CN106757343B - 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途 - Google Patents

一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途 Download PDF

Info

Publication number
CN106757343B
CN106757343B CN201611122460.7A CN201611122460A CN106757343B CN 106757343 B CN106757343 B CN 106757343B CN 201611122460 A CN201611122460 A CN 201611122460A CN 106757343 B CN106757343 B CN 106757343B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bismuth
nitric acid
inorganic compound
crystal
raw mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611122460.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106757343A (zh
Inventor
毛江高
毛菲菲
徐翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Original Assignee
Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS filed Critical Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority to CN201611122460.7A priority Critical patent/CN106757343B/zh
Publication of CN106757343A publication Critical patent/CN106757343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106757343B publication Critical patent/CN106757343B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551—Crystals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及非线性光学晶体Bi(IO3)F2，及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。该化合物结晶于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝101.348(10)，Z＝4。采用水热法制备。化合物Bi(IO3)F2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的11.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.0倍，且在两种频率的激光照射下都能实现相位匹配。

Description

一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途
技术领域
本发明属于非线性光学材料及其合成
背景技术
非线性光学晶体是一类广泛应用于光电技术领域的功能材料，可以实现激光频率转换、激光强度和相位的调制、以及激光信号的全息储存等。
目前实际应用的非线性光学晶体包括LiB3O5(LBO),β-BaB2O4(BBO), KH2PO4(KDP),KTiOPO4(KTP)，α-LiIO3等。随着激光技术的发展和可调谐激光器的出现，非线性光学器件发展迅速，激光倍频、混频、参量振荡与放大；电光调制、偏转、Q开关和光折变器件等相继出现。以上的这些研究与应用，对非线性光学材料提出了更多更高的物理、化学性能的要求，也促进了非线性光学材料的迅速发展。二阶非线性光学晶体材料必须具有非中心对称的结构。
发明内容
根据本申请的一个方面，提供一种无机化合物晶体。该晶体表现出强的倍频效应，宽的透光范围，其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的11.5 倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的 1.0，且能实现相位匹配，是具有潜在应用价值的非线性光学材料。
所述无机化合物晶体，其特征在于，化学式为Bi(IO3)F2，属于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝100～102°，Z＝4。
优选地，所述晶胞参数为 进一步优选地，所述晶胞参数为 更进一步优选地，所述晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝101.348(10)°，Z＝4。
所述无机化合物晶体Bi(IO3)F2的晶体结构如图1所示。图1(a)和 (b)为I和Bi的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构沿c轴方向的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Bi，一个I，三个F和三个O原子。每个Bi原子与4个F原子和4个O原子连接成双帽三棱柱，而每个I原子与3个O原子连接形成IO3三角锥。每6个Bi原子通过F 原子连接，形成[BiF2]+三维框架，沿着c轴方向形成Bi6F6六元环孔道，并通过IO3三角锥进一步连接成整体结构。从图1(c)中我们可以看出，IO3 -中孤对电子的沿c轴方向排列基本一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为300～315nm。优选地，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为307nm。
根据本申请的又一方面，提供上述任意一种无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热晶化法，将含有铋元素、碘元素、氟元素、硝酸和水的原料混合物，于180℃～260℃晶化温度下晶化下晶化得到；
所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸＝1：0.5～40：0.5～50：100～3000。
优选地，所述硝酸溶液的浓度为2wt％～10wt％。进一步优选地，所述硝酸溶液的浓度为4wt％～8wt％。更进一步优选地，硝酸溶液的浓度为 6wt％。
优选地，所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸溶液＝1：0.5～30：0.5～40：100～2000。
进一步优选地，所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸溶液＝1：1～20：1～30：100～1000。
优选地，所述晶化温度为200℃～260℃，晶化时间不少于6小时。进一步优选地，所述晶化温度为220℃～235℃，晶化时间为30小时～120小时。
优选地，所述原料混合物中，铋元素来自铋盐中的至少一种。进一步优选地，所述铋元素来自硝酸铋、氯化铋、氧化铋、氟化铋、碘化铋中的至少一种。
优选地，所述原料混合物中，碘元素来自五氧化二碘、碘酸、碘化铋中的至少一种。进一步优选地，所述碘元素来自I2O5。
优选地，所述原料混合物中，氟元素来自氢氟酸、氟化铵、氟化铋中的至少一种。
作为一种优选的实施方式，无机化合物晶体的制备方法包含如下步骤：
(a)将含有铋元素、碘元素、氟元素、硝酸溶液的原料混合物置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于180～260℃的晶化温度下晶化24小时以上；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的降温速率降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体。
优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～13℃/h。进一步优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～6℃/h。
采用水热方法制备得到的所述无机化合物晶体的形貌为无色透明的片状晶体。
根据本申请的又一方面，提供所述无机化合物晶体作为非线性光学晶体材料的应用。所述非线性光学晶体材料，其特征在于，含有上述任一无机化合物晶体和/或根据上述任一方法制备得到的无机化合物晶体。在 1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4 (KDP)的11.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.0倍，且都能实现相位匹配。
根据本申请的又一方面，提供一种激光频率转换器，其特征在于，包含上述任一无机化合物晶体和/或根据上述任一方法制备得到的无机化合物晶体。。
本申请的有益效果包括但不限于：
(1)本申请提供了一种新的无机化合物晶体Bi(IO3)F2，在1064nm 激光照射下为KH2PO4(KDP)的11.5倍，在2.05μm激光照射下为KTiOPO4 (KTP)晶体的1..倍，且都能实现相位匹配。因此Bi(IO3)F2晶体作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。
(2)本申请所提供的无机化合物晶体Bi(IO3)F2，在310～2500nm光谱范围具有很高的透过率，其紫外吸收截止波长约为307nm。
(3)本申请所提供的无机化合物晶体Bi(IO3)F2，可稳定到260℃。
(4)本申请还提供了所述无机化合物晶体Bi(IO3)F2的制备方法，采用水热晶化法，生长得到了无色的Bi(IO3)F2晶体。所述方法过程简单，可得到高纯度、高结晶度的无机化合物Bi(IO3)F2晶体材料。
附图说明
图1是所述无机化合物Bi(IO3)F2的晶体结构示意图；其中，(a)是I 原子配位环境；(b)是Bi原子配位环境；(c)是晶体结构在ab平面上的投影。
图2是样品1#根据单晶X射线衍射解析出的晶体结构拟合得到的X 射线衍射图谱与样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱对比。
图3是样品1#的紫外-可见-近红外漫反射光谱。
图4是样品1#的热重图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
实施例1样品的水热合成
将铋源、碘源、氟源和硝酸按照一定的摩尔比混合成原料，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，然后升温至晶化温度，在该温度下恒温一段时间后，以一定的降温速率将体系温度降至室温。经抽滤洗涤之后，得到无色板状的晶体样品，即为所述无机化合物晶体的样品。
样品编号、原料种类及用量、晶化温度和保持时间、降温速率如表1 所示。
表1
实施例2晶体结构解析
采用单晶X射线衍射和粉末X射线衍射方法，对样品1#～5#进行结构解析。
其中单晶X射线衍射在美国安捷伦(Agilent)公司SuperNova CCD 型X射线单晶衍射仪上进行。数据收集温度为293K，衍射光源为石墨单色化的Mo-Kα射线扫描方式为ω-2θ；数据采用Multi-Scan 方法进行吸收校正处理。结构解析采用SHELXTL-97程序包完成；用直接法确定重原子的位置，用差傅立叶合成法得到其余原子坐标；用基于F2的全矩阵最小二乘法精修所有原子的坐标及各向异性热参数。
粉末X射线衍射在日本理学株式会社(RIGAKU)的Miniflex II型的 X射线粉末衍射仪上进行，测试条件为固定靶单色光源Cu-Kα，波长电压电流为30kV/15A，扫描范围5～65°，扫描步长0.02°。
其中，单晶X射线衍射结果显示，样品1#～5#化学式均为Bi(IO3)F2，属于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝100～102°，Z＝4。其晶体结构如图1所示，图1(a)和(b)为I和Bi的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构沿c 轴方向的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Bi,一个I，三个F和三个O原子。每个Bi原子与4个F原子和4个O原子连接成双帽三棱柱，而每个I原子与3个O原子连接形成IO3三角锥。每6个Bi 原子通过F原子连接，形成[BiF2]+三维框架，沿着c轴方向形成Bi6F6六元环孔道，并通过IO3三角锥进一步连接成整体结构。从图1(c)中我们可以看出，IO3 -中孤对电子的沿c轴方向排列基本一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
以样品1#为典型代表，属于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为
粉末X射线衍射结果显示，样品1#～5#在XRD谱图上，峰位置基本相同，各样品峰强度略有差别。
以样品1#为典型代表，如图2所示，根据其单晶X射线衍射解析出的晶体结构，拟合得到的X射线衍射图谱与样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱，峰位置和峰强度一致。说明所得样品均有很高纯度。
实施例3倍频测试实验及结果
以样品1#为代表，对Bi(IO3)F2进行倍频测试。
具体步骤如下：采用含频率转化器的调Q的Nd:YAG固体激光器分别产生的波长为1064nm和2.05μm的激光作为基频光，照射被测试晶体粉末，利用光电倍增管探测所产生的二次谐波，用示波器显示谐波强度。将待测晶体样品用标准筛筛出不同颗粒度的晶体，颗粒度分别为25-45 μm，45-53μm、53-75μm、75-105μm、105-150μm、150-210μm、210-300 μm。观察倍频信号随颗粒度的变化趋势，判断其是否可以实现相位匹配。在同样测试条件下，比较待测样品所产生的二次谐波的强度与参比晶体 KH2PO4(KDP)和KTiOPO4(KTP)所产生的二次谐波强度，从而得到样品倍频效应的相对大小。
测试结果表明:化合物Bi(IO3)F2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的11.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG 系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.0倍，且都能实现相位匹配。
实施例4漫反射吸收光谱测试
以样品1#为代表，对Bi(IO3)F2进行漫反射吸收光谱测试，在美国 Perkin-Elmer公司Lambda-950型紫外-可见-近红外分光光度计上进行。晶体样品研磨成粉末，以BaSO4作为参照底物。测试结果如图3所示，表明化合物Bi(IO3)F2的晶体具有较宽的透过范围，在310～2500nm光谱范围具有很高的透过率，紫外吸收截止波长约为307nm。
实施例5样品的热重分析
以样品1#为代表，对Bi(IO3)F2进行热重分析，在德国NETZSCH公司的STA 449F3型热重分析仪上进行，结果如图4所示。由图可以看出， Bi(IO3)F2的晶体、可以稳定到260℃。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种无机化合物，其特征在于，化学式为Bi(IO3)F2，属于单斜晶系，空间群为C2，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝100～102°，Z＝4。
2.根据权利要求1所述的无机化合物，其特征在于，晶胞参数为
3.一种权利要求1或2所述无机化合物的制备方法，其特征在于，采用水热法制备，将含有铋元素、碘元素、氟元素、硝酸溶液的原料混合物，于180℃～260℃晶化温度下晶化得到；
所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸＝1：0.5～40：0.5～50：100～3000；
所述原料混合物中，铋元素来源自硝酸铋、氯化铋、氧化铋、氟化铋、碘化铋中的至少一种；碘元素来源自五氧化二碘、碘酸、碘化铋中的至少一种；氟元素来自氢氟酸、氟化铵、氟化铋中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述原料混合物中，硝酸溶液的浓度为2wt％～10wt％。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸＝1：0.5～30：0.5～40：100～2000。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述原料混合物中，铋元素、碘元素、氟元素、硝酸：水的摩尔比例为：
Bi：I：F：硝酸：水＝1：1～20：1～30：100～1000。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶化温度为200℃～260℃，晶化时间不少于6小时。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶化温度为220℃～235℃，晶化时间为30小时～120小时。
9.权利要求1或2所述的无机化合物、根据权利要求3至8任一项所述方法制备得到的无机化合物中的至少一种作为非线性光学晶体材料的应用。
10.一种激光频率转换器，其特征在于，包含权利要求1或2所述的无机化合物、根据权利要求3至8任一项所述方法制备的无机化合物中的一种。
CN201611122460.7A 2016-12-08 2016-12-08 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途 Active CN106757343B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611122460.7A CN106757343B (zh) 2016-12-08 2016-12-08 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611122460.7A CN106757343B (zh) 2016-12-08 2016-12-08 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106757343A CN106757343A (zh) 2017-05-31
CN106757343B true CN106757343B (zh) 2019-05-28

Family

ID=58881613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611122460.7A Active CN106757343B (zh) 2016-12-08 2016-12-08 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106757343B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107815701B (zh) * 2017-10-26 2019-09-27 太原理工大学 一种纳米片状氟化铋薄膜的电化学制备方法及其应用
CN107841786B (zh) * 2017-10-31 2019-10-29 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN108360066B (zh) * 2018-02-07 2020-10-02 同济大学 一种红外非线性光学晶体混卤素铋酸钾及制备方法与应用
CN108221053A (zh) * 2018-02-08 2018-06-29 中国科学院福建物质结构研究所 新型非线性光学晶体的制备及用途
CN109023502B (zh) * 2018-09-06 2020-07-28 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物氟碘酸铈和氟碘酸铈非线性光学晶体及制备方法和用途
CN109137072B (zh) * 2018-10-08 2020-04-10 武汉大学 一种无机非线性光学晶体碘酸铋钠及其制备和应用
CN111321455B (zh) * 2018-12-17 2021-05-11 中国科学院福建物质结构研究所 非线性光学晶体硫酸碘酸氧铌及其制备方法与用途
CN109913952B (zh) * 2019-03-20 2020-10-02 同济大学 一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用
CN111056570B (zh) * 2019-12-04 2021-04-06 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体CsVO2F(IO3)、其制备方法及应用
CN113337890B (zh) * 2020-03-03 2022-12-06 中国科学院福建物质结构研究所 氟碘酸钇化合物及其晶体的制备方法和应用
CN113969424B (zh) * 2020-07-24 2022-10-14 中国科学院福建物质结构研究所 NaZnCO3(OH)化合物及其晶体的制备方法和应用
CN113235164A (zh) * 2021-04-07 2021-08-10 同济大学 异双金属硫酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法与应用
CN113235160B (zh) * 2021-04-12 2022-09-06 同济大学 一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用
CN113215657B (zh) * 2021-04-12 2022-04-05 同济大学 一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506843A (en) * 1968-03-28 1970-04-14 Bell Telephone Labor Inc Optical devices utilizing nonlinear halate crystals
CN1059570A (zh) * 1991-10-10 1992-03-18 四川大学 碘酸钾单晶的单畴化方法
CN101831698A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸锌钾
CN101831699A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸铌钡
CN101986191A (zh) * 2009-07-29 2011-03-16 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸钒钠
CN102400222A (zh) * 2011-06-09 2012-04-04 中国科学院福建物质结构研究所 一种水热法生长大尺寸碘酸钒钠晶体的方法
CN102534786A (zh) * 2010-12-16 2012-07-04 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸钒钾
CN103435010A (zh) * 2013-08-23 2013-12-11 山东大学 一种高光催化活性碘酸氧铋晶体的制备方法
CN104018223A (zh) * 2014-06-13 2014-09-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物Na2Sn(IO3)6，其制备方法及用途
CN105887204A (zh) * 2016-07-01 2016-08-24 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506843A (en) * 1968-03-28 1970-04-14 Bell Telephone Labor Inc Optical devices utilizing nonlinear halate crystals
CN1059570A (zh) * 1991-10-10 1992-03-18 四川大学 碘酸钾单晶的单畴化方法
CN101831698A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸锌钾
CN101831699A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸铌钡
CN101986191A (zh) * 2009-07-29 2011-03-16 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸钒钠
CN102534786A (zh) * 2010-12-16 2012-07-04 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体碘酸钒钾
CN102400222A (zh) * 2011-06-09 2012-04-04 中国科学院福建物质结构研究所 一种水热法生长大尺寸碘酸钒钠晶体的方法
CN103435010A (zh) * 2013-08-23 2013-12-11 山东大学 一种高光催化活性碘酸氧铋晶体的制备方法
CN104018223A (zh) * 2014-06-13 2014-09-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物Na2Sn(IO3)6，其制备方法及用途
CN105887204A (zh) * 2016-07-01 2016-08-24 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Crystal structure of anhydrous bismuth iodate, Bi(IO3)3;Bachir Bentria et al.;《Journal of Chemical Crystallography》;20031130;第33卷(第11期);867-873 *
Deep Ultraviolet Nonlinear Optical Materials;T.Thao Tran et al.;《Chem. Mater.》;20160712;第28卷;5238-5258 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106757343A (zh) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106757343B (zh) 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途
CN105887204B (zh) 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用
CN107841786B (zh) 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN104018223B (zh) 一种无机化合物Na2Sn(IO3)6，其制备方法及用途
CN108363259A (zh) 一种无机晶体材料、其制备及作为非线性光学晶体的应用
CN109338471A (zh) 一种中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料及制备与应用
CN105350079B (zh) 具有非心结构的无机化合物K2Au(IO3)5，其制备方法及用途
CN104988580B (zh) 一种晶体材料、其制备方法及应用
CN104018224B (zh) 一种无机化合物Li2Sn(IO3)6其制备方法及用途
CN108221053A (zh) 新型非线性光学晶体的制备及用途
CN110952139A (zh) 一种无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2、其制备方法及应用
CN113249788B (zh) 一种氟代钼氧氟碘酸盐类非线性光学晶体材料及其制备和应用
CN111850694B (zh) 氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器
CN110318094A (zh) 一种晶体、其制备方法及其应用
CN104451880B (zh) 一种晶体材料Pb2(BO3)(NO3)，其制备方法及用途
CN111850690B (zh) 硝酸碘酸钪无机化合物晶体、其制备方法、作为非线性光学晶体材料及在激光器中的应用
CN113235160B (zh) 一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用
CN111778546B (zh) 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN103838056B (zh) 非线性光学晶体α-AgI3O8及其制备与用途
CN113122907A (zh) 一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用
CN109913952A (zh) 一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用
CN111850695A (zh) 一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用
CN109930195A (zh) 一种亚硒酸硝酸钆倍频晶体材料及其制备和应用
CN103834996B (zh) 非线性光学晶体β-AgI3O8及其制备与用途
CN108360066A (zh) 一种红外非线性光学晶体混卤素铋酸钾及制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant