CN105940055A - 有机改性硅酮树脂组合物 - Google Patents

有机改性硅酮树脂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN105940055A
CN105940055A CN201480074323.3A CN201480074323A CN105940055A CN 105940055 A CN105940055 A CN 105940055A CN 201480074323 A CN201480074323 A CN 201480074323A CN 105940055 A CN105940055 A CN 105940055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
silicone resin
organically
modified silicone
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480074323.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105940055B (zh
Inventor
田部井荣
田部井荣一
原田良文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN105940055A publication Critical patent/CN105940055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105940055B publication Critical patent/CN105940055B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C08G77/52—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0715—Polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本发明是一种有机改性硅酮树脂组合物，其包含：(A)(a)与(b)的加成反应产物，且在1分子中具有2个加成反应性碳‑碳双键，其中，(a)是由通式(1)表示的具有SiH基的化合物，(b)是具有加成反应性碳‑碳双键的多环式烃；(B)具有经烷氧基硅烷基取代的有机基与SiH基的硅氧烷及具有经环氧基取代的有机基与SiH基的硅氧烷中的任一种、或它们的组合；(C)在1分子中具有3个以上SiH基的化合物；(D)催化剂；及，(E)烟雾状无机氧化物；并且，相对于(A)、(B)、(C)成分的合计100质量份，(E)成分的调配量为1～10质量份，组合物在25℃时的粘度为10～100Pa.s。由此，提供一种有机改性硅酮树脂组合物，所述有机改性硅酮树脂组合物可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性优异的固化物。

Description

有机改性硅酮树脂组合物
技术领域
本发明涉及一种有机改性硅酮树脂组合物，所述有机改性硅酮树脂组合物有效用于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)元件等芯片接合(diebonding)。
背景技术
以往，LED元件的密封材料及芯片接合材料(即，使LED元件等芯片与封装体等基体粘合的粘合材料)使用的是环氧树脂。特别是在芯片接合材料中，如果树脂过软，在芯片接合步骤之后进行的引线接合(wire bonding)步骤中，将会产生无法接合的异常，因此，以往使用高硬度的粘合剂，即，环氧树脂作为该芯片接合材料。但是，当包含环氧树脂的密封材料和芯片接合材料用于蓝光LED、白光LED等时，由于可能会因强紫外线而黄变而吸收光，因此，耐久性存在问题，如导致LED的亮度降低等。
近年来，对LED的耐久性的期待进一步提高，LED元件的密封材料由环氧树脂变成了耐久性良好的硅酮树脂。对芯片接合材料也和密封材料一样地要求耐久性，而提出一种包含硅酮树脂材料的芯片接合材料组合物(专利文献1)。然而，使这些组合物加热固化而得的固化物，由于硬度无法满足充分的硬度，因此，接合可能会不稳定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4648099号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而完成，目的在于提供一种有机改性硅酮树脂组合物，所述有机改性硅酮树脂组合物可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性优异的固化物。
解决课题的手段
为了解决上述问题，在本发明中，提供一种有机改性硅酮树脂组合物，其包含：
(A)(a)与(b)的加成反应产物，且在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键，其中，(a)是由下述通式(1)表示的化合物，其在1分子中具有2个键结在硅原子上的氢原子，
式(1)中，R独立地为未经取代或经卤素原子、氰基、或缩水甘油氧基取代的碳原子数1～12的1价烃基、或碳原子数1～6的烷氧基，(b)是在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式烃；
(B)具有经烷氧基硅烷基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷及具有经环氧基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷中的任一种、或它们的组合；
(C)除了所述(B)成分以外的在1分子中具有3个以上键结在硅原子上的氢原子的化合物；
(D)氢化硅烷化反应催化剂；及，
(E)烟雾状无机氧化物；
并且，相对于所述(A)、(B)、(C)成分的合计100质量份，所述(E)成分的调配量为1～10质量份，组合物在25℃时的粘度为10～100Pa.s。
如果是这种有机改性硅酮树脂组合物，则可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性优异的固化物。
此外，此时优选为，所述(b)多环式烃是5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯中的任一种、或它们的组合。
如果是这种(b)成分，则可以获得一种硬度特别高、耐龟裂性、耐热变色性优异的固化物。
此外，此时优选为，所述(C)成分是具有环状硅氧烷结构的化合物，尤其优选为5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯中的任一种、或它们的组合、与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的加成反应产物。
如果是这种(C)成分，则可以获得一种硬度更高、耐龟裂性、耐热变色性优异的固化物。
此外，此时优选为，所述(E)成分为烟雾状二氧化硅。
如果是烟雾状二氧化硅，则可以容易地获得。
此外，此时优选为，使所述有机改性硅酮树脂组合物固化而得的固化物的肖氏D硬度为60以上。
如果是这种硬度，则更适合作为芯片接合材料。
发明的效果
如上所述，如果是本发明的有机改性硅酮树脂组合物，则可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性、耐龟裂性优异的固化物。这种本发明的有机改性硅酮树脂组合物，作为LED元件等芯片接合所使用的芯片接合材料尤其有效。
具体实施方式
如上所述，要求开发一种有机改性硅酮树脂组合物，所述有机改性硅酮树脂组合物可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性优异的固化物。
本发明人对上述问题进行了反复努力研究，结果发现，如果是调配了特定量的烟雾状无机氧化物的本发明的有机改性硅酮树脂组合物，则可以解决上述问题，从而完成本发明。
即，本发明是一种有机改性硅酮树脂组合物，其包含：
(A)(a)与(b)的加成反应产物，且在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键，其中，(a)是由下述通式(1)表示的化合物，其在1分子中具有2个键结在硅原子上的氢原子，
式(1)中，R独立地为未经取代或经卤素原子、氰基、或缩水甘油氧基取代的碳原子数1～12的1价烃基、或碳原子数1～6的烷氧基，
(b)是在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式烃；
(B)具有经烷氧基硅烷基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷及具有经环氧基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷中的任一种、或它们的组合；
(C)除了所述(B)成分以外的在1分子中具有3个以上键结在硅原子上的氢原子的化合物；
(D)氢化硅烷化反应催化剂；及，
(E)烟雾状无机氧化物；
并且，相对于所述(A)、(B)、(C)成分的合计100质量份，所述(E)成分的调配量为1～10质量份，组合物在25℃时的粘度为10～100Pa.s。
以下，详细地说明本发明，但本发明并不限定于以下说明。
另外，在本发明中，“加成反应性”是指可以通过众所周知的氢化硅烷化反应与键结在硅原子上的氢原子进行加成反应的性质。
此外，本说明书中，“Me”表示甲基，“Ph”表示苯基。
[(A)成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的(A)成分是(a)与(b)的加成反应产物，且在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键，其中，
(a)是由上述通式(1)表示的化合物，其在1分子中具有2个键结在硅原子上的氢原子(以下，也称为SiH基)，
(b)是在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式烃。
＜(a)成分＞
该(A)成分的反应原料，即，(a)成分，是由下述通式(1)表示的化合物，其在1分子中具有2个SiH基。
式(1)中，R独立地为未经取代或经卤素原子、氰基、或缩水甘油氧基取代的碳原子数1～12的1价烃基、或碳原子数1～6的烷氧基。
优选为，通式(1)中的R是烯基及烯基芳基以外的基团，特别优选为甲基。
作为(a)成分，特别优选通式(1)中的所有R为甲基的成分，作为这种(a)成分，可以列举亚苯基化合物，例如：
由结构式HMe2Si-p-C6H4-SiMe2H表示的1,4-双(二甲基硅烷基)苯、
由结构式HMe2Si-m-C6H4-SiMe2H表示的1,3-双(二甲基硅烷基)苯等。
另外，(a)成分可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
＜(b)成分＞
(A)成分的另一反应原料，即，(b)成分，是在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式烃。(b)成分中的加成反应性碳-碳双键通过氢化硅烷化反应与上述(a)成分中的SiH基进行加成反应，而成为(A)成分。
另外，(b)成分可以是以下中的任一种：(i)在形成有多环式烃的骨架的碳原子中，相邻的2个碳原子间形成加成反应性碳-碳双键的成分；(ii)形成有多环式烃的骨架的碳原子上所键结的氢原子被含有加成反应性碳-碳双键的基团取代而成的成分；或(iii)在形成有多环式烃的骨架的碳原子中，相邻的2个碳原子间形成加成反应性碳-碳双键，且形成有多环式烃的骨架的碳原子上所键结的氢原子被含有加成反应性碳-碳双键的基团取代而成的成分。
优选为，(b)成分是例如由下述结构式(x)表示的5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯、由下述结构式(y)表示的6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯中的任一种、或它们的组合(以下，当无须区别这3种时，有时统称为“乙烯基降冰片烯”)。
另外，乙烯基降冰片烯的乙烯基的取代位置可以是顺式配置(外(exo)形)或反式配置(内(endo)形)中的任一种，此外，由于配置的不同并不会导致该(b)成分的反应性等产生特别的差异，因此，也可以是上述两种配置的异构物的组合。
＜(A)成分的一个实例＞
下述通式(2)表示(A)成分的优选的具体例，但(A)成分并不限定于此具体例。
式(2)中，R与上述相同，n为0～50、优选为0～30、更优选为0～20的整数。
由于该化合物含有多环式烃基和亚苯基，因此，由该化合物获得的固化物尤其高硬度，且耐龟裂性、耐热变色性(透明性、耐热性)优异。
＜(A)成分的制备＞
(A)成分可以通过以下方式，以不具有SiH基的加成反应产物的形式获得：在氢化硅烷化反应催化剂的存在下，使在1分子中具有2个SiH基的(a)成分，与过量的在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的(b)成分进行加成反应，其中，相对于所述(a)成分1摩尔，所述(b)成分超过1摩尔且为10摩尔以下、优选为超过1摩尔且为5摩尔以下。
氢化硅烷化反应催化剂可以使用以往公知的催化剂。
可以列举，例如：负载铂金属的碳粉末、铂黑、氯化铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应产物、氯铂酸与烯烃类的络合物、双乙酰乙酸铂等铂系催化剂；钯系催化剂、铑系催化剂等铂族金属系催化剂。此外，对于加成反应条件、溶剂的使用等，并无特别限定，只要为通常情况即可。
如上所述，在制备(A)成分时，由于使用相对于(a)成分为过量摩尔量的(b)成分，因此(A)成分是在1分子中具有2个来自(b)成分的结构的加成反应性碳-碳双键的成分。
另外，(A)成分可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
[(B)成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的(B)成分，是具有经烷氧基硅烷基取代的有机基与SiH基的化合物及具有经环氧基取代的有机基与SiH基的化合物的任一种、或它们的组合，(B)成分中的SiH基通过氢化硅烷化反应与(A)成分中的加成反应性碳-碳双键加成，而形成立体网状结构的固化物，并且赋予与基板材料的粘合性。
(B)成分可以列举，例如：1-(2-三甲氧基硅烷基乙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-(3-缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-(2-三甲氧基硅烷基乙基)-3-(3-缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷等。另外，这些化合物可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
[(C)成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的(C)成分，是除了所述(B)成分以外的在1分子中具有3个以上SiH基的化合物。(C)成分中的SiH基通过氢化硅烷化反应与(A)成分中的加成反应性碳-碳双键加成，而形成立体网状结构的固化物。
(C)成分优选具有环状硅氧烷结构，这种(C)成分可以列举，例如：由下述通式(3)表示的环状硅氧烷系化合物。
式(3)中，R1独立地为氢原子或烯基以外的未经取代或经取代的碳原子数1～12、优选为1～6的一价烃基，q为3～10、优选为3～8的整数，r为0～7、优选为0～2的整数，且q+r的和为3～10、优选为3～6的整数。
当通式(3)中的R1为烯基以外的未经取代或经取代的一价烃基时，可以列举，例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基及仲己基等烷基；环戊基、环己基等环烷基；苯基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基等芳基；苄基、2-苯基乙基等芳烷基；对乙烯基苯基等烯基芳基；及这些基团中的键结在碳原子上的1个以上氢原子被卤素原子、氰基、含有环氧环的基团等取代而成的例如氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等卤化烷基；2-氰基乙基；3-缩水甘油氧基丙基等。
这些基团中，R1特别优选甲基及苯基，作为由通式(3)表示的环状硅氧烷系化合物，通式(3)的所有R1为甲基或苯基的化合物由于在工业上容易制造，并且容易获得，因此优选。
此外，(C)成分优选例如在1分子中具有3个以上SiH基的加成反应产物，所述加成反应产物是使在上述(b)成分中所例示的乙烯基降冰片烯与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷进行氢化硅烷化反应而得，如果是这种(C)成分，则可以获得一种硬度更高、耐龟裂性、耐热变色性优异的固化物。
这种(C)成分可以列举，例如：由下述通式表示的化合物。
式中，R1与上述相同，m为1～100、优选为1～10的整数。
以下示出(C)成分的优选的具体例，但(C)成分并不限定于这些具体例。
(HMeSiO)3
(HMeSiO)4
(HMeSiO)3(Me2SiO)
(HMeSiO)4(Me2SiO)
Me3SiO(MeHSiO)3(Ph2SiO)2SiMe3
Me3SiO(MeHSiO)4(Ph2SiO)2SiMe3
HMe2SiO(MeHSiO)(Ph2SiO)2SiMe2H
HMe2SiO(MeHSiO)2(Ph2SiO)2SiMe2H
另外，(C)成分可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
[(A)、(B)及(C)成分的调配量]
此外，上述(A)、(B)及(C)成分的调配量，相对于这些各成分中的加成反应性碳-碳双键的合计1摩尔，相同各成分中的SiH基的合计量通常可以是0.5～3.0摩尔、优选为0.8～1.5摩尔的量。通过设为这种调配量，可以获得一种在芯片接合材料的用途中具有足够硬度的固化物。
另外，作为后述任意调配成分，当调配上述(A)、(B)及(C)成分以外的具有SiH基的硅系化合物、具有加成反应性碳-碳双键的硅系化合物或它们的组合时，相对于组合物中所含的加成反应性碳-碳双键的合计1摩尔，组合物中所含的SiH基的合计量与上述相同，通常可以是0.5～3.0摩尔、优选为0.8～1.5摩尔的范围。
[(D)成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的(D)成分，即，氢化硅烷化反应催化剂，与上述“(A)成分的制备”中所述的催化剂相同。
(D)成分的调配量只要为作为催化剂的有效量即可，并无特别限制，相对于(A)、(B)及(C)成分的合计质量，以铂族金属原子计，通常优选调配为1～500ppm、特别为2～100ppm左右的量。通过设为这种调配量，固化反应所需要的时间适度，不会产生固化物着色等问题。
[(E)成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的(E)成分，即，烟雾状无机氧化物，并无特别限定，利用希朗诺尔-埃米特-泰勒(Brunauer-Emmett-Teller，BET)法测定的比表面积通常为50m2/g以上、优选为80m2/g以上、更优选为100m2/g以上，通常为300m2/g以下、优选为250m2/g以下。如果是这种比表面积，则可以充分获得烟雾状无机氧化物的添加效果，并且在树脂中的分散处理较为容易。
(E)成分特别优选二氧化硅微粒子，二氧化硅微粒子可以使用例如：通过使存在于亲水性二氧化硅微粒子表面的硅烷醇基与表面改质剂反应而将表面疏水化后的二氧化硅微粒子。表面改质剂可以列举烷基硅烷类化合物，作为具体例可以列举：二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氮烷、辛基硅烷及二甲基硅油等。
从获得的容易性来看，二氧化硅微粒子的优选例可以列举，例如：烟雾状二氧化硅(烧制二氧化硅)。烧制二氧化硅通过以下方式制作：利用使H2与O2的混合气体燃烧的1100℃～1400℃的火焰，使SiCl4气体氧化、水解。烧制二氧化硅的一次粒子是将平均粒径为5～50nm左右的非晶质二氧化硅(SiO2)作为主要成分的球状超微粒子，该一次粒子分别凝聚，形成粒径为数百纳米的二次粒子。由于烧制二氧化硅为超微粒子，并且通过急速冷却制作而成，因此，表面的结构为化学活性的状态。
具体可以列举，例如：日本艾罗西尔股份有限公司(NIPPON AEROSILCO.,LTD.)制造的“Aerosil”(注册商标)；作为亲水性Aerosil(注册商标)的一个实例，可以列举：“90”、“130”、“150”、“200”、“300”；作为疏水性Aerosil(注册商标)的一个实例，可以列举：“R8200”、“R972”、“R972V”、“R972CF”、“R974”、“R202”、“R805”、“R812”、“R812S”、“RY200”、“RY200S”“RX200”。此外，作为德山股份有限公司(Tokuyama Corporation)制造的“REOLOSIL”，可以列举：“DM-10”、“DM-20”、“DM-30”。
相对于(A)、(B)及(C)成分的合计100质量份，(E)成分的调配量为1～10质量份，优选为2～8质量份。
在(E)成分的调配量小于1质量份时，未发现(E)成分的添加效果，在作为芯片接合材料使用时，在转印时组合物扩散，粘合力降低。此外，如果(E)成分的调配量超过10质量份，由于组合物的粘度变高，因此，在作为芯片接合材料使用时作业性变差，例如在压印(stamp)时产生拉丝等。
通过调配适当量的该(E)成分，由于会成为一种具有触变性且粘度适当的组合物，因此在作为芯片接合材料使用时，转印性良好。
[其他调配成分]
本发明的有机改性硅酮树脂组合物中，除了上述(A)～(E)成分外，还可以根据需要调配其他成分。
＜(A)、(B)及(C)成分以外的硅系化合物＞
本发明的有机改性硅酮树脂组合物中，可以根据需要，调配除了(A)、(B)及(C)成分以外的具有SiH基的硅系化合物、具有加成反应性碳-碳双键的硅系化合物或它们的组合。
＜抗氧化剂＞
本发明的有机改性硅酮树脂组合物中，可以根据需要，调配抗氧化剂，通过调配抗氧化剂，可以有效地防止树脂劣化。
该抗氧化剂可以使用以往公知的抗氧化剂，可以列举，例如：2,6-二-叔丁基-4-甲基苯酚、2,5-二-叔戊基对苯二酚、2,5-二-叔丁基对苯二酚、4,4'-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2'-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2'-亚甲基双(4-乙基-6-叔丁基苯酚)等。这些抗氧化剂可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
另外，在使用该抗氧化剂时，其调配量只要是作为抗氧化剂的有效量即可，并无特别限制，相对于(A)、(B)及(C)成分的合计质量，通常优选调配为10～10000ppm、特别为100～1000ppm左右。通过设为这种调配量，可以获得一种固化物，所述固化物能够充分发挥出抗氧化能力，不会产生树脂劣化，且强度、粘合特性优异。
＜光稳定剂＞
而且，为了赋予对光劣化的抵抗性，也可以使用光稳定剂。该光稳定剂适合的是捕捉因光氧化劣化生成的自由基的受阻胺系稳定剂，此外，通过与上述抗氧化剂一起使用，抗氧化效果进一步提高。
作为光稳定剂的具体例，可以列举：癸二酸双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、4-苯甲酰基-2,2,6,6-四甲基哌啶等。
＜其他＞
此外，为了确保适用期，可以调配1-乙炔基环己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等加成反应控制剂。此外，还可以根据需要，调配染料、颜料、阻燃剂等。
本发明的有机改性硅酮树脂组合物的粘度在25℃时，必须为10～100Pa.s，优选为15～50Pa.s的范围。在粘度小于10Pa.s时，在作为芯片接合材料使用时，可能在转印时产生扩散；而如果粘度超过100Pa.s，在作为芯片接合材料使用时可能会导致作业性变差，例如在压印时产生拉丝等。此处，粘度是使用BH型粘度计(10rpm)测定时的粘度。
另外，关于本发明的有机改性硅酮树脂组合物的固化条件，根据其量而不同，并无特别限制，通常优选设为60℃～180℃、1～5小时的条件。
此外，使本发明的有机改性硅酮树脂组合物固化而得的固化物的硬度，以肖氏D硬度计优选为60以上，更优选为70～90。如果是这种硬度，则更适合作为芯片接合材料。
如上所述，如果是本发明的有机改性硅酮树脂组合物，则可以形成一种转印性、作业性优异、高硬度且耐热变色性、粘合性、耐龟裂性优异的固化物。这种本发明的有机改性硅酮树脂组合物，作为LED元件等芯片接合所使用的芯片接合材料尤其有效。
实施例
以下，使用实施例和比较例，具体地说明本发明，但本发明并不限定于以下说明。
[合成例1](A)成分的制备
在具备搅拌装置、冷却管、滴液漏斗及温度计的5L的四口烧瓶中，添加乙烯基降冰片烯(商品名：V0062、东京化成公司(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.)制造；5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯与6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯的大致等摩尔量的异构物混合物)1785g(14.88摩尔)及甲苯455g，使用油浴加热至85℃。在其中添加负载有5质量％的铂金属的碳粉末3.6g，一边搅拌一边历时180分钟滴加1,4-双(二甲基硅烷基)苯1698g(8.75摩尔)。滴加结束后，接着在110℃进行24小时加热搅拌后，冷却至室温。然后，将负载铂金属的碳过滤去除，将甲苯和过量的乙烯基降冰片烯减压蒸馏去除，获得无色透明的油状反应产物(25℃时的粘度：12820mPa.s)3362g。
根据傅里叶变换红外光谱法(Fourier Transform Infrared，FT-IR)、核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)、凝胶渗透色谱法(GelPermeationChromatography，GPC)等对反应产物进行分析，结果表明该反应产物是在下述式中n'＝0的化合物为约41摩尔％、n'＝1的化合物为约32摩尔％、n'＝2的化合物为约27摩尔％的混合物。此外，作为混合物整体的加成反应性碳-碳双键(C＝C)的含有比例为0.36摩尔/100g。
[合成例2](C)成分的制备
在具备搅拌装置、冷却管、滴液漏斗及温度计的500mL的四口烧瓶中，添加甲苯80g及1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷115.2g(0.48摩尔)，使用油浴加热至117℃。在其中添加负载有5质量％的铂金属的碳粉末0.05g，一边搅拌一边历时16分钟滴加乙烯基降冰片烯(商品名：V0062、东京化成公司制造；5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯与6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯的大致等摩尔量的异构物混合物)48g(0.4摩尔)。滴加结束后，接着在125℃进行16小时加热搅拌后，冷却至室温。然后，将负载铂金属的碳过滤去除，将甲苯减压蒸馏去除，获得无色透明油状反应产物(25℃时的粘度：2500mm2/s)152g。
根据FT-IR、NMR、GPC等对反应产物进行分析，结果表明该反应产物是以下化合物的混合物：
具有1个四甲基环四硅氧烷环的化合物：约6摩尔％(下述中示出代表性的结构式的一个实例)，
具有2个四甲基环四硅氧烷环的化合物：约25摩尔％(下述中示出代表性的结构式的一个实例)，
具有3个四甲基环四硅氧烷环的化合物：约16摩尔％(下述中示出代表性的结构式的一个实例)，
具有4个四甲基环四硅氧烷环：约11摩尔％(下述中示出代表性的结构式的一个实例)，及
具有5个～12个四甲基环四硅氧烷环的化合物：剩余量(下述中示出代表性的结构式的一个实例)，
式中，m'为4～11的整数。
另外，作为混合物整体的SiH基的含有比例为0.63摩尔/100g。
[实施例1]
使用行星式混合机，将作为(A)成分的合成例1中所得的反应产物56质量份及
作为(E)成分的REOLOSIL DM-302.5质量份均匀混合后，
将作为(C)成分的合成例2中所得的反应产物36质量份、
作为(B)成分的1-(2-三甲氧基硅烷基乙基)-3-(3-缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷8质量份、以及1-乙炔基环己醇0.03质量份均匀混合。另外，该混合物中的SiH/C＝C的摩尔比为1.28。
进一步，将作为(D)成分的铂-乙烯基硅氧烷络合物：以铂金属原子计相对于混合物的合计质量成为20ppm的量均匀混合，获得组合物。
[实施例2]
使用行星式混合机，将作为(A)成分的合成例1中所得的反应产物59质量份及
作为(E)成分的REOLOSIL DM-305.0质量份均匀混合后，
将作为(C)成分的HMe2SiO(MeHSiO)2(Ph2SiO)2SiMe2H33质量份、
作为(B)成分的1-(2-三甲氧基硅烷基乙基)-3-(3-缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷8质量份、以及1-乙炔基环己醇0.03质量份均匀混合。另外，该混合物中的SiH/C＝C的摩尔比为1.11。
进一步，将作为(D)成分的铂-乙烯基硅氧烷络合物：以铂金属原子计相对于混合物的合计质量成为20ppm的量均匀混合，获得组合物。
[实施例3]
使用行星式混合机，将作为(A)成分的合成例1中所得的反应产物76质量份及
作为(E)成分的REOLOSIL DM-307.0质量份均匀混合后，
将作为(C)成分的(MeHSiO)416质量份、
作为(B)成分的1-(2-三甲氧基硅烷基乙基)-3-(3-缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷8质量份、以及1-乙炔基环己醇0.03质量份均匀混合。另外，该混合物中的SiH/C＝C的摩尔比为1.09。
进一步，将作为(D)成分的铂-乙烯基硅氧烷络合物：以铂金属原子计相对于混合物的合计质量成为20ppm的量均匀混合，获得组合物。
[实施例4]
将用作(E)成分的REOLOSIL DM-30的调配量设为1.0质量份，除此以外，以与实施例1相同的方式制备，获得组合物。
[实施例5]
将用作(E)成分的REOLOSIL DM-30的调配量设为10.0质量份，除此以外，以与实施例1相同的方式制备，获得组合物。
[比较例1]
将用作(E)成分的REOLOSIL DM-30的调配量设为0.5质量份，除此以外，以与实施例1相同的方式制备，获得组合物。
[比较例2]
将用作(E)成分的REOLOSIL DM-30的调配量设为11.0质量份，除此以外，以与实施例1相同的方式制备，获得组合物。
[比较例3]
对信越化学工业公司制造的甲基硅酮系芯片接合材料KER-3000-M2进行评价。
将上述实施例和比较例中的各成分的调配量汇总示于以下表1。
另外，表1中，“份”表示“质量份”。
[表1]
＜性能评价方法＞
对以上述方式制备的各组合物进行以下的试验。
将试验结果示于表2。
(组合物的粘度)
使用BH型粘度计(转子No.6、10rpm或20rpm)测定25℃的粘度。此外，根据所测定的粘度求出触变系数(10rpm的粘度/20rpm的粘度)。
(固化物的硬度)
使用在实施例及比较例中所得的组合物，在150℃加热3小时。测定所得的固化物的肖氏D硬度。
(转印性)
使用芯片接合机(ASM公司(Advanced Softmaterials Inc.)制造、AD-830)，对SMD5050封装体(一诠精密工业公司(I-CHIUNPRECISIONINDUSTRYCo.)制造、树脂聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide，PPA))的镀银电极部，利用冲压进行定量转印，对在其上搭载光半导体元件(0.4×0.24mm)时的作业性进行评价。
(粘合力)
将在转印性的评价试验中制作而成的封装体投入到150℃的烘箱中，加热3小时，将组合物固化。使用粘合力测试机(达格公司(Dage Japan Co.Ltd.)制造、4000系列)进行芯片剪力强度的测定。
(耐热变色性试验)
使用在实施例及比较例中所得的组合物，制作在150℃进行3小时加热固化的40×20×2mm的固化物样品，观察120℃×2000小时后的外观的变化。
[表2]
如表1所示，在相对于(A)、(B)、(C)成分的合计100质量份而包含1～10质量份的(E)成分的烟雾状无机氧化物的实施例1～5中，由于组合物具有触变性且粘度适当，因此，转印性良好，且与甲基硅酮系芯片接合材料，即，比较例3相比，粘合性优异。此外，关于耐热变色性，也与比较例3同样优异。
另一方面，在(E)成分的调配量小于1质量份的比较例1中，由于转印时芯片接合材料在基板上扩散，因此，精密转印性差。此外，在(E)成分的调配量超过10质量份的比较例2中，由于粘度较高，而在压印时产生拉丝，芯片接合材料飞散到转印部分的附近，因此作业性差。此外，比较例3的甲基硅酮系芯片接合材料，虽然作业性优异，但与实施例相比粘合性和硬度差。
根据以上内容可知，如果是本发明的有机改性硅酮树脂组合物，可以形成一种转印性、作业性优异、且高硬度且耐热变色性、粘合性、耐龟裂性优异的固化物。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为示例，与本发明的权利要求范围所记载的技术思想实质上具有相同构成，发挥出相同作用效果的情形，均包含在本发明的技术范围中。

Claims (6)

1.一种有机改性硅酮树脂组合物，其特征在于，包含：
(A)(a)与(b)的加成反应产物，且在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键，其中，(a)是由下述通式(1)表示的化合物，其在1分子中具有2个键结在硅原子上的氢原子，
式(1)中，R独立地为未经取代或经卤素原子、氰基、或缩水甘油氧基取代的碳原子数1～12的1价烃基、或碳原子数1～6的烷氧基，
(b)是在1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式烃；
(B)具有经烷氧基硅烷基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷及具有经环氧基取代的有机基与键结在硅原子上的氢原子的硅氧烷中的任一种、或它们的组合；
(C)除了所述(B)成分以外的在1分子中具有3个以上键结在硅原子上的氢原子的化合物；
(D)氢化硅烷化反应催化剂；及，
(E)烟雾状无机氧化物；
并且，相对于所述(A)、(B)、(C)成分的合计100质量份，所述(E)成分的调配量为1～10质量份，组合物在25℃时的粘度为10～100Pa.s。
2.如权利要求1所述的有机改性硅酮树脂组合物，其中，所述(b)多环式烃是5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯中的任一种、或它们的组合。
3.如权利要求1或2所述的有机改性硅酮树脂组合物，其中，所述(C)成分是具有环状硅氧烷结构的化合物。
4.如权利要求3所述的有机改性硅酮树脂组合物，其中，所述(C)成分是5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯及6-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯中的任一种、或它们的组合、与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的加成反应产物。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机改性硅酮树脂组合物，其中，所述(E)成分是烟雾状二氧化硅。
6.如权利要求1至5中任一项所述的有机改性硅酮树脂组合物，其中，使所述有机改性硅酮树脂组合物固化而得的固化物的肖氏D硬度为60以上。
CN201480074323.3A 2014-01-28 2014-11-25 有机改性硅酮树脂组合物 Active CN105940055B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012900A JP6258048B2 (ja) 2014-01-28 2014-01-28 有機変性シリコーン樹脂組成物
JP2014-012900 2014-01-28
PCT/JP2014/005877 WO2015114707A1 (ja) 2014-01-28 2014-11-25 有機変性シリコーン樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105940055A true CN105940055A (zh) 2016-09-14
CN105940055B CN105940055B (zh) 2019-10-01

Family

ID=53756331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480074323.3A Active CN105940055B (zh) 2014-01-28 2014-11-25 有机改性硅酮树脂组合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10294346B2 (zh)
JP (1) JP6258048B2 (zh)
KR (1) KR102044760B1 (zh)
CN (1) CN105940055B (zh)
TW (1) TWI616490B (zh)
WO (1) WO2015114707A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN110229524A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN111205463A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 信越化学工业株式会社 聚硅氧烷骨架聚合物、感光性树脂组合物、图案形成方法和光半导体器件的制造
CN111534274A (zh) * 2019-02-06 2020-08-14 信越化学工业株式会社 管芯键合用有机改性硅酮树脂组合物、其固化物及光学半导体元件
CN111548729A (zh) * 2019-02-12 2020-08-18 信越化学工业株式会社 管芯键合用有机改性硅酮树脂组合物、其固化物及光学半导体元件
CN114133574A (zh) * 2021-12-13 2022-03-04 山东省科学院新材料研究所 一种桥环烷烃增韧硅树脂及其制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10461232B2 (en) 2016-01-15 2019-10-29 Citizen Watch Co., Ltd. Condensation reaction-type die bonding agent, LED light emitting device and method for manufacturing same
JP7043165B2 (ja) * 2016-09-16 2022-03-29 旭化成株式会社 硬化性組成物
JP2018044125A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 旭化成株式会社 硬化性組成物
WO2020132665A1 (en) 2018-12-21 2020-06-25 Promerus, Llc High impact strength 3d printing materials derived from polycycoolefin monomers and crosslinkers
JP7041094B6 (ja) * 2019-05-21 2023-12-18 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置
CN113105863B (zh) * 2021-03-01 2022-06-14 华南理工大学 一种超高硬度的硅树脂膜及其制备方法与应用
WO2023032888A1 (ja) 2021-09-01 2023-03-09 東レ株式会社 粘着剤、粘着剤付き基板、粘着剤層付き回路基板、積層体、積層体の製造方法、および半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010202831A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物および光反射材料
CN102433004A (zh) * 2010-08-26 2012-05-02 信越化学工业株式会社 包括含多环烃骨架的组分的基于可固化硅酮的组合物
JP2012140556A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性シリコーン組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用リフレクター
JP2012201754A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性組成物
JP2012219117A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用リフレクター
CN103509345A (zh) * 2012-06-22 2014-01-15 信越化学工业株式会社 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4648099B2 (ja) 2005-06-07 2011-03-09 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物
JP2008069210A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 多環式炭化水素基含有シリコーン系硬化性組成物
JP2008274184A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd ケイ素原子に結合した水素原子を有する多環式炭化水素基含有有機ケイ素化合物およびその製造方法
JP5279197B2 (ja) * 2007-05-07 2013-09-04 信越化学工業株式会社 硬化性有機ケイ素組成物およびその硬化物
JP5534977B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-02 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
US8715648B2 (en) * 2011-02-16 2014-05-06 Pivotal Therapeutics Inc. Method for treating obesity with anti-obesity formulations and omega 3 fatty acids for the reduction of body weight in cardiovascular disease patients (CVD) and diabetics
JP5739380B2 (ja) * 2012-06-22 2015-06-24 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体デバイス

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010202831A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物および光反射材料
CN102433004A (zh) * 2010-08-26 2012-05-02 信越化学工业株式会社 包括含多环烃骨架的组分的基于可固化硅酮的组合物
JP2012140556A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性シリコーン組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用リフレクター
JP2012201754A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性組成物
JP2012219117A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用リフレクター
CN103509345A (zh) * 2012-06-22 2014-01-15 信越化学工业株式会社 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
US11248091B2 (en) 2016-09-29 2022-02-15 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
CN110229524A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN110229524B (zh) * 2018-03-05 2022-03-29 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN111205463A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 信越化学工业株式会社 聚硅氧烷骨架聚合物、感光性树脂组合物、图案形成方法和光半导体器件的制造
CN111205463B (zh) * 2018-11-22 2023-02-14 信越化学工业株式会社 聚硅氧烷骨架聚合物、感光性树脂组合物、图案形成方法和光半导体器件的制造
CN111534274A (zh) * 2019-02-06 2020-08-14 信越化学工业株式会社 管芯键合用有机改性硅酮树脂组合物、其固化物及光学半导体元件
CN111548729A (zh) * 2019-02-12 2020-08-18 信越化学工业株式会社 管芯键合用有机改性硅酮树脂组合物、其固化物及光学半导体元件
TWI825270B (zh) * 2019-02-12 2023-12-11 日商信越化學工業股份有限公司 黏晶用有機改質矽氧樹脂組成物、其硬化物及光半導體元件
CN114133574A (zh) * 2021-12-13 2022-03-04 山东省科学院新材料研究所 一种桥环烷烃增韧硅树脂及其制备方法
CN114133574B (zh) * 2021-12-13 2023-03-10 山东省科学院新材料研究所 一种桥环烷烃增韧硅树脂及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6258048B2 (ja) 2018-01-10
CN105940055B (zh) 2019-10-01
JP2015140372A (ja) 2015-08-03
TWI616490B (zh) 2018-03-01
US10294346B2 (en) 2019-05-21
TW201542697A (zh) 2015-11-16
WO2015114707A1 (ja) 2015-08-06
KR20160110957A (ko) 2016-09-23
KR102044760B1 (ko) 2019-11-15
US20160326340A1 (en) 2016-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105940055A (zh) 有机改性硅酮树脂组合物
JP5279197B2 (ja) 硬化性有機ケイ素組成物およびその硬化物
JP4347103B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物
CN104903404A (zh) 固化性树脂组合物及其固化物
JP2005133073A (ja) 硬化性組成物
JP7021644B2 (ja) 赤外線透過性硬化型組成物、その硬化物および光半導体装置
JP5539252B2 (ja) 硬化性組成物
WO2016043082A1 (ja) 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物
JP6187681B2 (ja) 新規ビス（アルコキシシリル−ビニレン）基含有ケイ素化合物及びその製造方法
JP2014509668A (ja) Ｌｅｄ封入用硬化性シリコーン樹脂
TW201619243A (zh) 有機聚矽氧烷預聚合物及包含其之可固化有機聚矽氧烷組成物
WO2015178475A1 (ja) 分岐鎖状ポリオルガノシロキシシルアルキレン、その製造方法、硬化性樹脂組成物、及び半導体装置
WO2015163355A1 (ja) 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、グリコールウリル誘導体及びその製造方法
JP2012219117A (ja) 白色熱硬化性樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用リフレクター
JP2008274184A (ja) ケイ素原子に結合した水素原子を有する多環式炭化水素基含有有機ケイ素化合物およびその製造方法
CA2873669A1 (en) Curable resin composition and primer composition
JP2014162885A (ja) 半導体素子接着用シリコーン樹脂組成物及びそれを用いたケイ素含有硬化物
WO2021084980A1 (ja) 赤外線透過性硬化型組成物、その硬化物および光半導体装置
TW202112970A (zh) 加成硬化型矽氧組成物、硬化物及光半導體元件
JP5943104B2 (ja) 硬化性組成物、硬化膜、ポリシロキサンおよび光半導体装置
KR20060046615A (ko) 경화성 조성물
JP7021137B2 (ja) ダイボンディング用有機変性シリコーン樹脂組成物、その硬化物及び光半導体素子
JP6048212B2 (ja) 半導体素子接着用シリコーン樹脂組成物及びそれを用いたケイ素含有硬化物
KR101211083B1 (ko) 일액형 자기접착성 폴리실록산 조성물
CN103173019A (zh) 硬化性组成物及其制造方法、硬化物及光学半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant