TWI791541B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於減少針對雜訊之每一頻率重新製作濾波器之工時與勞力。 濾波器102(1)具有空芯線圈104(1)、外導體、可動子120(1)~ 120(4)。空芯線圈104(1)具有固定口徑與固定線圈長度。外導體形成為筒形，收容或包圍空芯線圈104(1)，且與空芯線圈104(1)組合而形成於複數個頻率下進行並聯共振之分佈常數線路。可動子120(1)~120(4)配置於如下1個或複數個有效區間內，且變更空芯線圈104(1)之各個繞組間隙，上述1個或複數個有效區間係於濾波器102(1)之頻率-阻抗特性中，於特定之1個或複數個並聯共振頻率向較高或較低之頻率區域側產生偏移。

Description

電漿處理裝置
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種電漿處理裝置。
自先前以來，已知有使用電漿對半導體晶圓等被處理基板進行蝕刻等電漿處理之電漿處理裝置。此種電漿處理裝置於供載置被處理基板之載置台具有利用導熱將被處理基板控制為特定溫度之溫度控制功能。作為該溫度控制功能，多使用加熱器方式，即，將藉由通電而發熱之發熱體組入於載置台，且對發熱體產生之焦耳熱進行控制。
然而，電漿處理裝置若採用加熱器方式，則為了產生電漿而自高頻電源施加至載置台之高頻之一部分將作為雜訊自發熱體進入加熱器供電線。
由此，本案申請人於專利文獻1中提出於加熱器供電線上設置將高頻雜訊衰減或阻止之濾波器之技術。該濾波器具有空芯線圈、收容或包圍空芯線圈之筒形之外導體、及選擇性地插入至空芯線圈之各個繞組間隙之絕緣性的梳齒構件。濾波器之空芯線圈具有如下有效區間，該有效區間係藉由改變繞組間隙而於頻率-阻抗特性中，使特定之1個或複數個並聯共振頻率偏移。濾波器以獲得與阻斷對象之雜訊之頻率對應的並聯共振頻率之方式，於空芯線圈之有效區間插入繞組間隙之梳齒構件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-173027公報
[發明所欲解決之問題]
然而，電漿處理裝置之雜訊頻率根據機型或施加至載置台之高頻之頻率等而不同。因此，專利文獻1之技術中，為了獲得與各個雜訊之頻率對應之不同之並聯共振頻率，需要重新製作繞組間隙之寬度不同之濾波器。
本發明之一態樣之電漿處理裝置提供一種具備可減少針對雜訊之每一頻率重新製作濾波器之工時與勞力之濾波器的電漿處理裝置。 [解決問題之技術手段]
揭示之電漿處理裝置於1個實施態樣中具有經由線路而電性連接於進行電漿處理之處理容器內之特定電氣構件的電力系統或信號系統之外部電路，藉由設置於線路上之濾波器將自電氣構件朝向外部電路進入線路之雜訊衰減或阻止。濾波器具有線圈、筒形之外導體、及可動子。線圈具有固定口徑與固定線圈長度。外導體收容或包圍線圈，且與線圈組合而形成於複數個頻率下進行並聯共振之分佈常數線路。可動子係配置於如下1個或複數個有效區間內，且變更線圈之各個繞組間隙，上述1個或複數個有效區間係相對於線圈而存在於線圈之長度方向之有效區間，且藉由變更線圈之繞組間隙，而於濾波器之頻率-阻抗特性中於特定之1個或複數個並聯共振頻率向較高或較低之頻率區域側產生偏移。 [發明之效果]
根據揭示之電漿處理裝置之1個態樣，可減少針對雜訊之每一頻率重新製作濾波器之工時與勞力。
以下，參照圖式對本案所揭示之電漿處理裝置之實施形態進行詳細說明。再者，於各圖式中對相同或相當之部分附上相同符號。又，藉由本實施形態揭示之發明並不受限定。各實施形態可於不使處理內容相矛盾之範圍內適當組合。
[電漿處理裝置整體之構成] 圖1係表示電漿處理裝置之構成之一例之圖。實施形態之電漿處理裝置1構成為下部2頻施加方式之電容耦合型電漿蝕刻裝置，例如具有鋁或不鏽鋼等金屬製之圓筒型腔室(處理容器)10。腔室10接地。
於腔室10內，水平配置有圓板形狀之晶座12作為下部電極，該晶座12載置作為被處理基板之例如半導體晶圓W。該晶座12包含例如鋁，由自腔室10之底部向垂直上方延伸之例如陶瓷製的絕緣性筒狀支持部14以非接地之方式支持。於腔室10內形成有：導電性之筒狀支持部16，其沿絕緣性筒狀支持部14之外周自腔室10之底部向垂直上方延伸；及環狀之排氣路18，其位於筒狀支持部16與腔室10之內壁之間。於排氣路18之底部設置有排氣口20。於排氣口20，經由排氣管22連接有排氣裝置24。排氣裝置24具有渦輪分子泵等真空泵，可將腔室10內之處理空間減壓至所期望之真空度。於腔室10之側壁安裝有將半導體晶圓W之搬入搬出口開閉之閘閥26。
於晶座12，經由匹配單元32及供電棒34而電性連接有第1及第2高頻電源28、30。第1及第2高頻電源28、30可藉由來自下述控制部75之控制而變更分別供給之高頻電力之功率及頻率。此處，第1高頻電源28主要輸出有助於電漿之產生之特定頻率(通常為27 MHz以上，較佳為60 MHz以上)之第1高頻HF。另一方面，第2高頻電源30主要輸出有助於對晶座12上之半導體晶圓W引入離子之特定頻率(通常為13 MHz以下)之第2高頻LF。於匹配單元32收容有用以於第1及第2高頻電源28、30與電漿負載之間取得阻抗匹配之匹配電路。
供電棒34包含具有特定外徑之圓筒形或圓柱形之導體，其上端連接於晶座12之下表面中心部，其下端連接於匹配單元32。又，在腔室10之底面與匹配單元32之間，設置有包圍供電棒34之周圍之圓筒形之導體罩35。
晶座12具有較半導體晶圓W大一圈之直徑或口徑。晶座12之上表面被劃分為與晶圓W大致相同形狀(圓形)且大致相同尺寸之晶圓載置部、及於晶圓載置部之外側延伸之環狀之周邊部。晶座12於晶圓載置部之上載置處理對象之半導體晶圓W。於環狀周邊部之上，安裝具有較半導體晶圓W之口徑大之內徑的環狀之聚焦環36。聚焦環36係根據半導體晶圓W之被蝕刻材料，而由例如Si、SiC、C、SiO2 中之任一材質構成。
於晶座12上表面之晶圓載置部，設置有晶圓吸附用之靜電吸盤38及發熱體40。靜電吸盤38係於一體形成或一體固接於晶座12之上表面的膜狀或板狀之介電體42中封入有DC(direct current，直流)電極44。配置於腔室10之外的外部安裝之直流電源45經由開關46、高電阻值之電阻48及DC高壓線50而電性連接於DC電極44。靜電吸盤38藉由將來自直流電源45之高壓之直流電壓施加至DC電極44而利用靜電力吸附保持半導體晶圓W。再者，DC高壓線50為被覆線，通過圓筒體之供電棒34中並自下方貫通晶座12而連接於靜電吸盤38之DC電極44。
發熱體40包含與靜電吸盤38之DC電極44一同被封入於介電體42中之例如螺旋狀之電阻發熱線。圖2係表示發熱體之構成之一例之圖。本實施形態中，發熱體40於晶座12之半徑方向上被分割為內側發熱線40(內)與外側發熱線40(外)兩個部分。內側發熱線40(內)經由被絕緣被覆之供電導體52(內)、濾波器單元54(內)及電纜56(內)而電性連接於配置在腔室10之外的專用之加熱器電源58(內)。外側發熱線40(外)經由被絕緣被覆之供電導體52(外)、濾波器單元54(外)及電纜56(外)而電性連接於配置在腔室10之外的專用之加熱器電源58(外)。濾波器單元54(內)、54(外)為本實施形態之主要特徵部分，關於其內部構成及作用將於下文詳細說明。
於晶座12之內部設置有例如於周向延伸之環狀之冷媒通路60。對冷媒通路60，自冷卻器單元(未圖示)經由冷媒供給管循環供給特定溫度之冷媒、例如冷卻水cw。電漿處理裝置1能夠藉由循環供給之冷媒之溫度而將晶座12之溫度向下降方向控制。電漿處理裝置1為了使半導體晶圓W熱耦合於晶座12，而將來自導熱氣體供給部(未圖示)之導熱氣體例如He氣體經由氣體供給管及晶座12內部之氣體通路62供給至靜電吸盤38與半導體晶圓W之接觸介面。
於腔室10之頂部，設置有與晶座12平行地相對向且兼作上部電極之簇射頭64。簇射頭64具有與晶座12相對向之電極板66、以及將電極板66可自上表面側裝卸地予以支持之電極支持體68。於電極支持體68之內部設置有氣體室70。於電極板66及電極支持體68形成有自氣體室70貫通至晶座12側之多個氣體噴出孔72。電極板66與晶座12之間之空間SP成為電漿產生空間或處理空間。於設置於氣體室70之上部之氣體導入口70a連接有來自處理氣體供給部74之氣體供給管76。電極板66包含例如Si、SiC或C。電極支持體68包含例如經氧化鋁膜處理之鋁。
上述構成之電漿處理裝置1係由控制部75綜合性地控制動作。控制部75例如為電腦，控制電漿處理裝置1之各部。例如，控制部75控制排氣裝置24、高頻電源28、30、直流電源45之開關46、加熱器電源58(內)、58(外)、冷卻器單元(未圖示)、導熱氣體供給部(未圖示)及處理氣體供給部74等。控制部75設置有：製程控制器75A，其具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)，且控制電漿處理裝置1之各部；使用者介面75B；及記憶部75C。
使用者介面75B包含供步驟管理者為了管理電漿處理裝置1而進行指令之輸入操作之鍵盤、及可視化地顯示電漿處理裝置1之運轉狀況之顯示器等。
於記憶部75C儲存有配方，該配方記憶有用以藉由製程控制器75A之控制而實現由電漿處理裝置1執行之各種處理的控制程式(軟體)或處理條件資料等。再者，控制程式或處理條件資料等配方亦能夠利用儲存於可由電腦讀取之電腦記憶媒體(例如硬碟、CD(Compact Disc，緊密光碟)、軟碟、半導體記憶體等)等之狀態者、或自其他裝置經由例如專用線路隨時傳輸而於線上使用。
製程控制器75A藉由將記憶於記憶部75C之控制程式讀出並執行，而於電漿處理裝置1中執行所期望之處理。例如，製程控制器75A將配方自記憶部75C叫出並基於配方執行電漿處理，藉此進行蝕刻。
電漿處理裝置1中，於進行蝕刻之情形時，首先使閘閥26為打開狀態而將加工對象之半導體晶圓W搬入至腔室10內並載置於靜電吸盤38之上。然後，於電漿處理裝置1中，自處理氣體供給部74將蝕刻氣體(一般為混合氣體)以特定流量導入至腔室10內，且藉由排氣裝置24使腔室10內之壓力為設定值。進而，於電漿處理裝置1中，將第1及第2高頻電源28、30接通而使第1高頻HF及第2高頻LF分別以特定之功率輸出，並將該等高頻HF、LF經由匹配單元32及供電棒34施加至晶座(下部電極)12。又，於電漿處理裝置1中，自導熱氣體供給部對靜電吸盤38與半導體晶圓W之間之接觸界面供給導熱氣體(He氣體)，並且將靜電吸盤用之開關46接通而藉由靜電吸附力將導熱氣體封入至上述接觸界面。另一方面，於電漿處理裝置1中，將加熱器電源58(內)、58(外)接通而使內側發熱體40(內)及外側發熱體40(外)分別以獨立之焦耳熱發熱，將晶座12上表面之溫度或溫度分佈控制為設定值。電漿處理裝置1中，自簇射頭64噴出之蝕刻氣體於作為下部電極發揮功能之晶座12與作為上部電極發揮功能之簇射頭64之間藉由高頻放電而電漿化，藉由利用該電漿產生之自由基或離子而將半導體晶圓W表面之被加工膜蝕刻為所期望之圖案。
且說於電漿處理裝置1中，於正在進行電漿蝕刻之過程中，自高頻電源28、30施加至晶座12之第1及第2高頻HF、LF之一部分會經由組入至晶座12之內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)而作為高頻雜訊進入至供電導體52(內)、52(外)。若該2頻之高頻雜訊之任一者等突入加熱器電源58(內)、58(外)，則加熱器電源58(內)、58(外)有動作或性能受損之顧慮。
針對該點，於電漿處理裝置1中，在將加熱器電源58(內)、58(外)與內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)電性連結之加熱器供電線上設置有濾波器單元54(內)、54(外)。該等濾波器單元54(內)、54(外)如以下詳述般，對自內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)進入至加熱器供電線上之第1及第2高頻HF、LF之雜訊之任一者均以低消耗電力、有效率地且穩定地確實發揮阻抗足夠高之濾波器阻斷功能。藉此，該實施形態之電漿蝕刻裝置改善加熱器方式之晶圓溫度控制功能，並且有效地防止或減少第1及第2高頻HF、LF之功率自腔室10經由晶座12內部之發熱體40洩漏至加熱器供電線上，從而提高電漿製程之再現性、可靠性。
[濾波器單元內之電路構成] 其次，對濾波器單元54(內)、54(外)內之電路構成進行說明。圖3係表示對晶座供給電力之電路構成之一例之圖。於圖3中示出用以對設置於晶座12之發熱體40供給電力之加熱器供電部之概略電路構成。本實施形態中，對發熱體40之內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)之各者連接具有實質上相同之電路構成之個別之加熱器供電部，獨立地控制內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)之發熱量或發熱溫度。針對外側發熱線40(外)、及內側發熱線40(內)之加熱器供電部為實質上相同之電路構成，因此以下說明中，敍述針對內側發熱線40(內)之加熱器供電部之構成及作用。針對外側發熱線40(外)之加熱器供電部之構成及作用相同。
加熱器電源58(內)為使用例如SSR(Solid State Relay，固態繼電器)進行商用頻率之開關(開啟/關閉)動作之交流輸出型電源，以閉環電路與內側發熱體40(內)連接。更詳細而言，加熱器電源58(內)之一對輸出端子中之第1輸出端子經由第1供電線(電源線)100(1)而電性連接於內側發熱線40(內)之第1端子h1，第2輸出端子經由第2供電線(電源線)100(2)而電性連接於內側發熱線40(內)之第2端子h2。
濾波器單元54(內)設置有複數個濾波器102。例如，濾波器單元54(內)於第1供電線100(1)之中途設置有濾波器102(1)，且於第2供電線100(2)之中途設置有濾波器102(2)。濾波器102(1)、102(2)為實質上相同之構成。
更詳細而言，濾波器102(1)、102(2)分別具有經由電容器106(1)、106(2)而接地之空芯線圈104(1)、104(2)。空芯線圈104(1)、104(2)之一端子或濾波器端子T(1)、T(2)經由一對供電導體52(內)而分別連接於內側發熱線40(內)之兩端子h1、h2，且於空芯線圈104(1)、104(2)之另一端子與接地電位之導電氣構件(例如腔室10)之間分別連接有電容器106(1)、106(2)。而且，空芯線圈104(1)、104(2)與電容器106(1)、106(2)之間之連接點n(1)、n(2)經由電纜(雙股纜線)56(內)而分別連接於加熱器電源58(內)之第1及第2輸出端子。
於上述構成之加熱器供電部中，自加熱器電源58(內)輸出之電流於正極性之循環中，通過第1供電線100(1)、亦即電纜56(內)、空芯線圈104(1)及供電導體52(內)而自一端子h1進入至內側發熱線40(內)，於內側發熱線40(內)之各部產生由通電所致之焦耳熱。其後，電流自另一端子h2流出後，通過第2供電線100(2)、亦即供電導體52(內)、空芯線圈104(2)及電纜56(內)返回。於負極性之循環中，電流於相同電路沿與上述相反之方向流動。該加熱器交流輸出之電流為商用頻率，因此空芯線圈104(1)、104(2)之阻抗或其電壓降小至可忽略之程度，又，通過電容器106(1)、106(2)向地線洩漏之漏電流亦小至可忽略之程度。
濾波器單元54(內)分別並聯地設置有濾波器102(1)之空芯線圈104(1)、及濾波器102(2)之空芯線圈104(2)。空芯線圈104(1)、104(2)係設為分別具有固定口徑與固定線圈長度之線圈。例如，空芯線圈104(1)、104(2)係將電線或線圈導體捲繞為圓筒形而成之無鐵芯之螺線管線圈，除具有自加熱器電源58(內)向內側發熱線40(內)流動足夠大(例如30 A左右)之電流之供電線之功能以外，就防止發熱(功率損耗)之觀點而言不具有鐵氧體等磁芯，為了以空芯獲得非常大之電感，進而為了獲得較大之線路長，而具有較粗之線圈線或線圈導體與較大之線圈尺寸(例如直徑為22~45 mm，長度130~280 mm)。空芯線圈104(1)及空芯線圈104(2)分別個別地收容於外導體110。濾波器102(1)、102(2)構成為分別能夠變更空芯線圈104(1)、104(2)之繞組間隙。濾波器102(1)、102(2)由於為實質上相同之構成，因此於以下說明中，對與空芯線圈104(1)相關之構成及作用進行敍述。與空芯線圈104(2)相關之構成及作用相同。
圖4係表示空芯線圈之概略構成之一例之圖。圖4中，濾波器102(1)之空芯線圈104(1)之繞組示出有4匝量。再者，空芯線圈104(1)之匝數並不限定於4匝。
於空芯線圈104(1)，針對線圈繞組之每一匝設置有複數個可動子120。於實施形態之空芯線圈104(1)，針對線圈繞組之每一匝設置有2個可動子120。圖4中，對設置於線圈繞組之各匝之各個可動子120之符號，以(匝數)之形式附上表示匝數之數字。例如，可動子120(1)為設置於線圈繞組之第1匝之可動子120。可動子120為了抑制空芯線圈104(1)周邊之電場之紊亂、及由高頻所致之自發熱，較佳為由絕緣材質形成。作為可使用於可動子120之絕緣材質，例如可列舉樹脂、陶瓷系、玻璃系之構件。
可動子120係於空芯線圈104(1)側形成有與繞組之粗細對應之凹部121，且將空芯線圈104(1)之繞組嵌入至凹部121。可動子120設為可相對於空芯線圈104(1)之軸向分別個別地移動。於可動子120設置有傳遞動力之動力傳遞部(未圖示)。動力傳遞部較佳為由線膨脹係數較低之材料形成。例如，動力傳遞部由陶瓷系或玻璃系材料形成。動力傳遞部經由在空芯線圈104(1)之軸向移動之直動機構而連接於馬達等動力部(未圖示)，藉由動力部之動力而於軸向移動。動力部可使可動子動作，並且能夠檢測可動子之位置。例如，動力部設為步進馬達或伺服馬達，藉由來自製程控制器75A之控制而僅旋轉指定之角度，並且將旋轉之旋轉角度反饋給製程控制器75A。製程控制器75A根據所反饋之馬達之旋轉角度而檢測可動子之位置。
濾波器102(1)中，各可動子120基於製程控制器75A之控制而移動，藉此能夠變更空芯線圈104(1)之繞組間隙。
圖5係表示自上方觀察空芯線圈部分之概略構成之一例之圖。於空芯線圈104(1)，針對線圈繞組之每一匝，於繞組之周向以180°之角度差設置有2個可動子120。又，於空芯線圈104(1)，針對線圈繞組之每一匝，相對分別鄰接之匝改變於繞組之周向之配置位置而設置有2個可動子120。圖5之例中，可動子120(1)、120(2)、120(3)、120(4)分別以180°之角度差設置。又，可動子120(1)、120(2)、120(3)、120(4)係使於周向之配置位置以45°為單位依序改變而設置。圖5之例中，示出自第1匝至第4匝之4匝量之配置，但第5匝以後亦係重複配置相同之配置。例如，第5匝之可動子120係與第1匝之可動子120同樣地配置於配置位置。再者，圖4及圖5中，例示出對空芯線圈104(1)，針對每一匝於繞組之周向以180°之角度差設置有2個可動子120之情形。然而，針對每一匝設置之可動子120之數量、角度差並不限定於此。例如，亦可對空芯線圈104(1)，針對每一匝於繞組之周向以120°之角度差設置3個可動子120。
於空芯線圈104(1)之周圍設置有外導體110。外導體110包含例如鋁，且構成為圓筒形。空芯線圈104(1)係以同軸收容於外導體110中。外導體110與空芯線圈104(1)組合而形成於複數個頻率下進行並聯共振之分佈常數線路。
一般而言，傳輸線路之特性阻抗Zo係於無損耗之情形時使用每單位長度之靜電電容C、電感L，以Zo=√(L/C)求出。又，波長λ係以下式(1)求出。 λ=2π/(ω√(LC) ・・・・(1)
一般之分佈常數線路(尤其是同軸線路)中線路之中心為棒狀之圓筒導體，相對於此，該濾波器單元54(內)中，不同點在於，使圓筒狀之空芯線圈為中心導體。據信每單位長度之電感L中，主要由該圓筒狀線圈引起之電感占支配地位。另一方面，每單位長度之靜電電容由線圈表面與外導體形成之電容器之靜電電容C規定。因此，可認為即便於該濾波器單元54(內)中，於將每單位長度之電感及靜電電容分別設為L、C時，亦形成有特性阻抗以Zo=√(L/C)求出之分佈常數線路。
若自端子T側觀察具有此種分佈常數線路之濾波器單元，則相反側因具有較大電容(例如5000 pF)之電容器而疑似短路，因此可獲得以固定頻率間隔重複較大阻抗般之頻率-阻抗特性。此種阻抗特性可於波長與分佈線路長同等時獲得。
該濾波器單元54(內)中，並非空芯線圈104(1)、104(2)之繞組長而是軸向之線圈之長度成為分佈線路長。而且，藉由在中心導體使用空芯線圈104(1)、104(2)，與棒狀之圓筒導體之情形相比可使L非常大而使λ變小，因此雖然為相對較短之線路長(線圈之長度)但能夠實現與波長同等以上之有效長度，從而可獲得以相對較短之頻率間隔重複具有較大阻抗般之阻抗特性。
又，本案申請人如專利文獻1所揭示般，於濾波器單元54(內)中，藉由改變空芯線圈104(1)之繞組間隙而可於頻率-阻抗特性中，使成為峰值之並聯共振頻率偏移。又，於空芯線圈104(1)具有如下有效區間，該有效區間係於頻率-阻抗特性中，使成為峰值之特定之1個或複數個並聯共振頻率偏移。
此處，對藉由改變繞組間隙所致之並聯共振頻率之變化進行說明。圖6係表示繞組間隙之圖案之一例之圖。濾波器102(1)設為空芯線圈104(1)為22匝之繞組之線圈者，且能夠個別地變更各繞組間之間隔(繞組間隙)。圖6之「匝編號」係以匝數表示繞組之位置。圖6中，使各圖案之繞組間之間隔對應於成為間隔之兩端之2個繞組中匝數較少之繞組之匝編號而表示。例如，於匝編號「1」表示第1匝與第2匝之繞組間之間隔。又，於匝編號「21」表示第21匝與第22匝之繞組間之間隔。「合計長」表示空芯線圈104(1)之軸向之線圈長度。又，於圖6中示出繞組間隙變更之圖案「標準」、「密1」~「密6」、「疏1」~「疏6」。「標準」表示設為標準之繞組間之間隔。於圖6之例中，對空芯線圈104(1)之22匝，分別以繞組之間隔為11 mm之情形作為標準。「標準」中，線圈之長度成為231 mm。「密1」~「密6」、「疏1」~「疏6」分別表示一部分或全部繞組間之間隔已改變之情形。
例如，「密1」中，將匝編號為「1」~「6」、「16」~「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「7」~「15」之繞組間之間隔設為9 mm。「密1」中，線圈之長度成為231 mm。
「密2」中，將匝編號為「1」~「4」、「10」~「12」、「18」~「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「9」、「13」之繞組間之間隔設為11.5 mm，將匝編號為「5」~「8」、「14」~「17」之繞組間之間隔設為9 mm。「密2」中，線圈之長度成為233 mm。
「密3」中，將匝編號為「1」、「2」、「6」~「9」、「13」~「16」、「20」、「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「3」~「5」、「10」~「12」、「17」~「19」之繞組間之間隔設為9 mm。「密3」中，線圈之長度成為231 mm。
「密4」中，將匝編號為「1」、「2」、「6」、「7」、「10」~「12」、「15」、「16」、「20」、「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「5」、「17」之繞組間之間隔設為11.5 mm，將匝編號為「3」、「4」、「8」、「9」、「13」、「14」、「18」、「19」之繞組間之間隔設為9 mm。「密4」中，線圈之長度成為233 mm。
「密5」中，將匝編號為「1」、「4」、「5」、「8」~「10」、「12」~「14」、「17」、「18」、「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「2」、「3」、「6」、「7」、「11」、「15」、「16」、「19」、「20」之繞組間之間隔設為9 mm。「密5」中，線圈之長度成為231 mm。
「密6」中，將匝編號為「1」、「3」、「4」、「7」、「8」、「11」、「14」、「15」、「18」、「19」、「21」之繞組間之間隔設為12.5 mm，將匝編號為「5」、「10」、「12」、「17」之繞組間之間隔設為10 mm，將匝編號為「2」、「6」、「9」、「13」、「16」、「20」之繞組間之間隔設為9 mm。「密6」中，線圈之長度成為232 mm。
「疏1」中，將匝編號為「1」~「6」、「16」~「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「7」~「9」、「13」~「15」之繞組間之間隔設為13.5 mm，將匝編號為「10」~「12」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏1」中，線圈之長度成為233 mm。
「疏2」中，將匝編號為「1」~「4」、「9」~「13」、「18」~「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「5」~「8」、「14」~「17」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏2」中，線圈之長度成為233 mm。
「疏3」中，將匝編號為「1」、「2」、「6」~「9」、「13」~「16」、「20」、「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「3」、「5」、「10」、「12」、「17」、「19」之繞組間之間隔設為13.5 mm，將匝編號為「4」、「11」、「18」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏3」中，線圈之長度成為233 mm。
「疏4」中，將匝編號為「1」、「2」、「5」~「7」、「10」~「12」、「15」~「17」、「20」、「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「3」、「4」、「8」、「9」、「13」、「14」、「18」、「19」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏4」中，線圈之長度成為233 mm。
「疏5」中，將匝編號為「1」、「4」、「5」、「8」~「10」、「12」~「14」、「17」、「18」、「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「2」、「3」、「6」、「7」、「15」、「16」、「19」、「20」之繞組間之間隔設為13.5 mm，將匝編號為「11」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏5」中，線圈之長度成為231 mm。
「疏6」中，將匝編號為「1」、「3」、「4」、「7」、「8」、「10」~「12」、「14」、「15」、「18」、「19」、「21」之繞組間之間隔設為9 mm，將匝編號為「2」、「5」、「6」、「9」、「12」、「16」、「17」、「20」之繞組間之間隔設為14.5 mm。「疏6」中，線圈之長度成為233 mm。
「密1」~「密6」之圖案與「標準」之圖案相比，於頻率-阻抗特性中，成為峰值之1個或複數個並聯共振頻率向頻率較高之側偏移。「疏1」~「疏6」之圖案與「標準」之圖案相比，於頻率-阻抗特性中，成為峰值之1個或複數個並聯共振頻率向頻率較低之側偏移。
對並聯共振頻率之偏移進行說明。圖7A係表示於「密1」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7A中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密1」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7A中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)可獲得阻抗以規律性之頻率間隔呈角(突起)狀達到峰值之並聯多重共振之頻率-阻抗特性。又，濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密1」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之2次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖7B係表示於「密2」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7B中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密2」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7B中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密2」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之3次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖7C係表示於「密3」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7C中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密3」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7C中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密3」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之4次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖7D係表示於「密4」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7D中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密4」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7D中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密4」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之5次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖7E係表示於「密5」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7E中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密5」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7E中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密5」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之6次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖7F係表示於「密6」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖7F中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「密6」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖7F中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「密6」之圖案中，與「標準」之圖案相比，7次共振頻率向頻率較高之側偏移。
圖8A係表示於「疏1」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8A中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏1」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8A中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏1」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之2次共振頻率向頻率較低之側偏移。
圖8B係表示於「疏2」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8B中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏2」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8B中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏2」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之3次共振頻率向頻率較低之側偏移。
圖8C係表示於「疏3」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8C中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏3」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8C中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏3」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之4次共振頻率向頻率較低之側偏移。
圖8D係表示於「疏4」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8D中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏4」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8D中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏4」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之5次共振頻率向頻率較低之側偏移。
圖8E係表示於「疏5」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8E中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏5」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8E中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏5」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之6次共振頻率向頻率較低之側偏移。
圖8F係表示於「疏6」之圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。圖8F中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「疏6」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。又，圖8F中示出將空芯線圈104(1)之繞組間隙設為「標準」之圖案之情形時的濾波器102(1)之頻率-阻抗特性。濾波器102(1)藉由變更空芯線圈104(1)之繞組間隙之一部分，而使1個或複數個共振頻率偏移。例如，於「疏6」之圖案中，與「標準」之圖案相比，箭頭所示之7次共振頻率向頻率較低之側偏移。
如此，於空芯線圈104(1)中分別存在使特定之N次(N為自然數)並聯共振頻率偏移之有效區間。例如，空芯線圈104(1)之匝編號為「7」~「15」之區間為於頻率-阻抗特性中使2次並聯共振頻率向較高側偏移之有效區間。再者，有效區間根據空芯線圈104(1)之匝數或線圈長度等而變化。有效區間於空芯線圈中針對特定之N次(N為自然數)並聯共振頻率存在N個。
電漿處理裝置1之雜訊頻率根據機型或施加至晶座12之高頻之頻率等而不同。然而，本實施形態之電漿處理裝置1藉由使可動子120動作而變更空芯線圈104(1)之繞組間隙，從而可使濾波器102(1)之共振頻率偏移，因此，藉由以與雜訊之頻率對應之方式使共振頻率偏移，可藉由濾波器102(1)衰減或阻止雜訊。藉此，電漿處理裝置1可減少針對雜訊之每一頻率重新製作濾波器102(1)之工時與勞力。
電漿處理裝置1亦可自外部受理空芯線圈104(1)之各個繞組間隙之指定。例如，電漿處理裝置1亦可自使用者介面75B受理空芯線圈104(1)之各個繞組間隙之指定，製程控制器75A以成為所指定之繞組間隙之方式控制使各可動子120移動之動力部。又，例如，電漿處理裝置1將表示空芯線圈104(1)之各個繞組間隙之間隙資訊記憶於記憶部75C。例如，電漿處理裝置1記憶如圖6所示之「標準」、「密1」~「密6」、「疏1」~「疏6」之圖案作為間隙資訊。電漿處理裝置1亦可自使用者介面75B受理繞組間隙之圖案之指定，且製程控制器75A以成為所指定之圖案之繞組間隙之方式控制使各可動子120移動之動力部而使各可動子120移動。
又，電漿處理裝置1亦能以衰減或阻止雜訊之方式自動地變更空芯線圈104(1)之各個繞組間隙。電漿處理裝置1中，於供電導體52(內)、52(外)產生之雜訊之頻率根據機型或施加至晶座12之高頻之頻率等而不同，但各者產生之頻率已定。電漿處理裝置1將間隙資訊記憶於記憶部75C，該間隙資訊表示對應於雜訊之頻率、或施加至晶座12之交流電力之頻率而產生適合於衰減或阻止雜訊之並聯共振頻率的線圈之各個繞組間隙。例如，電漿處理裝置1對應於雜訊之頻率、或施加至晶座12之第1高頻電源28及第2高頻電源30之高頻之頻率之組合而記憶空芯線圈104(1)之各個繞組間隙作為間隙資訊。空芯線圈104(1)之各個繞組間隙亦可作為如圖6所示之「標準」、「密1」~「密6」、「疏1」~「疏6」之圖案來記憶。製程控制器75A亦可基於間隙資訊，以成為與雜訊之頻率、或施加至晶座12之高頻之頻率之組合對應之繞組間隙之方式控制使各可動子120移動之動力部而使各可動子120移動。電漿處理裝置1亦可實際測定於供電導體52(內)、52(外)產生之雜訊而求出雜訊之頻率。又，電漿處理裝置1亦可根據施加至晶座12之交流電力之頻率等而藉由運算求出雜訊之頻率。又，電漿處理裝置1亦可對應於施加至晶座12之交流電力之頻率等而預先記憶雜訊之頻率。例如，電漿處理裝置1亦可針對第1高頻電源28及第2高頻電源30之高頻頻率之每一組合而將產生之雜訊之頻率記憶於記憶部75C。又，電漿處理裝置1將例如表示於電漿處理中施加至晶座12之交流電力之頻率被變更之時序等濾波器102(1)之特性變更之時序的時序資訊、及表示與變更之特性對應之線圈之各個繞組間隙的間隙資訊記憶於記憶部75C。製程控制器75A亦能以藉由時序資訊表示之變更時序，基於間隙資訊控制使各可動子120移動之動力部而使各可動子120移動。
如此，本實施形態之電漿處理裝置1藉由使各可動子120移動，而不重新製作濾波器102(1)便可動態地變更相對於雜訊之濾波器102(1)之特性。藉此，電漿處理裝置1亦可針對每一電漿處理，或於電漿處理中動態地變更濾波器102(1)之特性。例如，電漿處理裝置1設為如下者，即，於電漿處理中，施加至晶座12之高頻之頻率變化，從而產生之雜訊之頻率變化。於該情形時，電漿處理裝置1亦能以衰減或阻止雜訊之方式於電漿處理中變更濾波器102(1)之特性。
[效果] 如以上所說明般，本實施形態之電漿處理裝置1具有經由內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)而電性連接於供進行電漿處理之腔室10內之內側發熱線40(內)及外側發熱線40之加熱器電源58(內)、58(外)。電漿處理裝置1將自內側發熱線40(內)及外側發熱線40朝向加熱器電源58(內)、58(外)進入至內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)之雜訊藉由設置於內側發熱線40(內)及外側發熱線40(外)上之濾波器102衰減或阻止。濾波器102具有空芯線圈104(1)、外導體110、及可動子120。空芯線圈104具有固定口徑與固定線圈長度。外導體110形成為筒形，收容或包圍空芯線圈104(1)，與空芯線圈104(1)組合而形成於複數個頻率下進行並聯共振之分佈常數線路。可動子120配置於1個或複數個有效區間內，切變更空芯線圈104(1)之各個繞組間隙，上述1個或複數個有效區間係於濾波器102(1)之頻率-阻抗特性中，於特定之1個或複數個並聯共振頻率向較高或較低之頻率區域側產生偏移。藉此，電漿處理裝置1可減少針對雜訊之每一頻率重新製作濾波器之工時與勞力。
又，本實施形態之電漿處理裝置1係將可動子120針對空芯線圈104(1)之繞組之每一匝相對分別鄰接之匝改變於繞組之周向之配置位置而設置。藉此，電漿處理裝置1於針對空芯線圈104(1)之繞組之每一匝而配置可動子120之情形時，可針對每一匝，於空芯線圈104(1)之軸向確保寬敞之能配置可動子120之空間。
又，本實施形態之電漿處理裝置1係由絕緣材質形成可動子120。藉此，電漿處理裝置1可抑制空芯線圈104(1)周邊之電場之紊亂、及由高頻所致之自發熱。
又，本實施形態之電漿處理裝置1係將可動子120針對空芯線圈104(1)之每一匝於空芯線圈104(1)之周向以特定角度差設置複數個，且針對每一匝同步地進行變更繞組間隙之動作。藉此，電漿處理裝置1可針對每一匝變更繞組間隙。
又，本實施形態之電漿處理裝置1係將可動子120針對空芯線圈104(1)之每一匝於空芯線圈104(1)之周向以180°之角度差設置有2個。藉此，電漿處理裝置1可針對每一匝精度良好地控制繞組間隙。
又，本實施形態之電漿處理裝置1係由陶瓷系或玻璃系之材料形成向可動子120傳遞動力之動力傳遞部。藉此，電漿處理裝置1可抑制空芯線圈104(1)之發熱或自感應熱對位置精度之影響。
又，本實施形態之電漿處理裝置1經由在空芯線圈104(1)之軸向移動之直動機構而連接有能檢測可動子之位置之動力部。藉此，電漿處理裝置1藉由動力部使可動子120動作，並且可檢測可動子之位置。
又，本實施形態之電漿處理裝置1將間隙資訊記憶於記憶部75C，該間隙資訊表示對應於雜訊之頻率、或於電漿處理中施加之交流電力之頻率而產生適合於衰減或阻止雜訊的並聯共振頻率之空芯線圈104(1)之各個繞組間隙。電漿處理裝置1中，製程控制器75A基於記憶部75C中記憶之間隙資訊，以成為與進入至線路之雜訊之頻率、或於電漿處理中施加之交流電力之頻率對應之繞組間隙之方式控制可動子120。藉此，電漿處理裝置1即便於產生之雜訊之頻率變化之情形時，亦能夠衰減或阻止雜訊。
[其他實施形態或變化例] 上述實施形態中，以將本發明應用於加熱器供電線等電源線用濾波器之情形為例進行了說明。然而，本發明絕對不限定於加熱器供電線等電源線用濾波器，而能夠應用於設置在一對線路或單一線路上之任意濾波器或傳輸電路，該一對線路或單一線路將設置於腔室內之特定電氣構件與設置於腔室外之電力系統或信號系統之外部電路電性連接。
尤其，實施形態之電漿處理裝置1即便對於需要調整共振頻率之其他任意線圈，藉由安裝與上述相同之可動子120，亦能夠進行共振頻率之左偏移調整或右偏移調整。例如，於在高頻電源28、30與腔室10內之晶座12之間之高頻供電線上設置衰減或阻止雜訊之濾波器之情形時，亦可將本發明應用於該濾波器。又，亦可將本發明應用於用以在高頻電源28、30與腔室10內之晶座12之間之高頻供電線上於高頻電源與電漿負載之間取得阻抗匹配之匹配電路。
上述實施形態以於空芯線圈104(1)之繞組之各匝設置有可動子120之情形為例進行了說明，但並不限定於此。可動子120亦可僅設置於相對於偏移之次數之並聯共振頻率成為有效區間內之繞組之匝。又，可動子120亦可不必設置於有效區間內之繞組之各匝。例如，可動子120亦可分別設置於成為有效區間之兩端之繞組之匝。藉此，可減少配置於繞組之可動子120之數量。
上述實施形態係關於一種濾波器，該濾波器係於將電漿產生用之第1高頻HF與離子引入用之第2高頻LF重疊施加至腔室10內之晶座12的下部2頻施加方式之電容耦合型電漿蝕刻裝置中，用以於將組入至晶座12之發熱體40與設置於腔室10外之加熱器電源58電性連接之一對供電線100(1)、線100(2)上使兩頻率之雜訊衰減。然而，即便於對作為上部電極發揮功能之簇射頭64施加電漿產生用之第1高頻HF且對晶座12施加離子引入用之第2高頻LF之上下部2頻施加方式之電容耦合型電漿蝕刻裝置、或對晶座12施加單一高頻之下部1頻施加方式之電容耦合型電漿蝕刻裝置中，亦可直接較佳地應用上述實施形態之濾波器或濾波器單元。
本發明並不限定於電容耦合型之電漿蝕刻裝置，亦能夠應用於微波電漿蝕刻裝置或感應耦合電漿蝕刻裝置、大喇叭波電漿蝕刻裝置等，進而亦能夠應用於電漿CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)、電漿氧化、電漿氮化、濺鍍等其他電漿處理裝置。又，本發明中之被處理基板並不限定於半導體晶圓，亦可為平板顯示器、有機EL(Electroluminescence，電致發光)、太陽電池用之各種基板、或光罩、CD基板、印刷基板等。
1‧‧‧電漿處理裝置10‧‧‧腔室12‧‧‧晶座(下部電極)14‧‧‧絕緣性筒狀支持部16‧‧‧筒狀支持部18‧‧‧排氣路20‧‧‧排氣口22‧‧‧排氣管24‧‧‧排氣裝置26‧‧‧閘閥28‧‧‧(電漿產生用)高頻電源30‧‧‧(離子引入用)高頻電源32‧‧‧匹配單元34‧‧‧供電棒35‧‧‧導體罩36‧‧‧聚焦環38‧‧‧靜電吸盤40‧‧‧發熱體40(內)‧‧‧內側發熱線40(外)‧‧‧外側發熱線42‧‧‧介電體44‧‧‧DC電極45‧‧‧直流電源46‧‧‧開關48‧‧‧電阻50‧‧‧DC高壓線52(內)‧‧‧供電導體52(外)‧‧‧供電導體54(內)‧‧‧濾波器單元54(外)‧‧‧濾波器單元56(內)‧‧‧電纜56(外)‧‧‧電纜58(內)‧‧‧加熱器電源58(外)‧‧‧加熱器電源60‧‧‧冷媒通路62‧‧‧氣體通路64‧‧‧簇射頭66‧‧‧電極板68‧‧‧電極支持體70‧‧‧氣體室70a‧‧‧氣體導入口72‧‧‧氣體噴出孔74‧‧‧處理氣體供給部75‧‧‧控制部75A‧‧‧製程控制器75B‧‧‧使用者介面75C‧‧‧記憶部76‧‧‧氣體供給管100(1)‧‧‧供電線100(2)‧‧‧供電線102‧‧‧濾波器102(1)‧‧‧濾波器102(2)‧‧‧濾波器104(1)‧‧‧空芯線圈104(2)‧‧‧空芯線圈106(1)‧‧‧電容器106(2)‧‧‧電容器110‧‧‧外導體120‧‧‧可動子120(1)‧‧‧可動子120(2)‧‧‧可動子120(3)‧‧‧可動子120(4)‧‧‧可動子121‧‧‧凹部cw‧‧‧冷卻水HF‧‧‧第1高頻h1‧‧‧第1端子h2‧‧‧第2端子LF‧‧‧第2高頻n(1)‧‧‧連接點n(2)‧‧‧連接點SP‧‧‧空間T(1)‧‧‧濾波器端子T(2)‧‧‧濾波器端子W‧‧‧半導體晶圓
圖1係表示電漿處理裝置之構成之一例之圖。 圖2係表示發熱體之構成之一例之圖。 圖3係表示對晶座供給電力之電路構成之一例之圖。 圖4係表示空芯線圈之概略構成之一例之圖。 圖5係表示自上方觀察空芯線圈部分之概略構成之一例之圖。 圖6係表示繞組間隙之圖案之一例之圖。 圖7A係表示於「密1」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖7B係表示於「密2」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖7C係表示於「密3」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖7D係表示於「密4」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖7E係表示於「密5」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖7F係表示於「密6」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8A係表示於「疏1」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8B係表示於「疏2」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8C係表示於「疏3」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8D係表示於「疏4」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8E係表示於「疏5」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。 圖8F係表示於「疏6」圖案之並聯共振頻率之偏移之一例的圖。
102(1)‧‧‧濾波器
104(1)‧‧‧空芯線圈
120(1)‧‧‧可動子
120(2)‧‧‧可動子
120(3)‧‧‧可動子
120(4)‧‧‧可動子
121‧‧‧凹部

Claims (11)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於：其係具有經由線路而電性連接於進行電漿處理之處理容器內之特定電氣構件的電力系統或信號系統之外部電路，且藉由設置於上述線路上之濾波器將自上述電氣構件朝向上述外部電路進入上述線路之雜訊衰減或阻止者；且上述濾波器具有：線圈，其具有固定口徑與固定線圈長度；筒形之外導體，其收容或包圍上述線圈，與上述線圈組合而形成於複數個頻率下進行並聯共振之分佈常數線路；及可動子，其配置於相對於上述線圈存在於上述線圈之長度方向之有效區間、且為藉由變更上述線圈之繞組間隙而於上述濾波器之頻率-阻抗特性中於特定之1個或複數個並聯共振頻率向較高或較低之頻率區域側產生偏移之1個或複數個上述有效區間內，且針對上述線圈之繞組之每一匝，對於分別鄰接之匝改變相對於繞組之周向之配置位置而設置，且變更上述線圈之各個繞組間隙。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述可動子由絕緣材質形成。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述可動子係針對上述線圈之繞組之每一匝，相對於繞組之周向以特定角度差設置複數個，且針對每一匝同步地進行變更繞組間隙之動作。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中上述可動子係針對上述線圈之繞組之每一匝，相對於繞組之周向以180°之角度差設置有2個，或相對於繞組之周向以120°之角度差設置有3個。
  5. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述可動子分別設置於成為上述有效區間之兩端之繞組之匝。
  6. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中向上述可動子傳遞動力之動力傳遞部由陶瓷系或玻璃系之材料形成。
  7. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述電漿處理裝置進而具有動力部，該動力部係經由直動機構而連接於上述可動子，使上述可動子動作，並且檢測上述可動子之位置。
  8. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述電漿處理裝置進而具有：記憶部，其記憶有間隙資訊，該間隙資訊表示與上述雜訊之頻率、或於電漿處理中施加之交流電力之頻率對應地產生適合於衰減或阻止雜訊之並聯共振頻率的上述線圈之各個繞組間隙；及控制部，其基於上述記憶部中所記憶之間隙資訊，以成為與進入上 述線路之雜訊之頻率、或於電漿處理中施加之交流電力之頻率對應之繞組間隙的方式控制上述可動子。
  9. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述有效區間係於上述線圈中，針對特定之N次(N為自然數)上述並聯共振頻率存在N個。
  10. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述電氣構件係設置於為了進行電漿處理而被施加特定頻率之高頻之高頻電極之內部或周圍的發熱體，上述外部電路係用以對上述發熱體供給發熱用之電力之加熱器電源，上述線路係將上述加熱器電源與上述發熱體電性連接之供電線。
  11. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述電氣構件係設置於支持被處理基板之載置台中之高頻電極，上述外部電路包含高頻電源，上述高頻電源用以對上述高頻電極供給用於電漿處理之高頻，於上述線路上，設置有用以於上述高頻電源與電漿負載之間取得阻抗匹配之匹配電路。
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