CN107601437B - 一种硒酸铋纳米带的制备方法 - Google Patents
一种硒酸铋纳米带的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107601437B CN107601437B CN201711070625.5A CN201711070625A CN107601437B CN 107601437 B CN107601437 B CN 107601437B CN 201711070625 A CN201711070625 A CN 201711070625A CN 107601437 B CN107601437 B CN 107601437B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reaction vessel
- sodium selenate
- bismuth nitrate
- bismuth
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- VZCBIMOCFWPJLF-UHFFFAOYSA-N [Se](O)(O)(=O)=O.[Bi] Chemical compound [Se](O)(O)(=O)=O.[Bi] VZCBIMOCFWPJLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 82
- PMYDPQQPEAYXKD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-n-naphthalen-2-ylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC(=O)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3O)=CC=C21 PMYDPQQPEAYXKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000011655 sodium selenate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229960001881 sodium selenate Drugs 0.000 claims abstract description 70
- 235000018716 sodium selenate Nutrition 0.000 claims abstract description 70
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 1
- 229940091258 selenium supplement Drugs 0.000 claims 1
- UQNVZPGRMSYTNE-UHFFFAOYSA-M sodium hydrogen selenate hydrate Chemical compound O.[Na+].O[Se]([O-])(=O)=O UQNVZPGRMSYTNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N selenic acid Chemical class O[Se](O)(=O)=O QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 2
- 229910018162 SeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002250 neutron powder diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N oxobismuth;hydrochloride Chemical compound Cl.[Bi]=O BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Se] QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硒酸铋纳米带的制备方法，属于功能材料制备技术领域。该方法具体是：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，将硒酸钠与硝酸铋混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封反应容器，将高温区加热至1000～1200℃、低温区加热至100～200℃，保温1～3h，得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片；随后将氧化铝片固定于反应容器中间，将硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，向反应容器中充入氧气后，于温度300～500℃、保温24～72h。本发明采用两步反应过程，制备过程简单、易于控制，所得硒酸铋纳米带在光学、催化、吸附等领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种硒酸铋纳米带的制备方法。
背景技术
硒酸盐材料具有良好的物理及化学特性，在光学、电学及生物学等领域具有良好的应用前景。硒酸铋作为一种重要的硒酸盐材料，引起了人们的关注。有文献(P.S.Berdonosov,S.Yu.Stefanovitch,V.A.Dolgikh.A new bismuth-seleniumoxychloride,BiSeO3Cl:Crystal structure and dielectric and nonlinear opticalproperties.Journal of Solid State Chemistry 149(2000)236-241.)报道以BiOCl和SeO2作为原料，通过高温烧结可以制备出BiSeO3Cl，此种BiSeO3Cl具有良好的介电和非线性光学性能。也有文献(Oleg A.Dityatyev,Peer Smidt,Sergey Yu.Stefanovich,PhilipLightfoot,Valery A.Dolgikh,Heinrich Opperman.Phase equilibria in the Bi2TeO5-Bi2SeO5system and a high temperature neutron powder diffraction study ofBi2SeO5.Solid State Sciences 6(2004)915-922.)报道表明以氧化铋和氧化硒作为原料，通过高温烧结可以制备出硒酸铋块体材料。不同于传统的块体硒酸铋材料，纳米级尺寸的硒酸铋，例如硒酸铋纳米带可望具有比块体硒酸铋材料更优的性能，可以作为光学材料、催化剂、吸附剂材料，在光学、催化、吸附等领域具有良好的应用前景。然而，目前还未有关于硒酸铋纳米带的报道。
发明内容
为了克服现有技术不足，本发明的目的在于提供一种硒酸铋纳米带的制备方法。
该制备方法具体包括以下两个步骤：
步骤1：以硒酸钠、硝酸铋作为原料，氧化铝片作为沉积衬底，含有氩气和氧气的混合气体作为载气，首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封反应容器，将高温区加热至1000～1200℃、低温区加热至100～200℃，保温1～3h，氩气流速为30～60cm3/min，氧气流速为的30～60cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
所述硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4。
步骤2：将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片作为沉积衬底，硒酸钠、硝酸铋作为原料，水为溶剂，首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，向反应容器中充入氧气后，于温度300～500℃、保温24～72h，最终在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，即为硒酸铋纳米带。
所述硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4。
所述硒酸钠、硝酸铋的总重量占水重量的10～30％。
所述硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为15～30％。
本发明的科学原理如下：
本发明采用上述制备过程，硒酸钠和硝酸铋混合粉末在高温区于1000～1200℃被加热成气态，并分解为气态的氧化硒、氧化钠、氧化铋和氧化氮，在高温下氧化硒、氧化铋和氧气反应形成气态的硒酸铋，气态的硒酸铋在流速为30～60cm3/min的载气氩气和氧气的输运下到达位于刚玉管反应容器末端的低温区，低温区的温度为100～200℃，在低温区气态的硒酸铋沉积于氧化铝片表面，经过1～3h的沉积时间，在氧化铝表面形成了硒酸铋纳米晶核，得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。将表面含有硒酸铋纳米晶核的氧化铝片固定于反应容器中间、密封及充入氧气后，将反应容器加热到300～500℃，反应容器中的水气化导致容器内具有较高的压力，反应容器中的硒酸钠、硝酸铋和氧气在300～500℃的温度和较高压力下反应形成硒酸铋，硒酸铋在水蒸气的带动下沉积于表面含有硒酸铋纳米晶核的氧化铝片上，氧化铝片表面的晶核吸收了气氛中的硒酸铋，在温度、压力的作用下导致了硒酸铋纳米带的形成，随着保温时间增加至24～72h，氧化铝片表面形成了具有一定厚度、一定宽度的硒酸铋纳米带。
与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：
1、本发明采用两步反应过程，制备过程简单、易于控制；
2、本发明硒酸铋纳米带的厚度为纳米尺寸，尺寸小，可以作为光学材料、催化剂、吸附剂材料，在光学、催化、吸附等领域具有良好的应用前景。
附图说明
图1为实施例1所制备的硒酸铋纳米带的X～射线衍射(XRD)图谱；
根据JCPDS PDF卡片，可以检索出所得硒酸铋纳米带由斜方Bi4SeO8(JCPDS卡，卡号：42～0100)晶相构成。
图2为实施例1所制备的硒酸铋纳米带的低倍扫描电子显微镜(SEM)图像；
从图中可以看出产物由硒酸铋纳米带构成，纳米带的长度为80μm。
图3为实施例1所制备的硒酸铋纳米带的高倍SEM图像；
从图中可以看出产物由硒酸铋纳米带构成，纳米带的厚度为30nm、宽度为200nm～1μm。
具体实施方式
以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。
实施例1
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1200℃、低温区加热至200℃，保温3h，氩气流速为60cm3/min，氧气流速为60cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量30％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为30％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度500℃、保温72h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例2
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1000℃、低温区加热至100℃，保温1h，氩气流速为30cm3/min，氧气流速为30cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量10％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为15％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度300℃、保温24h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例3
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1020℃、低温区加热至110℃，保温1.2h，氩气流速为35cm3/min，氧气流速为35cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量12％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为17％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度320℃、保温31h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例4
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1050℃、低温区加热至130℃，保温1.5h，氩气流速为40cm3/min，氧气流速为40cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量16％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为19％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度350℃、保温38h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例5
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1080℃、低温区加热至150℃，保温1.8h，氩气流速为45cm3/min，氧气流速为45cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量20％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为21％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度380℃、保温45h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例6
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1120℃、低温区加热至160℃，保温2.1h，氩气流速为50cm3/min，氧气流速为50cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量23％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为24％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度410℃、保温52h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例7
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1150℃、低温区加热至170℃，保温2.4h，氩气流速为55cm3/min，氧气流速为55cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量25％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为27％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度440℃、保温59h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
实施例8
步骤1：首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，将尺寸6×4cm的氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封刚玉管，将高温区加热至温度1180℃、低温区加热至180℃，保温2.7h，氩气流速为58cm3/min，氧气流速为58cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片。
步骤2：首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将占水重量28％的硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，其中硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4，硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为29％，向反应容器中充入氧气后，将反应容器于温度480℃、保温65h，在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，制备出了厚度为30nm、宽度为200nm～1μm及长度为80μm的硒酸铋纳米带。
Claims (1)
1.一种硒酸铋纳米带的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下：
步骤1：以硒酸钠、硝酸铋作为原料，氧化铝片作为沉积衬底，含有氩气和氧气的混合气体作为载气，首先将硒酸钠与硝酸铋混合均匀，然后将硒酸钠与硝酸铋的混合粉末置于刚玉管反应容器的高温区，氧化铝片置于刚玉管反应容器的低温区，并密封反应容器，将高温区加热至1000～1200℃、低温区加热至100～200℃，保温1～3h，氩气流速为30～60cm3/min，氧气流速为的30～60cm3/min，从而得到了表面含有白色沉积物的氧化铝片；
所述硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4；
步骤2：以步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片作为沉积衬底，硒酸钠、硝酸铋作为原料，水为溶剂；首先将步骤1得到的表面含有白色沉积物的氧化铝片固定于反应容器中间，然后将硒酸钠、硝酸铋与水混合后置于反应容器内并密封，向反应容器中充入氧气后，于温度300～500℃、保温24～72h，最终在氧化铝片表面得到了絮状白色沉积物，即为硒酸铋纳米带；
所述硒酸钠与硝酸铋的摩尔比为1:4；
所述硒酸钠、硝酸铋的总重量占水重量的10～30％；
所述硒酸钠、硝酸铋和水总量占反应容器的填充度为15～30％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711070625.5A CN107601437B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种硒酸铋纳米带的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711070625.5A CN107601437B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种硒酸铋纳米带的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107601437A CN107601437A (zh) | 2018-01-19 |
| CN107601437B true CN107601437B (zh) | 2019-05-07 |
Family
ID=61084931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711070625.5A Expired - Fee Related CN107601437B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种硒酸铋纳米带的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107601437B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115888767B (zh) * | 2022-11-04 | 2024-03-15 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种碳负载缺陷态硒酸铋异质结光催化剂及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103288061A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-09-11 | 福州大学 | 一种硒化铋纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN104118912A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-10-29 | 安徽工业大学 | 一种钒酸锰纳米带的制备方法 |
| CN104724754A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-24 | 河南科技大学 | 一种金属氧化物纳米带的制备方法 |
| CN105195180A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-30 | 福州大学 | 一种新型硒酸铋光催化剂及其制备方法与应用 |
| CN105435248A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种多功能硒化铋纳米复合物、其制备方法及应用 |
| CN105887204A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-08-24 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用 |
-
2017
- 2017-11-03 CN CN201711070625.5A patent/CN107601437B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103288061A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-09-11 | 福州大学 | 一种硒化铋纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN104118912A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-10-29 | 安徽工业大学 | 一种钒酸锰纳米带的制备方法 |
| CN104724754A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-24 | 河南科技大学 | 一种金属氧化物纳米带的制备方法 |
| CN105195180A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-30 | 福州大学 | 一种新型硒酸铋光催化剂及其制备方法与应用 |
| CN105435248A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种多功能硒化铋纳米复合物、其制备方法及应用 |
| CN105887204A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-08-24 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107601437A (zh) | 2018-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kumari et al. | A brief review on transition metal ion doped ZnO nanoparticles and its optoelectronic applications | |
| Zhuang et al. | Indium hydroxides, oxyhydroxides, and oxides nanocrystals series | |
| Shukla et al. | A review on rare earth (Ce and Er)-doped zinc oxide nanostructures | |
| Kumar et al. | Improved ferroelectric, magnetic and photovoltaic properties of Pr doped multiferroic bismuth ferrites for photovoltaic application | |
| Shi et al. | Hydrothermal synthetic strategies of inorganic semiconducting nanostructures | |
| Li et al. | Uniform colloidal spheres for (Y1− x Gd x) 2O3 (x= 0–1): Formation mechanism, compositional impacts, and physicochemical properties of the oxides | |
| Kundu et al. | Influence of precursor concentration, surfactant and temperature on the hydrothermal synthesis of CuS: structural, thermal and optical properties | |
| Aghazadeh et al. | Cathodic electrodeposition of Y (OH) 3 and Y2O3 nanostructures from chloride bath. Part II: Effect of the bath temperature on the crystal structure, composition and morphology | |
| CN107651706B (zh) | 一种铋酸镧纳米棒的制备方法 | |
| CN107792880B (zh) | 一种铋酸钙纳米线的制备方法 | |
| Zhu et al. | Synthesis and characterization of highly-ordered ZnO/PbS core/shell heterostructures | |
| Mahmood et al. | Sol-gel-derived doped ZnO thin films: Processing, properties, and applications | |
| Zhu et al. | Controllable synthesis of hierarchical ZnO nanostructures via a chemical route | |
| CN107601437B (zh) | 一种硒酸铋纳米带的制备方法 | |
| Khakpour et al. | Synthesis and deposition of hematite nanoparticles on Fluorine-doped Tin Oxide (FTO) glass substrates | |
| Halappa et al. | Combustion synthesis and characterisation of Eu3+-activated Y2O3 red nanophosphors for display device applications | |
| CN108996478B (zh) | 一种MNx超级晶体及其制备方法和应用 | |
| Pandey et al. | Doped zinc oxide nanoceramics for the enhancement of optoelectronic properties | |
| Zolfaghari et al. | Effect of Mn dopant on lattice parameters and band gap energy of semiconductor ZnO nanoparticles | |
| Li et al. | Large-scale CdX (X= S, Se) microtube arrays on glass substrate: transformation of CdOHCl microrod arrays by a simple template-sacrificing solution method | |
| CN115261020A (zh) | 石墨烯负载的铜离子掺杂的蓝光钙钛矿纳米晶分散液 | |
| Zhang et al. | Hydrothermal fabrication of chalcopyrite-type CuInS2 film and their optical properties | |
| CN110776000B (zh) | 一种全无机钙钛矿纳米晶及其制备方法和在半导体器件上的应用 | |
| CN107673414B (zh) | 一种镍酸锰纳米片的制备方法 | |
| CN114735751A (zh) | 一种基于化学气相传输制备的单层CrI3薄片及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221214 Address after: Room 501 and Room 502, the fifth floor of the Ideal Space Incubator Entrepreneurship Service Center, Dezhou (Yucheng) National High tech Industrial Development Zone, Shandong Province, 253000 Patentee after: Yucheng Kyoto New Material Technology Co.,Ltd. Address before: 243002 59 Hudong Middle Road, Huashan District, Ma'anshan, Anhui Patentee before: ANHUI University OF TECHNOLOGY |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190507 |