TW202106904A - 射頻靜電卡盤濾波器電路 - Google Patents

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亞當 費雪巴契
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Abstract

本文描述的實施例相關於用於實質減低藉由夾持電極的射頻(RF)耦合的發生的設備和方法。夾持電極設置在置於基板支撐上的靜電卡盤中。基板支撐耦合至處理腔室主體。RF源用於在相鄰於基板支撐的處理容積中產生電漿。阻抗匹配電路設置在RF源和設置在靜電卡盤中的夾持電極之間。在夾持電極和夾持功率源之間耦合靜電卡盤濾波器。

Description

射頻靜電卡盤濾波器電路
本揭示案的實施例一般相關於半導體處理，且更特定地相關於產生和控制用於薄膜沉積的射頻電漿的設備和方法。
在積體電路的製造中，沉積處理(例如，化學氣相沉積(CVD))通常用於在基板上沉積各種材料的膜。例如，在電漿增強化學氣相沉積(PECVD)中，電磁能被施加到至少一個前驅體氣體或蒸汽以產生電漿。
在一些示例中，用於產生電漿的電磁能可為射頻(RF)功率。然而，當使用RF功率時，電漿與靜電卡盤中的夾持電極之間會發生電容性耦合。電容性耦合導致RF耦合，而在夾持電極上並藉由夾持電極感應出高RF電壓和電流，這導致功率損耗和對夾持電極的電源的損壞。
據此，需要用於RF功率施加的改進的設備和方法。
在一個實施例中，提供一設備，包含一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積。基板支撐設置於該處理容積中。第一電極嵌入該基板支撐中。射頻(RF)源耦合至該第一電極。阻抗匹配電路設置於該RF源及該第一電極之間。第二電極嵌入該基板支撐中。功率源耦合至該第二電極。電極濾波器設置於該第二電極及該功率源之間且耦合至該第二電極及該功率源。
在另一實施例中，提供一設備，包含一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積。氣體分配板設置於該處理容積中且放置相鄰於該蓋。基板支撐設置於該處理容積中。第一電極嵌入該基板支撐中。射頻(RF)源耦合至該第一電極。阻抗匹配電路設置於該RF源及電極之間。第二電極嵌入該基板支撐中。功率源耦合至該第二電極。電極濾波器設置於該第二電極及該功率源之間。該電極濾波器包含：一第一電感器，該第一電感器耦合至該第二電極。設置第二電感器與該第一電感器串聯。設置第三電感器與該第一電感器及該第二電感器串聯。設置電阻器與該第一電感器、該第二電感器、及該第三電感器串聯。該電阻器耦合至該功率源，且設置第一電容器與該第二電感器並聯。
而在另一實施例中，提供一設備，包含一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積。氣體分配板設置於該處理容積中且放置相鄰於該蓋。基板支撐設置於該處理容積中。第一電極嵌入該基板支撐中。第二電極在該第一電極及該基板支撐面對該蓋的一表面之間嵌入該基板支撐中。射頻(RF)源耦合至該第一電極。阻抗匹配電路設置於該RF源及該第一電極之間。功率源耦合至該第二電極。電極濾波器設置於該第二電極及該功率源之間。該電極濾波器包含：一第一電感器，該第一電感器耦合至該第二電極；第二電感器與該第一電感器串聯；第三電感器與該第一電感器及該第二電感器串聯；及電阻器與該第一電感器、該第二電感器、及該第三電感器串聯。該電阻器耦合至該功率源。該電極濾波器也包含：一第一電容器，該第一電容器與該第二電感器並聯；一第一接地路徑，該第一接地路徑在該第二電感器及該第三電感器之間耦合至該電極濾波器；及一第二接地路徑，該第二接地路徑在該第三電感器及該電阻器之間耦合至該電極濾波器。該第一接地路徑包含一第二電容器。該第二接地路徑包含一第三電容器。
本文描述的實施例相關於用於實質減低藉由夾持電極的射頻(RF)耦合的發生的設備和方法。夾持電極設置在基板支撐中，基板支撐耦合至處理腔室主體。RF源用於在相鄰於基板支撐的處理容積中產生電漿。阻抗匹配電路設置在RF源和設置在基板支撐中的夾持電極之間。為了減低對夾持電極和與其耦合的夾持功率源的損壞，在夾持電極和夾持功率源之間耦合靜電卡盤濾波器。
圖1是根據一個實施例的處理腔室100的示意視圖。處理腔室100包含腔室主體102和蓋104，腔室主體102和蓋104界定了腔室主體102和蓋104中的處理容積120。基板支撐114和氣體分配板108設置在處理容積120中。基板支撐114經由桿106支撐在腔室主體102內。基板支撐114包含一個或更多個導電板、絕緣板、設備板、冷卻通道等以便於基板的處理。在一個實施例中，桿106實質正交於蓋104，且相對於蓋104耦合至腔室主體102，或藉由相對於蓋的腔室主體102中的開口設置。
在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，基板支撐114由含鋁材料製成。例如，基板支撐114可由氮化鋁材料製成。可將靜電卡盤115放置於基板支撐114的上表面上，以便於處理期間卡住基板。靜電卡盤115包含設置在靜電卡盤115中的電極122。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，電極122是導電網。
靜電卡盤115的上表面116可具有形成在其上的複數個凸起部分(未展示)。凸起部分可接觸設置在靜電卡盤115的上表面116上的基板(未展示)。氣體可在基板與靜電卡盤115的表面116之間及/或基板支撐114與靜電卡盤的下表面之間流動，以保持基板和基板支撐114之間的熱平衡。在這樣的示例中，可例如經由熱交換器來控制流體溫度。
氣體分配板108耦合至腔室主體102。在蓋104和氣體分配板108之間界定氣室110。氣體分配板108與基板支撐114相對設置。穿過氣體分配板108形成複數個孔112。複數個孔112跨氣體分配板108分佈，以便於處理氣體流入處理容積120。
氣體輸送系統126經由輸送線128耦合到蓋104。氣體輸送系統126將一個或更多個氣體提供給處理腔室100，以處理設置在其中的基板。當一個或更多個氣體藉由蓋104進入處理腔室100時，氣體進入氣室110並流過氣體分配板108中的複數個孔112。複數個孔112將氣體徑向地分佈跨靜電卡盤115的表面116。
電極118嵌入基板支撐114中。射頻(RF)功率經由RF源134提供給電極118。RF源134經由阻抗匹配電路136耦合到電極118。RF源134能夠同時以一個或更多個頻率向電極118提供RF功率。例如，RF源134以約13.56 MHz的頻率和約40 MHz的頻率向電極提供RF功率。為此，RF源134包含用於每一頻率的頻率產生器138A、138B。雖然展示了兩個頻率產生器138A、138B，RF源134可針對所使用的每一頻率包含任意數量的頻率產生器。RF源134的特徵阻抗約為50歐姆。
阻抗匹配電路136能夠撞擊和維持處理容積120中的電漿。阻抗匹配電路136組合來自RF源134的各種頻率的RF信號。阻抗匹配電路136將組合的RF信號發送到嵌入靜電卡盤115中的電極118。組合的RF信號被發送到處理容積120中的處理氣體以在其中產生電容性耦合的電漿。腔室主體102耦合至接地並提供RF返回路徑，以便於電容性耦合的電漿的產生。
在一個實施例中，提供給電極118的RF功率在約5 kW和約15 kW之間，例如在約8 kW和約13 kW之間，例如約10 kW。提供給電極118的RF電流在約120安培至約80安培之間，例如約110安培。高RF電流藉由阻抗匹配電路136的相對低的電阻來實現，該電阻在約0.2歐姆與約0.4歐姆之間。輸送到電極118的電壓在約8 kV和約13 kV之間，例如約10 kV。阻抗匹配電路136的阻抗角度在約85度和約90度之間，例如，在約87度和約89度之間。
電極122是設置在基板支撐114上的靜電卡盤115的部件。介電層(未展示)可設置在靜電卡盤115上並形成靜電卡盤115的表面116。電源132耦合到電極122且向電極122提供足夠的功率以產生靜電力以將基板固持在靜電卡盤115的表面116上。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，電源132向電極122提供直流(DC)功率。
電極122的耦合電容在約800 pF和約2500 pF之間。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，電極122由含鋁材料製成。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，電極122設置在電極118與靜電卡盤115的表面116之間。
