうち少なくとも１種のシロキサン単位を、全シロキサン単位の３モル％以下、好ましくは２モル％以下の量で含有してもよいことを意味する。中でも、好ましくは両末端のみが１官能性単位（Ｍ単位）（具体的には、式：Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２で表される単位）で構成され、その他のシロキサン単位がすべてＤ単位からなる直鎖状のジオルガノポリシロキサンである。ここで、Ｒ１は置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。
　Ｒ１の一価炭化水素基としては、炭素原子数１～１０、特に１～６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；シクロヘキシル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；シクロヘキセニル基；及びこれらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。
　（Ａ－１）成分のオルガノポリシロキサンは、一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有する。脂肪族不飽和結合としては、炭素原子数２～８、特に２～６のアルケニル基及びシクロアルケニル基が挙げられ、具体的にはビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基を例示することができる。中でも、好ましくはビニル基及びアリル基である。
　（Ａ－１）成分のオルガノポリシロキサンの好ましい具体例としては、下記一般式（１）で表される、分子鎖両末端のケイ素原子のおのおのに少なくとも１個のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンを例示することができる。このオルガノポリシロキサンの室温における粘度は、上記でも述べた通り、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であり、より好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上５０００ｍＰａ・ｓ以下である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式中、Ｒ１は上述の通り、独立に、非置換又は置換の一価炭化水素基である。Ｒ２は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有しない非置換又は置換の一価炭化水素基である。ｋ及びｍは独立に０又は正の整数であり、ｋ＋ｍはこのオルガノポリシロキサンの室温における粘度が好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下となる数である。）
　Ｒ２の脂肪族不飽和結合を有しない非置換又は置換の一価炭化水素基としては、炭素原子数１～１０、特に１～６のものが好ましく、上記Ｒ１の具体例と同様のものが例示できるが、但しアルケニル基及びシクロヘアルケニル基は含まない。
　ｋ及びｍは、好ましくは０≦ｋ≦２，０００、１≦ｍ≦１０，０００で、かつ１≦ｋ＋ｍ≦１０，０００を満たす０又は正の整数であり、より好ましくは５≦ｋ＋ｍ≦２，０００で、かつ０≦ｋ／（ｋ＋ｍ）≦０．２を満たす整数である。
　一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンとして、より具体的には、下記のものを例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （上記式において、ｋ及びｍは上述した通りである。）
　（Ａ－１）成分のオルガノポリシロキサンのさらに具体的な例は以下の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
〈（Ａ－２）樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン〉
　上記熱硬化性シリコーン組成物では、脂肪族不飽和結合を有するオルガノポリシロキサンとして、（Ａ－１）成分の本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンとともに、樹脂構造を有するオルガノポリシロキサンが（Ａ－２）成分として使用される。
　（Ａ－２）成分の脂肪族不飽和基を有する樹脂構造のオルガノポリシロキサンは、予め三次元架橋され、三次元網状構造を有する。該オルガノポリシロキサンは、Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２単位と、ＳｉＯ４／２単位とからなるが、さらに場合によりＲ１ＳｉＯ３／２単位およびＲ１ ２ＳｉＯ単位の少なくとも一種を含んでもよい。すなわち、基本的に、Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなるが、任意的にＲ１ＳｉＯ３／２単位および／またはＲ１ ２ＳｉＯ単位を適宜含有してよいものである。好ましくは、Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ２単位とからなる。ここで、Ｒ１は同じもしくは異なり、独立に、置換又は非置換の、好ましくは炭素原子数１～１０の、一価炭化水素基であり、（Ａ－１）成分に関して説明したとおりである。
　また、このオルガノポリシロキサンは、重量平均分子量が５００～１０，０００の範囲であるものが好適である。
　（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンは「樹脂構造を有する」点で（Ａ－１）成分の本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンと相違する。本明細書において、（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンが「樹脂構造を有する」とは、該オルガノポリシロキサン中の全シロキサン単位のうち、５モル％以上、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは１５～７５モル％、更に好ましくは２５～５０モル％が、ＳｉＯ４／２単位からなることを意味する。この単位は分子のシロキサン骨格を三次元網状構造にする作用を有する。
　（Ａ－２）成分の樹脂構造を有するオルガノポリシロキサンとして好ましいものは、ＳｉＯ４／２単位（ＱＢ単位）、Ｒ３ ｎＲ４ ｐＳｉＯ１／２単位（ＭＢ１単位）、及びＲ３ ｑＲ４ ｒＳｉＯ１／２単位（ＭＢ２単位）から基本的になり、任意に二官能性シロキサン単位及び三官能性シロキサン単位（すなわち、オルガノシルセスキオキサン単位）のいずれか又は両方を適宜含んでよいオルガノポリシロキサンである。ここで、Ｒ３はビニル基又はアリル基であり、Ｒ４は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基である。ｎは２又は３、ｐは０又は１であり、かつｎ＋ｐ＝３となる数である。ｑは０又は１、ｒは２又は３であり、かつｑ＋ｒ＝３となる数である。
　なお、Ｒ４の脂肪族不飽和結合を含まない置換又は非置換の一価炭化水素基としては、上記Ｒ２と同様の炭素原子数１～１０、特に１～６のものが挙げられる。
　ここで、ＱＢ単位のモル数をｓ、ＭＢ１単位のモル数をｍ１、ＭＢ２単位のモル数をｍ２としたときに、次の関係式（イ）及び（ロ）：
　　（ｍ１＋ｍ２）／ｓ＝０．３～３、特に０．７～１　　　（イ）
　　ｍ２／ｓ＝０．０１～１、特に０．０７～０．１５　　　（ロ）
を満たすことが好ましい。
　このような樹脂構造のオルガノポリシロキサンの合成は、それぞれの単位源となる化合物を、生成単位が所要の割合となるように組み合わせ、例えば酸の存在下で共加水分解を行うことによって容易に行うことができる。
　ここで、上記ＱＢ単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等を例示することができる。
　また、ＭＢ１単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　更に、ＭＢ２単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　この（Ａ－２）成分の樹脂構造を有するオルガノポリシロキサンは、得られる硬化物の硬度を調整するために配合されるものであり、上記（Ａ－１）成分と（Ａ－２）成分の合計量当り、好ましくは０．１～５０質量％、より好ましくは１～３０質量％の量で配合される。該（Ａ－２）成分の割合を調整することにより、硬化物の硬さを調整することができる。
〈（Ａ－３）オルガノハイドロジェンポリシロキサン〉
　（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分と反応し、架橋剤として作用するものであり、該成分中のＳｉＨ基と（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基とが付加反応することにより硬化物を形成するものである。（Ａ－３）成分は、一分子中に平均２個以上、好ましくは平均３個以上のケイ素原子結合水素原子（ＳｉＨ基）を有するものであり、通常、３～１，０００個、好ましくは３～５００個、より好ましくは３～２００個、更に好ましくは４～１００個程度のケイ素原子結合水素原子を有することが望ましい。
　（Ａ－３）成分の分子構造には特に制限はなく、従来付加反応硬化型シリコーン組成物に架橋剤として使用されているいずれも使用することができ、例えば線状、環状、分岐状、三次元網状構造（樹脂状）等各種のものが使用可能である。
　一分子中に２個以上、好ましくは３個以上含有されるケイ素原子結合水素原子は、分子鎖末端及び分子鎖非末端のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置するものであってもよい。かかる水素原子以外の、ケイ素原子に結合した一価の原子又は置換基は、すべて脂肪族不飽和結合を含まない、好ましくは炭素原子数１～１０の、非置換又は置換の一価炭化水素基である。
　上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンの一分子中のケイ素原子の数（すなわち、重合度）は、通常２～１，０００個、好ましくは３～３００個、より好ましくは４～１５０個程度のものが望ましく、室温における粘度が、通常０．１～１００，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは、０．５～５，０００ｍＰａ・ｓ程度の、室温で液状のものを使用することができる。
　このオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば、下記平均組成式（２）で示されるものが用いられる。
　Ｒ５ＨｃＳｉＯ（４－ｂ－ｃ）／２　　　　　　　　　　　　　　　　　（２）
（式中、Ｒ５は、脂肪族不飽和結合を含まない、好ましくは炭素原子数１～１０の、ケイ素原子に結合した非置換又は置換の一価炭化水素基であり、ｂは０．７～２．１の数、ｃは０．００１～１．０数であって、かつｂ＋ｃが０．８～３．０の範囲である。）
　上記Ｒ５で表される脂肪族不飽和結合を含まない非置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等が挙げられる。これらの非置換又は置換の一価炭化水素基の中でも、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
　また、好ましくは、ｂは１．０～２．０の数、ｃは０．０１～１．０の数であって、ｂ＋ｃが１．５～２．５の範囲である。
　このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、Ｒ５ＳｉＨＣｌ２、（Ｒ５）３ＳｉＣｌ、（Ｒ５）２ＳｉＣｌ２、（Ｒ５）２ＳｉＨＣｌ（Ｒ５は、上記の通りである）のようなクロロシランを加水分解するか、加水分解して得られたシロキサンを平衡化することにより得ることができる。
　平均組成式（２）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして、具体的には、例えば、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス（ハイドロジェンジメチルシロキシ）メチルシラン、トリス（ハイドロジェンジメチルシロキシ）フェニルシラン、メチルハイドロジェンシクロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ単位と（Ｃ６Ｈ５）３ＳｉＯ１／２単位とからなる共重合体などが挙げられる。
　さらに具体的には、下記式で表される構造のハイドロジェンオルガノシロキサンが例示できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　（上記式中、Ｌは０～２００の整数、Ｍは１～２００の整数、Ｒ６はエポキシ基、（メタ）アクリロキシ基、アルコキシシリル基から選ばれる官能基を含有する官能基置換アルキル基である。）
　なお、（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、上記（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分の硬化有効量であり、特にこれに含まれるケイ素原子結合水素原子が、（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基の合計１モル当たり０．８～４．０モルであることが好ましく、１．０～３．０モルであることがより好ましく、１．０～２．０モルであることがさらに好ましい。（Ａ－３）成分が４．０モル以下であれば、未反応のケイ素原子結合水素原子が硬化物中に多量に残存した結果、ゴム物性が経時的に変化する原因となる恐れがないため好ましい。
〈（Ａ－４）白金族金属系触媒〉
　（Ａ－４）成分の白金族金属系触媒は本発明の組成物の付加硬化反応を生じさせる作用を有する。該触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、Ｈ２ＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ６、ＫＨＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ４，Ｋ２ＰｔＣｌ４・ｍＨ２Ｏ、ＰｔＯ２・ｍＨ２Ｏ（ｍは、正の整数）等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等が挙げられる。これらは一種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
　（Ａ－４）成分の配合量はヒドロシリル化触媒としての有効量でよく、好ましくは（Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対して白金族金属元素の質量換算で０．１～１，０００ｐｐｍの範囲であり、より好ましくは１～５００ｐｐｍの範囲である。
［（Ｂ）導電性粒子］
　本発明の接着剤を構成する（Ｂ）成分は、平均粒径１μｍ以下の導電性粒子である。上記導電性粒子は、一次粒径で１００ｎｍ以下の導電性ナノ粒子であることが好ましい。平均粒径が１μｍを超えると、粗大粒子の影響で、後に述べるＢＬＴが５μｍ以下とはならず、安定した導電性を得ることが難しい。平均粒径の下限に特に制限はない。このような導電性粒子としては、金属粒子、導電性無機酸化物等を用いることができ、単独又は２種以上を混合して使用することができる。粒子の好ましい形状として、球状、フレーク状、針状、無定型等が挙げられるが、この限りではない。
　本発明における平均粒径は、体積基準粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）であり、Ｄ５０値は、レーザー回折・散乱法により得られた粒度分布から求められるほか、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いて観測された粒子像から算出することができる。
　金属粒子としては、例えば、金、ニッケル、銅、銀、半田、パラジウム、アルミニウム、それらの合金、それらの多層化物（例えば、ニッケルメッキ／金フラッシュメッキ物）等を挙げることができる。中でも、導電性粒子による着色の影響が小さい、銀が好ましい。
　また、導電性無機酸化物として、無機酸化物（無機粒子）に導電性を付与したものを使用することができる。このような導電性を付与した無機粒子としては、ＩＴＯ（インジウム－スズ系酸化物）、ＡＴＯ（スズ－アンチモン系酸化物）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、無機ガラスなどが挙げられる。中でも、樹脂組成物中に分散した時に、透明となりやすいＩＴＯ、ＡＴＯ、酸化ケイ素が好ましい。導電性無機酸化物の被覆層は、導電性を付与されておれば良く、無機粒子を銀などの金属材料で被覆したものであっても良いし、酸化錫にアンチモンをドープ、酸化インジウムに錫をドープするなど、導電性の被覆層を設けても良い。無機粒子の形状としては無定型、球状、鱗片状、針状等を挙げることができる。
　本発明の接着剤において、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満であり、好ましくは０．００１～０．０８体積％、より好ましくは０．０１～０．０５体積％の範囲である。（Ｂ）成分の含有量が０．１体積％以上となると、本発明の接着剤の高透明性が損なわれ、全光線透過率の低下及びヘイズ値の上昇を招くため、高透明な硬化物とすることができない。更に、光半導体素子からの光取り出し効率を低下させる原因となる。
［（Ｃ）その他の成分］
　組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を本発明の接着剤に配合することができる。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明の接着剤に配合することもできる。
　本発明の接着剤の強度を向上させ、チクソ性を付与するために、更に、ヒュームドシリカ、ナノアルミナ等の無機質充填剤を配合してもよい。必要に応じて、本発明の接着剤に、染料、顔料、難燃剤等を配合してもよい。
　また、作業性を改善する目的で溶剤等を添加して使用することも可能である。溶剤の種類は特に制限されるものでなく、硬化前の樹脂組成物を溶解し、導電性粒子を良好に分散させ、均一なダイボンド材あるいは接着剤等を提供できる溶剤を使用することができる。該溶剤の配合割合はダイボンド材等を使用する作業条件、環境、使用時間等に応じて適宜調整すればよい。溶剤は２種以上を併用してもよい。このような溶剤としては、ブチルカルビトールアセテート、カルビトールアセテート、メチルエチルケトン、α－テルピネオール、及びセロソルブアセテート等が挙げられる。
　また、本発明の接着剤は、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有してもよい。この接着付与剤としては、シランカップリング剤やその加水分解縮合物等が例示される。シランカップリング剤としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤、イソシアネート基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等公知のものが例示され、（Ａ）成分の合計１００質量部に対して好ましくは０．１～２０質量部、より好ましくは０．３～１０質量部用いることができる。
　本発明の接着剤は、上記各成分を、公知の混合方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造することができる。また、本発明の接着剤は、回転粘度計、例えば、Ｅ型粘度計を用いて２５℃で測定した粘度が好ましくは１０～１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１００～１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特に好ましくは１００～４０，０００ｍＰａ・ｓである。
　本発明の接着剤は、熱による硬化、活性エネルギー線による硬化など、公知の硬化方法により硬化させることができる。具体的には、（Ａ）成分に熱硬化性樹脂を用いた場合、通常８０～２００℃、好ましくは１００～１６０℃で加熱することにより、該接着剤を硬化させることができる。加熱時間は、０．５分～５時間程度、特に１分～３時間程度でよい。上記硬化方法は、作業条件、生産性、発光素子及び筐体耐熱性とのバランスから適宜選定することができる。
　本発明の接着剤は、垂直型ＬＥＤチップをパッケージに固定するために好適に用いることができる。また、その他発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機電界発光素子（有機ＥＬ）、レーザーダイオード、及びＬＥＤアレイ等の光半導体素子にも好適に用いることができる。
　更に本発明では、上記接着剤からなり、半導体素子を配線板に導電接続するために使用することができるダイボンド材を提供する。
　本発明の接着剤は、高透明であり、かつ接着強度及び作業性に優れ、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を与えることができる。従って、上記接着剤からなるダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するための接着剤として光の取り出し効率を損なうことなく好適に用いることができる。
　更に、本発明のダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴが５μｍ以下の場合において使用されるものであることが好ましい。ＢＬＴは導電接続を行う部材間の距離を意味し、導電性硬化物層の厚さと理解できる。ＢＬＴが５μｍ以下であると、（Ｂ）成分の導電性粒子が極微量しか添加されていない場合であっても、部材間を有効に電気的に接続することができる。上記導電性粒子の含有量が少なければ、より高透明な硬化物を得ることができ、また、経済的にも有用である。ＢＬＴは小さい値をとる方が、電極間距離が狭くなるため好ましい。更に、ＢＬＴは小さい値をとる方が、熱抵抗が低減されることから、光半導体素子の発光によって発せられた熱の放熱にも有利である。
　ダイボンド材を塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコーティング、印刷、及び圧縮成形等が挙げられる。ダイボンド材の厚みは適宜選択すればよく、通常５～５０μｍ、特には１０～３０μｍである。例えば、ディスペンス装置を用いて２３℃の温度、０．５～５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で吐出することで容易に塗布ができる。また、スタンピング装置を用いることで、所定の量のダイボンド材を基板に転写することでも容易にできる。
　光半導体素子の搭載方法は特に制限されず、例えば、ダイボンダーが挙げられる。ダイボンド材の厚みを決定する要素は、前述のダイボンド材の粘度に加え、光半導体素子の圧着荷重、圧着時間、圧着温度が挙げられる。これら条件は、光半導体素子の外形形状、目的とするダイボンド材厚みに応じて適宜選択すればよく、圧着荷重は一般的に１ｇｆ以上１ｋｇｆ以下である。好ましくは１０ｇｆ以上１００ｇｆ以下である。１ｇｆ以上の圧着荷重であれば、ダイボンド材を十分に圧着することができる。また１ｋｇｆ以下の圧着荷重を用いれば、光半導体素子表面の発光層にダメージを与えることがない。圧着時間は工程の生産性との兼ね合いで適宜選択すればよく、一般的に０ｍｓｅｃを超え１ｓｅｃ以下である。好ましくは１ｍｓｅｃ以上３０ｍｓｅｃである。１ｓｅｃ以下であれば生産性の点で好ましい。圧着温度は特に制限はなく、ダイボンド材の使用温度範囲に従えばよいが、一般的に１５℃以上１００℃以下であると好ましい。ダイボンダーの圧着ステージに加温設備が無い場合は室温付近での温度帯で使用すればよい。１５℃以上であれば、ダイボンド材の粘度が高くなりすぎないため十分に圧着することができる。１００℃以下であれば、ダイボンド材の硬化が始まることがないため、目的とするダイボンド材の厚さに到達することができる。
　更に本発明では、上記本発明の接着剤を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法を提供する。このような導電接続方法であれば、光半導体素子と基板との導電接続を確実に達成することができる。
　更に本発明では、上記本発明の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置を提供する。本発明の光半導体装置は、本発明の導電接続方法によって得られたものであるため、光取り出し効率が高く、耐熱性及び耐光性を有するものとなり、導電接続が確実に達成されたものとなる。
　以下、本発明の光半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。図１は、本発明の接着剤からなるダイボンド材を用いて光半導体素子と基板とが導電接続された光半導体装置の一例を示す断面図である。この光半導体装置は、光半導体素子４の下部電極と第１のリード２をダイボンド材１により、電気的に接続し、光半導体素子４の上部電極と第２のリード３をワイヤー５により電気的に接続し、光半導体素子４を封止材６で封止したものである。
　図１の光半導体装置の製造方法（本発明の導電接続方法）としては、以下の方法を例示できる。
　パッケージ基板上の第１のリード２に、ダイボンド材１を定量転写し、その上に光半導体素子４を搭載する。次にダイボンド材１を加熱硬化させ、光半導体素子４の下部電極と第１のリード２を電気的に接続する。この際、本発明の導電接続方法では、ＢＬＴを５μｍ以下とする。ＢＬＴを５μｍ以下とする方法としては、例えば、組成物の粘度を調整する方法、組成物の基板への塗布量を調節する方法、光半導体素子を基板にダイボンドする際の圧力を制御する方法等を挙げることができる。次いで、光半導体素子４が搭載されたパッケージ基板を、光半導体素子４の上部電極と第２のリード３に対してワイヤー５を用いて電気的に接続し、光半導体素子４が搭載されたパッケージ基板を得る。次いで、封止材６を定量塗布し、封止材６の加熱硬化を行う。
　本発明の接着剤を硬化して得られる硬化物のＢＬＴが５μｍを超えると、（Ｂ）成分の導電性粒子による電気的な接続効果が失われ、導電性の硬化物として用いることができず、半導体素子と基板とを導電接続することができない。この場合、（Ｂ）成分の含有量を（Ａ）成分の固形分を基準として０．１体積％以上とすれば導電性は回復するが、全光線透過率の低下、及びヘイズ値の上昇を招くため、高透明な硬化物とすることができない。更に、熱抵抗の増大の原因となるため、好ましくない。
　以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。なお、下記の例において、各成分の平均組成を示す記号は以下の通りの単位を示す。
　　ＭＨ：（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２
　　Ｍ：（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２
　　ＭＶｉ：（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２
　　ＤＨ：（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２
　　Ｄφ：（Ｃ６Ｈ６）２ＳｉＯ２／２
　　Ｄ：（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２
　　Ｔφ：（Ｃ６Ｈ６）２ＳｉＯ３／２
　　Ｑ：ＳｉＯ４／２
［（Ａ）成分］
［調製例１］
（（Ａ－１）成分）平均組成式：ＭＶｉＤ４０ＭＶｉのシリコーンオイル３５質量部、
（（Ａ－２）成分）Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８であるシリコーンレジン６５質量部、
（（Ａ－３）成分）平均構造式：ＭＤＨ ８０Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン８質量部、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
　エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
　γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
を撹拌、混合してシリコーン組成物（Ｉ）を調製した。
［調製例２］
（（Ａ－１）成分）平均組成式：ＭＶｉ ２Ｄφ ２．８のシリコーンオイル：３１質量部、
（（Ａ－２’）成分）平均組成式：Ｔφ ０．７５ＭＶｉ ０．２５で表される分岐鎖状オルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１６００］５９質量部、
（（Ａ－３）成分）平均組成式：ＭＨＤＨ ２Ｄφ ２ＭＨで表されるメチルハイドロジェンシロキサン：６．４質量部、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
　エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
　γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
を撹拌、混合してシリコーン組成物（ＩＩ）を調製した。
［調製例３］
（（Ａ－１）成分）平均組成式：ＭＶｉＤ３００ＭＶｉのシリコーンオイル３５質量部、
（（Ａ－２）成分）Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８であるシリコーンレジン６５質量部、
（（Ａ－３）成分）平均構造式：ＭＤＨ ８０Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン８質量部、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
　エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
　γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
を撹拌、混合してシリコーン組成物（ＩＩＩ）を調製した。
［その他（Ａ）成分］
シリコーン組成物（ＩＶ）：市販のシリコーンダイボンド材、製品名ＫＥＲ－３０００－Ｍ２（信越化学工業社製）
エポキシ樹脂組成物（Ｖ）：市販のエポキシダイボンド材、製品名ＤＸ－２０Ｃ（ヘンケル社製）
シリコーン組成物（ＶＩ）：市販の変性シリコーンダイボンド材、製品名ＳＣＲ－３４００－Ｓ５（信越化学工業社製）
［実施例１～７］
（実施例１）
　（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．０１５体積％）、添加材として煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ－３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（実施例２）
　（Ａ）成分として調製例２で得られたシリコーン組成物（ＩＩ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（ＩＩ）の固形分を基準として０．０１５体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（実施例３）
　（Ａ）成分として上記シリコーン組成物（ＩＶ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（ＩＶ）の固形分を基準として０．０１５体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡し、希釈剤としてキシレンを５質量部加え良く混合してペースト状の組成物を調製した。
（実施例４）
　（Ａ）成分として上記エポキシ樹脂組成物（Ｖ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０５μｍの銀粉（製品名シルベストＣ－３４、比重１０．５、徳力科学研究所社製）０．０１質量部（エポキシ樹脂組成物（Ｖ）の固形分を基準として０．００１体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（実施例５）
　（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．３５μｍのＳｂド―プＳｎＯ２被覆シリカ粉（製品名ＥＳ－６５０Ｅ、比重４．１、チタン工業社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．０２４体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（実施例６）
　（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）０．０１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．００１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ－３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（実施例７）
　（Ａ）成分として上記シリコーン組成物（ＶＩ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０５μｍの銀粉（製品名シルベストＣ－３４、比重１０．５、徳力科学研究所社製）０．０１質量部（シリコーン組成物（ＶＩ）の固形分を基準として０．００１体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
［比較例１～４］
（比較例１）
　（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）１．０質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ－３０Ｓ、トクヤマ社製）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（比較例２）
　（Ａ）成分として調製例３で得られたシリコーン組成物（ＩＩＩ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径０．０２μｍのＳｂド―プＳｎＯ２粉（ＡＴＯ、製品名ＳＮ－１００Ｐ、石原産業社製）１質量部（シリコーン組成物（ＩＩＩ）の固形分を基準として０．１５体積％）、添加材として、煙霧状シリカ（製品名レオシロールＤＭ－３０Ｓ）５質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（比較例３）
　（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物（Ｉ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径６．９μｍの銀粉（製品名シルベストＴＣＧ－７、徳力科学研究所社製）０．１質量部（シリコーン組成物（Ｉ）の固形分を基準として０．００１体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
（比較例４）
　（Ａ）成分として上記エポキシ組成物（Ｖ）１００質量部、（Ｂ）成分の導電性粒子として平均粒径６．９μｍの銀粉（製品名シルベストＴＣＧ－７、比重１０．５、徳力科学研究所社製）３１０質量部（エポキシ組成物（Ｖ）の固形分を基準として２９．５体積％）を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してペースト状の組成物を調製した。
　実施例１～７、比較例１～４の組成物について、以下の諸特性を測定した。結果を表１、表２に示す。
［ヘイズ測定、及び全光線透過率の測定］
　日本電色工業社製　ヘイズメーターＮＤＨ－５０００ＳＰを用いてヘイズ測定、及び全光線透過率の測定を行った。
　上記の条件で混合した試料を、２ｍｍ厚のセルに流し込み、所定の条件（実施例１～３、５～７、比較例１～３は１５０℃　１時間、実施例４及び比較例４は１７０℃　１時間）で加熱硬化を行い、表面が清浄な２ｍｍ厚の硬化物を得、これを測定部にセットし測定した。３度の測定におけるヘイズ値、全光線透過率の平均値を求めた。
［粘度の測定］
　実施例及び比較例に示す組成物からなる各ダイボンド材の粘度をＥ型粘度計（東機産業株式会社製　ＲＥ８０Ｕ）を用いて２５℃、５０ｒｐｍで測定した。
［光半導体パッケージの作製］
　ＬＥＤ用パッケージ基板として、光半導体素子を載置する凹部を有し、その底部に銀メッキされた第１のリードと第２のリードが設けられたＬＥＤ用パッケージ基板［ＳＭＤ５０５０（Ｉ－ＣＨＩＵＮ　ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ　ＩＮＤＵＳＴＲＹ　ＣＯ．，社製、樹脂部ＰＰＡ（ポリフタルアミド））］、光半導体素子として、主発光ピークが４５０ｎｍの垂直型ＬＥＤ（ＳｅｍｉＬＥＤｓ社製　ＥＶ－Ｂ３５Ａ）を、それぞれ用意した。
　ダイボンダー（ＡＳＭ社製　ＡＤ－８３０）を用いて、パッケージ基板の銀メッキされた第１のリードに、実施例及び比較例に示す接着剤からなる各ダイボンド材をスタンピングにより定量転写し、その上に光半導体素子を搭載した。このときの光半導体素子の搭載条件は、圧着時間１３ｍｓｅｃ、圧着荷重６０ｇｆであり、加温装置を用いず室温２５℃の環境で行った。次にパッケージ基板をオーブンに投入し各ダイボンド材を加熱硬化させ（実施例１～３、５～７、比較例１～３は１５０℃　１時間、実施例４及び比較例４は１７０℃　１時間）、光半導体素子の下部電極と第１のリードを電気的に接続した。次いでワイヤーボンダーを用いて、該光半導体素子が搭載された該ＬＥＤ用パッケージ基板を、光半導体素子の上部電極と第２のリードに対して金ワイヤー（田中電子工業社製　ＦＡ　２５μｍ）を用いて電気的に接続し、光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板各１枚（パッケージ数にして１２０個）を得た。
　次いで、上記で得られた光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板に対し、ディスペンス装置（武蔵エンジニアリング製、ＳｕｐｅｒΣ　ＣＭ　ＩＩ）を用いて、シリコーン封止材（製品名ＫＥＲ２５００、信越化学工業株式会社製）を定量塗布し、１５０℃、４時間で封止材の加熱硬化を行った。
　上記のようにして、ダイボンド材の異なる光半導体パッケージを作製し、以下の試験に用いた。
［点灯数の確認］
　上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージ全数（１２０個）の点灯検査を行い（印加電流ＩＦ＝２０ｍＡ）、点灯した光半導体装置の数を数えた。
［ＢＬＴの測定］
　上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージを、市販の室温硬化型エポキシ樹脂で埋包し、光半導体素子の直下が観察できるように切断、研磨し、ＢＬＴが観察可能な試料を作製した。得られた試料をレーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製　ＶＫ－８７００）で観察し、光半導体素子－基板間の距離を３点測定し、平均値を求めた。
［全光束の測定］
　上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージ１０個を、全光束測定システム　ＨＭ－９１００（大塚電子（株）製）を用い、全光束値（Ｌｍ）を測定し（印加電流ＩＦ＝３５０ｍＡ）、平均値を求めた。
［高温点灯試験］
　上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち１０個を、高温下（８５℃）で、３５０ｍＡ通電、１０００時間点灯した後、試験後のサンプルの通電試験を行い、点灯した試験片数／総試験片数を数えた。
　得られた結果を表１、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１に示すように、本発明の範囲を満たす接着剤からなるダイボンド材を用いた実施例１～実施例７では、いずれも、（Ｂ）成分として平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子を含有し、上記（Ｂ）導電性粒子の含有量が、（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく０．１体積％未満の範囲であって、高透明であるため２ｍｍ厚の硬化物とした時の全光線透過率が７０％以上、かつヘイズ値が６０％以下であり、更にＢＬＴが５μｍ以下であるため、すべてのパッケージで点灯可能であり全光束値も高い値を示した。すなわち、明るいパッケージであった。また、高温通電試験（高温点灯試験）でもダイボンド材に外観の変化はなく、すべてのパッケージで点灯可能であった。これらの結果から、本発明の導電接続方法であれば、光の取り出し効率が高く、信頼性の高い光半導体デバイスを製造できることがわかった。
　一方、表２に示すように、（Ｂ）成分が（Ａ）成分の固形分を基準として０．１体積％以上であり、本発明の範囲を満たさない接着剤を用いた比較例１、２では、透明性が不十分であり、全光束値の高いパッケージは得られなかった。
　（Ｂ）成分の平均粒径が１μｍ以上であり、本発明の範囲を満たさない組成物である比較例３では、透明性は得られたが、ＢＬＴが５μｍを超えるため導電性に劣り、１２０個のパッケージ中、不点灯のパッケージが発生した。また、高温点灯試験における耐久性にも劣るものであった。
　一般的な、透明性を有していない導電性樹脂組成物を用いた比較例４は、（Ｂ）成分の平均粒径及び添加量が本発明の範囲から外れており、全光束値の高いパッケージは得られなかった。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (6)

  1. 　接着剤であって
    　（Ａ）シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及び変性エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種以上を含む硬化性樹脂組成物と、
    　（Ｂ）平均粒径が１μｍ以下の導電性粒子と
    を含有するものであり、
    　前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の固形分を基準として０体積％より大きく、かつ０．１体積％未満の範囲であり、
    　前記接着剤を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が７０％以上であり、かつヘイズ値が６０％以下であることを特徴とする接着剤。
  2. 　前記硬化性樹脂組成物（Ａ）が、
    　（Ａ－１）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、
    　（Ａ－２）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン、
    　（Ａ－３）一分子中にケイ素原子結合水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
    　（Ａ－４）白金族金属系触媒
    からなる熱硬化性シリコーン組成物であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載の接着剤からなるものであることを特徴とするダイボンド材。
  4. 　前記ダイボンド材を硬化して得られる硬化物はＢＬＴ（Ｂｏｎｄ　ｌｉｎｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が５μｍ以下の場合において使用されるものであることを特徴とする請求項３に記載のダイボンド材。
  5. 　請求項１又は請求項２に記載の接着剤を用いて、ＢＬＴを５μｍ以下として光半導体素子と基板とを導電接続することを特徴とする導電接続方法。
  6. 　請求項５に記載の導電接続方法によって光半導体素子と基板とが導電接続されたものであることを特徴とする光半導体装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018115302A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 田島ルーフィング株式会社 防水施工用導電性接着剤組成物および防水構造
JP6702224B2 (ja) * 2017-02-17 2020-05-27 信越化学工業株式会社 付加硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材
CN109135659A (zh) * 2018-08-08 2019-01-04 无锡帝科电子材料股份有限公司 一种led固晶胶及制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045235A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Mitsui Chemicals Inc 異方性導電ペースト
JP2004091703A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性シリコーン粘着剤組成物および粘着テープ
JP2006335926A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 圧着性異方導電性樹脂組成物及び弾性異方導電部材
JP2007162019A (ja) * 1993-07-29 2007-06-28 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料とその接続材料を用いた回路の接続方法
WO2009022574A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Asahi Kasei E-Materials Corporation 接着剤及び接合体
JP2009242508A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Asahi Kasei E-Materials Corp 接着剤及び接合体
KR20130092283A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 도레이첨단소재 주식회사 도전성 점착제 조성물, 그를 이용한 도전성 점착필름 및 회로기판

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4648099B2 (ja) * 2005-06-07 2011-03-09 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物
JP2009256400A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体素子用シリコーン接着剤
KR20090108550A (ko) * 2008-04-11 2009-10-15 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체 소자용 실리콘 접착제
KR101644849B1 (ko) * 2009-11-30 2016-08-03 중앙대학교 산학협력단 이방성 도전성 접착제 및 이를 이용한 반도체 실장 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007162019A (ja) * 1993-07-29 2007-06-28 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料とその接続材料を用いた回路の接続方法
JP2003045235A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Mitsui Chemicals Inc 異方性導電ペースト
JP2004091703A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性シリコーン粘着剤組成物および粘着テープ
JP2006335926A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 圧着性異方導電性樹脂組成物及び弾性異方導電部材
WO2009022574A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Asahi Kasei E-Materials Corporation 接着剤及び接合体
JP2009242508A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Asahi Kasei E-Materials Corp 接着剤及び接合体
KR20130092283A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 도레이첨단소재 주식회사 도전성 점착제 조성물, 그를 이용한 도전성 점착필름 및 회로기판

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