CN103222340B - 显示面板的制造方法、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够在所希望的区域正确且有效地形成封止层的显示面板的制造方法，其是显示面板（100）的制造方法，该显示面板（100）具备形成于TFT基板（111）上的不同区域的显示部（101）以及端子部（114），该制造方法包括：显示部形成工序，在所述TFT基板（111）上形成显示部（101）；导电层形成工序，在所述TFT基板（111）上的要形成所述端子部（114）的区域，形成包含导电性金属氧化物或者金属的导电层（114d）；化学蒸镀层形成工序，通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层（118a），使其覆盖所述显示部（101）并且与所述导电层（114d）的至少上表面接触，且使得所述导电层（114d）的上表面变质；以及除去工序，将所述化学蒸镀层（118a）的所述导电层（114d）上的部分剥落而除去。

Description

显示面板的制造方法、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板的制造方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
一直以来，在基板上的中央区域形成有显示部、在该基板上的外周区域形成有端子部的显示面板中，通过化学蒸镀（CVD）法形成包含SiN（氮化硅）的封止层使其覆盖显示部，防止显示部由于水分和/或气体等而劣化。在该情况下，封止层需要覆盖显示部的整体，但若由该封止层连端子部也被覆盖，则端子部与连接于该端子部的布线端子的导通性就会变差。因此，在形成封止层时，通过例如进行利用掩模的选择成膜来防止封止层形成于端子部上。
但是，通过化学蒸镀法仅在所希望的区域正确地形成封止层并不容易，为了完全覆盖显示部并且不覆盖端子部，需要在显示部形成区域与端子部形成区域之间设置宽度较宽的间隙区域，使封止层的外周边缘不接触端子部。但是，若间隙区域的宽度较宽，则显示面板的尺寸会变大，所以不太好。
因此，在专利文献1所公开的制造方法中，如图13（a）所示，在基板901上，形成包括下部电极902、有机发光层903以及上部电极904等的显示部905，并且在下部电极902的与端子部相当的区域，粘接带保护叠层906的ACF（各向异性导电性粘接片）907，如图13（b）所示，形成SiN层908使其覆盖显示部905以及ACF907，如图13（c）所示，将保护叠层906剥离，由此将SiN层908的保护层906上的部分剥落而完成封止层909。这样，ACF907不会被封止层909覆盖，所以ACF907与布线端子的导通性就不会变差。
专利文献1：特开2003-208975号公报
发明内容
但是，在专利文献1所公开的制造方法中，必须在形成SiN层908之前粘接ACF907，所以必须在依次层叠下部电极902、有机发光层903以及上部电极904之后，一旦将层叠工序中断，从腔室取出基板901而粘接ACF907，然后将基板901放回腔室，再开始层叠工序，形成SiN层908，层叠工序变得复杂。另外，由于使基板901出入腔室，所以也有可能使尘埃等附着于基板901，这就需要有用于防止该情况的对策。因此，无法高效地制造显示面板。
本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于提供能够在所希望的区域正确且高效地形成封止层的显示面板的制造方法以及显示装置的制造方法。本发明的其他目的在于提供具有这样的封止层的显示面板以及显示装置。
本发明的一方式所涉及的显示装置的制造方法，是具备形成于基板上的不同区域的显示部以及端子部的显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法包括：显示部形成工序，在所述基板上形成显示部；导电层形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的预定区域，形成包含导电性金属氧化物或者金属的导电层；化学蒸镀层形成工序，通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层，使其覆盖所述显示部并且与所述导电层的至少上表面接触，且使得所述导电层的上表面变质；以及除去工序，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去。
另外，在本发明中所谓剥落，意味着机械性的剥离，而不包含化学性的剥离。另外，机械性的剥离中也不包含研磨那样的剥离。作为剥落的一例，能够列举将剥离的部分在某程度上保持为层状或者膜状并机械性地剥离。
本发明的一所示所涉及的显示装置的制造方法，由于包括通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层使其覆盖显示部并且与导电层的至少上表面接触、且使得所述导电层的上表面变质的化学蒸镀层形成工序以及将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去的除去工序，所以由在化学蒸镀层的除去后残留的部分构成的封止层正确地形成于所希望的区域。另外，由于也不需要在形成显示部的过程中粘接ACF，所以能够有效地形成封止层。
附图说明
图1是表示本发明的一方式所涉及的显示装置的整体结构的图。
图2是用于说明显示面板与布线板的连接的方式的立体图。
图3是沿着图2所示的A-A线的剖面图。
图4是用于说明本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的工序图。
图5是用于说明本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的工序图。
图6是使用实验用的基板确认表面状态时的电子显微镜照片。
图7是沿着图6所示的线段D的剖面的电子显微镜照片。
图8是将由图7所示的双点划线E、F包围的部分放大的电子显微镜照片。
图9是表示与化学蒸镀层以及原子层沉积膜对导通性带来的影响有关的实验结果的图。
图10是表示与粘接带的状态对剥离性带来的影响有关的实验结果的图。
图11是用于说明变形例1所涉及的显示面板的制造方法的工序图。
图12是用于说明变形例2所涉及的显示面板的制造方法的工序图。
图13是用于说明以往的显示面板的制造方法的工序图。
符号说明
1：显示装置，100：显示面板，101：显示部，111：TFT基板，114、714：端子部，114c、714a：导电层，118a：化学蒸镀层，119a：原子层沉积膜，500：粘接带。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法、显示装置的制造方法、显示面板以及显示装置进行说明。另外，各附图中的部件的比例尺并不一定与实际的比例尺相同。
[本发明的一方式的概要]
本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法，是具备形成于基板上的不同区域的显示部以及端子部的显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法包括：显示部形成工序，在所述基板上形成显示部；导电层形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的预定区域，形成包含导电性金属氧化物或者金属的导电层；化学蒸镀层形成工序，通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层，使其覆盖所述显示部并且与所述导电层的至少上表面接触，且使得所述导电层的上表面变质；以及除去工序，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：所述导电层包含导电性金属氧化物；在所述化学蒸镀层形成工序中，包括通过还原性气体使所述导电层的上表面的所述导电性金属氧化物还原而变质的工序。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：还包括粘接带粘接工序，在所述化学蒸镀层形成工序后，在所述除去工序前，在所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分粘接粘接带；在所述除去工序中，通过将所述粘接带剥离，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：还包括原子层沉积膜形成工序，在所述化学蒸镀层形成工序后，在所述除去工序前，通过原子层沉积法在所述化学蒸镀层上形成原子层沉积膜。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：还包括粘接带粘接工序，在所述原子层沉积膜形成工序后，在所述除去工序前，在所述原子层沉积膜的所述导电层上的部分粘接粘接带；在所述除去工序中，通过将所述粘接带剥离，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分以及所述原子层沉积膜的所述导电层上的部分剥落而除去。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：所述导电性金属氧化物为ITO或者IZO。
在本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的特定方面：所述还原性气体为SiN或者SiH4。
本发明的一方式所涉及的显示面板，具备形成于基板上的不同区域的显示部以及端子部，所述显示部被封止层覆盖，所述封止层通过化学蒸镀法形成且包含无机化合物；所述端子部包含导电性金属氧化物或者金属，没有被所述封止层覆盖，并且所述端子部的上表面的至少一部分通过所述化学蒸镀法而变质。
本发明的一方式所涉及的显示装置，具备以上所述的显示面板。
[显示装置]
图1是表示本发明的一方式所涉及的显示装置的整体结构的图。如图1所示，本发明的一方式所涉及的显示装置1具备显示面板100、驱动控制部200和布线板300。显示面板100为例如利用电致发光效应的有机EL面板。驱动控制部200包括4个驱动电路210和控制电路220。布线板300为例如柔性布线板，搭载有作为驱动电路210的IC。
图2是用于说明显示面板与布线板的连接方式的立体图。如图2所示，在显示面板100的中央区域形成有显示部101（在图2中通过双点划线包围的部分），在围绕中央区域的外周区域，在外周区域的4边全部都分别形成有多个端子部114（参照图5）。
布线板300是例如在聚酰亚胺制的基膜310上通过铜等形成有导电图案（未图示）的布线板，在基膜310的显示面板100侧的端部的下表面（与TFT基板111对向一侧的主面），在与各端子部114对应的位置，形成有与所述导电图案电连接的布线端子320（参照图3）。
在TFT基板111的外周区域，在4边全部经由ACF（各向异性导电性粘接片）400分别粘接着基膜310的显示面板100侧的端部。通过该ACF400，显示面板100的各端子部114和与其对应的布线板300的布线端子320电连接。
另外，端子部114不必一定形成于TFT基板111的外周区域的4边全部，而既可以仅形成于1边，也可以形成于2边或者3边。而且，驱动电路210以及布线板300仅在形成有端子部114的边粘接即可。
[显示面板]
图3是沿着图2所示的A-A线的剖面图。如图3所示，显示面板100具备例如器件基板110和CF（ColorFilter，滤色器）基板120。器件基板110以及CF基板120对向配置，并贴合在一起。
在器件基板110的上方，隔着密封部件102a配置CF基板120，在器件基板110与CF基板120之间，填充有树脂层102b。密封部件102a以及树脂层102b包含致密的树脂材料（例如硅系树脂、丙烯酸系树脂等），将器件基板110的显示部101封止，防止有机发光层116接触水分和/或气体等。
在TFT基板111的上表面（CF基板120侧的主面。在下面的说明中，对于构成器件基板110的各层，也将CF基板120侧的面称为上表面），形成有包括配置成矩阵状的多个像素的显示部101，这各像素射出的R（红色）、G（绿色）或者B（蓝色）的光透过CF基板120，在显示面板100的正面显示彩色图像。而且，在TFT基板111的上表面的围绕显示部101的区域设有端子部114。另外，在这里以设置CF基板120的情况进行了说明，但CF基板不必一定设置。
<器件基板>
器件基板110包括TFT基板111和EL（ElectroLuminescence，电致发光）基板124，EL基板124为在TFT基板111的上表面具有平坦化膜112、下部电极113、接触孔113X、阳极环113Y、堤栏115、有机发光层116、电子输送层116X、上部电极117、封止层118以及保护膜119等的层叠构造，构成器件基板110的显示部101的各像素由顶部发光型的有机EL元件构成，所述顶部发光型的有机EL元件包括下部电极113、有机发光层116、电子输送层116X、上部电极117。
TFT基板111为例如在基板111a的上表面形成有TFT层111b的构造。在TFT层111b，包含SD布线111c以及钝化膜111d等。基板111a为在例如由无碱玻璃、碱玻璃、无荧光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、环氧系树脂、聚乙烯、聚酯、硅系树脂、氧化铝等绝缘性材料构成的基板的上表面以预定图案形成有多个TFT及其引出电极的构造。钝化膜111d为包含SiO（氧化硅）或者SiN的薄膜，覆盖SD布线111c，对其进行保护。
平坦化膜112例如包含聚酰亚胺系树脂或者丙烯酸系树脂等绝缘材料，将钝化膜111d的上表面的高度差平坦化。另外，平坦化膜112不是必须的。
下部电极113经由接触孔113X与TFT层111b电连接。另外，下部电极113也可以是例如金属层与金属氧化物层的2层构造。金属层包含例如Ag（银）、APC（银、钯、铜的合金）、ARA（银、铷、金的合金）、MoCr（钼与铬的合金）、NiCr（镍与铬的合金）等光反射性导电材料，在与各像素对应的区域形成为矩阵状。金属氧化物层例如包含ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）等导电材料，在金属层上形成为覆盖金属层。
端子部114为例如金属层114a与金属氧化物层114b的2层构造。金属层114a例如由SD布线111c的一部分构成，包含Cr、Mo、Al、Ti、Cu等金属和/或包含这些金属的合金（例如MoW、MoCr、NiCr等）等电阻较低、加工稳定性高的导电材料，在TFT基板111的外周区域的4边全部，沿着TFT基板111的外周边缘，每多个隔着间隔而形成。金属氧化物层114b包含例如ITO、IZO等光透射性材料，在各金属层114a上形成为覆盖各金属层114a。另外，在金属氧化物层114b的表面，附着有金属氧化物变质后的物质（后述的损伤层114e的残渣）。
堤栏115例如包含绝缘性的有机材料（例如丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等），在TFT基板111的中央区域内避开形成有下部电极113的区域而形成。在本实施方式中，堤栏115为井字形构造的像素堤栏，但堤栏也可以是条带构造的线堤栏。
有机发光层116，形成于与由堤栏115规定的各像素对应的区域，在显示面板100的驱动时，通过空穴与电子的再结合而以R、G或者B色发光。有机发光层116包含有机材料，作为有机材料，能够列举例如日本特开平5-163488号公报所记载的类喔星（oxinoid）化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮（perinone）化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物（アントラセン化合物）、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、（chrysene）化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2，2’-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉（喔星）金属配合物、稀土类配合物等荧光物质。
电子输送层116X包含例如钡、酞菁、氟化锂或者它们的混合物等，具有将从上部电极117注入的电子向有机发光层116输送的功能。
上部电极117为包含例如ITO、IZO等光透射性导电材料的透明电极，覆盖堤栏115以及有机发光层116的上表面而遍及显示部101的大致整体地形成。
封止层118是例如用于覆盖并封止显示部101、防止有机发光层116接触水分和/或气体等的层，包含例如SiN、SiO、SiON（氮氧化硅）、SiC（碳化硅）、SiOC（含碳氧化硅）等光透射性材料，形成于上部电极117上。
保护膜119是用于覆盖并封止显示部101、防止有机发光层116接触水分和/或气体等的膜，包含Al2O3（氧化铝）、AlN（氮化铝）等光透射性材料，形成于封止层118上。通过在封止层118上进而形成保护膜119，即使在例如封止层118存在被称为针孔的封止缺陷部分的情况下，也能够防止水分和/或气体等从该封止缺陷部分侵入封止层118内。
关于如上说明的EL基板124的层叠构造，在下部电极113与有机发光层116之间，也可以进而形成有1层或者多层空穴输送层、空穴注入层等其他的层。另外，在有机发光层116与上部电极117之间，也可以进而形成有1层或者多层电子输送层、电子注入层等其他的层。
<CF基板>
CF基板120为在玻璃基板121的下表面（器件基板110侧的主面）侧形成有R、G或者B的滤色器122和黑矩阵层123的构造。
滤色器122为使与R、G或者B对应的波长的可见光透过的透明层，包含公知的树脂材料等，形成于与各像素对应的区域。
黑矩阵层123为以防止外界光向面板内部入射、防止透过CF基板120而观察到内部部件或者抑制外界光的反射而提高显示面板100的对比度的目的而形成的黑色树脂层，包含例如含有光吸收性以及遮光性优异的黑色颜料的紫外线固化树脂材料。
[显示面板以及显示装置的制造方法]
对本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法进行说明。图4以及图5是用于说明本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法的工序图。
首先，如图4（a）所示，在TFT基板111上的要形成端子部114的预定区域，形成包括金属层114a以及导电层114d的层叠体114c。该层叠体114c之后成为端子部114。具体地，通过从TFT基板111除去钝化膜111d中的端子部形成预定区域的部分，使SD布线111c中的与金属层114a相当的部分露出，在该露出的部分上，通过等离子蒸镀或者溅射形成包含具有导电性的金属氧化物的导电层114d。
接下来，如图4（b）所示，例如对树脂进行旋涂，通过光致抗蚀/光刻进行图案形成，由此形成平坦化膜112（例如厚度4μm），进而形成接触孔113X、下部电极113和阳极环113Y。
