CN108885917B - 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料 - Google Patents

含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料 Download PDF

Info

Publication number
CN108885917B
CN108885917B CN201680046719.6A CN201680046719A CN108885917B CN 108885917 B CN108885917 B CN 108885917B CN 201680046719 A CN201680046719 A CN 201680046719A CN 108885917 B CN108885917 B CN 108885917B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metallization paste
polysiloxane
solar cell
metallization
paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680046719.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108885917A (zh
Inventor
穆罕默德·M·西拉理
张威
李志勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd filed Critical Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd
Publication of CN108885917A publication Critical patent/CN108885917A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108885917B publication Critical patent/CN108885917B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0284—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table comprising porous silicon as part of the active layer(s)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

太阳能电池电极的正面金属化浆料含有硅氧烷。含有硅氧烷的金属化浆料可以用于制造细线、高纵横比的太阳能电池网格线。

Description

含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料
技术领域
公开了用于制造太阳能电池电极的可丝网印刷的金属化浆料。所述太阳能电池金属化浆料含有硅氧烷。
背景技术
使用高通量生产方法大批量制造太阳能电池。在大批量生产中，太阳能电池金属化浆料可以以3,500个晶片/小时的速率丝网印刷。为了降低成本和改善太阳能电池性能，期望减小正面电极的尺寸。在大批量生产中，通常使金属化浆料丝网印刷经过细线网来制造正面电极。当经过开口小于38μm的丝网来印刷金属化浆料时，对于实现纵横比大于约0.4且无间断点的整体细线正面网格金属化是有挑战性的。目前，丝网开口可以为约34μm。当浆料行进经过线网中的丝网开口时，可能出现线间断点，并且开口面积百分比小于网格线的乳液图案。形成印刷网的交叉线还可能导致丝网印刷的网格线的干扰或“颈缩”图案，所述干扰或“颈缩”图案可以表现出导致网格线电阻增加的窄宽度的间隔。此外，如果浆料未精心设计，则印刷的网格线的宽度可以比丝网开口宽至多50％。
为了提供用于制造太阳能电池网格线的经济方法，对于厚膜金属化浆料存在需求，可以以诸如大于200mm/sec、大于300mm/sec或大于350mm/sec的高速率、经过细目丝网来丝网印刷所述厚膜金属化浆料，以提供具有小特征尺寸和高纵横比以及表现出低电阻率、对半导体衬底的高附着强度和优异的可焊性的导电网格。
发明内容
根据本发明，金属化浆料包含0.01重量％至3重量％的硅氧烷，其中所述硅氧烷包括聚硅氧烷、聚硅氧烷改性的树脂或其组合；并且重量％基于金属化浆料的总重量。
根据本发明，通过以下制备太阳能电池电极：将权利要求1所述的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；干燥所述被施用的金属化浆料；以及烧制所述经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
根据本发明，制造太阳能电池电极的方法包括将权利要求1所述的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；干燥所述被施用的金属化浆料；以及烧制所述经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
附图说明
本领域技术人员应理解，本文所述的附图仅用于示例目的。附图并不旨在限制本公开内容的范围。
图1为示出对于含有硅氧烷和不含硅氧烷的金属化浆料，剪切变稀流动对于剪切速率的图。
图2A示出在使用不含硅氧烷添加剂的金属化浆料印刷的单晶硅太阳能电池上的网格线的EL图像。
图2B示出在使用含有硅氧烷添加剂的金属化浆料印刷的单晶硅太阳能电池上的网格线的电致发光(EL)。EL图像中的黑暗区域表示对电流引发较高电阻的印刷网格线中的间断点。
具体实施方式
包含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料可以提供具有小特征尺寸的高性能太阳能电池网格线。
硅氧烷可以降低太阳能电池金属化浆料的表面张力并且增加太阳能电池金属化浆料的疏水性，由此促进金属化浆料流过细线网而在印刷的网格线中不形成间断点的能力。小特征网格线降低光学阴影并且增加由太阳能电池产生的总的光电流。硅氧烷还可以用作消泡剂并且可以降低印刷浆料的湿重。与使用不含硅氧烷的金属化浆料制造的相应网格线相比，将硅氧烷添加至金属化浆料不会不利地影响烧制网格线的电性能。
太阳能电池金属化浆料可以包含硅氧烷、银(Ag)颗粒、玻璃料和有机媒介物。有机媒介物可以包含有机粘合剂、溶剂和添加剂。
金属化浆料还可以包含硅氧烷或硅氧烷的组合。
硅氧烷可以包括聚硅氧烷、聚硅氧烷改性的树脂或其组合。硅氧烷是指具有重复的硅氧烷-O-Si-O-基团的聚合物。硅氧烷可以具有任何适合的末端基团，例如末端烷氧基甲硅烷基、羟基(-OH)、烯基(-CH＝CH2)或环氧基团。
烷氧基甲硅烷基可以具有结构-Si(-R1)m(-R2)3-m，其中R1为C1-6烷基，R2为C1-6烷氧基，并且m为1至3的整数。R1可以为例如甲基或乙基，并且R2可以为甲氧基或乙氧基，并且m可以为1、2或3。
聚硅氧烷可以为均聚物、共聚物或其组合。聚硅氧烷可以具有悬挂在聚硅氧烷主链的、处于聚硅氧烷链的两个末端、处于聚硅氧烷链的一个末端、或者悬挂在聚硅氧烷主链和处于聚硅氧烷链的一个末端或两个末端的有机基团。
适合的聚硅氧烷均聚物的实例包括六甲基硅氧烷、双(3-氨基丙基)封端的聚(二甲基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷)、二缩水甘油醚封端的(聚二甲基硅氧烷)、氢化物封端的(聚二甲基硅氧烷)、羟基封端的(聚二甲基硅氧烷)、单丙烯酰基酰氨基丙基封端的(聚二甲基硅氧烷)、乙烯基封端的(聚二甲基硅氧烷)、聚(甲基氢硅氧烷)、三甲基甲硅烷基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、聚(甲基苯基硅氧烷)以及任意前述的组合。
适合的聚硅氧烷共聚物的实例包括聚(二甲基硅氧烷-共-烷基甲基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷-共-(3-氨基丙基)甲基硅氧烷)、二羟基封端的聚(二甲基硅氧烷-共-二苯基硅氧烷)、二乙烯基封端的聚(二甲基硅氧烷-共-二苯基硅氧烷)、聚[二甲基硅氧烷-共-(2-(3,4-环氧环己基)乙基)甲基硅氧烷]、聚[二甲基硅氧烷-共-[3-(2-(2-羟基乙氧基)乙氧基)丙基]甲基硅氧烷]、三甲基甲硅烷基封端的聚(二甲基硅氧烷-共-甲基氢硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷-共-甲基苯基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷-共-甲基(硬脂酰氧基烷基)硅氧烷]、聚(二甲基硅氧烷)-接枝-聚丙烯酸酯以及任意前述的组合。
聚硅氧烷可以包括聚(二甲基硅氧烷)、聚(甲基氢硅氧烷)或其组合。聚硅氧烷可以包括烷基甲硅烷基封端的聚(二甲基硅氧烷)、烷氧基甲硅烷基封端的聚(甲基氢硅氧烷)或其组合。聚硅氧烷可以包括三甲基甲硅烷基封端的聚(二甲基硅氧烷)、三甲基封端的聚(甲基氢硅氧烷)或其组合。
硅氧烷可以包括聚(甲基氢硅氧烷)或聚(甲基氢硅氧烷)的组合。聚硅氧烷可以包括聚(二甲基硅氧烷)或聚(二甲基硅氧烷)的组合。
诸如聚(甲基氢硅氧烷)或聚(二甲基硅氧烷)的聚硅氧烷可以具有例如500道尔顿至5,000道尔顿、750道尔顿至4,500道尔顿、1,000道尔顿至4,000道尔顿、或1,500道尔顿至4,500道尔顿的平均分子量。诸如聚(甲基氢硅氧烷)或聚(二甲基硅氧烷)的聚硅氧烷可以具有例如1,000道尔顿至100,000道尔顿、1,000道尔顿至50,000道尔顿、或3,000道尔顿至25,000道尔顿的平均分子量。可以使用利用聚苯乙烯标准物的凝胶渗透色谱法测定分子量。
聚硅氧烷的特征可以在于例如5cSt至100cSt、5cSt至75cSt、或10cSt至50cSt的粘度。
硅氧烷可以包括聚硅氧烷改性的树脂。
在金属化浆料中用作有机媒介物的树脂可以进行改性以改善可印刷性和印刷线清晰度。在聚硅氧烷改性的树脂中，树脂的末端基团和/或侧基团中的一个或多个可以进行改性以提供期望的性质。改性基团可以是旨在与金属化浆料中的一种或多种其它组分化学反应的反应性基团，或者改性基团可以改变金属化浆料的物理性质。
聚硅氧烷改性的树脂包括聚硅氧烷改性的嵌段共聚物和聚硅氧烷改性的接枝共聚物。
聚硅氧烷改性的嵌段共聚物在共聚物主链中包含聚硅氧烷的链段和另外的聚合物树脂的链段。包含嵌段共聚物的两个链段可以是交替的。在具有反应性官能团的聚硅氧烷改性的嵌段共聚物中，聚硅氧烷可以与具有可与聚硅氧烷的官能团反应的官能团的聚合物树脂反应。
适合的聚合物树脂的实例包括丙烯酸树脂、聚氨酯、环氧树脂、聚酰亚胺、聚醚和聚碳酸酯。可以使用其它适合的聚合物，例如通常用于太阳能电池网格线金属化浆料的聚合物树脂。
聚硅氧烷改性的树脂可以包括其中聚硅氧烷被接枝在聚合物树脂主链上的接枝共聚物。聚硅氧烷形成从聚合物树脂的主链悬挂的部分。
本文公开的任何具有或经改性而具有适合的反应性基团的聚硅氧烷可以与聚合物树脂的适当反应性基团反应，以提供适合的聚硅氧烷改性的嵌段共聚物和/或聚硅氧烷改性的接枝共聚物。
适合的聚硅氧烷改性的树脂的实例包括聚硅氧烷改性的醇酸树脂、聚硅氧烷改性的聚酯树脂、聚硅氧烷改性的环氧树脂、聚硅氧烷改性的丙烯酸树脂、聚硅氧烷改性的纤维素树脂或任意前述的组合。此类聚硅氧烷改性的树脂可以是嵌段共聚物、接枝共聚物、或嵌段共聚物和接枝共聚物的组合。
太阳能电池金属化浆料可以包含，例如，0.01重量％至5重量％、0.01重量％至4重量％、0.01重量％至3重量％、0.1重量％至2重量％或0.1重量％至1重量％的硅氧烷或硅氧烷的组合，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
硅氧烷可以具有例如250道尔顿至30,000道尔顿、500道尔顿至25,000道尔顿、500道尔顿至20,000道尔顿、1,000道尔顿至15,000道尔顿、或2,000道尔顿至5,000道尔顿的分子量。
硅氧烷的特征可以在于例如15达因/cm至30达因/cm、17达因/cm至28达因/cm、19达因/cm至26达因/cm、或21达因/cm至24达因/cm的表面张力。诸如聚二甲基硅氧烷的聚硅氧烷的特征可以在于例如15达因/cm至30达因/cm、17达因/cm至28达因/cm、19达因/cm至26达因/cm、或21达因/cm至24达因/cm的表面张力。
金属化浆料可以包含有机树脂或有机树脂的组合，其用作粘合剂。
有机粘合剂(也被称为有机树脂)可以用于向金属化浆料赋予期望的粘度和/或流变性质，以促进丝网印刷太阳能电池电极。有机树脂还可以促进金属化浆料的无机组分在可印刷的组合物中的均匀分散。有机粘合剂中的一些或全部可以被硅氧烷替代。
适合的有机粘合剂包括例如丙烯酸酯树脂和纤维素树脂，例如乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、硝化纤维素、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、醇酸树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯、二甲苯、聚丁烷、聚酯、脲、三聚氰胺、乙酸乙烯酯树脂、木松香、醇的聚甲基丙烯酸酯以及任意前述的组合。
其它适合的树脂包括，例如，丙烯酸酯、邻苯二甲基二烯丙酯、环氧化物、聚酰亚胺、呋喃、三聚氰胺、聚对二甲苯、酚醛树脂、甲基丙烯酸甲酯、聚酯、脲醛树脂、聚氨酯、聚缩醛、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚醚酮、聚乙烯、聚苯硫醚、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯乙烯以及任意前述的组合。
其它适合的树脂包括，例如，乙基纤维素、纤维素酯(CAB、CAP)、聚丙烯酸酯、聚硅氧烷(改性的)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、饱和的聚酯、非反应性聚酰胺(PA)、改性的聚醚以及任意前述的组合。也可以使用特征在于中等极性的其它树脂。在某些实施方案中，树脂包括乙基纤维素。
有机粘合剂可以以0.1重量％至10重量％、0.1重量％至6重量％、0.2重量％至4重量％、0.2重量％至2重量％、或0.2重量％至1重量％的量存在，其中重量％基于可印刷的组合物的总重量。
有机树脂可以进行改性以提供改善的可印刷性和印刷线清晰度。有机树脂可以用聚硅氧烷改性以提供嵌段共聚物、接枝共聚物或其组合。
例如，聚硅氧烷改性的树脂可以包括聚硅氧烷改性的丙烯酸酯树脂和聚硅氧烷改性的纤维素树脂，例如聚硅氧烷改性的乙基纤维素，聚硅氧烷改性的乙基羟乙基纤维素、聚硅氧烷改性的硝化纤维素、聚硅氧烷改性的乙基纤维素和聚硅氧烷改性的酚醛树脂的混合物、聚硅氧烷改性的醇酸树脂、聚硅氧烷改性的酚醛树脂、聚硅氧烷改性的丙烯酸酯、聚硅氧烷改性的二甲苯、聚硅氧烷改性的聚丁烷、聚硅氧烷改性的聚酯、聚硅氧烷改性的脲、聚硅氧烷改性的三聚氰胺、聚硅氧烷改性的乙酸乙烯酯树脂、聚硅氧烷改性的木松酯、聚硅氧烷改性的醇的聚甲基丙烯酸酯以及任意前述的组合。
其它适合的聚硅氧烷改性的树脂包括，例如，聚硅氧烷改性的乙基纤维素、聚硅氧烷改性的纤维素酯(CAB、CAP)、聚硅氧烷改性的聚丙烯酸酯、聚硅氧烷改性的聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚硅氧烷改性的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、饱和的聚酯、聚硅氧烷改性的聚酰胺(PA)、聚硅氧烷改性的聚醚以及任意前述的组合。在某些实施方案中，聚硅氧烷改性的树脂包括聚硅氧烷改性的乙基纤维素。
聚硅氧烷改性的树脂可以包括硅酮改性的醇酸树脂、聚硅氧烷改性的聚酯树脂、聚硅氧烷改性的丙烯酸树脂或任意前述的组合。
硅氧烷还可以包括硅烷改性的树脂。与硅氧烷改性的树脂一样，硅烷改性的树脂可以包括硅烷改性的共聚物、硅烷改性的接枝聚合物或其组合。硅烷包含烷氧基甲硅烷基和反应性基团。烷氧基甲硅烷基可以具有结构-Si(OR)3，其中各个R独立地选自C1-6烷基，例如甲基、乙基和正丙基。反应性基团可以为，例如，氨基，以及环氧、硫醇、异氰酸酯、烯基、羟基或酸酐。可以选择反应性基团以与聚合物树脂的反应性官能团共同反应。聚合物树脂的反应性基团可以为末端基团、侧基团、或者末端基团和侧基团。在硅烷中，可以由连接基团将烷氧基甲硅烷基和反应性基团间隔开。在某些实施方案中，硅烷包含两个或更多个反应性基团。
具有两个或更多个反应性基团的硅烷可以与聚合物树脂反应以形成含硅烷的聚合物树脂。具有一个反应性基团的硅烷可以与聚合物树脂反应以提供具有被烷氧基甲硅烷基封端的末端部分或侧部分的聚合物树脂。
硅烷可以为低分子量化合物，例如特征在于例如小于2,000道尔顿、小于1,500道尔顿、小于1,000道尔顿、或小于500道尔顿的分子量。
反应性硅烷和反应性硅氧烷例如可从Gelest,Inc.、Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd和从NuSil获得。
硅氧烷在金属化浆料中可以为有机粘合剂的主要固体。
硅氧烷当在低浓度使用时，可以表现出剪切变稀行为，并且可以在高剪切速率下产生适当的触变性质以及适合的储能模量行为。
硅氧烷可以包括疏水末端基团，例如烷基(例如甲基、乙基和丙基)、环烷基和芳烃基(例如苯基)。
硅氧烷可以包括特征在于分子量为1,000道尔顿至6,000道尔顿、1,200道尔顿至5,000道尔顿、1,200道尔顿至4,000道尔顿的聚(甲基氢硅氧烷)。
金属化浆料可以包含低于1.5重量％的硅氧烷，低于1重量％的硅氧烷，低于0.5重量％的硅氧烷，低于0.4重量％、低于0.3重量％、低于0.2重量％或低于0.1重量％的硅氧烷，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
金属化浆料可以包含例如0.1重量％至1重量％的硅氧烷，0.1重量％至0.8重量％、0.2重量％至0.7重量％、或0.3重量％至0.6重量％的硅氧烷，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
金属化浆料可以包含，例如，0.01重量％至0.4重量％的聚硅氧烷改性的树脂和0.01重量％至6重量％的聚硅氧烷、0.01重量％至0.3重量％的聚硅氧烷改性的树脂和0.1重量％至5重量％的聚硅氧烷、或0.01重量％至0.2重量％的聚硅氧烷改性的树脂和0.1重量％至4重量％的聚硅氧烷。
硅氧烷可以具有不大于几微米的细粉尺寸并且可以在有机媒介物中所用的适当的溶剂中溶胀，所述溶剂例如乙二醇醚和/或乙二醇醚乙酸酯。
硅氧烷可以是液体、固体或其组合。硅氧烷可以以流体、乳液、弹性体和/或树脂的形式供应。硅氧烷弹性体可以包括具有例如羟基、烯基、环氧、异氰酸酯、胺或其它反应性官能团或侧链的硅氧烷。可以选择反应性官能团或侧链以与诸如金属化浆料的酯或其它组分反应。
作为固体，硅氧烷可以是颗粒的形式，其中颗粒可以具有例如小于20μm、小于15μm、小于10μm、小于5μm、小于1μm、小于0.5μm、或小于0.1μm的尺寸。颗粒可以具有例如0.1μm至20μm、0.1μm至15μm、0.1μm至10μm、或1μm至10μm的平均尺寸。
在某些实施方案中，硅氧烷颗粒可以在用于金属化浆料的溶剂的存在下溶胀。例如，硅氧烷颗粒可以在乙二醇醚和/或乙二醇醚乙酸酯或其它金属化浆料溶剂的存在下溶胀。在某些实施方案中，硅氧烷颗粒在用于金属化浆料的溶剂或其它组分的存在下不溶胀。
可以选择硅氧烷以对金属化浆料赋予在低浓度下的剪切变稀行为，并且在高剪切速率下产生适合的触变性质和储能模量。
使用诸如聚硅氧烷改性的树脂的硅氧烷还可以改善金属化浆料的疏水性。
太阳能电池金属化浆料可以含有55重量％至95重量％的Ag颗粒、低于5重量％的玻璃料和低于10重量％的媒介物粘合剂，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
金属化浆料可以含有80重量％至95重量％的Ag颗粒、2重量％至4重量％的玻璃料和6重量％至10重量％的有机媒介物，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
金属化浆料可以含有85重量％至95重量％的Ag颗粒、2.5重量％至3.5重量％的玻璃料和7重量％至9重量％的有机媒介物，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
本公开内容提供的金属化浆料组合物可以包含银颗粒作为主要的导电材料。银颗粒可以具有例如1μm至200μm、1μm至150μm、1μm至100μm、1μm至50μm、1μm至30μm、或1μm至20μm的平均粒径D50。银颗粒可以包含具有特征在于不同平均粒径的不同银颗粒的银颗粒组合。银颗粒的特征可以在于粒径的分布。
银颗粒可以具有例如0.1μm至约10μm、或0.5μm至5μm的平均粒径(D50)。在将导电银颗粒于25℃下通过超声波处理而分散在异丙醇(IPA)中持续3分钟后，可以使用例如Horiba LA-960粒度分析仪测量平均粒径。在平均粒径的该范围内，组合物可以提供低的接触电阻和低的线电阻。
银颗粒可以具有例如球形、片形或无定形形状或任意前述的组合。
金属化浆料可以包含例如60重量％至95重量％、70重量％至95重量％、80重量％至95重量％、或85重量％至95重量％的银颗粒，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
金属化浆料可以包含诸如煅制二氧化硅的无机颗粒。
煅制二氧化硅可以用于通过玻璃料控制抗反射层的蚀刻程度，并且可以在烧制过程期间使玻璃料向硅晶片中的扩散最小化，所述扩散否则会将不需要的杂质引入硅衬底。
煅制二氧化硅可以是通过干法(drying method)制备的合成二氧化硅，并且可以具有约99.9％以上的高纯度。可以通过例如氯硅烷化合物在气相中的热分解来制备煅制二氧化硅。
煅制二氧化硅可以具有例如20m2/g至500m2/g的比表面积，例如50m2/g至200m2/g。在该范围内，可以调整蚀刻程度并且保护流动以在烧制过程期间使杂质向晶片中的扩散最小化，由此降低由于杂质扩散导致的串联电阻，同时改善填充因子和转换效率。在某些实施方案中，煅制二氧化硅可以具有约20m2/g、30m2/g、40m2/g、50m2/g、60m2/g、70m2/g、80m2/g、90m2/g、100m2/g、110m2/g、120m2/g、130m2/g、140m2/g、150m2/g、160m2/g、170m2/g、180m2/g、190m2/g或200m2/g的比表面积。
煅制二氧化硅可以例如以约0.2重量％以下的量存在，例如0.01重量％至约0.15重量％，其中重量％基于组合物的总重量。当煅制二氧化硅的量超过约0.1重量％时，组合物的粘度对于丝网印刷可能太高。煅制二氧化硅可以例如以0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％的量存在，其中重量％基于金属化浆料的总重量。金属化浆料可以包含例如0.01重量％至0.15重量％、0.03重量％至0.14重量％、0.05重量％至0.13重量％、0.07重量％至0.12重量％、或0.09重量％至0.11重量％的煅制二氧化硅，其中重量％基于金属化浆料的总重量。
玻璃料用于增强导电银颗粒与硅衬底之间的附着力，并且通过蚀刻钝化层或位于硅衬底之上的抗反射涂层(ARC)以及辅助银颗粒部分溶解或部分熔化而在发射极区形成银晶粒，以便降低接触电阻。
玻璃料可以包含诸如镧、钇或其组合的稀土金属。其它适合的稀土金属包括钪(Sc)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镥(Lu)。
玻璃料可以包含铅(Pb)、铋(Bi)、锗(Ge)、镓(Ga)、硼(B)、铁(Fe)、硅(Si)、锌(Zn)、钽(Ta)、锑(Sb)、镧(La)、硒(Se)、磷(P)、铬(Cr)、锂(Li)、钨(W)、镁(Mg)、铯(Cs)、锶(Sr)、钼(Mo)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钒(V)、钡(Ba)、镍(Ni)、铜(Cu)、钠(Na)、钾(K)、砷(As)、钴(Co)、锆(Zr)、锰(Mn)、铝(Al)或任意前述的组合。例如，玻璃料可以包含铅Pb、碲Te、铋Bi、钨W、铜Cu和选自镧La、钇Y的稀土元素，或其组合。
玻璃料可以包含镧、铅、碲、铋、钨和铜。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的镧、16重量％至36重量％的铅、34重量％至53重量％的碲、10重量％至25重量％的铋、0.09重量％至4.5重量％的钨和0.1重量％至2重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的镧、24重量％至38重量％的铅、42重量％至45重量％的碲、16重量％至19重量％的铋、2重量％至4重量％的钨和1重量％至3重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。
玻璃料可以包含钇、铅、碲、铋、钨和铜。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的钇、16重量％至36重量％的铅、34重量％至53重量％的碲、10重量％至25重量％的铋、0.09重量％至4.5重量％的钨和0.1重量％至2重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的钇、24重量％至38重量％的铅、42重量％至45重量％的碲、16重量％至19重量％的铋、2重量％至4重量％的钨和1重量％至3重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。
玻璃料可以包含镧、钇、铅、碲、铋、钨和铜。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的镧和钇的组合、16重量％至36重量％的铅、34重量％至53重量％的碲、10重量％至25重量％的铋、0.09重量％至4.5重量％的钨和0.1重量％至2重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。例如，玻璃料可以包含0.01重量％至1重量％的镧和钇的组合、24重量％至38重量％的铅、42重量％至45重量％的碲、16重量％至19重量％的铋、2重量％至4重量％的钨和1重量％至3重量％的铜，其中重量％基于玻璃料的总重量。
玻璃料可以由相应的氧化物形成。
玻璃料可以由包含氧化镧(La2O3)、氧化铅(PbO)、氧化碲(TeO)、氧化铋(Bi2O3)、氧化钨(WO3)和氧化亚铜(Cu2O)的组合物形成。例如，玻璃料可以由包含0.01重量％至1重量％的氧化镧、20重量％至60重量％的氧化铅、20重量％至60重量％的氧化碲、1重量％至30重量％的氧化铋、0.1重量％至5重量％的氧化钨和0.1重量％至5重量％的氧化亚铜的组合物制备，其中重量％基于玻璃料的总重量。例如，玻璃料可以由包含0.01重量％至1重量％的氧化镧、21重量％至35重量％的氧化铅、40重量％至55重量％的氧化碲、15重量％至25重量％的氧化铋、2重量％至4重量％的氧化钨和1重量％至2重量％的氧化亚铜的组合物制备，其中重量％基于玻璃料的总重量。
玻璃料的特征可以在于例如铋Bi与碲Te的摩尔比为0.01至0.5、0.05至0.4、0.1至0.3、或0.2至0.3。玻璃料的特征可以在于例如0.1μm至约20μm的平均粒径D50，并且可以以约0.5重量％至约20重量％的量存在金属化浆料中，其中重量％基于金属化浆料的总重量。可以使用粒度分析仪测定平均粒径。玻璃料可以具有例如球形或无定形形状。金属化浆料组合物可以含有例如0.5重量％至5重量％、1重量％至4重量％、1.5重量％至4重量％、或1.5重量％至3.5重量％的玻璃料，其中重量％基于组合物的总重量。
玻璃料的特征可以在于200℃至800℃的玻璃化转变温度(Tg)，例如200℃至600℃，或300℃至600℃。
玻璃料可以包含一种或多种类型的具有不同平均粒径和/或玻璃化转变温度的玻璃料的组合。例如，玻璃料可以包含特征在于玻璃化转变温度为200℃至320℃的第一玻璃料与特征在于玻璃化转变温度为300℃至550℃的第二玻璃料的组合，其中第一玻璃料与第二玻璃料的重量比可以例如为约1:0.2至1:1。
金属化浆料还可以包括有机媒介物，其中有机媒介物可以包括，例如，有机粘合剂、有机溶剂、添加剂或任意前述的组合。
本公开内容提供的金属化浆料可以包含例如0.01重量％至5重量％的有机粘合剂；1重量％至45重量％的溶剂；以及0.01重量％至5重量％的一种或多种添加剂，其中重量％基于组合物的总重量。
有机粘合剂(也被称为有机树脂)可以用于向金属化浆料赋予期望的粘度和/或流变性质，以促进丝网印刷太阳能电池电极。有机粘合剂还可以促进无机组分在可印刷的组合物中的均匀分散。组合物可以包含有机粘合剂或有机粘合剂的组合。
适当的有机粘合剂包括例如丙烯酸酯树脂和纤维素树脂，例如乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、硝化纤维素、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、醇酸树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯、二甲苯、聚丁烷、聚酯、脲、三聚氰胺、乙酸乙烯酯树脂、木松香、醇的聚甲基丙烯酸酯以及任意前述的组合。
其它适合的树脂包括，例如，乙基纤维素、纤维素酯(CAB、CAP)、聚丙烯酸酯、硅酮(改性的)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、饱和的聚酯、非反应性聚酰胺(PA)、改性的聚醚以及任意前述的组合。也可以使用特征为中等极性的其它树脂。在某些实施方案中，树脂包含乙基纤维素。本公开内容提供的金属化浆料可以包含乙基纤维素作为有机粘合剂。
有机粘合剂可以以0.1重量％至10重量％、0.1重量％至6重量％、0.1重量％至4重量％、0.1重量％至2重量％、或0.1重量％至1重量％的量存在，其中重量％基于可印刷的金属化浆料的总重量。
有机粘合剂可以包含硅氧烷或硅氧烷的组合。有机粘合剂可以包含硅氧烷和一种或多种其它有机树脂。有机粘合剂可以基本上由硅氧烷或硅氧烷的组合组成，例如聚(二甲基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷)改性的树脂、聚(甲基氢硅氧烷)、聚(甲基氢硅氧烷)改性的树脂或任意前述的组合。
本公开内容提供的金属化浆料可以含有诸如乙基纤维素的粘合剂和硅氧烷，所述硅氧烷例如聚(二甲基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧烷)改性的树脂、聚(甲基氢硅氧烷)、聚(甲基氢硅氧烷)改性的树脂或任意前述的组合。例如乙基纤维素与聚硅氧烷的重量％之比可以为0至0.5。
金属化浆料可以包含有机溶剂或有机溶剂的组合。
有机溶剂可以用于赋予溶解性、分散性和/或与金属化浆料的偶联。金属化浆料中的一些溶剂可以用本公开内容提供的硅氧烷替代。
适合的溶剂的实例包括松油醇、乙二醇醚、乙二醇醚乙酸酯、TexanolTM(酯醇)、柠檬酸三丁酯、O-乙酰柠檬酸三丁酯、
Figure BDA0001573888230000141
酯(己二酸二甲酯、戊二酸二甲酯和丁二酸二甲酯的混合物)；邻苯二甲酸二甲酯(DMP)，以及任意前述的组合。适合的溶剂可以具有，例如，高于200℃的沸点以及在室温下小于0.01的蒸发率。适合的溶剂可以是含氧溶剂，包括醇，例如乙醇、甲醇、丁醇、正丙醇、异丁醇和异丙醇；酯，例如乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸正丙酯和乙酸异丙酯；以及酮，例如丙酮、二丙酮醇、异佛尔酮、环己酮、甲基乙基酮和甲基异丁基酮。还可以使用其它适合的醚、醇和/或酯。
在某些实施方案中，溶剂可以包含乙二醇醚、乙二醇醚乙酸酯或其组合。
适合的溶剂的其它实例包括己烷、甲苯、乙基溶纤剂、环己酮、丁基溶纤剂、丁基卡必醇(二乙二醇单丁醚)、二丁基卡必醇(二乙二醇二丁醚)、丁基卡必醇乙酸酯(二乙二醇单丁醚乙酸酯)、丙二醇单甲醚、己二醇、松油醇、甲基乙基酮、苄醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯以及任意前述的组合。
金属化浆料可以包含1重量％至15重量％、2重量％至10重量％、3重量％至9重量％、或5重量％至8重量％的有机溶剂，其中重量％基于可印刷的金属化浆料的总重量。
金属化浆料还可以包括添加剂以调整浆料的物理性质，例如增强流动、加工性和稳定性。添加剂可以包括，例如，分散剂、触变剂、增塑剂、粘度稳定剂、消泡剂、表面活性剂、颜料、UV稳定剂、抗氧化剂、偶联剂以及任意前述的组合。
添加剂或添加剂的组合可以，例如，以0.1重量％至约5重量％、0.1重量％至1.5重量％、0.5重量％至1.5重量％、或0.3重量％至1重量％的量存在于组合物中，其中重量％基于可印刷的金属化浆料的总重量。添加剂可以包含触变性添加剂、分散剂或其组合。
金属化浆料的特征可以在于例如低于450Pa-sec或低于430Pa-sec的粘度。
金属化浆料可以表现出，例如，100Pa-sec至450Pa-sec的粘度，例如100Pa-sec至360Pa-sec，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子(spindle)以10rpm在25℃的温度下测定。
金属化浆料可以表现出，例如，10Pa-sec至2,000Pa-sec、25Pa-sec至1,500Pa-sec、50Pa-sec至1,000Pa-sec、75Pa-sec至750Pa-sec、或100Pa-sec至500Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。金属化浆料可以表现出，例如，100Pa-sec至500Pa-sec、125Pa-sec至400Pa-sec、150Pa-sec至350Pa-sec、或200Pa-sec至300Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。具有有机媒介物的金属化浆料的特征在于5达因/cm至35达因/cm、10达因/cm至30达因/cm、15达因/cm至30达因/cm、或18达因/cm至25达因/cm的表面张力，所述表面张力使用毛细管方法测定。
可印刷的金属化浆料可以包括，例如，0.1重量％至1重量％的硅氧烷、80重量％至95重量％的Ag颗粒、1重量％至5重量％的玻璃料、0.025重量％至0.2重量％的煅制二氧化硅、0.2重量％至0.6重量％的有机粘合剂、5重量％至9重量％的溶剂、0.2重量％至1重量％的触变性添加剂以及0.05重量％至0.35重量％的分散剂，其中重量％基于可印刷的金属化浆料的总重量。
可印刷的金属化浆料可以包括，例如，0.2重量％至0.6重量％的硅氧烷、85重量％至92重量％的Ag颗粒、1.5重量％至4重量％的玻璃料、0.05重量％至0.15重量％的煅制二氧化硅、0.3重量％至0.5重量％的有机粘合剂、5.5重量％至8重量％的溶剂、0.3重量％至0.7重量％的触变性添加剂以及0.1重量％至0.3重量％的分散剂，其中重量％基于可印刷的金属化浆料的总重量。
可印刷的金属化浆料可以包含，例如，83重量％至95重量％的银颗粒、1重量％至5重量％的玻璃料、0.01重量％至1重量％的二氧化硅、0.1重量％至1重量％的粘合剂、2重量％至10重量％的溶剂、0.1重量％至2重量％的添加剂和0.1重量％至1重量％的硅氧烷。
可印刷的金属化浆料可以包含，例如，85重量％至93重量％的银颗粒、2重量％至4重量％的玻璃料、0.05重量％至0.5重量％的二氧化硅、0.2重量％至0.5重量％的粘合剂、4重量％至8重量％的溶剂、0.5重量％至1.5重量％的添加剂和0.2重量％至0.7重量％的硅氧烷。
对于具有高纵横比的丝网印刷细线，期望本公开内容提供的金属化浆料在15℃至50℃的温度下表现出50Pa-sec至700Pa-sec的粘度，所述粘度如使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。例如，电极的特征可以在于纵横比大于0.3、大于0.4、大于0.5、大于0.6、大于0.7、大于0.8、大于0.9或大于1，其中纵横比是指线高除以线宽。电极可以具有，例如，0.3至1、0.4至0.8、0.4至0.6、0.5至1或0.5至0.8的纵横比。
也可以期望金属化浆料表现出200℃至800℃的玻璃化转变温度Tg，所述玻璃化转变温度Tg如使用差示扫描量热法(DSC)测定。
可以使用以下程序制备金属化浆料。
可以通过结合金属氧化物、熔化结合的金属氧化物以形成玻璃、使玻璃淬火、以及研磨玻璃以提供具有期望的平均粒径和分散性的玻璃料来制备玻璃料。
可以通过混合和加热溶剂或溶剂混合物与有机粘合剂及添加剂以及硅氧烷来制备有机媒介物，所述添加剂例如流变学触变性添加剂、增塑剂和/或消泡剂。
银Ag颗粒可以与有机媒介物和玻璃料、无机颗粒和诸如硅氧烷的其它组分组合并且充分混合。
然后可以研磨金属化浆料以实现期望的无机组分的分散性。然后可以过滤金属化浆料以去除任何不期望的大微粒。
可以将金属化浆料通过丝网印刷施用于硅太阳能电池的正表面。用于太阳能电池丝网印刷的丝网可以是被乳液覆盖的网，其被图案化以形成网格图形。目数可以为，例如，300目至800目、300目至400目，例如325目至380目，并且可以是不锈钢的网线可以具有0.3密耳至1.5密耳的直径，例如0.4密耳至1.1密耳的直径。可以视情况使用其它丝网和网目尺寸，以用于特定的金属化浆料、加工条件和期望的特征尺寸。
以导电体的形式(例如网格线)沉积的金属化浆料可以具有，例如，0.5密耳至4密耳的宽度和0.1密耳至1.5密耳的高度。
在施用于Si衬底后，丝网印刷的组合物可以例如在200℃至400℃的温度下干燥10秒至60秒，并且然后在400℃至950℃的温度下烘烤和烧制，或持续30秒至50秒，峰值烧制温度为750℃至950℃，以提供正面的导电体。
尺寸为1.2mm宽和16μm高的导电体可以表现出1.8μΩ-cm的电阻率并且可以表现出在硅衬底上至少2N的附着强度，其中根据线电阻率电探针测量来测定导电率，并且根据180°焊片拉力测试来测定附着强度。对于此，具有低于2μΩ-cm的电阻率和大于1.5N的附着强度的Ag厚膜母线通常被认为对于用于太阳能电池工业是可接受的。
由本公开内容提供的组合物制备的太阳能电池导电电极在暴露于加速的环境测试条件后维持可接受的导电率和附着强度，所述加速的环境测试条件包括湿热测试和加速热循环，其用于鉴定25年使用寿命的太阳能电池。
图1为示出金属化浆料的粘度对于剪切速率的图。图1示出金属化浆料的粘度对于增加并随后降低剪切速率的滞后曲线。对于金属化浆料A，有机粘合剂为乙基纤维素并且不含硅氧烷。对于金属化浆料B，用聚硅氧烷替代一些溶剂，如剪切变稀流动曲线所示，硅氧烷(在这种情况为聚(甲基氢硅氧烷))，降低初始粘度(零剪切)并且在增加剪切速率时维持剪切变稀和触变性行为。在高的剪切速率下，含有硅氧烷的金属化浆料表现出与不含硅氧烷的金属化浆料相同的低粘度。使用Brookfield DV-III+流变仪R/S-CP+、用转子RC3-25-1在温度25℃下测定图1中的剪切速率(1/sec)依赖性粘度。
在浆料C中，聚硅氧烷改性的树脂用于金属化浆料，与浆料A和浆料B相比，其明显改善触变性行为。初始粘度与浆料B的初始粘度类似，如图1的流变图所示。对于与其它浆料相同的印刷速率，浆料C具有最高的印刷湿重(参见表4)，这对于采用浆料C的太阳能电池而言，产生优异的电性能。具有由浆料C制备的网格线的太阳能电池表现出9.3A的最高短路电流。与所评价的其它金属化浆料相比，浆料C为最高湿重(0.128g)。此外，使用浆料C制备的网格线表现出约41μm的最窄中值线宽度，与使用其它金属化浆料制备的网格线相比，网格线有更少的波浪纹(如通过最大宽度和最小宽度所反映的)，并且由于增加的高度而具有最高的纵横比。由于至少这些因素，具有使用浆料C制备的网格线的太阳能电池表现出最高的光电流。
图2A和图2B分别示出在使用不含聚硅氧烷改性的树脂和含有聚硅氧烷改性的树脂的金属化浆料印刷的微晶硅太阳能电池上的网格线的电致发光(EL)图像。
图2A和图2B表明了在金属化浆料中包含聚硅氧烷对太阳能电池网格线完整性的作用。图2B示出多晶硅太阳能电池的电致发光图像，其中使用包含聚硅氧烷(聚(甲基氢硅氧烷))和聚硅氧烷改性的树脂(聚二甲基硅氧烷改性的树脂)的金属化浆料印刷宽度为约41μm的网格线。实施例3中描述了组合物金属化浆料，并且实施例1中描述了用于制造网格线的方法。图2A示出具有如图2B中所制造的网格线的多晶硅太阳能电池的电致发光图像，但是金属化浆料不含有聚硅氧烷改性的树脂。如可以通过比较图2A和图2B所示的电致发光图像而认识到的，与具有使用不含聚硅氧烷改性的树脂的金属化浆料制备的网格线的太阳能电池相比，使用含有聚硅氧烷改性的树脂的金属化浆料时，网格线间断点的数目减少。
具有由本公开内容提供的金属化浆料制备的电极的硅太阳能电池可以并入光伏模组和光伏系统中。
根据本发明的方面，金属化浆料包含0.01重量％至3重量％的硅氧烷，其中所述硅氧烷包括聚硅氧烷、聚硅氧烷改性的树脂或其组合；并且重量％基于金属化浆料的总重量。
根据任一前述方面，硅氧烷包括聚硅氧烷改性的树脂。
根据任一前述方面，硅氧烷包括聚(甲基氢硅氧烷)、聚(甲基氢硅氧烷)改性的树脂或任意前述的组合。
根据任一前述方面，硅氧烷包括聚(甲基氢硅氧烷)和聚二甲基硅氧烷改性的树脂。
根据任一前述方面，硅氧烷的特征在于1,500道尔顿至4,000道尔顿的分子量和10cSt至60cSt的粘度。
根据任一前述方面，硅氧烷的特征在于500道尔顿至20,000道尔顿的分子量。
根据任一前述方面，金属化浆料包含乙二醇醚、乙二醇醚乙酸酯或其组合。
根据任一前述方面，金属化浆料的特征在于低于370Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。
根据任一前述方面，金属化浆料的特征在于190Pa-sec至350Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。
根据任一前述方面，金属化浆料的特征在于190Pa-sec至350Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定；以及5达因/cm至35达因/cm的表面张力。
根据任一前述方面，金属化浆料还包含银颗粒和玻璃料。
根据任一前述方面，金属化浆料的特征在于15达因/cm至30达因/cm的表面张力。
根据本发明的方面，由根据本发明的金属化浆料制备太阳能电池电极。
根据任一前述方面，电极的特征在于大于0.4的纵横比。
根据本发明的方面，通过以下制备太阳能电池电极：将根据本发明的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；干燥被施用的金属化浆料；以及烧制经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
根据任一前述方面，施用金属化浆料包括以至少200mm/sec的印刷速率、经过300目至400目的线网来丝网印刷金属化浆料。
根据任一前述方面，电极的特征在于大于0.4的纵横比。
根据本发明的方面，制造太阳能电池电极的方法包括将根据本发明的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；干燥被施用的金属化浆料；以及烧制经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
根据任一前述方面，施用金属化浆料包括以至少200mm/sec的印刷速率、经过300目至400目的线网来丝网印刷金属化浆料。
实施例
还参考以下实施例来说明本公开内容提供的实施方案，所述实施例描述太阳能电池金属化浆料以及使用根据本发明的金属化浆料形成的网格线的性质。对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离本公开内容的范围的情况下，可以对材料和方法实施许多改变。
实施例1
金属化浆料
由表1所列的组分制备未添加硅氧烷的金属化浆料。
表1.金属化浆料A。
Figure BDA0001573888230000201
为了制备金属化浆料，将有机粘合剂(0.4重量％的ETHOCELTM乙基纤维素(STD4,陶氏化学公司))在60℃下溶于6.8重量％的TexanolTM(TexanolTM酯醇，伊士曼化学公司)中，并且将89重量％的平均粒径为2.0μm的球形银颗粒(AG-4-8,同和高科技有限公司)、3重量％的平均粒径为1.0μm并且转变温度Tg为350℃的玻璃料、0.1重量％的BET比表面积为200±25m2/g的煅制二氧化硅(
Figure BDA0001573888230000202
200,赢创有限公司)、0.2重量％的分散剂(
Figure BDA0001573888230000203
102,毕克化学)和0.5重量％的触变剂(
Figure BDA0001573888230000204
ST,海名斯有限公司)添加至粘合剂溶液，然后在3辊磨碎机中混合和捏合，以制备可丝网印刷的金属化浆料。
将组合物通过丝网印刷以预定图案沉积在硅晶片的正表面上，然后在红外线(IR)干燥炉中干燥以去除溶剂，所述正表面具有薄层电阻为约85Ω/sq且掺杂Si发射极位于其下面的抗反射涂层。金属化浆料经过不锈钢线网以350mm/sec的速率丝网印刷在单晶硅太阳能电池上，以提供标称40μm宽和20μm高的线。
在干燥过程期间，将印刷的网格线暴露于约850℃的温度下持续约1秒，以对太阳能电池电极金属化提供烧结和欧姆接触。然后，将铝浆料印刷在硅晶片的背面上并且以相同的方式干燥。然后将根据这种程序形成的太阳能电池在400℃至950℃烧制30秒至50秒，其中在带式辐射灯烧制炉中的峰值温度为750℃至950℃。使用太阳能电池效率测试仪PSS10II(贝格光科技有限公司(Berger Lichttechnik GmbH&Co.))测定电池的填充因子(FF)和转换效率(％)。以最大功率点与开路电压和短路电流的乘积的比，根据电流-电压曲线测定FF。以最大功率点与来自太阳模拟器的太阳能电池上的入射光的输入功率的百分比，由电流-电压曲线测定效率。
含有硅氧烷的金属化浆料A的剪切速率依赖性粘度示于图1中。
金属化浆料A的粘度在1/sec剪切速率时为440Pa-sec并且具有5μm的颗粒细度(FoG)。
实施例2
含有硅氧烷的金属化浆料
由表2所列的组分制备含有硅氧烷的金属化浆料。
表2.含有硅氧烷的金属化浆料B。
Figure BDA0001573888230000211
Figure BDA0001573888230000221
如实施例1那样，制备金属化浆料并且施用于单晶太阳能电池。
含硅氧烷的金属化浆料B的剪切速率依赖性粘度示于图1中。
金属化浆料B(实施例2)的粘度在1/sec剪切速率时为427Pa-sec并且具有5μm的FoG。
实施例3
含有硅氧烷和硅氧烷改性的树脂的金属化浆料
由表5所列的组分制备含硅氧烷的金属化浆料。
表5.含硅氧烷的金属化浆料B。
Figure BDA0001573888230000222
将含有聚硅氧烷和聚硅氧烷改性的树脂的金属化浆料如实施例2所述的那样施用于单晶太阳能电池并且烧制，以在太阳能电池的正表面上获得细网格线。
含硅氧烷的金属化浆料C的剪切速率依赖性粘度示于图1中。
金属化浆料C的粘度在1/sec剪切速率时为370Pa-sec并且具有5μm的FoG。
具有使用实施例1的金属化浆料和使用实施例3的金属化浆料制备的网格线的太阳能电池的电致发光(EL)图像分别示于图2A和图2B中。
实施例4
比较结果
使用三种金属化浆料形成的网格线的线宽度示于表3中。
表3.网格线宽度。
Figure BDA0001573888230000231
*参考浆料是指用作标准的金属化浆料。
使用含有硅氧烷添加剂和不含硅氧烷添加剂的两种金属化浆料制造的网格线的电性质示于表4中。
表4.网格线电性质和印刷性质。
Figure BDA0001573888230000232
在表4中，Uoc是指开路电压，Isc为短路电流，Rs为薄层电阻，Rsh为并联电阻，FF为填充因子，效率表示太阳能电池的效率。
应注意，存在实施本文公开的实施方案的替代方式。因此，本发明的实施方案被认为是示例性的，而非限制性的。此外，权利要求书并不局限于本文所给出的细节，而由其全部范围和等同范围确定。

Claims (20)

1.金属化浆料，包含：
银颗粒；
0.1重量％至0.6重量％的聚(甲基氢硅氧烷)；
0.01重量％至0.4重量％的聚硅氧烷改性的树脂；
其中重量％基于所述金属化浆料的总重量。
2.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述聚硅氧烷改性的树脂包括聚硅氧烷改性的嵌段共聚物、聚硅氧烷改性的接枝共聚物或其组合。
3.如权利要求2所述的金属化浆料，其中所述聚硅氧烷改性的嵌段共聚物包含聚硅氧烷的链段和另外的聚合物树脂的链段。
4.如权利要求2所述的金属化浆料，其中所述聚硅氧烷改性的嵌段共聚物包含悬挂在聚合物树脂的主链的聚硅氧烷部分。
5.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述聚硅氧烷改性的树脂的特征在于：
1,500道尔顿至4,000道尔顿的分子量；以及
10cSt至60cSt的粘度，其中使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定粘度。
6.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述聚硅氧烷改性的树脂的特征在于500道尔顿至20,000道尔顿的分子量。
7.如权利要求1所述的金属化浆料，其中，
所述聚硅氧烷改性的树脂包括聚二甲基硅氧烷改性的树脂、聚(甲基氢硅氧烷)改性的树脂或其组合。
8.如权利要求1所述的金属化浆料，其中，
所述聚硅氧烷改性的树脂包括聚二甲基硅氧烷改性的树脂。
9.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述金属化浆料包含乙二醇醚、乙二醇醚乙酸酯或其组合。
10.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述金属化浆料的特征在于低于370Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。
11.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述金属化浆料的特征在于190Pa-sec至350Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定。
12.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述金属化浆料的特征在于：
190Pa-sec至350Pa-sec的粘度，所述粘度使用Brookfield DV-III+粘度计、用SC4-14转子以10rpm在25℃的温度下测定；以及
5达因/cm至35达因/cm的表面张力，其中所述表面张力使用毛细管方法测定。
13.如权利要求1所述的金属化浆料，还包含玻璃料。
14.如权利要求1所述的金属化浆料，其中所述金属化浆料的特征在于15达因/cm至30达因/cm的表面张力，其中所述表面张力使用毛细管方法测定。
15.由权利要求1所述的金属化浆料制备的太阳能电池电极。
16.如权利要求15所述的太阳能电池电极，其中所述太阳能电池电极的特征在于大于0.4的纵横比。
17.太阳能电池电极，通过以下制备：
将权利要求1所述的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；
干燥被施用的金属化浆料；以及
烧制经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
18.如权利要求17所述的太阳能电池电极，其中施用所述金属化浆料包括以至少200mm/sec的印刷速率、经过300目至400目的线网来丝网印刷所述金属化浆料；以及
所述电极的特征在于大于0.4的纵横比。
19.制造太阳能电池电极的方法，包括：
将权利要求1所述的金属化浆料施用于太阳能电池的表面；
干燥被施用的金属化浆料；以及
烧制经干燥的金属化浆料以提供太阳能电池电极。
20.如权利要求19所述的方法，其中施用所述金属化浆料包括以至少200mm/sec的印刷速率、经过300目至800目的线网来丝网印刷所述金属化浆料。
CN201680046719.6A 2016-12-20 2016-12-20 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料 Active CN108885917B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/111036 WO2018112743A1 (en) 2016-12-20 2016-12-20 Siloxane-containing solar cell metallization pastes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108885917A CN108885917A (zh) 2018-11-23
CN108885917B true CN108885917B (zh) 2020-06-02

Family

ID=62561976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680046719.6A Active CN108885917B (zh) 2016-12-20 2016-12-20 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10079318B2 (zh)
CN (1) CN108885917B (zh)
MY (1) MY189222A (zh)
SG (1) SG11201809762PA (zh)
TW (1) TWI659050B (zh)
WO (1) WO2018112743A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007864B1 (ko) * 2016-10-31 2019-08-07 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN108885917B (zh) * 2016-12-20 2020-06-02 浙江凯盈新材料有限公司 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料
WO2018112742A1 (en) 2016-12-20 2018-06-28 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions
KR102021483B1 (ko) * 2017-03-16 2019-09-16 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
KR20200078172A (ko) * 2018-12-21 2020-07-01 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 태양전지 전극
US10749045B1 (en) 2019-05-23 2020-08-18 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell side surface interconnects
US10622502B1 (en) 2019-05-23 2020-04-14 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell edge interconnects

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597547A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 太阳化学公司 含有蜡触变胶的可高纵横比丝网印刷的厚膜糊剂组合物
CN104240793A (zh) * 2013-06-08 2014-12-24 北京中科纳通电子技术有限公司 一种纳米导电银浆及其制备方法
CN104916346A (zh) * 2015-01-05 2015-09-16 深圳市思迈科新材料有限公司 一种低温固化感光性导电银浆组合物

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020060926A (ko) 2001-11-16 2002-07-19 (주)켐트론 반도체 다이 본딩용 열전도성 페이스트
KR100996235B1 (ko) * 2004-06-01 2010-11-25 주식회사 동진쎄미켐 ＰＤＰ 어드레스 전극용 Ｐｂ 미함유 Ａｇ 페이스트 조성물
US9508886B2 (en) 2007-10-06 2016-11-29 Solexel, Inc. Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
GB2459274A (en) 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels
US8076777B2 (en) 2008-06-26 2011-12-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
US20120015472A1 (en) * 2009-03-30 2012-01-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of producing solar cell module
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
WO2011140189A1 (en) 2010-05-04 2011-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
KR101181190B1 (ko) * 2010-07-30 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물
CN101948639B (zh) 2010-08-31 2012-11-21 长沙族兴新材料股份有限公司 一种高漂浮值浮型铝银浆的制造方法
US20110315217A1 (en) 2010-10-05 2011-12-29 Applied Materials, Inc. Cu paste metallization for silicon solar cells
WO2012119684A2 (de) 2011-03-08 2012-09-13 Merck Patent Gmbh Aluminiumoxid basierte metallisierungsbarriere
CN102290120B (zh) 2011-06-08 2013-10-23 常州斯威克光伏新材料有限公司 一种太阳能电池用银浆及其制备方法
US8952245B2 (en) * 2012-01-23 2015-02-10 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Conductive thick film paste for solar cell contacts
CN102592708B (zh) * 2012-02-13 2014-01-15 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种硅太阳能电池铝导体浆料
KR101377555B1 (ko) 2012-03-14 2014-03-24 에스에스씨피 주식회사 유리 프릿, 이를 포함하는 페이스트 조성물 및 상기 페이스트 조성물을 이용한 실리콘 태양전지
KR102025529B1 (ko) * 2012-10-15 2019-09-27 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 전도성 조성물
JP6343661B2 (ja) 2013-03-27 2018-06-13 サムスン エスディアイ カンパニー，リミテッドＳａｍｓｕｎｇ Ｓｄｉ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 太陽電池電極形成用組成物およびそれにより製造された電極
CN109599450A (zh) 2013-04-03 2019-04-09 Lg电子株式会社 太阳能电池
KR20140135881A (ko) 2013-05-16 2014-11-27 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101648253B1 (ko) 2013-09-13 2016-08-12 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP2015058595A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 富士フイルム株式会社 複合フィルムおよび太陽光反射用フィルムミラー
US9845404B2 (en) * 2013-10-31 2017-12-19 Showa Denko K.K. Conductive composition for thin film printing and method for forming thin film conductive pattern
CN105900248A (zh) 2013-11-11 2016-08-24 索莱克赛尔公司 电介质钝化的金属绝缘体光伏太阳能电池
KR101627204B1 (ko) 2013-11-28 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
EP2913311B1 (en) 2014-02-26 2018-08-08 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC A glass comprising tungsten and lead in a solar cell paste
US9209323B2 (en) 2014-05-05 2015-12-08 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste used for solar cell electrodes and method of manufacturing the solar cell electrodes
CN104036842B (zh) 2014-05-12 2016-11-09 铜陵市超远精密电子科技有限公司 一种无铅环保电路板导电银浆及其制备方法
US20150333197A1 (en) * 2014-05-13 2015-11-19 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing a solar cell electrode
JP6355240B2 (ja) * 2014-05-19 2018-07-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀微粒子分散液
CN106715601B (zh) * 2014-10-02 2020-03-27 株式会社大赛璐 银粒子涂料组合物
CN104599741A (zh) 2015-01-30 2015-05-06 江苏欧耐尔新型材料有限公司 高方阻硅太阳能电池正面银电极浆料
WO2016194882A1 (ja) * 2015-06-01 2016-12-08 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性組成物と電極形成方法
CN106158068A (zh) * 2016-07-05 2016-11-23 湖南省国银新材料有限公司 导电银浆及其制备方法
CN109074895B (zh) 2016-08-16 2022-05-27 浙江凯盈新材料有限公司 用于硅太阳能电池中正面金属化的厚膜浆料
CN106297956A (zh) * 2016-11-10 2017-01-04 北京市合众创能光电技术有限公司 一种晶体硅太阳能电池用正银浆料及其制备方法
CN108885917B (zh) * 2016-12-20 2020-06-02 浙江凯盈新材料有限公司 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597547A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 太阳化学公司 含有蜡触变胶的可高纵横比丝网印刷的厚膜糊剂组合物
CN104240793A (zh) * 2013-06-08 2014-12-24 北京中科纳通电子技术有限公司 一种纳米导电银浆及其制备方法
CN104916346A (zh) * 2015-01-05 2015-09-16 深圳市思迈科新材料有限公司 一种低温固化感光性导电银浆组合物

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201809762PA (en) 2018-12-28
TWI659050B (zh) 2019-05-11
US20180351011A1 (en) 2018-12-06
US20180175220A1 (en) 2018-06-21
TW201823316A (zh) 2018-07-01
MY189222A (en) 2022-01-31
US10079318B2 (en) 2018-09-18
WO2018112743A1 (en) 2018-06-28
US10256354B2 (en) 2019-04-09
CN108885917A (zh) 2018-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108885917B (zh) 含硅氧烷的太阳能电池金属化浆料
JP6785042B2 (ja) 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極
CN109074895B (zh) 用于硅太阳能电池中正面金属化的厚膜浆料
JP5957546B2 (ja) 導電性組成物
WO2012135551A1 (en) High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes
WO2009097266A1 (en) Conductive inks with metallo-organic modifiers
CN110431671B (zh) 太阳能电池电极用导电性浆料以及使用上述浆料制造的太阳能电池
TWI651289B (zh) 用於太陽電池電極的組合物以及使用其製作的電極
CN113380439A (zh) 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极
KR101716549B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
TWI665209B (zh) 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極
KR20200066065A (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20190067667A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN111354502B (zh) 用于形成太阳能电池电极的组合物及太阳能电池电极
CN109673169B (zh) 太阳电池电极图案形成方法、用其制造的电极及太阳电池
CN111462940A (zh) 用于形成太阳能电池电极的组合物、电极以及太阳能电池
CN113450941A (zh) 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极
US10515737B2 (en) Conductive paste composition, method for preparing the composition and electrode formed by the composition
KR101748008B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101748006B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101965463B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN113436780A (zh) 太阳能电池电极形成用组合物及由其形成的太阳能电池电极
KR101991976B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101889354B1 (ko) 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Metallized slurry containing siloxane for solar cells

Effective date of registration: 20231128

Granted publication date: 20200602

Pledgee: Industrial Commercial Bank of China Ltd. Haining branch

Pledgor: ZHEJIANG KAIYING NEW MATERIALS CO.,LTD.

Registration number: Y2023980067752

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right