JP2022530380A - Ｒｆ静電チャックフィルタ回路 - Google Patents

Abstract

本明細書で説明される実施形態は、チャック電極を通る高周波（ＲＦ）結合の発生を大幅に低減するための装置および方法に関する。チャック電極は、基板支持体上に位置決めされた静電チャック内に配置される。基板支持体は、処理チャンバ本体に連結される。ＲＦ源を使用して、基板支持体に隣接する処理空間内にプラズマを生成する。インピーダンス整合回路は、ＲＦ源と、静電チャックに配置されたチャック電極との間に配置される。静電チャックフィルタは、チャック電極とチャック電源との間に連結される。【選択図】図１

Description

［０００１］ 本開示の実施形態は概して、半導体処理に関し、より具体的には、薄膜堆積のための高周波プラズマを生成および制御する装置および方法に関する。

関連技術の説明
［０００２］ 集積回路の製造では、化学気相堆積（ＣＶＤ）などの堆積処理は、多くの場合、基板上に様々な材料の膜を堆積させるために使用される。プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）では、例えば、電磁エネルギーが少なくとも１つの前駆体ガスまたは蒸気に印加されて、プラズマを生成する。

［０００３］ いくつかの実施例では、プラズマを生成するために使用される電磁エネルギーは、高周波（ＲＦ）電力でありうる。しかしながら、ＲＦ電力が使用される場合、静電チャックにおいて、プラズマとチャック電極との間で容量結合が起こりうる。容量結合は、ＲＦ結合をもたらし、チャック電極上およびチャック電極を通る高いＲＦ電圧および電流を誘導し、その結果、電力の損失およびチャック電極の電源への損傷をもたらす。

［０００４］ したがって、ＲＦ電力印加のための改良された装置および方法が必要となる。

［０００５］ 一実施形態では、チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドとを含む装置が提供される。基板支持体は、処理空間内に配置される。第１の電極は、基板支持体内に埋め込まれる。高周波（ＲＦ）源は、第１の電極に連結される。インピーダンス整合回路は、ＲＦ源と第１の電極との間に配置される。第２の電極は、基板支持体内に埋め込まれる。電源は、第２の電極に連結される。電極フィルタは、第２の電極と電源との間に配置され、これらに連結される。

［０００６］ 別の実施形態では、チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドとを含む装置が提供される。ガス分配プレートは、処理空間内に配置され、リッドに隣接して位置決めされる。基板支持体は、処理空間内に配置される。第１の電極は、基板支持体内に埋め込まれる。高周波（ＲＦ）源は、第１の電極に連結される。インピーダンス整合回路は、ＲＦ源と電極との間に配置される。第２の電極は、基板支持体内に埋め込まれる。電源は、第２の電極に連結される。電極フィルタは、第２の電極と電源との間に配置される。電極フィルタは、第２の電極に連結された第１のインダクタを含む。第２のインダクタは、第１のインダクタに対して直列に配置される。第３のインダクタは、第１のインダクタおよび第２のインダクタに対して直列に配置される。抵抗器（ｒｅｓｉｓｔｏｒ）は、第１のインダクタ、第２のインダクタ、および第３のインダクタに対して直列に配置される。抵抗器は電源に連結され、第１のキャパシタは第２のインダクタに対して並列に配置される。

［０００７］ さらに別の実施形態では、チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドとを含む装置が提供される。ガス分配プレートは、処理空間内に配置され、リッドに隣接して位置決めされる。基板支持体は、処理空間内に配置される。第１の電極は、基板支持体内に埋め込まれる。第２の電極は、第１の電極とリッドに対向する基板支持体の表面との間の基板支持体内に埋め込まれる。高周波（ＲＦ）源は、第１の電極に連結される。インピーダンス整合回路は、ＲＦ源と第１の電極との間に配置される。電源は、第２の電極に連結される。電極フィルタは、第２の電極と電源との間に配置される。電極フィルタは、第２の電極に連結された第１のインダクタと、第１のインダクタに対して直列な第２のインダクタと、第１のインダクタおよび第２のインダクタに対して直列な第３のインダクタと、第１のインダクタ、第２のインダクタ、および第３のインダクタに対して直列な抵抗器とを含む。抵抗器は、電源に連結される。電極フィルタは、また、第２のインダクタに対して並列な第１のキャパシタと、第２のインダクタと第３のインダクタとの間の電極フィルタに連結された第１の接地経路と、第３のインダクタと抵抗器との間の電極フィルタに連結された第２の接地経路とを含む。第１の接地経路は、第２のキャパシタを含む。第２の接地経路は、第３のキャパシタを含む。

［０００８］ 本開示の上述の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、添付の図面に例示されている。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本開示は他の同等に有効な実施形態を許容しうることに留意されたい。

一実施形態による、処理チャンバの概略図である。 一実施形態による、フィルタ回路の概略図である。 一実施形態による、フィルタ回路の概略図である。 一実施形態による、インピーダンス整合回路の概略図である。 本書に記載の一実施形態による、クラスタツール装置の平面図である。

［００１４］ 理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込まれうると考えられる。

［００１５］ 本明細書に記載の実施形態は、チャック電極を通る高周波（ＲＦ）結合の発生を実質的に低減するための装置および方法に関する。チャック電極は、処理チャンバ本体に連結される基板支持体内に配置される。ＲＦ源を使用して、基板支持体に隣接する処理空間内にプラズマを生成する。インピーダンス整合回路が、ＲＦ源と基板支持体内に配置されたチャック電極との間に配置される。チャック電極およびこれに連結されるチャック電源の損傷の発生を低減するために、静電チャックフィルタが、チャック電極とチャック電源との間に連結される。

［００１６］ 図１は、特定の実施形態による、処理チャンバ１００の概略図である。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、その内部に処理空間１２０を画定するリッド１０４とを含む。基板支持体１１４およびガス分配プレート１０８は、処理空間１２０内に配置される。基板支持体１１４は、ステム１０６を介してチャンバ本体１０２内に支持される。基板支持体１１４は、基板の処理を容易にするために、１つまたは複数の導電性プレート、絶縁プレート、設備プレート、冷却チャネルなどを含む。一実施形態では、ステム１０６は、リッド１０４に対して実質的に垂直であり、リッド１０４の反対側のチャンバ本体１０２に連結されるか、またはリッドの反対側のチャンバ本体１０２の開口部を通って配置される。

［００１７］ 上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板支持体１１４は、アルミニウム含有材料から製造される。例えば、基板支持体１１４は、窒化アルミニウム材料から製造されうる。処理中の基板の固定を容易にするため、基板支持体１１４の上面に静電チャック１１５を位置決めすることができる。静電チャック１１５は、その内部に配置された電極１２２を含む。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、電極１２２は導電性メッシュである。

［００１８］ 静電チャック１１５の上面１１６は、その上に形成された複数の隆起部分（図示せず）を有することができる。隆起部分は、静電チャック１１５の上面１１６の上に配置された基板（図示せず）と接触することができる。基板と静電チャック１１５の表面１１６との間、および／または基板支持体１１４と静電チャックの下面との間にガスを流して、基板と基板支持体１１４との間の熱平衡を維持することができる。このような実施例では、流体は、例えば、熱交換器を介して温度制御することができる。

［００１９］ ガス分配プレート１０８は、チャンバ本体１０２に連結されている。プレナム１１０は、リッド１０４とガス分配プレート１０８との間に画定される。ガス分配プレート１０８は、基板支持体１１４の反対側に配置される。ガス分配プレート１０８を貫通して、複数の孔１１２が形成されている。複数の孔１１２は、処理空間１２０への処理ガスの流入を容易にするため、ガス分配プレート１０８の全体に分散している。

［００２０］ ガス供給システム１２６は、供給ライン１２８を介してリッド１０４に連結される。ガス供給システム１２６は、その内部に配置された基板を処理するために、１つまたは複数のガスを処理チャンバ１００に供給する。１つまたは複数のガスがリッド１０４を通って処理チャンバ１００に入ると、ガスはプレナム１１０に入り、ガス分配プレート１０８の複数の孔１１２を通って流れる。複数の孔１１２は、ガスを静電チャック１１５の表面１１６の全体に放射状に分散させる。

［００２１］ 電極１１８は、基板支持体１１４に埋め込まれている。高周波（ＲＦ）電力が、ＲＦ源１３４を介して電極１１８に供給される。ＲＦ源１３４は、インピーダンス整合回路１３６を介して、電極１１８に連結される。ＲＦ源１３４は、１つまたは複数の周波数で同時に電極１１８にＲＦ電力を供給することができる。例えば、ＲＦ源１３４は、約１３．５６ＭＨｚの周波数および約４０ＭＨｚの周波数で電極にＲＦ電力を供給する。そうするためには、ＲＦ源１３４は、周波数毎に周波数発生器１３８Ａ、１３８Ｂを含む。２つの周波数発生器１３８Ａ、１３８Ｂが示されているが、ＲＦ源１３４は、使用される各周波数に対して任意の数の周波数発生器を含むことができる。ＲＦ源１３４の特性インピーダンスは、約５０オームである。

［００２２］ インピーダンス整合回路１３６は、処理空間１２０内のプラズマのストライキング（ｓｔｒｉｋｉｎｇ）および維持を可能にする。インピーダンス整合回路１３６は、ＲＦ源１３４からの様々な周波数のＲＦ信号を結合する。インピーダンス整合回路１３６は、結合されたＲＦ信号を静電チャック１１５内に埋め込まれた電極１１８に伝送する。結合されたＲＦ信号は、処理空間１２０内の処理ガスに伝送されて、その内部に容量結合プラズマを生成する。チャンバ本体１０２は、接地に連結され、容量結合プラズマの生成を容易にするためのＲＦリターン経路を提供する。

［００２３］ 一実施形態では、電極１１８に供給されるＲＦ電力は、約５ｋＷ～約１５ｋＷの間であり、例えば、約８ｋＷ～約１３ｋＷの間、例えば、約１０ｋＷである。電極１１８に供給されるＲＦ電流は、約１２０アンペア～約８０アンペアの間、例えば、約１１０アンペアである。高いＲＦ電流が、インピーダンス整合回路１３６の比較的低い抵抗（約０．２オーム～約０．４オームの間）によって可能になる。電極１１８に供給される電圧は、約８ｋＶ～約１３ｋＶの間、例えば約１０ｋＶである。インピーダンス整合回路１３６のインピーダンス角は、約８５度～約９０度の間であり、例えば、約８７度～約８９度の間である。

［００２４］ 電極１２２は、基板支持体１１４上に配置される静電チャック１１５の構成要素である。誘電体層（図示せず）を静電チャック１１５上に配置し、静電チャック１１５の表面１１６を形成することができる。電源１３２は、電極１２２に連結され、静電チャック１１５の表面１１６上に基板を保持するための静電力を生成するため、電極１２２に十分な電力を供給する。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、電源１３２は、電極１２２に直流（ＤＣ）電力を供給する。

［００２５］ 電極１２２の結合容量は、約８００ｐＦ～約２５００ｐＦの間である。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、電極１２２は、アルミニウム含有材料から製造される。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、電極１２２は、電極１１８と静電チャック１１５の表面１１６との間に配置される。

［００２６］ プラズマが処理空間１２０内で生成されるにつれて、ＲＦ電流は、電極１２２内に入り、電源１３２に向かって進む（例えば、ＲＦ漏洩）。電源１３２に入って通過するＲＦ電流は、電源１３２に損傷を与え、その結果、電極への電力損失およびその上に配置された基板に加えられるチャッキング力の損失を生じうる。電源１３２への損傷を防止するために、フィルタ回路１３０が、電源１３２と電極１２２との間に配置される。

［００２７］ ＲＦフィルタのようなフィルタ回路１３０は、ＲＦ電流が電源１３２に入るのを実質的に阻止する。このようにして、フィルタ回路１３０は、ＲＦ電流を（例えば、接地に）リダイレクトすることによって、電源１３２の損傷の発生を大幅に低減する。フィルタ回路１３０の入力インピーダンスは、接地に対しては十分に高く、最小の電流が基板およびプラズマから迂回される。しかしながら、フィルタ回路１３０のインピーダンスは低く、電流が電源１３２に入るのを実質的に防ぐのに十分である。

［００２８］ コントローラ１２４は、処理チャンバ１００に連結され、処理チャンバ内で実施される処理の様々な態様を制御する。例えば、制御装置１２４は、ガス供給システム１２６から処理空間１２０への処理ガスの流量を制御する。また、コントローラ１２４は、処理チャンバ１００との間で基板を出し入れする態様を制御することができる。さらに、コントローラ１２４は、インピーダンス整合回路１３６およびフィルタ回路１３０の態様、例えば可変キャパシタのキャパシタンスを制御することができる。

［００２９］ 図２Ａは、一実施形態によるフィルタ回路２００の概略図である。フィルタ回路２００は、上述の図１に関して説明したフィルタ回路１３０に対応することができる。フィルタ回路２００は、図１に示した電極１２２などの電極に連結された第１のインダクタ２０２を含む。第２のインダクタ２０６は、第１のインダクタ２０２に対して直列に配置されている。第３のインダクタ２１０は、第１のインダクタ２０２および第２のインダクタ２０６に対して直列に配置される。抵抗器２１４は、第１のインダクタ２０２、第２のインダクタ２０６、および第３のインダクタ２１０に対して直列に配置される。抵抗器２１４は、図１に示した電源１３２などの電源に連結される。

［００３０］ 第１のキャパシタ２０４は、第２のインダクタ２０６に対して並列に配置される。第１のキャパシタ２０４および第２のインダクタ２０６は、Ｌ－Ｃ共振回路を形成する。第１の接地経路は、第２のインダクタ２０６と第３のインダクタ２１０との間のフィルタ回路２００に連結され、接地に連結された第２のキャパシタ２０８を含む。第２の接地経路は、第３のインダクタ２１０と抵抗器２１４との間のフィルタ回路２００に連結され、接地に連結された第３のキャパシタ２１２を含む。第２のキャパシタ２０８および第３のキャパシタ２１２は、接地に連結されたシャントキャパシタである。

［００３１］ フィルタ回路の第１の部分２３１は、第１のインダクタ２０２、第２のインダクタ２０６、および第１のキャパシタ２０４を含む。第１の部分２３１は、フィルタ回路２００の誘導部分である。フィルタ回路２００に入る１３．５６ＭＨｚのＲＦ電流の大部分は、第１のインダクタ２０２によって除去される。同様に、４０ＭＨｚにおけるＲＦ電流の大部分は、第２のインダクタ２０６および第１のキャパシタ２０４を含むＬ－Ｃ共振回路によって除去される。

［００３２］ フィルタ回路２００の第２の部分２３３は、第２のキャパシタ２０８、第３のインダクタ２１０、および第３のキャパシタ２１２を含むローパスフィルタである。抵抗器２１４は、第２の部分２３３と電源との間のオプションの電流制限抵抗器である。第２の部分２３３は、フィルタ回路２００から残りのＲＦ電流を除去して、抵抗器２１４に接続された電源へのＲＦ電流の漏れを防止する。

［００３３］ フィルタ回路２００の構成要素（例えば、第１のインダクタ２０２、第２のインダクタ２０６、第３のインダクタ２１０、第１のキャパシタ２０４、第２のキャパシタ２０８、第３のキャパシタ２１２、および抵抗器２１４）の値は、そこを流れるＲＦ電流の１つまたは複数の周波数に基づいて調整することができる。例えば、上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第１のインダクタ２０２は、約１４μＨから約２５μＨまで（例えば、約２０μＨ）のインダクタンスを有し、第３のインダクタ２１０は、約８μＨから約１３μＨまで（例えば、約１０μＨ）のインダクタンスを有し、第２のキャパシタ２０８および第３のキャパシタ２１２は、約８００ｐＦから約１５０００ｐＦまで（例えば、約１０００ｐＦ）のインダクタンスを有し、抵抗器は、約１Ωから約５Ωまで（例えば、約２Ω）の抵抗を有する。

［００３４］ 第１のキャパシタ２０４および第２のインダクタ２０６を含む共振Ｌ－Ｃ回路は、４０ＭＨｚの共振周波数を有することができる。第１の部分２３１の構成要素（例えば、第１のインダクタ２０２、第２のインダクタ２０６、および第１のキャパシタ２０４）の値は、１３．５６ＭＨｚの入力周波数に基づくことができる。すなわち、第１の部分２３１は、１３．５６ＭＨｚの周波数でＲＦ電流を除去するように設計することができる。

［００３５］ 有利には、図２Ａに示したフィルタ回路２００は、図１に示した電極１２２から電源１３２に流れるＲＦ電流を大幅に減少させる。したがって、フィルタ回路２００は、電源への損傷の発生および損傷の量を大幅に減少させる。

［００３６］ 図２Ｂは、一実施形態による、フィルタ回路２７０の概略図である。フィルタ回路２７０は、上記の図１に関して説明したフィルタ回路１３０に対応しうる。すなわち、フィルタ回路２７０は、図２Ａに関して上述したフィルタ回路２００の代替設計とすることができる。

［００３７］ フィルタ回路２７０は、第１の部分２６０および第２の部分２６２を含む。第１の部分２６０は、インダクタ２３０の第１のバンクおよびインダクタ２３２の第２のバンクを直列に含む。第２の部分２６２は、キャパシタ２３４のバンク、インダクタ２３６の第３のバンク、およびシャントキャパシタ２５４を含む。キャパシタ２３４のバンクとシャントキャパシタ２５４とは並列である。図示したように、インダクタ２３０の第１のバンクは、４つのインダクタ２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃ、および２４０ｄを並列に含む。インダクタ２３２の第２のバンクは、４つのインダクタ２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、および２４２ｄを並列に含む。フィルタ回路２７０の第１の部分２６０は、２０μＨの結合インダクタンスを有する。

［００３８］ 図示したように、フィルタ回路２７０の第２の部分２６２は、ローパスフィルタである。キャパシタ２３４のバンクは、４つのキャパシタ２４６、２４８、２５０、および２５２を含む。インダクタの第３のバンクは、３つのインダクタ２４４ａ、２４４ｂ、および２４４ｃを並列に含む。各キャパシタ２４６、２４８、２５０、２５２、２５４のキャパシタンスは１０００ｐＦである。インダクタ２３６の第３のバンクのインダクタンスは、約１０μＨである。フィルタ回路２７０の構成要素の値は、フィルタ回路２７０によって除去されるべき１つまたは複数の入力周波数に基づいて調整することができる。

［００３９］ 図３は、一実施形態による、インピーダンス整合３００の概略図である。インピーダンス整合回路３００は、第１の可変キャパシタ３０６およびインダクタ３０８を直列に含む。第２の可変キャパシタ３０４は、接地と、第１の可変キャパシタ３０６の上流のインピーダンス整合回路３００とに連結されている。インピーダンス整合回路３００は、上記の図１に関して説明した処理チャンバ（例えば、処理チャンバ１００）内に形成されたプラズマの入力インピーダンスを提供する。

［００４０］ 図４は、本書に記載の一実施形態による、クラスタツール装置４００の平面図である。装置４００は、複数の処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８と、移送チャンバ４２０と、ロードロックチャンバ４１０および４１２とを含む。処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８の各々は、移送チャンバ４２０に連結される。４つの処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８が図４に示されているが、任意の数の処理チャンバを移送チャンバ４２０に連結することができる。

［００４１］ 上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、処理チャンバ４０２は、処理チャンバ４０８に隣接して配置される。一実施形態では、処理チャンバ４０４は、処理チャンバ４０２に隣接して配置される。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、処理チャンバ４０６は、処理チャンバ４０４に隣接して配置される。上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、各処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８は、図１に示す処理チャンバ１００に対応する。

［００４２］ 移送チャンバ４２０は、ロードロックチャンバ４１０、４１２と処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８との間で基板を移送することができる。移送ロボット４１４は、移送チャンバ４２０の中に配置される。移送ロボット４１４は、単一ブレードロボットでもデュアルブレードロボットでもよい。移送ロボット４１４は、伸縮アームの遠位端に取り付けられた基板移送ブレード４１６を有する。ブレード４１６は、処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８の間で個々の基板を支持し、運ぶために使用される。移送チャンバ４２０は、真空下、さもなければ、還元酸素環境下に維持される。

［００４３］ コントローラ４３０は、装置４００に連結されている。コントローラ４３０は、中央処理装置（ＣＰＵ）（図示せず）を含む。コントローラ４３０は、様々な処理チャンバおよびサブプロセッサを制御するために使用されうる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つでありうる。コントローラ４３０は、処理チャンバ４０２、４０４、４０６、および４０８の個々のまたは共用のコントローラに連結することができる。コントローラ４３０は、装置４００内の基板を輸送するための移送ロボット４１４の移動を制御することができる。

［００４４］ 上述の１つまたは複数の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、処理チャンバ４０２および４０８などの隣接する処理チャンバは、共用のガス供給システム、ＲＦ源、コントローラ、および／または真空システムを有する。これらの共用システムは、処理チャンバ内で実行される処理のスループットおよび堆積された膜の均一性を高める。共用システムはまた、処理に関連するコストも低減する。

［００４５］ 開示の利点には、ＤＣ電源に入り、ＤＣ電源を損傷するＲＦ電流（例えば、ＲＦ漏洩）の量を低減するためのフィルタ回路が含まれる。フィルタ回路は、ＲＦ電流がＤＣ電源から離れ、ＲＦ源に向かって戻るように方向転換することを可能にする。フィルタ回路はまた、チャック電極への電力損失および基板に加えられるチャッキング力の損失の発生を防止する。

［００４６］ 上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱しなければ、本開示の他の実施形態および更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決まる。

Claims (15)

1. チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドと、
   前記処理空間内に配置された基板支持体と、
   前記基板支持体に埋め込まれた第１の電極と、
   前記第１の電極に連結された高周波（ＲＦ）源と、
   前記ＲＦ源と前記第１の電極との間に配置されたインピーダンス整合回路と、
   前記基板支持体に埋め込まれた第２の電極と、
   前記第２の電極に連結された電源と、
   前記第２の電極と前記電源との間に配置され、これらに連結された電極フィルタと
   を備える、装置。
2. 前記電極フィルタは、
   前記第２の電極に連結された第１のインダクタと、
   前記第１のインダクタに対して直列な第２のインダクタと、
   前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタに対して直列な第３のインダクタと、
   前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、および前記第３のインダクタに対して直列な抵抗器であって、前記電源に連結された抵抗器と、
   前記第２のインダクタに対して並列な第１のキャパシタと、
   前記第２のインダクタと前記第３のインダクタとの間の前記電極フィルタに連結された第１の接地経路であって、第２のキャパシタを含む第１の接地経路と、
   前記第３のインダクタと前記抵抗器との間の前記電極フィルタに連結された第２の接地経路であって、第３のキャパシタを含む第２の接地経路と
   を備える、請求項１に記載の装置。
3. 前記第２の電極は導電性メッシュを備える、請求項２に記載の装置。
4. 前記チャンバ本体に連結され、前記基板支持体の反対側に配置されるガス分配プレートをさらに備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記第２の電極は、前記第１の電極と、前記ガス分配プレートに対向する前記基板支持体の表面との間に配置される、請求項４に記載の装置。
6. チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドと、
   前記処理空間内に配置され、前記チャンバ本体に連結されているガス分配プレートと、
   前記処理空間内に配置された基板支持体と、
   前記基板支持体に埋め込まれた第１の電極と、
   前記第１の電極に連結された電源と、
   前記第１の電極と前記電源との間に配置された電極フィルタであって、
   前記第１の電極に連結された第１のインダクタ、
   前記第１のインダクタに対して直列な第２のインダクタ、
   前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタに対して直列な第３のインダクタ、
   前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、および前記第３のインダクタに対して直列な抵抗器であって、前記電源に連結された抵抗器、および
   前記第２のインダクタに対して並列な第１のキャパシタ
   を備える電極フィルタと
   を備える、装置。
7. 前記第２のインダクタと前記第３のインダクタとの間の前記電極フィルタに連結された第１の接地経路であって、第２のキャパシタを含む第１の接地経路と、
   前記第３のインダクタと前記抵抗器との間の前記電極フィルタに連結された第２の接地経路であって、第３のキャパシタを含む第２の接地経路と
   をさらに備える、請求項６に記載の装置。
8. 前記第１の電極が導電性メッシュを備える、請求項６に記載の装置。
9. 前記基板支持体に埋め込まれた第２の電極と、
   前記第２の電極に連結された高周波（ＲＦ）源と、
   前記ＲＦ源と前記第２の電極との間に配置されたインピーダンス整合回路と
   をさらに備える、請求項６に記載の装置。
10. 前記第１の電極が、前記第２の電極と前記ガス分配プレートに対向する前記基板支持体の表面との間に配置される、請求項９に記載の装置。
11. チャンバ本体と、その内部に処理空間を画定するリッドと、
    前記処理空間内に配置され、前記リッドに隣接して位置決めされたガス分配プレートと、
    前記処理空間内に配置された基板支持体と、
    前記基板支持体に埋め込まれた第１の電極と、
    前記第１の電極と、前記リッドに対向する前記基板支持体の表面との間の前記基板支持体に埋め込まれた第２の電極と、
    前記第１の電極に連結された高周波（ＲＦ）源と、
    前記ＲＦ源と前記第１の電極との間に配置されたインピーダンス整合回路と、
    前記第２の電極に連結された電源と、
    前記第２の電極と前記電源との間に配置された電極フィルタであって、
    前記第２の電極に結合された第１のインダクタ、
    前記第１のインダクタに対して直列な第２のインダクタ、
    前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタに対して直列な第３のインダクタ、
    前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、および前記第３のインダクタに対して直列な抵抗器であって、前記電源に連結された抵抗器、
    前記第２のインダクタに対して並列な第１のキャパシタ、
    前記第２のインダクタと前記第３のインダクタとの間の前記電極フィルタに連結された第１の接地経路であって、第２のキャパシタを含む第１の接地経路、および、
    前記第３のインダクタと前記抵抗器との間の前記電極フィルタに連結された第２の接地経路であって、第３のキャパシタを含む第２の接地経路、
    を含む、電極フィルタと
    を備える、装置。
12. 前記第２の電極は導電性メッシュを備える、請求項１１に記載の装置。
13. 前記第２の電極は、前記基板支持体の前記表面上に静電力を生成する、請求項１１に記載の装置。
14. 前記インピーダンス整合回路は、
    第４のキャパシタと、
    前記第１のインダクタに対して直列なインダクタと、
    前記第１のキャパシタの上流の接地経路であって、第５のキャパシタを含む接地経路と
    を備える、請求項１１に記載の装置。
15. 前記第４のキャパシタおよび前記第５のキャパシタは可変キャパシタである、請求項１４に記載の装置。

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