JP2022185462A - 温度制御装置および基板処理装置 - Google Patents

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Tomonao Kuwata
啓 小林
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Abstract

【課題】温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくできる温度制御装置および基板処理装置を提供する。【解決手段】温度制御装置は、第1の熱媒体を貯留する第1のタンクと、第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンクと、第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと第2のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する第1の連通管と、を有する。【選択図】図2

Description

本開示は、温度制御装置および基板処理装置に関する。
基板処理装置では、高温の熱媒体と低温の熱媒体とを、それぞれポンプにより載置台内の流路に供給して循環させることで温度制御を行うチラーが用いられることがある。このようなタイプのチラーでは、高温側と低温側とにおいて、それぞれ熱媒体を貯めるタンクが用いられ、液面制御のために、高温側のタンクと低温側のタンクとの間を連通する液面調整タンクを設けることが提案されている(特許文献1)。また、高温側と低温側のタンク間を同じレベルとするパッシブレベリングパイプで接続することが提案されている(特許文献2)。
米国特許出願公開第2014/0262199号明細書 米国特許出願公開第2015/0316941号明細書
本開示は、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくできる温度制御装置および基板処理装置を提供する。
本開示の一態様による温度制御装置は、第1の熱媒体を貯留する第1のタンクと、第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンクと、第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと第2のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する第1の連通管と、を有する。
本開示によれば、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくできる。
図1は、本開示の一実施形態における基板処理装置の一例を示す概略断面図である。 図2は、本実施形態における温度制御装置の一例を示す図である。 図3は、本実施形態におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。 図4は、本実施形態における昇温時における液面の変化の一例を示す図である。 図5は、本実施形態における降温時における液面の変化の一例を示す図である。 図6は、変形例1におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。 図7は、変形例1における昇温時における液面の変化の一例を示す図である。 図8は、変形例1における降温時における液面の変化の一例を示す図である。 図9は、変形例2におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。 図10は、変形例2における降温時における液面の変化の一例を示す図である。 図11は、変形例3における温度制御装置の一例を示す図である。
以下に、開示する温度制御装置および基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
高温側のタンクおよび低温側のタンクに、それぞれ熱媒体を貯める場合、熱媒体がオーバーフローを起こしたり、液量不足でポンプが空転したりしないように、タンクの液面を適正範囲に制御することが求められる。このため、タンクの底部同士、天面部同士をそれぞれ連通管で接続することで、各タンク内の熱媒体および気体の行き来が行えるようにしている。ところが、温度差の大きいタンク間を連通管で接続すると、戻り循環液量の不均一が生じる度に、液面を合わせるように熱媒体が移動するため、熱媒体の温度を設定温度に維持するための大きなエネルギー損失が生じ続けることになる。なお、戻り循環液量の不均一の要因としては、例えば、熱媒体の温度変化による体積変化、チェック弁やバルブの切り替え動作、熱媒体の高温側のタンクでの蒸発と低温側のタンクでの液化、循環ポンプの脈動といった点が挙げられる。そこで、連通管で接続されたタンク間において、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることが期待されている。
[基板処理装置1の構成]
図1は、本開示の一実施形態における基板処理装置の一例を示す概略断面図である。基板処理装置1は、例えば平行平板の電極を備えるプラズマエッチング装置である。基板処理装置1は、装置本体10および制御装置11を備える。装置本体10は、例えばアルミニウム等の材料により構成され、例えば略円筒形状の形状を有する処理容器12を有する。処理容器12は、内壁面に陽極酸化処理が施されている。また、処理容器12は、保安接地されている。
処理容器12の底部上には、例えば石英等の絶縁材料により構成された略円筒状の支持部14が設けられている。支持部14は、処理容器12内において、処理容器12の底部から鉛直方向に(例えば上部電極30の方向に向けて)延在している。
処理容器12内には、載置台PDが設けられている。載置台PDは、支持部14によって支持されている。載置台PDは、載置台PDの上面においてウエハWを保持する。ウエハWは、温度制御対象物の一例である。載置台PDは、静電チャックESCおよび下部電極LEを有する。下部電極LEは、例えばアルミニウム等の金属材料により構成され、略円盤形状の形状を有する。静電チャックESCは、下部電極LE上に配置されている。下部電極LEは、温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材の一例である。
静電チャックESCは、導電膜である電極ELを、一対の絶縁層の間または一対の絶縁シートの間に配置した構造を有する。電極ELには、スイッチSWを介して直流電源17が電気的に接続されている。静電チャックESCは、直流電源17から供給された直流電圧により生じるクーロン力等の静電力により静電チャックESCの上面にウエハWを吸着する。これにより、静電チャックESCは、ウエハWを保持することができる。
静電チャックESCには、配管19を介して、例えばHeガス等の伝熱ガスが供給される。配管19を介して供給された伝熱ガスは、静電チャックESCとウエハWとの間に供給される。静電チャックESCとウエハWとの間に供給される伝熱ガスの圧力を調整することにより、静電チャックESCとウエハWとの間の熱伝導率を調整することができる。
また、静電チャックESCの内部には、加熱素子であるヒータHTが設けられている。ヒータHTには、ヒータ電源HPが接続されている。ヒータ電源HPからヒータHTに電力が供給されることにより、静電チャックESCを介して静電チャックESC上のウエハWを加熱することができる。下部電極LEおよびヒータHTによって、静電チャックESC上に載置されたウエハWの温度が調整される。なお、ヒータHTは、静電チャックESCと下部電極LEの間に配置されていてもよい。
静電チャックESCの周囲には、ウエハWのエッジおよび静電チャックESCを囲むようにエッジリングERが配置されている。エッジリングERは、フォーカスリングと呼ばれることもある。エッジリングERにより、ウエハWに対する処理の面内均一性を向上させることができる。エッジリングERは、例えば石英等、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料により構成される。
下部電極LEの内部には、ガルデン(登録商標)等の絶縁性の流体である熱媒体が流れる流路15が形成されている。なお、熱媒体は、ブラインと表現する場合がある。流路15には、配管16aおよび配管16bを介して温度制御装置20が接続されている。温度制御装置20は、下部電極LEの流路15内を流れる熱媒体の温度を制御する。温度制御装置20によって温度制御された熱媒体は、配管16aを介して下部電極LEの流路15内に供給される。流路15内を流れた熱媒体は、配管16bを介して温度制御装置20に戻される。
温度制御装置20は、下部電極LEの流路15内を流れる熱媒体を循環させる。また、温度制御装置20は、第1の温度の熱媒体または第2の温度の熱媒体を循環する熱媒体に混合して、下部電極LEの流路15内に供給する。第1の温度の熱媒体または第2の温度の熱媒体が循環する熱媒体に混合されて下部電極LEの流路15内に供給されることにより、下部電極LEの温度が設定温度に制御される。第1の温度は、例えば室温以上の温度であり、第2の温度は、例えば0℃以下の温度である。以下では、第1の温度の熱媒体を第1の熱媒体と記載し、第2の温度の熱媒体を第2の熱媒体と記載する。第1の熱媒体および第2の熱媒体は、温度が異なるが同じ材料の流体である。温度制御装置20および制御装置11は、熱媒体制御装置の一例である。
下部電極LEの下面には、下部電極LEに高周波電力を供給するための給電管69が電気的に接続されている。給電管69は、金属で構成されている。また、図1では図示が省略されているが、下部電極LEと処理容器12の底部との間の空間内には、静電チャックESC上のウエハWの受け渡しを行うためのリフターピンやその駆動機構等が配置される。
給電管69には、整合器68を介して第1の高周波電源64が接続されている。第1の高周波電源64は、ウエハWにイオンを引き込むための高周波電力、すなわち高周波バイアス電力を発生する電源であり、例えば400kHz~40.68MHzの周波数、一例においては13.56MHzの周波数の高周波バイアス電力を発生する。整合器68は、第1の高周波電源64の出力インピーダンスと負荷(下部電極LE)側の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。第1の高周波電源64によって発生した高周波バイアス電力は、整合器68および給電管69を介して下部電極LEに供給される。
載置台PDの上方であって、載置台PDと対向する位置には、上部電極30が設けられている。下部電極LEと上部電極30とは、互いに略平行となるように配置されている。上部電極30と下部電極LEとの間の空間では、プラズマが生成され、生成されたプラズマにより、静電チャックESCの上面に保持されたウエハWに対してエッチング等のプラズマ処理が行われる。上部電極30と下部電極LEとの間の空間は、処理空間PSである。
上部電極30は、例えば石英等により構成された絶縁性遮蔽部材32を介して、処理容器12の上部に支持されている。上部電極30は、電極板34および電極支持体36を有する。電極板34は、下面が処理空間PSに面している。電極板34には複数のガス吐出口34aが形成されている。電極板34は、例えばシリコンを含む材料により構成される。
電極支持体36は、例えばアルミニウム等の導電性材料により構成され、電極板34を上方から着脱自在に支持する。電極支持体36は、図示しない水冷構造を有し得る。電極支持体36の内部には、拡散室36aが形成されている。拡散室36aからは、電極板34のガス吐出口34aに連通する複数のガス流通口36bが下方に(載置台PDに向けて)延びている。電極支持体36には、拡散室36aに処理ガスを導くガス導入口36cが設けられており、ガス導入口36cには、配管38が接続されている。
配管38には、バルブ群42および流量制御器群44を介して、ガスソース群40が接続されている。ガスソース群40は、複数のガスソースを有している。バルブ群42には複数のバルブが含まれ、流量制御器群44にはマスフローコントローラ等の複数の流量制御器が含まれる。ガスソース群40のそれぞれは、バルブ群42の中の対応するバルブおよび流量制御器群44の中の対応する流量制御器を介して、配管38に接続されている。
これにより、装置本体10は、ガスソース群40の中で選択された一または複数のガスソースからの処理ガスを、個別に調整された流量で、電極支持体36内の拡散室36aに供給することができる。拡散室36aに供給された処理ガスは、拡散室36a内を拡散し、それぞれのガス流通口36bおよびガス吐出口34aを介して処理空間PS内にシャワー状に供給される。
電極支持体36には、整合器66を介して第2の高周波電源62が接続されている。第2の高周波電源62は、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源であり、例えば27~100MHzの周波数、一例においては60MHzの周波数の高周波電力を発生する。整合器66は、第2の高周波電源62の出力インピーダンスと負荷(上部電極30)側の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。第2の高周波電源62によって発生した高周波電力は、整合器66を介して上部電極30に供給される。なお、第2の高周波電源62は、整合器66を介して下部電極LEに接続されてもよい。
処理容器12の内壁面および支持部14の外側面には、表面がY2O3や石英等でコーティングされたアルミニウム等により構成されたデポシールド46が着脱自在に設けられている。デポシールド46により、処理容器12および支持部14にエッチング副生成物(デポ)が付着することを防止することができる。
支持部14の外側壁と処理容器12の内側壁との間であって、処理容器12の底部側(支持部14が設置されている側)には、表面がY2O3や石英等でコーティングされたアルミニウム等により構成された排気プレート48が設けられている。排気プレート48の下方には、排気口12eが設けられている。排気口12eには、排気管52を介して排気装置50が接続されている。
