CN105977213A - 陶瓷封装、电子器件装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供有优良气密可靠性的陶瓷封装、电子器件装置及其制造方法。密封在封装主体的表面开口的腔室的开口部时，即使在金属框的上表面缝焊矩形的金属盖板，金属盖板、钎焊材料也不会因来自焊接时所使用的一对辊电极的传递热量、电阻热量而局部熔化。陶瓷封装包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面及位于该一对表面的四边之间的侧面；腔室，其在该主体的一表面侧开口，俯视呈矩形；金属层，其沿封装主体的包围腔室的开口部且俯视呈矩形框状的表面形成，俯视呈矩形框状；金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面，包围腔室的开口部的表面的一对相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部及隔着该凹部的一对平面状部。

Description

陶瓷封装、电子器件装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种具有在由陶瓷形成的箱形状的封装主体的至少一表面开口的腔室的陶瓷封装、使用该陶瓷封装的电子器件装置以及该电子器件装置的制造方法。

背景技术

例如，提出了一种陶瓷封装，该陶瓷封装是通过如下这样形成的，即：在由陶瓷形成的长方体形状的封装主体的包围腔室的俯视时呈矩形框状的表面形成金属层，之后借助钎焊材料层将金属框体钎焊于该金属层的上方

(参照例如专利文献1)。

并且，在所述陶瓷封装的金属框体之上通过缝焊接合有金属盖体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-243232号公报(第1～11页，图1～图13)

发明内容

发明要解决的问题

然而，在欲通过缝焊将矩形的金属盖接合于俯视时呈矩形框状的所述金属框体的上表面的情况下，在使一对辊电极沿着所述金属盖的一对相对的边滚动并移动时，分别自各辊电极附近产生的焊接热量的热传递在该一对辊电极的中间位置附近重合。与此同时，针对在该一对辊电极之间流动的焊接电流的电阻也在该一对辊电极的中间位置附近变得最高。结果，存在这样的情况：所述金属盖的被该一对辊电极夹持的各边的中央部附近、该中央部附近的正下方附近的钎焊材料发生局部熔化，因此所述腔室和搭载在该腔室内的电子器件的气密可靠性受损。

本发明的课题在于，解决背景技术所说明的问题点，提供一种如下这样的具有优良的气密可靠性的陶瓷封装、使用该封装的电子器件装置以及该电子器件装置的制造方法，即，在对在箱形状的封装主体的一对表面中的至少一者开口的腔室的开口部进行密封时，即使在借助钎焊材料接合于包围该开口部的金属层的上方的、俯视时呈矩形框状的金属框的上表面缝焊矩形的金属盖，所述金属盖板、钎焊材料也不会因来自上述那样的一对辊电极的传递热量、电阻热量而局部熔化。

用于解决问题的方案以及发明的效果

本发明是为了解决所述问题而着眼于如下技术做成的，即：为了在形成于箱形状或板形状的封装主体的所述表面的、俯视时呈矩形框状的金属层的上表面接合在俯视时形状与金属层的形状相似的金属框，而使隔在两者之间的钎焊材料的量(体积)在所述金属层和金属框的各边的中央侧较多，在各边的两端侧较少。

即，本发明的第1陶瓷封装(技术方案1)包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；腔室，其在该封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；金属层，其沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成，并且俯视时呈矩形框状；以及金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面，该陶瓷封装的特征在于，在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

由此，第1陶瓷封装的所述封装主体的包围腔室的开口部的表面上的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。因此，能够在所述封装主体的表面的各边部的、凹部所处的中央侧配置比较多的所述钎焊材料，并且在一对平面状部配置比较少的钎焊材料，因此能够取得以下的效果(1)～(4)。

(1)在随后将金属盖缝焊于所述金属框的上表面时，即使产生的焊接热量集中于该焊接热量所集中的各边部的中央侧，也能够通过比较多的钎焊材料扩散该焊接热量，能够防止该钎焊材料自身的出乎意料的再熔融。

(2)在向所述金属框的上表面缝焊金属盖时，即使在沿着该金属盖的一对彼此相对的边滚动的一对辊电极之间流动的焊接电流在所述封装主体的表面的各边部的中央侧的钎焊材料中因电阻而发热，也能够利用比较多的钎焊材料降低该发热量。

(3)在将金属盖缝焊于所述金属框的上表面之后，产生随着该金属盖的热收缩而产生的收缩应力，但即使该应力集中作用在金属盖的各边的中央侧，也能够在位于所述封装主体的表面的各边部的中央侧附近的钎焊材料中吸收并且扩散该应力。

(4)根据以上能够提供一种在进行所述缝焊时金属盖、钎焊材料不会发生局部熔化的具有优良的气密可靠性的陶瓷封装。

其中，所述陶瓷例如是氧化铝等高温烧结陶瓷或者玻璃-陶瓷等低温烧结陶瓷。

并且，所述矩形和矩形框状是长方形状或正方形状。

而且，所述边部是指呈矩形框状的所述表面的任意一边。

并且，在所述封装主体的表面为长方形状的框形的情况下，所述至少一对彼此相对的边部是指至少一对短边，在所述表面为正方形状的框形的情况下，所述至少一对彼此相对的边部是指两对彼此相对的边部即整个四边。

而且，所述封装主体的一对表面像称作例如表面和背面那样是彼此相对的名称。

并且，在所述封装主体的表面或者所述金属层，所述边部的凹部的底面比该边部的一对平面状部低至少5μm以上。

此外，所述边部的平面状部除包括平坦面的形态之外，还包括含有沿着该边部的长度方向平缓地倾斜的坡面或者圆滑曲面的形态。

另外，所述边部的平面状部至少是指在俯视时封装主体的两条邻接的边的外侧面和内侧面相交的俯视时呈角形状的角部或者自该角部沿着各边部包括各边部的外侧面与内侧面之间的厚度部分在内的区域，各边部的隔在一对平面状部之间的区域是所述凹部。

此外，在所述腔室的底面形成有一对以上(多个)用于安装例如晶体振子等电子器件的电极。

另外，在所述陶瓷为高温烧结陶瓷的情况下，所述金属层主要由W或Mo等构成，在所述陶瓷为低温烧结陶瓷的情况下，所述金属层主要由Cu或Ag等构成。

而且，所述金属框(金属环)由例如42合金(42％Ni-Fe)、科瓦铁镍钴合金(Fe-29％Ni-17％Co)、194合金(Cu-2.3％Fe-0.03％P)或者奥氏体系等不锈钢等形成。

另外，本发明的第2陶瓷封装(技术方案2)包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；腔室，其在该封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；金属层，其形成于所述封装主体的、包围该腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面，并且俯视时呈矩形框状；以及金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面，该陶瓷封装的特征在于，在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

由此，第2陶瓷封装的所述金属层的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。因此，能够在所述金属层的各边部的、凹部所处的中央侧配置比较多的所述钎焊材料，并且在一对平面状部配置比较少的钎焊材料，因此能够取得与所述(1)～(4)同样的效果。

其中，第2陶瓷封装的所述边部是指俯视时呈矩形框状的所述金属层的任意一边。

而且，本发明还包括第1陶瓷封装(技术方案3)，在该第1陶瓷封装中，在所述封装主体的、所述腔室没有开口的表面的四角附近均形成有外部连接端子。

由此，若在所述腔室没有开口的矩形的表面的四角附近形成有由例如W等形成的外部连接端子，则在制造包括该外部连接端子的所述封装主体时能够容易地同时形成凹部和隔着该凹部的一对平面状部。具体而言，在层叠含有矩形框状和平面板的形态的多个生坯片并进行压接的工序中，能够容易地在未烧结的所述封装主体的包围腔室的开口部的表面的各边部，同时形成位于各边部的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

因而，能够通过比较少的制造工序且以低成本提供所述第1陶瓷封装。

并且，本发明还包括第1陶瓷封装(技术方案4)，在该第1陶瓷封装中，在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面的所述边部，所述凹部的底面在侧视时为水平状，并且所述一对平面状部在侧视时也为水平状。

由此，能够在所述封装主体的表面的各边部的、凹部所处的中央侧配置比较多的所述钎焊材料，并且能够在一对平面状部所处的两端侧配置比较少的钎焊材料。因而，能够进一步可靠地取得上述的效果(1)～(4)。

并且，本发明还包括第2陶瓷封装(技术方案5)，在该第2陶瓷封装中，与所述金属层在所述边部的凹部处的单位金属层的层数相比，所述金属层在该边部的所述平面状部处的单位金属层的层数较大。

由此，形成在所述封装主体的表面的矩形框状的金属层被设定为：与该金属层的各边部的凹部处的单位金属层的层数相比，该边部的所述平面状部处的单位金属层的层数较多，因此，能够在所述金属层的各边部的凹部所处的中央侧配置比较多的钎焊材料，并且在各边部的不存在凹部的两端侧配置比较少的钎焊材料。因而，采用该形态的第2陶瓷封装也能够取得上述的效果(1)～(4)。

其中，所述单位金属层是指通过一次丝网印刷所能形成的同样程度的厚度的金属层。并且，对于所述层数之间的组合，能够例示出1层和2层、2层和3层、或者3层和4层或5层等。

而且，本发明还包括第2陶瓷封装(技术方案6)，在该第2陶瓷封装中，与所述金属层在所述边部的凹部处的底面的位置相比，所述金属层在该边部的所述平面状部处的上表面的位置较高。

由此，与所述金属层在所述边部的凹部处的底面的位置相比，所述金属层在该边部的所述平面状部处的上表面的位置较高。因此，能够在所述金属层的各边部的、凹部所处的中央侧配置比较多的钎焊材料，并且在各边部的不存在凹部的两端侧配置比较少的钎焊材料。因而，采用该形态的第2陶瓷封装，也能够取得上述的效果(1)～(4)。

并且，本发明的第3陶瓷封装(技术方案7)包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面；金属层，其沿着该封装主体的至少一表面的四边形成，并且俯视时呈矩形框状；以及金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面，且在内侧形成腔室，该陶瓷封装的特征在于，所述封装主体的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，所述金属层的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

由此，具有一对表面的平板状的封装主体的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，所述金属层的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。结果，能够在所述金属层的各边部的、凹部所处的中央侧配置比较多的钎焊材料，在隔着该凹部的一对平面状部配置比较少的钎焊材料。因而，采用该形态的第3陶瓷封装，也能够取得上述的效果(1)～(4)。

其中，如所述封装主体那样，在接合金属框而最初形成腔室的平板状的形态下，所述边部的两端侧大约是自该边部的一端起到距该一端为形成该封装主体的陶瓷层的厚度～该厚度的2倍左右的距离的位置为止的区域，除该两端侧之外的区域为所述中央侧。

另一方面，本发明的第1电子器件装置(技术方案8)包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；腔室，其在该封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；金属层，其沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成，并且俯视时呈矩形框状；金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面；以及金属盖，其接合于该金属框的上表面，该电子器件装置的特征在于，在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

并且，本发明的第2电子器件装置(技术方案9)包括：封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面；金属层，其沿着该封装主体的至少一个表面的四边形成，并且俯视时呈矩形框状；金属框，其借助钎焊材料层接合于该金属层的上表面，且在内侧形成腔室；以及金属盖，其接合于该金属框的上表面，该电子器件装置的特征在于，在所述封装主体的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

由此，在通过缝焊将金属盖接合于所述陶瓷封装的金属框的上表面时，能够取得上述的效果(1)～(3)，并且能够可靠地取得能够通过所述金属盖的气密的接合进一步可靠地补偿搭载在所述腔室内的电子器件的性能的效果(5)。

其中，所述金属盖也由与上述同样的42合金、科瓦铁镍钴合金、194合金或不锈钢等形成。

而且，本发明的第1电子器件装置的制造方法(技术方案10)是所述第1电子器件装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下工序：准备含有腔室的所述封装主体的工序；沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成金属层的工序；借助钎焊材料层将金属框接合于该金属层的上表面的工序；以及将金属盖接合于该金属框的上表面的工序，在准备所述封装主体的工序中，将该封装主体的包围腔室的开口部的表面的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，在形成所述金属层的工序中，将该金属层的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

而且，本发明的第2电子器件装置的制造方法(技术方案11)的特征在于，该制造方法包括如下工序：准备具有一对表面的所述封装主体的工序；沿着该封装主体的至少一个表面的四边形成俯视时呈矩形框状的金属层的工序；借助钎焊材料层将金属框接合于该金属层的上表面的工序；以及将金属盖接合于该金属框的上表面的工序，在准备所述封装主体的工序中，将该封装主体的所述至少一个表面的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，或者，在形成所述金属层的工序中，将该金属层的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

其中，位于所述封装主体的至少一对彼此相对的边部的中央侧的凹部是通过对随后要成为该封装主体的生坯片的所述边部的中央侧的位置进行冲压成形或者激光加工而形成的。

由此，能够可靠地制造能够取得上述的效果(1)～(3)、(5)的电子器件装置(效果(6))。

其中，所述金属层是通过将含有金属粉末的导电性糊剂例如丝网印刷于所述封装主体的表面而形成的。

而且，所述边部的凹部的底面比该边部的一对平面状部的高度低的封装主体的表面是通过如下方式形成的，即，将所需形状的压模冲压于要成为该封装主体的最上层的生坯片并进行按压，或者在要成为所述封装主体的最下层的生坯片背面的四角的各角附近形成有未烧结的外部连接端子的状态下沿着厚度方向对生坯片层叠体进行压接等。

附图说明

图1是表示本发明的第1陶瓷封装的立体图。

图2的(A)是沿着图1中的X-X线向视的垂直剖视图，图2的(B)是图2的(A)中的单点划线部分b的局部放大图。

图3的(A)是沿着图1中的Y-Y线向视的垂直剖视图，图3的(B)是图3的(A)中的单点划线部分b的局部放大图。

图4是表示用于得到所述陶瓷封装的一制造工序的概略图。

图5是表示所述封装的继图4之后的制造工序的概略图。

图6是表示所述封装的继图5之后的制造工序的概略图。

图7是表示所述封装的继图6之后的制造工序的概略图。

图8的(A)是表示使用所述陶瓷封装的电子器件装置及其制造方法的垂直剖视图，图8的(B)是图8的(A)中的不同的位置处的局部垂直剖视图。

图9的(A)是表示使用所述陶瓷封装的电子器件装置及其制造方法的与图8不同的位置处的垂直剖视图，图9的(B)是图9的(A)中的不同的位置处的局部垂直剖视图。

图10是表示本发明的第2陶瓷封装的立体图。

图11的(A)、图11的(B)表示从彼此正交的方位观察所述第2陶瓷封装所得到的侧视图。

图12的(A)、图12的(B)表示不同的形态的第2陶瓷封装的概略并且是彼此不同的位置处的侧视图。

图13是表示不同的形态的第1陶瓷封装的概略的侧视图。

图14是表示又一不同的形态的第2陶瓷封装的概略的侧视图。

图15是表示本发明的第3陶瓷封装所使用的一形态的封装主体的立体图。

图16的(A)是表示本发明的第3陶瓷封装的一例的侧视图，图16的(B)是第3陶瓷封装的垂直剖视图。

图17的(a)～图17的(e)是表示所述第3陶瓷封装的制造工序的概略图。

图18的(A)是表示所述第3陶瓷封装的应用形态的侧视图，图18的(B)是表示该应用形态的垂直剖视图。

图19是表示不同的形态的第3陶瓷封装的侧视图。

图20是所述第3陶瓷封装的垂直剖视图。

图21是表示所述第3陶瓷封装的应用形态的垂直剖视图。

图22是表示使用所述陶瓷封装的第2电子器件装置的垂直剖视图。

附图标记说明

1a、1c～1f、1A、1C、1E、1F、陶瓷封装；2a、2c～2f、2A、2C、封装主体；3、表面；3a、4a、凹部；3b、4b、平面状部；4、背面(表面)；5a、5b、侧面；6、6c、腔室；9、9a、9b、9e～9h、钎焊材料层；10、金属层；10a、10c、凹部；10b、10d、平面状部；11、11a、金属框；15、金属盖；20a、20f、电子器件装置；m1、m2、单位金属层。

具体实施方式

以下，说明用于实施本发明的方式。

图1是表示第1陶瓷封装(以下，简称为封装)1a的一形态的立体图，图2的(A)是沿着图1中的X-X线向视的垂直剖视图，图3的(A)是沿着图1中的Y-Y线向视的垂直剖视图。

如图1、图2的(A)、图3的(A)所示，所述第1封装1a包括：封装主体2a，其整体呈长方体状(箱形状)；腔室6，其在该封装主体2a的表面3开口；金属层10，其沿着包围该腔室6的开口部且俯视时呈矩形框状的所述表面3的整周形成；以及金属框11，其借助钎焊材料层9钎焊(接合)于该金属层10的上表面，并且俯视时呈矩形框状。

所述封装主体2a例如由氧化铝等高温烧结陶瓷形成，包括俯视时外形呈长方形的表面3和背面(表面3)4以及位于表面3的四边与背面4的四边之间的长边侧面5a和短边侧面5b。

所述封装主体2a的表面3包括一对彼此相对的长边边部以及一对彼此相对且与该长边边部垂直的短边边部，在各边部的长度方向上的中央侧均具有向上方开口的深度较浅的凹部3a，在各边部的长度方向上的隔着凹部3a的两端侧具有一对水平状的平面状部3b，该平面状部3b比该凹部3a的水平状的底面高。所述凹部3a的底面被设定为比位于同一边部的一对平面状部3b低至少5μm以上。

例如由W或Mo形成且厚度大致恒定的金属层10沿着各边部的所述凹部3a和一对平面状部3b的形状形成于所述封装主体2a的、在各边部均具有所述中央侧的凹部3a和两端侧的一对平面状部3b的表面3的大致整个面。

并且，在所述封装主体2a的背面4且是在外部连接端子12所处的四角侧形成有包括该外部连接端子12的位置在内的凹部4c。

如图1、图2的(A)、图3的(A)所示，在所述金属层10的上表面借助钎焊材料层9接合有由科瓦铁镍钴合金形成的且俯视时呈矩形框状的金属框(金属环)11。所述钎焊材料层9例如由Ag钎料形成，在沿着所述金属层10的上表面排列的多个位置处依次滴下多个熔化的球形状的Ag钎料，在该Ag钎料润湿扩散到金属层10的整个上表面的状态下，在该Ag钎料之上载置金属框11并且进行钎焊(接合)。此时，在所述封装主体2a的表面3的各边部的中央侧的凹部3a的正上方附近，所述钎焊材料层9成为量比较多的厚壁部9a，在各所述边部的两端侧的平面状部3b的正上方附近，所述钎焊材料层9成为量比较少的薄壁部9b。

因此，如图2的(B)所示，在所述表面3的各边部的平面状部3b的正上方附近，所述钎焊材料层9为薄壁部9b，因此，在该薄壁部9b的外周侧且是在金属层10和金属框11之间形成的圆角部(Fillet)9x较低且平缓地进行弯曲。另一方面，如图3的(B)所示，在所述表面3的各边部的凹部3a的正上方附近，所述钎焊材料层9为厚壁部9a，因此，在该厚壁部9a的外周侧且是在金属层10和金属框11之间形成的圆角9y较高且陡峭地进行弯曲。

另外，对于配置于所述封装主体2a的表面3的各边部的中央侧的所述凹部3a，在该表面3的尺寸比较小的情况下，也可以仅形成于与一对短边侧面5b的上边邻接的一对短边边部(表面3)。其中，在所述封装主体2a的表面3(背面4)的俯视时外形呈大致正方形的情况下，推荐在所述表面3的各边部的中央侧均配置所述凹部3a。

而且，所述腔室6具有：底面8，在俯视时该底面8呈长方形；侧面7，其自该底面8的四边朝向表面3竖立设置；以及一对台阶部13，其形成在一侧(图2中的左侧)的短边侧面7侧，在该台阶部13的上方形成有用于安装例如晶体振子那样的电子器件14的安装用端子(未图示)。

以下，对所述第1封装1a以及使用所述第1封装1a的第1电子器件装置20a的制造方法进行说明。

事先，将氧化铝粉末、溶剂和规定的粘结剂树脂等分别按照各自所需量混合在一起来制作陶瓷浆料，利用刮刀法将该陶瓷浆料成形为片状，得到4片陶瓷生坯片(以下，简称为生坯片)g1～g4。对这些陶瓷生坯片中的随后要成为上层侧的生坯片g1～g3实施规定的冲孔加工，形成之后用于形成所述腔室6的贯通孔。并且，在随后要成为最上层侧的生坯片g1的俯视时呈矩形框状的表面3的大致整个面，进行含有W粉末或Mo粉末的导电性糊剂的丝网印刷，从而形成厚度大致恒定且未烧结的金属层10。之后，在随后要成为最下层侧的平板的生坯片g4的多处设置小径的贯通孔，向各贯通孔吸引、填充与上述同样的导电性糊剂，形成多个未烧结的通路导体(未图示)。并且，在所述贯通孔内，在具有随后要成为所述一对台阶部13的一对凸部的生坯片g3的各凸部的上表面，也进行与上述同样的导电性糊剂的丝网印刷，从而形成未烧结的安装用端子(未图示)。而且，在该生坯片g4的随后要成为背面4的表面的四角进行与上述同样的导电性糊剂的丝网印刷，从而在该四角形成未烧结的外部连接端子12。

接着，如图4所示，将所述生坯片g1～g4层叠起来，从而形成生坯片层叠体2g，该生坯片层叠体2g的内部设置有在表面3开口的腔室6以及该腔室6的底部的一对台阶部13。接着，将该生坯片层叠体2g约束于平坦的平板上，将下端面(顶端面)平坦的压模自上方按压该生坯片层叠体2g从而进行压接。

结果，如图5所示，在压接后的生坯片层叠体2g的背面4的四角的位于各外部连接端子12附近的位置处形成凹部4c，在该生坯片层叠体2g的表面3的各边部形成位于各边部的中央侧的凹部3a以及位于隔着凹部3a的两端侧的一对平面状部3b。同时，位于该表面3上的金属层10也沿着各边的所述凹部3a和隔着该凹部3a的一对平面状部3b变形。该作用被推测为是因为，与生坯片g1～g4相比，所述外部连接端子12比较硬。

另外，在形成包括所述表面3、即具有各边部的所述凹部3a和一对平面状部3b的表面的生坯片层叠体2g的情况下，也可以使用在下端面的俯视时呈与所述表面3的外形相当的长方形的各边的中央部突出设置有凸部的压模，来进行所述压接工序。

另外，从防止烧结后的封装主体2破裂这一方面而言，优选的是，各边部的所述凹部3a与一对平面状部3b之间以两者的交界没有角的方式借助平缓的曲面相连。而且，优选的是，所述凹部3a的底面也为平缓的曲面。

在该状态下，对在所述金属层10的表面、外部连接端子12的表面依次覆盖有Ni镀膜和Au镀膜的所述生坯片层叠体2g进行烧结，得到封装主体2a(封装主体的准备工序和金属层的形成工序)。

接着，如图6所示，向所述封装主体2a的金属层10的整个上表面供给熔化的Ag钎料，使该熔化的Ag钎料润湿扩散到金属层10的整个上表面，从而配置熔融状态的钎焊材料层9。此时，钎焊材料层9由于所述表面3的凹部3a和一对平坦状部3b的存在而形成有厚壁部9a和一对薄壁部9b。

在该状态下，将由科瓦铁镍钴合金形成的金属框11以水平姿势载置在该钎焊材料层9之上，并且通过该钎焊材料层9的凝固而借助钎焊材料层9将所述金属框11钎焊(接合)于金属层10的上表面(金属框的接合工序)。

结果，如图7所示，能够得到包括金属层10、钎焊材料层9、金属框11以及内设有与上述同样的腔室6的封装主体2a的所述第1封装1a。

进而，进行利用所述封装1a得到电子器件装置的制造工序。

如图7所示，在所述封装1a的腔室6的位于底面8的短边侧面7侧的前后一对台阶部13的上表面形成的、未图示的安装用端子之上，例如与上述同样地钎焊晶体振子(电子器件)14的一端部，从而在各台阶部13的上方呈水平状安装所述晶体振子14。在该状态下，为了密封所述腔室6的开口部，如图7中的箭头所示，在金属框11的上表面载置俯视时呈长方形且由科瓦铁镍钴合金形成的金属盖15。

接着，进行使金属框11的上表面与金属盖15的下表面的周边之间的接触部的界面局部熔融而将两者接合起来的缝焊(金属盖的接合工序)。

首先，如图8的(A)、图8的(B)所示，沿着金属盖15的一对彼此相对的短边，使一对电极辊16一边分开单独通电或相互通电一边沿着所述金属盖15的一对短边的全长滚动，该金属盖15的一对彼此相对的短边位于所述封装主体2a的表面3的与短边侧面5b的上侧邻接的短边边部的上方，该一对电极辊16分别固定于沿着轴线方向相对的一对旋转轴17的一端。

此时，针对自一对电极辊16通电的电流而言的电阻值最高的发热部位是，金属盖15的位于图8的(A)中的前后方向上的长边侧面5a上方的一对彼此相对的长边的中央附近。同时，自一对电极辊16分别传递出的焊接热量彼此相会而成为最高温的位置也是金属盖15的一对彼此相对的长边的中央附近。

然而，如上所述，所述钎焊材料层9的厚壁部9a位于金属盖15的长边的中央附近的正下方。结果，即使伴随所述电阻而产生的比较大的热量、伴随热传递而产生的比较大的焊接热量集中，所述钎焊材料层9的厚壁部9a也能够扩散或吸收这些热量。因此，完全不会发生该钎焊材料层9的一部分再熔融而损坏所述腔室6的密封性的情况。而且，即使随着所述缝焊后的凝固冷却而使所述金属盖15在俯视时朝向其中央侧呈向心状收缩时所产生的收缩应力发挥作用，也能够利用所述钎焊材料层9的厚壁部9a吸收、扩散该应力。

接着，如图9的(A)、图9的(B)所示，沿着金属盖15的一对彼此相对的长边，使该一对电极辊16一边与上述同样地通电一边沿着该金属盖15的一对长边的全长滚动，该金属盖15的一对彼此相对的长边位于所述封装主体2a的表面3的与长边侧面5a的上侧邻接的长边边部的上方。

此时，针对自一对电极辊16通电的电流而言的电阻值最高的部位是，金属盖15的位于图9的(A)中的前后方向上的短边侧面5b上方的一对彼此相对的短边的中央附近，并且，自一对电极辊16分别传递出的焊接热量彼此相会而成为最高温的位置也是金属盖15的一对彼此相对的短边的中央附近。在该情况下，也如上所述，所述钎焊材料层9的厚壁部9a位于金属盖15的短边的中央附近的正下方，因此，即使伴随所述电阻而产生的比较大的发热量、伴随热传递而产生的比较大的焊接热量集中，所述钎焊材料层9的厚壁部9a也能够扩散或吸收这些热量。而且，即使产生在所述缝焊后产生的所述收缩应力，也能够利用所述钎焊材料层9的厚壁部9a吸收、扩散该应力。因而，与上述同样地完全不会发生损坏所述密封的情况。

另外，在所述封装主体2的表面3和金属盖15俯视时呈长方形的情况下，与一对长边的中央侧相比，在一对短边的中央侧的情况下，自一对电极辊16到该中央侧为止的距离较短，因此针对自该一对电极辊16通电的电流而言的电阻值最高。因此，优选在所述金属盖15的至少一对短边各自的中央侧的正下方附近配置钎焊材料层9的厚壁部9a。

通过以上的各工序，如图8、图9所示，能够得到在腔室6内安装有晶体振子14且沿着形成该腔室6的开口部的金属框11的整周焊接有金属盖15的第1电子器件装置20a。

在上述那样的封装主体2a的表面3的各边部的中央侧设置凹部3a，使各凹部3a的上方的钎焊材料层9为厚壁部9a，采用这样的第1封装1a取得上述的效果(1)～(4)是容易理解的。

并且，采用上述那样的第1封装1a的制造方法，能够可靠地制造该封装1a。

而且，采用上述那样的第1电子器件装置20a的制造方法，能够可靠地制造该第1电子器件装置20a。

另外，对于所述第1封装1a和第1电子器件装置20a的制造方法，利用多件同时加工的方式进行所述各工序，还能够高效地制造多个封装1a、多个电子器件装置20a。

图10是表示一形态的第2封装1c的立体图，图11的(A)、图11的(B)表示从彼此正交的方位观察该封装1c所得到的侧视图。

如图10、图11的(A)、图11的(B)所示，所述第2封装1c包括：封装主体2c，其整体呈长方体状和箱形状；与上述同样的腔室6，其在该封装主体2c的表面3开口；金属层10，其沿着所述封装主体2c的表面3的整周形成；以及金属框11，其借助钎焊材料层9钎焊于该金属层10的上方。

所述封装主体2c也由与上述同样的氧化铝形成，包括俯视时呈矩形框状且平坦的表面3、仰视时呈长方形状且平坦的背面(表面)4、一对彼此相对的长侧面5a以及位于该一对彼此相对的长侧面5a之间的一对短侧面5b。

并且，所述金属层10至少在相对的一对短边(边部)具有位于该短边的中央侧的凹部10a以及隔着该凹部10a的一对平面状部10b。该金属层10是沿着封装主体2c的表面3的各边部的全长形成的单位金属层m1和仅形成在所述边部的两端侧的单位金属层m2层叠为一体而成的。

因此，仅由单位金属层m1构成的凹部10a位于所述表面3的各边部的中央侧，由单位金属层m1、m2构成的水平的平面状部10b对称地位于各边部的两端侧。

所述单位金属层m1、m2以如下方式形成：首先，将与上述同样的导电性糊剂丝网印刷于随后要成为生坯片层叠体2g最上层的、俯视时呈矩形框状的生坯片的表面3的大致整个面，然后，将与上述同样的导电性糊剂仅丝网印刷于所述表面3的四角侧。

根据包括各边部均具有上述那样的凹部10a和隔着该凹部10a的一对平面状部10b的金属层10在内的上述那样的封装1c，如图10、图11的(A)、图11的(B)所示，在所述金属层10的各边部的中央侧的凹部10a的上方形成有钎焊材料层9的厚壁部9e，在所述金属层10的各边部的两端侧的平面状部10b的上方形成有钎焊材料层9的薄壁部9f。

因而，对于上述那样的第2封装1c，在具有各边部的中央侧的凹部10a和两端侧的平面状部10b的金属层10的上方借助所述钎焊材料层9钎焊金属框11，通过缝焊将所述金属盖15接合于该金属框11的上表面，此时，也产生与上述同样的作用，并且能够取得上述的效果(1)～(4)。另外，所述封装1c和使用该封装1c的第2电子器件装置能够通过与上述制造方法同样的方法得到。

因此，采用利用该封装1c得到的第2电子器件装置(20c)，还能够取得上述的效果(5)。

另外，对于用于形成所述凹部10a的单位金属层mx的层数以及用于形成所述平面状部10b的单位金属层my的层数而言，只要后者的层数大于前者的层数，则这两个层数就能够适当变更。

图12的(A)、12的(B)表示从彼此正交的方位观察不同的形态的第2封装1d所得到的侧视图。

如图12的(A)、12的(B)所示，所述第2封装1d也包括：与上述同样的封装主体2c；与上述同样的腔室6，其在该封装主体2c的表面3开口；金属层10，其沿着所述封装主体2c的表面3的整周形成，俯视时呈矩形框状；以及金属框11，其借助钎焊材料层9钎焊于该金属层10的上方。

所述金属层10呈如下的连续的曲线，即：各边部的在侧视时看到的中央侧是成为最低部的凹部10c，隔着该凹部10c左右对称且平缓地弯曲的一对平面状部10d的两端侧成为最高部。

因此，根据包括各边部均具有上述那样的凹部10c和隔着该凹部10c的一对平面状部10d的金属层10在内的所述第2封装1d，如图12的(A)、图12的(B)所示，在所述金属层10的各边部的中央侧的凹部10c的上方形成有钎焊材料层9的厚壁部9g，在所述金属层10的各边部的两端侧的平面状部10d的上方形成有钎焊材料层9的薄壁部9h。

因而，对于上述那样的第2封装1d，在具有各边部的中央侧的凹部10c和两端侧的平面状部10d的金属层10的上方借助所述钎焊材料层9钎焊金属框11，通过缝焊将所述金属盖15接合于该金属框11的上表面，此时，也产生与上述同样的作用，并且能够取得上述的效果(1)～(4)。另外，所述封装1d和使用该封装1d的电子器件装置能够通过与上述制造方法同样的方法得到。

因此，采用利用该封装1d得到的第2电子器件装置(20d)，能够进一步取得上述的效果(5)。

图13是表示作为所述封装1a的应用形态的第1封装1A的侧视图。

如图13所示，所述封装1A包括：封装主体2A，其内部设置有上下一对分别在表面3和背面(表面)4开口的腔室6；上下一对金属层10，其分别沿着该封装主体2A的表面3的整周和背面4的整周形成；上下一对金属框11，其借助钎焊材料层9钎焊于该金属层10的上方或下方；以及分隔壁18，其为水平状，隔在上下一对腔室6的底面8之间。

如图13所示，所述封装主体2A具有形成于俯视时为矩形框状的所述表面3和背面4这两者的各边部的中央侧的凹部3a、4a以及位于各边部的隔着该凹部3a、4a的两端侧的一对平面状部3b、4b。

因此，在所述封装主体2A的表面3的上方和背面4的下方，在表面3的各边部的凹部3a的上方以及背面4的各边部的凹部4a的下方具有钎焊材料层9的厚壁部9a，并且在表面3的各边部的一对平面状部3b的上方以及背面4的各边部的一对平面状部4b的下方具有钎焊材料层9的薄壁部9b，借助这些厚壁部9a和薄壁部9b对称地钎焊上下一对所述金属框11。

而且，在上下一对所述腔室6分别设有与上述同样的一对台阶部13，能够在各台阶部13的上方或下方安装与上述同样的晶体振子14。其中，在各腔室6内，并不限定于安装相同种类的晶体振子14，也可以安装彼此不同种类的电子器件。

采用以上那样的第1封装1A，能够取得与所述第1封装1a同样的效果(1)～(4)，并且能够分开单独地密封并安装两个电子器件，因此还能够发挥多种功能。

所述封装1A和使用该封装1A的第1电子器件装置能够通过将所述制造方法稍微变更而成的制造方法得到。

因此，采用利用所述封装1A得到的电子器件装置(20A)，还能够取得与上述的效果(5)同样的效果。

另外，还能够构成上下对称地同时具有所述封装1A的形态的封装(1B)，并且能够通过变更所述制造方法而得到该封装。

图14是表示作为所述第2封装1c的应用形态的第2封装1C的侧视图。

如图14所示，所述第2封装1C包括：封装主体2C，其内部设置有上下一对分别在表面3和背面(表面)4开口的腔室6；上下一对金属层10，其分别沿着该封装主体2A的表面3的整周和背面4的整周形成；上下一对金属框11，其借助钎焊材料层9钎焊于该金属层10的上方或下方；以及分隔壁18，其为水平状，隔在上下一对腔室6的底面8之间。

如图14所示，上下一对所述金属层10是沿着封装主体2C的表面3和背面4这两者的各边部的全长形成的单位金属层m1和仅形成于各边部的两端侧的单位金属层m2层叠为一体而成的。

因此，仅由单位金属层m1构成的具有侧视时呈水平状的底面的凹部10a位于在所述表面3和背面4形成的各金属层10的各边部的中央侧，由单位金属层m1、m2构成的侧视时呈水平的平面状部10b对称地位于各边部的两端侧。

根据包括各边部均具有所述凹部10a和隔着该凹部10a的一对平面状部10b的上下一对金属层10在内的所述封装1C，如图14所示，在所述金属层10的各边部的中央侧的凹部10a的上方和下方分别形成有钎焊材料层9的厚壁部9e，并且在该金属层10的各边部的两端侧的平面状部10b的上方和下方分别形成有钎焊材料层9的薄壁部9f。

结果，在封装主体2C的表面3的上方和背面4的下方且是在各金属层10的各边部的凹部10a的上方和下方具有钎焊材料层9的厚壁部9e，并且在各金属层10的各边部的一对平面状部10b各自的上方和下方具有钎焊材料层9的薄壁部9f，借助这些厚壁部9e和薄壁部9f分别钎焊上下一对所述金属框11。

采用以上那样的第2封装1C，能够取得与所述第2封装1c同样的效果(1)～(4)，并且能够分开单独地密封并安装两个电子器件，因此还能够发挥多种功能。

所述封装1C和使用该封装1C的第2电子器件装置能够通过将所述制造方法稍微变更而成的制造方法得到。

因此，采用利用所述封装1C得到的第2电子器件装置(20c)，还能够取得上述的效果(5)。

另外，还能够构成上下对称地同时具有所述封装1d的形态的封装(1D)，并且能够通过变更所述制造方法而得到该封装。

图15是表示接下来要说明的第3封装1e所使用的封装主体2e的立体图。该封装主体2e由与上述同样的氧化铝形成，具有在俯视时呈长方形状的表面3和背面(表面)4以及位于该表面3的四边和背面(表面)4的四边之间的长边侧面5a和短边侧面5b各一对，该封装主体2e整体呈平板形状。

在所述表面3的各边部的中央侧形成有在侧视时呈倒置梯形状的凹部3a，一对平面状部3b分别位于各边部的隔着该凹部3a的两端侧。并且，在仰视时呈矩形的凹部4c位于所述背面4的四角附近，在该凹部4c形成有与上述同样的外部连接端子12。

所述凹部3a与上述同样地在对最下表面具有外部连接端子12的生坯片层叠体进行压接时形成，除此以外，能够像后述那样通过对随后要成为所述封装主体2e的生坯片的规定位置进行冲压加工或者激光加工等而形成。

图16的(A)是使用所述封装主体2e的第3封装1e的侧视图，图16的(B)是图16的(A)中的前后方向的中央附近的垂直剖视图。

如图16的(A)、图16的(B)所示，该第3封装1e包括：所述封装主体2e；金属层10，其沿着所述封装主体2e的表面3的四边形成，在俯视时呈矩形框状；以及金属框11a，其厚度稍大，借助钎焊材料层9a、9b接合于该金属层10的上方。所述金属层10在封装主体2e的各凹部3a的上方沿着该凹部3a凹陷。因此，比较厚且多量的钎焊材料层9a位于该凹部3a的上方，比较薄且少量的钎焊材料层9b位于隔着该凹部3a的两端侧的平面状部3b的上方。

另外，如图16的(B)所示，在所述金属框11a的内侧形成有腔室6c，该腔室6c被该金属框11a包围，且以封装主体2e的表面3为底面。在该腔室6c的底面形成由W等构成的前后一对的安装用端子19，之后在该安装用端子19的上方安装晶体振子(电子器件)14。

采用以上那样的第3封装1e，也能够取得与上述效果(1)～(4)同样的效果。

另外，也能够代替所述封装主体2e的凹部3a，而采用上述的由图10所示的沿着表面3的各边部的大致全长弯曲、凹陷的形态。

按照图17，说明所述第3封装1e的制造方法。

事先，如图17的(a)所示，准备与上述同样地制作成的俯视时呈长方形(矩形)且具有表面3、背面4和侧面5a、5b的生坯片g，如图17的(b)所示，对该生坯片g的表面3的各边部的中央侧和背面4的四角附近进行冲压加工，从而形成在侧视时呈倒置梯形状的凹部3a、隔着该凹部3a的一对平面状部3b以及位于背面4的四角附近的梯形状的凹部4c。

接着，如图17的(c)所示，沿着生坯片g的表面3的各边部(四边)，通过丝网印刷形成厚度大致恒定且俯视时呈矩形框形状的未烧结的金属层10。此时，金属层10的位于所述凹部3a上方的部分沿着该凹部3a凹陷。同时，在所述表面3的中央侧同样地形成有一对未烧结的安装用端子19。并且，在各所述凹部4c形成有未烧结的外部连接端子12。

接着，对所述金属层10和生坯片g进行烧结而得到封装主体2e之后，在被同时烧结的金属层10、安装用端子19和外部连接端子12这三者的表面依次实施电解镀Ni和电解镀Au，而依次覆盖Ni镀膜和金镀膜。

进而，如图17的(d)所示，向包括凹部3a、平面状部3b的金属层10的上表面供给熔化的与上述同样的钎焊材料，使该钎焊材料润湿扩散到金属层10的上表面。结果，在凹部3a的上方配置有比较厚且多量的钎焊材料层9a，在两端侧的平面状部3b的上方配置有比较薄且少量的钎焊材料层9b。

之后，如图17的(e)所示，在所述钎焊材料层9a、9b之上载置并接合保持水平姿势的金属框11a。由此，得到所述第3封装1e。

另外，与上述同样地将所述金属盖15缝焊于所述第3封装1e的金属框11a的上表面，从而能够取得与上述的效果(1)～(4)同样的效果，并且根据利用第3封装1e得到的第3电子器件装置(20e)，还能够取得与上述的效果(5)同样的效果。

图18的(A)是表示作为所述封装1e的应用形态的封装1E的侧视图，图18的(B)是图18的(A)中的前后方向的中央附近的垂直剖视图。

如图18的(A)、18的(B)所示，该第3封装1E包括：所述封装主体2e；上下一对金属层10，其分别沿着所述封装主体2e的表面3的四边和背面4的四边而形成，俯视时呈矩形框状；以及上下一对金属框11a，其分别借助钎焊材料层9a、9b接合于该金属层10的上方或下方。所述上下一对金属层10在封装主体2e的各凹部3a的正上方或正下方沿着该凹部3a凹陷。

采用以上那样的第3封装1E，能够取得与所述第3封装1e同样的效果(1)～(4)，并且能够分开单独地密封并安装两个电子器件，因此还能够发挥多种功能。

所述封装1E和使用该封装1E的第3电子器件装置能够通过将所述制造方法稍微变更而成的制造方法得到。

因此，采用利用所述封装1E得到的电子器件装置(20E)，还能够取得与上述的效果(5)同样的效果。

图19是表示不同的形态的第3封装1f的侧视图，图20是图19中的前后方向的中央附近的垂直剖视图。

如图19、20所示，该第3封装1f包括：封装主体2f，其具有平坦的表面3、背面4以及与上述同样的四边的侧面5a、5b；金属层10，其形成于该封装主体2f的表面3；金属框11a，其借助钎焊材料层9e、9f接合于该金属层10的上方；以及腔室6c，其位于该金属框11a的内侧且以所述表面3为底面。在该腔室6c的底面形成有与上述同样的前后一对安装用端子19。

所述金属层10也是沿着封装主体2f的表面3的各边部(四边)的全长形成的单位金属层m1和仅形成在所述边部的两端侧的单位金属层m2层叠为一体而成的。

因此，仅由单位金属层m1构成的凹部10a位于所述封装主体2f的表面3的各边部的中央侧，由单位金属层m1、m2构成的水平的平面状部10b对称地位于各边部的两端侧。该单位金属层m1、m2也以与上述同样的方式形成。

因而，对于上述那样的第3封装1f，在具有各边部的中央侧的凹部10a和两端侧的平面状部10b的金属层10的上方借助所述钎焊材料层9e、9f钎焊金属框11a，将金属盖15缝焊于该金属框11a的上表面，此时，也产生与上述同样的作用，并且能够取得上述的效果(1)～(4)。

另外，所述金属层10也可以如所述图12所示那样采用在封装主体2f的表面3的各边部的中央侧平缓地弯曲、凹陷的形态。

图21是使用所述封装1f的第3电子器件装置20f的侧视图。该电子器件装置20f能够通过利用与上述同样的缝焊将金属盖15接合于所述封装1f的金属框11a的上表面而得到。在该缝焊时，能够获得所述封装1f的上述的效果(1)～(4)。

另外，所述第3封装1f和使用该第3封装1f的第3电子器件装置20f能够通过与上述制造方法同样的方法得到。

因此，采用利用该封装1f得到的第3电子器件装置20f，还能够取得上述的效果(5)。

图22是表示作为所述封装1f的应用形态的第3封装1F的垂直剖视图。

如图示那样，该封装1F包括：所述封装主体2f；上下一对金属层10，其沿着所述封装主体2f的表面3的四边和背面4的四边形成，俯视时呈矩形框状；以及上下一对金属框11a，其借助钎焊材料层9e、9f接合于该金属层10的上方或下方。所述上下一对金属层10在该金属层10的各凹部10a的上方或下方沿着该凹部3a凹陷。

采用以上那样的第3封装1F，能够取得与所述第3封装1f同样的效果(1)～(4)，并且能够分开单独地密封并安装两个电子器件，因此还能够发挥多种功能。

所述封装1F和使用该封装1F的所述第3电子器件装置20f能够通过将所述制造方法稍微变更而成的制造方法得到。

因此，采用利用所述封装1F得到的电子器件装置(20F)，还能够取得与上述的效果(5)同样的效果。

本发明并不限定于以上说明的各形态。

例如，构成所述各形态的封装主体的陶瓷并不限定于所述氧化铝，也可以采用多铝红柱石、氮化铝等高温烧结陶瓷或者作为低温烧结陶瓷的一种的玻璃-陶瓷。其中，在为所述低温烧结陶瓷的情况下，所述金属层等导体部分使用Ag或Cu。

另外，在所述封装1a的封装主体2a的表面3的各边部的中央侧设置的凹部3a也可以采用在侧视时呈两级以上的阶梯形状的形态。该阶梯形状包括左右对称的形态和左右非对称的形态。

此外，在所述封装1c的金属层10的各边部的中央侧设置的凹部10a也可以采用在侧视时呈两级以上的阶梯形状的形态。该阶梯形状也包括左右对称的形态和左右非对称的形态。

另外，所述封装1a的封装主体2a的表面3的凹部和一对平面状部包括以下形态。例如，在俯视时呈矩形框状的表面3的各边部的侧视时中央侧是成为最低部的凹部，隔着该凹部左右对称且平缓地弯曲的一对平面状部的两端部成为最高部，整体形成连续的曲线。在该形态下，封装主体2a的背面4的各边部也呈在侧视时中央侧为最低部且两端部为最高部的连续的曲线。

此外，在所述封装的封装主体的表面的各边部的中央侧设置的凹部还可以采用如下形态，即，与形成隔着该凹部的两端侧的一对平面状部中的各平面状部的曲面的半径相比，半径较小，并且该凹部的最深部位于比所述曲面的最低部低的位置。

而且，在所述封装的金属层的各边部的中央侧设置的凹部还可以采用如下的形态，即，与形成隔着该凹部的两端侧的一对平面状部中的各平面状部的曲面的半径相比，半径较小，并且该凹部的最深部位于比所述曲面的最低部低的位置。

另外，对于所述封装1c的金属层10，也可以通过如下方式形成所述金属层10，即，在经过多次丝网印刷而将与上述同样的导电性糊剂丝网印刷于随后要成为生坯片层叠体2g最上层的、俯视时呈矩形框状的生坯片的表面3的大致整面之后，仅对要成为所述凹部10a的位置照射激光。

此外，也可以采用如下形态：与所述封装1c的金属层10的所述凹部10a和平面状部10b相应地，在封装主体2c的表面3的同样的位置也配置所述凹部3a和平面状部3b。

另外，安装在所述腔室内的电子器件也可以采用SAW滤波器、半导体元件或者压电元件等。

而且，所述各形态的封装也可以采用多件同时加工封装，该多件同时加工封装具有在俯视该封装时横竖都相邻地并列设置的区域以及包围该区域周围的边缘部。

产业上的可利用性

采用本发明，能够可靠地提供一种如下这样的具有优良的气密可靠性的陶瓷封装、使用该封装的电子器件装置以及该电子器件装置的制造方法，即：在密封在箱形状或板形状的封装主体的一对表面中的至少一者开口的腔室的开口部时，即使在包围该开口部且俯视时呈矩形框状的表面形成的金属层的上表面缝焊矩形的金属盖板，所述金属盖板、钎焊材料也不会因来自上述那样的一对辊电极的传递热量、电阻热量而局部熔化。

Claims (11)

1.一种陶瓷封装，该陶瓷封装包括：

封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；

腔室，其在所述封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；

金属层，其沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成，并且俯视时呈矩形框状；以及

金属框，其借助钎焊材料层接合于所述金属层的上表面，

该陶瓷封装的特征在于，

在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

2.根据权利要求1所述的陶瓷封装，其特征在于，

在所述封装主体的、所述腔室没有开口的表面的四角附近均形成有外部连接端子。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷封装，其特征在于，

在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面的所述边部，所述凹部的底面在侧视时为水平状，并且所述一对平面状部侧视时也为水平状。

4.一种陶瓷封装，该陶瓷封装包括：

封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；

腔室，其在所述封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；

金属层，其形成于所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面，并且俯视时呈矩形框状；以及

金属框，其借助钎焊材料层接合于所述金属层的上表面，

该陶瓷封装的特征在于，

在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

5.根据权利要求4所述的陶瓷封装，其特征在于，

与所述金属层在所述边部的凹部处的单位金属层的层数相比，所述金属层在该边部的所述平面状部处的单位金属层的层数较大。

6.根据权利要求4或5所述的陶瓷封装，其特征在于，

与所述金属层在所述边部的凹部处的底面的位置相比，所述金属层在该边部的所述平面状部处的上表面的位置较高。

7.一种陶瓷封装，该陶瓷封装包括：

封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面；

金属层，其沿着所述封装主体的至少一表面的四边形成，并且俯视时呈矩形框状；以及

金属框，其借助钎焊材料层接合于所述金属层的上表面，且在内侧形成腔室，

该陶瓷封装的特征在于，

所述封装主体的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，

或者，所述金属层的至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

8.一种电子器件装置，该电子器件装置包括：

封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面以及位于该一对表面的四边之间的侧面；

腔室，其在所述封装主体的至少一个表面侧开口，并且俯视时呈矩形；

金属层，其沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成，并且俯视时呈矩形框状；

金属框，其借助钎焊材料层接合于所述金属层的上表面；以及

金属盖，其接合于所述金属框的上表面，

该电子器件装置的特征在于，

在所述封装主体的包围腔室的开口部的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，

或者，在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

9.一种电子器件装置，该电子器件装置包括：

封装主体，其由陶瓷形成，具有俯视时外形呈矩形的一对表面；

金属层，其沿着所述封装主体的至少一个表面的四边形成，并且俯视时呈矩形框状；

金属框，其借助钎焊材料层接合于所述金属层的上表面，且在内侧形成腔室；以及

金属盖，其接合于所述金属框的上表面，

该电子器件装置的特征在于，

在所述封装主体的表面，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，

或者，在所述金属层上，至少一对彼此相对的边部具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

10.一种电子器件装置的制造方法，该电子器件装置的制造方法是权利要求8所述的电子器件装置的制造方法，其特征在于，

该制造方法包括如下工序：

准备含有所述腔室的所述封装主体的工序；

沿着所述封装主体的、包围所述腔室的开口部且俯视时呈矩形框状的所述至少一个表面形成金属层的工序；

借助钎焊材料层将金属框接合于所述金属层的上表面的工序；以及

将金属盖接合于所述金属框的上表面的工序，

在准备所述封装主体的工序中，将该封装主体的包围腔室的开口部的表面的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，

或者，在形成所述金属层的工序中，将该金属层的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。

11.一种电子器件装置的制造方法，该电子器件装置的制造方法是权利要求9所述的电子器件装置的制造方法，其特征在于，

该制造方法包括如下工序：

准备具有一对表面的所述封装主体的工序；

沿着所述封装主体的至少一个表面的四边形成俯视时呈矩形框状的金属层的工序；

借助钎焊材料层将金属框接合于所述金属层的上表面的工序；以及

将金属盖接合于所述金属框的上表面的工序，

在准备所述封装主体的工序中，将该封装主体的所述至少一个表面的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部，

或者，在形成所述金属层的工序中，将该金属层的至少一对彼此相对的边部形成为具有位于各自的中央侧的凹部以及隔着该凹部的一对平面状部。