CN105473759A - Fe－Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质 - Google Patents
Fe－Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105473759A CN105473759A CN201480044298.4A CN201480044298A CN105473759A CN 105473759 A CN105473759 A CN 105473759A CN 201480044298 A CN201480044298 A CN 201480044298A CN 105473759 A CN105473759 A CN 105473759A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sputtering target
- target material
- intermetallic compound
- soft magnetic
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/047—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy comprising intermetallic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
- C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
- C22C33/0285—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5% with Cr, Co, or Ni having a minimum content higher than 5%
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2200/00—Crystalline structure
- C22C2200/02—Amorphous
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
本发明的靶材是由从Nb、Ta、Mo和W中选择的至少一种M元素，以及作为Fe和Co中的一种或两种和不可避免的杂质的余量构成，并且，满足下式(1)：(Fex-Co100-x)100-YMY…(1)[式中，原子比为0≤X≤100和4≤Y≤28。]的Fe-Co系合金所构成的溅射靶材，溅射靶材的显微组织具有以Fe和Co为主体的相，和包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，使Fe和Co中的一种或两种和M元素构成的金属间化合物相网状生长，包围、断开以Fe和Co为主体的相使之孤立，因金属间化合物相而孤立的以Fe和Co为主体的相的数量在所述溅射靶材中，在每10000μm2中存在300个以上。
Description
关联申请的相互参照
本申请基于2013年8月15日申请的日本国专利申请2013-168787号主张优先权，其全部公开内容通过参照被编入本说明书中。
技术领域
本发明涉及Fe-Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质。
背景技术
近年来，磁记录技术的进步显著，为了使驱动大容量化，磁记录介质的记录高密度化日益推进，能够由以往普及的面内磁记录介质实现更高的记录密度，垂直磁记录方式得到实用化。所谓垂直磁记录方式，是对于垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面，以沿垂直方向取向的方式形成易磁化轴，是适于高记录密度的方法。而且，在垂直磁记录方式中，开发出具有提高了记录灵敏度的磁记录膜层和软磁性膜层的双层记录介质。该磁记录膜层一般来说使用的是CoCrPt-SiO2系合金。
另一方面，软磁性膜层如日本特开2006-294090号公报(专利文献1)所公开的，提出有Fe-Co系合金膜。在此专利文献1中，为了使膜构造为非晶或微晶，而在Fe和Co中添加20原子％以上的Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr和/或Mo。
另外，如日本特开2010-18884号公报(专利文献2)所公开的，提出有一种Fe-Co系合金系的溅射靶材，是(Fe-20～80Co)-4～25Nb或Ta的组成的经过急冷凝固工序的溅射靶材，金属间化合物相的尺寸以最大内接圆的直径计为10μm以下。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-294090号公报
专利文献2：日本特开2010-18884号公报
为了形成上述这样的Fe-Co系合金膜，需要对应的Fe-Co系溅射靶材。但是，在实现上述这样的膜组成的溅射靶材，特别是专利文献2所公开的具有(Fe-20～80Co)-4～25Nb或Ta的组成的溅射靶材中，具有反映急冷凝固时所形成的枝晶组织的，最大内接圆的直径为10μm以下的尺寸的金属间化合物相，因此存在溅射时发生微粒这样的问题。
如果是通常情况，如专利文献2公开的，图1、3、5、6和7所示这样的含有Nb和Ta的金属间化合物，被断开成含有Fe和Co之中一种或两种的相。即，含有Nb和Ta的金属间化合物被以Fe和Co为主体的相包围、断开。该被断开的含有Nb和Ta的金属间化合物相，被认为是在靶材的溅射时发生的微粒的原因。
发明内容
为了消除上述这样的问题，发明人等进行了潜心开发，其结果发现，通过调整溅射靶材的显微组织，可抑制溅射中的微粒发生，从而达成发明。
根据本发明的一个方式，提供一种由如下Fe-Co系合金构成的溅射靶材，其作为M元素含有Nb、Ta、Mo、W中的一种或两种以上，余量由Fe和Co中的一种或两种以及不可避免的杂质构成，且满足原子比为0≤X≤100，4≤Y≤28的下式(1)，其特征在于，该溅射靶材的显微组织具有以Fe和Co为主体的相、和包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，使包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相网状地生长，包围、断开以Fe和Co为主体的相而使之孤立。
(FeX-Co100-X)100-YMY…(1)
根据本发明的另一方式，提供一种溅射靶材，由如下Fe-Co系合金构成，
其由从Nb、Ta、Mo和W中选择的至少一种M元素，以及作为Fe和Co中的一种或两种和不可避免的杂质的余量构成，并且，
满足下式(1)：
(FeX-Co100-X)100-YMY…(1)
[式中，原子比为0≤X≤100和4≤Y≤28。]，
其中，所述溅射靶材的显微组织具有以Fe和Co为主体的相、和包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，
使由所述包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相网状地生长，包围、断开所述以Fe和Co为主体的相而使之孤立，
因所述金属间化合物相而孤立的所述以Fe和Co为主体的相的数量在所述溅射靶材中，在每10000μm2中存在300个以上。
根据本发明又一方式，提供一种制造方法，是由Fe-Co系合金构成的溅射靶材的制造方法，其中包括如下工序：
准备Fe-Co系合金的粉末的工序，该Fe-Co系合金的粉末由从Nb、Ta、Mo和W中选择的至少一种M元素，以及
作为Fe和Co中的一种或两种和不可避免的杂质的余量构成，并且，满足下式(1)：
(FeX-Co100-X)100-YMY…(1)
[式中，原子比为0≤X≤100和4≤Y≤28。]；和
将所述粉末以成形温度1000～1200℃、成形压力90～150MPa、和保持时间5～10小时进行加压烧结的工序。
根据本发明再一方式，提供一种软磁性薄膜层，其特征在于，由上述任意一种Fe-Co-M系合金所构成的溅射靶材形成。
根据本发明再一方式，提供一种垂直磁记录介质，其特征在于，使用上述的软磁性薄膜层而成。
根据本发明，能够提供可进行稳定的磁控管溅射，抑制了微粒的发生的软磁性膜成形用的Fe-Co系合金溅射靶材，能够制造如垂直磁记录介质这样需要Fe-Co系合金的软磁性膜的工业制品。
附图说明
图1是表示本发明例(表1，No.1)的Fe-Co系合金的显微组织的扫描型电子显微镜照片的拍摄10个视野之内的1个视野的图。
图2是表示本发明的范围外的Fe-Co系合金的显微组织的扫描型电子显微镜照片的拍摄10个视野之内的1视野的图。
具体实施方式
以下，说明关于本发明的限定理由。
在本发明的Fe-Co-M合金中，原子比的组成式由(FeX-Co100-X)100-YMY，0≤x≤100，4≤y≤28表示。关于X没有限定，靶中含有Co和Fe任意一种或两种即可。作为软磁性薄膜层使用时，虽然理由不清楚，但因为在经验上能够良好地取得特性，所以X的值优选为20～80，更优选为25～75。
另外，M元素为Ta、Nb、Mo和W，使其添加量y为4≤y≤28的理由在于，通过在此范围添加M元素，具有使薄膜的非晶化促进的效果。另一方面，M元素在与Fe、Co之间使金属化合物相网状地生长，使Co、Fe相断开。Y为4以上时其效果充分。另一方面，如果Y在28以下，则可维持Fe和Co中的一种或两种的相被包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物断开的效果。因此，使其范围为4～28。Y的值优选为10～25，更优选为15～23。
将M元素限定为Ta、Nb、Mo和W的理由在于，其是与Fe和Co结合而形成易产生微粒的金属间化合物的金属。即，以(Fe-20～80Co)-4～25Ta，或Nb、Mo和W的组成的靶材使化合物网状地生长，断开Co、Fe，消除孤立的CoFe-Ta(Nb、Mo、W)化合物，CoFe-Ta(Nb、Mo、W)化合物之间的连结变强，溅射时难以作为微粒飞出。
一般来说，在Fe-Co-M合金的熔化凝固组织中，M元素与Fe、Co形成金属间化合物相而存在于基体中。该金属间化合物相的形态、分散根据靶材的制造方法而变化，很大程度影响到靶材的溅射时发生的微粒量。特别是通过使含有M元素的金属间化合物相作为Fe2M、Co2M的金属间化合物相存在，能够控制本来作为强磁性的Fe、Co的金属间化合物相的形状，使微粒发生大幅减少。
因此，在本发明中，利用包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，使包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相网状地生长，断开以Fe和Co为主体的相，从而抑制微粒发生。另外，此被断开的以Fe和Co为主体的相的数量(因金属间化合物相而孤立的以Fe和Co为主体的相的数量)在每10000μm2中限定为300个以上的理由在于，断开的以Fe和Co为主体的相的数量越多，表示包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物的相越是网状地生长(展开)。断开的以Fe和Co为主体的相的数量在每10000μm2中优选为400个以上，更优选为500个以上。
图1是表示本发明例(表1，No.1)的Fe-Co系合金的显微组织的扫描型电子显微镜照片的拍摄10个视野之内的1个视野的图。如该图所示，黑色的相是以Fe和Co为主体的相，白色的相是包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相。由该图可知，以Fe和Co为主体的相的断开个数为113个。另一方面，图2是表示本发明的范围外的Fe-Co系合金的显微组织的扫描型电子显微镜照片的拍摄10个视野之内的1个视野的图，可知断开个数是2个。
即，如扫描型电子显微镜照片所示，通过使包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物，即由白色表示的相网状地生长，从而包围以Fe和Co为主体的相，即由黑色表示的相，通过消除由孤立的M元素构成的金属间化合物相，金属间化合物之间的连结被强化，溅射时难以作为微粒飞出。换言之，就是被该金属间化合物相包围的、以Fe和Co为主体的由黑色表示的相被断开，成为孤立的状态，能够使溅射时的微粒发生减少。
作为合金化处理的Fe-Co-M系合金粉末的加压烧结方法，应用热压、HIP成形(热等静压)等方法。还有，加压烧结时的成形温度设定为1000～1200℃，成形压力设定为90～150MPa，保持时间设定为5～10小时。其理由在于，若使烧结温度、成形压力、保持时间在这些条件下加压烧结，则显微组织的以Fe和Co为主体的相被断开，溅射时的微粒发生得到抑制。另外，以高于1200℃的温度、高于150MPa的压力、超过10小时的各个条件进行加压烧结，效果也是饱和的，因此限定在上述范围内。
实施例
以下，通过实施例对于本发明具体地加以说明。
以表1～4所示的组成，通过气体雾化法制作软磁性合金的粉末。将所得到的粉末分级到500μm以下，作为HIP成形(热等静压)的原料粉末使用。HIP成形用坯料，是在直径250mm、长50mm的碳钢制罐中填充原料粉末之后，进行真空脱气、封入而制作。对于该粉末填充坯料，以表1～4所示的成形压力、成形温度、保持时间的条件进行HIP成形。其后，由成形体制作直径180mm、厚7mm的溅射靶材。
具有以Fe、Co为主体的相、和包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，Fe和Co中的一种或两种的相被其与M元素构成的金属间化合物断开，这通过评价显微组织而确认。显微组织的评价是从靶端材提取扫描型电子显微镜(SEM)用试验片，研磨试验片截面，1个视野为纵50μm、横60μm的视野(3000μm2)，拍摄反射电子像10个视野，评价每1个视野中的以Fe和Co为主体的相被包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相断开的数量。每10000μm2中的个数是表的断开个数的3.3倍即可。
溅射此溅射靶，在直径95mm、板厚1.75mm的铝基板上，通过DC磁控管溅射，以Ar气压力0.9Pa制膜，利用光学测量机(OpticalSurfaceAnalyzer)评价微粒数。
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
如表1～4所示，表1～3是本发明例，表4是比较例。
如表4所示，比较例No.1～22，以Fe和Co为主体的相未被充分断开，微粒的发生数多。
相对于此，作为本发明例的表1～3所示的No.1～112，由于均满足本发明的条件，所以测量以Fe、Co为主体的相被包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相区分开的数量；和以观察1个视野纵50μm、横60μm的10个视野的平均计，以Fe、Co为主体的相的最大长径，可知断开的以Fe、Co为主体的相的处所约观察到100～310处，另一方面，溅射溅射靶，以OpticalSurfaceAnalyzer评价微粒数的结果可知为10个以下。
如以上所述，用本发明的(Fe-20～80Co)-4～25Ta，或Nb、Mo和W的组成的靶材使化合物网状地生长，由此可以减少溅射时的微粒。还有，在本发明中，通过使粉末坚固，能够得到微细的组织，并且，虽然没有特别区分铸造材、粉末材，但为了微细地得到组织而希望粉末制。
Claims (4)
1.一种溅射靶材，是由Fe-Co系合金构成的溅射靶材，该合金由从Nb、Ta、Mo和W中选择的至少一种M元素，以及作为余量的Fe和Co中的一种或两种和不可避免的杂质构成，并且，满足下式(1)：
(FeX-Co100-X)100-YMY…(1)
式中，原子比为0≤X≤100和4≤Y≤28，
其中，所述溅射靶材的显微组织具有以Fe和Co为主体的相、和包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相，
使所述包含Fe和Co中的一种或两种与M元素的金属间化合物相网状地生长，包围、断开所述以Fe和Co为主体的相而使之孤立，
因所述金属间化合物相而孤立的所述以Fe和Co为主体的相的数量在所述溅射靶材中，在每10000μm2中存在300个以上。
2.一种由Fe-Co系合金构成的溅射靶材的制造方法，其中，包括如下工序：
准备Fe-Co系合金的粉末的工序，该Fe-Co系合金的粉末由从Nb、Ta、Mo和W选择的至少一种M元素，以及作为余量的Fe和Co中的一种或两种和不可避免的杂质构成，并且，满足下式(1)：
(FeX-Co100-X)100-YMY…(1)
式中，原子比为0≤X≤100和4≤Y≤28，
对于所述粉末，以成形温度1000～1200℃、成形压力90～150MPa、和保持时间5～10小时进行加压烧结的工序。
3.一种软磁性薄膜层，其由权利要求1所述的Fe-Co-M系合金所构成的溅射靶材形成。
4.一种垂直磁记录介质，其使用权利要求3所述的软磁性薄膜层而成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-168787 | 2013-08-15 | ||
| JP2013168787A JP6161991B2 (ja) | 2013-08-15 | 2013-08-15 | Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材 |
| PCT/JP2014/071305 WO2015022963A1 (ja) | 2013-08-15 | 2014-08-12 | Ｆｅ－Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材および軟磁性薄膜層とそれを使用した垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105473759A true CN105473759A (zh) | 2016-04-06 |
| CN105473759B CN105473759B (zh) | 2018-04-03 |
Family
ID=52468348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480044298.4A Active CN105473759B (zh) | 2013-08-15 | 2014-08-12 | Fe‑Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6161991B2 (zh) |
| CN (1) | CN105473759B (zh) |
| MY (1) | MY182858A (zh) |
| SG (1) | SG11201600474SA (zh) |
| TW (1) | TWI621718B (zh) |
| WO (1) | WO2015022963A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108004515A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铁钴钽合金溅射靶材的制备方法、铁钴钽合金溅射靶材及应用 |
| CN113453823A (zh) * | 2019-02-26 | 2021-09-28 | 山阳特殊制钢株式会社 | 适合于溅射靶材的合金 |
| WO2022041741A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铁钴钽合金粉的制备方法、铁钴钽合金粉及用途 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016149170A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 日立金属株式会社 | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系合金スパッタリングターゲット材および軟磁性膜 |
| WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
| SG11202009585QA (en) * | 2018-03-28 | 2020-10-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Perpendicular magnetic recording medium |
| WO2024128075A1 (ja) * | 2022-12-16 | 2024-06-20 | 株式会社プロテリアル | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1637869A (zh) * | 2003-12-25 | 2005-07-13 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 具有Co合金和Pt薄膜交替层叠结构的垂直磁记录介质、其制造方法和装置 |
| JP2008121071A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材 |
| JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 |
| JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN102149836A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-08-10 | 山阳特殊制钢株式会社 | 用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,溅射靶材及其制备方法 |
-
2013
- 2013-08-15 JP JP2013168787A patent/JP6161991B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-12 WO PCT/JP2014/071305 patent/WO2015022963A1/ja active Application Filing
- 2014-08-12 SG SG11201600474SA patent/SG11201600474SA/en unknown
- 2014-08-12 MY MYPI2016700480A patent/MY182858A/en unknown
- 2014-08-12 CN CN201480044298.4A patent/CN105473759B/zh active Active
- 2014-08-14 TW TW103127909A patent/TWI621718B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1637869A (zh) * | 2003-12-25 | 2005-07-13 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 具有Co合金和Pt薄膜交替层叠结构的垂直磁记录介质、其制造方法和装置 |
| JP2008121071A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材 |
| JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 |
| JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN102149836A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-08-10 | 山阳特殊制钢株式会社 | 用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金,溅射靶材及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108004515A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铁钴钽合金溅射靶材的制备方法、铁钴钽合金溅射靶材及应用 |
| CN113453823A (zh) * | 2019-02-26 | 2021-09-28 | 山阳特殊制钢株式会社 | 适合于溅射靶材的合金 |
| WO2022041741A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铁钴钽合金粉的制备方法、铁钴钽合金粉及用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105473759B (zh) | 2018-04-03 |
| JP2015036453A (ja) | 2015-02-23 |
| MY182858A (en) | 2021-02-05 |
| WO2015022963A1 (ja) | 2015-02-19 |
| SG11201600474SA (en) | 2016-02-26 |
| TW201512421A (zh) | 2015-04-01 |
| JP6161991B2 (ja) | 2017-07-12 |
| TWI621718B (zh) | 2018-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105473759A (zh) | Fe－Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质 | |
| JP5605787B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金を成膜するためのスパッタリングターゲット材とその製造方法 | |
| JP4016399B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金ターゲット材の製造方法 | |
| CN101161854B (zh) | Co—Fe—Zr系合金溅射靶材及其制造方法 | |
| JP5337331B2 (ja) | スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP2006265653A (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材およびその製造方法 | |
| CN103221999A (zh) | 磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材 | |
| TWI683008B (zh) | 濺鍍靶材及其製造方法 | |
| JP4699194B2 (ja) | ＦｅＣｏＢ系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP6050050B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP5477724B2 (ja) | 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、軟磁性膜および垂直磁気記録媒体 | |
| JP2009191359A (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材 | |
| TW201817890A (zh) | ＮｉＴａ系合金、靶材及磁性記錄媒體 | |
| JP6128417B2 (ja) | 軟磁性下地層 | |
| JP2010150591A (ja) | 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金 | |
| JP2011068985A (ja) | 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材 | |
| TWI567206B (zh) | 軟磁性膜及軟磁性膜形成用濺鍍靶材 | |
| TWI823989B (zh) | 磁氣記錄媒體之軟磁性層用濺鍍靶材及磁氣記錄媒體 | |
| JP6156734B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2001262327A (ja) | 磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 | |
| TW202113112A (zh) | 靶材 | |
| JP2020135907A (ja) | 垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、並びに、垂直磁気記録媒体及びその軟磁性層 | |
| JPH11286776A (ja) | 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |