CN110783378A

CN110783378A - 显示装置及其制造方法、头戴式显示装置

Info

Publication number: CN110783378A
Application number: CN201910694049.4A
Authority: CN
Inventors: 孙英训; 许峻瑛; 朴容敏; 朴贤敏
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2018-07-31
Filing date: 2019-07-30
Publication date: 2020-02-11
Also published as: GB201910936D0; US20200043987A1; DE102019120476A1; KR102604263B1; GB2577601A; GB2577601B; US11282897B2; KR20200013901A

Abstract

本发明提供了显示装置及其制造方法、头戴式显示装置。根据本发明的实施例的显示装置包括：第一基板，所述第一基板具有在其上能够设置多个子像素的多个子像素区域；设置在所述第一基板的所述多个子像素区域的每个上的下电极；设置在所述下电极上的发光层；以及设置在所述发光层上的上电极；所述子像素包括所述下电极、所述发光层和所述上电极，其中，所述发光层包括光致异构化材料。根据本发明的显示装置能够在不使用FMM和光刻胶的情况下使发光层和上电极图案化。

Description

显示装置及其制造方法、头戴式显示装置

技术领域

本公开涉及显示图像的显示装置、包括该显示装置的头戴式显示装置以及该显示装置的制造方法。

背景技术

随着信息时代的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。因此，诸如包括液晶显示(LCD)装置和等离子体显示板(PDP) 装置的非自发光显示装置以及包括有机发光显示(OLED)装置和量子点发光显示(QLED)装置的电致发光显示装置的各种类型显示装置近来已被使用。

在显示装置中，有机发光显示装置是自发光装置，并且具有视角和对比度比液晶显示(LCD)装置的视角和对比度更优异的优点。而且，由于有机发光显示装置不需要单独的背光，因此有利的是有机发光显示装置能够薄且重量轻并且具有低功耗。此外，有机发光显示装置的优点在于其可以低直流电压被驱动、具有快的响应速度并且尤其具有低制造成本。

有机发光显示装置包括多个发光二极管。各自具有其彼此不同的颜色的发光层形成为被图案化在多个发光二极管中。在现有技术中，通过使用精细金属掩模(FMM)或光刻胶的工艺形成图案化的各自具有彼此不同的颜色的发光层。然而，如果使用FMM，则金属掩模由于其重量而下垂，由此出现难以进行精确沉积的问题。而且，如果使用光刻胶，则会出现由于溶液工艺而损坏发光层的问题。在具有紧凑像素间隔的显示装置(如超高分辨率的头戴式显示器(HMD))中，这个问题更加严重。

发明内容

本公开是鉴于上述问题而做出的，并且本公开的目的是提供一种可以防止发光层和上电极被损坏的显示装置。

本公开的另一个目的是提供一种其中发光层和上电极可以被提供为被精确地图案化的显示装置。

根据本公开的一个方面，上述和其他目的可以通过提供如下显示装置来实现，该显示装置包括具有在其上能够设置多个子像素的多个子像素区域的第一基板、设置在所述第一基板的所述多个子像素区域的每个上的下电极、设置在所述下电极上的发光层以及设置在所述发光层上的上电极，所述子像素包括所述下电极、所述发光层和所述上电极，其中，所述发光层包括光致异构化材料。

根据本公开的另一方面，上述和其他目的可以通过提供如下用于制造显示装置的方法来实现，该方法包括提供具有在其上能够设置多个子像素的多个子像素区域的第一基板、在所述第一基板的所述多个子像素区域的每个上设置下电极、在所述下电极上设置发光层以及在所述发光层上设置上电极，所述子像素包括所述下电极、所述发光层和所述上电极，其中，所述发光层包括光致异构化材料。

根据本公开，由于发光层包括光致异构化材料，因此可以选择性地沉积上电极。

根据本公开，发射不同颜色的光的发光层和上电极可以形成为甚至在没有FMM的情况下被图案化。因此，在本公开中，由于不产生FMM的下垂，所以发光层和上电极可以形成为被精确地图案化。而且，可以降低由 FMM的使用和维护产生的成本。

此外，在本公开中，发射不同颜色的光的发光层和上电极可以形成为甚至在没有光刻胶的情况下被图案化。因此，在本公开中，可以防止发光层和上电极在制造过程中被损坏，并且可以提高发光二极管的寿命和效率。

此外，在本公开中，由于上电极形成为被图案化，因此可以使其形成区域最小化。因此，在本公开中，可以减少上电极对外部光的反射，并且可以减小在上电极和另一电极层之间产生的寄生电容。

除了如上所述的本公开的效果之外，本领域技术人员将从以下对本公开的描述中将清楚地理解本公开的其他目的和特征。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他目的、特征和其他优点，其中：

图1是示出根据本公开的一个实施例的显示装置的透视图；

图2是示出沿图1的线I-I截取的一个示例的横截面图；

图3是示出沿图1的线II-II截取的一个示例的横截面图；

图4是示出图2和图3的单个子像素的简要横截面图；

图5是示出光致异构化材料暴露于光的情况和光致异构化材料未暴露于光的情况的示例图；

图6是示出使用光致异构化材料的金属图案化的一个示例的视图；

图7是示出图2的修改示例的横截面图；

图8是示出图2的另一修改示例的横截面图；

图9是示出图8的单个子像素的简要横截面图；

图10A至图10O是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的制造方法的横截面图；

图11是示出沿图1的线I-I截取的另一示例的横截面图；

图12是示出图11的单个子像素的简要横截面图；

图13A至图13C是示出根据每个像素发光层的层的厚度的发光强度的视图；

图14A至图14C是示出每个子像素的像素发光层中包括的层的厚度的视图；

图15a至图15n是示出根据本公开的第二实施例的显示装置的制造方法的横截面图；

图16是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的透视图；

图17是示出沿图16的线III-III截取的一个示例的横截面图；

图18是示出图17的单个子像素的简要横截面图；

图19A至图19I是示出根据本公开的第三实施例的显示装置的制造方法的横截面图；和

图20A至图20C是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的视图，并且涉及头戴式显示(HMD)装置。

具体实施方式

通过以下参考附图描述的实施例，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开彻底和完整，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。

用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所示出的细节。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用“仅～”。除非另有相反的说明，否则单数形式的术语可包括复数形式。

在解释特征时，尽管没有明确的描述，但是该特征应被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”、“在…… 上方”、“在……下方”和“在……近旁”时，除非使用“就在”或“直接”，否则可以在两个其它部分之间布置一个或多个部分。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种特征，但是这些特征不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个特征与另一个特征区分开。例如，在不脱离本发明的范围情况下，第一特征可以被称为第二特征，并且类似地，第二特征可以被称为第一特征。

在描述本公开的特征时，可以使用术语“第一”，“第二”等。这些术语旨在将对应特征与其他特征识别开，并且对应特征的基础、顺序或数量不受这些术语的限制。除非特别提到，特征“连接”或“联接”到另一个特征的表达应该被理解为该特征可以直接连接或联接到另一个特征，但是也可以间接连接或联接到另一个特征，或者第三个特征可以介于对应特征之间。

本公开的各种实施例的特征可以部分地或整体地联接到彼此或者彼此组合，并且可以彼此各种相互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的那样。本公开的实施例可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示装置的实施例。只要有可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。

第一实施例

图1是示出根据本公开的一个实施例的显示装置的透视图；图2是示出沿图1的线I-I截取的一个示例的横截面图；图3是示出沿图1的线II-II 截取的一个示例的横截面图；以及图4是示出图2和图3的单个子像素的简要横截面图。

图5是示出光致异构化材料暴露于光的情况和光致异构化材料未暴露于光的情况的示例图；以及图6是示出使用光致异构化材料的金属图案化的一个示例的视图。

图7是示出图2的修改示例的横截面图；图8是示出图2的另一修改示例的横截面图；以及图9是示出图8的各个子像素的简要横截面图。

参考图1、图2和图3，根据本公开的第一实施例的显示装置100包括第一基板110、下电极120、发光层130、上电极140、封装层150和第二基板160。

第一基板110可以由塑料膜或玻璃基板制成，但不限于此。第一基板 110可以由使用半导体工艺形成的硅晶片基板制成。第一基板110可以由透明材料或不透明材料制成。如果显示装置以其中光发射到底部部分的底部发射型被提供，则可以使用透明材料作为第一基板110。如果显示装置以其中光发射到上部部分的顶部发射型被提供，则不仅可以使用透明材料而且可以使用不透明材料作为第一基板110。

第一基板110可以包括栅极线、数据线、电源线和晶体管。栅极线可以布置成与数据线交叉。栅极线连接到栅极驱动器并被提供栅极信号。数据线连接到数据驱动器并被提供数据电压。晶体管包括开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管。

开关晶体管根据提供给栅极线的栅极信号而切换，并用于将数据线提供的数据电压提供给驱动晶体管。

驱动晶体管根据开关晶体管提供的数据电压来切换，以从电源线供应的电源产生数据电流，并且用于将产生的数据电流提供给下电极120。

感测晶体管用于感测驱动晶体管的阈值电压偏差，驱动晶体管的阈值电压偏差是图像劣化的原因。

顺序地沉积下电极120、发光层130和上电极140的区域可以被定义为用于发射预定光的子像素P。子像素P可以包括但不限于用于发射蓝色(B) 光的第一子像素P1、用于发射绿色(G)光的第二子像素P2以及用于发射红色(R)光的第三子像素P3。子像素P还可以包括用于发射白色(W) 光的子像素。而且，子像素P1、P2和P3的布置顺序可以以各种方式改变。

下电极120包括第一下电极121、第二下电极122和第三下电极123，它们在基板110上以预定间隔彼此间隔开。第一下电极121形成为被图案化在第一子像素P1中，第二下电极122形成为被图案化在第二子像素P2 中，并且第三下电极123形成为被图案化在第三子像素P3中。晶体管(未示出)可以布置在第一、第二和第三子像素P1、P2和P3中，并且根据数据线的数据电压(如果来自栅极线的栅极信号输入到其上的话)向第一下电极121、第二下电极122和第三下电极123中的每一个提供预定电压。

第一、第二和第三下电极121、122和123设置在基板110上。例如，第一、第二和第三下电极121、122和123可以形成为包括具有高反射率的金属材料，诸如铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的沉积结构 (ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pb)和铜(Cu)的合金。第一、第二和第三下电极121、122和123中的每一个可以是阳极。第一、第二和第三下电极121、122和123中的每一个可以与驱动晶体管连接。

堤部B设置在基板110上，以覆盖第一、第二和第三下电极121、122 和123中的每一个的边缘，由此限定第一、第二和第三子像素P1、P2和 P3中的每一个的发光区域。也就是说，在子像素P1、P2和P3的每一个中的没有设置堤部B的开口区域成为发光区域。另一方面，在子像素P1、P2 和P3的每一个中设置有堤部B的区域成为非发光区域。

堤部B设置在基板110上，同时覆盖第一、第二和第三下电极121、 122和123中的每一个的边缘。因此，对于子像素P1、P2和P3形成为被图案化的第一、第二和第三下电极121、122和123可以通过堤部B彼此绝缘。另外，由于电流集中在第一、第二和第三下电极121、122和123中的每一个的端部上而导致的亮度效率劣化的问题得以解决。

堤部B可以由有机膜(例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂)形成，但不限于此。

发光层130设置在下电极120上。发光层130包括第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133，它们形成为被图案化在第一、第二和第三子像素P1、P2和P3中以发射不同颜色的光。

详细地，第一像素发光层131形成为被图案化在布置于第一子像素P1 中的第一下电极121上。如图4所示，第一像素发光层131包括空穴传输层HTL、用于发射第一颜色的光的第一光产生层EML1、第一电子传输层 ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，第一子像素P1发射第一颜色的光。第一颜色可以是但不限于蓝色(B)。

第二像素发光层132形成为被图案化在布置于第二子像素P2中的第二下电极122上。如图4所示，第二像素发光层132包括空穴传输层HTL，用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的第二光产生层EML2、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，第二子像素P2 发射第二颜色的光。第二颜色可以是但不限于绿色(G)。

第三像素发光层133形成为被图案化在布置于第三子像素P3中的第三下电极123上。如图4所示，第三像素发光层133包括空穴传输层HTL、用于发射与第一和第二颜色不同的第三颜色的光的第三光产生层EML3、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，第三子像素P3发射第三颜色的光。第三颜色可以是但不限于红色(R)。

包括在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层 133的每一个中的空穴传输层HTL用于将空穴平滑地传输到第一光产生层 EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3中的每一个。

包括在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层 133的每一个中的第一电子传输层ETL用于将电子平滑地传输到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3中的每一个。

包括在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层 133的每一个中的第二光致变色电子传输层PC-ETL用于将电子平滑地传输到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3中的每一个。而且，第二光致变色电子传输层PC-ETL用于对子像素P1、P2 和P3中的每一个允许上电极140形成为被图案化。为此，第二光致变色电子传输层PC-ETL包括电子传输材料和光致异构化材料。

电子传输材料是将电子平滑地移动到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、 PF-6P、TPBI、COT和SAlq构成的组中的至少任何一种。

所述电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。根据具体情况，可以省略第一电子传输层ETL。在这种情况下，第二光致变色电子传输层 PC-ETL不掺杂有n型掺杂剂，并且发光层130还可以包括设置在第一像素发光层131和第二像素发光层131之间以及第二像素发光层132和第三像素发光层133之间的单独的电荷产生层CGL。

光致异构化材料是在暴露于诸如UV的光的情况下改变为具有另一物理或化学特性的异构体的材料，并且例如可以是光致变色材料。光致变色材料是这样一种材料，在其暴露于诸如UV的光的情况下其颜色发生变化，在光被遮蔽的情况下其颜色恢复成原始颜色。例如，光致变色材料可包括二芳基乙烯基化合物。

例如，第二光致变色电子传输层PC-ETL可以通过组合包括以下化学式1的光致异构化材料和包括以下化学式2的电子传输材料而具有如下化学式3中表示的化学结构。

【化学式1】

【化学式2】

【化学式3】

光致异构化材料具有根据其是否暴露于光而变化的金属材料沉积速率。详细地，如图5所示，被UV照射的光致异构化材料经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV 照射的光致异构化材料上。另一方面，如图5所示，未被UV照射的光致异构化材料经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。

在根据本公开的一个实施例的显示装置中，可以使用光致异构化材料的特性选择性地图案化金属。参考图6，首先，制备包括光致异构化材料的第二光致变色电子传输层PC-ETL。然后，将UV照射到包括光致异构化材料的第二光致变色电子传输层PC-ETL的特定区域A。然后，如果金属材料B沉积在包括光致异构化材料的第二光致变色电子传输层PC-ETL上，则如图6所示，金属材料B可以仅沉积在被UV照射的特定区域A上。

第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂。

同时，第一、第二和第三子像素P1、P2和P3中的每一个还可以包括在下电极121、122和123与空穴传输层HTL之间的空穴注入层HIL。此时，空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂以改善迁移率。

如图2和图3所示，在布置有第一、第二和第三子像素P1、P2和P3 的显示区域AA上，第一、第二和第三像素发光层131、132和133彼此间隔开。

另一方面，如图3所示，在边框区域BA中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133彼此重叠。详细地，在边框区域BA的一部分中，第一、第二和第三上电极141、142和143与第一、第二和第三像素发光层 131、132和133重叠。在边框区域BA的一部分中，第一上电极141可以设置在第一和第二像素发光层131和132之间，第二上电极142可以设置在第二和第三像素发光层132和133之间，并且第三上电极可以设置在第三像素发光层133上。

上电极140设置在发光层130上。上电极140包括第一上电极141、第二上电极142和第三上电极143，它们分别形成为被图案化在第一、第二和第三子像素P1、P2和P3中。

详细地，第一上电极141形成为被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131上。第一上电极141可以以这样的方式形成：在第一像素发光层131形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第一子像素 P1中的第一像素发光层131上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL 上，然后在其上沉积金属材料。因此，第一上电极141形成为仅被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131上。此时，由于第一上电极141形成为邻接第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL，所以第一上电极141在显示区域AA中可以具有与第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL的形成区域相同的形成区域。

第二上电极142形成为被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132上。第二上电极142可以以这样的方式形成：在第二像素发光层132形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第二子像素P2中的第二像素发光层132上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL上，然后在其上沉积金属材料。因此，第二上电极142形成为仅被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132上。此时，由于第二上电极142 形成为邻接第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL，所以第二上电极142在显示区域AA中可以具有与第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL的形成区域相同的形成区域。

第三上电极143形成为被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133上。第三上电极143可以以这样的方式形成：在第三像素发光层133形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第三子像素P3中的第三像素发光层133上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL上，然后在其上沉积金属材料。因此，第三上电极143形成为仅被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133上。此时，由于第三上电极143 形成为邻接第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL，所以第三上电极143在显示区域AA中可以具有与第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL的形成区域相同的形成区域。

同时，如图2和图3所示，在布置有第一、第二和第三子像素P1、P2 和P3的显示区域AA中，第一、第二和第三上电极141、142和143彼此间隔开。

另一方面，如图3所示，在边框区域BA中，第一、第二和第三上电极141、142和143彼此重叠。详细地，在边框区域BA的一部分中，第一、第二和第三上电极141、142和143与第一、第二和第三像素发光层131、 132和133重叠。在边框区域BA的一部分中，第一像素发光层131可以设置在第一上电极141下方，第二像素发光层132可以设置在第一和第二上电极141和142之间，并且第三像素发光层133可以设置在第二和第三上电极142和143之间。这是因为第一、第二和第三像素发光层131、132和 133以及第一、第二和第三上电极141、142和143被设置为比显示区域AA 宽。

此外，第一、第二和第三上电极141、142和143被设置为比第一、第二和第三像素发光层131、132和133宽，由此仅第一、第二和第三上电极可以在边框区域BA的另一部分中彼此重叠。因此，第一、第二和第三上电极141、142和143可以在边框区域BA中彼此电连接。

第一、第二和第三上电极141、142和143可以由能够透射光的诸如ITO 和IZO的透明导电材料(TCO)形成，或者可以由诸如Mg、Ag或Mg和 Ag的合金的半透射导电材料形成。

可以提供封装层150以覆盖上电极140。封装层150用于防止氧气或水渗透到发光层130和上电极140中。为此，封装层150可包括至少一种无机膜和至少一种有机膜。

详细地，封装层150可以包括第一无机膜151和有机膜152。在一个实施例中，封装层150还可以包括第二无机膜153。

第一无机膜151被设置成覆盖上电极140。有机膜152设置在第一无机膜151上。优选的是，有机膜152被设置成具有足够长的长度以防止颗粒通过穿过第一无机膜151而渗透到发光层130和上电极140中。第二无机膜153被设置成覆盖有机膜152。

第一和第二无机膜151和153中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。第一和第二无机膜151和153可以通过但不限于化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积。

有机膜152可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。

第二基板160可以是封装基板，或者可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。

在根据如图2和图3所示的本公开的第一实施例的显示装置100中，发光层130和上电极140仅设置在下电极120的上表面和堤部B的侧面上，但不限于此。

在另一实施例中，如图7所示，发光层130和上电极140可以设置在下电极120的上表面和堤部B的侧面以及上表面的一部分上。该结构可以应用于稍后将描述的其他实施例。

更详细地，第一像素发光层131和第一上电极141可以设置在第一下电极121的上表面和堤部B的侧面及上表面的一部分上。第二像素发光层 132和第二上电极142可以设置在第二下电极122的上表面和堤部B的侧面及上表面的一部分上。第三像素发光层133和第三上层电极143可以设置在第三下电极123的上表面和堤部B的侧面及上表面的一部分上。

第一、第二和第三像素发光层131、132和133可以在它们彼此间隔开的范围内覆盖堤部B的上表面的一部分。第一、第二和第三上电极141、 142和143也可以在它们彼此间隔开的范围内覆盖堤部B的上表面的一部分。

如上所述，尽管优选的是上电极141仅布置在与下电极120和发光层 130重叠的发光区域上，但是考虑到制造工艺的误差，上电极141可以被设置成覆盖堤部B的上表面的一部分。

此外，在根据图2和图3中所示的本公开的第一实施例的显示装置100 中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133以相同的厚度设置，但不限于此。

在另一实施例中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133可以具有彼此不同的厚度以实现微腔特性。此时，为了实现微腔特性，下电极 120可以包括具有高反射率的金属材料，并且上电极140可以包括半透射金属材料。

从发光层130发射的光的一部分透射过上电极140，但是从发光层130 发射的光的另一部分被上电极140反射，然后被下电极120再反射，由此，光行进到上电极140。这样，随着在上电极140和下电极120之间重复进行反射和再反射，可以通过透射过上电极140的光显示图像。此时，如果上电极140和下电极120之间的距离h1、h2和h3达到从每个子像素P1、P2 和P3发射的光的半波长λ/2的整数倍，则发生增强干涉以放大光。如果如上重复反射和再反射，则可以连续增大光的放大水平，以提高光的外部提取效率。该特性被称为微腔特性。

用于发射具有长波长范围的红色(R)光的第三子像素P3中的第三下电极123和第三上电极143之间的第三距离h3、用于发射具有中间波长范围的绿色(G)光的第二子像素P2中的第二下电极122和第二上电极142 之间的第二距离h2、以及用于发射具有短波长范围的蓝色(B)光的第一子像素P1中的第一下电极121和第一上电极141之间的第一距离h1可以设置为彼此不同。

在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133形成为被图案化。因此，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133以彼此不同的厚度设置，由此第一、第二和第三距离h1、h2和h3可以设置为彼此不同。例如，如图9所示，通过调节第一、第二和第三像素发光层 131、132和133中的每一个中包括的空穴传输层HTL的厚度，可以将第一、第二和第三距离h1、h2和h3设置为彼此不同。然而，第一、第二和第三距离h1、h2和h3不限于该示例。

如上所述的显示装置100可以通过在第一、第二和第三子像素P1、P2 和P3中实现微腔特性来提高光效率。

图10A至图10O是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的制造方法的横截面图。

首先，如图10A所示，在基板110上形成晶体管(未示出)和下电极 120。

详细地，在基板110上形成每个晶体管的有源层。有源层可以由多晶硅基半导体材料、单晶硅基半导体材料或氧化物基半导体材料形成。

然后，在有源层上形成栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以由无机膜(例如，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或SiOx和SiNx的多层膜)形成。

然后，在栅极绝缘膜上形成栅极。

然后，在有源层和栅极上形成第一绝缘膜。第一绝缘膜可以由无机膜 (例如，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或SiOx和SiNx的多层膜) 形成。

然后，形成穿透第一绝缘膜的第一和第二接触孔。在第一绝缘膜上形成通过第一接触孔连接到有源层的源极和通过第二接触孔连接到有源层的漏极。

然后，在源极和漏极上另外形成第一绝缘膜。形成穿透另外形成的第一绝缘膜的第三接触孔。在另外形成的第一绝缘膜上形成通过第三接触孔连接到漏极的M3金属层。

然后，在M3金属层上形成第二绝缘膜。第二绝缘膜可以由无机膜(例如，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或SiOx和SiNx的多层膜)形成。

然后，形成通过第二绝缘膜连接到M3金属层的第四接触孔。在第二绝缘膜上形成通过第四接触孔连接到M3金属层的M4金属层。

然后，在M4金属层上另外形成第二绝缘膜。形成通过另外形成的第二绝缘膜连接到M4金属层的第五接触孔。可以省略M3金属层、M4金属层和第二绝缘膜。

然后，在第二绝缘膜上形成下电极120。更详细地，在第二绝缘膜上形成下电极膜。下电极膜可以形成为包括具有高反射率的金属材料，例如铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pb)和铜(Cu)的合金。

然后，在下电极膜上形成光刻胶图案。光刻胶图案可以形成在将形成第一、第二和第三子像素P1、P2和P3的位置上。干法蚀刻未被光刻胶图案覆盖的下电极膜，以如图10A所示形成第一、第二和第三下电极121、 122和123，并且去除光刻胶图案。

接下来，如图10B所示，形成堤部B以覆盖第一、第二和第三下电极 121、122和123的边缘。

详细地，在第一、第二和第三下电极121、122和123上形成充电材料。充电材料可以是有机材料，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。

然后，通过干法蚀刻形成堤部B。可以优选地选择能够蚀刻充电材料但不能蚀刻第一、第二和第三下电极121、122和123的材料作为干法蚀刻材料。

接下来，第一像素发光层131和第一上电极141形成为被图案化在第一子像素P1中。

更详细地，如图10C所示，第一像素发光层131形成在第一、第二和第三下电极121、122和123以及堤部B上。第一像素发光层131可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第一像素发光层131，则可以使用蒸镀法。

第一像素发光层131包括空穴传输层HTL、用于发射第一颜色的光的第一光产生层EML1、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层 PC-ETL。第一颜色可以是但不限于蓝色(B)。

第二光致变色电子传输层PC-ETL包括电子传输材料和光致异构化材料。

电子传输材料是将电子平滑地移动到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、 PF-6P、TPBI、COT和SAlq构成的组中的至少任何一种。电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。

然后，如图10D所示，UV仅照射到第一子像素P1。掩模布置在第二子像素P2和第三子像素P3上，并且掩模的开口区域O布置在第一子像素 P1上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第一子像素P1中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第一子像素P1中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第二子像素P2和第三子像素P3中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图10E所示，第一上电极141形成为被图案化在第一子像素 P1中。被UV照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第一上电极141形成为仅被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

然后，如图10F所示，执行等离子体灰化以去除形成在第二和第三子像素P2和P3中的第一像素发光层131。可以使用氧等离子体去除其上未形成第一上电极141的第一像素发光层131。

接下来，第二像素发光层132和第二上电极142形成为被图案化在第二子像素P2中。

更详细地，如图10G所示，第二像素发光层132形成在第一上电极141、第二和第三下电极122和123以及堤部B上。第二像素发光层132可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第二像素发光层132，则可以使用蒸镀法。

第二像素发光层132包括空穴传输层HTL、用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的第二光产生层EML2、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第二颜色可以是但不限于绿色(G)。

然后，如图10H所示，UV仅照射到第二子像素P2。掩模布置在第一子像素P1和第三子像素P3上，并且掩模的开口区域O布置在第二子像素P2上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第二子像素P2中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第二子像素P2中的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第一子像素P1和第三子像素P3中的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图10I所示，第二上电极142形成为被图案化在第二子像素 P2中。被UV照射的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第二上电极142形成为仅被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

然后，如图10J所示，执行等离子体灰化以去除形成在第一子像素P1 和第三子像素P3中的第二像素发光层132。可以使用氧等离子体去除其上未形成第二上电极142的第二像素发光层132。

接下来，第三像素发光层133和第三上电极143形成为被图案化在第三子像素P3中。

更详细地，如图10K所示，第三像素发光层133形成在第一和第二上电极141和142、第三下电极123以及堤部B上。第三像素发光层133可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第三像素发光层 133，则可以使用蒸镀法。

第三像素发光层133包括空穴传输层HTL、用于发射与第一和第二颜色不同的第三颜色的光的第三光产生层EML3、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第三颜色可以是但不限于红色(R)。

然后，如图10L所示，UV仅照射到第三子像素P3。掩模布置在第一子像素P1和第二子像素P2上，并且掩模的开口区域O布置在第三子像素 P3上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第三子像素P3中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第三子像素P3中的第三像素发光层 133的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第一子像素P1和第二子像素P2中的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层 PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图10M所示，第三上电极143形成为被图案化在第三子像素 P3中。被UV照射的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第三上电极143形成为仅被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

然后，如图10N所示，执行等离子体灰化以去除形成在第一子像素P1 和第二子像素P2中的第三像素发光层133。可以使用氧等离子体去除其上未形成第三上电极143的第三像素发光层133。

接下来，如图10O所示，在第一、第二和第三上电极141、142和143 上形成封装层150和第二基板160。

更详细地，在第一、第二和第三上电极141、142和143上形成第一无机膜151。第一无机膜151可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过但不限于化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法来沉积第一无机膜151。

然后，在第一无机膜151上形成有机膜152。有机膜152可以由有机材料(例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂)形成。

然后，在有机膜152上形成第二无机膜153。第二无机膜153可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过但不限于化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积 (ALD)方法来沉积第二无机膜153。

然后，在第二无机膜153上形成第二基板160。

如上所述的根据本发明的第一实施例的显示装置100的特征在于，其在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133的每一个中包括由电子传输材料和光致异构化材料制成的第二光致变色电子传输层。在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，UV被选择性地照射到第二光致变色电子传输层以改变光致异构化材料的特性，使得金属材料可以很好地沉积在光致异构化材料上。当上电极140选择性地沉积在被UV照射的第二光致变色电子传输层上时，第一、第二和第三上电极141、142 和143分别形成为被图案化在第一像素发光层131、第二像素发光层132 和第三像素发光层133上。

在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，第一、第二和第三上电极141、142和143以及第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133可以在即使没有FMM的情况下形成为被图案化。因此，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，发光层130和上电极140 可以形成为被精确地图案化。此外，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，可以降低由FMM的使用和维护产生的成本。

在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，第一、第二和第三上电极141、142和143以及第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133可以在即使没有光刻胶的情况下形成为被图案化。因此，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，可以防止发光层130和上电极140在制造过程中被损坏。在根据本公开的第一实施例的显示装置100 中，发光二极管的寿命和效率可以得到提高。

在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，由于上电极140形成为被图案化，因此其形成区域可以被最小化。因此，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，可以减少上电极140的外部光反射。而且，在根据本公开的第一实施例的显示装置100中，可以减小在上电极140和另一电极层之间产生的寄生电容。

第二实施例

图11是示出沿图1的线I-I截取的另一示例的横截面图；以及图12是示出图11的单个子像素的简要横截面图。

参考图11和图12，根据本公开的第二实施例的显示装置100包括第一基板110、下电极120、发光层130、上电极140、封装层150和第二基板 160。

由于图11中所示的第一基板110、封装层150和第二基板160基本上与图1和图2中所示的第一基板110、封装层150和第二基板160相同，因此将省略对它们的详细描述。在下文中，将基于根据本公开的第二实施例的下电极120、发光层130和上电极140给出描述。

堤部B设置在基板110上，以覆盖第一、第二和第三下电极121、122 和123中的每一个的边缘，由此限定第一、第二和第三子像素P1、P2和 P3中的每一个的发光区域。也就是说，在子像素P1、P2和P3的每一个中没有设置堤部B的开口区域成为发光区域。另一方面，在子像素P1、P2 和P3的每一个中设置有堤部B的区域成为非发光区域。

发光层130设置在下电极120上。发光层130包括第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133，它们形成为被图案化以发射不同颜色的光。

详细地，第一像素发光层131形成为被图案化在分别布置于第一、第二和第三子像素P1、P2和P3中的第一、第二和第三下电极121、122和 123上。如图12所示，第一像素发光层131包括空穴传输层HTL、用于发射第一颜色的光的第一光产生层EML1、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第一颜色可以是但不限于蓝色(B)。

第二像素发光层132形成为被图案化在布置于第二子像素P2和第三子像素P3的每一个中的第一像素发光层131上。如图12所示，第二像素发光层132包括空穴传输层HTL、用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的第二光产生层EML2、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层 PC-ETL。第二颜色可以是但不限于绿色(G)。

第三像素发光层133形成为被图案化在布置于第三子像素P3中的第二像素发光层132上。如图12所示，第三像素发光层133包括空穴传输层 HTL、用于发射与第一和第二颜色不同的第三颜色的光的第三光产生层 EML3、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第三颜色可以是但不限于红色(R)。

包括在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层 133的每一个中的第二光致变色电子传输层PC-ETL用于将电子平滑地传输到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3中的每一个。而且，第二光致变色电子传输层PC-ETL用于对于子像素P1、 P2和P3中的每一个允许上电极140形成为被图案化。为此，第二光致变色电子传输层PC-ETL包括电子传输材料和光致异构化材料。

电子传输材料是将电子平滑地移动到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、PF-6P、TPBI、COT和SAlq构成的组中的至少任何一种。所述电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。

光致异构化材料具有根据其是否暴露于光而变化的金属材料沉积速率。详细地，被UV照射的光致异构化材料经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV照射的光致异构化材料经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。

第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂。

在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一、第二和第三子像素P1、P2和P3具有它们各自彼此不同的叠层结构。

更详细地，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一子像素P1具有单叠层的结构。第一像素发光层131设置在第一子像素P1中，由此包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射第一颜色的光。

此时，为了对于从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光实现微腔特性，可以在第一子像素P1中提供第一下电极121和第一上电极141之间的某个距离。当在第一下电极121和第一上电极141之间重复反射和再反射时，发生增强干涉以放大光，从而从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光被发射到外部。结果，在第一子像素P1中发射第一颜色的光。

根据本公开的第二实施例的显示装置100在第二子像素P2中具有两叠层串联结构。在第二子像素P2中，第二像素发光层132设置在第一像素发光层131上。在这种情况下，第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL和第二像素发光层132的空穴注入层HIL可以彼此邻接以用作电荷产生层。第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL 可以掺杂有n型掺杂剂并且将电子注入到第一像素发光层131中，第二像素发光层132的空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂并且将空穴注入到第二像素发光层132中。

在第二子像素P2中，从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层 EML1发射第一颜色的光，并且从包括在第二像素发光层132中的第二光产生层EML2发射第二颜色的光。

此时，为了对于从第二光产生层EML2发射的第二颜色的光实现微腔特性，可以在第二子像素P2中提供第二下电极122和第二上电极142之间的某个距离。当在第二下电极122和第二上电极142之间重复反射和再反射时，发生增强干涉以放大光，从而从第二光产生层EML2发射的第二颜色的光被发射到外部。另一方面，当在第二下电极122和第二上电极142 之间重复反射和再反射以引起偏移干涉时，光会消失，从而从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光不会被发射到外部。结果，在第二子像素P2 中发射第二颜色的光。

根据本公开的第二实施例的显示装置100在第三子像素P3中具有三叠层串联结构。在第三子像素P3中，第二像素发光层132设置在第一像素发光层131上，第三像素发光层133设置在第二像素发光层132上。

在这种情况下，第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL和第二像素发光层132的空穴注入层HIL可以彼此邻接以用作电荷产生层。第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂并且将电子注入到第一像素发光层131中，第二像素发光层132的空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂并且将空穴注入到第二像素发光层132中。

此外，第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL和第三像素发光层133的空穴注入层HIL可以彼此邻接以用作电荷产生层。第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂并且将电子注入到第二像素发光层132中，并且第三像素发光层133 的空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂并且将空穴注入到第三像素发光层133中。

在第三子像素P3中，从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层 EML1发射第一颜色的光，从包括在第二像素发光层132中的第二光产生层EML2发射第二颜色的光，并且从包括在第三像素发光层133中的第三光产生层EML3发射第三颜色的光。

此时，为了对于从第三光产生层EML3发射的第三颜色的光实现微腔特性，可以在第三子像素P3中提供第三下电极123和第三上电极143之间的某个距离。当在第三下电极123和第三上电极143之间重复反射和再反射时，发生增强干涉以放大光，从而从第三光产生层EML3发射的第三颜色的光被发射到外部。

另一方面，当在第三下电极123和第三上电极143之间重复反射和再反射以引起偏移干涉时，光会消失，从而从第二光产生层EML2发射的第二颜色的光不会被发射到外部。而且，当在第三下电极123和第三上电极 143之间重复反射和再反射以引起偏移干涉时，光会消失，从而从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光不会被发射到外部。结果，在第三子像素 P3中发射第三颜色的光。

上电极140设置在发光层130上。上电极140包括第一上电极141、第二上电极142和第三上电极143，它们分别形成为被图案化在第一、第二和第三子像素P1、P2和P3的每一个中。

详细地，第一上电极141形成为被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131上。第一上电极141可以以这样的方式形成：在第一像素发光层131形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第一子像素 P1中的第一像素发光层131上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL 上，然后在其上沉积金属材料。因此，第一上电极141形成为仅被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131上。此时，第一上电极 141形成为邻接第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL。

第二上电极142形成为被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132上。第二上电极142可以以这样的方式形成：在第二像素发光层132形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第二子像素P2中的第二像素发光层132上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL上，然后在其上沉积金属材料。因此，第二上电极142形成为仅被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132上。此时，第二上电极142形成为邻接第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL。

第三上电极143形成为被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133上。第三上电极143可以以这样的方式形成：在第三像素发光层133形成在下电极120上之后，UV被照射到布置在第三子像素P3中的第三像素发光层133上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL上，然后在其上沉积金属材料。因此，第三上电极143形成为仅被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133上。此时，第三上电极143形成为邻接第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL。

同时，在布置有第一、第二和第三子像素P1、P2和P3的显示区域AA 中，第一、第二和第三上电极141、142和143彼此间隔开。

另一方面，在边框区域BA中，第一、第二和第三上电极141、142和 143可以彼此重叠。详细地，在边框区域BA的一部分中，第一、第二和第三上电极141、142和143与第一、第二和第三像素发光层131、132和133 重叠。在边框区域BA的一部分中，第一像素发光层131可以设置在第一上电极141下方，第二像素发光层132可以设置在第一上电极141和第二上电极142之间，并且第三像素发光层133可以设置在第二上电极142和第三上电极143之间。这是因为第一、第二和第三像素发光层131、132和 133以及第一、第二和第三上电极141、142和143被设置为比显示区域AA 宽。

图13A至图13C是示出根据每个像素发光层的层的厚度的发光强度的视图；以及图14A至图14C是示出每个子像素的像素发光层中包括的层的厚度的视图。

图13A示出了根据从第一光产生层EML1到第一下电极121的第一厚度T1和从第一光产生层EML1到第一上电极141的第二厚度T2的发光强度。在这种情况下，第一光产生层EML1具有设置为20nm的固定值。图 14A示出了根据本公开的第二实施例的显示装置100的第一子像素P1。

参考图13A和图14A，第一厚度T1可以等于但不限于包括在第一像素发光层131中的空穴注入层HIL和空穴传输层HTL的厚度之和。

第二厚度T2可以等于但不限于包括在第一像素发光层131中的第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度之和。可以省略第一电子传输层ETL，在这种情况下，第二厚度T2可以等于第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度。

从第一光产生层EML1发射的光由于在图13A中所示的脊R中发生的增强干涉而具有最大强度，并且由于在谷V中发生的偏移干扰而具有最小强度。第一厚度T1和第二厚度T2可以对应于图13A中所示的脊R所在的位置的多个点中的一个。

因此，第一子像素P1显示从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光。

图13B示出了根据从第二光产生层EML2到第二下电极122的第三厚度T3和从第二光产生层EML2到第二上电极142的第四厚度T4的发光强度。在这种情况下，第二光产生层EML2具有设置为20nm的固定值。图 14B示出了根据本公开的第二实施例的显示装置100的第二子像素P2。

参考图13B和图14B，第三厚度T3可以等于但不限于包括在第二像素发光层132中的空穴注入层HIL和空穴传输层HTL与第一像素发光层131 的厚度之和。可以省略空穴注入层HIL。在这种情况下，第三厚度T3可以等于包括在第二像素发光层132中的空穴传输层HTL与第一像素发光层 131的厚度之和。

第四厚度T4可以等于但不限于包括在第二像素发光层132中的第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度之和。可以省略第一电子传输层ETL，并且在这种情况下，第四厚度T4可以等于包括在第二像素发光层132中的第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度。

从第二光产生层EML2发射的光由于在图13B中所示的脊R中发生的增强干涉而具有最大强度，并且由于在谷V中发生的偏移干扰而具有最小强度。第三厚度T3和第四厚度T4可以对应于图13B中所示的脊R所在的位置的多个点中的一个。

同时，优选的是，从布置在第二子像素P2中的第一光产生层EML1 发射的光不会被发射到外部。因此，从第一光产生层EML1到第二下电极 122的第五厚度T5和从第一光产生层EML1到第二上电极142的第六厚度 T6可以对应于图13A中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个。此时，第五厚度T5可以等于但不限于第一厚度T1。如果第一下电极121的厚度等于第二下电极122的厚度，则第五厚度T5可以等于第一厚度T1。然而，如果第一下电极121的厚度不同于第二下电极122的厚度，则第五厚度T5 可以与第一厚度T1不同。

可以提供第二子像素P2中的每个层的厚度以满足第一条件，即第三厚度T3和第四厚度T4对应于图13B中所示的脊R所在的位置的多个点中的一个，且满足第二条件，即第五厚度T5和第六厚度T6对应于图13A中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个。

因此，第二子像素P2显示从第二光产生层EML2发射的第二颜色的光。

图13C示出了根据从第三光产生层EML3到第三下电极123的第七厚度T7和从第三光产生层EML3到第三上电极143的第八厚度T8的发光强度。在这种情况下，第三光产生层EML3具有设置为20nm的固定值。图 14C示出了根据本公开的第二实施例的显示装置100的第三子像素P3。

参考图13C和图14C，第七厚度T7可以等于但不限于包括在第三像素发光层133中的空穴注入层HIL和空穴传输层HTL与第一和第二像素发光层131和132的厚度之和。可以省略空穴注入层HIL，并且在这种情况下，第七厚度T7可以等于包括在第三像素发光层中的空穴传输层HTL与第一和第二像素发光层131和132的厚度之和。

第八厚度T8可以等于但不限于包括在第三像素发光层133中的第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度之和。可以省略第一电子传输层ETL，并且在这种情况下，第八厚度T8可以等于包括在第三像素发光层133中的第二光致变色电子传输层PC-ETL的厚度。

从第三光产生层EML3发射的光由于在图13C中所示的脊R中发生的增强干涉而具有最大强度，并且由于在谷V中发生的偏移干扰而具有最小强度。第七厚度T7和第八厚度T8可以对应于图13C中所示的脊R所在的位置的多个点中的一个。

同时，优选的是，从布置在第三子像素P3中的第一光产生层EML1 发射的光不会被发射到外部。因此，从第一光产生层EML1到第三下电极 123的第九厚度T9和从第一光产生层EML1到第三上电极143的第十厚度 T10可以对应于图13A中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个。此时，第九厚度T9可以等于但不限于第一厚度T1。如果第一下电极121的厚度等于第三下电极123的厚度，则第九厚度T9可以等于第一厚度T1。然而，如果第一下电极121的厚度不同于第三下电极123的厚度，则第九厚度T9 可以与第一厚度T1不同。

此外，优选的是，从布置在第三子像素P3中的第二光产生层EML2 发射的光不会被发射到外部。因此，从第二光产生层EML2到第三下电极 123的第十一厚度T11和从第二光产生层EML2到第三上电极143的第十二厚度T12可以对应于图13B中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个。此时，第十一厚度T11可以等于但不限于第三厚度T3。如果第二下电极122 的厚度等于第三下电极123的厚度，则第十一厚度T11可以等于第三厚度 T3。然而，如果第二下电极122的厚度不同于第三下电极123的厚度，则第十一厚度T11可以与第三厚度T3不同。

可以提供第三子像素P3中的每个层的厚度以满足第一条件，即第七厚度T7和第八厚度T8对应于图13C中所示的脊R所在的位置的多个点中的一个，并满足第二条件，即第九厚度T9和第十厚度T10对应于图13A中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个，且满足第三条件，即第十一厚度T11和第十二厚度T12对应于图13B中所示的谷V所在的位置的多个点中的一个。

图15A至图15M是示出根据本公开的第二实施例的显示装置的制造方法的横截面图。

首先，如图15A所示，在基板110上形成晶体管(未示出)和下电极 120。

然后，在栅极绝缘膜上形成栅极。

然后，在下电极膜上形成光刻胶图案。光刻胶图案可以形成在将形成第一、第二和第三子像素P1、P2和P3的位置上。干法蚀刻未被光刻胶图案覆盖的下电极膜，以形成如图15A所示的第一、第二和第三下电极121、 122和123，并且去除光刻胶图案。

接下来，如图15B所示，形成堤部B以覆盖第一、第二和第三下电极 121、122和123的边缘。

更详细地，如图15C所示，第一像素发光层131形成在第一、第二和第三下电极121、122和123以及堤部B上。第一像素发光层131可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第一像素发光层131，则可以使用蒸镀法。

电子传输材料是将电子平滑地传输到第一光产生层EML1、第二光产生层EML2和第三光产生层EML3的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、 PF-6P、TPBI、COT和SAlq构成的组中的至少任何一种。所述电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。

然后，如图15D所示，UV仅照射到第一子像素P1。掩模布置在第二子像素P2和第三子像素P3上，并且掩模的开口区域O布置在第一子像素 P1上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第一子像素P1中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第一子像素P1中的第一像素发光层 131的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第二子像素P2和第三子像素P3中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图15E所示，第一上电极141形成为被图案化在第一子像素 P1中。被UV照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第一上电极141形成为仅被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

更详细地，如图15F所示，第二像素发光层132形成在第一上电极141 和第一像素发光层131上。第二像素发光层132可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第二像素发光层132，则可以使用蒸镀法。

然后，如图15G所示，UV仅照射到第二子像素P2。掩模布置在第一子像素P1和第三子像素P3上，并且掩模的开口区域O布置在第二子像素 P2上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第二子像素P2中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第二子像素P2中的第二像素发光层 132的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第一子像素P1和第三子像素P3中的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层 PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图15H所示，第二上电极142形成为被图案化在第二子像素 P2中。被UV照射的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第二上电极142形成为仅被图案化在布置于第二子像素P2中的第二像素发光层132的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

更详细地，如图15I所示，第三像素发光层133形成在第二上电极142 和第二像素发光层132上。第三像素发光层133可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第三像素发光层133，则可以使用蒸镀法。

然后，如图15J所示，UV仅照射到第三子像素P3。掩模布置在第一子像素P1和第二子像素P2上，并且掩模的开口区域O布置在第三子像素 P3上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第三子像素P3中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第三子像素P3中的第三像素发光层 133的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第一子像素P1和第二子像素P2中的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层 PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图15K所示，第三上电极143形成为被图案化在第三子像素 P3中。被UV照射的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第三上电极143形成为仅被图案化在布置于第三子像素P3中的第三像素发光层133的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

然后，如图15L所示，执行等离子体灰化以去除形成在第一子像素P1 和第二子像素P2中的第三像素发光层133以及形成在第一子像素P1中的第二像素发光层132。可以使用氧等离子体去除其上未形成第三上电极143 的第三像素发光层133。而且，可以使用氧等离子体去除其上未形成第二上电极142的第二像素发光层132。

接下来，如图15M所示，在第一、第二和第三上电极141、142和143 上形成封装层150和第二基板160。

然后，在第二无机膜153上形成第二基板160。

同时，在图15L中，可以执行等离子体灰化以去除形成在第一子像素 P1和第二子像素P2中的第三像素发光层133以及形成在第一子像素P1中的第二像素发光层132。然而，不限于该示例，图15L中所示的等离子体灰化工艺可以在另一实施例中被省略。在这种情况下，在最终产品步骤中，如图15N所示，第二和第三像素发光层132和133可以保留在第一子像素 P1中的第一下电极131上，并且第三像素发光层133可以保留在第二子像素P2中的第二下电极132上。

如上所述的根据本发明第二实施例的显示装置100的特征在于，其在第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133的每一个中包括由电子传输材料和光致异构化材料制成的第二光致变色电子传输层。在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，UV被选择性地照射到第二光致变色电子传输层以改变光致异构化材料的特性，使得金属材料可以很好地沉积在光致异构化材料上。当上电极140选择性地沉积在被UV 照射的第二光致变色电子传输层上时，第一、第二和第三上电极141、142 和143分别形成为被图案化在第一像素发光层131、第二像素发光层132 和第三像素发光层133上。

在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一、第二和第三上电极141、142和143以及第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133可以在即使没有FMM的情况下形成为被图案化。因此，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，发光层130和上电极140 可以形成为被精确地图案化。此外，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，可以降低由FMM的使用和维护产生的成本。

在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一、第二和第三上电极141、142和143以及第一像素发光层131、第二像素发光层132和第三像素发光层133可以在即使没有光刻胶的情况下形成为被图案化。在这种情况下，第一、第二和第三上电极141、142和143可以在边框区域BA 中彼此重叠，由此可以将预定电压施加到第一、第二和第三上电极141、142 和143中的每一个。然而，不限于这种情况，第一、第二和第三上电极141、 142和143可以被图案化，以便在边框区域BA中不相互重叠，由此可以将预定电压施加到第一、第二和第三上电极141、142和143中的每一个。因此，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，可以防止发光层130 和上电极140在制造过程中被损坏。在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，可以提高发光二极管的寿命和效率。

此外，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，由于与根据本公开的第一实施例的显示装置相比可以减少等离子体灰化处理的次数，因此制造工艺可以被简化。

此外，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，即使没有布置单独的颜色滤波器，也可以从第一、第二和第三子像素P1、P2和P3发射不同颜色的光。在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一像素发光层131的每个层的厚度在第一子像素P1中适当地形成，以对从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光实现微腔特性。此外，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一像素发光层131和第二像素发光层132 的每个层的厚度在第二子像素P2中适当地形成，使对从第二光产生层 EML2发射的第二颜色的光实现微腔特性，同时从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光可以消失。此外，在根据本公开的第二实施例的显示装置100中，第一、第二和第三像素发光层131、132和133的每个层的厚度在第三子像素P3中适当地形成，使对从第三光产生层EML3发射的第三颜色的光实现微腔特性，同时从第一光产生层EML1发射的第一颜色的光和从第二光产生层EML2发射的第二颜色的光可以消失。

第三实施例

图16是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的透视图；图17是示出沿图16的线III-III截取的一个示例的横截面图；以及图18是示出图 17的各个子像素的简要横截面图。

参考图16、图17和图18，根据本公开的第三实施例的显示装置100 包括第一基板110、下电极120、发光层130、上电极140、封装层150、颜色滤波器170和第二基板160。

由于图16和图17中所示的第一基板110、封装层150和第二基板160 与图1和图2中所示的第一基板110、封装层150和第二基板160基本相同，因此将省略对它们的详细描述。在下文中，将基于根据本公开的第三实施例的下电极120、发光层130、上电极140和颜色滤波器170给出描述。

顺序地沉积下电极120、发光层130和上电极140的区域可以被定义为用于发射预定光的子像素P。子像素P可以包括用于发射蓝色(B)光的第一子像素P1、用于发射绿色(G)光的第二子像素P2、用于发射红色(R) 光的第三子像素P3以及用于发射白色(W)光的第四子像素P4。此外，子像素P1、P2、P3和P4的布置顺序可以以各种方式改变。

下电极120包括第一下电极121、第二下电极122、第三下电极123和第四下电极124，它们在基板110上以预定间隔彼此间隔开。第一下电极 121形成为被图案化在第一子像素P1中，第二下电极122形成为被图案化在第二子像素P2中，第三下电极123形成为被图案化在第三子像素P3中，并且第四下电极123形成为被图案化在第四子像素P4中。晶体管(未示出) 可以布置在第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4中，并且根据数据线的数据电压(如果来自栅极线的栅极信号输入到其上的话)向第一下电极121、第二下电极122、第三下电极123和第四下电极124中的每一个提供预定电压。

第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124设置在基板110 上。例如，第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124可以形成为包括具有高反射率的金属材料，诸如铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pb)和铜(Cu)的合金。第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124中的每一个可以是阳极。第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124中的每一个可以与驱动晶体管连接。

堤部B设置在基板110上以覆盖第一、第二、第三和第四下电极121、 122、123和124中的每一个的边缘，由此限定第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4中的每一个的发光区域。也就是说，在子像素P1、 P2、P3和P4的每一个中没有设置堤部B的开口区域成为发光区域。另一方面，在子像素P1、P2、P3和P4的每一个中设置有堤部B的区域成为非发光区域。

堤部B设置在基板110上，同时覆盖第一、第二、第三和第四下电极 121、122、123和124中的每一个的边缘。因此，对于子像素P1、P2、P3 和P4形成为被图案化的第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和 124可以通过堤部B彼此绝缘。另外，由于电流集中在第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124中的每一个的端部上而导致的亮度效率劣化的问题得以解决。

发光层130设置在下电极120上。发光层130包括第一像素发光层131 和第四像素发光层134，它们形成为被图案化以发射不同颜色的光。。

详细地，第一像素发光层131设置在分别布置于第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4中的第一、第二、第三和第四下电极121、 122、123和124上。在这种情况下，第一像素发光层131可以是共同设置在第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4中的公共层。

如图18所示，第一像素发光层131包括空穴传输层HTL、用于发射第一颜色的光的第一光产生层EML1、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第一颜色可以是但不限于蓝色(B)。

第四像素发光层134设置在布置于第一、第二、第三和第四子像素P1、 P2、P3和P4中的第一像素发光层131上。在这种情况下，第四像素发光层134可以是共同设置在第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和 P4中的公共层。

如图18所示，第四像素发光层134包括空穴传输层HTL、用于发射与第一颜色不同的第四颜色的光的第四光产生层EML4、第一电子传输层ETL 和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第四颜色可以是但不限于黄绿色 (YG)。

包括在第一像素发光层131和第四像素发光层134的每一个中的空穴传输层HTL用于将空穴平滑地传输到第一光产生层EML1和第四光产生层 EML4中的每一个。

包括在第一像素发光层131和第四像素发光层134中的每一个中的第一电子传输层ETL用于将电子平滑地传输到第一光产生层EML1和第四光产生层EML4中的每一个。

包括在第一像素发光层131和第四像素发光层134中的每一个中的第二光致变色电子传输层PC-ETL用于将电子平滑地传输到第一光产生层 EML1和第四光产生层EML4中的每一个。而且，第二光致变色电子传输层PC-ETL用于对于子像素P1、P2、P3和P4允许上电极140形成为被图案化。为此，第二光致变色电子传输层PC-ETL包括电子传输材料和光致异构化材料。

电子传输材料是将电子平滑地移动到第一光产生层EML1和第四光产生层EML4的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、PF-6P、TPBI、COT 和SAlq构成的组中的至少任何一种。电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL 可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。根据具体情况，第一电子传输层ETL可以被省略。

第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂。

同时，第一像素发光层131还可以包括在下电极121、122、123和124 与空穴传输层HTL之间的空穴注入层HIL。此时，空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂以改善迁移率。

在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4具有两叠层串联结构。第一和第四像素发光层131和134设置在所有第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和 P4中。

然而，由于第一上电极141在第一子像素P1中设置在第一像素发光层 131和第四像素发光层134之间，因此仅从布置在第一下电极121和第一上电极141之间的第一像素发光层131发光。

另一方面，第四像素发光层134直接设置在第二、第三和第四子像素 P2、P3和P4中的第一像素发光层131上。在这种情况下，第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL和第四像素发光层134的空穴注入层HIL可以彼此邻接以用作电荷产生层。第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL可以掺杂有n型掺杂剂并且将电子注入到第一像素发光层131中，并且第四像素发光层134的空穴注入层HIL可以掺杂有p型掺杂剂并且将空穴注入到第四像素发光层134中。

在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中，从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射第一颜色的光，并且从包括在第四像素发光层134中的第四光产生层EML4发射第四颜色的光。结果，在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中发射第一颜色和第四颜色的混合光。在这种情况下，混合光可以是白色光。

同时，尽管图17和图18示出显示装置仅包括第一和第四像素发光层 131和134，但是本公开不限于图17和图18的示例。在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，从多个像素发光层发射的颜色的混合光是白色光。在另一实施例中，显示装置100可以包括第一、第二和第三像素发光层131、132和133。在这种情况下，第一、第二和第三像素发光层131、 132和133可以是共同设置用于第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、 P3和P4的公共层。

上电极140设置在发光层130上。上电极140包括第一上电极141和第四上电极144，它们形成为被图案化在第一、第二、第三和第四子像素 P1、P2、P3和P4中。

第四上电极144形成为被图案化在布置于第二、第三和第四子像素P2、 P3和P4中的第四像素发光层134上。第四上电极144可以以这样的方式形成：在第四像素发光层134形成在第一像素发光层131上之后，UV被照射到布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中的第四像素发光层134 上，尤其是第二光致变色电子传输层PC-ETL上，然后在其上沉积金属材料。因此，第四上电极144形成为仅被图案化在布置于第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中的第四像素发光层134上。此时，第四上电极144 形成为邻接第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL。

第一和第四上电极141和144可以由能够透射光的诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成，或者可以由诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。

颜色滤波器170设置在封装层150上。颜色滤波器170包括：布置成对应于第二子像素P2的第一颜色滤波器CF1和布置成对应于第三子像素 P3的第二颜色滤波器CF2。

第一颜色滤波器CF1和第二颜色滤波器CF2可以根据从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射的光的颜色而变化。如果从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射的光的颜色是蓝色 (B)的话，则第一子像素P1即使没有单独的颜色滤波器也发射蓝色(B) 的光。在这种情况下，第一颜色滤波器CF1可以是透射绿色(G)的光的绿色滤波器，第二颜色滤波器CF2可以是透射红色(R)的光的红色滤波器。

同时，如果从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射的光的颜色是绿色(G)的话，则第一子像素P1即使没有单独的颜色滤波器也发射绿色(G)的光。在这种情况下，第一颜色滤波器CF1可以是透射蓝色(B)的光的蓝色滤波器，第二颜色滤波器CF2可以是透射红色 (R)的光的红色滤波器。

同时，如果从包括在第一像素发光层131中的第一光产生层EML1发射的光的颜色是红色(R)的话，则第一子像素P1即使没有单独的颜色滤波器也发射红色(R)的光。在这种情况下，第一颜色滤波器CF1可以是透射绿色(G)的光的绿色滤波器，第二颜色滤波器CF2可以是透射蓝色 (B)的光的蓝色滤波器。

颜色滤波器170还可以包括布置成对应于第一和第四子像素P1和P4 的透明有机膜(未示出)。

图19A至图19I是示出根据本公开的第三实施例的显示装置的制造方法的横截面图。

首先，如图19A所示，在基板110上形成晶体管(未示出)和下电极 120。

然后，在栅极绝缘膜上形成栅极。

然后，在有源层和栅极上形成第一绝缘膜。第一绝缘膜可以由无机膜(例如，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或SiOx和SiNx的多层膜) 形成。

然后，在下电极膜上形成光刻胶图案。光刻胶图案可以形成在将形成第一、第二、第三和第四子像素P1、P2、P3和P4的位置上。干法蚀刻未被光刻胶图案覆盖的下电极膜，以形成如图19A所示的第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124，并且去除光刻胶图案。

接下来，如图19B所示，形成堤部B以覆盖第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124的边缘。

详细地，在第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124上形成充电材料。充电材料可以是有机材料，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。

然后，通过干法蚀刻形成堤部B。可以优选地选择能够蚀刻充电材料但不能蚀刻第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124的材料作为干法蚀刻材料。

更详细地，如图19C所示，第一像素发光层131形成在第一、第二、第三和第四下电极121、122、123和124以及堤部B上。第一像素发光层 131可以通过沉积工艺或者溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第一像素发光层131，则可以使用蒸镀法。

电子传输材料是将电子平滑地传输到第一光产生层EML1和第四光产生层EML4的材料。例如，电子传输材料可包括选自由Alq3、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq、Liq(喹啉锂)、BMB-2T、BMB-3T、PF-6P、TPBI、COT 和SAlq构成的组中的至少任何一种。所述电子传输材料也可以包括在第一电子传输层ETL中。第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层 PC-ETL可以包括它们各自彼此不同的电子传输材料，或者可以包括相同的电子传输材料。

然后，如图19D所示，UV仅照射到第一子像素P1。掩模布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4上，并且掩模的开口区域O布置在第一子像素P1上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第一子像素P1中的第二光致变色电子传输层PC-ETL。因此，布置在第一子像素P1中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图19E所示，第一上电极141形成为被图案化在第一子像素 P1中。被UV照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层 PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV 照射的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第一上电极141形成为仅被图案化在布置于第一子像素P1中的第一像素发光层131的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

接下来，第四像素发光层134和第四上电极144形成为被图案化在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中。

更详细地，如图19F所示，第四像素发光层134形成在第一上电极141 和第一像素发光层131上。第四像素发光层134可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第四像素发光层134，则可以使用蒸镀法。

第四像素发光层134包括空穴传输层HTL、用于发射与第一颜色不同的第四颜色的光的第四光产生层EML4、第一电子传输层ETL和第二光致变色电子传输层PC-ETL。第四颜色可以是但不限于黄绿色(YG)。

然后，如图19G所示，UV仅照射到第二、第三和第四子像素P2、P3 和P4。掩模布置在第一子像素P1上，并且掩模的开口区域O布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4上。在这种状态下，UV仅照射到布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中的第二光致变色电子传输层 PC-ETL。因此，布置在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中的第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL改变为具有与布置在第一子像素P1中的第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL 的物理或化学特性不同的物理或化学特性的异构体。

然后，如图19H所示，第四上电极144形成为被图案化在第二、第三和第四子像素P2、P3和P4中。被UV照射的第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历成核，因此具有高的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可以很好地沉积在被UV照射的光致异构化材料上。另一方面，未被UV照射的第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL经历解吸，因此具有低的金属材料沉积速率。也就是说，金属材料可能不能很好地沉积在未被UV照射的光致异构化材料上。结果，第四上电极144形成为仅被图案化在布置于第二、第三和第四子像素P2、P3 和P4中的第四像素发光层134的第二光致变色电子传输层PC-ETL上。

然后，如图19I所示，在第四像素发光层134和第四上电极144上形成封装层150、颜色滤波器170和第二基板160。

更详细地，第一无机膜151形成在第四像素发光层134和第四上电极 144上。第一无机膜151可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过但不限于化学气相沉积 (CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法来沉积第一无机膜151。

然后，在第二无机膜153上形成第一颜色滤波器CF1和第二颜色滤波器CF2。第一颜色滤波器CF1布置成对应于第二子像素P2，第二颜色滤波器CF2布置成对应到第三子像素P3。

然后，在第一颜色滤波器CF1和第二颜色滤波器CF2上形成第二基板 160。

如上所述的根据本发明的第三实施例的显示装置100的特征在于，其在第一像素发光层131和第四像素发光层134的每一个中包括由电子传输材料和光致异构化材料制成的第二光致变色电子传输层。在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，UV被选择性地照射到第二光致变色电子传输层，以改变光致异构化材料的特性，使得金属材料可以很好地沉积在光致异构化材料上。由于上电极140选择性地沉积在被UV照射的第二光致变色电子传输层上，所以第一和第四上电极141和144分别形成为被图案化在第一像素发光层131和第四像素发光层134上。

在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，，第一上电极141和第四上电极144可以在即使没有FMM的情况下形成为被图案化。因此，在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，上电极140可以形成为被精确地图案化。而且，在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，可以降低由FMM的使用和维护产生的成本。

在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，第一上电极141和第四上电极144可以在即使没有光刻胶的情况下形成为被图案化。因此，在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，可以防止发光层130和上电极140在制造过程中被损坏。在根据本公开的第三实施例的显示装置100 中，可以提高发光二极管的寿命和效率。

此外，在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，由于与根据本公开的第一和第二实施例的显示装置相比可以省略等离子体灰化工艺，因此制造工艺可以被简化。

此外，在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，可以在一些子像素上不布置单独的颜色滤波器。从发光层130发射的光在穿过颜色滤波器时亮度降低。特别地，蓝色(B)光的亮度在通过蓝色滤波器时比其他颜色的光降低得更严重。在根据本公开的第三实施例的显示装置100中，由于省略了蓝色滤波器，因此可以提高蓝色(B)的光的亮度。

图20A至图20C是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的视图，并且涉及头戴式显示(HMD)装置。图20A是简要透视图，图20B是虚拟现实(VR)结构的简要平面图，以及图20C是增强现实(AR)结构的简要横截面图。

从图20A和图20B可知，应用根据本公开的一个实施例的显示装置的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示装置1包括存储壳体11、左眼目镜20a、右眼目镜20b、透镜阵列12和头戴式带13。

存储壳体11存储显示装置2，并且向左眼目镜20a和右眼目镜20b提供显示装置2的图像。显示装置2可以是根据本公开的一个实施例的显示装置。

如图20B所示，存储壳体11可以包括布置在左眼目镜20a前面的左眼显示装置2a和布置在右眼目镜20b前面的右眼显示装置2b。

左眼显示装置2a和右眼显示装置2b可以显示相同的图像，并且在这种情况下，用户可以观看2D图像。或者，左眼显示装置2a可以显示左眼图像，右眼显示装置2b可以显示右眼图像，并且在这种情况下，用户可以观看3D图像。

左眼显示装置2a和右眼显示装置2b中的每一个可以由如上所述的根据图1至图19的显示装置组成。

同时，存储壳体11还可包括布置在左眼显示装置2a和左眼目镜20a 之间以及右眼显示装置2b和右眼目镜20b之间的透镜阵列12。透镜阵列 12可以是微透镜阵列。透镜阵列12可以用针孔阵列代替。由于透镜阵列 12的存在，用户可以看到被放大的左眼显示装置2a或右眼显示装置2b上显示的图像。

用户的左眼LE可以放在左眼目镜20a中，并且用户的右眼可以放在右眼目镜20b中。也就是说，左眼目镜20a和右眼目镜20b对应于布置在显示装置2前面的目镜。

头戴式带13固定到存储壳体11。头戴式带13形成为围绕用户头部的顶表面和两个侧面，但不限于该示例。头戴式带13用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以形成为眼镜框架的形状或头盔形状。

参考图20C，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透反射部分14和透射窗口15。尽管为方便起见在图20C中仅示出用于左眼的结构，但是用于右眼的结构与用于左眼的结构相同。

左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透反射部分14和透射窗15存储在上述存储壳体11中。

左眼显示装置12可以布置在透反射部分14的一侧，例如布置在透反射部分14的上侧，而不覆盖透射窗口15。因此，左眼显示装置12可以在不覆盖通过透射窗口15看到的外部背景的情况下给透反射部分14提供图像。

左眼显示装置12可以由如上所述的根据图1至图19的显示装置组成。在这种情况下，对应于图1至图19中显示图像的表面的顶部、例如第二基板160面向透反射部分14。

透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a和透反射部分14之间。

用户的左眼放在左眼目镜20a中。

透反射部分14布置在透镜阵列13和透射窗口15之间。透反射部分14 可以包括透射光的一部分并反射光的另一部分的反射表面14a。形成反射表面14a以使得显示在左眼显示装置12上的图像行进到透镜阵列13。因此，用户可以观看显示在左眼显示装置12上的所有图像以及通过透射窗口15 观看外部背景。也就是说，由于用户可以通过将实际上的背景与虚拟图像重叠来观看一个图像，因此可以实现增强现实(AR)。

透射窗口15布置在透反射部分14的前面。

对于本领域技术人员显而易见的是，上面描述的本公开不限于上述实施例和附图，并且可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且意图是从权利要求的含义、范围和等同概念导出的所有变型或修改都落入本公开的范围内。

Claims

1.一种显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板具有在其上能够设置多个子像素的多个子像素区域；

设置在所述第一基板的所述多个子像素区域的每个上的下电极；

设置在所述下电极上的发光层；以及

设置在所述发光层上的上电极；

所述子像素包括所述下电极、所述发光层和所述上电极，

其中，所述发光层包括光致异构化材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光致异构化材料具有根据其是否暴露于光而变化的金属材料沉积速率。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述光致异构化材料在暴露于光时具有高的金属材料沉积速率。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光层包括包括所述光致异构化材料的至少一个像素发光层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述像素发光层包括：

空穴传输层；

设置在所述空穴传输层上的光产生层；以及

设置在所述光产生层上的电子传输层，

其中，所述电子传输层包括所述光致异构化材料和第一电子传输材料。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述电子传输层与所述上电极接触。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述像素发光层还包括设置在所述光产生层和所述电子传输层之间并包括第二电子传输材料的另一电子传输层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一电子传输材料和所述第二电子传输材料相同。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述电子传输层掺杂有n型掺杂剂。

10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述像素发光层还包括布置在所述下电极和所述空穴传输层之间的空穴注入层。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述空穴注入层掺杂有p型掺杂剂。

12.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，布置在所述第一子像素中的像素发光层的光产生层发射第一颜色的光，布置在所述第二子像素中的像素发光层的光产生层发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光，布置在所述第三子像素中的像素发光层的光产生层发射与所述第一颜色和所述第二颜色不同的第三颜色的光。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述子像素还包括第四子像素，布置在所述第四子像素中的像素发光层的光产生层发射与所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色不同的白色光。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在所述第一基板上设置堤部以覆盖所述多个子像素的每个中的下电极的边缘，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个的像素发光层和上电极仅设置在所述下电极的上表面和所述堤部的侧面上，或者设置在所述下电极的上表面和所述堤部的侧面和上表面的一部分上。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个中布置有一个像素发光层。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个中的像素发光层具有相同厚度或彼此不同的厚度。

17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自具有彼此不同的叠层结构。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一子像素中的发光层具有单叠层结构，其中设置有用于发射所述第一颜色的光的像素发光层；

所述第二子像素中的发光层具有两叠层串联结构，其中设置有用于发射所述第一颜色的光的像素发光层和用于发射所述第二颜色的光的像素发光层，并且用于发射所述第二颜色的光的像素发光层设置在用于发射所述第一颜色的光的像素发光层上；并且

所述第三子像素中的发光层具有三叠层串联结构，其中设置有用于发射所述第一颜色的光的像素发光层、用于发射所述第二颜色的光的像素发光层和用于发射所述第三颜色的光的像素发光层，用于发射所述第二颜色的光的像素发光层设置在用于发射所述第一颜色的光的像素发光层上，并且用于发射所述第三颜色的光的像素发光层设置在用于发射所述第二颜色的光的像素发光层上。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，用于发射所述第二颜色的光的像素发光层和用于发射所述第三颜色的光的像素发光层也设置在所述第一子像素的上电极上；并且

用于发射所述第三颜色的光的像素发光层也设置在所述第二子像素的上电极上。

20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置包括：显示区域，其中布置有所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素；以及边框区域；用于发射所述第一颜色的光的像素发光层、用于发射所述第二颜色的光的像素发光层和用于发射所述第三颜色的光的像素发光层在所述显示区域中彼此间隔开并且在所述边框区域中彼此重叠。

21.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置包括：显示区域，其中布置有所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素；以及边框区域；所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个的上电极在所述显示区域中彼此间隔开并且在所述边框区域中彼此重叠。

22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，用于发射所述第一颜色的光的像素发光层、用于发射所述第二颜色的光的像素发光层和用于发射所述第三颜色的光的像素发光层以及所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个的上电极在所述边框区域中彼此重叠。

23.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每个中的像素发光层的所述上电极和所述电子传输层在所述显示区域中具有相同的形成区域。

24.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述子像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述发光层至少包括具有用于发射第一颜色的光的光产生层的第一公共像素发光层、和具有用于发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光的光产生层的第二公共像素发光层，所述第一公共像素发光层和所述第二公共像素发光层被设置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中。

25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，在所述第一子像素中，所述上电极被设置在所述第一公共像素发光层和所述第二公共像素发光层之间；在所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中，所述第二公共像素发光层直接设置在所述第一公共像素发光层上。

26.根据权利要求25所述的显示装置，还包括：

布置成对应于所述第二子像素的第一颜色滤波器以及布置成对应于所述第三子像素的第二颜色滤波器。

27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，封装层被设置以覆盖所述上电极；并且

所述第一颜色滤波器和所述第二颜色滤波器被设置在所述封装层上。

28.一种头戴式显示装置，其包括根据权利要求1-27中任一项所述的显示装置。

29.一种制造显示装置的方法，包括：

提供第一基板，所述第一基板具有在其上能够设置多个子像素的多个子像素区域；

在所述第一基板的所述多个子像素区域的每个上设置下电极；

在所述下电极上设置发光层；以及

在所述发光层上设置上电极，

所述子像素包括所述下电极、所述发光层和所述上电极，

其中，所述发光层包括光致异构化材料。

30.根据权利要求29所述的制造显示装置的方法，其中，在所述发光层上设置上电极包括：

将包括所述光致异构化材料的所述发光层的特定区域暴露于光；以及

在所述发光层的所述特定区域上沉积金属材料，以在所述发光层上设置所述上电极。

31.根据权利要求30所述的制造显示装置的方法，其中，在所述发光层上设置上电极还包括：

使用氧等离子体对其上未形成所述上电极的所述发光层进行灰化处理。