CN104601113A - 振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体 - Google Patents

振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体 Download PDF

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CN104601113A CN201410592977.7A CN201410592977A CN104601113A CN 104601113 A CN104601113 A CN 104601113A CN 201410592977 A CN201410592977 A CN 201410592977A CN 104601113 A CN104601113 A CN 104601113A
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Abstract

本发明提供振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体，能够提高振子的检查可靠性。振荡电路(1)构成为包含：振荡部(10)，其具有与振子(100)连接的第1端子(11)以及第2端子(12)；第3端子(13)，其被供给接地电位(VSS)；第4端子(14)，其与第2端子(12)电连接，被施加用于驱动振子(100)的交流电压以及用于使振荡部(10)进行动作的电压中的至少一个；和第1切换部(21)，其切换第1端子(11)与第3端子(13)之间的电连接。

Description

振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体
技术领域
本发明涉及振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体。
背景技术
石英振子(压电振子)或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)振子等振子需要进行如下检查来检查振子的特性，该检查包括：施加较大的电流、电压或电力的AC(交流)信号驱动振子来检查振子的频率特性等的过驱动(overdrive)检查、施加使较大的电流、电压或电力的AC信号阶段性地增减的信号驱动振子来检查振子的频率特性等的变动的驱动等级检查等。
另一方面，为了振荡器的小型化，开发了在同一收容容器内收容石英振子和振荡电路的振荡器。因此，为了在同一收容容器内安装石英振子和振荡电路之后检查振子的特性，考虑了各种方法。
在专利文献1中公开了这样的石英振荡器，该石英振荡器构成为具有在检查石英振子特性时利用的检查专用的检查用端子以及模拟开关，在检查石英振子时，经由模拟开关将石英振子与检查用端子进行导通连接，在振荡器的通常动作时，使检查用端子与石英振子分离，该模拟开关是通过对电源输入端子施加特定的直流电压而受到控制的。
另外，在专利文献2中公开了将振荡器的功能端子兼作为石英振子的检查用端子的石英振荡器。
在专利文献2中，选择输出端子以及备用端子来用作与石英振子的检查用端子兼用的端子的原因是，考虑到在检查石英振子的特性时利用电源电压控制切换电路。
为了使切换电路的动作稳定，需要对电源端子以及地线端子(接地端子)施加稳定度高的电位。如果将这些端子兼作为石英检查端子，由于石英振子的信号叠加到直流电压中，电源电压变得不稳定。因此，石英振子将两个端子限定为输出端子以及备用端子。
专利文献1：日本特开2001-102870号公报
专利文献2：日本特开2009-201097号公报
在专利文献1以及专利文献2中，当进行振子的检查时，除了与振子连接的用于检查的两个石英检查端子之外，为了控制模拟开关、切换电路，还需要电源端子以及接地端子，所以，必须管理与这4个端子电连接的电极以及探针等的连接。并且，要管理的连接处越多，则产生连接不良引起的检查问题的可能性越高，从而导致振子的检查可靠性降低。
发明内容
本发明是鉴于以上这样的技术课题而完成的。根据本发明的几个方式，可提供能够提高振子的检查可靠性的振荡电路、振荡器、振荡器的制造方法、电子设备及移动体。
[应用例1]
本应用例的振荡电路包含：振荡部，其具有与振子连接的第1端子以及第2端子；第3端子，其与规定的电位连接；第4端子，其与所述第2端子电连接；和第1切换部，其切换所述第1端子与所述第3端子之间的电连接，所述第4端子是被施加用于驱动所述振子的交流电压以及用于使所述振荡部进行动作的电压中的至少一方的端子。
根据本应用例，例如，对与第1端子电连接的第3端子以及与第2端子电连接的第4端子之间供给用于驱动振子的交流电压，由此例如可进行过驱动检查或驱动等级检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，可共用第3端子以及第4端子，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的可能性，所以可实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。另外，不是经由振荡部而是经由第3端子和第4端子对振子供给用于检查振子特性的交流电压，所以与经由振荡部对振子供给用于检查振子的交流电压的情况相比，对用于检查振子的交流电压大小的限制变少。另外，因为使检查专用的端子与通常动作时的端子共用，所以能够减少端子数，也能够使振荡电路小型化。
[应用例2]
在上述的振荡电路中优选的是，所述规定的电压是接地电压。
根据本应用例，因为第3端子是与接地电压连接的端子，所以例如在对与第1端子电连接的第3端子以及与第2端子电连接的第4端子之间供给用于检查振子的交流电压时，能够在更稳定的状态下对振子施加用于检查振子的交流电压。
[应用例3]
在上述的振荡电路中优选的是，所述第1切换部是具有保护所述振荡部不受比在所述振荡部进行动作的状态下对所述第1端子施加的最大电压高的电压影响的功能的电路。
根据本应用例，第1切换部可与具有保护振荡部不受比在所述振荡部进行动作的状态下对所述第1端子施加的最大电压高的电压例如静电影响的功能的电路共用，所以与分别设置专用的开关和静电保护用的电路作为第1切换部的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路。
[应用例4]
在上述的振荡电路中优选的是，所述第1端子是所述振荡部的输入端子。
根据本应用例，例如将振荡部的输入端子连接到接地电位侧，所以在振子的检查时，容易停止振荡部的动作。因此，例如在振子的检查时降低对振子施加从振荡部产生的电压的情况，所以能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。另外，能够实现即使施加振子的检查用交流电压、振荡部劣化的可能性也比较小的振荡电路。
[应用例5]
在上述的振荡电路中优选的是，所述第1切换部包含晶体管。
根据本应用例，例如通过将晶体管用作开关电路，能够容易地控制第1端子与第3端子之间的电连接。另外，可采用第3端子、用于供给使晶体管进行动作的电源电位的端子以及第4端子这3个端子进行振子的检查。因此，能够降低产生第1端子与第3端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，可利用较少的端子数来检查振子，所以能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。
[应用例6]
在上述的振荡电路中优选的是，所述第4端子不是被供给电源电位的端子、以及输出所述振荡电路的振荡信号的端子中的任意一个。
由于第4端子不是被供给电源电位的端子，从而在振子的检查时能够在不受电源电位的变动等引起的噪声的影响的情况下进行振子的检查。另外，由于第4端子不是输出振荡电路的发送信号的端子，从而在输出振荡电路的发送信号的端子与振子之间没有电气连接。因此，能够减弱第4端子与输出振荡电路的振荡信号的端子之间的电气耦合，即，能够保持为高阻抗，所以，能够减少振荡电路在通常动作时的误动作。
[应用例7]
在上述的振荡电路中优选的是，该振荡电路还包含控制所述第1切换部的控制部，所述第1切换部具有：第1模式，在该第1模式中，以使所述第1端子与所述第3端子电连接的方式进行控制；以及第2模式，在该第2模式中，以使所述第1端子与所述第3端子不电连接的方式进行控制，所述控制部根据在所供给的电源电位是基准值以上的期间内输入的时钟信号，使所述第1切换部从所述第2模式切换为所述第1模式。
根据本应用例，控制部根据电源电位的大小以及时钟信号两个信号进行模式的切换，所以如果仅仅是电源电位变动，则不会切换模式，所以能够降低模式无意间切换的误动作的可能性。
[应用例8]
在上述的振荡电路中优选的是，该振荡电路还包含切换所述第2端子与所述第4端子之间的电连接的第2切换部。
根据本应用例，例如在振子的检查时可将第4端子作为检查用的端子进行共用，在振荡电路的通常动作时将第4端子作为功能端子(例如，输入用于控制振荡频率的控制信号的端子等)进行共用，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如，能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的可能性，所以能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。
[应用例9]
在上述的振荡电路中优选的是，该振荡电路还包含：第2切换部，其切换所述第2端子与所述第4端子之间的电连接；以及控制部，其控制所述第1切换部以及所述第2切换部，所述第1切换部以及所述第2切换部具有：第1模式，在该第1模式中，以所述第1端子与所述第3端子电连接、并且所述第2端子与所述第4端子电连接的方式进行控制；以及第2模式，在该第2模式中，以所述第1端子与所述第3端子不电连接、并且所述第2端子与所述第4端子不电连接的方式进行控制，所述控制部根据在所供给的电源电位是基准值以上的期间内输入的时钟信号，使所述第1切换部以及所述第2切换部从所述第2模式切换为所述第1模式。
根据本应用例，控制部根据电源电位的大小以及时钟信号两个信号进行模式的切换，所以如果仅仅是电源电位变动，则不会切换模式，所以能够降低模式无意间切换的误动作的可能性。
[应用例10]
本应用例的振荡电路包含：振荡单元，其将振子作为频率源，该振荡单元与所述振子之间具有反馈用的导电路径；信号从所述振荡单元通往所述振子的路径；信号从所述振子通往所述振荡单元的路径；以及阻抗控制单元，其控制信号从所述振子通往所述振荡单元的路径与接地用导电路径之间的阻抗，信号从所述振荡单元通往所述振子的路径是被施加用于驱动所述振子的交流电压的路径。
根据本应用例，对信号从振荡单元通往振子的路径与接地用导电路径之间供给用于驱动振子的交流电压例如用于检查振子的特性的交流电压，并且利用阻抗控制单元以使信号从振子通往振荡单元的路径与接地用导电路径之间的阻抗减小的方式进行控制，由此，例如可进行过驱动检查或驱动等级检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，可共用施加检查用的交流电压的端子以及接地用导电路径，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如能够降低产生用于输入检查用的交流电压的探针与振荡电路侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。另外，不经由振荡单元，而是经由信号从振荡单元通往振子的路径和接地用导电路径对振子供给用于检查振子特性的交流电压，所以与经由振荡单元对振子供给用于检查振子特性的交流电压的情况相比，对用于检查振子特性的交流电压大小的限制变少。另外，能够实现即使施加用于检查振子特性的交流电压、振荡部劣化的可能性也比较小的振荡电路。
[应用例11]
本应用例的振荡器包含上述任意一个振荡电路和振子。
[应用例12]
在上述的振荡器中优选的是，还包含收容所述振荡电路和所述振子的封装。
根据这些应用例的振荡器，因为包含提高了振子的检查可靠性的振荡电路，所以能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡器。
[应用例13]
本应用例的振荡器的制造方法包含以下的工序：准备工序，准备以下这样的结构：该结构具备振荡电路和振子，该振荡电路包含具有与振子连接的第1端子以及第2端子的振荡部、与规定的电位连接的第3端子、与所述第2端子电连接的第4端子、以及切换所述第1端子与所述第3端子之间的电连接的第1切换部，所述振荡电路与所述振子电连接，并且所述第1切换部被切换为所述第1端子与所述第3端子电连接；电压施加工序，对所述第3端子以及所述第4端子施加交流电压；以及切换工序，把所述第1切换部切换为所述第1端子与所述第3端子不电连接。
根据本应用例，在电压施加工序中对第3端子与第4端子之间供给用于检查振子的交流电压，由此例如能够进行过驱动检查或驱动等级检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，可共用第3端子，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的可能性，所以可实现提高了振子的检查可靠性的振荡器的制造方法。另外，例如在第3端子是与接地电位连接的端子的情况下，可使第3端子共用化而供给作为振子检查用的交流电压基准的接地电位和振荡电路的接地电位。因此，还能够进一步减少用于检查的端子数。
[应用例14]
关于上述振荡器的制造方法，在所述电压施加工序中对所述第3端子以及所述第4端子施加的交流电压是过驱动检查用的电压以及驱动等级检查用的电压中的至少一方。
根据本应用例，进行过驱动检查以及驱动等级检查中的至少一方作为振子的检查，所以可将在振子的检查中成为合格品的振荡器判别为合格品。因此，能够制造可靠性高的振荡器。
[应用例15]
本应用例的电子设备包含上述任意一个振荡电路或上述任意一个振荡器。
[应用例16]
本应用例的移动体包含上述任意一个振荡电路或上述任意一个振荡器。
根据这些应用例的电子设备以及移动体，包含提高了振子的检查可靠性的振荡电路或振荡器，所以能够实现可靠性高的电子设备以及移动体。
附图说明
图1是第1实施方式的振荡电路1的电路图。
图2是示出振荡部10的结构的一例的电路图。
图3是示出作为振荡部10的变形例的振荡部10a的结构的一例的电路图。
图4是示出作为第1切换部21的变形例的第1切换部21a的电路结构的电路图。
图5是用于说明控制部30的模式切换动作的时序图。
图6是示出具有输入容差功能的第2切换部22的结构例的电路图。
图7是第2实施方式的振荡电路1a的电路图。
图8是第3实施方式的振荡电路1b的电路图。
图9是本实施方式的振荡器1000的剖视图。
图10是变形例的振荡器1000a的剖视图。
图11是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的流程图。
图12是示出信号施加工序的概要的框图。
图13是本实施方式的电子设备300的功能框图。
图14是示出作为电子设备300的一例的智能手机的外观一例的图。
图15是示出本实施方式的移动体400的一例的图(俯视图)。
标号说明
1、1a、1b振荡电路；2电子部件；10、10a振荡部；11第1端子；12第2端子；13第3端子；14第4端子；15第5端子；16第6端子；21、21a第1切换部；22、22a第2切换部；30控制部；31串行接口；32寄存器；33存储器；41偏压生成电路；42频率控制部；43输出缓冲器；44XO端子输入输出部；100振子；300电子设备；310倍增电路；320CPU；330操作部；340ROM；350RAM；360通信部；370显示部；380声音输出部；400移动体；420控制器；430控制器；440控制器；450电池；460备用电池；1000、1000a振荡器；1100、1100a封装；1200盖；1300电极；1400、1400a、1400b收容室；1500密封部件；2000电源；3000信号发生器；C节点；C11～C15电容器；CS11电流源；INV反相器；M11晶体管；N1NMOS晶体管；N21～N23NMOS晶体管；P1PMOS晶体管；P21～P27PMOS晶体管；R1～R2电阻；R11～R12电阻；SW开关；VDD电源电位；VDSUB节点；VSS接地电位；TH元件。
具体实施方式
以下，使用附图来详细说明本发明的优选实施例。所用的附图是为了便于说明。此外，以下说明的实施例并非对权利要求所记载的本发明内容进行不当限定。另外，以下说明的全部结构并非是本发明的必须构成要件。
1.第1实施方式的振荡电路
图1是第1实施方式的振荡电路1的电路图。振荡电路1的一部分或全部可由半导体装置构成。
本实施方式的振荡电路1包含：振荡单元，其将振子100作为频率源，该振荡单元与振子100之间具有反馈用的导电路径；信号从振荡单元通往振子100的路径；信号从振子100通往振荡单元的路径；以及阻抗控制单元，其控制信号从振子100通往振荡单元的路径与接地用导电路径之间的阻抗。另外，作为本发明的一例，第1实施方式的振荡电路1是不包含振子100的结构，但也可以是在振荡电路1中包含振子100的结构。
更具体地说，振荡电路1构成为包含：振荡部10，其具有与振子100连接的第1端子11以及第2端子12；第3端子13，其被提供接地电位VSS(规定的电位的一例)；第4端子14，其与第2端子12电连接；和第1切换部21，其切换第1端子11与第3端子13的电连接。上述振荡单元的功能主要由振荡部10实现。信号从上述的振荡单元通往振子100的一部分路径是第2端子12与XO端子输入输出部44之间的电连接部。信号从上述的振子100通往振荡单元的一部分路径是第1端子11与第1切换部21之间的电连接部。上述阻抗控制单元主要由第1端子11以及第1切换部21来实现。另外，在图1所示的例子中，振荡电路1构成为包含：控制第1切换部21以及第2切换部22的控制部30；XO端子输入输出部44；被提供电源电位VDD的第5端子15和输出振荡信号的第6端子16。
振荡部10与振子100电连接而进行振荡动作。振荡部10例如可采用皮尔斯振荡电路、反相型振荡电路、考比兹振荡电路、哈托莱振荡电路等各种公知的振荡电路。在本实施方式中，振荡部10是皮尔斯振荡电路。另外，在本实施方式中，与振荡部10相关联地构成为包含偏压生成电路41、频率控制部42以及输出缓冲器43。
图2是示出振荡部10的结构的一例的电路图。在图2所示的例子中，振荡部10构成为包含晶体管M11、电容器C11～C15、电阻R11～R12以及电流源CS11。电容器C11以及电容器C12是DC切断电容。电容器C13以及电容器C14是频率控制用的可变电容。通过设置电容器C11以及电容器C12，可与晶体管M11等分离地控制对电容器C13以及电容器C14施加的偏置电压。另外，在进行过驱动检查或驱动等级检查等振子100的特性检查时，可降低击穿电流流过晶体管M11的风险。
第1端子11与晶体管M11的基极经由电容器C11连接。第2端子12与晶体管M11的集电极经由电容器C12连接。晶体管M11的基极与集电极经由电阻R11连接。晶体管M11的集电极与电源电位VDD经由电流源CS11连接。晶体管M11的集电极与输出缓冲器43的输入端子连接。晶体管M11的发射极与接地电位VSS连接。电容器C13与电容器C15串联连接，电容器C13的一端与第1端子11连接，电容器C15的一端与接地电位VSS连接。电容器C14的一端与第2端子12连接。电容器C14的另一端与电容器C13和电容器C15的公共连接点连接，并且经由电阻R12与频率控制部42的输出端子连接。电容器C13的一端和电容器C14的一端被提供偏压生成电路41输出的偏置电压。
图3是示出作为振荡部10的变形例的振荡部10a的结构的一例的电路图。振荡部10a是去除了振荡部10的DC切断电容即电容器C11以及电容器C12后的结构。与其相伴，还去除了从偏压生成电路41接受偏置电压的供给的结构。其它结构与振荡部10相同。
此外，在图2所示的振荡部10以及图3所示的振荡部10a中，输入端子侧为第1端子11，输出端子侧为第2端子12，但也可以使输入端子侧为第2端子12，使输出端子侧为第1端子11。
返回图1，偏压生成电路41根据从第5端子15供给的电力，生成偏置电压并提供给振荡部10。在本实施方式中，对振荡部10的电容器C13和电容器C14供给偏置电压。
频率控制部42根据对第4端子14输入的控制信号来控制振荡部10包含的可变电容(图2中的电容器C13以及电容器C14)。即，在图1所示的例子中，第4端子14还作为频率控制用的端子发挥功能。由此，能够控制振荡部10中的振荡频率。频率控制部42例如可构成为包含将输入到第4端子14的控制信号放大而输出至振荡部10的放大电路。
输出缓冲器43由放大电路构成。输出缓冲器43输入振荡部10所输出的振荡信号，向第6端子16输出信号。
第1切换部21切换振荡部10的第1端子11与被供给接地电位VSS的第3端子13的电连接。在图1所示的例子中，第1切换部21根据控制部30所输出的控制信号来切换第1端子11与第3端子13的电连接。第1切换部21例如可构成为包含连接在第1端子11与第3端子13之间的开关。在图1所示的例子中，NMOS晶体管N1作为开关发挥功能。
在图1所示的例子中，第2端子12和第4端子14经由XO端子输入输出部44以及第2切换部22电连接。XO端子输入输出部44使振荡部10的第2端子12与振子100连接，并且经由电阻R2连接第2端子12和第2切换部22。电阻R2作为针对第2切换部22的静电放电(ESD；Electro-Static Discharge)保护元件发挥功能。
根据本实施方式的振荡电路1，对信号从振荡单元通往振子100的路径与接地用导电路径之间提供用于检查振子100的特性的电压信号(用于驱动振子100的交流电压的一例)，并且利用阻抗控制单元以减小信号从振子100通往振荡单元的路径与接地用导电路径之间的阻抗的方式进行控制，由此例如可进行过驱动检查(施加AC(交流)信号对振子100进行强激励的试验)、驱动等级检查(一边改变振幅一边输入AC信号时的振子100的频率稳定性试验)或振子100的频率调整(测定振子100的共振频率，进行振子100的调整以成为期望的共振频率)等的振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时和振子100的检查时，可共用施加检查用电压的端子以及接地用导电路径，所以，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，可减少用于检查的端子数。因此，例如，能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路1侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。另外，不是经由振荡单元，而是经由信号从振荡单元通往振子的路径和接地用导电路径，来对振子100提供用于检查振子100的特性的电压信号，所以与经由振荡单元对振子100供给电压信号的情况相比，对电压信号大小的限制变少。另外，能够实现即使施加振子100的检查信号、振荡部10劣化的可能性也比较小的振荡电路1。
更具体地说，根据本实施方式的振荡电路1，例如，通过对与第1端子11电连接的第3端子13和与第2端子12电连接的第4端子14之间供给用于检查振子100的电压信号(用于驱动振子100的交流电压的一例)，来进行例如过驱动检查或驱动等级检查等振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时与振子100的检查时，可共用第3端子13以及第4端子14，所以，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，可减少用于检查的端子数。因此，例如，能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路1侧的端子的之间电连接不良导致的检查问题的可能性，所以，能够实现提高了振子检查可靠性的振荡电路1。另外，不是经由振荡部10，而是经由第3端子13和第4端子14来对振子100供给用于检查振子100的特性的电压信号，所以，与经由振荡部10对振子100提供电压信号的情况相比，对电压信号大小的限制变少。另外，因为检查专用的端子与通常动作时的端子共用，所以，能够减少端子数，也能够使振荡电路1小型化。
如图1所示，振荡电路1可构成为还包含切换第2端子12与第4端子14的电连接的第2切换部22。
第2切换部22构成为包含切换第2端子12与第4端子14的电连接的开关SW。开关SW根据控制部30输出的控制信号来切换第2端子12与第4端子14的电连接。开关SW可由晶体管构成。
根据本实施方式的振荡电路1，在振子100的检查时能够将第4端子14用作检查用的端子，在振荡电路1的通常动作时能够将第4端子14用作功能端子(例如，接受用于控制振荡频率的控制信号的输入的端子等)，所以，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，可减少用于检查的端子数。因此，例如，能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。
如图1所示，第1切换部21可以是具有保护振荡部10免受静电影响的功能的电路(静电放电保护电路、保护振荡部10免受比振荡部10动作的状态下对第1端子11施加的最大电压高的电压的影响的电路的一例)。在图1所示的例子中，第1切换部21构成为包含作为晶体管一例的NMOS晶体管N1和电阻R1，作为针对振荡部10或振子100的第1端子11侧的静电放电保护电路发挥功能。
NMOS晶体管N1的漏极与第1端子11连接，源极与接地电位VSS连接。电阻R1的一端与NMOS晶体管N1的栅极连接，另一端与接地电位VSS连接。NMOS晶体管N1的栅极被输入来自控制部30的控制信号，根据所输入的控制信号，NMOS晶体管N1切换导通状态和截止状态。
根据本实施方式的振荡电路1，因为第1切换部21是静电放电保护电路，所以，与设置专用的开关作为第1切换部21的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路1。
另外，第1切换部21可构成为在第1端子11与接地电位VSS之间连接多个静电放电保护电路。例如，如果并联连接多个本实施方式的第1切换部21，则能够进一步提高释放第1切换部21的静电的功能，并且能够增加对振子100施加的检查用的电压信号到达接地电位VSS的路径。由此，与第1切换部21只有1个的情况相比，可减小流过1个第1切换部21的检查用电压信号的大小，所以，第1切换部21破坏的可能性降低，对检查用电压信号的大小的限制变少。
图4是示出作为第1切换部21的变形例的第1切换部21a的电路结构的电路图。图4所示的第1切换部21a可由包含NMOS晶体管N1和电阻R1的电路以及具有保护振荡部10免受静电影响的功能的元件(静电放电保护元件)TH例如晶闸管、二极管等构成。根据这样的结构，在振子100的检查时将NMOS晶体管N1用作开关电路，能够容易地控制第1端子11与被供给接地电位VSS的第3端子13之间的电连接，并且，在作为振荡器进行动作的情况下，可进一步提高振荡部10的对于静电的耐性，所以，能够实现可靠性更高的振荡电路1。
如图1以及图2所示，第1端子11可以是振荡部10的输入端子。另外，如图1以及图2所示，第2端子12可以是振荡部10的输出端子。
根据本实施方式的振荡电路1，例如，振荡部10的输入端子与接地电位侧连接，所以，在振子100的检查时，可容易停止振荡部10的动作。因此，例如，在振子100的检查时可降低振荡部10产生的信号被施加到振子100的情况，因此能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。另外，能够实现即使施加振子100的检查信号、振荡部10劣化的可能性也比较小的振荡电路1。
如图1所示，第1切换部21可构成为包含晶体管。在图1所示的例子中，第1切换部21构成为包含NMOS晶体管N1。
根据本实施方式的振荡电路1，例如，将NMOS晶体管N1用作开关电路，由此，容易地控制第1端子11与被供给接地电位VSS的第3端子13之间的电连接。另外，可采用被供给接地电位VSS的第3端子13、用于供给使NMOS晶体管N1进行动作的电源电位VDD的第5端子15以及第4端子14这3个端子进行振子100的检查。因此，能够降低产生第1端子11与第3端子13之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，并且可利用较少的端子数来检查振子100，所以，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。
如图1所示，优选的是，第4端子14不是以下这些端子中的任意一个，这些端子是：被供给电源电位VDD的端子(第5端子15)、被供给接地电位VSS的端子(第3端子13)以及输出振荡电路1的发送信号的端子(第6端子16；发送信号输出端子)。
由于第4端子14不是被供给电源电位VDD的端子(第5端子15)，从而在振子100的检查时，能够在不受由于电源电位VDD的变动等而引起的噪声的影响的情况下进行振子100的检查。另外，由于第4端子14不是被供给接地电位VSS的端子(第3端子13)，从而在振子100的检查时，可对第3端子13与第4端子14之间供给振子100的检查用电压信号。另外，由于第4端子14不是输出振荡电路1的发送信号的端子(第6端子16)，从而在输出振荡电路1的发送信号的端子(第6端子16)与振子100之间没有电气连接。因此，能够减弱第4端子14与输出振荡电路1的振荡信号的端子(第6端子16)之间的电气耦合，即，能够保持为高阻抗，所以，能够减少振荡电路1在通常动作时的误动作。
如图1所示，振荡电路1还包含控制第1切换部21的控制部30，第1切换部21具有第1模式和第2模式，在该第1模式中，以使第1端子11与第3端子13电连接的方式进行控制，在该第2模式中，以使第1端子11与第3端子13不电连接的方式进行控制。控制部30可根据在供给的电源电位VDD是基准值Vt以上的期间内输入的时钟信号SCLK，使第1切换部21从第2模式切换为第1模式。
另外，振荡电路1还包含切换第2端子12与第4端子14的电连接的第2切换部22和控制第1切换部21以及第2切换部22的控制部30，第1切换部21以及第2切换部22具有第1模式和第2模式，在该第1模式中，以使第1端子11与第3端子13电连接、并且第2端子12与第4端子14电连接的方式进行控制，在该第2模式中，以使第1端子11与第3端子13不电连接、并且第2端子12与第4端子14不电连接的方式进行控制。控制部30可根据在供给的电源电位VDD是基准值Vt以上的期间内输入的时钟信号SCLK，使第1切换部21以及第2切换部22从第2模式切换为第1模式。
在图1所示的例子中，控制部30构成为包含串行接口31、寄存器32、存储器33以及PMOS晶体管P1。
串行接口31接受电源电位VDD的供给，接受时钟信号SCLK的输入，根据已接受输入的时钟信号SCLK来控制寄存器32以及存储器33。在本实施方式中，从第4端子14输入时钟信号SCLK。另外，在本实施方式中，串行接口31具有对寄存器32写入数据的寄存器写入模式和对寄存器32以及存储器33写入数据的存储器写入模式。
寄存器32存储用于控制第1切换部21、第2切换部22、频率控制部42以及振荡部10的数据，根据所存储的数据来控制第1切换部21、第2切换部22、频率控制部42以及振荡部10。在振荡电路1的通电时，寄存器32读入存储在存储器33中的数据并进行存储，在利用串行接口31写入了新数据时，存储利用串行接口31写入的新数据。
存储器33对在振荡电路1的通电时存储在寄存器32中的数据进行存储。存储器33例如可由EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)或闪存等可改写的非易失性存储器、不能电改写但可通过照射紫外线进行删除的FAMOS(Floating gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor)存储器或者掩模ROM(Read-Only Memory)等的不能改写的非易失性存储器等各种公知非易失性存储器构成。此外，FAMOS存储器是以利用雪崩注入将电荷积蓄到浮栅内的方式作为一次性可编程(OTP：One Time Programmable)存储器使用的非易失性存储器。
PMOS晶体管P1的漏极与电源电位VDD连接，源极与第1切换部21的NMOS晶体管N1的栅极连接，栅极经由第2切换部22被输入寄存器32所输出的控制信号。PMOS晶体管P1对第1切换部21的NMOS晶体管N1的栅极输出控制信号。在图1所示的例子中构成为，栅极经由第2切换部22接收寄存器32输出的控制信号，但也可以构成为，栅极直接接收寄存器32输出的控制信号。
在第1模式中，控制部30控制第1切换部21，使第1端子11与第3端子13之间的电连接状态成为导通状态。另外，在第1模式中，控制部30控制第2切换部22，使第2端子12与第4端子14之间的电连接状态成为导通状态。另外，在第1模式中，控制部30控制频率控制部42，使频率控制部42的动作停止。
在第2模式中，控制部30控制第1切换部21，使第1端子11与第3端子13之间的电连接状态成为断开状态。另外，在第2模式中，控制部30控制第2切换部22，使第2端子12与第4端子14之间的电连接状态成为断开状态。另外，在第2模式中，控制部30控制频率控制部42，使频率控制部42进行通常动作。
图5是用于说明控制部30的模式切换动作的时序图。图5的横轴对应于时间，纵轴对应于电压。图5的上方的时序图表示对控制部30供给的电源电位VDD，图5的下方的时序图表示对控制部30输入的时钟信号SCLK。
在图5所示的例子中，电源电位VDD在时刻t0为0V，在时刻t1为电压VDDL，在时刻t2为基准值Vt，然后，上升到电压VDDH。在电源电位VDD是高于基准值Vt的电压VDDH的期间内输入的最初的时钟信号SCLK的脉冲的下降时刻、即时刻t3，开始模式切换动作，根据之后的时钟信号SCLK的脉冲，例如，控制第1切换部21以及第2切换部22成为第1模式，在电源电位VDD返回至电压VDDL的时刻t4，控制部30控制第1切换部21以及第2切换部22，例如，控制第1切换部21以及第2切换部22，切换为第2模式。
根据本实施方式的振荡电路1，控制部30根据电源电位VDD的大小以及时钟信号SCLK两个信号进行模式的切换，所以，仅在电源电位VDD变动的情况下不会切换模式，因此，能够降低模式意外地切换的这种误动作的可能性。
控制部30在第1模式的情况下也可以控制电流源CS11，使振荡部10或振荡部10a的电流源CS11的动作停止。由此，可抑制对振荡部10或振荡部10a的晶体管M11的集电极供给的电流，所以，能够降低振荡部10或振荡部10a进行误动作的可能性。
第2切换部22优选具有输入容差功能，该输入容差功能是在从第4端子14输入的电压超过电源电位VDD时，防止电流从第4端子14向第5端子15逆流。在图1所示的例子中，在振荡电路1的通常动作时，第4端子14被输入频率控制用的信号。关于频率控制用的信号，因为是由振荡电路1的使用者设定电压值，所以有时误输入比电源电位VDD高的电压。因此，通过使第2切换部22具有输入容差功能，可抑制对第5端子15的不良影响。
图6是示出具有输入容差功能的第2切换部22的结构例的电路图。在图6所示的例子中，第2切换部22构成为包含NMOS晶体管N21～N23、PMOS晶体管P21～P27以及反相器INV。由NMOS晶体管N21和PMOS晶体管P21构成模拟开关。
在第1模式中，从控制部30输出的控制信号是高电平。在此情况下，图6的节点C成为低电平，所以，由NMOS晶体管N21和PMOS晶体管P21构成的模拟开关成为导通状态。
在第2模式中，从控制部30输出的控制信号是低电平。在此情况下，图6的节点C成为高电平，所以，由NMOS晶体管N21和PMOS晶体管P21构成的模拟开关成为断开状态。
在第2模式中，PMOS晶体管P23始终是导通状态，所以节点VDSUB和电源电位VDD是相同电位。当第4端子14的电位超过电源电位VDD时，通过PMOS晶体管P22的寄生二极管对浮置状态的节点VDSUB充入电荷，使节点VDSUB的电位逐渐上升。当节点VDSUB的电位比电源电位VDD高出PMOS晶体管P22的阈值电压Vth时，PMOS晶体管P22导通，节点VDSUB与第4端子14成为相同电位。这样，PMOS晶体管P24导通，节点C与节点VDSUB成为相同电位，由NMOS晶体管N21和PMOS晶体管P21构成的模拟开关维持断开状态。因此，即使在第4端子14的电位超过电源电位VDD时，也能够与第4端子14的电位是电源电位VDD以下的情况相同地使第4端子14与内部电路(在图1以及图5所示的例子中为XO端子输入输出部44)之间进行电气切断，可防止意外的误动作。另外，即使在第4端子14的电位超过电源电位VDD时，PMOS晶体管P21的漏极或者源极端子与衬底电位之间的寄生二极管也不会导通，能够防止从第4端子14到第5端子15的逆流电流。
2.第2实施方式的振荡电路
图7是第2实施方式的振荡电路1a的电路图。对与图1所示的振荡电路1同样的结构标注同一标号，省略详细的说明。
在本实施方式的振荡电路1a中，第4端子14是还作为输出缓冲器43的输出输出信号的端子发挥功能的端子，第6端子16是还作为频率控制用的端子发挥功能的端子。另外，振荡电路1a包含第2切换部22a，第2切换部22a切换第2端子12与第4端子14的电连接。
因为振荡电路1a中的第4端子14不是使用者通常输入信号的端子，所以，第2切换部22a可采用不具有输入容差功能的单纯的模拟开关。由此，能够减小电路规模。另外，基于与第1实施方式的振荡电路1同样的原因，振荡电路1a可起到同样的效果。
3.第3实施方式的振荡电路
图8是第3实施方式的振荡电路1b的电路图。对与图1所示的振荡电路1同样的结构标注同一标号，省略详细的说明。
在本实施方式的振荡电路1b中，具有第7端子17作为频率控制用的端子，第4端子14和第7端子17构成为独立的端子。
基于与振荡电路1同样的原因，在振荡电路1b也可起到同样的效果。另外，因为独立地构成第4端子14和第7端子17，所以，还可以省略第2切换部22。由此，可减小电路规模。
4.振荡器
图9是本实施方式的振荡器1000的剖视图。振荡器1000包含构成振荡电路1的电子部件2以及振子100。另外，在图9所示的例子中，振荡器1000构成为包含封装1100，该封装1100将电子部件2和振子100收容在同一空间内。另外，在图9所示的例子中，振荡器1000构成为包含盖1200以及电极1300。在图9所示的例子中，电子部件2可构成为单片的半导体装置。另外，振子100可采用石英振子、SAW谐振器或使用压电陶瓷等的压电振子、MEMS振子等。
在封装1100中设置有凹部，利用盖1200覆盖凹部，从而形成收容室1400。封装1100在凹部的表面或封装1100的内部设置有用于使振荡电路1与振子100电连接的布线以及端子。另外，在封装1100中设置有与振荡电路1的第3端子13(VSS)、第4端子14(VC)、第5端子15(VDD)以及第6端子16(OUT)分别电连接的电极1300。
图10是变形例的振荡器1000a的剖视图。振荡器1000a包含构成振荡电路1的电子部件2以及振子100。另外，在图10所示的例子中，振荡器1000a构成为包含封装1100a，该封装1100a将电子部件2和振子100收容在不同的空间内。另外，在图10所示的例子中，振荡器1000a构成为包含盖1200、电极1300以及密封部件1500。在图10所示的例子中，电子部件2构成为单片的半导体装置。另外，振子100可采用石英振子、SAW谐振器或使用压电陶瓷等的压电振子、MEMS振子等。
封装1100a在相对的面上设置有两个凹部，利用盖1200覆盖一个凹部而形成收容室1400a，利用密封部件1500覆盖另一个凹部而形成收容室1400b。在图10所示的例子中，在收容室1400a内收容振子100，在收容室1400b内收容电子部件2。封装1100a在凹部的表面或封装1100a的内部设置有用于使振荡电路1与振子100电连接的布线以及端子。另外，在封装1100a中设置有与振荡电路1的第3端子13(VSS)、第4端子14(VC)、第5端子15(VDD)以及第6端子16(OUT)分别电连接的电极1300。
根据本实施方式的振荡器1000以及振荡器1000a，因为包含提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1，所以能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡器1000以及振荡器1000a。当在构成振荡电路1的电子部件2中采用振荡电路1a或振荡电路1b来取代振荡电路1时，基于同样的原因，可实现同样的效果。另外，因为使检查专用的端子与通常动作时的端子共用，所以能够减少端子数，也能够使振荡器1000以及振荡器1000a小型化。
5.振荡器的制造方法
图11是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的流程图。
在本实施方式的振荡器1000的制造方法中，包含以下的工序：准备工序，准备以下这样的结构：该结构具备振荡电路1和振子100，该振荡电路1包含具有与振子100连接的第1端子11以及第2端子12的振荡部10、与接地电位VSS(规定的电位)连接的第3端子13、与第2端子12电连接的第4端子14、以及切换第1端子11与第3端子13的电连接的第1切换部21，振荡电路1与振子100电连接，并且第1切换部21被切换为第1端子11与第3端子13电连接；交流电压施加工序，对第3端子13以及第4端子14施加交流电压；和切换工序，把第1切换部21切换为第1端子11与第3端子13不电连接。
首先，准备这样的结构(准备工序；步骤S100)：振荡电路1与振子100电连接，并且第1切换部21被切换为第1端子11与第3端子13电连接。更具体地说，准备使振子100电连接到振荡电路1的第1端子11与第2端子12之间的结构。例如，在使振荡电路1与振子100连接之后，可利用控制部30将第1切换部21设定为第1模式，也可以使预先通过控制部30将第1切换部21设定为第1模式的振荡电路1与振子100连接。
在步骤S100之后，对第3端子13以及第4端子14施加交流电压(交流电压施加工序；步骤S102)。
图12是示出交流电压施加工序的概要的框图。在图12所示的例子中，采用电源2000以及信号发生器3000进行振子100的过驱动检查。此外，也可以取代信号发生器3000，而采用能够与振子100共振的外置振荡电路例如考比兹振荡电路等进行振子100的过驱动检查。另外，也可代替过驱动检查而进行驱动等级检查，或者可进行过驱动检查与驱动等级检查这两个检查。
与振荡电路1的第5端子15(VDD)电连接的振荡器1000的电极1300(VDD)与电源2000的电源端子连接。与振荡电路1的第3端子13(VSS)电连接的振荡器1000的电极1300(VSS)与接地电位VSS连接。与振荡电路1的第4端子14(VC)电连接的振荡器1000的电极1300(VC)与信号发生器3000的输出端子连接。与振荡电路1的第6端子16(OUT)电连接的振荡器1000的电极1300(OUT)不与任何地方连接。
根据图12所示的结构，能够对第3端子13与第4端子14之间施加交流电压。由此，能够进行过驱动检查或驱动等级检查等振子100的特性检查。
在步骤S102之后，把第1切换部21切换为第1端子11与第3端子13不电连接(切换工序；步骤S104)。具体地说，例如，通过控制部30将第1切换部21切换为第2模式。由此，振荡器1000成为可进行通常动作的状态。此外，在上述的制造方法中，采用振荡电路1仅具有第1切换部21的结构进行了说明，但不限于此，还可以采用这样的振荡电路1，其具有控制第2端子12与第4端子14的电连接的第2切换部22，并且第1切换部21以及第2切换部22的模式联动地进行切换。
根据本实施方式的振荡器1000的制造方法，在交流电压施加工序中对第3端子13与第4端子14之间供给用于检查振子100的电压信号(交流电压的一例)，例如，可进行过驱动检查或驱动等级检查等振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时和振子100的检查时，可共用第3端子13，所以，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，可减少用于检查的端子数。因此，例如，能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路1侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡器1000的制造方法。
在上述振荡器1000的制造方法中，在信号施加工序(步骤S102)中对第3端子13以及第4端子14施加的信号可以是过驱动检查用的信号以及驱动等级检查用的信号中的至少一方。
根据本实施方式，进行过驱动检查以及驱动等级检查中的至少一方来作为振子100的检查，所以能够将在振子100的检查中为合格品的振荡器1000判别为合格品。因此，能够制造可靠性高的振荡器1000。
此外，在取代振荡电路1而采用振荡电路1a或振荡电路1b时，基于同样的原因，也可起到同样的效果。另外，振荡器1000a也能够与振荡器1000同样地制造，起到同样的效果。
6.电子设备
图13是本实施方式的电子设备300的功能框图。此外，对与上述的各实施方式相同的结构标注同一标号，省略详细的说明。
本实施方式的电子设备300是包含振荡电路1、振荡电路1a、振荡电路1b、振荡器1000或振荡器1000a的电子设备300。图13示出包含振荡电路1的电子设备300。在图13所示的例子中，电子设备300构成为包含振子100、振荡电路1、倍增电路310、CPU(Central Processing Unit)320、操作部330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360、显示部370、声音输出部380。此外，本实施方式的电子设备300可省略或变更图9所示的构成要素(各个部)的一部分，或者也可以是附加其它构成要素后的结构。
除了CPU320(省略图示)以外，倍增电路310还对各个部供给时钟脉冲。时钟脉冲例如可以是倍增电路310从来自与振子100连接的振荡电路1的振荡信号中取出期望的高次谐波信号而得到的信号，或者可以是具有PLL合成器的倍增电路310对来自振荡电路1的振荡信号进行倍增而得到的信号(省略图示)。
CPU320根据ROM340等存储的程序，利用由倍增电路310输出的时钟脉冲进行各种计算处理或控制处理。具体地说，CPU320进行与来自操作部330的操作信号相应的各种处理、为了与外部进行数据通信而控制通信部360的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理、使声音输出部380输出各种声音的处理等。
操作部330是由操作键或按钮开关等构成的输入装置，将与用户的操作相应的操作信号输出至CPU320。
ROM340存储用于供CPU320进行各种计算处理或控制处理的程序或数据等。
RAM350被用作CPU320的作业区域，临时存储从ROM340读出的程序或数据、从操作部330输入的数据、CPU320根据各种程序而执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立CPU320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)或电泳显示器等构成的显示装置，根据从CPU320输入的显示信号来显示各种信息。
并且，声音输出部380是扬声器等输出声音的装置。
根据本实施方式的电子设备300，因为包含提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1、振荡电路1a、振荡电路1b、振荡器1000或振荡器1000a，所以能够实现可靠性高的电子设备300。
作为电子设备300可考虑各种电子设备。例如能够举出个人计算机(例如，移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、便携电话机等移动终端、数字照相机、喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、路由器或开关等存储器区域网络设备、局域网设备、移动终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、车载导航装置、寻呼机、电子笔记本(还包括带通信功能的)、电子词典、电子计算机、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、电视电话、安全用电视监视器、电子望远镜、POS(point of sale：销售点)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、运动轨迹仪、运动跟踪器、运动控制器、PDR(步行者位置方位测量)等。
图14是示出作为电子设备300的一例的智能手机的外观的一例的图。作为电子设备300的智能手机具有按钮作为操作部330，具有LCD作为显示部370。然后，作为电子设备300的智能手机包含振荡电路1、振荡电路1a、振荡电路1b、振荡器1000或振荡器1000a，所以能够实现可靠性高的电子设备300。
7.移动体
图15是示出本实施方式的移动体400的一例的图(俯视图)。此外，对与上述各实施方式同样的结构标注同一标号，省略详细的说明。
本实施方式的移动体400是包含振荡电路1、振荡电路1a、振荡电路1b、振荡器1000或振荡器1000a的移动体400。图15示出包含振荡器1000的移动体400。另外，在图15所示的例子中，移动体400构成为包含：进行发动机系统、制动系统、无钥匙进入系统等的各种控制的控制器420、控制器430、控制器440、电池450以及备用电池460。此外，本实施方式的移动体400可省略或变更图15所示的构成要素(各个部)的一部分，也可以是附加其它构成要素后的结构。
根据本实施方式的移动体400，包含提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1、振荡电路1a、振荡电路1b、振荡器1000或振荡器1000a，所以能够实现可靠性高的移动体400。
作为这样的移动体400可考虑各种移动体，例如，能够举出汽车(还包含电动车)、喷气式飞机或直升机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
以上，对本实施方式或变形例进行了说明，但本发明不限于这些本实施方式或变形例，在不脱离其要旨的范围中可利用各种方式进行实施。
本发明包含与实施方式所说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构或者目的以及效果相同的结构)。另外，本发明包含置换了在实施方式中说明的结构的非本质部分的结构。另外，本发明包含能起到与实施方式所说明的结构相同的作用效果的结构或可达到同一目的的结构。另外，本发明包含将公知技术附加到在实施方式中所说明的结构后的结构。

Claims (16)

1.一种振荡电路，其包含：
振荡部，其具有与振子连接的第1端子以及第2端子；
第3端子，其与规定的电位连接；
第4端子，其与所述第2端子电连接；和
第1切换部，其切换所述第1端子与所述第3端子之间的电连接，
所述第4端子是被施加用于驱动所述振子的交流电压以及用于使所述振荡部进行动作的电压中的至少一方的端子。
2.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述规定的电位是接地电位。
3.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述第1切换部是具有保护所述振荡部不受比在所述振荡部进行动作的状态下对所述第1端子施加的最大电压高的电压影响的功能的电路。
4.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述第1端子是所述振荡部的输入端子。
5.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述第1切换部包含晶体管。
6.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述第4端子不是被供给电源电位的端子、与所述接地电位连接的端子以及被输出所述振荡电路的振荡信号的端子中的任意一个。
7.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
该振荡电路还包含控制所述第1切换部的控制部，
所述第1切换部具有：
第1模式，在该第1模式中，以使所述第1端子与所述第3端子电连接的方式进行控制；以及
第2模式，在该第2模式中，以使所述第1端子与所述第3端子不电连接的方式进行控制，
所述控制部根据在所供给的电源电位是基准值以上的期间内输入的时钟信号，使所述第1切换部从所述第2模式切换为所述第1模式。
8.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
该振荡电路还包含切换所述第2端子与所述第4端子之间的电连接的第2切换部。
9.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
该振荡电路还包含：
第2切换部，其切换所述第2端子与所述第4端子之间的电连接；以及
控制部，其控制所述第1切换部以及所述第2切换部，
所述第1切换部以及所述第2切换部具有：
第1模式，在该第1模式中，以所述第1端子与所述第3端子电连接、并且所述第2端子与所述第4端子电连接的方式进行控制；以及
第2模式，在该第2模式中，以所述第1端子与所述第3端子不电连接、并且所述第2端子与所述第4端子不电连接的方式进行控制，
所述控制部根据在所供给的电源电位是基准值以上的期间内输入的时钟信号，使所述第1切换部以及所述第2切换部从所述第2模式切换为所述第1模式。
10.一种振荡电路，其包含：
振荡单元，其将振子作为频率源，该振荡单元与所述振子之间具有反馈用的导电路径；
信号从所述振荡单元通往所述振子的路径；
信号从所述振子通往所述振荡单元的路径；以及
阻抗控制单元，其控制信号从所述振子通往所述振荡单元的路径与接地用导电路径之间的阻抗，
信号从所述振荡单元通往所述振子的路径是被施加用于驱动所述振子的交流电压的路径。
11.一种振荡器，其包含：
权利要求1所述的振荡电路；以及
振子。
12.根据权利要求11所述的振荡器，其中，
该振荡器还包含收容所述振荡电路和所述振子的封装。
13.一种振荡器制造方法，该制造方法包含以下的工序：
准备工序，准备以下这样的结构：该结构具备振荡电路和振子，该振荡电路包含具有与振子连接的第1端子以及第2端子的振荡部、与规定的电位连接的第3端子、与所述第2端子电连接的第4端子、以及切换所述第1端子与所述第3端子之间的电连接的第1切换部，所述振荡电路与所述振子电连接，并且所述第1切换部被切换为所述第1端子与所述第3端子电连接；
电压施加工序，对所述第3端子以及所述第4端子施加交流电压；以及
切换工序，把所述第1切换部切换为所述第1端子与所述第3端子不电连接。
14.根据权利要求13所述的振荡器制造方法，其中，
在所述电压施加工序中对所述第3端子以及所述第4端子施加的交流电压是过驱动检查用的电压以及驱动等级检查用的电压中的至少一方。
15.一种电子设备，其包含权利要求1所述的振荡电路。
16.一种移动体，其包含权利要求1所述的振荡电路。
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PB01 Publication
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Inventor after: Yamamoto Takehiro

Inventor after: Ishikawa Masayuki

Inventor after: YOSUKE ITASAKA

Inventor after: Fukuzawa Akihiro

Inventor before: Yamamoto Takehiro

Inventor before: Ishikawa Masayuki

Inventor before: YOSUKE ITASAKA

CB03 Change of inventor or designer information
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Application publication date: 20150506

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