CN104170110A - 有机电致发光元件 - Google Patents

有机电致发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN104170110A
CN104170110A CN201380009394.0A CN201380009394A CN104170110A CN 104170110 A CN104170110 A CN 104170110A CN 201380009394 A CN201380009394 A CN 201380009394A CN 104170110 A CN104170110 A CN 104170110A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
layer
organic
zno
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380009394.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104170110B (zh
Inventor
夫勇进
千叶贵之
城户淳二
佐藤晟
井手田一茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamagata University NUC
Original Assignee
Yamagata University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamagata University NUC filed Critical Yamagata University NUC
Publication of CN104170110A publication Critical patent/CN104170110A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104170110B publication Critical patent/CN104170110B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/78—Benzo [b] furans; Hydrogenated benzo [b] furans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供通过利用稳定且均一性优良的膜形成电子注入层、且形成可有效地发挥功能的电荷发生层、可实现效率提高的有机电致发光元件。在一对电极(1、5)间具备至少1层的有机层的有机EL元件中，形成由含ZnO层构成的电子注入层(2)和电荷发生层(3)，所述电荷发生层(3)含有与电子注入层(2)的阴极侧连接形成的含电子受体膜(3a)及与其相邻的含电子供体膜(3b)。

Description

有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及通过具备电荷发生层而可实现发光效率的提高、还可得到全涂布型层叠的有机电致发光元件(以下简称为有机EL元件)。
背景技术
以有机EL元件为代表的有机电子设备的制作中的有机层等各构成层的形成方法大致分为：使用了蒸镀法等的干法制备和利用使用了在有机溶剂中溶解有有机材料的溶液的涂布法的湿法制备。
在干法制备中，由于通常在10-4～10-6Pa的高真空下将有机层及金属成膜，因此几乎没有水分或氧、杂质的混入等，具有可以所需的膜厚进行均匀的成膜的优点。另外，由于可连续地将有机层、金属氧化物及金属成膜，因此通过使各层具有分离的功能，可容易地实现元件的高效率化和元件结构的最优化。另一方面，有下述课题：难以大面积的均匀成膜，材料的利用效率低，高成本等。
与此相对，在湿法制备中，由于成膜工序比较简单，低成本，可进行大面积、挠性的成膜，因此近年来受到关注，并非限于有机EL元件，在有机晶体管或有机薄膜太阳能电池等有机电子设备的研究开发中也被利用。
作为具体的手法，除了利用旋涂法、流延法、喷雾法等的涂布法之外，还可列举出浸渍法、自组织化法、LB法等浸漬法，以及利用喷墨、丝网印刷、卷对卷法(roll to roll)等的印刷法。
在利用旋涂法的涂布法中，使有机材料溶解在各种溶剂中，在大气下或手套箱等内的不活性气体气氛下，通过控制溶液的滴液量、浓度、旋涂的转速等，以所需的膜厚进行成膜。
以往，对于涂布型的有机电子设备中的电子注入层来说，为水溶性或醇可溶性，将功函数低的Ba或Ca等金属与Al等进行组合使用，但由于这些金属活性非常高，因此容易受到大气中的水分或氧的影响而不稳定。
另外，在涂布型有机电子设备中使用的有机材料基本上多为单极性，即具有空穴或电子的任意一者的电荷输送性。因此，由于电荷穿通至电极，存在对电荷再结合没有帮助的电荷，这样的低载波平衡所导致的有机电子设备的低效率化也成为课题。
因此，为了实现涂布型有机电子设备的高效率化，需要可阻止因层叠结构所导致的电荷的穿通、而且在大气下稳定且可涂布的电子注入层或电子输送层。
与此相对，例如专利文献1中记载了：通过涂布含有具有PO基的芳基化合物、和溶解于醇中获得的碱金属离子或碱土类金属离子的液体材料，形成电子输送层，可提高电子注入性及电子输送性。
另一方面，专利文献2中记载了：通过使用使氧化锌(ZnO)粒子和具有PO基的芳基化合物复合化而成的有机-无机复合材料，可在不使用碱金属、碱土类金属及其他化合物的情况下提高电子注入性及电子输送性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利4273132号公报
专利文献2：日本特开2009-212238号公报
发明内容
发明要解决的课题
上述专利文献1、2所记载的方法中，均将电子注入材料或者电子输送性材料的碱金属或碱土类金属或者ZnO制成与具有PO基的规定芳基化合物的复合材料而使其可溶于醇中来进行应用。
但是，在利用这些材料形成电子注入层情况下，当在其上利用真空蒸镀法等形成电极时，具有下述课题：不能充分地获得电极膜的附着性，另外电子注入层内的所述电子注入材料的浓度分布容易变得不均匀。
另外，多个发光单元介由电荷发生层、串联式地层叠而成的多光子发光结构的有机EL元件(以下简称为MPE元件)中，在电荷发生层的阳极侧形成电子注入层，该材料中，利用蒸镀法形成膜厚为1nm以下的Cs、Li、LiF/Al等金属系的极薄膜。
这样的极薄膜的电子注入层的材料本身不稳定，且当大面积地形成时，膜厚容易变得不均匀，也有不能充分发挥相邻的电荷发生层的功能的情况。
因此，为了实现有机EL元件效率的提高，需要可由稳定且均一性优良的膜形成电子注入层、并且电荷发生层能够充分地发挥其功能的层构成。
本发明是为了解决上述技术课题而完成的，其目的在于：通过稳定且均一性优良的膜形成电子注入层、并且形成能够有效地发挥功能的电荷发生层来提供可实现效率提高的有机EL元件。
用于解决课题的方法
本发明的有机EL元件是在一对电极间具备至少1层有机层的有机EL元件，其特征在于，
其具备由含ZnO层构成的电子注入层和电荷发生层，所述电荷发生层含有与电子注入层的阴极侧连接形成的含电子受体膜和与其相邻的含电子供体膜。
通过形成这样的电子注入层及电荷发生层，可提高成膜性、实现有机EL元件的效率提高。
所述含ZnO层优选由下述中的任意一种构成：仅ZnO膜、ZnO膜与粘合剂膜的层叠体、ZnO和碱金属化合物的混合物膜、ZnO和碱金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和有机供体性化合物的混合物以及ZnO膜与有机供体性化合物膜的层叠体。
这样的含ZnO层可作为涂布膜形成，实现成膜性的提高。
对于上述碱金属化合物来说，由于作为n掺杂剂发挥功能、电子注入特性优良，因此优选使用氧化锂(Li2O)、氧化铯(Cs2O)、碳酸锂(Li2CO3)、碳酸铯(Cs2CO3)以及下述(化学式1)所示的8-羟基喹啉钠(以下简称为Naq)、8-羟基喹啉锂(以下简称为Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚锂(以下简称为Lipp)及2-(2’,2”-联吡啶-6’-基)苯酚锂(以下简称为Libpp)中的任意一种苯酚锂盐。
(化学式1)
另外，上述粘合剂优选为下述(化学式2)所示的聚(4-乙烯基吡啶)(以下简称为PVPy)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚[4-(4-乙烯基苯基)吡啶](以下简称为PVPhPy)、聚[5-乙烯基-2,2’-联吡啶](以下简称为PVBiPy)、聚[2-(4-乙烯基苯基)吡啶](以下简称为PVPh2Py)及聚[3-(4-乙烯基苯基)吡啶](以下简称为PVPh3Py)中的任意一种。
(化学式2)
另外，上述有机供体性化合物优选为下述(化学式3)所示的化合物组中的任意一种。
(化学式3)
另外，上述含电子受体膜可仅由电子受体构成、或由电子受体和粘合剂的混合物构成。
上述电子受体优选为相对于与上述含电子受体膜的阴极侧相邻的含电子供体膜的电子供体的HOMO能级(-A eV)、具有比(-A+1.5)eV深的费米能级的金属氧化物或具有比(-A+1.5)eV深的LUMO能级的有机电子受体。
通过使用这样的电子受体，可有效地使电荷发生层发挥功能。
上述电子受体优选为氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化钒(V2O5)、下述(化学式4)所示的1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈(以下简称为HAT-CN6)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(以下简称为F4-TCNQ)及氟化铜酞菁(以下简称为FCuPc)中的任意一种。
(化学式4)
构成与上述电子受体混合物的粘合剂优选为下述(化学式5)所示的N,N’-二[(1-萘基)-N,N’-二苯基]-1,1’-联苯-4,4’-二胺(以下简称为NPD)、N,N’-二苯基‐N,N’‐双[4-[双(3‐甲基苯基)氨基]苯基]-1,1’-联苯-4,4’-二胺(以下简称为DNTPD)或聚甲基丙烯酸甲酯(以下简称为PMMA)、PVPhPy中的任意一种。
(化学式5)
另外，上述有机层优选为多个发光单元介由上述电子注入层及上述电荷发生层、串联式地层叠而成的多光子发光结构。
上述层构成从实现这样的MPE元件的高效率化的方面，可特别优选地使用。
发明效果
本发明的有机EL元件能够利用稳定且均一性优良的膜可形成电子注入层，另外可形成能够有效地发挥功能的电荷发生层。
因此，本发明的具备电子注入层及电荷发生层的有机EL元件可实现效率提高。特别是，在MPE元件中，可适当地发挥电荷发生层的功能。
另外，本发明的上述电子注入层及电荷发生层可进行涂布成膜，可优选地应用于组合了蒸镀/涂布及有机/无机的混合层叠结构，还可实现向全涂布型有机EL元件、全涂布型MPE元件的制造的展开。
附图说明
图1是示意地示出本发明的有机EL元件的层结构之一例的概略截面图。
图2是示出实施例1的各试样的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图3是示出实施例2的各试样的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图4是示出实施例3的各试样的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图5是示出实施例4的各试样的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图6是示出实施例5的各试样的有机EL元件的外部量子效率-电流密度曲线的图表。
图7是示出实施例6的试样M的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图8是示出实施例6的试样N的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
图9是示出实施例6的试样O的有机EL元件的电流密度-电压曲线的图表。
具体实施方式
以下对本发明更为详细地进行说明。
本发明的有机EL元件是在一对电极间具备至少1层有机层的有机EL元件，其具备由含ZnO层构成的电子注入层和电荷发生层，所述电荷发生层含有与电子注入层的阴极侧连接形成的含电子受体膜和与其相邻的含电子供体膜。
通过成为这样的层构成，可获得具备可利用稳定且均一性优良的膜形成电子注入层、且能够有效地发挥功能的电荷发生层的有机EL元件，可实现提高发光效率。
当具体地显示具备上述电子注入层及电荷发生层的本发明的有机EL元件的层结构时，例如可为图1所示那样的阳极1/[电子注入层2/电荷发生层3]/发光层4/阴极5、或阳极/[电子注入层/电荷发生层]/发光层/电子输送层/阴极的构成。这里，电荷发生层3由含有含电子受体膜3a/含电子供体膜3b的构成来构成。如此，通过与阳极1连接地形成[电子注入层2/电荷发生层3]，可使[电子注入层2/电荷发生层3]作为空穴注入层发挥功能。
另外，还可为阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/[电子注入层/电荷发生层]/阴极那样的构成。如此，当与阴极连接地形成[电子注入层/电荷发生层]时，可使[电子注入层/电荷发生层]作为电子注入层的功能。
在上述层结构中，进而还可为也包含空穴输送发光层、电子输送发光层等的公知的层叠结构。
另外，对于本发明的有机EL元件，上述有机层可以为多个发光单元介由上述电子注入层及上述电荷发生层串联式地层叠而成的MPE元件。例如，可列举出阳极/发光单元(＝空穴输送层/发光层/电子输送层)/[电子注入层/电荷发生层]/发光单元(＝发光层/电子输送层)/阴极等层结构。
上述层构成从实现这样的MPE元件的高效率化的方面出发特别优选。
构成上述电子注入层的含ZnO层可仅由ZnO膜构成，或者由如下述中的任意一种情况构成：ZnO膜与粘合剂膜的层叠体、ZnO和碱金属化合物的混合物膜、ZnO和碱金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和有机供体性化合物的混合物以及ZnO膜与有机供体性化合物膜的层叠体。
这样的含ZnO层可作为涂布膜形成，可实现成膜性的提高，优选通过涂布在醇中分散有ZnO的液体材料来形成。
作为上述液体材料的溶剂使用的醇的种类并无特别限定，但需要是碱金属化合物或碱土类金属化合物及上述粘合剂是可溶的醇，另外优选选择使用挥发性比较高、干燥后表面平滑、可形成良好的膜的醇。具体地说，可列举出甲醇、乙醇、2-乙氧基乙醇、异丙醇等，特别优选使用2-乙氧基乙醇。
ZnO由于具有导电性且具有高的空穴阻挡性(HOMO 7.4eV)、在醇中的分散性良好，因此优选作为涂布型电子注入材料。
另外，如上上述，ZnO可作为与碱金属化合物或碱土类金属化合物的混合物进行使用，作为该碱金属化合物，可列举出Li2O、Cs2O等碱金属氧化物，Li2CO3、Cs2CO3等碱金属盐，特别优选Cs2CO3。Cs2CO3由于电子注入障碍降低、显示良好的电子注入特性，因此是优选的涂布型电子注入材料。
另外，作为上述碱金属盐，也可优选使用碱金属络合物中的碱金属苯酚盐、特别是作为钠苯酚盐的Naq或者作为锂苯酚盐的Liq、Lipp、Libpp。相对于Cs2CO3具有潮解性、大气下不稳定，上述碱金属苯酚盐不仅涂布成膜性优良，而且具有大气下也稳定、元件制作变得容易的优点。
进而，优选在上述ZnO和上述碱金属化合物或碱土类金属化合物的混合物中进一步添加粘合剂来使用。
通过添加粘合剂，能够以适当的膜厚形成碱金属化合物或碱土类金属化合物均质地溶解而成的稳定的膜，由此可实现有机电子设备的高效率化。
上述粘合剂优选可溶于作为所涂布的液体材料的溶剂的醇，优选使用含吡啶环的聚合物，具体地说可列举出上述(化学式2)所示的PVPy、PVPhPy、PVBiPy、PVPh2Py、PVPh3Py或聚(2-乙烯基吡啶)等。
另外，上述含ZnO层还可作为(ZnO膜/碱金属化合物及粘合剂的混合物膜)或(ZnO膜/碱土类金属化合物及粘合剂的混合物膜)等的层叠体来构成。
另外，上述粘合剂的聚合物的分子量从对醇的溶解性、碱金属化合物或碱土类金属化合物的分散性或成膜性等的观点出发，优选分子量为10,000～100,000左右。
另外，上述粘合剂的添加量在能够使碱金属化合物或碱土类金属化合物的分散性或成膜性提高的范围足够了，相对于上述碱金属化合物或碱土类金属化合物，优选以5～30质量％的范围进行添加。
或者，上述含ZnO层还可制成ZnO和有机供体性化合物的混合物或ZnO膜和有机供体性化合物膜的层叠体。
作为上述有机供体性化合物，优选使用上述(化学式3)所示的N-DMBI或PEI。
另一方面，与作为电子注入层的上述含ZnO层的阴极侧连接地形成的电荷发生层的含电子受体膜可仅由电子受体构成、或者可由电子受体和粘合剂的混合物构成。
对于上述电子受体，从促进电荷的发生的观点出发，当使与上述含电子受体膜的阴极侧相邻的含电子供体膜的电子供体的HOMO能级为-AeV时，优选使用具有比(-A+1.5)eV深的费米能级的金属氧化物或具有比(-A+1.5)eV深的LUMO能级的有机电子受体。
具体地说，作为上述金属氧化物，优选使用MoO3、WO3或V2O5，作为上述有机电子受体，优选使用HAT-CN6、F4-TCNQ或FCuPc中的任意一种。
进而，添加在上述电子受体中使用的粘合剂需要不阻碍电荷发生。
通过添加这样的粘合剂，可在不降低功能的情况下提高电荷发生层的涂布成膜性。
上述含电子受体膜的涂布成膜中优选使用的粘合剂需要能够制成与上述电子受体一起溶解于溶剂中的液体材料。
作为这样的粘合剂，例如可列举出NPD、DNTPD、PMMA、PVPhPy等。作为溶剂使用THF或二氯乙烷、DMA时，当这些物质显示良好的溶解性，可稳定地将含电子受体膜涂布成膜。
作为与上述含电子受体膜的阴极侧相邻的含电子供体膜的电子供体，可列举出也可作为上述含电子受体膜的粘合剂使用的NPD、DNTPD等芳基胺系化合物或者聚噻吩、聚芴、聚苯乙烯撑等共轭系高分子化合物、并五苯或低聚噻吩等缩环系π共轭化合物、锌酞菁或铜酞菁等。
还有，上述有机EL元件的构成层中，本发明的电子注入层及电荷发生层以外的层中使用的成膜材料并无特别限定，可从公知品中适当选择使用，可为低分子系或高分子系的任意一种。
另外，上述有机EL元件的各构成层的膜厚考虑各层之间的适应性或所要求的整体的层厚等、根据适当情况进行决定，通常优选为0.5nm～5μm的范围内。
上述各层的形成方法可为蒸镀法、溅射法等干法制备，也可使用纳米颗粒分散液的方法、喷墨法、流延法、浸渍法、棒涂法、刮涂法、辊涂法、凹版涂布法、挠性印刷法、喷涂法等湿法制备。
另外，电极可为公知的材料及构成即可，并无特别限定。例如，通常使用在由玻璃或聚合物构成的透明基板上形成了透明导电性薄膜的电极，在玻璃基板上作为阳极形成氧化铟锡(ITO)电极，即所谓的ITO基板。另一方面，阴极由Al等功函数小的(4eV以下)金属或合金、导电性化合物构成。
实施例
以下基于实施例对本发明更为具体地进行说明，但本发明并非限定于这些实施例。
制作下述所示的有机EL元件的各试样，进行了元件特性评价。
(实施例1)电荷发生层有无的比较
[试样A]DNTPD参照物
以具备ITO的玻璃基板所形成的透明电极为阳极，在其上，使ZnO和Cs2CO3(16质量％)分散在乙氧基乙醇中，以2000rpm将其旋涂了40秒钟后，在130℃下热处理10分钟，形成了电子注入层(膜厚为10nm)。
在其上，以4000rpm将在THF 2ml中溶解有DNTPD 5mg的溶液旋涂30秒钟后，在70℃下热处理10分钟，层叠了仅由不含电子受体的粘合剂构成的膜(膜厚为10nm)。进而，蒸镀NPD 5mg，层叠了含电子供体膜(膜厚为30nm)。
在其上，作为发光层用Alq3(膜厚为60nm)进行层叠，进而作为阴极依次层叠了LiF(膜厚为0.5nm)及Al(膜厚为100nm)。
当简单地表示如上制作的有机EL元件的层构成时，为ITO/ZnO：Cs2CO316质量％(10)/DNTPD(10)/NPD(30)/Alq3(60)/LiF(0.5)/Al(100)。
[试样B]NPD参照
将上述试样A的粘合剂膜的DNTPD变更为NPD，除此之外，制作具有与试样A同样的层构成的有机EL元件。该粘合剂膜为以2000rpm将在二氯乙烷2ml中溶解有NPD 5mg的溶液旋涂30秒钟后、在70℃下热处理10分钟、以膜厚为10nm形成的。
[试样C]HAT-CN6：DNPTD
制作了由图1所示的层构成形成的有机EL元件。将试样A的由DNPTD构成的粘合剂膜变更为由电子受体HAT-CN6和粘合剂DNPTD(10质量％)的混合物构成的含电子受体膜3a，与上述试样A同样地形成了阳极1、电子注入层2、含电子供体膜3b、发光层4及阴极5。
上述含电子受体膜3a为在HAT-CN6中混合DNPTD(10质量％)，以5000rpm将溶解于THF的溶液旋涂30秒钟后，在70℃下热处理10分钟、以膜厚为10nm形成的。
[试样D]HAT-CN6：NPD
制作了由图1所示的层构成形成的有机EL元件。将试样B的由NPD构成的粘合剂膜变更为由电子受体HAT-CN6和粘合剂NPD(10质量％)的混合物构成的含电子受体膜3a，与上述试样A同样地形成了阳极1、电子注入层2、含电子供体膜3b、发光层4及阴极5。
上述含电子受体膜3a为在HAT-CN6中混合NPD(10质量％)，以5000rpm将溶解于THF的溶液旋涂30秒钟后，在70℃下热处理10分钟、以膜厚为10nm形成的。
图2表示试样A～D的各有机EL元件的电流密度-电压曲线。
由图2所示的曲线可知，未使用HAT-CN6的元件(试样A、B)几乎未流过电子、也不发光。
与此相对，使用了HAT-CN6的元件(试样C、D)中，外部量子效率在100cd/m2时分别为1.2％、1.0％。认为其原因在于，ZnO的空穴阻止效果及电压印加时产生了电荷。
(实施例2)含电子受体膜的粘合剂材料的比较
[试样E]HAT-CN6：PMMA
将与述试样C的含电子受体膜3a的电子受体HAT-CN6(90质量％)混合的粘合剂(10质量％)变更为PMMA，除此之外，制作了具备与试样C相同的层构成的有机EL元件。
上述含电子受体膜3a为在HAT-CN6中混合粘合剂PMMA(10质量％)，以5000rpm将溶解于THF的溶液旋涂30秒钟后，之后在70℃下热处理10分钟、以膜厚为10nm形成的。
[试样F]HAT-CN6：PVPhPy
将与上述试样C的含电子受体膜3a的电子受体HAT-CN6(90质量％)混合的粘合剂(10质量％)变更为PVPhPy，除此之外，制作了具备与试样C相同的层构成的有机EL元件。
上述含电子受体膜3a为在HAT-CN6中混合粘合剂PVPhPy(10质量％)，以2000rpm将溶解于DMF的溶液旋涂30秒钟后，在70℃下热处理10分钟、以膜厚为10nm形成的。
图3表示试样C～F的各有机EL元件的电流密度-电压曲线。
由图3所示的曲线可知，当作为粘合剂使用DNTPD、NPD、PMMA、PVPhPy的任意一种时，可获得大致同等的元件特性。
(实施例3)电子受体与粘合剂的混合比的比较
[试样G～J]HAT-CN6：DNTPD
将上述试样C的含电子受体膜3a的电子受体HAT-CN6(90质量％)与粘合剂DNTPD(10质量％)的混合比变更成HAT-CN6为50质量％(试样G)、30质量％(试样H)、20质量％(试样I)、10质量％(试样J)，除此之外，制作了具备与试样C相同的层构成的有机EL元件。
图4表示试样C、G～J的各有机EL元件的电流密度-电压曲线。
由图4所示的曲线可知，当HAT-CN6为30质量％以上时(试样C、G、H)，所产生的电荷量大致是同等程度。
(实施例4)电子注入层的组成的比较
[试样K]ZnO/HAT-CN6：DNPTD
将上述试样C的电子注入层2的ZnO与Cs2CO3(16质量％)的混合膜变更为仅由ZnO构成的涂布膜，除此之外，制作了具备与试样C相同的层构成的有机EL元件。
图5表示试样C、K的各有机EL元件的电流密度-电压曲线。
由图5所示的曲线可知，即便是未混合Cs2CO3的ZnO涂布膜所构成的电子注入层(试样K)，也可获得大致同等的元件特性。
(实施例5)含电子受体膜的涂布与蒸镀的比较
[试样L]ZnO/HAT-CN6蒸镀膜
将上述试样K的含电子受体膜3a的电子受体HAT-CN6(90质量％)与粘合剂NPD(10质量％)的混合涂布膜变更为仅由HAT-CN6构成的蒸镀膜，除此之外，制作了具备与试样K相同的层构成的有机EL元件。
图6表示试样K、L的各有机EL元件的外部量子效率-电流密度曲线。
由图6所示的曲线可知，相比较于蒸镀法(试样L)、利用涂布法(试样K)形成的含电子受体膜的外部量子效率更为提高。
(实施例6)使用了有机供体性化合物的含ZnO层
[试样M]ZnO：N-DMBI
以具备ITO(膜厚为130nm)的玻璃基板所形成的透明电极为阳极，在其上，以2500rpm将PEDOT：PSS(HERAEUS株式会社制CleviosTM PAI4083)旋涂30秒钟后，在120℃下热处理10分钟，形成了空穴注入层(膜厚为40nm)。
在其上，以7mg/ml调制住友化学株式会社制HT-12的对二甲苯溶液，在氮气气氛下、以4000rpm旋涂10秒钟后，在180℃下热处理1小时，层叠了空穴输送层(膜厚为20nm)。
在其上，以12mg/ml调制Green聚合物(住友化学株式会社制Green1305)的对二甲苯溶液，在氮气气氛下、以3000rpm旋涂30秒钟后，在130℃下热处理10分钟，层叠了发光层(膜厚为80nm)。
在其上，混合ZnO的10mg/ml溶液(乙氧基乙醇：氯仿＝4：1)和N-DMBI的2.0mg/ml乙氧基乙醇溶液，调制ZnO和N-DMBI(17质量％)的溶液，以2500rpm旋涂20秒钟后，照射30分钟的UV，层叠了电子注入层(含ZnO层)(膜厚为10nm)。
在其上，利用真空蒸镀成膜HAT-CN6，形成含电子受体膜(膜厚为5nm)，在其上利用真空蒸镀成膜下述所示的化合物(TPT-1)、形成含电子供体膜(20nm)，进而作为阴极利用真空蒸镀层叠了Al(膜厚为100nm)。
当简单地表示如上制作的有机EL元件的层构成时，为ITO(130)/PEDOT：PSS(40)/HT-12(20)/Green 1305(80)/ZnO：N-DMBI(17质量％)(10)/HAT-CN6(5)/TPT-1(20)/Al(100)。
[试样N、O]PEI/ZnO/PEI
将上述试样M的电子注入层(含ZnO层)的ZnO和N-DMBI(17质量％)的混合膜变更为PEI(膜厚为4nm)/ZnO(膜厚为10nm)/PEI(膜厚为4nm)层叠体的涂布膜，除此之外，制作了具备与试样M相同的层构成的有机EL元件。
PEI膜通过以0.74mg/ml调制PEI的乙氧基乙醇溶液、在氮气气氛下、以5000rpm旋涂30秒钟来形成。另外，ZnO膜通过以10mg/ml调制ZnO的乙氧基乙醇：氯仿＝4：1形成的溶液、在氮气气氛下、以2500rpm旋涂20秒钟来形成。
另外，PEI在试样M中使用了数均分子量约为10,000且重均分子量约为25,000的物质，在试样N中使用了数均分子量约为600且重均分子量约为800的物质。
图7～9分别表示试样M～O的各有机EL元件的电流密度-电压曲线。
确认了：当组合ZnO和有机供体性化合物来构成电子注入层时，也会发光。
符号说明
1  阳极
2  电子注入层
3  电荷发生层
3a 含电子受体膜
3b 含电子供体膜
4  发光层
5  阴极

Claims (10)

1.一种有机电致发光元件，其为在一对电极间具备至少1层有机层的有机电致发光元件，其特征在于，
其具备由含ZnO层构成的电子注入层和电荷发生层，所述电荷发生层含有与电子注入层的阴极侧连接形成的含电子受体膜和与其相邻的含电子供体膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述含ZnO层由下述中的任意一种构成：仅ZnO膜、ZnO膜与粘合剂膜的层叠体、ZnO和碱金属化合物的混合物膜、ZnO和碱金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜、ZnO膜与碱土类金属化合物和粘合剂的混合物膜的层叠体、ZnO和有机供体性化合物的混合物以及ZnO膜与有机供体性化合物膜的层叠体。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述碱金属化合物为氧化锂、氧化铯、碳酸锂、碳酸铯、8-羟基喹啉钠或8-羟基喹啉锂、2-(2-吡啶基)苯酚锂及2-(2’,2”-联吡啶-6’-基)苯酚锂中的任意一种苯酚锂盐。
4.根据权利要求2或3所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述粘合剂为聚(4-乙烯基吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚[4-(4-乙烯基苯基)吡啶]、聚[5-乙烯基-2,2’-联吡啶]、聚[2-(4-乙烯基苯基)吡啶]及聚[3-(4-乙烯基苯基)吡啶]中的任意一种。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述有机供体性化合物是下述化学式1所示化合物组中的任意一种，
化学式1
其中，a、b、c、d为自然数。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述含电子受体膜仅由电子受体构成、或者由电子受体和粘合剂的混合物构成。
7.根据权利要求5或6所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述电子受体是相对于与所述含电子受体膜的阴极侧相邻的含电子供体膜的电子供体的HOMO能级(-AeV)、具有比(-A+1.5)eV深的费米能级的金属氧化物或具有比(-A+1.5)eV深的LUMO能级的有机电子受体。
8.根据权利要求5～7中任意一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述电子受体是氧化钼、氧化钨、氧化钒、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷及氟化铜酞菁中的任意一种。
9.根据权利要求6～8中任意一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，构成与所述电子受体的混合物的粘合剂为N,N’-二[(1-萘基)-N,N’-二苯基]-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-1,1’-联苯‐4,4’-二胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚[4-(4-乙烯基苯基)吡啶]中的任意一种。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述有机层是多个发光单元介由所述电子注入层及所述电荷发生层、串联式地层叠而成的多光子发光结构。
CN201380009394.0A 2012-02-15 2013-02-15 有机电致发光元件 Expired - Fee Related CN104170110B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012030781 2012-02-15
JP2012-030781 2012-02-15
PCT/JP2013/053644 WO2013122182A1 (ja) 2012-02-15 2013-02-15 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104170110A true CN104170110A (zh) 2014-11-26
CN104170110B CN104170110B (zh) 2016-11-02

Family

ID=48984291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380009394.0A Expired - Fee Related CN104170110B (zh) 2012-02-15 2013-02-15 有机电致发光元件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9425411B2 (zh)
JP (1) JP6108355B2 (zh)
KR (1) KR101684041B1 (zh)
CN (1) CN104170110B (zh)
WO (1) WO2013122182A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105118918A (zh) * 2015-07-21 2015-12-02 苏州大学 一种有机-无机杂化电荷注入层的制备方法
CN107425143A (zh) * 2017-06-16 2017-12-01 苏州大学 层压法制备电致发光器件的方法
CN110729416A (zh) * 2019-10-24 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 复合阳极、发光器件和显示面板
CN111244301A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管
CN111384262A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN112802984A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 广东聚华印刷显示技术有限公司 电子器件的制备方法及显示装置
WO2021248549A1 (zh) * 2020-06-11 2021-12-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件及显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140122655A (ko) * 2013-04-10 2014-10-20 포항공과대학교 산학협력단 역구조 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법
US9755177B2 (en) * 2013-10-09 2017-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display panel
KR102174919B1 (ko) * 2013-12-03 2020-11-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시장치
JP6228444B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-08 東京エレクトロン株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2015153864A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 国立大学法人山形大学 有機膜及びこれを用いた有機電子デバイス
JP6433128B2 (ja) * 2014-02-13 2018-12-05 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2015166562A1 (ja) * 2014-04-30 2015-11-05 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP6327951B2 (ja) * 2014-05-29 2018-05-23 国立大学法人山形大学 電荷発生材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015231018A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US10153439B2 (en) 2014-07-23 2018-12-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge transport material
KR102278243B1 (ko) * 2015-02-25 2021-07-19 한국전자통신연구원 전기변색 소자
US9972792B2 (en) * 2015-04-22 2018-05-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electron transport layer and film having improved thermal stability
GB2545499A (en) 2015-12-18 2017-06-21 Cambridge Display Tech Ltd Dopant, charge transfer salt and organic electronic device
JP6814617B2 (ja) * 2016-12-05 2021-01-20 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置
WO2020121398A1 (ja) * 2018-12-11 2020-06-18 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070182320A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Akifumi Nakamura Organic electroluminescent device
CN101427339A (zh) * 2006-04-20 2009-05-06 穆勒建筑物自动化有限公司 开关装置
JP2009212238A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Kyushu Electric Power Co Inc 有機電界発光素子およびその製造方法等
CN101562236A (zh) * 2004-08-04 2009-10-21 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示器件及电子器具
WO2011162105A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
US20120012820A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for producing organic electroluminescence device

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577057A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Hitachi Ltd Image pickup tube
US4775820A (en) * 1984-07-31 1988-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Multilayer electroluminescent device
DE3607378A1 (de) * 1986-03-06 1987-09-10 Basf Ag Elektrochemisches sekundaerelement mit mindestens einer polymerelektrode
DE68925634T2 (de) * 1988-11-21 1996-08-22 Mitsui Toatsu Chemicals Lichtemittierendes Element
JPH04273132A (ja) 1991-02-27 1992-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の樹脂封止方法
US5420288A (en) * 1992-04-14 1995-05-30 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device comprising oxadiazole compounds luminescent material, oxadiazole compounds for the device, and method of producing oxadiazole compounds
JP3445315B2 (ja) * 1992-07-13 2003-09-08 イーストマン コダック カンパニー アルミニウムキレート化合物及び内部接合型有機電界発光素子
JP3412076B2 (ja) * 1995-03-08 2003-06-03 株式会社リコー 有機ｅｌ素子
US5834894A (en) * 1995-09-14 1998-11-10 Casio Computer Co., Ltd. Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage
JP3635786B2 (ja) * 1996-01-17 2005-04-06 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体
JP4477150B2 (ja) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH10183112A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Sony Corp 電界発光素子
US6069442A (en) * 1997-09-18 2000-05-30 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with inorganic electron transporting layer
US5972247A (en) * 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
JP2000252074A (ja) * 1998-12-29 2000-09-14 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6180267B1 (en) * 1999-01-08 2001-01-30 Nec Corporation Organic electroluminescent device containing a 1,3-dibenzylideneindane compound
JP4588445B2 (ja) 2002-11-11 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
WO2005115062A1 (en) * 2004-05-20 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4684042B2 (ja) * 2004-08-04 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および電子機器
US8026510B2 (en) * 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
CN101288343B (zh) * 2005-09-22 2010-08-25 松下电工株式会社 有机发光元件及其制备方法
JP4273132B2 (ja) 2006-04-03 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 有機発光素子の製造方法
WO2007123061A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機発光素子
JP4910595B2 (ja) * 2006-09-22 2012-04-04 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置
TW200838008A (en) * 2006-12-04 2008-09-16 Asahi Chemical Ind Method for producing electronic device and coating solutions suitable for the production method
JP5554075B2 (ja) * 2009-01-21 2014-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体
TWI620747B (zh) * 2010-03-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 雜環化合物及發光裝置
US8866134B2 (en) * 2010-06-29 2014-10-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Light-emitting device and photovoltaic cell, and method for manufacturing the same
JP2012022953A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI537261B (zh) * 2011-01-14 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 二苯乙烯類化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置
JP5964070B2 (ja) * 2011-02-10 2016-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
CN103548171B (zh) * 2011-05-20 2016-08-24 国立大学法人山形大学 有机电子器件及其制造方法
DE112012003329T5 (de) * 2011-08-11 2014-04-30 National University Of Singapore Tandem-Solarzelle mit Graphen-Zwischenschicht und Verfahren zum Herstellen davon

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101562236A (zh) * 2004-08-04 2009-10-21 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示器件及电子器具
US20070182320A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Akifumi Nakamura Organic electroluminescent device
CN101427339A (zh) * 2006-04-20 2009-05-06 穆勒建筑物自动化有限公司 开关装置
JP2009212238A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Kyushu Electric Power Co Inc 有機電界発光素子およびその製造方法等
WO2011162105A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
US20120012820A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for producing organic electroluminescence device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105118918A (zh) * 2015-07-21 2015-12-02 苏州大学 一种有机-无机杂化电荷注入层的制备方法
CN105118918B (zh) * 2015-07-21 2017-06-20 苏州大学 一种有机‑无机杂化电荷注入层的制备方法
CN107425143A (zh) * 2017-06-16 2017-12-01 苏州大学 层压法制备电致发光器件的方法
CN111244301A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管
CN111384262A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN110729416A (zh) * 2019-10-24 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 复合阳极、发光器件和显示面板
WO2021248549A1 (zh) * 2020-06-11 2021-12-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件及显示装置
US11522147B2 (en) 2020-06-11 2022-12-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting device and display device
CN112802984A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 广东聚华印刷显示技术有限公司 电子器件的制备方法及显示装置
CN112802984B (zh) * 2020-12-30 2023-09-01 广东聚华印刷显示技术有限公司 电子器件的制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160020406A1 (en) 2016-01-21
JP6108355B2 (ja) 2017-04-05
CN104170110B (zh) 2016-11-02
KR20140133578A (ko) 2014-11-19
WO2013122182A1 (ja) 2013-08-22
US9425411B2 (en) 2016-08-23
KR101684041B1 (ko) 2016-12-07
JPWO2013122182A1 (ja) 2015-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104170110A (zh) 有机电致发光元件
CN103548171B (zh) 有机电子器件及其制造方法
Kröger et al. P-type doping of organic wide band gap materials by transition metal oxides: A case-study on Molybdenum trioxide
Xu et al. Organic light-emitting diode with liquid emitting layer
Hwang et al. Electrospray deposition of polymer thin films for organic light-emitting diodes
CN102652462B (zh) 有机电致发光器件的制造方法、有机电致发光器件、显示装置以及照明装置
CN103199197B (zh) 有机发光装置
JP5417702B2 (ja) 有機電界蛍光発光素子、有機電界蛍光発光層塗布溶液、カラーディスプレイ表示装置
Chiba et al. Solution-processed inorganic–organic hybrid electron injection layer for polymer light-emitting devices
Höfle et al. Influence of the emission layer thickness on the optoelectronic properties of solution processed organic light-emitting diodes
KR101770437B1 (ko) 유기 전자 장치 및 그 제조 방법
CN103931009A (zh) 有机电致发光元件和有机电致发光器件
Huang et al. Cross-linkable hole-transport materials improve the device performance of perovskite light-emitting diodes
Wang et al. Direct comparison of solution-and vacuum-processed small molecular organic light-emitting devices with a mixed single layer
CN103238228A (zh) 空穴注入层
Bolink et al. Ionically assisted charge injection in hybrid organic− inorganic light-emitting diodes
Yuan et al. Balancing charge injection via a tailor-made electron-transporting material for high performance blue perovskite QLEDs
CN102931355B (zh) Oled器件
Jang et al. TPBI: FIrpic organic light emitting devices with the electron transport layer of Bphen/Alq3
CN106165140B (zh) 有机发光器件
JP2008198365A (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JP2015153864A (ja) 有機膜及びこれを用いた有機電子デバイス
Xu et al. Annealing solution-processed CuSCN hole injection layer for blue phosphorescent organic light-emitting diodes with extremely low efficiency roll-off
CN108431289B (zh) 用于制备含金属层的方法
Maheshwaran et al. Low-Temperature Cross-Linkable Hole Transport Materials for Solution-Processed Quantum Dot and Organic Light-Emitting Diodes with High Efficiency and Color Purity

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161102

Termination date: 20210215