TWI569323B - 雙區共用熱交換器／冷卻器 - Google Patents

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TWI569323B
TWI569323B TW101138106A TW101138106A TWI569323B TW I569323 B TWI569323 B TW I569323B TW 101138106 A TW101138106 A TW 101138106A TW 101138106 A TW101138106 A TW 101138106A TW I569323 B TWI569323 B TW I569323B
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    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F27/00—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus
    • F28F27/02—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus for controlling the distribution of heat-exchange media between different channels
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Description

雙區共用熱交換器/冷卻器 相關申請案之交互參照
本申請案主張在2011年10月27日所提交，標題名稱為「DUAL ZONE COMMON CATCH HEAT EXCHANGER/CHILLER(雙區共用熱交換器/冷卻器)」之美國臨時專利申請案第61/552,188號的權益，為所有目的，該申請案之全部內容以引用方式全部併入本文。本申請案與在2011年5月19日提交的，標題名稱為「TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS USING PULSED HEAT TRANSFER FLUID FLOW(使用脈衝熱轉移流體流在電漿處理設備中之溫度控制)」的美國非臨時專利申請案第13/111,334號相關聯。
本發明實施例大體而言係關於電漿處理設備，且更特定言之係關於在以電漿處理腔室處理工件期間控制溫度之方法。
在電漿處理腔室(如電漿蝕刻腔室或電漿沉積腔室)中，腔室元件之溫度常為製程中之重要控制參數。例 如，在製程方法(如控制蝕刻速率)中可控制基板支撐(通常稱為夾頭或基座)之溫度，以加熱/冷卻工件至各種控制溫度。相似地，亦可在製程方法中控制噴頭/上電極或其他元件之溫度以影響處理。傳統上，耦接散熱片及/或熱源至處理腔室，以維持腔室元件溫度在所需之溫度。為適應增加之複雜膜堆疊，許多電漿製程在相同處理腔室中暴露工件至多個連續電漿條件。在此類原位方法中之操作(在單一製造設備而非在分離之調整過系統中進行)可要求跨越較寬範圍之溫度設定點。
本發明敘述透過脈衝施加加熱功率及脈衝施加冷卻功率在電漿處理腔室中控制溫度之方法及系統。在一實施例中，耦接至溫度控制元件之每一熱及冷槽中之液位係部分藉由冷及熱槽共同分享之次要槽來維持，泵耦接每一熱及冷槽至次要槽。由每一熱及冷槽中之液位感應器主動控制泵，以維持熱轉移流體液位。可設置次要槽低於熱及冷槽兩者，以被動接收在迴路間的事件干擾中來自熱或冷熱轉移迴路之溢流。
在下面詳細敘述中，陳述眾多特定細節以提供對本發明實施例之徹底了解。然而，在此技術領域中具有通常 知識者應了解可實施其他實施例，而不需該等特定細節。在其他實例中，未詳細敘述熟知之方法、步驟、元件及電路以便不使本發明模糊不清。隨後之詳細敘述之一部分在電腦記憶體中的數據位元或二進位數位信號上以操作之演算法及符號代表呈現。該等演算法之敘述及陳述可為熟諳數據處理技藝者使用之技術以傳達其成果之內容給熟諳此藝者。
用語「耦接」及「連接」及其衍生詞在此可用於敘述元件間之結構關係。應了解該等用語並不打算互相做為同義詞。更確切地說，在特定實施例中，「連接」可用於表示二或多個元件彼此直接物理或電性接觸。「耦接」可用於表示二或多個元件直接或間接(在之間有其他介於中間之元件)物理或電性接觸彼此，及/或二或多個元件彼此合作或交互作用(如在原因及結果之關係)。
第1圖描述電漿蝕刻系統300之剖面示意圖，該系統300包括溫度受控制之元件。電漿蝕刻系統300可為此技術領域中所習知之任一形式的高效能蝕刻腔室，例如，但不限於，由美國加州的應用材料公司(Applied Materials of CA,USA)所製造之EnablerTM、MXP®、MXP+TM、Super-ETM、DPS II AdvantEdgeTM G3，或E-MAX®腔室。可相似地控制其他商業上可購得之蝕刻腔室。儘管以電漿蝕刻系統300之情況敘述例示性實施例，應進一步注意在此敘述之溫度控制系統結構亦適合於在溫度控制元件上呈現熱負荷之其他電漿處理系統 (如電漿沉積系統等)。
電漿蝕刻系統300包括接地腔室305。基板310透過開口315裝載並夾持在溫度控制靜電夾頭320上。基板310可為傳統上應用在電漿處理技藝中之任何工件且本發明不限於在此態樣。在特定實施例中，溫度控制夾頭320包括多個區域，每一區可獨立控制至溫度設定點，此設定點在不同區之間可相同或不同。在例示性實施例中，內熱區接近基板310中央而外熱區接近基板310之周圍/邊緣。製程氣體由氣體源345透過質量流控制器349供給至腔室305內。腔室305透過連接至高容量真空泵組355之排放閥351抽真空。
當施加電漿功率至腔室305時，電漿形成於基板310上之處理區域中。第一電漿偏壓功率325耦接至夾頭320(如陰極)以激發電漿。第一電漿偏壓功率325典型上具有在約2 MHz至60 MHz間之低頻率，且在特定實施例中，在13.56 MHz波段中。在例示性實施例中，電漿蝕刻系統300包括在約2 MHz波段下操作之第二電漿偏壓功率326，第二電漿偏壓功率326如同電漿偏壓功率325連接至相同RF匹配327，以透過RF陰極輸入328提供雙頻率偏壓功率。在一雙頻率偏壓功率實施例中，13.56 MHz產生器供應500 W至3000 W之功率，而2 MHz產生器供應0至7000 W之功率，以提供500 W至10000 W之總偏壓功率(Wb,tot)。在另一雙頻率偏壓功率實施例中，60 MHz產生器供應100 W至3000 W之功 率，而2 MHz產生器供應0至7000 W之功率，以提供100 W至10000 W之總偏壓功率(Wb,tot)。
電漿源功率330透過匹配(未繪出)耦合至電漿產生元件335(如噴頭)，此電漿產生元件相對於夾頭320可為陽極的，以提供高頻率源功率以激發電漿。電漿源功率330典型上具有比電漿偏壓功率325高之頻率，如100 MHz至180 MHz之間，且在特定實施例中，在162 MHz波段中。在特定實施例中，頂源在100 W至2000 W之間操作。偏壓功率更直接影響基板310上之偏壓電壓，控制基板310之離子撞擊，同時源功率更直接影響電漿密度。明顯地，藉由溫度控制器375控制溫度之系統元件不限於夾頭320也不必須為直接耦接電漿功率至製程腔室中之溫度控制元件。例如，在另一實施例中，輸入製程氣體至電漿製程腔室之噴頭以溫度控制器375控制。對此類噴頭實施例而言，噴頭可為RF供能或非RF供能。
對高偏壓功率密度(kW/工件面積)實施例來說，如可應用至介電蝕刻之高偏壓功率密度，由於RF過濾之問題，透過電阻加熱器供應加熱功率至夾頭320是有問題的。對於系統300，夾頭加熱功率由熱轉移流體迴路提供。對此類實施例，第一熱轉移流體迴路冷卻夾頭320且第二熱轉移流體迴路加熱夾頭320。在例示性實施例中，溫度控制器375直接或間接耦接至冷卻器377(散熱器)及熱交換器378(熱源)。溫度控制器375掌握冷卻器 377或熱交換器(HTX)378之溫度設定點。冷卻器377之溫度與夾頭320之溫度設定點之差異及熱交換器378之溫度與該溫度設定點之差異以及電漿功率(如總偏壓功率)一起輸入至前饋或反饋控制線。冷卻器377透過熱耦接夾頭320與冷卻器377之冷卻劑迴路提供給夾頭320冷卻功率。因此在例示性實施例中應用二冷卻劑迴路。一冷卻劑迴路具有冷液體(如在-5℃之溫度設定點之Galdan或Fluorinert等)，而另一迴路含有高溫之液體(如在55℃之溫度設定點之Galdan或Fluorinert等)。當需要冷卻時打開閥385(如藉由脈衝寬度調變控制器380驅動)，而在需要加熱時打開加熱迴路之閥386。在較佳實施例中，任何特定時間只有加熱及冷卻閥385及386中之一個打開，使得至夾頭320之總流體流在任何特定時間下由冷卻器377或由HTX 378輸送。
在一實施例中，冷卻器377或HTX 378皆包括一槽(分別為熱及冷槽)以含有循環至夾頭320之一定量的熱轉移流體，且冷及熱槽皆流體連通至含有一定量的熱轉移流體之次要槽379。因此，次要槽379一般在冷卻器377及HTX 378之間且允許冷卻器377及HTX 378兩者中的主要槽之主動平衡。
第2A圖描述根據本發明一實施例之閥及配管圖，應用在第1圖之電漿蝕刻系統中的熱轉移流體基熱源/散熱器。如進一步描繪的，一對熱轉移流體供應管線381及382透過閥385(分別為EV4及EV3)耦接至冷卻器377及 嵌入夾頭320中之熱轉移流體導管(在處理時放置基板310之夾頭工作表面下)。管線381耦接至嵌入夾頭工作表面之第一外區下之熱轉移流體導管，而管線382耦接至嵌入夾頭工作表面之第二內區下之熱轉移流體導管，以促進雙區冷卻。相似地，管線381及382亦透過閥386(分別為EV2及EV1)耦接夾頭320至HTX 378，以促進雙區加熱。回流管線383A透過回流閥EV3及EV1將每一內區及外區熱轉移流體導管與冷卻器377/HTX 378完全地耦接。即使當其中一個閥386或其他的閥386關閉時，分路383與384允許泵壓力維持在所需之參數中。
每一冷卻器377及HTX 378包括主要熱轉移流體槽(亦即水箱或浴缸)，其中主要熱轉移流體槽在設定點溫度操作以減少或取得熱能。次要槽379流體連通冷卻器377中之主要熱轉移流體槽至HTX 378中之主要熱轉移流體槽。如所示，冷卻器377包括溢流導管338，以傳送超過門檻液位之熱轉移流體至次要槽379中，而HTX 378包括相似之溢流導管339。在例示性實施例中，藉由至少一個耦接主要流體槽之泵將流體由次要槽379輸送至冷卻器377或HTX 378之主要槽來提供主動液位控制。以此方式，不需要精確地將兩個獨立槽維持相同高度，且可除去外部連接及任何重力供給平衡硬體(如校平管等)以簡化系統架構。在閥385及386(與相似之回流閥EV1及EV3)之操作造成冷卻器377的槽中熱轉移流體 之液位與HTX 378的槽中之液位偏離的情況下，次要槽379對實施是有利的。在利用脈衝加熱/冷卻使得閥385、386在任何特定時間下只有一個為打開且每一閥經常循環之情況下，此特別是個問題。甚至在回流閥EV3或EV1在相位上分別與閥383或386交換之情況下，已發現在操作中閥啟動速率上之小變化等可造成冷卻器377及HTX 378間熱轉移流體之淨遷移。
第2B圖進一步描述根據本發明一實施例之次要槽379，該次要槽379配置在冷及熱熱轉移流體槽377A、378A下方。如圖所示，低液位感應器377B配置在冷卻器槽377A中，而低液位感應器378B則配置在熱交換槽378A中。每一低液位感應器通訊上連通計畫由次要槽379汲取熱轉移流體並分配回個別主槽以補充熱轉移流體之泵。如第2C圖所描述，泵338B耦接低液位感應器377B以透過導管338A補充熱轉移流體且泵339B耦接低液位感應器378B以透過導管339A補充熱轉移流體。儘管可利用額外之泵由冷及熱熱轉移流體槽377A、378A汲取熱轉移流體以回應於高液位感應並分配回次要槽379，但是在例示性實施例中冷及熱熱轉移流體槽377A、378A配置在次要槽379之上，所以次要槽379將接收來自冷或熱熱轉移流體槽377A、378A之溢流。在此例示性實施例中來自冷及熱熱轉移流體槽377A、378A之溢流分別透過溢流導管338、339重力供給至作為共用接收正壓室之次要槽379中。在該例示性實施例 中，次要槽379不是主動溫度控制，使得次要槽379含有之熱轉移流體大約在環境之周圍溫度(如25℃)。如第2C圖中之進一步描述，如此安排之冷及熱熱轉移流體槽377A、378A及次要槽379皆包含在單一平台200中。因此，在第2C圖中描述之例示性實施例中，在第1圖及第2A圖中描述之冷卻器377及HTX 378二者之功能及元件包括在單一平台200中。此對傳統上分離之冷卻器及熱交換器單元之結合透過次要槽379簡化二個熱轉移流體迴路間之平衡。
在操作中，因為打開每一熱及冷冷卻劑迴路以控制夾頭溫度，平台200操作打消由夾頭320分別回流至冷及熱熱轉移流體槽377A、378A之流體量上之差異。週期性回應於低液位感應器377B及378B，冷及熱供應與回流分配間之小偏差藉由從平衡泵338B、339B分配之流體平衡以保持該槽充滿在適當之液位。當然，相似之功能可由提供單一平衡泵結合以低液位感應器輸出為基礎而啟動之一或多個控制閥共同實施達成。因為操作溫度控制閥引起較小量之流體轉移，次要槽379對HTX 378及/或冷卻器377產生微小之額外負載。
回到第1圖，溫度控制器375執行溫度控制演算法且可為軟體或硬體或兩者之結合。溫度控制器375輸出控制信號影響夾頭320與電漿腔室305外之熱源及/或散熱器之間熱轉移之速率。在一前饋實施例中，經過樣品時間，得到目前控制之溫度，得到溫度設定點，及得到電 漿功率。亦得到散熱器之溫度設定點。在第1圖描繪之例示性實施例中，溫度控制器375接收來自夾頭溫度感應器376(如光探頭)之控制溫度輸入信號。溫度控制器375由製程方法檔案(例如儲存在記憶體373中)得到夾頭設定點溫度，且溫度控制器375得到電漿功率(測得的或由方法檔案參數設定)。
第3圖描述根據本發明一實施例之主動維持冷及熱熱轉移流體槽之液位之方法1350。對於加熱器迴路，方法1350在操作1351以在腔室305及HTX 378之熱槽378A之間循環熱轉移流體開始。若感應到低液位(如藉由LL感應器378B)，熱轉移流體由共用之次要槽(如次要槽379)汲取並分配至熱槽378A中在操作1371作為補充(如持續固定時間或直到第二液位感應器開啟)。若熱轉移流體液位高於低液位，方法1350進行至操作1361，此處由熱槽378A移除來自HTX迴路之任何過量熱轉移流體，例如透過溢流或重力流進入次要槽379。
方法1350對冷卻器迴路是相似的，操作1352以在腔室305及冷卻器377之冷槽377A之間循環熱轉移流體開始。若感應到低液位(如藉由LL感應器377B)，熱轉移流體由共用之次要槽(如次要槽379)汲取並分配至冷槽377A中在操作1372作為補充(如持續固定時間或直到第二液位感應器開啟)。若熱轉移流體液位高於低液位，方法1350進行至操作1362，此處由冷槽377A移除來自冷卻器迴路之任何過量熱轉移流體，例如透過溢流或重 力流至次要槽379。
第4圖描述電腦系統500之例示性形式之機器之圖示，可利用電腦系統500執行在此敘述之溫度控制操作，如控制第1圖描述之加熱或冷卻迴路中之閥。在一具體實施例中，電腦系統500可準備作為電漿蝕刻系統300中之控制器370，處理器502作為CPU 372且網路介面裝置508提供至少一些第1圖中I/O 374代表之功能。在另一實施例中，機器可連接(例如以網路連接)至區域網路(LAN)、企業網路、聯外網路，或網際網路中之其他機器。機器可以主從式架構網路環境中之伺服器或從屬機器之能力操作，或作為對等(或分散式)網路環境中之個別系統。機器可為個人電腦(PC)、伺服器、網路路由器、開關或橋接器，或能執行一組指定機器執行動作之指令(有順序的或其他的)之任何機器。此外，儘管只描述單一機器，「機器」一詞亦包括個別或結合執行一組(或多組)指令以執行任何一或多個在此討論之方法之機器(如電腦)之集合。
例示性電腦系統500包括處理器502、主記憶體504(如唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等之動態隨機存取記憶體(DRAM)、靜態記憶體506(如快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)，及次級記憶體518(如數據儲存裝置)，彼此透過匯流排530通訊。
處理器502代表一多個一般目的處理裝置如微處理 器、中央處理單元或類似物。更特定言之，處理器502可為複雜指令集運算(CISC)微處理器、精簡指令集運算(RSIC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器、實現其他指令集之處理器，或實現指令集組合之處理器。處理器502亦可為一或多個特定目的處理裝置如特定應用積體電路(ASIC)、現場可程式編輯閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、網路處理器或其類似物。配置處理器502執行處理邏輯526以進行在此別處討論之溫度控制操作。
電腦系統500可進一步包括網路介面裝置508。電腦系統500亦可包括影像顯示單元510(如液晶顯示器(LCD)或陰極射線管(CRT))、文字輸入裝置512(如鍵盤)、游標控制裝置514(如滑鼠)及信號產生裝置516(如揚聲器)。
次級記憶體518可包括機器可存取儲存媒體(或更特定言之電腦可讀取儲存媒體)531，其上儲存了將在此敘述之溫度控制演算法中任一或多項具體化之一或多組指令(如軟體522)。軟體522亦可在由電腦系統500執行時完全或至少部分存在主記憶體504及/或處理器502中，主記憶體504及處理器502亦構成機器可讀取儲存媒體。軟體522亦透過網路介面裝置508在網路520上進一步傳輸或接收。
機器可存取儲存媒體531可進一步用於儲存由處理系統執行之一組指令，且使得該系統進行在此敘述之溫度 控制演算法之任一或多項。本發明實施例可進一步以電腦程式產品或軟體提供，其可包括其上儲存指令之機器可讀取媒體，該等指令可用於為電腦系統(或其他裝置)寫程式以控制在此別處敘述之根據本發明之電漿處理腔室溫度。機器可讀取媒體可包括以機器(如電腦)可讀取形式儲存或傳輸資訊之任何機構。例如，機器可讀取(如電腦可讀取)媒體包括機器(如電腦)可讀取儲存媒體(如唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置及其他非暫時儲存媒體。
應了解上述敘述係作為描述用而非限制用。例如，儘管附圖中流程圖顯示本發明某些實施例進行操作之特定順序，應了解此順序不是必需的(如另一實施例可以不同之順序進行該等操作、結合某些操作、重複某些操作等)。此外，熟諳此藝者在研讀並了解上述敘述下許多其他實施例變得顯而易見。雖然本發明以參照特定例示性實施例敘述，應確定本發明不限於敘述之實施例，但可在附帶之申請專利範圍之精神及範圍內修正及改變下實施。因此，本發明之範疇應參照附帶之申請專利範圍，連同該等申請專利範圍給予權利之同等物之完整範圍決定。
200‧‧‧平台
300‧‧‧電漿蝕刻系統
305‧‧‧腔室
310‧‧‧基板
315‧‧‧開口
320‧‧‧夾頭
325‧‧‧電漿偏壓功率
326‧‧‧第二電漿偏壓功率
327‧‧‧RF匹配
328‧‧‧RF陰極輸入
330‧‧‧電漿源供率
335‧‧‧電漿產生元件
338‧‧‧溢流導管
338A‧‧‧導管
338B‧‧‧泵
339‧‧‧溢流導管
339A‧‧‧導管
339B‧‧‧泵
345‧‧‧氣體源
349‧‧‧質量流控制器
351‧‧‧排放閥
355‧‧‧高容量真空泵組
370‧‧‧控制器
372‧‧‧CPU
374‧‧‧I/O
375‧‧‧溫度控制器
376‧‧‧夾頭溫度感應器
377‧‧‧冷卻器
377A‧‧‧冷熱轉移流體槽
377B‧‧‧低液位感應器
378‧‧‧熱交換器
378A‧‧‧熱熱轉移流體槽
378B‧‧‧低液位感應器
379‧‧‧次要槽
380‧‧‧脈衝寬度調變控制器
381‧‧‧熱轉移流體供應管線
382‧‧‧熱轉移流體供應管線
383‧‧‧分路
383A‧‧‧回流管線
384‧‧‧分路
385‧‧‧閥
386‧‧‧閥
500‧‧‧電腦系統
502‧‧‧處理器
504‧‧‧主記憶體
506‧‧‧靜態記憶體
508‧‧‧網路介面裝置
510‧‧‧影像顯示單元
512‧‧‧文字輸入裝置
514‧‧‧游標控制裝置
516‧‧‧信號產生裝置
518‧‧‧次級記憶體
522‧‧‧軟體
526‧‧‧處理邏輯
530‧‧‧匯流排
531‧‧‧機器可存取儲存媒體
1350‧‧‧方法
1351‧‧‧操作
1352‧‧‧操作
1361‧‧‧操作
1362‧‧‧操作
1371‧‧‧操作
1372‧‧‧操作
在本發明說明書之結論部分中特別指出並明確地主張本發明之實施例。然而，本發明實施例關於操作之構造及方法，連同其目的、特徵、及優點可參照下列詳細敘述在參照附圖閱讀下得到最佳之了解，其中：第1圖描述根據本發明一實施例之電漿蝕刻系統之圖示，該系統包括耦接至工件支撐夾頭之一熱轉移流體基熱源與一熱轉移流體基散熱器；第2A圖描述根據本發明一實施例之配管圖示，耦接一熱轉移流體基熱源與一熱轉移流體基散熱器至工件支撐夾頭；第2B圖描述根據本發明一實施例之熱與冷熱轉移流體槽之剖面圖示，該熱與冷熱轉移流體槽分享一共用次要槽，該共用次要槽應用在第2A圖中所描繪之熱轉移流體基熱源/散熱器槽；第3圖描述根據本發明一實施例之主動維持熱及冷熱轉移流體槽液位之方法；第4圖描述根據本發明一實施例之示例性電腦系統的方塊圖，該電腦系統併入第3圖所描繪之電漿蝕刻系統。
200‧‧‧平台
320‧‧‧夾頭
338‧‧‧溢流導管
338A‧‧‧導管
338B‧‧‧泵
339‧‧‧溢流導管
339A‧‧‧導管
339B‧‧‧泵
377A‧‧‧冷熱轉移流體槽
377B‧‧‧低液位感應器
378A‧‧‧熱熱轉移流體槽
378B‧‧‧低液位感應器
379‧‧‧次要槽
383‧‧‧分路
384‧‧‧分路

Claims (19)

  1. 一種電漿處理設備，包括：一製程腔室，包括一夾頭，配置該夾頭以在處理時支撐一工件；一第一主要熱轉移流體槽，在一第一溫度下；一第二主要熱轉移流體槽，在一第二溫度下；供給管線及回流管線，耦接該第一及該第二主要熱轉移流體槽之每一者至該夾頭，以便在第一及第二溫度下傳導熱轉移流體通過該夾頭；一次要槽，流體連通該第一主要熱轉移流體槽及該第二主要熱轉移流體槽兩者；以及一第一泵，分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第一或該第二主要熱轉移流體槽以回應於該第一或該第二主要熱轉移流體槽中一熱轉移流體液位降至低於一門檻液位。
  2. 如請求項1所述之設備，其中每一該第一及該第二主要熱轉移流體槽配置在該次要槽上方，以便藉由重力將熱轉移流體溢流至該次要槽，以回應於在該第一或該第二主要熱轉移流體槽中上升至高於一門檻液位之該熱轉移流體液位。
  3. 如請求項1所述之設備，該設備進一步包括一第二泵， 該第二泵回應於配置在該第二主要熱轉移流體槽中之一第二液位感應器，且其中該第一泵回應於配置在該第一主要熱轉移流體槽中之一第一液位感應器。
  4. 如請求項1所述之設備，該設備進一步包括一第一數位閥，該第一數位閥配置在該等供給管線及回流管線之管線內，且其中該設備進一步包括一控制器，該控制器調變一脈衝寬調變工作週期，該脈衝寬調變工作週期驅動該第一數位閥在一全開狀態與一全關狀態之間，且其中該等第一數位閥之其中一者在另一第一數位閥為開啟之狀態下將為關閉之狀態。
  5. 如請求項4所述之設備，其中該第一及該第二溫度有至少50℃之溫度差，且其中該熱轉移流體包括液體。
  6. 如請求項5所述之設備，該設備進一步包括一高偏壓功率密度RF源，該高偏壓功率密度RF源在該製程腔室中透過該夾頭激發一電漿。
  7. 如請求項1所述之設備，其中該第一主要熱轉移流體槽藉由一第一熱交換器控制為該第一溫度，且其中該第二主要熱轉移流體槽藉由一第二熱交換器控制為該第二溫度。
  8. 一種控制一電漿處理設備中一夾頭溫度的方法，該方 法包括以下步驟：透過耦接該夾頭至一第一主要熱轉移流體槽之一第一供給管線與一第一回流管線，在一第一溫度下循環一第一熱轉移流體通過該夾頭；透過耦接該夾頭至一第二主要熱轉移流體槽之一第二供給管線與一第二回流管線，在一第二溫度下循環一第二熱轉移流體通過該夾頭；控制配置在該第一供給管線之管線內之一第一閥並控制配置在該第二供給管線之管線內之一第二閥；以及藉由接收來自該第一主要熱轉移流體槽之溢流，於一次要槽中維持該第一主要熱轉移流體槽之一液位，並分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第一主要主要熱轉移流體槽，以回應於感應該第一主要熱轉移流體槽中之一低液位。
  9. 如請求項8所述之方法，其中控制該第一閥之步驟進一步包括：調變一脈衝寬調變工作循環，該脈衝寬調變工作循環驅動該第一閥在一全開狀態與一全關狀態之間。
  10. 如請求項8所述之方法，其中控制該第二閥之步驟進一步包括：調變一脈衝寬調變工作循環，該脈衝寬調變工作循環驅動該第二閥在一全開狀態與一全關狀態之間，且其中當該第二閥為開啟之狀態時，該第一閥將為關閉之狀態。
  11. 如請求項8所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：藉由接收來自該第二主要熱轉移流體槽之溢流，於該次要槽中維持該第二主要熱轉移流體槽之一液位，並分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第二主要主要熱轉移流體槽，以回應於感應該第二主要熱轉移流體槽中之一低液位。
  12. 如請求項11所述之方法，其中接收來自該第一主要熱轉移流體槽之溢流於該次要槽中之步驟進一步包括：收集來自配置在該第一主要熱轉移流體槽中之一排放口的重力注入之流量，且其中接收來自該第二主要熱轉移流體槽之溢流於該次要槽中之步驟進一步包括：收集來自配置在該第二主要熱轉移流體槽中之一排放口的重力注入之流量。
  13. 如請求項12所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：允許來自該第一及該第二主要熱轉移流體槽的該溢流在該次要槽中混合。
  14. 如請求項11所述之方法，其中分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第一主要熱轉移流體槽之步驟進一步包括：透過耦接該次要槽至該第一主要熱轉移流體槽之一第一導管來抽取該熱轉移流體。
  15. 如請求項14所述之方法，其中分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第二主要熱轉移流體槽之步驟進一步包括：透過耦接該次要槽至該第二主要熱轉移流體槽之一第二導管來抽取熱轉移流體。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該抽取之步驟藉由一第一泵及一第二泵進行，該第一泵耦接至該第一導管且該第二泵耦接至該第二導管。
  17. 一種電漿蝕刻設備，包括：一製程腔室，包括一夾頭，配置該夾頭以在電漿蝕刻一工件時支撐該工件；一第一主要熱轉移流體槽，藉由一第一熱交換器控制該第一主要熱轉移流體槽在一第一溫度下；一第二主要熱轉移流體槽，藉由一第二熱交換器控制該第二主要熱轉移流體槽在一第二溫度下；一第一供給管線與一第一回流管線，耦接該第一主要熱轉移流體槽至該夾頭，以便在該第一溫度下循環熱轉移流體通過該夾頭；一第二供給管線及一第二回流管線，耦接該第二主要熱轉移流體槽至該夾頭，以便在該第二溫度下循環熱轉移流體通過該夾頭；一次要槽，流體連通該第一主要熱轉移流體槽及該第二主要熱轉移流體槽兩者；以及 至少一泵，分配來自該次要槽之熱轉移流體至該第一或第二主要熱轉移流體槽之至少一個，以回應於該第一或第二主要熱轉移流體槽中一熱轉移流體液位降至低於一門檻液位。
  18. 如請求項17所述之電漿蝕刻設備，其中每一該第一及該第二主要熱轉移流體槽配置在該次要槽上方，以便藉由重力將熱轉移流體溢流至該次要槽，以回應於在該第一或該第二主要熱轉移流體槽中上升至高於一門檻液位之該熱轉移流體液位。
  19. 如請求項17所述之電漿蝕刻設備，該設備進一步包括一第一數位閥，該第一數位閥配置在每一該等供給管線或回流管線之管線內，且其中該設備進一步包括一控制器，該控制器調變一脈衝寬調變工作週期，該脈衝寬調變工作週期驅動該第一數位閥在一全開狀態與一全關狀態之間，且其中該等第一數位閥之其中之一者在另一第一數位閥為開啟之狀態下將為關閉之狀態。
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