JP2004296953A - ドライエッチング装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させる。
【解決手段】真空処理室1内にガスを供給しつつ、真空処理室1内を排気してこの真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8から電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングするエッチング装置である。電極4に接続されてこの電極4に高周波電力を供給するための複数の給電線5と、任意の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段6とが設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】真空処理室1内にガスを供給しつつ、真空処理室1内を排気してこの真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8から電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングするエッチング装置である。電極4に接続されてこの電極4に高周波電力を供給するための複数の給電線5と、任意の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段6とが設けられている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチング装置および方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ドライエッチング処理は、半導体分野の集積回路装置、液晶表示装置、有機EL表示装置などを製造する上で必要不可欠な技術である。ドライエッチングの手法としては、従来からの平行平板型に加え、加工パターンの微細化と共に高真空下でも高く均一なプラズマ密度が得られる誘導結合型も広く用いられている。また基板温度の制御が可能な手段を組み合せたものなど、様々な応用展開がなされている。
【0003】
従来のエッチング装置では、複数の給電線を接続した電極構造を用いている。すなわち、図6は、特許文献1に記載された従来のエッチング装置の断面図を示すものである。この装置においては、真空処理室内1にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気し、真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8からインピーダンス整合器7と給電線5とを介して下部電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、下部電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングする。この図6の装置は、大型の基板3のエッチング面内均一性を確保するために、電極4面の高周波電圧のピークツーピーク(以下、「VPP」と略する)分布を制御可能なように、高周波電力を供給する電極4の複数点に接続される複数の給電線5を設けて、その給電点を電極4の中心とそれに対称な位置とに配置している。
【0004】
また、従来の他のエッチング装置として、下部電極を分割して用いたものがある(特許文献2参照)。図7は、この特許文献2に記載された従来の他のエッチング装置の断面図を示すものである。この装置においては、下部電極を分割構造として、中央部の第1の電極4と周辺部の複数の第2の電極10とを有した構成としている。
【0005】
詳細には、図6のものと同様に、真空処理室1内にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気し、真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、処理を行う。そのとき、高周波電源8からインピーダンス整合器7と給電線5を介して第1の電極4に高周波電力を供給し、また分割電極用高周波電源13から分割電極用インピーダンス整合器12と分割電極用給電線11を介して複数の第2の電極10に高周波電力を供給することで、真空処理室1内にプラズマを発生させている。これにより、第1の電極4と複数の第2の電極10とに載置された被処理基板3の被エッチング膜2をエッチングしている。このように下部電極4、10を分割構造として、それぞれへの高周波電力を独立に制御することで、基板3面内のエッチング均一性を高めることをねらいとしている。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−110649号
【0007】
【特許文献2】
特開2002−190472号
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、薄膜プロセスの用途範囲は、新たなデバイスへの応用も含めて、加工精度の微細化と被処理基板の大型化による加工の面内均一性確保やデバイス構成材料の複層化への適用がより求められることが予想される。一つの被処理基板上に積層される被エッチング膜の種類が増えるほど、各被エッチング膜の成膜膜厚分布等に合わせた個別プロセス処理の条件確立や真空処理室内の装置状態の確立が必要となると同時に、ガス材、真空度、高周波電力等各条件の切り替えに要する時間も必要となる。
【0009】
しかし、同一プロセス条件、同一装置状態で複数の積層膜を一括に処理するには、図6に示す従来の手法のように高周波電力を供給する給電線を複数設けて電極の複数点に給電線を接続しただけのドライエッチング方式や装置では対応が難しい。また、被エッチング基板や被エッチング膜の種類が変わったときに、ガス材、真空度、高周波電力等のプロセス条件の変更のみで対応が不可能な場合は、真空処理室1内の装置状態を変更するために、処理室1内を大気開放する必要が生じる場合さえある。加えて、図7に示すように電極を分割して配置し、複数の高周波電源から高周波電力を独立に制御し供給する場合は、電源やインピーダンス整合器の台数を増加する必要が生じてしまう。
【0010】
そこで本発明は、ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のエッチング装置は、電極に接続されてこの電極に高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とする。
【0012】
また、本発明のエッチング装置は、高周波電源から第1の電極に高周波電力を供給することで真空処理室内にプラズマを発生させ、前記真空処理室内の第2の電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするものにおいて、前記第1の電極に接続されてこの電極に前記高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とする。
【0013】
本発明のエッチング方法は、高周波電源と電極との間を複数の給電線で接続し、任意の給電線に選択的に高周波電力を給電することにより、発生するプラズマ分布を変化させてエッチング処理を行うことを特徴とする。
【0014】
以上の本発明によれば、種々の被処理基板や被エッチング膜に求められるエッチングの分布やその均一性を確保できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1のドライエッチング装置を図1、図2に示す。真空処理室1の内部には下部電極4と上部電極9とが設けられている。下部電極4には、被エッチング膜2を備えた被処理基板3が載置されている。8は高周波電源、7はインピーダンス整合器である。
【0016】
インピーダンス整合器7から、真空処理室1の内部の下部基板4に向けて、複数の給電線5が接続されている。これらの給電線5は、たとえば図示のように下部電極4を平面視したときにX字形となる配列を構成するように、すなわち矩形板状の下部電極4の対角線上の複数の位置において、それぞれ下部電極4に接続されている。6は高周波給電経路選択装置で、スイッチ機能を有することなどによって、複数の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できるように構成されている。
【0017】
このような構成において、ドライエッチング処理に際しては、真空処理室1内にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気してその内部を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8から給電線5を介して下部電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、下部電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングする。
【0018】
このとき、一つの下部電極4に接続された複数の給電線5に対し、被処理基板3に求められるエッチングの基板面内の分布やその均一性を確保するために、図2に示すように、高周波給電経路選択装置6を作用させて、給電線5のうちの任意の給電線14に選択的に高周波電力を給電する。これにより、被処理基板3上の被エッチング膜2に必要なエッチングの基板面内分布に応じて、VPPを変化させ、発生させるプラズマ分布を制御して、エッチング処理する。例えば図2の状態では、下部電極4の中央部に接続された複数の給電線14にのみ高周波電力を給電している。
【0019】
図3(イ)は、本発明にもとづき、600×700mmの大きさの基板3上の被エッチング膜2としての窒化膜をエッチングした時の、基板3面内の13点におけるエッチング量の分布を示す。この場合、図3(ロ)に示すように、被エッチング基板3を載置した下部電極4に接続される全部で9線ある高周波を印加する給電線5のうち、電極の中心に印加される点を含めた中央部の合計5線の給電線14を選択した。
【0020】
これに対し、図4(イ)は、エッチングガス材料、ガス流量、真空度、高周波電力等のプロセスレシピ条件、ガスノズル配置等の真空処理内の設備状態を図3(イ)と全く同一にしたうえで、図4(ロ)に示すように、被エッチング基板3を載置した下部電極4に接続される全部で9線ある高周波を印加する給電線5のうち、図3(ロ)で選択された5線の給電線のうちの基板中心の給電線を除いた周囲の4本の給電線14を選択し、同じ窒化膜をエッチングした時のエッチング量の分布を示す。
【0021】
図3での基板面内のエッチング量平均値は94(nm)、13点のエッチング量均一性は、±12(%)であった。これに対し、図4でのエッチング量平均値は98(nm)、均一性は±8(%)となり、加工速度はほぼ同等のまま分布を変えることができた。このように、高周波給電経路選択装置6によって給電線5の印加経路を任意に選択することで、エッチング量の面内分布を制御できる。
【0022】
さらに、複数の積層膜をエッチングする場合等においては、給電線5の印加経路を任意に選択することで、各被エッチング膜それぞれの成膜時の基板面内膜厚分布等の状態に合わせ、エッチング量の面内分布を制御できる。
【0023】
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2のドライエッチング装置を図5に示す。ここでは真空処理室1内における下部電極4に被処理基板3を載置するとともに、真空処理室1内における一つの上部電極9に、高周波電源8からインピーダンス整合器7と複数の給電線5とを介して高周波電力を供給するように構成されている。そして、この上部電極9に接続された複数の給電線5に対して高周波給電経路選択装置6が設けられ、これによって複数の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できるように構成されている。
【0024】
このようなものにおいても、第1の実施の形態の場合と同様に、種々の被処理基板や被エッチング膜に求められるエッチングの分布やその均一性を確保できる。
【0025】
【発明の効果】
以上のように本発明のドライエッチング装置および方法によると、一つの電極に接続された複数の給電線のうちの任意の給電線を選択し高周波電力を給電してプラズマを発生させることで、電極面の高周波電圧のVPP分布を制御でき、このため一枚の被処理基板に積層された複数の被エッチング膜の処理に際して、給電経路の選択のみで、プロセス条件と真空処理室内の設備状態とを同一に維持しながら、基板面内の加工均一性を確保できる。さらに、この場合に、ガス材、真空度、高周波電力等の各条件の切り替えに要する時間も不要となる。また、被エッチング基板や被エッチング膜の種類が変わって、従来のようなガス材、真空度、高周波電力等のプロセス条件の変更のみでは対応が不可能な場合でも、真空処理室内の装置状態を変更するために処理室内を大気開放して処理室内をクリーニングする必要がないという利点がある。さらに、従来のように電極を分割状態で配置して複数の高周波電源から高周波電力を独立に制御して供給するものに比べて、電源の台数やインピーダンス整合器の台数も一台で済む。また、従来から用いられている基板温度制御機構や誘導結合型プラズマ源等を組み合せた各種のドライエッチング装置や、高周波プラズマを用いたCVD装置等にも適応が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1のドライエッチング装置を示し、(イ)はその断面図、(ロ)はその電極、被処理基板、給電線部の平面図
【図2】図1のドライエッチング装置の動作時の状態を示す図であって、(イ)はその断面図、(ロ)はその電極、被処理基板、給電線部の平面図
【図3】本発明のドライエッチング方法の実施結果の一例を示す図であって、(イ)はエッチング量の基板面内分布を示す図、(ロ)はそのときの任意選択した給電線の場所を示す図
【図4】本発明のドライエッチング方法の実施結果の他の例を示す図であって、(イ)はエッチング量の基板面内分布を示す図、(ロ)はそのときの任意選択した給電線の場所を示す図
【図5】本発明の実施の形態2のドライエッチング装置を示し、(イ)はその電極、給電線部の底面図、(ロ)はその断面図
【図6】従来のドライエッチング装置の断面図
【図7】従来の他のドライエッチング装置の断面図
【符号の説明】
1 真空処理室
2 被エッチング膜
3 被処理基板
4 下部電極
5 給電線
6 高周波給電経路選択装置
8 高周波電源
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチング装置および方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ドライエッチング処理は、半導体分野の集積回路装置、液晶表示装置、有機EL表示装置などを製造する上で必要不可欠な技術である。ドライエッチングの手法としては、従来からの平行平板型に加え、加工パターンの微細化と共に高真空下でも高く均一なプラズマ密度が得られる誘導結合型も広く用いられている。また基板温度の制御が可能な手段を組み合せたものなど、様々な応用展開がなされている。
【0003】
従来のエッチング装置では、複数の給電線を接続した電極構造を用いている。すなわち、図6は、特許文献1に記載された従来のエッチング装置の断面図を示すものである。この装置においては、真空処理室内1にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気し、真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8からインピーダンス整合器7と給電線5とを介して下部電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、下部電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングする。この図6の装置は、大型の基板3のエッチング面内均一性を確保するために、電極4面の高周波電圧のピークツーピーク(以下、「VPP」と略する)分布を制御可能なように、高周波電力を供給する電極4の複数点に接続される複数の給電線5を設けて、その給電点を電極4の中心とそれに対称な位置とに配置している。
【0004】
また、従来の他のエッチング装置として、下部電極を分割して用いたものがある(特許文献2参照)。図7は、この特許文献2に記載された従来の他のエッチング装置の断面図を示すものである。この装置においては、下部電極を分割構造として、中央部の第1の電極4と周辺部の複数の第2の電極10とを有した構成としている。
【0005】
詳細には、図6のものと同様に、真空処理室1内にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気し、真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、処理を行う。そのとき、高周波電源8からインピーダンス整合器7と給電線5を介して第1の電極4に高周波電力を供給し、また分割電極用高周波電源13から分割電極用インピーダンス整合器12と分割電極用給電線11を介して複数の第2の電極10に高周波電力を供給することで、真空処理室1内にプラズマを発生させている。これにより、第1の電極4と複数の第2の電極10とに載置された被処理基板3の被エッチング膜2をエッチングしている。このように下部電極4、10を分割構造として、それぞれへの高周波電力を独立に制御することで、基板3面内のエッチング均一性を高めることをねらいとしている。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−110649号
【0007】
【特許文献2】
特開2002−190472号
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、薄膜プロセスの用途範囲は、新たなデバイスへの応用も含めて、加工精度の微細化と被処理基板の大型化による加工の面内均一性確保やデバイス構成材料の複層化への適用がより求められることが予想される。一つの被処理基板上に積層される被エッチング膜の種類が増えるほど、各被エッチング膜の成膜膜厚分布等に合わせた個別プロセス処理の条件確立や真空処理室内の装置状態の確立が必要となると同時に、ガス材、真空度、高周波電力等各条件の切り替えに要する時間も必要となる。
【0009】
しかし、同一プロセス条件、同一装置状態で複数の積層膜を一括に処理するには、図6に示す従来の手法のように高周波電力を供給する給電線を複数設けて電極の複数点に給電線を接続しただけのドライエッチング方式や装置では対応が難しい。また、被エッチング基板や被エッチング膜の種類が変わったときに、ガス材、真空度、高周波電力等のプロセス条件の変更のみで対応が不可能な場合は、真空処理室1内の装置状態を変更するために、処理室1内を大気開放する必要が生じる場合さえある。加えて、図7に示すように電極を分割して配置し、複数の高周波電源から高周波電力を独立に制御し供給する場合は、電源やインピーダンス整合器の台数を増加する必要が生じてしまう。
【0010】
そこで本発明は、ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のエッチング装置は、電極に接続されてこの電極に高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とする。
【0012】
また、本発明のエッチング装置は、高周波電源から第1の電極に高周波電力を供給することで真空処理室内にプラズマを発生させ、前記真空処理室内の第2の電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするものにおいて、前記第1の電極に接続されてこの電極に前記高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とする。
【0013】
本発明のエッチング方法は、高周波電源と電極との間を複数の給電線で接続し、任意の給電線に選択的に高周波電力を給電することにより、発生するプラズマ分布を変化させてエッチング処理を行うことを特徴とする。
【0014】
以上の本発明によれば、種々の被処理基板や被エッチング膜に求められるエッチングの分布やその均一性を確保できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1のドライエッチング装置を図1、図2に示す。真空処理室1の内部には下部電極4と上部電極9とが設けられている。下部電極4には、被エッチング膜2を備えた被処理基板3が載置されている。8は高周波電源、7はインピーダンス整合器である。
【0016】
インピーダンス整合器7から、真空処理室1の内部の下部基板4に向けて、複数の給電線5が接続されている。これらの給電線5は、たとえば図示のように下部電極4を平面視したときにX字形となる配列を構成するように、すなわち矩形板状の下部電極4の対角線上の複数の位置において、それぞれ下部電極4に接続されている。6は高周波給電経路選択装置で、スイッチ機能を有することなどによって、複数の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できるように構成されている。
【0017】
このような構成において、ドライエッチング処理に際しては、真空処理室1内にガスを供給しつつ、この真空処理室1内を排気してその内部を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8から給電線5を介して下部電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、下部電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングする。
【0018】
このとき、一つの下部電極4に接続された複数の給電線5に対し、被処理基板3に求められるエッチングの基板面内の分布やその均一性を確保するために、図2に示すように、高周波給電経路選択装置6を作用させて、給電線5のうちの任意の給電線14に選択的に高周波電力を給電する。これにより、被処理基板3上の被エッチング膜2に必要なエッチングの基板面内分布に応じて、VPPを変化させ、発生させるプラズマ分布を制御して、エッチング処理する。例えば図2の状態では、下部電極4の中央部に接続された複数の給電線14にのみ高周波電力を給電している。
【0019】
図3(イ)は、本発明にもとづき、600×700mmの大きさの基板3上の被エッチング膜2としての窒化膜をエッチングした時の、基板3面内の13点におけるエッチング量の分布を示す。この場合、図3(ロ)に示すように、被エッチング基板3を載置した下部電極4に接続される全部で9線ある高周波を印加する給電線5のうち、電極の中心に印加される点を含めた中央部の合計5線の給電線14を選択した。
【0020】
これに対し、図4(イ)は、エッチングガス材料、ガス流量、真空度、高周波電力等のプロセスレシピ条件、ガスノズル配置等の真空処理内の設備状態を図3(イ)と全く同一にしたうえで、図4(ロ)に示すように、被エッチング基板3を載置した下部電極4に接続される全部で9線ある高周波を印加する給電線5のうち、図3(ロ)で選択された5線の給電線のうちの基板中心の給電線を除いた周囲の4本の給電線14を選択し、同じ窒化膜をエッチングした時のエッチング量の分布を示す。
【0021】
図3での基板面内のエッチング量平均値は94(nm)、13点のエッチング量均一性は、±12(%)であった。これに対し、図4でのエッチング量平均値は98(nm)、均一性は±8(%)となり、加工速度はほぼ同等のまま分布を変えることができた。このように、高周波給電経路選択装置6によって給電線5の印加経路を任意に選択することで、エッチング量の面内分布を制御できる。
【0022】
さらに、複数の積層膜をエッチングする場合等においては、給電線5の印加経路を任意に選択することで、各被エッチング膜それぞれの成膜時の基板面内膜厚分布等の状態に合わせ、エッチング量の面内分布を制御できる。
【0023】
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2のドライエッチング装置を図5に示す。ここでは真空処理室1内における下部電極4に被処理基板3を載置するとともに、真空処理室1内における一つの上部電極9に、高周波電源8からインピーダンス整合器7と複数の給電線5とを介して高周波電力を供給するように構成されている。そして、この上部電極9に接続された複数の給電線5に対して高周波給電経路選択装置6が設けられ、これによって複数の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できるように構成されている。
【0024】
このようなものにおいても、第1の実施の形態の場合と同様に、種々の被処理基板や被エッチング膜に求められるエッチングの分布やその均一性を確保できる。
【0025】
【発明の効果】
以上のように本発明のドライエッチング装置および方法によると、一つの電極に接続された複数の給電線のうちの任意の給電線を選択し高周波電力を給電してプラズマを発生させることで、電極面の高周波電圧のVPP分布を制御でき、このため一枚の被処理基板に積層された複数の被エッチング膜の処理に際して、給電経路の選択のみで、プロセス条件と真空処理室内の設備状態とを同一に維持しながら、基板面内の加工均一性を確保できる。さらに、この場合に、ガス材、真空度、高周波電力等の各条件の切り替えに要する時間も不要となる。また、被エッチング基板や被エッチング膜の種類が変わって、従来のようなガス材、真空度、高周波電力等のプロセス条件の変更のみでは対応が不可能な場合でも、真空処理室内の装置状態を変更するために処理室内を大気開放して処理室内をクリーニングする必要がないという利点がある。さらに、従来のように電極を分割状態で配置して複数の高周波電源から高周波電力を独立に制御して供給するものに比べて、電源の台数やインピーダンス整合器の台数も一台で済む。また、従来から用いられている基板温度制御機構や誘導結合型プラズマ源等を組み合せた各種のドライエッチング装置や、高周波プラズマを用いたCVD装置等にも適応が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1のドライエッチング装置を示し、(イ)はその断面図、(ロ)はその電極、被処理基板、給電線部の平面図
【図2】図1のドライエッチング装置の動作時の状態を示す図であって、(イ)はその断面図、(ロ)はその電極、被処理基板、給電線部の平面図
【図3】本発明のドライエッチング方法の実施結果の一例を示す図であって、(イ)はエッチング量の基板面内分布を示す図、(ロ)はそのときの任意選択した給電線の場所を示す図
【図4】本発明のドライエッチング方法の実施結果の他の例を示す図であって、(イ)はエッチング量の基板面内分布を示す図、(ロ)はそのときの任意選択した給電線の場所を示す図
【図5】本発明の実施の形態2のドライエッチング装置を示し、(イ)はその電極、給電線部の底面図、(ロ)はその断面図
【図6】従来のドライエッチング装置の断面図
【図7】従来の他のドライエッチング装置の断面図
【符号の説明】
1 真空処理室
2 被エッチング膜
3 被処理基板
4 下部電極
5 給電線
6 高周波給電経路選択装置
8 高周波電源
Claims (3)
- 真空処理室内にガスを供給しつつ、前記真空処理室内を排気してこの真空処理室内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源から電極に高周波電力を供給することで前記真空処理室内にプラズマを発生させ、前記電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするエッチング装置であって、前記電極に接続されてこの電極に前記高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
- 真空処理室内にガスを供給しつつ、前記真空処理室内を排気してこの真空処理室内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源から第1の電極に高周波電力を供給することで前記真空処理室内にプラズマを発生させ、前記真空処理室内の第2の電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするエッチング装置であって、前記第1の電極に接続されてこの電極に前記高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
- 真空処理室内にガスを供給しつつ、前記真空処理室内を排気してこの真空処理室内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源から電極に高周波電力を供給することで前記真空処理室内にプラズマを発生させ、前記電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするに際し、前記高周波電源と電極との間を複数の給電線で接続し、任意の給電線に選択的に高周波電力を給電することにより、発生するプラズマ分布を変化させてエッチング処理を行うことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003089454A JP2004296953A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | ドライエッチング装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003089454A JP2004296953A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | ドライエッチング装置および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004296953A true JP2004296953A (ja) | 2004-10-21 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266231A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US10957518B2 (en) | 2015-09-28 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber with individually controllable plasma generation regions for a reactor for processing a workpiece |
-
2003
- 2003-03-28 JP JP2003089454A patent/JP2004296953A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266231A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US10957518B2 (en) | 2015-09-28 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber with individually controllable plasma generation regions for a reactor for processing a workpiece |
TWI778429B (zh) * | 2015-09-28 | 2022-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 以電漿點源之陣列處理工件的電漿反應器 |
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