CN105225984A - 包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法 - Google Patents

包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105225984A
CN105225984A CN201510329345.6A CN201510329345A CN105225984A CN 105225984 A CN105225984 A CN 105225984A CN 201510329345 A CN201510329345 A CN 201510329345A CN 105225984 A CN105225984 A CN 105225984A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat exchange
exchange medium
district
temperature
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510329345.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105225984B (zh
Inventor
广木勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN105225984A publication Critical patent/CN105225984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105225984B publication Critical patent/CN105225984B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F27/00—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus
    • F28F27/02—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus for controlling the distribution of heat-exchange media between different channels
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F13/06—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by affecting the pattern of flow of the heat-exchange media
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本申请是涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法的发明。精密地控制载置台的温度。一实施方式的包含可控制温度的加工台的系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，即，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域、即在平板的背面侧分割多个区的各个而成的所述多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到所述多个区域的热交换介质；及阀单元，针对每一区控制利用热交换器对多个区域的热交换介质的供给或阻断。

Description

包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法
技术领域
本发明的实施方式涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法。
背景技术
在电子器件的制造中，对被处理体实施等离子体蚀刻等的等离子体处理。在这种等离子体处理中，对于对被处理体进行的处理要求面内均匀性。为了实现处理的面内均匀性，要求精密地控制被处理体的温度分布。
已知有为了控制被处理体的温度分布而调整载置台的温度的系统。例如在专利文献1及2中，记载着如下系统：通过对在载置台的内部沿该载置台的周向形成的调温部供给高温流体及低温流体，控制载置台的静电吸盘的温度。这些系统包括：旁通流路，其连接于调温部的入口及出口，使流体在该入口与出口之间循环；低温流路，其连接于旁通流路，将来自低温温度调节单元的低温流体供给到旁通流路；及高温流路，其连接于旁通流路，将来自高温温度调节单元的高温流体供给到旁通流路。在旁通流路、低温流路、及高温流路分别连接着阀开度相互连动地变化的阀。
另外，在专利文献3中记载着一种包括载置台、冷却单元、加热单元、流路切换单元、及控制器等的温度控制装置。在该载置台形成着在载置台的中心部区域沿该载置台的周向延伸的第一冷媒通路、及在载置台的周边部区域沿该载置台的周向延伸的第二冷媒通路。专利文献3所记载的装置通过利用控制器的控制切换加热单元的动作及流路切换单元的开闭阀的打开及关闭，使用单个冷却单元个别地控制在载置台的第一冷媒通路及第二冷媒通路流通的冷媒的温度。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2014-21828号公报
[专利文献2]日本专利特开2013-105359号公报
[专利文献3]日本专利特开2006-286733号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
在所述专利文献1～3所记载的装置中，使热交换介质流通的流路沿载置台的周向而形成。在该装置中，因为热交换介质在该流路内流通的过程中会受到来自基板的热，所以流通的热交换介质的温度会因周向的路径上的位置而产生差异。结果在载置台的温度分布产生差异，而难以精密地控制载置台的温度。因此，在本技术领域中，要求一种可精密地控制载置台的温度的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法。
[解决问题的技术手段]
一方面，提供一种包含可控制温度的加工台的系统。该系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，即，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域、即在平板的背面侧分割多个区(zone)的各个而成的该多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到该多个区域的热交换介质；及多个阀单元，其针对多个区的每个区控制利用热交换器对多个区域的热交换介质的供给或阻断。
在该系统中，对在平板的背面侧二维地排列的多个区域个别地供给热交换介质，且回收所供给的热交换介质。由此，可防止因平板的位置而在所供给的热交换介质的温度产生差异，因此，可在平板使温度分布均匀化。另外，因为是针对每一区控制热交换介质的供给或阻断，所以能够以区为单位控制平板的温度分布。因此，根据该系统，可精密地控制载置基板的平板的温度。
在一形态中，热交换器可包括：多个第一管，其在平板的下方二维地排列，朝平板的背面向上方延伸，提供与多个区域的各个相对向的开口端；间隔壁，其划分形成分别包围多个第一管的多个空间；及多个第二管，以分别连通于多个空间的方式与间隔壁连接。
在本形态中，从在平板的下方朝上方延伸的多个第一管对平板的所述多个区域个别地供给热交换介质。从该多个第一管供给的热交换介质从分别连通于多个空间的多个第二管被回收。这样一来，根据本形态的系统，通过对平板的多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收所供给的热交换介质，可精密地控制载置台的温度。
在一形态的系统中，多个阀单元的各个也可配置在第一热交换介质供给装置及第二热交换介质供给装置与热交换器之间，且包括：共用管线，其具有连接于与同一区相对向的提供开口端的多个第一管的一端部及另一端部；第一管线及第二管线，其连接于共用管线的另一端部；第一热交换介质供给管线，其可连接于第一热交换介质供给装置；第二热交换介质供给管线，其可连接于第二热交换介质供给装置；第一阀，其配置在第一管线与第一热交换介质供给管线之间；及第二阀，其配置在第二管线与第二热交换介质供给管线之间；第一阀及第二阀可相互独立地打开及关闭。
在本形态中，在打开第一阀的情况下，来自第一热交换介质供给装置的热交换介质经由第一热交换介质供给管线及共用管线被供给到与同一区相对向的多个第一管。另一方面，在打开第二阀的情况下，来自第二热交换介质供给装置的热交换介质经由第二热交换介质供给管线及共用管线被供给到与同一区相对向的多个第一管。这样一来，根据本形态的系统，通过打开及关闭第一阀及第二阀，可将热交换介质的供给源切换成第一热交换介质供给装置或第二热交换介质供给装置。
在一形态中，也可为第一热交换介质供给装置供给调整为第一温度的热交换介质，且第二热交换介质供给装置供给调整为比第一温度高的第二温度的热交换介质。根据本形态的系统，通过打开及关闭第一阀及第二阀，可将供给到热交换器的热交换介质的温度切换成第一温度或第二温度，因此，可提高利用热交换介质的温度控制的响应性。
在一形态中，多个阀单元的各个也可构成为：能够将调整为第一温度的热交换介质及调整为第二温度的热交换介质不相互混合地对多个区域进行供给。另外，在一形态中，也可构成为：在第一阀打开的情况下，关闭第二阀，在第二阀打开的情况下，关闭第一阀。
在一形态中，也可使多个区在平板的背面侧由多个同心圆划分边界，多个区域沿平板的周向分割多个区的各个。根据本形态，可防止因平板的周向的位置而在所供给的热交换介质的温度产生差异，因此，可使平板的周向上的温度分布均匀化。
另外，在一形态中，热交换器也可对平板的背面侧垂直地供给热交换介质。在本形态中，可提高利用热交换介质的热交换效率。在一形态中，平板也可不具备加热元件。在一形态中，连接多个阀单元的各个与热交换器的流路的长度也可为2m以下。进而，在一形态中，也可具有n个阀单元、分割成n个的区、及m个区域，且n＜m(其中，n及m为2以上的整数)。
在一形态中，所述热交换器也能够以树脂为主成分而构成。因为树脂的隔热性相对较高，所以根据本形态，可抑制在热交换器内流通的热交换介质的散热。在一形态中，多个第一管的所述开口端也可包含含有碳的树脂。根据本形态，可局部提高开口端的强度。
在一形态中，也可在平板的背面侧形成着供多个第一管的开口端分别插入的多个凹部。在本形态中，可增加在多个空间内流通的热交换介质与加工台的热交换面积。结果为，可提高热交换效率。
一方面的半导体制造装置具备所述系统。
一方面，提供一种包含具有用以支撑基板的正面侧及背面侧的平板的加工台的温度控制方法。该方法包括：控制分割平板的背面侧的多个区中的第一区的温度的步骤；以及控制多个区中的第二区的温度的步骤；所述控制分割平板的背面侧的多个区中的第一区的温度的步骤包括如下步骤：使调整为第一温度的热交换介质在第一热交换介质供给装置与第一区之间循环，使调整为比第一温度高的第二温度的热交换介质在第二热交换介质供给装置与第一区之间循环，以及不使热交换介质返回到第一热交换介质供给装置及第二热交换介质供给装置，而是使热交换介质在第一区与第一泵之间循环；所述控制多个区中的第二区的温度的步骤包括如下步骤：使调整为第一温度的热交换介质在第一热交换介质供给装置与第二区之间循环，使调整为第二温度的热交换介质在第二热交换介质供给装置与第二区之间循环，以及不使热交换介质返回到第一热交换介质供给装置及第二热交换介质供给装置，而是使热交换介质在第二区与第二泵之间循环。根据所述方法，能够以使第一区及第二区的温度分别成为目标温度的方式控制加工台的温度。
[发明效果]
如以上说明，根据本发明的各种方面及各种形态，提供一种可精密地控制载置台的温度的系统。
附图说明
图1是概略性地表示一实施方式的等离子体处理装置的剖视图。
图2是一实施方式的加工台的分解立体图。
图3是一实施方式的热交换器的立体图。
图4(a)是多个槽(cell)部中的一个槽部的俯视图，图4(b)是从上方观察多个槽部中的一个槽部的立体图，图4(c)是从下方观察多个槽部中的一个槽部的立体图。
图5是一实施方式的热交换器的俯视图。
图6是流路部的立体图。
图7是阀单元组的立体图。
图8是示意性地表示热交换器内的热交换介质的流动的剖视图。
图9是平板的背面侧的俯视图。
图10是示意性地表示热交换器内的热交换介质的流动的剖视图。
图11是概略性地表示阀单元组的内部构成的图。
图12是概略性地表示一实施方式的包含等离子体处理装置的半导体制造系统的立体图。
图13是表示一实施方式的温度控制方法的流程图。
图14是示意性地表示热交换器内的热交换介质的流动的剖视图。
图15是变化例的热交换器的俯视图。
图16是变化例的热交换器的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图对各种实施方式进行详细说明。此外，在各附图中对同一或相当的部分标注同一符号。
首先，对一实施方式的具备系统的等离子体处理装置进行说明。此外，将下述加工台ST、阀单元组VU、第一热交换介质供给装置100a、及第二热交换介质供给装置100b用作一实施方式的包含可控制温度的加工台的系统。
图1是概略性地表示一实施方式的等离子体处理装置50的剖视图。等离子体处理装置50是电容耦合型平行板等离子体蚀刻装置，具备大致圆筒状的处理容器52。处理容器52例如包含对其表面进行阳极氧化处理后的铝。该处理容器52接地。
在处理容器52的底部上配置着加工台ST。如图1所示，加工台ST具备平板2、壳体4、热交换器6、及流路部8。参照图2，对加工台ST进行详细说明。图2是加工台ST的分解立体图。图2所示的加工台ST用作用以在处理容器52内支撑基板的载置台。
平板2具有圆盘形状，例如包含铝等金属。平板2具有正面侧2a及背面侧2b。可在平板2的正面侧2a上载置基板W。
壳体4例如包含不锈钢等金属，具有侧壁4a及底壁4b。侧壁4a具有圆筒形状，在其内部划分形成收纳空间AS。侧壁4a沿圆筒轴线方向延伸，从下方支撑平板2。底壁4b连接于侧壁4a的下端部。可在侧壁4a的上端面4c设置沿该上端面4c环状地延伸的O形环10。在该上端面4c，例如利用紧固螺钉(fasteningscrew)隔着O形环10气密地固定着平板2。由此，利用加工台从上方划分形成收纳空间AS。在侧壁4a设置着多个供给管12a、12b、12c、12d、12e、及多个回收管14a、14b、14c、14d、14e。多个供给管12a、12b、12c、12d、12e沿侧壁4a的径向延伸，分别经由第一开口16a、16b、16c、16d、16e(当无需特别加以区分时，简称为“第一开口16”)而与收纳空间AS连通。回收管14a、14b、14c、14d、14e沿侧壁4a的径向延伸，分别经由第二开口18a、18b、18c、18d、18e(当无需特别加以区分时，简称为“第二开口18”)而与收纳空间AS连通。
热交换器6及流路部8收纳在壳体4的收纳空间AS内。参照图3～5，对热交换器6进行详细说明。图3是热交换器6的立体图。如图3所示，热交换器6包含间隔壁20、多个第一管22、及多个第二管24。热交换器6是在平板2的背面侧2b二维地排列的多个区域，且以如下方式而构成：对在平板2的背面侧2b由多个同心圆划分边界而成的多个区的各个沿周向分割而成的多个区域个别地供给热交换介质，并且个别地回收所供给的热交换介质。
间隔壁20整体呈圆盘形状或圆柱形状，具有多个沿该间隔壁20的中心轴方向延伸的槽部C。多个槽部C沿热交换器6的径向及周向二维地排列。多个槽部C的各个具有在俯视下宽度随着朝向热交换器6的外侧而变宽的大致矩形状的平面形状。多个槽部C分别划分形成截面大致四边形状的多个空间S。即，间隔壁20在平板2的下方形成二维地排列、且不相互内包的多个空间S。将多个槽部C中的一个槽部C示于图4。图4(a)是槽部C的俯视图，图4(b)是从上方观察槽部的立体图，图4(c)是从下方观察槽部的立体图。这些槽部C也能以从上方观察的俯视下形成蜂窝结构的方式相互结合。
多个第一管22分别在俯视下通过对应的空间S的大致中心位置而延伸。这些多个第一管22朝平板2的背面侧2b(图2)相互大致平行地延伸。多个第一管22的各个由划分形成其周围的空间的间隔壁20包围。多个第一管22的各个具有第一开口端22a及第二开口端22b。第一开口端22a以与背面侧2b相对向的方式而配置。第二开口端22b位于第一开口端22a的相反侧，且位于空间S的下方。多个第一管22作为从下述第一热交换介质供给装置100a或第二热交换介质供给装置100b接受热交换介质并从第一开口端22a喷出的管而发挥功能。
多个第二管24以分别连通于多个空间S的方式连接于间隔壁20。在多个第二管24的各自的下端部设置着开口24a。多个第二管24作为将从多个第一管22的第一开口端22a喷出且被回收至包围该第一管22的空间S内的热交换介质排出至外部的管而发挥功能。在该热交换器6中，第一管22、划分形成包围该第一管的空间S的间隔壁20、及连通于该空间S的第二管24构成热交换部。因此，热交换器6具有以不相互内包的方式二维地排列的多个热交换部。
在一实施方式中，热交换器6能够以树脂、陶瓷、或金属为主成分而构成。此外，为了抑制相邻的热交换器6的影响，较理想为使用导热率较低的材料，例如陶瓷或树脂，特别优选树脂。此外，为了改变强度或导热率，也可局部改变构成热交换器6的材料。例如也可使多个第一管22的第一开口端22a包含含有碳、陶瓷粉、玻璃纤维、金属粉等的树脂。由此，可局部提高第一开口端22a的强度。另外，例如可使用3D打印机形成热交换器6。
图5表示热交换器6的俯视图。热交换器6被分割成由以其中心轴线为中心的多个同心圆划分边界而成的多个区Z1、Z2、Z3、Z4、及Z5。即，区Z1、Z2、Z3、Z4及Z5由多个同心圆状的边界B1、B2、B3、B4而相互划分。区Z1是以热交换器6的中心轴线为中心的环状区域，位于热交换器6的外缘部。区Z2、Z3、Z4是与区Z1同心的环状区域，分别位于区Z1、Z2、Z3的内侧。区Z5是位于区Z4的内侧的圆形区域，位于热交换器6的中心部。在这些区Z1、Z2、Z3、Z4、Z5的各自的内部，沿周向排列着多个槽部C。另外，在边界B3上，在四方的槽部C的间隔壁20所交叉的位置，形成着沿热交换器6的中心轴线方向延伸的三个孔HL。这些孔HL被用作用于供提升销插通的孔，所述提升销用来将基板从被载置面提升。
接着，对流路部8进行说明。图6是流路部8的立体图。流路部8配置在热交换器6的下方，提供用以对热交换器6供给热交换介质的流路、及用以从热交换器6回收热交换介质的流路。
如图6所示，流路部8为大致圆柱形的块体，具有上表面8a及侧面8b。在流路部8形成着贯通其内部的多个供给流路26a、26b、26c、26d、26e(当无需特别加以区分时，简称为“供给流路26”)、及多个回收流路28a、28b、28c、28d、28e(当无需特别加以区分时，简称为“回收流路28”)。在流路部8形成着多个从其侧面8b朝上表面8a贯通流路部8的内部的小径的空腔，这些空腔构成多个供给流路26及多个回收流路28。
供给流路26a在其中途位置分支，具有多个一端部26a1及一个另一端部26a2。多个一端部26a1形成于在流路部8的上表面8a分别对应于在区Z1内排列的多个第一管22的位置，分别连接于在区Z1内排列的多个第一管22的第二开口端22b。另一端部26a2形成在流路部8的侧面8b。另一端部26a2形成在对应于壳体4的第一开口16a的位置，在收纳至壳体4内的状态下与第一开口16a相对向。供给流路26a被用作如下流路，即，用以将经由第一开口16a流入的热交换介质供给到在热交换器6的区Z1内排列的多个第一管22。
回收流路28a在其中途位置分支，具有多个一端部28a1及一个另一端部28a2。多个一端部28a1形成于在流路部8的上表面8a分别对应于在区Z1内排列的多个第二管24的位置，分别连接于在区Z1内排列的多个第二管24的开口24a。另一端部28a2形成在流路部8的侧面8b。另一端部28a2形成在对应于壳体4的第二开口18a的位置，在收纳至壳体4内的状态下与第二开口18a相对向。回收流路28a被用作如下流路，即，用以将经由在热交换器6的区Z1内排列的多个第二管24从热交换器6回收的热交换介质经由第二开口18a排出至加工台ST的外部。
与供给流路26a同样地，供给流路26b、26c、26d、26e分别具有多个一端部26b1、26c1、26d1、26e1、及一个另一端部26b2、26c2、26d2、26e2。多个一端部26b1、26c1、26d1、26e1形成于在流路部8的上表面8a分别对应于在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22的位置，分别连接于在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22的第二开口端22b。另一端部26b2、26c2、26d2、26e2形成在流路部8的侧面8b。另一端部26b2、26c2、26d2、26e2分别形成在对应于壳体4的第一开口16b、16c、16d、16e的位置，在收纳至壳体4内的状态下与第一开口16b、16c、16d、16e相对向。供给流路26b、26c、26d、26e被用作用以如下流路，即，将分别经由第一开口16b、16c、16d、16e流入的热交换介质供给到分别在热交换器6的区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22。
另外，与回收流路28a同样地，回收流路28b、28c、28d、28e分别具有多个一端部28b1、28c1、28d1、28e1、及一个另一端部28b2、28c2、28d2、28e2。多个一端部28b1、28c1、28d1、28e1形成于在流路部8的上表面8a分别对应于在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第二管24的位置，分别连接于在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的第二管24的开口24a。另一端部28a2形成在流路部8的侧面8b。另一端部28b2、28c2、28d2、28e2形成在对应于壳体4的第二开口18b、18c、18d、18e的位置，在收纳至壳体4内的状态下与第二开口18b、18c、18d、18e相对向。回收流路28b、28c、28d、28e被用作如下流路，即，用以将分别经由在热交换器6的区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第二管24从热交换器6回收的热交换介质分别经由第二开口18b、18c、18d、18e排出至加工台ST的外部。
这些多个供给流路26及多个回收流路28形成为不相互连通且独立的流路。在一实施方式中，多个供给流路26具有彼此相等的流导(conductance)，多个回收流路28具有彼此相等的流导。这里，所谓流导，是指表示流体的流动容易程度的指标，是由流路的直径、长度、及弯曲率决定的值。例如，多个供给流路26及多个回收流路28通过根据流路的长度来调整流路的直径及弯曲率，而使相互的流导均匀化。此外，在一实施方式中，为了抑制相邻流路之间的影响，流路部8能够以导热率较低的材料例如陶瓷或树脂为主成分而构成。特别优选树脂。这种流路部8例如可使用3D打印机形成。尤其是当设置100～1000条的许多个流路时，通过使用3D打印机形成流路部，可三维地配置流路的配置，因此，设计的自由度增加，对流导的均匀化有效。
回到图1的说明，对等离子体处理装置50进行说明。在加工台ST的平板2的正面侧2a设置着静电吸盘54。静电吸盘54具有将作为导电膜的电极56配置在一对绝缘层或绝缘片材之间的结构。在电极56电连接着直流电源58。该静电吸盘54可利用因来自直流电源58的直流电压而产生的库伦力等静电力来静电吸附保持基板W。
等离子体处理装置50还具备配置在处理容器52的外部的阀单元组VU。阀单元组VU构成为可针对每一区控制对热交换器6的热交换介质的供给或阻断。阀单元组VU包含阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5(图7)。此外，热交换介质是以与平板2的热交换为目的而在加工台ST内流通的流体，且是包含从平板2吸收热的冷媒、及对平板2赋予热的热媒的概念。作为用作冷媒的热交换介质，例如使用冷却水、氟系液体。另外，热交换介质并不限于液体，也可为利用汽化热的相变冷却、或使用气体的气体冷却。
阀单元组VU经由低温流体供给路44连接于第一热交换介质供给装置100a的供给口。另外，阀单元组VU经由低温流体回收路45连接于第一热交换介质供给装置100a的回收口。低温流体供给路44具有一端部及另一端部，另一端部分支成分支端44a、44b、44c、44d、44e。如图7所示，这些分支端44a、44b、44c、44d、44e分别连接于阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5。另外，低温流体回收路45具有一端部及另一端部，另一端部分支成分支端45a、45b、45c、45d、45e。这些分支端45a、45b、45c、45d、45e分别连接于阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5。
第一热交换介质供给装置100a是供给调整为第一温度的热交换介质(以下也称为“低温流体”)的装置。第一热交换介质供给装置100a例如将经由低温流体回收路45从多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5的各个回收的热交换介质冷却至第一温度，将具有第一温度的热交换介质经由低温流体供给路44供给到多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5的各个。第一温度为比目标温度低的温度，例如可设为摄氏-30度。
另外，阀单元组VU经由高温流体供给路46连接于第二热交换介质供给装置100b的供给口(图1)。另外，阀单元组VU经由高温流体回收路47连接于第二热交换介质供给装置100b的回收口。高温流体供给路46具有一端部及另一端部，另一端部分支成分支端46a、46b、46c、46d、46e。如图7所示，这些分支端46a、46b、46c、46d、46e分别连接于阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5。另外，高温流体回收路47具有一端部及另一端部，另一端部分支成分支端47a、47b、47c、47d、47e。这些分支端47a、47b、47c、47d、47e分别连接于阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5。
第二热交换介质供给装置100b是供给调整为比第一温度高的第二温度的热交换介质(以下也称为“高温流体”)的装置。第二热交换介质供给装置100b例如将经由高温流体回收路47从多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5的各个回收的热交换介质加热至第二温度，将具有第二温度的热交换介质经由高温流体供给路46供给到多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5的各个。第二温度为比目标温度高的温度，例如可设为摄氏90度。
接着，对阀单元组VU的阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5进行说明。如图7所示，阀单元VU1经由第一配管40a连接于供给流路26a。进而，阀单元VU1经由第二配管42a连接于回收流路28a。在一例中，第一配管40a及第二配管42a可通过分别插入至壳体4的供给管12a及回收管14a，连接于供给流路26a及回收流路28a。阀单元VU1具有如下功能，即，容许或阻断从第一热交换介质供给装置100a或第二热交换介质供给装置100b对在区Z1内排列的多个第一管22的热交换介质的供给。另外，阀单元VU1具有如下功能，即，根据经由低温流体供给路44供给的低温流体与经由高温流体供给路46供给的高温流体，选择性地切换供给到在区Z1内排列的多个第一管22的热交换介质。
与阀单元VU1同样地，阀单元VU2、VU3、VU4、及VU5经由第一配管40b、40c、40d、40e分别连接于供给流路26b、26c、26d、26e。阀单元VU2、VU3、VU4、及VU5经由第二配管42b、42c、42d、42e分别连接于回收流路28b、28c、28d、28e。阀单元VU2、VU3、VU4、及VU5具有如下功能，即，容许或阻断从第一热交换介质供给装置100a或第二热交换介质供给装置100b对分别在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22的热交换介质的供给。另外，阀单元VU2、VU3、VU4、及VU5具有如下功能，即，根据经由低温流体供给路44供给的低温流体与经由高温流体供给路46供给的高温流体，分别选择性地切换供给到在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22的热交换介质。
再次回到图1，在处理容器52内设置着上部电极60。该上部电极60在作为下部电极而发挥功能的平板2的上方与该平板2对向配置，平板2与上部电极60相互大致平行地设置。在这些上部电极60与平板2之间划分形成着例如用以对基板W进行等离子体蚀刻的处理空间PS。
上部电极60经由绝缘性遮蔽部件62支撑在处理容器52的上部。上部电极60可包含电极板64及电极支撑体66。电极板64面向处理空间PS，划分形成多个气体喷出孔64a。该电极板64可包含焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体。电极板64接地。
电极支撑体66将电极板64装卸自如地加以支撑，例如可包含铝等导电性材料。该电极支撑体66可具有水冷结构。在电极支撑体66的内部设置着气体扩散室66a。连通于气体喷出孔64a的多个气体流通孔66b从该气体扩散室66a朝下方延伸。另外，在电极支撑体66形成着对气体扩散室66a导入处理气体的气体导入口66c，在该气体导入口66c连接着气体供给管68。
在气体供给管68，经由阀72及质量流量控制器(MFC，massflowcontroller)74连接着气体源70。此外，也可设置FCS(FlowControlSystem，流量控制系统)来代替MFC。气体源70是处理气体的气体源。来自该气体源70的处理气体从气体供给管68供给到气体扩散室66a，经由气体流通孔66b及气体喷出孔64a喷出至处理空间PS。
另外，等离子体处理装置50还可具备接地导体52a。接地导体52a是大致圆筒状的接地导体，以从处理容器52的侧壁延伸至比上部电极60的高度位置更靠上方的方式而设置。
另外，在等离子体处理装置50，沿处理容器52的内壁装卸自如地设置着堆积物防护罩76。另外，堆积物防护罩76也可设置在加工台ST的外周。堆积物防护罩76防止蚀刻副产物(堆积物)附着至处理容器52，可通过对铝材被覆Y2O3等陶瓷而构成。
在处理容器52的底部侧，在加工台ST与处理容器52的内壁之间设置着排气板78。排气板78例如可通过对铝材被覆Y2O3等陶瓷而构成。在该排气板78的下方，在处理容器52设置着排气口52e。在排气口52e经由排气管53连接着排气装置80。排气装置80具有涡轮分子泵等真空泵，可将处理容器52内减压至所需的真空度。另外，在处理容器52的侧壁设置着基板W的搬入搬出口52g，该搬入搬出口52g可利用闸阀81而打开及关闭。
在一实施方式中，等离子体处理装置50还具备高频电源HFG、高频电源LFG、匹配器MU1、及匹配器MU2。高频电源HFG产生等离子体生成用高频电力，将27MHz以上的频率、例如40MHz的高频电力经由匹配器MU1供给到平板2。匹配器MU1具有使高频电源HFG的内部(或输出)阻抗与负载阻抗匹配的电路。另外，高频电源LFG产生离子提取(ionextraction)用高频偏压电力，将13.56MHz以下的频率、例如3MHz的高频偏压电力经由匹配器MU2供给到平板2。匹配器MU2具有使高频电源LFG的内部(或输出)阻抗与负载阻抗匹配的电路。此外，下部电极也可与平板2分开设置。
另外，在一实施方式中，等离子体处理装置50还可具备控制部Cnt。该控制部Cnt是具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机，控制等离子体处理装置50的各部例如电源系统或气体供给系统、驱动系统等。在该控制部Cnt，操作员可使用输入装置，为了管理等离子体处理装置50而进行指令的输入操作等，另外，可利用显示装置，将等离子体处理装置50的工作状况可视化地显示。进而，在控制部Cnt的存储部中存储着：用以由处理器来控制利用等离子体处理装置50执行的各种处理的控制程序、用以根据处理条件使等离子体处理装置50的各构成部执行处理的程序、即处理方案。
接着，对加工台ST内部的热交换介质的流动进行说明。图8是示意性地表示热交换器6内的热交换介质的流动的剖视图。
由第一热交换介质供给装置100a或第二热交换介质供给装置100b从第一开口16供给到加工台ST内的热交换介质通过流路部8的多个供给流路26，经由第二开口端22b而分别流入至多个第一管22。从第二开口端22b流入的热交换介质沿多个第一管22朝上方移动，从第一开口端22a朝平板2的背面侧2b释出。从第一开口端22a释出的热交换介质通过和与第一开口端22a相对向的平板2的背面侧2b接触，而与平板2之间进行热交换。进行热交换后的热交换介质沿间隔壁20朝下方移动，从多个第二管24的开口24a排出至空间S的外部。从空间S排出的热交换介质经由连接于开口24a的多个回收流路28、第二开口18而返回到第一热交换介质供给装置100a或第二热交换介质供给装置100b。
如上所述，热交换器6以如下方式而构成：从以相互平行地延伸的方式二维地排列的第一管22个别地喷出热交换介质，喷出的热交换介质经由对应的空间S由第二管24回收。即，在热交换器6设置着二维地排列的多个空间S，这些空间S作为提供相互独立的热交换介质的流路的热交换部而发挥功能。根据该空间S，从与平板2的背面侧2b相对向的第一开口端22a个别地释出热交换介质，如图9所示，对在平板2的背面侧2b二维地排列的多个区域R个别地供给热交换介质。因此，可抑制从多个第一管22供给到多个区域R的热交换介质的温度产生差异。另外，因为从空间S排出的热交换介质是沿与平板2垂直的方向(点状)地供给，所以与热交换介质沿与平板2水平的方向(线状)地供给相比，在被供给热交换介质的一个单位内，可均匀且控制性良好地供给热交换介质。
另外，多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5构成为可针对多个区Z1、Z2、Z3、Z4、Z5的每一个控制针对多个第一管22的热交换介质的供给或阻断。根据该多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5，可分别控制对分布在平板2的背面侧2b的多个区Zn1、Zn2、Zn3、Zn4、Zn5的热交换介质的供给或阻断。因此，根据该系统，可精密地控制平板2的背面侧2b的温度。例如通过特意使多个区Zn1、Zn2、Zn3、Zn4、Zn5的温度不均匀，即便于在基板上方生成的等离子体不均匀的情况下，也可实现处理的面内均匀性。此外，这些平板2的区Zn1、Zn2、Zn3、Zn4、Zn5是分别与热交换器6的区Z1、Z2、Z3、Z4、Z5相对向的区域，且是由多个同心圆划分边界而成的区域。即，可以说在区Z1、Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22是分别与平板2的区Zn1、Zn2、Zn3、Zn4、Zn5相对向的多个第一管22。在一实施方式中，也可在平板2设置测量各区的温度的温度测量机构。
此外，在一实施方式中，如图10所示，在划分形成空间S的平板2的背面侧2b形成着多个朝正面侧2a延伸的凹部82，也可将多个第一开口端22a分别插入至这些多个凹部82。该凹部82包括：上壁82a，其从上方划分形成该凹部82；及侧壁面82b，其从侧方划分形成该凹部82。凹部82的水平方向的截面形状可为任意的多边形或圆形，也可为与槽部C相同的形状。在图10所示的实施方式中，凹部82的上壁82a及侧壁面82b成为与热交换介质的接触面，因此，热交换面积增加。另外，可使热交换位置靠近离热的发生源近的正面侧2a。因此，在该实施方式中，可提高热交换效率。
接着，参照图11，对多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5进行详细说明。如图11所示，多个阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5具有相互相同的构成，因此，以下主要只对阀单元VU1进行说明。阀单元VU1配置在第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b与热交换器6之间。
阀单元VU1具备第一阀102及第二阀104。第一阀102是具有第一端口102a、第二端口102b、及第三端口102c的三向阀。第二阀104是具有第一端口104a、第二端口104b、及第三端口104c的三向阀。第一阀102及第二阀104构成为可相互独立地使各阀打开及关闭。
在第一阀102的第一端口102a连接着第一供给管线106(第一热交换介质供给管线)的一端。第一供给管线106的另一端经由低温流体供给路44的分支端44a连接于第一热交换介质供给装置100a的供给口。在第一阀102的第二端口102b连接着第一回收管线108的一端。第一回收管线108的另一端经由低温流体回收路45的分支端45a连接于第一热交换介质供给装置100a的回收口。
另外，在第二阀104的第一端口104a连接着第二供给管线110(第二热交换介质供给管线)的一端。第二供给管线110的另一端经由高温流体供给路46的分支端46a连接于第二热交换介质供给装置100b的供给口。在第二阀104的第二端口104b连接着第二回收管线112的一端。第二回收管线112的另一端经由高温流体回收路47的分支端47a连接于第二热交换介质供给装置100b的回收口。
另外，在第一回收管线108的中途位置连接着与第二回收管线112并联连接的第一旁路管线114。在第一旁路管线114上串联连接着第三阀116及第四阀118。第三阀116及第四阀118是可相互独立地控制打开及关闭的双向阀。
第一阀102的第三端口102c及第二阀104的第三端口104c分别经由第一管线120a及第二管线120b连接于共用管线120。共用管线120的另一端部连接于第一管线120a及第二管线120b。第一管线120a连接于第一阀102的第三端口102c，第二管线120b连接于第二阀104的第三端口104c。共用管线120的一端部经由第一配管40a、供给流路26a连接于在热交换器6的区Z1内排列的多个第一管22。
另外，在阀单元VU1设置着反馈管线122，其一端连接于第二配管42a，另一端连接于第一旁路管线114的第三阀116及第四阀118之间的位置。在设置于反馈管线122的中途位置及共用管线120的中途位置的连接点CP分别连接着第二旁路管线124的两端。在第二旁路管线124上连接着泵P及止回阀CV。
阀单元VU2、VU3、VU4、VU5具有与阀单元VU1相同的构成，阀单元VU2、VU3、VU4、VU5的共用管线120的一端部经由供给流路26b、26c、26d、26e分别连接于在区Z2、Z3、Z4、Z5内排列的多个第一管22。另外，阀单元VU1、VU2、VU3、VU4、VU5的第一阀102及第二阀104构成为可相互独立地控制打开及关闭。
接着，对热交换介质的流通路径进行说明。一实施方式的系统可通过使用来自控制部Cnt的控制信号控制阀单元组VU内的各种阀的打开及关闭，将热交换介质的流通状态切换成第一流通状态、第二流通状态、第三流通状态。在第一流通状态下，将低温流体供给到热交换器6的各区。在第二流通状态下，将高温流体供给到热交换器6的各区。在第三流通状态下，阻断对热交换器6的低温流体及高温流体的供给。
[第一流通状态]
首先，对第一流通状态进行说明。在设为第一流通状态的情况下，以如下方式控制第一阀102：阻断第一端口102a与第二端口102b的连接，容许第一端口102a与第三端口102c的连接。以如下方式控制第二阀104：容许第一端口104a与第二端口104b的连接，阻断第一端口102a与第三端口102c的连接。另外，打开第三阀116，关闭第四阀118。
在第一流通状态下，从第一热交换介质供给装置100a经由低温流体供给路44的分支端44a流入的低温流体经由第一供给管线106、第一管线120a、及共用管线120，进而经由第一配管40a及供给流路26a，被供给到在区Z1内排列的多个第一管22。分别从在区Z1内排列的多个第二管24回收的热交换介质经由回收流路28a及第二配管42a流入至阀单元VU1。流入至阀单元VU1的热交换介质的一部分经由反馈管线122、第一旁路管线114上的第三阀116、第一回收管线108，进而经由低温流体回收路45的分支端45a返回到第一热交换介质供给装置100a。流入至阀单元VU1的热交换介质的剩余的一部分经由反馈管线122、第二旁路管线124、共用管线120，进而经由第一配管40a及供给流路26a而被循环供给到在区Z1内排列的多个第一管22。
另一方面，从第二热交换介质供给装置100b经由高温流体供给路46的分支端46a流入的高温流体经由第二供给管线110及第二回收管线112返回到第二热交换介质供给装置100b，而并不流入至共用管线120。这样一来，在第一流通状态下，对在热交换器6的区Z1内排列的多个第一管22供给低温流体，并阻断对在热交换器6的区Z1内排列的多个第一管22的高温流体的供给。
[第二流通状态]
接着，对第二流通状态进行说明。在设为第二流通状态的情况下，以如下方式控制第一阀102：容许第一端口102a与第二端口102b的连接，阻断第一端口102a与第三端口102c的连接。以如下方式控制第二阀104：阻断第一端口104a与第二端口104b的连接，容许第一端口102a与第三端口102c的连接。另外，关闭第三阀116，打开第四阀118。
在第二流通状态下，从第一热交换介质供给装置100a经由低温流体供给路44的分支端44a流入的低温流体经由第一供给管线106及第一回收管线108返回到第一热交换介质供给装置100a，而并不流入至共用管线120。
另一方面，从第二热交换介质供给装置100b经由高温流体供给路46的分支端46a流入的高温流体经由第二供给管线110、第二管线120b及共用管线120，进而经由第一配管40a及供给流路26被供给到区Z1内的多个第一管22。从区Z1内的多个第二管24回收的热交换介质经由回收流路28及第二配管42a流入至阀单元VU1。流入至阀单元VU1的热交换介质的一部分经由反馈管线122、第一旁路管线114上的第四阀118、第二回收管线112，进而经由高温流体回收路47的分支端47a返回到第二热交换介质供给装置100b。流入至阀单元VU1的热交换介质的剩余的一部分经由反馈管线122、第二旁路管线124、共用管线120，进而经由第一配管40a及供给流路26被循环供给到区Z1内的多个第一管22。这样一来，在第二流通状态下，对热交换器6的区Z1内的多个第一管22供给高温流体，并阻断对该多个第一管22的低温流体的供给。
[第三流通状态]
接着，对第三流通状态进行说明。在设为第三流通状态的情况下，以如下方式控制第一阀102：容许第一端口102a与第二端口102b的连接，阻断第一端口102a与第三端口102c的连接。以如下方式控制第二阀104：容许第一端口104a与第二端口104b的连接，阻断第一端口104a与第三端口104c的连接。另外，关闭第三阀116及第四阀118。
在第三流通状态下，从第一热交换介质供给装置100a经由低温流体供给路44的分支端44a流入的低温流体在第一供给管线106及第一回收管线108中流通，返回到第一热交换介质供给装置100a，而并不流入至共用管线120。从第二热交换介质供给装置100b经由高温流体供给路46的分支端46a流入的高温流体在第二供给管线110及第二回收管线112中流通，返回到第二热交换介质供给装置100b，而并不流入至共用管线120。即，在第三流通状态下，停止对热交换器6供给低温流体及高温流体。
另外，过去因设为第一流通状态或第二流通状态，而会在热交换器6的内部残留热交换介质，因此，利用设置在第二旁路管线124的泵P的工作，使该热交换介质在流路内循环。具体来说，热交换器6的内部的热交换介质经由回收流路28及第二配管42a流入至阀单元VU1，经由反馈管线122、第二旁路管线124、共用管线120，进而经由第一配管40a及供给流路26而被循环供给到在区Z1内排列的多个第一管22。根据该第三流通状态，阻断从第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b对在热交换器6的区Z1内排列的多个第一管22的热交换介质的供给。
如上所述，阀单元VU1构成为：通过独立地控制各端口的打开及关闭，可不将低温流体及高温流体相互混合而将低温流体及高温流体供给到多个区域。即，根据阀单元VU1，可将供给到区Z1内的多个第一管22的热交换介质瞬间切换成低温流体或高温流体。尤其是，控制部Cnt是以如下方式控制第一阀102及第二阀104：在打开第一阀102的第三端口102c的情况下，关闭第二阀104的第三端口104c，在打开第二阀104的第三端口104c的情况下，关闭第一阀102的第三端口102c。因此，可使从在区Z1内排列的多个第一管22对平板2的区Zn1供给的热交换介质的温度急剧地变化，结果为，可提高平板2的温度控制的响应性。此外，在阀单元VU2、VU3、VU4、VU5中，也可将热交换介质的流通状态个别地切换成第一流通状态、第二流通状态、第三流通状态。在本实施方式中，将低温流体、高温流体保持为固定的温度。此外，流入至共用管线120的流体为低温流体、高温流体、循环流体中的任一种。因此，本实施例的温度控制并非通过控制流体温度，而是由通过控制多个阀单元组VU而调整平板2的面内温度而进行的。换句话来说，通过将三种温度的流体以何种程度供给到哪个区而进行温度控制。如果以此方式而构成，那么与使用热交换介质本身的温度变化进行温度控制相比，可高速地进行温度控制。此外，可将由对应于多个区设置在平板2内的温度计所测定的值用于控制。
图12是概略性地表示包含所述等离子体处理装置50的半导体制造系统的立体图。通常，热交换介质供给装置并不配置在空间有限的配置着等离子体处理装置50的底板，而是配置在不同的底板。图12所示的半导体制造系统将第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b配置在与等离子体处理装置50不同的底板，但阀单元组VU配置在与等离子体处理装置50相同的底板。在该构成中，可在等离子体处理装置50的附近切换供给到热交换器6的热交换介质，因此，可实现响应性更高的温度控制。此情况下，阀单元组VU与供给流路26及回收流路28的距离、也就是连接各个阀单元VU1～VU5与热交换器6的流路的长度较理想为设为2m以下。
接着，对使用所述系统的一实施方式的加工台的温度控制方法进行说明。这里，以下，将平板2的背面侧2b分割成第一区至第n区的n个区，将n个区分割成m个区域而进行说明(n、m为2以上的整数，且n＜m)。另外，该系统中，作为阀单元组VU，具有第一阀单元至第n阀单元的n个阀单元。该第一～第n阀单元分别控制对第一～第n区的热交换介质的供给。
图13是表示一实施方式的加工台的温度控制方法MT的流程图。温度控制方法MT例如通过控制部Cnt控制阀单元VU1～VU5而执行。在该方法MT中，首先进行步骤S1。在步骤S1中，将变量p初始化为1。接着，在步骤S2中，判定第p区的温度是否比目标温度高。在判定第p区的温度比目标温度高的情况下，执行步骤S3。在步骤S3中，以使第p阀单元成为第一流通状态的方式控制第p阀单元的阀。即，使低温流体在第一热交换介质供给装置100a与第p区之间循环。通过该步骤S3，使平板2的第p区的温度降低。
在步骤S2中，在判定第p区的温度为目标温度以下的情况下，进行步骤S4。在步骤S4中，判定第p区的温度是否比目标温度低。在判定第p区的温度比目标温度低的情况下，进行步骤S5。在步骤S5中，以使第p阀单元成为第二流通状态的方式控制第p阀单元的阀。即，使高温流体在第二热交换介质供给装置100b与第p区之间循环。利用该步骤S5，使平板2的第p区的温度上升。
在步骤S4中，在判定第p区的温度为目标温度以上、即第p区的温度为目标温度的情况下，进行步骤S6。在步骤S6中，以使第p阀单元成为第三流通状态的方式控制第p阀单元的阀。即，不使在第p阀单元的共用管线120中循环的热交换介质返回到第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b，而是使该热交换介质在第p区与第p阀单元的泵P(第一泵、第二泵)之间循环。
如果进行步骤S3、步骤S5或步骤S6，那么进行步骤S7。在步骤S7中，对变量p加1。接着，在步骤S8中，判定变量p是否为区的总数n以下。在变量p为n以下的情况下，反复执行步骤S3、步骤S5或步骤S6直至变量p超过n。在变量p超过n的情况下，结束处理。此外，步骤S1～S8能够以指定的时间间隔反复执行。
如上所述，在方法MT中，对平板2的多个区的各个进行温度的控制。即，以通过执行如下步骤而使第p区的温度成为目标温度的方式控制第p区：使低温流体在第一热交换介质供给装置100a与第p区之间循环；使高温流体在第二热交换介质供给装置100b与第p区之间循环；不使热交换介质返回到第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b，而是使所述热交换介质在第p区与第p阀单元的泵P之间循环。此外，使低温流体在第一热交换介质供给装置100a与第p区之间循环的步骤、使高温流体在第二热交换介质供给装置100b与第p区之间循环的步骤、以及不使热交换介质返回到第一热交换介质供给装置100a及第二热交换介质供给装置100b、而是使所述热交换介质在第p区与第p阀单元的泵P之间循环的步骤能够以任意的顺序执行。
以上，对实施方式进行了说明，但并不限定于所述实施方式，可构成各种变化形态。例如，由间隔壁20形成的槽部C并不限定于四棱柱状，也可具有圆柱状或大致多边形状。
另外，在所述实施方式中，将热交换器6与流路部8分开设置，但也可一体地构成。另外，在所述实施方式中，热交换器6设为收纳至壳体4内的构成，但也能以设置在壳体4的上方的方式而构成。此情况下，热交换器6由金属形成。
另外，利用加工台ST的处理装置并不限定于等离子体处理装置。加工台ST只要为控制基板的温度且处理该基板的装置，可用于任意的处理装置。例如，可优选地用于涂布显影装置、清洗装置、成膜装置、蚀刻装置、灰化装置、热处理装置等半导体制造装置或平板显示器制造装置。
另外，所述实施方式着眼于均匀地控制基板的温度分布而进行了说明，但并不限于此。例如，可通过特意使基板的温度分布变得不均匀而抵消不均匀的等离子体的分布。此情况下，可通过流路的流导的调整、朝各个流路的独立的热交换介质的供给实现不均匀的基板的温度分布。以此方式，可进行面内均匀的基板处理。另外，也可在处理装置内设置加热器，进行加热器的配置或形状的调整、加热器的温度控制。另外，在所述实施方式中，也可不设置对加工台进行加热的加热器(加热元件)。也就是，因为本实施方式中的加工台可实现高速的温度控制，所以即便不同时使用热交换介质(主要为冷媒)与加热器，也可将晶片控制为适当的温度。尤其是，如果将加热器分成区而多个排列，那么因加热器的断线等而发生故障的概率会提高，但在本实施方式中可不使用加热器而实现温度控制，因此，可使装置稳定地工作。
另外，在一实施方式中，也可如图14所示，在多个供给流路26的一端部与多个第一管22之间分别设置多个流量控制器FC。流量控制器FC例如为针阀或节流孔，控制流入至多个第一管22的各个的热交换介质的流量。此外，流量控制器FC也可分别设置在第一配管40a、40b、40c、40d、40e与供给流路26a、26b、26c、26d、26e之间。此情况下，流量控制器FC可针对每一区控制流入至多个第一管22的热交换介质的流量。
另外，在所述实施方式中，将热交换器6分割成由多个同心圆划分边界而成的区Z1、Z2、Z3、Z4、Z5，但区的形状并不限定于所述实施方式。例如，也可如图15所示，将热交换器6沿周向分割成多个区。在图15所示的例中，将热交换器6沿径向分割成六个区Za1～Za6，但可任意地设定分割成的区的数量。另外，也可如图16所示，将热交换器6沿周向及径向分割成多个区。在图16所示的例中，将热交换器6沿周向及径向分割成十八个区Zb1～Zb18，但可任意地设定区的数量。在这些情况下，可针对每一沿周向或沿周向及径向分割的区控制供给到平板2的背面侧2b的热交换介质的供给或阻断。
另外，热交换器并不限定于具有图示之构成，只要为对将由以平板2的中心轴线为中心的多个同心圆划分边界而成的多个区的各个沿周向分割而成的多个区域个别地供给热交换介质、且个别地回收所供给的热交换介质的构成，可具有任意的构成。
另外，第一阀102及第二阀104并不限于三向阀。第一阀102及第二阀104只要可个别地控制从第一供给管线106或第二供给管线110朝共用管线120的热交换介质的流通，可采用任意的阀。另外，所述实施方式可在不矛盾的范围内进行组合。
[符号的说明]
2平板
2a正面侧
2b背面侧
4壳体
6热交换器
8流路部
20间隔壁
22第一管
22a第一开口端
22b第二开口端
24第二管
26a、26b、26c、26d、26e供给流路
28a、28b、28c、28d、28e回收流路
40a、40b、40c、40d、40e第一配管
42a、42b、42c、42d、42e第二配管
44低温流体供给路
45低温流体回收路
46高温流体供给路
47高温流体回收路
50等离子体处理装置
52处理容器
82凹部
100a第一热交换介质供给装置
100b第二热交换介质供给装置
102第一阀
104第二阀
106第一供给管线
108第一回收管线
110第二供给管线
112第二回收管线
114第一旁路管线
116第三阀
118第四阀
120共用管线
120a第一管线
120b第二管线
122反馈管线
124第二旁路管线
AS收纳空间
Cnt控制部
PS处理空间
Rq区域
Sq空间
ST加工台
VU1、VU2、VU3、VU4、VU5阀单元
W基板
Zn1、Zn2、Zn3、Zn4、Zn5区

Claims (16)

1.一种系统，包含可控制温度的加工台，且包括：
圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧及背面侧；
热交换器，其以如下方式而构成，即，对所述平板的所述背面侧二维地排列的多个区域、即在所述平板的所述背面侧分割多个区的各个而成的该多个区域个别地供给热交换介质，且个别地回收已供给到该多个区域的所述热交换介质；及
多个阀单元，可针对所述多个区的每个区控制利用所述热交换器对所述多个区域的所述热交换介质的供给或阻断。
2.根据权利要求1所述的系统，其中
所述热交换器包括：
多个第一管，在所述平板的下方二维地排列，朝所述平板的所述背面向上方延伸，提供与所述多个区域的各个相对向的开口端；
间隔壁，划分形成分别包围所述多个第一管的多个空间；及
多个第二管，以分别连通于所述多个空间的方式与所述间隔壁连接。
3.根据权利要求2所述的系统，其中
所述多个阀单元的各个
配置在第一热交换介质供给装置及第二热交换介质供给装置与所述热交换器之间，且包括：
共用管线，其具有连接于与同一所述区相对向的提供所述开口端的所述多个第一管的一端部及另一端部；
第一管线及第二管线，其连接于所述共用管线的另一端部；
第一热交换介质供给管线，其可连接于所述第一热交换介质供给装置；
第二热交换介质供给管线，其可连接于所述第二热交换介质供给装置；
第一阀，配置在所述第一管线与所述第一热交换介质供给管线之间；及
第二阀，配置在所述第二管线与所述第二热交换介质供给管线之间；
所述第一阀及第二阀可相互独立地打开及关闭。
4.根据权利要求3所述的系统，其中
所述第一热交换介质供给装置供给调整为第一温度的所述热交换介质，
所述第二热交换介质供给装置供给调整为比所述第一温度高的第二温度的所述热交换介质。
5.根据权利要求4所述的系统，其中
所述多个阀单元的各个构成为：能够将调整为所述第一温度的所述热交换介质及调整为所述第二温度的所述热交换介质不相互混合地对所述多个区域进行供给。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的系统，其以如下方式而构成：在所述第一阀打开的情况下，关闭所述第二阀，在所述第二阀打开的情况下，关闭所述第一阀。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的系统，其中
所述多个区在所述平板的背面侧由多个同心圆划分边界，
所述多个区域沿所述平板的周向分割所述多个区的各个。
8.根据权利要求2至5中任一项所述的系统，其中
所述热交换器对所述平板的背面侧垂直地供给所述热交换介质。
9.根据权利要求2至5中任一项所述的系统，其中
所述热交换器以树脂为主成分而构成。
10.根据权利要求9所述的系统，其中
所述多个第一管的所述开口端包含含有碳的树脂。
11.根据权利要求2至5中任一项所述的系统，其中
在所述平板的所述背面侧形成着供所述多个第一管的所述开口端分别插入的多个凹部。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的系统，其中
所述平板并不具备加热元件。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的系统，其中
连接所述多个阀单元的各个与所述热交换器的流路的长度为2m以下。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的系统，其具有n个所述阀单元、分割成n个的所述区、及m个所述区域，且
n＜m(其中，n及m为2以上的整数)。
15.一种半导体制造装置，其包括根据权利要求1至5中任一项所述的系统。
16.一种温度控制方法，是包含具有用以支撑基板的正面侧与背面侧的平板的加工台的温度控制方法，且包括：
控制分割所述平板的背面侧的多个区中的第一区的温度的步骤；以及
控制所述多个区中的第二区的温度的步骤；且
所述控制分割所述平板的背面侧的多个区中的第一区的温度的步骤包括如下步骤：
使调整为第一温度的热交换介质在第一热交换介质供给装置与所述第一区之间循环，
使调整为比所述第一温度高的第二温度的所述热交换介质在第二热交换介质供给装置与所述第一区之间循环，及
不使所述热交换介质返回到第一热交换介质供给装置及第二热交换介质供给装置，而是使所述热交换介质在所述第一区与第一泵之间循环；
所述控制所述多个区中的第二区的温度的步骤包括如下步骤：
使调整为所述第一温度的热交换介质在所述第一热交换介质供给装置与所述第二区之间循环，
使调整为所述第二温度的热交换介质在所述第二热交换介质供给装置与第二区之间循环，及
不使所述热交换介质返回到第一热交换介质供给装置及所述第二热交换介质供给装置，而是使所述热交换介质在所述第二区与第二泵之间循环。
CN201510329345.6A 2014-06-27 2015-06-15 包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法 Active CN105225984B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-132224 2014-06-27
JP2014132224A JP6018606B2 (ja) 2014-06-27 2014-06-27 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105225984A true CN105225984A (zh) 2016-01-06
CN105225984B CN105225984B (zh) 2019-11-22

Family

ID=54930109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510329345.6A Active CN105225984B (zh) 2014-06-27 2015-06-15 包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10502508B2 (zh)
JP (1) JP6018606B2 (zh)
KR (1) KR101891379B1 (zh)
CN (1) CN105225984B (zh)
TW (1) TWI628408B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074857A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 东京毅力科创株式会社 载置台和基板处理装置
CN110164792A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 东京毅力科创株式会社 冷却系统
CN110783242A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 东京毅力科创株式会社 载置台装置、处理装置和载置台装置的操作方法
CN111321390A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 半导体加工系统及其维护方法
CN111489985A (zh) * 2019-01-25 2020-08-04 东京毅力科创株式会社 热介质的控制方法和热介质控制装置
CN111868510A (zh) * 2018-04-03 2020-10-30 株式会社V技术 石平台的温度调整装置以及具备其的检査装置
CN112602178A (zh) * 2018-09-07 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 温度调节系统
CN112602177A (zh) * 2018-09-07 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 温度调节方法
CN115185317A (zh) * 2022-09-09 2022-10-14 之江实验室 一种负载自适应的宽负载智能高精度温度控制装置
TWI784548B (zh) * 2020-05-29 2022-11-21 日商巴川製紙所股份有限公司 調溫單元及調溫單元的製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2551698B (en) * 2016-06-20 2019-01-30 Hs Marston Aerospace Ltd Cleaning of a 3D Printed Article
JP6832132B2 (ja) 2016-11-08 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 供給装置及び基板処理装置
KR101910347B1 (ko) * 2016-12-05 2018-10-23 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조설비의 고도화 온도제어장치
JP6820206B2 (ja) * 2017-01-24 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 被加工物を処理する方法
CN110785837A (zh) * 2017-06-23 2020-02-11 沃特洛电气制造公司 高温热板基座
KR101977386B1 (ko) * 2017-06-30 2019-05-13 무진전자 주식회사 웨이퍼 식각 장치 및 이를 사용하는 방법
JP6918642B2 (ja) * 2017-08-25 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置
JP7093667B2 (ja) 2018-04-11 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP7128023B2 (ja) * 2018-05-01 2022-08-30 株式会社ニシヤマ 温度制御システム、製造装置および検査装置
JP7129877B2 (ja) * 2018-10-15 2022-09-02 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム及び温度制御方法
KR102554066B1 (ko) 2019-01-10 2023-07-11 가부시키가이샤 케르쿠 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법
CN112216585B (zh) * 2019-07-11 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器及基座温度控制方法
JP7306195B2 (ja) * 2019-09-27 2023-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置及びステージをクリーニングする方法
CN116313946B (zh) * 2023-05-24 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 温度调节系统及调节方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265670A (en) * 1990-04-27 1993-11-30 International Business Machines Corporation Convection transfer system
CN1841654A (zh) * 2005-03-31 2006-10-04 东京毅力科创株式会社 载置台的温度控制装置、方法和程序以及处理装置
CN1870880A (zh) * 2005-05-25 2006-11-29 国际商业机器公司 用于衬底热控制的装置和方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2512783B2 (ja) * 1988-04-20 1996-07-03 株式会社日立製作所 プラズマエッチング方法及び装置
JPH05136095A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Nec Corp ドライエツチング装置
JPH05243191A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Nec Corp ドライエッチング装置
JPH07235588A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Hitachi Ltd ウエハチャック及びそれを用いたプローブ検査方法
US5521790A (en) * 1994-05-12 1996-05-28 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having relatively thick and thin areas and means for uniformly cooling said thick and thin areas during chuck anodization
JPH0845909A (ja) * 1994-07-26 1996-02-16 Sony Corp 試料台
JPH10284382A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Komatsu Ltd 温度制御装置
KR100782529B1 (ko) * 2001-11-08 2007-12-06 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US20040187787A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
JP2005268720A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
JP5382602B2 (ja) * 2008-03-11 2014-01-08 住友電気工業株式会社 ウエハ保持体および半導体製造装置
US9267742B2 (en) * 2010-01-27 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the temperature uniformity of a substrate
US8916793B2 (en) * 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
JP2011178300A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Teijin Ltd 車両用シートバックフレーム構造およびその製造方法
US8608852B2 (en) * 2010-06-11 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies
JP5741124B2 (ja) * 2011-03-29 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
SG188036A1 (en) * 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5912439B2 (ja) 2011-11-15 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
US10537013B2 (en) * 2012-04-23 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Distributed electro-static chuck cooling
JP5951384B2 (ja) 2012-07-20 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 温度制御システムへの温調流体供給方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265670A (en) * 1990-04-27 1993-11-30 International Business Machines Corporation Convection transfer system
CN1841654A (zh) * 2005-03-31 2006-10-04 东京毅力科创株式会社 载置台的温度控制装置、方法和程序以及处理装置
CN1870880A (zh) * 2005-05-25 2006-11-29 国际商业机器公司 用于衬底热控制的装置和方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074857A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 东京毅力科创株式会社 载置台和基板处理装置
CN110164792B (zh) * 2018-02-13 2023-05-12 东京毅力科创株式会社 冷却系统
CN110164792A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 东京毅力科创株式会社 冷却系统
CN111868510B (zh) * 2018-04-03 2024-06-11 株式会社V技术 石平台的温度调整装置以及具备其的检査装置
CN111868510A (zh) * 2018-04-03 2020-10-30 株式会社V技术 石平台的温度调整装置以及具备其的检査装置
CN110783242A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 东京毅力科创株式会社 载置台装置、处理装置和载置台装置的操作方法
CN110783242B (zh) * 2018-07-30 2023-08-11 东京毅力科创株式会社 载置台装置、处理装置和载置台装置的操作方法
CN112602178A (zh) * 2018-09-07 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 温度调节系统
CN112602177A (zh) * 2018-09-07 2021-04-02 东京毅力科创株式会社 温度调节方法
CN111321390A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 半导体加工系统及其维护方法
CN111489985B (zh) * 2019-01-25 2023-11-28 东京毅力科创株式会社 热介质的控制方法和热介质控制装置
CN111489985A (zh) * 2019-01-25 2020-08-04 东京毅力科创株式会社 热介质的控制方法和热介质控制装置
TWI784548B (zh) * 2020-05-29 2022-11-21 日商巴川製紙所股份有限公司 調溫單元及調溫單元的製造方法
CN115185317A (zh) * 2022-09-09 2022-10-14 之江实验室 一种负载自适应的宽负载智能高精度温度控制装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016012593A (ja) 2016-01-21
JP6018606B2 (ja) 2016-11-02
TWI628408B (zh) 2018-07-01
CN105225984B (zh) 2019-11-22
US20150377571A1 (en) 2015-12-31
KR101891379B1 (ko) 2018-08-24
KR20160001669A (ko) 2016-01-06
US10502508B2 (en) 2019-12-10
TW201612488A (en) 2016-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105225984A (zh) 包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法
US11993843B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102548633B1 (ko) 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법
US11361939B2 (en) Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
CN109219873B (zh) 具有气体孔中的孔径减小的插塞的高功率静电卡盘
US11437259B2 (en) Stage, stage manufacturing method, and heat exchanger
CN101038859B (zh) 等离子体处理装置及其所使用的电极
KR101509419B1 (ko) 기판 지지부의 온도 제어 장치 및 온도 제어 방법
CN102102194A (zh) 用于高温操作的温度受控莲蓬头
CN103972130A (zh) 等离子处理装置以及试料台
US9679749B2 (en) Gas distribution device with actively cooled grid
WO2011149508A2 (en) Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
US9488315B2 (en) Gas distribution apparatus for directional and proportional delivery of process gas to a process chamber
TWI569323B (zh) 雙區共用熱交換器／冷卻器
TWI837396B (zh) 溫度調整裝置
CN101919026A (zh) 提高处理腔室内流动均一性的方法和设备
KR20210122324A (ko) 복수의 스테이션 시스템에서 플라즈마의 밸런싱을 위해 사용된 mrcc (modular recipe controlled calibration)
CN101206999B (zh) 内衬及包含该内衬的反应腔室
JP2022530213A (ja) 空間的に調節可能なウエハへのｒｆ結合を有する静電チャック
JP2022530380A (ja) Ｒｆ静電チャックフィルタ回路
CN104134624A (zh) 托盘及等离子体加工设备
JP2016162794A (ja) 真空処理装置
KR101283549B1 (ko) 다중 플라즈마 방전 레이어를 갖는 플라즈마 프로세스 챔버
KR20230006640A (ko) 가스 냉각을 사용한 샤워헤드 열 관리
US20230065203A1 (en) Plenum assemblies for cooling transformer coupled plasma windows

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant