KR20240005057A - 기판 프로세싱 챔버들을 위한 자기적으로 커플링된 rf 필터 - Google Patents

기판 프로세싱 챔버들을 위한 자기적으로 커플링된 rf 필터 Download PDF

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KR20240005057A
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에드워드 피. 해먼드
드미트리 에이. 드질노
알렉산더 브이. 가라치트첸코
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버는, 히터 존들을 갖고 기판을 지지하기 위한 페데스탈 및 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함할 수 있다. 챔버는 또한 히터 존에 전류를 전달하는 히터 존 컨트롤들 및 히터 존 컨트롤들과 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함할 수 있다. 필터 회로는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들 및 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 갖는 공진 회로를 포함할 수 있다. 공진 회로는 RF 신호가 히터 존 컨트롤들에 도달하는 것을 방지하기 위해 히터 존들로부터의 리드들로부터 와이어 메쉬로 전달되는 RF 신호를 필터링하는 공진 피크를 생성할 수 있다.

Description

기판 프로세싱 챔버들을 위한 자기적으로 커플링된 RF 필터
[0001] 본 출원은 2021년 5월 11일에 출원되고 발명의 명칭이 "MAGNETICALLY COUPLED RF FILTER FOR SUBSTRATE PROCESSING CHAMBERS"인 미국 특허 출원 번호 제17/317,880호의 이익 및 우선권을 주장하며, 이 미국 특허 출원은 이로써 그 전체가 인용에 의해 포함된다.
[0002] 본 개시내용은 일반적으로 기판 프로세싱 챔버 내의 페데스탈 리드들로부터 RF 신호들을 필터링하기 위한 기법들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시내용은 프로세싱 챔버의 페데스탈 내의 히터 존 컨트롤(heater zone control)들을 위한 다수의 리드들 상의 다수의 인덕터들에 자기적으로 커플링되는 공진 인덕터를 설명한다.
[0003] 반도체 기판들은 프로세싱 챔버에서 프로세싱될 수 있으며, 여기서 반도체 기판들은 제어된 환경에서 수행되는 증착, 에칭 및 다른 프로세스들에 처해질 수 있다. 챔버에 장착된 페데스탈은 프로세싱 동작들 동안 반도체 기판에 대한 지지를 제공할 수 있다. 일부 동작들에서, 기판과 타깃 사이에 공급되는 가스로부터 플라즈마가 형성될 수 있고, 그럼으로써 재료가 필름으로서 기판 상에 증착되게 할 수 있다. RF(Radio Frequency) 전력은 페데스탈에 매립된 와이어 메쉬를 통해 플라즈마에 제공될 수 있다. 페데스탈은 또한 기판이 프로세싱될 때 기판의 온도가 타이트하게 제어될 수 있도록 저항성 히터를 포함할 수 있다.
[0004] 일부 실시예들에서, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버는, 기판을 지지하기 위한 페데스탈을 포함할 수 있고, 페데스탈은 기판을 가열하기 위한 복수의 히터 존들, 및 기판을 갖는 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버는 또한 복수의 히터 존들에 전류를 전달하도록 구성된 하나 이상의 히터 존 컨트롤들, 및 하나 이상의 히터 존 컨트롤들과 복수의 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함할 수 있다. 필터 회로는 복수의 히터 존들로부터의 복수의 리드들 상의 복수의 인덕터들 및 복수의 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 포함하는 공진 회로를 포함할 수 있다. 공진 회로는 RF 신호가 하나 이상의 히터 존 컨트롤들에 도달하는 것을 방지하기 위해 복수의 히터 존들로부터의 복수의 리드들로부터 와이어 메쉬로 전달되는 RF 신호를 필터링하는 공진 피크를 생성할 수 있다.
[0005] 일부 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로는, 반도체 프로세싱 챔버의 페데스탈 내의 제1 히터 존에 대응하는 제1 리드; 제1 리드에 연결된 제1 인덕터; 및 제1 인덕터에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 포함할 수 있으며, 필터 회로는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 제공되는 RF 신호의 주파수에 대응하는 공진 피크를 생성할 수 있다.
[0006] 일부 실시예들에서, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버에서 히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법은, 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하는 페데스탈 내의 히터 존으로부터의 리드 상에서 RF 신호를 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 RF 신호는 페데스탈 내의 전극으로 전달되고 히터 존으로부터의 리드 상으로 누출될 수 있다. 방법은 또한 공진 피크를 생성하기 위해 공진 인덕터에 자기적으로 커플링되는 히터 존으로부터의 리드 상의 인덕터를 사용하여 공진 피크를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 부가적으로, RF 신호가 히터 존에 대응하는 히터 존 컨트롤에 도달하는 것을 방지하기 위해 공진 피크로 RF 신호를 필터링하는 단계를 포함할 수 있다.
[0007] 임의의 실시예들에서, 다음 특징들 중 임의의 것 그리고 전부가 임의의 조합으로 그리고 제한 없이 구현될 수 있다. 공진 회로는 또한 공진 피크를 생성하는데 기여하는 공진 인덕터와 직렬의 공진 커패시터를 포함할 수 있다. 복수의 히터 존들은 페데스탈에 적어도 7개의 히터 존들을 포함할 수 있으며 여기서 적어도 7개의 히터 존들은 페데스탈의 둘레 주위의 4개의 히터 존들 및 페데스탈의 중심으로부터 방사되는 3개의 동심 히터 존들을 포함할 수 있다. 복수의 히터 존들로부터의 복수의 리드들은 적어도 9개의 리드들을 포함할 수 있으며, 적어도 9개의 리드들에서 제1 리드는 페데스탈의 둘레 주위의 4개의 히터 존들에 의해 공유되는 제1 리턴 리드에 대응할 수 있고, 적어도 9개의 리드들에서 제2 리드는 페데스탈의 중심으로부터 방사되는 3개의 동심 히터 존들에 의해 공유되는 제2 리턴 리드에 대응할 수 있다. 필터 회로는 하나 이상의 RF 생성기들로부터 RF 신호를 또한 수신하고 와이어 메쉬에 RF 신호를 제공하는 필터 박스의 일부일 수 있다. 복수의 인덕터들 및 공진 인덕터는 필터 박스에 인클로징(enclosing)될 수 있다. 공진 인덕터는 공진 회로가 복수의 히터 존들로부터의 복수의 리드들 각각에 대한 공진 피크를 생성할 수 있도록 개별적으로 복수의 인덕터들 각각에 자기적으로 커플링될 수 있다. 필터 회로는 또한 페데스탈 내의 제2 히터 존에 대응하는 제2 리드, 및 제2 리드에 연결된 제2 인덕터를 포함할 수 있으며, 여기서 공진 인덕터는 또한 제2 인덕터에 자기적으로 커플링될 수 있다. 필터 회로는 또한, 제1 리드에 연결된 제1 커패시터 및 공진 인덕터와 직렬로 연결된 공진 커패시터를 포함할 수 있으며, 여기서 제1 인덕터, 제1 커패시터, 공진 인덕터 및 공진 커패시터는 공진 피크를 생성하도록 결합될 수 있다. 필터 회로는 또한 자기 코어를 포함할 수 있으며, 여기서 제1 인덕터 및 공진 인덕터는 자기 코어 주위에 권선될 수 있다. 자기 코어는 직선형 페라이트 로드(rod)를 포함할 수 있다. 자기 코어는 또한 토로이드 링을 포함할 수 있다. 필터 회로는 또한 제1 인덕터와 직렬로 제1 리드에 연결되는 제2 인덕터 및 제2 인덕터에 자기적으로 커플링될 수 있는 제2 공진 인덕터를 포함할 수 있으며, 여기서 필터 회로는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 제공될 수 있는 RF 신호의 제2 주파수에 대응하는 제2 공진 피크를 생성할 수 있다. 필터 회로는 또한 페라이트 토로이드 자기 코어 ― 여기서 제1 인덕터 및 공진 인덕터는 페라이트 토로이드 자기 코어 주위에 권선될 수 있음 ― ; 제1 인덕터와 직렬로 연결되고, 제1-티어 존 컨트롤에 대응하는 제2 리드와 병렬로 연결되는 제1 커패시터; 및 인쇄 회로 보드를 포함할 수 있으며, 여기서 제1 인덕터 및 페라이트 토로이드 자기 코어는 제1 커패시터에 대한 연결을 통해 인쇄 회로 보드에 배선될 수 있다. 방법은 공진 인덕터를 복수의 인덕터들에 자기적으로 커플링하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 복수의 인덕터들은 페데스탈 내의 다른 히터 존들로부터의 리드들에 연결될 수 있다. 히터 존으로부터의 리드 상의 인덕터, 복수의 인덕터들, 및 공진 인덕터는 동일한 자기 코어를 공유할 수 있다. 공진 피크를 생성하는 단계는 공진 인덕터와 직렬로 연결된 공진 커패시터를 사용하는 단계를 포함할 수 있으며, 공진 커패시터 및 공진 인덕터는 히터 존으로부터의 리드 상의 인덕터에 연결되지 않는다. 히터 존 컨트롤을 사용하여 페데스탈 내의 히터 존에 전류가 제공될 수 있다.
[0008] 다양한 실시예들의 성질 및 이점들에 대한 추가 이해는 유사한 참조 번호들이 여러 도면들에 전반에 걸쳐 유사한 컴포넌트들을 지칭하기 위해 사용되는 도면들 및 명세서의 나머지 부분들을 참조하여 실현될 수 있다. 일부 경우들에서, 서브-라벨은 다수의 유사한 컴포넌트들 중 하나를 나타내기 위해 참조 번호와 연관된다. 기존 서브-라벨에 대한 지정 없이 참조 번호에 대한 참조가 이루어질 때, 이는 모든 이러한 다수의 유사한 컴포넌트들을 참조하는 것으로 의도된다.
[0009] 도 1a는 본원에서 설명된 일부 실시예들을 구현하도록 구성될 수 있는 다중 챔버 프로세싱 시스템의 평면도를 예시한다.
[0010] 도 1b는 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 프로세싱 챔버의 단면도를 예시한다.
[0011] 도 2a 및 도 2b는 일부 실시예들에 따라 상이한 가열 존들로 배열된 복수의 가열 엘리먼트들을 갖는 페데스탈을 예시한다.
[0012] 도 3은 일부 실시예들에 따라 상이한 가열 엘리먼트들에 대한 리턴 리드들을 결합하기 위한 회로를 예시한다.
[0013] 도 4a는 일부 실시예들에 따라 2개의 히터 존들을 갖는 페데스탈에 대한 RF 필터 박스를 예시한다.
[0014] 도 4b는 도 4a의 회로의 주파수 응답을 예시한다. 필터의 임피던스는 주파수의 함수로서 예시된다.
[0015] 도 5a는 일부 실시예들에 따라 히터 컨트롤들을 위한 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링되는 공진 회로를 예시한다.
[0016] 도 5b는 주파수의 함수로서 도 5a의 필터의 임피던스를 예시한다.
[0017] 도 6a는 일부 실시예들에 따라 복수의 공진 회로들을 갖는 필터 박스를 예시한다.
[0018] 도 6b는 주파수의 함수로서 도 6a의 필터의 임피던스를 예시한다.
[0019] 도 7은 일부 실시예들에 따라 공진 회로의 하나의 물리적 구현을 예시한다.
[0020] 도 8은 일부 실시예들에 따라 자기 코어를 사용한 대안적인 구현을 예시한다.
[0021] 도 9는 일부 실시예들에 따른 필터 박스의 9-리드 구현의 단순화된 회로도를 예시한다.
[0022] 도 10은 일부 실시예들에 따른, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버에서 히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법을 예시한다.
[0023] 반도체 프로세싱 챔버 내의 페데스탈은 RF 전력을 플라즈마에 전달하기 위한 컴포넌트들뿐만 아니라 기판의 온도를 제어하기 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. RF 생성기는 리드를 통해 챔버 내의 기판을 지지하는 페데스탈에 매립된 와이어 메쉬로 RF 전력을 전송할 수 있다. 이 RF 전력은 기판 상에 재료를 증착하기 위해 챔버에서 플라즈마를 형성 및 제어하기 위해 기판 위에서 가스를 통해 전파될 수 있다. 부가적으로, 고전압 히터 컨트롤은 페데스탈에 매립된 저항성 히터들에 리드를 통해 전류를 송신하여 프로세스 동안 기판을 제어된 온도로 가열할 수 있다. 플라즈마에 송신되는 RF 전력의 양을 최대화하기 위해, RF 생성기 및 히터 컨트롤들로부터의 리드들은 필터 박스를 통해 이어져서 플라즈마에 송신되기 보다는 히터 리드들을 통해 다시 누출되는 RF 전력을 최소화할 수 있다. 이러한 필터 회로들은 하나 또는 두 개의 히터 존들에 대해서는 상당히 단순하지만, 이들은 히터 존들의 수가 증가됨에 따라 더욱 복잡해진다. 구체적으로, 각각의 리드를 필터링하는 데 사용되는 대형 인덕터들은 리드들의 수가 증가됨에 따라 필터 박스의 물리적 볼륨을 신속하게 채운다.
[0024] 페데스탈 내에 점점 더 많은 수의 히터 존들을 수용하기 위해, 일부 실시예들들은 필터 박스에서 필터 인덕터들에 의해 사용되는 볼륨을 감소시킨다. 구체적으로, 공진 인덕터 및 공진 커패시터를 포함하는 공진 회로는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들이 훨씬 더 작아지도록 허용한다. 공진 인덕터는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들에 자기적으로 커플링될 수 있다. 실제로, 이는 다수의 리드 인덕터들이 공진 인덕터 상의 인덕턴스를 "공유"하도록 허용하고 그리하여 각각의 개별 리드 인덕터가 훨씬 더 작아지도록 허용한다. 일부 실시예들은 리드 인덕터들과 공진 인덕터 사이에 공유될 수 있는 자기 코어 이를테면, 페라이트 로드 또는 토로이드를 사용할 수 있다. 다수의 공진 회로들이 추가되어 다수의 필터링 주파수들을 생성할 수 있고 그리하여 필터 박스에서 사용되는 공간을 최소화하면서, RF 트랜지언트(transient)들이 히터 리드들로부터 필터링되도록 허용한다.
[0025] 도 1a는 본원에서 설명된 일부 실시예들을 구현하도록 구성될 수 있는 다중 챔버 프로세싱 시스템(100)의 평면도를 예시한다. 다중 챔버 프로세싱 시스템(160)은 반도체 디바이스들을 형성하기 위해 실리콘 웨이퍼들과 같은 개별 기판들 상에서 하나 이상의 제작 프로세스들을 수행하도록 구성될 수 있다. 다중 챔버 프로세싱 시스템(160)은 이송 챔버(166), 버퍼 챔버(168), 단일 웨이퍼 로드록들(170 및 172), 프로세싱 챔버들(174, 176, 178, 180, 182 및 184), 예열 챔버들(183 및 185) 및 로봇들(186 및 188) 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 단일 웨이퍼 로드록들(170 및 172)은 가열 엘리먼트들(173)을 포함할 수 있고 버퍼 챔버(168)에 부착될 수 있다. 프로세싱 챔버들(174, 176, 178 및 180)은 이송 챔버(166)에 부착될 수 있다. 프로세싱 챔버들(182 및 184)은 버퍼 챔버(168)에 부착될 수 있다. 다중 챔버 프로세싱 시스템(160)의 동작은 컴퓨터 시스템(190)에 의해 제어될 수 있다. 컴퓨터 시스템(190)은 본원에서 설명된 동작들을 구현하도록 구성된 임의의 디바이스 또는 디바이스들의 조합을 포함할 수 있다. 따라서, 컴퓨터 시스템(190)은 제어기 또는 제어기들의 어레이 및/또는 실행될 때 본원에서 설명된 동작들을 수행하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체 상에 저장된 소프트웨어로 구성된 범용 컴퓨터일 수 있다. 적합한 다중 챔버 프로세싱 시스템(160)의 일 예는 캘리포니아주 산타클라라의 Applied Materials, Inc.에 의해 제조된 Endura® CL 시스템이다.
[0026] 프로세싱 챔버들(174, 176, 178, 180, 182 및 184) 각각은 반도체 디바이스에서 전도성 구조 이를테면, FET(field-effect transistor)를 위한 접촉 구조의 제작시 하나 이상의 프로세스 단계들을 수행하도록 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 프로세싱 챔버들(174, 176, 178, 180, 182 및 184)은 하나 이상의 금속 증착 챔버들, 표면 세정 및 준비 챔버들, 열 어닐링 및/또는 열 수소화 챔버들, 및 플라즈마 수소화/질화 챔버를 포함할 수 있다.
[0027] 도 1b는 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 프로세싱 챔버(101)의 단면도를 예시한다. 도시된 바와 같이, 프로세싱 챔버(100)는 기판(154)을 에칭하거나 다른 웨이퍼 제조 동작들을 수행하는데 적합한 에칭 챔버일 수 있다. 본원에서 설명된 실시예들로부터 이익을 얻도록 구성될 수 있는 프로세싱 챔버들의 예들은 Producer® 에칭 프로세싱 챔버 및 PrecisionTM 프로세싱 챔버를 포함할 수 있고, 이들은 캘리포니아, 산타클라라에 위치된 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수 가능하다. 다른 제조자들로부터의 프로세싱 챔버들을 포함하는 다른 프로세싱 챔버들이 이들 실시예들로부터 이익을 얻도록 구성될 수 있다는 것이 고려된다.
[0028] 프로세싱 챔버(100)는 다양한 플라즈마 프로세스들을 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버(100)는 하나 이상의 에칭제들을 이용하여 건식 에칭을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 프로세싱 챔버는 전구체 CxFy(여기서, x 및 y는 알려진 화합물들에 대한 값들을 표현함), O2, NF3, 또는 이들의 조합들로부터 플라즈마를 점화시키기 위해 사용될 수 있다. 다른 예에서, 프로세싱 챔버(100)는 하나 이상의 전구체들을 이용한 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 프로세스를 위해 사용될 수 있다.
[0029] 프로세싱 챔버(100)는 챔버 바디(102), 덮개 조립체(106), 및 페데스탈(104)을 포함한다. 덮개 조립체(106)는 챔버 바디(102)의 상부 단부에 포지셔닝된다. 페데스탈(104)은 챔버 바디(102) 내부에 배치될 수 있으며, 덮개 조립체(106)는 챔버 바디(102)에 커플링될 수 있고, 프로세싱 볼륨(120) 내에 페데스탈(104)을 인클로징할 수 있다. 챔버 바디(102)는 챔버 바디(102)의 측벽에 형성된, 슬릿 밸브를 포함할 수 있는 이송 포트(126)를 포함할 수 있다. 이송 포트(126)는 기판 이송을 위한 기판 핸들링 로봇(미도시)에 의한 프로세싱 볼륨(120)의 내부에 대한 액세스를 가능하게 하기 위해 선택적으로 개방 및 폐쇄될 수 있다.
[0030] 전극(108)이 덮개 조립체(106)의 일부로서 제공될 수 있다. 전극(108)은 또한, 프로세스 가스가 프로세싱 볼륨(120) 내에 진입할 수 있게 허용하기 위한 복수의 개구들(118)을 갖는 가스 분배기 플레이트(112)로서 기능할 수 있다. 프로세스 가스들은 도관(114)을 통해 프로세싱 챔버(100)에 공급될 수 있고, 프로세스 가스들은 개구들(118)을 통해 유동하기 전에 가스 혼합 구역(116)에 진입할 수 있다. 전극(108)은 RF 생성기, DC 전력, 펄스형 DC 전력, 펄스형 RF 등과 같은 전기 전원에 커플링될 수 있다. 아이솔레이터(110)는 전극(108)과 접촉하고 전극(108)을 챔버 바디(102)로부터 전기적으로 그리고 열적으로 격리할 수 있다. 아이솔레이터(110)는 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 및/또는 다른 세라믹들 또는 금속 산화물들과 같은 유전체 재료를 사용하여 구성될 수 있다. 히터(119)가 가스 분배기 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 히터(119)는 또한 AC 전원에 커플링될 수 있다.
[0031] 페데스탈(104)은 챔버 바디(102)의 최하부 표면을 통해 연장되는 샤프트(144)를 통해 리프트 메커니즘에 커플링될 수 있다. 리프트 메커니즘은 샤프트(144) 주위로부터의 진공 누출을 방지하는 벨로우즈에 의해 챔버 바디(102)에 가요성으로(flexibly) 밀봉될 수 있다. 리프트 메커니즘은 페데스탈(104)이 챔버 바디(102) 내에서 전극(108) 근처에 기판(154)을 배치하기 위한 다수의 프로세스 포지션들과 이송 포지션 사이에 수직으로 이동되도록 허용할 수 있다.
[0032] 페데스탈(104)은 금속 또는 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물/알루미늄 질화물 혼합물 및/또는 다른 유사한 재료들과 같은 금속 산화물, 질화물 또는 산화물/질화물 혼합물이 사용될 수 있다. 전형적인 구현들에서, 하나 이상의 페데스탈 전극들이 페데스탈(104)에 포함될 수 있다. 예컨대, 제1 페데스탈 전극(157) 및 제2 페데스탈 전극(158)이 페데스탈(104)에 제공될 수 있다. 제1 페데스탈 전극(157) 및 제2 페데스탈 전극(158)은 페데스탈(104) 내에 매립될 수 있고 그리고/또는 페데스탈(104)의 표면에 커플링될 수 있다. 제1 페데스탈 전극(157) 및 제2 페데스탈 전극(158)은 플레이트, 천공 플레이트, 메쉬, 와이어 스크린, 또는 임의의 다른 분배된 전도성 어레인지먼트(arrangement)일 수 있다. 도 1은 단지 2개의 페데스탈 전극들을 예시하지만, 다른 실시예들은 아래에서 상세히 설명되는 바와 같이 페데스탈(104)에서 상이한 기하학적 구조들 및/또는 어레인지먼트들을 갖는 2개 초과의 페데스탈 전극들을 사용할 수 있다.
[0033] 바이폴라 척킹(bipolar chucking)으로서 알려진 방법이 제1 페데스탈 전극(157) 및 제2 페데스탈 전극(158)과 함께 사용될 수 있다. 바이폴라 척킹은 제1 페데스탈 전극(157)과 제2 페데스탈 전극(158) 사이에 DC 전압 차이를 인가하는 방법이다. 이러한 정전기적 차이들은 페데스탈(104)에 대해 기판(154)을 홀딩하는 역할을 한다. 이는 단일 페데스탈 전극만이 사용되거나 DC 전압만이 단일 페데스탈 전극에 인가되는 모노폴라 척킹과 대조될 수 있다. 모노폴라 척킹은 에너지가 플라즈마에 인가되어 회로를 완성할 때만 효과적이 된다. 바이폴라 척킹은 제1 페데스탈 전극(157) 및 제2 페데스탈 전극(158) 각각으로의 2개의 별개의 전기적 경로들을 사용한다. 도 1a의 예에서, 제1 DC 전압 소스가 제1 페데스탈 전극(157)을 위한 제1 전기적 통로에 인가될 수 있다. 제2 DC 전압 소스는 제2 페데스탈 전극(158)을 위한 제2 전기적 통로에 인가될 수 있다.
[0034] 하나 이상의 페데스탈 전극들은 프로세싱 볼륨(120) 내에서 RF 에너지를 플라즈마에 전달하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 RF 소스들이 페데스탈(104) 내의 하나 이상의 페데스탈 전극들에 RF 에너지를 제공하기 위해 챔버 바디(102)의 외부에 제공될 수 있다. RF 에너지는 플라즈마를 생성하기 위해, 하나 이상의 페데스탈 전극들을 통해 프로세싱 볼륨(120) 내의 가스로 전달되며, 이 가스는 가스 분배기 플레이트(112)("샤워헤드"로서 또한 지칭됨)를 통해 증착된다. 플라즈마는 기판(154) 상에 재료의 층을 증착하기 위해 기판(154) 위에 유지될 수 있다. 기판(154) 상에 재료를 균일하게 증착하기 위해, 플라즈마로 전달되는 에너지는 기판(154)의 표면 영역에 걸쳐 균일하게 유지되어야 한다. 이 예에서, 하나 이상의 RF 소스들은 페데스탈 전극들(157, 158)에 다수의 주파수들을 전달하도록 구성될 수 있는 저주파 생성기(153) 및/또는 고주파 생성기(159)를 포함할 수 있다. 페데스탈(104)에서 발견되는 공통 주파수들은 350kHz, 13.56MHz, 27.12MHz, 40.68MHz 등을 포함할 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, RF 필터 박스(133)는 히터 컨트롤(155)과 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139) 사이에 포함될 수 있다. RF 필터 박스(133)는 다수의 기능들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예컨대, RF 필터 박스(133)는 하나의 RF 소스에 의해 전달된 RF 전력이 다른 RF 소스에 도달하는 것을 방지하기 위해 인덕터들(151, 152)과 같은 컴포넌트들의 네트워크를 포함할 수 있다. 일부 실시예들은 또한 ESC P/S 및 필터(195)를 포함할 수 있다. 정상 동작에서, RF 전력은 RF 필터 박스(133)를 통해 페데스탈 전극들(157, 158)의 와이어 메쉬들로 송신된다. 페데스탈 전극들(157, 158)로부터, RF 전력은 챔버 내의 가스를 통과하여 플라즈마를 형성할 수 있다. 그 후, RF 전력은 전극(108)을 통과하여 챔버 바디(102) 및 샤프트(144)를 통해 RF 필터 박스(133)의 리턴 경로로 이동할 수 있다. 그 후, RF 전력은 하나 이상의 RF 소스들로 역으로 회로를 완성할 수 있다.
[0036] 일부 실시예들에서, RF 필터 박스(133)는 프로세싱 챔버 시스템 내의 특유의 컴포넌트일 수 있다. 예컨대, RF 필터 박스(133)는 페데스탈 내의 히터 엘리먼트(들) 및/또는 히터 컨트롤로부터의 리드들을 수용하는 커넥터들을 갖는 하우징을 포함할 수 있다. 하우징은 아래에 설명된 인덕터들, 커패시터들 및 공진 회로를 포함할 수 있는 필터 회로를 인클로징할 수 있다.
[0037] 하나 이상의 페데스탈 전극들(157, 158)에 더하여, 일부 실시예들은 또한 페데스탈(104) 내에 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139)은 전류가 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139)을 통해 흐를 때 열을 생성하는, 비교적 낮은 내부 저항을 갖는 와이어들을 포함할 수 있다. 예컨대, 일부 가열 엘리먼트들은 10옴 미만 이를테면, 2옴의 저항을 가질 수 있다. 히터 컨트롤(155)에 의해 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139)에 전력이 제공될 수 있다. 히터 컨트롤(155)은 페데스탈(104)을 가열하기 위해 프로세싱 사이클 동안 하나 이상의 가열 엘리먼트들(139)에 전압/전류를 제공할 수 있다. 이 열은 기판(154)으로 전달되어 프로세스 동안 기판(154)을 미리 결정된 온도 범위에 있게 할 수 있다.
[0038] 하나 이상의 RF 소스들에 대한 입력을 제공하는 것 외에도, RF 필터 박스(133)는 RF 신호들이 히터 컨트롤(155)로 누출되는 것을 방지하고 해당 경로에 대한 RF에 높은 임피던스를 또한 제공할 수 있다. 예컨대, 페데스탈 전극들(157, 158)에 제공되는 RF 전력은 유전체를 통해 가열 엘리먼트(들)(139)의 AC 엘리먼트와 쉽게 커플링될 수 있다. 플라즈마로부터 분산되는(diverted away) RF 전력을 최소화하기 위해, RF 필터 박스(133)는 히터 컨트롤(155)로의/로부터의 각각의 입력 및/또는 출력 리드에 대한 복수의 인덕터들/커패시터 조합들을 포함할 수 있다. 예컨대, RF 필터 박스(133) 내의 각각의 개별 RF 필터는 직렬 커패시터(예컨대, 대략 50nF) 및 인덕터(예컨대, 대략 6μH)를 포함하여 이들 라인들 각각 상에서 RF 신호들을 필터링할 수 있다. 인덕턴스들 및/또는 커패시턴스들의 이러한 조합은 여전히 낮은 주파수들이 통과하도록 허용하면서, 특정 고주파수에서 높은 임피던스를 갖는 공진 피크를 생성하도록 구성될 수 있다.
[0039] 이러한 어레인지먼트에 따르면, RF 필터 박스를 통해 이어지는 다수의 리드들이 있을 수 있다. 예컨대, RF 리드들은 샤프트(144)를 따라 페데스탈 전극들(157, 158)까지 이어질 수 있다. 부가적으로, 페데스탈(104) 내의 각각의 히터 존은 전력 리드 및 리턴 리드에 연결될 수 있다. 전통적인 페데스탈들은 전형적으로 내측 존 및 외측 존과 같은 2개의 가열 존들을 사용하여 RF 필터 박스(133)를 통해 이어지는 4개의 리드들(예컨대, 2개의 전력 리드들 및 2개의 리턴 리드들)을 초래한다. 그러나 일부 실시예들은 또한 더 많은 가열 존들을 갖는 페데스탈들을 사용하도록 구성될 수 있으며, 이는 아래에서 설명되는 바와 같이 RF 필터 박스(133)를 복잡하게 만든다.
[0040] 도 2a 및 도 2b는 일부 실시예들에 따라 상이한 가열 존들로 배열된 복수의 가열 엘리먼트들을 갖는 페데스탈(104)을 예시한다. 이 예에서, 복수의 가열 엘리먼트들은 7개의 별개의 그리고 특유의 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 이러한 어레인지먼트 및 가열 엘리먼트들의 수는 단지 예로서 제공되며 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것에 주의한다. 본원에서 설명된 히터 컨트롤은 임의의 수의 가열 엘리먼트들과 함께 사용될 수 있다. 더욱이, 히팅 컨트롤은 가열 엘리먼트 유형들의 상이한 어레인지먼트들과 호환될 수 있다. 아래에 설명된 바와 같이, 히터 컨트롤은 고전력 가열 엘리먼트들 및 저전력 가열 엘리먼트들과 상호 교환 가능하게 호환되는 리드들을 포함할 수 있다.
[0041] 이 예에서, 페데스탈(104)은 페데스탈(104)의 중심으로부터 바깥쪽으로 방사되는 동심 원형 영역들에 배열된 다수의 고-전력 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 중앙 또는 내측 가열 엘리먼트(210)는 디스크 또는 원형 형상을 가질 수 있고 페데스탈(104)의 중심에 위치될 수 있다. 중간 가열 엘리먼트(212)는 링 형상을 가질 수 있고 내측 가열 엘리먼트(210) 주위에 동심원으로 포지셔닝될 수 있다. 외측 가열 엘리먼트(214)는 또한 링 형상을 가질 수 있고 중간 가열 엘리먼트(212) 주위에 동심원으로 포지셔닝될 수 있다. 이들 가열 엘리먼트들(210, 212, 214)은 킬로와트 범위의 열을 생성할 수 있도록 히터 컨트롤로부터 전류를 수신하도록 구성될 수 있다. 이러한 가열 엘리먼트들(210, 212, 214)은 기판의 1차 온도를 세팅하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 기판을 약 300℃ 내지 약 800℃의 온도들로 가열하기 위해, 프로세싱 챔버는 기판을 이 온도 범위로 가열하기 위한 1차 열을 제공하기 위해 더 높은 전력 범위들을 갖는 이러한 가열 엘리먼트들(210, 212, 214)에 의존할 수 있다.
[0042] 이 예는 또한 페데스탈(104)의 주변부 또는 둘레 주위에 배열된 다수의 저-전력 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 페데스탈(104)의 주변부는 사분면들로 분할될 수 있고, 가열 엘리먼트는 사분면들 각각을 커버하도록 로케이팅 및 성형될 수 있다. 예컨대, 가열 엘리먼트(220), 가열 엘리먼트(222), 가열 엘리먼트(224) 및 가열 엘리먼트(226)는 주변부 주위에 배열될 수 있다. 이들 가열 엘리먼트들은 외측 가열 엘리먼트(214)와 직경이 유사할 수 있는 링으로 배열될 수 있다. 페데스탈(104)의 단면도에서, 이들 저전력 가열 엘리먼트들(220, 222, 224, 226)은 고전력 가열 엘리먼트들(210, 212, 214)의 최상부에 배치될 수 있거나 그 반대의 경우도 마찬가지다. 저전력 가열 엘리먼트들(220, 222, 224, 226)은 페데스탈(104)의 특정 영역들의 온도 프로파일을 미세 튜닝하는 데 사용될 수 있다. 저전력 가열 엘리먼트들(220, 222, 224, 226)의 특정 기하학적 구조 및 어레인지먼트는 단지 예로서 제공되며 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것에 주의한다. 저전력 가열 엘리먼트들(220, 222, 224, 226)은 대략 10W 내지 대략 40W와 같이 100W 미만인 전력을 사용할 수 있다. 다른 실시예들은 더 많거나 더 적은 저전력 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있으며, 이 저전력 가열 엘리먼트들은 페데스탈(104)의 중간, 내측 및/또는 외측 구역들 중 임의의 것에 로케이팅될 수 있다.
[0043] 일부 실시예들에서, 7개의 히터 존들은 각각의 존에 대한 전력 리드 및 리턴 리드를 요구하여, RF 필터 박스를 통해 이어지는 많은 수의 리드들을 초래할 수 있다. 가열 엘리먼트들 각각은 페데스탈(104)에서 열을 생성하는 내부 저항을 갖는 와이어로서 모델링될 수 있다. 따라서, 기본 구현들은 가열 엘리먼트 각각에 대해 전력 및 리턴 와이어를 사용할 수 있다. 7개의 특유의 가열 엘리먼트를 사용하는 위의 예에서, 이는 페데스탈 전극들에 전달되는 RF 전력 및/또는 DC 척킹 전압에 대한 적어도 2개의 추가 리드들과 함께, 가열 엘리먼트들만을 위한 페데스탈(104)로 가는/페데스탈(104)로부터 나오는 14개의 상이한 리드들을 초래하게 할 것이다.
[0044] 도 3은 일부 실시예들에 따라 상이한 가열 엘리먼트들에 대한 리턴 리드들을 결합하기 위한 회로를 예시한다. 이 예에서, 페데스탈(104)의 내측, 중간 및 외측 섹션들에서 고출력 가열 엘리먼트들은 회로도에서 저항들(302)로서 모델링될 수 있다. 저항들(302)은 복수의 전력 리드들(304)을 통해 히터 컨트롤에 연결될 수 있다. 가열 존들 각각을 개별적으로 제어하기 위해, 저항들(302) 각각은 전력 리드들(304) 중 하나와 개별적으로 연관될 수 있다. 예컨대, 전력 리드(304-1)는 내측 가열 엘리먼트에 대한 저항(302-1)에 전류를 전달하는 데 사용될 수 있고, 전력 리드(304-2)는 중간 가열 엘리먼트에 대한 저항(302-2)에 전류를 전달하는 데 사용될 수 있으며, 전력 리드(304-3)는 외측 가열 엘리먼트에 대한 저항(302-3)에 전류를 전달하는 데 사용될 수 있다.
[0045] 저항들(302) 각각은 전력 리드들(304) 내의 개별 와이어들과 연관될 수 있지만, 이들 저항들(302) 각각은 또한 공유 리턴 리드(306)와 연관될 수 있다. 리턴 리드를 공유하는 것은 페데스탈(104)을 통해 라우팅되고 페데스탈(104) 내에서 다른 RF/DC 신호들로부터 필터링될 필요가 있는 전기 리드들의 수를 최소화함으로써 프로세싱 챔버를 개선한다. 그러나 다수의 가열 존들이 동일한 리턴 리드(306)를 공유할 때, 이는 리턴 리드(306)를 통해 라우팅되는 순시 전류를 증가시킬 수 있다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 이 전류는 페데스탈(104)에 존재할 수 있는 RF 신호들을 제거하기 위해 인덕터 및 다른 회로 엘리먼트들을 통해 필터링될 수 있다. 과도한 양의 전류는 인덕터 및 다른 회로 엘리먼트들을 과열시키고 프로세싱 챔버의 동작을 손상시키거나 저하시킬 수 있으므로, 각각의 전력 리드(304)를 통해 제공되는 전력은 과도한 전류를 방지하기 위해 듀티 사이클링될 수 있다. 9개의 리드들을 사용하여 7-존 페데스탈을 제어하도록 구성된 히터 컨트롤의 예는 "Multi-zone Heater Control for Wafer Processing Equipment"란 명칭으로 2021년 2월 4일 출원된, 본원과 양수인이 동일한 미국 특허 출원 번호 제17/167,904호에서 설명되며, 이는 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
[0046] 도 2a 및 도 2b로 다시 돌아오면, 복수의 리드들은 2개의 그룹들: 고전력 가열 엘리먼트들에 대한 3개의 전력 와이어들 및 하나의 공유된 리턴 와이어의 일 그룹, 및 저전력 가열 엘리먼트들에 대한 4개의 전력 와이어들 및 하나의 공유된 리턴 와이어의 일 그룹으로 결합될 수 있으며, 이는 히터에 대해 와이어 리드들의 총 수를 9개까지 감소시킨다. RF 필터 박스(133)는 페데스탈(104)에 존재할 수 있는 RF 신호들을 필터링하기 위해 제공될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 페데스탈(104)은 또한 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 RF 전력을 제공하는 다수의 와이어 메쉬들을 포함할 수 있다. RF 신호가 리드들(303)을 따라 그리고 히터 컨트롤(300)로 이동하는 것을 방지하기 위해, RF 필터 박스(133)는 페데스탈(104)의 주파수 범위 내의 RF 신호들을 제거하도록 구성될 수 있다. RF 필터 박스(133)는 또한 저주파 신호들을 제거하고, 가열 엘리먼트들에 인가되는 DC 전압에 대해 낮고 안정적인 저항을 제공하도록 구성될 수 있다. 예컨대, RF 필터 박스(133)는 13.56MHz, 27MHz, 40MHz 등과 같이 페데스탈(104)에서 발견된 공통 주파수들을 제거할 수 있다.
[0047] 7-존 페데스탈에 사용되는 9개의 리드들 각각과 같이 많은 수의 히터 리드들에 대해 개별 필터들을 수용하려고 할 때 기술적인 문제가 존재한다. 특히, 각각의 리드에 대해 사용되는 상대적으로 큰 인덕터들은 RF 필터 박스(133)의 물리적 공간에 수용되기가 어렵다. 히터 컨트롤로/히터 컨트롤로부터 이어지는 각각의 리드에 대한 개별 필터들을 수용하기 위해, 본원에서 설명된 일부 실시예들은 히터 컨트롤 리드들 상의 필터 회로들의 수가 증가함에 따라 이들 간에 공유될 수 있는 공진 회로를 도입함으로써 이러한 기술적 문제를 해결한다. 이는 각각의 히터 존 리드에 대해 필요한 개별 인덕터들의 사이즈를 감소시키고 이에 따라 RF 필터 박스가 페데스탈에 더 많은 수의 히터 존들을 수용하도록 허용한다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 이는 또한 필터 박스가 히터 리드들로부터 필터링될 주파수들에 대응하는 타깃팅된 공진 주파수들을 생성하도록 허용한다.
[0048] 도 4a는 일부 실시예들에 따라 2개의 히터 존들을 갖는 페데스탈에 대한 RF 필터 박스를 예시한다. 명료함을 위해 도 4a에는 단 2개의 히터 존들만 예시되지만, 다른 실시예들은 동일한 원리들을 사용하여 임의의 수의 히터 존들 및/또는 리드들을 수용할 수 있다. 전형적으로, 히터 존 컨트롤들(406, 412)은 각각의 히터 존(408, 410)에 대한 리드들에 연결될 수 있다. 히터 존 컨트롤들(406, 412)은 60Hz, 50Hz 또는 심지어 DC 신호들과 같은 상대적으로 낮은 주파수로 전력을 제공할 수 있다. 이들 주파수들은 RF 생성기들을 통해 플라즈마에 제공되는 상대적으로 높은 주파수들에 비해 매우 낮을 수 있다. 예컨대, 히터 존 컨트롤들(406, 412)로부터 제공되는 신호의 주파수는 페데스탈 전극들에 제공되는 RF 전력의 주파수보다 적어도 10배 또는 100배 더 작을 수 있다.
[0049] 히터 존 컨트롤들(406, 412)의 상대적으로 낮은 주파수들이 히터 존들(408, 410)을 통과하도록 허용하기 위해, 각각의 리드에 대한 인덕터들(402) 및 커패시터들(404)은 페데스탈 전극들에 대한 더 높은 RF 전력 주파수들을 필터링하도록 구성된 필터링 주파수들을 생성하도록 배열될 수 있다. 이 예에서, 인덕터들(402)(리드 인덕터들, 히터 인덕터들, 히터 리드 인덕터들 또는 복수의 이러한 인덕터들로서 또한 지칭됨)은 히터 존들(408, 410) 및 히터 존 컨트롤들(406, 412) 사이의 각각의 리드 상에 직렬로 연결될 수 있다. 이는 각각의 전력 및 리턴 리드 상의 인덕터들(402)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이들 인덕터들(402)은 대략 6.0μH의 값을 가질 수 있다. 부가적으로, 대략 50nF의 값을 갖는 병렬 커패시터들(404)이 각각의 리드마다 필터 박스에 포함될 수 있다. 인덕터들(402) 및 커패시터들(404)의 이러한 조합들은 페데스탈 전극들에 대해 생성된 훨씬 더 높은 주파수들을 감쇠시키면서, 히터 존 컨트롤들(406, 412)의 낮은 주파수를 통과시키는 주파수 응답을 생성하도록 구성될 수 있다. 도 4b는 히터 존들의 관점에서 필터 박스를 들여다보는 임피던스와 함께 도 4a의 회로의 주파수 응답을 예시한다. 필터의 임피던스는 주파수의 함수로서 예시된다. 히터의 더 낮은 주파수들은 매우 낮은 임피던스를 겪을 수 있는 반면, 6.0μH 인덕터는 예시된 바와 같이 13.56MHz 이상에서 높은 임피던스(예컨대, 500Ω 이상)를 생성하도록 구성된 응답을 생성할 수 있다.
[0050] 도 5a는 일부 실시예들에 따라 히터 컨트롤들을 위한 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링되는 공진 회로를 예시한다. 공진 회로는 공진 인덕터(514) 및 공진 커패시터(516)를 포함할 수 있다. 공진 인덕터(514)는 히터 존 컨트롤들(406, 412)과 히터 존들(408, 410) 사이의 리드들 각각에 연결된 리드 인덕터들(502)에 자기적으로 커플링될 수 있다. 이는 리드 인덕터들(502)이 사이즈 면에서 감소되고 공진 인덕터(514)의 효과들을 공유하도록 허용하고, 이에 따라 RF 필터 박스 내부에 맞춰질 필요가 있는 필터링 회로들의 전체 사이즈를 축소시킨다.
[0051] 자기 커플링을 통해, 공진 인덕터(514) 및 공진 회로는 RF 필터 박스 내의 히터 리드들 사이에서 공유될 수 있다. 공진 인덕터(514)는 공진 커패시터(516)와 직렬로 연결될 수 있다. 공진 회로는 전류가 히터 리드들 또는 인덕터들(502)을 통해 공진 회로로부터 직접 흐르지 않도록 필터 박스 내의 히터 리드들 및/또는 다른 인덕터들(502)로부터 전기적으로 격리될 수 있다.
[0052] 도 5b는 히터 존들의 관점에서 필터 박스를 들여다봄으로써 발견되는 바와 같이, 주파수의 함수로서 도 5a의 필터의 임피던스를 예시한다. 예들로서, 공진 인덕터(514)에 대해 사용되는 0.5μH 인덕터 및 공진 커패시터(516)에 대해 사용되는 250pF 커패시터를 갖는 공진 회로는 약 13.56MHz에서 공진 피크(530)를 도입한다. 이는 인덕터들(502)의 6.0μH 사이즈가 대략 2.0μH까지 감소되도록 허용한다. 13.56MHz에서, 필터는 1500옴보다 큰 임피던스를 생성할 수 있다. 공진 회로는 인덕터들(502)에 대해 컴포넌트 사이즈들이 감소되도록 허용할 뿐만 아니라 원하는 RF 주파수에서 필터의 임피던스를 증가시킨다. 따라서 공진 회로는 각각의 리드 상의 필터들이 필터 박스의 물리적 볼륨 내에 맞도록 허용하고 페데스탈 전극들로부터의 RF 전력이 히터 리드들로 다시 누출되는 것을 방지하는 필터 회로의 효율성을 증가시킨다.
[0053] 이러한 주파수들 및 인덕턴스/커패시턴스 값들은 페데스탈 전극들에 제공되는 13.56MHz RF 신호를 필터링하기 위한 예로서만 제공된다는 것에 주의한다. 아래에 설명된 바와 같이, RF 필터 박스에 존재할 수 있는 다른 RF 주파수들에서 부가적인 공진 피크들을 도입하기 위해 부가적인 공진 회로들이 필터 박스에 추가될 수 있다. 예컨대, 고주파수 RF 생성기에 의해 생성된 주파수가 주어지면, 당업자는 주어진 주파수를 필터링하도록 대응하는 주파수 응답을 생성하기 위해 공진 인덕터(514) 및 공진 커패시터(516)뿐만 아니라 리드 인덕터들(502)에 대한 컴포넌트 값들을 선택할 수 있다. 일부 구현들에서, 공진 피크(530)는 고주파 생성기의 주파수와 일치하도록 선택될 수 있다. 저주파 생성기에 의해 생성된 주파수는 항상 대응하는 공진 피크를 요구할 필요는 없는데, 왜냐하면 저주파 RF 전력이 페데스탈의 유전체를 통해 히터 존에 커플링될 가능성이 적기 때문이다.
[0054] 도 6a는 일부 실시예들에 따라 복수의 공진 회로들을 갖는 필터 박스를 예시한다. 이 구현에서, 제1 공진 회로는 제1 공진 인덕터(624) 및 제1 공진 커패시터(626)를 포함할 수 있다. 제1 공진 인덕터(624)는 제1 복수의 리드 인덕터들(622)에 자기적으로 커플링될 수 있다. 마찬가지로, 제2 공진 회로는 제2 공진 인덕터(614) 및 제2 공진 커패시터(616)를 포함할 수 있다. 제2 공진 인덕터(614)는 제2 복수의 리드 인덕터들(602)에 자기적으로 커플링될 수 있다. 다수의 공진 회로들이 추가되어 상이한 주파수들에서 다수의 공진 피크들을 생성할 수 있다. 예컨대, 저주파 생성기, 고주파 생성기, 및/또는 프로세싱 챔버에 존재할 수 있는 임의의 다른 RF 주파수들을 필터링하기 위해 다수의 공진 피크들이 생성될 수 있다. 다수의 공진 회로들을 포함하는 것은 또한 리드 인덕터들의 사이즈들이 추가로 감소되도록 허용할 수 있다.
[0055] 도 6b는 히터 존들의 관점에서 필터 박스를 들여다봄으로써 발견되는 바와 같이, 주파수의 함수로서 도 6a의 필터의 임피던스를 예시한다. 이 예에서, 제1 공진 회로는 2.0μH 공진 인덕터(624) 및 13nF 공진 커패시터(626)를 포함할 수 있으며, 이는 2MHz에서 대략 800옴의 임피던스를 생성할 수 있다. 부가적으로, 제2 공진 회로는 13.56MHz에서 대략 1500옴의 임피던스를 생성하기 위해 2.0μH 공진 인덕터(614) 및 250pF 공진 커패시터(616)를 포함할 수 있다. 2개의 공진 회로들의 사용은 예로서만 제공되며 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것에 주의한다. 다른 실시예들은 챔버에서 이온 에너지를 변조하는 데 사용될 수 있는 350kHz와 같이 필터 박스로부터 필터링될 RF 주파수들, 또는 20MHz, 40MHz, 60MHz 등과 같은 VHF 주파수들에 대응하는 부가적인 공진 피크들을 생성하기 위해 임의의 수의 공진 회로들을 추가할 수 있다.
[0056] 도 7은 일부 실시예들에 따라 공진 회로의 하나의 물리적 구현을 예시한다. 필터 회로는 예컨대, 대략 130mm x 140mm 치수들을 갖는 PCB(printed circuit board)(700)에 장착될 수 있다. 공진 인덕터(708)와 리드 인덕터들(704, 706) 사이의 자기 커플링을 강화하기 위해, 자기 코어(702)가 사용될 수 있다. 이 예에서, 토로이드 형상을 갖는 페라이트 코어가 자기 코어(702)로서 사용될 수 있다. 공진 인덕터(708) 및 리드 인덕터들(706)은 자기 코어(702) 주위를 감쌀 수 있다. 하나의 인덕터로부터의 자기장 라인들은 자기 코어(702)를 따라 이웃 인덕터들로 이동하는 경향이 있을 것이다. 자기 코어(702)의 토로이드 형상은 공진 인덕터(708)와 다른 리드 인덕터들(706) 사이의 커플링이 자기 코어(702) 주위로 전파될 수 있도록 자기장 라인들에 대한 폐루프를 생성할 수 있다. 이 예에서, 자기 코어(702)는 대략 89mm의 외경 및 대략 50mm의 내경을 가질 수 있다. 자기 코어(702)는 PCB(700)로부터 대략 51mm 높이로 세워질 수 있다. 다른 예들은 제한 없이 자기 코어(702)에 대해 상이한 치수들을 사용할 수 있다.
[0057] 위에서 설명된 바와 같이, 임의의 컴포넌트 값들은 히터 리드들 상의 필터들의 주파수 응답에서 공진 회로들에 의해 생성된 공진 피크들을 맞춤화하는 데 사용될 수 있다. 일 예로서, 도 7에 예시된 구성을 구현하기 위해 다음의 컴포넌트 값들이 사용될 수 있다. 자기 코어(702)는 3.5인치 외경, 2.0인치 내경 및 2.0인치 전체 높이를 갖는 예시적인 토로이드와 같은 페라이트 토로이드를 포함할 수 있다. 인덕터들(704-1, 704-2, 704-3, 704-4 및 704-5)은 12 게이지 자기 와이어의 4개의 턴들을 포함할 수 있다. 인덕터들(706-1, 706-2, 706-3 및 706-4)은 8 게이지 자기 와이어의 4개의 턴들을 포함할 수 있다. 공진 인덕터(708)는 8 게이지 자기 와이어의 하나의 턴을 포함할 수 있다. 공진 커패시터(712)는 300pF 세라믹 커패시터를 포함할 수 있고, 리드 커패시터(710)는 47nF 필름 커패시터들을 포함할 수 있다. 이러한 컴포넌트 값들은 하나의 가능한 실시예로만 제공되며 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[0058] 도 8은 일부 실시예들에 따라 자기 코어를 사용한 대안적인 구현을 예시한다. 도 7에 도시된 구현과 대조적으로, 일부 실시예들은 페라이트 로드의 형상을 갖는 자기 코어(802)를 사용할 수 있다. 페라이트 로드는 실질적으로 직선형일 수 있다. 이러한 선형 어레인지먼트는 위에서 논의된 토로이드 형상에 대한 대안으로서 역할을 할 수 있다. 토로이드 형상과 대조적으로, 자기 코어(802)의 선형 형상은 자기장 라인들이 자기 코어(802)로부터 누출되는 것을 허용할 수 있다. 따라서, 공진 인덕터(808)에 대한 리드 인덕터들(806)의 자기 커플링의 강도는 자기 코어(802)의 단부들로 갈수록 줄어들 수 있다.
[0059] 예컨대, 도 8은 2개의 전력 리드들 및 2개의 리턴 리드들을 가져, 필터 박스에 총 4개의 리드 인덕터들(806)을 초래하는 회로를 예시한다. 공진 회로는 공진 인덕터(808) 및 공진 커패시터(812)를 포함할 수 있다. 공진 인덕터(808)는 공진 인덕터(808)에 직접 인접한 리드 인덕터들(806-2, 806-3)에 보다 자기적으로 커플링되고 그 후 공진 인덕터(808)에 인접하지 않은 리드 인덕터들(806-1, 806-4)에 자기적으로 커플링될 수 있다. 리드 인덕터들(806-1, 806-4)은 공진 인덕터(808)와의 자기 커플링을 증가시키기 위해 부가적인 턴들 또는 권선들을 사용할 수 있다.
[0060] 도 9는 일부 실시예들에 따라 필터 박스의 9-리드 구현의 단순화된 회로도를 예시한다. 공진 회로는 공진 피크 주파수를 생성하기 위해 직렬로 연결된 공진 인덕터(904) 및 공진 커패시터(906)를 포함할 수 있다. 공진 인덕터(904)는 페데스탈 내의 히터 존들로/히터 존으로부터 라우팅되는 리드들 각각 상의 리드 인덕터들(901)에 자기적으로 커플링될 수 있다. 기생 커패시턴스(902)는 리드들과 필터 박스 사이 커넥터의 기생 커패시턴스(예컨대, 대략 2pF)를 모델링하는 반면, 리드 커패시턴스들(903)은 접지에 대한 통로를 제공한다. 예로써, 공진 인덕터(904)는 대략 0.5μH의 값을 가질 수 있고, 리드 인덕터들(901)은 대략 2.0μH의 값들을 가질 수 있다. 공진 커패시턴스(906)는 대략 250pF의 값을 가질 수 있고, 리드 커패시턴스들은 대략 50nF의 값들을 가질 수 있다.
[0061] 도 10은 일부 실시예들에 따라 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버에서 히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법을 예시한다. 이 방법은 이전 도면들 중 임의의 것에 설명된 회로 컴포넌트들에 의해 실행될 수 있다. 예컨대, 이 방법은 페데스탈로/페데스탈로부터 이어지는 리드들에 연결된 필터 박스에 의해 실행될 수 있다. 그러나, 이러한 기능들은 또한 이러한 기능들을 수행할 수 있는 임의의 전자 컴포넌트들에 의해 수행될 수 있고, 이에 따라, 이 방법은 위에서 설명된 회로 엘리먼트들에 의해 수행되는 것으로 제한될 필요는 없으며, 대신 이러한 기능들을 수행할 수 있는 임의의 회로들, 프로세서들 및/또는 전자 컴포넌트들에 의해 수행될 수 있다.
[0062] 방법은 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하는 페데스탈 내의 히터 존으로부터의 리드 상에서 RF 주파수를 수신하는 단계(1002)를 포함할 수 있다. RF 주파수는 RF 소스에 의해 생성되어 페데스탈 내의 와이어 메쉬 전극에 전달되어 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성 및/또는 제어할 수 있다. RF 주파수는 13.56MHz 및 본원에서 설명된 다른 유사한 주파수들과 같은 주파수들을 포함할 수 있다. RF 신호는 의도된 대로 플라즈마를 통해 송신되는 대신 페데스탈 전극으로부터 히터 존 내의 히터 엘리먼트로 누출될 수 있다. 리드는 페데스탈 내의 히터 존과 히터 존 컨트롤 사이에서 이어지는 리턴 리드 및/또는 전력 리드를 포함할 수 있다. 히터 존 컨트롤은 리드 상에서 수신된 RF 소스로부터의 RF 주파수보다 적어도 10배 낮은 크기인 주파수(예컨대, 60Hz)를 갖는 신호(예컨대, 전류)를 생성할 수 있다. 이 단계는 위의 도면들 중 임의의 것을 참조하여 설명된 대로 실행될 수 있다.
[0063] 방법은 또한 공진 피크를 생성하기 위해 공진 인덕터에 자기적으로 커플링되는 히터 존으로부터의 리드 상의 인덕터를 사용하여 공진 피크를 생성하는 단계(1004)를 포함할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 인덕터는 히터 존과 히터 존 컨트롤 사이에서 이어지는 필터 박스 내의 리드에 직렬로 연결될 수 있다. 이 리드 인덕터는 공진 인덕터에 자기적으로 커플링될 수 있다. 공진 인덕터는 공진 커패시터를 포함하는 공진 회로의 일부일 수 있다. 공진 회로는 히터 리드에 대한 전체 필터 회로의 주파수 응답에 통합되는 공진 피크를 생성할 수 있다. 공진 회로는 리드 상에서 수신된 누출된 RF 신호의 주파수와 대략적으로 매칭되는 공진 피크를 생성하는 컴포넌트 값들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 공진 인덕터는 토로이드 또는 로드 형상을 갖는 페라이트 코어와 같이 자기 코어 주위에 권선될 수 있다. 자기 코어는 리드 인덕터 및 필터 박스 내의 다른 리드 인덕터들과 공유될 수 있다. 이 단계는 위의 도면들 중 임의의 것을 참조하여 설명된 대로 실행될 수 있다.
[0064] 방법은 RF 신호가 히터 존에 대응하는 히터 존 컨트롤에 도달하는 것을 방지하기 위해 RF 신호를 필터링하는 단계(1006)를 더 포함할 수 있다. 전극으로부터의 RF 신호는 공진 회로의 공진 피크와 매칭되는 주파수를 가질 수 있으며, 따라서 이 RF 신호는 히터 존 컨트롤에 도달하기 전에 감쇠될 수 있다. 이 단계는 위의 도면들 중 임의의 것을 참조하여 설명된 대로 실행될 수 있다.
[0065] 도 10에 예시된 특정 단계들은 다양한 실시예들에 따라 히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호를 필터링하는 특정 방법들을 제공한다는 것이 인지되어야 한다. 또한, 단계들의 다른 시퀀스들이 대안적 실시예들에 따라 수행될 수 있다. 예컨대, 대안적인 실시예들은 위에서 약술된 단계들을 상이한 순서로 수행할 수 있다. 더욱이, 도 10에 예시된 개별 단계들은, 개별 단계에 적절한 바와 같은 다양한 시퀀스들로 수행될 수 있는 다수의 서브-단계들을 포함할 수 있다. 또한, 부가적인 단계들이 특정한 애플리케이션들에 의존하여 부가되거나 또는 제거될 수 있다. 다수의 변동들, 수정들 및 대안들이 또한 본 개시내용의 범위 내에 속한다.
[0066] 위의 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 다양한 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위한 다수의 특정한 세부사항들이 기재된다. 그러나, 일부 실시예들은 이들 특정한 세부사항들 중 일부 없이도 실시될 수 있다는 것이 자명할 것이다. 다른 경우들에서, 잘-알려진 구조들을 및 디바이스들은 블록도 형태로 도시된다.
[0067] 위의 설명은 단지 예시적인 실시예들을 제공하며, 본 개시내용의 범위, 적용 가능성 또는 구성을 제한하려는 것은 아니다. 오히려, 다양한 실시예들의 위의 설명은 적어도 하나의 실시예를 구현하기 위한 실시 가능하게 하는 개시내용을 제공할 것이다. 첨부된 청구항들에 기술된 바와 같은 일부 실시예들의 사상 및 범위로부터 벗어남 없이 다양한 변경이 엘리먼트들의 기능 및 어레인지먼트(arrangement)에서 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0068] 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 위의 설명에서 특정 세부사항들이 주어진다. 그러나, 실시예들이 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예컨대, 회로들, 시스템들, 네트워크들, 프로세스들 및 다른 컴포넌트들은 불필요한 세부사항으로 실시예들을 모호하게 하지 않기 위해 블록도 형태의 컴포넌트들로서 도시되었을 수 있다. 다른 경우들에서, 잘-알려진 회로들, 프로세스들, 알고리즘들, 구조들, 및 기법들은 실시예들을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 불필요한 세부사항 없이 도시되었을 수 있다.
[0069] 또한, 개별 실시예들은, 흐름도, 순서도, 데이터 흐름도, 구조도, 또는 블록도로서 도시된 프로세스로서 설명되었을 수 있다는 것에 주의한다. 흐름도가 순차적인 프로세스로서 동작들을 설명되었을 수 있지만, 동작들의 대부분은 병렬로 또는 동시에 수행될 수 있다. 부가적으로, 동작들의 순서는 재배열될 수 있다. 프로세스는 그의 동작들이 완료되었을 때 종결되지만, 도면에 포함되지 않은 부가적인 단계들을 가질 수 있다. 프로세스는 방법, 함수, 절차, 서브루틴, 서브프로그램 등에 대응할 수 있다. 프로세스가 함수에 대응하는 경우, 프로세스의 종결은 호출 함수 또는 메인 함수로의 함수의 리턴에 대응할 수 있다.
[0070] 용어 "컴퓨터 판독 가능 매체"는 휴대용 또는 고정식 저장 디바이스들, 광학 저장 디바이스들, 무선 채널들 및 명령(들) 및/또는 데이터를 저장, 포함 또는 운반할 수 있는 다양한 다른 매체를 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 코드 세그먼트 또는 기계 실행 가능 명령들은 프로시저, 함수, 서브프로그램, 프로그램, 루틴, 서브루틴, 모듈, 소프트웨어 패키지, 클래스 또는 명령들, 데이터 구조들 또는 프로그램 명령문들의 임의의 조합을 표현할 수 있다. 코드 세그먼트는 정보, 데이터, 인수들, 파라미터들 또는 메모리 콘텐츠들을 전달 및/또는 수신함으로써 다른 코드 세그먼트 또는 하드웨어 회로에 커플링될 수 있다. 정보, 인수들, 파라미터들, 데이터 등은 메모리 공유, 메시지 전달, 토큰 전달, 네트워크 송신 등을 포함한 적절한 수단을 통해 전달, 포워딩 또는 송신될 수 있다.
[0071] 또한, 실시예들은, 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로코드, 하드웨어 디스크립션(description) 언어들, 또는 이들의 임의의 결합에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어 또는 마이크로코드로 구현될 때, 필요한 태스크들을 수행하기 위한 프로그램 코드 또는 코드 세그먼트들은 기계 판독 가능 매체에 저장될 수 있다. 프로세서(들)는 필요한 태스크들을 수행할 수 있다.
[0072] 위의 명세서에서, 특징들은 특징들의 구체적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 모든 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니라는 것이 인식되어야 한다. 일부 실시예들의 다양한 특징들 및 양상들을 개별적으로 또는 공동으로 사용될 수 있다. 또한, 실시예들은 본 명세서의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어남 없이 본원에서 설명된 것들 이외의 임의의 수의 환경들 및 애플리케이션들에서 활용될 수 있다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적이기 보다는 예시적인 것으로 간주될 것이다.
[0073] 부가적으로, 예시의 목적들로, 방법들이 특정 순서로 설명되었다. 대안적인 실시예들에서, 방법들은 설명된 것과 상이한 순서로 수행될 수 있다는 것이 인지되어야 한다. 위에서 설명된 방법들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해 수행될 수 있거나, 또는 기계 이를테면, 범용 또는 특수 목적 프로세서 또는 명령들로 프로그래밍된 로직 회로들이 방법들을 수행하게 하는데 사용될 수 있는 범용 또는 기계 실행 가능 명령들의 시퀀스로 구체화될 수 있다는 것이 또한 인지되어야 한다. 이러한 기계 실행 가능 명령들은 하나 이상의 기계 판독 가능 매체들 이를테면, CD-ROM들 또는 다른 유형의 광학 디스크들, 플로피 디스켓들, ROM들, RAM들, EPROM들, EEPROM들, 자기 또는 광학 카드들, 플래시 메모리 또는 전자 명령들을 저장하는 데 적합한 다른 유형의 기계 판독 가능 매체들 상에 저장될 수 있다. 대안적으로, 방법들은 하드웨어 및 소프트웨어의 조합에 의해 수행될 수 있다.

Claims (20)

  1. 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버로서,
    상기 반도체 프로세싱 챔버는:
    기판을 지지하기 위한 페데스탈 ― 상기 페데스탈은,
    상기 기판을 가열하기 위한 복수의 히터 존들; 및
    상기 기판을 갖는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함함 ― ;
    상기 복수의 히터 존들에 전류를 전달하도록 구성된 하나 이상의 히터 존 컨트롤들; 및
    상기 하나 이상의 히터 존 컨트롤들과 상기 복수의 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함하고, 상기 필터 회로는,
    상기 복수의 히터 존들로부터의 복수의 리드들 상의 복수의 인덕터들; 및
    상기 복수의 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 포함하는 공진 회로를 포함하고, 상기 공진 회로는 상기 RF 신호가 상기 하나 이상의 히터 존 컨트롤들에 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 복수의 히터 존들로부터의 상기 복수의 리드들로부터 상기 와이어 메쉬로 전달된 상기 RF 신호를 필터링하는 공진 피크를 생성하는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 공진 회로는 상기 공진 피크를 생성하는데 기여하는 상기 공진 인덕터와 직렬의 공진 커패시터를 더 포함하는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 히터 존들은 상기 페데스탈에 적어도 7개의 히터 존들을 포함하고, 상기 적어도 7개의 히터 존들은 상기 페데스탈의 둘레 주위의 4개의 히터 존들 및 상기 페데스탈의 중심으로부터 방사되는 3개의 동심 히터 존들을 포함하는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 히터 존들로부터의 상기 복수의 리드들은 적어도 9개의 리드들을 포함하고, 상기 적어도 9개의 리드들 내의 제1 리드는 상기 페데스탈의 둘레 주위의 상기 4개의 히터 존들에 의해 공유되는 제1 리턴 리드에 대응하고, 상기 적어도 9개의 리드들 내의 제2 리드는 상기 페데스탈의 중심으로부터 방사되는 상기 3개의 동심 히터 존들에 의해 공유되는 제2 리턴 리드에 대응하는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 필터 회로는 하나 이상의 RF 생성기들로부터 상기 RF 신호를 또한 수신하고 상기 와이어 메쉬에 상기 RF 신호를 제공하는 필터 박스의 일부인,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 인덕터들 및 상기 공진 인덕터는 상기 필터 박스 내에 인클로징(enclosing)되는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 공진 인덕터는 상기 공진 회로가 상기 복수의 히터 존들로부터의 상기 복수의 리드들 각각에 대해 상기 공진 피크를 생성하도록 개별적으로 상기 복수의 인덕터들 각각에 자기적으로 커플링되는,
    반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버.
  8. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로로서,
    상기 반도체 프로세싱 챔버의 페데스탈 내의 제1 히터 존에 대응하는 제1 리드;
    상기 제1 리드에 연결된 제1 인덕터; 및
    상기 제1 인덕터에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 포함하고, 상기 필터 회로는 상기 반도체 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마에 제공되는 RF 신호의 주파수에 대응하는 공진 피크를 생성하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 페데스탈 내의 제2 히터 존에 대응하는 제2 리드;
    상기 제2 리드에 연결된 제2 인덕터를 더 포함하고, 상기 공진 인덕터는 또한 상기 제2 인덕터에 자기적으로 커플링되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 리드에 연결된 제1 커패시터; 및
    상기 공진 인덕터와 직렬로 연결된 공진 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 인덕터, 상기 제1 커패시터, 상기 공진 인덕터, 및 상기 공진 커패시터는 상기 공진 피크를 생성하도록 결합되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  11. 제8 항에 있어서,
    자기 코어를 더 포함하고, 상기 제1 인덕터 및 상기 공진 인덕터는 상기 자기 코어 주위에 권선되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 자기 코어는 직선형 페라이트 로드(ferrite rod)를 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 자기 코어는 토로이드 링(toroid ring)을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 인덕터와 직렬로 상기 제1 리드에 연결된 제2 인덕터; 및
    상기 제2 인덕터에 자기적으로 커플링된 제2 공진 인덕터를 더 포함하고, 상기 필터 회로는 상기 반도체 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마에 제공되는 상기 RF 신호의 제2 주파수에 대응하는 제2 공진 피크를 생성하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  15. 제8 항에 있어서,
    페라이트 토로이드 자기 코어 ― 상기 제1 인덕터 및 상기 공진 인덕터는 상기 페라이트 토로이드 자기 코어 주위에 권선됨 ― ;
    상기 제1 인덕터와 직렬로 연결되고, 제1-티어(tier) 존 컨트롤에 대응하는 제2 리드와 병렬로 연결되는 제1 커패시터; 및
    인쇄 회로 보드를 더 포함하고, 상기 제1 인덕터 및 상기 페라이트 토로이드 자기 코어는 상기 제1 커패시터에 대한 연결을 통해 상기 인쇄 회로 보드에 배선되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 필터 회로.
  16. 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버에서 히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법으로서,
    프로세싱 챔버에서 기판을 지지하는 페데스탈 내의 히터 존으로부터의 리드 상에서 RF 신호를 수신하는 단계 ― 상기 RF 신호는 상기 페데스탈 내의 전극으로 전달되고 상기 히터 존으로부터의 상기 리드 상으로 누출됨 ― ;
    공진 피크를 생성하기 위해 상기 공진 인덕터에 자기적으로 커플링되는 상기 히터 존으로부터의 상기 리드 상의 인덕터를 사용하여 상기 공진 피크를 생성하는 단계; 및
    상기 RF 신호가 상기 히터 존에 대응하는 히터 존 컨트롤에 도달하는 것을 방지하기 위해 상기 공진 피크로 상기 RF 신호를 필터링하는 단계를 포함하는,
    히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 공진 인덕터를 상기 복수의 인덕터들에 자기적으로 커플링하는 단계를 더 포함하고, 상기 복수의 인덕터들은 상기 페데스탈 내의 다른 히터 존들로부터의 리드들에 연결되는,
    히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 히터 존으로부터의 상기 리드 상의 상기 인덕터, 상기 복수의 인덕터들, 및 상기 공진 인덕터는 동일한 자기 코어를 공유하는,
    히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 공진 피크를 생성하는 단계는 상기 공진 인덕터와 직렬로 연결된 공진 커패시터를 사용하는 단계를 더 포함하고, 상기 공진 커패시터 및 상기 공진 인덕터는 상기 히터 존으로부터의 리드 상의 인덕터에 연결되지 않는,
    히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 히터 존 컨트롤을 사용하여 상기 페데스탈 내의 상기 히터 존에 전류를 제공하는 단계를 더 포함하는,
    히터 존 리드들로부터 플라즈마 RF 신호들을 필터링하는 방법.
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