KR102127577B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판을 기판 반송 기구에 의해 처리 모듈에서의 기판의 전달 위치에 고정밀도로 반송하는 것이다. 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치한, 소위 프로그 레그식의 기판 반송 기구에 의해 기판인 웨이퍼를 처리 모듈에 반송하는데 있어서, 구동 암의 회전각의 계측값의 이동 평균을 구하고, 이것에 기초하여, 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록, 구동 암의 회전각의 보정량을 구한다. 이동 평균을 취함으로써, 기판 반송 기구의 열 이력을 반영시킬 수 있고, 보정량의 신뢰성이 높아지기 때문에, 처리 모듈에서의 웨이퍼의 전달 위치에 웨이퍼를 고정밀도로 반송할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF OPERATING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 반송 기구에 의해 기판을 처리 모듈에 반송하고, 당해 처리 모듈에서 기판을 가열한 상태에서 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스나 액정 패널 등의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 기판이나 액정용 기판과 같은 기판에 대한 성막 처리, 에칭 처리, 산화 처리 등의 각종 처리가, 개별의 처리 용기 내에서 행하여진다. 기판을 처리 용기에 대하여 반출입시킬 때는, 통상, 기판을 보유 지지하는 보유 지지 부재를 구비한 반송 장치가 사용된다. 특허문헌 1에는, 링크 암이 접속된 구동 암을 좌우 대칭으로 배치한 구성의 소위 프로그 레그식의 다관절 암이 개시되어 있다. 이 프로그 레그식의 다관절 암은, 타이밍 벨트를 사용하지 않는 구성이며, 진공 처리나 열처리에 적합하다.
기판을 처리 용기에 대하여 반출입할 때, 반송 장치는 처리 용기 내의 열에 노출되어 열팽창하기 때문에, 반송 장치의 위치 정보를 취득하여, 처리 용기 내에서의 기판의 전달 위치의 위치 정렬을 행할 필요가 있다. 특히 암은, 재질로서 경량화나 범용성과 같은 관점에서, 알루미늄이 사용되는 것이 일반적이며, 세라믹 등으로 이루어지는 보유 지지 부재에 비해, 열팽창 계수가 커서, 위치 정렬에는 암의 신장이나 변형을 고려하는 것이 중요하다고 생각된다.
보유 지지 부재를 구비한 반송 장치를 사용하여, 기판을 처리 용기 내의 원하는 위치에 전달하기 위해서, 다양한 위치 정렬 기술이 창안되어 있다. 특허문헌 2에는, 열처리를 행하는 진공 처리 유닛에, 보유 지지 부재를 1개의 암에 의해 지지하는 외팔형 다관절 암에 의해 기판을 반입하는 구성에 있어서, 상온에서의 기판의 기준 위치로부터의 위치 어긋남을 산출하고, 이 위치 어긋남을 보정해서 기판을 진공 처리 유닛에 반입하는 기술이 기재되어 있다. 이에 의해, 다관절 암이나 보유 지지 부재의 열팽창에 수반하는 위치 어긋남을 보정할 수 있으므로, 기판의 위치 정밀도가 향상된다.
그러나, 특허문헌 2에 기재된 기술에서 사용되는 반송 암은, 외팔형 다관절 암이며, 보유 지지 부재를 좌우 대칭의 2개의 링크 기구에 의해 지지하는 프로그 레그식의 양팔형 암을 구비한 반송 장치에 대해서, 그 형상을 고려한 위치 정렬은 현재 행하여지지 않고 있는 것이 실정이다.
일본 특허 공개 제2012-61568호 공보 일본 특허 공개 제2013-42112호 공보(단락 0040, 도 4 등)
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치한, 소위 프로그 레그식의 기판 반송 기구에 의해 기판을 처리 모듈에 반송하고, 처리 모듈에서 기판을 가열한 상태에서 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 처리 모듈에서의 기판의 전달 위치에 기판을 고정밀도로 반송하는 기술을 제공하는 데 있다.
이를 위해서, 본 발명의 기판 처리 장치는,
서로 수평 회전 가능하게 연결된 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치하고, 좌우의 링크 기구의 각 종동 암의 선단부에 수평 회전 가능하게 보유 지지체를 연결하여, 좌우의 구동 암을 구동부에 의해 동기해서 수평 회전시킴으로써, 기판을 보유 지지하는 보유 지지체를 진퇴시키는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행하여져, 기판을 가열한 상태에서 처리하는 처리 모듈과,
상기 구동 암의 회전각을 계측하는 회전각 계측부와,
상기 보유 지지체의 특정 부위가 미리 정한 개소에 위치하고 있는 것을 검출하기 위한 보유 지지체 검출부와,
미리 설정한 시간 간격으로 상기 보유 지지체의 특정 부위를 상기 미리 정한 개소에 위치시켜, 상기 보유 지지체 검출부에 의해 상기 특정 부위가 검출되었을 때의 구동 암의 회전각의 계측값을 취득하는 스텝과, 상기 스텝에서 취득된 상기 회전각의 계측값의 시계열 데이터에 기초하여 상기 회전각의 계측값에 대해서 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구하는 스텝과, 상기 이동 평균의 값과 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 특정 부위가 상기 미리 정한 개소에 위치하고 있을 때의 구동 암의 회전각인 기준 회전각의 비교 결과에 따라, 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 상기 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 구동 암의 회전각에 대하여 보정량을 구하는 스텝을 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 기판 처리 장치의 운전 방법은,
서로 수평 회전 가능하게 연결된 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치하고, 좌우의 링크 기구의 각 종동 암의 선단부에 수평 회전 가능하게 보유 지지체를 연결하여, 좌우의 구동 암을 구동부에 의해 동기해서 수평 회전시킴으로써, 기판을 보유 지지하는 보유 지지체를 진퇴시키는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행하여져, 기판을 가열한 상태에서 처리하는 처리 모듈을 구비한 기판 처리 장치를 운전하는 방법에 있어서,
미리 설정한 시간 간격으로 상기 보유 지지체의 특정 부위를 상기 미리 정한 개소에 위치시켜, 보유 지지체 검출부에 의해 상기 특정 부위가 검출되었을 때의 구동 암의 회전각의 계측값을 취득하는 공정과,
상기 공정에서 취득된 상기 회전각의 계측값의 시계열 데이터에 기초하여 상기 회전각의 계측값에 대해서 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구하는 공정과,
상기 이동 평균의 값과 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 특정 부위가 상기 미리 정한 개소에 위치하고 있을 때의 구동 암의 회전각인 기준 회전각의 비교 결과에 따라, 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 상기 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 구동 암의 회전각에 대하여 보정량을 구하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치한, 소위 프로그 레그식의 기판 반송 기구에 의해 기판을 처리 모듈에 반송하는데 있어서, 구동 암의 회전각의 계측값의 이동 평균을 구하고, 이것에 기초하여, 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록, 구동 암의 회전각의 보정량을 구하고 있다. 이동 평균을 취함으로써, 기판 반송 기구의 열 이력을 반영시킬 수 있어, 상기 보정량의 신뢰성이 높아지기 때문에, 처리 모듈에서의 기판의 전달 위치에 기판을 고정밀도로 반송할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 도시하는 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치에 설치되는 기판 반송 기구의 일 실시 형태를 도시하는 사시도이다.
도 3은 기판 반송 기구의 작용을 도시하는 평면도이다.
도 4는 보유 지지체 검출부와 보유 지지체와 특정 부위를 도시하는 측면도이다.
도 5는 기판 반송 기구와 제어부를 도시하는 구성도이다.
도 6은 기판 반송 기구의 암 신장률과 웨이퍼의 전달 위치의 변위량의 관계를 도시하는 특성도이다.
도 7은 구동 암의 회전각의 계측값의 시계열 데이터를 도시하는 특성도이다.
도 8은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다. 도 1은, 본 발명의 기판 처리 장치(1)의 일 실시 형태를 도시하는 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)(W)의 반출입을 카세트(C) 단위로 행하는 카세트 스테이션(2)과, 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 스테이션(3)을 갖고 있다. 카세트 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은, 로드 로크실(41 내지 43)을 통해서 일체로 접속된 구성으로 되어 있다. 로드 로크실(41 내지 43)은, 상압 분위기와 진공 분위기의 전환이 행하여지도록 구성되고, 웨이퍼(W)를 적재하는 적재부(40)를 구비하고 있다.
카세트 스테이션(2)은, 카세트 적재부(20)와, 카세트 적재부(20)에 인접해서 설치된 반송실(21)을 구비하고 있다. 카세트 적재부(20)에는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)를 X 방향(도 1 중의 좌우 방향)으로, 복수, 예를 들어 3개 배열해서 적재할 수 있다. 반송실(21)에는, 상하 방향, 좌우 방향 및 연직축 주위로 이동 가능하게 구성된 웨이퍼 반송 암(22)이 설치되어 있고, 반송실(21)의 X 방향 부방향측의 단부에는, 웨이퍼(W)의 노치 등을 인식해서 웨이퍼(W)의 위치 결정을 행하는 얼라인먼트 장치(23)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 암(22)은, 카세트 적재부(20)의 카세트(C)와, 로드 로크실(41 내지 43)과, 얼라인먼트 장치(23)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.
처리 스테이션(3)은, 웨이퍼(W)를 처리하는 복수, 예를 들어 4개의 처리 모듈(30)과, 다각 형상(도시한 예에서는 육각 형상)의 진공 반송실(31)을 구비하고 있다. 각 처리 모듈(30)은, 각각 도시하지 않은 적재대에 웨이퍼(W)를 적재하고, 이 웨이퍼(W)를 가열한 상태에서 진공 처리를 행하는 것이며, 진공 반송실(31)의 주위를 둘러싸도록 배치되어, 각각 진공 반송실(31)에 기밀하게 접속되어 있다. 또한, 진공 반송실(31)은 로드 로크실(41 내지 43)에 기밀하게 접속되어 있다.
진공 반송실(31) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 기판 반송 기구(5)가 설치되어 있다. 기판 반송 기구(5)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 보유 지지체로서의 포크(51)와, 선회 및 신축 가능한 암 기구(52)를 구비하고, 웨이퍼(W)를 로드 로크실(41 내지 43)과, 진공 반송실(31)과, 처리 모듈(30)의 사이에서 반송하도록 구성되어 있다. 또한, 도 1에는 암 기구(52)가 진공 반송실(31)의 중앙에 1개만 설치되는 경우를 도시했지만, 복수의 암 기구(52)가 설치되어도 된다.
이하, 도 2를 참조하여 기판 반송 기구(5)의 상세한 구성에 대해서 설명한다. 도 2는 기판 반송 기구(5)의 개략 사시도이며, 이 도에 도시하는 바와 같이, 기판 반송 기구(5)의 암 기구(52)는, 각각 중앙 허브(50)의 중심(A)을 회전축으로 하는 제1 링크 기구(53) 및 제2 링크 기구(54)를 구비하고 있다. 제1 링크 기구(53)는, 각각 직선 형상의 제1 구동 암(531) 및 제1 종동 암(532)을 구비하고, 제2 링크 기구(54)는, 각각 직선 형상의 제2 구동 암(541) 및 제2 종동 암(542)을 구비하고 있다.
제1 종동 암(532)은, 제1 구동 암(531)의 선단부의 관절부(530)를 통해서 제1 구동 암(531)과 서로 수평 회전 가능하게 연결되어 있다. 또한, 제2 종동 암(542)은, 제2 구동 암(541)의 선단부의 관절부(540)를 통해서 제2 구동 암(541)과 서로 수평 회전 가능하게 연결되어 있다. 이들 제1 링크 기구(53) 및 제2 링크 기구(54)는, 서로 좌우 대칭으로 배치되어 있다.
중앙 허브(50)에는, 서로 동심으로 배치된, 내측 축과, 내측 축의 외측에 설치된 중공의 외측 축으로 이루어지는 이중 축이 설치되어 있고, 내측 축 및 외측 축의 한쪽에 제1 구동 암(531)의 기단측, 다른 쪽에 제2 구동 암(541)의 기단측이 각각 접속된다. 제1 구동 암(531)은 제1 모터(55), 제2 구동 암(541)은 제2 모터(56)에 의해, 각각 중앙 허브(50)의 중심(A)을 회전축으로 해서 회전 구동되도록 구성되어 있다. 제1 모터(55) 및 제2 모터(56)는 구동부를 이루는 것이다. 또한, 제1 모터(55)에는 회전각 계측부를 이루는 인코더(551)가 접속되어, 인코더값(펄스 계수값)을 회전각으로서 후술하는 제어부(7)에 출력하도록 구성되어 있다. 회전각이란, 예를 들어 기판 반송 기구(5)가 홈 위치에 놓여 있을 때의 인코더(551)의 회전 위치에 대한 회전각이다.
제1 종동 암(532) 및 제2 종동 암(542)의 선단부에는, 보유 지지체로서의 포크(51)가 설치되어 있다. 포크(51)는, 대략 U자 형상의 본체부(511)와, 본체부(511)를 지지하는 지지 플레이트(512)를 갖고 있으며, 본체부(511)는, 예를 들어 도시하지 않은 볼트 등의 체결 부재에 의해 지지 플레이트(512)에 접속되어 있다. 포크(51)는, 지지 플레이트(512)를 통해서 제1 종동 암(532)의 선단부 및 제2 종동 암(542)의 선단부에 각각 수평 회전 가능하게 연결되어 있다. 이때, 제1 종동 암(532) 및 포크(51)와, 제2 종동 암(542) 및 포크(51)는, 공통의 축부(57)에 의해 각각 연결된다.
이들 제1 구동 암(531) 및 제1 종동 암(532)으로 이루어지는 제1 링크 기구(53)와, 제2 구동 암(541) 및 제2 종동 암(542)으로 이루어지는 제2 링크 기구(54)에 의해, 프로그 레그식의 양팔형 암 기구(52)를 구비한 기판 반송 기구(5)가 구성된다. 포크(51)는 예를 들어 세라믹에 의해, 암 기구(52)는 예를 들어 알루미늄에 의해 각각 구성되어 있다. 이 기판 반송 기구(5)에서는, 제1 모터(55) 및 제2 모터(56)를 구동함으로써, 좌우의 제1 구동 암(531) 및 제2 구동 암(541)이 동기해서 수평 회전하여, 포크(51)가 진퇴하도록 구성되어 있다.
도 3의 (a)에, 간략화한 로드 로크실(41)과, 기판 반송 기구(5)가 수축한 상태를 도시하고, 도 3의 (b)에 기판 반송 기구(5)가 신장된 상태를 도시한다. 기판 반송 기구(5)가 수축된 상태인 초기 상태로부터 제1 및 제2 구동 암(531, 541)을 서로 역방향으로 수평 회전시키면, 프로그 레그식의 암 기구(52)가 신장된 신장 상태가 되어, 포크(51)가 전진한다. 또한, 제1 및 제2 구동 암(531, 541)의 회전각에 따라, 중앙 허브(50)의 중심(A)으로부터의 진퇴량(진퇴 거리)이 정해진다. 또한, 도 3의 (a)에 도시하는 초기 상태에 있어서, 제1 및 제2 구동 암(531, 541)을 동일한 방향으로 회전시키면, 포크(51)가 반경 방향의 위치를 일정하게 한 채 중앙 허브(50)의 주위를 회전한다. 중앙 허브(50)의 중심(A)은 기판 반송 기구(5)의 회전 중심에 상당한다.
제1 링크 기구(53)와, 제2 링크 기구(54)는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 축부(57)와 중앙 허브(50)의 회전 중심을 연결하는 직선(L)에 대하여 서로 좌우 대칭이 되도록 움직여서, 포크(51)의 진퇴 방향이 직선(L)에 정렬되도록 신축 동작이 행하여지게 구성된다. 이렇게 해서, 중앙 허브(50), 제1 및 제2 모터(55, 56)는, 제1 구동 암(531) 및 제2 구동 암(541)을 수평 회전 구동시켜, 포크(51)를 진퇴 이동시키는 구성으로 되어 있다.
또한, 기판 반송 기구(5)에서의 포크(51)의 특정 부위에는, 키커 부재(58)가 설치되어 있다. 키커 부재(58)는, 예를 들어 평면적으로 보아 직사각형으로 형성되고, 지지 플레이트(512)의 측면에, 포크(51)에 웨이퍼(W)를 지지시켰을 때 웨이퍼(W)와 간섭하지 않는 위치에, 외측으로 돌출되도록 설치되어 있다.
기판 처리 장치(1)로 돌아가서 설명을 계속하면, 예를 들어 로드 로크실(41 내지 43)은 대략 좌우 방향으로 복수개, 예를 들어 3개 나란히 설치되어 있다. 예를 들어 좌우 방향의 양측의 로드 로크실(41, 43)과 진공 반송실(31)의 경계이며, 웨이퍼(W)를 처리 모듈(30)에 반송(반출입)시키는 반입출구(44)에는, 평면적으로 보아 포크(51)의 이동 영역 내에, 키커 부재(58)를 검출하도록, 보유 지지체 검출부(6)가 설치되어 있다. 보유 지지체 검출부(6)는 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들어 발광부(61) 및 수광부(62)를 구비한 차광형의 광 센서로 이루어지고, 수직인 광축(60)을 형성하도록, 발광부(61) 및 수광부(62)의 한쪽이 반입출구(44)의 상부에, 다른 쪽이 반입출구(44)의 하부에 각각 설치되어 있다. 이 예에서는, 보유 지지체 검출부(6)와, 기판 반송 기구(5)의 회전 중심(A)(중앙 허브(50)의 중심(A))의 거리는, 로드 로크실(41) 및 로드 로크실(43)과의 사이에서 서로 균일하게 설정되어 있다.
그리고, 명세서에 있어서, 포크(51)가 로드 로크실(41, 43)의 반입출구(44)를 통과해서 키커 부재(58)가 광축(60)을 차단하는 시점을, 특정 부위가 미리 정한 개소에 위치하고 있다고 표현한다. 이 예에서는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 키커 부재(58)의 진행 방향 전방의 단부면(581)과, 진행 방향 후방의 단부면(582)의 2점을 계측하여, 키커 부재(58)인 것을 인식한다. 이렇게 해서 키커 부재(58)를 인식하면, 예를 들어 단부면(581)이 광축(60)을 차단했을 때, 특정 부위가 미리 정한 개소에 위치하고 있는 것을 검출하면, 이때의 예를 들어 제1 모터(55)의 인코더값(펄스 계수값)이 구동 암의 회전각의 계측값으로서 취득되도록 구성되어 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 제어부(7)를 구비하고 있다. 이 제어부(7)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, CPU(71), 프로그램 저장부(72), 메모리(73)를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부(72)에는, 후술하는 진공 처리 및 웨이퍼의 전달 위치의 보정을 행할 수 있도록 명령(스텝 군)이 짜여진 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램에 의해 제어부(7)로부터 기판 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력됨으로써, 각 부의 동작이 제어된다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
웨이퍼(W)의 전달 위치의 보정을 행하는 프로그램은, 구동 암의 회전각의 계측값을 취득하는 스텝 S1과, 회전각의 계측값의 이동 평균을 구하는 스텝 S2와, 이동 평균의 값에 따라, 구동 암의 회전각의 보정량을 구하는 스텝 S3을 실행하도록 구성되어 있다. 스텝 S1은, 미리 설정한 시간 간격으로 포크(51)의 키커 부재(58)(특정 부위)를 미리 정한 개소에 위치시켜, 보유 지지체 검출부(6)에 의해 키커 부재(58)가 검출되었을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측값(이하, 「인코더값」으로서 설명함)을 취득하는 스텝이다.
또한, 스텝 S2는, 스텝 S1에서 취득된 인코더값의 시계열 데이터에 기초하여, 인코더값에 대해서 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구하는 스텝이다. 스텝 S3은, 이동 평균의 값(이하, 「이동 평균값」이라고 함)과 기준 회전각인 기준 인코더값의 비교 결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 구동 암의 모터의 인코더값에 대하여 보정량을 구하는 스텝이다. 기준 인코더값이란, 기준 온도, 예를 들어 실온인 기판 반송 기구(5)의 포크(51)의 키커 부재(58)가 광축(60)을 가로막는 위치에 있을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각에 상당하는 인코더값이다.
또한, 기준 위치란, 기준 온도인 기판 반송 기구(5)의 포크(51)의 처리 모듈(30)에 대한 웨이퍼(W)의 미리 설정된 전달 위치이다. 상세하게는, 웨이퍼(W)가 포크(51)의 적정 위치에 보유 지지되어 있을 때, 웨이퍼(W)의 중심이 처리 모듈(30)의 적재대의 중심에 대하여 허용 범위의 수평 거리에 들어 있는 상태이다. 기준 온도인 실온인 기판 반송 기구(5)란, 기판 반송 기구(5)가 처리 모듈(30) 내에 진입했음으로 인한 가열의 이력이 없는 상태를 가리킨다.
이러한 기판 처리 장치(1)에서는, 카세트 적재부(20)에 적재한 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 암(22)에 의해 취출하여, 3개의 로드 로크실(41 내지 43) 중 어느 하나에 반송한다. 그리고, 로드 로크실(41 내지 43) 내를 상압 분위기에서 진공 분위기로 진공화한 후, 진공 반송실(31)의 기판 반송 기구(5)가 웨이퍼(W)를 수취하여, 소정의 처리 모듈(30)에 순차 반송한다. 기판 반송 기구(5)는, 후술하는 바와 같이, 처리 모듈(30)에서의 포크(51)의 웨이퍼(W)의 전달 위치의 보정을 행한 후, 처리 모듈(30)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 처리 모듈(30)에서는, 웨이퍼(W)를 예를 들어 700℃로 가열한 상태에서 소정의 진공 처리를 실시한다. 처리 후의 웨이퍼(W)는, 기판 반송 기구(5)에 의해 3개의 로드 로크실(41 내지 43) 중 어느 하나에 반송되고, 로드 로크실(41 내지 43)을 진공 분위기에서 상압 분위기로 조정한 후, 웨이퍼 반송 암(22)에 의해 카세트(C)로 복귀시킨다. 예를 들어 대기 반송실(21), 로드 로크실(41 내지 43) 및 진공 반송실(31)은, 실온(예를 들어 23℃)과 마찬가지의 온도로 되어 있다.
포크(51)의 웨이퍼(W)의 전달 위치의 보정은, 온도 변화에 의해 기판 반송 기구(5)의 암 기구(52)의 길이가 변화하기 때문에, 이 길이의 변화에 대응해서 행하는 것이다. 암 기구(52)는 이미 설명한 바와 같이 알루미늄에 의해 구성되어 있어, 열팽창해서 암이 신장되기 쉽다. 기판 반송 기구(5)가 실온이며 암 기구(52)의 길이에 변화가 없을 때는, 이미 설명한 바와 같이 포크(51)의 특정 부위가 검출되었을 때의 제1 구동 암(531) 및 제2 구동 암(541)의 인코더값은 미리 설정된 값(기준 인코더값)이다. 이에 반해, 암 기구(52)의 길이가 변화하면, 특정 부위가 검출되었을 때의 제1 구동 암(531) 및 제2 구동 암(541)의 인코더값은 기준 인코더값과 상이해진다. 이미 설명한 바와 같이, 제1 모터(55)와 제2 모터(56)는 동기해서 구동하여, 제1 및 제2 구동 암(531, 541)을 각각 수평 회전시키므로, 특정 부위가 검출되었을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측에 의해, 암 기구(52)의 열팽창에 의한 신장을 검출할 수 있다.
암 기구(52)에 신장이 있는 기판 반송 기구(5)로, 웨이퍼(W)를 처리 모듈(30)에 반송하면, 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로부터 변위한다. 본 발명자들은, 외팔형 암 기구는, 암 신장률(Gr)과, 이 암 신장률(Gr)일 때의 웨이퍼(W)의 변위량이 대응하지만, 프로그 레그식의 양팔형 암 기구(52)는, 암 신장률(Gr)과, 이 암 신장률(Gr)일 때의 웨이퍼(W)의 변위량이 반드시 대응하고 있지는 않은 것을 파악하였다.
암 신장률(Gr)이란, (회전각의 계측값)/(기준 회전각)에 의해 구해지는 것이며, 회전각의 계측값(인코더값)이란, 기판 반송 기구(5)의 포크(51)의 키커 부재(58)가 보유 지지체 검출부(6)에 의해 검출되었을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측값이다. 또한, 웨이퍼(W)의 변위량이란, 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로부터 변위한 양이며, 기판 반송 기구(5)가 기준 온도일 때는, 변위량은 0이 된다.
그 이유에 대해서는, 프로그 레그식의 양팔형 암 기구(52)는, 양쪽의 암이 열팽창함으로써, 관절부(530, 540)를 밀고 당기고 해버리는 현상이 있어, 열팽창에 의한 신장 이외에, 압출 변형이나 인입 변형이 발생하기 때문이라고 생각된다. 실제로, 기판 반송 기구(5)를 운전하여, 기준 온도(실온)로부터 승온시켰을 때의, 암 신장률(Gr)과 변위량의 관계를 구한 결과, 도 6에 도시하는 결과를 얻었다. 도면 중 횡축은 암 신장률(Gr), 종축은 변위량이며, 기판 반송 기구(5)가 승온할 때의 실측값을 + 표시에 의해, 시뮬레이션 결과를 실선에 의해 각각 나타내고 있다.
기판 반송 기구(5)를 운전하면, 가열된 처리 모듈(30)에 포크(51)가 액세스함으로써, 기판 반송 기구(5)는 어느 정도의 온도까지 서서히 승온해 간다. 실측값은, 기판 반송 기구(5)를 촬상해서 계측한 것이다. 도 6 중, B1은 기판 반송 기구(5)가 기준 온도인 실온일 때, B2는 기판 반송 기구(5)가 가장 높은 온도일 때를 나타내고, 기판 반송 기구(5)는 B2의 온도까지 승온하면, 기판 반송 기구(5)의 운전 중에는 이 온도에 수렴된다.
또한, 기판 반송 기구(5)가 아이들링 상태가 되어, 강온할 때의 시뮬레이션 결과를 일점 쇄선에 의해 나타낸다. 아이들링 상태란, 기판 처리 장치(1)는 운전하고 있지만, 기판 반송 기구(5)는 홈 위치에서 대기한 상태를 말하며, 이 상태에 있을 때는 실온의 진공 반송실(31)에 놓여 있기 때문에, 기판 반송 기구(5)는 서서히 강온한다. 아이들링 상태가 길면, 기판 반송 기구(5)는, 기준 온도인 실온까지 강온하고, 이에 따라 암의 신장이 해소된다. 이렇게 아이들링에 의해, 기판 반송 기구(5)가 기준 온도인 실온으로 돌아가면, 처리 모듈(30) 내에 진입했음으로 인한 가열의 이력이 없는 상태가 된다.
승온 시의 실측값은 시뮬레이션 결과와 거의 일치하고 있어, 시뮬레이션 결과의 신뢰성이 높으므로, 시뮬레이션 결과에 기초하여 설명하면, 승온 시와 강온 시는, 암 신장률(Gr)과 변위량의 관계가 서로 상이하다. 그 이유에 대해서는, 다음과 같이 추정된다. 즉, 기판 반송 기구(5)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 모듈(30)에 반송하면, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 포크(51)가 가열된 처리 모듈(30) 내에 진입하기 때문에, 기판 반송 기구(5)는 포크(51)측(암 기구(52)의 선단측)부터 가열되어, 승온한다.
한편, 포크(51)가 진공 반송실(31)로 퇴출되면, 당해 진공 반송실(31)은 실온이기 때문에 냉각되지만, 이때는 기판 반송 기구(5) 전체가 냉각된다. 이와 같이, 승온 시는, 암 기구(52)의 선단측부터 온도가 상승하는 것에 반해, 강온 시는, 기판 반송 기구(5) 전체가 균일하게 냉각되는 상태로 되기 때문에, 승온 시와 강온시의 사이에서, 관절부(530, 540)에서의 밀고 당김량이 변화하여, 변위량에 차이가 발생할 것으로 추정된다.
그리고, 장치의 운전 개시 초기에 있어서, 또는 기판 반송 기구(5)가 장시간 대기한 후, 기판 반송 기구(5)의 반송 동작이 재개하는 경우에 있어서, 완전히 식은(실온으로 되어 있는) 기판 반송 기구(5)가 서서히 승온할 때, 일반적인 외팔형 암과는 상이한 거동이 있는 것을 파악하였다. 즉, 기판 반송 기구(5)가 처리 모듈(30)의 전달 위치에 있을 때보다도 축퇴되어 있는 상태에서, 실온에서부터 약간 승온함으로써 제1 및 제2 링크 기구(53, 54)가 신장되었다고 해도, 그 신장의 변화에 대하여 상기 전달 위치의 어긋남이 심하지 않다는 현상이 있다. 이 때문에, 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측값을 단순히 사용하는 것만으로는, 처리 모듈(30)에 대한 웨이퍼(W)의 전달 위치를 고정밀도로 보정하는 것이 어렵다.
이러한 점에서, 본 발명에서는, 회전각의 계측값의 시계열 데이터를 취득해서 그 이동 평균값을 구하고, 이것에 기초하여 제1 구동 암(531)의 회전각의 보정량을 구하고 있다. 이하, 구체적으로 설명한다. 전달 위치의 보정은, 이미 설명한 스텝 S1 내지 스텝 S3을 실행함으로써 행하여진다. 우선, 미리 설정한 시간 간격으로, 보유 지지체 검출부(6)에 의해 키커 부재(58)가 검출되었을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측값(인코더값)을 취득한다. 미리 설정한 시간 간격은, 예를 들어 기판 반송 기구(5)의 포크(51)가 진공 반송실(31)로부터 로드 로크실(41, 43)에 진입하는 타이밍이며, 예를 들어 1분 간격이다. 또한, 미리 설정한 시간 간격은 레시피 조건에 따라 설정되는 것이며, 반드시 일정하다고는 할 수 없다.
그리고, 취득된 인코더값의 시계열 데이터에 기초하여, 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구한다. 예를 들어 미리 설정한 샘플링수를 25로 하면, 예를 들어 제어부(7)에는, 후술하는 바와 같이 이동 평균 산출용의 메모리 영역이 설치되고, 메모리 영역에 기입된 25개의 인코더값의 평균값을 취득하여, 이것을 이동 평균값으로 한다.
예를 들어 실온인 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시한 초기이며, 시계열 데이터의 수가 미리 설정한 샘플링수에 미치지 않을 때는, 부족한 샘플링수의 인코더값으로서 기준 인코더값 또는 당해 기준 인코더값에 가까운 값이 할당된다. 기준 인코더값에 가까운 값이란, 기준 인코더값, 예를 들어 +0.2％ 이하의 값을 말한다.
구체적으로, 아이들링 상태를 거쳐서 기준 온도(실온)로 강온한 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시하고, 샘플링수가 제로(부족한 샘플링수가 25개)이며, 인코더값으로서 기준 인코더값에 가까운 값을 할당하는 경우를 예로 들어, 도 7을 사용해서 설명한다. 운전 개시 후 처음으로, 기판 반송 기구(5)의 포크(51)가 로드 로크실(41(43))에 웨이퍼(W)를 가지러 가고, 보유 지지체 검출부(6)에 의해 키커 부재(58)가 검출된 시점을 T0으로 하면, T0일 때 인코더값을 읽어, 그 인코더값 E(0)를 사용해서 처리 모듈(30) 내의 적재 위치를 보정한다. 이때, 도 7에 도시하는 바와 같이, 이동 평균 산출용의 메모리 영역의 어드레스 M0에는 E(0)를 기입한다. 다음의 검출 타이밍 T1에는 인코더값을 판독하지만, 그 값은 무시하고, E(0)를 사용해서 적재 위치를 보정하고, 이동 평균 산출용의 메모리 영역의 어드레스 M1에는 E(0)를 기입한다. 마찬가지의 처리를 검출 타이밍 T24까지 행한다.
기판 반송 기구(5)의 운전 개시한 초기는, 기준 온도인 실온에 가깝기 때문에, 암 기구(52)에 신장이 발생하지 않아, 인코더값은 기준 인코더값이 되지만, 예를 들어 실온까지 완전히 저하되어 있지 않은 것을 상정하면, 기준 인코더값과는 약간 상이한 경우가 있기 때문에, T0일 때의 인코더값 E(0)를 구하고 있다. 이 T0일 때의 인코더값 E(0)는, 기판 반송 기구(5)가 기준 온도에 가깝기 때문에, 예를 들어 기준 회전각(기준 인코더값)+0.2％ 이하의 값이 된다. 이렇게 해서, 운전을 개시한 초기인 검출 타이밍 T0 내지 T24까지는, 이동 평균 산출용의 메모리 영역의 어드레스 M0 내지 M24에 첫회의 인코더값 E(0)를 기입하고, 이들의 평균인 이동 평균값은 E(0)가 된다. 운전을 개시한 초기이란, 예를 들어 운전 개시 후 15분간을 말한다.
그리고, 26회째의 검출 타이밍 T25에 대해서는, 실제의 인코더값 E(25)를 기입하고, 이동 평균값을 취득한다. 또한, 검출 타이밍 T26 이후에 대해서는, 검출 타이밍 T25와 마찬가지이며, 검출 타이밍 T49 이후는, 상기 어드레스 M0 내지 M25에 모두 실제로 계측된 인코더값이 기입되고, 이것에 기초하여 이동 평균값을 취득한다.
이어서, 스텝 S3에서, 취득한 이동 평균값과 기준 인코더값의 비교 결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 제1 구동 암(531)의 회전각에 대하여 보정량을 구한다. 이동 평균값과 기준 인코더값의 비교 결과란, 예를 들어 회전각의 차분이다. 그리고, 도 3의 (b), (c)에 도시하는 바와 같이, 보정량은, 예를 들어 이 회전각의 차분과, 기판 반송 기구(5)의 회전 중심(A)(중앙 허브(50)의 중심(A))으로부터 상기 미리 정한 개소까지의 거리(L1)와, 기판 반송 기구(5)의 회전 중심(A)으로부터, 포크(51)가 웨이퍼(W)의 기준 위치에 위치하고 있을 때의 키커 부재(58)까지의 거리(L0)에 기초해서 구한다.
그 이유는, 기판 반송 기구(5)의 회전 중심(A)과, 복수의 처리 모듈(30)에서의 웨이퍼(W)의 기준 위치까지의 거리는, 처리 모듈(30)별로 상이한 경우가 있기 때문이다. 따라서, 회전각(θ)의 변화에 대한 sinθ의 변화량이 상이하기 때문에, 예를 들어 거리(L0)에 따라서 미리 실험으로부터 계수를 파악해 두고, 이 계수를 사용해서 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 제1 구동 암(531)의 회전각에 대하여 보정량이 구해진다. 이 때문에, 제어부(7)에는, 미리 처리 모듈(30)마다, 거리(L0)와 거리(L1)에 의해 구해진 계수가 저장되어 있다. 또한, 이 예에서는, 기판 반송 기구(5)의 회전 중심(A)(중앙 허브(50)의 중심(A))으로부터 상기 미리 정한 개소까지의 거리(L1)는, 로드 로크실(41) 및 로드 로크실(43)과의 사이에서 서로 균일하다.
이렇게 해서, 구해진 보정량을 사용하여, 제1 구동 암(531)을 구동하는 제1 모터(55)와, 제2 구동 암(541)을 구동하는 제2 모터(56)의 회전각을 보정한다. 그리고, 기판 반송 기구(5)가 웨이퍼(W)를 대응하는 처리 모듈(30)에 전달할 때, 전달 위치를 보정해서 처리 모듈(30)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 이어서, 기판 반송 기구(5)는, 다시 로드 로크실(41(43))에 웨이퍼(W)를 수취하러 갈 때, 이미 설명한 바와 같이, 제1 모터(55)의 인코더값을 판독하고, 이동 평균값을 구해서 보정량을 취득하고, 이 보정량을 사용해서 전달 위치를 보정해서 처리 모듈(30)에 웨이퍼(W)를 전달한다.
상술한 실시 형태에 의하면, 소위 프로그 레그식의 기판 반송 기구(5)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 모듈(30)에 반송하는데 있어서, 구동 암의 인코더값의 이동 평균을 구하고, 이것에 기초하여, 처리 모듈(30)에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록, 구동 암의 회전각의 보정량을 구하고 있다. 기판 반송 기구(5)는, 링크 기구가 좌우 대칭으로 설치되어 있기 때문에, 승온 시와 강온 시에 있어서, 구동 암의 회전각의 계측값과 암의 신장의 대응 관계가 상이하다. 따라서, 이동 평균을 취함으로써, 기판 반송 기구(5)의 열 이력을 반영시킬 수 있어, 상기 보정량의 신뢰성이 높아지기 때문에, 처리 모듈(30)에서의 웨이퍼(W)의 전달 위치에 웨이퍼(W)를 고정밀도로 반송할 수 있다. 가령 이동 평균값을 취하지 않을 경우에는, 후술하는 실시예로부터도 명백해진 바와 같이, 실온의 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시한 초기에 있어서, 웨이퍼(W)의 전달 위치가 기준 위치로부터 변위하는 변위량의 치우침이 커져버린다.
또한, 실온인 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시한 초기이며, 시계열 데이터의 수가 미리 설정한 샘플링수에 미치지 않을 때는, 부족한 샘플링수의 인코더값으로서 기준 인코더값 또는 당해 기준 인코더값에 가까운 값을 할당하고 있다. 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시한 초기에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 암 신장률에 대한 변위량이 작지만, 부족한 샘플링수의 인코더값으로서, 기준 인코더값 또는 당해 기준 인코더값에 가까운 값을 할당함으로써, 암 신장률을 작게 환산함으로써, 보정량이 작아져, 변위량의 치우침을 억제할 수 있다.
이상에 있어서, 부족한 샘플링수의 인코더값으로서 기준 인코더값을 할당하는 경우도, 상술한 방법과 마찬가지로 행한다. 또한, 상술한 예는 일례이며, 검출 타이밍 T0은 기준 인코더값 또는 기준 인코더값에 가까운 값으로 적용하고, 검출 타이밍 T1 이후는, 실제로 계측된 인코더값으로 기입하도록 해도 된다.
또한, 기판 반송 기구(5)가 처리 모듈(30) 내로부터 퇴출해서 대기한 후, 실온보다도 높은 상태에 있는 기판 반송 기구(5)가 반송 동작을 재개했을 때, 대기 중의 시계열 데이터가 존재하지 않을 때는, 대기 전에 취득한 인코더값에 기초해서 구한 값을 시계열 데이터로서 할당하도록 해도 된다. 대기 전에 취득한 인코더값은, 예를 들어 도 6에 도시하는 시뮬레이션 결과로부터 구한 것이어도 된다.
이상에 있어서, 포크(51)의 특정 부위를 이루는 키커 부재(58)의 형상이나 설치 개소는 상술한 예에 한하지 않고, 보유 지지체 검출부(6)의 형상이나 설치 개소는 상술한 예에 한하지 않는다. 또한, 포크(51)의 특정 부위로서 관통 구멍을 형성하고, 이 관통 구멍을 광축이 투과했을 때, 특정 부위가 미리 정한 개소에 위치하고 있음을 검출하여, 구동 암의 회전각을 구해도 된다. 또한, 회전각의 이동 평균값과 기준 회전각의 비교 결과에 기초하여 보정량을 구하는 스텝은, 회전각의 차분에 기초하여 보정량을 구하는 대신에, 이동 평균값과 기준 회전각의 비율(암 신장률)에 기초하여 보정량을 구하는 것이어도 된다. 또한, 상술한 예에서는, 구동 암의 회전각으로서 제1 구동 암(531)의 회전각을 구했지만, 제2 구동 암(541)의 회전각이어도 되고, 제1 구동 암(531), 제2 구동 암(541) 양쪽의 회전각을 취득하도록 해도 된다.
또한, 기판 반송 기구(5)는 도 2의 구성에 한하지 않고, 서로 수평 회전 가능하게 연결된 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치하고, 각 종동 암의 선단부에 수평 회전 가능하게 보유 지지체를 연결하고, 좌우의 구동 암을 구동부에 의해 동기해서 수평 회전시킴으로써, 기판을 보유 지지하는 보유 지지체를 진퇴시키는 기판 반송 기구에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 기판 처리는 진공 처리에 한하지 않고, 기판을 가열한 상태에서 처리하는 처리 모듈과, 이 처리 모듈에 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비한 기판 처리 장치에 적용할 수 있다.
(평가 시험)
실제로, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 실온인 기판 반송 기구(5)의 운전을 개시하고, 포크(51)의 키커 부재(58)를 보유 지지체 검출부(6)에 의해 검출했을 때의 제1 구동 암(531)의 회전각의 계측값에 대해서, 상술한 바와 같이 이동 평균을 구해서 보정을 행한 경우의 데이터를 도 8에 나타내었다. 도 8 중 실선은, 샘플링수가 25개의 이동 평균값을 구하여, 웨이퍼(W)의 전달 위치의 보정을 행한 경우의 데이터이며, 도 8 중 일점 쇄선은, 이동 평균값을 구하지 않고 보정을 행한 경우의 데이터이다. 도 8 중 횡축은 시간, 종축은 웨이퍼(W)의 전달 위치의 변위량을 나타내고 있다.
그 결과, 기판 반송 기구(5)의 운전 개시 당초는 데이터에 치우침이 있기는 하지만, 시간이 경과함에 따라서 변위량이 수렴되어 가는 것이 확인되었다. 이것은, 운전 개시 당초는 기판 반송 기구(5)가 가열되어 승온하기 때문에, 온도 변화가 현저해서 암의 신장이 발생하지만, 시간의 경과에 수반하여, 암이 어떤 온도에 수렴되기 때문에, 더 이상의 암 신장이 발생하지 않기 때문이다. 그리고, 이동 평균값에 기초하는 보정은, 운전 개시부터 시각 S1까지의 운전 개시의 초기에 특히 효과가 있고, 이 보정을 행함으로써, 운전 개시 시에 있어서의 변위량의 치우침이 작아지는 것으로 이해된다. 한편, 이동 평균값을 취득하지 않고 보정을 행했을 때는, 운전 개시 시의 변위량이 0으로부터 크게 이격되어 있어, 변위량이 큰 것으로 확인되어, 본 발명의 이동 평균값에 기초하는 보정이 유효한 것으로 이해된다.

Claims (7)

  1. 서로 수평 회전 가능하게 연결된 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치하고, 좌우의 링크 기구의 각 종동 암의 선단부에 수평 회전 가능하게 보유 지지체를 연결하고, 좌우의 구동 암을 구동부에 의해 동기해서 수평 회전시킴으로써, 기판을 보유 지지하는 보유 지지체를 진퇴시키는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행하여져, 기판을 가열한 상태에서 처리하는 처리 모듈과,
    하나 이상의 상기 구동 암의 회전각을 계측하는 회전각 계측부와,
    상기 보유 지지체의 특정 부위가 미리 정한 개소에 위치하고 있는 것을 검출하기 위한 보유 지지체 검출부와,
    미리 설정한 시간 간격으로 상기 보유 지지체의 특정 부위를 상기 미리 정한 개소에 위치시켜, 상기 보유 지지체 검출부에 의해 상기 특정 부위가 검출되었을 때의 상기 하나 이상의 구동 암의 회전각의 계측값을 취득하는 스텝과, 상기 스텝에서 취득된 상기 회전각의 계측값의 시계열 데이터에 기초하여 상기 회전각의 계측값에 대해서 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구하는 스텝과, 상기 이동 평균의 값과 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 특정 부위가 상기 미리 정한 개소에 위치하고 있을 때의 구동 암의 회전각인 기준 회전각의 값과의 비교 결과에 따라, 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 상기 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 상기 하나 이상의 구동 암의 회전각에 대하여 보정량을 구하는 스텝을 실행하는 제어부를 포함한 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보정량을 구하는 스텝은, 상기 이동 평균의 값과 상기 기준 회전각의 비교 결과와, 상기 기판 반송 기구의 회전 중심으로부터 상기 미리 정한 개소까지의 거리와, 상기 기판 반송 기구의 회전 중심으로부터, 상기 보유 지지체가 기판의 전달 위치에 위치하고 있을 때의 상기 특정 부위까지의 거리에 기초해서 상기 보정량을 구하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준 온도는 실온인 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    실온인 상기 기판 반송 기구의 운전을 개시한 초기이며, 상기 시계열 데이터의 수가 미리 설정한 샘플링수에 미치지 않을 때는, 부족한 샘플링수의 회전각의 계측값으로서 상기 기준 회전각 또는 당해 기준 회전각에 가까운 값을 할당하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구가 처리 모듈 내로부터 퇴출되어 대기한 후, 실온보다도 높은 상태에 있는 기판 반송 기구가 반송 동작을 재개했을 때, 대기 중의 상기 시계열 데이터가 존재하지 않을 때는, 대기 전에 취득한 회전각의 계측값에 기초해서 구한 값을 시계열 데이터로서 할당하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상압 분위기와 진공 분위기의 전환이 행하여지고, 기판을 적재하는 적재부를 구비한 로드 로크실과, 상기 로드 로크실에 기밀하게 접속되고, 상기 기판 반송 기구가 배치된 진공 반송실을 포함하고,
    상기 처리 모듈은, 기판에 대하여 진공 처리를 행하기 위한 처리 모듈이며, 상기 진공 반송실에 기밀하게 접속되어 있는 기판 처리 장치.
  7. 서로 수평 회전 가능하게 연결된 구동 암 및 종동 암으로 이루어지는 링크 기구를 좌우 대칭으로 2개 배치하고, 좌우의 링크 기구의 각 종동 암의 선단부에 수평 회전 가능하게 보유 지지체를 연결하고, 좌우의 구동 암을 구동부에 의해 동기해서 수평 회전시킴으로써, 기판을 보유 지지하는 보유 지지체를 진퇴시키는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행하여져, 기판을 가열한 상태에서 처리하는 처리 모듈을 구비한 기판 처리 장치를 운전하는 방법에 있어서,
    미리 설정한 시간 간격으로 상기 보유 지지체의 특정 부위를 상기 미리 정한 개소에 위치시켜, 보유 지지체 검출부에 의해 상기 특정 부위가 검출되었을 때의 하나 이상의 구동 암의 회전각의 계측값을 취득하는 공정과,
    상기 공정에서 취득된 상기 회전각의 계측값의 시계열 데이터에 기초하여 상기 회전각의 계측값에 대해서 미리 설정한 샘플링수의 이동 평균을 구하는 공정과,
    상기 이동 평균의 값과 기준 온도인 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 특정 부위가 상기 미리 정한 개소에 위치하고 있을 때의 하나 이상의 구동 암의 회전각인 기준 회전각의 값과의 비교 결과에 따라, 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 상기 처리 모듈에 대한 기판의 전달 위치가 기준 위치로 되도록 미리 구해 둔 상기 하나 이상의 구동 암의 회전각에 대하여 보정량을 구하는 공정을 포함하는 기판 처리 장치의 운전 방법.
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