CN106583175A - 处理液供给方法和处理液供给装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种实现了在处理液供给路径上安装有新的过滤器部时为了从过滤器部除去气泡而消耗的处理液的削减和启动时间的缩短的技术。实施如下工序：将处理液充满在新的过滤器部内的工序；接着，为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；之后，使上述过滤器部内升压的工序；然后，在使上述过滤器部的二次侧成为比上述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，从上述过滤器部的一次侧使处理液通过上述过滤器部的工序；和将通过了上述过滤器部的处理液经由喷嘴供给至被处理体来进行液处理的工序。由此，能够快速除去气泡。

Description

处理液供给方法和处理液供给装置
本申请是申请日为2013年10月9日、申请号为“201310467501.6”、发明名称为“处理液供给方法和处理液供给装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在使处理液经由过滤器部从喷嘴排出的处理液供给装置中除去过滤器部内的气泡的技术。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，从喷嘴对基板供给抗蚀剂液、酸或碱的清洗液、溶剂、绝缘膜形成用的前驱体含有液等药液来进行液处理。这样的药液供给装置通过在供给路径内配置过滤器部来除去异物。专利文献1中公开有作为这种药液供给装置的抗蚀剂涂敷装置。
在这些工序中，有时由于抗蚀剂、药液中的溶解气体而出现气泡，但随着图案(pattern)的线宽的细微化的不断推进，对以往不构成问题的细微的气泡，也迫于需要注意应对。
然而，在这些涂敷处理液的装置中，新安装有处理液中的异物除去用的过滤器部时(包括装置的启动时和更换过滤器部两种情况)，进行通过使处理液流过所安装的过滤器部而除去过滤器部内的气体的工序(以下称为“过滤器润湿”)(专利文献2)。作为现有的过滤器润湿的方法，在设置过滤器部之后，使用N2气体或泵的压力进行基于正压(大气压以上的压力)的过滤，并且监控由气泡引起的晶片上的缺陷的数量。而且，在缺陷数量减少到一定水平的时刻，视为过滤器部内的气体已被除去，工序结束。
但是，从批量生产成本的观点出发，要求削减过滤器部启动之前消耗的处理液并且需求缩短启动时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3461725号公报
专利文献2：日本特开平04-196517号公报
发明内容
发明想要解决的问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种在处理液供给路径安装有新的过滤器部时，实现了为了从过滤器部除去气泡而消耗的药液的削减和启动时间的缩短的技术。
用于解决课题的技术方案
本发明的处理液供给方法，其特征在于，包括：
将处理液充满在新的过滤器部内的工序；
接着，为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；
然后，使上述过滤器部内从上述第一压力气氛升压使得该过滤器部内为目标压力气氛的工序；
然后，在使上述过滤器部的二次侧为比上述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，从上述过滤器部的一次侧使处理液通过上述过滤器部的工序；和
将通过了上述过滤器部的处理液经由喷嘴供给到被处理体而进行液处理的工序。
本发明的另一方面是一种处理液供给装置，其特征在于：
上述处理液供给装置从上游侧开始依次设置有处理液供给源、过滤器部和喷嘴，用于从喷嘴对被处理体供给处理液进行液处理，
上述处理液供给装置具备：
分别在上述过滤器部的一次侧、二次侧和排放口设置的一次侧阀、二次侧阀和排放阀；
用于对上述过滤器部内进行减压的减压部；和
控制上述阀和减压部的控制部，
上述控制部具备执行以下步骤的程序，即：
从上述一次侧供给处理液使过滤器部内充满处理液的步骤；
使上述一次侧阀、二次侧阀和排放阀之中至少一个为关闭状态，使其它的阀为打开状态，利用上述加压部使该过滤器部内为作为负压气氛的第一压力气氛的步骤；
然后，使上述成为关闭状态的阀开放，使该过滤器部内从上述第一压力气氛开始升压，使得上述过滤器部内成为目标压力气氛的步骤；和
然后，在使上述过滤器部的二次侧成为比上述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，从上述过滤器部的一次侧使处理液通过上述过滤器部，经由上述喷嘴供给至被处理体进行液处理的步骤。
本发明的另一方面是一种存储用于处理液供给装置的计算机程序的存储介质，该处理液供给装置从上游侧依次设置有处理液供给源、过滤器部和喷嘴，用于从喷嘴对被处理体供给处理液进行液处理，上述存储介质的特征在于：
上述计算机程序编有步骤组以实施本发明的处理液供给方法的方式。
发明的效果
本发明中，在处理液供给路径上安装有新过滤部时，在过滤部形成作为负压的压力气氛，该压力气氛比将处理液通过过滤部供给至被处理体的处理时的压力状态低。因此，能够快速地除去过滤部内的气泡，并且能够减少残留的气泡，所以能够实现从利用处理液浸渍过滤部至实际的运转所需求的、起动时间的缩短和处理液消耗量的降低。此外，安装有新过滤部包括装置启动时的安装和过滤部的更换的安装这两者。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的整体图。
图2是设置于上述抗蚀剂涂敷装置的过滤器部的纵截侧视图。
图3是设置于上述过滤器部的过滤部件的概略图。
图4是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图5是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图6是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图7是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图8是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图9是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图10是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图11是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图12是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图13是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图14是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图15是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图16是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图17是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图18是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图19是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图20是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图21是第二实施方式的抗蚀剂涂敷装置的配管图。
图22是第二实施方式的抗蚀剂涂敷装置的配管图。
图23是第三实施方式的抗蚀剂涂敷装置的配管图。
图24是第四实施方式的抗蚀剂涂敷装置的整体图。
图25是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图26是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图27是表示上述抗蚀剂涂敷装置的阀的开闭的作用图。
图28是表示上述过滤器部内的样子的说明图。
图29是第五实施方式的抗蚀剂涂敷装置的整体图。
图30是适用本发明的显影液和纯水的配管系统的配管图。
图31是适用第一实施方式的涂敷、显影装置的平面图。
图32是上述涂敷、显影装置的立体图。
图33是上述涂敷、显影装置的概略纵截侧视图。
图34是表示评价结果的曲线图。
图35是表示评价结果的曲线图。
附图标记说明
W 晶片
1 抗蚀剂涂敷装置
10 控制部
11 旋转卡盘
2 减压供给源
3 过滤器部
25 泵
4 减压部
41、42 捕获箱(trap tank)
43 真空捕获箱
136 排气路径
311 抗蚀剂导入口
312 外部供给口
313 排放用口
具体实施方式
(第一实施方式)
以下说明作为本发明的处理液供给装置的一个实施方式的抗蚀剂涂敷装置1。该抗蚀剂涂敷装置1进行在背景技术的部分中述说的过滤器湿润处理和将通过被湿润的过滤器过滤后的抗蚀剂供给至作为基板的晶片W的抗蚀剂涂敷处理。图1表示该抗蚀剂涂敷装置1的整体构成。
抗蚀剂涂敷装置1具备：包括将晶片W水平保持的旋转卡盘11的杯体13；用于对保持于旋转卡盘11的晶片W的中心部供给作为处理液的抗蚀剂的喷嘴14。并且，上述抗蚀剂涂敷装置1还具有与上述喷嘴14连接的配管系统。在该配管系统中从上游侧起设置有成为抗蚀剂供给源的抗蚀剂供给源2、过滤器部3、泵25，利用泵25的动作使抗蚀剂供给源2的抗蚀剂在过滤器部3中过滤，然后从喷嘴14排出。另外，用于进行上述过滤器湿润处理的减压部4与该配管系统连接。
上述杯体13设置为包围旋转卡盘11，用于接收从晶片W洒落的抗蚀剂。杯体13的下部与用于对杯体内进行排气的排气路径和除去杯体内的废液的废液路径连接。
说明抗蚀剂供给源2时，上述抗蚀剂供给源2具备瓶21、N2(氮)气体供给部22和液体端箱23。瓶21是储存抗蚀剂液的密闭型的瓶，该瓶21与配管101、102的各一端连接。配管101的另一端经由阀V11与N2气体供给部22连接。该N2气体是瓶21内的加压用气体。配管102的另一端经由阀V12延伸至液体端箱23内。
上述液体端箱23设置为用于将抗蚀剂向下游侧稳定地供给，具备未图示的液面传感器，进行液量的管理。液体端箱23的上部与排放管111的一端连接，排放管111的另一端经由阀V13与大气气氛的排液路径(drain，排液)连接。液体端箱23的底部与配管103的一端连接，配管103的另一端经由阀V14与过滤器部3连接。该阀V14为过滤器部3的一次侧(抗蚀剂供给源侧)的阀。
过滤器部3捕集从上游侧向下游侧去的抗蚀剂中所包含的异物(颗粒)，将其从该抗蚀剂液中除去。参照图2的纵截侧视图简单说明过滤器部3的构成。过滤器部3具备滤筒31和包围滤筒31的容器32。滤筒31具备立起的内筒部33、覆盖内筒部33的周围的保持部34和设置为在保持部34内包围内筒部33的侧周的过滤部件35。图中，301是内筒部33内的流路，302是设置在内筒部33的侧壁的开口部，303是设置在保持部34的侧壁的开口部，304是设置在保持部34的上部的开口部。流路301、开口部302、304相互连通。另外，上述过滤部件35设置为遮住上述开口部302、303之间。
在容器32的上侧设置有口311、312、313。口311是与上述配管103连接的抗蚀剂导入口。另外，在容器32内设置有引导部件36，从上述抗蚀剂导入口311流入的抗蚀剂被该引导部件36引导为通过容器32的底部侧之后沿引导部件36向上侧去。图中，314是由引导部件36和容器32的内壁形成，从抗蚀剂导入口311向下方去的流路。图中，315是以从上述流路314向水平扩展的方式形成于滤筒31的下方的流路，316是从流路315沿保持部34的外壁向上侧延伸的流路。
上述口312是用于将过滤后的抗蚀剂供给至外部的外部供给口，在上述滤筒31的开口部304开口。上述口313是排放用口，在上述流路316开口。这些口311、312、313构成为分别相对于与它们连接的配管103、104、131自由装卸。
与说明上述过滤部件35一起，补充说明在背景技术的部分中述说的过滤器湿润处理时的问题。上述过滤部件35例如是将由无纺布构成的膜部件折弯而构成的。该过滤部件35在将过滤器部3安装于抗蚀剂涂敷装置1时是干燥的，但是在使用时浸入抗蚀剂。过滤部件35具备大量的微细的孔321。图3是极端示意地表示该孔321。图中的箭头322、箭头323分别表示向过滤部件35去的抗蚀剂、通过了过滤部件35的抗蚀剂。如果上游侧的抗蚀剂中包含的异物(夹杂物)比孔321大，则直接被过滤部件35捕集。而且，即使异物比孔321小，通过作为公知道的遮挡捕集、惯性捕集、扩散捕集和静电吸附捕集，该异物也被过滤部件35捕集，能够防止向过滤部件35的下游侧流出。但是，如上所述，孔321的大小具有偏差，由于该孔321的大小，抗蚀剂向孔321的浸透难以发生。
即，认为即使将抗蚀剂供给至过滤器部3进行过滤器湿润，在过滤部件35中也产生不被抗蚀剂浸入的区域。在这样的状态下进行抗蚀剂涂敷处理时，上游侧的抗蚀剂仅在过滤部件35之中被限制的范围内流通，向过滤部件35的下游侧供给。因此，难以充分进行上述的遮挡捕集、惯性捕集、扩散捕集和静电吸附捕集。为了防止这种情况，在该抗蚀剂涂敷装置1中，作为上述过滤器湿润处理，进行后述的负压脱气处理和大气开放处理。负压是比大气压低的压力。
返回图1继续说明配管系统。上述过滤器部3的外部供给口312与配管104的一端连接，配管104的另一端经由阀V15与捕获箱24的壁面连接。捕获箱24的上部侧与排放管112的一端连接，排放管112的另一端经由阀V16与上述大气气氛的排液路径连接。图中，V16是设置于排放管112的阀。捕获箱24具有捕集抗蚀剂中的气泡，并经由排放管112将其除去的作用。
捕获箱24的下部与配管105的一端连接，配管105的另一端经由阀V17与泵25的上游侧连接。作为上述泵25例如能够使用具有反映来自泵外部的吸引加压的构造的泵。作为例子，能够列举膈膜泵等空压泵。因设置在泵25内的空间的内压而膈膜变形，由此进行由上述膈膜构成的抗蚀剂的流路的扩张、收缩。通过上述流路的扩张，该泵25的上游侧、即过滤器部3的二次侧(喷嘴侧)的减压导致的负压气氛的形成的结果是，进行向上述流路的抗蚀剂的吸引。另外，通过上述流路的收缩，进行从该流路向下游侧的抗蚀剂的排出。图中，121是为了对上述空间进行加压而用于供给空气的配管，122是为了对上述空间进行减压而用于从该空间排出空气的配管。图中V21、V22是分别设置于配管121、122的阀。
泵25经由阀V18与配管106的一端连接，配管106的另一端与捕获箱26的壁面连接。捕获箱26与上述捕获箱24相同，是为了进行气泡的捕集和除去而设置的。捕获箱26的上部侧与排放管113的一端连接，排放管113的另一端经由阀V19与上述排液路径连接。上述捕获箱26的下部与配管107的一端连接，配管107的另一端经由阀V23与上述喷嘴14连接。
接着，说明减压部4。该减压部4包括以下述说的配管(还包括记载为排气管的部件)、捕获箱41、42、真空捕获箱43、排气路径136和各阀。上述过滤器部3的排放用口313与配管131的一端连接。配管131的另一端经由作为排放阀的阀V41与上述捕获箱41的底部连接。该捕获箱41在上述负压脱气处理时其内部成为负压气氛，捕获从过滤器部3吸引的抗蚀剂。捕获箱41的底部与排液管114的一端连接，排液管114的另一端经由阀V42与上述排液路径连接。捕获箱41的上部与排气管132的一端连接，排气管132的另一端经由阀V43与真空捕获箱43连接。
另外，在与过滤器部3的外部供给口312连接的配管104中，阀V15的前段侧与配管133的一端连接。配管133的另一端经由成为过滤器部3的二次侧阀的阀V44与捕获箱42的底部连接。该捕获箱42与捕获箱41同样在负压脱气处理时，其内部成为负压气氛，捕获从过滤器部3吸引的抗蚀剂。捕获箱42的底部与用于将存储在捕获箱42的抗蚀剂向排液路径除去的排液管115的一端连接。排液管115的另一端经由阀V45与上述排液路径连接。捕获箱42的上部与排气管134的一端连接，排气管134的另一端经由阀V46与真空捕获箱43连接。
真空捕获箱43具有更加可靠地抑制抗蚀剂向排气路径136的流入的作用。设置在真空捕获箱43的内部空间44被减压，在该内部空间44内存储从捕获箱41、42经由排气管132、134泄露的抗蚀剂。在上述内部空间44中设置有液面计45，当检测出上述泄露的抗蚀剂的液面时，向后述的控制部10输出规定的信号。真空捕获箱43的上侧与排气管135的一端连接，排气管135的另一端经由阀V47与设置在空气的排气路径136中的排气量调整部46连接。利用排气量调整部46，将排气管135的排气流量调整为适当的值。图中，47是真空计，根据排气管135内的真空度对控制部10输出信号。
抗蚀剂涂敷装置1具备控制部10。控制部10包括程序、CPU和总线等。上述程序编有命令(各步骤)，使得从上述控制部10对抗蚀剂涂敷装置1的各部输出控制信号，进行后述的处理。该程序存储于计算机存储介质例如软盘(flexible disc)、光盘(compact disc)、硬盘(hard disk)、MO(光磁盘)等存储部件中，从而安装在主存储器中。作为上述程序，包括用于进行旋转卡盘11的旋转、由各阀的开闭进行的泵25的动作、抗蚀剂的向下游侧的流通和负压脱气处理的程序，各程序通过上述CPU执行这些动作。
控制部10具有未图示的操作部。抗蚀剂涂敷装置1的操作人员从该操作部进行规定的操作，由此对抗蚀剂涂敷装置1的各部输出控制信号，使得自动地进行上述过滤器湿润处理。另外，控制部10监视来自真空计47和液面计45的信号，当检测到真空度异常和抗蚀剂泄露时，通过未图示的警报产生部输出警报。警报例如为声音、画面显示。
上述的过滤器湿润处理包括：将抗蚀剂导入过滤器部3而将过滤部件35浸渍于抗蚀剂的浸渍处理；使上述过滤器部3内成为负压气氛而进行脱气的负压脱气处理；将过滤器部3内开放于大气的大气开放处理；和使抗蚀剂从过滤器部3的一次侧向喷嘴14流通的通流处理，依次进行各处理。以下，相互对应表示抗蚀剂涂敷装置1的各阀开闭的样子的图4～图11和表示抗蚀剂在过滤器部3的内部流通的样子的图12～图20，说明上述过滤器湿润处理和之后进行的抗蚀剂涂敷处理。图4～图11中用粗线表示配管中的抗蚀剂的流动。图13～图20中，也表示与各口311～313连接的阀V14、V41、V15、V44的开闭状态。
首先，准备图12所示的新的过滤器部3，即上述过滤部件35没有浸入液体干燥状态的过滤器部3。该过滤器部3安装于图1中将该过滤器部3取下的状态的抗蚀剂涂敷装置1。具体而言，在上述口311、312、313连接配管103、104、131，形成图1所示的抗蚀剂涂敷装置1。例如，各阀V11～V47在该时刻关闭。
抗蚀剂涂敷装置1的操作员，从控制部10的操作部进行规定的操作时，使阀V12、V14、V41、V42开放，使从瓶21经由过滤器部3和捕获箱41直至排液路径的路径开放，开始过滤器部3的浸渍处理。阀V11开放，对瓶21供给N2气体而其内压上升，如图4所示，抗蚀剂从抗蚀剂供给源2向过滤器部3流通。向过滤器部3供给的抗蚀剂，如图13所示，从抗蚀剂导入口311供给至容器32内的流路314、315、316，供给至过滤部件35。然后，如图14所示，进而抗蚀剂被供给至流路316，充满该流路316，经由排放用口313流向排液路径，并且抗蚀剂从流路316浸透过滤部件35。
从开始浸渍处理起经过规定的时间后，使阀V41、阀V42关闭，将从过滤器部3的排放用口313经由捕获箱41至排液路径的路径遮断。与该路径的遮断一起，如图5所示，使阀V44、V45开放，将从过滤器部3的外部供给口312经由捕获箱42至排液路径的路径开放。由此，如图15所示，抗蚀剂经由过滤部件35向上述流路316的内侧的流路301流动，进一步进行该过滤部件35的浸渍。抗蚀剂的流通持续，流路301被抗蚀剂充满，抗蚀剂从外部供给口312经由捕获箱42排出至排液路径。此时，在过滤部件35中不面对开口部303的区域，与面对开口部303的区域相比，难以接触抗蚀剂，另外，如上所述，由于抗蚀剂不均匀地浸透过滤部件35，所以如图16所示过滤部件35中存在不被抗蚀剂浸入的部位、即残留有气泡40的部位。
从上述浸渍处理开始起经过规定时间后，使阀V11、V12、V14关闭，停止向瓶21供给N2气体，并且将从瓶21至过滤器部3的路径封闭，浸渍处理结束。与其同时，使阀V45关闭，将从捕获箱42至排液路径的路径锁闭。然后，如图6所示，使阀V41、V43、V44、V46、V47开放，将从过滤器部3的排放用口313经由捕获箱41、真空捕获箱43至排气路径136的路径和从过滤器部3的外部供给口312经由捕获箱42、真空捕获箱43至排气路径136的路径开放。由此，开始负压脱气处理，过滤器部3的容器32的内部被吸引、减压。
上述容器32内成为负压气氛，维持为例如-51kPa～-80kPa。该例中，维持为-80kPa(-80000Pa)。使用图17说明此时的过滤器部3的内部的样子时，抗蚀剂所包含的气泡40的容积变大，相对于该抗蚀剂的浮力变大。另外，通过这样从口312、313吸引抗蚀剂，引起过滤器部3内的抗蚀剂的流动。该抗蚀剂的流动，除了对抗蚀剂作用吸引力这样的起因之外，也以通过如后述的评价试验中所示的那样形成有负压气氛而容器32的内部收缩为起因而发生。通过该抗蚀剂的流动，促进过滤部件35中的抗蚀剂的毛细管现象，抗蚀剂浸透到至此蓄积有气泡40的过滤部件35的流路，并且气泡40从过滤部件35被引出。这样被引出的气泡40的浮力变大，因此如图18所示向进行吸引的口312、313集中。这样，从过滤部件35除去气泡40。
在该负压脱气处理时从口312、313吸引来的抗蚀剂被捕获箱41、42捕集并存储于其中。从负压脱气处理的开始起经过规定时间后，使阀V43、V46、V47关闭，将从捕获箱41、42经由真空捕获箱43至排气路径136的路径封闭，负压脱气处理结束。与该路径的封闭同时地进行将阀V42、V45开放的大气开放处理，如图7所示，将从过滤器部3经由捕获箱41、42至大气气氛的排液路径的路径开放。由此，过滤器部3内的压力上升成为大气压，如图19所示，作用于被引出至口312、313的气泡40的压力上升，其结果是，该气泡40如图20所示溶解于抗蚀剂中。与该气泡40的溶解的同时，被捕获箱41、42捕集的抗蚀剂向排液路径排出。
然后，使阀V41、V42、V44、V45关闭，将从过滤器部3经由捕获箱41、42至排液路径的路径封闭。然后，使阀V12、V14、V15、V16开放，将从瓶21经由液体端箱23、过滤器部3、捕获箱24至排液路径的路径开放。进而，使阀V11开放，利用N2气体将瓶21加压，开始抗蚀剂通流处理。如图8所示，抗蚀剂从抗蚀剂供给源2被供给至上述路径，在过滤器部3内溶解有上述气泡40的抗蚀剂被挤压流向过滤器部3的外部，经由捕获箱24被除去至排液路径。由此，能够防止溶解的气泡40再次发泡成为颗粒。
在从抗蚀剂通流处理开始起经过规定的时间后，使阀V16关闭，将从过滤器部3经由捕获箱24至排液路径的路径封闭。与该路径的封闭的同时，使阀V17、V18、V23开放，如图9所示将从过滤器部3经由捕获箱24、泵25和捕获箱26至喷嘴14的路径开放，以从上述喷嘴14排出抗蚀剂的方式持续抗蚀剂通流处理。由此，过滤器部3的上游侧的颗粒被过滤器部3捕集，过滤器部3的下游侧的颗粒与抗蚀剂一起被排出，从配管系统除去。此外，这样在使抗蚀剂流通中适当的蚀刻开闭阀V19、阀V23，将抗蚀剂存储在捕获箱26。
从通流处理的开始起经过规定时间后，使阀V11关闭，停止对瓶21内供给N2气体，并且使V18、V23关闭，将从泵25至喷嘴14的路径遮断，抗蚀剂的通流处理结束。之后，进行抗蚀剂涂敷处理。首先，利用未图示的搬送机构将晶片W保持于旋转卡盘11上，使其围绕铅直轴旋转，并且如图10所示进行泵25的吸引动作，过滤器部3的二次侧被减压。由此，使抗蚀剂从瓶21向过滤器部3的二次侧流入，抗蚀剂存储在泵25中。利用该吸引动作，该过滤器部3内和上述配管内的压力成为-1kPa～-50kPa，例如-1kPa(-1000Pa)。
在上述负压脱气处理时，为了实现从过滤部件35除去气泡40的目的，使过滤器部3内成为比较大的负压气氛。但是，当负压气氛过大时，有时溶解于抗蚀剂中的溶剂中的成分析出，抗蚀剂的性质发生变化。在抗蚀剂涂敷处理时，从防止如上所述变质的抗蚀剂被供给至晶片W的目的、和防止上述析出的成分成为颗粒的目的出发，控制泵25的吸引量，使得包括过滤器部3的配管系统内的压力如上所述成为比负压脱气处理时的过滤器部3内的压力高的压力气氛。此外，即使在上述负压脱气处理时在过滤器部3中抗蚀剂的成分析出，由于之后每当除去过滤器部3的抗蚀剂时都被过滤部件35捕集，或者与溶解有气泡的抗蚀剂一起从配管系统排出，所以对抗蚀剂涂敷处理没有影响。
使阀17关闭，由泵25进行的吸引动作结束时，使阀V18开放，并且对泵25供给空气，在对用于控制已述的膈膜的形状的空间的压力进行了调整之后，将阀23打开进行从泵25向喷嘴14排出抗蚀剂的排出动作。然后，如图11所示，从喷嘴14对晶片W的中心部供给抗蚀剂。该抗蚀剂因离心力而向晶片W的周缘部扩展，涂敷至晶片W的表面整体。在排出后，使阀V18、V23关闭，抗蚀剂涂敷处理结束。此外，实际上抗蚀剂涂敷处理时的泵25的加压阶段性地进行，但是在此省略详细的记载。
连续地将多个晶片W搬送至抗蚀剂涂敷装置1，反复上述泵25的吸引、排出动作，将抗蚀剂涂敷在各晶片W上。此外，在该反复的涂敷处理中的适当时刻，将从泵25至过滤器部3的排放用口、捕获箱41、排液路径的路径开放，并且通过进行泵25的排出动作来进行过滤器部3的排放(排气)。与液体端箱23、捕获箱24、捕获箱26连接的排液管的阀也同样在适当的时刻成为打开的状态，利用从瓶21或泵25压送的抗蚀剂进行排放。
根据该抗蚀剂涂敷装置1，对过滤器部3的容器32内供给抗蚀剂，将过滤部件35浸入抗蚀剂后，利用减压部4吸引容器32内，使其成为比涂敷处理时的负压气氛低的压力的负压气氛，来将过滤部件35的孔321中所含有的气泡引出。然后，使过滤器部3返回大气压气氛，使上述气泡溶解于抗蚀剂中。通过如上所述那样进行处理，能够从过滤部件35快速除去气泡，另外能够降低残留于过滤器部3的气泡。因而，在新启动抗蚀剂涂敷装置1的情况和更换过滤器部3的情况中的任意情况下，都能够实现从将过滤器部3安装于抗蚀剂涂敷装置1、将过滤器部3浸渍于抗蚀剂液起直到对晶片W进行处理为止所需要的抗蚀剂涂敷装置1的启动时间的缩短。另外，也能够抑制该抗蚀剂涂敷装置1的启动之前使抗蚀剂在过滤器部3中通液的量。这些的结果是，能够实现抗蚀剂涂敷装置1的处理效率的提高，也能够抑制该启动所需要的成本。
(第二实施方式)
接着，参照图21对第二实施方式以与第一实施方式的不同点为中心进行说明。在该第二实施方式中，减压部4的构成与第一实施方式不同。图21中表示该减压部4和其周边的结构，阀V14的上游侧、阀V15的下游侧分别与第一实施方式同样地构成，由此省略记载。该第二实施方式中，替代捕获箱41、42而分别设置有泵51、52。这些泵51、52经由排气管132、134与真空箱53连接。真空箱53除了没有设置液面计45之外与第一实施方式的真空捕获箱43同样地构成，经由阀V47与排气路径136连接。
上述泵51、52例如由与泵25相同的膈膜泵构成。另外，泵51、52分别与空气供给管501、502分别连接。利用来自空气供给管501、502的空气供给和来自排气管132、134的排气，泵51、52分别进行驱动。图中，V51、V52分别为设置于空气供给管501、502的阀。
在进行上述负压脱气处理时，使阀V47打开，从泵51、52经由真空箱53至排气路径136的路径成为开放的状态。此时，如图21所示，将阀V14、V15、V42、V45、V51、V52关闭，过滤器部3与其上游侧、过滤器部3与其下游侧的至捕获箱24的路径、从泵51、52至排液路径的路径分别成为被遮断的状态。另外，将阀V41、V44打开，从过滤器部3的排放用口313、外部供给口312至泵51、52的路径成为开放的状态。如上所述，控制各阀的开闭，泵51、52进行吸引动作，由此经由外部供给口312、排放用口313对过滤器部3内进行吸引，在过滤器部3内形成与第1的实施方式同样的负压气氛。
在负压脱气处理结束时，将阀V47、V41、V44关闭，从过滤器部3至泵51、52的路径和从真空箱53至排气路径136的路径被遮断，泵51、52的吸引动作结束。然后，将阀V42、V45打开，从过滤器部3经由泵51、52至排液路径的路径开放，进行已述的大气开放处理。然后，如图22所示将阀V41、V44关闭，从过滤器部3至泵51、52的路径被遮断，并且将阀V51、V52打开，泵51、52进行排出动作。由此，残留于泵51、52的抗蚀剂被排出至排液路径。第二实施方式中，该负压脱气处理和大气开放处理以外的各处理与第一实施方式同样地进行，因此省略详细的说明。在该第二实施方式中，也能够获得与第一实施方式相同的效果。
(第三实施方式)
图23所示的第三实施方式中，减压部4的构成与第二实施方式不同。与第2的实施方式同样地设置有泵51、52。这些泵51、52不与排气路径136连接，根据有无来自空气供给管501、502的空气供给，切换排出动作、吸引动作。泵51、52例如构成为具备注射器、气动气缸的泵，以能够进行上述那样的动作。各阀的开闭与第二实施方式同样地进行，进行负压脱气处理和之后的过滤器部3内的大气开放处理。另外，在该例中，真空计47构成为测量将过滤器部3和泵51连接的配管131的真空度。
另外，替代利用气动进行动作的泵例如由电动泵构成泵51、52。在上述第三实施方式中，也与第一实施方式相同，能够实现抗蚀剂涂敷装置1的启动时间的迅速化。
(第四实施方式)
也可以不设置减压部4，而使用泵25进行负压脱气处理。图24表示这样的作为第四实施方式的抗蚀剂涂敷装置5。当说明与第一实施方式的不同点时，除了没有设置上述减压部4之外，还能够列举与过滤器部3的排放用口连接的配管131经由阀V41与排液路径连接。另外，在该实施方式中，过滤器部3的二次侧阀相当于设置于捕获箱24的排液管112的阀V16。
使用图24～图27说明抗蚀剂涂敷装置5的动作。在将过滤器部3安装于抗蚀剂涂敷装置5的各配管后，与第一的实施方式同样地从抗蚀剂供给源2经由过滤器部3的排放用口313至排液路径路地供给抗蚀剂，并且如图24所示，依次经由外部供给口312、捕获箱24、阀V16至排液路径地供给抗蚀剂，进行过滤器部3的浸渍处理。
之后，将从瓶21至液体端箱23的路径、从液体端箱23至过滤器部3路径分别封闭，停止从瓶21向下游侧的抗蚀剂的供给，并且停止向瓶21供给N2气体。并且，将阀V16关闭，将从捕获箱24至排液路径的路径封闭，并且将阀V17开放，将从过滤器部3经由捕获箱24至泵25的路径开放。而且，如图25所示进行泵25的吸引动作，进行负压脱气处理。在该负压脱气处理中，通过控制泵25的吸引量，将过滤器部3内维持在-51kPa～-80kPa，例如-80kPa(-80000Pa)。由此，如图28所示，朝向过滤器部3的外部供给口312，将气泡40从过滤部件35引出。
然后，如图26所示，将阀V41、V16开放，将过滤器部3的排放用口313向排液路径开放，并且将过滤器部3的外部供给口312经由捕获箱24向排液路径开放，过滤器部3内成为大气压气氛。由此，与第一实施方式同样地进行气泡40向抗蚀剂的溶解。另外，泵25的吸引状态被解除，成为排出状态。
然后，与第一实施方式同样地以使抗蚀剂从抗蚀剂供给源2依次流过过滤器部3、泵25、捕获箱26、喷嘴14而排出的方式进行通流处理。此外，抗蚀剂向捕获箱26的填充也与第一实施方式同样地进行。上述抗蚀剂的排出持续规定时间后，开始抗蚀剂涂敷处理，如图27所示，实施由泵25进行的吸引。此处的吸引被控制为与第一实施方式的抗蚀剂涂敷处理时同样，过滤器部3成为比负压脱气处理时的压力高的压力。然后，进行泵25的排出动作，将所吸引的抗蚀剂从喷嘴14供给至晶片W。
在这种抗蚀剂涂敷装置5中，也能够获得与第一实施方式相同的效果。在该实施方式中，泵25具有减压部4的作用，因此具有能够使装置构成简单的优点。但是，将过滤器部3维持为如上所述比较大的负压气氛，有时对泵25带来大的负载而使其劣化，因此从防止上述劣化的观点出发，如第一实施方式那样设置用于进行负压脱气处理的专用的减压部4是有效的。
(第五实施方式)
图29所示的第五实施方式的抗蚀剂涂敷装置50是第四实施方式的变形例，与第四实施方式同样利用泵25进行负压脱气处理。记述与第四实施方式的不同点时，能够列举设置有配管503、504、在这些配管上设置有阀V53、V54。配管503连接捕获箱24和配管103的阀V14的上游侧。配管504相互连接泵25和捕获箱24。此外，为了图示的方便，来自泵25的抗蚀剂的排出路径表示为该配管504和配管107这两个延伸路径，但是实际上配管504、配管107是从泵25延伸的配管的前端侧分支而构成的。
该实施方式的通流处理中，包括为了抑制抗蚀剂的使用量而使用配管503、504以如下所述的方式使抗蚀剂流通的工序。使阀V11、V12、V14、V17开放，进行瓶21的加压并且使从瓶21经由过滤器部3、捕获箱24至泵25的路径开放。而且，在进行泵25的吸引动作后，关闭阀V12将瓶21和液体端箱23的连接遮断，并且使阀V54、V53、V13开放，将从泵25经由捕获箱24至液体端箱23的路径开放。进行来自泵25的排出动作，使抗蚀剂返回液体端箱23侧。过滤器部3的浸渍处理、负压脱气处理、大气开放处理和抗蚀剂涂敷处理与第四实施方式同样地进行，在此省略记载。
(第六实施方式)
对将本发明适用于抗蚀剂涂敷装置的情况进行了说明，但是作为处理液不限于使用抗蚀剂。图30概略地表示供给显影液的显影液供给系统60和供给纯水的纯水供给系统61。显影液供给系统60和纯水供给系统61构成对晶片W供给显影液，并且通过对晶片W供给纯水而将晶片W上的该显影液除去的显影装置。在显影装置中，为了如上所述那样将显影液和纯水供给到晶片W，与抗蚀剂涂敷装置1同样地设置有杯体13和旋转卡盘11。另外，设置有控制各阀的开闭等动作的控制部10，但是上述杯体13、旋转卡盘11、控制部10的图示省略。
图中62是显影液的供给部，63是存储从供给部供给的显影液的灌，它们一起构成显影液的供给源。箱63还具有通过来自N2气体供给源64的N2气体的供给，在将显影液加压了的状态下对下游侧进行送液的作用。图中V61、V62是用于分别控制对箱63的显影液供给、N2气体供给的阀。图中65是用于使来自箱63的流路分支的支路形成部。图的例子中，形成为三个支路。
在支路形成部65的下游经由各阀V63设置有过滤器部3，在过滤器部3的下游设置有阀V64。在过滤器部3的排放用口313和过滤器部3的下游侧且阀V64的上游侧连接有在第一实施方式中说明了的减压部4。阀V64的下游侧的构成，在图中表示三种变化。一个是在流量计67的下游侧由支路形成部68分支，各分支端经由阀V65与喷嘴66连接的例子。一个是在过滤器部3的下游侧分支，各分支端依次经由流量计67、阀V65与喷嘴66连接的例子。一个是不分支地依次经由流量计67、阀V65与喷嘴66连接的例子。如上所述，安装过滤器部3的配管系统的构成是任意的。
显影液供给系统60中与第一实施方式同样地进行过滤器湿润处理。但是，作为处理液，替代抗蚀剂使用从供给部62经由箱63供给至下游侧的显影液。过滤器湿润处理后，从喷嘴66将显影液供给至晶片W时，从箱63将加压后的显影液供给至下游侧。即，在该例子中，在显影液供给时从包括过滤器部3内的箱63至喷嘴66的路径成为正压气氛。即，不限于如上述各实施方式那样在对晶片W供给处理液时，在过滤器部3的下游侧形成负压气氛。但是，在该显影液供给系统60中，也可以使用信纳水替代显影液作为处理液，由此构成信纳水供给系统。该信纳水供给系统例如适用于上述的抗蚀剂涂敷装置1，在抗蚀剂涂敷前对晶片W供给信纳水，提高抗蚀剂的对晶片W的润湿性。
纯水供给系统61具备从纯水供给源69经由阀V61、阀V63、过滤器部3、流量计67、阀V65至喷嘴66的配管系统。并且，与显影液供给系统60同样，该配管系统与减压部4连接，与第一实施方式同样地进行过滤器湿润处理。该湿润中使用从纯水供给源69供给的纯水替代抗蚀剂。纯水供给源69例如由根据工厂的用量使该纯水流动的流路构成，该配管系统构成为利用从该纯水供给源69流入上述配管系统的该纯水的水压，使纯水向喷嘴66侧流通。即，即使在该纯水供给系统61中对晶片W供给纯水时，从纯水供给源69至喷嘴66的配管内也为正压气氛。
在上述各实施方式中，可以反复进行负压脱气处理和过滤器部3的大气开放处理。另外，在上述的例子中，在过滤器部3中，从外部供给口312或者从外部供给口312和排放用口313进行吸引，但是从哪个口进行吸引在这些例子中不限制。例如，减压部4也可以构成为从抗蚀剂导入口311进行吸引。
接着，说明例如适用上述抗蚀剂涂敷装置1的涂敷、显影装置7。图31、图32、图33分别是涂敷、显影装置7的平面图、立体图、概略纵截侧视图。该涂敷、显影装置7将载体块D1、处理块D2和接口块D3直线状连接而构成。接口块D3还与曝光装置D4连接。在以后的说明中，设块D1～D3的配列方向为前后方向。载体块D1具有将包括多个作为基板的晶片W的载体C搬入搬出装置内的作用，具备载体C的载置台71、开闭部72和用于经由开闭部72从载体C搬送晶片W的移载机构73。
处理块D2通过将对晶片W进行液处理的第1～第6单位块B1～B6从下开始依次叠层而构成。为了说明的方便，有时将在晶片W形成下层侧的反射防止膜的处理表现为“BCT”，将在晶片W形成抗蚀剂膜的处理表现为“COT”，将用于在曝光后的晶片W形成抗蚀剂图案的处理表现为“DEV”。另外，在以后的说明中，有时将单位块表现为“层”避免记载的复杂化。
在该例子中，从下开始将BCT层、COT层、DEV层各两层地层叠起来，以COT层(B3、B4)为代表参照图31进行说明。从载体块D1向接口块D3去的搬送区域R的左右的一侧配置有棚架单元U。在另一侧前后排列地设置有上述抗蚀剂涂敷装置1和保护膜形成模块74，作为液处理模块。涂敷、显影装置7中，将载置有晶片W的场所称为模块，因此与其对应，在此将抗蚀剂涂敷装置1标记为抗蚀剂涂敷模块1。
在上述搬送区域R设置有用于搬送晶片W的作为基板搬送机构的搬送臂A3。该搬送臂A3构成为进退自如、升降自如、围绕铅直轴自由旋转且在搬送区域R的长度方向上自由移动，能够在单位块B3的各模块间进行晶片W的交接。另外，上述棚架单元U包括进行晶片W的加热处理的加热模块76和周缘曝光模块77。周缘曝光模块77对抗蚀剂涂敷后的晶片W的周缘部进行曝光。
另外的单位块B1、B2、B5和B6，在液处理模块中，除了对晶片W供给的药液不同之外，与单位块B3、B4同样地构成。单位块B1、B2具备反射防止膜形成模块作为液处理模块来替代抗蚀剂涂敷模块1、保护膜形成模块74，单位块B5、B6具备显影模块作为液处理模块。
在处理块D2的载体块D1侧设置有塔T1，设置有用于对该塔T1进行晶片W的交接的自由升降的交接机构即交接臂75。塔T1除了上述交接模块之外，还设置有暂时保存多个晶片W的缓冲模块和使晶片W的表面疏水化的疏水化处理模块等，但是为了使说明简便，将这些模块设为在交接臂75和各单位块B1～B6的搬送臂A1～A6之间用于交接晶片W的交接模块TRS。另外，在塔T1设置有检测晶片W的表面的颗粒的检测模块70。
接口块D3具备跨单位块B1～B6地上下延伸的塔T2、T3、T4，设置有：用于对塔T2和塔T3进行晶片W的交接的自由升降的交接机构即接口臂79、用于对塔T2和塔T4进行晶片W的交接的自由升降的交接机构即接口臂78、和用于在塔T2与曝光装置D4之间进行晶片W的交接的接口臂80。如图33所示，塔T2是通过将交接模块TRS相互叠层而构成的。此外，关于塔T3、T4省略说明。
简单说明由该涂敷、显影装置7和曝光装置D4构成的系统的晶片W的搬送路径的概略。晶片W以载体C→移载机构73→塔T1的交接模块TRS→交接臂75→塔T1的交接模块TRS→单位块B1(B2)→单位块B3(B4)→接口块D3→曝光装置D4→接口块D3→单位块B5(B6)→塔T1的交接模块TRS→移载机构73→载体C的顺序移动。
当进一步详细说明处理块D2内的晶片W的移动时，形成反射防止膜的单位块B1、B2、形成抗蚀剂膜的单位块B3、B4和进行显影的单位块B5、B6双重化(成对)，对于这些双重化的单位块，相同批次内的多个晶片W分开两份，即交替搬送至单位块。例如在将晶片W交接至单位块B1时，利用交接臂75对塔T1之中的交接模块TRS之中与单位块B1对应的交接模块TRS1(能够由搬送臂A1交接晶片W的交接模块)交接晶片W。塔T1的交接臂75的交接起源的模块是由移载机构73搬入的交接模块TRS0。
另外，如果设与单位块B2对应的交接模块为TRS2，则交接模块TRS0的晶片W由交接臂75交接至交接模块TRS2。因此，相同批次内的晶片W由交接臂75交替地分开到交接模块TRS1、TRS2。
搬送臂A1、A2接收这些交接模块TRS1、TRS2的晶片W，将其依次搬送至反射防止膜形成模块、加热模块，来形成反射防止膜。该反射防止膜的形成结束了的晶片W例如经由交接模块TRS1或TRS2，由交接臂75在与单位块B3对应的交接模块TRS3和与单位块B4对应的交接模块TRS4之间分开搬送。搬送臂A3、A4接收这些交接模块TRS3、TRS4的晶片W，将其依次搬送至抗蚀剂涂敷模块1、加热模块76、周缘曝光模块77，来进行抗蚀剂膜的形成、周缘曝光。然后，晶片W如上所述被搬送至塔T2，在曝光装置D4中曝光。
进而，结束了曝光的晶片W由接口块D3的接口臂78、79、80经由塔T2的交接模块TRS交替地搬入至单位块B5、B6。通过单位块B5、B6，晶片W由搬送臂A5、A6依次搬送至加热模块→显影模块→加热模块后，经由塔T1返回载体C。例如，由已述的控制部10对涂敷、显影装置7的各部发出控制信号，由此来控制晶片W的搬送和模块的动作，进行上述那样的处理。另外，由控制部10控制后述检查处理中的各部的动作。
接着，对使用上述检查模块70的检查处理进行说明。第3单位块B3的抗蚀剂涂敷模块1中，如在第一实施方式中说明的那样依次进行了负压脱气处理、大气开放处理、抗蚀剂通流处理，之后利用未图示的搬送机构将收纳有多个测试用晶片W1的载体C搬送至涂敷、显影装置7。将测试用晶片W1从载体C以移载机构73→交接模块TRS3→搬送臂A3→抗蚀剂涂敷模块1的顺序依次进行搬送，对该测试用晶片W1进行抗蚀剂涂敷处理。然后，将测试用晶片W1以搬送臂A3→交接模块TRS3→交接臂75→检查模块70的顺序进行搬送，在该检查模块70中接受检查，通过移载机构73返回载体C。
检查模块70的检查结果被发送至控制部10，计数抗蚀剂膜中的颗粒的数量。当所计数的颗粒数在基准值以下时，控制部10使涂敷、显影装置7为能够使用。即，当载体C被搬送至上述载置台71时，能够从该载体C如上所述那样搬送晶片W来进行处理。所计数的颗粒数超过基准值时，控制部10例如控制抗蚀剂涂敷模块1的动作以使得再次进行负压脱气处理、大气开放处理和抗蚀剂通液处理。然后，从载体C将新的测试用晶片搬送至上述抗蚀剂涂敷模块1。例如，直至颗粒数成为基准值以下为止，反复上述的负压脱气处理、抗蚀剂通液处理、对测试用晶片的抗蚀剂涂敷处理。
即使载体C被搬送至载置台71，直至上述颗粒成为基准值以下为止，也停止(保留)从该载体C排出产品制造用的晶片W。如上所述，通过进行晶片W的搬送控制和抗蚀剂涂敷模块1的动作控制，能够更加可靠地抑制颗粒混入产品制造用的晶片W。是否再次进行负压脱气处理、大气开放处理和抗蚀剂通液处理，替代控制部10决定，可以由装置的操作员基于由检查模块70检测出的颗粒数来决定。
但是，在上述的各例中，在利用大气开放处理使气泡溶解在抗蚀剂中后，进行通流处理，将溶解有该气泡的抗蚀剂进行排液，但是也可以在晶片W上涂敷不进行如上所述那样利用通流处理进行的排液而溶解有气泡状态的抗蚀剂。但是，如上所述，为了避免再发泡，优选进行上述通流处理。
另外，在专利申请的范围内所说的目标压力气氛，是在负压脱气处理后为了使气泡溶解而使过滤器部3内的压力上升，以使气泡溶解为目标的规定的压力气氛，在上述的各实施方式中相当于大气压气氛。但是，该目标压力气氛不限于大气压气氛，可以为任意的压力气氛。例如，在第一实施方式中进行过滤器部3的浸渍处理，然后使抗蚀剂在从喷嘴14至瓶21的路径流通。然后，进行负压脱气处理，将过滤器部3内在大气气氛开放。此时，过滤器部3内的压力上升，将在到达大气压之前开放的阀关闭，将过滤器部3内维持在负压气氛。然后，进行泵25的吸引动作、排出动作，对晶片W供给抗蚀剂。即，在该情况下，上述负压气氛为目标负压气氛。
(评价试验1)
准备现有的3种过滤器部3，使其内部的压力变化。然后，测定其容积相对于在如上所述使压力变化时内部的压力成为大气压时的容积的变化量。在该试验中，使其压力变化以成为大气压以上。设上述三个过滤器部为3A、3B、3C。图34的曲线中用实线、点划线、双点划线分别表示3A、3B、3C的实验结果。曲线的横轴为大气压和设定的压力的差(单位MPa)，纵轴为容积变化量(单位mL)。
从曲线可知，各过滤器部3随着内部的压力变高而容积变大。从该试验结果，认为在压力为大气压以下的情况下，如虚线的曲线所示，各过滤器部3A～3C的容积发生变化。即，认为如上所述在负压脱气处理时使过滤器部3内成为负压时，过滤器部3内的容积发生变化，由此在过滤部件35的周围发生处理液的流动。即，认为即使不从过滤器部3的外部供给处理液，也能够使处理液在过滤器部3内流动。推定利用该处理液的流动，如第一实施方式中说明了的那样促进毛细管现象，促进处理液向过滤部件35的浸透和气泡从过滤部件35的除去。