关于下部电极113，例如，首先通过真空蒸镀或者溅射形成金属薄膜，通过光致抗蚀/光刻对该金属薄膜进行图案形成，由此形成金属层。接下来，通过等离子蒸镀或者溅射形成具有导电性的金属氧化物薄膜，通过光致抗蚀/光刻对该金属氧化物薄膜进行图案形成，由此形成金属氧化物层。
接下来，如图4（c）所示，依次形成堤栏115、有机发光层116、电子输送层116X以及上部电极117。
堤栏115例如通过如下过程形成：形成堤栏材料层使其覆盖要形成显示部101的区域的整体，通过光致抗蚀/光刻将形成的堤栏材料层的一部分除去。另外，堤栏115既可以是在列方向以及行方向上伸展、俯视形状为井字形状的像素堤栏，也可以是仅在列方向或者行方向上伸展的条带状的线堤栏。
接下来，在堤栏115之间的凹部，例如通过喷墨法填充有机发光层用墨，在25℃气氛的减压下对填充的墨进行干燥，进行烘焙处理，由此形成有机发光层116。进而，通过ETL蒸镀形成电子输送层116X使其覆盖堤栏115以及有机发光层116。另外，将墨填充于堤栏115之间的方法并不限定于喷墨法，也可以是分配器法、喷嘴涂敷法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等。
接下来，形成上部电极117使其覆盖堤栏115以及有机发光层116。例如，通过对光透射性的材料进行蒸镀，形成上部电极117。
通过以上，完成在TFT基板111上形成显示部101的显示部形成工序和在TFT基板111上的要形成端子部114的区域形成包含导电性金属氧化物的导电层114d的导电层形成工序。在本实施方式中，在进行显示部形成工序之前进行导电层形成工序，但既可以在进行了显示部形成工序之后进行导电层形成工序，也可以与显示部形成工序中的例如形成下部电极的工序同时进行导电层形成工序。
接下来，如图4（d）所示，在TFT基板111的上表面侧整体通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层118a（例如厚度620nm）。此时，导电层114d的表面的露出部分即导电层114d的上表面以及侧面变质，在导电层114d的表面形成损伤层114e。由此，完成形成化学蒸镀层的化学蒸镀层形成工序，使得覆盖显示部101并且与导电层114d的至少上表面接触且导电层114d的上表面变质。在该时刻，导电层114d包括损伤层114e和其内侧的金属氧化物层114b。
化学蒸镀法，具体地为使用例如SiN、SiH4（硅烷）等还原性气体的等离子化学蒸镀法。在形成化学蒸镀层118a时，导电层114d的上表面以及侧面通过还原气体还原而变质，形成损伤层114e。
优选的成膜条件为：在例如将SiH4用作为还原性气体的情况下，成膜温度为50℃～70℃，成膜压力为80Pa～120Pa，RF为1.1kW～1.7kW，SiH4流量为120sccm～180sccm，NH3流量为70sccm～100sccm，N2流量为2800sccm～4200sccm，成膜时间为130秒～190秒。如果还原力过弱，则之后要形成的封止层118的封止性会变得不充分。如果还原力过强，则封止层118的剥离性会升高，但显示部101会受到损伤。
接下来，如图4（e）所示，在TFT基板111的上表面侧整体，通过原子层沉积（ALD）法形成原子层沉积膜119a（例如厚度20nm）。具体地，例如在TMA（三甲基铝）气体的存在下通过氧等离子形成Al2O3膜。优选的成膜条件为：成膜温度为75℃～95℃，成膜压力为80Pa～120Pa，RF为0.8kW～1.2kW，成膜周期为0.12nm/周期～0.18nm/周期。
在这里，原子层沉积法为通过吸附使原子级别的小的气体沉积的方法，所以即使进行利用掩模的选择成膜，气体也会绕到掩模的下侧，从而难以在所希望的区域正确地成膜。另外，通过原子层沉积法形成的原子层沉积膜119a较致密，所以若存在于端子部114上，则会妨碍端子部114与布线端子320的导通。相对于此，在本实施方式所涉及的制造方法中，能够通过后述的除去工序正确地仅除去化学蒸镀层118a的所希望的部分，所以不需要掩模，原子层沉积膜119a难以存在于端子部114上。
接下来，如图5（a）所示，在损伤层114e残留于导电层114d的表面的状态下，如图4（f）以及图5（b）所示，在原子层沉积膜119a的损伤层114e上的部分（也是导电层114d上的部分）粘接粘接带500。由此，完成粘接带粘接工序。另外，作为粘接带500，能够利用例如ACF等。
接下来，通过将粘接带500剥离，如图4（g）所示，将原子层沉积膜119a的导电层114d上的部分、化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分以及导电层114d的损伤层114e剥落而除去，使金属氧化物层114b露出。所露出的是在图5（c）中通过实线B表示的粘接有粘接带500的区域（也参照图4（g）所示的区域B）。在仅在化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分的一部分粘接有粘接带500的情况下，如图3以及图5（c）所示，仅将化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分的一部分剥落，仅金属氧化物层114b的一部分露出。在该情况下，在没有粘接粘接带500、没有被剥落的部分，如图3所示在金属氧化物层114b上残留损伤层114e。
另外，也可以为下述构成：在化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分的全部粘接粘接带500，将化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分的全部剥落。
由此，完成将化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分剥落而除去的除去工序。
原子层沉积膜119a的导电层114d上的部分以及化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分被除去，所以在将端子部114与布线端子320电连接时，端子部114与布线端子320的导通性良好。另外，原子层沉积膜119a的导电层114d上的部分以及化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分优选完全除去，但也可以使它们的一部分作为残渣而残留于导电层114d上。在该情况下，优选为不影响导电性的程度的残渣。
在除去工序中，损伤层114e既可以全部除去，也可以仅除去一部分，也可以完全不除去。在损伤层114e被全部剥落的情况下，在端子部114上不会残留损伤层114e的残渣。另一方面，在仅将损伤层114e的一部分剥落的情况下，在端子部114上残留损伤层114e的残渣，在损伤层114e完全不除去的情况下，损伤层114e原样残留在端子部114上。损伤层114e即使残留在端子部114上也不会妨碍导电性。在损伤层114e的一部分或者全部残留在端子部114上的情况下，能够推定为是通过本发明所涉及的制造方法制造的显示面板100以及显示装置1。
在除去工序中，在导电层114d的表面存在损伤层114e，所以与粘接带500一起将化学蒸镀层118a以及原子层沉积膜119a从TFT基板111侧剥离。所剥离的是损伤层114e与化学蒸镀层118a的界面、或者损伤层114e与金属氧化物层114b的界面、或者是在损伤层114e的厚度内，这是因为这些部分容易剥离。
作为这些部分容易剥离的原因，可以认为是因为：例如若导电层114d的表面暴露于在化学蒸镀法中使用的还原气体，则构成导电层114d的表面的金属氧化物的一部分被还原而成为金属，通过金属氧化物的一部分消失和金属的析出，在导电层114d的表面形成凹凸，通过该凹凸，导电层114d与化学蒸镀层118a的紧密附着性下降。另外，导电层114d的表面变质这一情况，也能够从例如包含ITO的透明的金属氧化物层114b在进行了化学蒸镀法后表面白浊或者黑化的现象来确认。
图6是对在玻璃基板上形成有包含ITO的导电层的实验用基板，在如上所述通过等离子化学蒸镀法形成了化学蒸镀层并通过原子层沉积法形成了原子层沉积膜后通过ACF剥落的表面的电子显微镜照片。图7是沿着图6所示的线段D的剖面的电子显微镜照片。图8是将由图7所示的双点划线E、F包围的部分放大的电子显微镜照片。
如图6~图8所示，能够确认：在除去工序后，化学蒸镀层的导电层上的部分以及原子层沉积膜的导电层上的部分几乎都被除去。另外，在图7以及图8中，包含Al2O3的部分对应于原子层沉积膜119a，包含SiN的部分对应于化学蒸镀层118a，包含ITO的部分对应于金属氧化物层114b。
通过以上，器件基板110完成。
另外，在图4所示的制造工艺中，省略了贴合CF基板的工序而进行了说明，但在设置CF基板的情况下，可以在图4（e）所示的形成原子层沉积膜的工序之后、图4（f）所示的粘接粘接带的工序之前设有设置CF基板的工序。
[实验]
通过实验，研究化学蒸镀层以及原子层沉积膜对导通性带来的影响。图9是表示与化学蒸镀层以及原子层沉积膜对导通性带来的影响有关的实验结果的图。在实验中，在100mm见方的玻璃板上，形成使ITO层、SiN层以及Al2O3膜适宜层叠而成的层叠体，在这些层叠体上经由ACF连接布线板，通过测试表测定层叠体的电阻值。
ACF使用混入有4μm的镀Ni塑料微粒作为导电微粒的材料。使用热压接装置，在设定温度250℃、设定时间15秒、设定压力120Pa下进行布线板经由ACF向层叠体的压接。
如图9所示，与不存在SiN层以及Al2O3膜的情况（实验1）相比较，存在2nm的Al2O3膜的情况下（实验2）的电阻值约为1.5倍。进而，存在5nm的Al2O3膜的情况下（实验3）的电阻值约为2倍，存在8nm以上的Al2O3膜的情况下（实验4）不导通。从该结果可知，若存在2nm以上的Al2O3膜，则成为导通的妨碍。
另一方面，即使形成了2nm的Al2O3膜和620nm的SiN层，在进行了除去工序的情况下（实验7），与实验1相比较也为相同程度的电阻值。这是因为，通过除去工序，SiN层以及Al2O3膜被除去。另外，在进行除去工序之前的状态下不导通。
接下来，研究粘接带的状态对剥离性带来的影响。图10是表示与粘接带的状态对剥离性带来的影响有关的实验结果的图。在实验中，在100mm见方的玻璃板上，形成使ITO层、SiN层以及Al2O3膜适宜层叠而成的层叠体，并从这些层叠体使用粘接带将SiN层以及Al2O3膜剥落而除去，评价剥落时的剥离性。作为粘接带，使用ACF。粘接带的压接使用上述的压接装置，在图10所记载的条件下进行。
如图10所示，与基本条件（实验8）相比较，在将压接温度升高而使ACF更硬化的情况下（实验9），ACF稍稍变得难以剥离，ACF的残渣残留于玻璃板，但几乎没有对剥离性以及导通性的影响。另外，尝试升高压力（实验10）或者降低压力（实验11）而改变ACF的硬度，但没有对剥离性以及导通性的影响。
ACF的硬度依压接温度和压接时间的积而确定，但在考虑ACF的树脂硬化状态（粘接强度）的条件范围内，除了为高温条件的情况，剥离性都良好。另外，在高温条件的情况下，在ACF与原子层沉积膜119a的界面或者TFT基板111与金属层114a的界面有可能剥离。
最后，若对使用了没有混入导电微粒的ACF的情况（实验12）与使用了混入有导电微粒的ACF的情况（实验13）进行比较，则在剥离性以及导通性上没有不同。由此，能够确认：之所以能够确保导电性，不是因为导电微粒使SiN层以及Al2O3膜产生裂纹而容易剥落，而是因为通过损伤层的界面，将SiN层以及Al2O3膜除去。
[变形例]
以上，具体说明了本发明的一方式所涉及的显示面板的制造方法、显示装置的制造方法、显示面板以及显示装置，但上述实施方式是为了容易理解地说明本发明的结构以及作用、效果而使用的例子，本发明的内容并不限定于上述的实施方式。例如，能够考虑以下的变形例。
图11是用于说明变形例1所涉及的显示面板的制造方法的工序图。变形例1所涉及的显示面板的制造方法，在不形成保护膜这一点，与形成保护层的上述实施方式所涉及的显示面板的制造方法不同。此外基本上与上述实施方式所涉及的显示面板的制造方法相同。因此，仅对不同点详细地进行说明，关于其他的构成，省略或者简略说明。另外，对于与上述实施方式所涉及的显示面板完全相同的部件，使用与上述实施方式所涉及的显示面板相同的符号进行说明。
在变形例1所涉及的显示面板的制造方法中，在如图4（d）所示通过化学蒸镀法形成了化学蒸镀层118a后，不形成原子层沉积膜119a，而如图11（a）所示，在化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分粘接粘接带500。由此，完成粘接带粘接工序。
接下来，通过将粘接带500剥离，如图11（b）所示，将化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分以及导电层114d的损伤层114e剥落而除去，使金属氧化物层114b露出。由此，完成化学蒸镀层118a的导电层114d上的部分剥落而除去的除去工序。
通过以上，完成器件基板610。
另外，在设置CF基板的情况下，可以在图4（d）所示的形成化学蒸镀层的工序之后、图11（a）所示的粘接粘接带的工序之前设有设置CF基板的工序。
这样，在本发明所涉及的显示面板的制造方法中，原子层沉积膜形成工序并非不可或缺。
图12是用于说明变形例2所涉及的显示面板的制造方法的工序图。变形例2所涉及的显示面板的制造方法，在形成仅包括金属层的端子部这一点，与形成包括金属层和金属氧化物层的端子部的上述实施方式所涉及的显示面板的制造方法不同。此外基本上与上述实施方式所涉及的显示面板的制造方法相同。因此，仅对不同点详细地进行说明，关于其他的构成，省略或者简略说明。另外，对于与上述实施方式所涉及的显示面板完全相同的部件，使用与上述实施方式所涉及的显示面板相同的符号进行说明。
在变形例2所涉及的显示面板的制造方法中，首先，如图12（a）所示，准备TFT基板111，该TFT基板111通过将钝化膜111d中的端子部形成预定区域的部分去除而使SD布线111c中的与金属层714a相当的部分露出。TFT基板111的SD布线111c中的要形成端子部714的预定区域为导电层714a。
接下来，如图12（b）所示，例如对树脂进行旋涂，通过光致抗蚀/光刻进行图案形成，由此形成平坦化膜112（例如厚度4μm），进而形成包括金属层的下部电极713等。下部电极713通过如下过程形成：例如，首先通过真空蒸镀或者溅射形成金属薄膜，通过光致抗蚀/光刻对该金属薄膜进行图案形成。
接下来，如图12（c）所示，依次形成堤栏115、有机发光层116、电子输送层116X以及上部电极117。
通过以上，完成在TFT基板111上形成显示部的显示部形成工序和在TFT基板111上的要形成端子部714的区域形成包含金属的导电层714a的导电层形成工序。
接下来，如图12（d）所示，在TFT基板111的上表面侧整体通过等离子化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层118a。此时，导电层714a的表面的露出部分即导电层714a的上表面以及侧面变质，在导电层714a的表面形成损伤层714b。由此，完成形成化学蒸镀层的化学蒸镀层形成工序，使得覆盖显示部101并且与导电层714a的至少上表面接触且导电层714a的上表面变质。在该时刻，导电层714a包括损伤层714b和其内侧的包含金属的端子部714。
接下来，如图12（e）所示，在TFT基板111的上表面侧整体，通过原子层沉积法形成原子层沉积膜119a。
接下来，如图12（f）所示，在原子层沉积膜119a的损伤层714b上的部分（也是导电层714a上的部分）粘接粘接带500。由此，完成粘接带粘接工序。
接下来，通过将粘接带500剥离，如图12（g）所示，将原子层沉积膜119a的导电层714a上的部分、化学蒸镀层118a的导电层714a上的部分以及导电层714a的损伤层714b剥落而除去，使端子部714露出。由此，完成将化学蒸镀层118a的导电层714a上的部分剥落而除去的除去工序。
在除去工序中，由于在导电层714a的表面存在损伤层714b，所以与粘接带500一起将化学蒸镀层118a以及原子层沉积膜119a从TFT基板111侧剥离。所剥离的是损伤层714b与化学蒸镀层118a的界面、或者损伤层714b与端子部714的界面、或者在损伤层714b的厚度内，这是因为这些部分容易剥离。作为这些部分容易剥离的原因，可以认为是因为：例如导电层714a的表面由于在等离子化学蒸镀法中使用的等离子而受到损伤。
通过以上，完成器件基板710。
另外，在图12所示的制造工艺中，省略贴合CF基板的工序而进行了说明，但在设置CF基板的情况下，可以在图12（e）所示的形成原子层沉积膜的工序之后、图12（f）所示的粘接粘接带的工序之前设有设置CF基板的工序。
这样，在本发明所涉及的显示面板的制造方法中，在导电层形成工序中，也可以形成包含金属的导电层。
作为其他的变形例，也可以在原子层沉积膜上，形成1层或者多层。在该情况下，也能够通过进行除去工序而将导电层上的部分剥落。另外，作为将化学蒸镀层剥落的方法，并不限定于利用粘接带的方法，例如也可以通过激光移除等方法剥落。
本发明所涉及的显示面板以及显示装置能够适用于例如家庭用或者公共设施、或者业务用的各种显示装置、电视装置、便携型电子设备用显示器等。

Claims (4)

1.一种显示面板的制造方法，该显示面板具备形成于基板上的不同区域的显示部以及端子部，该显示面板的制造方法包括：
显示部形成工序，在所述基板上形成显示部；
导电层形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的预定区域，形成包含金属的导电层；
化学蒸镀层形成工序，通过化学蒸镀法形成包含无机化合物的化学蒸镀层，使其覆盖所述显示部并且与所述导电层的至少上表面接触，且使得所述导电层的上表面变质；以及
除去工序，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，
还包括粘接带粘接工序，在所述化学蒸镀层形成工序后，在所述除去工序前，在所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分粘接粘接带；
在所述除去工序中，通过将所述粘接带剥离，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分剥落而除去。
3.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，
还包括原子层沉积膜形成工序，在所述化学蒸镀层形成工序后，在所述除去工序前，通过原子层沉积法在所述化学蒸镀层上形成原子层沉积膜。
4.如权利要求3所述的显示面板的制造方法，
还包括粘接带粘接工序，在所述原子层沉积膜形成工序后，在所述除去工序前，在所述原子层沉积膜的所述导电层上的部分粘接粘接带；
在所述除去工序中，通过将所述粘接带剥离，将所述化学蒸镀层的所述导电层上的部分以及所述原子层沉积膜的所述导电层上的部分剥落而除去。
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