CN103022381A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103022381A
CN103022381A CN2012103571246A CN201210357124A CN103022381A CN 103022381 A CN103022381 A CN 103022381A CN 2012103571246 A CN2012103571246 A CN 2012103571246A CN 201210357124 A CN201210357124 A CN 201210357124A CN 103022381 A CN103022381 A CN 103022381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film
photosensitive resin
luminescent layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012103571246A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103022381B (zh
Inventor
金英美
尹钟根
许峻瑛
朴汉善
都义斗
李妍景
金大炫
沈钟植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020120101196A external-priority patent/KR101463030B1/ko
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN103022381A publication Critical patent/CN103022381A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103022381B publication Critical patent/CN103022381B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。在有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法中，通过光刻处理对OLED像素进行图案化，因此能够执行大面积图案化并且能够获得精细间距，并且能够通过在有机化合物层的上部分上形成金属氧化物的缓冲层或者通过使用阴极作为掩模来对有机化合物层进行图案化来保护有机化合物层，从而改进了装置效率。另外，在红、绿和蓝像素中，通过剥离处理对两种像素进行图案化，并且剩余的一种像素被沉积以在没有图案化的情况下形成，从而能够简化工艺并且能够增加效率。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化的OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，随着对于信息显示器的兴趣的增加并且对于便携式信息媒体的使用的要求也日益增加，已经积极地对替代作为现有显示装置的阴极射线管（CRT）的重量轻的平板显示器（FPD）进行了研究和商业化。
在FPD领域中，更轻并且功耗更小的液晶显示（LCD）装置已经成为关注的焦点；然而，由于LCD装置是光接收装置，而不是发光装置，因此，具有亮度、对比度以及视角等等方面的缺点，因此已经积极地对可以克服这样的缺点的新型显示装置进行了开发。
作为新型显示装置之一的LED显示装置是自发光型装置，其因此在视角和对比度方面表现更优异，并且由于不需要背光而更轻、更薄，并且与LCD装置相比，在功耗方面具有优点。另外，OLED显示装置能够由DC在较低的电压来驱动，具有更快的响应速度，并且在制造成本方面特别具有优势。
与LCD装置或等离子显示面板（PDP）不同的是，沉积和包封是OLED显示装置的制造工艺的全部，因此制造工艺非常简单。而且，当根据其中每个像素具有薄膜晶体管（TFT）作为开关元件的主动矩阵方案驱动OLED显示装置时，虽然施加了较低的电流但是能够获得相同的亮度，因此，有利的是，OLED显示装置的能耗更低，具有高间距（或高清晰度或高分辨率），并且尺寸能够更大。
下面将参考附图详细描述OLED显示装置的基本结构和操作特性。
图1是示出一般的OLED显示装置的发光原理的图。
如图1中所示，一般的OLED显示装置包括OLED。该OLED包括形成在作为像素电极的阳极18与作为公共电极的阴极28之间的有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e。
这里，有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e包括空穴注入层30a、空穴传输层30b、发光层30c、电子传输层30d和电子注入层30e。
当驱动电压被施加到阳极18和阴极28时，已经通过空穴传输层30b的空穴和已经通过电子传输层30e的电子移动到发光层30c以形成激子，并且结果，发光层30c发射可见光。
在OLED显示装置中，均具有带有上述结构的OLED的像素被布置为矩阵形式并且由数据电压和扫描电压选择地控制以显示图像。
OLED显示装置被分为使用TFT作为开关元件的主动矩阵型显示装置和被动矩阵型OLED显示装置。其中，在主动矩阵型OLED显示装置中，作为有源元件的TFT被选择性地导通以选择像素并且通过在存储电容器中保持的电压保持像素的发光。
图2是一般的OLED显示装置中的像素的等效电路图。即，图2示出了主动矩阵型OLED显示装置中具有通常的2T1C（包括两个晶体管和一个电容器）的像素的等效电路图的示例。
参考图2，主动矩阵型OLED显示装置的像素包括OLED、彼此交叉的数据线DL和选通线GL、开关TFT SW、驱动TFT DR和存储电容器Cst。
这里，响应于来自选通线GL的扫描脉冲导通开关TFT SW以导通其源电极和漏电极之间的电流路径。在开关TFT SW的导通时间段期间，来自数据线DL的数据电压被借助于开关TFT SW的源电极和漏电极施加到驱动TFT DR的栅电极和存储电容器Cst。
这里，驱动TFT DR根据施加到其栅电极的数据电压控制在OLED中流动的电流。存储电容器Cst存储数据电压和低电势电源电压VSS之间的电压并且在一个帧时段期间均匀地保持该电压。
为了形成构成OLED显示装置的若干有机化合物层，大量地使用真空蒸镀方法。
这里，为了使用真空蒸镀方法，使用具有对应于多个像素区域的多个开口的掩模（或遮板）或者精细金属掩模（FMM）。然而，该方法的限制在于不容易处理图案的精细间距以增加基板的尺寸和实施高分辨率显示。
即，通过在薄金属板上形成作为用于沉积的图案的孔并且对其进行拉伸来制造FMM。因此，限制在于形成具有小尺寸的图案，使得难以减小OLED的大小。而且，当增加精细金属掩模的尺寸以增加面板的尺寸时，由于精细金属掩模的特性导致发生翘曲，使得图案变形从而降低了产率。
发明内容
本发明的一方面提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化，从而可用于大面积图案化并且获得高间距（或高清晰度或高分辨率）以及用于制造这样的有机发光二极管（OLED）显示装置的方法。
本发明的另一方面提供了一种其中在通过光刻的图案化处理期间保护发光层的OLED显示装置及其制造方法。
本发明的另一方面提供了一种能够简化工艺并且增加效率的OLED显示装置及其制造方法。
根据本发明的方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，其包括：形成在基板上的第一电极；形成在其上形成有第一电极的基板上的空穴注入层和空穴传输层；第一发光层，该第一发光层由第一有机膜形成并且形成在其上形成有空穴注入层和空穴传输层的基板上；第二发光层，该第二发光层由第二有机膜形成并且形成在其上形成有第一发光层的基板上；第三发光层，该第三发光层通过在其上形成有第一发光层和第二发光层的基板的整个表面上沉积第三有机膜而形成；以及形成在第三发光层上的电子注入层和第二电极。
第三发光层可以形成在第一发光层以及第二发光层的上部分上并且形成在第一发光层和第二发光层之间。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，该有机发光二极管（OLED）显示装置包括：形成在基板上的第一电极；层叠在基板上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；层叠在基板上的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；层叠在基板上的第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及形成在第一、第二和第三缓冲层上的第二电极，其中，第一、第二和第三缓冲层由金属氧化物制成。
第一、第二和第三缓冲层可以由1-2族与12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，该制造方法包括：在基板上形成第一电极；通过第一光处理在基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；通过第二光处理在基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；在第一光处理和第二光处理过程中使用之后保留的第一和第二光敏树脂图案上沉积第三有机膜；通过剥离处理将沉积在第一和第二光敏树脂图案的上部分上的第三有机膜与第一和第二光敏树脂图案一起移除以形成第三发光层；以及在第一、第二和第三发光层上形成第二电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，该制造方法包括：（a）在基板上形成第一电极；（b）将光敏树脂施加到基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；（c）对第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的位置处形成由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；（d）在保留第一光敏树脂图案的状态下在第一光敏树脂图案上沉积第一有机膜；（e）通过剥离处理移除沉积在第一光敏树脂图案的上部分上的第一有机膜与第一光敏树脂图案以在基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；（f）通过与（b）至（e）相同的处理在基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；（g）在其上形成有第一发光层和第二发光层的基板的整个表面上沉积第三有机膜；以及（h）在基板上形成第二电极。
第三发光层可以形成在第一发光层和第二发光层之间。
第三发光层可以形成在第一发光层和第二发光层的上部分上并且形成在第一发光层和第二发光层之间。
在空穴注入层和空穴传输层形成在其上形成有第一电极的基板上之后，可以在空穴注入层和空穴传输层上形成第一发光层。
第一发光层可以形成为红、绿和蓝光发光层中的任一种。
第二发光层可以形成为红、绿和蓝光发光层中的另一种。
第三发光层可以形成为红、绿和蓝光发光层中的剩余一种。
