CN103477396B - 导电膏和包括利用该导电膏形成的电极的电子器件和太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

一种导电膏包括导电粉末、金属玻璃和有机载体，该金属玻璃具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度以及大于或等于0K的过冷液态区，电子器件和太阳能电池包括利用该导电膏形成的电极。

Description

导电膏和包括利用该导电膏形成的电极的电子器件和太阳能 电池
技术领域
示例实施方式涉及一种导电膏、以及包括利用该导电膏形成的至少一个电极的电子器件和/或太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是将光（例如，太阳能）转变成电能的光电转换器件。太阳能电池作为潜在地无限且无污染的下一代能源已经吸引了很多关注。
太阳能电池可以包括p型半导体和n型半导体。当电子-空穴对（EHP）由在半导体的光敏层中吸收的光产生时，通过将电子和空穴分别转移到n型半导体和p型半导体、然后在电极中收集电子和空穴，太阳能电池产生电能。
太阳能电池期望地具有尽可能高的效率，以从太阳能产生电能。为了提高此效率，太阳能电池期望地产生尽可能多的电子-空穴对、然后无损失地收集产生的电荷、以及期望地以较少的损失吸收光。
用于太阳能电池的电极可以利用沉积方法制造。一些沉积方法会是复杂的，会具有高的成本，和/或要花费相对长的时间。因此，已经提出一种较简单的方法，例如丝网印刷包括导电材料的导电膏。
发明内容
技术问题
然而，当利用导电膏来制造电极时，导电膏一般会需要在约900℃的相对较高的温度烧制。在较高的温度烧制会使得设置在电极之下或在电极上的钝化层退化，因此使效率退化。
对于技术问题的技术方案
示例实施方式涉及一种能够提高器件效率的导电膏。
示例实施方式还涉及一种电子器件，其包括利用该导电膏制造的至少一个电极。
示例实施方式还涉及一种太阳能电池，其包括利用该导电膏制造的至少一个电极。
根据示例实施方式，导电膏可以包括导电粉末、具有小于或等于约600 ℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液体区的金属玻璃、以及有机载体。
在示例实施方式中，金属玻璃可以具有在从约10℃至约400℃的范围内的玻璃转变温度。
在示例实施方式中，金属玻璃可以具有在从约0K至约200K的范围内的过冷液态区。
在示例实施方式中，金属玻璃可以至少部分地以非晶态存在。
在示例实施方式中，金属玻璃可以包括铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃可以是分别包括铝、铈、锶、金、镱、锌、钙、镁、铂、钯和锆作为主要成分的合金。在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃中的至少一个还可以包括从镍（Ni）、钇（Y）、钴（Co）、镧（La）、锆（Zr）、铁（Fe）、钛（Ti）、钙（Ca）、铍（Be）、镁（Mg）、钠（Na）、钼（Mo）、钨（W）、锡（Sn）、锌（Zn）、钾（K）、锂（Li）、磷（P）、钯（Pd）、铂（Pt）、铷（Rb）、铬（Cr）、锶（Sr）、铈（Ce）、镨（Pr）、钷（Pm）、钐（Sm）、镥（Lu）、钕（Nd）、铌（Nb）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、钍（Th）、钪（Sc）、钡（Ba）、镱（Yb）、铕（Eu）、铪（Hf）、砷（As）、钚（Pu）、镓（Ga）、锗（Ge）、锑（Sb）、硅（Si）、镉（Cd）、铟（In）、锰（Mn）、铌（Nb）、锇（Os）、钒（V）、铝（Al）、铜（Cu）、银（Ag）和汞（Hg）中选出的至少一个。
在示例实施方式中，导电粉末可以包括银（Ag）、铝（Al）、铜（Cu）、镍（Ni）或其组合。
在示例实施方式中，导电粉末、金属玻璃和有机载体可以分别基于导电膏的总量以约30wt%至约99wt%、约0.1wt%至约20wt%以及剩余量的量被包括。
根据示例实施方式，一种电子器件可以包括：通过烧结所述导电膏形成的电极。
在示例实施方式中，电子器件可以是柔性电子器件。
在示例实施方式中，电极可以不具有玻璃转变温度（Tg）。
在示例实施方式中，电极还可以包括玻璃粉和晶体粉末中的至少一个。玻璃粉和晶体粉末中的该至少一个可以包含与金属玻璃的元素相同的元素。
在示例实施方式中，电极可以具有小于或等于约1kΩm2的接触电阻。
在示例实施方式中，电极可以具有小于或等于约10mΩm的电阻率。
根据示例实施方式，一种电子器件可以包括通过烧结导电膏形成的电极。该电极可以不具有玻璃转变温度（Tg）。
在示例实施方式中，被烧结以形成电极的导电膏可以包括铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃可以是分别包括铝、铈、锶、金、镱、锌、钙、镁、铂、钯和锆作为主要成分的合金。在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个还可以包括从镍（Ni）、钇（Y）、钴（Co）、镧（La）、锆（Zr）、铁（Fe）、钛（Ti）、钙（Ca）、铍（Be）、镁（Mg）、钠（Na）、钼（Mo）、钨（W）、锡（Sn）、锌（Zn）、钾（K）、锂（Li）、磷（P）、钯（Pd）、铂（Pt）、铷（Rb）、铬（Cr）、锶（Sr）、铈（Ce）、镨（Pr）、钷（Pm）、钐（Sm）、镥（Lu）、钕（Nd）、铌（Nb）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、钍（Th）、钪（Sc）、钡（Ba）、镱（Yb）、铕（Eu）、铪（Hf）、砷（As）、钚（Pu）、镓（Ga）、锗（Ge）、锑（Sb）、硅（Si）、镉（Cd）、铟（In）、锰（Mn）、铌（Nb）、锇（Os）、钒（V）、铝（Al）、铜（Cu）、银（Ag）和汞（Hg）中选出的至少一个。
在示例实施方式中，电极可以具有小于或等于约1kΩm2的接触电阻和小于或等于约10mΩm的电阻率。在示例实施方式中，电子器件可以包括太阳能电池。
根据示例实施方式，一种太阳能电池可以包括：半导体基板；以及至少一个电极，电连接到半导体基板。该至少一个电极可以通过烧结前述的导电膏而形成。
在示例实施方式中，至少一个电极可以包括具有不同的导电类型的第一电极和第二电极。第一电极和第二电极可以分别位于半导体基板的后侧上。
在示例实施方式中，太阳能电池还可以包括在半导体基板的后侧上的钝化层。
在示例实施方式中，至少一个电极可以包括：缓冲部，位于邻近半导体基板的第一区域中；和电极部，位于第二区域中，该第二区域处于其中不形成缓冲部的地方，该电极部包括导电材料。在示例实施方式中，缓冲部可以是导电的。
在示例实施方式中，导电膏可以包括铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃可以是分别包括铝、铈、锶、金、镱、锌、钙、镁、铂、钯和锆作为主要成分的合金。在示例实施方式中，铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃中的至少一个还可以包括从镍（Ni）、钇（Y）、钴（Co）、镧（La）、锆（Zr）、铁（Fe）、钛（Ti）、钙（Ca）、铍（Be）、镁（Mg）、钠（Na）、钼（Mo）、钨（W）、锡（Sn）、锌（Zn）、钾（K）、锂（Li）、磷（P）、钯（Pd）、铂（Pt）、铷（Rb）、铬（Cr）、锶（Sr）、铈（Ce）、镨（Pr）、钷（Pm）、钐（Sm）、镥（Lu）、钕（Nd）、铌（Nb）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、钍（Th）、钪（Sc）、钡（Ba）、镱（Yb）、铕（Eu）、铪（Hf）、砷（As）、钚（Pu）、镓（Ga）、锗（Ge）、锑（Sb）、硅（Si）、镉（Cd）、铟（In）、锰（Mn）、铌（Nb）、锇（Os）、钒（V）、铝（Al）、铜（Cu）、银（Ag）和汞（Hg）中选出的至少一个。
在示例实施方式中，电极可以具有小于或等于约1kΩm2的接触电阻。
在示例实施方式中，电极可以具有小于或等于约10mΩm的电阻率。
在示例实施方式中，电极可以不具有玻璃转变温度（Tg）。
在示例实施方式中，导电膏可以包括玻璃粉和晶体粉末中的至少一个。在示例实施方式中，玻璃粉和晶体粉末中的至少一个可以包含与金属玻璃的元素相同的元素。
根据示例实施方式，一种导电膏可以包括：导电粉末；金属玻璃，具有小于或等于约350℃的玻璃转变温度以及大于或等于约0K的过冷液态区；以及有机载体。
在示例实施方式中，金属玻璃可以包括铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个。
在示例实施方式中，导电粉末和所述金属玻璃可以分别以约30wt%至约 99wt%和约0.1wt%至约20wt%的量被包括，导电膏的剩余量可以包括所述有机载体。
根据示例实施方式，一种制作电极的方法可以包括：在半导体基板上沉积导电膏；以及在高于导电膏的玻璃转变温度且小于或等于约600℃的处理温度下、在炉子中加热半导体基板上的导电膏。导电膏可以包括分散在有机载体中的导电粉末和金属玻璃。金属玻璃可以具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度和大于或等于约0K的过冷液态区。
在示例实施方式中，加热半导体基板上的导电膏可以包括将金属玻璃的非晶部分转变成金属玻璃的结晶部分。
在示例实施方式中，金属玻璃的玻璃转变温度可以小于或等于约400℃。
在示例实施方式中，金属玻璃的过冷液态区可以大于0K并小于或等于约200K。
在半导体基板上沉积导电膏可以包括将导电膏丝网印刷到半导体基板上，半导体基板可以是太阳能电池的一部分。
在示例实施方式中，半导体基板可以是硅。
在示例实施方式中，金属玻璃可以包括铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃中的至少一个。
本发明的有益效果
根据本发明的电子器件具有较低的电阻率和接触电阻。
附图说明
示例实施方式的上述及其他的特征和优点将从对如附图所示的非限制实施方式的更详细描述而变得明显，其中在不同的视图中相同的附图标记始终指代相同的部件。附图不一定按比例，而是重在示出示例实施方式的原理。在附图中：
图1至图4为示意图，示出其中根据示例实施方式的导电膏被施加到半导体基板上、然后被加热以及通过热而变形的工艺；
图5为示出根据示例实施方式的太阳能电池的截面图；
图6为示出根据示例的电极的透射电子显微镜（TEM）照片；以及
图7A至图7E为截面图，示出根据示例实施方式的制造太阳能电池的方法。
具体实施方式
在下文将参照附图更详细地描述示例实施方式，附图中示出不同的实施方式。然而，本公开可以以许多不同的形式实现，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式；而是，这些示例实施方式被提供而使得本公开透彻和完整，并将示例实施方式的范围充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清晰，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件，因此可以省略对它们的描述。
将理解，当一个元件被称为“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接连接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一元件时，不存在中间元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任何和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其他词语应当以类似的方式解释（例如，“在... 之间”与“直接在...之间”、“与...相邻”与“直接与...相邻”、“在...上”与“直接在...上”）。将理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离示例实施方式的教导。
为了描述的方便，这里可以使用空间相对性术语诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图所示的一个元件或特征与另一个（些）元件或特征的关系。将理解，空间相对性术语旨在涵盖除了附图所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的器件被翻转过来，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件将会取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下面”可以涵盖之上和之下两种取向。器件可以另外地取向（旋转90度或在其它的取向），这里所用的空间相对性描述符做相应解释。
这里所用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非要限制示例实施例。如这里所用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”和“该”均同时旨在包括复数形式。将进一步理解的，术语“包括”和/或“包含”，如果在这里使用，指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/ 或其组合的存在或增加。诸如“...中的至少一个”的表述，当在一列元件之前时，修改元件的整个列而不修改该列的单独元件。
这里参照截面图描述示例实施方式，这些图为示例实施方式的理想化实施方式（和中间结构）的示意图。因此，由例如制造技术和/或公差引起的插图形状的变化是可能发生的。因此，示例实施方式不应被解释为限于这里所示的区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差在内。例如，被示出为矩形的注入区将通常具有倒圆或弯曲的特征和/或在其边缘处的注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。类似地，通过注入形成的埋入区可以导致在埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图所示的区域在本质上是示意性的，它们的形状并不旨在示出区域的真实形状，也并不意欲限制示例实施方式的范围。
除非另行定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）都具有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。将进一步理解的，诸如通用词典中所定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。
在下文，术语“元素”指的是金属和半金属。
根据示例实施方式的导电膏可以包括导电粉末、金属玻璃和有机载体。
导电粉末可以是含银（Ag）金属（例如，银或银合金）、含铝（Al）金属（例如，铝或铝合金）、含铜（Cu）金属（例如，铜（Cu）或铜合金）、含镍（Ni）金属（例如，镍（Ni）或镍合金）或其组合。然而，在示例实施方式中，导电粉末不限于此，除了所述金属之外，可以包括其他金属和/或添加剂。
导电粉末可以具有在从约0.1纳米（nm）至约50微米（μm）的范围内的尺寸（例如，平均最大颗粒尺寸）。导电粉末可以是具有实质上球形的颗粒。然而，示例实施方式不限于此，备选地，导电粉末可以是非球形的（例如，薄片）。
基于导电膏的总量，导电粉末可以以约30至约99wt%的量被包括。
金属玻璃可以是至少部分地具有非晶部分的大于或等于两种金属和/或半金属的合金，并可以被称为非晶金属。这里，非晶部分可以是金属玻璃的约50至100wt%，例如约70至100wt%，或约90至100wt%。金属玻璃具有相对低的电阻率和相对高的电导率，与常规玻璃（例如，硅酸盐）不同。通过将金属玻璃加热到它的熔化温度（Tm）之上、然后利用快速淬火工艺冷却该金属玻璃，该金属玻璃可以形成为包括非晶结构。快速淬火工艺在现有技术中是公知的，所以这里省略对快速淬火工艺的详细描述。
金属玻璃可以具有小于或等于约600℃（和/或小于或等于约350℃）的玻璃转变温度，并可以具有大于或等于0K的过冷液态区。例如，在示例实施方式中，金属玻璃的过冷液态区可以在约0K至约200K、约0K至约100 K、和/或约6K至约90K之间。
金属玻璃可以在玻璃转变温度塑性变形并表现出类似液体的行为。类似液体的行为可以在玻璃转变温度（Tg）与结晶温度（Tc）之间的过冷液态区中保持。
在示例实施方式中，当金属玻璃表现出类似液体的行为时，金属玻璃可以表现出对于下层的湿润性，因此扩大导电膏与下层之间的接触面积。
例如，根据示例实施方式的通过施加导电膏到半导体基板上形成的用于太阳能电池的电极在图1至4中示出。
图1至图3为示意图，示出其中根据示例实施方式的导电膏施加在半导体基板上、然后被加热并被热量变形的工艺，图4示出放大图3所示的区域 'A'的示意图。
参照图1，包括导电粉末120a和金属玻璃115a的导电膏被施加在半导体基板110上。这里，导电粉末120a和金属玻璃115a可以分别是颗粒型。
参照图2，当导电膏被加热到高于或等于金属玻璃115a的玻璃转变温度（Tg）时，金属玻璃115a可以软化并变成类似液体的金属玻璃115b。类似液体的金属玻璃115b在半导体基板110上具有湿润性，因此可以接触更大面积的半导体基板110。
参照图3和图4，当导电膏被加热到高于或等于导电粉末120a的烧结温度时，导电粉末120a结合以形成导电粉末块120b。
这里，导电粉末120a的一部分扩散到类似液体的金属玻璃115b中并与其形成固溶体。
因此，如图4所示，期望的（和/或备选地，预定的）缓冲部117可以形成在导电粉末块120b与半导体基板110之间。缓冲部117可以包括导电粉末部分120c和金属玻璃部分115c。
这里，图2至图4所示的工艺可以在高于或等于金属玻璃的玻璃转变温度发生。因此，当金属玻璃的玻璃转变温度低于处理导电膏的温度时，导电膏可以具有湿润性，并形成固溶体和缓冲部，如上所述。
当导电膏被施加以形成电极时，导电膏可以通常在大于或等于约900℃的处理温度、在炉子中烧制。然而，在较高的温度烧制会使用于柔性电子器件的钝化层或有机层退化，使得效率退化。
根据示例实施方式，导电膏可以包括具有小于或等于约600℃（和/或小于或等于约350℃）的玻璃转变温度以及大于或等于0K的过冷液态区的金属玻璃，因此可以由于前述的湿润性、形成固溶体和缓冲部而与下层具有足够的接触面积，虽然在低于或等于约600℃的温度烧制。因此，导电膏不仅可以保证电极的电导率还可以减少（和/或防止）器件中的钝化层和/或有机材料的退化，因此减小（和/或防止）器件的效率退化。这里，0K的过冷液态区指的是其中金属玻璃部分地具有结晶相的情形，因此没有明确的玻璃转变温度。
具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度以及大于或等于0K的过冷液态区的金属玻璃可以包括例如铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃和锆基金属玻璃，但是不限于此。
铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃可以具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度，例如小于或等于约350℃的玻璃转变温度。金属玻璃可以具有从约10 至约400℃（例如，约10至约350℃）的玻璃转变温度。
铝基金属玻璃、铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃、钯基金属玻璃以及锆基金属玻璃可以是分别包括铝、铈、锶、金、镱、锌、钙、镁、铂、钯和锆的每个作为主要成分的合金，并且还包括从镍（Ni）、钇（Y）、钴（Co）、镧（La）、锆（Zr）、铁（Fe）、钛（Ti）、钙（Ca）、铍（Be）、镁（Mg）、钠（Na）、钼（Mo）、钨（W）、锡（Sn）、锌（Zn）、钾（K）、锂（Li）、磷（P）、钯（Pd）、铂（Pt）、铷（Rb）、铬（Cr）、锶（Sr）、铈（Ce）、镨（Pr）、钷（Pm）、钐（Sm）、镥（Lu）、钕（Nd）、铌（Nb）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、钍（Th）、钪（Sc）、钡（Ba）、镱（Yb）、铕（Eu）、铪（Hf）、砷（As）、钚（Pu）、镓（Ga）、锗（Ge）、锑（Sb）、硅（Si）、镉（Cd）、铟（In）、锰（Mn）、铌（Nb）、锇（Os）、钒（V）、铝（Al）、铜（Cu）、银（Ag）和汞（Hg）中选出的至少一个。这里，主要成分指的是在金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃可以是包含镍（Ni）、钇（Y）、钴（Co）、镧（La）、锆（Zr）、铁（Fe）、钛（Ti）和钙（Ca）中的至少一个和铝的合金。在示例实施方式中，铈基金属玻璃可以是包含铝（Al）、铜（Cu）和铌（Nb）中的至少一个和铈的合金。在示例实施方式中，锶基金属玻璃可以是包含镁（Mg）、锂（Li）、锌（Zn）和铜（Cu）中的至少一个和锶的合金。在示例实施方式中，金基金属玻璃可以是包含铜（Cu）、硅（Mg）、银（Ag）和钯（Pd）中的至少一个和金的合金。在示例实施方式中，镱基金属玻璃可以是包含锌（Zn）、镁（Mg）、铜（Cu）、钙（Ca）、银（Ag）和汞（Zn）中的至少一个和镱的合金。在示例实施方式中，锌基金属玻璃可以是包含锶（Zn）、镱（Yb）、镁（Mg）、铜（Cu）、钙（Ca）和锂（Li）中的至少一个和锌的合金。在示例实施方式中，钙基金属玻璃可以是包含锌（Zn）、镁（Mg）、镱（Yb）和锂（Li）中的至少一个和钙的合金。在示例实施方式中，镁基金属玻璃可以是包含锶（Sr）、锌（Zn）、锂（Li）、铜（Cu）、锌（Zn）、镱（Yb）、钙（Ca）和钇（Y）中的至少一个和镁的合金。在示例实施方式中，铂基金属玻璃可以是包含镍（Al）、铜（Cu）和磷（P）中的至少一个和铂的合金。在示例实施方式中，钯基金属玻璃可以是包含镍（Al）、铜（Cu）和磷（P）中的至少一个和钯的合金。在示例实施方式中，锆基金属玻璃可以是包含钛（Ti）、铍（Be）、铜（Cu）、钴（Co）、铁（Fe）和镍（Ni）中的至少一个和锆的合金。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃可以包含约84at%至约90at%的铝（Al）（两端点包括在内），并且还可以包含镍（Ni）、钴（Co）和铁（Fe）中的至少一个以及钇（Y）、镧（La）和锆（Zr）中的至少一个。在示例实施方式中，铯基金属玻璃可以由化学式Ce70-aCu20Al10Nba表示，其中a为约0at% 至约2at%（两端点包括在内）。在示例实施方式中，锶基金属玻璃可以由化学式Sr60-xYbxMg20-yLiyZn20-zCuz表示，其中x为约0at%至约20at%（两端点包括在内），y为约0at%至约11at%（两端点包括在内），z为约0at%至约5at%（两端点包括在内）。金基金属玻璃可以包含约50at%至约70at%的金（Au）（两端点包括在内），并且还可以包含硅（Si）、银（Ag）和钯（Pd）中的至少一个以及铜（Cu）。在示例实施方式中，镱基玻璃可以包含约60at% 至约70at%的镱（Yb）（两端点包括在内），并且还可以包含约15at%至约 20at%的锌（Zn）（两端点包括在内）、以及包括镁（Mg）和铜（Cu）中的至少一个的剩余物。在示例实施方式中，锌基金属玻璃可以由化学式 Zn40Mg11Ca35-nYbn表示，其中n为约0at%至约4at%（两端点包括在内）。在示例实施方式中，钙基金属玻璃可以包含约65at%的钙（Ca），并且还可以包含镁（Mg）、锂（Li）和锌（Zn）中的至少两个。在示例实施方式中，镁基金属玻璃可以是Mg65Cu25Y10。在示例实施方式中，铂基金属玻璃可以是Pt57.5Cu14.7Ni5.3P22.5和Pt60Ni15P25。
在示例实施方式中，铝基金属玻璃可以从由Al86Ni8Y6、Al84.5Ni5.5Y10、 Al89Co6La5、Al89.5Co3.5Y7、Al88Co4Y8、Al86.5Co4.5Y、Al85Co5Y10、Al90Fe5La5、 Al88Fe5Y7、Al88Ni8La4、Al88Ni7La5、Al86Ni9La4、Al87Ni8La5、Al86Ni9La5、 Al86Ni8La6、Al85Ni10La5、Al84Ni11La5、Al84Ni10La6、Al87.5Fe5Y7Ti0.5、Al87Fe5Y7Ti1、 Al86Fe5Y7Ti2、Al85Ni5Y8Co2、Al86Ni8Y4.5La1.5、Al85Ni5Y8Co2、 Al86Ni6Y4.5Co2La1.5、Al86Ni7Y5Co1La1、Al86Ni7Y4.5Co1La1.5、Al87Ni10Zr3、Al86Ni10Zr4,Al86Ni9Zr5、Al85Ni10Zr5、Al82Zr5Ni13和(Al86Ni9La5)98Zr2构成的组中选出。在示例实施方式中，锶基金属玻璃从由Sr60Mg18Zn22、Sr60Li11Mg9Zn20、 Sr60Li5Mg15Zn20、Sr60Mg20Zn15Cu5和Sr40Yb20Mg20Zn15Cu5构成的组中选出。在示例实施方式中，金基金属玻璃可以从由Au50Cu33Si17、Au50Cu25.5Ag7.5Si17、 Au60Cu15.5Ag7.5Si17、Au65Cu10.5Ag7.5Si17、Au70Cu5.5Ag7.5Si17和 Au49Cu26.9Ag5.5Pd2.3Si16.3构成的组中选出。在示例实施方式中，锌基金属玻璃可以从由Zn40Mg11Ca31Yb18和Zn40Mg11Ca35Yb14构成的组中选出。在示例实施方式中，钙基金属玻璃可以从由Ca65Mg15Zn20和Ca65Li9.96Mg8.54Zn16.5构成的组中选出。在示例实施方式中，镁基金属玻璃可以是Mg65Cu25Y10。在示例实施方式中，铂基金属玻璃可以从由Pt57.5Cu14.7Ni5.3P22.5和Pt60Ni15P25构成的组中选出。在示例实施方式中，钯基金属玻璃可以是Pd43Ni10Cu27P20。在示例实施方式中，锆基金属玻璃可以从由Zr35Ti30Be30Cu5、Zr35Ti30Be27.5Cu7.5、 Zr35Ti30Be26.75Cu8.25、Zr54Ti11Be22.5Cu12.5、Zr54Ti11Be17.5Cu17.5、Zr51Ti9Be27.5Cu12.5、Zr51Ti9Be25Cu15、Zr40Ti25Be29Cu6、Zr40Ti25Be27Cu8、Zr40Ti25Be25Cu10、Zr27.5Ti35Be29.5Cu8、Zr32.5Ti30Be31.5Cu6、Zr32.5Ti30Be29.5Cu8、Zr32.5Ti30Be27.5Cu10、Zr37.5Ti25Be27.5Cu10、Zr30Ti30Be32Cu8、Zr30Ti30Be30Cu10、Zr35Ti25Be32Cu8、 Zr35Ti25Be30Cu10、Zr35Ti25Be28Cu12、Zr40Ti20Be26.25Cu13.75、Zr35Ti30Be33Co2、 Zr35Ti30Be31Co4、Zr35Ti30Be29Co6、Zr35Ti30Be33Fe2、Zr35Ti30Be31Fe4、 Zr35Ti30Cu7.5Be27.5和Zr41.2Ti13.8Ni10Cu12.5Be22.5构成的组中选出。
表1示出可在根据示例实施方式的导电膏中使用的铝基金属玻璃的玻璃转变温度、结晶温度和过冷液态区。
表1
表2示出铈基金属玻璃、锶基金属玻璃、金基金属玻璃、镱基金属玻璃、锌基金属玻璃、钙基金属玻璃、镁基金属玻璃、铂基金属玻璃和钯基金属玻璃的玻璃转变温度、结晶温度和过冷液态区。
表2
表3示出锆基金属玻璃的玻璃转变温度、结晶温度和过冷液态区。
表3
基于导电膏的总量，金属玻璃可以以约0.1至约20wt%的量被包括。
导电膏还可以包括玻璃粉和/或晶体粉末作为添加剂，该玻璃粉和/或晶体粉末包括与金属玻璃的至少一个元素相同的元素。
有机载体可以包括有机化合物和溶剂，该有机化合物在与导电粉末、金属玻璃和添加剂混合时为导电膏提供粘性，该溶剂能够溶解导电粉末、金属玻璃和有机化合物。
有机化合物可以包括例如从（甲基）丙烯酸酯、例如乙基纤维素的纤维素、苯酚、乙醇、四氟乙烯（例如，TEFLON、贴有杜邦公司标记的四氟乙烯化合物）或其组合中选出的至少一个，并且还可以包括添加剂，例如表面活性剂、增稠剂、稳定剂或其组合。
溶剂可以是能够溶解或悬浮上述化合物的任意溶剂并可以包括例如从萜品醇、二甘醇丁醚、二甘醇丁醚乙酸酯、戊二醇、双戊炔（dipentyne）、苯烯、乙二醇烷基醚、二甘醇烷基醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二甘醇烷基醚乙酸酯、二甘醇二烷基醚乙酸酯、三甘醇烷基醚乙酸酯、三甘醇烷基醚、丙二醇烷基醚、丙二醇苯基醚、二丙二醇烷基醚、三丙二醇烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、二丙二醇烷基醚乙酸酯、三丙二醇烷基醚乙酸酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯或脱盐水中选出的至少一个。
有机载体可以被包括在除固体成分之外的剩余量中。
导电膏可以通过丝网印刷和烧制来制备，并可以用于制造电子器件的电极。
用于电子器件的电极可以包括导电膏的烧结制品。导电膏的烧结制品可以不具有玻璃转变温度（Tg），不同于导电膏以及玻璃粉的烧结制品。
电极可以具有小于或等于约1kΩm2的接触电阻。当电极具有在该范围内的接触电阻时，由于该电极可以有效地减小功率损耗，并且可以有效地提高电子器件例如太阳能电池的效率。例如，电极可以具有从约1μΩcm2至约 20mΩm2的范围内的接触电阻。
电极可以具有小于或等于约10mΩm的电阻率。当电极具有在该范围内的电阻率时，该电极可以有效地引起较小的功率损耗，并有效地提高电子器件例如太阳能电池的效率。例如，该电极可以具有从约1μΩcm至约15μΩcm 的范围内的电阻率。
电子器件的示例为太阳能电池。图5为示出根据示例实施方式的太阳能电池的截面图。
在下文，为了更好的理解和描述的方便，将关于半导体基板110描述部件的空间关系，但是本公开不限于此。此外，半导体基板110的太阳能入射侧被称为前侧，相反侧被称为后侧，虽然备选的构造是可能的。
参照图5，根据示例实施方式的太阳能电池可以包括用p型或n型杂质掺杂的半导体基板110。
半导体基板110可以包括半导体，例如晶体硅或化合物半导体。晶体硅可以是例如硅晶片。p型杂质可以是III族元素例如硼（B），n型杂质可以是 V族元素例如磷（P）。
半导体基板110的前表面可以被表面织构。表面织构的半导体基板110 可以具有突起和凹陷，例如，角锥形状或多孔结构，例如蜂窝形状。表面织构的半导体基板110可以增大表面面积以增大光吸收速率并减小反射率，从而提高太阳能电池效率。
半导体基板110可以包括在半导体基板110的后侧的第一掺杂区111a 和第二掺杂区111b。例如，第一掺杂区111a可以用n型杂质掺杂，第二掺杂区111b可以用p型杂质掺杂。第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以交替地设置在半导体基板110的后侧。
绝缘层112形成在半导体基板110上。绝缘层112可以由吸收较少的光并具有绝缘性能的材料例如硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）、钛氧化物（TiO2）、铝氧化物（Al2O3）、镁氧化物（MgO）、铈氧化物（CeO2）及其组合形成，并可以由单层或多层形成。绝缘层112可以具有约200至的厚度。
绝缘层112可以是抗反射涂层（ARC），其在太阳能电池的表面上减小光的反射性并增大特定波长区域的选择性，同时提高在半导体基板110的表面上的硅的性能，从而增大太阳能电池的效率。
包括多个接触孔的钝化层130可以设置在半导体基板110的后侧上。钝化层130可以由硅氧化物、硅氮化物和/或铝氧化物制成。
在半导体基板110的后侧上，分别形成电连接到第一掺杂区111a的第一电极120和电连接到第二掺杂区111b的第二电极140。第一电极120可以通过钝化层130的接触孔来接触第一掺杂区111a，而第二电极140可以通过钝化层130的接触孔来接触第二掺杂区111b。第一电极120和第二电极140 可以被交替地设置。
第一电极120可以包括在接触第一掺杂区111a的区域中的第一缓冲部 115a和在除了第一缓冲部115a之外的区域中的第一电极部121。第二电极 140可以包括在接触第二掺杂区111b的区域中的第二缓冲部115b和在除了第二缓冲部115b之外的区域中的第二电极部141。
第一电极120和第二电极140可以由前述的导电膏形成。然而，第一电极120和第二电极140不限于此，第一电极120和第二电极140中的任何一个可以由前述的导电膏形成。
第一缓冲部115a和第二缓冲部115b可以由导电膏的软化金属玻璃形成，因此是导电的。第一缓冲部115a可以分别接触第一掺杂区111a和第一电极部121，因此扩大电荷从第一掺杂区111a移动到第一电极部121的路径的面积并防止或减小电荷的损失。类似地，第二缓冲部115b可以分别接触第二掺杂区111b和第二电极部141，因此扩大电荷从第二掺杂区111b移动到第二电极部141的路径的面积并防止或减小电荷的损失。
根据示例实施方式，太阳能电池可以在后侧上包括第一电极120和第二电极140两者，因此在前侧上具有较小的用于金属的面积，减小光吸收损失并提高效率。
在下文，参照图7A至7E描述根据示例实施方式的制造太阳能电池的方法。首先，如图7A所示，制备用例如n型杂质掺杂的半导体基板110。半导体基板110可以被表面织构，绝缘层112和钝化层130a可以分别设置在半导体基板110的前侧和后侧上。绝缘层112和钝化层130a可以通过例如化学气相沉积法（CVD）提供。
然后，参照图7B，钝化层130a可以被图案化成钝化层130，钝化层130 暴露出在半导体基板110的后侧上的部分。参照图7C，第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以通过在半导体基板110的后侧的被钝化层130a暴露的部分上以相对高的浓度顺序地掺入p型杂质和n型杂质而形成。例如，第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以每个具有比基板110的杂质浓度更高的杂质浓度。
备选地，在示例实施方式中，在半导体基板的后侧上形成钝化层 130/130a之前，第一掺杂区111a和第二掺杂区111b可以形成在半导体基板 110的后侧中。例如，光刻图案可以形成为暴露基板110的部分，杂质可以随后注入到基板110的暴露部分中，从而分别形成第一掺杂区11a和第二掺杂区111b。
然后，参照图7D，用于形成至少一个第一电极的导电膏120a施加到钝化层130的与第一掺杂区111a相对应的部分上，用于形成至少一个第二电极的导电膏140a施加到钝化层130的与第二掺杂区111b相对应的部分上。用于形成第一电极的导电膏120a和用于形成第二电极的导电膏140a可以通过丝网印刷法设置。用于形成第一电极的导电膏120a可以是根据示例实施方式的上述导电膏之一，用于形成第二电极的导电膏140a可以是根据示例实施方式的上述导电膏之一，如参照图1-图4和表1-表2描述。在示例实施方式中，用于形成第一电极的导电膏120a的成分可以与用于形成第二电极的导电膏140a的成分相同或不同。例如，在示例实施方式中，在用于形成第一电极的导电膏120a中的金属玻璃、导电粉末和/或有机载体可以与用于形成第二电极的导电膏140a的金属玻璃、导电粉末和/或有机载体相同或不同。
用于形成第一电极的导电膏120a和用于形成第二电极的导电膏120b可以一起烧制或者分别烧制。
这里，可以在低于或等于约600℃的炉子工艺温度（和/或低于或等于约 350℃的温度）在炉子中进行烧制。当在比约600℃高的温度进行烧制时，钝化层130会具有缺陷。钝化层中的缺陷会使太阳能电池的效率显著地退化。
参照图7E，在图7D中描述的导电膏120a和140a被烧制之后，第一电极120和第二电极140结构可以形成在半导体基板110的后表面上。
如上所述，根据示例实施方式的导电膏可以包括具有小于或等于约600 ℃的玻璃转变温度的金属玻璃，当导电膏在低于约600℃的温度被加热时，金属玻璃变得类似液体。因此，导电膏可以对于半导体基板充分地浸润。
导电膏可以应用于太阳能电池的电极，但是不限于此，可以应用于形成其他电子器件诸如发光器件、基于有机物的器件等的电极。例如，导电膏可以用于在低于或等于约600℃的温度形成电极，因此，可以有效地应用于包括多个有机层的柔性电子器件。
虽然图5和7A至7E描述了在太阳能电池的后侧上具有第一电极120 和第二电极140的太阳能电池以及制造太阳能电池的方法，但是示例实施方式不限于此。
根据示例实施方式的一个或更多太阳能电池的电极可以与根据示例实施方式的一个或更多太阳能电池的电极串联、并联和/或串并联地电连接，以形成太阳能电池模块。
以下示例更详细地示出本公开。然而，将理解，本公开不应受到这些示例限制。
用于本发明的方式
示例
银（Ag）粉末和金属玻璃Al84.5Ni5.5Y10被添加到有机载体中，该有机载体包括乙基纤维素粘合剂、表面活性剂和二甘醇丁醚/二甘醇丁醚乙酸酯溶剂。这里，银（Ag）粉末、金属玻璃Al84.5Ni5.5Y10和有机载体分别以基于导电膏的总量的82.58wt%、3.93wt%和13.49wt%的量来混合。
然后，用三辊轧机揉捏该混合物，制备导电膏。导电膏通过丝网印刷法涂覆在硅晶片110上。涂覆的导电膏利用带式炉加热到约600℃。经加热的导电膏被冷却，制造电极样品。
比较例1
电极样品通过根据与所述示例相同的方法制备导电膏而制造，除了使用具有小于或等于约450℃的玻璃转变温度的玻璃粉代替金属玻璃 Al84.5Ni5.5Y10之外。
比较例2
电极样品通过根据与所述示例相同的方法制备导电膏而制造，除了使用具有约650℃的玻璃转变温度的Ni60Nb30Ta10代替金属玻璃Al84.5Ni5.5Y10之外。
评估-1
根据示例的电极样品利用透射电子显微镜（TEM）检验。
图6是根据示例的电极的透射电子显微镜（TEM）照片。
参照图6，缓冲部115a、115b形成在硅晶片111a、111b和电极部121、 141之间，该电极部121、141包括银（Ag）作为主要成分。缓冲部115a包括银（Ag）和铝（Al）两者，其通过透射电子显微镜（TEM）的能量散射X 射线光谱（EDS）来识别。
评估-2
测量根据示例及比较例1和2的电极样品的电导率。
电导率利用电阻率和接触电阻来计算。通过在利用2点探针测量线电阻之后利用激光共聚焦显微镜测量电极横截面来计算电阻率。接触电阻通过传输线方法（TLM）来计算。
结果在表4中提供。
表4
如表4所示，根据示例的电极具有比根据比较例的电极低的电阻率和接触电阻。
根据示例的电极在约600℃的相对低的温度烧制，但是具有足够低的电阻率和接触电阻，与使用包括玻璃粉的导电膏制造的电极相比具有提高的电阻率和接触电阻。
另一方面，根据比较例2的电极不是在约600℃的相对低的温度制造，因此没有测量其导电率。
虽然已经结合目前认为是实际的示范实施方式描述了此公开，但是将理解，本公开不限于所公开的实施方式，而是相反地，旨在覆盖被包括在权利要求书的精神和范围内的各种变型和等同布置。

Claims (33)

1.一种用于通过烧结而形成电极的导电膏，包括：
导电粉末；
金属玻璃；
有机载体，
所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
2.如权利要求1所述的导电膏，其中所述金属玻璃的玻璃转变温度在从10℃至350℃的范围内。
3.如权利要求1所述的导电膏，其中所述金属玻璃的过冷液态区在从0K至200K的范围内。
4.如权利要求1所述的导电膏，其中所述金属玻璃至少部分地以非晶态存在。
5.如权利要求1所述的导电膏，其中
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个还包括镍(Ni)、钇(Y)、钴(Co)、镧(La)、锆(Zr)、铁(Fe)、钛(Ti)、钙(Ca)、铍(Be)、镁(Mg)、钠(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锡(Sn)、锌(Zn)、钾(K)、锂(Li)、磷(P)、钯(Pd)、铂(Pt)、铷(Rb)、铬(Cr)、锶(Sr)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、镥(Lu)、钕(Nd)、铌(Nb)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、钍(Th)、钪(Sc)、钡(Ba)、镱(Yb)、铕(Eu)、铪(Hf)、砷(As)、钚(Pu)、镓(Ga)、锗(Ge)、锑(Sb)、硅(Si)、镉(Cd)、铟(In)、锰(Mn)、铌(Nb)、锇(Os)、钒(V)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和汞(Hg)中的至少一个。
6.如权利要求1所述的导电膏，其中所述导电粉末包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)及其组合中的一个。
7.如权利要求1所述的导电膏，其中所述导电粉末和所述金属玻璃分别以30wt％至99wt％、0.1wt％至20wt％的量被包括，所述导电膏的剩余量是所述有机载体。
8.一种电子器件，包括：
电极，通过在高于导电膏的玻璃转变温度且小于或等于600℃的温度下烧结所述导电膏形成，
其中所述导电膏，包括：
导电粉末；
金属玻璃；以及
有机载体，
所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
9.如权利要求8所述的电子器件，其中所述电子器件包括柔性电子器件。
10.如权利要求8所述的电子器件，其中所述电极不具有玻璃转变温度(Tg)。
11.如权利要求8所述的电子器件，其中所述电极还包括玻璃粉和晶体粉末中的至少一个，并且
所述玻璃粉和所述晶体粉末中的所述至少一个包含与所述金属玻璃的元素相同的元素。
12.如权利要求8所述的电子器件，其中所述电极的接触电阻小于或等于1kΩm2。
13.如权利要求8所述的电子器件，其中所述电极的电阻率小于或等于10mΩm。
14.一种电子器件，包括：
电极，通过在高于导电膏的玻璃转变温度且小于或等于600℃的温度下烧结所述导电膏形成，该电极不具有玻璃转变温度(Tg)，
其中所述导电膏包括导电粉末、金属玻璃和有机载体，
所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
15.如权利要求14所述的电子器件，其中
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个还包括镍(Ni)、钇(Y)、钴(Co)、镧(La)、锆(Zr)、铁(Fe)、钛(Ti)、钙(Ca)、铍(Be)、镁(Mg)、钠(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锡(Sn)、锌(Zn)、钾(K)、锂(Li)、磷(P)、钯(Pd)、铂(Pt)、铷(Rb)、铬(Cr)、锶(Sr)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、镥(Lu)、钕(Nd)、铌(Nb)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、钍(Th)、钪(Sc)、钡(Ba)、镱(Yb)、铕(Eu)、铪(Hf)、砷(As)、钚(Pu)、镓(Ga)、锗(Ge)、锑(Sb)、硅(Si)、镉(Cd)、铟(In)、锰(Mn)、铌(Nb)、锇(Os)、钒(V)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和汞(Hg)中的至少一个。
16.如权利要求14所述的电子器件，其中
所述电极的接触电阻小于或等于1kΩm2，并且
所述电极的电阻率小于或等于10mΩm。
17.如权利要求14所述的电子器件，其中所述电子器件包括太阳能电池。
18.一种太阳能电池，包括；
半导体基板；和
至少一个电极，电连接到所述半导体基板，
所述至少一个电极通过在高于导电膏的玻璃转变温度且小于或等于600℃的温度下烧结所述导电膏而形成，
其中所述导电膏，包括：
导电粉末；
金属玻璃；以及
有机载体，
所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
19.如权利要求18所述的太阳能电池，其中所述至少一个电极包括具有不同导电类型的第一电极和第二电极，并且
所述第一电极和所述第二电极分别位于所述半导体基板的后侧上。
20.如权利要求18所述的太阳能电池，还包括：
钝化层，在所述半导体基板的后侧上。
21.如权利要求18所述的太阳能电池，其中所述至少一个电极包括：
缓冲部，在邻近于所述半导体基板的第一区域中；和
电极部，在与形成所述缓冲部的区域不同的第二区域中，该电极部包括导电材料。
22.如权利要求21所述的太阳能电池，其中所述缓冲部是导电的。
23.如权利要求18所述的太阳能电池，其中
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个还包括镍(Ni)、钇(Y)、钴(Co)、镧(La)、锆(Zr)、铁(Fe)、钛(Ti)、钙(Ca)、铍(Be)、镁(Mg)、钠(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锡(Sn)、锌(Zn)、钾(K)、锂(Li)、磷(P)、钯(Pd)、铂(Pt)、铷(Rb)、铬(Cr)、锶(Sr)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、镥(Lu)、钕(Nd)、铌(Nb)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、钍(Th)、钪(Sc)、钡(Ba)、镱(Yb)、铕(Eu)、铪(Hf)、砷(As)、钚(Pu)、镓(Ga)、锗(Ge)、锑(Sb)、硅(Si)、镉(Cd)、铟(In)、锰(Mn)、铌(Nb)、锇(Os)、钒(V)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和汞(Hg)中的至少一个。
24.如权利要求18所述的太阳能电池，其中所述至少一个电极的接触电阻小于或等于1kΩm2。
25.如权利要求18所述的太阳能电池，其中所述至少一个电极的电阻率小于或等于10mΩm。
26.如权利要求18所述的太阳能电池，其中所述至少一个电极不具有玻璃转变温度(Tg)。
27.如权利要求18所述的太阳能电池，其中
所述导电膏还包括玻璃粉和晶体粉末中的至少一个，并且
所述玻璃粉和所述晶体粉末中的所述至少一个包含与所述金属玻璃的元素相同的元素。
28.一种电极，包括：
导电膏的烧结制品，该导电膏包括：导电粉末；金属玻璃；以及有机载体，
其中所述烧结制品通过在高于所述导电膏的玻璃转变温度且小于或等于600℃的温度下烧结所述导电膏而形成，
所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
29.一种制作电极的方法，包括：
在半导体基板上沉积导电膏，所述导电膏包括分散在有机载体中的导电粉末和金属玻璃；以及
在高于所述导电膏的玻璃转变温度且小于或等于600℃的处理温度在炉子中加热所述半导体基板上的所述导电膏从而烧结所述导电膏，
其中所述金属玻璃包括具有小于350℃的玻璃转变温度和大于或等于0K的过冷液态区的铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃中的至少一个，
所述铝基金属玻璃、铈基金属玻璃和锌基金属玻璃是分别包括铝、铈和锌作为所述金属玻璃的各成分之中具有最高摩尔比的成分的合金。
30.如权利要求29所述的方法，其中加热所述半导体基板上的所述导电膏包括将所述金属玻璃的非晶部分转变成所述金属玻璃的结晶部分。
31.如权利要求29所述的方法，其中
所述金属玻璃的所述过冷液态区大于0K且小于或等于200K。
32.如权利要求29所述的方法，其中
在所述半导体基板上沉积所述导电膏包括将所述导电膏丝网印刷到所述半导体基板上，并且
所述半导体基板是太阳能电池的一部分。
33.如权利要求32所述的方法，其中所述半导体基板是硅。
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