CN104995836B - 弹性波元件、分波器以及通信模块 - Google Patents

弹性波元件、分波器以及通信模块 Download PDF

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Abstract

本发明的弹性波元件具备:压电基板(30);和被配置在压电基板(30)的主面的弹性波谐振器(S1),弹性波谐振器(S1)是分割为第1IDT电极(55)和与第1IDT电极(55)电连接的第2IDT电极(56)来配置的,第1IDT电极(55)包含信号输入侧的第1梳齿状电极(25)和信号输出侧的第2梳齿状电极(26),并且第2IDT电极(56)包含:信号输入侧的第3梳齿状电极(27)和信号输出侧的第4梳齿状电极(28),关于第3梳齿状电极(27)以及第4梳齿状电极(28),从第3梳齿状电极(27)向第4梳齿状电极(28)配置的方向与从第1梳齿状电极(25)向第2梳齿状电极(26)配置的方向不同。

Description

弹性波元件、分波器以及通信模块
技术领域
本发明涉及弹性表面波(SAW:SurfaceAcousticWave)元件等弹性波元件、分波器以及通信模块。
背景技术
已知一种具有压电基板和被设置在压电基板的主面上的激励IDT(InterDigitalTransducer)电极的弹性波元件。这种弹性波元件例如被利用于分波器的发送滤波器、接收滤波器等。
在弹性波元件中,由于元件的非线性而产生的电失真信号(失真波)可能导致电特性降低。例如,在利用了弹性波元件的分波器中,发送频带以及接收频带的频带外的干扰波与发送波混合,产生包含于接收频带内的失真波。该失真波被称为相互调制失真(IMD:Inter-Modulation Distortion),成为使无线装置的通信质量(SN比)降低的原因之一。另外,也具有产生如下问题的可能性:产生具有发送波的整数倍频率的高次谐波失真,其阻碍其他无线装置的通信。
作为用于减少这种失真波所导致的SN比的降低的方法,已知在不改变构成分波器的梯子型滤波器的串联谐振器或者并联谐振器的静电电容的情况下进行分割的方法(例如,参照日本特开2007-074698号公报)。其通过分割串联谐振器或者并联谐振器,使施加到该谐振器的电压分散来减少失真波。
发明内容
近年来,在弹性波元件、分波器以及通信模块的开发中,需要进一步减少失真波的影响。
本发明鉴于该情况而作出,其目的在于,提供一种能够减少失真波的影响的弹性波元件、分波器以及通信模块。
本发明的一实施方式的弹性波元件具备:压电基板;和被配置在该压电基板的主面的弹性波谐振器,该弹性波谐振器是分割为第1IDT电极和与该第1IDT电极电连接的第2IDT电极来配置的,所述第1IDT电极包含信号输入侧的第1梳齿状电极和信号输出侧的第2梳齿状电极,所述第2IDT电极包含:信号输入侧的第3梳齿状电极和信号输出侧的第4梳齿状电极,关于所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极,从所述第3梳齿状电极向所述第4梳齿状电极配置的方向与从所述第1梳齿状电极向所述第2梳齿状电极配置的方向不同。
本发明的一实施方式所涉及的分波器具备:天线端子;对发送信号进行滤波并输出到所述天线端子的发送滤波器;和对来自所述天线端子的接收信号进行滤波的接收滤波器,所述发送滤波器具有上述的弹性波元件。
本发明的一实施方式所涉及的通信模块具备:天线;与所述天线电连接的上述的分波器;和与该分波器电连接的RF-IC。
根据上述的结构,提供一种能够减少失真波引起的电特性的恶化的弹性波元件、分波器以及通信模块。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的通信模块的信号处理系统的结构的框图。
图2是表示本发明的第1实施方式所涉及的分波器的结构的电路图。
图3是表示本发明的第1实施方式所涉及的SAW元件的一部分的俯视图。
图4是表示比较例的SAW元件的一部分的俯视图。
图5是用于说明失真波的产生机理的图,(a)是图3中区域V的放大图,(b)是(a)的B-B’线处的剖视图,(c)是(a)的C-C’线处的剖视图。
图6是表示本发明的第2实施方式所涉及的分波器的结构的电路图。
图7是表示本发明的第2实施方式所涉及的SAW元件的俯视图。
图8是表示比较例的SAW元件的一部分的俯视图。
图9是表示失真减少效果的测定系统的框图。
图10是表示失真减少效果的测定结果的曲线图。
图11是表示失真减少效果的测定结果的曲线图。
图12是表示失真减少效果的测定结果的曲线图。
图13是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的图,(a)是IDT电极并联连接的图,(b)是IDT电极串联连接的图。
图14(a)~(d)是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的连接方法的变更的俯视图。
图15是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的俯视图。
图16是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的俯视图。
图17是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的俯视图。
图18是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的俯视图。
图19是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件的变形例的俯视图。
图20是表示本发明的第1实施方式所涉及的分波器的变形例的图。
图21是表示本发明的第2实施方式所涉及的分波器的变形例的图。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的一实施方式所涉及的弹性波元件(以下,称为SAW元件)以及分波器。另外,以下的说明中使用的图是示意性的,附图上的尺寸比率等未必与现实的一致。此外,在第2实施方式以后的实施方式中,对于与已经说明过的实施方式的结构相同或者类似的结构,可能赋予与已经说明过的实施方式相同的符号并省略说明。
图1是表示本发明的实施方式所涉及的通信模块101的主要部分的框图。通信模块101是进行利用了电波的无线通信的模块。分波器1具有在通信模块101中将发送频率的信号与接收频率的信号分波的功能。
在通信模块101中,包含应发送的信息的发送信息信号TIS被RF-IC103进行调制以及频率的提高(载波频率向高频信号的变换),并被设为发送信号TS。发送信号TS被带通滤波器105除去发送用的通带以外的不需要的成分,被放大器107放大,并被输入到分波器1。分波器1从输入的发送信号TS中除去发送用的通带以外的不需要的成分并输出到天线109。天线109将输入的电信号(发送信号TS)转换为无线信号并进行发送。
在通信模块101中,被天线109接收的无线信号被天线109转换为电信号(接收信号RS),并被输入到分波器1。分波器1从输入的接收信号RS中除去接收用的通带以外的不需要的成分,并输出到放大器111。输出的接收信号RS被放大器111放大,并被带通滤波器113除去接收用的通带以外的不需要的成分。然后,接收信号RS被RF-IC103进行频率的下降以及解调,并被设为接收信息信号RIS。
另外,发送信息信号TIS以及接收信息信号RIS可以是包含适当的信息的低频信号(基带信号),例如,是模拟的声音信号或数字化的声音信号。无线信号的通带可以是根据UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)等各种规格的通带。调制方式可以是相位调制、振幅调制、频率调制或者也可以是这些任意的2个以上的组合。电路方式在图1中示例了直接转换(direct conversion)方式,但也可以是除此以外的适当的方式,例如,可以是双重超外差(double super heterodyne)方式。此外,图1是只示意性表示主要部分的图,也可以在适当的位置追加低通滤波器、隔离器(isolator)等,此外,也可以变更放大器等的位置。
图2是表示本发明的第1实施方式所涉及的分波器1的结构的电路图。分波器1是在图1中用于通信模块101的分波器。
分波器1主要由:天线端子7、发送端子3、接收端子11、被配置在天线端子7与发送端子3之间的发送滤波器5、和被配置在天线端子7与接收端子11之间的接收滤波器6构成。
发送端子3被输入来自放大器107的发送信号TS,输入到发送端子3的发送信号TS在发送滤波器5中被除去发送用的通带以外的不需要的成分,并被输出到天线端子7。
此外,天线端子7被从天线109输入接收信号RS,在接收滤波器9中被除去接收用的通带以外的不需要的成分,并被输出到接收端子11。
发送滤波器5由例如梯子型SAW滤波器构成。具体来讲,发送滤波器5具有:在其输入侧与输出侧之间串联连接的3个串联谐振器S1、S2、S3;和在用于将串联谐振器S1~S3彼此连接的布线即串联臂4a与基准电位部G之间的并联臂4b设置的3个并联谐振器P1、P2、P3。也就是说,发送滤波器5是3级结构的梯子型滤波器。但是,在发送滤波器5中,梯子型滤波器的级数任意。
在并联谐振器P1、P2、P3与基准电位部G之间设置有电感器L。通过将该电感器L的电感设定为规定的大小,从而在发送信号的通频的频带外形成衰减极来增大频带外衰减。
多个串联谐振器S1、S2、S3以及多个并联谐振器P1、P2、P3分别由SAW谐振器构成。这些谐振器中,除串联谐振器S1以外的谐振器均由1个SAW谐振器构成。另一方面,串联谐振器S1由2个SAW谐振器构成。具体来讲,串联谐振器S1由相互并联连接的SAW谐振器S11和SAW谐振器S12构成。
另外,串联谐振器S1能够视为如上述那样由2个SAW谐振器S11、S12构成,也能够视为1个SAW谐振器S11构成串联谐振器S1,另一个SAW谐振器S12与其并联连接。这是基于是将2个SAW谐振器S11、S12汇总视为1个串联谐振器来进行滤波器设计、还是将2个SAW谐振器S11、S12分别进行滤波器设计的不同。