排気装置50は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器12内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。処理容器12の側壁にはウエハWを搬入または搬出するための開口12gが設けられており、開口12gはゲートバルブ54により開閉可能となっている。
制御装置11は、プロセッサ、メモリ、および入出力インターフェイスを有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件等を含むレシピが格納されている。プロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピに基づいて、入出力インターフェイスを介して装置本体10の各部を制御することにより、ウエハWにエッチング等の所定の処理を実行する。制御装置11は、制御部の一例である。
[温度制御装置20の構成]
図2は、本実施形態における温度制御装置の一例を示す図である。温度制御装置20は、循環部200と、第1温度制御部220と、第2温度制御部240とを有する。なお、例えば、循環部200は、処理容器12が設置される階と同じ階に設置され、第1温度制御部220および第2温度制御部240は、循環部200より下の階に設置される。
循環部200は、バルブ201の出口側が配管16aに接続されている。また、循環部200は、下部電極LEの流路15内を流れる熱媒体を循環させるポンプ202が配管16bに接続されている。ポンプ202の出口側の配管16bは、接続位置Aのチェック弁206および配管207を介してバルブ201の入口側に接続されている。配管207の圧力は、ポンプ202の動作中において、ポンプ202の出口側の配管16bの圧力よりも低いので、チェック弁206が開く。従って、熱媒体は、ポンプ202、配管16b、チェック弁206、配管207、バルブ201、配管16a、流路15および配管16bの経路で循環する。なお、配管207は、第3の配管の一例である。また、循環部200内の配管16aには、流路15の入口側の温度を検出する温度センサ203が設けられている。なお、温度センサ203は、温度制御装置20の外部に設けてもよい。例えば、温度センサ203は、下部電極LEの直下、例えば配管16aと流路15の接続部に設けるようにしてもよく、下部電極LEと温度制御装置20の中間地点に設けるようにしてもよい。
第1温度制御部220は、配管229、配管210およびバルブ201を介して配管16aに接続されている。また、第1温度制御部220は、配管230、配管212およびチェック弁204を介して配管16bに接続されている。なお、配管229と配管210との接続位置Bと、配管230と配管212との接続位置Cとの間は、バイパス配管である配管211により接続されている。なお、接続位置Cには、モニタリング用の圧力センサ208が設けられている。
本実施形態において、第1温度制御部220は、第1の熱媒体の温度を制御する。第1温度制御部220は、温度制御された第1の熱媒体を配管229、配管210およびバルブ201を介して、配管207から配管16aへ循環する熱媒体に混合して、下部電極LEの流路15内に供給する。第1の熱媒体の温度は、第2の熱媒体の温度より高く、例えば、90℃とすることができる。なお、第1の熱媒体の温度は、第2の熱媒体の温度より高ければ何度でもよい。配管210~212,229,230内の圧力は、下部電極LEの流路15内へ第1の熱媒体が供給されることで低下する。そして、流路15内から排出された熱媒体は、配管16bの接続位置Aにおいて、一部が圧力が低下したことにより開いたチェック弁204を通り、配管212および配管230を介して、第1温度制御部220に戻される。配管229、配管210、および、配管16aで構成される配管は、供給配管または第1の供給配管の一例である。また、配管16b、配管212、および、配管230で構成される配管は、戻り配管または第1の戻り配管の一例である。なお、配管210~212,229,230で構成される配管は、第1の配管の一例である。
第1温度制御部220では、ポンプ222によりリザーバタンク221内の熱媒体を配管229に供給する。また、ポンプ222の出口側には、熱交換器223、流量センサ224、圧力センサ225、温度センサ226および可変バルブ227が設けられている。つまり、熱交換器223、流量センサ224、圧力センサ225、温度センサ226および可変バルブ227は、ポンプ222の直後に設けられている。熱交換器223は、配管229に供給する熱媒体を設定温度に加熱または冷却する。流量センサ224は、ポンプ222により供給される熱媒体の配管229の送出側における流量を検出する。圧力センサ225は、ポンプ222により供給される熱媒体の配管229の送出側における圧力を検出する。温度センサ226は、ポンプ222により供給される熱媒体の配管229の送出側における温度を検出する。可変バルブ227は、戻り配管である配管230側の可変バルブ228とともに、ポンプ222により供給される熱媒体の配管229における圧力を調整する。
第2温度制御部240は、配管249、配管213およびバルブ201を介して配管16aに接続されている。また、第2温度制御部240は、配管250、配管215およびチェック弁205を介して配管16bに接続されている。なお、配管249と配管213との接続位置Dと、配管250と配管215との接続位置Eとの間は、バイパス配管である配管214により接続されている。なお、接続位置Eには、モニタリング用の圧力センサ209が設けられている。
本実施形態において、第2温度制御部240は、第2の熱媒体の温度を制御する。第2温度制御部240は、温度制御された第2の熱媒体を配管249、配管213およびバルブ201を介して、配管207から配管16aへ循環する熱媒体に混合して、下部電極LEの流路15内に供給する。なお、第2の熱媒体の温度は、第1の熱媒体の温度より低く、例えば、-10℃とすることができる。なお、第2の熱媒体の温度は、第1の熱媒体の温度より低ければ何度でもよい。配管213~215,249,250内の圧力は、下部電極LEの流路15内へ第2の熱媒体が供給されることで低下する。そして、流路15内から排出された熱媒体は、配管16bの接続位置Aにおいて、一部が圧力が低下したことにより開いたチェック弁205を通り、配管215および配管250を介して、第2温度制御部240に戻される。配管249、配管213、および、配管16aで構成される配管は、供給配管または第2の供給配管の一例である。また、配管16b、配管215、および、配管250で構成される配管は、戻り配管または第2の戻り配管の一例である。なお、配管213~215,249,250で構成される配管は、第2の配管の一例である。
第2温度制御部240では、ポンプ242によりリザーバタンク241内の熱媒体を配管249に供給する。また、ポンプ242の出口側には、熱交換器243、流量センサ244、圧力センサ245、温度センサ246および可変バルブ247が設けられている。つまり、熱交換器243、流量センサ244、圧力センサ245、温度センサ246および可変バルブ247は、ポンプ242の直後に設けられている。熱交換器243は、配管249に供給する熱媒体を設定温度に加熱または冷却する。流量センサ244は、ポンプ242により供給される熱媒体の配管249の送出側における流量を検出する。圧力センサ245は、ポンプ242により供給される熱媒体の配管249の送出側における圧力を検出する。温度センサ246は、ポンプ242により供給される熱媒体の配管249の送出側における温度を検出する。可変バルブ247は、戻り配管である配管250側の可変バルブ248とともに、ポンプ242により供給される熱媒体の配管249における圧力を調整する。
第1温度制御部220のリザーバタンク221と、第2温度制御部240のリザーバタンク241とは、配管251,252で接続されている。配管251,252は、連通管の一例であり、第1の熱媒体を貯留するリザーバタンク221の液面と、第2の熱媒体を貯留するリザーバタンク241の液面とを調整する。配管251は、リザーバタンク221,241間の気体(空気や蒸発した熱媒体等)が相互に移動するための配管である。配管252は、リザーバタンク221,241間の液体(熱媒体)が相互に移動するための配管である。これにより、熱媒体の漏洩が防止される。
バルブ201,227,228,247,248の開度、ポンプ202,222,242の送出圧力、および、熱交換器223,243における温度は、制御装置11によってそれぞれ制御される。また、ポンプ202,222,242は、インバータ周波数に応じて、送出圧力を制御可能なポンプである。なお、バルブ201の開度は、例えば、+100%~-100%の間で調整可能である。バルブ201の開度が0%のポジションでは、配管207からの熱媒体が全量、配管16aに流れ、配管210および配管213からの熱媒体は配管16aに流入しない。また、バルブ201の開度が+100%のポジションでは、配管210からの熱媒体が全量、配管16aに流れ、配管207および配管213からの熱媒体は配管16aに流入しない。一方、バルブ201の開度が-100%のポジションでは、配管213からの熱媒体が全量、配管16aに流れ、配管207および配管210からの熱媒体は配管16aに流入しない。
つまり、高温側の第1の熱媒体を混合して循環する熱媒体の温度を上げたい場合、バルブ201の開度を0%のポジションからプラス側に変更する。一方、低温側の第2の熱媒体を混合して循環する熱媒体の温度を下げたい場合、バルブ201の開度を0%のポジションからマイナス側に変更する。例えば、処理空間PSでプラズマを点火してプラズマ処理が行われる場合、プラズマから下部電極LEにも入熱される。このため、下部電極LEの温度を一定に保つには、例えば、バルブ201の開度を-10%に設定し、配管207を循環する熱媒体の流量を90%とし、配管213の低温側の第2の熱媒体を10%混合する。
[連通管の構成]
次に、本実施形態に係る連通管の構成について説明する。図3は、本実施形態におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。
図3に示すように、高温側のリザーバタンク221と低温側のリザーバタンク241との間は、気体用の連通管である配管251と、液体(熱媒体)用の連通管である配管252とで接続されている。配管251は、リザーバタンク221の天面側と、リザーバタンク241の天面側とを接続している。なお、リザーバタンク221は第1のタンクの一例であり、リザーバタンク241は第2のタンクの一例である。
リザーバタンク221,241内の液面の高さは、熱媒体の循環時において、液量の適正管理範囲である上限レベルと下限レベルとの概ね中間に保たれる。適正管理範囲とは、温度制御対象物の温度制御を安定して行うことができる熱媒体の量を規定している。なお、以下の説明では、図3~図8中において上限レベルを「High」と表し、下限レベルを「Low」と表している。上限レベルは、熱媒体がリザーバタンク221,241の天面に設けられた図示しない圧力開放弁から溢れることを防止するために、他方のリザーバタンクへ熱媒体を移動させる液面の高さに設定されている。下限レベルは、熱媒体を供給するポンプ222,242の空転を防止するために、リザーバタンク221,241内に一定の液量を確保するための液面の高さに設定されている。
配管252は、リザーバタンク221の下限レベルの位置と、リザーバタンク241の上限レベルの位置とを接続する。熱媒体の循環時には、配管252内の液面の高さは、リザーバタンク221内の液面の高さと同じ高さとなる。また、熱媒体は、配管252を介してリザーバタンク221とリザーバタンク241との間で移動しない状態である。すなわち、高温側のリザーバタンク221内の熱媒体と、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体とが混ざり合わないので、温度差の大きいそれぞれの熱媒体において、それぞれの温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることができる。なお、配管252は、リザーバタンク221の上限レベルの位置と、リザーバタンク241の下限レベルの位置とを接続するようにしてもよい。
図4は、本実施形態における昇温時における液面の変化の一例を示す図である。図4に示すように、下部電極LEの温度を昇温させる場合には、高温側の熱媒体が配管229を介して供給が開始されるため、リザーバタンク221内の液面が低下する。一方、リザーバタンク241内の液面は、低温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。リザーバタンク241内の熱媒体は、上限レベルを超えた分だけ配管252を介してリザーバタンク221へと移動する。従って、リザーバタンク221内の液面の高さは下限レベルが保たれ、リザーバタンク241内の液面の高さは上限レベルを大きく超えることはない。このとき、低温側のリザーバタンク241から高温側のリザーバタンク221へ移動する熱媒体の量が制限されるため、高温側のリザーバタンク221内の熱媒体の温度低下を小さくすることができ、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。
図5は、本実施形態における降温時における液面の変化の一例を示す図である。図5に示すように、下部電極LEの温度を降温させる場合には、低温側の熱媒体が配管249を介して供給が開始されるため、リザーバタンク241内の液面が低下する。一方、リザーバタンク221内の液面は、高温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。リザーバタンク221内の熱媒体は、上限レベルを超えた分だけ配管252を介してリザーバタンク241へと移動する。従って、リザーバタンク241内の液面の高さは下限レベルが保たれ、リザーバタンク221内の液面の高さは上限レベルを大きく超えることはない。このとき、高温側のリザーバタンク221から低温側のリザーバタンク241へ移動する熱媒体の量が制限されるため、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体の温度上昇を小さくすることができ、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。
[変形例1]
上記の実施形態では、高温側のリザーバタンク221と低温側のリザーバタンク241との間を配管252で直接接続したが、途中に常温(タンクの周囲の雰囲気と同等の温度)のタンクを介して接続するようにしてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例1として説明する。なお、変形例1における基板処理装置および温度制御装置の一部の構成は上述の実施形態と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図6は、変形例1におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。図6に示すように、変形例1では、リザーバタンク221とリザーバタンク241との間にミドルタンク280を設けている。高温側のリザーバタンク221とミドルタンク280との間は、気体用の連通管である配管251aと、液体(熱媒体)用の連通管である配管252aとで接続されている。配管251aは、リザーバタンク221の天面側と、ミドルタンク280の天面側とを接続している。また、低温側のリザーバタンク241とミドルタンク280との間は、気体用の連通管である配管251bと、液体(熱媒体)用の連通管である配管252bとで接続されている。配管251bは、リザーバタンク241の天面側と、ミドルタンク280の天面側とを接続している。
ミドルタンク280は、温度制御が行われておらず、ミドルタンク280内の熱媒体は、ミドルタンク280の壁を介して外気との間で熱交換が行われ、リザーバタンク221またはリザーバタンク241から熱媒体の流入がない限り常温(例えば20℃。)となる。つまり、ミドルタンク280には、常温の第3の熱媒体が貯留されている。ミドルタンク280は、第3のタンクの一例である。ミドルタンク280は、底面がリザーバタンク221およびリザーバタンク241よりも高い位置である。これにより、ミドルタンク280を介した液面制御を最低限の液量で実現する。なお、ミドルタンク280の天面の位置は、リザーバタンク221,241と同じ位置である。リザーバタンク221,241およびミドルタンク280内の液面の高さは、上述の実施形態と同様に、熱媒体の循環時において、上限レベルと下限レベルとの概ね中間に保たれる。
配管252aは、リザーバタンク221の上限レベルの位置と、ミドルタンク280の下限レベルの位置とを接続する。熱媒体の循環時には、配管252a内の液面の高さは、ミドルタンク280内の液面の高さと同じ高さとなる。また、熱媒体は、配管252aを介してリザーバタンク221とミドルタンク280との間で移動しない状態である。すなわち、高温側のリザーバタンク221内の熱媒体と、常温のミドルタンク280内の熱媒体とが混ざり合わないので、温度差の大きいそれぞれの熱媒体のうち、高温側の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることができる。なお、配管252aは、リザーバタンク221の下限レベルの位置と、ミドルタンク280の上限レベルの位置とを接続するようにしてもよい。
配管252bは、リザーバタンク241の上限レベルの位置と、ミドルタンク280の下限レベルの位置とを接続する。熱媒体の循環時には、配管252b内の液面の高さは、ミドルタンク280内の液面の高さと同じ高さとなる。また、熱媒体は、配管252bを介してリザーバタンク241とミドルタンク280との間で移動しない状態である。すなわち、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体と、常温のミドルタンク280内の熱媒体とが混ざり合わないので、温度差の大きいそれぞれの熱媒体のうち、低温側の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることができる。なお、配管252bは、リザーバタンク241の下限レベルの位置と、ミドルタンク280の上限レベルの位置とを接続するようにしてもよい。
リザーバタンク221,241およびミドルタンク280内には、熱媒体の循環時において、液面の上に空間282~284があることになる。空間282~284は、例えば、基板処理装置1のメンテナンス時等に熱媒体を貯留するためのタンクとして利用することができる。ミドルタンク280を設けることで、リザーバタンク221,241の容量を小さくしても、上述の実施形態と同量の熱媒体をリザーバタンク221,241およびミドルタンク280内に貯留することができる。
図7は、変形例1における昇温時における液面の変化の一例を示す図である。図7に示すように、下部電極LEの温度を昇温させる場合には、高温側の熱媒体が配管229を介して供給が開始されるため、リザーバタンク221内の液面が低下する。一方、リザーバタンク241内の液面は、低温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。リザーバタンク241内の熱媒体は、上限レベルを超えた分だけ配管252bを介してミドルタンク280へと移動する。ミドルタンク280内の液面が上昇すると、上限レベルを超えた分だけ配管252aを介してリザーバタンク221へと移動する。従って、リザーバタンク221内の液面の高さは下限レベルが保たれ、リザーバタンク241およびミドルタンク280内の液面の高さは上限レベルを大きく超えることはない。このとき、低温側のリザーバタンク241から高温側のリザーバタンク221へ移動する熱媒体は、移動する量が制限されるとともに、一旦、常温であるミドルタンク280を経由するため、高温側のリザーバタンク221内の熱媒体の温度低下をより小さくすることができ、温度を一定に保つためのエネルギー損失をより小さくすることができる。つまり、高温側のリザーバタンク221内には、ミドルタンク280内の常温の熱媒体が流入するため、低温側のリザーバタンク241内の低温の熱媒体が流入する場合よりも、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。
図8は、変形例1における降温時における液面の変化の一例を示す図である。図8に示すように、下部電極LEの温度を降温させる場合には、低温側の熱媒体が配管249を介して供給が開始されるため、リザーバタンク241内の液面が低下する。一方、リザーバタンク221内の液面は、高温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。リザーバタンク221内の熱媒体は、上限レベルを超えた分だけ配管252aを介してミドルタンク280へと移動する。ミドルタンク280内の液面が上昇すると、上限レベルを超えた分だけ配管252bを介してリザーバタンク241へと移動する。従って、リザーバタンク241内の液面の高さは下限レベルが保たれ、リザーバタンク221およびミドルタンク280内の液面の高さは上限レベルを大きく超えることはない。このとき、高温側のリザーバタンク221から低温側のリザーバタンク241へ移動する熱媒体は、移動する量が制限されるとともに、一旦、常温であるミドルタンク280を経由するため、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体の温度上昇を小さくすることができ、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。つまり、低温側のリザーバタンク241内には、ミドルタンク280内の常温の熱媒体が流入するため、高温側のリザーバタンク221内の高温の熱媒体が流入する場合よりも、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。
[変形例2]
上記の実施形態では、リザーバタンク221の下限レベルの位置と、リザーバタンク241の上限レベルの位置とを配管252で接続したが、高温側のリザーバタンク221の位置を高さ方向にずらして配置して水平な配管で接続するようにしてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例2として説明する。なお、変形例2における基板処理装置および温度制御装置の一部の構成は上述の実施形態と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図9は、変形例2におけるタンク間を接続する連通管の構成の一例を示す図である。図9に示すように、変形例2では、リザーバタンクタンク221の配置を高さ方向上側にずらして、リザーバタンク221aとしている。つまり、リザーバタンク221aの天面および底面は、それぞれリザーバタンク241より高くなっている。リザーバタンク221aとリザーバタンク241との間は、気体用の連通管である配管251と、液体(熱媒体)用の連通管である配管252cとで接続されている。配管251は、リザーバタンク221aの天面側と、リザーバタンク241の天面側とを接続している。
リザーバタンク221a内の液面の高さは、リザーバタンク221a側の熱媒体が下部電極LEに循環している状態において、適正管理範囲の概ね中間に保たれる。配管252cは、リザーバタンク221aの上限レベルの位置で、水平にリザーバタンク241に接続されている。図9に示すようなリザーバタンク221a側の熱媒体が下部電極LEに循環している状態では、熱媒体は、配管252cを介してリザーバタンク221aとリザーバタンク241との間で移動しない状態である。すなわち、高温側のリザーバタンク221a内の熱媒体と、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体とが混ざり合わないので、温度差の大きいそれぞれの熱媒体において、それぞれの温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることができる。
図10は、変形例2における降温時における液面の変化の一例を示す図である。図10に示すように、下部電極LEの温度を降温させる場合には、低温側の熱媒体が配管249を介して供給が開始されるため、リザーバタンク241内の液面が低下する。一方、リザーバタンク221a内の液面は、高温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。リザーバタンク221a内の熱媒体は、上限レベルを超えた分だけ配管252cを介してリザーバタンク241へと移動する。従って、リザーバタンク241内の液面の高さは下限レベルが保たれ、リザーバタンク221a内の液面の高さは上限レベルを大きく超えることはない。このとき、高温側のリザーバタンク221aから低温側のリザーバタンク241へ移動する熱媒体の量が制限されるため、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体の温度上昇を小さくすることができ、温度を一定に保つためのエネルギー損失を小さくすることができる。
その後、下部電極LEの温度を昇温させると、高温側の熱媒体が配管229を介して供給が開始されるため、リザーバタンク221a内の液面が低下する。一方、リザーバタンク241内の液面は、低温側の熱媒体の供給が停止されるため上昇する。すなわち、リザーバタンク221a側の熱媒体が下部電極LEに循環している状態に戻った場合には、リザーバタンク221aおよびリザーバタンク241内の液面の高さも概ね図9の状態に戻る。
[変形例3]
上記の実施形態では、循環部200内で熱媒体が循環するタイプの温度制御装置20について説明したが、下部電極LE内の流路15に流れる熱媒体を第1の熱媒体と第2の熱媒体とで切り替えるタイプの温度制御装置を用いてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例3として説明する。なお、変形例3における基板処理装置および温度制御装置の一部の構成および圧力制御方法は上述の実施形態と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図11は、変形例3における温度制御装置の一例を示す図である。図11に示す温度制御装置20aは、上記の実施形態における温度制御装置20と比較して、循環部200、第1温度制御部220および第2温度制御部240に代えて、切替部260、第1温度制御部220aおよび第2温度制御部240aを有する。また、切替部260は、バルブ261~264、温度センサ265および配管266~271を有する。
第1温度制御部220aは、配管272、配管266およびバルブ261を介して配管16aに接続されている。また、第1温度制御部220aは、配管273、配管268およびバルブ262を介して配管16bに接続されている。変形例3において、第1温度制御部220aは、高温側である第1の熱媒体の温度を制御する。第1温度制御部220aは、配管272、配管266、バルブ261、および、配管16aを介して、温度制御された第1の熱媒体を下部電極LEの流路15内に供給する。そして、下部電極LEの流路15内に供給された熱媒体は、配管16b、バルブ262、配管268、および、配管273を介して、第1温度制御部220aに戻される。配管272、配管266、および、配管16aで構成される配管は、供給配管または第1の供給配管の一例である。また、配管16b、配管268、および、配管273で構成される配管は、戻り配管または第1の戻り配管の一例である。
第2温度制御部240aは、配管274、配管269およびバルブ261を介して、配管16aに接続されている。また、第2温度制御部240aは、配管275、配管271およびバルブ262を介して、配管16bに接続されている。変形例3において、第2温度制御部240aは、低温側である第2の熱媒体の温度を制御する。第2温度制御部240aは、配管274、配管269、バルブ261、および、配管16aを介して、温度制御された第2の熱媒体を下部電極LEの流路15内に供給する。そして、下部電極LEの流路15内に供給された熱媒体は、配管16b、バルブ262、配管271、および、配管275を介して、第2温度制御部240aに戻される。配管274、配管269、および、配管16aで構成される配管は、供給配管または第2の供給配管の一例である。また、配管16b、配管271、および、配管275で構成される配管は、戻り配管または第2の戻り配管の一例である。
バルブ261は、配管16aと、配管266および配管269との接続部分に設けられており、下部電極LEの流路15内を流れる熱媒体を第1の熱媒体または第2の熱媒体に切り替える。バルブ262は、配管16bと、配管268および配管271との接続部分に設けられており、下部電極LEの流路15内から流れ出た熱媒体の出力先を、第1温度制御部220aまたは第2温度制御部240aに切り替える。
配管272と配管266との接続位置Fと、配管273と配管268との接続位置Gとの間は、バイパス配管である配管267により接続されている。配管267には、バイパスバルブ263が設けられている。
配管274と配管269との接続位置Hと、配管275と配管271との接続位置Iとの間は、バイパス配管である配管270により接続されている。配管270には、バイパスバルブ264が設けられている。
温度制御装置20a内の配管16aには、流路15の入口側の温度を計測する温度センサ265が設けられている。なお、温度センサ265は、温度制御装置20aの外部に設けてもよい。例えば、温度センサ265は、下部電極LEの直下、例えば配管16aと流路15の接続部に設けるようにしてもよく、下部電極LEと温度制御装置20aの中間地点に設けるようにしてもよい。
バルブ261,262、および、バイパスバルブ263,264の開閉は、制御装置11によってそれぞれ制御される。なお、第1温度制御部220aおよび第2温度制御部240aは、上記の実施形態に係る第1温度制御部220および第2温度制御部240と、可変バルブ227,228、および、可変バルブ247,248が無い外は同様であるので、その説明を省略する。
温度制御装置20aでは、高温側の第1の熱媒体を下部電極LEの流路15内に供給する場合、バルブ261は配管266側が開、配管269側が閉となり、バルブ262は配管268側が開、配管271側が閉となる。また、バイパスバルブ263は閉、バイパスバルブ264は開となる。従って、第1温度制御部220aから供給される高温側の第1の熱媒体は、下部電極LEの流路15内に供給されて第1温度制御部220aへと戻り、第2温度制御部240aから供給される低温側の第2の熱媒体は、バイパスバルブ264を介して第2温度制御部240aへと戻る。
一方、温度制御装置20aでは、低温側の第2の熱媒体を下部電極LEの流路15内に供給する場合、バルブ261は配管266側が閉、配管269側が開となり、バルブ262は配管268側が閉、配管271側が開となる。また、バイパスバルブ263は開、バイパスバルブ264は閉となる。従って、第2温度制御部240aから供給される低温側の第2の熱媒体は、下部電極LEの流路15内に供給されて第2温度制御部240aへと戻り、第1温度制御部220aから供給される高温側の第1の熱媒体は、バイパスバルブ263を介して第1温度制御部220aへと戻る。
図11に示すように、温度制御装置20と同様に、高温側のリザーバタンク221と低温側のリザーバタンク241との間は、気体用の連通管である配管251と、液体(熱媒体)用の連通管である配管252とで接続されている。配管251は、リザーバタンク221の天面側と、リザーバタンク241の天面側とを接続している。配管252は、リザーバタンク221の下限レベルの位置と、リザーバタンク241の上限レベルの位置とを接続する。従って、温度制御装置20aは、温度制御装置20と同様に、高温側のリザーバタンク221内の熱媒体と、低温側のリザーバタンク241内の熱媒体とが混ざり合わないので、温度差の大きいそれぞれの熱媒体において、それぞれの温度を維持するためのエネルギー損失を小さくすることができる。なお、変形例3においても、変形例1と同様にミドルタンク280を設けるようにしてもよい。
以上、本実施形態によれば、温度制御装置20,20aは、第1の熱媒体を貯留する第1のタンク(リザーバタンク221)と、第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンク(リザーバタンク241)と、第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと第2のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する第1の連通管(配管252)とを有する。その結果、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失を小さくできる。
また、本実施形態によれば、第1のタンクおよび第2のタンクの内部は、それぞれ液体部分と気体部分とを有し、第1のタンク内部の気体部分と、第2のタンク内部の気体部分とが、相互に連通するように形成された第2の連通管(配管251)を有する。その結果、熱媒体のタンク間の移動をスムーズに行うことができる。
また、本実施形態によれば、第2の連通管は、第1のタンクおよび第2のタンクにおける、それぞれの上限レベルより高い位置に設けられる。その結果、タンク間で気体の移動を行うことができる。
また、本実施形態によれば、第2の連通管は、第1のタンクの天面側と、第2のタンクの天面側との間に設けられる。その結果、タンク間で気体の移動を行うことができる。
また、変形例1によれば、温度制御装置20は、第1の熱媒体を貯留する第1のタンク(リザーバタンク221)と、第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンク(リザーバタンク241)と、第3の熱媒体を貯留する第3のタンク(ミドルタンク280)と、第1のタンクと第3のタンクとを接続する第1の連通管(配管252a)と、第2のタンクと第3のタンクとを接続する第2の連通管(配管252b)とを有する。第1の連通管は、第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと、第3のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する連通管、または、第1のタンク内の下限レベルと、第3のタンク内の上限レベルとを接続する連通管である。また、第2の連通管は、第2のタンク内の上限レベルと、第3のタンク内の下限レベルとを接続する連通管、または、第2のタンク内の下限レベルと、第3のタンク内の上限レベルとを接続する連通管である。その結果、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失をより小さくできる。
また、変形例1によれば、第3のタンクは、底面が第1のタンクおよび第2のタンクよりも高い位置である。その結果、第3のタンク(ミドルタンク280)を介した液面制御を最低限の液量で実現することができる。
また、変形例1によれば、第3の熱媒体は、常温である。その結果、温度差の大きい熱媒体の温度を維持するためのエネルギー損失をより小さくできる。
また、変形例1によれば、第3のタンクは、温度制御を行わない。その結果、第3のタンク(ミドルタンク280)内に貯留されている熱媒体の温度を維持するためにエネルギーを消費しなくてもよい。
また、変形例1によれば、第1のタンク、第2のタンクおよび第3のタンクの内部は、それぞれ液体部分と気体部分とを有し、第1のタンク内部の気体部分と、第3のタンク内部の気体部分とが、相互に連通するように形成された第3の連通管(251a)、ならびに、第2のタンク内部の気体部分と、第3のタンク内部の気体部分とが、相互に連通するように形成された第4の連通管(251b)を有する。その結果、熱媒体のタンク間の移動をスムーズに行うことができる。
また、変形例1によれば、第3の連通管は、第1のタンクおよび第3のタンクにおける、それぞれの上限レベルより高い位置に設けられ、第4の連通管は、第2のタンクおよび第3のタンクにおける、それぞれの上限レベルより高い位置に設けられる。その結果、タンク間で気体の移動を行うことができる。
また、変形例1によれば、第3の連通管は、第1のタンクの天面側と、第3のタンクの天面側との間に設けられ、第4の連通管は、第2のタンクの天面側と、第3のタンクの天面側との間に設けられる。その結果、タンク間で気体の移動を行うことができる。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
また、上記の実施形態では、プラズマ源の一例として容量結合型プラズマ(CCP)が用いられたが、開示の技術はこれに限られない。プラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(SWP)、電子サイクロトロン共鳴プラズマ(ECP)、またはヘリコン波励起プラズマ(HWP)等が用いられてもよい。
また、上記の実施形態では、基板処理装置1として、プラズマエッチング処理装置を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。温度制御された熱媒体を用いて、ウエハW等の温度制御対象物の温度を制御する装置であれば、エッチング装置以外に、成膜装置、改質装置、または洗浄装置等に対しても、開示の技術を適用することができる。
1 基板処理装置
10 装置本体
11 制御装置
12 処理容器
15 流路
20,20a 温度制御装置
200 循環部
220,220a 第1温度制御部
221,241 リザーバタンク
240,240a 第2温度制御部
251,251a,251b,252,252a,252b 配管(連通管)
260 切替部
280 ミドルタンク
ESC 静電チャック
LE 下部電極
PD 載置台
W ウエハ

Claims (12)

  1. 第1の熱媒体を貯留する第1のタンクと、
    前記第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンクと、
    前記第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと、前記第2のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する第1の連通管と、
    を有する温度制御装置。
  2. 前記第1のタンクおよび前記第2のタンクの内部は、それぞれ液体部分と気体部分とを有し、前記第1のタンク内部の前記気体部分と、前記第2のタンク内部の前記気体部分とが、相互に連通するように形成された第2の連通管を有する、
    請求項1に記載の温度制御装置。
  3. 前記第2の連通管は、前記第1のタンクおよび前記第2のタンクにおける、それぞれの前記上限レベルより高い位置に設けられる、
    請求項2に記載の温度制御装置。
  4. 前記第2の連通管は、前記第1のタンクの天面側と、前記第2のタンクの天面側との間に設けられる、
    請求項3に記載の温度制御装置。
  5. 第1の熱媒体を貯留する第1のタンクと、
    前記第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンクと、
    第3の熱媒体を貯留する第3のタンクと、
    前記第1のタンクと前記第3のタンクとを接続する第1の連通管と、
    前記第2のタンクと前記第3のタンクとを接続する第2の連通管と、を有し、
    前記第1の連通管は、前記第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと、前記第3のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する連通管、または、前記第1のタンク内の前記下限レベルと、前記第3のタンク内の前記上限レベルとを接続する連通管であり、
    前記第2の連通管は、前記第2のタンク内の前記上限レベルと、前記第3のタンク内の前記下限レベルとを接続する連通管、または、前記第2のタンク内の前記下限レベルと、前記第3のタンク内の前記上限レベルとを接続する連通管である、
    温度制御装置。
  6. 前記第3のタンクは、底面が前記第1のタンクおよび前記第2のタンクよりも高い位置である、
    請求項5に記載の温度制御装置。
  7. 前記第3の熱媒体は、常温である、
    請求項5または6に記載の温度制御装置。
  8. 前記第3のタンクは、温度制御を行わない、
    請求項5~7のいずれか1つに記載の温度制御装置。
  9. 前記第1のタンク、前記第2のタンクおよび前記第3のタンクの内部は、それぞれ液体部分と気体部分とを有し、前記第1のタンク内部の前記気体部分と、前記第3のタンク内部の前記気体部分とが、相互に連通するように形成された第3の連通管、ならびに、前記第2のタンク内部の前記気体部分と、前記第3のタンク内部の前記気体部分とが、相互に連通するように形成された第4の連通管を有する、
    請求項5~8のいずれか1つに記載の温度制御装置。
  10. 前記第3の連通管は、前記第1のタンクおよび前記第3のタンクにおける、それぞれの前記上限レベルより高い位置に設けられ、前記第4の連通管は、前記第2のタンクおよび前記第3のタンクにおける、それぞれの前記上限レベルより高い位置に設けられる、
    請求項9に記載の温度制御装置。
  11. 前記第3の連通管は、前記第1のタンクの天面側と、前記第3のタンクの天面側との間に設けられ、前記第4の連通管は、前記第2のタンクの天面側と、前記第3のタンクの天面側との間に設けられる、
    請求項10に記載の温度制御装置。
  12. 処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、基板を載置する載置台と、
    第1の熱媒体を貯留する第1のタンクから、第1の配管を介して前記載置台の内部に設けられた流路に前記第1の熱媒体を供給する第1温度制御部と、
    前記第1の熱媒体と異なる温度である第2の熱媒体を貯留する第2のタンクから、第2の配管を介して前記流路に前記第2の熱媒体を供給する第2温度制御部と、
    前記第1のタンク内の液面の高さの上限レベルと、前記第2のタンク内の液面の高さの下限レベルとを接続する第1の連通管と、
    を有する基板処理装置。
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