JP7491087B2 - フィルタ装置 - Google Patents
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Description
共通端子、第1個別端子、及び第2個別端子と、
前記共通端子と前記第1個別端子との間に接続された第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2個別端子との間に接続され、前記第1フィルタの通過帯域より低い周波数域に通過帯域を持つ第2フィルタと
を備えており、
前記第1フィルタは複数の弾性表面波共振子を含み、前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、前記複数の分割共振子の各々はIDTを備えており、前記複数の分割共振子は、IDTのピッチが相互に異なる少なくとも2つの分割共振子を含み、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置が提供される。
複数の弾性表面波共振子を有する弾性表面波フィルタであって、
前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、
前記複数の分割共振子は、相互にIDTのピッチが異なっており、
前記複数の分割共振子のIDTのピッチの平均値をPaと表記し、前記複数の分割共振
子のIDTのピッチの最大値及び最小値を、それぞれPmax及びPminと表記した時、(Pmax-Pmin)/Paが0.7%以下であり、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置が提供される。
圧電材料からなる基板と、
前記基板に設けられ、相互に接続された複数の弾性表面波共振子と
を有し、
前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、
前記複数の分割共振子は、相互にIDTのピッチが異なっており、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置が提供される。
図1から図4Bまでの図面を参照して、第1実施例によるフィルタ装置について説明する。
第1実施例(図1)では、第1端子25から見て1番目の分岐点27と2番目の分岐点27との間の直列腕に挿入されたSAW共振子21を2つの分割共振子22で構成しているが、その他のSAW共振子21を2つの分割共振子22で構成してもよい。例えば、第1端子25から見て2番目の分岐点27より第2端子26側の直列腕に挿入されているSAW共振子21を2つの分割共振子22で構成してもよい。また、並列腕に挿入されているSAW共振子21を2つの分割共振子22で構成してもよい。
次に、図5から図13Bまでの図面を参照して、第2実施例によるフィルタ装置について説明する。以下、第1実施例によるフィルタ装置20(図1)と共通の構成については説明を省略する。
次に、図14から図15Dまでの図面を参照して第3実施例によるフィルタ装置について説明する。以下、第2実施例によるフィルタ装置20(図5、図6)と共通の構成については説明を省略する。
第3実施例において現れている2つのリップル86の各々に対応する挿入損失の低下量(以下、リップルの高さという。)の高さは、比較例において現れている1つのリップル87の高さより低い。リップル86の高さがリップル87の高さより低くなっているのは、第2バンドパスフィルタ40のSAW共振子42Cを2つの分割共振子34で構成しているためである。リップル86の高さが低くなることにより、不要波に起因するリップルが、共通端子60から第2個別端子41までの通過特性に与える影響を低減することができる。
第3実施例では、第2バンドパスフィルタ40のSAW共振子42Cを、2つの分割共振子34で構成しているが、第2バンドパスフィルタ40の他のSAW共振子を2つの分割共振子で構成してもよい。また、第3バンドパスフィルタ50の少なくとも1つのSAW共振子を、2つの分割共振子で構成してもよい。
次に、図16を参照して第4実施例による通信装置について説明する。第4実施例による通信装置に、第2実施例によるフィルタ装置20が用いられている。以下、第2実施例によるフィルタ装置20(図5、図6)と共通の構成については説明を省略す。
受信用バンドパスフィルタ121Rx及び受信用バンドパスフィルタ131Rxが、それぞれ第2実施例によるフィルタ装置20(図5)の第1バンドパスフィルタ30及び第2バンドパスフィルタ40に相当する。受信用バンドパスフィルタ121Rxとして、第2実施例による第1バンドパスフィルタ30の構成を採用することにより、受信用バンドパスフィルタ121Rx内での不要共振が受信用バンドパスフィルタ131Rxの通過特性に与える影響を軽減することができる。
次に、図17Aを参照して第5実施例によるフィルタ装置について説明する。以下、第1実施例によるフィルタ装置20(図1)及び第2実施例によるフィルタ装置(図5)と共通の構成については説明を省略する。第1実施例によるフィルタ装置20(図1)はバンドパスフィルタの機能を有するが、第5実施例によるフィルタ装置20はローパスフィルタの機能を有する。
第5実施例においても第1実施例と同様に、不要波に起因するリップルに対応する挿入損失の低下量が小さくなる。第2実施例によるフィルタ装置20(図5)の第1バンドパスフィルタ30に代えて、第5実施例によるローパスフィルタを用いてもよい。この場合、ローパスフィルタに起因するリップルが、他の第2バンドパスフィルタ40または第3バンドパスフィルタ50の通過特性に与える影響を軽減させることができる。
図17Bは、本変形例によるフィルタ装置20の等価回路図である。本変形例によるフィルタ装置20はハイパスフィルタの機能を有する。
第5実施例(図17A)では、第1端子25とグランドとの間に接続されたSAW共振子21を2つの分割共振子22で構成しているが、他のSAW共振子21を分割共振子22で構成してもよい。第5実施例の変形例(図17B)では、第1端子25に接続されたSAW共振子21を分割共振子22で構成しているが、他のSAW共振子21を分割共振子22で構成してもよい。
21 弾性表面波共振子(SAW共振子)
22 分割共振子
23 インダクタ
25 第1端子
26 第2端子
27 分岐点
28 基板
30 第1バンドパスフィルタ
31 第1個別端子
32A、32B、32C、32D SAW共振子
33 縦結合型SAWフィルタ
34 分割共振子
40 第2バンドパスフィルタ
41 第2個別端子
42A、42B、42C、42D、42E SAW共振子
43 縦結合型SAWフィルタ
50 第3バンドパスフィルタ
51 第3個別端子
52A、52B、52C、52D SAW共振子
53 縦結合型SAWフィルタ
60 共通端子
61 インダクタ
62 スイッチ
63 ローノイズアンプ
65、66、67 インダクタ
68 アンテナ
70 バンドパスフィルタ
71 個別端子
72 SAW共振子
73 分岐点
75 バンドパスフィルタ
80、81、82、83、84、85、86、87 リップル
90、91 直列腕
92、93 並列腕
95、96 直列腕
97 並列腕
100 高周波フロントエンド回路
101 送信側スイッチ
102 受信側スイッチ
103 パワーアンプ
104 ローノイズアンプ
110 クワッドプレクサ
120 デュプレクサ
121Rx 受信用バンドパスフィルタ
121Tx 送信用バンドパスフィルタ
122、123 個別端子
130 デュプレクサ
131Rx 受信用バンドパスフィルタ
131Tx 送信用バンドパスフィルタ
132、133 個別端子
140 高周波信号処理回路
141 ベースバンド信号処理回路
221 櫛形電極
222 インターディジタルトランスデューサー(IDT)
223 反射器
Claims (9)
- 共通端子、第1個別端子、及び第2個別端子と、
前記共通端子と前記第1個別端子との間に接続された第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2個別端子との間に接続され、前記第1フィルタの通過帯域より低い周波数域に通過帯域を持つ第2フィルタと
を備えており、
前記第1フィルタは複数の弾性表面波共振子を含み、前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、前記複数の分割共振子の各々はIDTを備えており、前記複数の分割共振子は、IDTのピッチが相互に異なる少なくとも2つの分割共振子を含み、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置。 - 前記第1フィルタの通過帯域の低域遮断周波数の0.7倍以上であって、高域遮断周波数の0.85倍以下の周波数帯域の少なくとも一部が、前記第2フィルタの通過帯域の少なくとも一部と重なっている請求項1に記載のフィルタ装置。
- 前記第1フィルタは、前記共通端子と前記第1個別端子とを接続する直列腕から複数の並列腕が分岐するラダー型フィルタであり、
前記共通端子から前記第1個別端子に向かって1番目の分岐点と前記共通端子との間に前記複数の弾性表面波共振子のうち少なくとも1つの弾性表面波共振子が挿入されており、
前記共通端子から前記第1個別端子に向かって1番目の分岐点と前記共通端子との間、1番目の分岐点と2番目の分岐点との間、及び1番目の分岐点から分岐する並列腕の少なくとも1つに挿入された弾性表面波共振子が、前記複数の分割共振子で構成されている請求項1または2に記載のフィルタ装置。 - 前記第1フィルタは、前記共通端子と前記第1個別端子とを接続する直列腕から複数の並列腕が分岐するラダー型フィルタであり、
前記共通端子から前記第1個別端子に向かって1番目の分岐点と前記共通端子との間には弾性表面波共振子が挿入されておらず、
前記共通端子から前記第1個別端子に向かって1番目の分岐点と2番目の分岐点との間、2番目の分岐点と3番目の分岐点との間、1番目の分岐点から分岐する並列腕、及び2番目の分岐点から分岐する並列腕の少なくとも1つに挿入された弾性表面波共振子が、前記複数の分割共振子で構成されている請求項1または2に記載のフィルタ装置。 - 前記複数の分割共振子のIDTのピッチの平均値をPaと表記し、前記複数の分割共振子のIDTのピッチの最大値及び最小値を、それぞれPmax及びPminと表記した時、(Pmax-Pmin)/Paが0.7%以下である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
- 複数の弾性表面波共振子を有する弾性表面波フィルタであって、
前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、
前記複数の分割共振子は、相互にIDTのピッチが異なっており、
前記複数の分割共振子のIDTのピッチの平均値をPaと表記し、前記複数の分割共振
子のIDTのピッチの最大値及び最小値を、それぞれPmax及びPminと表記した時、(Pmax-Pmin)/Paが0.7%以下であり、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置。 - 前記複数の弾性表面波共振子はラダー型フィルタを構成しており、前記分割共振子は、ラダー型フィルタの直列腕及び並列腕の少なくとも一方に挿入されている請求項6に記載のフィルタ装置。
- 圧電材料からなる基板と、
前記基板に設けられ、相互に接続された複数の弾性表面波共振子と
を有し、
前記複数の弾性表面波共振子の少なくとも1つは、相互に並列に接続された複数の分割共振子で構成されており、
前記複数の分割共振子は、相互にIDTのピッチが異なっており、
前記複数の分割共振子のIDTの電極指の配列方向は相互に平行であり、
前記複数の分割共振子のIDTは、前記電極指の配列方向に対して直交する方向にずれて配置されており、
前記複数の分割共振子のそれぞれのIDTの前記電極指が配置された領域の、前記電極指の配列方向に関する位置が、前記複数の分割共振子の間で重ならないフィルタ装置。 - 前記複数の弾性表面波共振子はラダー型フィルタを構成しており、前記分割共振子は、ラダー型フィルタの直列腕及び並列腕の少なくとも一方に挿入されている請求項8に記載のフィルタ装置。
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