CN110034044A - 基片处理装置和基片处理装置的运转方法 - Google Patents

基片处理装置和基片处理装置的运转方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110034044A
CN110034044A CN201811553853.2A CN201811553853A CN110034044A CN 110034044 A CN110034044 A CN 110034044A CN 201811553853 A CN201811553853 A CN 201811553853A CN 110034044 A CN110034044 A CN 110034044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
rotation angle
conveyer
actuating arm
processing unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811553853.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110034044B (zh
Inventor
阪上博充
佐佐木顺平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110034044A publication Critical patent/CN110034044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110034044B publication Critical patent/CN110034044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J18/00—Arms
    • B25J18/02—Arms extensible
    • B25J18/04—Arms extensible rotatable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/003—Programme-controlled manipulators having parallel kinematics
    • B25J9/0045—Programme-controlled manipulators having parallel kinematics with kinematics chains having a rotary joint at the base
    • B25J9/0048—Programme-controlled manipulators having parallel kinematics with kinematics chains having a rotary joint at the base with kinematics chains of the type rotary-rotary-rotary
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/10—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements
    • B25J9/106—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links
    • B25J9/1065—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links with parallelograms
    • B25J9/107—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links with parallelograms of the froglegs type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/16—Programme controls
    • B25J9/1615—Programme controls characterised by special kind of manipulator, e.g. planar, scara, gantry, cantilever, space, closed chain, passive/active joints and tendon driven manipulators
    • B25J9/1623—Parallel manipulator, Stewart platform, links are attached to a common base and to a common platform, plate which is moved parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Abstract

本发明的目的在于利用基片运送机构将基片精度优良地运送到处理单元中的基片的交接位置。当利用左右对称地配置有2个由驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构的、所谓的蛙腿式的基片运送机构将作为基片的晶片运送到处理单元时，求取驱动臂的旋转角的测量值的移动平均，并基于此来求取驱动臂的旋转角的校正量，以使得对处理单元的基片的交接位置成为基准位置。通过采用移动平均，能够反映基片运送机构的热经历，校正量的可靠性提高，因此能够将晶片精度优良地运送到处理单元中的晶片的交接位置。

Description

基片处理装置和基片处理装置的运转方法
技术领域
本发明涉及利用基片运送机构将基片运送到处理单元，在该处理单元中在对基片进行了加热的状态下处理基片的基片处理装置和基片处理装置的运转方法。
背景技术
例如在半导体器件或液晶面板等的制造工序中，在各自不同的处理容器内进行对半导体基片或液晶用基片之类的基片的成膜处理、蚀刻处理、氧化处理等各种处理。在将基片送入送出处理容器时，通常使用具有用于保持基片的保持部件的运送装置。专利文献1公开了一种左右对称地配置连接有连杆臂的驱动臂构成的所谓的蛙腿式的多关节机械臂。该蛙腿式的多关节机械臂为不使用同步带的构成，适用于真空处理、热处理。
在将基片送入送出处理容器时，运送装置暴露在处理容器内的热量下而热膨胀，因此需要获取运送装置的位置信息，进行处理容器内的基片的交接位置的对位。特别是，对于机械臂而言，从轻量化、通用性之类的观点出发，作为机械臂的材质一般使用铝，但是认为与由陶瓷等形成的保持部件相比，热膨胀系数较大，在对位中考虑机械臂的伸长或翘曲是重要的。
为了使用具有保持部件的运送装置将基片交接到处理容器内的所期望的位置，发明了各种对位技术。专利文献2中记载了一种在利用由一个机械臂支承保持部件的单臂多关节机械臂将基片送入进行热处理的真空处理单元的构成中，计算常温下的基片距基准位置的位置偏差，校正该位置偏差以将基片送入真空处理单元的技术。由此，能够校正随着多关节机械臂、保持部件的热膨胀而产生的位置偏差，因此基片的位置精度提高。
然而，在专利文献2中记载的技术中使用的运送机械臂是单臂多关节机械臂，对于具有由左右对称的2个连杆机构支承保持部件的蛙腿式双腕型机械臂的运送装置，实际情况是在当前情况下不能进行考虑了其形状的对位。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012－61568号公报
专利文献2：日本特开2013－42112号公报(第0040段、图4等)
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种在基片处理装置中将基片高精度地运送到处理单元的基片的交接位置的技术，其中上述基片处理装置利用左右对称地配置有2个由驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构的、所谓的蛙腿式的基片运送机构，将基片运送到处理单元，由处理单元在对基片进行了加热的状态下处理基片。
用于解决技术问题的技术方案
因此，本发明的一种基片处理装置，其特征在于，包括：
基片运送机构，其左右对称地配置有2个由可水平旋转地彼此连结的驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构，保持体可水平旋转地连结在左右的连杆机构的各从动机械臂的前端部，能够由驱动部使左右的驱动臂同步地水平旋转，而使保持基片的保持体进退；
能够利用上述基片运送机构进行基片的交接，在对基片进行了加热的状态下处理上述基片的处理单元；
测量上述驱动臂的旋转角的旋转角测量部；
用于检测上述保持体的特定部位位于预先决定的位置的保持体检测部；和
控制部，其执行：
按预先设定的时间间隔使上述保持体的特定部位位于上述预先决定的位置，获取在由上述保持体检测部检测到上述特定部位时的驱动臂的旋转角的测量值的步骤；
基于在上述步骤中获得的上述旋转角的测量值的时序数据，求取对上述旋转角的测量值预先设定的采样数的移动平均的步骤；和
根据上述移动平均的值与基准旋转角的比较结果，对预先求出的驱动臂的旋转角求取校正量，以使得基片的交接位置成为基准位置的步骤，其中，上述基准旋转角是基准温度下的上述基片运送机构的保持体的特定部位位于上述预先决定的位置时的驱动臂的旋转角，上述基片的交接位置是基准温度下的上述基片运送机构的保持体对上述处理单元交接基片的交接位置。
另外，本发明的一种基片处理装置的运转方法，其使包括基片运送机构和处理单元的基片处理装置运转，其中，
上述基片运送机构左右对称地配置有2个由可水平旋转地彼此连结的驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构，保持体可水平旋转地连结在左右的连杆机构的各从动机械臂的前端部，能够由驱动部使左右的驱动臂同步水平旋转，而使保持基片的保持体进退，
上述处理单元能够利用上述基片运送机构进行基片的交接，在对基片进行了加热的状态下处理上述基片，
上述基片处理装置的运转方法的特征在于，包括：
按预先设定的时间间隔使上述保持体的特定部位位于上述预先决定的位置，获取由保持体检测部检测到上述特定部位时的驱动臂的旋转角的测量值的步骤；
基于在上述步骤中获得的上述旋转角的测量值的时序数据，求取对上述旋转角的测量值预先设定的采样数的移动平均的步骤；和
根据上述移动平均的值与基准旋转角的比较结果，对预先求出的驱动臂的旋转角求取校正量，以使得基片的交接位置成为基准位置的步骤，其中，上述基准旋转角是基准温度下的上述基片运送机构的保持体的特定部位位于上述预先决定的位置时的驱动臂的旋转角，上述基片的交接位置是基准温度下的上述基片运送机构的保持体对上述处理单元交接基片的交接位置。
发明效果
根据本发明，当利用左右对称地配置有2个由驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构的、所谓的蛙腿式的基片运送机构，将基片运送到处理单元时，求取驱动臂的旋转角的测量值的移动平均，并基于此来求取驱动臂的旋转角的校正量，以使得对处理单元的基片的交接位置成为基准位置。通过采用移动平均，能够反映基片运送机构的热经历，上述校正量的可靠性提高，因此能够将晶片精度优良地运送到处理单元中的晶片的交接位置。
附图说明
图1是表示基片处理装置的一实施方式的俯视图。
图2是表示设置于基片处理装置的基片运送机构的一实施方式的立体图。
图3是表示基片运送机构的作用的俯视图。
图4是表示保持体检测部、保持体和特定部位的侧视图。
图5是表示基片运送机构和控制部的构成图。
图6是表示基片运送机构的机械臂伸长率与晶片的交接位置的位移量的关系的特性图。
图7是表示驱动臂的旋转角的测量值的时序数据的特性图。
图8是表示评价试验的结果的特性图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同构成的构成要素，标注相同的附图标记而省略重复说明。图1是表示本发明的基片处理装置1的一实施方式的俯视图。基片处理装置1包括：以盒C单位进行基片(例如半导体晶片(下面称为“晶片”)W)的送入送出的盒站2；和用于处理晶片W的处理站3。盒站2和处理站3为通过负载锁定室41～43连接成一体的结构。负载锁定室41～43构成为能够进行常压气氛与真空气氛的切换，具有用于载置晶片W的载置部40。
盒站2包括盒载置部20和与盒载置部20相邻设置的运送室21。在盒载置部20，能够在X方向(图1中的左右方向)并排载置多个(例如3个)能够收纳多个晶片W的盒C。在运送室21设置有构成为能够在上下方向、左右方向并绕铅垂轴移动的晶片运送机械臂22，在运送室21的X方向负方向侧的端部，设置有识别晶片W的缺口等来决定晶片W的位置的定位装置23。晶片运送机械臂22构成为能够在盒载置部20的盒C、负载锁定室41～43与定位装置23之间运送晶片W。
处理站3包括用于处理晶片W的多个(例如4个)处理单元30和多边形(图示的例子中为六边形状)的真空运送室31。各处理单元30是在各个未图示的载置台载置晶片W，在对晶片W进行了加热的状态下对晶片W进行真空处理的单元，以包围真空运送室31的周围的方式配置，与各真空运送室31气密地连接。另外，真空运送室31与负载锁定室41～43气密地连接。
在真空运送室31内设置有用于运送晶片W的基片运送机构5。基片运送机构5包括：作为保持晶片W的保持体的叉51；和可转动和伸缩的机械臂机构52，构成为能够在负载锁定室41～43、真空运送室31与处理单元30之间运送晶片W。此外，在图1中，图示了在真空运送室31的中央仅设置一个机械臂机构52的情况，不过也可以设置多个的机械臂机构52。
下面，参照图2，说明基片运送机构5的详细的构成。图2是基片运送机构5的概略立体图，如该图所示，基片运送机构5的机械臂机构52包括以各中央枢轴50的中心A为旋转轴的第一连杆机构53和第二连杆机构54。第一连杆机构53包括各自为直线形状的第一驱动臂531和第一从动机械臂532，第二连杆机构54包括各自为直线形状的第二驱动臂541和第二从动机械臂542。
第一从动机械臂532通过第一驱动臂531的前端部的关节部530与第一驱动臂531以彼此能够水平旋转的方式连结。另外，第二从动机械臂542通过第二驱动臂541的前端部的关节部540与第二驱动臂541以彼此能够水平旋转的方式连结。上述第一连杆机构53和第二连杆机构54彼此左右对称地配置。
中央枢轴50中设置有二重轴，该二重轴包括彼此同心地配置的内侧轴和设置于内侧轴的外侧的中空的外侧轴，内侧轴和外侧轴的一者与第一驱动臂531的根端侧连接，另一者与第二驱动臂541的根端侧连接。第一驱动臂531构成为能够以中央枢轴50的中心A为旋转轴由通过第一电机55旋转驱动，第二驱动臂541构成为能够以中央枢轴50的中心A为旋转轴由通过第二电机56旋转驱动。第一电机55和第二电机56是构成驱动部的装置。另外，第一电机55构成为与构成旋转角测量部的编码器551连接，将编码值(脉冲计数值)作为旋转角输出到后述的控制部7。旋转角是例如基片运送机构5被置于初期位置是时的编码器551的旋转位置所对应的旋转角。
在第一从动机械臂532和第二从动机械臂542的前端部安装有作为保持体的叉51。叉51包括大致U字形状的主体部511和用于支承主体部511的支承板512，主体部511由例如未图示的夹具(holder)等紧固部件连接到支承板512。叉51通过支承板512以能够水平旋转的方式分别与第一从动机械臂532的前端部和第二从动机械臂542的前端部连结。此时，第一从动机械臂532和叉51以及第二从动机械臂542和叉51通过共用的轴部57连结。
利用上述包括第一驱动臂531及第一从动机械臂532的第一连杆机构53和包括第二驱动臂541及第二从动机械臂542的第二连杆机构54，构成具有蛙腿式的双腕型机械臂机构52的基片运送机构5。叉51例如由陶瓷形成，机械臂机构52例如由铝形成。该基片运送机构5构成为，能够驱动第一电机55和第二电机56，以使左右的第一驱动臂531和第二驱动臂532同步水平旋转，叉51进退。
图3的(a)表示简略化的负载锁定室41和基片运送机构5收缩后的状态，图3的(b)表示基片运送机构5伸长后的状态。若从基片运送机构5收缩后的状态即初期状态起使第一驱动臂531和第二驱动臂541彼此反向水平旋转，则蛙腿式的机械臂机构52成为伸长后的伸长状态，叉51前进。另外，根据第一和第二驱动臂531、541的旋转角，来决定距中央枢轴50的中心A的进退量(进退距离)。另外，在图3的(a)所示的初期状态中，若使第一和第二驱动臂531、541向相同方向旋转，则叉51保持半径方向的位置一定而在中央枢轴50的周围旋转。中央枢轴50的中心A相当于基片运送机构5的旋转中心。
第一连杆机构53和第二连杆机构54构成为，例如如图3所示，能够相对于连结轴部57与中央枢轴50的旋转中心的直线L以彼此左右对称的方式运动，进行叉51的进退方向与直线L一致的伸缩动作。如此，中央枢轴50、第一电机55和第二电机56使第一驱动臂531和第二驱动臂541水平旋转驱动，使叉51进退移动。
另外，在基片运送机构5的叉51的特定部位设置有突出(kicker)部件58。突出部件58例如在俯视时形成为长方形，在支承板512的侧面，在使晶片W支承于叉51时不与晶片W干涉的位置，以向外侧突出的方式设置。
返回基片处理装置1继续进行说明，例如负载锁定室41～43在大致左右方向并排设置有多个(例如3个)。例如在左右方向的两侧的负载锁定室41、43与真空运送室31的边界，即向处理单元30运送(送入送出)晶片W的送入送出口44，在俯视看时在叉51的移动区域内设置有保持体检测部6，以检测突出部件58。保持体检测部6例如如图4所示，例如包括具有发光部61和感光部62的遮光型光传感器，发光部61和感光部62的一者设置于送入送出口44的上部，另一者设置于送入送出口44的下部，以形成垂直的光轴60。在该例子中，保持体检测部6和基片运送机构5的旋转中心A(中央枢轴50的中心A)的距离被设定为与负载锁定室41和负载锁定室43之间的距离彼此一致。
然后，使叉51通过负载锁定室41、43的送入送出口44而突出部件58遮挡光轴60的位置位于预先设定了特定部位的位置。在该例中，如图4和图5所示，测量突出部件58的行进方向前方的端面581和行进方向后方的端面582这两处，来识别突出部件58。这样一来，构成为，识别到突出部件58后，例如在端面581遮挡了光轴60时，检测到其位于预先决定了特定部位的位置，获得此时的例如第一电机55的编码值(脉冲计数值)作为驱动臂的旋转角的测量值。
并且，基片处理装置1具有控制部7。该控制部7包括例如计算机，例如如图5所示，包括CPU71、程序存储部72、存储器73。在该程序存储部72，存储着包括有命令(步骤组)的程序，以用于进行后述的真空处理和晶片的交接位置的校正。利用程序从控制部7向基片处理装置1的各部输出控制信号，从而控制各部的动作。该程序以收纳在例如硬盘、光盘、磁光盘或者存储卡等存储介质的状态存储于程序存储部。
校正晶片W的交接位置的程序构成为，能够执行：获取驱动臂的旋转角的测量值的步骤S1；求取旋转角的测量值的移动平均的步骤S2；和根据移动平均的值，求取驱动臂的旋转角的校正量的步骤S3。步骤S1为，以预先设定的时间间隔使叉51的突出部件58(特定部位)位于预先决定的位置，获取由保持体检测部6检测到突出部件58时的第一驱动臂531的旋转角的测量值(下面，作为“编码值”进行说明)的步骤。
另外，步骤S2为，基于由步骤S1获取的编码值的时序数据，求取对编码值预先设定的采样数的移动平均的步骤。步骤S3是根据移动平均的值(下面称为“移动平均值”)与作为基准旋转角的基准编码值的比较结果，对预先求出的驱动臂的电机的编码值求取校正量，以使得晶片W的交接位置成为基准位置的步骤。基准编码值为，基准温度为例如室温的基片运送机构5的叉51的突出部件58位于遮挡光轴60的位置时，相当于第一驱动臂531的旋转角的编码值。
另外，基准位置是指基准温度下的基片运送机构5的叉51对处理单元30交接晶片W的预先设定的交接位置。详细而言，在晶片W保持于叉51的适当位置时，为晶片W的中心相对于处理单元30的载置台的中心收敛于容许范围的水平距离的状态。作为基准温度的室温下的基片运送机构5是指基片运送机构5进入处理单元30内后没有加热经历的状态。
在这样的基片处理装置1中，利用晶片运送机械臂22取出载置于盒载置部20的盒C内的晶片W，并运送到3个负载锁定室41～43的任一者。然后，将负载锁定室41～43内从常压气氛开始抽真空成为真空气氛后，真空运送室31的基片运送机构5接收晶片W，并依次运送到规定的处理单元30。如后述那样，基片运送机构5校正了处理单元30中的叉51的晶片W的交接位置后，将晶片W交接到处理单元30。处理单元30在将晶片W加热到例如700℃的状态下对晶片W实施规定的真空处理。处理后的晶片W被基片运送机构5运送到3个负载锁定室41～43的任一者，并在将负载锁定室41～43从真空气氛调整到常压气氛后，由晶片运送机械臂22送回盒C。例如大气运送室21，负载锁定室41～43和真空运送室31成为与室温(例如23℃)相同的温度。
叉51的晶片W的交接位置的校正为，因温度变化而基片运送机构5的机械臂机构52的长度变化，与该长度的变化对应地进行的校正。如上所述，机械臂机构52由铝形成，发生热膨胀而机械臂容易伸长。在基片运送机构5为室温且机械臂机构52的长度未变化时，如上所述当检测到叉51的特定部位时的第一驱动臂531和第二驱动臂541的编码值为预先设定的值(基准编码值)。与之相反，当机械臂机构52的长度变化时，检测到特定部位时的第一驱动臂531和第二驱动臂541的编码值与基准编码值不同。如上所述，同步驱动第一电机55和第二电机56，分别使第一驱动臂531和第二驱动臂541水平旋转，因此通过测量检测到特定部位时的第一驱动臂531的旋转角，能够检测机械臂机构52由热膨胀引起的伸长。
通过在机械臂机构52存在伸长的基片运送机构5将晶片W运送到处理单元30时，晶片W的交接位置从基准位置移位。本发明者掌握了如下情况：单臂机械臂机构需要对应机械臂伸长率Gr与该机械臂伸长率Gr下的晶片W的位移量，而蛙腿式的双腕型机械臂机构52不一定需要对应机械臂伸长率Gr与该机械臂伸长率Gr下的晶片W的位移量。
机械臂伸长率Gr是通过(旋转角的测量值)/(基准旋转角)求取的值，旋转角的测量值(编码值)是由保持体检测部6检测到基片运送机构5的叉51的突出部件58时的第一驱动臂531的旋转角的测量值。另外，晶片W的位移量是指晶片W的交接位置从基准位置移位的量，在基片运送机构5为基准温度时，位移量为0。
对于其理由，认为是蛙腿式的双腕型机械臂机构52中，两个机械臂热膨胀而推拉关节部530、540的现象，除了热膨胀导致的伸长之外，还有发生挤压变形或者引拉变形的缘故。实际上，在求出使基片运送机构5运转而从基准温度(室温)升温时的机械臂伸长率Gr与位移量的关系时，得到了图6所示的结果。图中横轴为机械臂伸长率Gr，纵轴为位移量，由+号表示基片运送机构5升温时的实测值，由实线表示模拟结果。
当基片运送机构5运转时，叉51进入被加热的处理单元30，由此基片运送机构5逐渐升温到一定温度。实测值是对基片运送机构5摄像并测量而得的值。在图6中，B1表示基片运送机构5为作为基准温度的室温的时候，B2表示基片运送机构5为最高的温度的时候，当基片运送机构5升温到B2的温度时，基片运送机构5在运转中收敛在该温度。
另外，基片运送机构5成为空转状态而降温时的模拟结果由点划线表示。空转状态是指基片处理装置1处于运转中且基片运送机构5在起始位置待机的状态，基片运送机构5处于该状态时被置于室温的真空运送室31中，因此逐渐降温。当空转状态较长时，基片运送机构5降温至作为基准温度的室温，与之相伴消除机械臂的伸长。如此，通过空转，基片运送机构5若回到作为基准温度的室温，则成为进入了处理单元30内而没有加热的经历的状态。
升温时的实测值与模拟结果大致一致，模拟结果的可靠性较高，因此基于模拟结果进行说明，升温时与降温时的机械臂伸长率Gr与位移量的关系彼此不同。对于其理由，如下面那样进行考量。即，当由基片运送机构5将晶片W运送到处理单元30时，保持着晶片W的叉51进入被加热了的处理单元30内，因此基片运送机构5从叉51侧(机械臂机构52的前端侧)被加热而升温。
另一方面，当叉51退出真空运送室31时，该真空运送室31为室温因此被冷却，而此时基片运送机构5整体被冷却。如此，当升温时，从机械臂机构52的前端侧开始温度上升，与之相反，当降温时，成为基片运送机构5整体一同被冷却的状态，因此能够推测出，在升温时与降温时之间，关节部530、540的推拉量变化，位移量发生差异。
并且，掌握了这样的情况：在装置的运转开始初期，或者在基片运送机构5长时间待机后，基片运送机构5再次开始运送动作的情况下，切换到冷却状态(变到室温)的基片运送机构5逐渐升温时，存在与一般的单臂机械臂不同的动作。即，在基片运送机构5比起位于处理单元30的交接位置时退缩的状态下，存在从室温稍稍升温，从而第一连杆机构53和第二连杆机构54伸长，相对于其伸长的变化，上述交接位置的偏移缓慢地现象。因此，仅单纯使用第一驱动臂531的旋转角的测量值，难以精度优良地校正对处理单元30的晶片W的交接位置。
由于这样的情况，在本发明中，获取旋转角的测量值的时序数据并求取其移动平均值，基于此求出第一驱动臂531的旋转角的校正量。下面，具体进行说明。通过执行上述的步骤S1～步骤S3来进行交接位置的校正。首先，按照预先设定的时间间隔，获取由保持体检测部6检测到突出部件58时的第一驱动臂531的旋转角的测量值(编码值)。预先设定的时间间隔为例如基片运送机构5的叉51从真空运送室31进入负载锁定室41、43的时刻，例如为1分钟的间隔。此外，预先设定的时间间隔是根据方案条件而设定的间隔，不必限于此。
然后，基于获得的编码值的时序数据，求取预先设定的采样数的移动平均。例如将预先设定的采样数设为25时，例如如后述那样，在控制部7设置移动平均计算用的存储区域，获取被写入存储区域的25个编码值的平均值，将其作为移动平均值。
在例如室温下的基片运送机构5开始运转的初期，时序数据的数量不够预先设定的采样数时，分配为基准编码值或者与该基准编码值接近的值，作为不足的采样数的编码值。与基准编码值接近的值是指基准编码值例如+0.2％以下的值。
具体而言，使用图7，以如下情况为例进行说明：经过空转状态而降温至基准温度(室温)的基片运送机构5开始运转，采样数为零(不足的采样数为25个)，分配为与基准编码值接近的值，作为编码值。在运转开始后，首先基片运送机构5的叉51从负载锁定室41(43)取出晶片W，将由保持体检测部6检测到突出部件58的时间点设为T0，在T0时读取编码值，使用该编码值E(0)来校正处理单元30内的载置位置。此时，如图7所示，在移动平均计算用的存储区域的地址M0中写入E(0)。在下一检测时刻T1读出编码值，但是忽略该值，使用E(0)来校正载置位置，在移动平均计算用的存储区域的地址M1中写入E(0)。进行同样的处理，直到检测时刻T24为止。
在基片运送机构5开始运转的初期，由于接近作为基准温度的室温，因此机械臂机构52不发生伸长，编码值为基准编码值，而假设例如未完全降至室温，则存在与基准编码值有少许不同的情况，因此求出T0时的编码值E(0)。由于基片运送机构5接近基准温度，因此该T0时的编码值E(0)为例如基准旋转角(基准编码值)+0.2％以下的值。如此，直至开始运转的初期的检测时刻T0～T24，在移动平均计算用的存储区域的地址M0～M24中写入初次的编码值E(0)，作为它们的平均的移动平均值成为E(0)。开始运转的初期是指例如运转开始后15分钟期间。
然后，在第26次的检测时刻T25，写入实际的编码值E(25)，获取移动平均值。另外，对于检测时刻T26之后，与检测时刻T25相同，在检测时刻T49之后，在上述地址M0～M25中全部写入实际测量的编码值，基于此获取移动平均值。
接着，在步骤S3中，根据获得的移动平均值与基准编码值的比较结果，对预先求出的第一驱动臂531的旋转角求取校正量，以使得晶片W的交接位置成为基准位置。移动平均值与基准编码值的比较结果是指例如旋转角的差。然后，如图3的(b)、(c)所示，基于例如该旋转角的差、从基片运送机构5的旋转中心A(中央枢轴50的中心A)至上述预先决定的位置的距离L1和从基片运送机构5的旋转中心A至叉51位于晶片W的基准位置时的突出部件58的距离L0，来求取校正量。
其理由为：存在从基片运送机构5的旋转中心A至多个处理单元30的晶片W的基准位置的距离按处理单元30而不同的情况。因此，相对于旋转角θ的变化的sinθ的变化量不同，因此例如根据距离L0而从预先试验中掌握了系数，使用该系数对预先求出的第一驱动臂531的旋转角求取校正量，使得晶片W的交接位置成为基准位置。因此，在控制部7预先按照处理单元30存储有利用距离L0和距离L1来求出的系数。此外，在该例中，从基片运送机构5的旋转中心A(中央枢轴50的中心A)至上述预先决定的位置的距离L1在负载锁定室41与负载锁定室43之间彼此一致。
如此，使用求出的校正量，来校正驱动第一驱动臂531的第一电机55和驱动第二驱动臂541的第二电机56的旋转角。然后，在基片运送机构5将晶片W交接到对应的处理单元30时，校正交接位置以向处理单元30交接晶片W。接着，在基片运送机构5再次从负载锁定室41(43)接收晶片W时，如上所述，读取第一驱动臂55的编码值，求取移动平均值以获取校正量，使用该校正量校正交接位置，以将晶片W交接到处理单元30。
根据上述的实施方式，当由所谓的蛙腿式的基片运送机构5将晶片W运送到处理单元30时，求取驱动臂的编码值的移动平均，并基于此来求取驱动臂的旋转角的校正量，使得对处理单元30的基片的交接位置成为基准位置。在基片运送机构5中，由于左右对称地设置有连杆机构，因此在升温时和降温时，驱动臂的旋转角的测量值与机械臂的伸长的对应关系不同。因此，通过采用移动平均，能够反映基片运送机构5的热经历，上述校正量的可靠性变高，因此能够精度优良地将晶片W运送到处理单元30中的晶片W的交接位置。假设在未获取移动平均值的情况下，从后述的实施例可明了，在室温的基片运送机构5的开始运转的初期，晶片W的交接位置从基准位置移位的位移量的偏移变大。
另外，在室温下的基片运送机构5开始运转的初期，时序数据的数量不够预先设定的采样数时，将基准编码值或者与该基准编码值接近的值分配为不足的采样数的编码值。在基片运送机构5开始运转的初期，如图6所示，位移量对机械臂伸长率较小，不过将基准编码值或者与该基准编码值接近的值分配为不足的采样数的编码值，从而较小地换算机械臂伸长率，以使校正量变小，能够抑制位移量的偏移。
以上，对于将基准编码值分配为不足的采样数的编码值的情况，也同样进行上述的方法。此外，上述的例子为一例，也可以在检测时刻T0填入基准编码值或者与基准编码值接近的值，在检测时刻T1之后，写入实际测量的编码值。
此外，也可以在基片运送机构5从处理单元30内退出而待机之后，处于高于室温的状态的基片运送机构5再次开始运送动作时，在待机中的时序数据不存在时，将根据待机前获得的编码值求出的值分配为时序数据。待机前获得的编码值也可以为例如根据图6所示的模拟结果求出的值。
以上，构成叉51的特定部位的突出部件58的形状、设置位置不限于上述的例子，保持体检测部6的形状、设置位置不限于上述的例子。另外，也可以在作为叉51的特定部位形成透孔，光轴透过该透孔时，检测到特定部位位于预先决定的位置，求取驱动臂的旋转角。另外，根据旋转角的移动平均值与基准旋转角的比较结果来求取校正量的步骤中，也可以代替根据旋转角的差来求取校正量，而根据移动平均值与基准旋转角的比率(机械臂伸长率)来求取校正量。而且，在上述的例子中，作为驱动臂的旋转角，求出第一驱动臂531的旋转角，不过也可以为第二驱动臂532的旋转角，也可以获取第一驱动臂531、第二驱动臂532这两者的旋转角。
另外，基片运送机构5不限于图2的构成，左右对称地配置有2个由可水平旋转地彼此连结的驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构，保持体可水平旋转地连结在各从动机械臂的前端部，由驱动部使左右的驱动臂同步水平旋转，从而能够应用于使保持基片的保持体进退的基片运送机构。另外，本发明的基片处理不限于真空处理，也能够应用于如下的基片处理装置，其包括在对基片进行了加热的状态下处理基片处理单元和用于将基片运送到该处理单元的基片运送机构。
(评价试验)
图8表示：实际上，在基片处理装置1中，室温下的基片运送机构5开始运转，对由保持体检测部6检测到叉51的突出部件58时的第一驱动臂531的旋转角的测量值，如上述那样求取移动平均来进行了校正时的数据。图8中实线为求取采样数为25个的移动平均值，进行了晶片W的交接位置的校正时的数据，图8中点划线为不求取移动平均值而进行了校正时的数据。图8中横轴表示时间，纵轴表示晶片W的交接位置的位移量。
其结果，认识到虽然基片运送机构5开始运转初期，数据存在偏差，不过随着时间经过而位移量逐渐收敛。这是由于如下缘故：开始运转初期，基片运送机构5被加热而升温，因此温度变化显著，机械臂发生伸长，而随着时间经过，机械臂收敛到某一温度，因此不发生此以上的机械臂的伸长。而且，基于移动平均值的校正在从开始运转至时刻S1为止的开始运转的初期尤其有效，能够理解通过进行该校正，运转开始时的位移量的偏移变小。另一方面，在不获取移动平均值而进行了校正时，开始运转时的位移量较大地偏离于0，能够认识到位移量较大，能够理解基于本发明的移动平均值的校正是有效的。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
基片运送机构，其左右对称地配置有2个由可水平旋转地彼此连结的驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构，保持体可水平旋转地连结在左右的连杆机构的各从动机械臂的前端部，能够由驱动部使左右的驱动臂同步地水平旋转，而使保持基片的保持体进退；
能够利用所述基片运送机构进行基片的交接，在对基片进行了加热的状态下处理所述基片的处理单元；
测量所述驱动臂的旋转角的旋转角测量部；
用于检测所述保持体的特定部位位于预先决定的位置的保持体检测部；和
控制部，其执行：
按预先设定的时间间隔使所述保持体的特定部位位于所述预先决定的位置，获取在由所述保持体检测部检测到所述特定部位时的驱动臂的旋转角的测量值的步骤；
基于在上述步骤中获得的所述旋转角的测量值的时序数据，求取对所述旋转角的测量值预先设定的采样数的移动平均的步骤；和
根据所述移动平均的值与基准旋转角的比较结果，对预先求出的驱动臂的旋转角求取校正量，以使得基片的交接位置成为基准位置的步骤，其中，所述基准旋转角是基准温度下的所述基片运送机构的保持体的特定部位位于所述预先决定的位置时的驱动臂的旋转角，所述基片的交接位置是基准温度下的所述基片运送机构的保持体对所述处理单元交接基片的交接位置。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
在求取所述校正量的步骤中，基于所述移动平均的值与所述基准旋转角的比较结果、从所述基片运送机构的旋转中心至所述预先决定的位置的距离和从所述基片运送机构的旋转中心至所述保持体位于基片的交接位置时的所述特定部位的距离，来求取所述校正量。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基准温度为室温。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
在室温下的所述基片运送机构开始运转的初期，所述时序数据的数量不够预先设定的采样数时，分配所述基准旋转角或者与该基准旋转角接近的值，作为不足的采样数的旋转角的测量值。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述基片运送机构从处理单元内退出并待机后，处于比室温高的状态下的基片运送机构再次开始运送动作时，在待机中的所述时序数据不存在的情况下，分配基于在待机前获得的旋转角的测量值求出的值，作为时序数据。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
进行常压气氛与真空气氛的切换，具有载置基片的载置部的负载锁定室；和
与所述负载锁定室气密地连接，配置有所述基片运送机构的真空运送室，
所述处理单元是用于对基片进行真空处理的处理单元，与所述真空运送室气密地连接。
7.一种基片处理装置的运转方法，其使包括基片运送机构和处理单元的基片处理装置运转，其中，
所述基片运送机构左右对称地配置有2个由可水平旋转地彼此连结的驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构，保持体可水平旋转地连结在左右的连杆机构的各从动机械臂的前端部，能够由驱动部使左右的驱动臂同步水平旋转，而使保持基片的保持体进退，
所述处理单元能够利用所述基片运送机构进行基片的交接，在对基片进行了加热的状态下处理所述基片，
所述基片处理装置的运转方法的特征在于，包括：
按预先设定的时间间隔使所述保持体的特定部位位于所述预先决定的位置，获取由保持体检测部检测到所述特定部位时的驱动臂的旋转角的测量值的步骤；
基于在上述步骤中获得的所述旋转角的测量值的时序数据，求取对所述旋转角的测量值预先设定的采样数的移动平均的步骤；和
根据所述移动平均的值与基准旋转角的比较结果，对预先求出的驱动臂的旋转角求取校正量，以使得基片的交接位置成为基准位置的步骤，其中，所述基准旋转角是基准温度下的所述基片运送机构的保持体的特定部位位于所述预先决定的位置时的驱动臂的旋转角，所述基片的交接位置是基准温度下的所述基片运送机构的保持体对所述处理单元交接基片的交接位置。
CN201811553853.2A 2017-12-22 2018-12-19 基片处理装置和基片处理装置的运转方法 Active CN110034044B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-246820 2017-12-22
JP2017246820A JP6958338B2 (ja) 2017-12-22 2017-12-22 基板処理装置及び基板処理装置の運転方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110034044A true CN110034044A (zh) 2019-07-19
CN110034044B CN110034044B (zh) 2023-06-06

Family

ID=66950749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811553853.2A Active CN110034044B (zh) 2017-12-22 2018-12-19 基片处理装置和基片处理装置的运转方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10872797B2 (zh)
JP (1) JP6958338B2 (zh)
KR (1) KR102127577B1 (zh)
CN (1) CN110034044B (zh)
TW (1) TW201939656A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102361724B1 (ko) * 2020-07-20 2022-02-11 주식회사 싸이맥스 고속데이터 래치모듈 및 고속데이터 래치모듈의 이송로봇에 형성된 회전축을 얼라이너 시키는 방법
JP2022041221A (ja) * 2020-08-31 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムの制御方法及び基板搬送システム
JP7433180B2 (ja) * 2020-09-23 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 搬送装置およびロボットアームのティーチング方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080229811A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
JP2010056161A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Yaskawa Electric Corp 基板搬送システム
CN102072698A (zh) * 2009-11-17 2011-05-25 株式会社日立制作所 旋转角测量装置
CN102881618A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板处理系统和基板搬送方法
US20130180448A1 (en) * 2011-07-15 2013-07-18 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device and substrate processing system
CN103247558A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN103247560A (zh) * 2012-02-07 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法和存储介质
US20130216335A1 (en) * 2010-09-16 2013-08-22 Sankyo Seisakusho Corporation Transfer device, substrate processing system and posture control unit
CN106992137A (zh) * 2015-12-03 2017-07-28 东京毅力科创株式会社 搬送装置和校正方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08202421A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Ulvac Japan Ltd ロボット制御方法
US20040075822A1 (en) * 1998-07-03 2004-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and its making method, substrate carrying method, device manufacturing method and device
JP3306398B2 (ja) * 1999-11-29 2002-07-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置および搬送教示システム
US7457680B2 (en) * 2000-12-27 2008-11-25 Tokyo Electron Limited Conveyance method for transporting objects
US7107125B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the position of a semiconductor processing robot
JP5412260B2 (ja) * 2009-12-10 2014-02-12 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け方法およびこれを用いた装置
JP6276053B2 (ja) * 2014-02-13 2018-02-07 東京エレクトロン株式会社 プローバ
KR20160055010A (ko) * 2014-11-07 2016-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송 로봇 및 그 제어 방법
WO2017011581A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Brooks Automation, Inc. On the fly automatic wafer centering method and apparatus
JP6663774B2 (ja) * 2016-03-30 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板処理システム

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080229811A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
JP2010056161A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Yaskawa Electric Corp 基板搬送システム
CN102072698A (zh) * 2009-11-17 2011-05-25 株式会社日立制作所 旋转角测量装置
US20130216335A1 (en) * 2010-09-16 2013-08-22 Sankyo Seisakusho Corporation Transfer device, substrate processing system and posture control unit
CN102881618A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板处理系统和基板搬送方法
US20130180448A1 (en) * 2011-07-15 2013-07-18 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device and substrate processing system
CN103247560A (zh) * 2012-02-07 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法和存储介质
CN103247558A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN106992137A (zh) * 2015-12-03 2017-07-28 东京毅力科创株式会社 搬送装置和校正方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10872797B2 (en) 2020-12-22
CN110034044B (zh) 2023-06-06
JP2019114655A (ja) 2019-07-11
JP6958338B2 (ja) 2021-11-02
KR20190076871A (ko) 2019-07-02
KR102127577B1 (ko) 2020-06-26
US20190198369A1 (en) 2019-06-27
TW201939656A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110034044A (zh) 基片处理装置和基片处理装置的运转方法
KR101896796B1 (ko) 반송 장치 및 보정 방법
JP4696373B2 (ja) 処理システム及び被処理体の搬送方法
JP5940342B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体
JP2006351884A (ja) 基板搬送機構及び処理システム
TWI309070B (zh)
JP6248372B2 (ja) プローバ
JP6574715B2 (ja) 基板搬送方法及び基板処理システム
TW201314827A (zh) 搬送車
TW201707900A (zh) 同步自動晶圓定心方法及設備
CN107646139A (zh) 用于使基材在结合之前对准的方法
JP2017183483A (ja) 基板搬送方法及び基板処理システム
JP2017152641A (ja) 搬送ユニット及びプローバ
SG185017A1 (en) Method for aligning semiconductor materials
TW588428B (en) Moving method and moving device of square plate-like working piece
JP6011900B1 (ja) プローバ
JP2000071187A (ja) ワーク搬送ロボット
KR20220090424A (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR101849755B1 (ko) 냉각 장치
KR102638031B1 (ko) 제어 방법 및 기판 반송 시스템
KR20230091015A (ko) 검출 시스템, 검출 방법 및 기억 매체
KR20240004944A (ko) 반송 장치 및 팽창량 산출 방법
KR20180013737A (ko) 기판 반송 로봇, 진공 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant