CN105934807B - 钙钛矿和其它太阳能电池材料 - Google Patents

钙钛矿和其它太阳能电池材料 Download PDF

Info

Publication number
CN105934807B
CN105934807B CN201480074039.6A CN201480074039A CN105934807B CN 105934807 B CN105934807 B CN 105934807B CN 201480074039 A CN201480074039 A CN 201480074039A CN 105934807 B CN105934807 B CN 105934807B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
photovoltaic device
perovskite
nio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480074039.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105934807A (zh
Inventor
M·D·欧文
J·A·丘特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cubic Photovoltaic Co ltd
Original Assignee
Hunt Energy Enterprises LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunt Energy Enterprises LLC filed Critical Hunt Energy Enterprises LLC
Priority to CN201710705222.7A priority Critical patent/CN107437466A/zh
Publication of CN105934807A publication Critical patent/CN105934807A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105934807B publication Critical patent/CN105934807B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2022—Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2045—Light-sensitive devices comprising a semiconductor electrode comprising elements of the fourth group of the Periodic Table with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/053—Energy storage means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. a capacitor integrated with a PV cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H10K30/352—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles the inorganic nanostructures being nanotubes or nanowires, e.g. CdTe nanotubes in P3HT polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

本发明涉及光伏器件，例如太阳能电池、混合太阳能电池‑电池组和其它此类器件，其可以包括布置在两个电极之间的活性层，所述活性层具有钙钛矿材料和其它材料，例如介孔材料、界面层、薄涂层界面层以及它们的组合。钙钛矿材料可以是光敏的。钙钛矿材料可以布置在光伏器件中的两种或更多种其它材料之间。在光伏器件的活性层内以各种排列包含这些材料可以改进器件性能。可以包含其它材料以进一步改进器件性能，所述其它材料例如为：额外的钙钛矿和额外的界面层。

Description

钙钛矿和其它太阳能电池材料
背景技术
利用光伏(PV)从太阳能或辐射发电可以提供很多好处，包括，例如，电源、低排放或零排放、独立于电网(power grid)的电力产生、耐用的物理结构(无运动部件)、稳定可靠的系统、模块化构造、相对快的安装、安全的制造和使用以及良好的舆论和使用接受度。
本公开内容的特征和优点对于本领域技术人员而言是容易清楚的。尽管本领域技术人员可以做出许多变化，但这种变化在本发明的精神内。
附图说明
图1是示出根据本公开内容的一些实施方案的DSSC的多个层的DSSC设计的图示说明。
图2是示出根据本公开内容的一些实施方案的DSSC的多个层的DSSC设计的另一个图示说明。
图3是根据本公开内容的一些实施方案的BHJ器件设计的示例性图示说明。
图4是根据本公开内容的一些实施方案的包括活性层的典型光伏电池的示意图。
图5是根据本公开内容的一些实施方案的典型固态DSSC器件的示意图。
图6是根据本公开内容的一些实施方案的示范性混合PV电池组的组件的图示。
图7是例示了根据本公开内容的一些实施方案的示范性PV器件的组件的程式化图(stylized diagram)。
图8A是例示了根据本公开内容的一些实施方案的混合PV电池组的程式化图。
图8B是与根据本公开内容的一些实施方案的混合PV电池组有关的电气等效线路图。
图9是示出根据本公开内容的一些实施方案的示范性PV器件的组件的程式化图。
图10是示出根据本公开内容的一些实施方案的示范性PV器件的组件的程式化图。
图11是示出根据本公开内容的一些实施方案的示范性PV器件的组件的程式化图。
具体实施方式
在与有机PV、非有机PV和/或混合PV兼容的PV技术的多个方面中的改进希望进一步降低OPV和其它PV二者的成本。例如，一些太阳能电池(例如固态染料敏化太阳能电池)可以利用新的有成本效益和高稳定性的替代组件，例如固态电荷传输材料(或者通俗地说“固态电解质”)。另外，多种太阳能电池可以有利地包括界面材料及其它材料，除了其它优点之外，其还可以比当前现有的传统选项更具有成本效益和耐用。
本公开内容总体上涉及在从太阳辐射产生电能时光伏电池中的材料的物质成分、装置和使用方法。更具体而言，本公开内容涉及物质的光敏成分及其它成分，以及物质的这些成分的装置、使用方法和形成。
物质的这些成分的实例可以包括例如：空穴传输材料以及/或者适合于用作例如界面层、染料、和/或PV器件的其它元件的材料。这种化合物可以使用在各种PV器件中，例如异质结电池(例如双层和本体)、混合电池(例如具有CH3NH3PbI3、ZnO纳米棒或PbS量子点的有机物)和DSSC(染料敏化太阳能电池)中。后者，即DSSC，以三种形式存在：溶剂型电解质、离子液体电解质和固态空穴传输体(或固态DSSC，即SS-DSSC)。根据一些实施方案的SS-DSSC结构可以基本上不含电解质，而是包含空穴传输材料，例如螺-OMeTAD(spiro-OMeTAD)、CsSnI3和其它活性材料。
根据本公开内容的一些实施方案的一些或所有材料还可以有利地用于任何有机电子器件或其它电子器件中，所述电子器件的一些实例包括但不限于：电池组(battery)、场效应晶体管(FET)、发光二极管(LED)、非线性光学器件、忆阻器(memristor)、电容器、整流器和/或整流天线。
在一些实施方案中，本公开内容可以提供PV器件及其它类似器件(例如，电池组、混合PV电池组、多结PV、FET、LED等)。在一些实施方案中，这种器件可以包括改进的活性材料、界面层、和/或一种或多种钙钛矿材料。钙钛矿材料可以包含在PV器件或其它器件的不同的一个或多个方面中。根据一些实施方案的钙钛矿材料可以具有通式CMX3，其中：C包括一种或多种阳离子(例如胺阳离子、铵阳离子、1族金属阳离子、2族金属阳离子和/或其它阳离子或类阳离子化合物(cation-like compound))；M包括一种或多种金属(示例包括Fe、Co、Ni、Cu、Sn、Pb、Bi、Ge、Ti和Zr)；且X包括一种或多种阴离子。以下更详细地论述根据各种实施方案的钙钛矿材料。
光伏电池及其它电子器件
可以参考如图1、3、4和5中所示的太阳能电池的各种示例性图示来说明一些PV实施方案。例如，根据一些实施方案的示例性PV架构基本上可以具有衬底-阳极-IFL-活性层-IFL-阴极的形式。一些实施方案的活性层可以是光敏的，且/或它可以包括光敏材料。其它层和材料可以如本领域中已知的在电池中使用。而且，应注意，术语“活性层”的使用绝非意图明确地或隐含地限制或者以其它方式限定任何其它层的特性——例如，在一些实施方案中，任一或者两个IFL也可以是活性的，只要它们可以是半导体的。特别是，参考图4，示出了程式化通用PV电池2610，其中例示了PV内一些层的高界面特性。PV 2610表示适用于几种PV器件(例如DSSC PV实施方案)的通用架构。PV电池2610包括玻璃(或者对于太阳辐射类似透明的材料)的透明层2612，其允许太阳辐射2614穿透通过所述层。一些实施方案的透明层也可以被称为衬底(例如，如图1的衬底层1507一样)，它可以包括各种刚性或柔性材料中的任意一种或多种，例如：玻璃、聚乙烯、PET、聚酰亚胺树脂薄膜(Kapton)、石英、铝箔、金箔、或钢。光敏层2616由电子供体或p-型材料2618和电子受体或n-型材料2620组成。活性层或者如图4中所示的光敏层2616夹在两个导电电极层2622和2624之间。在图4中，电极层2622是ITO材料。如前提及的，一些实施方案的活性层不必是光敏的，尽管在图4所示的器件中它是光敏的。电极层2624是铝材料。也可以如本领域中已知地使用其它材料。电池2610还包括界面层(IFL)2626，其在图4的实例中显示为PEDOT:PSS材料。IFL可以有助于电荷分离。在一些实施方案中，IFL 2626可以包括作为自组装单层(SAM)或作为薄膜的根据本公开内容的光敏有机化合物。在其它实施方案中，IFL2626可以包括薄涂层(thin-coat)双层，以下更详细地对其进行论述。在器件的铝-阴极侧上还可以有IFL 2627。在一些实施方案中，器件的铝-阴极侧上的IFL 2627还可以包括或者替代地包括作为自组装单层(SAM)或作为薄膜的根据本公开内容的光敏有机化合物。在其它实施方案中，器件的铝-阴极侧上的IFL 2627还可以包括或者替代地包括薄涂层双层(同样，以下更详细地对其进行论述)。根据一些实施方案的IFL在性质上可以是半导体的，且可以是p-型的或者n-型的。在一些实施方案中，在器件的阴极侧上的IFL(例如图4中所示的IFL 2627)可以是p-型的，在器件的阳极侧上的IFL(例如图4中所示的IFL 2626)可以是n-型的。但在其它实施方案中，阴极-侧IFL可以是n-型的，阳极-侧IFL可以是p-型的。电池2610连接到引线2630和放电单元2632，例如电池组。
可以参考图3来说明另外其它的实施方案，图3示出了程式化BHJ器件设计，包括：玻璃衬底2401；ITO(锡掺杂的氧化铟)电极2402；界面层(IFL)2403；光敏层2404；和LiF/Al阴极2405。所提及的BHJ结构的材料仅是示例；本领域中已知的任何其它BHJ结构都可以与本公开内容相适应地使用。在一些实施方案中，光敏层2404可以包括在图4的器件的活性层或光敏层2616中可以包括的任意一种或多种材料。
图1是根据一些实施方案的DSSC PV的简化图示说明，在此为了例示这种示例性PV的组装的目的而提及。如图1所示的示例性DSSC可以按照以下来构造：将电极层1506(显示为氟掺杂的氧化锡，FTO)沉积在衬底层1507(显示为玻璃)上。将介孔层ML1505(其在一些实施方案中可以是TiO2)沉积在电极层1506上，随后将光电极(到目前为止包括衬底层1507、电极层1506和介孔层1505)浸泡在溶剂(未示出)和染料1504中。这留下了结合到ML表面的染料1504。制造分离的对电极，其包括衬底层1501(同样显示为玻璃)和电极层1502(显示为Pt/FTO)。将光电极和对电极进行组合，其中如图1所示将多个层1502-1506夹在两个衬底层1501与1507之间，并将电极层1502和1506分别用作阴极和阳极。将电解质层1503或者在染料层1504之后直接沉积在完成的光电极上，或者通过器件中的开口沉积，典型地是通过在对电极衬底1501中经由喷砂处理而预先钻的孔沉积。电池也可以连接到引线和放电单元，例如电池组(未示出)。衬底层1507和电极层1506、以及/或者衬底层1501和电极层1502应足够透明，以允许太阳辐射通过而到达光敏染料1504。在一些实施方案中，对电极和/或光电极可以是刚性的，而在其它实施方案中，任意一个或二者可以是柔性的。各个实施方案的衬底层可以包括以下物质中的任意一个或多个：玻璃、聚乙烯、PET、聚酰亚胺树脂薄膜、石英、铝箔、金箔和钢。在某些实施方案中，DSSC可以进一步包括捕光层(light harvestinglayer)1601，如图2中所示的，用以散射入射光以便增大光通过器件的光敏层的路径长度(从而增大在光敏层中吸收光的可能性)。
在其它实施方案中，本公开内容提供了固态DSSC。根据一些实施方案的固态DSCC可以提供优点，例如没有可能影响包括液态电解质的DSSC的泄露和/或腐蚀问题。而且，固态电荷载流子可以提供更快的器件物理性质(例如更快的电荷传输)。另外，在一些实施方案中，固态电解质可以是光敏的，因此有助于从固态DSSC器件得到的电力。
固态DSSC的一些实例可以参考图5来说明，它是典型固态DSSC的程式化示意图。如同例如图4中所示的示例性太阳能电池一样，由第一活性材料和第二活性材料(例如导电和/或半导电的)(分别为2810和2815)组成的活性层夹在电极2805和2820(图5中分别显示为Pt/FTO和FTO)之间。在图5中所示的实施方案中，第一活性材料2810是p-型活性材料，包括固态电解质。在某些实施方案中，第一活性材料2810可以包括：有机材料，例如螺-OMeTAD和/或聚(3-己基噻吩)；无机二元、三元、四元或更大的复合体(complex)；任意固态半导体材料；或其任意组合。在一些实施方案中，第一活性材料可以另外包括或替代地包括氧化物和/或硫化物，和/或硒化物，和/或碘化物(如CsSnI3)。因此，例如，一些实施方案的第一活性材料可以包括固态的p-型材料，其可以包括铜铟硫化物；在一些实施方案中，它可以包括铜铟镓硒化物。图5中所示的第二活性材料2815是n-型活性材料，包括涂覆有染料的TiO2。在一些实施方案中，第二活性材料可以同样包括有机材料，例如螺-OMeTAD；无机二元、三元、四元或更大的复合体；或其任意组合。在一些实施方案中，第二活性材料可以包括氧化物，例如氧化铝；且/或它可以包括硫化物；且/或它可以包括硒化物。因此，在一些实施方案中，第二活性材料可以包括铜铟硫化物；在一些实施方案中，它可以包括铜铟镓硒化物金属。一些实施方案的第二活性材料2815可构成介孔层。此外，除了是活性的之外，第一活性材料2810和第二活性材料2815中的任意一个或二者可以是光敏的。在其它实施方案(图5中未示出)中，第二活性材料可以包括固体电解质。此外，在其中第一活性材料2810和第二活性材料2815中的任意一个包括固体电解质的实施方案中，PV器件会缺少有效量的液态电解质。尽管图5中显示并提及为p-型的，但在一些实施方案中，固态层(例如包括固体电解质的第一活性材料)可以代之为n-型半导体。于是在这种实施方案中，涂覆有染料的第二活性材料(例如，图5中所显示的TiO2(或其它介孔材料))可以是p-型半导体(与图5中所显示的且关于其论述的n-型半导体不同)。
衬底层2801和2825(图5中都显示为玻璃)分别构成图5的示范性电池的外顶层和外底层。这些层可以包括具有足够透明度的任何材料，以允许太阳辐射通过而到达包括染料、第一活性和/或光敏材料2810以及第二活性和/或光敏材料2815(例如，玻璃、聚乙烯、PET、聚酰亚胺树脂薄膜、石英、铝箔、金箔、和/或钢)的活性层/光敏层。而且，在图5所示的实施方案中，电极2805(显示为Pt/FTO)是阴极，电极2820是阳极。如同图4中所示的示范性太阳能电池，太阳辐射通过衬底层2825和电极2820进入活性层中，由此至少一部分太阳辐射被吸收以便产生一个或多个激子以实现发电。
根据一些实施方案的固态DSSC可以以基本上类似于以上针对图1中程式化示出的DSSC所述的方式来构成。在图5中所示的实施方案中，p-型活性材料2810对应于图1的电解质1503；n-型活性材料2815对应于图1的染料1504和ML 1505；电极2805和2820分别对应于图1的电极层1502和1506；衬底层2801和2825分别对应于衬底层1501和1507。
本公开内容的各个实施方案提供了在太阳能电池及其它器件的不同方面中改进的材料和/或设计，其中尤其包括活性材料(包括空穴传输层和/或电子传输层)、界面层和总体器件设计。
界面层
在一些实施方案中，本公开内容提供了PV中一个或多个界面层(包括薄涂层IFL)的有利材料和设计。薄涂层IFL可以用于根据本文所述的各个实施方案的PV的一个或多个IFL中。
首先，如前提及的，一个或多个IFL(例如，图4中所显示的IFL 2626和2627中的任意一个或二者)可以包括作为自组装单层(SAM)或作为薄膜的本公开内容的光敏有机化合物。在将本公开内容的光敏有机化合物作为SAM施用时，它可以包括结合基团，通过所述结合基团它可以共价或以其它方式结合到阳极和阴极中任意一个或二者的表面。一些实施方案的结合基团可以包括以下中的任意一个或多个：COOH、SiX3(其中X可以是适合于形成三元硅化合物的任何基团，如Si(OR)3和SiCl3)、SO3、PO4H、OH、CH2X(其中X可以包括17族卤化物离子)和O。结合基团可以共价或以其它方式结合到吸电子部分、电子供体部分和/或核心部分(coremoiety)。结合基团可以附着在电极表面，其附着方式便于在厚度上构成单分子(或在一些实施方案中，多分子)的定向组织层(directional,organized layer)(例如，其中多种光敏有机化合物结合到阳极和/或阴极的情况下)。如提及的，SAM可以借助共价相互作用附着，但在一些实施方案中，它可以借助离子相互作用、氢键相互作用和/或分散力(即范德华)相互作用附着。而且，在某些实施方案中，在暴露于光后，SAM可以进入两性离子激发态，从而产生高偏振的(highly-polarized)IFL，其可以将电荷载流子从活性层引入电极(例如阳极或阴极)中。在一些实施方案中，这种增强的电荷载流子注入可以通过电子极化(poling)活性层的截面并因而增大电荷载流子朝向其各自电极(例如空穴到阳极；电子到阴极)的漂移速度来完成。用于一些实施方案的阳极应用的分子可以包括可调的(tunable)化合物，其包括结合到核心部分的主电子供体部分，所述核心部分又结合到吸电子部分，所述吸电子部分又结合到结合基团。在根据一些实施方案的阴极应用中，IFL分子可以包括可调的化合物，其包括结合到核心部分的缺电子部分(electron poor moiety)，所述核心部分又结合到电子供体部分，所述电子供体部分又结合到结合基团。在光敏有机化合物用作根据这种实施方案的IFL时，它可以保持光敏特性，尽管在一些实施方案中它不必是光敏的。
除了光敏有机化合物SAM IFL之外或代替光敏有机化合物SAM IFL，根据一些实施方案的PV可以包括涂覆在这种实施方案的第一活性材料或第二活性材料(例如图5中显示的第一活性材料2810或第二活性材料2815)中的任意一个的至少一部分上的薄界面层(“薄涂层界面层”或“薄涂层IFL”)。而且，薄涂层IFL的至少一部分又可以涂覆有染料。薄涂层IFL可以是n-型的或p-型的；在一些实施方案中，它可以具有与下层材料(例如TiO2或其它介孔材料，如第二活性材料2815的TiO2)相同的类型。第二活性材料可以包括涂覆有包括氧化铝(例如Al2O3)的薄涂层IFL的TiO2(图5中未示出)，所述薄涂层IFL又涂覆有染料。本文对TiO2和/或二氧化钛的提及并非旨在将锡和氧化物的比例限制于本文所述的这种锡-氧化物化合物中。即，二氧化钛化合物可以包括以其不同氧化态(例如一价钛、二价钛、三价钛和四价钛)中的任意一个或多个存在的钛，因此各个实施方案可以包括化学计量和/或非化学计量的量的钛和氧化物。因此，各个实施方案可以包括(替代TiO2或除了TiO2之外)TixOy，其中，x可以是在1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，x可以在约0.5到3之间。类似地，y可以在约1.5到4之间(同样不必是整数)。因此，一些实施方案可以包括例如TiO2和/或Ti2O3。另外，在一些实施方案中，以无论何种钛和氧化物之间的比例或比例的组合存在的二氧化钛都可以具有任意一种或多种晶体结构，包括锐钛矿型、金红石型和无定形中的任意一种或多种。
用于一些实施方案的薄涂层IFL中的其它示范性金属氧化物可以包括半导体金属氧化物，例如NiO、WO3、V2O5或MoO3。其中第二(例如n-型)活性材料包括涂覆有包括Al2O3的薄涂层IFL的TiO2的示范性实施方案可以例如借助前体材料形成，所述前体材料例如为：Al(NO3)3·xH2O，或者适合于将Al2O3沉积在TiO2上、随后热退火和染料涂覆的任何其它材料。在其中代之使用MoO3涂覆的示例性实施方案中，涂层可以借助诸如Na2Mo4·2H2O的前体材料形成；而根据一些实施方案的V2O5涂层可以借助诸如NaVO3的前体材料形成；根据一些实施方案的WO3涂层可以借助诸如NaWO4·H2O的前体材料形成。前体材料(例如Al(NO3)3·xH2O)的浓度可能会影响沉积在TiO2或其它活性材料上的最终膜厚度(在此是Al2O3的最终膜厚度)。因此，修改前体材料的浓度可以是这样一种方法，借助它可以控制最终膜厚度。例如，较大的膜厚度可以由较大的前体材料浓度得到。较大的膜厚度不一定必然导致包括金属氧化物涂层的PV器件中较大的PCE。因此，一些实施方案的方法可以包括使用浓度在约0.5到10.0mM范围中的前体材料涂覆TiO2(或其它介孔)层；其它实施方案可以包括使用浓度在约2.0到6.0mM范围中的前体材料涂覆所述层；或者在其它实施方案中，约为2.5到5.5mM。
而且，尽管本文提及为Al2O3和/或氧化铝，但应注意，在形成氧化铝时可以使用铝和氧的各种比例。因此，尽管本文所述的一些实施方案参考Al2O3来说明，但这种说明并非旨在限定氧中铝的所需比例。确切地说，实施方案可以包括任意一种或多种铝-氧化物化合物，所述铝-氧化物化合物各自都具有符合AlxOy的铝氧化物比例，其中，x可以是在约1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，x可以在约1到3之间(同样不必是整数)。类似地，y可以是在0.1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，y可以在2到4之间(同样不必是整数)。另外，AlxOy的各种晶体形式可以存在于各个实施方案中，例如，氧化铝的α形式、γ形式和/或无定形形式。
类似地，尽管本文提及为MoO3、WO3和V2O5，但这种化合物可以代之以或另外地分别表示为MoxOy、WxOy和VxOy。关于MoxOy和WxOy中的每一个，x可以是在约0.5到100之间的整数或非整数的任意值；在一些实施方案中，它可以在约0.5到1.5之间。类似地，y可以是在约1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，y可以是在约1到4之间的任意值。关于VxOy，x可以是在约0.5到100之间的整数或非整数的任意值；在一些实施方案中，它可以在约0.5到1.5之间。类似地，y可以是在约1到100之间的整数或非整数的任意值；在某些实施方案中，它可以是在约1到10之间的整数或非整数值。
类似地，在本文的一些示范性实施方案中对CsSnI3的提及并非旨在限制在根据各个实施方案的铯-锡-碘化合物中的组分元素的比例。一些实施方案可以包括化学计量和/或非化学计量的量的锡和碘化物，因此这种实施方案可以代之以包括或另外地包括各个比例的铯、锡和碘，例如任意一种或多种铯-锡-碘化合物，所述化合物各自都具有CsxSnyIz的比例。在这种实施方案中，x可以是在0.1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，x可以在约0.5到1.5之间(同样不必是整数)。类似地，y可以是在0.1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，y可以是在约0.5到1.5之间(同样不必是整数)。类似地，z可以是在0.1到100之间的整数或非整数的任意值。在一些实施方案中，z可以是在约2.5到3.5之间。另外，CsSnI3可以以下比例与诸如SnF2的其它材料掺杂或复合(compound)：所述比例为范围从0.1:1到100:1的CsSnI3:SnF2，包括在其间的所有值(整数和非整数)。
另外，薄涂层IFL可以包括双层。因此，回到其中薄涂层IFL包括金属-氧化物(例如氧化铝)的实例，薄涂层IFL可以包括TiO2-加-金属氧化物。与单独的介孔TiO2或其它活性材料相比，这种薄涂层IFL可以具有更大的抗电荷重组(charge recombination)能力。而且，根据本公开内容的一些实施方案，在形成TiO2层时，次级TiO2涂层常常是必要的，以便提供TiO2粒子的足够物理互连。将双层薄涂层IFL涂覆到介孔TiO2(或其它介孔活性材料)上可以包括：使用包括金属氧化物和TiCl4二者的化合物的涂覆的组合，得到包括金属-氧化物和次级TiO2涂层的组合的双层薄涂层IFL，其可以提供优于单独仅使用所述材料中的任一种的性能改进。
在一些实施方案中，前述的薄涂层IFL和将它们涂覆到TiO2上的方法可以用于包括液态电解质的DSSC中。因此，回到薄涂层IFL的实例并重新提及图1作为示例，图1的DSSC可以进一步包括涂覆在介孔层1505上的如上所述的薄涂层IFL(即，薄涂层IFL可以被插入到介孔层1505和染料1504之间)。
在一些实施方案中，之前在DSSC上下文中论述的薄涂层IFL可以用于半导体器件的任何界面层中，所述半导体器件例如是PV(例如混合PV或其它PV)、场效应晶体管、发光二极管、非线性光学器件、忆阻器、电容器、整流器、整流天线等。而且，一些实施方案的薄涂层IFL可以用于本公开内容中结合其它化合物论述的各个器件中的任意一个中，包括但不限于，以下本公开内容的各个实施方案中的任意一个或多个：固态空穴传输材料，例如活性材料和添加剂(例如在一些实施方案中，鹅脱氧胆酸或1,8-二碘辛烷)。
其它示范性电子器件
根据一些实施方案的另一种示例性器件是单片式薄膜PV和电池组器件，或混合PV电池组。
根据本公开内容的一些实施方案的混合PV电池组可通常包括共用公共电极且串联或并联电耦合的PV电池和电池组部分。例如，一些实施方案的混合PV电池组可以参考图6来说明，它是示范性混合PV电池组的组件的程式化图，包括：密封剂3601；至少三个电极3602、3604和3606，其中的至少一个是由器件的PV部分和器件的电池组部分共用的公共电极(在此是3604)；PV活性层3606；电池组活性层3605；衬底3607。在这种示例性实施方案中，器件的PV电池可以包括一个电极3602(它在一些实施方案中可以称为PV电极)和PV活性层3603，而器件的电池组可以包括其它非共用的电极3606(它在一些实施方案中可以称为电池组电极)和电池组活性层3605。这种实施方案的PV电池和电池组部分共用公共电极3604。在一些实施方案中，混合PV电池组可以是单片式的，即印在单一衬底上的。在这种实施方案中，PV电池和电池组部分都应是薄膜型器件。在一些实施方案中，PV电池和电池组都能够借助高处理量技术(例如喷墨、夹缝(die-slot)、凹版印刷和压印辊到辊印刷(imprint roll-to-roll printing))来印刷。
一些实施方案的PV电池可以包括DSSC、BHJ、混合PV或本领域中已知的任何其它PV，例如碲化镉(CdTe)PV或CIGS(铜铟镓硒化物)PV。例如，在其中混合PV电池组的PV电池包括DSSC的实施方案中，可以借助在图1的示范性液态电解质DSSC与图6的示范性混合PV电池组的PV电池之间的比较来说明PV电池。具体而言，PV电极3602可以对应于电极层1502；PV活性层3603可对应于电解质1503、染料1504和ML1505；公共电极3604可对应于电极层1506。任何其它PV可以类似地对应于混合PV电池组的一些实施方案的PV电池组件，这对于受益于本公开内容的本领域普通技术人员而言是清楚易见的。而且，如同本文所述的PV器件，在一些实施方案中，器件的PV电池内的PV活性层可以包括以下中的任意一个或多个：界面层、第一活性材料和/或第二活性材料(其每一个都可以是n-型或p-型半导体的，其中任意一个或二者可以包括根据本文所述各个实施方案的金属-氧化物界面层)。
这种器件的电池组部分可以按照本领域中已知的电池组来组成，例如锂离子电池组或锌空气电池组。在一些实施方案中，电池组可以是薄膜电池组。
因此，例如，根据一些实施方案的混合PV电池组可以包括与锌空气电池组集成在一起的DSSC。根据本公开内容的一些实施方案，两个器件都是薄膜型的，能够借助高处理量技术例如喷墨辊到辊印刷来印刷。在这个实例中，首先将锌空气电池组印刷到用对电极完成的衬底(对应于衬底3607)上。随着将光敏层(对应于PV活性层3603)随后印刷在电极3604上，电池组对电极于是成为公共电极(对应于公共电极3604)。器件以最终电极(对应于PV电极3602)完成，并以密封剂(对应于密封剂3601)封装。密封剂可以包括环氧树脂、聚偏氟乙烯(PVDF)、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚对二甲苯C，或者适合于保护器件免于环境破坏的任何其它材料。
在一些实施方案中，混合PV电池组可以提供优于已知电池组或PV器件的几个优点。在其中混合PV电池组是单片式的实施方案中，它由于没有连接导线，可以展现出提高的耐用性。相比于使用单独的PV来给单独的电池组充电，将两个原本单独的器件组合为一个(PV和电池组)可以进一步有利地减小总体尺寸和重量。在其中混合PV电池组包括薄膜型PV电池和电池组部分的实施方案中，薄型PV电池可有利地能够与电池组一致地印刷在电池组工业中已知的衬底上，例如聚酰亚胺(如聚酰亚胺树脂薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))。另外，在一些实施方案中，可以使得这种混合PV电池组的最终形状因子适合标准电池的形状因子(例如用于消费电子产品中，例如硬币、AAA、AA、C、D或其它的；或者用于例如蜂窝电话中)。在一些实施方案中，电池组可以借助从器件中移除、随后放置在阳光下来充电。在其它实施方案中，电池组可以设计为使得电池组的PV电池从器件朝向外部(例如电池组不封闭在器件中)，以使得所述器件可以借助暴露于阳光来充电。例如，蜂窝电话可以包括混合PV电池组，其中电池组的PV电池朝向电话的外侧(与将电池组整个放置在电话的被覆盖部分中不同)。
另外，本公开内容的一些实施方案可以提供多光敏层PV电池。这种电池可以包括至少两个光敏层，每一个光敏层由共用双面导电(即导体/绝缘体/导体)衬底彼此隔开。一些实施方案的光敏层和一个或多个共用衬底可以夹在导电层(例如，导电衬底，或者结合或以其它方式耦合到衬底的导体)之间。在一些实施方案中，导体和/或衬底中的任意一个或多个可以对于在UV光谱、可见光谱或IR光谱中的至少一些电磁辐射是透明的。
每一个光敏层都可以具有根据本文其它部分所述的各种PV器件(例如DSSC、BHJ、混合)中的任意一种的活性层和/或光敏层的组成。在一些实施方案中，每一个光敏层都能够吸收不同波长的电磁辐射。这种结构可以借助任何适合的手段来完成，所述手段对于受益于本公开内容的本领域普通技术人员而言是清楚易见的。
根据一些实施方案的示例性多光敏层PV电池可以参考图7的程式化图来说明，其例示了一些这种PV电池的基本结构。图7显示了由共用的双面导电衬底3710隔开的第一光敏层和第二光敏层(分别为3701和3705)(例如图7显示了一般性导体/绝缘体/导体的架构)。两个光敏层3701和3705及共用的衬底3710夹在第一导电衬底3715和第二导电衬底3720之间。在这种示例性装置中，每一个光敏层3701和3705都包括根据如DSSC结构的染料。此外，第一光敏层3701的染料能够吸收在可见EM光谱的第一部分的电磁辐射(例如入射的蓝光3750和绿光3751)，而第二光敏层3705的染料能够吸收在可见EM光谱的第二不同部分的电磁辐射(例如红光3755和黄光3756)。应注意，尽管图7中所示的器件中并非如此，但根据一些实施方案的器件可以包括能够吸收虽然不同但重叠的波长范围中的辐射的染料(或其它光敏层材料)。在每一个光敏层中激发(例如借助入射太阳辐射)后，空穴可以从第一光敏层3701流到第一导电衬底3715，并类似地从第二光敏层3705流到第二导电衬底3720。从每一个光敏层3701和3705到共用导电衬底3710可以相应地发生伴随电子传输。一个或多个电导体(例如图7中的引线3735)可以提供空穴离开第一导电衬底3715和第二导电衬底3720中的每一个朝向电路的负方向3730(例如朝向阴极、负电池组端子等)的进一步的传输，而一个或多个电导体(例如图7中的引线3745和3746)可以携带电子远离共用衬底3710朝向电路的正方向3735。
在一些实施方案中，两个或多个多光敏层PV电池可以连接或者以其它方式电耦合(例如串联)。例如，重新回到参考图7的示例性实施方案，传导电子离开第一导电衬底3715和第二导电衬底3720中的每一个的导线3735又可以连接到第二多光敏层PV电池的双面共用导电衬底(例如对应于图7的示例性PV电池的共用导电衬底3710的共用导电衬底)。任意数量的PV电池都可以如此串联连接。在一些实施方案中，最终效果实质上是串联电耦合的多个并联PV电池对(其中，每一个具有两个光敏层和一个共用双面导电衬底的多光敏层PV电池都视为一对并联PV电池)。类似地，具有三个光敏层和夹在每一个光敏层之间的两个共用双面导电衬底的多光敏层PV电池应等效地视为三个一组的并联PV电池，对于包括四个、五个和更多个光敏层的多光敏层PV电池依此类推。
而且，根据某些实施方案，电耦合的多光敏层PV电池可以进一步电耦合到一个或多个电池组，以构成混合PV电池组。
在某些实施方案中，两个或多个多光敏层PV电池的串联电耦合(例如并联PV电池对的两个或多个单元的串联连接)可以以类似于图8A中所示的形式来实现，图8A示出了在加盖(capping)阳极3870和加盖阴极3880之间的四个多光敏层PV电池3810、3820、3830和3840的串联电耦合。PV电池3810、3820、3830和3840具有公共第一外衬底3850，PV电池3820和3830具有公共第二外衬底3851。另外，公共共用衬底3855沿串联连接的长度延伸；对于每一个PV电池，其对应于图7中程式化的实施方案的共用衬底3710。图8A的实施方案中所示的多光敏层PV电池3810、3820、3830和3840中的每一个都包括两个光敏层(例如PV电池3810中的光敏层3811和3812)和两个光电极(例如PV电池3810中的光电极3815和3816)。根据这个及其它相应实施方案的光敏层可以包括如本文以上论述的任何光敏材料和/或活性材料(例如第一活性材料、第二活性材料和/或一个或多个界面层)，光电极可以包括适合作为如本文所述的电极的任何衬底和/或导电材料。在一些实施方案中，光敏层和光电极的布置可以从电池到电池交替(例如用以建立串联电耦合)。例如，如图8A所示的，电池3810按照如下布置在共用外衬底之间：光电极-光敏层-共用衬底-光敏层-光电极，而电池3820呈现为其中相对于相邻电池3810交换了光电极与光敏层的布置，电池3830类似地呈现为其中相对于相邻电池3820交换了光电极与光敏层的布置(因此类似于电池3810布置)。图8A另外显示了多个透明导体(3801、3802、3803、3804、3805、3806、3807和3808)，其耦合到每一个公共衬底3850、3851和3855的部分，以便实现PV电池3810、3820、3830和3840的电耦合。另外，图8A显示了根据一些实施方案的PV电池串联到电池组(在此是锂离子电池组3860)的电耦合。这种耦合可以使得PV电池能够以类似于前述一些实施方案的混合PV电池组充电的方式给锂离子电池组充电。图8B是显示图8A的器件中得到的电流的电气等效线路图。
添加剂
如前所述，根据一些实施方案的PV和其它器件可以包括添加剂(其例如可以是乙酸、丙酸、三氟乙酸、鹅脱氧胆酸、脱氧胆酸、1,8-二碘辛烷和1,8-二硫辛烷中的任何一种或多种)。所述添加剂可以用作染料浸泡之前的预处理剂或与染料以各种比例混合以形成浸泡溶液。这些添加剂在一些实例中可以例如通过以下方式起作用：通过防止染料分子群集以增大染料溶解度，通过阻断开放活性位点，以及通过诱导染料分子中的分子排序。它们可以与任何适合的染料一起使用，所述染料包括根据本文所述的本公开内容的各个实施方案的光敏化合物。
复合钙钛矿材料器件设计
在一些实施方案中，本公开内容可以提供包括一种或多种钙钛矿材料的PV和其它类似器件(例如电池组、混合PV电池组、FET、LED等)的复合设计。钙钛矿材料可以包含到PV或其它器件的不同的一个或多个方面中。根据一些实施方案的钙钛矿材料可以具有通式CMX3，其中：C包括一种或多种阳离子(例如胺阳离子、铵阳离子、1族金属阳离子、2族金属阳离子和/或其它阳离子或类阳离子化合物)；M包括一种或多种金属(示例包括Fe、Co、Ni、Cu、Sn、Pb、Bi、Ge、Ti和Zr)；且X包括一种或多种阴离子。在一些实施方案中，C可以包括一种或多种有机阳离子。
在某些实施方案中，C可以包括铵，通式[NR4]+的有机阳离子，其中R基团可以是相同的或不同的基团。适合的R基团包括但不限于：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或其异构体；环状、支化或直链的任何烷烃、烯烃、或炔烃CxHy，其中x＝1-20，y＝1-42；烷基卤化物，CxHyXz，x＝1-20，y＝0-42，z＝1-42，X＝F、Cl、Br或I；任何芳香基团(如苯基、烷基苯基(alkylphenl)、烷氧基苯基、吡啶、萘)；其中至少一个氮包含在环中的环状络合物(如吡啶、吡咯、吡咯烷、哌啶、四氢喹啉)；任何含硫基团(如亚砜、硫醇、烷基硫醚)；任何含氮基团(氮氧化物(nitroxide)、胺)；任何含磷基团(磷酸盐或酯)；任何含硼基团(如硼酸)；任何有机酸(如乙酸、丙酸)；以及其酯或酰胺衍生物；任何氨基酸(如甘氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、谷氨酸、精氨酸、丝氨酸、组氨酸、5-铵戊酸(5-ammoniumvalericacid))，包括α、β、γ、和更大的衍生物；任何含硅基团(例如，硅氧烷)；和任何的烷氧基或基团-OCxHy，其中，x＝0-20，y＝1-42。
在某些实施方案中，C可以包括甲脒阳离子(formamidinium)，通式[R2NCHNR2]+的有机阳离子，其中，R基团可以是相同的或不同的基团。合适的R基团包括，但不限于：氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或其异构体；环状、支化或直链的任何烷烃、烯烃或炔烃CxHy，其中x＝1-20，y＝1-42；烷基卤化物，CxHyXz，x＝1-20，y＝0-42，z＝1-42，X＝F、Cl、Br或I；任何芳香基团(如苯基、烷基苯基、烷氧基苯基、吡啶、萘)；其中至少一个氮包含在环内的环状络合物(例如，咪唑、苯并咪唑、二氢嘧啶、(azolidinylidene甲基)吡咯烷、三唑)；任何含硫基团(如亚砜、硫醇、烷基硫醚)；任何含氮基团(氮氧化物、胺)；任何含磷基团(磷酸盐或酯)；任何含硼基团(例如，硼酸)；任何有机酸(乙酸、丙酸)及其酯或酰胺衍生物；任何氨基酸(例如，甘氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、谷氨酸、精氨酸、丝氨酸、组氨酸、5-铵戊酸)，包括α、β、γ和更大的衍生物；任何含硅基团(例如，硅氧烷)；和任何烷氧基或基团-OCxHy，其中x＝0-20，y＝1-42。
在某些实施方案中，C可以包括胍，通式[(R2N)2C＝NR2]+的有机阳离子，其中，R基团可以是相同的或不同的基团。合适的R基团包括，但不限于：氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或其异构体；环状、支化或直链的任何烷烃、烯烃或炔烃CxHy，其中x＝1-20，y＝1-42；烷基卤化物，CxHyXz，x＝1-20，y＝0-42，z＝1-42，X＝F、Cl、Br或I；任何芳香基团(如苯基、烷基苯基、烷氧基苯基、吡啶、萘)；其中至少一个氮包含在环内的环状络合物(例如，八氢嘧啶并[1,2-a]嘧啶、嘧啶并[1,2-a]嘧啶、六氢咪唑并[1,2-a]咪唑、六氢化嘧啶-2-亚胺)；任何含硫基团(如亚砜、硫醇、烷基硫醚)；任何含氮基团(氮氧化物、胺)；任何含磷基团(磷酸盐或酯)；任何含硼基团(如硼酸)；有机酸(乙酸、丙酸)和其酯或酰胺衍生物；任何氨基酸(如甘氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、谷氨酸、精氨酸、丝氨酸、组氨酸、5-铵戊酸)，包括α、β、γ和更大的衍生物；任何含硅基团(例如，硅氧烷)；和任何烷氧基或基团-OCxHy，其中x＝0-20，y＝1-42。
在某些实施方案中，C可以包括乙烯四胺阳离子，通式[(R2N)2C＝C(NR2)2]+的有机阳离子，其中，R基团可以是相同的或不同的基团。合适的R基团包括，但不限于：氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或其异构体；环状、支化或直链的任何烷烃、烯烃或炔烃CxHy，其中x＝1-20，y＝1-42；烷基卤化物，CxHyXz，x＝1-20，y＝0-42，z＝1-42，X＝F、Cl、Br或I；任何芳香基团(如苯基、烷基苯基、烷氧基苯基、吡啶、萘)；其中至少一个氮是包含在环内的环状络合物(例如，2-六氢嘧啶-2-亚基六氢嘧啶、八氢吡嗪[2,3-b]吡嗪、吡嗪[2,3-b]吡嗪、喹喔啉[2,3-b]喹喔啉)；任何含硫基团(如亚砜、硫醇、烷基硫醚)；任何含氮基团(氮氧化物、胺)；任何含磷基团(磷酸盐或酯)；任何含硼基团(如硼酸)；任何有机酸(乙酸、丙酸)和其酯或酰胺衍生物；任何氨基酸(如甘氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、谷氨酸、精氨酸、丝氨酸、组氨酸、5-铵戊酸)，包括α、β、γ、和更大的衍生物；任何含硅基团(例如，硅氧烷)；和任何烷氧基或基团-OCxHy，其中x＝0-20，y＝1-42。
在一些实施方案中，X可以包括一种或多种卤化物离子。在某些实施方案中，X可以替代地或另外包括16族阴离子。在某些实施方案中，16族阴离子可以是硫化物离子或硒化物离子。在一些实施方案中，每个有机阳离子C可以大于每个金属M，每个阴离子X均可能够与阳离子C和金属M结合。根据各种实施方案的钙钛矿材料的实例包括CsSnI3(本文在前论述的)和CsxSnyIz(其中x、y和z按照在前论述变化)。其它实例包括通式CsSnX3的化合物，其中，X可以是以下中的任意一种或多种：I3、I2.95F0.05；I2Cl；ICl2；和Cl3。在其它实施方案中，X可以包括I、Cl、F和Br中的任何一种或多种，其量使得X相比于Cs和Sn的总比例产生CsSnX3的总化学计量。在一些实施方案中，构成X的元素的组合化学计量可以遵循与在前针对CsxSnyIz所述的Iz相同的规则。再有其它的实例包括通式RNH3PbX3的化合物，其中，R可以是CnH2n+1，n的范围为0-10，X可以包括F、Cl、Br和I中的任意一种或多种，其量使得X相比于阳离子RNH3和金属Pb的总比例产生RNH3PbX3的总化学计量。此外，R的一些具体实例包括H；烷基链(例如，CH3、CH3CH2、CH3CH2CH2等等)；以及氨基酸(如甘氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、谷氨酸、精氨酸、丝氨酸、组氨酸、5-铵戊酸)，包括α、β、γ和更大的衍生物。
在一些实施方案中，钙钛矿材料可以作为活性材料包括在PV或其它器件中。例如，一种或多种钙钛矿材料可以充当一些实施方案的第一活性材料和第二活性材料中的任意一个或两个(例如图5的活性材料2810和2815)。在更一般的方面，本公开内容的一些实施方案提供了具有包含一种或多种钙钛矿材料的活性层的PV或其它器件。在这种实施方案中，钙钛矿材料(即包括任意一种或多种钙钛矿材料的材料)可以用于各种架构的活性层中。而且，钙钛矿材料可以提供活性层的任意一种或多种组分的功能(例如电荷传输材料、介孔材料、光敏材料和/或界面材料，以下更详细地论述其中的每一个)。在一些实施方案中，相同的钙钛矿材料可以提供多个这种功能；尽管在其它实施方案中，多种钙钛矿材料可以包括在器件中，每一种钙钛矿材料均提供一个或多个这种功能。在某些实施方案中，无论钙钛矿材料可以起到什么作用，它都可以以各种状态在器件中制备且/或存在。例如，在一些实施方案中它基本上是固态的。在其它实施方案中，它可以是溶液(例如钙钛矿材料可以溶解在液体中，并以其个别离子亚种(subspecie)存在于所述液体中)；或者它可以是悬浮液(例如钙钛矿材料粒子的悬浮液)。可以将溶液或悬浮液涂覆或以其它方式沉积在器件内(例如在器件的另一个组件上，例如介孔层、界面层、电荷传输层、光敏层或其它层上，且/或在电极上)。在一些实施方案中，钙钛矿材料可以在器件的另一个组件的表面上原位形成(例如作为薄膜固体借助气相沉积)。可以使用形成包含钙钛矿材料的固态或液态层的任何其它适合的手段。
通常，钙钛矿材料器件可以包括第一电极、第二电极和包含钙钛矿材料的活性层，所述活性层至少部分地布置在所述第一电极和所述第二电极之间。在一些实施方案中，第一电极可以是阳极和阴极之一，第二电极可以是阳极和阴极中的另一个电极。根据某些实施方案的活性层可以包括任意一种或多种活性层组分，包括以下中的任意一种或多种：电荷传输材料；液体电解质；介孔材料；光敏物质(如染料、硅、碲化镉、硫化镉、硒化镉、铜铟镓硒化物、砷化镓、磷化锗铟、半导体聚合物、其它光敏材料)；和界面材料。这些活性层组分中的任意一种或多种可以包括一种或多种钙钛矿材料。在一些实施方案中，活性层组分中的一些或全部可以整体或部分地布置在子层(sub-layer)中。例如，活性层可以包括以下中的任意一个或多个：包括界面材料的界面层；包括介孔材料的介孔层；和包括电荷传输材料的电荷传输层。在一些实施方案中，可以将光敏材料例如染料涂覆或以其它方式布置在这些层中的任意一个或多个上。在某些实施方案中，可以以液态电解质涂覆任意一个或多个层。此外，根据一些实施方案，界面层可以包括在活性层的任意两个或更多个其它层之间，和/或在层与涂层之间(例如在染料与介孔层之间)，和/或在两个涂层之间(例如在液态电解质和染料之间)，和/或在活性层组件与电极之间。本文中所提及的层可以包括最终排列(例如在器件内可分别限定的每一种材料的基本上离散的部分)，且/或所提及的层可以表示在器件构成过程中的排列，尽管有可能每一层中的材料随后相互混合。在一些实施方案中，层可以是离散的，包括基本上邻接的材料(例如，层可以如图1中样式化示出的)。在其它实施方案中，层可以基本上相互混合(如同例如BHJ、混合和一些DSSC电池的情况)，其一个实例借助图4中光敏层2616内的第一活性材料2618和第二活性材料2620示出。在一些实施方案中，器件可以包括两种这些层的混合物，其也如同图4的器件所示，其除了光敏层2616以外还包含离散的邻接层2627、2626和2622，所述光敏层2616包括第一活性材料2618和第二活性材料2620的相互混合层。在任何情况下，不论何种的任意两个或更多个层在某些实施方案中都可以相邻于彼此布置(和/或彼此相互混合地布置)，所述布置方式便于得到高接触表面积。在某些实施方案中，包含钙钛矿材料的层可以相邻于一个或多个其它层布置，以便得到高接触表面积(例如在钙钛矿材料展现出低电荷迁移率的情况下)。在其它实施方案中，高接触表面积不是必需的(例如，在钙钛矿材料展现高电荷迁移率的情况下)。
根据一些实施方案的钙钛矿材料器件可以任选地包括一个或多个衬底。在一些实施方案中，可以将第一电极和第二电极中的任意一个或二者涂覆或以其它方式布置在衬底上，以使得电极基本上布置在衬底与活性层之间。在各个实施方案中，器件的组分(例如衬底、电极、活性层和/或活性层组件)的材料可以整体或部分地是刚性或柔性的。在一些实施方案中，电极可以充当衬底，从而无需单独的衬底。
而且，根据某些实施方案的钙钛矿材料器件可以任选地包括捕光材料(例如，在捕光层中，例如如在图2中表示的示例性PV中所示的捕光层1601中)。此外，钙钛矿材料器件可以包括任意一种或多种添加剂，例如以上针对本公开内容的一些实施方案论述的添加剂中的任意一种或多种。
部分参考图9对可以包括在钙钛矿材料器件中的各种材料中的一些进行说明。图9是根据一些实施方案的钙钛矿材料器件3900的程式化图。尽管将器件3900的各个组件示出为包括邻接材料的离散的层，但应理解，图9是程式化图；因此，根据它的实施方案可以包括这种离散的层，和/或基本上相互混合的、非邻接的层，与本文前述的“层”的使用一致。器件3900包括第一衬底3901和第二衬底3913。将第一电极3902布置在第一衬底3901的内表面上，将第二电极3912布置在第二衬底3913的内表面上。活性层3950夹在两个电极3902和3912之间。活性层3950包括介孔层3904；第一光敏材料3906和第二光敏材料3908；电荷传输层3910和几个界面层。图9还例示了根据这样的实施方案的示例性器件3900，其中，活性层3950的子层由界面层分离，进一步地其中界面层布置在每一个电极3902和3912上。特别是，第二界面层3905、第三界面层3907和第四界面层3909分别布置在介孔层3904、第一光敏材料3906、第二光敏材料3908和电荷传输层3910中的每一个之间。第一界面层3903和第五界面层3911分别布置在(i)第一电极3902和介孔层3904之间；及(ii)电荷传输层3910和第二电极3912之间。因此，图9中所示的示例性器件的架构可以表征为：衬底-电极-活性层-电极-衬底。活性层3950的架构可以表征为：界面层-介孔层-界面层-光敏材料-界面层-光敏材料-界面层-电荷传输层-界面层。如前提及的，在一些实施方案中，界面层不必存在；或者一个或多个界面层可以仅包括在器件的活性层和/或组件中的某些但不是全部组件之间。
衬底，例如第一衬底3901和第二衬底3913中的任意一个或二者，可以是柔性或刚性的。如果包括两个衬底，那么至少一个应对于电磁(EM)辐射(例如UV辐射、可见光辐射、或IR辐射)是透明或半透明的。如果包括一个衬底，那么它可以类似地是透明或半透明的；尽管它不必是，只要器件的一部分允许EM辐射接触活性层3950即可。适合的衬底材料包括以下中的任意一种或多种：玻璃；蓝宝石；氧化镁(MgO)；云母；聚合物(如PET、PEG、聚丙烯、聚乙烯等)；陶瓷；织物(如棉、丝、羊毛)；木材；干式墙(drywall)；金属；以及它们的组合。
如前提及的，电极(例如图9的电极3902和3912之一)可以是阳极或阴极。在一些实施方案中，一个电极可以起到阴极的作用，另一个电极可以起到阳极的作用。可以将电极3902和3912中的任意一个或二者耦合到引线、电缆、导线或者能够将电荷传输至器件3900和/或将电荷自器件3900传输的其它装置。电极可以构成任何导电材料，至少一个电极对于EM辐射应是透明或半透明的，且/或以允许EM辐射接触活性层3950的至少一部分的方式布置。适合的电极材料可以包括以下中的任何一种或多种：氧化铟锡或掺锡氧化铟(ITO)；掺氟氧化锡(FTO)；氧化镉(CdO)；氧化锌铟锡(ZITO)；铝锌氧化物(AZO)；铝(Al)；金(Au)；钙(Ca)；镁(Mg)；钛(Ti)；钢；碳(和其同素异形体)；及其组合。
介孔材料(例如图9的介孔层3904中所包括的材料)可以包括任何含孔的材料。在一些实施方案中，孔可以具有在约1至约100nm范围内的直径；在其它实施方案中，孔直径范围可为从约2到约50nm。合适的介孔材料包括以下中的任何一种或多种：本文其它部分论述的任何界面材料和/或介孔材料；铝(Al)；铋(Bi)；铟(In)；钼(Mo)；铌(Nb)；镍(Ni)；硅(Si)；钛(Ti)；钒(V)；锌(Zn)；锆(Zr)；前述金属中的任何一种或多种的氧化物(如氧化铝、二氧化铈、二氧化钛、氧化锌、氧化锆等)；前述金属中的任何一种或多种的硫化物；前述金属中的任何一种或多种的氮化物；及其组合。
光敏材料(例如，图9的第一光敏材料3906或第二光敏材料3908)可以包括任何光敏化合物，例如硅(在某些情况下，单晶硅)、碲化镉、硫化镉、硒化镉、铜铟镓硒化物、砷化镓、锗铟磷化物、一种或多种半导体聚合物、以及它们的组合中的任何一种或多种。在某些实施方案中，光敏材料可以替代地或另外包括染料(例如，N719、N3、其它钌基染料)。在一些实施方案中，可将染料(无论任何组成的染料)涂覆在另一层(例如，介孔层和/或界面层)上。在一些实施方案中，光敏材料可以包含一种或多种钙钛矿材料。含钙钛矿材料的光敏物质可以是固体形式的，或在一些实施方案中，它可以采取包括含钙钛矿材料的悬浮液或溶液的染料的形式。可以将这种溶液或悬浮液以类似于其它染料的方式涂覆到其它器件组件上。在一些实施方案中，可以借助任何合适的方法(例如，气相沉积、溶液沉积、固体材料的直接放置等)沉积固态含钙钛矿的材料。根据各个实施方案的器件可以包括一种、二种、三种或更多种的光敏化合物(例如，一种、两种、三种或更多种的钙钛矿材料、染料、或它们的组合)。在包括多种染料或其它光敏材料的某些实施方案中，两种或更多种染料或其它光敏材料中的每一种都可以由一个或多个界面层分离。在一些实施方案中，多种染料和/或光敏化合物可以至少部分相互混合。
电荷传输材料(例如，图9中的电荷传输层3910的电荷传输材料)可以包括固态电荷传输材料(即，通俗标记的固态电解质)，或者它可以包括液体电解质和/或离子液体。液体电解质、离子液体和固态电荷传输材料中的任意一种都可以被称为电荷传输材料。此处所用的“电荷传输材料”指的是能够收集电荷载流子和/或传输电荷载流子的任何材料、固体、液体或其它物质。例如，在根据一些实施方案的PV器件中，电荷传输材料能够将电荷载流子传输到电极。电荷载流子可以包括空穴(其传输可以使得电荷传输材料正好被适当标记为“空穴传输材料”)和电子。可以向阳极传输空穴，可以向阴极传输电子，这取决于电荷传输材料相对于PV或其它器件中阴极或阳极的位置。根据一些实施方案的电荷传输材料的适合的实例可以包括以下中的任意一种或多种：钙钛矿材料；I-/I3 -；钴络合物；聚噻吩(例如，聚(3-己基噻吩)及其衍生物，或P3HT)；咔唑基共聚物，例如聚十七烷基咔唑联硫环戊二烯苯并噻二唑(polyheptadecanylcarbazoledithienylbenzothiadiazole)及其衍生物(例如，PCDTBT)；其它共聚物，例如聚环戊二噻吩-苯并噻二唑以及它们的衍生物(例如，PCPDTBT)；聚(三芳基胺)化合物及其衍生物(例如，PTAA)；螺-OMeTAD；富勒烯和/或富勒烯衍生物(例如，C60、PCBM)；以及它们的组合。在某些实施方案中，电荷传输材料可以包括能够收集电荷载流子(电子或空穴)的且/或能够传输电荷载流子的固态或液态的任何材料。因此，一些实施方案的电荷传输材料可以是n-型或p-型活性和/或半导电材料。电荷传输材料可以被布置靠近器件的一个电极。一些实施方案中，它可以相邻于电极布置，尽管在其它实施方案中，界面层可布置在电荷传输材料与电极之间(如例如图9中以第五界面层3911显示的)。在某些实施方案中，电荷传输材料的类型可以根据其所靠近的电极来选择。例如，如果电荷传输材料收集和/或传输空穴，它可以靠近阳极，以便将空穴传输到阳极。然而，电荷传输材料可以代之以被布置靠近阴极，且被选择或构造以便将电子传输到阴极。
如前提及的，根据各种实施方案的器件可以任选地包括在任何两个其它层和/或材料之间的界面层，尽管根据一些实施方案的器件不必包含任何界面层。因此，例如，钙钛矿材料器件可包含零个、一个、二个、三个、四个、五个或更多个界面层(例如图9的示例性器件，其包含五个界面层3903、3905、3907、3909和3911)。界面层可以包括根据本文前述实施方案的薄涂层界面层(例如，包括氧化铝和/或其它金属-氧化物颗粒，和/或二氧化钛/金属-氧化物双层，和/或根据本文其它部分所述的薄涂层界面层的其它化合物)。根据一些实施方案的界面层可以包括任何适合于增强在两个层或材料之间的电荷传输和/或收集的材料；它也可以帮助防止或减少一旦电荷被传输远离相邻于界面层的材料之一时电荷重组的可能性。合适的界面材料可以包括以下中的任何一种或多种：本文其它部分所述的任何介孔材料和/或界面材料；Al；Bi；In；Mo；Ni；铂(Pt)；Si；Ti；V；Nb；Zn；Zr；任何上述金属的氧化物(如氧化铝、二氧化硅、二氧化钛)；任何上述金属的硫化物；任何上述金属的氮化物；官能化或非官能化的烷基甲硅烷基；石墨；石墨烯；富勒烯；碳纳米管；以及它们的组合(在一些实施方案中，包括组合材料的双层)。在一些实施方案中，界面层可以包括钙钛矿材料。
根据图9的程式化表示的器件在一些实施方案中可以是PV，例如DSSC、BHJ或混合太阳能电池。在一些实施方案中，根据图9的器件可以构成并联或串联的多单元PV、电池组、混合PV电池组、FET、LED和/或本文所述的任何其它器件。例如，一些实施方案的BHJ可以包括对应于电极3902和3912的两个电极，和在异质结界面中包括至少两种材料的活性层(例如活性层3950的材料和/或层中的任意两个)。在某些实施方案中，其它器件(例如混合PV电池组、并联或串联多单元PV等)可以包括包含钙钛矿材料的活性层，其对应于图9的活性层3950。简言之，图9的示范性器件的图示的程式化性质绝不应限制根据图9的各种实施方案的器件的可允许结构或架构。
将按照示例性器件的进一步的程式化图示来论述钙钛矿器件的另外的更具体的示例性实施方案。图10-11的这些图示的程式化性质类似地并非旨在限制在一些实施方案中可以根据图10-11中的任意一个或多个构造的器件的类型。即，可以对图10-11中展现的架构根据任何合适的手段(包括本文其它部分明确论述的那些及其它适合的手段，其对于受益于本公开内容的本领域技术人员而言是清楚易见的)进行适应性修改以提供本公开内容的其它实施方案的BHJ、电池组、FET、混合PV电池组、串联多单元PV、并联多单元PV及其它类似的器件。
图10示出了根据各个实施方案的示例性器件4100。器件4100例示了包括第一玻璃衬底4101和第二玻璃衬底4109的实施方案。每一个玻璃衬底都具有布置在其内表面上的FTO电极(分别为第一电极4102和第二电极4108)，每一个电极都具有沉积在其内表面上的界面层：将TiO2第一界面层4103沉积在第一电极4102上，将Pt第二界面层4107沉积在第二电极4108上。夹在两界面层之间的是：介孔层4104(包括TiO2)；光敏材料4105(包括钙钛矿材料MAPbI3)；和电荷传输层4106(在此包括CsSnI3)。
图11示出了省略了介孔层的示例性器件4300。器件4300包括夹在第一界面层4303和第二界面层4305之间(分别包括二氧化钛和氧化铝)的钙钛矿材料光敏化合物4304(包括MAPbI3)。将二氧化钛界面层4303涂覆在FTO第一电极4302上，又将所述FTO第一电极4302布置在玻璃衬底4301的内表面上。将螺-OMeTAD电荷传输层4306涂覆在氧化铝界面层4305上，并布置在金第二电极4307的内表面上。
如同对于受益于本公开内容的本领域普通技术人员而言清楚易见的，各个其它实施方案是可能的，例如有多个光敏层的器件(例如由图9的示例性器件的光敏层3906和3908例示的)。在一些实施方案中，如上面所论述的，每个光敏层都可以由界面层(如图9中第三界面层3907所示)分离。此外，介孔层可以布置在电极上，例如如图9中布置在第一电极3902上的介孔层3904所示的。虽然图9示出了布置于两者之间的居间界面层3903，但在一些实施方案中，介孔层可以直接布置在电极上。
另外的钙钛矿材料器件实例
其它示例性钙钛矿材料器件架构对于受益于本公开内容的本领域技术人员而言是清楚易见的。实例包括但不限于，含具有以下架构中任一种的活性层的器件：(1)液体电解质-钙钛矿材料-介孔层；(2)钙钛矿材料-染料-介孔层；(3)第一钙钛矿材料-第二钙钛矿材料-介孔层；(4)第一钙钛矿材料-第二钙钛矿材料；(5)第一钙钛矿材料-染料-第二钙钛矿材料；(6)固态电荷传输材料-钙钛矿材料；(7)固态电荷传输材料-染料-钙钛矿材料-介孔层；(8)固态电荷传输材料-钙钛矿材料-染料-介孔层；(9)固态电荷传输材料-染料-钙钛矿材料-介孔层；及(10)固态电荷传输材料-钙钛矿材料-染料-介孔层。每个示例性架构的各个组件(例如，介孔层、电荷传输材料等)可以按照以上针对每一个组件所论述的。此外，以下更详细地论述每一个示例性架构。
作为上述活性层中的一些的具体实例，在一些实施方案中，活性层可以包括液体电解质、钙钛矿材料和介孔层。某些此类实施方案的活性层基本上可以具有架构：液体电解质-钙钛矿材料-介孔层。任何液体电解质都可以是合适的；任何介孔层(例如，TiO2)都可以是合适的。在一些实施方案中，可以将钙钛矿材料沉积在介孔层上，并在其上涂覆有液体电解质。一些这种实施方案的钙钛矿材料可以至少部分地充当染料(因此，它可以是光敏的)。
在其它示例性实施方案中，活性层可以包括钙钛矿材料、染料和介孔层。某些这类实施方案的活性层基本上可以具有架构：钙钛矿材料-染料-介孔层。可以将染料涂覆在介孔层上，可以将钙钛矿材料布置在涂覆有染料的介孔层上。在某些此类实施方案中，钙钛矿材料可以起到空穴传输材料的作用。
在另外其它的示例性实施方案中，活性层可以包括第一钙钛矿材料、第二钙钛矿材料和介孔层。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：第一钙钛矿材料-第二钙钛矿材料-介孔层。第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料可以各自包括相同的一种或多种钙钛矿材料，或者它们可以包含不同的钙钛矿材料。第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料中的任意一个可以是光敏的(例如，此类实施方案的第一钙钛矿材料和/或第二钙钛矿材料可以至少部分地起到染料的作用)。
在某些示例性实施方案中，活性层可以包括第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：第一钙钛矿材料-第二钙钛矿材料。第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料可以各自包括相同的一种或多种钙钛矿材料，或者它们可以包括不同的钙钛矿材料。第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料中的任意一个可以是光敏的(例如，此类实施方案的第一钙钛矿材料和/或第二钙钛矿材料可以至少部分地起到染料的作用)。此外，第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料中的任意一个都能够起到空穴传输材料的作用。在一些实施方案中，第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料之一起到电子传输材料的作用，第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料中的另一个起到染料的作用。在一些实施方案中，可以将第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料以达到第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料之间的高界面面积的方式布置在活性层内，例如图5中为第一活性材料2810和第二活性材料2815分别示出的布置中的(或者图4中由p-型材料2618和n-型材料2620分别类似示出的)。
在其它的示例性实施方案中，活性层可以包括第一钙钛矿材料、染料和第二钙钛矿材料。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：第一钙钛矿材料-染料-第二钙钛矿材料。第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料中的任意一种可以起到电荷传输材料的作用，第一钙钛矿材料和第二类钙钛矿材料中的另一种可以起到染料的作用。在一些实施方案中，第一钙钛矿材料和第二钙钛矿材料二者都可以至少部分地提供重叠、相似和/或相同的功能(例如，两者都可以充当染料和/或两者都可以充当空穴传输材料)。
在一些其它示例性实施方案中，活性层可以包括固态电荷传输材料和钙钛矿材料。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：固态电荷传输材料-钙钛矿材料。例如，可以将钙钛矿材料和固态电荷传输材料以达到高界面面积的方式布置在活性层中，例如图5中为第一活性材料2810和第二活性材料2815分别示出的布置中的(或者图4中由p-型材料2618和n-型材料2620分别类似示出的)。
在其它示例性实施方案中，活性层可以包括固态电荷传输材料、染料、钙钛矿材料和介孔层。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：固态电荷传输材料-染料-钙钛矿材料-介孔层。某些其它此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：固态电荷传输材料-钙钛矿材料-染料-介孔层。一些实施方案中的钙钛矿材料可以充当第二染料。在这种实施方案中，钙钛矿材料增大由包括这种实施方案的活性层的PV或其它器件所吸收的可见光的光谱的宽度。在某些实施方案中，钙钛矿材料还可以或替代地充当在染料和介孔层之间以及/或者在染料和电荷传输材料之间的界面层。
在一些示例性实施方案中，活性层可以包括液体电解质、染料、钙钛矿材料和介孔层。某些此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：固态电荷传输材料-染料-钙钛矿材料-介孔层。某些其它此类实施方案中的活性层基本上可以具有架构：固态电荷传输材料-钙钛矿材料-染料-介孔层。钙钛矿材料可以充当光敏材料、界面层和/或它们的组合。
一些实施方案提供包括钙钛矿材料的BHJ PV器件。例如，一些实施方案的BHJ可以包括光敏层(例如，图3的光敏层2404)，其可以包含一种或多种钙钛矿材料。这种BHJ的光敏层还可以或者替代地包括以上针对DSSC活性层论述的以上列出的示例性组件中的任意一个或多个。此外，在一些实施方案中，BHJ光敏层可以具有根据上述DSSC活性层的任意一种示例性实施方案的架构。
在一些实施方案中，任何PV或其它类似器件可以包括根据上述成分和/或架构中的任意一个或多个的活性层。例如，包括钙钛矿材料的活性层可以被包括在混合PV电池组中，例如，作为在图6中所示的示例性混合PV电池组中的PV活性层3603和/或作为图6的电池组活性层3605。作为另一个示例性实施方案，包括钙钛矿材料的活性层可以包括在多光敏层PV电池中，例如图7的程式化图中所示的示例性电池的第一光敏层3701和第二光敏层3705中的任意一个或二者。包括具有钙钛矿材料的活性层的这个多光敏层PV电池可以进一步包含在一系列电耦合的多光敏层PV电池中(在一些实施方案中，根据例如图8A中所示的结构)。
在一些实施方案中，本文所述的包含在PV或其它器件中的包括钙钛矿材料的任何活性层可以进一步包括本文论述为适合于包含在活性层中的任意各种另外的材料。例如，包括钙钛矿材料的任何活性层可以进一步包括根据本文所述各个实施方案的界面层(例如，薄涂层界面层)。作为进一步的实例，包括钙钛矿材料的活性层可以进一步包括捕光层，例如图2所示的示例性PV中所示的捕光层1601。
因此，本发明非常适于达到所提及的目的和优点，以及那些在其中所固有的优点。以上公开的具体实施方案仅是示例说明性的，因为可以对本发明以对于受益于本文教导的本领域技术人员而言清楚易见的不同但等效的方式加以修改和实践。此外，除了在所附权利要求书中所述的以外，没有任何意图局限于本文所示的结构或设计的细节。因此，显然，可以对以上公开的具体示例性实施方案改变或修改，所有此类变化都被认为在本发明的范围和精神内。特别是，本文公开的(“从约a到约b”，或者等效地，“从约a到b”，或者等效地，“从约a-b”形式的)数值的每一个范围应理解为指代数值的各自范围的幂集(全部子集的集合)，阐述了包括在数值的较宽范围内的每一个范围。此外，权利要求书中的术语具有其平常普通的含义，除非由专利权人另外明确且清楚地限定了。

Claims (18)

1.光伏器件，包括：
第一电极；
第二电极；和
活性层，所述活性层至少部分地布置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述活性层包含：NiO、钙钛矿材料和布置在所述第二电极与所述NiO之间的ZnO界面层，其中，所述钙钛矿材料具有式CMX3，并布置在所述NiO与所述ZnO之间，且还相邻于所述NiO和所述ZnO，并与所述NiO和所述ZnO接触；
其中，C包括一种或多种阳离子，所述阳离子各自选自：1族金属阳离子、2族金属阳离子、有机阳离子及其组合；
其中，M包括一种或多种金属，所述金属各自选自：Fe、Co、Ni、Cu、Sn、Pb、Bi、Ge、Ti、Zn及其组合；且
其中，X包括一种或多种阴离子，所述阴离子各自选自：卤化物离子、硫化物离子、硒化物离子及其组合。
2.根据权利要求1所述的光伏器件，其中C是甲基铵阳离子，M是Pb，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
3.根据权利要求1所述的光伏器件，其中C是甲基铵阳离子，M是Sn，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
4.根据权利要求1所述的光伏器件，其中C是甲脒阳离子，M是Pb，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
5.根据权利要求1所述的光伏器件，其中C是甲脒阳离子，M是Sn，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
6.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述NiO是介孔材料。
7.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述NiO构成界面层的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述NiO靠近所述第一电极，所述ZnO靠近所述第二电极；且进一步地，其中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极。
9.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述ZnO是介孔材料。
10.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，所述NiO靠近所述第一电极，所述ZnO靠近所述第二电极；且进一步地，其中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极。
11.根据权利要求1所述的光伏器件，进一步包括电荷传输材料，所述电荷传输材料包括P3HT。
12.光伏器件，包括：
第一电极；
第二电极；和
活性层，所述活性层至少部分地布置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述活性层包含：
第一界面层，包括NiO；
第二界面层，包括ZnO；
电荷传输材料，所述电荷传输材料布置在相邻于所述NiO且与所述NiO接触；和
光敏层，所述光敏层布置在所述第二界面层与所述第一界面层之间，并且相邻于所述第二界面层和所述第一界面层且与所述第二界面层和所述第一界面层接触，所述光敏层包括钙钛矿，所述钙钛矿具有式CMX3；
其中，C包括一种或多种阳离子，所述阳离子各自选自：1族金属阳离子、2族金属阳离子、有机阳离子及其组合；
其中，M包括一种或多种金属，所述金属各自选自：Fe、Co、Ni、Cu、Sn、Pb、Bi、Ge、Ti、Zn及其组合；且
其中，X包括一种或多种阴离子，所述阴离子各自选自：卤化物离子、硫化物离子、硒化物离子及其组合。
13.根据权利要求12所述的光伏器件，其中C是甲基铵阳离子，M是Pb，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
14.根据权利要求12所述的光伏器件，其中C是甲基铵阳离子，M是Sn，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
15.根据权利要求12所述的光伏器件，其中C是甲脒阳离子，M是Pb，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
16.根据权利要求12所述的光伏器件，其中C是甲脒阳离子，M是Sn，且其中X包括一种或多种卤化物离子。
17.根据权利要求12所述的光伏器件，其中：
所述第一界面层比所述第二界面层更靠近所述第一电极；
所述第二界面层比所述第一界面层更靠近所述第二电极；且
所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极。
18.根据权利要求12所述的光伏器件，其中所述电荷传输材料包括P3HT。
CN201480074039.6A 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料 Active CN105934807B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710705222.7A CN107437466A (zh) 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361909168P 2013-11-26 2013-11-26
US61/909,168 2013-11-26
US201361913665P 2013-12-09 2013-12-09
US61/913,665 2013-12-09
US14/209,013 2014-03-13
US14/209,013 US9136408B2 (en) 2013-11-26 2014-03-13 Perovskite and other solar cell materials
US14/448,053 2014-07-31
US14/448,053 US9331292B2 (en) 2013-11-26 2014-07-31 Perovskite and other solar cell materials
PCT/US2014/067024 WO2015080990A1 (en) 2013-11-26 2014-11-24 Perovskite and other solar cell materials

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710705222.7A Division CN107437466A (zh) 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105934807A CN105934807A (zh) 2016-09-07
CN105934807B true CN105934807B (zh) 2017-09-12

Family

ID=53181619

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480074039.6A Active CN105934807B (zh) 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料
CN201710705222.7A Pending CN107437466A (zh) 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710705222.7A Pending CN107437466A (zh) 2013-11-26 2014-11-24 钙钛矿和其它太阳能电池材料

Country Status (12)

Country Link
US (11) US9136408B2 (zh)
EP (2) EP3780128A1 (zh)
JP (1) JP2017504188A (zh)
KR (6) KR102644072B1 (zh)
CN (2) CN105934807B (zh)
AU (6) AU2014354911B2 (zh)
BR (1) BR112016011873B1 (zh)
CA (2) CA2931692C (zh)
ES (1) ES2847398T3 (zh)
MX (2) MX364267B (zh)
PL (1) PL3075012T3 (zh)
WO (1) WO2015080990A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108963032A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 暨南大学 基于碱金属离子和碱土金属离子掺杂的双面无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2510073B1 (en) * 2009-12-08 2017-07-05 Omnipv, Inc. Luminescent materials that emit light in the visible range or the near infrared range and methods of forming thereof
US9181475B2 (en) 2012-02-21 2015-11-10 Northwestern University Photoluminescent compounds
US9136408B2 (en) 2013-11-26 2015-09-15 Hunt Energy Enterprises, Llc Perovskite and other solar cell materials
US9425396B2 (en) 2013-11-26 2016-08-23 Hunt Energy Enterprises L.L.C. Perovskite material layer processing
US9812660B2 (en) 2013-12-19 2017-11-07 Nutech Ventures Method for single crystal growth of photovoltaic perovskite material and devices
US9583724B2 (en) 2013-12-19 2017-02-28 Nutech Ventures Systems and methods for scalable perovskite device fabrication
US9966198B2 (en) * 2014-04-24 2018-05-08 Northwestern University Solar cells with perovskite-based light sensitization layers
US10181621B2 (en) * 2014-05-20 2019-01-15 Hydro-Quebec Electrode for photobattery
US9614169B2 (en) * 2014-06-30 2017-04-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Back contact perovskite solar cell
US10297754B2 (en) * 2014-08-01 2019-05-21 International Business Machines Corporation Techniques for perovskite layer crystallization
GB201421133D0 (en) * 2014-11-28 2015-01-14 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
GB2536862A (en) * 2014-12-19 2016-10-05 Bangor Univ Solar cells
US10062922B2 (en) * 2015-01-26 2018-08-28 University Of Dayton Lithium batteries having artificial solid electrolyte interphase membrane for anode protection
WO2016123399A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-04 Nutech Ventures Systems and methods for fabricating single crystal photovoltaic perovskite materials and devices incorporating the same
WO2016143526A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 富士フイルム株式会社 光電変換素子、太陽電池および組成物
US10005800B2 (en) * 2015-03-12 2018-06-26 Korea Research Institute Of Chemical Technology Mixed metal halide perovskite compound and semiconductor device including the same
WO2016200897A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-15 The Florida State University Research Foundation, Inc. Single-layer light-emitting diodes using organometallic halide perovskite/ionic-conducting polymer composite
KR102463735B1 (ko) * 2015-06-22 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
PL3320571T3 (pl) * 2015-07-10 2021-02-08 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. Przetwarzanie warstwy materiału perowskitowego
WO2017031021A1 (en) * 2015-08-14 2017-02-23 Massachusetts Institute Of Technology Perovskite solar cells including semiconductor nanomaterials
WO2017031373A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-23 Massachusetts Institute Of Technology Planar mixed-metal perovskite for optoelectronic applications
WO2017033092A1 (en) 2015-08-24 2017-03-02 King Abdullah University Of Science And Technology Solar cells, structures including organometallic halide perovskite monocrystalline films, and methods of preparation thereof
FR3044827B1 (fr) * 2015-12-04 2018-03-16 Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs - Cellule photovoltaique
JP6431513B2 (ja) * 2015-12-24 2018-11-28 旭化成株式会社 組成物
JP7021782B2 (ja) * 2016-04-22 2022-02-17 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機－無機ハイブリッドペロブスカイトナノ結晶およびそれを作製する方法
US10892106B2 (en) 2016-05-13 2021-01-12 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Highly stable electronic device employing hydrophobic composite coating layer
JP2019521531A (ja) * 2016-07-07 2019-07-25 ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー 太陽電池用のペロブスカイトに接触する不動態化バリア層
EP3279960A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-07 Aalto University Foundation Method for inkjet printing an organic-inorganic perovskite
JP7016806B2 (ja) * 2016-09-14 2022-02-07 積水化学工業株式会社 フレキシブル太陽電池
JP7088837B2 (ja) * 2016-09-21 2022-06-21 積水化学工業株式会社 太陽電池
KR101701192B1 (ko) 2016-12-05 2017-02-01 인천대학교 산학협력단 투명 광전 소자 및 그 제조 방법
CN106653927B (zh) * 2016-12-23 2018-01-02 济南大学 一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法
WO2018152494A1 (en) * 2017-02-17 2018-08-23 Nutech Ventures Passivation of defects in perovskite materials for improved solar cell efficiency and stability
US10587221B2 (en) 2017-04-03 2020-03-10 Epic Battery Inc. Modular solar battery
US10457148B2 (en) 2017-02-24 2019-10-29 Epic Battery Inc. Solar car
KR101969918B1 (ko) * 2017-03-15 2019-04-17 한국과학기술연구원 광안정성이 증가된 유기태양전지 및 이의 제조방법
US10249782B2 (en) 2017-03-24 2019-04-02 International Business Machines Corporation High voltage photovoltaics integrated with light emitting diode containing zinc oxide containing layer
US12046425B2 (en) * 2017-04-14 2024-07-23 Cubicpv Inc. Photovoltaic device encapsulation
US9880458B1 (en) 2017-04-17 2018-01-30 Hee Solar, L.L.C. Hybrid perovskite material processing
US11316484B2 (en) * 2017-05-25 2022-04-26 Boise State University Optically gated transistor selector for variable resistive memory device
US10700226B2 (en) * 2017-05-25 2020-06-30 Boise State University Optically activated transistor, switch, and photodiode
WO2019036093A2 (en) * 2017-06-14 2019-02-21 Nutech Ventures, Inc. COATING OF PEROVSKITE GRAINS WITH SILICA SHELLS TO IMPROVE THE STABILITY AND EFFICIENCY OF ELECTRONIC DEVICES BASED ON PEROVSKITE
US11653555B2 (en) * 2017-09-01 2023-05-16 King Abdullah University Of Science And Technology Methods and apparatuses for fabricating perovskite-based devices on cost-effective flexible conductive substrates
WO2019067900A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Brown University DOUBLE TITANIUM (IV) BASED HALIDE BANDS WITH ADJUSTABLE 1.0-1.8 EV BANDS FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
CN109599270B (zh) * 2017-09-30 2020-08-11 清华大学 一种光电自储能器件的制备方法
WO2019075570A1 (en) * 2017-10-19 2019-04-25 The Governing Council Of The University Of Toronto QUASI BIDIMENSIONAL LAMINATE PÉROVSKITE MATERIAL, RELATED DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME
US10553367B2 (en) * 2017-10-20 2020-02-04 Qatar Foundation Photovoltaic perovskite oxychalcogenide material and optoelectronic devices including the same
CN108123045A (zh) * 2017-12-19 2018-06-05 广东工业大学 一种无铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2019210263A1 (en) * 2018-04-26 2019-10-31 California Institute Of Technology Multi-junction photovoltaic cell having wide bandgap oxide conductor between subcells and method of making same
KR102087859B1 (ko) * 2018-07-17 2020-03-12 한국화학연구원 신규 캐소드 버퍼층 소재, 및 이를 포함하는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자
KR102108191B1 (ko) * 2018-10-29 2020-05-08 한국과학기술연구원 2차원 물질로 패시베이션된 할라이드 페로브스카이트 기반 광전소자
FR3088344B1 (fr) 2018-11-09 2021-04-09 Commissariat Energie Atomique Procede pour la formation d’une electrode transparente
CN113383436A (zh) * 2019-01-30 2021-09-10 纽泰克温图斯公司 将卤化物钙钛矿表面转化为不溶性宽带隙铅氧盐以增强太阳能电池的稳定性
US10727428B1 (en) * 2019-02-01 2020-07-28 Natioinal Technology & Engineering Solutions Of Sa Organic-semiconducting hybrid solar cell
WO2020188751A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社 東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
TWI723434B (zh) 2019-06-21 2021-04-01 位速科技股份有限公司 複合光伏結構及其製造方法
US11489082B2 (en) 2019-07-30 2022-11-01 Epic Battery Inc. Durable solar panels
FR3102887B1 (fr) 2019-11-05 2022-06-24 Commissariat Energie Atomique Couche N à taux de carbone contrôlé dans un dispositif photovoltaïque de type pérovskite
FR3104816A1 (fr) 2019-12-12 2021-06-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Couche composite pérovskite/matériau de type P ou de type N dans un dispositif photovoltaïque
AU2021215857A1 (en) 2020-02-04 2022-08-25 Ubiquitous Energy, Inc. Compound charge transport layer for organic photovoltaic devices
US11702589B1 (en) * 2020-03-09 2023-07-18 University Of South Florida Electrochemical cells for harvesting and storing energy and devices including the same
JP2023522296A (ja) * 2020-03-20 2023-05-30 ガーミン スウィッツァランド ゲーエムベーハー 携帯電子装置用のマルチセル光起電力
WO2022006164A1 (en) * 2020-06-30 2022-01-06 The University Of North Carolina At Chapel Hill Lead absorbing materials for the sequestration of lead in perovskite solar cells
KR102231326B1 (ko) * 2020-09-07 2021-03-24 한국전자기술연구원 태양전지-배터리 일체형 디바이스 및 그의 제조방법
FR3115928B1 (fr) 2020-11-05 2023-05-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaïque tandem combinant une sous-cellule à base de silicium et une sous-cellule à base de pérovskite comportant une couche N à taux de carbone contrôlé
FR3115929B1 (fr) 2020-11-05 2023-09-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaïque tandem combinant une sous-cellule à base de silicium et une sous-cellule à base de pérovskite comportant une couche composite pérovskite/matériau de type P ou N
CN112993157B (zh) * 2021-02-04 2022-09-02 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) 一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法
EP4443743A2 (en) 2021-06-16 2024-10-09 Conti Innovation Center, LLC Solar module racking system
WO2023000092A1 (en) * 2021-07-19 2023-01-26 De La Fuente Sanchez Alfonso Photovoltaic window blind system
CN113921711B (zh) * 2021-09-30 2024-08-02 华中科技大学 一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法
KR102653690B1 (ko) * 2021-10-28 2024-04-03 한국전자기술연구원 태양전지 배터리 일체형 디바이스 및 그의 제조방법
CN118556452A (zh) * 2021-11-16 2024-08-27 俄罗斯国立科技大学莫斯科钢铁合金研究所 制造薄膜半导体光电转换器的方法
TWI773596B (zh) * 2021-11-24 2022-08-01 國立清華大學 無鉛金屬鹵化物憶阻器及其用途
CN114262608B (zh) * 2022-01-06 2023-05-16 郑州大学 一种具有多重响应圆偏振发光mof-钙钛矿材料及其应用
CN118405726A (zh) * 2024-06-26 2024-07-30 北京卫蓝新能源科技股份有限公司 一种具有氧离子导体和氧空位变价金属氧化物的复合材料及其锂电池

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103078014A (zh) * 2013-01-29 2013-05-01 上海交通大学 铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1270828B (it) * 1993-09-03 1997-05-13 Chon Int Co Ltd Processo per la sintesi di polveri ceramiche cristalline di composti di perovskite
JP2000101106A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子用半導体膜の製造方法、光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池
US6429318B1 (en) * 2000-02-07 2002-08-06 International Business Machines Corporaiton Layered organic-inorganic perovskites having metal-deficient inorganic frameworks
WO2001073865A2 (en) * 2000-03-24 2001-10-04 Cymbet Corporation Continuous processing of thin-film batteries and like devices
US6599447B2 (en) 2000-11-29 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Zirconium-doped BST materials and MOCVD process forming same
US7105360B2 (en) * 2002-03-08 2006-09-12 International Business Machines Corporation Low temperature melt-processing of organic-inorganic hybrid
US20050150542A1 (en) * 2004-01-13 2005-07-14 Arun Madan Stable Three-Terminal and Four-Terminal Solar Cells and Solar Cell Panels Using Thin-Film Silicon Technology
KR101025551B1 (ko) * 2004-06-15 2011-03-29 다이솔 엘티디 표면적 전체를 활용하는 광전지 모듈
EP1777205B1 (en) 2004-06-24 2013-04-17 Universal Entertainment Corporation Method for producing perovskite complex oxide
US7196366B2 (en) * 2004-08-05 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
KR101001744B1 (ko) * 2004-12-27 2010-12-15 삼성전자주식회사 탄소 나노 튜브를 이용한 광전 변환 전극 및 이를 구비한태양 전지
US20070028961A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 General Electric Company Organic dye compositions and use thereof in photovoltaic cells
JP4882457B2 (ja) * 2006-03-31 2012-02-22 富士通株式会社 薄膜キャパシタおよびこれを有する半導体装置
KR101223558B1 (ko) 2006-04-17 2013-01-17 삼성에스디아이 주식회사 염료 감응 태양 전지용 염료 및 이로부터 제조된 염료 감응태양 전지
US8426722B2 (en) * 2006-10-24 2013-04-23 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells
KR100839371B1 (ko) * 2006-11-17 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지
JP5163849B2 (ja) * 2007-01-17 2013-03-13 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器
WO2008118422A1 (en) 2007-03-26 2008-10-02 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Metal oxide nanocrystals: preparation and uses
KR100844871B1 (ko) 2007-04-06 2008-07-09 경북대학교 산학협력단 염료감응형 태양전지용 염료 및 이를 이용한 태양전지
WO2008124160A2 (en) * 2007-04-09 2008-10-16 The Regents Of The University Of California Low resistance tunnel junctions for high efficiency tandem solar cells
EP2174329B1 (de) 2007-07-23 2011-02-09 Basf Se Photovoltaische tandem-zelle
CN101779290B (zh) 2007-09-25 2013-02-27 第一太阳能有限公司 包括界面层的光伏器件
KR20090061300A (ko) * 2007-12-11 2009-06-16 삼성전자주식회사 복합형 리튬 2차 전지 및 이를 채용한 전자 장치
JP5263849B2 (ja) * 2008-04-09 2013-08-14 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ 酸素及び／又は水分に敏感な電子デバイスをカプセル封じするための多層膜
TW200952184A (en) * 2008-06-03 2009-12-16 Univ Nat Taiwan Structure of mixed type heterojunction thin film solar cells and its manufacturing method
JP2010034409A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Renesas Technology Corp 半導体装置
CN102387984A (zh) * 2008-09-08 2012-03-21 新加坡南洋理工大学 作为电极材料的纳米粒子装饰的纳米结构化材料及其获得方法
CN102177599A (zh) * 2008-09-26 2011-09-07 密歇根大学董事会 有机叠层太阳电池
JPWO2010098464A1 (ja) 2009-02-27 2012-09-06 独立行政法人物質・材料研究機構 ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法
KR101038469B1 (ko) * 2009-04-13 2011-06-01 광주과학기술원 고분자 전해질층을 이용한 적층형 유기태양전지 및 그 제조방법
US9478835B2 (en) * 2009-08-20 2016-10-25 Nanyang Technological University Integrated electrode architectures for energy generation and storage
WO2011058544A2 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Nextpv Inc. Graphene-based photovoltaic device
US20130240027A1 (en) * 2010-06-07 2013-09-19 Solarno, Inc. Multijunction hybrid solar cell with parallel connection and nanomaterial charge collecting interlayers
US20130206219A1 (en) * 2010-08-06 2013-08-15 Juanita N. Kurtin Cooperative photovoltaic networks and photovoltaic cell adaptations for use therein
EP2624269A4 (en) * 2010-09-27 2017-09-20 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Conducting polymer-carbon material combined counter electrode and manufacturing mathod thereof
JP5817327B2 (ja) 2010-09-29 2015-11-18 東ソー株式会社 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いて得られる酸化物透明導電膜及び太陽電池
EP2625716A4 (en) * 2010-10-10 2017-12-27 The Trustees of Princeton University Graphene electrodes for solar cells
KR20120055921A (ko) 2010-11-24 2012-06-01 엘지디스플레이 주식회사 광전소자 및 그를 포함하는 광전모듈
KR101172374B1 (ko) 2011-02-14 2012-08-08 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트계 염료를 이용한 염료감응 태양 전지 및 이의 제조방법
US10170652B2 (en) * 2011-03-22 2019-01-01 The Boeing Company Metamorphic solar cell having improved current generation
US9373731B2 (en) * 2011-06-30 2016-06-21 Newsouth Innovations Pty Limited Dielectric structures in solar cells
SG2014008874A (en) * 2011-08-11 2014-03-28 Univ Singapore Tandem solar cell with graphene interlayer and method of making
CN103022057A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 索尼公司 多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体
US9484475B2 (en) 2011-10-11 2016-11-01 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Semiconductor ferroelectric compositions and their use in photovoltaic devices
EP2788995B9 (en) 2011-12-08 2018-07-04 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Semiconductor electrode comprising a blocking layer
US9082914B2 (en) * 2012-01-13 2015-07-14 Gaurdian Industries Corp. Photovoltaic module including high contact angle coating on one or more outer surfaces thereof, and/or methods of making the same
US9181475B2 (en) * 2012-02-21 2015-11-10 Northwestern University Photoluminescent compounds
WO2013151141A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
WO2013171518A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
WO2013171520A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic device comprising perovskites
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
KR101408696B1 (ko) * 2012-05-30 2014-06-18 이화여자대학교 산학협력단 금 나노입자를 함유하는 하이브리드 나노구조체 및 이를 포함하는 태양전지용 광전극
EP2693503A1 (en) 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
US20140060639A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 OneSun, LLC Copper oxide core/shell nanocrystals for use in photovoltaic cells
CN106684246B (zh) 2012-09-18 2020-01-21 牛津大学科技创新有限公司 光电器件
US20140076392A1 (en) * 2012-09-18 2014-03-20 Tsmc Solar Ltd. Solar cell
JP2014143333A (ja) * 2013-01-25 2014-08-07 Ricoh Co Ltd 固体色素増感型太陽電池、固体色素増感型太陽電池モジュール
WO2014132076A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Isis Innovation Limited Semiconducting layer production process
JP6128900B2 (ja) 2013-03-08 2017-05-17 大阪瓦斯株式会社 無機ホール輸送材を使用したペロブスカイト系光電変換装置
WO2014151522A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Perovskite and other solar cell materials
WO2014180780A1 (en) 2013-05-06 2014-11-13 Greatcell Solar S.A. Organic-inorganic perovskite based solar cell
TWI485154B (zh) 2013-05-09 2015-05-21 Univ Nat Cheng Kung 具鈣鈦礦結構吸光材料之有機混成太陽能電池及其製造方法
US20150053259A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Plant PV P-type doping of ii-vi materials with rapid vapor deposition using radical nitrogen
JP6304980B2 (ja) 2013-09-10 2018-04-04 大阪瓦斯株式会社 ペロブスカイト系材料を用いた光電変換装置
EP3058595A4 (en) 2013-10-16 2017-03-08 Omnipv, Inc. Photovoltaic cells including halide materials
US9136408B2 (en) 2013-11-26 2015-09-15 Hunt Energy Enterprises, Llc Perovskite and other solar cell materials
JP2015119102A (ja) 2013-12-19 2015-06-25 アイシン精機株式会社 ハイブリッド型太陽電池
CN104091888B (zh) 2014-07-17 2016-08-17 湖北大学 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
US20160155974A1 (en) * 2014-12-01 2016-06-02 The Regents Of The University Of California Complex pnictide metal halides for optoelectronic applications
JP2016178167A (ja) 2015-03-19 2016-10-06 積水化学工業株式会社 光電極の製造方法、光電極、太陽電池の製造方法および太陽電池

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103078014A (zh) * 2013-01-29 2013-05-01 上海交通大学 铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108963032A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 暨南大学 基于碱金属离子和碱土金属离子掺杂的双面无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
AU2019268163B2 (en) 2021-10-14
US9530972B2 (en) 2016-12-27
ES2847398T3 (es) 2021-08-03
KR20210049207A (ko) 2021-05-04
US20170186558A1 (en) 2017-06-29
US9136408B2 (en) 2015-09-15
MX2019004512A (es) 2019-08-14
US11024814B2 (en) 2021-06-01
US10916712B2 (en) 2021-02-09
US20210280801A1 (en) 2021-09-09
AU2014354911B2 (en) 2016-12-01
KR101808013B1 (ko) 2017-12-11
US20160240796A1 (en) 2016-08-18
KR102644072B1 (ko) 2024-03-07
US20180248133A1 (en) 2018-08-30
CA2931692A1 (en) 2015-06-04
CN107437466A (zh) 2017-12-05
MX2016006714A (es) 2017-01-16
US10193087B2 (en) 2019-01-29
CA3157213A1 (en) 2015-06-04
AU2022200195A1 (en) 2022-02-10
PL3075012T3 (pl) 2021-09-20
US20160240805A1 (en) 2016-08-18
EP3780128A1 (en) 2021-02-17
BR112016011873A2 (pt) 2021-07-06
KR101740206B1 (ko) 2017-05-25
WO2015080990A1 (en) 2015-06-04
KR102247514B1 (ko) 2021-05-04
US20160248027A1 (en) 2016-08-25
US10333082B2 (en) 2019-06-25
US10608190B2 (en) 2020-03-31
KR20170059487A (ko) 2017-05-30
US20180248134A1 (en) 2018-08-30
EP3075012B1 (en) 2020-10-07
BR112016011873B1 (pt) 2022-02-15
EP3075012A4 (en) 2017-10-25
US20150144195A1 (en) 2015-05-28
KR20160078433A (ko) 2016-07-04
CA2931692C (en) 2022-07-19
US20180248132A1 (en) 2018-08-30
JP2017504188A (ja) 2017-02-02
KR102318665B1 (ko) 2021-10-29
KR20210133309A (ko) 2021-11-05
US9331292B2 (en) 2016-05-03
AU2018202758A1 (en) 2018-05-10
AU2023204580A1 (en) 2023-08-03
AU2022200195B2 (en) 2023-04-13
AU2014354911A1 (en) 2016-06-09
US20150144196A1 (en) 2015-05-28
AU2017201243A1 (en) 2017-03-16
US12089485B2 (en) 2024-09-10
MX364267B (es) 2019-04-17
EP3075012A1 (en) 2016-10-05
KR20240034873A (ko) 2024-03-14
AU2019268163A1 (en) 2019-12-12
CN105934807A (zh) 2016-09-07
KR20170137226A (ko) 2017-12-12
US20200028099A1 (en) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105934807B (zh) 钙钛矿和其它太阳能电池材料
CN107078219B (zh) 配制钙钛矿太阳能电池材料的方法
CN107210134A (zh) 钙钛矿材料器件中的双层和三层界面层

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171020

Address after: Texas, USA

Patentee after: HEE Solar, LLC

Address before: Texas USA

Patentee before: HEE Solar, LLC

TR01 Transfer of patent right
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Texas, USA

Patentee after: Hunter perovskite Technology Co.,Ltd.

Address before: Texas, USA

Patentee before: HEE Solar, LLC

Address after: Texas, USA

Patentee after: Cubic perovskite Co.,Ltd.

Address before: Texas, USA

Patentee before: Hunter perovskite Technology Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220706

Address after: Texas, USA

Patentee after: Cubic photovoltaic Co.,Ltd.

Address before: Texas, USA

Patentee before: Cubic perovskite Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right