接收滤波器9例如具有:多重模式型SAW滤波器17和与其输入侧串联连接的辅助谐振器15。另外,在本实施方式中,多重模式包含2重模式。多重模式型SAW滤波器17具有平衡-不平衡转换功能,接收滤波器9与被输出平衡信号的2个接收端子11连接。接收滤波器9并不局限于由多重模式型SAW滤波器17构成,也可以由梯子型滤波器构成,也可以是不具有平衡-不平衡转换功能的滤波器。
也可以在发送滤波器5、接收滤波器9以及天线端子7的连接点与接地电位部G之间,插入由电感器等构成的阻抗匹配(impedance matching)用的电路。
图3是表示本发明的第1实施方式所涉及的SAW元件51的一部分的俯视图。SAW元件51例如是构成图2所示的分波器1中的发送滤波器5的梯子型滤波电路的元件,具有:压电基板30、形成在压电基板30上的串联谐振器S1~S3以及并联谐振器P1~P3。图3仅表示串联谐振器S1的部分。此外,图3中纸面的大致整面是压电基板30的主面,没有图示压电基板30的外周。
SAW元件51可以将任意的方向设为上方或者下方,但以下,为了方便而定义正交坐标系xyz,并将z方向的正侧(图3的纸面近前侧)设为上方,使用上表面、下表面等用语。
串联谐振器S1例如构成为单端口SAW谐振器。串联谐振器S1主要由压电基板30、第1IDT电极55(S11)、和与第1IDT电极55并联连接的第2IDT电极56(S12)构成。第1IDT电极55与信号输入布线57以及信号输出布线58连接。第1IDT电极55由一对第1、第2梳齿状电极25、26构成,第2IDT电极56由一对第3、第4梳齿状电极27、28构成。另外,第1、第3梳齿状电极25、27是信号被输入一侧的梳齿状电极。第2、第4梳齿状电极26、28是信号被输出一侧的梳齿状电极。
串联谐振器S1在SAW的传播方向具有被配置为从两侧分别夹着第1IDT电极55以及第2IDT电极56的反射器电极,但在图3中对反射器电极省略图示。另外,也可以不具有反射器电极。除此以外,串联谐振器S1具有覆盖IDT电极等的保护层,但对其也省略图示。
压电基板30是例如钽酸锂(LiTaO3)单晶体、铌酸锂(LiNbO3)单晶体等具有压电性的单晶体的基板。更具体来讲,能够使用42°±10°Y-X切割的LiTaO3、128°±10°Y-X切割的LiNbO3基板或0°±10°Y-X切割的LiNbO3基板等。压电基板30的平面形状以及各种尺寸可以被适当地设定。另外,LiTaO3单晶体、LiNbO3单晶体在Z轴方向表现较大的非线性。因此,在旋转Y切割-X传播的SAW中,在与SAW的传播方向(X轴方向)正交的基板水平方向或者基板深度方向施加电场的情况下,由于电场的Z轴方向成分,容易产生较大的失真。
覆盖IDT电极55等的保护层由绝缘材料构成,具体来讲由氧化硅、氧化氮等构成。
接下来,以下说明第1IDT电极55以及第2IDT电极56的具体结构的一个例子。
构成第1IDT电极55的一对第1、第2梳齿状电极25、26主要由:第1母线电极31、第2母线电极32、多个第1电极指33、多个第2电极指34、多个第1虚拟电极指35和多个第2虚拟电极指36构成。
第1、第2母线电极31、32例如是长条状,以一定的宽度在SAW的传播方向(y方向)延伸为直线状。第1母线电极31与第2母线电极32在与SAW的传播方向正交的方向(x方向)对置。此外,第1母线电极31与第2母线电极32的相对的内侧的侧面相互平行,两侧面间的距离在SAW的传播方向上固定。
第1母线电极31与多个第1电极指33和多个第1虚拟电极指35连接。第2母线电极32与多个第2电极指34和多个第2虚拟电极指36连接。
多个第1、第2电极指33、34以大概一定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(x方向)延伸为直线状。多个第1、第2电极指33、34沿着SAW的传播方向(y方向)被以一定的间隔排列,1根第1电极指33和与其相邻的1根第2电极指34在y方向具有相互相邻的部分。将1根第1电极指33和与其相邻的1根第2电极指34在y方向相互相邻的部分在SAW的传播方向延长的区域设为交叉区域Tc。
多个第1、第2电极指33、34的间距p被设为例如与希望谐振的频率下的SAW的波长λ的半波长相等。间距p例如根据相邻的1根第1电极指33与1根第2电极指34的中心间距离来规定。SAW的波长λ例如是1.5μm~6μm。
第1、第2电极指33、34的1根的长度以及宽度w例如被设定为相互相同。另外,这些尺寸根据SAW元件51所要求的电特性等而被适当地设定。第1、第2电极指33、34的1根的宽度w例如相对于第1电极指33以及第2电极指34的间距p为0.4p~0.7p。
第1虚拟电极指35被配置在多个第1电极指33之间的大致中央。同样地,第2虚拟电极指36被配置在多个第2电极指34之间的大致中央。第1、第2虚拟电极指35、36的1根的宽度例如与第1、第2电极指33、34的1根的宽度w相等。第1、第2虚拟电极指35、36的1根的长度比第1、第2电极指33、34短。另外,第1、第2梳齿状电极25、26也可以不具有多个第1、第2虚拟电极指35、36。
第1虚拟电极指35的前端隔着第1间隙21与第2电极指34的前端对置。此外,第2虚拟电极指36的前端隔着第2间隙22与第1电极指33的前端对置。
多个第1间隙21的数量被设定为与多个第1虚拟电极指35的数量相同。同样地,多个第2间隙22的数量被设定为与多个第2虚拟电极指36的数量相同。此外,多个第1、第2间隙21、22的宽度与多个第1、第2电极指33、34的宽度w相同。多个第1、第2间隙21、22的长度d(以下,可能称为间隙长度d)在多个第1间隙21彼此以及多个第2间隙22彼此间相互相同,在第1间隙21与第2间隙22间相同。也就是说,在SAW元件51中,所有第1、第2间隙21、22的间隙长度d被设定为相同。第1、第2间隙21、22的间隙长度d根据SAW元件51所要求的电特性等而被适当地设定,例如为0.1λ~0.6λ。
第1IDT电极55与信号输入布线57以及信号输出布线58连接。信号输入布线57是用于对第1IDT电极55以及第2IDT电极56输入发送信号TS的布线。该信号输入布线57在图2中是构成将串联谐振器S1~S3连接的串联臂4a的布线。信号输入布线57与第1IDT电极55中第1母线电极31连接。
另一方面,信号输出布线58是用于从第1IDT电极55以及第2IDT电极56输出发送信号TS的布线。该信号输出布线58在图2中是构成将串联谐振器S1与天线端子7连接的串联臂4a的布线。信号输出布线58与第1IDT电极55中第2母线电极32连接。
第2IDT电极56相对于第1IDT电极55并联连接。第3梳齿状电极27主要由第3母线电极41、多个第3电极指43和多个第3虚拟电极指45构成。第4梳齿状电极28主要由第4母线电极42、多个第4电极指44和多个第4虚拟电极指46构成。另外,第3、第4梳齿状电极27、28也可以不具有多个第3、第4虚拟电极指45、46。
第3、第4母线电极41、42例如是长条状,以一定的宽度在SAW的传播方向(y方向)延伸为直线状。第3母线电极41与第4母线电极42在与SAW的传播方向正交的方向(x方向)对置。此外,第3母线电极41与第4母线电极42的相对的内侧的侧面相互平行,两侧面间的距离在SAW的传播方向上固定。
第3母线电极41与多个第3电极指43和多个第3虚拟电极指45连接。第4母线电极42与多个第4电极指44和多个第4虚拟电极指46连接。
多个第3、第4电极指43、44以大致一定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(x方向)延伸为直线状。多个第3、第4电极指43、44沿着SAW的传播方向(y方向)被以一定的间隔排列,第3电极指43和与其相邻的第4电极指44在y方向具有相互相邻的部分(交叉区域Tc)。第3、第4电极指43、44的间距p以及宽度w被设为为基本与第1、第2电极指33、34的间距p以及宽度w相同。
第3虚拟电极指45被配置在多个第3电极指43之间的中央。同样地,第4虚拟电极指46被配置在多个第4电极指44之间的中央。第3、第4虚拟电极指45、46的宽度例如与第3、第4电极指43、44的宽度w相等。第3、第4虚拟电极指45、46的长度比第3、第4电极指43、44的长度短。
第3虚拟电极指45的前端隔着第3间隙23与第4电极指44的前端对置。此外,第4虚拟电极指46的前端隔着第4间隙24与第3电极指43的前端对置。
多个第3间隙23的数量与多个第3虚拟电极指45的数量相同。同样地,多个第4间隙24的数量与多个第4虚拟电极指46的数量相同。
此外,多个第3、第4间隙23、24的宽度与多个第3、第4电极指43、44的宽度w相同。多个第3、第4间隙23、24的间隙长度d例如在多个第3间隙23彼此以及多个第4间隙24彼此间相互相同,在第3间隙23与第4间隙24间相同。
在SAW元件51中,第1IDT电极55以及第2IDT电极56的形状以及大小都形成为大体相同。也就是说,第1IDT电极55以及第2IDT电极56形成为在使第2IDT电极56平行移动来在上下方向与第1IDT电极55重叠时,两个IDT电极重合。这里,所谓IDT电极的形状以及大小大体相同,是指设计上相同,由于制造偏差等导致两个IDT电极的形状以及大小产生稍微不同也包含在相同的范围内。此外,若从后面所述那样减少IDT电极中产生的失真波的影响的观点出发,至少IDT电极中除了母线电极的部分、即电极指以及虚拟电极指的形状以及大小在第1IDT电极55以及第2IDT电极之间大体相同即可。
第1、第2IDT电极55、56例如由金属形成。作为该金属,举例有例如A1或者以Al为主成分的合金(Al合金)。作为Al合金,能够使用例如Al-Cu合金。另外,第1、第2IDT电极55、56也可以由多个金属层构成。第1、第2IDT电极55、56的厚度可以被适当地设定。由于第1IDT电极55以及第2IDT电极56以相同材料通过相同工序形成,因此第1IDT电极55以及第2IDT电极56的厚度被设定为大体相同。
若通过第1、第2IDT电极55、56向压电基板30施加交流电压,则在压电基板30的上表面附近引起沿着上表面在y方向传播的SAW。通过被引起的SAW,分别在第1、第2IDT电极55、56形成以第1、第2IDT电极55、56的间距p为半波长的驻波。驻波被转换为与该驻波相同频率的电信号并被输出。这样,串联谐振器S1作为谐振器而起作用。
虽然第2IDT电极56相对于第1IDT电极55并联连接,但串联谐振器S1通过将第1IDT电极55与第2IDT电极56的连接设为与通常连接不同的方式,从而减少串联谐振器S1所产生的失真波。也就是说,第1IDT电极55以及第2IDT电极56被电连接,使得从第3梳齿状电极27向第4梳齿状电极28配置的方向与从第1梳齿状电极25向第2梳齿状电极26配置的方向不同。
具体来讲,如图3所示,第1IDT电极55的第1母线电极31与第2IDT电极56的第4母线电极42电连接,第1IDT电极55的第2母线电极32与第2IDT电极56的第3母线电极41电连接。可以说将第1、第2IDT电极55、56的各母线电极彼此交叉连接的,是本实施方式所涉及的串联谐振器S1。
此时,第1IDT电极55中第1电极指33的前端隔着第2间隙22朝向第2虚拟电极指36的前端的方向、与第2IDT电极56中第3电极指43的前端隔着第4间隙24朝向第4虚拟电极指46的前端的方向为相反方向。同样地,第1IDT电极55中第1虚拟电极指35的前端隔着第1间隙21朝向第2电极指34的前端的方向、与第2IDT电极56中第3虚拟电极指45的前端隔着第3间隙23朝向第4电极指44的前端的方向为相反方向。
在SAW元件51中,母线电极彼此的电连接经由连接布线来进行。具体来讲,第1母线电极31经由第1连接布线37来与第4母线电极42连接,第2母线电极32经由第2连接布线38来与第3母线电极41连接。
第1连接布线37和第2连接布线38在第1IDT电极55与第2IDT电极56之间的区域立体地交叉。在两条连接布线交叉的部分,在之间夹有树脂等绝缘材料来防止两条连接布线短路。通过设为这种立体布线结构,能够在不将第1连接布线37或者第2连接布线38绕到IDT电极的外侧的情况下将规定的母线电极彼此连接。由此,连接布线的缠绕所需要的空间变小,能够将SAW元件51小型化。
这里,对成为IDT电极中产生的失真波的原因的失真电流进行说明。IDT电极中产生失真电流的机理被认为是基于电失真的失真波和基于机械失真的失真波这两者所导致的。
首先,使用图5(a)来说明由电失真引起的失真波。图5(a)是图3的区域V的放大图。在图5(a)中,设定附有斜线的第2梳齿状电极26处于电位比未附有斜线的第1梳齿状电极25高的状态。此时,在第1梳齿状电极25与第2梳齿状电极26之间,产生涂黑的箭头所示的方向的电场E。也就是说,在电极指的交叉区域Tc,产生沿着SAW的传播方向(y方向)的电场Ey,在第1、第2间隙21、22,产生沿着与SAW的传播方向正交的方向(x方向)的电场Ex。
若产生这样的电场,则由于压电基板30的介电常数ε是非线性导致产生失真电流。失真电流中,由2次非线性引起的电流I2e与电场E的平方成比例。也就是说,产生由“I2e=αE2”式表示的失真电流I2e。α是取决于压电基板30的晶体取向的系数。由于认为失真电流I2e的方向取决于压电基板30的晶体取向,并与电场E的平方成比例,因此失真电流I2e不取决于电场E的方向而在一定方向上流动。例如,基于交叉区域的电场Ey的失真电流I2e在+y方向流动,基于间隙的电场Ex的失真电流I2e在+x方向流动。另外,这里,对α是正的常量的情况进行了说明,但实际的α是取决于压电基板的材料以及晶体取向的复数。
这里,着眼于在交叉区域Tc产生的失真电流I2e,流过第1电极指33的失真电流I2e大小在流入第1电极指33的失真电流I2e与从第1电极指33流出的失真电流I2e相等,且方向相反,因此抵消。在第2电极指34中也同样地,失真电流I2e抵消。因此,IDT电极55的交叉区域Tc处的失真电流I2e在各电极指中抵消,几乎不作为失真波向SAW元件51的外部输出。
另一方面,着眼于第1、第2间隙21、22中的失真电流I2e,由于第1间隙21处的失真电流I2e与第2间隙22处的失真电流I2e都是相同方向,因此这些失真电流I2e不抵消。认为这样不抵消而残留的失真电流I2e成为失真波的产生要因之一。
接下来,使用图5(b)以及图5(c)来说明机械失真引起的失真波。图5(b)是图5(a)的B-B’线处的剖视图,图5(c)是图5(a)的C-C’线处的剖视图。
在某一瞬间,第2电极指34处于电位比第1电极指33高的状态。在图5(b)以及图5(c)中,向电位高的第2电极指34赋予“+”,向电位低的第1电极指33赋予“-”。此时,通过压电体的逆压电效应,如图5(b)所示,压电基板30的表面变形并产生起伏。虽然起伏的方式也基于晶体取向、频率等,但认为压电基板30的表面附近变形为例如低电位的第1电极指33的部分向下方下沉,高电位的第2电极指34向上方隆起。
若压电基板30这样变形,则产生压电体的弹性常量c的非线性引起的失真电流。该失真电流中,2次的非线性引起的电流I2与压电基板30的变形量Δ的平方成比例。若将该失真电流设为I,则认为失真电流I的方向取决于压电基板30的晶体取向,因此无论压电基板30的起伏方式如何都在一定方向上流动。例如,基于压电基板30的交叉区域Tc的变形的失真电流I在+y方向流动,基于间隙区域的变形的失真电流I在+x方向流动。
这样,在交叉区域Tc产生的失真电流I由于其大小在流入第1电极指33的失真电流I与从第1电极指33流出的失真电流I相等,方向相反,因此抵消。在第2电极指34中也同样地,在交叉区域Tc产生的失真电流I抵消。因此,IDT电极55的交叉区域Tc处的失真电流I抵消,几乎不作为失真波向SAW元件51的外部输出。
另一方面,由于在间隙区域产生的失真电流I不基于电压的方向而取决于晶体取向来决定流动方向,因此在第1间隙21与第2间隙22中在相同方向流动。因此,在间隙区域产生的失真电流I不抵消。认为这样不抵消而残留的失真电流I成为失真波的产生要因之一。
另外,认为间隙区域的变形有:由于施加到间隙的电压引起的变形、和交叉区域Tc的变形扩展到间隙区域而产生的变形这两种。由于在SAW谐振器中,交叉区域Tc的变形导致产生谐振,因此在谐振频率附近,交叉区域Tc的变形变得非常大。因此,认为由于交叉区域Tc的变形扩展到间隙区域而产生的间隙区域的变形成为主要的变形原因。
此外,由于在位于IDT电极的两端的电极指不产生失真电流I2的抵消,因此在交叉区域Tc产生的失真电流I2严格来说不为0,但一般来讲,由于SAW谐振器中的电极指达到几十根~几百根,因此位于IDT电极的两端的电极指的影响较小。
另外,在图5中,表示了电失真引起的失真电流I2e与机械失真引起的失真电流I在交叉区域Tc以及间隙区域分别在相同方向流动的例子,但并不局限于失真电流I2e与失真电流I由于产生机理不同而必须为相同方向,例如,也考虑在各区域中在相反方向流动的情况。在该情况下,虽然电失真引起的失真电流I2e与机械失真引起的失真电流I之间产生抵消,但由于两电流的大小的频率依存性较大不同,因此认为两电流之间几乎不抵消,产生两电流的差分的失真电流I2。该差分的失真电流I2由于与上述理由相同的理由,因此在交叉区域Tc抵消,在间隙区域残留,其结果,产生失真波。
综上所述,认为在第1间隙21以及第2间隙22产生的电失真引起的失真电流I2e与机械失真引起的失真电流I成为失真波的产生要因之一。
返回到图3,考虑第1IDT电极55以及第2IDT电极56中产生的失真电流I2,从第1IDT电极55输出在第1间隙21以及第2间隙22产生的失真电流I2,从第2IDT电极56输出在第3间隙23以及第4间隙24产生的失真电流I2
这里,在SAW元件51中,通过第1IDT电极55的第1母线电极31与第2IDT电极56的第3母线电极41电连接,第1IDT电极55的第2母线电极32与第2IDT电极56的第4母线电极42电连接,从而减少失真波。与图4所示的比较例的SAW元件52对比来叙述SAW元件51中失真波被减少的理由。
比较例的SAW元件52与本实施方式的SAW元件51相比只有母线电极彼此的连接结构不同,除此以外的结构相同。具体来讲,本实施方式的SAW元件51在将构成第1IDT电极55以及第2IDT电极56的相同极性的母线电极彼此连接时为交叉的关系,与此相对地,比较例的SAW元件51将在第1IDT电极55与第2IDT电极56中被配置在相同侧的母线电极彼此连接。也就是说,在比较例的SAW元件52中,第1IDT电极55的第1母线电极31与第2IDT电极56的第4母线电极42电连接,第1IDT电极55的第2母线电极32与第2IDT电极56的第3母线电极41电连接。
考虑比较例的SAW元件52中产生的失真电流I2,如上所述,由于压电基板30的电失真以及机械失真,导致在第1IDT电极55以及第2IDT电极56分别产生失真电流I2。由于从第1IDT电极55输出的失真电流I2与从第2IDT电极56输出的失真电流I2在相同方向流动,因此不相互抵消并输出到外部。
另一方面,根据本实施方式的SAW元件51,虽然在第1IDT电极55以及第2IDT电极56分别产生失真电流I2,但由于从第1IDT电极55输出的失真电流I2与从第2IDT电极56输出的失真电流I2在相反方向流动,因此相互抵消。因此,从第1IDT电极55以及第2IDT电极56整体输出的失真电流I2变小。
因此,根据SAW元件51,能够减少失真电流I2。特别地,由于SAW元件51将第2IDT电极56以与第1IDT电极55相同的形状并且相同的大小形成,因此从第2IDT电极56输出的失真电流I2与从第1IDT电极55输出的失真电流I2的大小大致相等。因此,失真电流I2的抵消效果变大,能够大幅度地抑制从SAW元件51(S1)整体输出的失真电流I2
但是,关于与从SAW元件51输出的2次非线性有关的失真电流I2,如前所述,由于认为在间隙区域产生的失真电流I2为主要的要因,因此若第1IDT电极55与第2IDT电极56的间隙数量、间隙长度d以及间隙宽度w相同,则在两个IDT电极产生大致相同的失真电流I2。因此,在第1IDT电极55与第2IDT电极56的间隙数量、间隙长度d以及间隙宽度w相同的情况下,即使两个IDT电极的交叉区域Tc的宽度不同,也能得到较高的失真波减少效果。
在分波器1中,由于发送信号TS的强度比接收信号RS的强度高,因此通过配置发送滤波器5的SAW元件51,能够高效地减少失真信号。在发送滤波器5中在距离天线109最近的串联谐振器S1,由于发送信号TS和接收信号RS被滤波,因此失真信号容易变大。因此,通过将距离天线109最近的串联谐振器S1设为图3所示的结构,能够更高效地减少失真波。
另外,除了串联谐振器S1以外的其他串联谐振器S2、S3以及并联谐振器P1、P2、P3例如由与构成SAW谐振器S11的第1IDT电极55同样的结构构成。此外,接收滤波器9中的辅助谐振器15也例如由与构成SAW谐振器S11的第1IDT电极55同样的结构构成。
图6是表示本发明的第2实施方式所涉及的分波器2的结构的电路图。分波器2由发送滤波器5以及接收滤波器9构成。发送滤波器5具有:压电基板30、和形成在压电基板上的串联谐振器S101、S2、S3以及并联谐振器P1、P2、P3,这些构成梯子型滤波电路。
第2实施方式所涉及的分波器2与第1实施方式所涉及的分波器1相比只有与天线端子7最接近配置的串联谐振器的结构不同,除此以外的结构与分波器1相同。
具体来讲,第1实施方式所涉及的分波器1的串联谐振器S1由SAW谐振器S11和与其并联连接的SAW谐振器S12构成,与此相对地,第2实施方式所涉及的分波器2的串联谐振器S101由SAW谐振器S11和与其串联连接的SAW谐振器S12构成。
图7是表示本发明的第2实施方式所涉及的SAW元件53的一部分的俯视图,是只表示了串联谐振器S101的部分的图。此外,在图7中,纸面的大致整面为压电基板30的主面,没有图示压电基板30的外周。
虽然第2IDT电极56相对于第1IDT电极55串联连接,但串联谐振器S101通过将第1IDT电极55与第2IDT电极56的连接设为与通常的方式不同的方式,来减少串联谐振器S101产生的失真波。
首先,信号输入布线57与第1IDT电极55的2个母线电极中被配置在外侧的第1母线电极31连接。另一方面,信号输出布线58与第2IDT电极56的2个母线电极中被配置在内侧的第3母线电极41连接。
此外,第1IDT电极55的2个母线电极中被配置在内侧的第2母线电极32与第2IDT电极56的2个母线电极中被配置在外侧的第4母线电极42电连接,由此,第1IDT电极55与第2IDT电极56串联连接。第2母线电极32与第4母线电极42的连接是经由连接布线40来进行的。
此时,第1电极指33的前端隔着第2间隙22朝向第2虚拟电极指36的前端的方向和第3电极指43的前端隔着第4间隙24朝向第4虚拟电极指46的前端的方向都是-x方向(纸面左向),是相同的。同样地,第1虚拟电极指35的前端隔着第1间隙21朝向第2电极指34的前端的方向和第3虚拟电极指45的前端隔着第3间隙23朝向第4电极指44的前端的方向都是-x方向(纸面左向),是相同的。
在SAW元件53中,如第1实施方式中所述,也在各IDT电极产生失真电流I2
这里,在SAW元件53中,通过第1母线电极31与信号输入布线57电连接,第2母线电极32与第4母线电极42电连接,第3母线电极41与信号输出布线58电连接,从而失真波被减少。与图8所示的比较例的SAW元件54对比来叙述SAW元件53中失真波被减少的理由。
比较例的SAW元件54与本实施方式的SAW元件53相比只有母线电极彼此的连接结构以及信号输出布线58的连接结构不同,除此以外的结构相同。本实施方式的SAW元件53如上所述,将第2IDT电极56的第2母线电极32与第2IDT电极56的第4母线电极42电连接,与此相对地,比较例的SAW元件54将第1IDT电极55的第2母线电极32与第2IDT电极56的第3IDT电极41电连接。此外,在SAW元件53中,信号输出布线58与第2IDT电极56的第4母线电极42连接。
考虑比较例的SAW元件54中产生的失真电流I2,如上所述,由于压电基板30的电失真以及机械失真,导致在第1IDT电极55以及第2IDT电极56分别产生失真电流I2。在SAW元件53中,由于从第1IDT电极55输出的失真电流I2与从第2IDT电极输出的失真电流I2在相同方向流动,因此不相互抵消并输出到外部。
另一方面,根据本实施方式的SAW元件53,虽然在第1IDT电极55以及第2IDT电极56分别产生失真电流I2,但从第1IDT电极55输出的失真电流I2与从第2IDT电极56输出的失真电流I2在相反方向流动,因此相互抵消。因此,从第1IDT电极55以及第2IDT电极56整体输出的失真电流I2变小。
因此,根据SAW元件53,能够减少失真电流I2。若与第1实施方式所涉及的SAW元件51同样地,将第2IDT电极56以与第1IDT电极55相同的形状并且相同的大小形成,则能够大幅度地抑制从第1IDT电极55以及第2IDT电极56整体输出的失真电流I2
实施例
(实施例1)
制作由与上述第1实施方式所涉及的SAW元件51的串联谐振器S1(图3)同样的结构构成的实施例1的2种谐振器A1、A2以及参照用的谐振器R1,针对这些谐振器测定作为失真波的一种的2次高次谐波H2。
参照用的谐振器R1由1个SAW谐振器构成,实施例1的谐振器A1、A2将参照用的谐振器R1分给为2个谐振器,并如图3所示相互并联连接。
具体来讲,根据表1所示的条件来制作各谐振器A1、A2、R1。
[表1]
表1中,谐振器A1的电极指根数“160根/160根”是并联连接的2个SAW谐振器S11、S12各自的电极指根数。也就是说,在谐振器A1中,SAW谐振器S11以及SAW谐振器S12的电极指根数均为160根,两个谐振器是相同的大小。谐振器A2的电极指根数“80根/80根”也是相同的意思,在谐振器A2中2个SAW谐振器S11、S12也是相同的大小。
表1中的“交叉宽度”是交叉区域Tc的长度,“λ”是谐振频率下的SAW的波长,λ=2p。
实施例1的谐振器A1、A2的各SAW谐振器S11、S12的交叉宽度或者电极指根数与参照用的谐振器R1不同,但SAW谐振器S11中的交叉宽度与电极指根数的积和SAW谐振器S12中的交叉宽度与电极指根数的积的和、与参照用的谐振器R1中的交叉宽度与电极指根数的积相等。也就是说,谐振器A1、A2、R1的谐振器的电容相等。
2次高次谐波H2的测定使用了图9所示的测定系统。图9中,SG是信号产生器,PA是功率放大器,ISO是隔离器,LPF是低通滤波器,DC是方向性耦合器,DUT是作为测定对象的SAW谐振器,HPF是高通滤波器,SA是频谱分析仪。在谐振器DUT的位置配置有各谐振器A1、A2、R1。
也就是说,图9所示的测定系统在信号产生器SG产生规定功率的信号,将该信号经由功率放大器PA等来输入到谐振器DUT,通过频谱分析仪SA来测定来自谐振器DUT的反射波中包含的2次高次谐波H2。LPF是为了减少从PA输出的不必要的2次高次谐波而被插入的。此外,HPF是为了防止从DUT反射来的输入信号输入到SA而被插入的。输入信号的功率是22dBm,频率是750~950MHz。因此,2次高次谐波的频率为1500~1900MHz。以下的实施例2、3中,关于测定系统的条件也与实施例1相同。
图10中表示实施例1中的2次高次谐波H2的测定结果。图10的曲线图中,虚线表示参照用的谐振器R1的测定结果,单点划线是实施例1的谐振器A1的测定结果,实线是实施例1的谐振器A2的测定结果。横轴是输入信号的频率,纵轴是2次高次谐波H2的输出值。
根据图10所示的测定结果可知,实施例1的谐振器A1、A2的2次高次谐波H2比参照用的谐振器R1的2次高次谐波H2减少。也就是说,确认了通过实施例1的谐振器A1、A2能够减少失真波。
另外,使用的SAW谐振器的谐振频率大约为850MHz。图10所示的参照用的谐振器R1的测定结果中,处于850MHz附近的波峰是失真电流I的贡献,在低频以及高频侧几乎为固定值的是失真电流I2e的贡献。换句话说,参照用的谐振器R1的2次高次谐波H2的频率依存性成为在谐振频率附近具有波峰的失真电流I的贡献与在整个频率具有几乎固定值(约-75dBm)的失真电流I2e的贡献的合成。由于失真电流I与失真电流I2e是相反极性,因此在频率820MHz、865MHz附近,失真电流I与失真电流I2e抵消,2次高次谐波H2的强度变小。在实施例1的谐振器A1、A2中,失真电流I与失真电流I2e的贡献双方在整个频率区域都被减少。这在以下所示的实施例2、3中也是同样的。
(实施例2)
制作由与上述第1实施方式所涉及的SAW元件51的串联谐振器S1(图3)同样的结构构成的4种谐振器B1、B2、B3、B4,针对这些测定2次高次谐波(H2)。
实施例2的谐振器B1、B2、B3、B4是将除了交叉宽度以及电极指根数以外的条件设为与表1所示的条件相同的条件来制作的,交叉宽度均设为18λ。此外,电极指根数如下:谐振器B1是“80根/80根”,谐振器B2是“96根/64根”,谐振器B3是“112根/48根”,谐振器B4是“128根/32根”。
也就是说,在实施例2中,谐振器B1的2个SAW谐振器S11、S12是相同的大小,而其它谐振器B2、B3、B4与2个SAW谐振器S11、S12的大小不同。另外,谐振器B1与实施例1的谐振器A2相同。
图11中表示实施例2中的2次高次谐波H2的测定结果。图11的曲线图中,实线是谐振器B1的测定结果,双点划线是谐振器B2的测定结果,虚线是谐振器B3的测定结果,单点划线是谐振器B4的测定结果。此外,实施例1所示的参照用的谐振器R1的测定结果也在该曲线图中由虚线表示。
根据图11所示的测定结果可知,实施例2的任意一个谐振器的2次高次谐波H2都比参照用的谐振器R1的2次高次谐波H2降低。此外,随着构成实施例2的谐振器的2个SAW谐振器S11、S12接近相同大小,2次高次谐波H2更加减少。根据该结果,能够确认将构成谐振器的2个SAW谐振器S11、S12设为相同大小的情况下能够使2次高次谐波H2减少。
(实施例3)
制作由与上述第2实施方式所涉及的SAW元件53的串联谐振器S101(图7)同样的结构构成的谐振器C1、由与图8所示的比较用的SAW元件54的串联谐振器S101同样的结构构成的比较例的谐振器Co以及参照用的谐振器R2,针对这些谐振器测定2次高次谐波H2。
实施例3的谐振器C1、比较例的谐振器Co以及参照用的谐振器R2是将除了交叉宽度以及电极指根数以外的条件设为与表1所示的条件相同的条件来制作的。交叉宽度如下:谐振器C1的2个SAW谐振器S11、S12都是26λ,谐振器Co的2个SAW谐振器S11、S12都是13λ,谐振器R2是13λ。此外,电极指根数如下:谐振器C1是“100根/100根”,谐振器Co是“200根/200根”,谐振器R2是100根。
图12中表示实施例3中的2次高次谐波H2的测定结果。图12的曲线图中,实线是实施例3的谐振器C1的测定结果,单点划线是谐振器Co的测定结果,虚线是参照用的谐振器R2的测定结果。
如图12的测定结果所示可知,实施例3的谐振器C1以及比较例的谐振器Co的任意一个的谐振器的2次高次谐波H2都比参照用的谐振器R2的2次高次谐波H2减少。认为比较例的谐振器Co的2次高次谐波H2减少是由于施加到谐振器Co的电压被分压到2个SAW谐振器S11、S12。但是,实施例3的谐振器C1的2次高次谐波H2减少比较例的谐振器Co以上。根据该结果能够确认实施例3的谐振器C1的2次高次谐波H2的减少效果比比较例的谐振器Co大。
另外,在上述的实施例中仅表示了2次高次谐波H2的减少效果,但实施例所涉及的谐振器对于2次非线性引起的其他失真波、例如2次的相互调制失真(IM2)等也由于同样的原理,发挥减少效果。
本发明并不局限于以上的实施方式,可以通过各种方式来实施。
在上述的实施方式中,说明了以相同的形状并且相同的大小形成第1IDT电极55和第2IDT电极56的例子,但两个IDT电极的形状以及大小也可以不同,如实施例2所示,也可以使第1IDT电极55与第2IDT电极56的电极指的根数、交叉宽度等不同。在该情况下,由于从第1IDT电极55产生的失真电流I2与从第2IDT电极56产生的失真电流I2在相互抵消的方向流动,因此能够发挥失真波的减少效果。
此外,第1IDT电极55以及第2IDT电极56也可以如图13所示,在第1连接布线37或者第2连接布线38之间分别具有反射器电极59。更具体来讲,第1IDT电极55为了反射在相对于配置了第1梳齿状电极25以及第2梳齿状电极26的方向垂直的方向传播的弹性波,按照在传播方向夹着第1IDT电极55的方式具有反射器电极59a、59b。
此外,第2IDT电极56也与第1IDT电极55同样地,具有反射器电极59c、59d。另外,在图13所示的形态中,是第1IDT电极55以及第2IDT电极56不具有第1、第2虚拟电极指35、36以及第3、第4虚拟电极指45、46的情况。
这样,在第1IDT电极55与第2IDT电极56之间的区域,设置有反射器电极59b以及反射器电极59c,因此在两个IDT电极产生的弹性波能够难以干扰。也就是说,即使将第1、第2IDT电极55、56配置为沿着第1IDT电极55的弹性波的传播方向和第2IDT电极56的弹性波的传播方向,在两个IDT电极产生的弹性波也能够难以被干扰。在其它的观点中,由于在两个IDT电极产生的弹性波难以被干扰,因此能够将第1、第2IDT电极55、56接近配置。
第1连接布线37或者第2连接布线38也可以如图13所示,被配置为穿过第1IDT电极55的反射器电极59b与第2IDT电极56的反射器电极59c之间。另外,图13(a)是第2连接布线38穿过反射器电极59b以及反射器电极59c之间的情况。这样,通过连接布线穿过2个反射器电极59之间,能够减少在第1IDT电极55或者第2IDT电极56产生的弹性波被连接布线散射。
此外,如图13所示,通过第1连接布线37以第2IDT电极56为基准来配置在反射器电极59d的外侧,能够减少在第2IDT电极56产生的弹性波被第1连接布线37散射。由于通过这样将连接布线配置在反射器电极的外侧,能够减少弹性波被散射,因此能够减少噪声与发送接收信号重叠。
此外,将第1IDT电极55与第2IDT电极56连接的方法并不局限于上述的实施方式。由于布线的缠绕是影响SAW元件的电特性、尺寸等的要因,因此优选尽量短。为了缩短布线的缠绕,例如图14(a)~(d)所示,考虑将第1IDT电极55以及第2IDT电极56的反射器电极利用为布线的一部分的方式、在第1IDT电极55与第2IDT电极56之间共用反射器电极,并且将其利用为布线的方式等。
通过这样缩短布线的缠绕,能够缩小SAW谐振器S1占据压电基板30的上表面的面积。其结果,能够将分波器1小型化。另外,在如图14(a)或(d)那样,将2个IDT电极的反射器共用化时,需要充分增多反射器的电极指的根数,以使得在2个IDT产生的弹性波不干扰。具体来讲,需要30根~100根左右。
进一步地,也可以如图15所示,将位于第1IDT电极55以及第2IDT电极56的外侧的反射器电极59a、59d与第1IDT电极55或者第2IDT电极56电连接。在图15中,赋予了斜线的位置是电极性相同的位置。另外,信号输入布线57以及信号输出布线58连接的位置由虚线所示。
关于图15所示的SAW元件51,被配置在图13的(a)所示的第1IDT电极55以及第2IDT电极56之间的反射器电极59b、59c被用作为共用的反射器电极59,并且被用作为第1连接布线37的一部分。
在本方式中,使用第1母线电极31来连接第1梳齿状电极25与位于第1、第2IDT电极55、56之间的反射器电极59。此外,使用第3母线电极41来连接位于第1、第2IDT电极55、56之间的反射器电极59与第3梳齿状电极27。此外,第2梳齿状电极26以及第4梳齿状电极28经由反射器电极59a电连接。进一步地,第4梳齿状电极28以及反射器电极59d经由第4母线电极42电连接。
这样,第1、第2、第3、第4梳齿状电极25、26、27、28在弹性波的传播方向,位于端部的电极指与具有极性的反射器电极59等相邻。因此,能够使由厚度(深度)方向的非线性引起,在电极指的周期为非对称的IDT电极端部产生的失真所导致的失真电流I3分别在抵消的方向产生,能够减少流过SAW元件51的失真电流I3
具体来讲,由厚度方向引起而产生的失真波被相邻的电极指或者反射器电极的极性左右。列举第1IDT电极55,由于位于第1梳齿状电极25的端部以外的第1电极指33在其两侧,不同的极性的第2电极指34对称地相邻,因此几乎没有在厚度方向引起而产生的失真波。
这里,如图15所示,位于端部的第1电极指33一方面与第2电极指34相邻,另一方面配置有具有与第2电极指34相同极性的反射器电极59a。例如,观察反射器电极59a侧的第1电极指33与反射器电极59a的关系,反射器电极59a与压电基板30的接触面积较大,为非对称的。因此,产生的失真的抵消完全消失,产生实质的失真电流。
与此相对地,观察第1连接布线37侧的第2电极指34、与第1连接布线37以及第1电极指33的关系,第1连接布线37以及第1电极指33与压电基板30的接触面积较大,为非对称的,因此产生实质的失真电流。但是,其极性与在反射器电极59a侧的端部产生的失真电流为相反方向。
因此,若看第1IDT电极55,则失真电流I3抵消,能够减少在该第1IDT电极的电极指端部产生的失真所导致的影响。另外,第2IDT电极56也是同样的。综上所述,通过调整电极指以及反射器电极的极性,能够减少在压电基板30的厚度方向引起的在IDT电极的电极指产生的失真电流I3
进一步地,在图15中,使用反射器电极59来作为连接第1IDT电极55以及第2IDT电极56的第2连接布线38,但如图16所示,也可以使用第2梳齿状电极26的第2电极指34来作为第2连接布线38。另外,第2电极指34也能够领会为广义的反射器电极59。此外,在图16中,附有斜线的位置是表示相同电极性的位置。
通过这样使用第3梳齿状电极27的第3电极指43的一部分来作为第1连接布线37,能够将SAW元件51小型化。此外,通过将与第1连接布线37相邻的电极指(第2电极指34以及第4电极指43)配置为与第1连接布线37不同的极性,能够使在第1IDT电极55产生的弹性波与在第2IDT电极56产生的弹性波的相位一致,能够减少阻抗特性恶化这样的干扰。
此外,如图17所示,也可以通过调整位于梳齿状电极的端部的电极指,来进一步小型化。另外,在图17中,附有斜线的位置是具有相同极性的位置。具体来讲,第1IDT电极55中与第2IDT电极56相邻的电极指(第1电极指33)、与第2IDT电极56中与第1IDT电极55相邻的电极指(第4电极指43)配置为不同极性即可。通过这样配置,能够使在第1IDT电极55产生的弹性波与在第2IDT电极56产生的弹性波的相位一致,能减少阻抗特性的恶化这种干扰。
进一步地,如图18、19所示,也可以在第1IDT电极55以及第2IDT电极56之间,配置具有比图14中所说明的更少数量的电极指的反射器电极59。在该情况下,考虑第1IDT电极55中的第2IDT电极56侧的电极指与第2IDT电极56中的第1IDT电极55侧的电极指的极性来进行配置。
具体来讲,如图18所示,在第1IDT电极55的第2IDT电极56侧的第1电极指33的极性与第2IDT电极56的第1IDT电极55侧的第4电极指44的极性不同的情况下,位于第1IDT电极55以及第2IDT电极56之间的反射器电极59c、59d的电极指被设定为偶数根。通过这样设定,能够使在第1IDT电极55产生的弹性波与在第2IDT电极56产生的弹性波的相位一致,能够减少阻抗特性的恶化这种干扰。
另一方面,如图19所示,在第1IDT电极55的第2IDT电极56侧的第1电极指33的极性与第2IDT电极56的第1IDT电极55侧的第4电极指44的极性相同的情况下,位于第1IDT电极55以及第2IDT电极56之间的反射器电极59c、59d的电极指被设定为奇数根。通过这样设定,能够使在第1IDT电极55产生的弹性波与在第2IDT电极56产生的弹性波的相位一致,能够减少阻抗特性的恶化这种干扰。
通过将这种反射器用于连接2个IDT电极55、56之间的布线,能够减少2个IDT电极中的弹性波的干扰所导致的阻抗特性恶化,因此能够比图14中所说明的30~100根大幅度地减少反射器的电极指的数量。具体来讲,能够设为0根(图16的例子)~30根。由此,能够提供更小型的、产生的失真较小的、没有阻抗特性的恶化的谐振器。在该例中,仅记载了将2个IDT电极55、56并联连接的情况,但在如图14(b)所示,串联连接的情况下也能够设为同样的结构。
此外,弹性波元件并不局限于(狭义的)SAW元件。SAW元件也可以是例如弹性边界线波元件。
此外,在上述的实施方式中,表示了SAW元件具有多个谐振器,构成滤波器电路的例子,但也可以是例如只由一个谐振器构成。
IDT电极的形状并不局限于图示的形状。IDT电极也可以是例如未设置有虚拟电极指的电极。此外,也可以是使电极指的交叉宽度沿着SAW的传播方向不同,实施了变迹(apodize)的电极。此外,IDT电极也可以是母线电极倾斜或弯曲的电极,也可以是母线电极的与弹性波的传播方向正交的方向(y方向)上的大小变化(母线的电极指侧的边缘部的y方向的位置变化)的电极。此外,IDT电极也可以设置有电极指的间距变窄的部分,也可以设置有从1个梳齿状电极延伸的2个以上电极指与从另一个梳齿状电极延伸的电极指不交叉地相邻的部分。
此外,在上述的实施方式中,表示了从第3梳齿状电极27向第4梳齿状电极28配置的方向与从第1梳齿状电极25向第2梳齿状电极26配置的方向为相反方向的情况,但本发明并不局限于该结构。也就是说,只要从第3梳齿状电极27向第4梳齿状电极28配置的方向与从第1梳齿状电极25向第2梳齿状电极26配置的方向不是相同的方向(图4的方式,图8的方式)(不同),就能够起到减少失真波的效果。
具体来讲,只要从第3梳齿状电极27向第4梳齿状电极28配置的方向与从第1梳齿状电极25向第2梳齿状电极26配置的方向稍微偏离即可。通过这样配置,就能够发挥失真电流的抵消效果,能够减少从SAW元件51输出的失真电流。
进一步地,虽然在上述的实施方式中分割了SAW元件51,但也可以如图20以及图21所示,在构成分波器1的串联谐振器S1~S3、并联谐振器P1~P3或者辅助谐振器15之间减少失真波。
具体来讲,如图20所示,也可以将发送滤波器5的并联谐振器P1配置为相对于串联谐振器S1~S3,从信号输入侧的梳齿状电极到信号输出侧的梳齿状电极的配置方向为不同的方向。由此,在串联谐振器S1~S3产生的失真波与在并联谐振器P1产生的失真波能够抵消。其结果,能够减少发送滤波器5内的失真波。另外,将并联谐振器P1~P3的至少一个配置为相对于串联谐振器S1~S3的任意一个,从信号输入侧的梳齿状电极到信号输出侧的梳齿状电极的配置方向为相互不同的方向即可。
此外,也可以如图21(a)所示,将串联谐振器S3配置为相对于串联谐振器S1或者S2,从信号输入侧的梳齿状电极到信号输出侧的梳齿状电极的配置方向为不同的方向。另外,图21(a)所示的实施方式将本实施方式的结构应用于串联谐振器S3,但也能够适当地将相同的结构应用于串联谐振器S2或者S3。通过这样配置,能够使失真波减少。
进一步地,也可以如图21(b)所示,将被配置在接收滤波器6内的辅助谐振器15配置为相对于发送滤波器5的串联谐振器S1~S3,从信号输入侧的梳齿状电极到信号输出侧的梳齿状电极的配置方向为相互不同的方向。由此也能够减少失真波。此外,由于没有变更发送滤波器5的布线,因此能够提高发送滤波器5的设计自由度。
-符号说明-
1…分波器,21…第1间隙,22…第2间隙,23…第3间隙,24…第4间隙,25…第1梳齿状电极,26…第2梳齿状电极,27…第3梳齿状电极,28…第4梳齿状电极,30…压电基板,31…第1母线电极,32…第2母线电极,33…第1电极指,34…第2电极指,35…第1虚拟电极指,36…第2虚拟电极指,41…第3母线电极,42…第4母线电极,45…第3虚拟电极指,46…第4虚拟电极指,51…弹性波元件(SAW元件),55…第1IDT电极,56…第2IDT电极,57…信号输入布线,58…信号输出布线,59…反射器电极。

Claims (18)

1.一种弹性波元件,具备:
压电基板;和
弹性波谐振器,其被配置在该压电基板的主面,
该弹性波谐振器是分割为第1叉指换能器电极和与该第1叉指换能器电极电连接的第2叉指换能器电极来配置的,
所述第1叉指换能器电极包含信号输入侧的第1梳齿状电极和信号输出侧的第2梳齿状电极,所述第2叉指换能器电极包含信号输入侧的第3梳齿状电极和信号输出侧的第4梳齿状电极,
关于所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极,从所述第3梳齿状电极向所述第4梳齿状电极配置的方向与从所述第1梳齿状电极向所述第2梳齿状电极配置的方向不同,
所述弹性波元件还具备:与所述第1梳齿状电极电连接的信号输入布线;和与所述第2梳齿状电极电连接的信号输出布线,
所述第1叉指换能器电极通过所述第1梳齿状电极与所述第3梳齿状电极电连接,并且所述第2梳齿状电极与所述第4梳齿状电极电连接,从而与所述第2叉指换能器电极电并联连接。
2.一种弹性波元件,具备:
压电基板;和
弹性波谐振器,其被配置在该压电基板的主面,
该弹性波谐振器是分割为第1叉指换能器电极和与该第1叉指换能器电极电连接的第2叉指换能器电极来配置的,
所述第1叉指换能器电极包含信号输入侧的第1梳齿状电极和信号输出侧的第2梳齿状电极,所述第2叉指换能器电极包含信号输入侧的第3梳齿状电极和信号输出侧的第4梳齿状电极,
关于所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极,从所述第3梳齿状电极向所述第4梳齿状电极配置的方向与从所述第1梳齿状电极向所述第2梳齿状电极配置的方向不同,
所述弹性波元件还具备:与所述第1梳齿状电极电连接的信号输入布线;和与所述第4梳齿状电极电连接的信号输出布线,
所述第1叉指换能器电极通过所述第2梳齿状电极与所述第3梳齿状电极电连接,从而与所述第2叉指换能器电极电串联连接,
将所述第2梳齿状电极与所述第3梳齿状电极连接的连接布线位于所述压电基板上。
3.根据权利要求1或者2所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极如下:
所述第1梳齿状电极具有:第1母线电极;和与该第1母线电极连接并向所述第2梳齿状电极侧延伸的多个第1电极指,
所述第2梳齿状电极具有:与所述第1母线电极对置配置的第2母线电极;和与所述第2母线电极连接并向所述第1梳齿状电极侧延伸并且具有与所述第1电极指相邻的部分的多个第2电极指,
所述第2叉指换能器电极如下:
所述第3梳齿状电极具有:第3母线电极;和与该第3母线电极连接并向所述第4梳齿状电极侧延伸的多个第3电极指,
所述第4梳齿状电极具有:与所述第3母线电极对置配置的第4母线电极;和与该第4母线电极连接并向所述第3梳齿状电极侧延伸并且具有与所述第3电极指相邻的部分的多个第4电极指。
4.根据权利要求3所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极具有:与所述第1母线电极连接并且前端位于相对于所述第2电极指的前端具有第1间隙的位置的多个第1虚拟电极指;和与所述第2母线电极连接并且前端位于相对于所述第1电极指的前端具有第2间隙的位置的多个第2虚拟电极指,
所述第2叉指换能器电极具有:与所述第3母线电极连接并且前端位于相对于所述第4电极指的前端具有第3间隙的位置的多个第3虚拟电极指;和与所述第4母线电极连接并且前端位于相对于所述第3电极指的前端具有第4间隙的位置的多个第4虚拟电极指。
5.根据权利要求3所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极使第1弹性波在相对于配置了所述第1梳齿状电极以及所述第2梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极使第2弹性波在相对于配置了所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极被相对于所述第1叉指换能器电极而配置,以使得所述第2弹性波沿着所述第1弹性波,
在所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极之间,进一步配置有反射所述第1弹性波或者所述第2弹性波的反射器电极。
6.根据权利要求5所述的弹性波元件,其中,
所述反射器电极具有:被配置在所述第1叉指换能器电极侧的第1反射器电极;和被配置在所述第2叉指换能器电极侧的第2反射器电极,并且具有穿过所述第1反射器电极以及所述第2反射器电极之间并与所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极电连接的连接布线。
7.根据权利要求5所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极经由所述反射器电极电连接。
8.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极如下:
所述第1梳齿状电极具有:第1母线电极;和与该第1母线电极连接并向所述第2梳齿状电极侧延伸的多个第1电极指,
所述第2梳齿状电极具有:与所述第1母线电极对置配置的第2母线电极;和与所述第2母线电极连接并向所述第1梳齿状电极侧延伸并且具有与所述第1电极指相邻的部分的多个第2电极指,
所述第2叉指换能器电极如下:
所述第3梳齿状电极具有:第3母线电极;和与该第3母线电极连接并向所述第4梳齿状电极侧延伸的多个第3电极指,
所述第4梳齿状电极具有:与所述第3母线电极对置配置的第4母线电极;和与该第4母线电极连接并向所述第3梳齿状电极侧延伸并且具有与所述第3电极指相邻的部分的多个第4电极指,
所述第1叉指换能器电极使第1弹性波在相对于配置了所述第1梳齿状电极以及所述第2梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极使第2弹性波在相对于配置了所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极被相对于所述第1叉指换能器电极而配置,以使得所述第2弹性波沿着所述第1弹性波,
在所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极之间,进一步配置有反射所述第1弹性波或者所述第2弹性波的反射器电极,
所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极经由所述反射器电极电连接,
通过所述第1母线电极以及所述第3母线电极与所述反射器电极电连接,从而所述第1叉指换能器电极以及所述第2叉指换能器电极电连接。
9.根据权利要求8所述的弹性波元件,其中,
所述反射器电极具有:被配置在所述第1叉指换能器电极侧的第1反射器电极;和被配置在所述第2叉指换能器电极侧的第2反射器电极,
还具有:位于所述第1叉指换能器电极中相对于所述第1弹性波传播的方向与所述第1反射器电极相反的一侧的第3反射器电极;和位于所述第2叉指换能器电极中相对于所述第2弹性波传播的方向与所述第2反射器电极相反的一侧的第4反射器电极,
所述第2梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极经由所述第3反射器电极电连接。
10.根据权利要求9所述的弹性波元件,其中,
所述第4梳齿状电极以及所述第4反射器电极电连接。
11.根据权利要求3所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极使第1弹性波在相对于配置了所述第1梳齿状电极以及所述第2梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极使第2弹性波在相对于配置了所述第3梳齿状电极以及所述第4梳齿状电极的方向垂直的方向传播,
所述第2叉指换能器电极被相对于所述第1叉指换能器电极配置,以使得所述第2弹性波沿着所述第1弹性波,
所述第2梳齿状电极以及所述第3梳齿状电极相邻,并且位于该第3梳齿状电极侧的所述第2电极指与位于所述第2梳齿状电极侧的所述第3电极指相邻。
12.根据权利要求11所述的弹性波元件,其中,
具备:位于所述压电基板上并被配置在所述第1叉指换能器电极与所述第2叉指换能器电极之间的具有偶数根电极指的反射器电极,
位于所述第1叉指换能器电极的靠所述第2叉指换能器电极侧的端部的电极指与位于所述第2叉指换能器电极的靠所述第1叉指换能器电极侧的端部的电极指的极性不同。
13.根据权利要求11所述的弹性波元件,其中,
具备:位于所述压电基板上并被配置在所述第1叉指换能器电极与所述第2叉指换能器电极之间的具有奇数根电极指的反射器电极,
位于所述第1叉指换能器电极的靠所述第2叉指换能器电极侧的端部的电极指与位于所述第2叉指换能器电极的靠所述第1叉指换能器电极侧的端部的电极指的极性相同。
14.根据权利要求1或者2所述的弹性波元件,其中,
所述第1叉指换能器电极的从所述第1梳齿状电极向所述第2梳齿状电极的方向具有所述压电基板的晶体取向即Z轴方向的成分。
15.根据权利要求1或者2所述的弹性波元件,其中,
所述第2叉指换能器电极的形状以及大小与所述第1叉指换能器电极相同。
16.一种分波器,具备:
天线端子;
对发送信号进行滤波并输出到所述天线端子的发送滤波器;和
对来自所述天线端子的接收信号进行滤波的接收滤波器,
所述发送滤波器具有权利要求1~15的任意一项所述的弹性波元件。
17.根据权利要求16所述的分波器,其中,
所述发送滤波器具有多个第2弹性波谐振器,并且通过所述弹性波谐振器以及多个所述第2弹性波谐振器来构成梯子型滤波器,
所述弹性波谐振器位于比所述第2弹性波谐振器更靠所述天线端子侧。
18.一种通信模块,具备:
天线;
与该天线电连接的权利要求16或者17所述的分波器;和
与该分波器电连接的RF-IC。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5844939B2 (ja) * 2013-02-27 2016-01-20 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
WO2015002047A1 (ja) * 2013-07-02 2015-01-08 株式会社村田製作所 弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置
DE112014004085B4 (de) * 2013-09-06 2018-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonator für elastische Wellen, Filtervorrichtung für elastische Wellen, und Duplexer
JP6441590B2 (ja) * 2014-05-23 2018-12-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
CN107078720B (zh) * 2014-10-06 2021-12-24 株式会社村田制作所 梯型滤波器以及双工器
WO2016063718A1 (ja) 2014-10-21 2016-04-28 株式会社村田製作所 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
CN107005226B (zh) 2014-12-02 2020-11-20 京瓷株式会社 弹性波元件、分波器以及通信模块
US10418971B2 (en) * 2015-03-31 2019-09-17 Kyocera Corporation Acoustic wave module
US9502343B1 (en) * 2015-09-18 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy metal with zigzagged edges
WO2017170742A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
DE102016114071B3 (de) * 2016-07-29 2018-01-25 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Filter mit reduzierten Plattenmoden
CN106549648A (zh) * 2016-12-06 2017-03-29 深圳市麦高锐科技有限公司 一种芯片级封装的声表面波谐振器及制作工艺
CN110100387B (zh) * 2016-12-16 2023-06-06 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
WO2018117059A1 (ja) * 2016-12-19 2018-06-28 株式会社村田製作所 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2018117060A1 (ja) * 2016-12-19 2018-06-28 株式会社村田製作所 弾性波共振器、フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP6828754B2 (ja) * 2017-02-03 2021-02-10 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
DE102017110233A1 (de) * 2017-05-11 2018-11-15 RF360 Europe GmbH SAW-Vorrichtung mit unterdrücktem Parasitärsignal
JP6927334B2 (ja) * 2018-02-05 2021-08-25 株式会社村田製作所 フィルタ装置、高周波フロントエンド回路、および通信装置
US11929731B2 (en) 2018-02-18 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US12040779B2 (en) 2020-04-20 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor
US12088281B2 (en) 2021-02-03 2024-09-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-mark interdigital transducer
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US10601392B2 (en) 2018-06-15 2020-03-24 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US10985728B2 (en) 2018-06-15 2021-04-20 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US12095446B2 (en) 2018-06-15 2024-09-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US12113512B2 (en) 2021-03-29 2024-10-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Layout of XBARs with multiple sub-resonators in parallel
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11870423B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator
US12119808B2 (en) 2018-06-15 2024-10-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US12040781B2 (en) 2018-06-15 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US12081187B2 (en) 2018-06-15 2024-09-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
WO2020129470A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
KR102689012B1 (ko) 2019-03-13 2024-07-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서
WO2020186261A1 (en) 2019-03-14 2020-09-17 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer
US11463069B2 (en) * 2019-03-25 2022-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filters with isolation
DE102019108852B4 (de) * 2019-04-04 2021-09-09 RF360 Europe GmbH Mikroakustisches Bandsperrfilter
CN118316415A (zh) 2019-04-05 2024-07-09 株式会社村田制作所 横向激励薄膜体声波谐振器封装和方法
WO2021049206A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2021060509A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11881836B2 (en) * 2019-11-25 2024-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Cascaded resonator with different reflector pitch
JP7491087B2 (ja) * 2019-12-11 2024-05-28 株式会社村田製作所 フィルタ装置
US20220116020A1 (en) 2020-04-20 2022-04-14 Resonant Inc. Low loss transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
CN116195186A (zh) * 2020-09-29 2023-05-30 株式会社村田制作所 纵耦合谐振器型弹性波滤波器及弹性波滤波器
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
JP7416126B2 (ja) * 2021-06-03 2024-01-17 株式会社村田製作所 低損失横方向励起フィルムバルク音響共振器及びフィルタ
WO2024085127A1 (ja) * 2022-10-17 2024-04-25 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278830A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ及びその製造方法並びにデュプレクサ
CN102217193A (zh) * 2008-11-04 2011-10-12 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置以及具备其的模块

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2033185B (en) * 1978-09-22 1983-05-18 Secr Defence Acoustic wave device with temperature stabilisation
JP3360541B2 (ja) * 1995-10-20 2002-12-24 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置及びその設計方法
JP2000031778A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型sawフィルタ
JP3440935B2 (ja) * 2000-11-29 2003-08-25 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US6557776B2 (en) * 2001-07-19 2003-05-06 Cummins Inc. Fuel injector with injection rate control
JP3846409B2 (ja) * 2002-02-15 2006-11-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP4548418B2 (ja) * 2004-04-16 2010-09-22 エプソントヨコム株式会社 平衡型弾性表面波フィルタ
DE102004020183B4 (de) * 2004-04-22 2015-12-03 Epcos Ag Oberflächenwellen-Resonatorfilter mit longitudinal gekoppelten Wandlern
JP2006013576A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Epson Toyocom Corp Sawデバイスとこれを用いた装置
JP2006080873A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波装置及びそれを用いた通信装置
JP2007019975A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路
JP2007074698A (ja) 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
JP2007208690A (ja) 2006-02-02 2007-08-16 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子および発振器
JP5036435B2 (ja) * 2006-09-01 2012-09-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよび分波器
US9089437B2 (en) * 2006-10-16 2015-07-28 Pioneer Surgical Technology, Inc. Fusion device, systems and methods thereof
CN102017406B (zh) * 2008-04-25 2014-02-26 京瓷株式会社 声表面波装置和使用该装置的通信装置
JP5206128B2 (ja) * 2008-06-03 2013-06-12 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5200716B2 (ja) * 2008-07-14 2013-06-05 株式会社村田製作所 分波器
JP2010103951A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Epson Toyocom Corp Saw共振片
CN102804600B (zh) * 2009-06-26 2015-09-02 京瓷株式会社 表面声波滤波器以及使用其的分波器
JP5394847B2 (ja) * 2009-08-06 2014-01-22 太陽誘電株式会社 分波器
US8994479B2 (en) * 2009-08-25 2015-03-31 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device
JP2012010164A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性波分波器
JP2012147175A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性波分波器
JP5844939B2 (ja) * 2013-02-27 2016-01-20 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
WO2015002047A1 (ja) * 2013-07-02 2015-01-08 株式会社村田製作所 弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102217193A (zh) * 2008-11-04 2011-10-12 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置以及具备其的模块
JP2010278830A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ及びその製造方法並びにデュプレクサ

Also Published As

Publication number Publication date
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US20180048289A1 (en) 2018-02-15

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