當在處理容積120中產生電漿時，RF電流進入電極122並流向電源132(例如，RF洩漏)。進入並流過電源132的RF電流可損壞電源132，這可導致電極的功率損耗及施加到設置在其上的基板的夾持力的損耗。為了防止損壞電源132，在電源132和電極122之間放置了濾波器電路130。
濾波器電路130(例如RF濾波器)實質防止了RF電流流向電源132。因此，濾波器電路130藉由重新引導RF電流(例如，至接地)而實質減低了損壞電源132的發生。濾波器電路130的輸入阻抗相對於接地足夠高，使得最小的電流從基板和電漿傳送。然而，濾波器電路130的阻抗足夠低以實質防止電流流向電源132。
控制器124耦合至處理腔室100以控制在其中執行的處理的各個態樣。例如，控制器124控制從氣體輸送系統126到處理容積120的處理氣體的流率。控制器124也可控制從處理腔室100裝載和卸載基板的態樣。此外，控制器124可控制阻抗匹配電路136和濾波器電路130的態樣，例如可變電容器的電容。
圖2A是根據一個實施例的濾波器電路200的示意代表圖。濾波器電路200可對應於以上相關於圖1描述的濾波器電路130。濾波器電路200包含耦合到電極(例如，圖1中所圖示的電極122)的第一電感器202。設置第二電感器206與第一電感器202串聯。設置第三電感器210與第一電感器202和第二電感器206串聯。設置電阻器214與第一電感器202、第二電感器206和第三電感器210串聯。電阻器214耦合到功率源，例如圖1中所圖示的電源132。
設置第一電容器204與第二電感器206並聯。第一電容器204和第二電感器206形成L-C諧振電路。第一接地路徑包含第二電容器208，第二電容器208在第二電感器206和第三電感器210之間耦合到濾波器電路200，且耦合到接地。第二接地路徑包含第三電容器212，第三電容器212在第三電感器210和電阻器214之間耦合至濾波器電路200，且耦合到接地。第二電容器208和第三電容器212是耦合到接地的分流(shunt)電容器。
濾波器電路的第一部分231包含第一電感器202、第二電感器206和第一電容器204。第一部分231是濾波器電路200的電感性部分。大部分以13.56 MHz進入濾波器電路200的RF電流被第一電感器202移除。類似地，大部分40 MHz的RF電流被包含第二電感器206和第一電容器204的L-C諧振電路移除。
濾波器電路200的第二部分233是低通濾波器，包含第二電容器208、第三電感器210和第三電容器212。電阻器214是第二部分233及電源之間的可選的電流限制電阻器。第二部分233從濾波器電路200移除任何剩餘的RF電流，以防止RF電流洩漏進入連接到電阻器214的電源。
可基於流經其間的RF電流的一個或更多個頻率來調諧濾波器電路200的部件(例如，第一電感器202、第二電感器206、第三電感器210、第一電容器204、第二電容器208、第三電容器212和電阻器214)的數值。例如，在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，第一電感器202具有從約14 μH至約25 μH的電感，例如約20 μH，第三電感器210具有從約8 μH至約13 μH的電感，例如約10 μH，第二電容器208和第三電容器212具有從約800 pF至約15000 pF的電感，例如約1000 pF，且電阻器具有從約1 Ω至約5 Ω的電阻，例如約2 Ω。
L-C諧振電路(包含第一電容器204和第二電感器206)可具有40 MHz的諧振頻率。第一部分231中的部件(例如，第一電感器202、第二電感器206和第一電容器204)的數值可基於13.56 MHz的輸入頻率。亦即，第一部分231可被設計為以13.56 MHz的頻率來移除RF電流。
有利地，圖2A中所圖示的濾波器電路200實質減低了從圖1中所圖示的電極122流向電源132的RF電流。因此，濾波器電路200實質減低了損壞電源的程度及發生率。
圖2B是根據一個實施例的濾波器電路270的示意代表圖。濾波器電路270可對應於以上相關於圖1描述的濾波器電路130。亦即，濾波器電路270可為上述相關於圖2A的濾波器電路200的替代設計。
濾波器電路270包含第一部分260和第二部分262。第一部分260包含串聯的第一電感器組230和第二電感器組232。第二部分262包含電容器組234、第三電感器組236、和分流電容器254。電容器組234和分流電容器254並聯。如圖所示，第一電感器組230包含四個並聯的電感器240a、240b、240c和240d。第二電感器組232包含四個並聯的電感器242a、242b、242c和242d。濾波器電路270的第一部分260具有20 μH的組合電感。
如圖所示，濾波器電路270的第二部分262是低通濾波器。電容器組234包含四個電容器246、248、250和252。第三電感器組包含並聯的三個電感器244a、244b和244c。每一電容器246、248、250、252和254的電容為1000 pF。第三電感器組236的電感為約10 μH。可基於要被濾波器電路270移除的一個或更多個輸入頻率來調諧濾波器電路270的部件的數值。
圖3是根據一個實施例的阻抗匹配電路300的示意代表圖。阻抗匹配電路300包含串聯的第一可變電容器306和電感器308。第二可變電容器304耦合至接地且至第一可變電容器306上游的阻抗匹配電路300。阻抗匹配電路300提供在處理腔室中形成的電漿的輸入阻抗，例如上述相關於圖1的處理腔室100。
圖4是根據本文所述的一個實施例的集束工具設備400的平面視圖。設備400包含複數個處理腔室402、404、406和408、傳送腔室420、及裝載閘腔室410和412。每一處理腔室402、404、406和408耦合到傳送腔室420。雖然在圖4中圖示了四個處理腔室402、404、406和408，可將任意數量的處理腔室耦合到傳送腔室420。
在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，處理腔室402設置相鄰於處理腔室408。在一個實施例中，處理腔室404設置相鄰於處理腔室402。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，處理腔室406設置相鄰於處理腔室404。在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，每一處理腔室402、404、406、及408對應於圖1中所圖示的處理腔室100。
傳送腔室420使得能夠在裝載閘腔室410、412與處理腔室402、404、406和408之間傳送基板。傳送機械手414設置在傳送腔室420中。傳送機械手414可為單刀片機器人或雙刀片機器人。傳送機械手414具有附接到可延伸臂的遠端的基板傳送刀片416。刀片416用於在處理腔室402、404、406和408之間支撐和載送各個基板。傳送腔室420保持在真空或減低氧氣的環境中。
控制器430耦合至設備400。控制器430包含中央處理單元(CPU)(未展示)。控制器430可為可用於控制各種處理腔室和子處理器的通用電腦處理器的任何形式中的一種。控制器430可耦合至處理腔室402、404、406和408的單獨或共享的控制器。控制器430可控制傳送機械手414的移動，以用於在設備400內傳送基板。
在可與上述一個或更多個實施例組合的一個實施例中，相鄰的處理腔室(例如處理腔室402和408)具有共享的氣體輸送系統、RF源、控制器及/或真空系統。這些共享的系統增加了處理腔室中執行的處理的生產量和沉積膜的一致性。共享系統也減低了與處理相關聯的成本。
本揭示案的益處包含濾波器電路以減低傳播到並損壞DC電源的RF電流量(例如，RF洩漏)。濾波器電路使RF電流能夠從DC電源引導離開並返回RF源。濾波器電路也防止發生夾持電極的功率損失和施加到基板的夾持力的損失。
儘管前述內容係針對本揭示案的實施例，在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下，可設計本揭示案的其他和進一步的實施例，且本揭示案的範圍由以下請求項來決定。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:蓋 106:桿 108:氣體分配板 110:氣室 112:孔 114:基板支撐 115:靜電卡盤 116:表面 118:電極 120:處理容積 122:電極 124:控制器 126:氣體輸送系統 128:輸送線 130:濾波器電路 132:電源 134:射頻(RF)源 136:阻抗匹配電路 138A:頻率產生器 138B:頻率產生器 200:濾波器電路 202:第一電感器 204:第一電容器 206:第二電感器 208:第二電容器 210:第三電感器 212:第三電容器 214:電阻器 230:第一電感器組 231:第一部分 232:第二電感器組 233:第二部分 234:電容器組 236:第三電感器組 240a:電感器 240b:電感器 240c:電感器 240d:電感器 242a:電感器 242b:電感器 242c:電感器 242d:電感器 244a:電感器 244b:電感器 244c:電感器 246:電容器 248:電容器 250:電容器 252:電容器 254:分流電容器 260:第一部分 262:第二部分 270:濾波器電路 300:阻抗匹配電路 304:第二可變電容器 306:第一可變電容器 308:電感器 400:設備 402:處理腔室 404:處理腔室 406:處理腔室 408:處理腔室 410:裝載閘腔室 412:裝載閘腔室 414:傳送機械手 416:刀片 420:傳送腔室 430:控制器
為了可詳細地理解本揭示案的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來對本揭示案進行更具體的描述，該揭示案的描述在上文中被簡要總結，其中一些被圖示於附圖中。然而，應注意附圖僅圖示出示例性實施例，因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
圖1是根據一個實施例的處理腔室的示意視圖。
圖2A是根據一個實施例的濾波器電路的示意代表圖。
圖2B是根據一個實施例的濾波器電路的示意代表圖。
圖3是根據一個實施例的阻抗匹配電路的示意代表圖。
圖4是根據本文所述的一個實施例的集束工具設備的平面視圖。
為了便於理解，儘可能地使用相同的附圖標記來標示圖式中共有的相同元件。可預期的是，一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
230:第一電感器組
232:第二電感器組
234:電容器組
236:第三電感器組
240a:電感器
240b:電感器
240c:電感器
240d:電感器
242a:電感器
242b:電感器
242c:電感器
242d:電感器
244a:電感器
244b:電感器
244c:電感器
246:電容器
248:電容器
250:電容器
252:電容器
254:分流電容器
260:第一部分
262:第二部分
270:濾波器電路

Claims (20)

  1. 一種設備，包括： 一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積； 一基板支撐，該基板支撐設置於該處理容積中； 一第一電極，該第一電極嵌入該基板支撐中； 一射頻(RF)源，該RF源耦合至該第一電極； 一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路設置於該RF源及該第一電極之間； 一第二電極，該第二電極嵌入該基板支撐中； 一功率源，該功率源耦合至該第二電極；及 一電極濾波器，該電極濾波器設置於該第二電極及該功率源之間且耦合至該第二電極及該功率源。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該電極濾波器包括： 一第一電感器，該第一電感器耦合至該第二電極； 一第二電感器，該第二電感器與該第一電感器串聯； 一第三電感器，該第三電感器與該第一電感器及該第二電感器串聯； 一電阻器，該電阻器與該第一電感器、該第二電感器、及該第三電感器串聯，該電阻器耦合至該功率源； 一第一電容器，該第一電容器與該第二電感器並聯； 一第一接地路徑，該第一接地路徑在該第二電感器及該第三電感器之間耦合至該電極濾波器，該第一接地路徑包括一第二電容器；及 一第二接地路徑，該第二接地路徑在該第三電感器及該電阻器之間耦合至該電極濾波器，該第二接地路徑包括一第三電容器。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該第二電極包括一導電網。
  4. 如請求項1所述之設備，其中該阻抗匹配電路包括： 一第一電容器； 一電感器，該電感器與該第一電容器串聯且耦合至該第一電極；及 一接地路徑，該接地路徑在該第一電容器上游，該接地路徑包括一第二電容器。
  5. 如請求項4所述之設備，其中該第一電容器及該第二電容器為可變電容器。
  6. 如請求項1所述之設備，進一步包括： 一氣體分配板，該氣體分配板耦合至該腔室主體且相對於該基板支撐設置。
  7. 如請求項6所述之設備，其中該第二電極設置於該第一電極及該基板支撐面對該氣體分配板的一表面之間。
  8. 一種設備，包括： 一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積； 一氣體分配板，該氣體分配板設置於該處理容積中且耦合至該腔室主體； 一基板支撐，該基板支撐設置於該處理容積中； 一第一電極，該第一電極嵌入該基板支撐中； 一功率源，該功率源耦合至該第一電極；及 一電極濾波器，該電極濾波器設置於該第一電極及該功率源之間，該電極濾波器包括： 一第一電感器，該第一電感器耦合至該第一電極； 一第二電感器，該第二電感器與該第一電感器串聯； 一第三電感器，該第三電感器與該第一電感器及該第二電感器串聯； 一電阻器，該電阻器與該第一電感器、該第二電感器、及該第三電感器串聯，該電阻器耦合至該功率源；及 一第一電容器，該第一電容器與該第二電感器並聯。
  9. 如請求項8所述之設備，進一步包括： 一第一接地路徑，該第一接地路徑在該第二電感器及該第三電感器之間耦合至該電極濾波器，該第一接地路徑包括一第二電容器；及 一第二接地路徑，該第二接地路徑在該第三電感器及該電阻器之間耦合至該電極濾波器，該第二接地路徑包括一第三電容器。
  10. 如請求項8所述之設備，其中該第一電極包括一導電網。
  11. 如請求項8所述之設備， 一第二電極，該第二電極嵌入該基板支撐中； 一射頻(RF)源，該RF源耦合至該第二電極；及 一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路設置於該RF源及該第二電極之間。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該第一電極設置於該第二電極及該基板支撐面對該氣體分配板的一表面之間。
  13. 如請求項11所述之設備，其中該阻抗匹配電路包括： 一第四電容器； 一電感器，該電感器與該第一電容器串聯；及 一接地路徑，該接地路徑在該第一電容器上游，該接地路徑包括一第五電容器。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該第四電容器及該第五電容器為可變電容器。
  15. 一種設備，包括： 一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋界定該腔室主體及該蓋中的一處理容積； 一氣體分配板，該氣體分配板設置於該處理容積中且放置相鄰於該蓋； 一基板支撐，該基板支撐設置於該處理容積中； 一第一電極，該第一電極嵌入該基板支撐中； 一第二電極，該第二電極在該第一電極及該基板支撐面對該蓋的一表面之間嵌入該基板支撐中； 一射頻(RF)源，該RF源耦合至該第一電極； 一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路設置於該RF源及該第一電極之間； 一功率源，該功率源耦合至該第二電極；及 一電極濾波器，該電極濾波器設置於該第二電極及該功率源之間，該電極濾波器包括： 一第一電感器，該第一電感器耦合至該第二電極； 一第二電感器，該第二電感器與該第一電感器串聯； 一第三電感器，該第三電感器與該第一電感器及該第二電感器串聯； 一電阻器，該電阻器與該第一電感器、該第二電感器、及該第三電感器串聯，該電阻器耦合至該功率源； 一第一電容器，該第一電容器與該第二電感器並聯； 一第一接地路徑，該第一接地路徑在該第二電感器及該第三電感器之間耦合至該電極濾波器，該第一接地路徑包括一第二電容器；及 一第二接地路徑，該第二接地路徑在該第三電感器及該電阻器之間耦合至該電極濾波器，該第二接地路徑包括一第三電容器。
  16. 如請求項15所述之設備，其中該第二電極包括一導電網。
  17. 如請求項16所述之設備，其中該導電網由一含鋁材料製成。
  18. 如請求項15所述之設備，其中該第二電極在該基板支撐的該表面上產生一靜電力。
  19. 如請求項15所述之設備，其中該阻抗匹配電路包括： 一第四電容器； 一電感器，該電感器與該第一電容器串聯；及 一接地路徑，該接地路徑在該第一電容器上游，該接地路徑包括一第五電容器。
  20. 如請求項19所述之設備，其中該第四電容器及該第五電容器為可變電容器。
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