CN105887204B - 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用 - Google Patents

一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用 Download PDF

Info

Publication number
CN105887204B
CN105887204B CN201610515541.7A CN201610515541A CN105887204B CN 105887204 B CN105887204 B CN 105887204B CN 201610515541 A CN201610515541 A CN 201610515541A CN 105887204 B CN105887204 B CN 105887204B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inorganic compound
compound crystal
source
crystal
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610515541.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105887204A (zh
Inventor
毛江高
孔芳
梁铭利
Original Assignee
Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS filed Critical Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority to CN201610515541.7A priority Critical patent/CN105887204B/zh
Publication of CN105887204A publication Critical patent/CN105887204A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105887204B publication Critical patent/CN105887204B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551—Crystals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本申请公开了一种无机化合物晶体、其制备方法及作为非线性光学晶体材料的应用。所述无机化合物晶体，其特征在于：化学式为Bi(SeO3)F，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该无机化合物晶体具有优良的非线性光学性能，在1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.1倍。

Description

一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用
技术领域
本申请涉及一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用，属于非线性光学材料领域。
背景技术
非线性光学晶体是一类广泛应用于光电技术领域的功能材料，可以实现激光频率转换、激光强度和相位的调制、以及激光信号的全息储存等。目前实际应用的非线性光学晶体包括LiB3O5(LBO),β-BaB2O4(BBO), KH2PO4(KDP),KTiOPO4(KTP)，α-LiIO3等。随着激光技术的发展和可调谐激光器的出现，非线性光学器件发展迅速，激光倍频、混频、参量振荡与放大；电光调制、偏转、Q开关和光折变器件等相继出现。以上的这些研究与应用，对非线性光学材料提出了更多更高的物理、化学性能的要求，也促进了非线性光学材料的迅速发展。二阶非线性光学晶体材料必须具有非中心对称的结构。最近研究表明，结合两种或两种以上的不对称极性基团于同一化合物中是诱导合成非心结构晶体的有效途径。这些不对称极性基团包括：具有π共轭作用的平面结构基团，如(BO3)3-,(CO3)2-，(NO3)-等；含孤对电子的离子，如I(V)、Se(IV)、Te(IV)、Bi(III)、Pb(II)等；畸变八面体配位的d0电子构型的过渡金属离子如Ti(IV)、V(V)、Nb(V)、Ta(V)、 Mo(VI)、W(VI)等。
随着技术的发展和需求的提高，需要不断开发新型的非线性晶体。本申请通过提高非心结构的亚硒酸盐盐类的倍频效应，将同时含有孤对电子的Se(IV)和Bi(III)结合，并引入卤素离子以获得较宽的带隙，得到了一种性能优越的新型非线性光学材料。
发明内容
根据本申请的一个方面，提供一种无机化合物晶体。该无机化合物晶体具有优良的非线性光学性能，在1064nm激光照射下输出很强的532nm 绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.1倍，且能实现相位匹配。
所述无机化合物晶体，其特征在于，化学式为Bi(SeO3)F，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，Z＝4。
优选地，所述晶胞参数为 进一步优选地，所述晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为
所述无机化合物晶体Bi(SeO3)F的晶体结构如图1所示。图1(a)和 (b)为Se和Bi的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构在bc平面上的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Bi，一个Se，一个F，三个O原子。每个Bi原子采用7配位的方式与5个O，2个F原子连接成BiO5F2多面体，而每个Se原子与3个O原子连接形成SeO3三角锥。化合物中相邻的两个Bi原子通过F原子连接成一维的链，并通过SeO3三角锥进一步连接成三维的结构。从图1(c)中我们可以看出，SeO3 2-中孤对电子的沿c轴方向排列一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
所述无机化合物晶体在波长370～2500nm光谱范围内的透过率不低于 95％。
所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为290～299nm。优选地，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为296nm。
根据本申请的又一方面，提供上述任意一种无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热晶化法，将含有铋源、硒源、氟源和水的原料置于180～250℃的晶化温度下晶化不少于24小时，即得所述无机化合物晶体。
优选地，所述晶化时间为72～240小时。
优选地，所述铋源选自含有Bi元素的原料。进一步优选地，所述铋源为BiCl3。
优选地，所述硒源选自含有Se元素的原料。进一步优选地，所述硒源是SeO2。
优选地，所述氟源是HF酸(≥40％)或铋的氟化物。当氟源采用铋的氟化物时，铋的氟化物也同时可以作为铋源。
优选地，所述原料中铋源、硒源、氟源和水的摩尔比例为：
Bi：Se：F：H2O＝1：1～20：3～30：100～1000
其中，所述铋源的摩尔数以铋源中所含铋元素的摩尔数计；所述硒源的摩尔数以硒源中所含硒元素的摩尔数计；所述氟源的摩尔数以氟源中所含氟元素的摩尔数计。进一步优选地，所述原料中铋源、硒源、氟源和水的摩尔比例为：
Bi：Se：F：H2O＝1：2～12：4～18：300～800。
作为一种优选的实施方式，无机化合物晶体的制备方法包含如下步骤：
(a)将铋源、硒源、氟源和水混合形成的原料置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于180～250℃的晶化温度下晶化24小时以上；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的降温速率降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体。
优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～13℃/h。进一步优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～6℃/h。
采用水热方法制备得到的所述无机化合物晶体的形貌为1.00mm× 0.40mm×0.15mm大小的板状晶体。
根据本申请的又一方面，提供所述无机化合物晶体作为非线性光学晶体材料的应用。所述非线性光学晶体材料，其特征在于，含有上述任一无机化合物晶体和/或根据上述任一方法制备得到的无机化合物晶体。在 1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4 (KDP)的13.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.1倍，且都能实现相位匹配。
根据本申请的又一方面，提供上述非线性光学晶体在激光器中的应用。
本申请的有益效果包括但不限于：
(1)本申请提供了一种新的无机化合物晶体Bi(SeO3)F，在1064nm 激光照射下为KH2PO4(KDP)的13.5倍，在2.05μm激光照射下为KTiOPO4 (KTP)晶体的1.1倍，且都能实现相位匹配。因此Bi(SeO3)F晶体作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。
(2)本申请所提供的无机化合物晶体Bi(SeO3)F，在370～2500nm光谱范围具有很高的透过率，其紫外吸收截止波长约为296nm。
(3)本申请所提供的无机化合物晶体Bi(SeO3)F，具有较高热稳定性，可稳定到340℃。
(4)本申请还提供了所述无机化合物晶体Bi(SeO3)F的制备方法，采用水热晶化法，生长得到了无色的Bi(SeO3)F晶体。所述方法过程简单，可得到高纯度、高结晶度的无机化合物Bi(SeO3)F晶体材料。
附图说明
图1是所述无机化合物Bi(SeO3)F的晶体结构示意图；其中，(a)是 Se原子配位环境；(b)是Bi原子配位环境以及与SeO3三角锥的连接方式； (c)是晶体结构在bc平面上的投影。
图2是样品1#的X射线衍射图谱；其中，(a)是根据单晶X射线衍射解析出的晶体结构拟合得到的X射线衍射图谱；(b)是样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱。
图3是样品1#的紫外-可见-近红外漫反射光谱。
图4是样品1#的热重图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
实施例1样品的水热合成
将铋源、硒源、氟源和水按照一定的摩尔比混合成原料，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，然后升温至晶化温度，在该温度下恒温一段时间后，以一定的降温速率将体系温度降至室温。经抽滤洗涤之后，得到无色板状的晶体样品，即为所述无机化合物晶体的样品。
样品编号、原料种类及用量、晶化温度和保持时间、降温速率如表1 所示。
表1
实施例2晶体结构解析
采用单晶X射线衍射和粉末X射线衍射方法，对样品1#～5#进行结构解析。
其中单晶X射线衍射在美国安捷伦(Agilent)公司SuperNova CCD 型X射线单晶衍射仪上进行。数据收集温度为293K，衍射光源为石墨单色化的Mo-Kα射线扫描方式为ω-2θ；数据采用Multi-Scan 方法进行吸收校正处理。结构解析采用SHELXTL-97程序包完成；用直接法确定重原子的位置，用差傅立叶合成法得到其余原子坐标；用基于F2的全矩阵最小二乘法精修所有原子的坐标及各向异性热参数。
粉末X射线衍射在日本理学株式会社(RIGAKU)的Miniflex II型的 X射线粉末衍射仪上进行，测试条件为固定靶单色光源Cu-Kα，波长电压电流为30kV/15A，扫描范围5～65°，扫描步长0.02°。
其中，单晶X射线衍射结果显示，样品1#～5#化学式均为Bi(SeO3)F，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，Z＝4。其晶体结构如图1所示，图1(a)和 (b)为Se和Bi的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构在bc平面上的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Bi,一个Se，一个F，三个O原子。每个Bi原子采用7配位的方式与5个O，2个F原子连接成BiO5F2多面体，而每个Se原子与3个O原子连接形成SeO3三角锥。化合物中相邻的两个Bi原子通过F原子连接成一维的链，并通过SeO3三角锥进一步连接成三维的结构。从图1(c)中我们可以看出，SeO3 2-中孤对电子的沿c轴方向排列一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
以样品1#为典型代表，其分子式Bi(SeO3)F，正交晶系，Pca21空间群，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°， Z＝4，晶胞体积为
粉末X射线衍射结果显示，样品1#～5#在XRD谱图上，峰位置基本相同，各样品峰强度略有差别。
以样品1#为典型代表，如图2所示，根据其单晶X射线衍射解析出的晶体结构，拟合得到的X射线衍射图谱与样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱，峰位置和峰强度一致。说明所得样品均有很高纯度。
实施例3倍频测试实验及结果
以样品1#为代表，对Bi(SeO3)F进行倍频测试。
具体步骤如下：采用含频率转化器的调Q的Nd:YAG固体激光器分别产生的波长为1064nm和2.05μm的激光作为基频光，照射被测试晶体粉末，利用光电倍增管探测所产生的二次谐波，用示波器显示谐波强度。将待测晶体样品用标准筛筛出不同颗粒度的晶体，颗粒度分别为25-45 μm，45-53μm、53-75μm、75-105μm、105-150μm、150-210μm、210-300 μm。观察倍频信号随颗粒度的变化趋势，判断其是否可以实现相位匹配。在同样测试条件下，比较待测样品所产生的二次谐波的强度与参比晶体 KH2PO4(KDP)和KTiOPO4(KTP)所产生的二次谐波强度，从而得到样品倍频效应的相对大小。
测试结果表明:化合物Bi(SeO3)F在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13.5倍，在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG 系数为KTiOPO4(KTP)晶体的1.1倍，且都能实现相位匹配。
实施例4漫反射吸收光谱测试
以样品1#为代表，对Bi(SeO3)F进行漫反射吸收光谱测试，在美国 Perkin-Elmer公司Lambda-950型紫外-可见-近红外分光光度计上进行。晶体样品研磨成粉末，以BaSO4作为参照底物。测试结果如图3所示，表明化合物Bi(SeO3)F的晶体具有较宽的透过范围，在370～2500nm光谱范围具有很高的透过率，紫外吸收截止波长约为296nm。
实施例5样品的热重分析
以样品1#为代表，对Bi(SeO3)F进行热重分析，在德国NETZSCH公司的STA 449F3型热重分析仪上进行，结果如图4所示。由图可以看出， Bi(SeO3)F的晶体具有较高的热稳定性，可以稳定到340℃。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种无机化合物晶体，其特征在于，化学式为Bi(SeO3)F，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，Z＝4。
2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述晶胞参数为
3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体在波长370～2500nm光谱范围内的透过率不低于95％。
4.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为290～299nm。
5.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为296nm。
6.权利要求1至5任一项所述无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热晶化法，将含有铋源、硒源、氟源和水的原料置于180～250℃的晶化温度下晶化不少于24小时，即得所述无机化合物晶体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述原料中铋源、硒源、氟源和水的摩尔比例为：
Bi：Se：F：H2O＝1：1～20：3～30：100～1000
其中，所述铋源的摩尔数以铋源中所含铋元素的摩尔数计；所述硒源的摩尔数以硒源中所含硒元素的摩尔数计；所述氟源的摩尔数以氟源中所含氟元素的摩尔数计。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包含如下步骤：
(a)将铋源、硒源、氟源和水混合形成的原料置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于180～250℃的晶化温度下晶化不少于24小时；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的速度降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体。
9.一种非线性光学晶体材料，其特征在于，含有权利要求1至5任一项所述无机化合物晶体和/或根据权利要求6至8任一项所述方法制备得到的无机化合物晶体。
10.权利要求9所述的非线性光学晶体材料在激光器中的应用。
CN201610515541.7A 2016-07-01 2016-07-01 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用 Active CN105887204B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610515541.7A CN105887204B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610515541.7A CN105887204B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105887204A CN105887204A (zh) 2016-08-24
CN105887204B true CN105887204B (zh) 2018-04-10

Family

ID=56718623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610515541.7A Active CN105887204B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105887204B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106757343B (zh) * 2016-12-08 2019-05-28 中国科学院福建物质结构研究所 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途
CN107601437B (zh) * 2017-11-03 2019-05-07 安徽工业大学 一种硒酸铋纳米带的制备方法
CN108587627B (zh) * 2018-06-01 2020-03-17 苏州大学 Eu3+离子激活的氟氯碲酸铋及其制备方法和应用
CN109913952B (zh) * 2019-03-20 2020-10-02 同济大学 一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用
CN111850695B (zh) * 2020-03-12 2021-11-09 同济大学 一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用
CN111850694B (zh) * 2020-03-12 2021-10-08 同济大学 氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器
CN113802182B (zh) * 2020-06-15 2022-12-06 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN112981537B (zh) * 2021-02-19 2022-02-18 同济大学 氟硫酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用
CN114232099B (zh) * 2021-10-01 2022-10-14 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101676442B (zh) * 2008-09-16 2013-02-06 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体亚碲酸钼银及其制备方法和用途
CN102051683B (zh) * 2009-10-28 2014-09-17 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学晶体亚硒酸鉬锰
CN103382574B (zh) * 2013-07-11 2017-12-12 中国科学院福建物质结构研究所 非线性光学晶体Pb2TiOF(SeO3)2Cl及其制备和用途

Also Published As

Publication number Publication date
CN105887204A (zh) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105887204B (zh) 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用
CN106757343B (zh) 一种新型非线性光学晶体Bi(IO3)F2的制备及用途
CN107841786B (zh) 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN108363259A (zh) 一种无机晶体材料、其制备及作为非线性光学晶体的应用
CN104018223B (zh) 一种无机化合物Na2Sn(IO3)6，其制备方法及用途
CN104988580B (zh) 一种晶体材料、其制备方法及应用
Cui et al. The Antiperovskite‐Type Oxychalcogenides Ae3Q [GeOQ3](Ae= Ba, Sr; Q= S, Se) with Large Second Harmonic Generation Responses and Wide Band Gaps
CN105350079B (zh) 具有非心结构的无机化合物K2Au(IO3)5，其制备方法及用途
CN105951181A (zh) 一种晶体材料、制备方法及作为红外非线性光学材料的应用
CN109338471A (zh) 一种中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料及制备与应用
CN105755542A (zh) 一种晶体材料、其制备方法及作为非线性光学晶体的应用
CN104018224B (zh) 一种无机化合物Li2Sn(IO3)6其制备方法及用途
CN108221053A (zh) 新型非线性光学晶体的制备及用途
She et al. LiVTeO 5: a mid-infrared nonlinear optical vanadium tellurate crystal exhibiting enhanced second harmonic generation activities and notable birefringence
CN111850694B (zh) 氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器
CN113249788B (zh) 一种氟代钼氧氟碘酸盐类非线性光学晶体材料及其制备和应用
CN111850690B (zh) 硝酸碘酸钪无机化合物晶体、其制备方法、作为非线性光学晶体材料及在激光器中的应用
CN111778546B (zh) 一种无机化合物晶体、其制备方法及应用
CN110318094B (zh) 一种晶体、其制备方法及其应用
CN113417008B (zh) 一种碘酸硫酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用
CN104451880B (zh) 一种晶体材料Pb2(BO3)(NO3)，其制备方法及用途
CN103834996B (zh) 非线性光学晶体β-AgI3O8及其制备与用途
CN113235160A (zh) 一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用
CN109913952A (zh) 一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用
CN108360066A (zh) 一种红外非线性光学晶体混卤素铋酸钾及制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210312

Address after: Room 2603, building 10, Huai'an pojun, No.1, Huai'an Road, Jianxin Town, Cangshan District, Fuzhou City, Fujian Province 350028

Patentee after: Xu Xiang

Address before: No.155, Yangqiao West Road, Gulou District, Fuzhou City, Fujian Province

Patentee before: FUJIAN INSTITUTE OF RESEARCH ON THE STRUCTURE OF MATTER, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

TR01 Transfer of patent right