(评价试验2)
接着，根据上述的第一实施方式，进行负压脱气处理、过滤器部3的大气开放处理、通流处理、对晶片W的涂敷处理。但是，在该评价试验2中，使用信纳水替代抗蚀剂作为处理液进行了实验。在上述通流处理中，改变对下游侧供给的信纳水的流量，对多个晶片W供给信纳水。而且，对各晶片W测定了32nm以上的大小的颗粒。这为评价试验2-1。另外，作为评价试验2-2，除了不进行负压脱气处理和之后的大气开放之外，进行了与评价试验2-1相同的试验。
图35是表示这些评价试验2-1、2-2的结果。曲线的横轴表示在上述信纳水的通流处理中使用的信纳水的流量，纵轴表示颗粒的个数。如该曲线所示，通过在评价试验2-1中使用500mL左右以上的信纳水，能够将颗粒的数量抑制在10个以下。但是，在评价试验2-2中，即使使信纳水的流量在500mL左右以上，也检测出100个以上的颗粒。根据评价试验2的结果可知，使用本发明的方法，能够从过滤部件35快速地除去气泡，抑制之后的处理液的通流工序所需要的时间，实现装置的启动所需要的时间的缩短。

Claims (14)

1.一种过滤器润湿方法，其特征在于，包括：
从处理液供给源向新的过滤器部内供给处理液，并使处理液充满在该过滤器部内的工序；
接着，为了从所述过滤器部除去气泡，在将连接所述处理液供给源与所述过滤器部的流路封闭以使所述处理液不从所述处理液供给源流入到该过滤器部的状态下，利用用于对过滤器部内进行减压的减压部，使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；
之后，使所述过滤器部内从所述第一压力气氛升压以使得该过滤器部内成为目标压力气氛的工序；和
然后，在使所述过滤器部的二次侧成为比所述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，使处理液从所述过滤器部的一次侧通过所述过滤器部的工序。
2.如权利要求1所述的过滤器润湿方法，其特征在于：
所述第一压力气氛的压力为-51kPa～-80kPa。
3.如权利要求1或2所述的过滤器润湿方法，其特征在于：
使所述过滤器部内升压为所述目标压力气氛的工序是使过滤器部内成为大气压气氛的工序。
4.一种过滤器润湿装置，其用于从所述过滤器部除去气泡，包括相互连接的处理液供给源和过滤器部，该过滤器润湿装置的特征在于，包括：
分别在所述过滤器部的一次侧、二次侧和排放口设置的一次侧阀、二次侧阀和排放阀；
用于对所述过滤器部内进行减压的减压部；和
控制所述阀和减压部的控制部，
所述控制部具有实施以下步骤的程序：
从所述一次侧供给处理液而使过滤器部内充满处理液的步骤；
通过使所述一次侧阀、二次侧阀和排放阀之中至少包括所述一次侧阀的阀为关闭状态、使其他的阀为打开状态，而将连接所述处理液供给源与所述过滤器部的流路封闭以使所述处理液不从所述处理液供给源流入到该过滤器部内，在这样的状态下，利用所述减压部使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的步骤；
之后，使所述成为关闭状态的阀打开，使所述过滤器部内从所述第一压力气氛升压，以使得该过滤器部内成为目标压力气氛的步骤；和
然后，在使所述过滤器部的二次侧成为比所述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，使处理液从所述过滤器部的一次侧通过所述过滤器部的步骤。
5.如权利要求4所述的过滤器润湿装置，其特征在于：
所述第一压力气氛的压力为-51kPa～-80kPa。
6.如权利要求4或5所述的过滤器润湿装置，其特征在于：
使所述过滤器部内升压为目标压力气氛的步骤是使过滤器部内成为大气压气氛的工序。
7.一种液处理方法，其特征在于，包括：
从处理液供给源向过滤器部内供给处理液，使处理液充满在该过滤器部内的工序；
接着，为了从所述过滤器部除去气泡，在将连接所述处理液供给源与所述过滤器部的流路封闭以使所述处理液不从所述处理液供给源流入到该过滤器部的状态下，利用用于对过滤器部内进行减压的减压部，使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；
从所述过滤器部的排放口排出所述处理液的工序；和
然后，将通过了所述过滤器部的处理液供给到被处理体的处理液的供给工序。
8.如权利要求7所述的液处理方法，其特征在于：
包括从所述过滤器部的二次侧排出所述处理液的工序。
9.如权利要求7或8所述的液处理方法，其特征在于：
包括使所述过滤器部内从所述第一压力气氛升压以使得该过滤器部内成为目标压力气氛的升压工序。
10.如权利要求9所述的液处理方法，其特征在于：
在所述升压工序之后，具有在使所述过滤器部的二次侧成为比所述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下使处理液从所述过滤器部的一次侧通过所述过滤器部的工序。
11.一种液处理装置，其包括相互连接的处理液供给源和过滤器部，该液处理装置的特征在于，包括：
设置在所述过滤器部的一次侧的一次侧阀；
减压部，在使所述一次侧阀成为关闭状态，从而将连接所述处理液供给源与所述过滤器部的流路封闭以使所述处理液不从所述处理液供给源流入到所述过滤器部内的状态下，为了从所述过滤器部除去气泡，该减压部对该过滤器部内进行减压，从而使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛；
为了从所述过滤器部的排放口排出所述处理液而成为打开状态的排放阀；和
用于在处理液从所述排放口排出后将通过了所述过滤器部的所述处理液供给到被处理体的喷嘴。
12.如权利要求11所述的液处理装置，其特征在于：
包括为了从所述过滤器部的二次侧排出所述处理液而在所述过滤器部内的减压时成为打开状态的二次侧阀。
13.如权利要求11或12所述的液处理装置，其特征在于：
在形成所述第一压力气氛之后，所述减压部使所述过滤器部内从该第一压力气氛升压为目标压力气氛。
14.如权利要求13所述的液处理装置，其特征在于：
设置有通液机构，在所述过滤器部内从该第一压力气氛升压了之后，在将所述过滤器部的二次侧设为比所述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，该通液机构使所述处理液从所述过滤器部的一次侧通过所述过滤器部。
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