CN103907206B - 光检测装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体光检测元件（10）将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管（APD）、相对于各雪崩光电二极管（APD）串联连接的灭弧电阻（R1）、及并联连接有灭弧电阻（R1）的信号线（TL）的光电二极管阵列（PDA）作为一个信道且具有多个信道。搭载基板（20）与各信道对应的多个电极（E9）配置于主面（20a）侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部（SP）配置于主面（20b）侧。在半导体基板（1N）中，在各信道形成有与信号线（TL）电连接的贯通电极（TE）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸块电极（BE）而电连接。

Description

光检测装置
技术领域
本发明涉及一种光检测装置。
背景技术
已知有一种光电二极管阵列(半导体光检测元件)，其包括以盖革模式(Geigermode)动作的多个雪崩光电二极管(avalanchephotodiode)、及相对于各雪崩光电二极管串联连接的灭弧电阻(quenchingresistance)(例如，参照专利文献1)。该光电二极管阵列中，在构成像素的雪崩光电二极管检测光子并进行盖革放电时，由连接于雪崩光电二极管的灭弧电阻的动作而获得脉冲状的信号。各雪崩光电二极管对光子进行计数。因此，即便在相同时刻有多个光子入射时，也可根据总输出脉冲的输出电荷量或信号强度而判明已入射的光子数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-003739号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在光检测装置中，为了应对大面积化的要求，有将上述光电二极管阵列作为一个信道，使用具有多个信道的半导体光检测元件的情形。在具有多个信道的半导体光检测元件中，存在用于引导自各信道输出的信号的配线的距离(以下称为「配线距离」)在信道间不同的情形。若配线距离在信道间不同，则受到配线所具有的电阻及电容的影响，时间分辨率在信道间不同。
为了在信道间使时间分辨率相同，而必需根据配线距离较长的信道设定各信道的配线距离。然而，在该情况下，各信道的配线距离相对较长，且时间分辨率的提高存在极限。
本发明的目的在于提供一种可实现大面积化并且更进一步地提高时间分辨率的光检测装置。
解决问题的技术手段
本发明为一种光检测装置，其包括：半导体光检测元件，其具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板；以及搭载基板，其与半导体光检测元件相对配置并且包含与半导体基板的第二主面相对的第三主面及与该第三主面相对的第四主面；且半导体光检测元件将包含以盖革模式动作并且形成于半导体基板内的多个雪崩光电二极管、相对于各雪崩光电二极管串联连接并且配置于半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻、以及并联连接灭弧电阻并且配置于半导体基板的第一主面侧的信号线的光电二极管阵列作为一个信道且具有多个信道；搭载基板中，与各信道对应的多个第一电极配置于第三主面侧，并且与多个第一电极电连接且处理来自各信道的输出信号的信号处理部配置于第四主面侧，且在半导体基板中，在每个信道形成有与信号线电连接且自第一主面侧贯通至第二主面侧为止的贯通电极，且贯通电极与对应于该贯通电极的第一电极经由凸块电极而电连接。
在本发明中，半导体光检测元件将上述光电二极管阵列作为一个信道且具有多个信道。由此，可实现达成大面积化的光检测装置。
在本发明中，在半导体光检测元件的半导体基板上，与信号线电连接且自第一主面侧贯通至第二主面侧为止的贯通电极在每个信道形成，且半导体光检测元件的贯通电极与搭载基板的第一电极经由凸块电极而电连接。由此，可使各信道的配线距离极短并且可使其值无偏差而一致。因此，配线所具有的电阻及电容的影响明显得到抑制，时间分辨率提高。
在本发明中，也可进一步包括玻璃基板，其配置于半导体基板的第一主面侧且包含与半导体基板的第一主面相对的第五主面及与该第五主面相对的第六主面，且使半导体基板的侧面与玻璃基板的侧面为同一面。在该情况下，可通过玻璃基板而提高半导体基板的机械强度。因半导体基板的侧面与玻璃基板的侧面为同一面，故可减少无效空间。
在本发明中，玻璃基板的第六主面也可以是平坦的。在该情况下，可极其容易地进行闪烁器对玻璃基板的设置。
在本发明中，贯通电极也可位于信道的中央区域。在该情况下，可在各信道，缩短自雪崩光电二极管至贯通电极为止的配线距离。
在本发明中，贯通电极也可位于各信道间的区域。在该情况下，可防止于各信道的开口率的降低。
在本发明中，半导体光检测元件也可进一步包含配置于半导体基板的第一主面侧且将信号线与贯通电极连接的第二电极。在该情况下，可将信号线与贯通电极确实地电连接。
发明的效果
根据本发明，可提供一种可实现大面积化并且更进一步地提高时间分辨率的光检测装置。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式的光检测装置的概略立体图。
图2为用以说明本实施方式的光检测装置的剖面结构的图。
图3为半导体光检测元件的概略平面图。
图4为半导体光检测元件的概略平面图。
图5为光电二极管阵列的概略平面图。
图6为光检测装置的电路图。
图7为搭载基板的概略平面图。
图8为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图9为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图10为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图11为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图12为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图13为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图14为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图15为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图16为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图17为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
图18为半导体光检测元件的概略平面图。
图19为光电二极管阵列的概略平面图。
图20为用以说明本实施方式的变形例的光检测装置的剖面结构的图。
图21为半导体光检测元件的概略平面图。
符号说明
1光检测装置
1N半导体基板
1Na，1Nb主面
1Nc侧面
1PA第一半导体区域
1PB第二半导体区域
10半导体光检测元件
20搭载基板
20a，20b主面
30玻璃基板
30a，30b主面
30c侧面
APD雪崩光电二极管
BE凸块电极
E1电极
E3电极
E9电极
PDA光电二极管阵列
R1灭弧电阻
SP信号处理部
TE贯通电极
TL信号线
具体实施方式
以下，参照附图，对于本发明的优选实施方式进行详细说明。再者，在说明中，对于相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，并省略重复的说明。
参照图1～图7，对本实施方式的光检测装置1的构成进行说明。图1为表示本实施方式的光检测装置的概略立体图。图2为用以说明本实施方式的光检测装置的剖面结构的图。图3及图4为半导体光检测元件的概略平面图。图5为光电二极管阵列的概略平面图。图6为光检测装置的电路图。图7为搭载基板的概略平面图。
如图1及图2所示，光检测装置1包括半导体光检测元件10、搭载基板20、及玻璃基板30。搭载基板20与半导体光检测元件10相对配置。玻璃基板30与半导体光检测元件10相对配置。半导体光检测元件10配置于搭载基板20与玻璃基板30之间。
半导体光检测元件10如图3所示，将一个光电二极管阵列PDA(photodiodearray)作为一个信道且具有多个信道即具有多个光电二极管阵列PDA。半导体光检测元件10具有俯视时呈矩形形状的半导体基板1N。半导体基板1N包含相互相对的主面1Na与主面1Nb。半导体基板1N为由Si构成的N型(第一导电类型)半导体基板。
各光电二极管阵列PDA包含形成于半导体基板1N的多个雪崩光电二极管APD。在各雪崩光电二极管APD中，如图5所示，串联连接有灭弧电阻R1。一个雪崩光电二极管APD构成各光电二极管阵列PDA中的一个像素。各雪崩光电二极管APD，在分别与灭弧电阻R1串联连接的状态下全部并联连接，且自电源施加逆向偏压。来自雪崩光电二极管APD的输出电流由下述信号处理部SP而检测。
各雪崩光电二极管APD包含P型(第二导电类型)第一半导体区域1PA、及P型(第二导电类型)第二半导体区域1PB。第一半导体区域1PA形成于半导体基板1N的主面1Na侧。第二半导体区域1PB形成于第一半导体区域1PA内且杂质浓度高于第一半导体区域1PA。第二半导体区域1PB的平面形状为例如多边形(在本实施方式中为四边形)。第一半导体区域1PA的深度比第二半导体区域1PB深。
半导体基板1N包含N型(第一导电类型)半导体区域1PC。半导体区域1PC形成于半导体基板1N的主面1Na侧。半导体区域1PC防止形成于N型半导体基板1N与P型第一半导体区域1PA之间的PN结在下述配置有贯通电极TE的贯通孔TH露出。半导体区域1PC形成于与贯通孔TH(贯通电极TE)对应的位置。
如图5所示，各雪崩光电二极管APD包含电极E1。各电极E1配置于半导体基板1N的主面1Na侧。电极E1电连接于第二半导体区域1PB。各雪崩光电二极管APD包含电连接于半导体基板1N的电极(省略图示)。该电极分别配置于半导体基板1N的主面1Nb侧。第一半导体区域1PA经由第二半导体区域1PB而电连接于电极E1。
如图5所示，光电二极管阵列PDA具有在第二半导体区域1PB的外侧的半导体基板1N上经由绝缘层L1而配置的信号线TL及电极E3。信号线TL及电极E3配置于半导体基板1N的主面1Na侧。电极E3位于各信道(光电二极管阵列PDA)的中央区域。
信号线TL包含多条信号线TL1及多条信号线TL2。各信号线TL1在俯视时在邻接的雪崩光电二极管APD间沿Y轴方向延伸。各信号线TL2在邻接的雪崩光电二极管APD间沿X轴方向延伸，且将多条信号线TL1彼此电连接。信号线TL2连接于电极E3。信号线TL1除直接连接于电极E3以外，也经由信号线TL2而电连接于电极E3。
光电二极管阵列PDA在各雪崩光电二极管APD的每一个，具有灭弧电阻R1。各灭弧电阻R1在第二半导体区域1PB的外侧的半导体基板1N上经由绝缘层L1而配置。灭弧电阻R1配置于半导体基板1N的主面1Na侧。灭弧电阻R1的一端连接于电极E1，另一端连接于信号线TL1。在图3及图5中，为使结构明确化，而省略图2所示的绝缘层L1、L3的记载。
雪崩光电二极管APD(第一半导体区域1PA的正下方的区域)分别经由灭弧电阻R1而连接于信号线TL1。在1条信号线TL1中，多个雪崩光电二极管APD分别经由灭弧电阻R1而连接。
在半导体基板1N的主面1Na侧配置有绝缘层L3。绝缘层L3以覆盖电极E1、E3、灭弧电阻R1、及信号线TL的方式形成。
各光电二极管阵列PDA包含贯通电极TE。贯通电极TE在各光电二极管阵列PDA的每一个、即在各信道的每一个中设置。贯通电极TE自主面1Na侧至主面1Nb侧为止贯通半导体基板1N而形成。贯通电极TE配置于贯通半导体基板1N的贯通孔TH内。绝缘层L2也形成于贯通孔TH内。因此，贯通电极TE经由绝缘层L2而配置于贯通孔TH内。
贯通电极TE的一端连接于电极E3。电极E3将信号线TL与贯通电极TE连接。灭弧电阻R1经由信号线TL及电极E3而电连接于贯通电极TE。
灭弧电阻R1的电阻率高于连接灭弧电阻R1的电极E1。灭弧电阻R1例如由多晶硅构成。作为灭弧电阻R1的形成方法，可使用CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法。
电极E1、E3及贯通电极TE由铝等金属构成。在半导体基板由Si构成的情况下，作为电极材料，除铝以外，也较多地使用AuGe/Ni等。作为电极E1、E3及贯通电极TE的形成方法，可使用溅镀法。
作为使用Si的情况下的P型杂质，使用B等3族元素，同样地作为N型杂质，使用N、P、或As等5族元素。即便作为半导体的导电类型的N型与P型相互置换而构成元件，也能够使该元件发挥功能。作为这些杂质的添加方法，可使用扩散法或离子注入法。
作为绝缘层L1、L2、L3的材料，可使用SiO2或SiN。作为绝缘层L1、L2、L3的形成方法，在绝缘层L1、L2、L3由SiO2构成的情况下，可使用热氧化法或溅镀法。
在上述结构的情况下，通过在N型半导体基板1N与P型第一半导体区域1PA之间构成PN结，而形成有雪崩光电二极管APD。半导体基板1N电连接于形成于基板1N的背面的电极(省略图示)，第一半导体区域1PA经由第二半导体区域1PB而连接于电极E1。灭弧电阻R1相对于雪崩光电二极管APD而串联连接(参照图6)。
在光电二极管阵列PDA中，使各雪崩光电二极管APD以盖革模式动作。在盖革模式中，将大于雪崩光电二极管APD的击穿电压(breakdownvoltage)的逆向电压(反向偏压)施加于雪崩光电二极管APD的阳极与阴极之间。对阳极施加(-)电位V1，对阴极施加(+)电位V2。这些电位的极性相对，能够将其中一个电位设为接地电位。
阳极为P型第一半导体区域1PA，阴极为N型半导体基板1N。若光(光子)入射至雪崩光电二极管APD，则于基板内部进行光电转换而产生光电子。在第一半导体区域1PA的PN结界面的附近区域，进行雪崩倍增，经放大的电子群向形成于半导体基板1N的背面的电极流动。即，光(光子)入射至光电二极管阵列PDA中的任一像素(雪崩光电二极管APD)时，进行倍增而作为信号自电极E3(贯通电极TE)取出。
连接于各个雪崩光电二极管APD的灭弧电阻R1的另一端沿着半导体基板1N的表面而电连接于共享的信号线TL。多个雪崩光电二极管APD以盖革模式动作，且各雪崩光电二极管APD连接于共享的信号线TL。因此，在光子同时入射至多个雪崩光电二极管APD的情况下，多个雪崩光电二极管APD的输出全部输入至共享的信号线TL，且整体作为对应于入射光子数的高强度的信号而测量。而且，在半导体光检测元件10中，针对每个信道(光电二极管阵列PDA)，通过所对应的贯通电极TE而输出信号。
搭载基板20如图2所示具有相互相对的主面20a与主面20b。搭载基板20俯视时呈矩形形状。主面20a与半导体基板1N的主面1Nb相对。搭载基板20包含配置于主面20a侧的多个电极E9。如图2及图7所示，电极E9对应于贯通电极TE而配置。即，电极E9配置于主面20a的与贯通电极TE相对的各区域上。电极E9在每个信道(光电二极管阵列PDA)而设置。在图2中，省略记载于搭载基板20的主面20b侧的凸块电极的图示。
贯通电极TE与电极E9由凸块电极BE而连接。由此，电极E3经由贯通电极TE及凸块电极BE而电连接于电极E9。而且，灭弧电阻R1经由信号线TL、电极E3、贯通电极TE、及凸块电极BE而电连接于电极E9。电极E9与电极E1、E3及贯通电极TE同样地由铝等金属构成。作为电极材料，除铝以外，也可使用AuGe/Ni等。凸块电极BE例如由焊料构成。凸块电极BE隔着UBM(UnderBumpMetal，凸块底层金属)40而形成于贯通电极TE。
搭载基板20具有信号处理部SP。信号处理部SP配置于搭载基板20的主面20b侧。信号处理部SP构成ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，特殊应用集成电路)。各电极E9经由形成于搭载基板20内的配线(省略图示)及接线(bondingwire)等而与信号处理部SP电连接。在信号处理部SP中，输入来自各信道(光电二极管阵列PDA)的输出信号，信号处理部SP处理来自各信道的输出信号。信号处理部SP包含将来自各信道的输出信号转换为数字脉冲的CMOS电路。
在半导体基板1N的主面1Nb侧及搭载基板20的主面20a侧，配置有在对应于凸块电极BE的位置形成有开口的钝化膜PF。钝化膜PF例如由SiN构成。作为钝化膜PF的形成方法，可使用CVD法。
玻璃基板30包含相互相对的主面30a与主面30b。玻璃基板30俯视时呈矩形形状。主面30a与半导体基板1N的主面1Nb相对。主面30b是平坦的。在本实施方式中，主面30a也是平坦的。玻璃基板30与半导体光检测元件10通过光学接着剂(省略图标)而光学性地连接。玻璃基板30也可直接形成于半导体光检测元件10上。
虽省略图示，但在玻璃基板30的主面30b由光学粘合剂而光学性地连接有闪烁器。来自闪烁器的闪烁光通过玻璃基板30入射至半导体光检测元件10。
半导体基板1N的侧面1Nc与玻璃基板30的侧面30c如图1所示为同一面。在俯视时，半导体基板1N的外缘与玻璃基板30的外缘一致。
其次，参照图8～图17，对上述光检测装置1的制造过程进行说明。图8～图17为用以说明本实施方式的光检测装置的制造过程的图。
首先，准备形成有与半导体光检测元件10对应的部分、即与各信道(光电二极管阵列PDA)对应的部分(第一半导体区域1PA、第二半导体区域1PB、绝缘层L1、灭弧电阻R1、电极E1、E3、及信号线TL)的半导体基板1N(参照图8)。半导体基板1N以形成有多个与半导体光检测元件10对应的部分的半导体晶圆的方式准备。
其次，在所准备的半导体基板1N的主面1Na侧形成绝缘层L3，其后，使半导体基板1N自主面1Nb侧薄化(参照图9)。绝缘层L3由SiO2构成。绝缘层L3的形成方法可使用CVD法。半导体基板1N的薄化方法可使用机械研磨法或化学研磨法。
继而，在所准备的半导体基板1N的主面1Nb侧形成绝缘层L2(参照图10)。绝缘层L2由SiO2构成。绝缘层L2的形成方法可使用CVD法。
继而，去除绝缘层L2中的形成贯通孔TH的区域(参照图11)。绝缘层L2的去除方法可使用干式蚀刻法。
继而，在半导体基板1N形成用以配置贯通电极TE的贯通孔TH(参照图12)。在贯通孔TH的形成方法中，可适当选择应用干式蚀刻法及湿式蚀刻法。在使用碱性蚀刻法作为湿式蚀刻法的情况下，绝缘层L1作为蚀刻终止层而发挥功能。
继而，在所准备的半导体基板1N的主面1Nb侧再次形成绝缘层L2后，为使电极E3露出而去除绝缘层L1及绝缘层L2的一部分(参照图13)。绝缘层L1与绝缘层L2的去除方法可使用干式蚀刻法。
继而，形成贯通电极TE(参照图14)。如上所述，贯通电极TE的形成方法可使用溅镀法。
继而，在半导体基板1N的主面1Nb侧形成在与凸块电极BE对应的位置形成有开口的钝化膜PF，其后，形成凸块电极BE(参照图15)。由此，获得半导体光检测元件10。在形成凸块电极BE之前，在贯通电极TE的自钝化膜PF露出的区域形成UBM40。UBM40由与凸块电极BE电性及物理连接优异的材料。UBM40的形成方法可使用非电解电镀法。凸块电极BE的形成方法可使用搭载焊球的方法或印刷法。
继而，经由光学粘合剂将玻璃基板30粘合于半导体光检测元件10(参照图16)。由此，玻璃基板30与半导体光检测元件10光学性地连接。玻璃基板30也与半导体基板1N同样地以包含多个玻璃基板30的玻璃基板母材的方式准备。将玻璃基板30与半导体光检测元件10粘合的步骤也可在将绝缘层L3形成于半导体基板1N之后实施。
继而，通过切割而切断由玻璃基板30(玻璃基板母材)及半导体光检测元件10(半导体晶圆)的层叠体。由此，半导体基板1N的侧面1Nc与玻璃基板30的侧面30c为同一面。
继而，将相对配置有玻璃基板30的半导体光检测元件10与另外准备的搭载基板20进行凸块连接(参照图17)。通过这些过程，而获得光检测装置1。在搭载基板20的主面20a侧，在与电极E9对应的位置形成有凸块电极BE。
如以上那样，在本实施方式中，因半导体光检测元件10将光电二极管阵列PDA作为一个信道且具有多个信道，故可实现达成大面积化的光检测装置1。
在光检测装置1中，在半导体光检测元件10的半导体基板1N，与信号线TL电连接且自主面1Na侧贯通至主面1Nb侧为止的贯通电极TE在每个信道形成，半导体光检测元件10的贯通电极TE与搭载基板20的电极E9经由凸块电极BE而电连接。由此，可使用于从各信道引导信号的配线的距离极短，并且可使其值无偏差而一致。因此，配线所具有的电阻及电容的影响明显得到抑制，时间分辨率提高。
光检测装置1包括配置于半导体基板1N的主面1Na侧的玻璃基板30。由此，可通过玻璃基板30而提高半导体基板1N的机械强度。半导体基板1N的侧面1Nc与玻璃基板30的侧面30c为同一面。由此，可减少无效空间。
玻璃基板30的主面30b是平坦的。由此，可极其容易地进行闪烁器对玻璃基板30的设置。
贯通电极TE位于各信道的中央区域。由此，可在各信道，缩短自各雪崩光电二极管APD至贯通电极TE为止的配线距离。
半导体光检测元件10包含配置于半导体基板1N的主面1Na侧且将信号线TL与贯通电极TE连接的电极E3。由此，可将信号线TL与贯通电极TE确实地电连接。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明未必限定于上述实施方式，可于不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
贯通电极TE也可如图18及图19所示，位于各信道(光电二极管阵列PDA)间的区域。在该情况下，可防止于各信道的开口率的降低。在图18及图19中，为使结构明确化，而省略图2所示的绝缘层L1的记载。
凸块电极BE也可如图20及图21所示，配置于贯通孔TH的外侧。在图20及图21所示的例中，相对于一个贯通电极TE形成有多个凸块电极(在本例中为4个凸块电极)BE。凸块电极BE配置于，与贯通电极TE连续且配置于半导体基板1N的主面1Nb侧的电极部分上。在图21中，为使结构明确化，而省略图2所示的钝化膜PF的记载。
第一及第二半导体区域1PA、1PB的形状并不限定于上述形状，也可为其它形状(例如圆形状等)。雪崩光电二极管APD(第二半导体区域1PB)的数量(行数及列数)及排列并不限定于上述方式。另外，信道(光电二极管阵列PDA)的数量或排列也不限定于上述方式。
产业上的可利用性
本发明可利用于检测微弱光的光检测装置。

Claims (8)

1.一种光检测装置，其特征在于，
具备：
半导体光检测元件，其具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板；以及
搭载基板，其与所述半导体光检测元件相对配置，并且包含与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面及与该第三主面相对的第四主面，
所述半导体光检测元件将光电二极管阵列作为一个信道，且具有多个所述信道，所述光电二极管阵列包含以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管、相对于各所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻、及并联连接所述灭弧电阻并且配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的信号线，
所述搭载基板中，与各所述信道对应的多个第一电极配置于所述第三主面侧，并且与所述多个第一电极电连接且处理来自各所述信道的输出信号的信号处理部配置于所述第四主面侧，
在所述半导体基板中，在各所述信道形成有与所述信号线电连接且自所述第一主面侧贯通至所述第二主面侧为止的贯通电极，
所述贯通电极与对应于该贯通电极的所述第一电极经由凸块电极而电连接。
2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，
进一步包括玻璃基板，其配置于所述半导体基板的所述第一主面侧且具有与所述半导体基板的所述第一主面相对的第五主面及与该第五主面相对的第六主面，
所述半导体基板的侧面与所述玻璃基板的侧面齐平。
3.如权利要求2所述的光检测装置，其特征在于，
所述玻璃基板的所述第六主面是平坦的。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光检测装置，其特征在于，
所述贯通电极位于所述信道的中央区域。
5.如权利要求1至3中任一项所述的光检测装置，其特征在于，
所述贯通电极位于各所述信道间的区域。
6.如权利要求1至3中任一项所述的光检测装置，其特征在于，
所述半导体光检测元件进一步包含配置于所述半导体基板的所述第一主面侧且将所述信号线与所述贯通电极连接的第二电极。
7.如权利要求4所述的光检测装置，其特征在于，
所述半导体光检测元件进一步包含配置于所述半导体基板的所述第一主面侧且将所述信号线与所述贯通电极连接的第二电极。
8.如权利要求5所述的光检测装置，其特征在于，
所述半导体光检测元件进一步包含配置于所述半导体基板的所述第一主面侧且将所述信号线与所述贯通电极连接的第二电极。
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