在电子传输层和电子注入层形成在其上形成有第一第二和第三发光层的基板上之后，可以在电子传输层和电子注入层上形成第二电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，该制造方法包括：在基板上形成第一电极；通过第一光处理在基板上以层叠的方式形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层以及第一缓冲层；通过第一光处理在基板上以层叠的方式形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；通过第一光处理在基板上以层叠的方式形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及在第一、第二和第三缓冲层上形成第二电极，其中第一、第二和第三缓冲层由金属氧化物制成。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，该制造方法包括：（a）在基板上形成第一电极；（b）将光敏树脂施加到基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；（c）对第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的位置处形成由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；（d）在保留第一光敏树脂图案的状态下沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；（e）通过剥离处理将沉积在第一光敏树脂图案的上部分上的用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜和第一光敏树脂图案一起移除以在基板上形成分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；（f）通过与（b）至（e）相同的处理形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；（g）通过与（b）至（e）相同的处理形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及（h）在第一、第二和第三缓冲层上形成第二电极，其中，第一、第二和第三缓冲层由金属氧化物制成。
形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层以及第一缓冲层的步骤可以包括：在基板上沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；将光敏树脂施加到其上沉积有用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜的基板的整个表面上以形成第一光敏树脂层；对第一光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第一发光层的位置处形成由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；以及通过使用第一光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜以在基板上形成分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层以及第一缓冲层。
形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层的步骤可以包括：在基板上沉积用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜；将光敏树脂施加到其上沉积有用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜的基板的整个表面以形成第二光敏树脂层；对该第二光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第二发光层的位置处形成由光敏树脂制成的第二光敏树脂图案；通过使用第二光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜以在基板上形成分别由用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜形成的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层。
形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层的步骤可以包括：在基板上沉积用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜；将光敏树脂施加到其上沉积有用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜的基板的整个表面以形成第三光敏树脂层；对该第三光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第三发光层的位置处形成由光敏树脂制成的第三光敏树脂图案；通过使用第三光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜以在基板上形成分别由用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜形成的第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层。
第一第二和第三缓冲层可以由1-2族与12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，该制造方法包括：（a）在基板上形成第四电极；（b）在其上形成有第四电极的基板上形成第一有机膜和第一导电膜；（c）将光敏树脂施加到其上形成有第一导电膜的基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；（d）对第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在将要形成第一发光层的位置处形成由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；（e）通过使用第一光敏树脂图案作为掩模选择性地移除第一导电膜以形成第一电极；（f）移除第一光敏树脂图案并且通过使用第一电极作为掩模选择性地移除下面暴露的第一有机膜以形成由第一有机膜形成的第一发光层；（g）通过与（b）至（f）相同的处理在基板上形成第二发光层和第二电极；以及（h）通过与（b）至（f）相同的处理在基板上形成第三发光层和第三电极。
在用于第一空穴注入层的薄膜和用于第一空穴传输层的薄膜形成在其上形成有第四电极的基板上之后，可以形成第一有机膜，并且在形成用于第一电子传输层的薄膜之后，可以形成第一导电膜。
如上所述，在根据本发明的实施方式的OLED显示装置及其制造方法的情况下，由于通过光刻处理对OLED像素进行图案化，因此能够执行大面积图案化并且能够获得精细的间距，并且能够通过在有机化合物层的上部分上形成金属氧化物的缓冲层或者通过使用阴极作为掩模来对有机化合物进行图案化来保护有机化合物层，从而改进了器件效率。这里，能够通过溶液处理来执行通过光刻处理的图案化，并且由于发光层在图案化处理期间得到了保护，因此能够减少装置的驱动电压和功耗并且能够增强效率。
而且，在根据本发明的实施方式的OLED显示装置及其制造方法的情况下，在红、绿和蓝光像素中，通过剥离处理来对两种像素进行图案化并且剩余的一种被沉积以在没有图案化的情况下形成，因此，能够简化处理并且能够增加效率。
当结合附图时，根据本发明的下面的详细描述，本发明的前述和其它目的、特征、方面和优点将变得更加明显。
附图说明
图1是示出一般的有机发光二极管（OLED）显示装置的发光原理的图。
图2是一般的OLED显示装置中的像素的等效电路图。
图3A至图3L是示出根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
图4A至图4H是示出根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
图5A至图5G是示出根据本发明的第三实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
图6是示出在执行了光刻处理之后缩短了装置的寿命的状态的图。
图7A至图7K是示出根据本发明的第四实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
图8是示出根据图7A至图7K中所示的本发明的第四实施方式制造的OLED显示装置的另一示例的截面图。
图9是示出根据图7A至图7K中所示的本发明的第四实施方式制造的OLED显示装置的另一示例的截面图。
图10A至10H是示出根据本发明的第五实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
图11A至图11H是示出根据本发明的第六实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
具体实施方式
下面，将参考附图详细描述根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法，从而它们能够由本发明所属于的技术领域中的技术人员容易地实施。本发明可以以各种形式来实施并且不限于这里描述的实施方式。对于OLED显示装置的有机化合物层的大面积的图案化由于基板和掩模的下垂导致不能够由现有技术使用精细金属掩模来实现，从而已经该研究了各种大面积图案化方法。在这些方法中，本发明提出了通过光刻处理（下面称为“光处理”）的图案化方法，并且这里，光处理的有利之处在于其可用于大面积的图案化并且获得精细的间距，并且可用于溶液处理的施加。
图3A至图3L是示出根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图，在该实施方式中，采用用于一些像素的OLED二极管的制造方法作为示例。
下面，用于包括2T1C（两个晶体管和一个电容器）的像素的OLED的制造方法作为用于描述目的的示例，但是本发明不限于此。
首先，虽然未示出，但是在根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置中，包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极可以形成在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板110上。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板110上。
如图3A中所示，像素电极120和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板110上。像素电极120和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极120可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极120的基板110上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极120的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板110上。
这里，有机化合物层可以具有多层结构，除了发光层以外，该多层结构还包括用于增强发射光的发光层的发光效率的辅助层。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
有机化合物层可以通过光处理和剥离处理来形成，并且为此，如图3B中所示，第一有机膜151沉积在基板110上。
这里，第一有机膜151可以在空穴注入层和空穴传输层形成在基板110上之后进行沉积，并且这里，第一有机膜151可以沉积为形成红、绿或蓝光发光层。
空穴注入层可以有利于从像素电极120进行的空穴注入，并且空穴传输层用于允许空穴传输到发光层。
之后，如图3C中所示，光敏树脂（或光致抗蚀剂）被涂覆在其上沉积有第一有机膜151的基板110的整个表面上，以形成第一光敏树脂层191。
通过特定掩模（未示出）将紫外射线选择性地照射（曝光）到第一光敏树脂层191。
之后，当通过掩模曝光的第一光敏树脂层191被显影时，如图3D中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案190a仅保留在将形成第一发光层的位置处。
光敏树脂显影溶液用于进行显影操作，并且这里，可以使用任何显影溶液，只要其溶解发光层的材料。例如，可以使用通常使用的有机碱基显影溶液，或者可以使用无机碱基显影溶液或者能够对抗蚀剂进行显影的水溶液
之后，如图3E中所示，通过使用第一光敏树脂图案190a作为掩模选择性地蚀刻在第一光敏树脂图案190a下面形成的第一有机膜的部分区域，以在基板110上形成由第一有机膜形成的第一发光层150a（第一光处理）。
这里，例如，第一发光层150a可以是红光发光层，并且蚀刻可以包括湿法蚀刻以及干法蚀刻。然而，本发明不限于此，并且第一发光层150a可以是绿光或蓝光发光层。
之后，如图3F中所示，在保留第一光敏树脂图案190a的情况下，在其上沉积第二有机膜152。
接下来的处理与用于形成第一发光层150a的第一光处理基本上相同。即，如图3G中所示，将光敏树脂涂覆在其上形成有第二有机膜152的基板110的整个表面上，以形成第二光敏树脂层192。
之后，通过特定掩模（未示出）将UV射线选择性地照射到第二光敏树脂层192。
之后，当通过掩模曝光的第二光敏树脂层192被显影时，如图3H中所示，由光敏树脂制成的第二光敏树脂图案190b仅保留在将要形成第二发光层的位置处。
之后，如图3I中所示，通过使用第二光敏树脂图案190b作为掩模选择性地蚀刻在第二光敏树脂图案190b下面形成的第一有机膜的部分区域，以在基板110上形成由第二有机膜形成的第二发光层150b（第二光处理）。
这里，例如，第二发光层150b可以是绿光发光层，并且蚀刻可以包括湿法蚀刻以及干法蚀刻。然而，本发明不限于此并且当第一发光层150a是红光发光层时，第二发光层150b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
之后，如图3J中所示，在保留第一光敏树脂图案190a和第二光敏树脂图案190b的情况下，在其上沉积第三有机膜153。
作为接下来的处理，使用剥离处理，而不是诸如上述第一和第二光处理的光处理。即，如图3K中所示，通过剥离处理移除第一光敏树脂图案和第二光敏树脂图案，并且这里，将保留在第一发光层150a和第二发光层150b上的第三有机膜与第一光敏树脂图案和第二光敏树脂图案一起移除。
结果，在第一发光层150a和第二发光层150b之间形成由第三有机膜形成的第三发光层150c。
这里，例如，当第一发光层150a是红光发光层并且第二发光层150b是绿光发光层时，第三发光层150c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层150a是红光发光层并且第二发光层150b是蓝光发光层时，第三发光层150c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层150a、第二发光层150b和第三发光层150c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
之后，如图3L中所示，作为阴极的公共电极180可以形成在第一发光层150a、第二发光层150b和第三发光层150c上。这里，接收公共电压的公共电极可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
这里，前述公共电极180可以在电子传输层和电子注入层形成在基板110上之后形成。
电子注入层有利于从公共电极180进行的电子的注入，并且电子传输层用于允许电子移动到发光层150a、150b和150c。
以该方式，在本发明的第一实施方式的情况下，由于可以省略单个光处理，即单独的光敏树脂涂覆、曝光、显影以及蚀刻处理（总共四个处理），因此能够简化工艺。而且，由于通过光处理对OLED像素进行图案化，因此能够执行大的图案化并且能够获得高间距，并且另外，能够执行溶液处理。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极120的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极120、发光层150a、150b和150c以及公共电极180可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
然而，如上所述，当通过光处理对有机化合物层进行图案化时，有机化合物层很可能由于光敏树脂、显影溶液和剥离溶液而损坏，这会导致效率和寿命的劣化。
因此，在本发明的第二和第三实施方式的情况中，在有机化合物层的上部分上形成由金属氧化物制成的缓冲层以针对光处理保护有机化合物层。将参考附图对此进行详细的描述。
图4A至4H是示出根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图，在该实施方式中，采用用于一些像素的OLED二极管的制造方法作为示例。
虽然未示出，但是如上所述，在根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置中，可以在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板210上形成包括第一栅电极的选通线以及包括第二栅电极的存储电极。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板210上。
如图4A中所示，像素电极220和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板210上。像素电极220和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极220可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极220的基板210上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极220的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板210上。
这里，有机化合物层可以具有多层结构，除了发光层以外，该多层结构还包括用于增强发射光的发光层的发光效率的辅助层。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
即，如图4A中所示，在其上形成有像素电极220的基板210上顺序地沉积用于第一空穴注入层的薄膜231、用于第一空穴传输层的薄膜241、第一有机膜251、用于第一电子传输层的薄膜261以及用于第一缓冲层的薄膜271。
这里，用于第一电子传输层的薄膜261可以包括用于第一电子注入层的薄膜，并且用于第一缓冲层的薄膜271可以由1-2族和12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
之后，如图4B中所示，光敏树脂被涂覆在其上沉积有用于第一空穴注入层的薄膜231、用于第一空穴传输层的薄膜241、第一有机膜251、用于第一电子传输层的薄膜261以及用于第一缓冲层的薄膜271的基板210的整个表面上，以便于形成第一光敏树脂层291。
通过特定掩模（未示出）将UV光选择性地照射到第一光敏树脂层291。
之后，当通过掩模曝光的第一光敏树脂层291被显影时，如图4C中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案290a仅保留在将要形成第一发光层的位置处。
之后，如图4D中所示，通过使用第一光敏树脂图案290a作为掩模选择性地蚀刻在第一光敏树脂图案290a下面形成的用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜的部分区域，以便于在基板210上形成分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层230a、第一空穴传输层240a、第一发光层250a、第一电子传输层260a和第一缓冲层270a（第一光处理）。
以该方式，由于第一缓冲层270a位于有机化合物层的上部分上，即，位于第一电子传输层260a上，因此，防止了有机化合物层（特别是第一电子传输层260a）的劣化，从而防止了装置的劣化。
而且，由于施加了金属氧化物的第一缓冲层270a，因此能够降低第一电子传输层260a和公共电极之间的能量势垒，增强了效率和寿命。
这里，例如，第一发光层250a可以是红光发光层，并且蚀刻可以包括湿法蚀刻以及干法蚀刻。然而，本发明不限于此，并且第一发光层250a可以是绿光或蓝光发光层。
之后，如图4E中所示，移除第一光敏树脂图案。
之后，如图4F中所示，通过与上述第一光处理基本上相同的第二光处理，在基板210上形成分别由用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜形成的第二空穴注入层230b、第二空穴传输层240b、第二发光层250b、第二电子传输层260b和第二缓冲层270b。
这里，例如，第二发光层250b可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且当第一发光层250a是红光发光层时，第二发光层250b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
之后，如图4G中所示，通过与上述第一和第二光处理基本上相同的第三光处理，在基板210上形成分别由用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜形成的第三空穴注入层230c、第三空穴传输层240c、第三发光层250c、第三电子传输层260c和第三缓冲层270c。
这里，例如，当第一发光层250a是红光发光层并且第二发光层250b是绿光发光层时，第三发光层250c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层250a是红光发光层并且第二发光层250b是蓝光发光层时，第三发光层250c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层250a、第二发光层250b和第三发光层250c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
之后，如图4H中所示，作为阴极的公共电极280a、280b和280c可以形成在第一缓冲层270a、第二缓冲层270b和第三缓冲层270c上。这里，接收公共电压的公共电极280a、280b和280c可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极220的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极220、发光层250a、250b和250c以及公共电极280a、280b和280c可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
图5A至图5G是示出根据本发明的第三实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图，在该实施方式中，采用用于一些像素的OLED二极管的制造方法作为示例。
虽然未示出，但是如上所述，在根据本发明的第三实施方式的OLED显示装置中，可以在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板310上形成包括第一栅电极的选通线以及包括第二栅电极的存储电极。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板310上。
如图5A中所示，像素电极320和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板310上。像素电极320和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极320可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极320的基板310上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极320的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板310上。这里，在本发明的第三实施方式的情况下，与如上所述的本发明的第二实施方式不同的是，通过剥离处理形成有机化合物层。
即，如图5A中所示，在其上形成有像素电极320的基板310的整个表面上涂覆光敏树脂，以形成第一光敏树脂层391。
通过特定掩模（未示出）将UV光选择性地照射到第一光敏树脂层391。
之后，当通过掩模曝光的第一光敏树脂层391被显影时，如图5B中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案390a仅保留在将要形成第一发光层的位置处。
之后，如图5C中所示，在保留第一光敏树脂图案390a的情况下，在第一光敏树脂图案390a上沉积用于第一空穴注入层的薄膜331、用于第一空穴传输层的薄膜341、第一有机膜351、用于第一电子传输层的薄膜361以及用于第一缓冲层的薄膜371。
这里，用于第一电子传输层的薄膜361可以包括用于第一电子注入层的薄膜，并且用于第一缓冲层的薄膜371可以由1-2族和12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
之后，如图5D中所示，通过第一剥离处理移除第一光敏树脂图案390a。这里，保留在第一光敏树脂图案390a的上部分上的用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜也与第一光敏树脂图案390a一起被移除。
结果，在基板310上形成分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层330a、第一空穴传输层340a、第一发光层350a、第一电子传输层360a和第一缓冲层370a。
这里，例如，第一发光层350a可以是红光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层350a可以是绿光或蓝光发光层。
之后，如图5E中所示，通过与上述第一剥离处理基本上相同的第二剥离处理，在基板310上形成分别由用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜形成的第二空穴注入层330b、第二空穴传输层340b、第二发光层350b、第二电子传输层360b和第二缓冲层370b。
这里，例如，第二发光层350b可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且当第一发光层350a是红光发光层时，第二发光层350b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
之后，如图5F中所示，通过与上述第一和第二剥离处理基本上相同的第三剥离处理，在基板310上形成分别由用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜形成的第三空穴注入层330c、第三空穴传输层340c、第三发光层350c、第三电子传输层360c和第三缓冲层370c。
这里，例如，当第一发光层350a是红光发光层并且第二发光层350b是绿光发光层时，第三发光层350c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层350a是红光发光层并且第二发光层350b是蓝光发光层时，第三发光层350c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层350a、第二发光层350b和第三发光层350c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
之后，如图5G中所示，作为阴极的公共电极380a、380b和380c可以形成在第一发光层350a、第二发光层350b和第三发光层350c上。这里，接收公共电压的公共电极380a、380b和380c可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极320的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极320、发光层350a、350b和350c以及公共电极380a、380b和380c可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
同时，其效率和寿命在进行了光处理之后被快速减小的有机物质被包括在有机化合物层中。例如，在蓝光发光层的情况下，在基于1000nit（尼特）的光处理之后，装置效率将从大约5.3cd/A减小到2.0cd/A。
例如，参考图6，示出了其寿命在光处理之后快速减小的有机物质，这导致LED显示装置的效率和寿命的降低。
因此，在本发明的第四实施方式中，通过剥离处理对红、绿和蓝光像素中的两种像素进行图案化，而其余的一种像素被沉积以在没有图案化的情况下形成，因此简化的工艺并且增加了效率。将参考附图详细对此进行详细描述。
图7A至图7K是示出根据本发明的第四实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图，在该实施方式中，采用用于一些像素的OLED二极管的制造方法作为示例。
虽然未示出，但是如上所述，在根据本发明的第四实施方式的OLED显示装置中，可以在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板410上形成包括第一栅电极的选通线以及包括第二栅电极的存储电极。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板410上。
如图7A中所示，像素电极420和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板410上。像素电极420和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极420可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极420的基板410上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极420的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板410上。这里，在本发明的第四实施方式的情况下，通过剥离处理对红、绿和蓝像素中的两种像素进行图案化，而其余的一种像素被沉积以在没有图案化的情况下形成，从而形成有机化合物层。
即，如图7A中所示，在其上形成有像素电极420的基板410上形成空穴注入层430和空穴传输层440。
如上所述，空穴注入层430可以有利于从像素电极420进行的空穴注入，并且空穴传输层440用于允许空穴传输到发光层。
之后，如图7B中所示，光敏树脂被涂覆在其上形成有空穴注入层430和空穴传输层440的基板410的整个表面上，以形成第一光敏树脂层491。
通过特定掩模（未示出）将UV光选择性地照射到第一光敏树脂层491。
之后，当通过掩模曝光的第一光敏树脂层491被显影时，如图7C中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案490a仅保留在除了将要形成第一发光层的位置之外的位置处。
之后，如图7D中所示，在保留第一光敏树脂图案490a的情况下，在其上沉积第一有机膜451。
之后，如图7E中所示，通过第一剥离处理移除第一光敏树脂图案490a。这里，保留在第一光敏树脂图案490a的上部分上的第一有机膜451也与第一光敏树脂图案490a一起被移除。
结果，在基板410上形成由第一有机膜形成的第一发光层450a。
这里，例如，第一发光层450a可以是红光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层450a可以是绿光或蓝光发光层。
如图7F中所示，通过以基本相同的方式将光敏树脂施加到其上形成有第一发光层450a的基板410的整个表面来形成第二光敏树脂层492。
并且，然后，通过特定掩模（未示出）将UV光选择性地照射到第二光敏树脂层492。
之后，当通过掩模曝光的第二光敏树脂层492被显影时，如图7G中所示，由光敏树脂制成的第二光敏树脂图案490b仅保留在除了将要形成第二发光层的位置之外的位置处。
之后，如图7H中所示，在保留第二光敏树脂图案490b的情况下，在其上沉积第二有机膜452。
之后，如图7I中所示，通过第二剥离处理移除第二光敏树脂图案490b。这里，保留在第二光敏树脂图案490b的上部分上的第二有机膜452也与第二光敏树脂图案490b一起被移除。
结果，在基板410上形成了由第二有机膜形成的第二发光层450b。
这里，例如，第二发光层450b可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且当第一发光层450a是红光发光层时，第二发光层450b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
如图7J中所示，在其上形成有第一发光层450a和第二发光层450b的基板410的整个表面上沉积第三有机膜，以形成第三发光层450c。
这里，第三发光层450c可以以特定厚度形成在第一发光层450a和第二发光层450b的上部分上以及形成在第一发光层450a和第二发光层450b之间。
这里，例如，当第一发光层450a是红光发光层并且第二发光层450b是绿光发光层时，第三发光层450c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层450a是红光发光层并且第二发光层450b是蓝光发光层时，第三发光层450c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层450a、第二发光层450b和第三发光层450c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
之后，如图7K中所示，电子传输层460和作为阴极的公共电极480形成在其上形成有第一发光层450a、第二发光层450b和第三发光层450c的基板410上。
这里，电子传输层460可以包括电子注入层。接收公共电压的公共电极480可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极420的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极420、发光层450a、450b和450c以及公共电极480可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
以该方式，例如，当第一发光层450a、第二发光层450b和第三发光层450c分别是红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层时，通过剥离处理对红光发光层和绿光发光层进行图案化并且蓝光发光层可以公共地形成在整个表面上。
然而，本发明不限于此，即，可以通过剥离处理对绿光发光层和蓝光发光层进行图案化而红光发光层可以公共地形成在整个表面上，或者可以通过剥离处理对红光发光层和蓝光发光层进行图案化而绿光发光层可以公共地形成在整个表面上。
图8是示出根据图7A至图7K中所示的本发明的第四实施方式制造的OLED显示装置的另一示例的截面图，其中，第一有机膜沉积在其上形成有第二发光层450b和第三发光层450c的基板410的整个表面上，以形成第一发光层450a。
这里，第一发光层450a以特定厚度均匀地形成在第二发光层450b和第三发光层450c的上部分上以及形成在第二发光层450b和第三发光层450c之间。
图9是示出根据图7A至图7K中所示的本发明的第四实施方式制造的OLED显示装置的另一示例的截面图，其中，第二有机膜沉积在其上形成有第一发光层450a和第三发光层450c的基板410的整个表面上，以形成第二发光层450b。
这里，第二发光层450b以特定厚度均匀地形成在第一发光层450a和第三发光层450c的上部分上以及形成在第一发光层450a和第三发光层450c之间。
同时，根据除了本发明的第二和第三实施方式的方法之外的方法，可以防止由于光处理导致的有机化合物层的损坏。即，可以通过使用阴极作为掩模对有机化合物层进行图案化而针对光处理保护有机化合物层。将根据本发明的第五和第六实施方式对此进行详细描述。
图10A至图10H是示出根据本发明的第五实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图。
虽然未示出，但是在根据本发明的第五实施方式的OLED显示装置中，可以在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板510上形成包括第一栅电极的选通线以及包括第二栅电极的存储电极。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板510上。
如图10A中所示，像素电极520和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板510上。像素电极520和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极520可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极520的基板510上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极520的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板510上。
这里，有机化合物层可以具有多层结构，除了发光层以外，该多层结构还包括用于增强发射光的发光层的发光效率的辅助层。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
即，如图10B中所示，在其上形成有像素电极520的基板510上顺序地沉积用于第一空穴注入层的薄膜531、用于第一空穴传输层的薄膜541、第一有机膜551、用于第一电子传输层的薄膜561以及第一导电膜581。
这里，用于第一电子传输层的薄膜561可以包括用于第一电子注入层的薄膜，并且第一导电膜581可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
之后，如图10C中所示，在其上已经沉积有用于第一空穴注入层的薄膜531、用于第一空穴传输层的薄膜541、第一有机膜551、用于第一电子传输层的薄膜561以及第一导电膜581的基板510的整个表面上涂覆光敏树脂，以形成第一光敏树脂层591。
之后，通过特定掩模M将UV射线选择性地照射到第一光敏树脂层591。
之后，当通过掩模M曝光的第一光敏树脂层591被显影时，如图10D中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案590a仅保留在将要形成第一发光层的位置处。
这里，考虑掩模M的对准误差和其它处理误差，第一光敏树脂图案590a可以被图案化以具有至少与下面的像素电极520的宽度相同的宽度。
之后，如图10E中所示，当通过使用第一光敏树脂图案590a作为掩模选择性地蚀刻在第一光敏树脂图案590a下面形成的第一导电膜的部分区域时，由第一导电膜形成的第一公共电极580a形成在将要形成第一发光层的位置处。
这里，蚀刻可以包括湿法蚀刻和干法蚀刻。
之后，如图10F中所示，通过灰化、剥离等等移除第一光敏树脂图案的剩余部分，并且这里，在通过使用第一公共电极580a作为掩模选择性地移除在其下面暴露的用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜以及用于第一电子传输层的薄膜的部分区域时，形成了分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜以及用于第一电子传输层的薄膜形成的第一空穴注入层530a、第一空穴传输层540a、第一发光层550a以及第一电子传输层560a（第一光处理）。
以该方式，由于第一公共电极580a作为阻挡层位于有机化合物层的上部分上（即，位于第一电子传输层560a上），因此，能够在光处理期间防止有机化合物层（具体地，第一电子传输层560a）的劣化，从而防止了装置的劣化。
这里，第一发光层550a可以是红光发光层，但是本发明不限于此，并且第一发光层550a可以是绿光或蓝光发光层。
接下来，如图10G中所示，通过与上述第一光处理基本上相同的第二光处理，在基板510上形成分别由用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及第二导电膜形成的第二空穴注入层530b、第二空穴传输层540b、第二发光层550b、第二电子传输层560b和第二公共电极580b。
这里，第二导电膜可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
这里，例如，第二发光层550b可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且当第一发光层550a是红光发光层时，第二发光层550b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
之后，如图10H中所示，通过与上述第一和第二光处理基本上相同的第三光处理，在基板510上形成分别由用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及第三导电膜形成的第三空穴注入层530c、第三空穴传输层540c、第三发光层550c、第三电子传输层560c和第三公共电极580c。
这里，第三导电膜可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
这里，例如，当第一发光层550a是红光发光层并且第二发光层550b是绿光发光层时，第三发光层550c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层550a是红光发光层并且第二发光层550b是蓝光发光层时，第三发光层550c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层550a、第二发光层550b和第三发光层550c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极520的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极520、发光层550a、550b和550c以及公共电极580a、580b和580c可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
这里，在根据本发明的第五实施方式的OLED显示装置中，有机化合物层和公共电极被在相邻的像素之间以特定间隔进行图案化，但是本发明不限于此。
图11A至图11H是示出根据本发明的第六实施方式的OLED显示装置的制造方法的顺序截面图，在该实施方式中，采用用于一些像素的OLED二极管的制造方法作为示例。
在该情况下，除了有机化合物层和公共电极被图案化为在相邻的像素之间彼此接触之外，根据本发明的第六实施方式的OLED显示装置具有与本发明的第五实施方式相同的构造。
虽然未示出，但是在根据本发明的第六实施方式的OLED显示装置中，可以在由诸如透明玻璃、塑料等等的绝缘材料制成的基板610上形成包括第一栅电极的选通线以及包括第二栅电极的存储电极。
由硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiO2）等等制成的栅极绝缘层可以形成在包括第一栅电极的选通线和包括第二栅电极的存储电极上。
由半导体制成的第一有源层和第二有源层可以形成在栅极绝缘层上。第一有源层和第二有源层可以分别位于第一栅电极和第二栅电极上。
数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极可以形成在第一有源层和第二有源层的上部分上。
预定的钝化层可以形成在其上已经形成有数据线、驱动电压线、第一源/漏电极和第二源/漏电极的基板610上。
如图11A中所示，像素电极620和连接电极（未示出）可以形成在其上形成有钝化膜的基板610上。像素电极620和连接电极可以由诸如铟锡氧化物（ITO）的透明导电材料或者诸如铝、银或其合金的反射导电材料制成。
作为阳极的像素电极620可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，并且连接电极可以通过第一接触孔和第三接触孔电连接到第一漏电极和第二栅电极。
可以在其上形成有像素电极620的基板610上形成分隔物（未示出）。这里，该分隔物可以像岸那样包围像素电极620的边缘，以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。
有机化合物层可以形成在基板610上。
这里，有机化合物层可以具有多层结构，除了发光层以外，该多层结构还包括用于增强发射光的发光层的发光效率的辅助层。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
即，如图11B中所示，在其上形成有像素电极620的基板610上顺序地沉积用于第一空穴注入层的薄膜631、用于第一空穴传输层的薄膜641、第一有机膜651、用于第一电子传输层的薄膜661以及第一导电膜681。
这里，用于第一电子传输层的薄膜661可以包括用于第一电子注入层的薄膜，并且第一导电膜681可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
之后，如图11C中所示，在其上已经沉积有用于第一空穴注入层的薄膜631、用于第一空穴传输层的薄膜641、第一有机膜651、用于第一电子传输层的薄膜661以及第一导电膜681的基板610的整个表面上涂覆光敏树脂，以形成第一光敏树脂层691。
之后，通过特定掩模M将UV射线选择性地照射到第一光敏树脂层691。
之后，当通过掩模M曝光的第一光敏树脂层691被显影时，如图11D中所示，由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案690a仅保留在将要形成第一发光层的位置处。
这里，第一光敏树脂图案690可以被图案化使得有机化合物层和公共电极被图案化为在相邻的像素之间彼此接触。
之后，如图11E中所示，当通过使用第一光敏树脂图案690a作为掩模选择性地蚀刻在第一光敏树脂图案690a下面形成的第一导电膜的部分区域时，由第一导电膜形成的第一公共电极680a形成在将要形成第一发光层的位置处。
这里，蚀刻可以包括湿法蚀刻和干法蚀刻。
之后，如图11F中所示，通过灰化、剥离等等移除第一光敏树脂图案的剩余部分，并且这里，在通过使用第一公共电极680a作为掩模选择性地移除在其下面暴露的用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜以及用于第一电子传输层的薄膜的部分区域时，形成了分别由用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜以及用于第一电子传输层的薄膜形成的第一空穴注入层630a、第一空穴传输层640a、第一发光层650a以及第一电子传输层660a（第一光处理）。
以该方式，由于第一公共电极680a作为阻挡层位于有机化合物层的上部分上（即，位于第一电子传输层660a上），因此，能够在光处理期间防止有机化合物层（特别地，第一电子传输层660a）的劣化，从而防止了装置的劣化。
这里，第一发光层650a可以是红光发光层，但是本发明不限于此，并且第一发光层650a可以是绿光或蓝光发光层。
接下来，如图11G中所示，通过与上述第一光处理基本上相同的第二光处理，在基板610上形成分别由用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及第二导电膜形成的第二空穴注入层630b、第二空穴传输层640b、第二发光层650b、第二电子传输层660b和第二公共电极680b。
这里，第二导电膜可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
这里，例如，第二发光层650b可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且当第一发光层650a是红光发光层时，第二发光层650b可以是蓝光发光层而不是绿光发光层。
之后，如图11H中所示，通过与上述第一和第二光处理基本上相同的第三光处理，在基板610上形成分别由用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及第三导电膜形成的第三空穴注入层630c、第三空穴传输层640c、第三发光层650c、第三电子传输层660c和第三公共电极680c。
这里，第三导电膜可以由包括钙（Ca）、钡（Ba）、镁（Mg）、铝（Al）、银（Ag）等等的反射导电材料或者诸如ITO、IZO等等的透明导电材料制成。
这里，例如，当第一发光层650a是红光发光层并且第二发光层650b是绿光发光层时，第三发光层650c可以是蓝光发光层。而且，当第一发光层650a是红光发光层并且第二发光层650b是蓝光发光层时，第三发光层650c可以是绿光发光层。然而，本发明不限于此，并且第一发光层650a、第二发光层650b和第三发光层650c可以被构造为任意顺序的红光、绿光和蓝光发光层。
在如上所述构造的OLED显示装置中，连接到选通线的第一栅电极以及连接到数据线的第一源电极和第一漏电极可以与第一有源层一起构成第一开关薄膜晶体管（TFT）。而且，连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极以及连接到像素电极620的第二漏电极可以与第二有源层一起构成驱动TFT。
而且，像素电极620、发光层650a、650b和650c以及公共电极680a、680b和680c可以构成OLED，并且相互交叠的存储电极和驱动电压线可以构成存储电容器。
由于在不偏离其特性的情况下可以以若干形式实施本发明，因此还将理解的是，上述实施方式不受到前述描述的任何细节的限制，而是应该在如所附权利要求中定义的范围内广泛地理解，并且因此，落入权利要求或其等价物内的所有改变和修改都意在包括在所附权利要求的范围内。

Claims (21)

1.一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
在基板上形成第一电极；
通过第一光处理在所述基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；
通过第二光处理在所述基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；
在所述第一光处理和所述第二光处理过程中使用之后剩余的第一光敏树脂图案和第二光敏树脂图案上沉积第三有机膜；
通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案的上部分上的所述第三有机膜连同所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案一起移除，以形成第三发光层；以及
在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上形成第二电极。
2.一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
（a）在基板上形成第一电极；
（b）将光敏树脂施加到所述基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；
（c）对所述第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的其它位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；
（d）在保留所述第一光敏树脂图案的状态下在所述第一光敏树脂图案上沉积第一有机膜；
（e）通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案的上部分上的所述第一有机膜连同所述第一光敏树脂图案一起移除以在所述基板上形成由所述第一有机膜形成的第一发光层；
（f）通过与（b）至（e）相同的处理在所述基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；
（g）在其上形成有所述第一发光层和所述第二发光层的所述基板的整个表面上沉积第三有机膜；以及
（h）在所述基板上形成第二电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三发光层形成在所述第一发光层和所述第二发光层之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三发光层形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上部分上并且形成在所述第一发光层和所述第二发光层之间。
5.根据权利要求1和权利要求2中的任一项所述的方法，其中，在空穴注入层和空穴传输层形成在其上形成有所述第一电极的所述基板上之后，在所述空穴注入层和所述空穴传输层上形成所述第一发光层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一发光层形成为红、绿和蓝光发光层中的任一种。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二发光层形成为所述红、绿和蓝光发光层中的另一种。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三发光层形成为所述红、绿和蓝光发光层中的剩余一种。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，在电子传输层和电子注入层形成在其上形成有所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的所述基板上之后，在所述电子传输层和所述电子注入层上形成所述第二电极。
10.一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
在基板上形成第一电极；
通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层以及第一缓冲层；
通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；
通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及
在所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层上形成第二电极，
其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由金属氧化物制成。
11.一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
（a）在基板上形成第一电极；
（b）将光敏树脂施加到所述基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；
（c）对所述第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的其它位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；
（d）在保留所述第一光敏树脂图案的状态下沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；
（e）通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案的上部分上的所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜连同所述第一光敏树脂图案一起移除，以在所述基板上形成分别由所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；
（f）通过与（b）至（e）相同的处理形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；
（g）通过与（b）至（e）相同的处理形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及
（h）在所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层上形成第二电极，
其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由金属氧化物制成。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一发光层、所述第一电子传输层以及所述第一缓冲层的步骤包括：
在所述基板上沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；
将光敏树脂施加到其上沉积有所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜的所述基板的整个表面，以形成第一光敏树脂层；
对所述第一光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第一发光层的位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；以及
通过使用所述第一光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜，以在所述基板上形成分别由所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜形成的所述第一空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一发光层、所述第一电子传输层以及所述第一缓冲层。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第二空穴注入层、所述第二空穴传输层、所述第二发光层、所述第二电子传输层和所述第二缓冲层的步骤包括：
在所述基板上沉积用于第二空穴注入层的薄膜、用于第二空穴传输层的薄膜、第二有机膜、用于第二电子传输层的薄膜以及用于第二缓冲层的薄膜；
将光敏树脂施加到其上沉积有所述用于第二空穴注入层的薄膜、所述用于第二空穴传输层的薄膜、所述第二有机膜、所述用于第二电子传输层的薄膜以及所述用于第二缓冲层的薄膜的所述基板的整个表面，以形成第二光敏树脂层；
对所述第二光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第二发光层的位置处形成由所述光敏树脂制成的第二光敏树脂图案；
通过使用所述第二光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻所述用于第二空穴注入层的薄膜、所述用于第二空穴传输层的薄膜、所述第二有机膜、所述用于第二电子传输层的薄膜以及所述用于第二缓冲层的薄膜，以在所述基板上形成分别由所述用于第二空穴注入层的薄膜、所述用于第二空穴传输层的薄膜、所述第二有机膜、所述用于第二电子传输层的薄膜以及所述用于第二缓冲层的薄膜形成的所述第二空穴注入层、所述第二空穴传输层、所述第二发光层、所述第二电子传输层和所述第二缓冲层。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第三空穴注入层、所述第三空穴传输层、所述第三发光层、所述第三电子传输层和所述第三缓冲层的步骤包括：
在所述基板上沉积用于第三空穴注入层的薄膜、用于第三空穴传输层的薄膜、第三有机膜、用于第三电子传输层的薄膜以及用于第三缓冲层的薄膜；
将光敏树脂施加到其上沉积有所述用于第三空穴注入层的薄膜、所述用于第三空穴传输层的薄膜、所述第三有机膜、所述用于第三电子传输层的薄膜以及所述用于第三缓冲层的薄膜的所述基板的整个表面，以形成第三光敏树脂层；
对所述第三光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第三发光层的位置处形成由所述光敏树脂制成的第三光敏树脂图案；
通过使用所述第三光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻所述用于第三空穴注入层的薄膜、所述用于第三空穴传输层的薄膜、所述第三有机膜、所述用于第三电子传输层的薄膜以及所述用于第三缓冲层的薄膜，以在所述基板上形成分别由所述用于第三空穴注入层的薄膜、所述用于第三空穴传输层的薄膜、所述第三有机膜、所述用于第三电子传输层的薄膜以及所述用于第三缓冲层的薄膜形成的所述第三空穴注入层、所述第三空穴传输层、所述第三发光层、所述第三电子传输层和所述第三缓冲层。
15.根据权利要求10和权利要求11中的任一项所述的方法，其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由1-2族与12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
16.一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：
（a）在基板上形成第四电极；
（b）在其上形成有所述第四电极的所述基板上形成第一有机膜和第一导电膜；
（c）将光敏树脂施加到其上形成有所述第一导电膜的所述基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；
（d）对所述第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在将要形成第一发光层的位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；
（e）通过使用所述第一光敏树脂图案作为掩模选择性地移除所述第一导电膜以形成第一电极；
（f）移除所述第一光敏树脂图案并且同时通过使用所述第一电极作为掩模选择性地移除下面暴露的所述第一有机膜以形成由所述第一有机膜形成的第一发光层；
（g）通过与（b）至（f）相同的处理在所述基板上形成第二发光层和第二电极；以及
（h）通过与（b）至（f）相同的处理在所述基板上形成第三发光层和第三电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在用于第一空穴注入层的薄膜和用于第一空穴传输层的薄膜形成在其上形成有所述第四电极的所述基板上之后，形成所述第一有机膜，并且在形成用于第一电子传输层的薄膜之后，形成所述第一导电膜。
18.一种有机发光二极管（OLED）显示装置，所述OLED显示装置包括：
形成在基板上的第一电极；
形成在其上形成有所述第一电极的所述基板上的空穴注入层和空穴传输层；
第一发光层，所述第一发光层由第一有机膜形成并且形成在其上形成有所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述基板上；
第二发光层，所述第二发光层由第二有机膜形成并且形成在其上形成有所述第一发光层的所述基板上；
第三发光层，所述第三发光层是通过在其上形成有所述第一发光层和所述第二发光层的所述基板的整个表面上沉积第三有机膜而形成的；以及
电子注入层和第二电极，所述电子注入层和所述第二电极形成在所述第三发光层上。
19.根据权利要求18所述的OLED显示装置，其中，所述第三发光层形成在所述第一发光层以及所述第二发光层的上部分上并且形成在所述第一发光层和所述第二发光层之间。
20.一种有机发光二极管（OLED）显示装置，所述OLED显示装置包括：
形成在基板上的第一电极；
层叠在所述基板上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；
层叠在所述基板上的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；
层叠在所述基板上的第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及
形成在所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层上的第二电极，其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由金属氧化物制成。
21.根据权利要求20所述的OLED显示装置，其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由1-2族与12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。
CN201210357124.6A 2011-09-22 2012-09-21 有机发光二极管显示装置及其制造方法 Active CN103022381B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110095959 2011-09-22
KR10-2011-0095959 2011-09-22
KR10-2012-0101196 2012-09-12
KR1020120101196A KR101463030B1 (ko) 2011-09-22 2012-09-12 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103022381A true CN103022381A (zh) 2013-04-03
CN103022381B CN103022381B (zh) 2016-01-20

Family

ID=47040509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210357124.6A Active CN103022381B (zh) 2011-09-22 2012-09-21 有机发光二极管显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (5) US9006009B2 (zh)
EP (1) EP2579313B1 (zh)
CN (1) CN103022381B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105393642A (zh) * 2013-09-19 2016-03-09 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光元件的制造方法以及显示装置的制造方法
CN106133935A (zh) * 2014-03-28 2016-11-16 Imec 非营利协会 多层并排的高分辨率图案化
CN106784401A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 有机发光器件及其制作方法
CN107123751A (zh) * 2017-04-28 2017-09-01 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN109860433A (zh) * 2019-01-09 2019-06-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
CN110783378A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法、头戴式显示装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014110143A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機ｅｌ素子
WO2015083412A1 (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法
KR102129266B1 (ko) * 2014-04-30 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2017526177A (ja) 2014-08-01 2017-09-07 オーソゴナル，インコーポレイテッド 素子のフォトリソグラフパターン化方法
EP3175495B1 (en) 2014-08-01 2020-01-01 Orthogonal Inc. Photolithographic patterning of devices
JP6653316B2 (ja) 2014-08-01 2020-02-26 オーソゴナル，インコーポレイテッド 有機ｅｌ素子のフォトリソグラフィによるパターン形成
CN110459677B (zh) 2014-08-01 2022-11-22 正交公司 有机电子装置的光刻法图案化
KR102330329B1 (ko) 2015-01-06 2021-11-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102313365B1 (ko) 2015-08-25 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2017157313A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、及び表示装置
CN106531772B (zh) * 2016-12-27 2020-01-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制作方法
KR102439873B1 (ko) 2017-03-10 2022-09-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10224349B1 (en) * 2017-12-05 2019-03-05 Shenzhen China Star Optoelecronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing TFT array substrate and display device
CN109147595B (zh) * 2018-09-30 2021-04-02 厦门天马微电子有限公司 显示装置及其制作方法
KR102682395B1 (ko) 2018-12-26 2024-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 제조방법
CN113299542B (zh) * 2021-05-20 2023-03-10 安徽熙泰智能科技有限公司 一种高分辨率硅基彩色oled微显示器件的制备方法
US20240206215A1 (en) * 2021-05-27 2024-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display device and display device
WO2023089439A1 (ja) * 2021-11-19 2023-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR20240135624A (ko) * 2022-01-21 2024-09-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953585A (en) * 1996-04-26 1999-09-14 Pioneer Electric Corporation Method for manufacturing an organic electroluminescent display device
CN1328704A (zh) * 1998-10-14 2001-12-26 优尼爱克斯公司 作为发光二极管的稳定电子注入电极的金属氧化物薄层
CN1468041A (zh) * 2002-06-03 2004-01-14 ��˹���´﹫˾ 用于其结构中含碱金属化合物的有机发光器件的溅射阴极
CN1653855A (zh) * 2002-05-09 2005-08-10 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
TW200826330A (en) * 2006-09-28 2008-06-16 Rohm Co Ltd Method for manufacturing organic material apparatus
CN101257744A (zh) * 2006-12-22 2008-09-03 索尼株式会社 有机电致发光器件和显示器
CN102169959A (zh) * 2010-01-11 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 制造高分辨率有机薄膜图案的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
JP2000113982A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイの製造方法
US6617186B2 (en) * 2000-09-25 2003-09-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing electroluminescent element
JP3813069B2 (ja) 2001-05-31 2006-08-23 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
KR20030069707A (ko) * 2002-02-22 2003-08-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
EP1569500A4 (en) * 2002-04-10 2009-09-30 Dainippon Printing Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE
US7431628B2 (en) * 2005-11-18 2008-10-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device
TWI323047B (en) * 2006-11-28 2010-04-01 Univ Nat Taiwan The method for forming electronic devices by using protection layers
KR101213487B1 (ko) * 2006-12-04 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자
JP2008147072A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8288763B2 (en) * 2008-12-10 2012-10-16 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
KR101182442B1 (ko) * 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP2013168242A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Canon Inc 有機発光装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953585A (en) * 1996-04-26 1999-09-14 Pioneer Electric Corporation Method for manufacturing an organic electroluminescent display device
CN1328704A (zh) * 1998-10-14 2001-12-26 优尼爱克斯公司 作为发光二极管的稳定电子注入电极的金属氧化物薄层
CN1653855A (zh) * 2002-05-09 2005-08-10 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
CN1468041A (zh) * 2002-06-03 2004-01-14 ��˹���´﹫˾ 用于其结构中含碱金属化合物的有机发光器件的溅射阴极
TW200826330A (en) * 2006-09-28 2008-06-16 Rohm Co Ltd Method for manufacturing organic material apparatus
CN101257744A (zh) * 2006-12-22 2008-09-03 索尼株式会社 有机电致发光器件和显示器
CN102169959A (zh) * 2010-01-11 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 制造高分辨率有机薄膜图案的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105393642A (zh) * 2013-09-19 2016-03-09 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光元件的制造方法以及显示装置的制造方法
CN106133935A (zh) * 2014-03-28 2016-11-16 Imec 非营利协会 多层并排的高分辨率图案化
CN106133935B (zh) * 2014-03-28 2019-05-31 Imec 非营利协会 多层并排的高分辨率图案化
CN106784401A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 有机发光器件及其制作方法
US10192933B2 (en) 2016-12-21 2019-01-29 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
CN107123751A (zh) * 2017-04-28 2017-09-01 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN107123751B (zh) * 2017-04-28 2019-04-16 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN110783378A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法、头戴式显示装置
CN109860433A (zh) * 2019-01-09 2019-06-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
CN109860433B (zh) * 2019-01-09 2021-06-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2579313B1 (en) 2021-10-27
US9960376B2 (en) 2018-05-01
US20130075768A1 (en) 2013-03-28
EP2579313A1 (en) 2013-04-10
US9006009B2 (en) 2015-04-14
US9425438B2 (en) 2016-08-23
US10256428B2 (en) 2019-04-09
US20150188098A1 (en) 2015-07-02
CN103022381B (zh) 2016-01-20
US20160329513A1 (en) 2016-11-10
US10547017B2 (en) 2020-01-28
US20190198792A1 (en) 2019-06-27
US20180226599A1 (en) 2018-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103022381B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
KR101218844B1 (ko) 발광 소자와 그 제조 방법, 및 발광 장치
JP4144687B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
US8969111B2 (en) Method for manufacturing display device
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
KR101895616B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5658256B2 (ja) 発光素子とその製造方法、および発光装置
CN104835831A (zh) 有机发光显示面板及其制造方法
WO2012017497A1 (ja) 有機ｅｌ素子
KR20130033259A (ko) 유기 발광 소자와 그 제조 방법, 유기 표시 패널, 유기 표시 장치
KR101463030B1 (ko) 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
US7671530B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP4748147B2 (ja) 有機ｅｌ装置
TW200428309A (en) Organic EL display
WO2012017486A1 (ja) 発光素子の製造方法
JP2010044916A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007311358A (ja) 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP2006351553A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JPH08171989A (ja) エレクトロルミネセンス発光素子
JP2004152595A (ja) 表示装置
KR20060092673A (ko) 유기 발광 다이오드 표시 소자 및 그 제조 방법
TW201507142A (zh) 有機電子設備用基板及有機電子設備之製造方法
JP2007214234A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
JPH09306671A (ja) 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant