CN105585577B - 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 - Google Patents

延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105585577B
CN105585577B CN201510765137.0A CN201510765137A CN105585577B CN 105585577 B CN105585577 B CN 105585577B CN 201510765137 A CN201510765137 A CN 201510765137A CN 105585577 B CN105585577 B CN 105585577B
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
formula
delayed fluorescence
dopant
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510765137.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105585577A (zh
Inventor
梁仲焕
尹炅辰
鲁效珍
尹大伟
申仁爱
金捘演
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150141570A external-priority patent/KR102544403B1/ko
Priority claimed from KR1020150141568A external-priority patent/KR102519546B1/ko
Priority claimed from KR1020150141569A external-priority patent/KR102519545B1/ko
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105585577A publication Critical patent/CN105585577A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105585577B publication Critical patent/CN105585577B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D219/00—Heterocyclic compounds containing acridine or hydrogenated acridine ring systems
    • C07D219/02—Heterocyclic compounds containing acridine or hydrogenated acridine ring systems with only hydrogen, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

本发明提供一种延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置，所述延迟荧光化合物为式1或式2的延迟荧光化合物：[式1][式2]

Description

延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示 装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年11月12日递交的韩国专利申请第10-2014-0156946号、2014年11月28日递交的韩国专利申请第10-2014-0169004号、2014年11月28日递交的韩国专利申请第10-2014-0169077号、2015年10月8日递交的韩国专利申请第10-2015-0141568号、2015年10月8日递交的韩国专利申请第10-2015-0141569号、和2015年10月8日递交的韩国专利申请第10-2015-0141570号的优先权和权益，在此通过援引将其全部完整并入。
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管(OLED)，更具体而言，涉及具有优异的发光效率的延迟荧光化合物和使用该延迟荧光化合物的OLED和显示装置。
背景技术
对于大尺寸显示装置的需求带来了平板显示装置作为图像显示装置的发展。在平板显示装置中，OLED得到快速发展。
在OLED中，当来自阴极(作为电子注入电极)的电子和来自阳极(作为空穴注入电极)的空穴被注入发光材料层时，电子和空穴复合并消灭，使得从OLED发出光。柔性基板，例如塑料基板，可以用作OLED的基体基板，并且OLED具有优异的驱动电压、能耗和色纯度的特性。
OLED包含位于基板上作为阳极的第一电极、与第一电极相对的作为阴极的第二电极和位于其间的有机发光层。
为了改善发光效率，有机发光层可以包含依次层叠在第一电极上的空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光材料层(EML)、电子输送层(HTL)和电子注入层(EIL)。
空穴由第一电极经HIL和HTL转移到EML中，电子由第二电极经EIL和ETL转移到EML中。
电子和空穴在EML中复合产生激子，激子由激发态跃迁到基态从而发光。
EML的发光材料的外量子效率(η外)可以表示为：
η外＝η内×Γ×Φ×η出光
在上式中，“η内”为内量子效率，“г”为电荷平衡系数，“Φ”为辐射量子效率，“η出光”为出光(out-coupling)效率。
电荷平衡系数“г”指的是产生激子时空穴和电子之间的平衡。通常，假定空穴和电子1:1匹配，则电荷平衡系数的值为“1”。辐射量子效率“Φ”为与发光材料的有效发光效率有关的值。在主体-掺杂剂体系中，辐射量子效率取决于掺杂剂的荧光量子效率。
内量子效率“η内”是产生光的激子与由空穴和电子复合产生的激子之比。在荧光化合物中，内量子效率的最大值为0.25。当空穴和电子复合产生激子时，单重态激子与三重态激子之比根据自旋结构为1:3。不过，在荧光化合物中，仅有单重态激子而非三重态激子参与发光。
出光效率“η出光”是显示装置发出的光与EML发出的光之比。当在热蒸镀方法中沉积各向同性化合物形成薄膜时，发光材料为随机取向。在此情况下，显示装置的出光效率可以假定为0.2。
因此，包含荧光化合物作为发光材料的OLED的最大发光效率小于约5％。
为了克服荧光化合物的发光效率(emission efficiency)的缺点，对于OLED已开发出单重态激子和三重态激子二者都参与发光的磷光化合物。
已提出并开发了具有较高效率的红色和绿色磷光化合物。不过，尚没有满足发光效率和可靠性要求的蓝色磷光化合物。
发明内容
因此，本发明的实施方式涉及延迟荧光化合物和使用该化合物的OLED和显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点导致的一个以上问题。
本发明的实施方式的一个目的是提供具有高发光效率的延迟荧光化合物。
本发明的实施方式的另一目的是提供具有改善的发光效率的OLED和显示装置。
本发明的其他特征和优点将在后续的说明中阐述，其部分将由该说明而显而易见，或者可通过实施本发明而领会。本发明的目的和其他优点将由撰写的说明书和其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和达到。
为了实现所述优点和其他优点、以及本文中具体实施和宽泛描述的本发明实施方式的目的，本发明实施方式的一个方面提供了式1或式2的延迟荧光化合物；有机发光二极管上的封装膜；和封装膜上的盖窗，
[式1][式2]
其中m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
[式3][式4][式5] [式6]其中式3中的R1至R4各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的芳基，并且式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基，并且其中式5中的R7选自氢或苯基。
在本发明实施方式的另一方面提供了：一种有机发光二极管，其包含第一电极、与所述第一电极相对的第二电极和位于第一和第二电极之间并包含式1或式2的延迟荧光化合物的有机发光层；有机发光二极管上的封装膜；和封装膜上的盖窗，
[式1][式2]其中m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和式6：[式3] [式4][式5] [式6]其中式3中的R1至R4各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的芳基，并且式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基，并且其中式5中的R7选自氢或苯基。
在本发明实施方式的另一方面提供了一种显示装置，其包含：基板；位于所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包含第一电极、与所述第一电极相对的第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述有机发光层包含式1或式2的延迟荧光化合物；有机发光二极管上的封装膜；和封装膜上的盖窗，
[式1][式2]其中m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和时6：[式3] [式4][式5] [式6]其中式3中的R1至R4各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的芳基，并且式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基，并且其中式5中的R7选自氢或苯基。
应理解，前述一般说明和以下详细说明均是示例并且是解释性的，意图是提供对所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
为了提供对本发明的进一步理解而包含附图并将其并入构成本说明书的一部分，附图图示了本发明的实施方式，并与说明书一起解释本发明的原理。
图1是说明本发明的延迟荧光化合物的发光机理的图示。
图2A至2F是分别说明具有咔唑电子供体部分的化合物的分子结构的图。
图3A至3F是分别说明具有吖啶电子供体部分的化合物的分子结构的图。
图4A至4J是显示本发明的延迟荧光化合物的延迟荧光性质的图。
图5是本发明的OLED的截面示意图。
具体实施方式
本说明书中记载的术语的含义应如下理解。
单数形式应理解为也包括复数形式，除非上下文另有明确规定。术语“第一”、“第二”等用于将任一要素与其他要素区分开，本发明的范围并不意图受到这些术语的限制。术语"包含"、"包括"等应理解为不排除一个以上其他特征、整体、步骤、操作、要素、成分或其组合的存在或加入。术语“至少一个”应理解为包括由一个或多个关联项目可以揭示的所有组合。例如，“选自第一项目、第二项目和第三项目的至少一个”的含义不仅包括第一项目、第二项目和第三项目的每一个，而且包括由第一项目、第二项目和第三项目中的两个以上可以揭示的这些项目的所有组合。另外，当任一要素被称为在另一要素"之上"时，其可以直接位于另一要素的上表面上或者也可能存在第三中间要素。
现将详细描述示例性实施方式，其实例在附图中阐明。
本发明的延迟荧光化合物具有以下的式1-1或式1-2。
[式1-1]
[式1-2]
“m”和“n”各自为0(零)或1。
即，如式2-1所示，延迟荧光化合物的结构中，吖啶电子供体部分与电子受体部分X1通过其间的连接物L1结合或连接。作为选择，如式2-2所述，延迟荧光化合物的结构中，吖啶电子供体部分与电子受体部分X1不通过连接物而直接结合或连接。
[式2-1]
[式2-2]
作为选择，如式2-3所示，延迟荧光化合物的结构中，第一电子供体部分吖啶和第二电子供体部分Y(其与第一电子供体部分相同或不同)与电子受体部分X2通过其间的连接物L2结合或连接。作为选择，如式2-4所示，延迟荧光化合物的结构中，第一电子供体部分吖啶和第二电子供体部分Y(其与第一电子供体部分相同或不同)与电子受体部分X2不通过连接物而直接结合或连接。
[式2-3]
[式2-4]
在式2-1和2-2中，电子受体部分X1选自具有取代基或不具有取代基的三嗪、具有取代基或不具有取代基的二苯并噻吩、具有取代基或不具有取代基的4-氮杂苯并咪唑、或具有取代基或不具有取代基的苯并咪唑。例如，电子受体部分X1可选自以下式3中的材料。
[式3]
式3中，R1至R4各自独立地选自氢或具有取代基或不具有取代基的芳基。例如，R1至R4各自可选自氢或不具有取代基的苯基。
在式1-1、1-2、2-1和2-3中，L1和L2各自作为连接物是具有取代基或不具有取代基的苯。例如，L1和L2各自可以是以下式4中的材料。
[式4]
式4中，R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基。例如，R5和R6各自可以是氢或甲基。
在式1-2、2-3和2-4中，电子受体部分X2选自具有取代基或不具有取代基的苯基三嗪、二苯并噻吩砜、二苯基砜、喹噁啉、噻吩并吡嗪或它们的衍生物。例如，电子受体部分X2可选自以下式5中的材料。
[式5]
式5中，R7选自氢或苯基。
在式1-2、2-3和2-4中，第二电子供体部分Y选自能够注入空穴的材料，例如咔唑、三苯胺、吖啶或它们的衍生物。即，第二电子供体部分Y选自具有取代基或不具有取代基的咔唑、具有取代基或不具有取代基的三苯胺、或具有取代基或不具有取代基的吖啶。例如，第二电子供体部分Y可选自以下式6中的材料。.
[式6]
由于所述延迟荧光化合物包含电子供体部分和电子受体部分和可选的另一电子供体部分，因此在分子中容易产生电荷转移，并改善发光效率。另外，可产生从第一和第二电子供体部分到电子受体部分的偶极，以使得分子中的偶极矩增大。结果，进一步改善了发光效率。
而且，在本发明的延迟荧光化合物中，三重态的激子参与发光，由此使得延迟荧光化合物的发光效率提高。
另外，由于具有六边形结构的吖啶用作电子供体部分，增加了电子供体部分和电子受体部分之间的位阻，并且还增加了吖啶电子供体部分和电子受体部分之间的二面角。因此，限制了在电子供体部分和电子受体部分之间发生共轭，并且最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)容易分开。结果，进一步提高了延迟荧光化合物的发光效率。
在本发明的延迟荧光化合物中，电子供体部分和电子受体部分在分子中结合或连接，以使得HOMO和LUMO之间的重叠减少。结果，生成了场激活复合物，并且改善了延迟荧光化合物的发光效率。
由于电子供体部分和电子受体部分之间的间隙或距离因连接物而增加，HOMO和LUMO之间的重叠减少，从而使三重态能量和单重态能量之间的差异(ΔEST)减小。
另外，由于连接物的位阻，包含延迟荧光化合物的发光层所发射的光的红移问题减小或最小化。即，具有本发明的延迟荧光化合物的发光层提供了深蓝色发射。
参见图1(其是说明本发明的延迟荧光化合物的发光机理的图)，在本发明的延迟荧光化合物中，三重态激子以及单重态激子参与发光，以使得发光效率得到改善。
即，三重态激子受场激活，三重态激子和单重态激子转变到中间态“I1”并跃迁到基态“So”从而发光。换言之，单重态“S1”和三重态“T1”跃迁到中间态“I1”(S1->I1<-T1)，并且处于中间态“I1”的单重态激子和三重态激子参与发光，使得发光效率改善。具有上述发光机理的化合物可以称为场激活延迟荧光(FADF)化合物。
在相关技术的荧光化合物中，由于HOMO和LUMO遍布整个分子分散，因此HOMO和LUMO的互变不可能。(选择定则)
不过，在FADF化合物中，由于分子中HOMO和LUMO之间的重叠较小，因此HOMO和LUMO之间的相互作用较小。因此，一个电子的自旋状态的变化并不影响其他电子，而且产生并不遵循选择定则的新电荷转移带。
而且，由于电子供体部分和电子受体部分在分子中在空间上相互分离，因此在极化状态中产生偶极矩。在极化状态偶极矩中，HOMO和LUMO之间的相互作用进一步减小，使得发光机理并不遵循选择定则。因此，在FADF化合物中，可以产生从三重态“T1”和单重态“S1”到中间态“I1”的跃迁，使得三重态激子可以参与发光。
当驱动OLED时，将产生25％的单重态“S1”激子和75％的三重态“T1”激子到中间态“I1”的系间跃迁(系间跨越)，处于中间态“I1”的单重态和三重态激子跃迁到基态从而发光。结果，FADF化合物具有100％的理论量子效率。
例如，本发明延迟荧光化合物可以为式7所示的化合物之一。
[式7]
如上所述，本发明的延迟荧光化合物包含吖啶电子供体部分，从而使电子供体部分和电子受体部分之间的位阻增加，并且吖啶电子供体部分和电子受体部分之间的二面角也增加。
图2A至2F是分别说明具有咔唑电子供体部分的化合物的分子结构的图，并且图3A至3F是分别说明具有吖啶电子供体部分的化合物的分子结构的图。
参照图2A至2F，在包含咔唑作为电子供体部分的化合物中，电子供体部分和电子受体部分(或连接物)之间的二面角为约44°。
另一方面，参照图3A至3F，在包含吖啶作为电子供体部分的化合物中，电子供体部分和电子受体部分(或连接物)之间的二面角为约90°。
即，当吖啶用作电子供体部分时，吖啶电子供体部分和电子受体部分之间的二面角增加，并且限制了在电子供体部分和电子受体部分(或连接物)之间发生共轭。结果，与包含咔唑电子供体部分的化合物相比，包含吖啶电子供体部分的化合物中HOMO和LUMO容易分开，从而进一步改善发光效率。
合成
1.合成化合物1
(1)化合物“a”
[反应式1-1]
在N2气体净化系统中，混合并搅拌2,8-二溴二苯并噻吩(14.6mmol)和乙酸溶剂。加入过氧化氢(64.8mmol)并在室温搅拌约30分钟，并且将混合物回流并搅拌12小时以上。反应完成后，加入蒸馏水(50ml)并搅拌以进行洗涤。将混合物过滤后，将固体与过量过氧化氢混合并搅拌以进行洗涤30至60分钟。以蒸馏水洗涤固体，并进行过滤和干燥，从而获得呈白色固体的化合物“a”。(产率：90％)
(2)化合物“b”
[反应式1-2]
在N2气体净化系统中，混合并搅拌N-苯基邻氨基苯甲酸(46.9mmol)和甲醇溶剂。将混合物在0℃的温度下再搅拌10分钟，并且缓慢滴加亚硫酰氯(21.2mmol)。将混合溶液在90℃的温度搅拌12小时以上。反应完成后，去除溶剂，并且用蒸馏水和乙酸乙酯对混合溶液进行萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈深黄色液体的化合物“b”。(产率：81％)
(3)化合物“c”
[反应式1-3]
在N2气体净化系统中，搅拌化合物“b”(38.1mmol)和四氢呋喃溶剂。将甲基溴化镁(4.6当量)缓慢滴加到溶液中，并且将溶液在室温下搅拌反应12小时以上。反应完成后，缓慢加入蒸馏水，并且以乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈黄色液体的化合物“c”。(产率：87％)
(4)化合物“d”
[反应式1-4]
在N2气体净化系统中，将化合物“c”(33.1mmol)加入到过量磷酸溶剂(160ml)中，并且在室温下搅拌溶液。将溶液再搅拌16小时以上，并且缓慢加入蒸馏水(200至250ml)。将溶液搅拌0.5至1小时，并且将沉淀的固体过滤。将所过滤的固体利用氢氧化钠水溶液和二氯甲烷溶剂萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且去除有机溶剂，从而获得呈白色固体的化合物“d”。(产率：69％)
(5)化合物“e”
[反应式1-5]
在N2气体净化系统中，将化合物“a”溶于甲苯溶剂，并且加入苯基硼酸(0.9当量)。将K2CO3(4当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯溶剂和蒸馏水对混合物进行萃取，并且利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分。除去剩余的有机溶剂，并且将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获固体化合物“e”。(产率：68％)
(6)化合物1
[反应式1-6]
在N2气体净化系统中，将化合物“e”、化合物“d”(1.1当量)、Pd(OAc)2(0.019当量)、P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入到甲苯溶剂并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物1。(产率：55％)
2.合成化合物2
(1)化合物“f”
[反应式2-1]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(23.9mmol)、1,4-二溴苯(35.8mmol)、乙酸钯(II)(2mol％)、磷酸三叔丁酯(5mol％)和叔丁醇钠(2.03当量)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将混合溶液回流并搅拌12小时。反应完成后，以蒸馏水和乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈深黄色液体的化合物“f”。(产率：81％)
(2)化合物“g”
[反应式2-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“f”、双(频哪醇)二硼(1.2当量)、[1,1-双(二苯基膦)二茂铁]钯(II)、二氯化二氯甲烷、1,1-双(二苯基膦)二茂铁和乙酸钾加入到遮光烧瓶中的1,4-二噁烷/甲苯(1:1)溶剂中并搅拌。气泡消失后，在120℃的温度下搅拌溶液17小时。反应完成后，将溶液冷却至室温，并且除去溶剂。所得物以甲苯洗涤并精制，从而获得化合物“g”。(产率：90％)
(3)化合物2
[反应式2-3]
在N2气体净化系统中，将化合物“e”溶于甲苯溶剂，并加入化合物“g”(1.2当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物2。(产率：56％)
3.合成化合物3
(1)化合物“h”
[反应式3-1]
在N2气体净化系统中，将4-苯基溴砜溶于甲苯溶剂，并且加入苯基硼酸(0.9当量)。将K2CO3(4当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯和蒸馏水对混合物进行萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得固体化合物“h”。(产率：75％)
(2)化合物3
[反应式3-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“h”、化合物“d”(1.1当量)、Pd(OAc)2(0.019当量)、P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物3。(产率：65％)
4.合成化合物4
[反应式4]
在N2气体净化系统中，将化合物“h”溶于甲苯溶剂，并且加入化合物“g”(1.2当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物4。(产率：60％)
5.合成化合物5
[反应式5]
在N2气体净化系统中，将催化剂Pd(dba)2(5mol％)和P(t-Bu)3(4mol％)加入甲苯溶剂中并搅拌约15分钟。另加入2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(33.8mmol)、化合物“d”(33.8mmol)和NaOt-Bu(60.6mmol)，并且将混合物在90℃的温度下搅拌5小时。反应完成后，以硅藻土过滤混合物，并且除去溶剂。所过滤的固体通过利用己烷和二氯甲烷的柱色谱进行精制并利用己烷重结晶，从而获得化合物5。(产率：59％)
6.合成化合物6
[反应式6]
在N2气体净化系统中，将2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、化合物“g”(1.1当量)、Na2CO3(5当量)和NH4Cl加入到甲苯/蒸馏水(1:1)溶剂中并搅拌。N2气条件下，搅拌溶液30分钟，并加入四(三苯基膦)Pd(0)(0.05当量)。将溶液搅拌10分钟并在100℃的温度下再搅拌16小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并以二氯甲烷萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制并用氯仿重结晶，从而获得固体化合物6。(产率：70％)
7.合成化合物7
(1)化合物“i”
[反应式7-1]
在N2气体净化系统中，将碘化亚铜(0.1当量)和1,10-菲啰啉(0.2当量)加入到二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，并且另加入4-氮杂苯并咪唑、1-溴-4-碘苯(1.2当量)和碳酸铯(2当量)。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌16小时。反应完成后，去除DMF溶剂，并且将所得物以二氯甲烷萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，并利用二氯甲烷重结晶，从而获得化合物“i”。(产率：78％)
(2)化合物7
[反应式7-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“i”、化合物“d”(1.1当量)、Pd(OAc)2(0.019当量)，P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物7。(产率：60％)
8.合成化合物8
(1)化合物“j”
[反应式8-1]
在N2气体净化系统中，将碘化亚铜(0.1当量)和1,10-菲啰啉(0.2当量)加入到二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，并且另加入4-氮杂苯并咪唑，1-溴-3,5-二甲基-4-碘苯(1.3当量)和碳酸铯(2当量)。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌16小时。反应完成后，去除DMF溶剂，并且所得物利用二氯甲烷萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，并利用二氯甲烷重结晶，从而获得化合物“j”。(产率：60％)
(2)化合物8
[反应式8-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“j”、化合物“d”(1.1当量)、Pd(OAc)2(0.019当量)、P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物8。(产率：50％)
9.合成化合物9
(1)化合物“k”
[反应式9-1]
在N2气体净化系统中，将碘化亚铜(0.1当量)和1,10-菲啰啉(0.2当量)加入到二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，并且另加入苯并咪唑、1-溴-4-碘苯(1.2当量)和碳酸铯(2当量)。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌16小时。反应完成后，去除DMF溶剂，并且所得物利用二氯甲烷萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，并利用二氯甲烷重结晶，从而获得化合物“k”。(产率：80％)
(2)化合物9
[反应式9-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“k”、化合物“d”(1.1当量)、Pd(OAc)2(0.019当量)、P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物9。(产率：62％)
10.合成化合物10
(1)化合物“l”
[反应式10-1]
在N2气体净化系统中，将碘化亚铜(0.1当量)和1,10-菲啰啉(0.2当量)加入到二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，并且另加入苯并咪唑，1-溴-3,5-二甲基-4-碘苯(1.3当量)和碳酸铯(2当量)。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌16小时。反应完成后，去除DMF溶剂，并且所得物利用二氯甲烷萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，并利用二氯甲烷重结晶，从而获得化合物“l”。(产率：58％)
(2)化合物10
[反应式10-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“l”。化合物“d”(1.1当量)。Pd(OAc)2(0.019当量)。P(t-Bu)3(50wt％，0.046当量)和叔丁醇钠(1.9当量)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物10。(产率：46％)
11.合成化合物11
(1)化合物“a”
[反应式11-1]
在N2气体净化系统中，将N-苯基邻氨基苯甲酸(46.9mmol)加入到甲醇溶剂中并搅拌。将混合物在0℃的温度下再搅拌10分钟，并且缓慢滴加亚硫酰氯(21.2mmol)。将混合溶液在90℃的温度下搅拌12小时以上。反应完成后，除去溶剂，混合溶液通过蒸馏水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈深黄色液体的化合物“a”。(产率：81％)
(2)化合物“b”
[反应式11-2]
在N2气体净化系统中，搅拌化合物“a”(38.1mmol)和四氢呋喃溶剂。将甲基溴化镁(4.6当量)缓慢滴加到溶液中，并且将该溶液在室温下搅拌反应12小时以上。反应完成后，缓慢加入蒸馏水，并且以乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈黄色液体的化合物“b”。(产率：87％)
(3)化合物“c”
[反应式11-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“b”(33.1mmol)加入到过量磷酸溶剂(160ml)中，并且在室温下搅拌溶液。将溶液再搅拌16小时以上，并且缓慢加入蒸馏水(200至250ml)。将溶液搅拌0.5至1小时，并且将沉淀的固体过滤。将所过滤的固体利用氢氧化钠水溶液和二氯甲烷溶剂萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且去除有机溶剂，从而获得呈白色固体的化合物“c”。(产率：69％)
(4)化合物“d”
[反应式11-4]
在N2气体净化系统中，将化合物“c”(23.9mmol)、1,4-二溴苯(35.8mmol)、乙酸钯(II)(2mol％)、磷酸三叔丁酯(5mol％)和叔丁醇钠(2.03当量)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将混合溶液回流并搅拌12小时。反应完成后，以蒸馏水和乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“d”。(产率：81％)
(5)化合物“e”
[反应式11-5]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”、双(频哪醇)二硼(1.2当量)、[1,1-双(二苯基膦)二茂铁]钯(II)、二氯化二氯甲烷、1,1-双(二苯基膦)二茂铁和乙酸钾加入到遮光烧瓶中的1,4-二噁烷/甲苯(1:1)溶剂中并搅拌。气泡消失后，在120℃的温度下搅拌溶液17小时。反应完成后，将溶液冷却至室温，并且除去溶剂。所得物以甲苯洗涤并精制，从而获得化合物“e”。(产率：90％)
(6)化合物“f”
[反应式11-6]
在N2气体净化系统中，混合并搅拌2,8-二溴二苯并噻吩(14.6mmol)和乙酸溶剂。加入过氧化氢(64.8mmol)，并在室温下搅拌约30分钟，并且将混合物回流并搅拌12小时以上。反应完成后，加入蒸馏水(50ml)并搅拌以进行洗涤。将混合物过滤后，将固体与过量过氧化氢混合并搅拌以洗涤30至60分钟。以蒸馏水洗涤固体并进行过滤和干燥，从而获得呈白色固体的化合物“f”。(产率：90％)
(7)化合物11
[反应式11-7]
在N2气体净化系统中，将化合物“f”溶于甲苯溶剂，并加入化合物“e”(2.4当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水中并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物11。(产率：85％)
12.合成化合物12
(1)化合物“g”
[反应式12-1]
在N2气体净化系统中，将咔唑(29.9mmol)、1,4-二溴苯(44.9mmol)、乙酸钯(II)(2mol％)、磷酸三叔丁酯(5mol％)和叔丁醇钠(2.03当量)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将混合溶液回流并搅拌12小时。反应完成后，以蒸馏水和乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“g”。(产率：80％)
(2)化合物“h”
[反应式12-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“g”溶于四氢呋喃并搅拌。在-78℃的温度下将正丁基锂(26.9mmol)缓慢加入到溶液中，并且将混合搅拌溶液1小时。通过保持低温条件，加入硼酸三乙酯(21.6mmol)，并且在室温下搅拌该混合溶液。在室温下搅拌该混合溶液12小时，并完成反应。缓慢加入蒸馏水，并且加入蒸馏水/盐酸(8:2)的混合溶液至pH 2。用蒸馏水和乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“h”。(产率：87％)
(3)化合物“i”
[反应式12-3]
在N2气体净化系统中，将化合物“f”溶于甲苯溶剂，并且加入化合物“h”(0.9当量)。将K2CO3(4当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯和蒸馏水对混合物进行萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得固体的化合物“i”。(产率：65％)
(4)化合物12
[反应式12-4]
在N2气体净化系统中，将化合物“i”溶于甲苯溶剂，并且加入化合物“e”(1.2当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物12。(产率：75％)
13.合成化合物13
[反应式13]
在N2气体净化系统中，将4-溴苯基砜溶于甲苯溶剂中，并且加入化合物“e”(2.4当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物13。(产率：78％)
14.合成化合物14
(1)化合物“j”
[反应式14-1]
在N2气体净化系统中，将4-溴苯基砜溶于甲苯溶剂，并且加入化合物“h”(0.9当量)。将K2CO3(4当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯和蒸馏水对混合物进行萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得固体化合物“j”。(产率：60％)
(2)化合物14
[反应式14-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“j”溶于甲苯溶剂，并且加入化合物“e”(1.2当量)。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入到溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物14。(产率：55％)
15.合成化合物15
(1)化合物“k”
[反应式15-1]
在N2气体净化系统的遮光烧瓶中，在-78℃的温度下将溴苯(0.9当量)溶于四氢呋喃，并且缓慢滴加正丁基锂。利用套管在N2条件下将溶于四氢呋喃的2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪滴加到溶液中，并搅拌8小时。反应完成后，将所得物精制，从而获得化合物“k”。(产率：45％)
(2)化合物15
[反应式15-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“k”、化合物“e”(2.1当量)、Na2CO3(5当量)和NH4Cl加入到甲苯/蒸馏水(1:1)溶剂中并搅拌。在N2条件下将溶液搅拌30分钟，另加入四(三苯基膦)钯(0)(0.05当量)并搅拌10分钟。将化合物在100℃的温度下搅拌16小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并以二氯甲烷和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，并用氯仿和乙腈重结晶，从而获得化合物15。(产率：75％)
16.合成化合物16
(1)化合物“l”
[反应式16-1]
在N2气体净化系统中，将化合物“k”、化合物“h”(0.9当量)和Na2CO3(0.6当量)加入到甲苯/二噁烷/蒸馏水(1:1:0.7)溶剂中并搅拌。另加入Pd(PPh3)4(四(三苯基膦)钯(0)、0.3当量)并搅拌16小时。反应完成后，将溶液冷却至室温。在硅胶中以蒸馏水洗涤和过滤有机层。去除溶剂和蒸馏水，并且将所得物以氯仿重结晶并干燥，从而获得化合物“l”。(产率：80％)
(2)化合物16
[反应式16-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“l”、化合物“e”(1.05当量)、Na2CO3(5当量)和NH4Cl加入到甲苯/蒸馏水(1:1)溶剂中并搅拌。将溶液在N2条件下搅拌30分钟，另加入四(三苯基膦)钯(0)(0.05当量)并搅拌10分钟。将混合物在100℃的温度下搅拌16小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用二氯甲烷和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，并用氯仿和乙腈重结晶，从而获得化合物16。(产率：60％)
17.合成化合物17
(1)化合物“m”
[反应式17-1]
在N2气体净化系统中，将2,3-氢喹噁啉(3g)投入到PBr5溶剂中并在160℃的温度下搅拌4小时。反应完成后，将溶液冷却至0℃并搅拌30分钟。将混合物以二氯甲烷和蒸馏水萃取并用1N氢氧化钠洗涤。利用硫酸镁去除水分，并且富集所得物，从而获得化合物“m”。(产率：96％)
(2)化合物17
[反应式17-2]
将化合物“m”、化合物“e”(3当量)、Pd2(dba)3(0.1当量)、三环己基膦(0.1当量)和1.35M K3PO4水溶液投入二噁烷溶剂中并搅拌。在N2气体净化系统中，将混合物回流并搅拌48小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并通过二氯甲烷和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物17。(产率：36％)
18.合成化合物18
(1)化合物“n”
[反应式18-1]
在N2气体净化系统中，将化合物“m”溶于甲苯溶剂，并且将化合物“h”(0.9当量)加入溶液中。将K2CO3(4当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯溶剂和蒸馏水对混合物进行萃取，并且利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分。去除剩余的有机溶剂，并且将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得固体化合物“n”。(产率：55％)
(2)化合物18
[反应式18-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“n”溶于甲苯溶剂，并且将化合物“e”(1.2当量)加入到溶液中。将K2CO3(8.8当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.1当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用氢氧化钠水溶液和甲苯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷的柱色谱进行湿法精制并重结晶，从而获得化合物18。(产率：45％)
19.合成化合物19
(1)化合物“a”
[反应式19-1]
在N2气体净化系统中，混合并搅拌2,8-二溴二苯并噻吩(14.6mmol)和乙酸溶剂。加入过氧化氢(64.8mmol)并在室温搅拌约30分钟，并且将混合物回流并搅拌12小时以上。反应完成后，加入蒸馏水(50ml)并搅拌以进行洗涤。将混合物过滤后，将固体与过量过氧化氢混合并搅拌以进行洗涤30至60分钟。固体以蒸馏水洗涤并进行过滤和干燥，从而获得呈白色固体的化合物“a”。(产率：90％)
(2)化合物“b”
[反应式19-2]
在N2气体净化系统中，将N-苯基邻氨基苯甲酸(46.9mmol)和甲醇溶剂混合并搅拌。将混合物在0℃的温度下再搅拌10分钟，并且缓慢滴加亚硫酰氯(21.2mmol)。将混合溶液在90℃的温度下搅拌12小时以上。反应完成后，除去溶剂，并且通过蒸馏水和乙酸乙酯萃取混合溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈深黄色液体的化合物“b”。(产率：81％)
(3)化合物“c”
[反应式19-3]
在N2气体净化系统中，搅拌化合物“b”(38.1mmol)和四氢呋喃溶剂。将甲基溴化镁(4.6当量)缓慢滴加到溶液中，并且将溶液在室温下搅拌反应12小时以上。反应完成后，缓慢加入蒸馏水，并且以乙酸乙酯萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得呈黄色液体的化合物“c”。(产率：87％)
(4)化合物“d”
[反应式19-4]
在N2气体净化系统中，将化合物“c”(33.1mmol)加入到过量磷酸溶剂(160ml)中，并且在室温下搅拌溶液。将溶液再搅拌16小时以上，并且缓慢加入蒸馏水(200至250ml)。将溶液搅拌0.5至1小时，并且将沉淀的固体过滤。将所过滤的固体利用氢氧化钠水溶液和二氯甲烷溶剂萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且去除有机溶剂，从而获得呈白色固体的化合物“d”。(产率：69％)
(5)化合物19
[反应式19-5]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.3mol)、化合物“a”(0.15mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物19。(产率：81％)
20.合成化合物20
[反应式20]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.3mol)、4-溴苯基砜(0.15mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物20。(产率：80％)
21.合成化合物21
(1)化合物“e”
[反应式21-1]
在N2气体净化系统的遮光烧瓶中，在-78℃的温度下将溴苯(0.9当量)溶于四氢呋喃中，并且缓慢滴加正丁基锂。利用套管在N2条件下将溶于四氢呋喃的2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪滴加到溶液中，并搅拌8小时。反应完成后，将所得物精制，从而获得化合物“e”。(产率：45％)
(2)化合物21
[反应式21-2]
在N2气体净化系统中，将催化剂Pd(dba)2(5mol％)和P(t-Bu)3(4mol％)加入到甲苯溶剂中并搅拌约15分钟。另加入化合物2(33.8mmol)、化合物“d”(16.9mmol)和NaOt-Bu(60.6mmol)，并且将混合物在90℃的温度下搅拌5小时。反应完成后，以硅藻土过滤混合物，并且除去溶剂。将所过滤的固体通过利用己烷和二氯甲烷的柱色谱进行精制，并利用己烷重结晶，从而获得化合物21。(产率：59％)
22.合成化合物22
[反应式22]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.3mol)、5,8-二溴-喹噁啉(0.15mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物22。(产率：79％)
23.合成化合物23
(1)化合物“f”
[反应式23-1]
在N2气体净化系统中，用约5分钟将3,4-二氨基噻吩二盐酸(5.52mmol)缓慢加入到Na2CO3(5％，60ml)和乙二醛(6.1mmol)的混合溶液中。另加入稀释的乙二醛溶液(40％，15mol)。将混合物在室温下搅拌3小时并以乙酸乙酯快速萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且在不加热的情况下除去溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“f”。(产率：70％)
(2)化合物“g”
[反应式23-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“f”(14.7mmol)加入到氯仿/乙酸(1:1)溶剂中并搅拌。将溶液冷却至0℃，并另加入N-溴琥珀酰亚胺(NBS，32.3mmol)。将混合物在室温下搅拌12小时。反应完成后，在混合物中加入与反应溶剂一样多的蒸馏水，并且以氯仿萃取溶液。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且在不加热的情况下除去溶剂。以乙醚洗涤固体。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“g”。(产率：75％)
(3)化合物23
[反应式23-3]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.3mol)、化合物“g”(0.15mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物23。(产率：70％)
24.合成化合物24
(1)化合物“h”
[反应式24-1]
在N2气体净化系统中，将咔唑溶于1,4-二噁烷溶剂，并且加入CuI和K3PO4。另加入化合物“a”(1.1当量)和反式-1,2-二氨基环己烷。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌24小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并通过乙酸乙酯和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“h”。(产率：58％)
(2)化合物24
[反应式24-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“h”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物24。(产率：55％)
25.合成化合物25
(1)化合物“i”
[反应式25-1]
在N2气体净化系统中，将咔唑溶于1,4-二噁烷溶剂，并且加入CuI和K3PO4。另加入4-溴苯基砜(1.1当量)和反式-1,2-二氨基环己烷。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌24小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并通过乙酸乙酯和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“i”。(产率：60％)
(2)化合物25
[反应式25-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“i”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物25。(产率：65％)
26.合成化合物26
(1)化合物“j”
[反应式26-1]
在N2气体净化系统中，将化合物“a”溶于甲苯溶剂，并且加入4-(二苯基氨基)苯基硼酸(1.1当量)。将K2CO3(4.4当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，利用乙酸乙酯溶剂和蒸馏水对混合物进行萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“j”。(产率：56％)
(2)化合物26
[反应式26-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“j”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物26。(产率：50％)
27.合成化合物27
(1)化合物“k”
[反应式27-1]
在N2气体净化系统中，将4-溴苯基砜溶于甲苯溶剂，并且加入4-(二苯基氨基)苯基硼酸(1.1当量)。将K2CO3(4.4当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，通过乙酸乙酯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“k”。(产率：55％)
(2)化合物27
[反应式27-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“k”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物27。(产率：45％)
28.合成化合物28
(1)化合物“l”
[反应式28-1]
在N2气体净化系统中，将咔唑溶于1,4-二噁烷溶剂，并且加入CuI和K3PO4。另加入5,8-二溴喹噁啉(1.1当量)和反式-1,2-二氨基环己烷。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌24小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并通过乙酸乙酯和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“l”。(产率：48％)
(2)化合物28
[反应式28-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“l”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物28。(产率：50％)
29.合成化合物29
(1)化合物“m”
[反应式29-1]
在N2气体净化系统中，将5,8-二溴喹噁啉溶于甲苯溶剂，并且加入4-(二苯基氨基)苯基硼酸(1.1当量)。将K2CO3(4.4当量)溶于蒸馏水并加入到混合溶液中。加入四氢呋喃溶剂，并且加入钯(0.05当量)。将混合物在80℃的温度下回流并搅拌。反应完成后，通过乙酸乙酯萃取混合物。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用二氯甲烷和己烷的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“m”。(产率：43％)
(2)化合物29
[反应式29-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“m”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物29。(产率：50％)
30.合成化合物30
(1)化合物“n”
[反应式30-1]
在N2气体净化系统中，将咔唑溶于1,4-二噁烷溶剂，并且加入CuI和K3PO4。另加入化合物“g”(1.1当量)和反式-1,2-二氨基环己烷。将溶液在110℃的温度下回流并搅拌24小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并通过乙酸乙酯和蒸馏水萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去剩余的有机溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物“n”。(产率：45％)
(2)化合物30
[反应式30-2]
在N2气体净化系统中，将化合物“d”(0.33mol)、化合物“n”(0.33mol)、Pd(OAc)2(6.11mmol)、P(t-Bu)3(50wt％，15.28mmol)和叔丁醇钠(0.61mol)加入到甲苯溶剂中并搅拌。将溶液在120℃的温度下回流并搅拌12小时。反应完成后，将溶液冷却至室温并用水和乙酸乙酯萃取。利用硫酸镁从所萃取的有机层中去除水分，并且除去溶剂。将所得物通过利用己烷和乙酸乙酯的柱色谱进行湿法精制，从而获得化合物30。(产率：49％)
上述化合物1至30的质谱数据列在表1中。
表1
计算值 测得值(M(H+)
化合物1 C33H25N1O2S1 499.16 499.16
化合物2 C39H29N1O2S1 575.19 575.19
化合物3 C33H27N1O2S1 501.18 501.18
化合物4 C39H31N1O2S1 577.21 577.21
化合物5 C30H24N4 440.2 440.2
化合物6 C36H28N4 516.23 516.23
化合物7 C27H22N4 402.18 402.18
化合物8 C29H26N4 430.22 430.22
化合物9 C28H23N3 401.19 401.19
化合物10 C30H27N3 429.22 429.22
化合物11 C54H42N2O2S 782.30 782.30
化合物12 C51H36N2O2S 740.25 740.25
化合物13 C54H42N2O2S 782.30 782.30
化合物14 C51H38N2O2S 742.27 742.27
化合物15 C51H41N5 723.34 723.34
化合物16 C48H35N5 681.29 681.29
化合物17 C50H40N4 696.33 696.33
化合物18 C47H34N4 654.28 654.27
化合物19 C42H34N2O2S 630.23 630.23
化合物20 C42H36N2O2S 632.25 632.25
化合物21 C39H33N5 571.27 571.27
化合物22 C38H32N4 544.26 544.26
化合物23 C36H30N4S 550.22 550.22
化合物24 C39H28N2O2S 588.19 588.19
化合物25 C39H30N2O2S 590.20 590.20
化合物26 C45H34N2O2S 666.23 666.23
化合物27 C45H36N2O2S 668.25 668.25
化合物28 C35H26N4 502.22 502.22
化合物29 C41H32N4 580.26 580.26
化合物30 C33H24N4S 508.17 508.17
测量了上述化合物3，6，7，9，11，15，16，23，27和29的发光性质，并将结果列于表2中，并在图4A至4J中显示。(Hamamatsu Co.，Ltd.的Quantarus tau设备，无O2条件)
表2
如表2和图4A至4J所示，本发明的延迟荧光化合物(化合物3、化合物6、化合物7、化合物9、化合物11、化合物15、化合物16、化合物23、化合物27和化合物29)显示出数百至数万纳秒(ns)的延迟荧光发射。
如上所述，本发明的延迟荧光化合物受场激活，以使得单重态“S1”和三重态“T1”的激子跃迁到中间态“I1”。结果，单重态“S1”的激子和三重态“T1”的激子都参与发光。
FADF化合物是在单个分子中具有电子供体部分和电子受体部分以及可选的另一电子供体部分的单分子化合物，从而容易产生电荷转移。在符合特定条件的FADF化合物中，电荷可以从电子供体部分分离到电子受体部分。
FADF化合物被外部因素激活。这可以通过比较化合物溶液的吸收峰和发射峰来验证。
在上述方程中，“Δυ”是Stock迁移值，“υabs”和“υfl”分别是最大吸收峰和最大发射峰的波数。“h”是普朗克常数，“c”是光速，“a”是Onsager腔半径，“Δμ”是激发态的偶极矩与基态的偶极矩之差。(Δμ＝μe–μg)
“Δf”是表示溶剂的取向极化率的值，可以是溶剂的介电常数(ε)和溶剂的折射率(n)的函数。
由于激发态的偶极矩的强度由外围极性(例如，溶剂的极性)决定，所以FADF可以通过比较化合物溶液的吸收峰和发射峰来确认。
混合溶剂的取向极化率(Δf)可以使用各纯溶剂的取向极化率及其摩尔分数来计算。当使用上述“Lippert-Mataga方程”将“Δf”和“Δυ”线性地绘出时，化合物可以提供FADF发射。
也就是说，当FADF复合物根据溶剂的取向极化率而稳定化时，发射峰根据稳定化的程度在长波长内迁移。因此，当化合物提供FADF发射时，“Δf”和“Δυ”会在直线中绘出。当“Δf”和“Δυ”在直线中绘出时，化合物提供FADF发射。
在本发明的延迟荧光化合物中，25％的单重态激子和75％的三重态激子通过外力(即，驱动OLED时产生的场)跃迁到中间态(系间跨越)。中间态的激子跃迁到基态，使得发光效率改善。也就是说，在荧光化合物中，由于单重态激子和三重态激子参与发光，因此发光效率得到改善。
OLED
将ITO层沉积在基板上并洗涤以形成阳极(3mm*3mm)。将基板装入真空室，在约10-6～10-7Torr的基础压力下在阳极上依次形成空穴注入层(NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺))、空穴输送层(mCP(N,N'-二咔唑基-3,5-苯))、发光材料层(主体(二{2-[二(苯基)膦]苯基}醚氧化物)和掺杂剂(6％))、电子输送层(1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯)、电子注入层(LiF)和阴极(Al)。
(1)比较例(Ref)
将式8的参照化合物用作掺杂剂来形成OLED。
(2)实施例1(Ex1)
将化合物3用作掺杂剂来形成OLED。
(3)实施例2(Ex2)
将化合物6用作掺杂剂来形成OLED。
(4)实施例3(Ex3)
将化合物7用作掺杂剂来形成OLED。
(5)实施例4(Ex4)
将化合物9用作掺杂剂来形成OLED。
(6)实施例5(Ex5)
将化合物11用作掺杂剂来形成OLED。
(7)实施例6(Ex6)
将化合物13用作掺杂剂来形成OLED。
(8)实施例7(Ex7)
将化合物15用作掺杂剂来形成OLED。
(9)实施例8(Ex8)
将化合物16用作掺杂剂来形成OLED。
(10)实施例9(Ex9)
将化合物17用作掺杂剂来形成OLED。
(11)实施例10(Ex10)
将化合物19用作掺杂剂来形成OLED。
(12)实施例11(Ex11)
将化合物20用作掺杂剂来形成OLED。
(13)实施例12(Ex12)
将化合物21用作掺杂剂来形成OLED。
(14)实施例13(Ex13)
将化合物22用作掺杂剂来形成OLED。
(15)实施例14(Ex14)
将化合物23用作掺杂剂来形成OLED。
(16)实施例15(Ex15)
将化合物24用作掺杂剂来形成OLED。
(17)实施例16(Ex16)
将化合物30用作掺杂剂来形成OLED。
[式8]
表3
如表3所示，在使用本发明的化合物的OLED(Ex1～Ex16)中，驱动电压和发光效率等性质得到改善。
图5是本发明的OLED的截面示意图。
如图5所示，OLED“E”形成在基板(未示出)上。OLED“E”包括作为阳极的第一电极110、作为阴极的第二电极130和其间的有机发光层120。
虽然未示出，但可以进一步形成包含至少一个无机层和至少一个有机层并覆盖OLED“E”的封装膜和位于封装膜上的盖窗，从而形成包括OLED“E”的显示装置。基板、封装膜和盖窗可以具有柔性，从而可以提供柔性显示装置。
第一电极110由具有较高功函数的材料形成，第二电极130由具有较低功函数的材料形成。例如，第一电极110可以由氧化铟锡(ITO)形成，第二电极130可以由铝(Al)或Al合金(AlNd)形成。有机发光层120可以包括红色、绿色和蓝色发光图案。
有机发光层120可以具有单层结构。作为另一选择，为了改善发光效率，有机发光层120包括依次层叠在第一电极110上的空穴注入层(HIL)121、空穴输送层(HTL)122、发光材料层(EML)123、电子输送层(ETL)124和电子注入层(EIL)125。
选自HIL 121、HTL 122、EML 123、ETL 124和EIL 125中的至少一个包含式1-1或1-2所示的延迟荧光化合物。
例如，EML 123可以包含式1-1或1-2所示的延迟荧光化合物。延迟荧光化合物用作掺杂剂，EML 123可以进一步包含主体来发射蓝光。在此情况下，掺杂剂相对于主体为约1重量％～30重量％。
主体的HOMO“HOMO主体”与掺杂剂的HOMO“HOMO掺杂剂”之差或主体的LUMO“LUMO主体”与掺杂剂的LUMO“LUMO掺杂剂”之差小于0.5eV(|HOMO主体-HOMO掺杂剂|≤0.5eV或|LUMO主体-LUMO掺杂剂|≤0.5eV)。在此情况下，主体到掺杂剂的电荷转移效率可以得到改善。
例如，满足上述条件的主体可以选自式9中的材料。(依次是二[2-(二苯基膦)苯基]醚氧化物(DPEPO)、2,8-二(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、间-二(咔唑-9-基)联苯(m-CBP)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TPSO1)、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP))。
[式9]
掺杂剂的三重态能量小于主体的三重态能量，掺杂剂的单重态能量与掺杂剂的三重态能量之差小于0.3eV(ΔEST≤0.3eV)。随着差值“ΔEST”变小，发光效率变高。在本发明的延迟荧光化合物中，即使掺杂剂的单重态能量与掺杂剂的三重态能量之差“ΔEST”为约0.3eV(较大)，单重态“S1”的激子和三重态“T1”的激子也能够跃迁到中间态“I1”。
另一方面，本发明的延迟荧光化合物可以用作EML 123中的主体，EML 123可以进一步包含掺杂剂以发射蓝光。在此情况下，掺杂剂相对于主体为约1重量％～30重量％。由于具有优异性质的蓝色主体的开发尚不足，因此本发明的延迟荧光化合物可以用作主体来提高主体的灵活度。在此情况下，掺杂剂的三重态能量可以低于本发明的延迟荧光化合物主体的三重态能量。
EML 123可以包含作为本发明的延迟荧光化合物的第一掺杂剂、主体和第二掺杂剂。第一掺杂剂和第二掺杂剂的重量％之和可以为约1～30以发射蓝光。在此情况下，可以进一步改善发光效率和色纯度。
在此情况下，第一掺杂剂(即本发明的延迟荧光化合物)的三重态能量可以小于主体的三重态能量并大于第二掺杂剂的三重态能量。另外，第一掺杂剂的单重态能量与第一掺杂剂的三重态能量之差小于0.3eV(ΔEST≤0.3eV)。随着差值“ΔEST”变小，发光效率变高。在本发明的延迟荧光化合物中，即使掺杂剂的单重态能量与掺杂剂的三重态能量之差“ΔEST”为约0.3eV(较大)，单重态“S1”的激子和三重态“T1”的激子也能够跃迁到中间态“I1”。
如上所述，由于本发明的延迟荧光化合物包含电子供体部分和电子受体部分以及可选的另一电子供体部分，并且吖啶电子供体部分与电子受体形成较大的位阻，因此改善了发光效率。另外，可产生从第一电子供体部分和第二电子供体部分到电子受体部分的偶极，以使得分子中的偶极矩增大。结果，发光效率进一步改善。而且，在本发明的延迟荧光化合物中，三重态的激子参与发光，以使得延迟荧光化合物的发光效率得到提高。
由于电子供体部分和电子受体部分之间的间隙或距离因连接物而增加，HOMO和LUMO之间的重叠减小，从而使三重态能量和单重态能量之间的差异(ΔEST)减小。另外，由于连接物的位阻，包含延迟荧光化合物的发光层所发射的光的红移问题得到减小或最小化。
因此，使用或包含本发明的延迟荧光化合物的OLED和显示装置在发光效率上具有优势。
本领域技术人员将明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明的实施方式中可以作出各种修改和变化。因此，本发明的实施方式应覆盖本发明的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (16)

1.一种式1或式2的延迟荧光化合物：
[式1]
[式2]
其中，m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
[式3]
[式4]
[式5]
[式6]
其中，式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基。
2.如权利要求1所述的延迟荧光化合物，其中，所述延迟荧光化合物的单重态能量与所述延迟荧光化合物的三重态能量之差小于0.3eV。
3.一种有机发光二极管，其包含：
第一电极；
与所述第一电极相对的第二电极；和
位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述有机发光层包含式1或式2的延迟荧光化合物：
[式1]
[式2]
其中，m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
[式3]
[式4]
[式5]
[式6]
其中，式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述延迟荧光化合物的单重态能量与所述延迟荧光化合物的三重态能量之差小于0.3eV。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含主体，并且所述延迟荧光化合物用作掺杂剂。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管，其中，所述主体的最高占有分子轨道(HOMO)与所述掺杂剂的HOMO之差或所述主体的最低未占分子轨道(LUMO)与所述掺杂剂的LUMO之差小于0.5eV。
7.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含掺杂剂，并且所述延迟荧光化合物用作主体。
8.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含主体和第一掺杂剂，并且所述延迟荧光化合物用作第二掺杂剂，并且
其中，所述第二掺杂剂的三重态能量小于所述主体的三重态能量并大于所述第一掺杂剂的三重态能量。
9.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层包含空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光材料层(EML)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)，并且
其中，选自由所述HIL、所述HTL、所述EML、所述ETL和所述EIL组成的组的至少一个包含所述延迟荧光化合物。
10.一种显示装置，其包含：
基板；
位于所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包含第一电极、与所述第一电极相对的第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述有机发光层包含式1或式2的延迟荧光化合物；
位于所述有机发光二极管上的封装膜；和
位于所述封装膜上的盖窗，
[式1]
[式2]
其中，m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
[式3]
[式4]
[式5]
[式6]
其中，式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述延迟荧光化合物的单重态能量与所述延迟荧光化合物的三重态能量之差小于0.3eV。
12.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述有机发光层还包含主体，并且所述延迟荧光化合物用作掺杂剂。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述主体的最高占有分子轨道(HOMO)与所述掺杂剂的HOMO之差或所述主体的最低未占分子轨道(LUMO)与所述掺杂剂的LUMO之差小于0.5eV。
14.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述有机发光层还包含掺杂剂，并且所述延迟荧光化合物用作主体。
15.如权利要求10所述的显示装置，其中所述有机发光层还包含主体和第一掺杂剂，并且所述延迟荧光化合物用作第二掺杂剂，并且
其中，所述第二掺杂剂的三重态能量小于所述主体的三重态能量并大于所述第一掺杂剂的三重态能量。
16.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述有机发光层包含空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光材料层(EML)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)，并且，
其中，选自由所述HIL、所述HTL、所述EML、所述ETL和所述EIL组成的组的至少一个包含所述延迟荧光化合物。
CN201510765137.0A 2014-11-12 2015-11-11 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 Active CN105585577B (zh)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140156946 2014-11-12
KR10-2014-0156946 2014-11-12
KR10-2014-0169077 2014-11-28
KR20140169077 2014-11-28
KR10-2014-0169004 2014-11-28
KR20140169004 2014-11-28
KR10-2015-0141568 2015-10-08
KR10-2015-0141569 2015-10-08
KR1020150141570A KR102544403B1 (ko) 2014-11-28 2015-10-08 지연 형광 화합물 이를 포함하는 유기발광다이오드소자 및 표시장치
KR1020150141568A KR102519546B1 (ko) 2014-11-12 2015-10-08 지연 형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드소자 및 표시장치
KR1020150141569A KR102519545B1 (ko) 2014-11-28 2015-10-08 지연 형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드소자 및 표시장치
KR10-2015-0141570 2015-10-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105585577A CN105585577A (zh) 2016-05-18
CN105585577B true CN105585577B (zh) 2018-01-30

Family

ID=54849089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510765137.0A Active CN105585577B (zh) 2014-11-12 2015-11-11 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (4) US9954186B2 (zh)
EP (2) EP3431568B1 (zh)
JP (1) JP6238317B2 (zh)
CN (1) CN105585577B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10043984B2 (en) * 2015-07-01 2018-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
CN105503766B (zh) * 2015-12-18 2018-06-22 昆山国显光电有限公司 一种热活化延迟荧光材料及有机电致发光器件
CN106047337B (zh) * 2016-06-20 2018-11-23 武汉大学 一种含有喹喔啉单元的有机热致延迟荧光材料及其应用
KR102600472B1 (ko) * 2016-09-13 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10224488B2 (en) * 2016-12-27 2019-03-05 Feng-wen Yen Delayed fluorescence compound for organic EL device and using the same
EP3367456A1 (en) * 2017-02-28 2018-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN108997306A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 浙江九洲药物科技有限公司 一种工业化生产制备氟取代二苯并噻吩s,s-二氧化物的方法
KR102431667B1 (ko) 2017-09-21 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 헤테로환 화합물, 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치
US10472564B2 (en) * 2017-09-26 2019-11-12 Feng-wen Yen Delayed fluorescence compound and organic electroluminescent device using the same
KR102637793B1 (ko) * 2018-02-28 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US20210066613A1 (en) * 2018-03-28 2021-03-04 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
CN108658940A (zh) 2018-07-18 2018-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 热活化延迟荧光材料、其合成方法及oled发光器件
CN110790756B (zh) * 2018-08-03 2021-08-10 北京绿人科技有限责任公司 有机化合物及其应用和一种有机电致发光器件
KR102605293B1 (ko) 2018-08-07 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
CN109134446B (zh) * 2018-09-30 2021-03-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置
KR20200068352A (ko) * 2018-12-05 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치
KR20200072891A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 지연형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치
CN109796451B (zh) * 2019-02-18 2020-07-14 中国科学院化学研究所 一种以萘啶作为电子受体的多色热激活延迟荧光材料及其制备方法与应用
KR20200115795A (ko) 2019-03-26 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 전자 장치
KR20200118329A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 화합물
CN110105330B (zh) 2019-05-31 2021-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种高效蓝绿到橙红光热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用
CN110563646A (zh) * 2019-08-27 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件
CN110804047A (zh) 2019-11-06 2020-02-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 热活化延迟荧光材料及其制备方法
CN112851565B (zh) * 2019-11-27 2023-02-10 杭州师范大学 一种室温磷光性能的有机发光材料及其制备方法和应用
CN111662286B (zh) * 2020-05-19 2021-08-24 浙江虹舞科技有限公司 一种含有吡啶并三氮唑及衍生物受体结构单元的可见光延迟荧光材料及应用
CN111620817B (zh) * 2020-06-04 2022-09-27 常州大学 新型蓝色热活性延迟荧光材料及其应用
CN111848513A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 武汉大学 热激活延迟荧光材料及其制备方法与应用
CN112142723B (zh) * 2020-10-09 2022-02-08 中节能万润股份有限公司 一种oled材料及其制备方法与应用
US11561583B2 (en) * 2021-02-04 2023-01-24 Dell Products L.P. Information handling system with scrolling expandable display
CN113788820B (zh) * 2021-08-25 2023-08-22 常州大学 基于二苯并杂环共轭π桥的蓝色热活性延迟荧光材料及应用
CN113929634A (zh) * 2021-11-22 2022-01-14 山西永津集团有限公司 一种2,3-二溴喹喔啉的合成方法
WO2023178136A2 (en) * 2022-03-16 2023-09-21 The University Of Chicago Stretchable light-emitting polymers
CN115028620B (zh) * 2022-05-26 2023-08-15 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 有机化合物、其制备方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5551428B2 (ja) * 2009-01-06 2014-07-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料及び有機電界発光素子
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
WO2013161437A1 (ja) * 2012-04-25 2013-10-31 国立大学法人九州大学 発光材料および有機発光素子
WO2014017844A1 (ko) 2012-07-26 2014-01-30 주식회사 동진쎄미켐 아크리딘 유도체를 포함하는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP2016122672A (ja) * 2013-03-18 2016-07-07 出光興産株式会社 発光装置
CN103483332B (zh) 2013-09-11 2016-08-10 中山大学 具有热激活延迟荧光和聚集诱导发光性能的压致发光材料及其合成方法和应用
CN103992305B (zh) * 2014-03-18 2017-05-17 四川大学 1,8‑萘酰亚胺类有机电致发光主体材料及器件
KR101560102B1 (ko) * 2014-11-20 2015-10-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP3020783B1 (en) 2018-06-06
JP2016094418A (ja) 2016-05-26
CN105585577A (zh) 2016-05-18
EP3431568B1 (en) 2020-04-08
US10135005B2 (en) 2018-11-20
JP6238317B2 (ja) 2017-11-29
EP3431568A1 (en) 2019-01-23
US20160133856A1 (en) 2016-05-12
US10651399B2 (en) 2020-05-12
US20190036035A1 (en) 2019-01-31
US10193085B2 (en) 2019-01-29
EP3020783A1 (en) 2016-05-18
US9954186B2 (en) 2018-04-24
US20180205023A1 (en) 2018-07-19
US20180269408A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105585577B (zh) 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置
CN105524071B (zh) 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置
CN105524070B (zh) 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置
CN105670606B (zh) 延迟荧光化合物、使用该延迟荧光化合物的有机发光二极管和显示装置
CN105070846B (zh) 发光元件、发光装置、照明装置及电子设备
CN107108545A (zh) 有机发光元件用化合物及包括此的有机发光元件
CN106978161A (zh) 组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述组合物或薄膜的有机发光器件
CN106688119A (zh) 有机电致发光器件
CN106866498A (zh) 有机化合物、有机电致发光器件及其应用
CN105103327A (zh) 发光元件、化合物、有机化合物、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备
CN105601613B (zh) 空间电荷转移化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置
TW201105774A (en) Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
CN110452182A (zh) 一种主体化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
CN104212439B (zh) 一种含n-p＝s共振结构的光电功能材料、制备方法及应用
CN103187537A (zh) 一种高效白光有机电致发光器件
Han et al. Host engineering based on multiple phosphorylation for efficient blue and white TADF organic light-emitting diodes
CN107663197A (zh) 有机发光化合物及包含其的有机发光元件
CN107459523A (zh) 新型杂环化合物及包含该化合物的有机发光元件
CN105874626A (zh) 有机电场发光元件用材料以及使用其的有机电场发光元件
CN106033801B (zh) 有机电致发光器件
Lu et al. Bee-shaped host with ideal polarity and energy levels for high-efficiency blue and white fluorescent organic light-emitting diodes
TW201341378A (zh) 新穎化合物、有機電激發光元件用材料及有機電激發光元件
CN106033793A (zh) 有机电致发光器件
CN103183711B (zh) 一种二-三芳胺取代膦氧基苯并菲类化合物、中间体及制备方法与应用
CN106133937A (zh) 有机电场发光元件用材料以及使用其的有机电场发光元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant