CN103247560A - 基板处理装置、基板处理方法和存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够在组件或向各组件搬送基板的基板搬送机构中的任一个发生故障的情况下防止对基板继续进行不良的处理的技术。本发明的装置包括：多个接受目标组件，基板保持部从该多个接受目标组件接受基板；检测由基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量的传感器部；存储部，其将在从各接受目标组件接受基板时检测出的偏移量，按每个接受目标组件以时间序列进行存储；和推定部，其基于在存储部存储的各接受目标组件的偏移量的时间序列数据，推定在各接受目标组件中的任一个或基板搬送机构是否发生故障。由此，能够早期地应对。

Description

基板处理装置、基板处理方法和存储介质

技术领域

本发明涉及在组件（模块）间搬送基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法和存储有用于执行上述基板处理方法的程序的存储介质。

背景技术

在例如半导体器件的制造工艺中，在例如涂布、显影装置等的基板处理装置内设置多个对半导体晶片（以下简记为“晶片”）进行处理的处理组件，利用称为搬送臂的基板搬送机构在这些处理组件间依次搬送晶片，由此进行规定的处理。晶片由设置于上述搬送臂的保持部保持并被搬送。

但是，由于在规定的组件发生故障，或者搬送臂自身发生故障，存在晶片以相对于上述保持部的预先设定的基准位置偏移的状态被保持的情况。如果这些故障逐渐变大，基准位置与实际被保持的晶片的位置的偏移量增加，在搬送中发生异常，则涂布、显影装置对用户显示警告，该装置内的搬送被停止。但是，如上所述，晶片相对基准位置偏移地被保持的情况，因为导致晶片不能交接（移交）至组件的适当的位置，所以存在直至装置停止持续晶片不被组件正常地处理的状态，晶片持续地被不良处理的问题。

另外，在涂布、显影装置中停止搬送的情况下，导致能够正常工作的组件的处理也停止，或者，即使在通过轻微的校正就能够使搬送臂正常工作的情况下，也使该搬送臂的动作停止。由此，存在涂布、显影装置的工作率降低，生产率降低的问题。

例如，在专利文献1中记载有，基于上述检测出的晶片的周边部的位置，对组件的相互间的晶片的搬送量进行校正，来消除在上述组件的晶片的位置偏移。另外，在专利文献2中记载有如下控制，根据检测出的周边部的位置求出晶片的中心位置，基于该中心位置与预先确定的基准位置的偏移量，使搬送臂部能够将晶片搬运到搬送目标位置。但是，在专利文献1、2的各装置中，并未考虑上述问题，不能解决该问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开8－31905号公报

专利文献2：日本特开2006－351884号公报

发明内容

发明想要解决的问题

本发明是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于，提供一种能够在组件或向各组件搬送基板的基板搬送机构中的任一个发生故障的情况下防止对基板继续进行不良的处理的技术。

用于解决课题的方法

本发明的基板处理装置的特征在于：其是在组件间交接基板进行处理的基板处理装置，

上述基板处理装置具备：

基板搬送机构，其具备在横向上能够自由移动的基板保持部，用于保持基板并进行上述交接；

多个接受目标组件，上述基板保持部在上述多个接受目标组件接受基板；

传感器部，其对由上述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测；

存储部，其将在从各接受目标组件接受基板时检测出的上述偏移量，按每个所述接受目标组件以时间序列进行存储；和

推定部，其基于在上述存储部存储的各接受目标组件的上述偏移量的时间序列数据，推定在各接受目标组件中的任一个或上述基板搬送机构是否发生故障。

另外，本发明的其它的基板处理装置的特征在于：其是在组件间交接基板进行处理的基板处理装置，

上述基板处理装置具备：

基板搬送机构，其具备在横向上能够自由移动的基板保持部，用于保持基板并进行上述交接；

多个接受目标组件，上述基板保持部从上述多个接受目标组件接受基板；

传感器部，其对由上述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测；

存储部，其以将各接受目标组件与在从各接受目标组件接受基板时检测出的上述偏移量建立相关的方式存储该偏移量；和

显示部，其将存储于上述存储部的偏移量按每个接受目标组件进行显示。

本发明的具体方式例如为如下所述的方式。

（a）上述基板处理装置设置有控制单元，上述控制单元基于上述推定部的推定结果输出控制信号以控制上述基板搬送机构的动作。

（b）当由上述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，上述控制单元根据存储于上述存储部的偏移量，将上述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更。

（c）当由上述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，上述控制单元输出控制信号，使基板搬送机构在向构成接受目标组件之一的调整用组件交接基板后，再从上述调整用组件接受该基板，基于在向该调整用组件交接基板之前检测出的偏移量与在从调整用组件接受到基板之后检测出的偏移量的差，将上述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更。

当由上述推定部推定出在接受目标组件发生故障时，上述控制单元输出控制信号，使基板搬送机构停止向该接受目标组件搬送基板。

（d）上述基板处理装置设置有警报输出单元，当由上述推定部推定出在各组件中的任一个或基板搬送机构发生故障时，上述警报输出单元输出警报。

发明效果

根据本发明，基板处理装置设置有：在向基板搬送机构的保持部交接基板后，存储保持位置相对基准位置的偏移量的存储部；和基于在上述存储部按每个组件以时间序列存储的偏移量，推定在各组件中的任一个或上述基板搬送机构是否发生故障的推定部，或者，基板处理装置具备将在存储部存储的组件的偏移量按组件进行显示的显示部。由此，能够早期地发现这些基板搬送机构和组件的故障，能够防止对基板持续进行不良的处理。

附图说明

图1是本发明的基板处理装置的实施方式的涂布、显影装置的平面图。

图2是上述涂布、显影装置的立体图。

图3是上述涂布、显影装置的侧视图。

图4是设置于上述涂布、显影装置的搬送臂和组件的立体图。

图5是设置于上述搬送臂的基台和叉的立体图。

图6是上述基台和叉的平面图。

图7是上述基台和叉的侧视图。

图8是上述搬送臂的横截面图。

图9是表示上述搬送臂的检测部的检测结果的一个例子的示意图。

图10是设置于涂布、显影装置的控制部的块图。

图11是说明保持于叉的晶片的各位置的平面图。

图12是设置于上述控制部的存储部的存储区域的概念图。

图13是设置于上述控制部的存储部的存储区域的概念图。

图14上述搬送臂的搬送的示意图。

图15上述搬送臂的搬送的示意图。

图16涂布、显影装置的动作的流程图。

图17是表示设置于上述控制部的显示画面的说明图。

图18是表示设置于上述控制部的显示画面的说明图。

图19是表示设置于上述控制部的显示画面的说明图。

图20是表示设置于上述控制部的显示画面的说明图。

图21是设置于上述控制部的存储部的存储区域的概念图。

图22是表示晶片的交接位置的数据被变更的状况的说明图。

图23是表示晶片的接受位置被变更的状况的说明图。

图24是表示晶片的接受位置被变更的状况的说明图。

图25是设置于上述涂布、显影装置的位置调整组件的立体图。

图26是表示对上述位置调整组件交接晶片的正面图。

图27是表示对上述位置调整组件交接晶片的正面图。

图28是表示对上述位置调整组件交接晶片的正面图。

图29是表示对上述位置调整组件交接晶片的正面图。

附图标记说明

W  晶片

3  叉

30 搬送臂

31 基台

40 基板周边位置检测机构

4  检测部

41 光源部

42 受光部

6  控制部

63 显示部

66 程序

具体实施方式

图1、图2、图3各自是本发明的基板处理装置的实施方式的涂布、显影装置1的平面图、概略立体图、侧视图。如这些各图所示，涂布、显影装置1包含载体部件区S1、处理部件区S2和接口部件区S3。另外，接口部件区S3与曝光装置S4连接，由涂布、显影装置1和该曝光装置S4构成抗蚀剂图案形成装置。

载体部件区S1是用于进行收纳有多个作为基板的晶片W的载体C的搬入和搬出的区域，具有载置台11和作为基板搬送机构的交接臂12。上述载体C载置于载置台11上。交接臂12将晶片W从载体C取出，交接至处理部件区S2，并且接受在处理部件区S2被处理的处理完的晶片W，返回载体C。

如图1和图2所示，处理部件区S2具有棚单元U1、棚单元U2、第一部件区（DEV层）B1、第二部件区（DEV层）B2、第三部件区（BCT层）B3、第四部件区（BCT层）B4、第五部件区（COT层）B5、第六部件区（COT层）B6。第一和第二部件区（DEV层）B1、B2是用于进行显影处理的部件区，具有相互同样的结构。第三和第四部件区（BCT层）B3、B4是用于在抗蚀剂膜的下层进行反射防止膜的形成处理的部件区，具有相互同样的结构。第五和第六部件区（COT层）B5、B6是用于进行抗蚀剂液的涂布处理，形成抗蚀剂膜的部件区。

从载体C持续送出的晶片W，通常情况下被交替分开搬送至单位部件区B3、B4。接着，搬送至单位部件区B3的晶片W，例如以B5→B1的顺序在单位部件区之间搬送并接受处理，搬送至单位部件区B4的晶片W例如以B6→B2的顺序在单位部件区之间搬送并接受处理。

棚单元U1叠层各种组件而构成。如图3所示，棚单元U1例如具有从下开始依次叠层的交接组件TRS1、TRS1、CPL1、BF1、CPL1、BF1、CPL2、BF2、CPL2、BF2。在与单位部件区B1、B2对应的高度位置设置有交接组件TRS，在与单位部件区B3～B6对应的高度位置设置有交接组件CPL、BF。另外，后述的位置调整组件TTS设置于各单位部件区B2、B3、B5、B6的高度位置。如图1所示，在棚单元U1的附近设置有自由升降的作为基板搬送机构的升降臂13。在棚单元U1的各处理组件彼此之间，由升降臂13搬送晶片W。

棚单元U2叠层各种处理组件而构成。如图3所示，棚单元U2在与单位部件区B1、B2对应的高度位置分别设置有交接组件TRS2、CPL3。另外，图3中的标注有CPL的交接组件兼作为温度调节用的冷却组件，标注有BF的交接组件兼作为能够载置多个晶片W的缓冲组件。另外，棚单元U2在后述的接口臂能够访问的高度位置设置有上述位置调整组件TTS。

图4是第五单位部件区（COT层）B5的立体图。单位部件区B5具备从载体部件区S1一侧向接口部件区S3一侧延伸的晶片W的搬送路径14。在朝向接口部件区S3观看搬送路径14的左侧，沿搬送路径14设置有2层重叠的加热组件HP1～HP8。而且，在朝向接口部件区S3观看搬送路径14的右侧，设置有在其内部具备3个抗蚀剂涂布组件COT（COT1～COT3）的壳体15。抗蚀剂涂布组件COT将上述抗蚀剂液涂布于晶片W而形成抗蚀剂膜。搬送路径14设置有后述的作为基板搬送机构的搬送臂A5，搬送臂A5在单位部件区B5的各组件间搬送晶片W。

第三和第四单位部件区（BCT层）B3、B4除了具备反射防止膜形成组件BCT来替代抗蚀剂涂布组件COT之外，具有与单位部件区B5、B6同样的结构。反射防止膜形成组件BCT将反射防止膜用的药液涂布于晶片W而形成反射防止膜。第一和第二单位部件区B1、B2除了具备对晶片W供给显影液进行显影处理的显影组件DEV来替代抗蚀剂涂布组件COT之外，具有与单位部件区B5、B6同样的结构。另外，在单位部件区B1～B4、B6设置有与搬送臂A5同样的搬送臂A1～A4、A6。

在单位部件区B2与B3之间设置有成为往返搬运装置16的移动路径的部件区17，往返搬运装置16从设置于上述棚单元U1的晶片W的搬入口18向设置于上述棚单元U2的晶片W的搬出口19直通地搬送晶片W。如图1所示，接口部件区S3具备在棚单元U2的附近的作为基板搬送机构的接口臂10。接口臂10在与棚单元U2的各组件和曝光装置S4之间搬送晶片W。

对晶片W的通常情况下的搬送进行说明，载体C的晶片W由交接臂12依次搬送至棚单元U1之一的交接组件、例如与第三部件区（BCT层）B3对应的交接组件CPL1。将上述晶片W交接至第三部件区（BCT层）B3的搬送臂A3，由该搬送臂A3依次搬送至反射防止膜形成组件、加热组件。由此，在晶片W形成反射防止膜。

形成有反射防止膜的晶片W依次经由搬送臂A3、棚单元U1的交接组件BF1、升降臂13、棚单元U1的交接组件CPL2，被交接至第五部件区（COT层）B5的搬送臂A5。接着，晶片W经由搬送臂A5被依次搬送至抗蚀剂涂布组件COT、加热组件，由此在晶片W形成抗蚀剂膜。

形成有抗蚀剂膜的晶片W经由搬送臂A5交接至棚单元U1的交接组件BF2，依次交接至升降臂13、往返搬运装置16、接口臂10。上述晶片W由接口臂10搬送至曝光装置S4，进行规定的曝光处理。之后，晶片W经由接口臂10载置于棚单元U2的交接组件TRS2，利用第一部件区（DEV层）B1的搬送臂A1，依次交接至加热组件、交接组件CPL3、显影组件DEV、加热组件、交接组件TRS1，经由交接臂12，返回至载体C。

对在单位部件区B1、B3、B5处理的晶片W的搬送路径进行了说明，在单位部件区B2、B4、B6处理的晶片W也大致同样地被搬送。作为不同点，利用设置于各单位部件区的搬送臂A2、A4、A6进行搬送，晶片W被搬送至棚单元U1、U2的位于各单位部件区B2、B4、B6的交接组件。

接着，参照上述图4以上述涂布、显影装置1的基板搬送机构为代表对搬送臂A5进行说明。搬送臂A5具备成为晶片W的保持部的叉3（3A、3B）、基台31、旋转机构32、升降台34和基板周边位置检测机构40。叉3A、3B以相互上下重叠的方式设置于基台31上。搬送臂A5由一个叉从组件接受晶片W，由另一个叉向组件交接晶片W。即，搬送臂30以在与组件之间交替地保持晶片W的方式动作。基台31设置为通过旋转机构32能够在上述升降台34上围绕铅垂轴自由旋转。

升降台34以被在上下方向上延伸的框架35包围的方式设置，在上下方向上（图1中Z方向上）升降。框架35的内部设置有用于使升降台34升降的升降机构。框架35构成为在横向上（图1中Y方向上）沿着直线状延伸的Y轴引导件（未图示）滑动移动。

对于搬送臂A5的叉3A、3B和基台31，参照作为其立体图、平面图、侧视图的图5、图6、图7进一步进行说明。叉3A、3B相互同样地构成，所以作为代表对3A进行说明。叉3A形成为平板的圆弧状，如图6所示构成为包围要搬送的晶片W的周围。该叉3的内周形成为比晶片W的外周稍微大，使得在搬送时即使晶片W的位置稍微偏移也能够进行搬送。另外，在叉3A、3B的内周下侧形成有载置晶片W的背面周边部的4个保持爪37，该4个保持爪37相互隔着间隔，且向叉3A、3B的内侧突出。图中33是在基台31上支承叉3A、3B的支承部。

在保持爪37分别设置有真空吸附口38。当晶片W的背面周边部被载置于保持爪37时，真空吸附口38对该周边部进行真空吸附，将晶片W保持于该保持爪37。图6中的39为与真空吸附口38连接的配管，分别设置于叉3A、3B。通过这样进行真空吸附，能够对晶片W的周边部的水平位置进行定位。

图8是搬送臂A5的横截面图。图中M1、M2是电动机，51、52是与各电动机M1、M2分别成组的传动轮。图中53A、53B是卷绕在这些电动机和传动轮的传动带，叉3A、3B的各支承部33各自卡止到这些传动带53A、53B。图中54A、54B是与叉3的支承部33连接的引导件。利用从后述的控制部6发送的控制信号来控制电动机M1、M2的旋转。由此，驱动各传动带53A、53B，各支承部33在引导件54A、54B上滑动，叉3A、3B相互独立地在基台31上进退。

另外，图中M3是电动机，55是与电动机M3成对的传动轮。图中56是卷绕在这些电动机和传动轮上的传动带，上述框架35卡止于该传动带56。图中57是与框架35连接的引导件。与叉3同样电动机M3的旋转被控制部6控制，框架35伴随基台31在引导件57上滑动，在Y轴方向上移动。电动机M3、传动轮55、传动带56和引导件57收纳于加热组件HP的下方的壳体58。

虽然省略图示，但是基于升降台34的基台31的升降也与叉3的移动同样地利用包括电动机M4、传动带和引导件的动作机构进行。另外，基台31的旋转也利用包括未图示的电动机M5和传动带的动作机构进行。在这些搬送臂A5的各电动机M1～M5连接有：根据各电动机的旋转而输出脉冲的编码器59；和对该脉冲数进行计数并向控制部6输出与计数值对应的信号的计数器50。控制部6根据各计数器的输出能够检测搬送臂A5的各部的位置。

返回至图5～图7，对基板周边位置检测机构40进行说明。构成传感器部的基板周边位置检测机构40包括4个检测部4（4A～4D），其设置为用于在各自的叉3A、3B以保持有晶片W的状态后退后，对叉3A或3B所保持的晶片W的周边部的位置，以各自不同的位置进行检测。检测部4A～4D设置为在叉3A、3B位于后退的后退位置时，在俯视时与由叉3A、3B保持的晶片W的周边部重叠，从上述晶片W的外侧向内侧延伸。在图6、图7中分别表示有叉3A移动至上述后退位置、叉3B移动至用于向组件交接晶片W的交接位置的状态。另外，检测部4A～4D以能够检测晶片W的相互不同的周边位置的方式沿上述晶片W的周边部相互隔着间隔地设置。

检测部4A～4D包括4个光源部41（41A～41Ｄ）和与各光源部41成对的4个受光部42（42A～42D）。上述光源部41（41A～41D）例如具备LED（Light Emitting Diode：发光二极管），设置在上述基台31上，例如配置于上述后退位置的叉3A、3B的下方侧。另外，光源部41具备未图示的透镜，上述LED的光经由该透镜以图7中箭头所示的方式对垂直上方照射。另外，光源部41的光的照射区域，俯视时，从后退位置的叉3的晶片W的外侧朝向中心部一侧形成为直线状。

受光部42是多个受光元件直线状地排列而构成的线性图像传感器（LIS）。上述受光元件含有例如CCD（Charge Coupled Device：电荷藕合器件）。而且，受光部42经由支撑部件43设置于基台31上，配置于上述叉3A、3B的上方侧。即，相互成对的光源部41和受光部42设置为从上下夹着上述后退位置的叉3A、3B所保持的晶片W。而且，受光部42的各受光元件以能够接受光源部41的光的方式从上述晶片W的外侧朝向中心部一侧排列。

当叉3保持晶片W，停止于上述后退位置或比后退位置稍微前进的位置时，由上述各光源部41从下方向上方发出光。由设置于叉3的上方的受光部42接受发出的光。此时，基于作为受光部42的各像素的各CCD的检测值，后述的控制部能够决定受光了的像素与不受光的像素的边界的位置。而且，用以XY平面的规定的位置为原点的坐标表示决定出的边界的位置，如后所述，能够进行用于算出晶片W的中心位置和半径的计算。上述XY平面的Y方向为基台31的移动方向，X方向与上述Y方向正交，为叉3移动的方向。

为了具体表示由受光部42识别上述边界的位置、即晶片W的周边部的位置的状况，使用图9进行说明。图9是示意地表示晶片W和叉3的位置与上述受光部（线性图像传感器）42中的与各受光元件对应的像素的受光量的关系的图，使不接受由光源部41发出的光的像素的检测值（以下称为“受光量”。）为第一值n1，接受由光源部41发出的光的像素的受光量为第二值n2。此时，能够将晶片W的周边部的位置作为各像素的受光量在第一值n1与第二值n2之间变化的位置E进行检测。

当将受光量作为8比特的数据进行处理时，使第一值n1例如为0，使第二值n2例如为255以下的规定的值。图9中，从晶片W的内侧对像素标记号码，当在基台31上后退的叉3位于基准位置（后退位置）时，将由光源部41发出的光被叉3遮蔽的受光元件的像素号码设为900。这样，受光部42构成为对沿该受光部42的伸长方向的晶片W的周边部的位置进行检测的CCD线传感器。

接着，参照图10对成为推定部的控制部6进行说明。控制部6具备CPU（Central Processing Unit：中央处理器）61、程序存储部62、显示部63、警报发出部64和存储部65。图中60是主线。CPU61读取存储于程序存储部62的程序66，按照程序66所包含的命令（指令）对各部发送控制信号。由此，对搬送臂A等的基板搬送机构和各组件的动作进行控制，对上述和后述的晶片W的搬送进行控制。程序存储部62是计算机能够读取的存储介质，例如包括磁盘、光盘、硬盘、磁光（Magnetoptical：MO）盘等。在存储部65设置有第一存储区域67和第二存储区域68。

各搬送臂A的叉3在基台31上移动至前进位置，从组件接受晶片W，在基台31上向后退位置移动。当移动至后退位置时，利用上述检测部4对晶片W的周边部照射光。接受来自光源部41的输出光的受光部42基于来自未图示的CCD线传感器控制部的控制信号的定时，通过在受光部42内使电荷移动，输出与各像素的受光量对应的信号。该信号（检测值）被输入控制部6，利用后述的计算式计算在XY平面中的晶片W的中心位置（中心坐标）o’（X’，Y’）。

图11表示将晶片W从组件接受并移动至后退位置的叉3，该图表示检测出的中心位置o’的一个例子。图11中o（X，Y）是设定在叉3的圆弧的内侧的基准位置，在搬送臂A正常动作的情况下，上述中心位置o’越靠近该基准位置o，晶片W越能够适当地被搬送至组件。图中点划线的圆表示以上述基准位置o与中心位置o’重合的方式保持的晶片W的外形。

控制部6每当从组件接受晶片W时，如后所述，算出晶片W的中心位置o’相对上述基准位置o的X方向和Y方向的偏移量ΔX和ΔY，并将该偏移量存储在第一存储区域67。图12是示意地表示存储在第一存储区域67的数据的图。图中的数值的单位是mm。如该图12所示，按每个作为晶片W的接受源（接受目标）的组件，将上述偏移量ΔX、ΔY以与从该组件接受到晶片W的次数建立相关的方式存储在第一存储区域67。即，按每个组件以时间序列存储偏移量ΔX、ΔY。

在如后所述推定出组件和搬送臂等的晶片W的搬送装置发生异常的情况下，在该第一存储区域67存储表示推定出发生上述异常的数据。另外，控制部6每当取得ΔX、ΔY时，对取得该ΔX、ΔY的组件的例如最近10次的ΔX、ΔY分别算出移动平均值，并将该移动平均值以与晶片W的接受次数建立相关的方式存储在第一存储区域67。

各组件的位置的数据作为例如从与各电动机M连接的编码器59输出的脉冲值的数据存储在存储部65的第二存储区域68。图13代表性地表示单位部件区B5的各组件的上述脉冲值（脉冲数）的数据。在单位部件区B5的搬送臂A5从组件接受晶片W时，进行如下控制，从与控制叉3的X方向的动作的各电动机M1或M2连接的编码器59输出X方向位置量的脉冲，从与控制Y方向的动作的电动机M3连接的编码器输出图示的Y方向位置量的脉冲，并且从与控制Z方向的动作的电动机M连接的编码器59输出Z方向位置量的脉冲。即，搬送臂A5的升降台34、基台31、叉3按照存储在该第二存储区域68的位置数据向组件移动，从该组件接受晶片W。

使用图14、图15，以单位部件区B5的抗蚀剂涂布组件COT1为例，对组件与搬送臂A5之间的晶片W的交接动作的概略进行说明。在各图中，为了便于说明而简略地表示叉3和基台31。如图14所示，当从搬送臂A5接受晶片W时，搬送臂A5的基台31、叉3进行移动，输出在图12中说明过的第二存储区域67存储的X方向位置、Y方向位置的各脉冲值。此时，当搬送臂A5和抗蚀剂涂布组件COT无异常时，叉3的基准位置o向抗蚀剂涂布组件COT的适当位置p移动，进行晶片W的接受。

接着，在叉3向COT1搬送晶片W时，使用ΔX、ΔY对作为交接位置设定的（A1、B1）进行校正，进行搬送。在图15的例中，因为晶片W以其中心位置o’分别在X方向、Y方向上从COT1离开ΔX、ΔY的方式保持，所以基台31和叉3以从各编码器输出的脉冲值分别偏移与ΔX相当的脉冲量和与ΔY相当的脉冲量的方式移动。即，根据ΔX、ΔY的量，叉以从预先设定的交接位置偏移的方式进行移动，以由叉3保持的晶片W的中心位置o’与组件的适当位置p重合的方式，搬送晶片W。对于其它的组件，也与向COT1交接晶片W的情况同样地，基于存储在第二存储区域68的数据接受晶片W，基于上述数据和偏移量ΔX、ΔY对交接时的叉3的基准位置o进行校正，来输送晶片W。

显示部63包括计算机的显示器画面，例如由触摸面板构成。对于该显示部63的画面的显示例在后文述说。警报发出部64在推定组件或基板搬送机构发生异常的情况下输出警报，向用户报知推定出异常的信息。

以上，以搬送臂A5为中心进行了说明，其它的基板搬送机构也与搬送臂A5同样地具备基台和叉。而且，每当各基板搬送机构进行搬送时，与搬送臂A5进行搬送时同样地在存储部65存储偏移量ΔX、ΔY等的各数据，并存储各臂所访问的组件的位置数据。

控制部6根据存储在第一存储区域67的偏移量ΔX、ΔY，对在组件和搬送臂A5等的基板搬送机构时是否发生异常进行判定。对于组件的异常的主要原因，举例进行说明。例如抗蚀剂涂布组件COT、加热组件HP等的组件具备：用于从叉3举起晶片W的背面并从叉3接受该晶片W的3个升降销；和用于使该升降销升降的升降机构。上述升降机构具备引导件、汽缸和驱动部，驱动部利用汽缸的动作使上述引导件滑动，升降销通过该驱动部进行升降。将该升降销固定于升降机构的螺钉松动，各升降销的前端的高度位置偏移，支承在升降销上的晶片W倾斜而在升降销上滑动，晶片W的位置相对升降销偏移。

另外，虽然在对上述汽缸的位置进行检测的传感器中未检测出异常，但由于上述引导件与驱动部之间的摩擦增加，或在引导件产生撞击痕迹等的伤痕，驱动部受到引导件阻碍。由于该冲击，存在晶片W自升降销跳动而使晶片W的位置相对升降销偏移的情况。

另外，对抗蚀剂涂布组件COT等晶片W供给处理液的组件具备旋转卡盘，其吸引晶片W的背面以保持晶片W，并且使晶片W旋转，利用离心力使供给至晶片W上的液体在晶片W上扩展。旋转卡盘在保持晶片W时以规定的压力吸引晶片W。此时，对上述压力进行检测传感器表示正常值，所以未检测出异常。但是，在如上述方式保持后，存在上述压力瞬间降低，晶片W由于旋转时的上述离心力而相对旋转卡盘偏移的情况。

另外，对基板搬送机构的异常的例子进行说明。如以搬送臂A5为例进行说明的方式，电动机的动力由传动带和传动轮传递至基板搬送机构进行驱动的位置，但由于传动带的张力降低，发生传动带的位置相对电动机偏移、即打滑。由此，基板搬送机构存在各组件全部的交接晶片W的位置相对地偏移的情况。即，该状态是控制部6根据编码器59的脉冲进行检测的搬送机构的各部的位置与该各部的实际的位置不一致的状态。

另外，设置于各基板搬送机构的引导件57、54A、54B等的各种的引导件与由该引导件限制动作的叉3、框架35等的各种驱动部之间的摩擦增加，或者在上述引导件产生撞击痕迹等的伤痕，由此上述驱动部在驱动时受到引导件阻碍。由此，基板搬送机构发生瞬间的振动，在此时晶片W跳动，存在在叉3的晶片W的位置发生偏移的情况。

另外，在基板搬送机构的动作中，基板搬送机构与设置于各搬送路径的构造物发生干涉，导致叉3破损，或支承受光部42的支承部件43的位置从正常的位置偏移。由此，叉和受光部42的位置相对地发生偏移，由此所检测的晶片W的位置未被正常检测，或晶片W的位置从正常的位置偏移。

当放置这样的组件和基板搬送机构的异常不理时，存在晶片W的交接位置相对叉3的偏移逐渐变大，或产生较多的不良的晶片W的问题，因此，在该涂布、显影装置1中，对这种组件和基板搬送机构的异常进行推定，并在推定出异常的情况下进行后述的应对动作。

参照上述的图11，对根据晶片W的周边部的位置（周边位置）算出中心位置o’和偏移量ΔX、ΔY的方法进行说明。在晶片W的中心位置o’处于与叉3的基准位置o重叠时，受光部（LIS）42上的晶片W的周边部的位置分别表示为a点、b点、c点、d点。另外，将4个受光部42A～42D的延伸方向与Y轴所成的角设为θ1、θ2、θ3、θ4。

而且，设相对该基准位置保持的晶片W发生偏移时的该晶片W的位置为偏移位置，设偏移位置中的受光部42上的晶片W的周边部的位置各自为a′点、b′点、c′点、d′点。

设各受光部42中的a点、b点、c点、d点与a′点、b′点、c′点、d′点的距离为Δa、Δb、Δc、Δd。此时，Δa、Δb、Δc、Δd如下。

Δa[mm]＝（（a'点的像素数）－（a点的像素数））×像素间隔[mm]（1）

Δb[mm]＝（（b'点的像素数）－（b点的像素数））×像素间隔[mm]（2）

Δc[mm]＝（（c'点的像素数）－（c点的像素数））×像素间隔[mm]（3）

Δd[mm]＝（（d'点的像素数）－（d点的像素数））×像素间隔[mm]（4）

其中，a点的像素数表示从受光部42的晶片W的中心侧的开始点至a点的像素的数量。

这样，a点～d点、a′点～d′点的坐标以如下方式表示。式中R是晶片W的半径。另外，如上所述X、Y是指，叉3在交接位置从各组件接受晶片W并移动到后退位置时的假设上述晶片W被适当地保持于叉3的情况下的上述中心位置o的X坐标、Y坐标。这些R的值和o的坐标是预先设定的已知的值。

a点（X1，Y1）＝（X－Rsinθ1，Y－Rcosθ1）    （5）

a'点（X1'，Y1'）＝（X1－Δasinθ1，Y1－Δacosθ1）

＝（X－（R+Δa）sinθ1，Y－（R+Δa）cosθ1）    （6）

b点（X2，Y2）＝（X－Rsinθ2，Y+Rcosθ2）    （7）

b'点（X2'，Y2'）＝（X2－Δbsinθ2，Y2+Δbcosθ2）

＝（X－（R+Δb）sinθ2，Y+（R+Δb）cosθ2）    （8）

c点（X3，Y3）＝（X+Rsinθ3，Y+Rcosθ3）    （9）

c'点（X3′，Y3'）＝（X3+Δcsinθ3，Y3+Δccosθ3）

＝（X+（R+Δc）sinθ3，Y+（R+Δc）cosθ3）    （10）

d点（X4，Y4）＝（X+Rsinθ4，Y－Rcosθ4）    （11）

d'点（X4'，Y4'）＝（X4+Δdsinθ4，Y4-Δdcosθ4）

＝（X+（R+Δd）sinθ4，Y－（R+Δd）cosθ4）    （12）

因此，利用式（6）、式（8）、式（10）、式（12），能够求出a′点（X1′，Y1′）、ｂ′点（X2′，Y2′）、c′点（X3′，Y3′）、d′点（X4′，Y4′）的坐标。

而且，根据这样算出的a′点、b′点、c′点、d′点中的任意3点，能够算出在偏移位置的晶片W的中心位置o′的坐标（X′、Y′）。例如根据a′点（X1′，Y1′）、b′点（X2′，Y2′）、c′点（X3′，Y3′）的3点算出在偏移位置的中心位置o′的坐标（X′、Y′）的式，由下述式（13）和（14）表示。

$X^{\′}=\frac{{X1}^{\′2}({Y3}^{\′}-{Y2}^{\′})+{X2}^{\′2}({Y1}^{\′}-{Y3}^{\′})+{X3}^{\′2}({Y2}^{\′}-{Y1}^{\′})-({Y1}^{\′}-{Y3}^{\′})({Y3}^{\′}-{Y2}^{\′})({Y2}^{\′}-{Y1}^{\′})}{2\{{X1}^{\′}({Y3}^{\′}-{Y2}^{\′})+{X2}^{\′}({Y1}^{\′}-{Y3}^{\′})+{X3}^{\′}({Y2}^{\′}-{Y1}^{\′})\}}---\left(13\right)$

$Y^{\′}=\frac{{Y1}^{\′2}({X2}^{\′}-{X3}^{\′})+{Y2}^{\′2}({X3}^{\′}-{X1}^{\′})+{Y3}^{\′2}({X1}^{\′}-{X2}^{\′})-({X2}^{\′}-{X3}^{\′})({X3}^{\′}-{X1}^{\′})({X1}^{\′}-{X2}^{\′})}{2\{{Y1}^{\′}({X2}^{\′}-{X3}^{\′})+{Y2}^{\′}({X3}^{\′}-{X1}^{\′})+{Y3}^{\′}({X1}^{\′}-{X2}^{\′})\}}---\left(14\right)$

另外，为了进行如后所述的形成于晶片W的缺口N与检测部4的检测范围的是否重叠判定，需要使用如上所述根据3个周边位置计算出的中心位置和根据上述3个周边位置中的一个计算出的晶片W的半径R′。例如在根据a′点、b′点、c′点算出中心坐标的情况下，半径R′由下述式（15）计算。

$R^{\′}=\sqrt{{\{(X^{\′}-{X2}^{\′})}^2+{(Y^{\′}-{Y2}^{\′})}^2\}}---\left(15\right)$

利用a′点、b′点、c′点、d′点中的其它的3点的组合，同样计算出3种中心位置o’和半径R’。即，计算有合计4种中心位置o’和半径R’。

例如，在图11所示的晶片W的保持例中，检测部4A～4D的检测范围的任一种都不与形成在晶片W的周边的作为切口的缺口N重叠。在该情况下，如上所述使用a′～d’点中的3点计算出4种的半径R’处于正常范围内，所以其最大值-最小值在预先设定的阈值以下。因此，控制部6如上所述在成为阈值以下时设为各检测部4与缺口N不重合，分别算出4种被求出的中心位置o’1～o’4的X成分、Y成分的平均，并将该计算值决定为中心位置o’（X’，Y’）。然后，算出叉3的与基准位置o（X，Y）的偏移量ΔX、ΔY。

ΔX（mm）＝X’－X（16）

ΔY（mm）＝Y’－Y（17）

在检测部4中的任一个的检测范围与缺口N重叠的情况下，4种被算出的半径R’与正常范围相比变短，因此当计算半径R’的最大值－最小值时，变得比上述阈值大。如上述方式，在比阈值大的情况下，控制部6使叉3稍微前进，例如使上述检测范围从缺口N离开，之后，再次基于上述各式算出ΔX、ΔY。在该再计算中，o（X、Y）中的X坐标使用偏移了上述叉3的前进量的数据。

对于基板搬送机构的晶片W的交接时的动作，对代表基板搬送机构的上述搬送臂A5的动作进行总结说明。在搬送臂A5中，叉3从基台31前进，以叉3的基准位置o与组件的适当位置p重合的方式进行移动并接受晶片W，之后叉3向后退位置移动。接着，在后退位置，光从光源部41被照射到上述晶片W的周边部，基于受光部42的受光量，控制部6计算上述的晶片W的中心位置o’和叉3的从基准位置o的偏移量ΔX、ΔY，并存储在存储部65。接着，对于晶片W的接受目标的组件，算出在包含上述ΔX、ΔY的最近10次的搬送取得的ΔX、ΔY的移动平均值，并存储在存储部65。

另外，根据该ΔX、ΔY和被存储的组件的位置数据计算交接时的叉3的位置，基于其结果，基台31在搬送路径14上向计算出的Y方向的位置移动，接着上述叉3向计算出的X方向位置移动，处于使晶片W的中心位置o’与该次的组件的适当位置p重合的位置。接着，晶片W被交接到该组件。在叉3移动后的组件与该叉3之间的晶片W的交接，通过叉3的升降动作进行，或者通过设置于组件一侧的升降销抬起晶片W进行。

接着，对涂布、显影装置1中的组件和搬送机构的异常的推定方法和在如上述推定后的应对方法，参照图16的流程图对作为代表的单位部件区B5的各组件和搬送臂A5的上述推定方法和应对方法进行说明。控制部6在任意的定时，根据存储部65的数据，检测单位部件区B5的各组件是否为在前一次接受时和前第二次接受时取得的偏移量（ΔX、ΔY）未处于预先设定的容许范围内的组件（步骤S1）。

对于在步骤S1中被检测出超出容许范围的组件，判定在前一次接受时取得的偏移量的移动平均值是否大于在前第二次接受时取得的移动平均值（步骤S2）。在步骤S1中判定为偏移量在容许范围内的情况下，继续通常的搬送。另外，在步骤S2中判定为前一次接受时的移动平均值为前第二次接受时的ΔX和ΔY的移动平均值以下的情况下，也继续通常的搬送（步骤S3）。

在步骤S2中判定为前一次的移动平均值比前第二次的移动平均值大的情况下，如上所述，进行移动平均值大的组件为1个还是多个的判定（步骤S4）。在判定组件为1个的情况下，推定出该组件异常，在存储部65存储表示如上推定的数据，利用警报发出部64输出警报声音。

接着，在单位部件区B5存在能够进行与被推定为异常的组件相同处理的组件（称为替代组件）的情况下，后续的晶片W不被搬送至推定为异常的该组件，而被搬送至替代组件，继续在单位部件区B5的搬送。在不存在替代组件的情况下，后续的晶片W不被搬送至单位部件区B5，而被搬送至单位部件区B6（步骤S5）。

说明如上所述流程进行完时的显示部63的画面的变化的一个例子。图17表示在步骤S1～S4中推定为组件或搬送臂未异常时的画面，例如用黑色或白色等显示各组件的ID和设定于各组件的处理方案（处理条件）等的数值。图18表示在步骤S5中推定为组件异常时的画面。在画面显示表示推定为组件异常的警告，上述处理方案等的各数值变为红色并且闪烁地显示。

如上所述，在显示有警告的状态下，当用户触摸上述画面时，如图19所示，画面的显示发生变化，依次以时间序列显示上述组件的ID和在前一次～前几次检测出的偏移量ΔX、ΔY的数据。另外，对于显示的偏移量中的、超出上述步骤S1的容许范围的数值，使用规定的颜色例如红色进行显示。而且，例如对于未超出容许范围的数值使用其它的颜色例如黑色进行显示，由此，用户能够判别在哪次接受时偏移量是否超出容许范围，能够研究发生这种异常的原因。这种显示部63的显示基于存储于存储部65的数据进行。

对如上述的图12所示存储有ΔX、ΔY时的上述步骤S1、S2、S4、S5的流程进行具体说明。假设ΔX、ΔY的各自的容许范围设定为例如＋0.300mm～－0.300mm。当将各组件中的前一次和前第二次接受时的ΔX、ΔY与容许范围比较时，加热组件HP1的ΔX、ΔY都未处于该容许范围内（上述步骤S1）。接着，当对于该ΔX、ΔY分别比较前一次接受时的移动平均值与前第二次接受时的ΔX、ΔY的移动平均值时，前一次接受时的移动平均值大（上述步骤S2）。

在步骤S1、S2的判定中，因为对应的组件仅为加热组件HP1，所以推定出加热组件HP1异常。接着，在该例中，由于存在作为能够进行与热组件HP1相同的处理的上述替代组件的加热组件HP2～HP8，因此后续的晶片W不被搬入加热组件HP1，而被搬入这些加热组件HP2～HP8接受处理（步骤S4、S5）。假设加热组件HP2～HP8为不能使用的状态，在不继续单位部件区B5中的搬送的情况下，设定了在单位部件区B5中进行处理的后续的晶片W被搬送至单位部件区B6接受处理。在该例中，表示了ΔX和ΔY双方在容许范围外，并且移动平均值上升的例，但即使ΔX、ΔY中的任一个如上所述在容许范围外并且移动平均值上升，也会推定出异常。

对图16的流程的其它的步骤进行说明。在步骤S4中判定为对应的组件为多个的情况下，推定出搬送臂A5具有异常，在存储部65存储表示推定出异常的数据。接着，利用警报发出部64输出警报声音（步骤S6）。

如上述方式，当推定出搬送臂A5具有异常时，与推定出组件异常的情况同样地显示部63的画面发生变化。即，从上述的图17的画面变化为图18的画面。其中，所显示的警告不是表示推定组件异常的警告，而是表示搬送臂A5具有异常的警告。如上所述，当用户在画面变化的状态下触摸画面时，如图20表示一个例子，显示被推定出异常的搬送臂A5的ID和该搬送臂A5访问过的各组件的ID。上述图12是如上所述概念性地表示存储部65的数据的图，但与该图12同样地按各组件以时间序列地在上述画面显示按每个所述组件的晶片W的在各接受次中的偏移量ΔX、ΔY。这样的画面显示也基于存储部65的数据进行。

对于这样显示的偏移量ΔX、ΔY，当在步骤S1中判定为超出容许范围的部分偏移量使用红色显示，其以外的部分例如使用黑色或白色等显示。由此，用户能够识别哪个组件的哪次接受偏移量超出容许范围，能够研究异常的原因。

返回图16的流程，对步骤S7以后的步骤进行说明。当在步骤S6推定出搬送臂异常时，在步骤S7，使各组件的交接位置在X方向和/或Y方向上一并偏移，进行关于能否抑制晶片W的接受时的偏移的判定。具体来讲，对于在步骤S1判定为其偏移量在容许范围外的各组件（为了方便说明，称为容许范围外组件）的在前一次和前第二次接受时取得的偏移量，判定偏移的方向是否相同。接着，在判定为正负相同的情况下，判定上述各容许范围外组件的前一次接受时的偏移量中的、最大值－最小值是否在预先设定的基准值以下。

即，如果ΔX或ΔY在容许范围外，则判定该容许范围外的ΔX、ΔY的正负是否相同，判定容许范围外的ΔX、ΔY的最大值－最小值是否在上述基准值以下。当ΔX和ΔY在容许范围外时，判定成为其容许范围外的ΔX的正负是否相同且ΔY的正负是否相同，并且判定上述ΔX的最大值－最小值是否在基准值以下且ΔY的最大值－最小值是否在基准值以下。

如上所述，在判定为容许范围外的偏移量的正负一致、且前一次的偏移量的最大值－最小值在基准值以下时，计算容许范围外组件的前一次的偏移量的平均值。即，当ΔX或ΔY在容许范围外时，计算ΔX的平均值，当ΔX和ΔY在容许范围外时，分别计算ΔX、ΔY的平均值。接着，对各组件的交接位置的数据进行校正，将与该平均值对应的编码器的脉冲值相加到存储在第二存储区域68的脉冲值，作为各组件的交接位置的数据（步骤S8）。如上所述，根据搬送臂A5的各电动机M的旋转量，从编码器输出脉冲，但在该步骤S8的工序中，相当于对在各组件中偏移了大致相同的脉冲量的基台31和/或叉3的位置进行该脉冲的平均值量的校正。

步骤S7中判定为容许范围外组件的偏移量的正负不一致、或容许范围外组件的最接近的偏移量的最大值－最小值不收纳于容许范围的情况下，使搬送臂A5的动作停止。接着，设定为在单位部件区B5进行处理的后续的晶片W与设定为在单位部件区B6进行处理的晶片W一同被搬入单位部件区B6，继续涂布、显影装置1的处理（步骤S9）。

图21与图12同样地表示存储在存储部65的第一存储区域67的偏移量的数据的一个例子。进一步具体地说明如上所述存储有偏移量时的上述步骤S1、S2、S4、S6～S8的流程。当将各组件的前一次和前第二次接受时的ΔX、ΔY与容许范围－0.300mm～＋0.300mm进行比较时，抗蚀剂涂布组件COT1～COT3、加热组件HP1的ΔX、ΔY均未处于该容许范围，成为容许范围外组件（上述步骤S1）。在此，对于图21中未表示的其它的组件，臂发生异常后不进行接受，因此ΔX、ΔY不超出容许范围。

而且，对于这些抗蚀剂涂布组件COT1～COT3、HP1的ΔX、ΔY，当将前一次接受时的移动平均值与前第二次接受时的ΔX、ΔY的移动平均值进行比较时，前一次接受时的移动平均值更大（上述步骤S2）。在步骤S1、S2的判定中，因为对应的组件如上所述为多个，所以推定搬送臂A5发生异常（步骤S4、S5）。接着，对于COT1、COT2、COT3、HP1，计算前一次的ΔX的最大值－最小值、前一次的ΔY的最大值－最小值。由图21可知，上述ΔX的最大值－最小值＝1.635－1.522＝0.113，上述ΔY的最大值－最小值＝1.090－1.010＝0.080。在此，这些最大值－最小值为规定的基准值以下的值。然后，计算前一次接受时的ΔX、ΔY的平均值。在该例中，

ΔX的平均值＝（1.522+1.525+1.555+1.635）/4≈1.559，

ΔY的平均值＝（1.031+1.035+1.010+1.090）/4≈1.041。

接着，将这些ΔX的平均值、ΔY的平均值换算为编码器59的脉冲值，将该值相加到作为图13所示的在存储部65的第二存储区域68存储的编码器的脉冲值被存储的X方向位置、Y方向位置，如图22所示对各位置进行校正。此外，根据ΔX、ΔY的偏移的方向，该校正是对预先存储的各方向位置的减法运算。由此，虽然至此如图23所示在从组件接受晶片W时组件的适当位置p与叉3的基准位置o发生了偏移，但如图24所示使这些适当位置p与基准位置o大致一致，所以在叉3接受到晶片W时晶片W的中心位置o’与基准位置o之间的偏移量ΔX、ΔY被抑制。

但是，如上所述，搬送臂A5的异常有各种原因。例如在发生上述的传动带的打滑的情况下，通过进行这种校正，控制部6所控制的基台31和叉3的检测位置与实际的基台31和叉3的检测位置一致，因此能够防止偏移量扩大，但是也会由于异常的种类而无法消除上述偏移量。因此，在如上所述进行了交接位置的变更后，在规定的定时再次执行上述的流程，在再次推定出搬送臂A5异常的情况下，也可以在显示部63显示通过如上所述的校正不能够消除的信息，执行上述的步骤S9，使搬送臂A5的动作停止并将后续的晶片W搬送至单位部件区B6。另外，以上虽然对代表基板搬送机构的搬送臂A5进行了说明，但其它的基板搬送机构也基于存储在存储部65的偏移量ΔX、ΔY进行组件和基板搬送机构的异常推定、晶片W的接受位置的调整。

根据该涂布、显影装置1，基于存储在存储部65的ΔX、ΔY的数据，对组件或基板搬送机构的异常进行推定。而且，以避开被推定有异常的组件的方式控制搬送，对于推定有异常的基板搬送机构，使其动作停止，或者使晶片W相对组件的接受位置变更。因此，由于能够早期地发现组件和搬送机构的异常，因此能够防止晶片W在异常的状态下继续交接到组件继续进行对该晶片W不良的处理。另外，通过以避开如上述方式被推定有异常的组件、基板搬送机构的方式进行搬送，或者对晶片W的接受位置进行校正后继续搬送，能够防止涂布、显影装置1的晶片W的处理停止，因此能够防止生产率的降低。

作为执行上述的步骤S1～S9的流程的定时，也可以在按各基板搬送机构预先设定的次数向组件搬送晶片W后进行，也可以在基板搬送机构进行一个晶片W的批次的搬送结束后、至进行下一批次的搬送为止进行。另外，也可以在按每次经过规定的时间后进行。

但是，也可以在上述的流程的步骤S6中推定出基板搬送机构的异常后，使用位置调整组件TTS，在确认该基板搬送机构的异常之后进行晶片W的接受位置的校正。图25是表示位置调整组件TTS的结构的立体图。组件TTS具备水平板71和自水平板71起沿垂直方向延伸的4个支柱72。各支柱72如后文所述配置为在位于支柱72上的叉3下降时与该保持爪37不干涉。

在各支柱72的上部设置有扁平的圆形的支承部73。在支承部73上设置有俯视时呈圆形的引导部74，引导部74其直径随着朝向下方越扩大。引导部74的底部位于支承部73的边缘部的内侧，能够将晶片W的周边部支承于支承部73上。另外，引导部74的侧面作为使晶片W的周边部滑落在支承部73上的引导面75而构成。

参照表示位置调整组件TTS和叉3的正面的图26～图29，对被推定有异常的搬送臂A5的动作进行说明。搬送臂A5在保持有晶片W的状态下基于存储在存储部65的第二存储区域67的数据向TTS组件移动。此时，利用如上述方式保持的晶片W的偏移量ΔX、ΔY对交接位置进行校正。照原样保持晶片W地移动到组件TTS的上方的叉3，以包围组件TTS的各支承部73的方式下降（图26）。此时，如果搬送臂A5具有异常，晶片W的中心位置o’相对组件的适当位置p发生偏移时，则叉3如上所述照原样位置偏移地下降。由此，晶片W的周边部与引导部74的引导面75抵接，晶片W从叉3被交接至组件TTS（图27）。晶片W的周边部在引导面75滑落，被支承于支承部73。由此，晶片W的中心位置o’与组件的基准位置p一致（图28）。

接着，叉3上升接受晶片W（图29），叉3后退，检测偏移量ΔX、ΔY。由于在晶片W滑落于引导面75时X方向、Y方向的位置发生偏移，因此向组件TTS的交接前的偏移量ΔX、ΔY与交接后的偏移量ΔX、ΔY不同。控制部6对这些交接前的偏移量与交接后的偏移量的差进行计算。如果差值大于容许范围，则在显示部63显示表示确认出搬送臂A5的异常的信息。

接着，如图13和图22所示，对存储在第二存储区域68的各组件的X方向位置校正与ΔX的差值对应的量，另外，对Y方向位置校正与ΔY的差值对应的量。由此，与上述的流程的步骤S8同样，晶片W相对各组件的交接位置一并变更。假设在搬送臂A5无异常的情况下，在向组件TTS交接晶片W前，叉3位于使晶片W的中心位置o’与组件TTS的适当位置p一致的位置，因此晶片W不因被引导到引导面75而发生X方向、Y方向的偏移，所以交接前的偏移量与交接后的偏移量的差值处于容许范围内。此时，表示搬送臂A5未被确认出异常的信息，并继续在单位部件区B5的搬送。

如上所述，通过使用组件TTS，能够更可靠地检测搬送臂A5的异常。另外，晶片W相对上述TTS组件的交接作业，是所谓确认叉3相对TTS组件的适当位置p的偏移量的作业，通过确认这样的偏移量，能够更高精度地进行各组件的位置数据的校正。其中，不向上述组件TTS搬送晶片W的校正方法，能够提高与不需要进行这种搬送对应的工作量的生产率。不使用组件TTS变更晶片W的接受位置，还是使用组件TTS变更晶片W的接受位置，能够根据控制部6的未图示的设定部任意选择。

在使用组件TTS对XY方向的接受位置进行调整时，能够对Z方向（上下方向）的搬送臂的位置进行调整。当作为代表对搬送臂A5进行说明时，在与搬送臂A5的真空吸附口38连接的配管39设置有压力传感器，当晶片W保持于叉3而堵塞真空吸附口38时，该压力传感器的检测值发生变化。如上所述，一旦叉3接受交接到组件TTS的晶片W时，控制部6将上述检测值变化的位置与存储在第二存储区域68的位置进行比较，在这些位置相互偏移的情况下，根据该偏移对存储区域的各组件的Z方向的交接位置进行校正。

因为组件TTS如上所述在各基板搬送机构能够访问的位置设置有多个，所以与搬送臂A5以外的其它的基板搬送机构也进行同样的动作，进行异常的确认、交接位置的校正。另外，上述Z方向的交接位置的调整例如能够向抗蚀剂涂布组件COT1～COT3等的其它的组件交接晶片W，替代向组件TTS交接晶片W而进行。因此，在不使用组件TTS而对基板搬送机构的XY方向的交接位置进行调整的上述方法中，也可以在如上所述进行交接位置的调整时使用组件TTS以外的组件进行Z方向的位置的调整。另外，也可以在进行过基板搬送机构的维修作业时对基板搬送机构的各传动带的张力进行调整之后，使用该TTS组件调整各方向的交接位置。由此，能够快速进行晶片W的交接位置的调整，所以能够实现维修所需要的时间的缩短。

使用了组件TTS的基板搬送机构的位置调整也可以在推定出基板搬送机构异常的情况之外的情况下进行。例如，控制部6对涂布、显影装置1的动作时间进行监视，当动作时间为预先设定的时间时进行上述调整。另外，控制部6对涂布、显影装置1的晶片W的批次的处理数进行监视，当预先设定的数量的批次处理结束时，进行上述调整。如上所述，能够快速地消除由于时效老化而产生的上述打滑等的基板搬送机构的故障。

在上述的涂布、显影装置中，控制部6也可以不进行异常的推定和警报的输出。在该情况下，显示部63显示存储在存储部65的偏移量，用户基于该显示进行组件的异常、基板搬送机构的异常的推定。在进行过推定后，用户自身经由控制部6进行向被推定出异常的组件的搬送的停止、基板搬送机构的动作的停止等的应对。另外，在如上述方式用户进行上述推定的情况下，作为在显示部63显示的ΔX、ΔY，也可以显示按组件取得的全部数据，也可以显示成为容许范围外的ΔX、ΔY。另外，也可以例如在晶片W的搬送中以任意的定时对各组件仅取得一次ΔX、ΔY，并将该数据显示在显示部，用户进行上述推定。另外，晶片W的偏移量不限于如上述方式进行。也可以在基台31设置对晶片W的接受位置进行摄像的照相机，将预先准备的基准图像与由上述照相机摄像的图像进行比较，以检测晶片W的偏移量ΔX、ΔY。基板不限制于晶片W，本发明也能够应用于搬送LCD等其它的基板的情况。另外，检测部4不限于设置在基台31，也可以配置在基板的搬送路径。

另外，在上述例子中对晶片W的交接位置在各组件一并进行校正，但也可以按各组件取得偏移量，使用如上所述按每个组件取得的偏移量，按每个组件对其位置的数据进行校正。另外，为了进行组件的位置的校正而判定偏移量在相同方向上是否偏移的工序，不限于判定ΔX、ΔY的正负是否相同。例如，也可以根据在各组件取得的偏移量求出叉3的基准位置o和晶片W的中心位置o’的矢量，在该矢量的方向处于规定的范围内时判定为在相同方向上偏移。另外，在上述例子中，将每次基板搬送机构接受晶片W时检测出的ΔX、ΔY存储在存储部，但不限于如上所述每次进行存储，例如也可以在各组件每当接受2次时存储1次。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置在组件间交接基板进行处理，

所述基板处理装置具备：

基板搬送机构，其具备在横向上能够自由移动的基板保持部，用于保持基板并进行所述交接；

多个接受目标组件，所述基板保持部从所述多个接受目标组件接受基板；

传感器部，其对由所述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测；

存储部，其将在从各接受目标组件接受基板时检测出的所述偏移量，按每个所述接受目标组件以时间序列进行存储；和

推定部，其基于在所述存储部存储的各接受目标组件的所述偏移量的时间序列数据，推定在各接受目标组件中的任一个或所述基板搬送机构是否发生故障。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置设置有控制单元，所述控制单元基于所述推定部的推定结果输出控制信号以控制所述基板搬送机构的动作。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

当由所述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，

所述控制单元根据存储于所述存储部的偏移量，将所述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

当由所述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，

所述控制单元输出控制信号，使基板搬送机构在向构成接受目标组件之一的调整用组件交接基板后，再从所述调整用组件接受该基板，

基于在向该调整用组件交接基板之前检测出的偏移量与在从调整用组件接受到基板之后检测出的偏移量的差，将所述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更。

5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

当由所述推定部推定出在接受目标组件发生故障时，所述控制单元输出控制信号，使基板搬送机构停止向该接受目标组件搬送基板。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置设置有警报输出单元，当由所述推定部推定出在各组件中的任一个或基板搬送机构发生故障时，所述警报输出单元输出警报。

7.一种基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置在组件间交接基板进行处理，

所述基板处理装置具备：

基板搬送机构，其具备在横向上能够自由移动的基板保持部，用于保持基板并进行所述交接；

多个接受目标组件，所述基板保持部从所述多个接受目标组件接受基板；

传感器部，其对由所述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测；

存储部，其使各接受目标组件与在从各接受目标组件接受基板时检测出的所述偏移量对应地存储该偏移量；和

显示部，其将存储于所述存储部的偏移量按接受目标组件进行显示。

8.一种基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理方法使用在组件间交接基板进行处理的基板处理装置，

所述基板处理方法包括：

为了利用在基板搬送机构设置的基板保持部来保持基板并进行所述交接，使该基板保持部在横向上移动的工序；

所述基板保持部从多个接受目标组件接受基板的工序；

利用传感器部，对由所述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测的工序；

将在从各接受目标组件接受基板时检测出的所述偏移量，按每个所述接受目标组件以时间序列存储于存储部的工序；和

基于在所述存储部存储的各接受目标组件的所述偏移量的时间序列数据，利用推定部推定在各接受目标组件中的任一个或所述基板搬送机构是否发生故障的工序。

9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于：

基于所述推定部的推定结果来控制基板搬送机构的动作。

10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，包括：

当由所述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，根据存储于所述存储部的偏移量，将所述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更的工序。

11.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，包括：

当由所述推定部推定出在基板搬送机构发生故障时，基板搬送机构向构成接受目标组件之一的调整用组件交接基板的工序；

接着，基板搬送机构从调整用组件接受基板的工序；

对在向该调整用组件交接基板之前检测出的偏移量与在从调整用组件接受到基板之后检测出的偏移量的差进行计算的工序；和

基于该差，将所述基板保持部从各接受目标组件接受基板时的该基板保持部的位置从预先设定的第一位置向第二位置变更的工序。

12.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，包括：

当由所述推定部推定出在接受组件发生故障时，使基板搬送机构停止向该接受目标组件搬送基板的工序。

13.如权利要求8至12中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，包括：

当由所述推定部推定出在各接受目标组件中的任一个或基板搬送机构发生故障时输出警报的工序。

14.一种基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理方法使用在组件间交接基板进行处理的基板处理装置，

所述基板处理方法包括：

为了利用在基板搬送机构设置的基板保持部来保持基板并进行所述交接，而使该基板保持部在横向上移动的工序；

所述基板保持部从多个接受目标组件接受基板的工序；

利用传感器部，对由所述基板保持部保持的基板的保持位置与在该基板保持部预先设定的基板的基准位置的偏移量进行检测的工序；

将在从各接受目标组件接受基板时检测出的所述偏移量，按每个所述接受目标组件存储于存储部的工序；和

将存储于所述存储部的偏移量按每个接受目标组件进行显示的工序。

15.一种存储介质，其特征在于：

所述存储介质存储有在基板处理装置中使用的计算机程序，所述基板处理装置具备多个组件，在这些组件之间交接基板进行处理，

所述计算机程序用于实施权利要求8、9、10、11、12、14中任一项所述的基板处理方法。

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