TW201523769A - 氣泡去除方法、氣泡去除裝置、脫氣裝置、及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明旨在提供一種氣泡去除方法，可藉由自過濾器去除微小氣泡，改善過濾器之性能。 其中，氣泡去除方法，包含下列步驟：使來自供給源之處理液脫氣，製作高脫氣液（製作高脫氣液）；以第1處理液流量自泵裝置P1對過濾裝置F1供給經製作之高脫氣液（假通液）；以大於第1處理液流量之第2處理液流量自泵裝置P1對過濾裝置F1供給高脫氣液（初始通液）；及使高脫氣液自泵裝置P1朝過濾裝置F1維持流動既定時間（通液）。

Description

氣泡去除方法、氣泡去除裝置、脫氣裝置、及電腦可讀取記錄媒體

本發明，係關於氣泡去除方法、氣泡去除裝置、脫氣裝置、及電腦可讀取記錄媒體。

進行基板（例如，半導體基板）之細微加工等時，一般會對基板之表面噴吐處理液。此處理液中，原來即可能含有微粒（細微粒子）等之異物。且處理液於配管流至噴吐口之際，微粒等之異物可能自配管混入處理液中。因此，例如專利文獻1之基板處理裝置中，於處理液之通道之途中配置過濾器，以該過濾器去除如此之異物。 【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開平7－326570號公報

【發明所欲解決之課題】

又，於處理液內有時會含有氣泡（氣體）。處理液通過過濾器之際過濾器成為阻抗，相較於過濾器之上游側於下游側壓力降低，故處理液所含有之氣體於過濾器內游離。藉此，氣泡混入過濾器，過濾器之有效面積減小，過濾器之性能降低。在此，引用文獻1揭示一種技術，以氣體抽取管將存留於過濾器內之氣泡朝過濾器外排出。

然而，雖可以氣體抽取管將過濾器內相對較大的氣泡朝過濾器外排出，但難以將微小氣泡（微細氣泡）朝過濾器外排出。

因此，本發明之目的在於提供一種氣泡去除方法、氣泡去除裝置、處理液之脫氣裝置、及電腦可讀取記錄媒體，可自過濾器去除微小氣泡，藉此，改善過濾器之性能。 【解決課題之手段】

依本發明之1個觀點之氣泡去除方法，包含： 第1步驟，經由相較於基板之處理液之供給源側，容器側之流路面積較小之脫氣噴嘴，對該容器內供給處理液，使來自該供給源之處理液脫氣； 第2步驟，在該第1步驟後，將作為於該第1步驟經脫氣處理之處理液之脫氣處理完畢液體，以第1處理液流量自該容器供給至具有過濾器之過濾裝置； 第3步驟，在該第2步驟後，將該脫氣處理完畢液體，以大於該第1處理液流量之第2處理液流量自該容器供給至該過濾裝置；及 第4步驟，在該第3步驟後，使該脫氣處理完畢液體自該容器朝該過濾裝置維持流動既定時間。

依本發明之1個觀點之氣泡去除方法中，首先於第2步驟，以第1處理液流量自容器對過濾裝置供給脫氣處理完畢液體，其次於第3步驟，以大於第1處理液流量之第2處理液流量自容器對過濾裝置供給脫氣處理完畢液體。因此，於第2步驟，脫氣處理完畢液體逐漸滲透至過濾裝置內之過濾器後，於第3步驟，脫氣處理完畢液體大致滲透至過濾器整體。過濾器自起初接觸相對較大的流量之脫氣處理完畢液體時，脫氣處理完畢液體不滲透至過濾器整體，有大小氣泡持續存在於過濾器內之虞，但經由如上述之第2及第3步驟，藉此，脫氣處理完畢液體逐漸滲透至過濾器，故可將過濾器內之大小氣泡朝過濾器外排出。且依本發明之1個觀點之氣泡去除方法中，於第1步驟，以脫氣噴嘴使處理液脫氣，製作脫氣處理完畢液體。此脫氣處理完畢液體，接觸存在於過濾器內之微小氣泡後即發揮捕集該微小氣泡之功能。因此，藉由使用脫氣處理完畢液體，可將過濾器內之微小氣泡更有效地朝過濾器外排出。且依本發明之1個觀點之氣泡去除方法中，於第4步驟，脫氣處理完畢液體持續自容器朝過濾裝置流動既定時間。因此，可以脫氣處理完畢液體將過濾器內之氣泡更有效地朝過濾器外排出。以上結果，可改善過濾器之性能。又，雖亦可以更換過濾器實現過濾器性能之改善，但為更換過濾器需停止用來對基板噴吐處理液之系統，令人擔心生產力降低。然而，依本發明之1個觀點之氣泡去除方法中，可藉由使脫氣處理完畢液體流動改善過濾器之性能，無需停止該系統，故大致不需擔心生產力降低。又，使用過濾器某程度之期間，結果氣泡於過濾器內累積，過濾器之性能降低時，或因更換過濾器等乾燥狀態之過濾器設置於過濾裝置時之任一情形下，皆可適用依本發明之1個觀點之氣泡去除方法。特別是前者時，每當經過既定期間，過濾器性能降低，即去除過濾器內之氣泡，故可減少過濾器之更換次數。藉此，可實現生產力之提升。

亦可更包含： 第5步驟，在該第3步驟後，且在該第4步驟前，對該過濾裝置內加壓。 此時，脫氣處理完畢液體更易於滲透至過濾器整體。因此，更可促使氣泡朝過濾器外排出。

亦可更包含： 第6步驟，在該第1步驟前，將儲存於該容器內之處理液排出至該容器外。 此時，預先排出容器內之處理液，藉此，可於容器內儲存更多的脫氣處理完畢液體。

該容器亦可係容積可改變之泵， 該第1步驟中，擴大該泵之容積，自該供給源對該泵內供給該處理液， 該第2～第4步驟中，將該泵之容積縮小，自該泵對該過濾裝置內供給該脫氣處理完畢液體。

依本發明之另一觀點之氣泡去除裝置，包含： 第1容器，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液； 第1脫氣噴嘴，位於該供給源與該第1容器之間，相較於該供給源側，該第1容器側之流路面積較小； 噴吐管線，用來對該基板噴吐自該第1容器排出之處理液； 過濾裝置，設於該噴吐管線，且具有過濾器； 供給排出部，進行自該供給源經由該第1脫氣噴嘴對該第1容器內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該第1容器內，及將該第1容器內之該脫氣處理完畢液體排出至該噴吐管線；及 控制部，控制該供給排出部之動作； 且該控制部令該供給排出部實行下列者： 第1動作，以第1處理液流量自該第1容器供給至該過濾裝置該脫氣處理完畢液體； 　第2動作，在該第1動作後，以大於該第1處理液流量之第2處理液流量，自該第1容器供給至該過濾裝置該脫氣處理完畢液體；及 第3動作，在該第2動作後，使該脫氣處理完畢液體自該第1容器朝該過濾裝置維持流動既定時間。

依本發明之另一觀點之氣泡去除裝置中，控制部令供給排出部實行第1動作，以第1處理液流量自第1容器對過濾裝置供給脫氣處理完畢液體。接著，控制部令供給排出部實行第2動作，以大於第1處理液流量之第2處理液流量自第1容器對過濾裝置供給脫氣處理完畢液體。因此，藉由供給排出部之第1動作，脫氣處理完畢液體逐漸滲透至過濾裝置內之過濾器後，藉由供給排出部之第2動作，脫氣處理完畢液體大致滲透至過濾器整體。過濾器自起初接觸相對較大的流量之脫氣處理完畢液體時，脫氣處理完畢液體不滲透至過濾器整體，有大小氣泡持續存在於過濾器內之虞，但經由如上述之第1及第2動作，藉此，脫氣處理完畢液體逐漸滲透至過濾器，故可將過濾器內之大小氣泡朝過濾器外排出。且依本發明之1個觀點之氣泡去除裝置中，以脫氣噴嘴使處理液脫氣，製作脫氣處理完畢液體。此脫氣處理完畢液體，接觸存在於過濾器內之微小氣泡後即發揮捕集該微小氣泡之功能。因此，藉由使用脫氣處理完畢液體，可將過濾器內之微小氣泡更有效地朝過濾器外排出。且依本發明之1個觀點之氣泡去除裝置中，控制部令供給排出部實行第3動作，脫氣處理完畢液體自第1容器朝過濾裝置持續流動既定時間。因此，可以脫氣處理完畢液體將過濾器內之氣泡更有效地朝過濾器外排出。以上結果，可改善過濾器之性能。又，藉由更換過濾器亦可實現過濾器性能之改善，但為更換過濾器需停止用來對基板噴吐處理液之系統，令人擔心生產力降低。然而，依本發明之另一觀點之氣泡去除裝置中，藉由使脫氣處理完畢液體流動可改善過濾器之性能，無需停止該系統，故大致不需擔心生產力降低。又，使用過濾器某程度之期間，結果氣泡於過濾器內累積，過濾器之性能降低時，或因更換過濾器等，乾燥狀態之過濾器設置於過濾裝置時任一情形下，皆可適用依本發明之另一觀點之氣泡去除裝置。特別是前者時，每當經過既定期間，過濾器性能降低即去除過濾器內之氣泡，藉此，可減少過濾器之更換次數。藉此，可實現生產力之提升。

該第1容器亦可係容積可改變之泵， 該控制部， 令該供給排出部實行該第1動作之際，以第1壓力加壓該泵，將該泵之容積縮小， 令該供給排出部實行該第2及第3動作之際，以高於該第1壓力之第2壓力加壓該泵，將該泵之容積縮小。

亦可更包含： 循環管線，自該噴吐管線分支，使處理液回到該第1容器； 該過濾裝置，設於該噴吐管線中較該循環管線之分支點更接近該第1容器側。 此時，循環管線於過濾裝置之下游側自噴吐管線分支。因此，無需於循環管線與噴吐管線雙方設置過濾裝置，可削減過濾裝置之數量。

該循環管線中，亦可設置將於該循環管線流動之處理液排出之排出管線。 又，因更換過濾器等乾燥狀態之過濾器設置於過濾裝置時，於過濾器含有多數之微粒。脫氣處理完畢液體流通於如此之狀態之過濾器後，雖可自過濾器內排出氣體及微粒，但多數之微粒伴隨著脫氣處理完畢液體，脫氣處理完畢液體被污染。然而，如上述於循環管線設置排出管線時，被污染之脫氣處理完畢液體可不回到第1容器，而朝系外排出。

亦可更包含： 第2容器，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液；及 第2脫氣噴嘴，位於該供給源與該第2容器之間，相較於該供給源側該第2容器側之流路面積較小； 且自該第1及第2容器分別朝該噴吐管線，排出用來對該基板噴吐之處理液，　 該供給排出部，進行自該供給源經由該第2脫氣噴嘴對該第2容器內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該第2容器內，及將該第2容器內之該脫氣處理完畢液體排出至該噴吐管線， 該控制部令該供給排出部實行下列動作： 供給至該過濾裝置該第1容器內之該脫氣處理完畢液體時，不供給至該過濾裝置該第2容器內之該脫氣處理完畢液體，且 供給至該過濾裝置該第2容器內之該脫氣處理完畢液體時，不供給至該過濾裝置該第1容器內之該脫氣處理完畢液體。 又，脫氣處理完畢液體接觸過濾器後，過濾器所含有之微粒即逐漸於脫氣處理完畢液體溶離。因此，脫氣處理完畢液體之液流於過濾器滯留後，脫氣處理完畢液體中之微粒濃度即逐漸升高。經由噴吐管線對基板噴吐如此之脫氣處理完畢液體後，多數之微粒即附著基板，故於經處理之基板發生缺陷之可能性升高。然而，如上述控制部令供給排出部動作時，即使自一方之容器噴吐脫氣處理完畢液體結束，亦可自另一方之容器噴吐脫氣處理完畢液體。因此，可繼續對過濾裝置供給脫氣處理完畢液體。因此，可抑制脫氣處理完畢液體中微粒濃度之增加，故可抑制於基板發生缺陷之可能性。

該噴吐管線亦可分支為複數之副管線。

該噴吐管線，亦可於該過濾裝置之下游側分支為複數之副管線。此時，通過過濾器之脫氣處理完畢液體可流往複數之副管線。

依本發明之另一觀點之脫氣裝置，包含： 容積可改變之泵，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液； 脫氣噴嘴，位於該供給源與該泵之間，其於該泵側之流路面積較小於該供給源側之流路面積； 噴吐管線，用來將自該泵排出之處理液向該基板噴吐；及 供給排出部，進行自該供給源經由該脫氣噴嘴對該泵內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該泵內，及使該泵內之該脫氣處理完畢液體排出至該噴吐管線； 且該供給排出部，在自該供給源經由該脫氣噴嘴對該泵內供給處理液時，第1壓力或低於該第1壓力之第2壓力選擇性地作用於該泵。

依本發明之另一觀點之脫氣裝置中，自供給源經由脫氣噴嘴對泵內供給處理液時，供給排出部，令第1壓力或低於第1壓力之第2壓力選擇性地作用於泵，藉此，擴大泵之容積。因此，根據第2壓力使泵減壓時，相較於選擇第1壓力時泵猛烈地作動，將處理液以更快的流速導入泵內。因此，處理液之壓力更降低，可製造混雜於處理液內之氣體自處理液內更大量地脫氣之高脫氣液。其結果，高脫氣液滲透至過濾器，藉此，可將存在於過濾器內之微小氣泡更有效地捕集。藉此，可改善過濾器之性能。

亦可更包含： 框體，容納該泵； 且該供給排出部，包含： 噴射器，選擇性地以第1噴射器流量或低於該第1噴射器流量之第2噴射器流量，使流體自入口側朝出口側流通；及 配管，以流體之方式連接該框體與該泵之外表面之間的空間，及該噴射器中該入口與該出口之間之中間部。 此時，相較於流體以第1噴射器流量自噴射器之入口側朝出口側流動，若流體以第2噴射器流量自噴射器之入口側朝出口側流動，更低的壓力即對泵作用。因此，流體若以第2噴射器流量於噴射器流動，相較於流體以第1噴射器流量於噴射器流動時，泵更猛烈地作動，可將處理液以更快的流速導入泵內。其結果，可製造混雜於處理液內之氣體自處理液內更大量地脫氣之高脫氣液。

依本發明之另一觀點之電腦可讀取記錄媒體，記錄有用來令氣泡去除裝置實行上述之任一氣泡去除方法之程式。又，本說明書中，於電腦可讀取記錄媒體，包含非暫時而有形之媒體（non-transitory computer recording medium）（例如，各種主記憶裝置或補助記憶裝置），或傳播信號（transitory computer recording medium）（例如，可經由網路提供之資料信號）。 【發明之效果】

依本發明，可提供一種氣泡去除方法、氣泡去除裝置、脫氣裝置及電腦可讀取記錄媒體，可自過濾器去除微小氣泡，藉此，改善過濾器之性能。

雖參照圖式說明關於本發明之實施形態，但以下之本實施形態，係用來說明本發明之例示，非旨在將本發明限定於以下內容。說明中，於同一要素或具有同一功能之要素使用同一符號，省略重複之說明。

[塗布、顯影裝置之構成] 首先，說明關於圖1～圖3所示之塗布、顯影裝置1之構成之概要。塗布、顯影裝置1，在以曝光裝置E1進行曝光處理前，對晶圓（基板）W之表面塗布光阻材料，進行形成光阻膜之處理。塗布、顯影裝置1，在以曝光裝置E1進行曝光處理後，進行於晶圓W之表面形成之光阻膜之顯影處理。本實施形態中，晶圓W雖呈圓板狀，但亦可使用圓形之一部分缺角，或呈多角形等圓形以外之形狀之晶圓。

塗布、顯影裝置1，如圖1及圖2所示，包含載具區塊S1、處理區塊S2、介面區塊S3、與用作為塗布、顯影裝置1之控制機構之控制裝置CU。本實施形態中，依下列順序串聯排列載具區塊S1、處理區塊S2、介面區塊S3及曝光裝置E1。

載具區塊S1，如圖1及圖3所示，包含載具站12、與送入、送出部13。載具站12，支持複數之載具11。載具11，以密封狀態儲存複數片之晶圓W。載具11中，於一側面11a側具有用來使晶圓W出入之開合門（未經圖示）。在載具站12上以可任意裝卸之方式設置載具11，俾側面11a面對送入、送出部13側。

送入、送出部13，如圖1～圖3所示，包含分別對應載具站12上之複數之載具11之開合門13a。側面11a之開合門與送入、送出部13之開合門13a若同時開放，即可連通載具11內與送入、送出部13內。送入、送出部13，如圖2及圖3所示，內建傳遞臂A1。傳遞臂A1，自載具11取出晶圓W，將其傳至處理區塊S2。傳遞臂A1，自處理區塊S2接受晶圓W，使其回到載具11內。

處理區塊S2，如圖1～圖3所示，鄰接載具區塊S1，且連接載具區塊S1。處理區塊S2，如圖1及圖2所示，包含下層抗反射膜形成（BCT）區塊14、光阻膜形成（COT）區塊15、上層抗反射膜形成（TCT）區塊16、與顯影處理（DEV）區塊17。自底面側依下列順序排列配置DEV區塊17、BCT區塊14、COT區塊15及TCT區塊16。

BCT區塊14，如圖2所示，內建塗布單元（未經圖示）、加熱、冷卻單元（未經圖示）、與搬運晶圓W至此等單元之搬運臂A2。塗布單元，於晶圓W之表面塗布抗反射膜形成用處理液。加熱、冷卻單元，以例如熱板加熱晶圓W，其後例如以冷卻板冷卻晶圓W。如此，在晶圓W之表面上形成下層抗反射膜。

COT區塊15，如圖2所示，內建塗布單元（未經圖示）、加熱、冷卻單元（未經圖示）、與搬運晶圓W至此等單元之搬運臂A3。塗布單元，在下層抗反射膜上塗布光阻膜形成用處理液（光阻材料）。加熱、冷卻單元，例如以熱板加熱晶圓W，其後例如以冷卻板冷卻晶圓W。如此，在晶圓W之下層抗反射膜上形成光阻膜。光阻材料，可係正型，亦可係負型。

TCT區塊16，如圖2所示，內建塗布單元（未經圖示）、加熱、冷卻單元（未經圖示）、與搬運晶圓W至此等單元之搬運臂A4。塗布單元，在光阻膜上塗布抗反射膜形成用處理液。加熱、冷卻單元，例如以熱板加熱晶圓W，其後例如以冷卻板冷卻晶圓W。如此，在晶圓W之光阻膜上形成上層抗反射膜。

DEV區塊17，如圖2及圖3所示，內建複數之顯影處理單元（基板處理裝置）U1、複數之加熱、冷卻單元（熱處理部）U2、搬運晶圓W至此等單元之搬運臂A5、及不經此等單元而於處理區塊S2之前後間搬運晶圓W之搬運臂A6。

顯影處理單元U1，如後述，進行經曝光之光阻膜之顯影處理。加熱、冷卻單元U2，例如以熱板加熱晶圓W，藉此，加熱晶圓W上之光阻膜。加熱、冷卻單元U2，例如以冷卻板冷卻加熱後之晶圓W。加熱、冷卻單元U2，進行曝後烤（PEB）、後烘烤（PB）等加熱處理。PEB，係在顯影處理前加熱光阻膜之處理。PB，係在顯影處理後加熱光阻膜之處理。

如圖1～圖3所示，處理區塊S2中於載具區塊S1側，設置棚架單元U10。棚架單元U10，包含複數之胞C30～C38。胞C30～C38，在DEV區塊17與TCT區塊16之間沿上下方向排列配置。於棚架單元U10之附近，設置昇降臂A7。昇降臂A7，於胞C30～C38之間搬運晶圓W。

處理區塊S2中於介面區塊S3側，設置棚架單元U11。棚架單元U11，包含複數之胞C40～C42。胞C40～C42，鄰接DEV區塊17，沿上下方向排列配置。

介面區塊S3，如圖1～圖3所示，位在處理區塊S2及曝光裝置E1之間，且分別連接處理區塊S2及曝光裝置E1。介面區塊S3，如圖2及圖3所示，內建傳遞臂A8。傳遞臂A8，自處理區塊S2之棚架單元U11朝曝光裝置E1傳遞晶圓W。傳遞臂A8，自曝光裝置E1接受晶圓W，使晶圓W回到棚架單元U11。

控制裝置CU，係控制用電腦，如圖1所示，包含記憶部CU1，與控制部CU2。記憶部CU1，記憶有用來使塗布、顯影裝置1各部或曝光裝置E1各部動作之程式。記憶部CU1，係例如半導體記憶體、光記錄碟、磁氣記錄碟、光磁氣記錄碟。該程式，可包含於在記憶部CU1之外另設之外部記憶裝置，或傳播信號等無形媒體。亦可自此等其他媒體安裝該程式至記憶部CU1，記憶該程式於記憶部CU1。控制部CU2，根據自記憶部CU1讀取之程式，控制塗布、顯影裝置1各部或曝光裝置E1各部之動作。又，控制裝置CU，亦可更包含顯示處理條件之設定畫面之顯示部（未經圖示），或作業員可輸入處理條件之輸入部（未經圖示），按照經由輸入部輸入之條件，使塗布、顯影裝置1各部或曝光裝置E1各部動作。

[塗布、顯影裝置1之動作] 其次，說明關於塗布、顯影裝置1之動作之概要。首先，載具11設置於載具站12。此時，載具11之一側面11a，朝送入、送出部13之開合門13a。接著，載具11之開合門，與送入、送出部13之開合門13a皆開放，以傳遞臂A1，取出載具11內之晶圓W，依序搬運至處理區塊S2之棚架單元U10中任一胞。

以傳遞臂A1將晶圓W搬運至棚架單元U10之任一胞後，以昇降臂A7，依序將晶圓W搬運至對應BCT區塊14之胞C33。以搬運臂A2，將搬運至胞C33之晶圓W，搬運至BCT區塊14內各單元。以搬運臂A2於BCT區塊14內搬運晶圓W之過程中，在晶圓W之表面上形成下層抗反射膜。

以搬運臂A2，將形成下層抗反射膜之晶圓W，搬運至胞C33上之胞C34。以昇降臂A7，將搬運至胞C34之晶圓W，搬運至對應COT區塊15之胞C35。以搬運臂A3，將搬運至胞C35之晶圓W，搬運至COT區塊15內各單元。以搬運臂A3於COT區塊15內搬運晶圓W之過程中，在下層抗反射膜上形成光阻膜。

以搬運臂A3，將形成光阻膜之晶圓W，搬運至胞C35上之胞C36。以昇降臂A7，將搬運至胞C36之晶圓W，搬運至對應TCT區塊16之胞C37。以搬運臂A4，將搬運至胞C37之晶圓W，搬運至TCT區塊16內各單元。以搬運臂A4於TCT區塊16內搬運晶圓W之過程中，在光阻膜上形成上層抗反射膜。

以搬運臂A4，將形成上層抗反射膜之晶圓W，搬運至胞C37上之胞C38。以昇降臂A7，將搬運至胞C38之晶圓W，搬運至胞C32後，以搬運臂A6將其搬運至棚架單元U11之胞C42。以介面區塊S3之傳遞臂A8，將搬運至胞C42之晶圓W，傳遞至曝光裝置E1，於曝光裝置E1進行光阻膜之曝光處理。以傳遞臂A8，將經曝光處理之晶圓W，搬運至胞C42下之胞C40、C41。

以搬運臂A5，將搬運至胞C40、C41之晶圓W，搬運至DEV區塊17內各單元，進行顯影處理。藉此，在晶圓W之表面上形成光阻圖案（凹凸圖案）。以搬運臂A5，將形成光阻圖案之晶圓W，搬運至棚架單元U10中對應DEV區塊17之胞C30、C31。以昇降臂A7，將搬運至胞C30、C31之晶圓W，搬運至傳遞臂A1可存取之胞，以傳遞臂A1，使其回到載具11內。

又，上述之塗布、顯影裝置1之構成及動作僅係一例。塗布、顯影裝置1，包含塗布單元或顯影處理單元等液體處理單元、加熱、冷卻單元等前處理、後處理單元、與搬運裝置即可。亦即，此等各單元之個數、種類、佈局等可適當變更。

[顯影處理單元之構成] 其次，更詳細說明關於顯影處理單元（基板處理裝置）U1。顯影處理單元U1，如圖4所示，包含旋轉固持部20、昇降裝置22、與處理液供給部24。

旋轉固持部20，包含： 本體部20a，內建電動馬達等動力源； 旋轉軸20b，自本體部20a朝鉛直上方延伸；及 吸盤20c，設於旋轉軸20b之前端部。 本體部20a，以動力源使旋轉軸20b及吸盤20c旋轉。吸盤20c，支持晶圓W之中心部，例如以吸附略水平地固持晶圓W。亦即，旋轉固持部20，以晶圓W之姿態略水平之狀態，使晶圓W繞著垂直於晶圓W之表面之中心軸（鉛直軸）旋轉。本實施形態中，如圖4所示，旋轉固持部20，自上方觀察，逆時針地使晶圓W旋轉。

昇降裝置22，安裝於旋轉固持部20，使旋轉固持部20昇降。具體而言，昇降裝置22，於用來在搬運臂A5與吸盤20c之間傳遞晶圓W之上昇位置（傳遞位置），及用來進行顯影處理之下降位置（顯影位置）之間，使旋轉固持部20（吸盤20c）昇降。

於旋轉固持部20之周圍，設置杯體30。晶圓W若旋轉，即將對晶圓W之表面供給之處理液朝周圍甩掉而使其落下，但杯體30，用作為承接該落下之處理液之儲存器。杯體30，包含： 圓環形狀之底板31，包圍旋轉固持部20； 圓筒狀之外壁32，自底板31之外緣朝鉛直上方突出；及 圓筒狀之內壁33，自底板31之內緣朝鉛直上方突出。

外壁32全部分，位在較由吸盤20c固持之晶圓W更外側。外壁32之上端32a，位在較由處於下降位置之旋轉固持部20固持之晶圓W更上方。外壁32之上端32a側部分，係隨著朝上方往內側傾斜之傾斜壁部32b。內壁33全部分，位在較由吸盤20c固持之晶圓W之外緣更內側。內壁33之上端33a，位在較由處於下降位置之旋轉固持部20固持之晶圓W更下方。

在內壁33與外壁32之間，設置自底板31之上表面朝鉛直上方突出之分隔壁34。亦即，分隔壁34，包圍內壁33。於底板31中，外壁32與分隔壁34之間之部分，形成液體排出孔31a。液體排出孔31a，連接排液管35。於底板31中，分隔壁34與內壁33之間之部分，形成氣體排出孔31b。氣體排出孔31b，連接排氣管36。

在內壁33上，設置較分隔壁34更朝外側延伸之傘狀部37。將自晶圓W上朝外側被甩掉而落下之處理液，導往外壁32與分隔壁34之間，自液體排出孔31a排出。自處理液產生之氣體等進入分隔壁34與內壁33之間，自氣體排出孔31b排出該氣體。

由內壁33包圍之空間之上部，由分隔板38封閉。旋轉固持部20之本體部20a位於分隔板38之下方。吸盤20c位於分隔板38之上方。旋轉軸20b插通形成於分隔板38之中心部之貫通孔內。

處理液供給部24，如圖4及圖5所示，包含處理液之供給系統24a（於後詳述）、處理液頭24c、與移動體24d。處理液頭24c，經由供給管24b連接供給系統24a。處理液頭24c，將接受來自控制裝置CU之控制信號，自供給系統24a供給之處理液，自噴嘴N對晶圓W之表面Wa噴吐。噴嘴N，對晶圓W之表面Wa朝下方開口。本實施形態中，自供給系統24a分別對複數之噴嘴N1～N5供給處理液（參照圖5）。雖於後詳述，但於噴嘴N1～N4之上游側設置過濾裝置F1、F2及循環管線，故自噴嘴N1～N4噴吐之處理液，係由過濾裝置F1、F2去除微粒之相對較潔淨之液體。因此，自噴嘴N1～N4，為處理晶圓W之表面Wa，對該表面Wa噴吐。另一方面，於噴嘴N5之上游側雖設置過濾裝置F3，但不存在循環管線，故過濾裝置F3不適用過濾器維修模式（後述），自噴嘴N5噴吐之處理液係相對較被污染之液體。因此，自噴嘴N5噴吐之處理液，用於處理晶圓W之表面Wa以外之用途。又，作為處理液，可舉出例如，光阻液、稀釋液、顯影液、潤洗液、純水等。

移動體24d，經由臂24e連接處理液頭24c。移動體24d，接受來自控制裝置CU之控制信號，在於外壁32之外側水平延伸之導軌40上移動，藉此，使處理液頭24c沿水平方向移動。藉此，處理液頭24c，在處於下降位置之晶圓W之上方且與晶圓W之中心軸正交之直線上，沿晶圓W之徑方向移動。

[供給系統之構成] 其次，詳細說明關於供給系統（氣泡去除裝置或脫氣裝置）24a。如圖5所示，供給系統24a，包含泵裝置P1、P2、過濾裝置F1～F3、配管D1～D35、閥V1～V32、調節器R1～R5、噴射器E、流量計FM1～FM6、與壓力計M1～M4。

泵裝置P1、P2，用來暫時儲存處理液，將該處理液對處理液頭24c供給，自噴嘴N噴吐。泵裝置P1、P2之構成於本實施形態皆相同，故於以下說明關於泵裝置P1之構成，關於泵裝置P2之構成省略其說明。

泵裝置P1，如圖6所示，包含呈有底筒狀之框體51、配置於框體51之開放端側之蓋體52、配置於框體51內之伸縮囊泵53、磁石54、與感測器55a～55d。框體51，包含圓筒狀之側壁51a，與封閉側壁51a之底部之底壁51b。於底壁51b形成連接口51c，俾貫通底壁51b。連接口51c，為導入及排出氮氣，經由配管D5、D6、D7、D12、D13、D35連接氮氣源。

蓋體52，封閉框體51之開口側，與框體51一齊構成儲存伸縮囊泵53之空間。於蓋體52分別形成脫氣噴嘴52a、排出口52b、與排液口52c，俾貫通蓋體52。

脫氣噴嘴52a，為將處理液導入伸縮囊泵53內，經由配管D1、D2、D3、D4連接處理液源。本實施形態中，脫氣噴嘴52a形成於蓋體52，但脫氣噴嘴52a亦可配置於處理液源與泵裝置P1（後述之處理液室C1）之間。脫氣噴嘴52a中，伸縮囊泵53側（出口側）之流路面積，小於處理液源側（入口側）之流路面積。想像能量保存法則可適用於自脫氣噴嘴52a之入口側朝出口側流動之處理液即知，一定流量之處理液於脫氣噴嘴52a自入口側朝出口側流動時，根據連續之方程式，在流路面積小的出口側流動之處理液之流速，大於在流路面積大的入口側流動之處理液之流速。如此，即可根據白努利定理，降低於脫氣噴嘴52a之出口側流動之處理液之壓力。其結果，溶解於處理液內之氣體自處理液內脫氣。藉此，於伸縮囊泵53內，導入作為以脫氣噴嘴52a進行脫氣處理之處理液之脫氣處理完畢液體，與因脫氣處理自該處理液分離之氣體。又，於以下，亦有時僅稱脫氣處理完畢液體為「處理液」。

排出口52b，為將處理液朝伸縮囊泵53外排出而自噴嘴N噴吐，經由配管D17～D24、D27、D28、D31連接噴嘴N。排液口52c，為與因脫氣處理自處理液分離之氣體一齊將一部分的脫氣處理完畢液體朝伸縮囊泵53外排出，經由配管D14～D16連接系外（系統外）。

伸縮囊泵53，包含活塞板53a，與伸縮囊（蛇腹構件）53b。活塞板53a，呈對應側壁51a之內壁面之形狀，可於框體51內沿側壁51a之延伸之方向往復移動。伸縮囊53b，可於框體51內沿側壁51a之延伸之方向伸縮。伸縮囊53b之一端側，安裝於蓋體52中朝底壁51b之一側之面。伸縮囊53b之另一端側，安裝於活塞板53a中朝蓋體52之一側之面。因此，伸縮囊泵53之容積，對應活塞板53a之位置變化。亦即，伸縮囊泵53，係容積可改變之泵。

由蓋體52、伸縮囊53b及活塞板53a包圍之空間，構成可儲存處理液之處理液室C1。亦即，處理液室C1之大小，意指伸縮囊泵53之容積。由框體51與活塞板53a包圍之空間，構成導入及排出氮氣之氣體室C2。

磁石54，安裝於活塞板53a之外周部。感測器55a～55d，偵測磁石54之磁場，藉此，偵測活塞板53a之位置。感測器55a～55d配置於側壁51a之外表面，俾隔著側壁51a與磁石54對向。配置感測器55a～55d，俾隨著自蓋體52側朝底壁51b側，依此順序排列。

感測器55a，最靠近蓋體52，檢測出伸縮囊泵53內（處理液室C1）為空（Empty）。感測器55b，較感測器55a靠近底壁51b且較感測器55c靠近蓋體52，檢測出伸縮囊泵53內（處理液室C1）大致為空（Pre Empty）。感測器55c，較感測器55b靠近底壁51b且較感測器55d靠近蓋體52，檢測出於伸縮囊泵53內（處理液室C1）大致填充（Pre Full）有處理液。感測器55d，最靠近底壁51b，檢測出於伸縮囊泵53內（處理液室C1）填充（Full）有處理液。

過濾裝置F1～F3，用來去除處理液所含有之微粒等之異物。過濾裝置F1～F3之構成於本實施形態皆相同，故於以下說明關於過濾裝置F1之構成，關於過濾裝置F2、F3之構成省略其說明。

過濾裝置F1，如圖7所示，包含呈筒狀之框體61，與過濾器62。框體61，包含圓筒狀之側壁61a、封閉側壁61a之底部之底壁61b、配置於側壁61a之頂部之頂壁61c、及配置於以側壁61a、底壁61b及頂壁61c形成之空間內之過濾器支持部61d。

過濾器62，包含過濾器容器63，與過濾器本體64。過濾器62，安裝於過濾器支持部61d。因此，可於框體61內固持過濾器62。

過濾器容器63，以下列者構成：呈圓筒形狀之外側側壁63a、呈圓筒形狀之內側側壁63b、配置於外側側壁63a及內側側壁63b之一端側之頂壁63c、與配置於外側側壁63a及內側側壁63b之另一端側之底壁63d。

內側側壁63b配置於外側側壁63a之內側，俾與外側側壁63a大致同軸。於外側側壁63a及內側側壁63b，形成多數之貫通孔，處理液可於過濾器容器63之內外通過。在過濾器62安裝於過濾器支持部61d之狀態下，外側側壁63a之貫通孔之至少一部分，不由過濾器支持部61d封閉，以流體的方式連接形成於側壁61a與過濾器支持部61d之間之流路。

於頂壁63c之中央部形成貫通孔63e。亦即，頂壁63c呈圓環狀。頂壁63c，於外側側壁63a與內側側壁63b之間，封閉外側側壁63a及內側側壁63b之一端側。底壁63d，封閉外側側壁63a及內側側壁63b之另一端側整體。

過濾器本體64，呈圓筒形狀。過濾器本體64，配置於由外側側壁63a、內側側壁63b、頂壁63c及底壁63d包圍之空間內。過濾器本體64之材質，可舉出例如，尼龍或聚乙烯。過濾器本體64，亦可具有可去除例如約0.05μm之微粒之性能。又，於新貨之過濾器本體64內含有多數之微粒，故更換為新貨之過濾器62時，宜使處理液預先於過濾器62流動，自過濾器本體64內去除微粒。

框體61之頂壁61c中，形成下列者： 導入口65a，自泵裝置P1、P2導入處理液； 排出口65b，排出通過過濾器62之處理液；及 排液口65c，將未通過過濾器62之處理液朝系外（系統外）排出。 排出口65b，連通頂壁63c之貫通孔63e。

將自導入口65a導入之處理液，自排出口65b或排液口65c朝過濾裝置F1外排出。處理液自導入口65a朝排出口65b流動時，處理液，在形成於側壁61a及底壁61b與過濾器支持部61d之間之流路流動後，依外側側壁63a之貫通孔、過濾器本體64、內側側壁63b之貫通孔、及內側側壁63b之內部之順序流動，經由頂壁63c之貫通孔63e及排出口65b，朝過濾裝置F1外排出。另一方面，處理液自導入口65a朝排液口65c流動時，處理液，在形成於側壁61a及底壁61b與過濾器支持部61d之間之流路流動後，一部分雖亦流往過濾器62內，但其他部分則持續於該流路流動，經由排液口65c朝過濾裝置F1外排出。

回到圖5，配管D1之上游端，連接處理液源。配管D1之下游端，連接配管D2。在配管D1上，自上游側依序，設置閥V1、調節器R1及壓力計M1。閥V1，係利用空氣，使閥開合（導通／斷開）之氣動閥。調節器R1，係調整對於本身流動之處理液賦予之壓力之大小，藉此控制處理液之流量之壓力控制閥。調節器R1中設定之壓力之大小，為例如100kPa。又，本說明書中以錶壓表示壓力。

配管D2之下游側，分支為配管D3、D4。配管D3之下游端，連接泵裝置P1之脫氣噴嘴52a。在配管D3上，設置閥V2。配管D4之下游端，連接泵裝置P2之脫氣噴嘴52a。在配管D4上，設置閥V3。閥V2、V3，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D5之上游端，連接氮氣源。配管D5之下游端，連接泵裝置P1之連接口51c。在配管D5上，自上游側依序，設置調節器R2、壓力計M2及閥V4。調節器R2，係與調節器R1相同之壓力控制閥。調節器R2中設定之壓力之大小，為例如200kPa。閥V4，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D6，自配管D5分支再匯流至配管D5。配管D6之上游端，於較調節器R2更上游側連接配管D5。配管D6之下游端，在較閥V4更下游側連接配管D5。在配管D6上，自上游側依序，設置調節器R3及閥V5。調節器R3，係任意調整氮氣之壓力之大小，藉此控制氮氣之流量之電子氣動調節器。電子氣動調節器，係將電氣信號轉換為空氣壓力信號之方式之壓力控制閥。電子氣動調節器，預先設定複數對氮氣賦予之壓力之大小，藉此，可使泵裝置P1、P2之壓力變化，以不同大小之流量使處理液自泵裝置P1、P2流動。調節器R3中設定之壓力之大小，為例如25kPa及50kPa 2種。調節器R3，可對應自控制裝置CU接受之控制信號，在第1值（例如25kPa）與第2值（例如50kPa）之間切換壓力之大小。

配管D7，自配管D5分支。配管D7之上游端，連接配管D5中壓力計M2與閥V4之間。配管D7之下游端，連接泵裝置P2之連接口51c。在配管D7上，設置閥V6。閥V6，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D35，自配管D6分支。配管D35之上游端，連接配管D6中調節器R3與閥V5之間。配管D35之下游端，連接配管D7中閥V6與泵裝置P2之連接口51c之間。在配管D35上，設置閥V32。閥V32，係與閥V1相同之氣動閥。氮氣源、配管D5～D7、D35、調節器R2、R3、閥V4～V6、V32，用作為將脫氣處理完畢液體自泵裝置P1、P2內排出之供給排出部之一部分。

配管D8，配置於空氣源與噴射器E之間。噴射器E，以噴嘴、擴散器、與連接噴嘴及擴散器之連接部構成。配管D8之上游端，連接空氣源。配管D8之下游端，連接噴射器E之噴嘴。在配管D8上，自上游側依序，設置調節器R4、壓力計M3及閥V7。調節器R4，係與調節器R1相同之壓力控制閥。調整調節器R4，俾泵裝置P1、P2之氣體室C2內之壓力約為例如－35kPa。閥V7，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D9，自配管D8分支。配管D9之上游端，於調節器R4之上游側連接配管D8。配管D9之下游端，於閥V7與噴射器E之間連接配管D8。在配管D9上，自上游側依序，設置調節器R5、壓力計M4及閥V8。調節器R5，係與調節器R1相同之壓力控制閥。調整調節器R5，俾泵裝置P1、P2之氣體室C2內之壓力約為例如－80kPa。閥V8，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D10之上游端，連接噴射器E之擴散器。將於配管D10流動之氣體，自配管D10之下游端朝系外（系統外）排出。

配管D11之一端，連接噴射器E之連接部。配管D11之另一端，分支為配管D12、D13，連接配管D12、D13之一端。配管D12之另一端，在配管D5、D6之匯流點與泵裝置P1之連接口51c之間連接配管D5。在配管D12上，設置閥V9。配管D13之另一端，在閥V6與泵裝置P2之連接口51c之間連接配管D7。在配管D13上，設置閥V10。閥V9、V10，係與閥V1相同之氣動閥。空氣源、配管D8～D13、調節器R4、R5、閥V7～V10，用作為自處理液源經由脫氣噴嘴52a對泵裝置P1、P2內供給處理液，將脫氣處理完畢液體儲存於泵裝置P1、P2內之供給排出部之一部分。

配管D14之上游端，連接泵裝置P1之排液口52c。配管D15之上游端，連接泵裝置P2之排液口52c。配管D14、D15之下游端，皆連接配管D16之上游端。將於配管D16流動之氣體，自配管D16之下游端朝系外（系統外）排出。在配管D14上，設置閥V11。在配管D15上，設置閥V12。閥V11、V12，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D17之上游端，連接泵裝置P1之排出口52b。配管D18之上游端，連接泵裝置P2之排出口52b。配管D17、D18之下游端，皆連接配管D19之上游端。在配管D17上，設置閥V13。在配管D18上，設置閥V14。閥V13、V14，係與閥V1相同之氣動閥。

配管D19之下游側，分支為配管D20～D22。配管D20之下游端，連接過濾裝置F1之導入口65a。配管D23之上游端，連接過濾裝置F1之排出口65b。在配管D23上，自上游側依序，設置流量計FM1、閥V15及噴嘴N1。流量計FM1，係利用超音波量測於配管D23流動之處理液之流速，根據該流速計算流量之超音波流量計。若使用超音波流量計，即可不於配管內設置量測器而偵測流量，故可抑制壓力損耗之發生。閥V15，係具有流量調節功能之氣動閥。

配管D24，於流量計FM1之上游側自配管D23分支。在配管D24上，自上游側依序，設置流量計FM2、閥V16及噴嘴N2。流量計FM2，係與流量計FM1相同之超音波流量計。閥V16，係與閥V15相同之氣動閥。

配管D25之上游端，連接過濾裝置F1之排液口65c。在配管D25上，設置閥V17。閥V17，係以手動進行開合之手動閥。將於配管D25流動之液體，自配管D25之下游端朝系外（系統外）排出。又，新貨之過濾器本體64乾燥，含有多量之空氣，故亦可在將過濾器62更換為新貨之際開放手動閥，排出過濾器本體64所含有之空氣。

配管D26，自配管D25分支，再匯流至配管D25。在配管D26上，自上游側依序，設置閥V18、流量計FM3及閥V19。閥V18，係與閥V1相同之氣動閥。流量計FM3，係以於推拔管內漂浮之浮子之位置讀取流量之面積式（浮子式）流量計。閥V19，係止回閥，其動作，俾自配管D26之上游側朝下游側之處理液流動，但欲朝逆方向之處理液不流動。

配管D21之下游端，連接過濾裝置F2之導入口65a。配管D27之上游端，連接過濾裝置F2之排出口65b。在配管D27上，自上游側依序，設置流量計FM4、閥V20及噴嘴N3。流量計FM4，係與流量計FM1相同之超音波流量計。閥V20，係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。

配管D28，在流量計FM4與閥V20之間自配管D27分支。在配管D28上，自上游側依序，設置閥V21及噴嘴N4。閥V21，係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。

配管D29之上游端，連接過濾裝置F2之排液口65c。在配管D29上，設置閥V22。閥V22，係與閥V17相同之手動閥。將於配管D29流動之液體，自配管D29之下游端朝系外（系統外）排出。

配管D30，自配管D29分支再匯流至配管D29。在配管D30上，自上游側依序，設置閥V23、流量計FM5及閥V24。閥V23，係與閥V1相同之氣動閥。流量計FM5，係與流量計FM3相同之面積式流量計。閥V24，係與閥V19相同之止回閥。

配管D22之下游端，連接過濾裝置F3之導入口65a。配管D31之上游端，連接過濾裝置F3之排出口65b。在配管D31上，自上游側依序，設置流量計FM6、閥V25及噴嘴N5。流量計FM6，係與流量計FM1相同之超音波流量計。閥V25，係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。

配管D32，自配管D23分支。配管D32之上游端，連接配管D23中流量計FM1與閥V15之間。配管D32之下游端，連接配管D2之上游端。配管D32，與配管D2之一部分，一齊用作為使處理液回到泵裝置P1、P2之第1循環管線之一部分。在配管D32上，自上游側依序，設置閥V26及閥V27。閥V26，係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。閥V27，係與閥V19相同之止回閥。又，過濾裝置F1位於噴吐管線中配管D32之上游端之上游側，故無需於循環管線與噴吐管線雙方設置過濾裝置F1，可削減過濾裝置F1之數量。

配管D33，自配管D27分支。配管D33之上游端，連接配管D27中流量計FM4與配管D27、D28之分支點之間。配管D33之下游端，連接配管D2之上游端。配管D33，與配管D2之一部分，一齊用作為使處理液回到泵裝置P1、P2之第2循環管線之一部分。在配管D33上，自上游側依序，設置閥V28及閥V29。閥V28，係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。閥V29，係與閥V19相同之止回閥。又，過濾裝置F2位於噴吐管線中配管D33之上游端之上游側，故無需於循環管線與噴吐管線雙方設置過濾裝置F2，可削減過濾裝置F2之數量。

配管D34，自配管D2分支。配管D34之上游端，連接較配管D1、D2之匯流點更上游側。在配管D34上，設置閥V30。閥V30，係與閥V1相同之氣動閥。將於配管D34流動之液體，自配管D34之下游端朝系外（系統外）排出。因此，配管D34，用作為將於第1或第2循環管線流動之處理液朝系外排出之排出管線之一部分。

在配管D2上，配管D1、D2之分支點與配管D34、D2之分支點之間，設置閥V31。其係與閥V15相同，具有流量調節功能之氣動閥。配管D17～D24、D27、D28、D31，用作為使自泵裝置P1、P2排出之處理液，經由噴嘴N1～N5對基板W噴吐之噴吐管線。

閥V1～V16、V18、V20、V21、V23、V25、V26、V28、V30、V31，對應自控制裝置CU接受之控制信號，使閥開合。調節器R1～R5，對應自控制裝置CU接受之控制信號，調整對於本身流動之處理液賦予之壓力之大小。調節器R1、R2、R4、R5中，亦可手動調整對於本身流動之處理液、氮氣或空氣賦予之壓力之大小。調節器R3中，亦可按照既定之程式動態調整對於本身流動之氮氣賦予之壓力之大小。

[泵裝置之動作] 接著，參照圖5，同時說明關於以泵裝置P1、P2抽吸及噴吐處理液之抽吸及噴吐動作。又，此等動作於泵裝置P1、P2皆相同，故於以下，說明關於泵裝置P1之抽吸及噴吐動作，關於泵裝置P2之抽吸及噴吐動作則省略其說明。

首先，自所有閥關閉之初始狀態起，控制裝置CU指示閥V1、V2、V7、V9，開放此等閥。藉此，來自空氣源之空氣依配管D8、噴射器E及配管D10之順序流動，於噴射器E之連接部產生負壓。因此，經由連接噴射器E之連接部之配管D11、D12、D5，泵裝置P1之氣體室C2內減壓，將活塞板53a朝框體51之底壁51b側引導。因此，擴大伸縮囊泵53之容積，將處理液自處理液源經由脫氣噴嘴52a導入伸縮囊泵53內。此時，處理液通過脫氣噴嘴52a之際脫氣，故於伸縮囊泵53內，導入脫氣處理液，與因脫氣處理自處理液分離之氣體。

其次，控制裝置CU，指示閥V1、V2、V7、V9封閉此等閥，並指示閥V11開放此閥。藉此，將一部分的脫氣處理完畢液體與因脫氣處理自處理液分離之氣體一齊朝伸縮囊泵53外排出。

其次，控制裝置CU，指示閥V11封閉此閥，指示閥V4、V13開放此等閥。藉此，來自氮氣源之氮氣於配管D5流動，對泵裝置P1之氣體室C2內加壓，朝蓋體52側推出活塞板53a。因此，經由排出口52b及配管D17對噴嘴N1～N5中任一者供給處理液，藉由配管D32、D33循環而使其回到泵裝置P1、P2，或自配管D25、D29、D34中任一者朝系外（系統外）排出。

[閥之開合時機] 接著，參照圖5及圖8，同時說明既定之閥之開合時機。首先，說明關於閥V15、V16、V26之開合時機（圖8（a））。控制裝置CU指示閥V26開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V15、V16封閉（OFF）此等閥。此時，來自泵裝置P1、P2之處理液，不自噴嘴N1、N2噴吐，於作為第1循環管線之一部分之配管D32流動。其後，此處理液，回到泵裝置P1、P2，再於系內循環，或自配管D34朝系外（系統外）排出。

其次，控制裝置CU指示閥V15，開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V16、V26封閉（OFF）此等閥。此時，自噴嘴N1噴吐來自泵裝置P1、P2之處理液。其次，控制裝置CU指示閥V16開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V15、V26封閉（OFF）此等閥。如圖8（a）所示，閥V26，在閥V16封閉，隔了若干時間後開放。此時，自噴嘴N2噴吐來自泵裝置P1、P2之處理液。如以上，控制閥V15、V16、V26，俾任1個閥開放時其他閥封閉。

另一方面，說明關於閥V20、V21、V28之開合時機（圖8（b））。控制裝置CU指示閥V28開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V20、V21封閉（OFF）此等閥。此時，來自泵裝置P1、P2之處理液，不自噴嘴N3、N4噴吐，於作為第2循環管線之一部分之配管D33流動。其後，此處理液，回到泵裝置P1、P2再於系內循環，或自配管D34朝系外（系統外）排出。

其次，控制裝置CU指示閥V20開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V21、V28封閉（OFF）此等閥。此時，自噴嘴N3噴吐來自泵裝置P1、P2之處理液。其次，控制裝置CU指示閥V21開放（ON）此閥之期間，控制裝置CU指示其他閥V20、V28封閉（OFF）此等閥。如圖8（b）所示，閥V28，在閥V21封閉，隔了若干時間後開放。此時，自噴嘴N4噴吐來自泵裝置P1、P2之處理液。如以上，控制閥V20、V21、V28，俾任1個閥開放時其他閥封閉。

[循環模式] 接著，參照圖9及圖10，說明關於以第1或第2循環管線使處理液於系內循環之循環模式。又，圖9，係顯示圖5之供給系統24a中，為說明循環模式必要之要素之圖。圖9顯示關於第1循環管線之要素（配管D32），自圖9省略關於第2循環管線之要素（配管D33）之記載。然而，依通過第2循環管線之循環模式之供給系統24a之動作，與依通過第1循環管線之循環模式之供給系統24a之動作相同。因此，於以下，省略關於第2循環管線之說明。

首先，圖10（a）所示之初始狀態（步驟1）中，控制裝置CU指示閥V4、V6開放此閥。因此，以來自氮氣源之氮氣一齊對泵裝置P1、P2之氣體室C2內加壓，將活塞板53a朝蓋體52側推出之力對活塞板53a作用。

其次，使用圖10（b），說明關於步驟2。步驟2中，控制裝置CU指示閥V10開放此閥，且指示閥V6、V14封閉此等閥，使泵裝置P2之氣體室C2內，較泵裝置P1之氣體室C2內，壓力相對低。藉此，於泵裝置P1之伸縮囊泵53與泵裝置P2之伸縮囊泵53之間產生壓力差。因此，儲存於泵裝置P1之伸縮囊泵53之處理液，依排出口52b、配管D17、D19、D20、過濾裝置F1、及配管D23、D32、D2、D4之順序流動，移至泵裝置P2之伸縮囊泵53內。如此，泵裝置P1之伸縮囊泵53內之處理液減少，同時泵裝置P2之伸縮囊泵53內之處理液增加（圖10（b））。

其次，分為下列者進行說明：泵裝置P1之伸縮囊泵53內之處理液大致為空前，填充泵裝置P2之伸縮囊泵53內之處理液之第1模式（步驟3～7、圖10（c）～（g）），及填充泵裝置P2之伸縮囊泵53內之處理液前，泵裝置P1之伸縮囊泵53內之處理液大致為空之第2模式（步驟8～12、圖10（h）～（l））。

首先，使用圖10（c），說明關於步驟3。步驟3中，泵裝置P2之感測器55d，以泵裝置P2之感測器55d偵測於伸縮囊泵53內（處理液室C1）是否填充有處理液（圖10（c））。泵裝置P2之伸縮囊泵53經填充時，需將此處理液移至泵裝置P1之伸縮囊泵53。然而，泵裝置P2之氣體室C2內，較泵裝置P1之氣體室C2內，壓力相對低，故無法推出泵裝置P2之活塞板53a。在此，實行步驟4之處理。

使用圖10（d），說明關於步驟4。步驟4中，控制裝置CU，自泵裝置P2之感測器55d接收偵測信號後，即指示閥V6開放此閥。藉此，以來自氮氣源之氮氣對泵裝置P2之氣體室C2內加壓，將活塞板53a朝蓋體52側推出之力對活塞板53a作用（圖10（d））。泵裝置P2內之加壓進行約例如15秒。此時，持續封閉閥V14，故儲存於泵裝置P1之伸縮囊泵53之處理液，依排出口52b、配管D17、D19、D20、過濾裝置F1、及配管D23、D32、D2、D3之順序流動，回到泵裝置P1之伸縮囊泵53內。

其次，使用圖10（e），說明關於步驟5。步驟5中，控制裝置CU，指示閥V1、V2、V7、V9開放此等閥，並指示閥V3關閉此閥。藉此，來自空氣源之空氣依配管D8、噴射器E及配管D10之順序流動，於噴射器E之連接部產生負壓。因此，經由連接噴射器E之連接部之配管D11、D12、D5，泵裝置P1之氣體室C2內減壓，將活塞板53a朝框體51之底壁51b側引導。因此，將處理液自處理液源經由脫氣噴嘴52a導入伸縮囊泵53內（圖10（e））。且儲存於泵裝置P2之伸縮囊泵53之處理液，依排出口52b、配管D18、D19、D20、過濾裝置F1、及配管D23、D32、D2、D3之順序流動，回到泵裝置P1之伸縮囊泵53內（同圖）。

其次，使用圖10（f），說明關於步驟6。步驟6中，泵裝置P1之感測器55c，以泵裝置P1之感測器55c偵測於伸縮囊泵53內（處理液室C1）是否大致已填充處理液（圖10（f））。此因，泵裝置P1之伸縮囊泵53若完全被填充，自泵裝置P2之伸縮囊泵53對泵裝置P1之伸縮囊泵53使處理液循環之際泵裝置P1之伸縮囊泵53即無擴大之餘地。此時，控制裝置CU指示閥V11開放此閥，使一部分的脫氣處理完畢液體與因脫氣處理自處理液分離之氣體一齊自排液口52c朝伸縮囊泵53外排出。

其次，使用圖10（g），說明關於步驟7。步驟7中，控制裝置CU，自泵裝置P1之感測器55c接收偵測信號後，即指示閥V9開放此閥，並指示閥V1封閉此閥，泵裝置P1之氣體室C2內，較泵裝置P2之氣體室C2內壓力低。藉此，於泵裝置P1之伸縮囊泵53與泵裝置P2之伸縮囊泵53之間產生壓力差。因此，儲存於泵裝置P2之伸縮囊泵53之處理液，依排出口52b、配管D18、D19、D20、過濾裝置F1、及配管D23、D32、D2、D3之順序流動，移至泵裝置P1之伸縮囊泵53內（圖10（g））。又，步驟7（圖10（g）），與步驟2（圖10（b））中更換泵裝置P1及泵裝置P2時相同。因此，藉由於步驟2以下更換泵裝置P1與泵裝置P2，步驟7以下之循環模式中，與上述相同之說明成立。

另一方面，使用圖10（h），說明關於步驟8。步驟8中，填充泵裝置P2之伸縮囊泵53內之處理液前，以泵裝置P1之感測器55b偵測泵裝置P1之伸縮囊泵53內（處理液室C1）之處理液是否大致為空（圖10（h））。

圖10（i）～圖10（l）所示之後續之步驟9～12，與上述之步驟4～7相同，故省略說明。又，步驟12（圖10（l）），與步驟2（圖10（b））中更換泵裝置P1及泵裝置P2時相同。因此，藉由於步驟2以下更換泵裝置P1與泵裝置P2，步驟12以下之循環模式中，與上述相同之說明成立。

又，處理液接觸過濾器本體64後，過濾器本體64所含有之微粒即逐漸溶離至處理液。因此，處理液之液流於過濾器本體64滯留後，處理液中之微粒濃度即逐漸升高。經由噴吐管線對基板W噴吐如此之處理液後，多數之微粒即附著於基板W，故於經處理之基板W發生缺陷之可能性提高。然而，如以上之循環模式中，自泵裝置P1噴吐處理液即使結束，亦可自泵裝置P2噴吐處理液。於自泵裝置P2噴吐處理液之期間對泵裝置P1供給處理液，藉此，自泵裝置P2噴吐處理液即使結束，亦可自泵裝置P1噴吐處理液。因此，可繼續對過濾裝置F1供給處理液。此外，如以上之循環模式中，自泵裝置P1排出之處理液，通過過濾裝置F1後，經由構成循環管線之配管D32、D2回到泵裝置P2。同樣地，自泵裝置P2排出之處理液，通過過濾裝置F1後，經由構成循環管線之配管D32、D2回到泵裝置P1。因此，處理液不於過濾裝置F1滯留而流動。因此，可抑制處理液中微粒濃度之增加，故可抑制於基板W發生缺陷之可能性。

[過濾器維修模式] 接著，參照圖11～圖13，說明關於過濾器維修模式。又，圖11，顯示圖5之供給系統24a中，為說明過濾器維修模式必要之要素，省略其他要素而顯示。圖11顯示關於泵裝置P1之要素，關於泵裝置P2之要素之記載則自圖11省略。於以下雖說明使用泵裝置P1之過濾器維修模式之動作，但使用泵裝置P2之過濾器維修模式之動作與使用泵裝置P1之情形相同。因此，於以下，省略使用泵裝置P2之過濾器維修模式之說明。

過濾器維修模式中，包含使用第1或第2循環管線，去除過濾器本體64所含有之空氣之重清動作，及處理液滲透經更換之新貨之過濾器62，同時去除該過濾器本體64所含有之微粒之初始動作。重清動作，在例如，過濾器62之使用期間橫跨既定之期間以上之長期時，或發生缺陷之基板W之數量或於基板W發生之缺陷之比例在既定值以上時進行。開始重清動作之時機，設定於上述之循環模式中步驟2與步驟3之間（定常狀態之期間）。

又，圖11顯示關於第1循環管線之要素（配管D32），關於第2循環管線之要素（配管D33）之記載則自圖11省略。然而，依通過第2循環管線之過濾器維修模式之供給系統24a之動作，與依通過第1循環管線之過濾器維修模式之供給系統24a之動作相同。因此，於以下，省略關於包含過濾裝置F2之第2循環管線之說明。

首先，說明關於進入過濾器維修模式前之時點之步驟11（圖13之「開始」）。步驟11中，開放閥V4、V13、V26、V31，其他（閥V1、V2、V9、V11、V8、V5、V18、V30及調節器R3）則封閉。因此，處理液通過第1循環管線循環。

其次，說明關於步驟12（圖12（a）、圖13之「循環停止」）。步驟12中，控制裝置CU指示閥V13、V26、V31關閉此等閥。因此，通過第1循環管線之處理液之循環停止。因此此時，如圖12（a）所示，過濾器本體64雖因處理液呈濕潤之狀態，但處理液未於過濾裝置F1內流通。且此時，閥V4開放，故以來自氮氣源之氮氣對泵裝置P1之氣體室C2內加壓，將活塞板53a朝蓋體52側推出之力作用於活塞板53a。

其次，說明關於步驟13（圖13之「排出通常脫氣液」）。步驟13中，控制裝置CU指示閥V11開放此閥。因此，與對泵裝置P1之氣體室C2內加壓配合，自泵裝置P1之伸縮囊泵53內完全朝系外排出處理液。藉此，後述之步驟15（圖13之「補充高脫氣液」）中對泵裝置P1之伸縮囊泵53內供給高脫氣液之際，可於該伸縮囊泵53內儲存更多的高脫氣液。

其次，說明關於步驟14（圖13之「補充前減壓」）。步驟14中，控制裝置CU，指示閥V9、V8開放此等閥，並指示閥V4、V11關閉此等閥。藉此，來自空氣源之空氣依配管D8、噴射器E及配管D10之順序流動，於噴射器E之連接部產生負壓。因此，經由連接噴射器E之連接部之配管D11、D12、D5，使泵裝置P1之氣體室C2內減壓。

其次，說明關於步驟15（圖13之「補充高脫氣液」）。步驟15中，控制裝置CU，指示閥V1、V2開放此等閥。藉此，朝框體51之底壁51b側急劇引導泵裝置P1之活塞板53a。因此，擴大泵裝置P1之伸縮囊泵53之容積，經由脫氣噴嘴52a自處理液源導入處理液至該伸縮囊泵53內。此時，處理液通過脫氣噴嘴52a之際脫氣，故將脫氣處理完畢液體，與因脫氣處理自處理液分離之氣體導入該伸縮囊泵53內。

在此，在設有閥V8之配管D9上，設置調節器R5。調節器R5中設定之壓力之大小，大於調節器R4中設定之壓力之大小。因此，步驟15中，相較於使用調節器R4時更使得氣體室C2內減壓，故可使處理液經由脫氣噴嘴52a以更快的流速導入泵裝置P1之伸縮囊泵53內。其結果，處理液之壓力更降低，使大量溶解於處理液內之氣體自處理液內脫氣。此高脫氣液，接觸存在於過濾器本體64內之微小氣泡後即可發揮捕集該微小氣泡之功能。因此，如此之高脫氣液滲透過濾器本體64，藉此，可更有效地捕集存在於過濾器本體64內之微小氣泡。藉此，可改善過濾器本體64之性能。使此脫氣處理完畢液體，與使用調節器R4製造之脫氣處理完畢液體（通常脫氣液）區別，本說明書中有時稱其為「高脫氣液」。

其次，說明關於步驟16（圖13之「補充後待命」）。步驟16中，控制裝置CU，指示閥V1、V2、V8關閉此等閥。此時，保持於泵裝置P1之伸縮囊泵53內儲存高脫氣液之狀態。

其次，說明關於步驟17（圖13之「補充後加壓」）。步驟17中，控制裝置CU，指示閥V5開放此閥，並指示閥V9關閉此閥。因此，雖對泵裝置P1之氣體室C2內加壓，但不自泵裝置P1之伸縮囊泵53內排出高脫氣液。

其次，說明關於步驟18（圖13之「補充後排氣」）。步驟18中，控制裝置CU，指示閥V11開放此閥。因此，儲存於泵裝置P1之伸縮囊泵53內之高脫氣液及氣體中，一部分的脫氣處理完畢液體與因脫氣處理自處理液分離之氣體一齊經由配管D14、D16朝系外排出。步驟18中，亦可僅因脫氣處理自處理液分離之氣體朝系外排出。依以上之步驟13～18，高脫氣液之製作步驟結束。

其次，說明關於步驟19（圖13之「假通液」）。步驟19中，控制裝置CU，指示閥V13、V18開放此等閥，指示閥V11關閉此閥，並指示調節器R3對於本身流動之氮氣以第1值賦予壓力。此時，如圖12（b）所示，於過濾裝置F1之導入口65a與排液口65c之間高脫氣液可流通。因此，自過濾裝置F1之導入口65a導入之高脫氣液朝排液口65c逐漸流動。亦即，高脫氣液，逐漸滲透至過濾器本體64。於步驟19在過濾裝置F1內高脫氣液之流量，例如約為60ml／min。步驟19所需之時間，約為例如200秒。又，亦可在高脫氣液自排液口65c排出前，轉移至下一步驟20。

其次，說明關於步驟20（圖13之「初始通液」）。步驟20中，控制裝置CU，指示閥V26、V30開放此等閥，指示閥V18關閉此閥，並指示調節器R3對於本身流動之氮氣以第2值賦予壓力。此時，如圖12（c）、（d）所示，於過濾裝置F1之導入口65a與排出口65b之間高脫氣液可流通。設定第2值大於第1值。藉此，對泵裝置P1之氣體室C2內以更大的壓力加壓。因此，自過濾裝置F1之導入口65a導入之高脫氣液，以大於步驟19之流量朝排出口65b流動。其結果，高脫氣液，如圖12（c）所示，更滲透至過濾器本體64。大致滲透至過濾器本體64整體之高脫氣液，如圖12（d）所示，穿至較過濾器容器63之內側側壁63b更內側後，自排出口65b排出。自排出口65b排出之高脫氣液，經由配管D23、D32、D2、D34朝系外排出。於步驟20在過濾裝置F1內高脫氣液之流量，約為例如75ml／min。步驟20所需之時間，約為例如640秒。

又，因更換過濾器62乾燥狀態之過濾器本體64設置於過濾裝置F1時，於過濾器本體64含有氣體或多數之微粒。高脫氣液於如此之狀態之過濾器62流通後雖可自過濾器本體64內排出氣體及微粒，但多數之微粒伴隨著高脫氣液，高脫氣液被污染。然而，配管D34通往系外，故被污染之高脫氣液不回到泵裝置P1，可朝系外排出。

其次，說明關於步驟21（圖13之「保持加壓」）。步驟21中，控制裝置CU，指示閥V26、V30關閉此等閥。此時，如圖12（e）所示，排液口65c及排出口65b之下游側之閥V18、V26皆關閉，故自過濾裝置F1之導入口65a導入之高脫氣液，於過濾裝置F1內滯留。此外，欲自過濾裝置F1之上游側將高脫氣液送入過濾裝置F1內，故過濾裝置F1內之壓力升高。因此，高脫氣液更易於滲透過濾器本體64整體。因此，可更促進自過濾器本體64排出微小氣泡。步驟21所需之時間，約為例如600秒。

其次，說明關於步驟22（圖13之「通液」）。步驟22中，控制裝置CU，指示閥V26、V30開放此等閥。此時，如圖12（f）所示，於過濾裝置F1之導入口65a與排出口65b之間高脫氣液可流通。此外，開放閥V5，故亦與調節器R3之作用配合，對泵裝置P1之氣體室C2內以更大的壓力加壓。因此，自過濾裝置F1之導入口65a導入之高脫氣液，以較步驟19更快的流速於過濾裝置F1內流動，自排出口65b排出。步驟22中，高脫氣液持續流往過濾裝置F1既定時間。自排出口65b排出之高脫氣液，經由配管D23、D32、D2、D34朝系外排出。於步驟22在過濾裝置F1內高脫氣液之流量，約為例如75ml／min。步驟22所需之時間，約為例如3250秒。

其次說明關於步驟23（圖13之「結束」）。步驟23中，控制裝置CU，指示閥V4、V31開放此等閥，指示閥V5、V30關閉此等閥，並停止調節器R3。藉此，各閥及調節器，轉移至與步驟11相同之狀態。因此，處理液通過第1循環管線再循環。

如以上之過濾器維修模式中，於步驟19（圖13之「假通液」），以第1流量自泵裝置P1對過濾裝置F1供給高脫氣液，接著於步驟20（圖13之「初始通液」），以大於第1流量之第2流量自泵裝置P1對過濾裝置F1供給高脫氣液。因此，於步驟19，高脫氣液逐漸滲透至過濾裝置F1內之過濾器本體64後，於步驟20，高脫氣液大致滲透至過濾器本體64整體。過濾器本體64自起初接觸相對較大之流量之高脫氣液時，高脫氣液不滲透過濾器本體64整體，有大小氣泡持續存在於過濾器本體64內之虞，但因經由如上述之步驟19、20，高脫氣液逐漸滲透至過濾器本體64，故可將過濾器本體64內之大小氣泡朝過濾器本體64外排出。且上述之過濾器維修模式中，於步驟22（圖13之「通液」），高脫氣液持續自泵裝置P1朝過濾裝置F1流動既定時間。因此，可藉由高脫氣液將過濾器本體64內之微小氣泡更有效地朝過濾器本體64外排出。以上結果，可改善過濾器本體64之性能。又，雖藉由更換過濾器62亦可實現過濾器本體64之性能之改善，但為更換過濾器62需停止用來對基板W噴吐處理液之供給系統24a，令人擔心生產力降低。然而，若採用上述之過濾器維修模式，即可藉由使高脫氣液流動改善過濾器本體64之性能，無需停止供給系統24a，故大致不需擔心生產力降低。又，使用過濾器62某程度之期間，結果於過濾器本體64內累積氣泡，過濾器本體64之性能降低時，或因更換過濾器62，乾燥狀態之過濾器本體64設置於過濾裝置F1時中之任一情形下，皆可適用上述之過濾器維修模式。

[其他實施形態] 以上，雖已詳細說明關於本發明之實施形態，但本發明不由上述之實施形態限定。例如，亦可採用與上述之實施形態不同構成之供給系統24a。供給系統24a之其他例，顯示於圖14。此供給系統24a中，配管D19之下游側之構成與上述之實施形態不同。於以下，特別以相異點為中心說明。配管D19之下游側不分支，配管D19之下游端連接配管D20之上游端。配管D20之下游端，連接過濾裝置F1之導入口65a。在配管D23上，自上游側依序，設置流量計FM1、閥V15及噴嘴N1。配管D24，於流量計FM1之上游側自配管D23分支。在配管D24上，自上游側依序，設置流量計FM2、閥V16及噴嘴N2。此供給系統24a之其他例中，於過濾裝置F1之下游側分支為配管D23、D24，故通過過濾裝置F1之處理液可流往複數之配管。因此，不需於每一配管設置過濾裝置，可實現成本之減少。

亦可不使用氮氣源及空氣源之流體之力，而使用線性致動器等機械要素使伸縮囊泵53之活塞板53a動作。

亦可使用伸縮囊泵53以外之容積可改變之泵。

上述之實施形態中，對應伸縮囊泵53之容積之變動，對伸縮囊泵53內供給處理液，或自伸縮囊泵53內排出處理液。然而，亦可使用容積不變之泵，使該泵內之壓力相對地高或低，藉此，對該泵內供給處理液，或自該泵內排出處理液。

上述之實施形態中，雖使用脫氣噴嘴52a，藉由泵裝置P1、P2之動作製造脫氣處理完畢液體，但泵裝置P1、P2亦可不具有脫氣噴嘴52a，對泵裝置P1、P2供給由其他裝置製造之脫氣處理完畢液體。

1‧‧‧塗布、顯影裝置
24a‧‧‧供給系統（氣泡去除裝置、脫氣裝置）
51‧‧‧框體
52a‧‧‧脫氣噴嘴
53‧‧‧伸縮囊泵
62‧‧‧過濾器
64‧‧‧過濾器本體
CU‧‧‧控制裝置
D1～D34‧‧‧配管
E‧‧‧噴射器
F1～F6‧‧‧過濾裝置
P1、P2‧‧‧泵裝置
R1～R5‧‧‧調節器
U1‧‧‧顯影處理單元
V1～V31‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓（基板）

【圖1】係顯示塗布、顯影系統之立體圖。 【圖2】係圖1之II－II線剖面圖。 【圖3】係圖2之Ⅲ－Ⅲ線剖面圖。 【圖4】係顯示基板處理裝置之剖面圖。 【圖5】係顯示液供給系統之圖。 【圖6】(a)(b)係顯示伸縮囊泵之剖面圖。 【圖7】係顯示過濾器單元之剖面圖。 【圖8】(a)(b)係用來說明既定之閥之開合時機之圖。 【圖9】係顯示圖5之液供給系統中，為說明循環模式必要之要素圖。 【圖10】(a)~(l)係循環模式中，用來說明2個伸縮囊泵之動作之圖。 【圖11】係顯示圖5之液供給系統中，為說明過濾器維修模式必要之要素圖。 【圖12】(a)~(f)係過濾器維修模式中，用來說明液體通往過濾裝置之情形之圖。 【圖13】係過濾器維修模式中，用來說明各閥之開合動作之圖。 【圖14】係顯示液供給系統之其他例圖。

R3‧‧‧調節器

V1~V31‧‧‧閥

Claims (14)

1. 一種氣泡去除方法，包含： 第1步驟，經由脫氣噴嘴將基板之處理液供給至一容器內，使來自供給源之處理液脫氣，該脫氣噴嘴的該容器側之流路面積較基板之處理液之該供給源側小； 第2步驟，在該第1步驟後，將於該第1步驟經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體，以第1處理液流量自該容器供給至具有過濾器之過濾裝置； 第3步驟，在該第2步驟後，將該脫氣處理完畢液體，以大於該第1處理液流量之第2處理液流量自該容器供給至該過濾裝置；及 第4步驟，在該第3步驟後，使該脫氣處理完畢液體自該容器朝該過濾裝置維持流動既定時間。
2. 如申請專利範圍第1項之氣泡去除方法，其中 更包含： 第5步驟，在該第3步驟後，且在該第4步驟前，對該過濾裝置內加壓。
3. 如申請專利範圍第1或2項之氣泡去除方法，其中 更包含： 第6步驟，在該第1步驟前，將儲存於該容器內之處理液排出至該容器外。
4. 如申請專利範圍第1或2項之氣泡去除方法，其中 該容器係容積可改變之泵， 於該第1步驟中，擴大該泵之容積，自該供給源對該泵內供給該處理液， 於該第2～第4步驟中，將該泵之容積縮小，自該泵對該過濾裝置內供給該脫氣處理完畢液體。
5. 一種氣泡去除裝置，包含： 第1容器，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液； 第1脫氣噴嘴，位於該供給源與該第1容器之間，其於該第1容器側之流路面積較小於該供給源側之流路面積； 噴吐管線，用來將自該第1容器排出之處理液對該基板噴吐； 過濾裝置，設於該噴吐管線，且具有過濾器； 供給排出部，用來進行自該供給源經由該第1脫氣噴嘴對該第1容器內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該第1容器內，及將該第1容器內之該脫氣處理完畢液體向該噴吐管線排出；及 控制部，控制該供給排出部之動作； 且該控制部令該供給排出部實行下列動作： 第1動作，以第1處理液流量將該脫氣處理完畢液體自該第1容器供給至該過濾裝置； 第2動作，在該第1動作後，以大於該第1處理液流量之第2處理液流量，將該脫氣處理完畢液體自該第1容器供給至該過濾裝置；及 第3動作，在該第2動作後，使該脫氣處理完畢液體自該第1容器朝該過濾裝置維持流動既定時間。
6. 如申請專利範圍第5項之氣泡去除裝置，其中 該第1容器係容積可改變之泵， 該控制部， 於令該供給排出部實行該第1動作之際，以第1壓力加壓該泵，將該泵之容積縮小， 於令該供給排出部實行該第2及第3動作之際，以高於該第1壓力之第2壓力加壓該泵，將該泵之容積縮小。
7. 如申請專利範圍第5項之氣泡去除裝置，其中 更包含： 循環管線，自該噴吐管線分支，使處理液回到該第1容器； 該過濾裝置，設於該噴吐管線中較該循環管線之分支點更接近該第1容器側。
8. 如申請專利範圍第7項之氣泡去除裝置，其中 該循環管線中，設有將於該循環管線流動之處理液排出之排出管線。
9. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之氣泡去除裝置，其中 更包含： 第2容器，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液；及 第2脫氣噴嘴，位於該供給源與該第2容器之間，其在該第2容器側之流路面積較小於該供給源側之流路面積； 且自該第1及第2容器分別將用來對該基板噴吐之處理液排出至該噴吐管線， 該供給排出部，進行自該供給源經由該第2脫氣噴嘴對該第2容器內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該第2容器內，及將該第2容器內之該脫氣處理完畢液體排出至該噴吐管線， 該控制部令該供給排出部實行下列動作： 於將該第1容器內之該脫氣處理完畢液體供給至該過濾裝置時，不將該第2容器內之該脫氣處理完畢液體供給至該過濾裝置，且 於將該第2容器內之該脫氣處理完畢液體供給至該過濾裝置時，不將該第1容器內之該脫氣處理完畢液體供給至該過濾裝置。
10. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之氣泡去除裝置，其中 該噴吐管線分支為複數之副管線。
11. 如申請專利範圍第10項之氣泡去除裝置，其中 該噴吐管線，於該過濾裝置之下游側分支為複數之副管線。
12. 一種脫氣裝置，包含： 容積可改變之泵，暫時儲存由供給源供給的基板之處理液； 脫氣噴嘴，位於該供給源與該泵之間，其於該泵側之流路面積較小於該供給源側之流路面積； 噴吐管線，用來將自該泵排出之處理液向該基板噴吐；及 供給排出部，進行自該供給源經由該脫氣噴嘴對該泵內供給處理液，將經脫氣處理之處理液亦即脫氣處理完畢液體儲存於該泵內，及使該泵內之該脫氣處理完畢液體排出至該噴吐管線； 且該供給排出部，在自該供給源經由該脫氣噴嘴對該泵內供給處理液時，使第1壓力或低於該第1壓力之第2壓力選擇性地作用於該泵。
13. 如申請專利範圍第12項之脫氣裝置，其中 更包含： 框體，容納該泵； 且該供給排出部，包含： 噴射器，選擇性地以第1噴射器流量或低於該第1噴射器流量之第2噴射器流量，使流體自入口側朝出口側流通；及 配管，將該框體與該泵之外表面之間的空間，及該噴射器中該入口與該出口之間的中間部，以流體之方式連接。
14. 一種電腦可讀取記錄媒體， 記錄有用來令氣泡去除裝置實行如申請專利範圍第1或2項之氣泡去除方法之程式。