JP7476169B2 - 静電チャック内の電極のパラメータを設定および調節するためのインピーダンスを有するチューニング回路を備えたｒｆチューニングシステム - Google Patents

Description

［関連出願への相互参照］
本願は、２０１８年８月２日出願の米国特許出願第１６／０５２，８７７号に基づく優先権を主張する。上記の出願の開示全体が、参照によって本明細書に組み込まれる。

本開示は、静電引力を用いる電気保持装置に関し、特に、電気保持装置のクランプ電極および高周波（ＲＦ）電極のためのチューニング回路に関する。

本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示するためのものである。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。

半導体ウエハなどの基板のエッチング、蒸着、および／または、その他の処理を実行するために、基板処理システムが利用されうる。基板に実行されうる処理の例は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理、物理蒸着（ＰＶＤ）処理、イオン注入処理、ならびに／もしくは、その他のエッチング、蒸着、および、洗浄処理を含むが、これらに限定されない。一例として、エッチング処理中に、基板は、基板処理システム内の静電チャック（ＥＳＣ）上に配置されてよく、基板上の薄膜がエッチングされる。

処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムが提供されている。基板処理システムは、電源端子と、基板支持体と、チューニング回路と、を備える。基板支持体は、基板を保持するよう構成されている。基板支持体は、電極を備える。電極は、第１電極および第２電極を含む。第１電極および第２電極は、電源端子を介して第１電源から電力を受信する。第１チューニング回路は、第１電極および第２電極の少なくとも一方に接続されている。第１チューニング回路は、第１電極へ供給される１または複数の信号を調整することに割り当てられている。第１チューニング回路は、第１インピーダンスセットまたは第２インピーダンスセットの少なくとも一方を備える。第１インピーダンスセットは、第１電極と第１電源との間に直列接続されている。第１インピーダンスセットは、電源端子を介して第１電源から第１信号を受信する。１または複数の信号は、第１信号を含む。第２インピーダンスセットは、第１電源の出力と基準端子との間に接続されている。第２インピーダンスセットは、電源端子を介して第１電源から第１信号を受信する。

別の特徴において、第１チューニング回路は、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットを備える。別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第１インピーダンスセットのインピーダンスの値および第２インピーダンスセットのインピーダンスの値を調節するよう構成されたシステムコントローラを備える。

別の特徴において、第１チューニング回路は、第１電極へ供給される１または複数の信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、および／または、周波数を調節する。別の特徴において、第１チューニング回路は、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットを備える。第２インピーダンスセットは、第１インピーダンスセットと基準端子との間に接続されている。

別の特徴において、第１電源は、整合回路網を備える。整合回路網は、第１電源と電源端子との間に接続されている。第１チューニング回路は、電源端子と第１電極との間に接続されている。

別の特徴において、第１チューニング回路は、整合回路網の中に含まれていない。別の特徴において、第１電源と第１チューニング回路との間に、整合回路網が接続されていない。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第２チューニング回路を備える。第１チューニング回路は、第１電源から第１電極へ供給される第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されている。第２チューニング回路は、第１電源から第２電極へ供給される第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されている。１または複数の信号は、第１信号を含む。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第２電源と、第２チューニング回路と、を備える。第１チューニング回路は、第１電源から第１電極へ供給される第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されている。第２チューニング回路は、第２電源から第２電極へ供給される第２信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されている。１または複数の信号は、第１信号および第２信号を含む。

別の特徴において、基板支持体の電極は、同心に配置されている。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第２チューニング回路と、第３チューニング回路と、を備える。電極は、第３電極を含む。第１チューニング回路は、第１電極に接続され、第１電極で受信される前に第１信号を変調するよう構成されている。第２チューニング回路は、第２電極に接続され、第２電極で受信される前に第１信号または第２信号を変調するよう構成されている。第３チューニング回路は、第３電極に接続され、第３電極で受信される前に第１信号または第３信号を変調するよう構成されている。別の特徴において、第１電極、第２電極、および、第３電極は、同心に配置されている。

別の特徴において、基板支持体は、静電チャックである。第１電極および第２電極は、クランプ電極であり、基板を基板支持体にクランプするためにクランプ電圧を受信するよう構成されている。第３電極は、バイアス電極であり、バイアス電圧を受信するよう構成されている。第３信号は、第３チューニング回路によって第３電源から受信される。

別の特徴において、基板支持体は、静電チャックである。第１電極は、クランプ電極である。第２電極および第３電極は、バイアス電極である。第２信号は、第２チューニング回路によって第２電源から受信される。

別の特徴において、基板支持体は、静電チャックである。第１電極は、クランプ電極である。第２電極は、クランプ電極である。電極は、電極リングを含む。第１チューニング回路は、第１インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備える。第１インピーダンスセットは、第１クランプ電極と第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備える。第３インピーダンスセットは、電極リングと第１電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備える。第４インピーダンスセットは、第２クランプ電極と第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備える。

別の特徴において、基板支持体は、静電チャックである。第１電極は、クランプ電極である。第２電極は、クランプ電極である。電極は、電極リングを含む。第１チューニング回路は、第２インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備える。第２インピーダンスセットは、第１電極端子と基準端子との間に並列接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、第１電極端子は、第１クランプ電極と第１電源との間に接続されている。第３インピーダンスセットは、第２電極端子と基準端子との間に並列接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備える。第２電極端子は、電極リングと第１電源との間に接続されている。第４インピーダンスセットは、第３電極端子と基準端子との間に並列接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備える。第３電極端子は、第２クランプ電極と第１電源との間に接続されている。

別の特徴において、基板支持体は、静電チャックである。第１電極は、クランプ電極である。第２電極は、クランプ電極である。電極は、電極リングを含む。第１チューニング回路は、第１インピーダンスセット、第２インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、第４インピーダンスセット、第５インピーダンスセット、および、第６インピーダンスセットを備える。第１インピーダンスセットは、第１クランプ電極と第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備える。第３インピーダンスセットは、電極リングと第１電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備える。第４インピーダンスセットは、第２クランプ電極と第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備える。第２インピーダンスセットは、第１電極端子と基準端子との間に並列接続された第４インダクタおよび第４キャパシタを備える。第１電極端子は、第１クランプ電極と第１電源との間に接続されている。第５インピーダンスセットは、第２電極端子と基準端子との間に並列接続された第５インダクタおよび第５キャパシタを備える。第２電極端子は、電極リングと第１電源との間に接続されている。第６インピーダンスセットは、第３電極端子と基準端子との間に並列接続された第６インダクタおよび第６キャパシタを備える。第３電極端子は、第２クランプ電極と第１電源との間に接続されている。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第１端子、前第２端子、および、第３端子に接続された第２電源を備える。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第２チューニング回路を備える。基板支持体は、静電チャックである。第１電極は、第１クランプ電極である。第２電極は、第２クランプ電極である。電極は、電極リングを含む。第１チューニング回路は、第１インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備える。第２チューニング回路は、第２インピーダンスセット、第５インピーダンスセット、および、第６インピーダンスセットを備える。第１インピーダンスセットは、第１クランプ電極と第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備える。第３インピーダンスセットは、電極リングと第２電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備える。第４インピーダンスセットは、第２クランプ電極と第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備える。第２インピーダンスセットは、第１電極端子と基準端子との間に並列接続された第４インダクタおよび第４キャパシタを備える。第１電極端子は、第１クランプ電極と第１電源との間に接続されている。第５インピーダンスセットは、第２電極端子と基準端子との間に並列接続された第５インダクタおよび第５キャパシタを備える。第２電極端子は、電極リングと第２電源との間に接続されている。第６インピーダンスセットは、第３電極端子と基準端子との間に並列接続された第６インダクタおよび第６キャパシタを備える。第３電極端子は、第２クランプ電極と第１電源との間に接続されている。

別の特徴において、電源端子と電極との間に、整合回路網が接続されていない。別の特徴において、第１電源からの電力が、電力の一部を電極にそれぞれ供給するために分割される。別の特徴において、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットは、可変インダクタンスを備える。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、処理チャンバと、第１電源と、コントローラと、を備える。コントローラは、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されている。

別の特徴において、処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムが提供されている。基板処理システムは、基板支持体と、第１インピーダンスと、第２インピーダンスと、を備える。基板支持体は、基板を保持するよう構成されており、基板支持体は、電極を備える。電極は、第１電極、第２電極、および、第３電極を含む。第１インピーダンスは、第１電極と第３電極との間に接続されている。第２インピーダンスは、第２電極と第３電極との間に接続されている。第１インピーダンスは、（ｉ）第１電極と第２インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第１電源と第２インピーダンスとの間、に接続されている。第２インピーダンスは、（ｉ）第２電極と第１インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第２電源と第１インピーダンスと間、に接続されている。第１インピーダンスおよび第２インピーダンスは、（ｉ）第１電源によって第１電極へ供給される第１信号、および、（ｉｉ）第２電源によって第２電極へ供給される第２信号、を調整することに割り当てられている。

別の特徴において、第１インピーダンスは、第２インピーダンスと直列接続されている。別の特徴において、第１インピーダンスは、第１電極と第３電源との間に接続されている。第２インピーダンスは、第２電極と第３電源との間に接続されている。別の特徴において、第３電源は、第３電極に接続されている。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、第３インピーダンスと、第４インピーダンスと、を備える。第３インピーダンスは、（ｉ）第１電極と第３電極との間、（ｉｉ）第１電極と第４インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）第１電源と第４インピーダンスと間、に接続されている。第４インピーダンスは、（ｉ）第２電極と第３電極との間、（ｉｉ）第２電極と第３インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）第２電源と第３インピーダンスと間、に接続されている。第３インピーダンスおよび第４インピーダンスは、（ｉ）第１電源によって第１電極へ供給される第１信号、および、（ｉｉ）第２電源によって第２電極へ供給される第２信号、を調整することに割り当てられている。

別の特徴において、第１インピーダンスおよび第３インピーダンスは、第１電極と第３電源との間に並列接続されている。第２インピーダンスおよび第４インピーダンスは、第２電極と第３電源との間に並列接続されている。別の特徴において、第３電源は、第３電極に接続されている。別の特徴において、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットは、可変インダクタンスを備える。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、処理チャンバと、第１電源と、コントローラと、を備える。コントローラは、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されている。

別の特徴において、基板処理システムを動作させる方法が提供されている。その方法は、処理を選択する工程と、選択された処理のためのシステム動作パラメータを含むレシピを決定する工程と、アクチュエータを制御して、システム動作パラメータを設定する工程と、選択された処理およびシステム動作パラメータに基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程と、を備える。第１チューニング回路は、基板支持体内の第１電極に接続されている。第１チューニング回路は、第１電極へ供給される信号を調整することに割り当てられている。第１チューニング回路は、第１電極と第１電源との間に直列接続された第１インピーダンスセットであって、第１インピーダンスセットは、第１電源から第１信号を受信し、１または複数の信号は、第１信号を含む、第１インピーダンスセット、または、第１電源の出力と基準端子との間に接続された第２インピーダンスセット、の内の少なくとも一方を備える。第２インピーダンスセットは、第１電源から第１信号を受信する。方法は、さらに、処理チャンバ内の基板支持体上に基板を配置する工程と、第１電源から基板支持体内の電極へ電力を供給する動作を含む、選択された処理のための処理動作を実行する工程と、を備える。電極は、第１電極および第２電極を含む。第１電極および第２電極は、電源端子を介して第１電源から電力を受信する。

別の特徴において、方法は、さらに、処理動作を実行する間に、第１チューニング回路のインピーダンス値を調節する工程を備える。別の特徴において、方法は、さらに、処理動作を実行する間に、センサ出力データを収集する工程と、センサ出力データに基づいて、１または複数のパラメータを決定する工程と、１または複数のパラメータに基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を調節する工程と、を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、処理チャンバの特徴または特性を決定する工程と、特徴または特性に基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程と、を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、基板支持体の特徴または特性を決定する工程と、特徴または特性に基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程と、を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、特性の変化に基づいて、第１インピーダンスセットまたは第２インピーダンスセットの少なくとも一方のインピーダンスを調節して、それぞれの軌跡に従わせる工程を備える。別の特徴において、方法は、さらに、特徴、特性、基板、基板支持体、または、処理チャンバの１または複数の他の特徴、ならびに、基板、基板支持体、または、処理チャンバの１または複数の他の特性、の内の少なくとも１つに基づいて、軌跡を計算または決定する工程を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、基板の特徴または特性を決定する工程と、特徴または特性に基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程と、を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、基板を基板支持体にクランプするために第１電源によって第１電極へクランプ電圧を供給する工程と、バイアス電圧を第２電極へ供給する工程と、第１チューニング回路または第２チューニング回路によってクランプ電圧およびバイアス電圧を調整する工程と、を備える。基板支持体は、静電チャックである。別の特徴において、第１チューニング回路は、第１インピーダンスおよび第２インピーダンスを備える。

別の特徴において、方法は、さらに、第１チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、第１電極へ供給されるクランプ電圧を調整する工程と、第２チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、第２電極へ供給されるバイアス電圧を調整する工程と、を備える。基板支持体は、静電チャックである。別の特徴において、方法は、さらに、第１チューニング回路のインピーダンス値を調節することにより、基板支持体の表面の上方の点および表面に沿った点のそれぞれのペアでのプラズマの電位差を調節する工程を備える。

別の特徴において、方法は、さらに、第１チューニング回路のインピーダンス値に基づいて、バイアス高周波整合回路網におけるインピーダンス値を調節する工程を備える。バイアス高周波整合回路網は、電源と第１チューニング回路との間に接続されている。

別の特徴において、処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムが提供されている。基板処理システムは、電源端子と、基板支持体と、第１チューニング回路と、第２チューニング回路と、を備える。基板支持体は、基板を保持するよう構成されている。基板支持体は、電極を備える。電極は、第１電極および第２電極を含む。第１チューニング回路は、第１電極に接続され、第１電極のインピーダンスを調整することに割り当てられている。第１チューニング回路は、第１電極および接地に接続された第１インピーダンスセットを備える。第２チューニング回路は、第２電極に接続され、第２電極のインピーダンスを調整することに割り当てられている。第２チューニング回路は、第２電極および接地に接続された第２インピーダンスセットを備える。

別の特徴において、第１チューニング回路は、第１電極と接地との間に直列接続されている。別の特徴において、第１チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える。別の特徴において、第２チューニング回路は、第２電極と接地との間に直列接続されている。別の特徴において、第２チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える。別の特徴において、第１チューニング回路は、第１電極と第２電極との間に接続されている。第１電極および第２電極は、接地に接続されている。

別の特徴において、基板処理システムは、さらに、接地に接続された第３電極と、第２電極と第３電極との間に接続された第３チューニング回路と、を備える。別の特徴において、第１チューニング回路は、第１インダクタおよび第１キャパシタを備える。第２チューニング回路は、第２インダクタおよび第２キャパシタを備える。

別の特徴において、第１チューニング回路および第２チューニング回路は、可変インダクタンスを備える。別の特徴において、基板処理システムは、さらに、処理チャンバと、第１インピーダンスセットおよび第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、を備える。

詳細な説明、特許請求の範囲、および、図面から、本開示を適用可能なさらなる領域が明らかになる。詳細な説明および具体的な例は、単に例示を目的としており、本開示の範囲を限定するものではない。

本開示は、詳細な説明および以下に説明する添付図面から、より十分に理解できる。

本開示の一実施形態に従って、電極を備えたＥＳＣと電極に対応するチューニング回路とを組み込んだ基板処理システムの一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、クランプ電極およびバイアス電極のためのチューニング回路を備えた容量結合回路の一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、２つのクランプ電極およびバイアス電極のためのチューニング回路を備えた容量結合回路の一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、クランプ電極および２つのバイアス電極のためのチューニング回路を備えた容量結合回路の一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、クランプ電極および３つのバイアス電極のためのチューニング回路を備えた容量結合回路の一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、クランプ電極およびバイアス電極のためのチューニング回路の一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、単一のＲＦ電源に接続され、２つのクランプ電極およびバイアス電極リングのための直列接続されたインダクタおよびキャパシタを備えたチューニング回路の一例を示す機能ブロック概略図。

本開示の一実施形態に従って、単一のＲＦ電源に接続され、２つのクランプ電極およびバイアス電極リングのためのシャント接続されたインダクタおよびキャパシタを備えたチューニング回路の一例を示す機能ブロック概略図。

本開示の一実施形態に従って、デュアルＲＦ電源に接続され、２つのクランプ電極およびバイアス電極リングのための直列接続されたインダクタおよびキャパシタならびにシャント接続されたインダクタおよびキャパシタを備えたチューニング回路の一例を示す機能ブロック概略図。

本開示の一実施形態に従って、それぞれのＲＦ電源に接続され、２つのクランプ電極およびバイアス電極リングのための直列接続されたインダクタおよびキャパシタもしくはシャント接続されたインダクタおよびキャパシタを備えた２つのチューニング回路の一例を示す機能ブロック概略図。

本開示の一実施形態に従って、２つのクランプ電極およびバイアス電極リングのための並列接続されたキャパシタおよびインダクタを備えたチューニング回路の一例を示す機能ブロック概略図。

本開示の一実施形態に従って、静電チャックの電極のチューニング回路のためのインピーダンス値の設定および調節を含む、基板処理システムを動作させる方法を示す図。

本開示の一実施形態に従って、外側リング電極と２つの内側電極とを備えた基板支持体の一例を示す図。

図面において、同様および／または同一の要素を特定するために、同じ符号を用いる場合がある。

容量結合プラズマ（ＣＣＰ）システムにおいて、基板処理のために供給されるプラズマ（例えば、エッチングまたは蒸着処理中に供給されるプラズマ）を生成および維持するために、ＲＦ電圧信号が、処理チャンバ内のシャワーヘッドおよび／または基板支持体（例えば、静電チャックまたはペデスタル）に供給されうる。一例として、基板支持体は、ＲＦ電圧を受信するための複数の電極を備えうる。電極は、それぞれのジオメトリを有しており、そのため、異なるサイズおよび形状を有し、基板支持体内の異なる位置に配置されうる。

本明細書で説明する例は、基板支持体の電極に供給されるＲＦ電圧を制御するためのチューニング回路を含む。チューニング回路は、実行されている基板処理のために調整されうる可変インピーダンスおよび／または固定インピーダンスを備える。電極に供給されるＲＦ電圧および対応する電流は、生成されるプラズマの態様を変化させるために制御されうる。処理中、基板が、基板支持体上に配置され、基板の１または複数の層（例えば、膜層）が、例えば、エッチングまたは蒸着されうる。異なる電極に供給されるＲＦ電圧を調整することにより、１または複数の層のパラメータが、電極の位置に従ってウエハにわたって空間的に変更および／または調整されうる。例として、１または複数の層のパラメータは、均一性の値、応力値、屈折率、エッチング速度、蒸着速度、厚さの値、および／または、測定量であるその他の固有特性値を含みうる。

ＲＦ電力が、１または複数のＲＦ電源から供給されるものとして開示されている。一実施形態において、ＲＦ電力は、単一のＲＦ電源から共通ノードＲＦ電力を給電することによって供給される。次いで、ＲＦ電力は、それぞれの経路を介して共通ノードから基板支持体の異なる電極へ供給される。経路は、チューニング回路および／またはインピーダンスを備え、それらは、対応するＲＦ電圧、電流レベル、位相、および／または、周波数成分を変化させる。インピーダンスは、直列接続またはシャント接続されたインピーダンスを含んでよい。複数の電源、複数のノード、および、様々な経路を備えたその他の実施形態が、本明細書で開示されている。

基板支持体内の電極に供給されるＲＦ電圧および電流レベルは、電極のサイズ、形状、および、パターンを調節することによって変更されてもよい。例えば、環状および／または円形の電極からプラズマへ供給されるＲＦ電圧および電流量、環状および／または円形の電極を用いて実行される基板処理、ならびに／もしくは、結果として得られる基板特性が、電極の半径を変えることによって変更および／または調整されうる。

基板処理システムは、自由度を提供し、基板処理中に基板の層の結果としての態様を制御するために設定および／または調節されうる複数の特徴、特性、および／または、パラメータを有しうる。例えば、ＲＦ電力レベル、チャンバ形状、フォーカスリングの利用、シャワーヘッドの穴パターン、シャワーヘッド形状、電極パターン、ガス圧、ガス組成などが、目標とする層の組成およびプロファイルを有する結果としての基板を提供するために、設定および／または制御されてよい。

開示されている例は、基板の１または複数の層のプロファイルを調整するための別の自由度を提供する。その自由度は、チューニング回路のインピーダンスの設定および／または調節（例えば、キャパシタンス、インダクタンス、リアクタンス、抵抗、レイアウトなどの選択、変更、および／または、制御）によって提供される。プロファイルは、１または複数の層の上述したパラメータを指す。

基板の半径方向プロファイルが、例えば、基板の周縁部の近くの金属または誘電体環状要素を変更することによって、変更されてよい。これは、ガス圧、ガス流量、ガス組成、ＲＦ放電出力、基板支持体の電極に供給されるＲＦ信号の周波数、および／または、その他のパラメータなどのパラメータを調節することを含みうる。目標の層の特徴（例えば、周縁部での特定の層の厚さまたは形状）を提供するために特定の位置でこれらのパラメータを変更すると、同じ位置および／またはその他の位置において、他のパラメータを変える、および／または、他の特徴に影響する可能性がある。したがって、これらのパラメータは、特定の特徴を独立的に調節しない。別の例において、基板の周縁部が、基板の周縁部の外側に配置されたフォーカスリングを用いることによって変更されてもよい。しかしながら、フォーカスリングの利用は、基板の中心におけるガスの流量に影響しうるため、基板の中心での処理ひいては結果に影響しうる。他の層の特徴の例は、特定のトレンチ深さまたは幅、トレンチ間の距離、導電要素間の距離、層の組成などである。

基板の１または複数の層のプロファイルの調整を設定および制御する際にパラメータおよび自由度が多いほど、他のフィーチャに悪影響を与えることなしに特定のフィーチャを提供できる可能性が高くなる。また、パラメータおよび自由度の数が多くなると、形成できるフィーチャの数、組成、および、レイアウト（またはパターン）が増加する。本明細書で開示されている例は、基板層設計の柔軟性および位置に固有の設計選択性を高め、基板処理システムが多様なフィーチャを提供することを可能にする。

図１は、ＥＳＣ１０１を組み込んだ基板処理システム１００を示す。ＥＳＣ１０１は、本明細書で開示されているＥＳＣのいずれかと同一または同様に構成されてよい。図１は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）システムを示しているが、本明細書に開示する実施形態は、基板支持体を備えたトランス結合プラズマ（ＴＣＰ）システム、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマシステム、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）システム、ならびに／もしくは、その他のシステムおよびプラズマ源に適用可能である。実施形態は、ＰＶＤ処理、ＰＥＣＶＤ処理、化学強化プラズマ蒸着（ＣＥＰＶＤ）処理、イオン注入処理、プラズマエッチング処理、ならびに／もしくは、その他のエッチング、蒸着、および、洗浄処理に適用可能である。

ＥＳＣ１０１は、上部プレート１０２およびベースプレート１０３を備えてよい。ＥＳＣ１０１は、２つのプレートを有するように図示されているが、ＥＳＣは、単一のプレートを備えてもよい。プレート１０２、１０３は、セラミックおよび／またはその他の材料で形成されてよい。図１～図５および図７～図１１のＥＳＣは各々、特定の特徴を持ち、その他の特徴を持たないように図示されているが、ＥＳＣの各々は、本明細書ならびに図１～図５および図７～図１１に開示されている特徴のいずれかを備えるように変形されてもよい。

ＥＳＣ１０１は、処理チャンバの底部に取り付けられ、回転されるよう構成されていない様子が図示されているが、本明細書で開示されているＥＳＣ１０１およびその他のＥＳＣは、処理チャンバの底部または上部に取り付けられてよく、基板の処理中に回転されるスピンチャックとして構成されてもよい。処理チャンバの上部に取り付けられる場合、ＥＳＣは、本明細書に開示されているのと同様の構成を有してもよいが、上下が反転されて、周辺基板保持、クランプ、および／または、把持ハードウェアを備えてもよい。

基板処理システム１００は、処理チャンバ１０４を備える。ＥＳＣ１０１は、処理チャンバ１０４内に収容されている。処理チャンバ１０４は、その他の構成要素（上側電極１０５など）も収容しており、ＲＦプラズマを閉じ込める。動作中、基板１０７が、ＥＳＣ１０１の上部プレート１０２上に配置され、静電的にクランプされる。

単に例として、上側電極１０５は、ガスを導入して分散させるシャワーヘッド１０９を備えてよい。シャワーヘッド１０９は、処理チャンバ１０４の上面に接続された一端を備えるステム部分１１１を備えてよい。シャワーヘッド１０９は、略円筒形であり、処理チャンバ１０４の上面から離れた位置でステム部分１１１の反対側の端部から半径方向外向きに広がる。基板対向面またはシャワーヘッド１０９は、処理ガスまたはパージガスが流れる穴を備える。あるいは、上側電極１０５は、導電性のプレートを備えてもよく、ガスは、別の方法で導入されてもよい。プレート１０２、１０３の一方または両方が、下側電極として機能してよい。

プレート１０２，１０３の一方または両方が、温度制御要素（ＴＣＥ）を備えてよい。一例として、図１は、ＴＣＥ１１０を備え、加熱プレートとして用いられる上部プレート１０２を示している。中間層１１４が、プレート１０２、１０３の間に配置されている。中間層１１４は、上部プレート１０２をベースプレート１０３に接着してよい。一例として、中間層は、上部プレート１０２をベースプレート１０３に接着するのに適した接着剤で形成されてよい。ベースプレート１０３は、基板１０７の背面に背面ガスを流しベースプレート１０３を通して冷却材を流すために、１以上のガス流路１１５および／または１以上の冷却材流路１１６を備えてよい。

ＲＦ発生システム１２０が、ＲＦ電圧を生成して、上側電極１０５および下側電極（例えば、プレート１０２、１０３の一方または両方）へ出力する。上側電極１０５およびＥＳＣ１０１の一方が、ＤＣ接地、ＡＣ接地されるか、または、浮遊電位にあってよい。単に例として、ＲＦ発生システム１２０は、システムコントローラ１２１によって制御され、ＲＦ電圧を発生させる１または複数のＲＦ発生器１２２（例えば、容量結合プラズマＲＦ電力発生器、バイアス電力発生器、および／または、その他のＲＦ電力発生器）を備えてよく、ＲＦ電圧は、１または複数の整合／配電回路網１２４によって上側電極１０５および／またはＥＳＣ１０１へ供給される。一例として、第１ＲＦ発生器１２３、第２ＲＦ発生器１２５、第１ＲＦ整合回路網１２７、および、第２ＲＦ整合回路網１２９が図示されている。第１ＲＦ発生器１２３および第１ＲＦ整合回路網１２７は、ＲＦ電圧を供給してもよいし、単にシャワーヘッド１０９を接地基準に接続してもよい。第２ＲＦ発生器１２５および第２ＲＦ整合回路網は、各々または集合的に電源と呼ばれ、ＲＦ／バイアス電圧をＥＳＣ１０１へ供給してよい。一実施形態において、第１ＲＦ発生器１２３および第１ＲＦ整合回路網１２７は、ガスを電離させてプラズマを駆動する電力を供給する。別の実施形態において、第２ＲＦ発生器１２５および第２ＲＦ整合回路網１２９は、ガスを電離させてプラズマを駆動する電力を供給する。ＲＦ発生器１２３、１２５の内の一方が、例えば、６～１０キロワット（ｋＷ）以上の電力を生成する高出力ＲＦ発生器であってよい。

第２ＲＦ整合回路網１２９は、インピーダンス１２８を備え、プレート１０２、１０３内のＲＦ電極（ＲＦ電極１３１、１３３など）へ電力を供給する。ＲＦ電極は、プレート１０２、１０３の一方または両方の中に配置されてよい。ＲＦ電極は、例えば、クランプ電極として利用される場合、ＥＳＣ１０１の上面付近に配置されてよく、および／または、バイアスするために利用される場合、ＥＳＣ１０１内のその他の位置に配置されてよい。ＲＦ電極は、代替的または追加的に、他の電源から電力を受信してもよい。一例として、ＲＦ電極の一部が、第２ＲＦ整合回路網１２９から電力を受信する代わりにまたはそれに加えて、電源１３５から電力を受信してよい。一実施形態において、電源１３５は、整合回路網を備えない、および／または、整合回路網が、電源１３５とＲＦ電極との間に配置されない。ＲＦ電極の一部が、上部プレート１０２へ基板を静電的にクランプするために、第２ＲＦ整合回路網１２９および／または電源１３５から電力を受信してよい。電源１３５は、システムコントローラ１２１によって制御されてよい。チューニング回路１３９が、（ｉ）第２ＲＦ整合回路網１２９と、電極１３１、１３３、１３７の内の対応する電極との間、かつ、（ｉｉ）電源１３５と、電極１３１、１３３、１３７の内の対応する電極との間、に接続されてよい。一実施形態において、チューニング回路１３９は、第２ＲＦ整合回路網１２９から下流に離れて処理チャンバ１０４の外側に配置される。チューニング回路１３９の例を図２～図１１に示す。

ガス供給システム１３０は、１または複数のガス源１３２－１、１３２－２、・・・、および、１３２－Ｎ（集合的に、ガス源１３２）を備えており、ここで、Ｎはゼロより大きい整数である。ガス源１３２は、１または複数の前駆体およびそれらのガス混合物を供給する。ガス源１３２は、エッチングガス、搬送ガス、および／または、パージガスを供給してもよい。気化した前駆体が用いられてもよい。ガス源１３２は、バルブ１３４－１、１３４－２、・・・、および、１３４－Ｎ（集合的に、バルブ１３４）ならびにマスフローコントローラ１３６－１、１３６－２、・・・、および、１３６－Ｎ（集合的に、マスフローコントローラ１３６）によってマニホルド１４０に接続されている。マニホルド１４０の出力は、処理チャンバ１０４に供給される。単に例として、マニホルド１４０の出力は、シャワーヘッド１０９に供給される。

基板処理システム１００は、さらに、温度コントローラ１４２を備えた冷却システム１４１を備えており、温度コントローラ１４２は、ＴＣＥ１１０に接続されてよい。一実施形態において、ＴＣＥ１１０は備えられない。システムコントローラ１２１とは別個に図示されているが、温度コントローラ１４２は、システムコントローラ１２１の一部として実装されてもよい。プレート１０２、１０３の一方または両方が、複数の温度制御された区画（例えば、４つの区画、ここで、各区画は、４つの温度センサを備える）を備えてもよい。

温度コントローラ１４２は、プレート１０２、１０３および基板（例えば、基板１０７）の温度を制御するために、ＴＣＥ１１０の動作ひいては温度を制御してよい。温度コントローラ１４２および／またはシステムコントローラ１２１は、１または複数のガス源１３２からガス流路１１５への流れを制御することによって、基板を冷却するためにガス流路１１５へ送られる背面ガス（例えば、ヘリウム）の流量を制御してよい。また、温度コントローラ１４２は、流路１１６を通る第１冷却材の流れ（冷却流体の圧力および流量）を制御するために、冷却材アセンブリ１４６と通信してよい。第１冷却材アセンブリ１４６は、リザーバ（図示せず）から冷却流体を受け入れてよい。例えば、冷却材アセンブリ１４６は、冷却材ポンプおよびリザーバを備えてよい。温度コントローラ１４２は、ベースプレート１０３を冷却するために流路１１６を通して冷却材を流すように、冷却材アセンブリ１４６を作動させる。温度コントローラ１４２は、冷却材が流れる速度と、冷却材の温度とを制御してよい。温度コントローラ１４２は、処理チャンバ１０４内のセンサ１４３、１４４から検出されたパラメータに基づいて、ＴＣＥ１１０に供給される電流と、流路１１５、１１６に供給されるガスおよび／または冷却材の圧力および流量と、を制御する。センサ１４３、１４４は、抵抗温度装置、熱電対、デジタル温度センサ、温度プローブ、および／または、その他の適切な温度センサを含みうる。基板処理システム１００に備えられたセンサ１４３、１４４、および／または、その他のセンサは、温度、ガス圧、電圧、電流レベルなどのパラメータを検出するために用いられてよい。エッチング処理中、基板１０７は、高電力プラズマの存在下で所定の温度（例えば、摂氏１２０度（１２０℃））だけ加熱されてよい。流路１１５、１１６を通るガスおよび／または冷却材の流れが、ベースプレート１０３の温度を下げ、これが、基板１０７の温度を下げる（例えば、１２０℃から８０℃に冷却）。

バルブ１５６およびポンプ１５８が、処理チャンバ１０４から反応物質を真空引きするために用いられてよい。システムコントローラ１２１は、供給されるＲＦ電力レベル、供給されるガスの圧力および流量、ＲＦ整合などを制御することを含め、基板処理システム１００の構成要素を制御してよい。システムコントローラ１２１は、バルブ１５６およびポンプ１５８の状態を制御する。ロボット１７０が、ＥＳＣ１０１上へ基板を供給すると共に、ＥＳＣ１０１から基板を除去するために用いられてよい。例えば、ロボット１７０は、ＥＳＣ１０１とロードロック１７２との間で基板を移送してよい。ロボット１７０は、システムコントローラ１２１によって制御されてよい。システムコントローラ１２１は、ロードロック１７２の動作を制御してよい。

バルブ、ガスおよび／または冷却材ポンプ、電源、ＲＦ発生器などは、アクチュエータと呼んでもよい。ＴＣＥ、ガス流路、冷却材流路などは、温度調節要素と呼んでもよい。

システムコントローラ１２１は、チューニング回路１３９のインピーダンスの状態を制御してよい。インピーダンスの例を図７～図１１に示す。チューニング回路１３９のインピーダンスは、センサ１４３、１４４、１４５、ならびに／もしくは、基板支持体１０１、処理チャンバ１０４、第２ＲＦ整合回路網１２９、および／または、電源１２５、１３５の内の一方または両方におけるその他のセンサ、から受信されたフィードバック信号に基づいて調節されてよい。センサ１４５は、第２ＲＦ整合回路網１２９における電圧、電流レベル、電力レベルを検出してよい。センサが、ベースプレート１０３内に図示されているが、それらのセンサの内の１以上が、上部プレート１０２内に配置されてもよい。センサ１０４は、基板支持体１０１内のどこに配置されてもよい。センサ１４３は、処理チャンバ１０４内のどこに配置されてもよい。

システムコントローラ１２１は、さらに、インピーダンス１２８の状態を制御してよい。インピーダンス１２８の状態は、第２ＲＦ整合回路網１２９の１または複数の出力の１または複数のインピーダンスが、チューニング回路１３９の入力で見られるインピーダンスと整合するように、設定されてよい。チューニング回路１３９の入力で見られるインピーダンスは、基板支持体１０１およびチューニング回路１３９のインピーダンスに基づく。チューニング回路１３９のインピーダンスを調節する際に、システムコントローラ１２１は、それに応じて、第２ＲＦ整合回路網１２９のインピーダンスも調節してよい。

以下で説明する図２～図１１には、特定の数のチューニング回路、インピーダンス、クランプ電極、ＲＦ電極、および／または、その他の要素が図示されているが、任意の数の各要素が備えられてよい。また、チューニング回路、インピーダンス、クランプ電極、および、ＲＦ電極が、特定の配置で、特定のサイズ、形状、および、パターンを有するように図示されているが、上記の要素は、異なる配置で、異なるサイズ、形状、および、パターンを有してもよい。

図２は、クランプチューニング回路２０２と、ＲＦチューニング回路２０４と、クランプ電極２０６と、ＲＦ電極２０８とを備えた容量結合回路２００を示している。シャワーヘッド（すなわち、上側電極）２１０およびＥＳＣ２１２の断面図が示されている。シャワーヘッド２１０は、基準電位または接地２１４に接続されてよい。一実施形態において、シャワーヘッド２１０は、図１の第１ＲＦ整合回路網１２７によってＲＦ給電される。プラズマ２１６が、シャワーヘッド２１０とＥＳＣ２１２との間に提供される。基板２１８が、ＥＳＣ２１２上に配置されている。

クランプチューニング回路２０２は、クランプ電極２０６に提供されるクランプ電圧、電流レベル、位相、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。ＲＦチューニング回路２０４は、ＲＦ電極２０８に提供されるバイアス電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。チューニング回路２０２、２０４は、例えば、図１の第２ＲＦ整合回路網１２９（または第１電源）および／または電源１３５（または第２電源）から電力Ｐ_{ｉｎｎｅｒ}、Ｐ_{ｏｕｔｅｒ}を受信し、プラズマを通した電圧降下を調節するために用いられてよい。これは、図１の基板支持体１０１の表面の上方の点および表面に沿った点のそれぞれのペアでの電圧差を調節することを含んでよい。チューニング回路２０２、２０４の例を図６に示す。チューニング回路２０２、２０４は、図６に示すように、インピーダンスの内の１以上を備えてよい。チューニング回路２０２、２０４は、並列インピーダンス経路を備えなくてよく、または、直列インピーダンス経路の代わりに伝送ラインを備えてよい。並列および直列インピーダンス経路の例を図６に示す。チューニング回路２０２、２０４に備えられてよいインピーダンスの例を図７～図１１に示す。インピーダンスは、直列または並列に接続されてよく、シャントインピーダンスであってよく、ならびに／もしくは、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、リアクタンス、伝送ライン、短絡回路または開回路、フィルタリング素子（またはフィルタ）、および／または、その他のインピーダンスを含んでよい。一例として、クランプ電極２０６は円形であってよく、ＲＦ電極２０８は環状であってよい。

図３は、第１クランプチューニング回路３０２と、第２クランプチューニング回路３０３と、外側ＲＦチューニング回路３０４と、第１クランプ電極３０６と、第２クランプ電極３０７と、ＲＦ電極３０８とを備えた容量結合回路３００を示す。シャワーヘッド（すなわち、上側電極）３１０およびＥＳＣ３１２の断面図が示されている。シャワーヘッド３１０は、基準電位または接地３１４に接続されてよい。一実施形態において、シャワーヘッド３１０は、図１の第１ＲＦ整合回路網１２７によってＲＦ給電される。プラズマ３１６が、シャワーヘッド３１０とＥＳＣ３１２との間に提供される。基板３１８が、ＥＳＣ３１２上に配置されている。

クランプチューニング回路３０２、３０３は、クランプ電極３０６、３０７に提供されるクランプ電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。ＲＦチューニング回路３０４は、ＲＦ電極３０８に提供されるバイアス電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。チューニング回路３０２、３０３、および、３０４は、例えば、図１の第２ＲＦ整合回路網１２９（または第１電源）、図１の電源１３５（または第２電源）から、ならびに／もしくは、１または複数のその他の電源から、電力Ｐ_{ｃｌａｍｐ１}、Ｐ_{ｃｌａｍｐ２}、および、Ｐ_{ｏｕｔｅｒ}を受信してよい。チューニング回路３０２、３０３、３０４は、プラズマを通した電圧降下を調節するために用いられてよい。一実施形態において、Ｐ_{ｃｌａｍｐ１}は、Ｐ_{ｃｌａｍｐ２}と等しい。チューニング回路３０２、３０３、３０４の例を図６に示す。チューニング回路３０２、３０３、３０４は、図６に示すように、インピーダンスの内の１以上を備えてよい。チューニング回路３０２、３０３、３０４は、並列インピーダンス経路を備えなくてよく、または、直列インピーダンス経路の代わりに伝送ラインを備えてよい。チューニング回路３０２、３０３、３０４に備えられてよいインピーダンスの例を図７～図１１に示す。インピーダンスは、直列または並列に接続されてよく、シャントインピーダンスであってよく、ならびに／もしくは、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、リアクタンス、伝送ライン、短絡回路または開回路、フィルタリング素子、および／または、その他のインピーダンスを含んでよい。一例として、クランプ電極３０６、３０７は円形であってよく、ＲＦ電極３０８は環状であってよい。

図４は、クランプチューニング回路４０２と、内側ＲＦチューニング回路４０４と、外側ＲＦチューニング回路４０５と、クランプ電極４０６と、内側バイアス電極４０８と、外側バイアス電極４０９とを備えた容量結合回路４００を示す。シャワーヘッド（すなわち、上側電極）４１０およびＥＳＣ４１２の断面図が示されている。シャワーヘッド４１０は、基準電位または接地４１４に接続されてよい。一実施形態において、シャワーヘッド４１０は、図１の第１ＲＦ整合回路網１２７によってＲＦ給電される。プラズマ４１６が、シャワーヘッド４１０とＥＳＣ４１２との間に提供される。基板４１８が、ＥＳＣ４１２上に配置されている。

クランプチューニング回路４０２は、クランプ電極４０６に提供されるクランプ電圧、電流レベル、位相、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。ＲＦチューニング回路４０４、４０５は、バイアス電極４０８、４０９に提供されるバイアス電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。チューニング回路４０２、４０４、４０５は、例えば、図１の第２ＲＦ整合回路網１２９（または第１電源）、図１の電源１３５（または第２電源）から、ならびに／もしくは、１または複数のその他の電源から、電力Ｐ_{ｃｌａｍｐ}、Ｐ_{ｉｎｎｅｒ}、Ｐ_{ｏｕｔｅｒ}を受信してよい。チューニング回路４０２、４０４、４０５は、プラズマを通した電圧降下を調節するために用いられてよい。チューニング回路４０２、４０４、４０５の例を図６に示す。チューニング回路４０２、４０４、４０５は、図６に示すように、インピーダンスの内の１以上を備えてよい。チューニング回路４０２、４０４、４０５は、並列インピーダンス経路を備えなくてよく、または、直列インピーダンス経路の代わりに伝送ラインを備えてよい。チューニング回路４０２、４０４、４０５に備えられてよいインピーダンスの例を図７～図１１に示す。インピーダンスは、直列または並列に接続されてよく、シャントインピーダンスであってよく、ならびに／もしくは、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、リアクタンス、伝送ライン、短絡回路または開回路、フィルタリング素子、および／または、その他のインピーダンスを含んでよい。一例として、クランプ電極４０６および内側バイアス電極４０８は円形であってよく、外側バイアス電極４０９は環状であってよい。

図５は、クランプチューニング回路５０２と、第１内側ＲＦチューニング回路５０４と、第２内側チューニング回路５０５と、外側ＲＦチューニング回路５０６と、クランプ電極５０７と、第１内側バイアス電極５０８と、第２内側バイアス電極５０９と、外側バイアス電極５１０とを備えた容量結合回路５００を示す。シャワーヘッド（すなわち、上側電極）５１１およびＥＳＣ５１２の断面図が示されている。シャワーヘッド５１１は、基準電位または接地５１４に接続されてよい。一実施形態において、シャワーヘッド５１１は、図１の第１ＲＦ整合回路網１２７によってＲＦ給電される。プラズマ５１６が、シャワーヘッド５１１とＥＳＣ５１２との間に提供される。基板５１８が、ＥＳＣ５１２上に配置されている。

クランプチューニング回路５０２は、クランプ電極５０７に提供されるクランプ電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。ＲＦチューニング回路５０４、５０５、５０６は、バイアス電極５０８、５０９、５１０に提供されるバイアス電圧、電流レベル、位相、電力レベル、および／または、周波数を制御するために用いられてよい。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６は、例えば、図１の第２ＲＦ整合回路網１２９（または第１電源）、図１の電源１３５（または第２電源）から、ならびに／もしくは、１または複数のその他の電源から、電力Ｐ_{ｃｌａｍｐ}、Ｐ_{ｉｎｎｅｒ１}、Ｐ_{ｉｎｎｅｒ２}、Ｐ_{ｏｕｔｅｒ}を受信してよい。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６は、プラズマを通した電圧降下を調節するために用いられてよい。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６の例を図６に示す。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６は、図６に示すように、インピーダンスの内の１以上を備えてよい。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６は、並列インピーダンス経路を備えなくてよく、または、直列インピーダンス経路の代わりに伝送ラインを備えてよい。チューニング回路５０２、５０４、５０５、５０６に備えられてよいインピーダンスの例を図７～図１１に示す。インピーダンスは、直列または並列に接続されてよく、シャントリアクタンスであってよく、ならびに／もしくは、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、リアクタンス、伝送ライン、短絡回路または開回路、フィルタリング素子、および／または、その他のインピーダンスを含んでよい。一例として、クランプ電極５０７およびバイアス電極５０８、５０９は円形であってよく、外側バイアス電極５１０は環状であってよい。

図６は、クランプ電極またはバイアス電極などの電極（または負荷）６０２のためのチューニング回路６００を示す。チューニング回路６００は、図２～図５の チューニング回路２０２、２０４、３０２、３０４、３０５、４０２、４０４、４０５、５０２、５０４、５０５、および、５０６のいずれと置き換わってもよい。チューニング回路６００の例を図９～図１０に示す。チューニング回路６００は、ＲＦ電源６０４（図１の電源１２９、１３５の一方など）からＲＦ電力を受信してよい。チューニング回路６００は、直列インピーダンスセット６０６を備えた直列インピーダンス経路６０５と、並列インピーダンスセット６０８を備えた並列インピーダンス経路６０７と、を備えてよい。直列インピーダンスセット６０６は、ＲＦ電源６０４と負荷６０２との間に直列接続された１または複数のインピーダンス６０９を備える。直列インピーダンスセット６０６ならびに１または複数のインピーダンス６０９は、負荷６０２と電源端子６１０との間に接続されている。電源端子６１０は、ＲＦ電源６０４に接続されている。並列インピーダンスセット６０８は、（ｉ）ＲＦ電源６０４および直列インピーダンスセット６０６の間に接続された電源端子６１０と、（ｉｉ）基準端子または接地６１２との間に接続されている。並列インピーダンスセット６０８は、電源端子６１０と基準端子６１２との間に並列接続された１または複数のインピーダンス６１３を備えてよい。

インピーダンス６０９、６１３の一方または両方が、固定インピーダンスであってよい。追加的または代替的に、インピーダンス６０９、６１３の一方または両方が、可変インピーダンスであってもよく、可変インピーダンスは、例えば：現在の処理レシピ；現在の動作パラメータ；１または複数のセンサ（例えば、図１のセンサ１４３）の出力に基づいて測定および／または決定されたパラメータ；ならびに／もしくは、処理システム、ＥＳＣ、および、基板の特徴および／または特性に基づいて、図１のシステムコントローラ１２１によって調節されてよい。

以下の図７～図１１では、特定のインピーダンスが図示されているが、その他のインピーダンスが備えられてもよい。インピーダンスは、電線および／またはその他の導電回路素子からの「漂遊」インダクタンスを含んでもよい。

図７は、単一のＲＦ電源７０２に接続されてよいチューニング回路７００を示す。チューニング回路７００は、２つのクランプ電極７０６、７０８、および、バイアス電極リング７１０のための直列接続インダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３を備える。ＲＦ電源７０２は、図１の電源１２９、１３５と同様に動作してよく、基準端子または接地７１１に接続されてよい。一実施形態（接地されたペデスタル構成とも呼ばれる）において、ＲＦ電源７０２は備えられず、キャパシタＣ１～Ｃ３は、接地７１１に接続される。

図７において、電極７０６、７０８、７１０の断面図が示されている。電極７０６、７０８、７１０は、同心に配置されてよい。Ｌ１およびＣ１は、（ｉ）ＲＦ電源７０２および共通端子７１２と、（ｉｉ）第１内側クランプ電極７０６との間に直列接続されている。Ｌ２およびＣ２は、（ｉ）ＲＦ電源７０２および共通（または電源）端子７１２と、（ｉｉ）中央端子７１４との間に直列接続されており、中央端子７１４は、バイアス電極リング７１０上の２つの点に接続されている。Ｌ３およびＣ３は、（ｉ）ＲＦ電源７０２および共通端子７１２と、（ｉｉ）第２内側クランプ電極７０８との間に直列接続されている。

インダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３は、上述のように、固定値を有してもよいし、図１のシステムコントローラ１２１によって制御される可変装置であってもよい。インダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３が図示されているが、他のインピーダンスがチューニング回路７００に組込まれてもよい。

図７は、電力が共通ノード（または端子）に供給され、複数の電極に電力を供給するために分割される場合の例を提供している。各電極への各経路のインピーダンスは、対応する経路内のインピーダンス（または直列接続インダクタンスおよびキャパシタンス）によって変更されてよい。

図８は、単一のＲＦ電源８０２に接続されてよいチューニング回路８００を示す。チューニング回路８００は、２つのクランプ電極８０４、８０６、および、バイアス電極リング８０８のためのシャントインダクタＬ１～Ｌ３およびシャントキャパシタＣ１～Ｃ３を備える。ＲＦ電源８０２は、図１の電源１２９、１３５と同様に動作してよく、基準端子または接地８１１に接続されてよい。ＲＦ電源８０２は、共通（または電源）端子８１２に接続されており、共通端子８１２は、クランプ電極８０２、８０６、および、中央端子８１４に接続されている。

一実施形態（接地されたペデスタル構成とも呼ばれる）において、ＲＦ電源８０２は備えられず、端子８１２は、接地８１１に接続される。端子８１２が接地８１１に接続される場合、１または複数の直列接続インピーダンスが、（ｉ）ノード８２０と接地８１１との間、（ｉｉ）ノード８２２と接地８１１との間、および／または、ノード８２４と接地８１１との間に接続されてよい。上記の１または複数の直列接続インピーダンスは、インピーダンスＬ１～Ｌ３およびＣ１～Ｃ３と同様であってもよいし、他のインピーダンスを含んでもよい。これは、例えば、対応するシャワーヘッドがＲＦ電力を供給される場合になされてよい。

電極８０２、８０６、８０８の断面図が示されている。電極８０２、８０６、８０８は、同心に配置されてよい。Ｌ１およびＣ１は、第１端子８２０と接地８１１との間に並列接続されている。第１端子８２０は、共通端子８１２と第１クランプ電極８０２との間に接続されている。Ｌ２およびＣ２は、第２端子８２２と接地８１１との間に並列接続されている。第２端子８２２は、共通端子８１２と第１クランプ電極８０２との間に接続されている。Ｌ３およびＣ３は、第３端子８２４と接地８１１との間に並列接続されている。第３端子８２４は、共通端子８１２と第２クランプ電極８０６との間に接続されている。

インダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３は、上述のように、任意および／または所定の固定値を有してもよいし、図１のシステムコントローラ１２１によって制御される可変装置であってもよい。インダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３が図示されているが、他のインピーダンスがチューニング回路８００に組込まれてもよい。

図８は、電力が共通ノードに供給され、複数の電極に電力を供給するために分割される場合の別の例を提供している。各電極への各経路のインピーダンスは、対応する経路に接続されたシャントインピーダンス（またはシャントインダクタンスおよびキャパシタンス）によって変更されてよい。

図９は、デュアルＲＦ電源９０２、９０４に接続されたチューニング回路９００を示す。チューニング回路９００は、２つのクランプ電極９０６、９０８およびバイアス電極リング９１０のための直列接続されたインダクタＬ１～Ｌ３およびキャパシタＣ１～Ｃ３ならびにシャント接続されたインダクタＬ４～Ｌ６およびキャパシタＣ４～Ｃ６を備える。ＲＦ電源９０２、９０４は、図１の電源１２９、１３５と同様に動作してよく、基準端子または接地９１１に接続されてよい。ＲＦ電源９０２、９０４は、共通（または電源）端子９１２に接続されており、同じ周波数または異なる周波数の電力を供給してよい。

一実施形態（接地されたペデスタル構成とも呼ばれる）において、ＲＦ電源９０２、９０４は備えられず、端子９１２は、接地９１１に接続される。端子９１２が接地９１１に接続される場合、１または複数の直列接続インピーダンスが、（ｉ）ノード９２０と接地９１１との間、（ｉｉ）ノード９２２と接地９１１との間、および／または、ノード９２４と接地９１１との間に接続されてよい。上記の１または複数の直列接続インピーダンスは、インピーダンスＬ１～Ｌ３およびＣ１～Ｃ３と同様であってもよいし、他のインピーダンスを含んでもよい。これは、例えば、対応するシャワーヘッドがＲＦ電力を供給される場合になされてよい。

インダクタＬ１およびキャパシタＣ１は、共通端子９１２と第１クランプ電極９０６との間に直列接続されている。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２は、中央端子９１４と共通端子９１２との間に直列接続されている。中央端子は、バイアス電極リング９１０上の２つの点に接続されている。

電極９０６、９０８、９１０の断面図が示されている。電極９０６、９０８、９１０は、同心に配置されてよい。Ｌ４およびＣ４は、第１端子９２０と接地９１１との間に並列接続されている。第１端子９２０は、キャパシタＣ１と共通端子９１２との間に接続されている。Ｌ５およびＣ５は、第２端子９２２と接地９１１との間に並列接続されている。第２端子９２２は、キャパシタＣ２と共通端子９１２との間に接続されている。Ｌ６およびＣ６は、第３端子９２４と接地９１１との間に並列接続されている。第３端子９２４は、キャパシタＣ３と共通端子９１２との間に接続されている。

インダクタＬ１～Ｌ６およびキャパシタＣ１～Ｃ６は、上述のように、任意および／または所定の固定値を有してもよいし、図１のシステムコントローラ１２１によって制御される可変装置であってもよい。インダクタＬ１～Ｌ６およびキャパシタＣ１～Ｃ６が図示されているが、他のインピーダンスがチューニング回路９００に組込まれてもよい。Ｌ４～Ｌ６およびＣ４～Ｃ６は、任意の回路網であってよく、回路網は、インダクタおよび／またはキャパシタを備えなくてもよい。

図１０は、２つのチューニング回路１０００、１００２が、それぞれのＲＦ電源１００４、１００６に接続されてよいことを示している。第１チューニング回路１０００は、２つのクランプ電極１０１０、１０１２のための直列接続されたインダクタＬ１、Ｌ３およびキャパシタＣ１、Ｃ３ならびにシャント接続されたインダクタＬ４、Ｌ６およびキャパシタＣ４、Ｃ６を備える。第２チューニング回路１００２は、バイアス電極リング１０１４のための直列接続されたインダクタＬ２およびキャパシタＣ２ならびにシャント接続されたインダクタＬ５およびキャパシタＣ５を備える。ＲＦ電源１００４、１００６は、図１の電源１２９、１３５と同様に動作してよく、基準端子または接地１０１６に接続されてよい。ＲＦ電源１００４は、共通（または電源）端子１０１８に接続されており、共通端子１０１８は、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ６、Ｌ４、Ｌ６に接続されている。ＲＦ電源１００６は、Ｃ２およびＬ２を介して中央端子１０２０に接続されている。ＲＦ電源１００４、１００６は、同じ周波数または異なる周波数の電力を供給してよい。

インダクタＬ１およびキャパシタＣ１は、共通端子１０１８と第１クランプ電極１０１０との間に直列接続されている。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２は、中央端子１０２０とＲＦ電源１００６との間に直列接続されている。中央端子１０２０は、バイアス電極リング１０１４上の２つの点に接続されている。

電極１０１０、１０１２、１０１４の断面図が示されている。電極１０１０、１０１２、１０１４は、同心に配置されてよい。Ｌ４およびＣ４は、第１端子１０３０と接地１０１６との間に並列接続されている。第１端子１０３０は、キャパシタＣ１と共通端子１０１８との間に接続されている。Ｌ５およびＣ５は、第２端子１０３２と接地１０１６との間に並列接続されている。第２端子１０３２は、キャパシタＣ２と共通端子１０１８との間に接続されている。Ｌ６およびＣ６は、第３端子１０３４と接地１０１６との間に並列接続されている。第３端子１０３４は、キャパシタＣ３と共通端子１０１８との間に接続されている。

インダクタＬ１～Ｌ６およびキャパシタＣ１～Ｃ６は、上述のように、任意および／または所定の固定値を有してもよいし、図１のシステムコントローラ１２１によって制御される可変装置であってもよい。インダクタＬ１～Ｌ６およびキャパシタＣ１～Ｃ６が図示されているが、他のインピーダンスがチューニング回路１０００に組込まれてもよい。Ｌ４～Ｌ６およびＣ４～Ｃ６は、任意の回路網であってよく、回路網は、インダクタおよび／またはキャパシタを備えなくてもよい。

一実施形態において、ＲＦ電源１００４は備えられず、端子１０１８は、接地１０１６に接続される。別の実施形態において、ＲＦ電源１００６は備えられず、端子１０３２は、接地１０１６に接続される。さらに別の実施形態においては、ＲＦ電源１００４、１００６のどちらも備えられず、端子１０１８および１０３２は、接地１０１６に接続される。端子１０１８および／または端子１０３２が接地１０１６に接続される場合、１または複数の直列接続インピーダンスが、（ｉ）ノード１０３０と接地１０１６との間、（ｉｉ）ノード１０３４と接地１０１６との間、および／または、ノード１０３２と接地１０１６との間に接続されてよい。上記の１または複数の直列接続インピーダンスは、インピーダンスＬ１～Ｌ３およびＣ１～Ｃ３と同様であってもよいし、他のインピーダンスを含んでもよい。これは、例えば、対応するシャワーヘッドがＲＦ電力を供給される場合になされてよい。

図１１は、２つのクランプ電極１１０２、１１０４およびバイアス電極リング１１０６のための並列接続キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１、Ｌ２を備えたチューニング回路１１００を示す。電極１１０２、１１０４、１１０６は、同心に配置されてよい。キャパシタＣ１およびＣ２は、（ｉ）クランプ電極１１０２、１１０４の間、かつ、（ｉｉ）電源端子１１１０、１１１２間に直列接続されている。インダクタＬ１、Ｌ２は、それぞれ、キャパシタＣ１、Ｃ２と並列接続され、（ｉ）クランプ電極１１０２、１１０４の間、かつ、（ｉｉ）電源端子１１１０、１１１２の間に直列接続されている。中央端子１１１４、１１１６は、それぞれ、キャパシタＣ１、Ｃ２の間、および、インダクタＬ１、Ｌ２の間に接続されている。中央端子１１１４、１１１６は、（ｉ）バイアス電極リング１１０６上の２つの点と、（ｉｉ）第３（または中央）電源端子１１１８との両方に接続されている。電源端子１１１０、１１１２は、それぞれ、クランプ電極１１０２、１１０４に接続されている。電源端子１１１０、１１１２、１１１８は、それぞれの電源に接続されてよい。一実施形態において、電源端子１１１０、１１１２、１１１８の内の１以上が、ＲＦ電源に接続されず、基準端子または接地に接続される。

インダクタＬ１～Ｌ２およびキャパシタＣ１～Ｃ２は、上述のように、任意および／または所定の固定値を有してもよいし、図１のシステムコントローラ１２１によって制御される可変装置であってもよい。インダクタＬ１～Ｌ２およびキャパシタＣ１～Ｃ２が図示されているが、他のインピーダンスがチューニング回路１１００に組込まれてもよい。インダクタＬ１～Ｌ２およびキャパシタＣ１～Ｃ２は、複数の周波数の電力を各電極へ供給するために電極間に接続される結合要素である。

チューニング回路１１００は、図３、図５、および、図７～図１０に示した回路のいずれかと組み合わせて用いられてもよい。例えば、キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１、Ｌ２は：図３の電極３０６、３０７および電極リング３０８；図５の電極５０８、５０９および電極リング５１０；図７の電極７０６、７０８および電極リング７１０；図８の電極８０２、８０６および電極リング８０８；図９の電極９０６、９０８および電極リング９１０；ならびに、図１０の電極１０１０、１０１２および電極リング１０１４、へ同様に接続されてよい。

図２～図１１の上述の例において、電力が複数の周波数で供給される場合、所与の電極への経路は、特定の周波数の電力をその電極へ供給するために、周波数依存フィルタリング素子を備えてよい。上述のインピーダンスは、周波数依存フィルタリング素子を備えてよい。さらに、異なる電極に供給される電力は、電源によって供給される電力が同じ周波数または異なる周波数になるように、同じ周波数または異なる周波数で動作する別個の（または異なる）電源によって供給されてよい。図９～図１０は、複数の電源を備えた例を示している。一代替例として、電源の内の１以上が備えられなくてもよく、対応する端子（例えば、端子９１２、１０１８、１０３２）が、基準端子または接地に接続されてよい。

図１２は、静電チャックの電極のチューニング回路のためのインピーダンス値の設定および調節を含む、基板処理システムを動作させる方法の一例を示す。以下の工程は 、主に図１～図１１の実施例に関して記載されているが、本開示のその他の実施例に適用するために容易に変形できる。工程は、反復して実行されてもよい。工程は、例えば、図１のシステムコントローラ１２１によって実行されてよい。

方法は、工程１２００で開始しうる。工程１２０２で、実行される処理が選択される。処理の例は、洗浄処理、エッチング処理、蒸着処理、アニーリング処理などである。工程１２０４で、システム動作パラメータを含むレシピが、選択された処理の実行に向けて決定される。システム動作パラメータの例は：ガス圧および流量；処理チャンバ、ＥＳＣ、および、基板の温度；ＲＦバイアス電圧；クランプ電圧；電極電圧、電流レベル、電力レベル、および／または、周波数、などである。

工程１２０６で、処理チャンバ、ＥＳＣ、および、基板の特徴および／または特性が決定される。特徴および特性の例は、処理チャンバの幾何値、ＥＳＣの組成、ＥＳＣの加熱および冷却特性（例えば、加熱および冷却速度）、ＥＳＣのサイズ、基板の組成、ＥＳＣおよび／または基板の材料、などである。

工程１２０８で、システム動作パラメータが、システムコントローラ１２１によって設定されてよい。これは、上述のアクチュエータの動作を制御する工程を含んでよい。工程１２１０で、チューニング回路のインピーダンス値が、選択された処理、レシピ、および、システム動作パラメータに基づいて設定される。インピーダンス値は、追加的または代替的に、処理チャンバ、ＥＳＣ、および／または、基板の特徴および／または特性に基づいて設定されてもよい。一例として、本明細書に記載の他のパラメータ、特徴、および／または、特性にインピーダンス値を関連付けるルックアップテーブルが、システムコントローラ１２１のメモリに格納されてよい、および／または、システムコントローラ１２１によってアクセスされてよい。システムコントローラ１２１は、上述のように第２ＲＦ整合回路網１２９のインピーダンス１２８を設定してもよい。

工程１２１２で、基板は、ＥＳＣ上に配置されてよい。これは、基板をＥＳＣにクランプするためにクランプ電圧を供給する工程を含んでよい。工程１２１４で、処理動作が実行される。処理動作の例は、洗浄動作、ガスを流す動作、プラズマを流して点火する動作、エッチング動作、蒸着動画、アニーリング動作、アニーリング後の動作、処理チャンバのパージ動作、などである。

工程１２１６、１２１８、１２２０、１２２２は、工程１２１２の実行中に実行されてよい。工程１２１６で、基板処理システムのセンサ出力データを含むセンサ出力信号が監視される。これは、図１のセンサ１４３、１４４、１４５から信号を受信する工程を含んでよい。工程１２１８で、パラメータが、センサ１４３、１４４、１４５、および／または、その他のセンサからのセンサ出力信号、データ、ならびに／もしくは、対応する測定値（温度、ガス圧、電圧、電流レベル、電力レベルなど）に基づいて決定されてよい。

工程１２２０で、システムコントローラ１２１は、測定値および／または決定されたパラメータに基づいて、チューニング回路のインピーダンス値を調節するか否かを決定してよい。この決定は、選択された処理、レシピ、システム動作パラメータ、ならびに／もしくは、処理チャンバ、ＥＳＣ、および／または、基板の特徴および／または特性に基づいてよい。特性は、動的に変化しうる。一実施形態において、インピーダンス値は、特性の変化に基づいて、所定の軌跡に従うように調節される。所定の軌跡は、例えば、メモリに格納された所定の曲線であってよい。インピーダンス値をその他の値およびパラメータに関連付けるテーブルが、メモリに格納されてよい。１または複数のインピーダンス値が変更される場合、動作１２２２が実行され、そうでない場合には、動作１２１６が実行されてよい。一実施形態において、１または複数の電極に供給される電力が、対応するインピーダンスの値を変更することによって調節される。これにより、基板の応力、厚さ、均一性、屈折率、エッチング速度、蒸着速度、および／または、その他の固有値、ならびに／もしくは、プロファイルパラメータを変化させることができる。

工程１２２２で、システムコントローラ１２１は、例えば、１以上のインピーダンスのインダクタンス、キャパシタンス、インピーダンス、および／または、抵抗を変化させることによって、チューニング回路の１以上のインピーダンス値を調節する。この調節（または調節量）は、測定および／または決定されたパラメータ、選択された処理、レシピ、システム動作パラメータ、ならびに／もしくは、処理チャンバ、ＥＳＣ、および／または、基板の特徴および／または特性に基づいてよい。システムコントローラ１２１は、上述のように第２ＲＦ整合回路網１２９のインピーダンス１２８を調節してもよい。動作１２２２の後に、動作１２１６が実行されてよい。

工程１２２４で、システムコントローラ１２１は、現在の処理の修正または別の処理の実行を行うか否かを決定する。現在の処理の修正または別の処理の実行を行う場合、工程１２０２が実行されてよい。現在の処理が修正されず、かつ、さらなる処理が実行されない場合、方法は、工程１２２６で終了してよい。

上述の工程は、例示であることを意図している。工程は、応用例に応じて、順番に、チューニングして、同時に、連続的に、重複した期間内に、または、異なる順序で、実行されてよい。また、工程のいずれかが、実施例および／またはイベントの順序に応じて、実行されなくても飛ばされてもよい。

図１３は、外側リング電極１３０２と、２つの内側電極１３０４、１３０６を備えた基板支持体の一例１３００を示す。電極１３０２、１３０４、１３０６は、図３、図５、および、図７～図１１に示したような、２つの内側電極および外側電極の一例として提供されている。内側電極１３０４、１３０６は、「Ｄ字」型の電極であってよく、外側リング電極１３０２の半径方向内側に配置されている。ギャップ１３０８および１３１０が、内側電極１３０４、１３０６と、外側リング電極１３０２との間に存在する。外側リング電極１３０２は、外側リング１３１１と、内側電極１３０４、１３０６の間に伸びる線形の中央部材１３１２と、を備えてよい。ギャップ１３１４および１３１６が、内側電極１３０４、１３０６と、中央部材１３１２との間に存在してよい。中央部材１３１２は、外側リング１３１１の中央領域１３２０を通って内側電極１３０４、１３０６の間に伸びており、中央領域１３２０を二等分している。一実施形態において、電力が、中央部材１３１２の中心で外側リング電極１３０２に供給される。電力が、中央部材１３１２の中心付近で内側電極１３０４、１３０６の部分に提供されてよい。

上述の例は、静電チャックおよび／またはその他のペデスタル（または基板支持体）内の電極のパラメータを設定および調節するためのインピーダンスを有するチューニング回路を備えたＲＦチューニングシステムを提供している。ペデスタルは、静電チャックではなくてもよい。これは、処理チャンバ（例えば、ＰＥＣＶＤリアクタ）内のプラズマに供給される電力の空間的調整を提供する。これらの例は、膜蒸着および均一性のための新しい制御パラメータを提供する。外側環状電極および内側円形電極を含む一例として、基板の外周のプラズマの相対強度が、電極に供給される電力を変調させることによって変えられてよい。これは、上述のように、対応するインピーダンスを変調（すなわち調節）することによって達成されうる。ガスパラメータまたは電力全体を変えるのと異なり、電極に供給される電力を変調させることは、基板全体に影響する全体的パラメータを必ずしも変えることがなく、基板の膜の選択領域（例えば、基板の膜の周縁部）を変えることを可能にする。これは、プラズマの外側部分を変更するために金属または誘電体リングを利用すること（これは、ガス流の変動を引き起こし、その結果として、膜の周縁部というよりもむしろ、基板膜の膜を変える全体的な影響を持ちうる）を含む従来の技術とは異なる。

上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。

いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。

概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。

コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。一部の例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１以上の集積回路である。

限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。

上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。本開示は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムであって、
電源端子と、
前記基板を保持するよう構成された基板支持体であって、前記基板支持体は、複数の電極を備え、前記複数の電極は、第１電極および第２電極を含み、前記第１電極および前記第２電極は、前記電源端子を介して第１電源から電力を受信する、基板支持体と、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に接続された第１チューニング回路と、
を備え、
前記第１チューニング回路は、前記第１電極に供給される１または複数の信号を調整することに割り当てられ、前記第１チューニング回路は、
前記第１電極と前記第１電源との間に直列接続された第１インピーダンスセットであって、前記第１インピーダンスセットは、前記電源端子を介して前記第１電源から第１信号を受信し、前記１または複数の信号は、前記第１信号を含む、第１インピーダンスセット、または、
前記第１電源の出力と基準端子との間に接続された第２インピーダンスセットであって、前記第２インピーダンスセットは、前記電源端子を介して前記第１電源から前記第１信号を受信する、第２インピーダンスセット、の内の少なくとも一方を備える、基板処理システム。
［適用例２］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットを備える、基板処理システム。
［適用例３］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、前記第１インピーダンスセットのインピーダンスの値および前記第２インピーダンスセットのインピーダンスの値を調節するよう構成されたシステムコントローラを備える、基板処理システム。
［適用例４］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、前記第１電極へ供給される前記１または複数の信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、および／または、周波数を調節する、基板処理システム。
［適用例５］
適用例１に記載の基板処理システムであって、
前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットを備え、
前記第２インピーダンスセットは、前記第１インピーダンスセットと前記基準端子との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例６］
適用例１に記載の基板処理システムであって、
前記第１電源は、整合回路網を備え、
前記整合回路網は、前記第１電源と前記電源端子との間に接続され、
前記第１チューニング回路は、前記電源端子と前記第１電極との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例７］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、整合回路網の中に含まれていない、基板処理システム。
［適用例８］
適用例７に記載の基板処理システムであって、前記第１電源と前記第１チューニング回路との間に、整合回路網が接続されていない、基板処理システム。
［適用例９］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、第２チューニング回路を備え、
前記第１チューニング回路は、前記第１電源から前記第１電極へ供給される前記第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されており、
前記第２チューニング回路は、前記第１電源から前記第２電極へ供給される前記第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されており、
前記１または複数の信号は、前記第１信号を含む、基板処理システム。
［適用例１０］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、第２電源と、第２チューニング回路と、を備え、
前記第１チューニング回路は、前記第１電源から前記第１電極へ供給される前記第１信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されており、
前記第２チューニング回路は、前記第２電源から前記第２電極へ供給される第２信号の電圧、電流レベル、位相、電力レベル、または、周波数を調節するよう構成されており、
前記１または複数の信号は、前記第１信号および前記第２信号を含む、基板処理システム。
［適用例１１］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記複数の電極は、同心に配置されている、基板処理システム。
［適用例１２］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、第２チューニング回路と、第３チューニング回路と、を備え、
前記複数の電極は、第３電極を含み、
前記第１チューニング回路は、前記第１電極に接続され、前記第１電極で受信される前に前記第１信号を変調するよう構成されており、
前記第２チューニング回路は、前記第２電極に接続され、前記第２電極で受信される前に前記第１信号または第２信号を変調するよう構成されており、
前記第３チューニング回路は、前記第３電極に接続され、前記第３電極で受信される前に前記第１信号または第３信号を変調するよう構成されている、基板処理システム。
［適用例１３］
適用例１２に記載の基板処理システムであって、前記第１電極、第２電極、および、第３電極は、同心に配置されている、基板処理システム。
［適用例１４］
適用例１２に記載の基板処理システムであって、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極および前記第２電極は、クランプ電極であり、前記基板を前記基板支持体にクランプするためにクランプ電圧を受信するよう構成されており、
前記第３電極は、バイアス電極であり、バイアス電圧を受信するよう構成されており、
前記第３信号は、前記第３チューニング回路によって第３電源から受信される、基板処理システム。
［適用例１５］
適用例１２に記載の基板処理システムであって、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極は、クランプ電極であり、
前記第２電極および前記第３電極は、バイアス電極であり、
前記第２信号は、前記第２チューニング回路によって第２電源から受信される、基板処理システム。
［適用例１６］
適用例１に記載の基板処理システムであって、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極は、クランプ電極であり、
前記第２電極は、クランプ電極であり、
前記複数の電極は、電極リングを含み、
前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備え、
前記第１インピーダンスセットは、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、
前記第３インピーダンスセットは、前記電極リングと前記第１電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備え、
前記第４インピーダンスセットは、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備える、基板処理システム。
［適用例１７］
適用例１に記載の基板処理システムであって、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極は、クランプ電極であり、
前記第２電極は、クランプ電極であり、
前記複数の電極は、電極リングを含み、
前記第１チューニング回路は、前記第２インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備え、
前記第２インピーダンスセットは、第１電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、前記第１電極端子は、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続されており、
前記第３インピーダンスセットは、第２電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備え、前記第２電極端子は、前記電極リングと前記第１電源との間に接続されており、
前記第４インピーダンスセットは、第３電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備え、前記第３電極端子は、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例１８］
適用例１に記載の基板処理システムであって、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極は、クランプ電極であり、
前記第２電極は、クランプ電極であり、
前記複数の電極は、電極リングを含み、
前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスセット、前記第２インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、第４インピーダンスセット、第５インピーダンスセット、および、第６インピーダンスセットを備え、
前記第１インピーダンスセットは、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、
前記第３インピーダンスセットは、前記電極リングと前記第１電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備え、
前記第４インピーダンスセットは、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備え、
前記第２インピーダンスセットは、第１電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第４インダクタおよび第４キャパシタを備え、前記第１電極端子は、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続されており、
前記第５インピーダンスセットは、第２電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第５インダクタおよび第５キャパシタを備え、前記第２電極端子は、前記電極リングと前記第１電源との間に接続されており、
前記第６インピーダンスセットは、第３電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第６インダクタおよび第６キャパシタを備え、前記第３電極端子は、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例１９］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、第２電源が、前記第１端子、前記第２端子、および、前記第３端子に接続されている、基板処理システム。
［適用例２０］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、第２チューニング回路を備え、
前記基板支持体は、静電チャックであり、
前記第１電極は、第１クランプ電極であり、
前記第２電極は、第２クランプ電極であり、
前記複数の電極は、電極リングを含み、
前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスセット、第３インピーダンスセット、および、第４インピーダンスセットを備え、
前記第２チューニング回路は、前記第２インピーダンスセット、第５インピーダンスセット、および、第６インピーダンスセットを備え、
前記第１インピーダンスセットは、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、
前記第３インピーダンスセットは、前記電極リングと第２電源との間に接続された第２インダクタおよび第２キャパシタを備え、
前記第４インピーダンスセットは、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続された第３インダクタおよび第３キャパシタを備え、
前記第２インピーダンスセットは、第１電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第４インダクタおよび第４キャパシタを備え、前記第１電極端子は、前記第１クランプ電極と前記第１電源との間に接続されており、
前記第５インピーダンスセットは、第２電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第５インダクタおよび第５キャパシタを備え、前記第２電極端子は、前記電極リングと前記第２電源との間に接続されており、
前記第６インピーダンスセットは、第３電極端子と前記基準端子との間に並列接続された第６インダクタおよび第６キャパシタを備え、前記第３電極端子は、前記第２クランプ電極と前記第１電源との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例２１］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記電源端子と前記複数の電極との間に、整合回路網が接続されていない、基板処理システム。
［適用例２２］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１電源からの電力が、前記電力の一部を前記複数の電極にそれぞれ供給するために分割される、基板処理システム。
［適用例２３］
適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットは、可変インダクタンスを備える、基板処理システム。
［適用例２４］
適用例１に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記処理チャンバと、
前記第１電源と、
前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、
を備える、基板処理システム。
［適用例２５］
処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムであって、
前記基板を保持するよう構成された基板支持体であって、前記基板支持体は、複数の電極を備え、前記複数の電極は、第１電極、第２電極、および、第３電極を含む、基板支持体と、
前記第１電極と前記第３電極との間に接続された第１インピーダンスと、
前記第２電極と前記第３電極との間に接続された第２インピーダンスと、
を備え、
前記第１インピーダンスは、（ｉ）前記第１電極と前記第２インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第１電源と前記第２インピーダンスとの間、に接続されており、
前記第２インピーダンスは、（ｉ）前記第２電極と前記第１インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第２電源と前記第１インピーダンスとの間、に接続されており、
前記第１インピーダンスおよび前記第２インピーダンスは、（ｉ）前記第１電源によって前記第１電極へ供給される第１信号、および、（ｉｉ）前記第２電源によって前記第２電極へ供給される第２信号、を調整することに割り当てられている、基板処理システム。
［適用例２６］
適用例２５に記載の基板処理システムであって、前記第１インピーダンスは、前記第２インピーダンスに直列接続されている、基板処理システム。
［適用例２７］
適用例２５に記載の基板処理システムであって、
前記第１インピーダンスは、前記第１電極と第３電源との間に接続されており、
前記第２インピーダンスは、前記第２電極と前記第３電源との間に接続されている、基板処理システム。
［適用例２８］
適用例２７に記載の基板処理システムであって、前記第３電源は、前記第３電極に接続されている、基板処理システム。
［適用例２９］
適用例２５に記載の基板処理システムであって、さらに、第３インピーダンスと、第４インピーダンスと、を備え、
前記第３インピーダンスは、（ｉ）前記第１電極と前記第３電極との間、（ｉｉ）前記第１電極と前記第４インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）前記第１電源と前記第４インピーダンスとの間、に接続されており、
前記第４インピーダンスは、（ｉ）前記第２電極と前記第３電極との間、（ｉｉ）前記第２電極と前記第３インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）前記第２電源と前記第３インピーダンスと間、に接続されており、
前記第３インピーダンスおよび前記第４インピーダンスは、（ｉ）前記第１電源によって前記第１電極へ供給される前記第１信号、および、（ｉｉ）前記第２電源によって前記第２電極へ供給される前記第２信号、を調整することに割り当てられている、基板処理システム。
［適用例３０］
適用例２９に記載の基板処理システムであって、
前記第１インピーダンスおよび前記第３インピーダンスは、前記第１電極と第３電源との間に並列接続されており、
前記第２インピーダンスおよび前記第４インピーダンスは、前記第２電極と前記第３電源との間に並列接続されている、基板処理システム。
［適用例３１］
適用例３０に記載の基板処理システムであって、前記第３電源は、前記第３電極に接続されている、基板処理システム。
［適用例３２］
適用例２５に記載の基板処理システムであって、前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットは、可変インダクタンスを備える、基板処理システム。
［適用例３３］
適用例２５に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記処理チャンバと、
前記第１電源と、
前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、
を備える、基板処理システム。
［適用例３４］
基板処理システムを動作させる方法であって、
処理を選択する工程と、
前記選択された処理のためのシステム動作パラメータを含むレシピを決定する工程と、
複数のアクチュエータを制御して、前記システム動作パラメータを設定する工程と、
前記選択された処理および前記システム動作パラメータに基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程であって、前記第１チューニング回路は、基板支持体内の第１電極に接続され、前記第１チューニング回路は、前記第１電極へ供給される信号を調整することに割り当てられ、前記第１チューニング回路は、
前記第１電極と第１電源との間に直列接続された第１インピーダンスセットであって、前記第１インピーダンスセットは、前記第１電源から第１信号を受信し、前記１または複数の信号は、前記第１信号を含む、第１インピーダンスセット、または、
前記第１電源の出力と基準端子との間に接続された第２インピーダンスセットであって、前記第２インピーダンスセットは、前記第１電源から前記第１信号を受信する、第２インピーダンスセット、の内の少なくとも一方を備える、工程と、
処理チャンバ内の前記基板支持体上に基板を配置する工程と、
前記第１電源から前記基板支持体内の複数の電極へ電力を供給する動作を含む、前記選択された処理のための処理動作を実行する工程であって、前記複数の電極は、前記第１電極および第２電極を含み、前記第１電極および前記第２電極は、電源端子を介して前記第１電源から電力を受信する、工程と、
を備える、方法。
［適用例３５］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、前記処理動作を実行する間に、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節する工程を備える、方法。
［適用例３６］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、前記処理動作を実行する間に、
センサ出力データを収集する工程と、
前記センサ出力データに基づいて、１または複数のパラメータを決定する工程と、
前記１または複数のパラメータに基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節する工程と、
を備える、方法。
［適用例３７］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、
前記処理チャンバの特徴または特性を決定する工程と、
前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
を備える、方法。
［適用例３８］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、
前記基板支持体の特徴または特性を決定する工程と、
前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
を備える、方法。
［適用例３９］
適用例３８に記載の方法であって、さらに、前記特性の変化に基づいて、前記第１インピーダンスセットまたは前記第２インピーダンスセットの少なくとも一方のインピーダンスを調節して、それぞれの軌跡に従わせる工程を備える、方法。
［適用例４０］
適用例３９に記載の方法であって、さらに、
前記特徴、
前記特性、
前記基板、前記基板支持体、または、前記処理チャンバの１または複数の他の特徴、ならびに、
前記基板、前記基板支持体、または、前記処理チャンバの１または複数の他の特性、
の内の少なくとも１つに基づいて、前記軌跡を計算または決定する工程を備える、方法。
［適用例４１］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、
前記基板の特徴または特性を決定する工程と、
前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
を備える、方法。
［適用例４２］
適用例３４に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記基板支持体にクランプするために、前記第１電源によって前記第１電極へクランプ電圧を供給する工程と、
バイアス電圧を前記第２電極へ供給する工程と、
前記第１チューニング回路または第２チューニング回路によって前記クランプ電圧および前記バイアス電圧を調整する工程と、
を備え、
前記基板支持体は、静電チャックである、方法。
［適用例４３］
適用例４２に記載の方法であって、前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスおよび前記第２インピーダンスを備える、方法。
［適用例４４］
適用例４２に記載の方法であって、さらに、
前記第１チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、前記第１電極へ供給される前記クランプ電圧を調整する工程と、
前記第２チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、前記第２電極へ供給される前記バイアス電圧を調整する工程と、
を備え、
前記基板支持体は、静電チャックである、方法。
［適用例４５］
適用例３６に記載の方法であって、さらに、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節することにより、前記基板支持体の表面の上方の点および表面に沿った点のそれぞれのペアでのプラズマの電位差を調節する工程を備える、方法。
［適用例４６］
適用例３６に記載の方法であって、さらに、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値に基づいて、バイアス高周波整合回路網におけるインピーダンス値を調節する工程を備え、前記バイアス高周波整合回路網は、前記電源と前記第１チューニング回路との間に接続されている、方法。
［適用例４７］
処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムであって、
電源端子と、
前記基板を保持するよう構成された基板支持体であって、前記基板支持体は、複数の電極を備え、前記複数の電極は、第１電極および第２電極を含む、基板支持体と、
前記第１電極に接続され、前記第１電極のインピーダンスを調整することに割り当てられた第１チューニング回路であって、前記第１チューニング回路は、前記第１電極および接地に接続された第１インピーダンスセットを備える、第１チューニング回路と、
前記第２電極に接続され、前記第２電極のインピーダンスを調整することに割り当てられた第２チューニング回路であって、前記第２チューニング回路は、前記第２電極および前記接地に接続された第２インピーダンスセットを備える、第２チューニング回路と、
を備える、基板処理システム。
［適用例４８］
適用例４７に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、前記第１電極と前記接地との間に直列接続されている、基板処理システム。
［適用例４９］
適用例４８に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える、基板処理システム。
［適用例５０］
適用例４９に記載の基板処理システムであって、前記第２チューニング回路は、前記第２電極と前記接地との間に直列接続されている、基板処理システム。
［適用例５１］
適用例５０に記載の基板処理システムであって、前記第２チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える、基板処理システム。
［適用例５２］
適用例４７に記載の基板処理システムであって、
前記第１チューニング回路は、前記第１電極と前記第２電極との間に接続され、
前記第１電極および前記第２電極は、前記接地に接続されている、基板処理システム。
［適用例５３］
適用例５２に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記接地に接続された第３電極と、
前記第２電極と前記第３電極との間に接続された第３チューニング回路と、
を備える、基板処理システム。
［適用例５４］
適用例５３に記載の基板処理システムであって、
前記第１チューニング回路は、第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、
前記第２チューニング回路は、第２インダクタおよび第２キャパシタを備える、基板処理システム。
［適用例５５］
適用例４７に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路および前記第２チューニング回路は、可変インダクタンスを備える、基板処理システム。
［適用例５６］
適用例４７に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記処理チャンバと、
前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、
を備える、基板処理システム。

Claims (30)

1. 処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムであって、
   前記基板を保持するよう構成された基板支持体であって、前記基板支持体は、複数の電極を備え、前記複数の電極は、第１電極、第２電極、および、第３電極を含む、基板支持体と、
   前記第１電極と前記第３電極との間に接続された第１インピーダンスと、
   前記第２電極と前記第３電極との間に接続された第２インピーダンスと、
   を備え、
   前記第１インピーダンスは、（ｉ）前記第１電極と前記第２インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第１電源と前記第２インピーダンスとの間、に接続されており、
   前記第２インピーダンスは、（ｉ）前記第２電極と前記第１インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉ）第２電源と前記第１インピーダンスとの間、に接続されており、
   前記第１インピーダンスおよび前記第２インピーダンスは、（ｉ）前記第１電源によって前記第１電極へ供給される第１信号、および、（ｉｉ）前記第２電源によって前記第２電極へ供給される第２信号、を調整することに割り当てられている、基板処理システム。
2. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記第１インピーダンスは、前記第２インピーダンスに直列接続されている、基板処理システム。
3. 請求項１に記載の基板処理システムであって、
   前記第１インピーダンスは、前記第１電極と第３電源との間に接続されており、
   前記第２インピーダンスは、前記第２電極と前記第３電源との間に接続されている、基板処理システム。
4. 請求項３に記載の基板処理システムであって、前記第３電源は、前記第３電極に接続されている、基板処理システム。
5. 請求項１に記載の基板処理システムであって、さらに、第３インピーダンスと、第４インピーダンスと、を備え、
   前記第３インピーダンスは、（ｉ）前記第１電極と前記第３電極との間、（ｉｉ）前記第１電極と前記第４インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）前記第１電源と前記第４インピーダンスとの間、に接続されており、
   前記第４インピーダンスは、（ｉ）前記第２電極と前記第３電極との間、（ｉｉ）前記第２電極と前記第３インピーダンスとの間、かつ、（ｉｉｉ）前記第２電源と前記第３インピーダンスと間、に接続されており、
   前記第３インピーダンスおよび前記第４インピーダンスは、（ｉ）前記第１電源によって前記第１電極へ供給される前記第１信号、および、（ｉｉ）前記第２電源によって前記第２電極へ供給される前記第２信号、を調整することに割り当てられている、基板処理システム。
6. 請求項５に記載の基板処理システムであって、
   前記第１インピーダンスおよび前記第３インピーダンスは、前記第１電極と第３電源との間に並列接続されており、
   前記第２インピーダンスおよび前記第４インピーダンスは、前記第２電極と前記第３電源との間に並列接続されている、基板処理システム。
7. 請求項６に記載の基板処理システムであって、前記第３電源は、前記第３電極に接続されている、基板処理システム。
8. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットは、可変インダクタンスを備える、基板処理システム。
9. 請求項１に記載の基板処理システムであって、さらに、
   前記処理チャンバと、
   前記第１電源と、
   前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、
   を備える、基板処理システム。
10. 基板処理システムを動作させる方法であって、
    処理を選択する工程と、
    前記選択された処理のためのシステム動作パラメータを含むレシピを決定する工程と、
    複数のアクチュエータを制御して、前記システム動作パラメータを設定する工程と、
    前記選択された処理および前記システム動作パラメータに基づいて、第１チューニング回路のインピーダンス値を設定する工程であって、前記第１チューニング回路は、基板支持体内の第１電極に接続され、前記第１チューニング回路は、前記第１電極へ供給される１または複数の信号を調整することに割り当てられ、前記第１チューニング回路は、
    前記第１電極と第１電源との間に直列接続された第１インピーダンスセットであって、前記第１インピーダンスセットは、前記第１電源から第１信号を受信し、前記１または複数の信号は、前記第１信号を含む、第１インピーダンスセット、または、
    前記第１電源の出力と基準端子との間に接続された第２インピーダンスセットであって、前記第２インピーダンスセットは、前記第１電源から前記第１信号を受信する、第２インピーダンスセット、の内の少なくとも一方を備える、工程と、
    処理チャンバ内の前記基板支持体上に基板を配置する工程と、
    前記第１電源から前記基板支持体内の複数の電極へ電力を供給する動作を含む、前記選択された処理のための処理動作を実行する工程であって、前記複数の電極は、前記第１電極および第２電極を含み、前記第１電極および前記第２電極は、電源端子を介して前記第１電源から電力を受信する、工程と、
    を備える、方法。
11. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、前記処理動作を実行する間に、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節する工程を備える、方法。
12. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、前記処理動作を実行する間に、
    センサ出力データを収集する工程と、
    前記センサ出力データに基づいて、１または複数のパラメータを決定する工程と、
    前記１または複数のパラメータに基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節する工程と、
    を備える、方法。
13. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、
    前記処理チャンバの特徴または特性を決定する工程と、
    前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
    を備える、方法。
14. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、
    前記基板支持体の特徴または特性を決定する工程と、
    前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
    を備える、方法。
15. 請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記特性の変化に基づいて、前記第１インピーダンスセットまたは前記第２インピーダンスセットの少なくとも一方のインピーダンスを調節して、それぞれの軌跡に従わせる工程を備える、方法。
16. 請求項１５に記載の方法であって、さらに、
    前記特徴、
    前記特性、
    前記基板、前記基板支持体、または、前記処理チャンバの１または複数の他の特徴、ならびに、
    前記基板、前記基板支持体、または、前記処理チャンバの１または複数の他の特性、
    の内の少なくとも１つに基づいて、前記軌跡を計算または決定する工程を備える、方法。
17. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、
    前記基板の特徴または特性を決定する工程と、
    前記特徴または前記特性に基づいて、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を設定する工程と、
    を備える、方法。
18. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、
    前記基板を前記基板支持体にクランプするために、前記第１電源によって前記第１電極へクランプ電圧を供給する工程と、
    バイアス電圧を前記第２電極へ供給する工程と、
    前記第１チューニング回路または第２チューニング回路によって前記クランプ電圧および前記バイアス電圧を調整する工程と、
    を備え、
    前記基板支持体は、静電チャックである、方法。
19. 請求項１８に記載の方法であって、前記第１チューニング回路は、前記第１インピーダンスおよび前記第２インピーダンスを備える、方法。
20. 請求項１８に記載の方法であって、さらに、
    前記第１チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、前記第１電極へ供給される前記クランプ電圧を調整する工程と、
    前記第２チューニング回路のインピーダンスの値を調節して、前記第２電極へ供給される前記バイアス電圧を調整する工程と、
    を備える、方法。
21. 請求項１２に記載の方法であって、さらに、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値を調節することにより、前記基板支持体の表面の上方の点および表面に沿った点のそれぞれのペアでのプラズマの電位差を調節する工程を備える、方法。
22. 請求項１２に記載の方法であって、さらに、前記第１チューニング回路の前記インピーダンス値に基づいて、バイアス高周波整合回路網におけるインピーダンス値を調節する工程を備え、前記バイアス高周波整合回路網は、前記第１電源と前記第１チューニング回路との間に接続されている、方法。
23. 処理チャンバ内で基板を処理するための基板処理システムであって、
    電源端子と、
    前記基板を保持するよう構成された基板支持体であって、前記基板支持体は、複数の電極を備え、前記複数の電極は、第１電極、第２電極および第３電極を含む、基板支持体と、
    前記第１電極に接続され、前記第１電極のインピーダンスを調整することに割り当てられた第１チューニング回路であって、前記第１チューニング回路は、前記第１電極および接地に接続された第１インピーダンスセットを備え、前記第１チューニング回路は、前記第１電極と前記第２電極との間に接続され、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記接地に接続されている、第１チューニング回路と、
    前記第２電極に接続され、前記第２電極のインピーダンスを調整することに割り当てられた第２チューニング回路であって、前記第２チューニング回路は、前記第２電極および前記接地に接続された第２インピーダンスセットを備える、第２チューニング回路と、
    前記第２電極と前記第３電極との間に接続された第３チューニング回路と、
    を備える、基板処理システム。
24. 請求項２３に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、前記第１電極と前記接地との間に直列接続されている、基板処理システム。
25. 請求項２４に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える、基板処理システム。
26. 請求項２５に記載の基板処理システムであって、前記第２チューニング回路は、前記第２電極と前記接地との間に直列接続されている、基板処理システム。
27. 請求項２６に記載の基板処理システムであって、前記第２チューニング回路は、インダクタおよびキャパシタを備える、基板処理システム。
28. 請求項２３に記載の基板処理システムであって、
    前記第１チューニング回路は、第１インダクタおよび第１キャパシタを備え、
    前記第２チューニング回路は、第２インダクタおよび第２キャパシタを備える、基板処理システム。
29. 請求項２３に記載の基板処理システムであって、前記第１チューニング回路および前記第２チューニング回路は、可変インダクタンスを備える、基板処理システム。
30. 請求項２３に記載の基板処理システムであって、さらに、
    前記処理チャンバと、
    前記第１インピーダンスセットおよび前記第２インピーダンスセットのインピーダンスを調節するよう構成されたコントローラと、
    を備える、基板処理システム。

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