TWI702655B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

半導體裝置1包含：半導體基板2，其形成有貫通孔7；第1配線3，其設置於半導體基板2之第1表面2a；絕緣層10，其係設置於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b；及第2配線8，其係設置於絕緣層10之表面10b，且於開口10a中與第1配線3電性連接。於絕緣層10之表面10b，包含：第1區域11；第2區域12；第3區域13；第4區域14，其以將第1區域1與第2區域12連續地連接之方式彎曲；及第5區域15，其以將第2區域12與第3區域13連續地連接之方式彎曲。第2區域12之平均傾斜角度β較第1區域11之平均傾斜角度α小，且亦較內表面7c之平均傾斜角度γ小。

Description

半導體裝置及其製造方法

本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法。

於光裝置、電子裝置等之半導體裝置中，有經由形成於半導體基板之貫通孔而於半導體基板之表面側與內表面側之間實施電性連接之情形(例如，參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2004-57507號公報

於上述之半導體裝置中，伴隨著其小型化、高集成化等，半導體基板之經由貫通孔之電性連接有變得脆弱之虞。

因此，本發明之目的在於提供一種可將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化之半導體裝置，及此種半導體裝置之製造方法。

本發明之一態樣之半導體裝置包含：半導體基板，其具有彼此對向之第1表面及第2表面，且形成有自第1表面到達至第2表面之貫通孔；第1配線，其設置於第1表面，且一部分位於貫通孔之第1表面側之第1開口上；絕緣層，其設置於貫通孔之內表面及第2表面，且經由貫通孔之第2表面側之第2開口而連續；及第2配線，其係設置於絕緣 層之表面，且於絕緣層之第1表面側之開口中與第1配線電性連接；且絕緣層之表面包含：於貫通孔之內側到達至第1開口，且自第1表面向第2表面擴大之錐狀之第1區域；於貫通孔之內側到達至第2開口，且自第1表面向第2表面擴大之錐狀之第2區域；第3區域，其於貫通孔之外側中與第2表面對向；以將第1區域與第2區域連續地連接之方式彎曲之第4區域；及以將第2區域與第3區域連續地連接之方式彎曲之第5區域；且第2區域之平均傾斜角度較第1區域之平均傾斜角度小，且亦較貫通孔之內表面之平均傾斜角度小。

於該半導體裝置中，絕緣層之表面中之到達至貫通孔之第1開口之第1區域、及到達至貫通孔之第2開口之第2區域係自半導體基板之第1表面向第2表面擴大之錐狀之區域。然後，第2區域之平均傾斜角度成為較貫通孔之內表面之平均傾斜角度小。藉此，絕緣層之表面中之與半導體基板之第2表面對向之第3區域及到達至貫通孔之第2開口之第2區域所成之角度成為較半導體基板之第2表面與貫通孔之內表面所成之角度大(即平緩)。因此，無論於製造時或製造後，均防止於貫通孔之第2開口部分之第2配線之斷線。又，與例如將絕緣層沿著貫通孔之內表面以均勻之厚度形成之情形相比，第2區域之傾斜成為平緩，故可容易且確實地形成第2配線。進而，可不依存於貫通孔之內表面之形狀而形成第2配線，故即使於例如於貫通孔之內表面殘留有尖銳之部分之情形時，亦可防止起因於此種部分之第2配線之斷線。又，第2區域之平均傾斜角度成為較第1區域之平均傾斜角度小。換言之，到達至貫通孔之第1開口之第1區域之平均傾斜角度成為較第2區域之平均傾斜角度大。藉此，即使於例如將貫通孔小徑化之情形時，亦可充分地確保半導體基板之第1表面側之絕緣層之開口之寬度。因此，無論於製造時或製造後，均可防止於絕緣層之開口部分之第1配線與第2配線之斷線。進而，於絕緣層之表面，第4區域以將第1區域 與第2區域連續地連接之方式彎曲，且第5區域以將第2區域與第3區域連續地連接之方式彎曲。因此，無論於製造時或製造後，均防止於絕緣層之表面之整個區域之第2配線之斷線。尤其於製造後，於絕緣層之表面之整個區域將應力集中進行緩和，故對於第2配線之斷線之防止較有效。藉由以上，根據該半導體裝置，可將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化。另，於貫通孔之內表面之平均傾斜角度亦包含貫通孔之內表面(於貫通孔之內表面為圓柱面等之曲面之情形時，為其曲面之切平面)與半導體基板之第1表面正交，且貫通孔之內表面相對於第1表面成90°之角度之情形。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，亦可為第1區域之平均傾斜角度較第2區域之平均傾斜角度更接近貫通孔之內表面之平均傾斜角度。藉此，可獲得為了使位於貫通孔之第1表面側之第1開口上之第1配線之一部分露出而具有充分之寬度之開口，其結果，無論於製造時或製造後，均可確實地防止於絕緣層之開口部分之第1配線與第2配線之斷線。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，設置於貫通孔之內表面之絕緣層之平均厚度亦可較設置於第2表面之絕緣層之平均厚度大。藉此，於例如將半導體基板薄型化之情形時，設置於貫通孔之內表面之絕緣層亦作為增強層發揮功能，故可充分確保貫通孔周邊部分之強度。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，第1區域亦可為設置於貫通孔之內表面之絕緣層中之具有半導體基板之厚度與設置於第2表面之絕緣層之平均厚度之和之2/3以下之高度之部分之表面。藉此，於絕緣層之表面中，將第1區域與第2區域平緩地連接，可確實地防止於第1區域與第2區域之邊界之第2配線之斷線。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，第1區域亦可為設置於貫通 孔之內表面之絕緣層中之具有半導體基板之厚度與設置於第2表面之絕緣層之平均厚度之和之1/2以下之高度之部分之表面。藉此，於絕緣層之表面中，將第1區域與第2區域進一步平緩地連接，可進一步確實地防止於第1區域與第2區域之邊界之第2配線之斷線。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，第4區域亦可為朝與貫通孔之內表面相反之側具有凸之最大曲率之區域。此種絕緣層之形狀係於將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化方面尤其有效。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，貫通孔之內表面亦可為自第1表面向第2表面擴大之錐狀之面，或，貫通孔之內表面(於貫通孔之內表面為圓柱面等之曲面之情形時，為其曲面之切平面)亦可為與第1表面及第2表面正交之面。於任一者之情形時，均可將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化。

於本發明之一態樣之半導體裝置中，絕緣層亦可包含樹脂。藉此，可容易且確實地形成具有上述之形狀之絕緣層。

本發明之一態樣之半導體裝置之製造方法係製造上述半導體裝置之方法，且包含：第1步驟，其於具有彼此對向之第1表面及第2表面之半導體基板之第1表面設置第1配線；第2步驟，其於半導體基板形成自第1表面到達至第2表面之貫通孔，且於貫通孔之第1表面側之第1開口使第1配線之一部分露出；第3步驟，其於貫通孔之內表面及第2表面，經由貫通孔之第2表面側之第2開口而設置連續之絕緣層；第4步驟，其於絕緣層形成接觸孔，且於絕緣層之第1表面側之開口使第1配線之一部分露出；及第5步驟，其於絕緣層之表面設置第2配線，且於絕緣層之第1表面側之開口中將第1配線與第2配線電性連接。

根據該半導體裝置之製造方法，可效率良好地製造將半導體裝置之經由貫通孔之電性連接確實化之半導體裝置。

於本發明之一態樣之半導體裝置之製造方法中，於第3步驟中，亦可使用具有10cp以上之黏度之樹脂材料而實施浸漬塗佈法，藉此於貫通孔之內表面及第2表面設置絕緣層。藉此，可容易且確實地獲得具有上述之形狀之絕緣層。

於本發明之一態樣之半導體裝置之製造方法中，亦可於第3步驟中，使用正型之樹脂材料，於貫通孔之內表面及第2表面設置絕緣層，且於第4步驟中，將於絕緣層中與接觸孔對應之部分曝光及顯影，藉此於絕緣層形成接觸孔。藉此，可容易且確實地獲得具有上述之形狀之絕緣層。

根據本發明，可提供一種可將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化之半導體裝置，及此種半導體裝置之製造方法。

1:半導體裝置

2:半導體基板

2a:第1表面

2b:第2表面

2c:p型區域

3:第1配線

3a:焊墊部

4:氧化膜

4a:開口

5:光透過基板

6:接著層

7:貫通孔

7a:第1開口

7b:第2開口

7c:內表面

8:第2配線

8a:焊墊部

9:取出電極

10:絕緣層

10a:開口

10b:表面

10c:開口

11:第1區域

12:第2區域

13:第3區域

14:第4區域

15:第5區域

16:接觸孔

17:凹部

18:氧化膜

21:樹脂保護層

21a:凹部

21b:開口

21c:開口

22:第3配線

22a:焊墊部

23:取出電極

30:遮罩

31:光透過部

32:遮光部

CL:中心線

D:和

H:高度

P1:部分

P2:部分

S:面

T1:三角形

T2:三角形

α:平均傾斜角度

β:平均傾斜角度

γ:平均傾斜角度

圖1係本發明之一實施形態之半導體裝置之剖視圖。

圖2係圖1之半導體裝置之貫通孔及其周邊部分之剖視圖。

圖3之(a)及(b)係用以說明圖1之半導體裝置之製造方法之複數個步驟之剖視圖。

圖4之(a)及(b)係用以說明圖1之半導體裝置之製造方法之複數個步驟之剖視圖。

圖5之(a)及(b)係用以說明圖1之半導體裝置之製造方法之複數個步驟之剖視圖。

圖6係圖1之半導體裝置之變化例之部分剖視圖。

圖7係圖1之半導體裝置之變化例之部分剖視圖。

圖8係圖1之半導體裝置之變化例之部分剖視圖。

圖9係圖1之半導體裝置之貫通孔及其周邊部分之變化例之剖視圖。

以下，對本發明之實施形態，參照圖式詳細地進行說明。另，於各圖中對相同或相當部分標註相同符號，且省略重複之說明。

如圖1所示般，半導體裝置1具備具有彼此對向之第1表面2a及第2表面2b之半導體基板2。半導體裝置1係例如矽光電二極體等之光裝置。於半導體裝置1中，例如於包含n型之矽之半導體基板2內之第1表面2a側之特定區域，設置有選擇性擴散有p型之雜質之p型區域2c。於半導體基板2之第1表面2a，例如包含鋁之第1配線3係介隔氧化膜4而設置。於氧化膜4中與第1配線3之焊墊部3a對應之部分，形成有開口4a。於氧化膜4中與p型區域2c之端部對應之部分，形成有開口4b。第1配線3係經由開口4b而電性連接於p型區域2c。另，亦可取代氧化膜4，而設置SiN等包含其他之絕緣材料之絕緣膜。

於半導體基板2之第1表面2a，配置有包含玻璃等之光透過型材料之光透過基板5。半導體基板2與光透過基板5係藉由包含光學接著劑之接著層6光學性且物理性連接。於半導體裝置1中，經由光透過基板5及接著層6而於p型區域2c入射光。另，半導體基板2之厚度較光透過基板5之厚度小(薄)。作為一例，半導體基板2之厚度係數十μm左右，光透過基板5之厚度係數百μm左右。

於半導體基板2，形成自第1表面2a到達至第2表面2b之貫通孔7。貫通孔7之第1開口7a係位於半導體基板2之第1表面2a，貫通孔7之第2開口7b係位於半導體基板2之第2表面2b。第1開口7a與氧化膜4之開口4a連續，且係由第1配線3之焊墊部3a覆蓋。貫通孔7之內表面7c係自第1表面2a朝第2表面2b擴大之錐狀之面。例如，貫通孔7係形成為自第1表面2a朝第2表面2b擴大之四角形錐台狀。另，於自與貫通線7之中心線CL平行之方向觀察之情形時，貫通孔7之第1開口7a之緣與氧化膜4之開口4a之緣不必一致，例如氧化膜4之開口4a之緣亦可相對於 貫通孔7之第1開口7a之緣而位於內側。

貫通孔7之縱橫比係0.2~10。所謂縱橫比，係以貫通孔7之深度(第1開口7a與第2開口7b之距離)除以第2開口7b之寬度(於第2開口7b為矩形之情形時為第2開口7b之對邊間之距離，於第2開口7b為圓形之情形時為第2開口7b之直徑)之值。作為一例，貫通孔7之深度為30μm，且第2開口7b之寬度為130μm。該情形時，縱橫比成為0.23。

於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b，設置有絕緣層10。絕緣層10係經由貫通孔7之第2開口7b而連續。絕緣層10係於貫通孔7之內側，經由氧化膜4之開口4a而到達至第1配線3之焊墊部3a，且於半導體基板2之第1表面2a側具有開口10a。

於絕緣層10之表面10b(與貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b相反之側之表面)，設置有例如包含鋁之第2配線8。第2配線8係於絕緣層10之開口10a中電性連接於第1配線3之焊墊部3a。進而，於絕緣層10之表面10b(與半導體基板2之第2表面2b相反之側之表面)，設置有例如包含鋁之第3配線22。第3配線22係於形成於絕緣層10之開口10c中電性連接於半導體基板2之第2表面2b。

第2配線8及第3配線22係由樹脂保護層21覆蓋。於樹脂保護層21中與貫通孔7對應之部分，形成有具有平滑之內表面之較淺之凹部21a。於樹脂保護層21中與第2配線8之焊墊部8a對應之部分，形成有使焊墊部8a露出之開口21b。於樹脂保護層21中與第3配線22之焊墊部22a對應之部分，形成有使焊墊部22a露出之開口21c。於樹脂保護層21之開口21b，配置有凸塊電極即取出電極9。取出電極9係電性連接於第2配線8之焊墊部8a。於樹脂保護層21之開口21c，配置有凸塊電極即取出電極23。取出電極23係電性連接於第3配線22之焊墊部22a。半導體裝置1係經由取出電極9及取出電極23而安裝於電路基板，且取出電極9及取出電極23係分別作為陽極電極及陰極電極而發揮功能。 另，亦可代替樹脂保護層21，設置包含其他之絕緣材料之保護層(例如，氧化膜、氮化膜等)。又，樹脂保護層21之厚度可為與絕緣層10之厚度相同程度，或，亦可設為較絕緣層10之厚度小。尤其，若樹脂保護層21之厚度為與絕緣層10之厚度相同程度，則可降低作用於第2配線8及第3配線22之應力。

對上述之絕緣層10，一面參照圖2，一面更詳細地進行說明。另，於圖2中，省略光透過基板5、接著層6、取出電極9及樹脂保護層21。

如圖2所示般，絕緣層10之表面10b包含：第1區域11，其於貫通孔7之內側到達至第1開口7a；第2區域12，其於貫通孔7之內側到達至第2開口7b；及第3區域13，其於貫通孔7之外側與半導體基板2之第2表面2b對向。

第1區域11係自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之區域。第1區域11具有平均傾斜角度α。所謂第1區域11之平均傾斜角度α，係對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，該平面與第1區域11之交線相對於第1表面2a所成之角度之平均值。於該交線為直線之情形時，該直線與第1表面2a所成之角度成為第1區域11之平均傾斜角度α。於該交線為曲線之情形時，該曲線之接線與第1表面2a所成角度之平均值，成為第1區域11之平均傾斜角度α。第1區域11之平均傾斜角度α係大於0°且小於90°。

第2區域12係自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之區域。第2區域12具有平均傾斜角度β。所謂第2區域12之平均傾斜角度β，係對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，該平面與第2區域12之交線相對於第1表面2a所成之角度之平均值。於該交線為直線之情形時，該直線與第1表面2a所成之角度成為第2區域12之平均傾斜角度β。於該交線為曲線之情形 時，該曲線之接線與第1表面2a所成角度之平均值，成為第2區域12之平均傾斜角度β。第2區域12之平均傾斜角度β係大於0°且小於90°。

第2區域12之平均傾斜角度β小於第1區域11之平均傾斜角度α。即，第2區域12係具有較第1區域11平緩之傾斜之區域。又，第2區域12之平均傾斜角度β小於貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。即，第2區域12係具有較貫通孔7之內表面7c平緩之傾斜之區域。於本實施形態中，第1區域11之平均傾斜角度α較第2區域12之平均傾斜角度β更接近貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。此處，第1區域11之平均傾斜角度α>貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ>第2區域12之平均傾斜角度β。所謂貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ，係對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，該平面與內表面7c之交線相對於第1表面2a所成之角度之平均值。於該交線為直線之情形時，該直線與第1表面2a所成之角度成為貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。於該交線為曲線之情形時，該曲線之接線與第1表面2a所成角度之平均值成為貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。

絕緣層10之表面10b進而包含：第4區域14，其於與貫通孔7之內表面7c相反之側具有凸之最大曲率；及第5區域15，其沿著貫通孔7之第2開口7b之緣。所謂於與貫通孔之內表面7c相反之側凸之最大曲率，係於對包含貫通線7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，於該平面與表面10b之交線中之朝與貫通孔7之內表面7c相反之側凸狀地彎曲之部分之曲率之最大值。另，第1區域11係於設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之表面10b中之較第4區域14更接近貫通孔7之第1開口7a側(與貫通孔7之中心線CL平行之方向之第1開口7a側)之區域。第2區域12係設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之表面10b中之較第4區域14更接近貫通孔7之第2開口7b側(與貫通 孔7之中心線CL平行之方向之第2開口7b側)之區域(即，第4區域14與第5區域15之間之區域)。

第4區域14係以與第1區域11與第2區域12連續地連接之方式彎曲。即，第4區域14係帶有圓角之曲面，且將第1區域11與第2區域12平滑地連接。此處，若假定第4區域14不存在，且使第1區域11朝半導體基板2之第2表面2b側延伸，使第2區域12朝半導體基板2之第1表面2a側延伸，則藉由第1區域11與第2區域12形成交線(角、彎曲部位)。第4區域14係相當於將該交線(角、彎曲部位)進行R倒角時形成之曲面。第4區域14係於對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，該平面與表面10b之交線中之於與第1區域11對應之部分及與第2區域12對應之部分之間、朝與貫通孔7之內表面7c相反之側凸狀地彎曲之部分。

第5區域15係以將第2區域12與第3區域13連續地連接之方式彎曲。即，第5區域15係帶有圓角之曲面，且將第2區域12與第3區域13平滑地連接。此處，若假定第5區域15不存在，且使第2區域12朝半導體基板2之第2表面2b側延伸，使第3區域13朝貫通孔7之中心線CL延伸，則藉由第2區域12與第3區域13形成交線(角、彎曲部位等)。第5區域15相當於將該交線(角、彎曲部位等)進行R倒角時形成之曲面。第5區域15係於對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域之情形時，該平面與表面10b之交線中之與第2區域12對應之部分及與第3區域13對應之部分之間，朝與貫通孔7之第2開口7b之緣相反之側凸狀地彎曲之部分。

於本實施形態中，第1區域11、第4區域14及第5區域15係朝與貫通孔7之內表面7c相反之側凸狀地彎曲之曲面。第2區域12係於貫通孔7之內表面7c側凸狀地彎曲之曲面(即，若自與貫通孔7之內表面7c相反之側觀察，則凹狀地彎曲之曲面)。第3區域13係與半導體基板2之 第2表面2b大致平行之平面。如上述般，第4區域14係以將第1區域11與第2區域12連續地連接之方式彎曲，且第5區域15係以將第2區域12與第3區域13連續地連接之方式彎曲，故絕緣層10之表面10b成為連續之面(不存在面與面之交線(角、彎曲部位等)等不連續部位，各區域11、12、13、14、15為平滑地連接之面)。

設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之平均厚度大於設置於半導體基板2之第2表面2b之絕緣層10之平均厚度。設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之平均厚度，係於與內表面7c垂直之方向之絕緣層10之厚度之平均值。所謂設置於半導體基板2之第2表面2b之絕緣層10之平均厚度，係於與第2表面2b垂直之方向之絕緣層10之厚度之平均值。

於半導體基板2之與第1表面2a及第2表面2b平行之方向上，絕緣層10中之與第1區域11對應之部分之平均厚度較樹脂絕緣層10中之與第2區域12對應之部分之平均厚度大。於半導體基板2之與第1表面2a及第2表面2b平行之方向上，所謂與絕緣層10中之與第1區域11對應之部分之平均厚度，係於該方向之第1區域11與貫通孔7之內表面7c之距離之平均值。於半導體基板2之與第1表面2a及第2表面2b平行之方向上，所謂絕緣層10中之與第2區域12對應之部分之平均厚度，係該方向之第2區域12與貫通孔7之內表面7c之距離之平均值。

於絕緣層10中，第1區域11係設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10中之自半導體基板2之第1表面2a具有高度H之部分之表面。高度H係半導體基板2之厚度(即，第1表面2a與第2表面2b之距離)與設置於半導體基板2之第2表面2b之絕緣層10之平均厚度之和D之1/2以下。

於絕緣層10中，將通過絕緣層10之開口10a之緣及貫通孔7之第2開口7b之緣之面S設為邊界面，若著眼於相對於面S而貫通孔7之內表面7c側之部分P1、及相對於面S而與貫通孔7之內表面7c相反之側之部 分P2，則部分P1之體積大於部分P2之體積。又，於絕緣層10中，若對包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域，則三角形T1之面積較三角形T2之面積大。三角形T1係於包含貫通孔7之中心線CL之平面中(即，於圖2之剖面中)，將貫通孔7之第1開口7a之緣、貫通孔7之第2開口7b之緣、及絕緣層10之開口10a之緣設為頂點之三角形。三角形T2係於包含貫通孔7之中心線CL之平面中(即，圖2之剖面中)，將絕緣層10之開口10a之緣、貫通孔7之第2開口7b之緣、及第4區域14之頂部設為頂點之三角形。

如以上說明般，於半導體裝置1中，絕緣層10之表面10b中，到達至貫通孔7之第1開口7a之第1區域11、及到達至貫通孔7之第2開口7b之第2區域12為自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之區域。且，第2區域12之平均傾斜角度β較貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ小。藉此，絕緣層10之表面10b中之與半導體基板2之第2表面2b對向之第3區域13及到達至貫通孔7之第2開口7b之第2區域12所成之角度成為較半導體基板2之第2表面2b與貫通孔7之內表面7c所成之角度大(即平緩)。藉此，無論於製造時或製造後，均可防止於貫通孔7之第2開口7b部分之第2配線8之斷線。又，與例如絕緣層10沿著貫通孔7之內表面7c以均勻之厚度形成之情形相比第2區域12之傾斜成為平緩，故可容易且確實地形成第2配線8。進而，可不依存於貫通孔7之內表面7c之形狀而形成第2配線8，故例如於貫通孔7之內表面7c殘存有尖銳部分之情形時，亦可防止起因於此種部分之第2配線8之斷線。又，第2區域12之平均傾斜角度β成為較第1區域11之平均傾斜角度α小。換言之，到達至貫通孔7之第1開口7a之第1區域11之平均傾斜角度α大於第2區域12之平均傾斜角度β。藉此，即使於例如將貫通孔7小徑化之情形時，亦可充分地確保半導體基板2之第1表面2a側之絕緣層10之開口10a之寬度。因此，無論於製造時或製造後，均可防止於 絕緣層10之開口10a部分之第1配線3與第2配線8之斷線。進而，於絕緣層10之表面10b中，第4區域14以將第1區域11與第2區域12連續地連接之方式彎曲，第5區域15以將第2區域12與第3區域13連續地連接之方式彎曲。因此，無論製造時或製造後，均可防止於絕緣層10之表面10b之整個區域之第2配線8之斷線。尤其於製造後，可於絕緣層10之表面10b之整個區域緩和應力集中，故對於第2配線8之斷線之防止較有效。藉由以上，根據半導體裝置1，可將半導體基板2之經由貫通孔7之電性連接確實化。

於半導體裝置1中，絕緣層10之表面10b成為連續之面(不存在面與面之交線(角、彎曲部位等)等不連續部位，各區域11、12、13、14、15為平滑地連接之面)。藉此，可緩和應力集中而防止第2配線8之斷線。

於半導體裝置1中，第1區域11之平均傾斜角度α較第2區域12之平均傾斜角度β更接近貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。藉此，可獲得為了使第1配線3之焊墊部3a露出而具有充分之寬度之開口10a，其結果，無論於製造時或製造後，均可確實地防止於絕緣層10之開口10a部分之第1配線3與第2配線8之斷線。

於半導體裝置1中，成為第1區域11之平均傾斜角度α>貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ>第2區域12之平均傾斜角度β。藉此，可防止第2配線8之斷線，且可獲得為了使第1配線3之焊墊部3a露出而具有充分之寬度之開口10a。

於半導體裝置1中，設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之平均厚度成為大於設置於第2表面2b之絕緣層10之平均厚度。藉此，即使於例如將半導體基板2薄型化之情形時，設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10作為增強層發揮功能，故亦可充分地確保貫通孔7周邊部分之強度。又，可將第1區域11之平均傾斜角度α及第2區域12之平均傾 斜角度β設為期望之角度，可獲得表面10b成為連續之面(不存在面與面之交線(角、彎曲部位等)等不連續部位，各區域11、12、13、14、15為平滑地連接之面)之絕緣層10。例如於絕緣層10係沿著貫通孔7之內表面7c而以均勻之厚度形成之情形時，不可能獲得表面10b成為連續之面之絕緣層10。

於半導體裝置1中，於半導體基板2之與第1表面2a及第2表面2b平行之方向上，絕緣層10中之與第1區域11對應之部分之平均厚度較絕緣層10中之與第2區域12對應之部分之平均厚度大。藉此，可獲得具有難以產生第2配線8之斷線且難以產生第1配線3與第2配線8之斷線之形狀之絕緣層10。

於半導體裝置1中，即使例如於貫通孔7之第2開口7b之緣殘存有突懸等，該突懸等亦被絕緣層10覆蓋，成為於凸狀地彎曲之曲面即第5區域15設置第2配線8。藉此，可確實地防止於貫通孔7之第2開口7b部分之第2配線8之斷線。

於半導體裝置1中，設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10中之具有半導體基板2之厚度與設置於第2表面2b之絕緣層10之平均厚度之和D之1/2以下之高度H之部分之表面成為第1區域11。藉此，於絕緣層10之表面10b，平緩地連接第1區域11與第2區域12，而可確實地防止於第1區域11與第2區域12之邊界之第2配線8之斷線。

於半導體裝置1之絕緣層10中，將通過絕緣層10之開口10a之緣及貫通孔7之第2開口7b之緣之面S設為邊界面，若著眼於相對於面S貫通孔7之內表面側7c側之部分P1、及相對於面S與貫通孔7之內表面7c相反之側之部分P2，則部分P1之體積大於部分P2之體積。又，對包含貫通孔7之中心線CL之平面，若著眼於中心線CL之一側之區域，則三角形T1之面積大於三角形T2之面積。即使藉由該等，於絕緣層10之表面10b中，亦可平緩地連接第1區域11與第2區域12，而可確實地防 止於第1區域11與第2區域12之邊界之第2配線8之斷線。

於半導體裝置1中，於設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10之表面10b中之朝與貫通孔7之內表面7c相反側具有凸之最大曲率之第4區域14更接近第1開口7a側之區域成為第1區域11，較第4區域14更接近第2開口7b側之區域成為第2區域12。此種絕緣層10之形狀係於將半導體基板2之經由貫通孔7之電性連接確實化方面尤其有效。

於半導體裝置1中，貫通孔7之內表面7c為自第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之面。於該情形時，亦可將半導體基板2之經由貫通孔7之電性連接確實化。

於半導體裝置1中，絕緣層10包含樹脂。藉此，可容易且確實地形成具有上述之形狀之絕緣層10。

接著，關於上述之半導體裝置1之製造方法，一面參照圖3~圖5進行說明。首先，準備半導體基板2，且於半導體基板2之第1表面2a構成裝置(即，於第1表面2a設置氧化膜4、第1配線3等)(第1步驟)。然後，於半導體基板2之第1表面2a經由接著層6而安裝光透過基板5。

接著，如圖3之(a)所示般，藉由各向異性之濕式蝕刻於半導體基板2形成貫通孔7，進而，如圖3之(b)所示般，於氧化膜4中去除與第1配線3之焊墊部3a對應之部分，而於氧化膜4形成開口4a。藉此，於貫通孔7之第1開口7a使第1配線3之焊墊部3a露出(第2步驟)。另，於自與貫通孔7之中心線CL平行之方向觀察之情形時，不必以貫通孔7之第1開口7a之緣與氧化膜4之開口4a之緣一致之方式於氧化膜4形成開口4a，亦可以例如氧化膜4之開口4a之緣相對於貫通孔7之第1開口7a之緣而位於內側之方式於氧化膜4形成開口4a。

接著，準備具有10cp以上之黏度且正型之樹脂材料，使用該樹脂材料而實施浸漬塗佈法(使對象物浸漬於樹脂塗料，且將對象物自樹脂塗料上拉，藉此於對象物形成樹脂層之方法)，藉此如圖4之(a)所 示般，於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10(第3步驟)。藉此，於絕緣層10形成具有追隨於第2區域12、第3區域13及第5區域15之內表面之凹部17。另，作為樹脂材料，可使用例如酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、及環氧樹脂等。

接著，如圖4之(b)所示般，於設置於半導體基板2之第2表面2b之絕緣層10上配置遮罩30。遮罩30於與第1配線3之焊墊部3a對向之位置具有光透過部31，於光透過部31之周圍具有遮光部32。接著，於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分，經由遮罩30之光透過部31而照射光，且將該部分曝光。進而，於絕緣層10中將與接觸孔16對應之部分顯影，藉此於絕緣層10形成接觸孔16。藉此，於絕緣層10之開口10a使第1配線3之焊墊部3a露出(第4步驟)。另，於形成接觸孔16時，亦可併用灰化處理等。

於曝光之時，於遮罩30之光透過部31及於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分之間，藉由形成於絕緣層10之凹部17而形成間隙。藉此，光繞射而照射至絕緣層10。因此，於顯影之時，形成具有自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之追隨於第1區域11、及第2區域12之內表面之接觸孔16。

接著，如圖5之(a)所示般，藉由例如使用鋁而實施濺鍍法，藉此於絕緣層10之表面10b設置第2配線8，且於絕緣層10之開口10a中將第1配線3與第2配線8電性連接(第5步驟)。此時，接觸孔16具有自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之追隨於第1區域11之內表面，故於該內表面確實地形成金屬膜，且進而於絕緣層10之開口10a中將第1配線3與第2配線8確實地連接。

接著，例如使用與絕緣層10相同之樹脂材料而實施浸漬塗佈法，藉此如圖5之(b)所示般，以樹脂保護層21覆蓋第2配線8。最後，於未被樹脂保護層21覆蓋之第2配線8之焊墊部8a配置取出電極9，獲 得上述之半導體裝置1。

根據上述半導體裝置1之製造方法，可效率良好地製造將半導體基板2之經由貫通孔7之電性連接確實化之半導體裝置1。

於上述半導體裝置1之製造方法中，使用具有10cp以上之黏度之樹脂材料而實施浸漬塗佈法，藉此於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10。藉此，可容易且確實地獲得具有上述之形狀之絕緣層10。

另，於浸漬塗佈法，一般而言使用黏性較低之樹脂材料(例如使用於防水塗層之樹脂材料等，例如具有1cp以下之黏度之樹脂材料)。然而，即使使用此種樹脂材料而實施浸漬塗佈法，絕緣層10亦沿著貫通孔7之內表面7c而以大致均勻之厚度形成。因此，於上述半導體裝置1之製造方法中，藉由使用具有10cp以上之黏度之樹脂材料而實施浸漬塗佈法，可容易且確實地獲得具有上述之形狀之絕緣層10。

於上述半導體裝置1之製造方法中，使用正型之樹脂材料，而於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10。然後，將於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分曝光及顯影，藉此於絕緣層10形成接觸孔16。藉此，可容易且確實地獲得具有上述之形狀之絕緣層10。另，於曝光及顯影之時，藉由形成於絕緣層10之凹部17，於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分之厚度變薄(即，與接觸孔16對應之部分為絕緣層10中之具有半導體基板2之厚度與設置於第2表面2b之絕緣層10之平均厚度之和D之1/2以下之高度之部分)，故可容易且確實地獲得具有期望之形狀之接觸孔16。

於上述半導體裝置1之製造方法中，以於半導體基板2安裝有光透過基板5之狀態，實施浸漬塗佈法。因此，可使用薄型化之半導體基板2。於薄型化之半導體基板2中，由於貫通孔7之深度變小，故即使藉由使用10cp以上等具有較高之黏度之樹脂材料之浸漬塗佈法而 絕緣層10變厚，亦可於絕緣層10容易且確實地形成接觸孔16。

以上，對本發明之一實施形態進行說明，但本發明並非限定於上述實施形態者。例如，絕緣層10亦可由樹脂以外之絕緣材料形成。又，於上述實施形態中，貫通孔7之第1開口7a係由第1配線3之焊墊部3a覆蓋，但只要第1配線3之一部分位於第1開口7a上即可，第1配線3亦可不覆蓋第1開口7a之整個區域。

又，於上述實施形態中，第1區域11之平均傾斜角度α較第2區域12之平均傾斜角度β更接近貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ，但亦可為第2區域12之平均傾斜角度β較第1區域11之平均傾斜角度α更接近貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。

又，如圖6所示般，亦可於半導體基板2之第1表面2a經由接著層6安裝光透過基板5。於該情形時，於第1表面2a，以覆蓋第1配線3之方式設置氧化膜18。如此，於在半導體基板2未安裝有光透過基板5之情形時，於絕緣層10中自第1表面2a具有高度H之部分作為增強層發揮功能，故自充分地確保貫通孔7周邊部分之強度之角度而言尤其有效。

又，如圖7及圖8所示般，亦可以取出電極9自半導體基板2之第2表面2b突出之方式配置於貫通孔7之內側。於該情形時，如圖7所示般，亦可於半導體基板2之第1表面2a經由接著層6安裝光透過基板5，或如圖8所示般，亦可於半導體基板2之第1表面2a不經由接著層6而安裝光透過基板5。

又，如圖9所示般，於貫通孔7之內表面7c(於貫通孔7之內表面7c為圓柱面等之曲面之情形時，為其曲面之切平面)亦可為與第1表面2a及第2表面2b正交之面。於該情形時，亦可將半導體基板2之經由貫通孔7之電性連接確實化。此處，貫通孔7之縱橫比為0.2~10。作為一例，貫通孔7之深度為40μm，第2開口7b之寬度為30μm。該情形時， 縱橫比成為1.3。另，具有圓柱狀、四角柱狀等之形狀之貫通孔7係藉由例如乾式蝕刻而形成。

關於圖9所示之貫通孔7，第2區域12之平均傾斜角度β亦較第1區域11之平均傾斜角度α小，且較貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ(於該情形時為90°)小。即，第2區域12係較第1區域11具有更平緩之傾斜，且較貫通孔7之內表面7c具有更平緩之傾斜之區域。又，第1區域11之平均傾斜角度α較第2區域12之平均傾斜角度β更接近貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ。此處，成為貫通孔7之內表面7c之平均傾斜角度γ>第1區域11之平均傾斜角度α>第2區域12之平均傾斜角度β。藉此，可防止第2配線8之斷線，且可獲得為了使第1配線3之焊墊部3a露出具有充分之寬度之開口10a。又，絕緣層10之表面10b成為連續之面(不存在面與面之交線(角、彎曲部位等)等不連續部位，各區域11、12、13、14、15為平滑地連接之面)。又，於絕緣層10中，將通過絕緣層10之開口10a之緣及貫通孔7之第2開口7b之緣之面S設為邊界面，若著眼於相對於面S貫通孔7之內表面7c側之部分P1、及相對於面S與貫通孔7之內表面7c相反之側之部分P2，則部分P1之體積大於部分P2之體積。又，於絕緣層10中，若關於包含貫通孔7之中心線CL之平面，著眼於中心線CL之一側之區域，則三角形T1之面積大於三角形T2之面積。又，於半導體基板2之與第1表面2a及第2表面2b平行之方向上，絕緣層10中之與第1區域11對應之部分之平均厚度較絕緣層10中之與第2區域12對應之部分之平均厚度大。

又，第1區域11亦可為設置於貫通孔7之內表面7c之絕緣層10中之具有半導體基板2之厚度與設置於半導體基板2之第2表面2b之絕緣層10之平均厚度之和D之2/3以下之高度H之部分之表面10b(參照圖9)。於該情形時，於絕緣層10之表面10b中，將第1區域11與第2區域12平緩地連接，可確實地防止於第1區域11與第2區域12之邊界之第2配線8 之斷線。另，於曝光及顯影之時，藉由形成於絕緣層10之凹部17，於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分之厚度變薄(即，與接觸孔16對應之部分為絕緣層10中之具有半導體基板2之厚度與設置於第2表面2b之絕緣層10之平均厚度之和D之2/3以下之高度H之部分)，故可容易且確實地獲得具有期望之形狀之接觸孔16。

又，於上述半導體裝置1之製造方法中，藉由實施浸漬塗佈法，於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10，但本發明並非限定於此。例如，亦可藉由實施使用樹脂片之層壓法、使用樹脂塗料之旋轉塗佈法等其他之方法，於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10。

又，於上述半導體裝置1之製造方法中，使用正型之樹脂材料，於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10，且將於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分進行曝光及顯影，藉此於絕緣層10形成接觸孔16，但本發明並非限定於此。例如，亦可使用負型之樹脂材料，於貫通孔7之內表面7c及半導體基板2之第2表面2b設置絕緣層10。該情形時，亦可將絕緣層10中與接觸孔16對應之部分以外之部分曝光，且將於絕緣層10中與接觸孔16對應之部分顯影，藉此於絕緣層10形成接觸孔16。起因於光之衰減、光之繞射等，雖僅藉由顯影，可形成自半導體基板2之表面2b向第1表面2a擴大之錐狀之接觸孔16，藉由進而實施熱處理等，可獲得自半導體基板2之第1表面2a向第2表面2b擴大之錐狀之接觸孔16。

又，於上述實施形態中，於例如包含n型之矽之半導體基板2內之第1表面2a側之特定區域，設置有選擇性擴散有p型之雜質之p型區域2c，但各導電型亦可為相反。該情形時，取出電極9及取出電極23分別作為陰極電極及陽極電極發揮功能。進而，並非限定於在第1導電型(p型及n型之一者)之半導體基板2內形成第2導電型(p型及n型之另 一者)之區域者，亦可為於第1導電型(p型及n型之一者)之半導體基板2上形成第2導電型(p型及n型之另一者)之半導體層者，且亦可為於基板上形成第1導電型(p型及n型之一者)之半導體層，且於該第1導電型之半導體層上形成第2導電型(p型及n型之另一者)之半導體層者。即，只要為於半導體基板2之第1導電型之區域形成第2導電型之區域者即可。又，於上述實施形態中，半導體裝置1係例如矽光電二極體等之光裝置，但半導體裝置1可為其他之光裝置，亦可為電子裝置等。

[產業上之可利用性]

根據本發明，可提供可將半導體基板之經由貫通孔之電性連接確實化之半導體裝置、及此種半導體裝置之製造方法。

2:半導體基板

2a:第1表面

2b:第2表面

3:第1配線

3a:焊墊部

4:氧化膜

4a:開口

7:貫通孔

7a:第1開口

7b:第2開口

7c:內表面

8:第2配線

10:絕緣層

10:a開口

10b:表面

11:第1區域

12:第2區域

13:第3區域

14:第4區域

15:第5區域

CL:中心線

D:和

H:高度

P1:部分

P2:部分

S:面

T1:三角形

T2:三角形

α:平均傾斜角度

β:平均傾斜角度

γ:平均傾斜角度

Claims (42)

1. 一種半導體裝置，其包含：半導體基板，其具有彼此對向之第1表面及第2表面，且形成有自上述第1表面到達至上述第2表面之貫通孔；第1配線，其設置於上述第1表面，且一部分位於上述貫通孔之上述第1表面側之第1開口上；絕緣層，其設置於上述貫通孔之內表面及上述第2表面，且經由上述貫通孔之上述第2表面側之第2開口而連續；及第2配線，其係設置於上述絕緣層之表面，且於上述絕緣層之上述第1表面側之開口中與第1配線電性連接；且上述絕緣層之上述表面包含：於上述貫通孔之內側到達至上述第1開口，且自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之第1區域；於上述貫通孔之內側到達至上述第2開口，且自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之第2區域；第3區域，其於上述貫通孔之外側中與上述第2表面對向；以將上述第1區域與上述第2區域連續地連接之方式彎曲之第4區域；及以將上述第2區域與上述第3區域連續地連接之方式彎曲之第5區域；且上述第2區域之平均傾斜角度較上述第1區域之平均傾斜角度小，且亦較上述貫通孔之上述內表面之平均傾斜角度小。
2. 如請求項1之半導體裝置，其中上述第1區域之上述平均傾斜角度較上述第2區域之上述平均傾斜角度更接近上述貫通孔之上述內表面之平均傾斜角度。
3. 如請求項1之半導體裝置，其中設置於上述貫通孔之上述內表面之上述絕緣層之平均厚度較設置於上述第2表面之上述絕緣層之平均厚度大。
4. 如請求項2之半導體裝置，其中設置於上述貫通孔之上述內表面之上述絕緣層之平均厚度較設置於上述第2表面之上述絕緣層之平均厚度大。
5. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置，其中上述第1區域係設置於上述貫通孔之上述內表面之上述絕緣層中之具有上述半導體基板之厚度與設置於上述第2表面之上述絕緣層之平均厚度之和之2/3以下之高度之部分之表面。
6. 如請求項5之半導體裝置，其中上述第1區域係設置於上述貫通孔之上述內表面之上述絕緣層中之具有上述半導體基板之厚度與設置於上述第2表面之上述絕緣層之平均厚度之和之1/2以下之高度之部分之表面。
7. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置，其中上述第4區域係朝與上述貫通孔之上述內表面相反之側具有凸之最大曲率之區域。
8. 如請求項5之半導體裝置，其中上述第4區域係朝與上述貫通孔之上述內表面相反之側具有凸之最大曲率之區域。
9. 如請求項6之半導體裝置，其中上述第4區域係朝與上述貫通孔之上述內表面相反之側具有凸之最大曲率之區域。
10. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
11. 如請求項5之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
12. 如請求項6之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
13. 如請求項7之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
14. 如請求項8之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
15. 如請求項9之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係自上述第1表面向上述第2表面擴大之錐狀之面。
16. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正交之面。
17. 如請求項5之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正交之面。
18. 如請求項6之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正交之面。
19. 如請求項7之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正 交之面。
20. 如請求項8之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正交之面。
21. 如請求項9之半導體裝置，其中上述貫通孔之上述內表面係與上述第1表面及上述第2表面正交之面。
22. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
23. 如請求項5之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
24. 如請求項6之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
25. 如請求項7之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
26. 如請求項8之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
27. 如請求項9之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
28. 如請求項10之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
29. 如請求項11之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
30. 如請求項12之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
31. 如請求項13之半導體裝置，其中 上述絕緣層包含樹脂。
32. 如請求項14之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
33. 如請求項15之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
34. 如請求項16之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
35. 如請求項17之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
36. 如請求項18之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
37. 如請求項19之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
38. 如請求項20之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
39. 如請求項21之半導體裝置，其中上述絕緣層包含樹脂。
40. 一種半導體裝置之製造方法，其係製造請求項1至39中任一項之半導體裝置之方法，且包含：第1步驟，其於具有彼此對向之第1表面及第2表面之半導體基板之上述第1表面設置第1配線；第2步驟，其於上述半導體基板形成自上述第1表面到達至上述第2表面之貫通孔，且於上述貫通孔之上述第1表面側之第1開口使上述第1配線之一部分露出；第3步驟，其於上述貫通孔之內表面及上述第2表面，經由上述貫通孔之上述第2表面側之第2開口而設置連續之絕緣層； 第4步驟，其於上述絕緣層形成接觸孔，且於上述絕緣層之上述第1表面側之開口使上述第1配線之一部分露出；及第5步驟，其於上述絕緣層之表面設置第2配線，且於上述絕緣層之上述第1表面側之上述開口中將上述第1配線與上述第2配線電性連接。
41. 如請求項40之半導體裝置之製造方法，其中於上述第3步驟中，使用具有10cp以上之黏度之樹脂材料而實施浸漬塗佈法，藉此於上述貫通孔之上述內表面及上述第2表面設置上述絕緣層。
42. 如請求項40或41之半導體裝置之製造方法，其中於上述第3步驟中，使用正型之樹脂材料，而於上述貫通孔之上述內表面及上述第2表面設置上述絕緣層，且於上述第4步驟中，將於上述絕緣層中與上述接觸孔對應之部分曝光及顯影，藉此於上述絕緣層中形成上述接觸孔。

Images