CN103200765A - 电子封装结构 - Google Patents

电子封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN103200765A
CN103200765A CN2013100606498A CN201310060649A CN103200765A CN 103200765 A CN103200765 A CN 103200765A CN 2013100606498 A CN2013100606498 A CN 2013100606498A CN 201310060649 A CN201310060649 A CN 201310060649A CN 103200765 A CN103200765 A CN 103200765A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
package structure
substrate
circuit board
electron package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100606498A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103200765B (zh
Inventor
李汉祥
林逸程
洪培钧
吕保儒
陈大容
李正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cyntec Co Ltd
Qiankun Science and Technology Co Ltd
Original Assignee
Qiankun Science and Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qiankun Science and Technology Co Ltd filed Critical Qiankun Science and Technology Co Ltd
Publication of CN103200765A publication Critical patent/CN103200765A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103200765B publication Critical patent/CN103200765B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/021—Components thermally connected to metal substrates or heat-sinks by insert mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H05K7/14322—Housings specially adapted for power drive units or power converters wherein the control and power circuits of a power converter are arranged within the same casing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10924—Leads formed from a punched metal foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1327—Moulding over PCB locally or completely
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子封装结构包含一基板、一第一电子元件及一第二电子元件。基板包含一散热板、以及设于散热板的电路板。第一电子元件设于散热板上，并耦接于电路板。第二电子元件设于电路板上，并耦接于电路板。

Description

电子封装结构
本申请是申请号201010299902.1、申请日为：2010.09.28、发明名称为：电子封装结构的分案申请
技术领域
本发明系关于一种电子封装结构，尤其关于一种具有较佳散热效果的电子封装结构。
背景技术
图1显示一习知技术之直流到直流转换器封装结构。如图1所示，该结构系美国专利6,212,086号所揭露的一个直流到直流转换器封装结构(DC-to-DC converter package)。直流到直流转换器封装结构100包含一电路板120、一铜制基材110及多数的电子元件。电路板120安置在铜制基材110上面，因此铜制基材110能够在该装置的底部提供均匀的散热功能。该些电子元件包含有主变压器130、输出电感140、同步整流器150、输出电容器160、以及输入电容器170，这些电子元件安置在电路板120上面，并藉由电路板120内部的电路布局互相耦接。一个独立的输出连接器设在电路板120右边，经由软性电路板耦接到电路板120。这种习知技艺的缺点之一便是电路板120并非是一个良好的散热体，无法将安装在上面的电子元件130、140、150、160及170所产生的热量有效地传导至下方的铜制基材110散热之。电路板120有利于电路配置但是不利于热量的传导，相对地，铜制基材110不利于电路配置却有利于热量的传导。同一行业人士都积极研发，期望能有一种基材兼具两者优点。
发明内容
本发明一实施例之目的在于提供一种相较于习知技术具有较佳散热效果的电子封装结构。一种适用于体积小且具有高密度电路及电子元件的电子封装结构，其具有较佳的散热效果。本发明一实施例之目的在于提供一种同时具有电路板及散热板之优点的电子封装结构。本发明一实施例之目的在于提供一种散热较均匀的电子封装结构。
依据本发明一实施例，提供一种电子封装结构包含一基板、一第一电子元件及一第二电子元件。基板包含一散热板、以及设于散热板的电路板。第一电子元件设于散热板上，并耦接于电路板。第二电子元件设于电路板上，并耦接于电路板。
于一实施例中，基板更包含多个导电接点。电路板具有一电路布局并界定有一开口，开口贯穿电路板的一第一面及相对于第一面的一第二面。散热板位于电路板的第二面，且散热板的位置对应开口的位置，以覆盖开口的至少一部分。多个导电接点设于电路板且耦接于电路布局，用以与一外部电子装置耦接。第一电子元件设于散热板上且位于开口内，并耦接于电路布局。第二电子元件耦接于电路布局，且第一电子元件的发热量大于第二电子元件的发热量。
于一实施例中，第二电子元件设于电路板的第一面，而该些导电接点设于电路板的第二面。
于一实施例中，基板更包含多个热传通路，每一热传通路包含贯穿电路板的第一面及第二面的一孔洞、以及填充于孔洞内的一散热填充材料。且电子封装结构更包含一第三电子元件位于第一面且耦接于电路布局，第三电子元件的发热量介于第一电子元件及第二电子元件的发热量之间，且第三电子元件的位置对应该些热传通路的位置，藉以将第三电子元件发出的热透过散热填充材料从第一面传导至第二面。
于一实施例中，电子封装结构更包含一封装层，设于电路板的第一面并包覆第一电子元件、第二电子元件及第三电子元件。
于一实施例中，电子封装结构更包含至少一导线，且第一电子元件透过导线耦于电路布局。
于一实施例中，散热板为一金属板。且金属板可以为一金属导线框架。
于一实施例中，电子封装结构为一直流到直流转换器封装结构。
依本发明一实施例，电子封装结构的基板包含有电路板及散热板，因此能够同时具有电路板之具有多个导电接脚的优点；以及散热板之良好散热效果的优点。依本发明一实施例，能够为不同的发热量的电子元件，设计不同的散热结构，能够有效均匀地为电子封装结构进行散热，避免电子封装结构局部过热或发热不均而造成弯曲现象。
本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭露的技术特征中得到进一步的了解。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1显示一习知技术之直流到直流转换器封装结构；
图2显示依本发明一实施例之电子封装结构；
图3A显示依本发明一实施例之电子封装结构的一基板的俯视图；
图3B显示依本发明一实施例之电子封装结构的一基板的仰视图。
主要元件符号说明：
100    直流到直流转换器封装结构
110    铜制基材
120    电路板
130    主变压器
140    输出电感
150    同步整流器
160    输出电容器
170    输入电容器
200    电子封装结构
210    基板
211    电路板
212    散热板
213    导电接点
214    热传通路
215    线路
216    开口
219    电路布局
21a    顶面
21b    底面
220    电子元件
221    第一电子元件
222    第二电子元件
223    第三电子元件
230    导线
240    封装层
具体实施方式
图2显示依本发明一实施例之电子封装结构。于本发明一实施例中，电子封装结构200可以为一个直流到直流转换器封装结构。如图2所示，电子封装结构200包含一基板210、多个电子元件220及多条导线230。该些电子元件220设于基板210上，且耦接于基板210中之具有多条线路215的电路布局219。于本实施例中，该些电子元件220包含一第一电子元件221、一第二电子元件222及一第三电子元件223。第一电子元件221的发热量大于第三电子元件223的发热量，且第三电子元件223的发热量大于第二电子元件222的发热量。更具体而言，第一电子元件可以为功率元件，亦即发热量较大的电子元件，例如可以为芯片、整合性元件、金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）、绝缘闸双极性晶体管（Insulated-gate bipolar transistor，IGBT）及二极管（Diode），或者为主变压器及同步整流器。第二电子元件222及第三电子元件223可以为被动元件或微电子元件，亦即发明量较低的电子元件。
图3A显示依本发明一实施例之电子封装结构的一基板的俯视图。图3B显示依本发明一实施例之电子封装结构的一基板的仰视图。如图2及3A所示，基板210包含一电路板211、具有多条线路215的电路布局219及多个热传通路（thermal via）214。电路板211可以为一印刷电路板（PCB）并界定出一开口216，开口216自电路板211的顶面21a贯穿至电路板211的底面21b。该些线路215的一端形成多个连接垫，该些连接垫围绕开口216的周围。第一电子元件221设于开口216内，且利用该些导线230电连接至该些线路215的连接垫，藉以电连接至电路板211中的电路布局219。每一热传通路214皆系由贯穿电路板211的顶面21a及底面21b的一孔洞及填充于该孔洞内的散热填充材料所构成。于一实施例中，第三电子元件223的位置对应该些热传通路214的位置，使第三电子元件223接触热传通路214的散热填充材料，如此第三电子元件223的热即可被该些热传通路214传导至电路板211的底面21b，进而散热至外部环境中。
如图2及3B所示，基板210更包含有多个导电接点213及一散热板212。多个导电接点213设于电路板211的底面21b，并且耦接于电路板211中之具有多条线路215的电路布局219。该些导电接点213用以与其他电子装置（未图示）电连接，藉以使电子封装结构200的电子元件220与其他电子装置电连接。于一实施例中，导电接点213能够由电路板211中的一金属层外露于底面21b来形成，由于能够使用印刷电路板的制造工艺来形成导电接点213，因此相较于使用金属导线框架（lead frame）来与外部电子装置耦接的电子封装装置，本实施例具有较多输出脚体积较小的优点。
散热板212可以为散热效率大于电路板211或该些热传通路214的金属板或非金属板，一实施例中亦可以为金属导线框架（lead frame）。散热板212设于电路板211的底面21b，且散热板212的位置对应开口216的位置，藉以覆盖开口216的底面，而第一电子元件221设于散热板212上且位于开口216内。于一实施例中，散热板212可以利用压合方式或贴合方式设于电路板211的底面21b。于一实施例中，散热板212系镶入于电路板211中，藉以使散热板212不突出于电路板211，于一实施例中使底面21b为一平坦的平面，然而本发明不限定于此，于一实施例中，散热板212亦可以压合或贴合于电路板211的底面21b，使其突出于底面21b。由于将发热量较大的第一电子元件221设于散热板212上，且将散热板212设于电路板211的底面21b。因此第一电子元件221除了可以从电路板211的顶面21a散热外还可以透过散热板212从底面21b将热传导至外部环境。
此外，于一实施例中，电子封装结构200还可以应用于体积小且具有高密度电路及电子元件220的电子封装结构中。依本实施例之电子封装结构200可以更包含一封装层240，设于电路板211的顶面21a上，且封装层240包覆该些电子元件220其包含第一电子元件221、第二电子元件222及第三电子元件223。于本实施例中，封装层240能够防止电子元件220间互相接触，且能够更进一步强化电子封装结构200，使电子封装结构200较不容易从电路板211上脱落，造成电子封装结构200的损坏，亦能够防止水气侵蚀该些电子元件220。
然而增加封装层240有可能造成电子元件220不容易散热，使得透过电路板211或其上的多个热传通路214尚不足以传导发热量较大之第一电子元件221的热，然而依据本发明一实施例，使发热量较大的第一电子元件221设于散热板212上，且将散热板212设于电路板211的底面21b。由于散热板212未被封装层240包覆且外露于外部环境，因此能够有效地将第一电子元件221所发出的热传导至外部环境。此外，还可以使发热量次大的第三电子元件223接触多个热传通路214，并透过多个热传通路214来传导第三电子元件223所产生的热。依据此设计，能够为不同的发热量的电子元件，设计不同的散热结构，能够有效均匀地为电子封装结构200进行散热，避免电子封装结构200局部过热或发热不均而造成弯曲现象。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视本发明权利要求所界定者为准。另外，本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所揭露之全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制本发明之权利范围。

Claims (18)

1.一种电子封装结构，其特征在于，所述的封装结构包含：
一散热板；
一电路板，设置有多个热传通路；
一第一电子元件，设于所述的散热板上，并耦接于所述的电路板；以及
一第二电子元件，设于所述的电路板的该多个热传通路上，并耦接于所述的电路板，其中该第一电子元件的发热量大于该第二电子元件的发热量。
2.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含一第三电子元件，配置于该电路板上，其中该第三电子元件之下方未配置热传通路以及第二电子元件的发热量大于该第三电子元件的发热量。
3.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中该散热板为一导线框架。
4.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中该多个热传通路系以阵列的方式配置在该电路板上。
5.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中该散热板系镶入于该电路板中，且该散热板不突出于该电路板。
6.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中该多个热传通路由一散热填充材料制成。
7.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含一封装层，配置在该散热板和该电路板上，且包覆该第一电子元件和该第二电子元件。
8.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含多个导电接点，配置于该电路板的底面。
9.如权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中该第一电子元件为一功率元件。
10.一种电子封装结构，其特征在于，所述的封装结构包含：
一第一基板；
一第二基板，具有多个热传通路，其中该第一基板的散热效率大于该第二基板的散热效率，以及该第一基板电性连接至该第二基板；
一第一电子元件，配置于该第一基板上；以及
一第二电子元件，配置于该第二基板的该多个热传通路上，其中该第一电子元件的发热量大于该第二电子元件的发热量。
11.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含一第三电子元件，配置于该第二基板上，其中该第三电子元件之下方未配置热传通路以及第二电子元件的发热量大于该第三电子元件的发热量。
12.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，其中该第一基板为一导线框架，且第二基板为一电路板。
13.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，其中该多个热传通路系以阵列的方式配置在该第二基板上。
14.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，其中该第一基板系镶入于该第二基板中，且该第一基板不突出于该第二基板。
15.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，其中该多个热传通路由一散热填充材料制成。
16.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含一封装层，配置在该第一基板和该第二基板上，且包覆该第一电子元件和该第二电子元件。
17.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，进一步包含多个导电接点，配置于该第二基板的底面。
18.如权利要求10所述的电子封装结构，其特征在于，其中该第一电子元件为一功率元件。
CN201310060649.8A 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构 Active CN103200765B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/705,389 US8547709B2 (en) 2010-02-12 2010-02-12 Electronic system with a composite substrate
US12/705,389 2010-02-12
CN201010299902.1A CN102159054B (zh) 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010299902.1A Division CN102159054B (zh) 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103200765A true CN103200765A (zh) 2013-07-10
CN103200765B CN103200765B (zh) 2016-03-09

Family

ID=44369515

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310272132.5A Active CN103383931B (zh) 2010-02-12 2010-06-24 具有复合基材的电子系统
CN2010102083797A Pending CN102157482A (zh) 2010-02-12 2010-06-24 具有复合基材的电子系统
CN201010299902.1A Active CN102159054B (zh) 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构
CN201310060649.8A Active CN103200765B (zh) 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310272132.5A Active CN103383931B (zh) 2010-02-12 2010-06-24 具有复合基材的电子系统
CN2010102083797A Pending CN102157482A (zh) 2010-02-12 2010-06-24 具有复合基材的电子系统
CN201010299902.1A Active CN102159054B (zh) 2010-02-12 2010-09-28 电子封装结构

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8547709B2 (zh)
CN (4) CN103383931B (zh)
TW (2) TWI406605B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013045919A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Keihin Corp プリント配線板
DE102011088256A1 (de) * 2011-12-12 2013-06-13 Zf Friedrichshafen Ag Multilayer-Leiterplatte sowie Anordnung mit einer solchen
US8867231B2 (en) * 2012-01-13 2014-10-21 Tyco Electronics Corporation Electronic module packages and assemblies for electrical systems
TWI567844B (zh) * 2013-01-18 2017-01-21 聯華電子股份有限公司 電子元件的佈局結構及其測試方法
JP6129671B2 (ja) * 2013-07-19 2017-05-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN107845618A (zh) * 2013-08-18 2018-03-27 乾坤科技股份有限公司 具有复合基材的电子系统
US9261924B2 (en) * 2013-09-05 2016-02-16 Dell Inc. Heat pipe assemblies
TWI524482B (zh) * 2013-12-11 2016-03-01 南茂科技股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN106684076B (zh) * 2015-11-05 2019-09-06 台达电子企业管理（上海）有限公司 封装结构及其制造方法
WO2018128606A1 (en) 2017-01-04 2018-07-12 Intel Corporation Package architecture for antenna arrays
CN113438801A (zh) * 2021-07-06 2021-09-24 上海应用技术大学 便于散热的pcb板电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5083189A (en) * 1987-03-31 1992-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin-sealed type IC device
US7124931B2 (en) * 2003-11-18 2006-10-24 Intel Corporation Via heat sink material
CN101198243A (zh) * 2006-12-06 2008-06-11 英业达股份有限公司 散热模块
CN101467249A (zh) * 2006-06-08 2009-06-24 宇芯（毛里求斯）控股有限公司 制造热增强型的基于衬底的阵列封装的方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218701A (en) * 1978-07-24 1980-08-19 Citizen Watch Co., Ltd. Package for an integrated circuit having a container with support bars
JPS63197362A (ja) 1987-02-12 1988-08-16 Toshiba Corp ハイブリツド型半導体装置
JP2633557B2 (ja) * 1987-03-31 1997-07-23 株式会社東芝 樹脂封止型集積回路装置
US5184285A (en) * 1987-11-17 1993-02-02 Advanced Interconnections Corporation Socket constructed with molded-in lead frame providing means for installing additional component such as a chip capacitor
US5223741A (en) * 1989-09-01 1993-06-29 Tactical Fabs, Inc. Package for an integrated circuit structure
US4975761A (en) * 1989-09-05 1990-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. High performance plastic encapsulated package for integrated circuit die
JPH04273451A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Nippon Steel Corp 半導体装置
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
KR100307465B1 (ko) * 1992-10-20 2001-12-15 야기 추구오 파워모듈
US5642261A (en) * 1993-12-20 1997-06-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball-grid-array integrated circuit package with solder-connected thermal conductor
JP3206717B2 (ja) * 1996-04-02 2001-09-10 富士電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP4037589B2 (ja) 2000-03-07 2008-01-23 三菱電機株式会社 樹脂封止形電力用半導体装置
JP2002314030A (ja) 2001-04-12 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US7176506B2 (en) * 2001-08-28 2007-02-13 Tessera, Inc. High frequency chip packages with connecting elements
JP2003158235A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
FR2839607B1 (fr) * 2002-05-07 2004-09-10 Univ Angers Assemblage de composants de puissance sur un circuit imprime ainsi qu'un procede d'obtention d'un tel assemblage
US7361844B2 (en) * 2002-11-25 2008-04-22 Vlt, Inc. Power converter package and thermal management
CN2696284Y (zh) * 2003-03-24 2005-04-27 乾坤科技股份有限公司 高密度功率电源模块封装结构
US7026664B2 (en) * 2003-04-24 2006-04-11 Power-One, Inc. DC-DC converter implemented in a land grid array package
US7116557B1 (en) * 2003-05-23 2006-10-03 Sti Electronics, Inc. Imbedded component integrated circuit assembly and method of making same
JP2005197659A (ja) * 2003-12-08 2005-07-21 Sony Corp 光学装置及び画像生成装置
KR100634379B1 (ko) * 2004-07-14 2006-10-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지
TWI260756B (en) 2004-11-10 2006-08-21 Phoenix Prec Technology Corp Heat sink structure for embedding chips and method for fabricating the same
JP2006229046A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Toshiba Corp 電子機器の放熱装置及び放熱方法
TWI257164B (en) * 2005-04-01 2006-06-21 Cyntec Co Ltd Package structure having mixed circuit and complex substrate
CN100420017C (zh) * 2005-05-18 2008-09-17 乾坤科技股份有限公司 具有混合线路与复合基板的封装结构
JP5291864B2 (ja) * 2006-02-21 2013-09-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｄｃ／ｄｃコンバータ用半導体装置の製造方法およびｄｃ／ｄｃコンバータ用半導体装置
TWI320594B (en) * 2006-05-04 2010-02-11 Cyntec Co Ltd Package structure
US20080012099A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Shing Yeh Electronic assembly and manufacturing method having a reduced need for wire bonds
CN100586252C (zh) * 2006-08-04 2010-01-27 亿光电子工业股份有限公司 具有散热功能的电路板的制造方法
US7872335B2 (en) 2007-06-08 2011-01-18 Broadcom Corporation Lead frame-BGA package with enhanced thermal performance and I/O counts
JP2009094118A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Panasonic Corp リードフレーム、それを備える電子部品及びその製造方法
US8084849B2 (en) * 2007-12-12 2011-12-27 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with offset stacking
DE102008016458A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leiterplatte

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5083189A (en) * 1987-03-31 1992-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin-sealed type IC device
US7124931B2 (en) * 2003-11-18 2006-10-24 Intel Corporation Via heat sink material
CN101467249A (zh) * 2006-06-08 2009-06-24 宇芯（毛里求斯）控股有限公司 制造热增强型的基于衬底的阵列封装的方法
CN101198243A (zh) * 2006-12-06 2008-06-11 英业达股份有限公司 散热模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN103200765B (zh) 2016-03-09
US8547709B2 (en) 2013-10-01
US8619428B2 (en) 2013-12-31
CN103383931B (zh) 2018-12-14
TW201129266A (en) 2011-08-16
US20120075808A1 (en) 2012-03-29
CN102159054B (zh) 2013-04-03
CN102159054A (zh) 2011-08-17
TW201128742A (en) 2011-08-16
TWI406605B (zh) 2013-08-21
CN103383931A (zh) 2013-11-06
CN102157482A (zh) 2011-08-17
TWI413221B (zh) 2013-10-21
US20110199746A1 (en) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102159054B (zh) 电子封装结构
US8941220B2 (en) Power module package and system module having the same
CN107452694B (zh) 嵌入式封装结构
CN104900609A (zh) 封装结构
CN104733419A (zh) 三维空间封装结构及其制造方法
US20080001279A1 (en) Chip module for complete power train
CN104900634A (zh) 封装结构及其所适用的堆栈式封装模块
CN105792504B (zh) 一种具有屏蔽措施的pcb空穴埋置装置及制备工艺
US9386686B2 (en) Metal core printed circuit board and electronic package structure
US20190043799A1 (en) Package structure and fabricating method thereof
CN110352486A (zh) 模块
CN103871981A (zh) 具有经改造的散热器的低外形芯片封装
CN105529916B (zh) 电子模块及其制造方法
CN1319138C (zh) 封装的半导体器件的形成方法
CN110634813B (zh) 封装结构
CN101150123B (zh) 具有电磁屏蔽罩盖的半导体封装结构
CN105744724B (zh) 电子器件的散热结构、穿戴式电子设备及其散热方法
US11533819B2 (en) Method for manufacturing a stack structure
CN104470209B (zh) 金属芯印刷电路板及电子封装结构
US20230007772A1 (en) Electronic component package, electronic assembly, voltage regulation module, and voltage regulator member
WO2023272644A1 (zh) 一种电子组件、电压调节模块以及稳压器件
CN117133768A (zh) 一种基于水平嵌入式电容的GaN功率模块
CN115551268A (zh) 一种电子组件、电压调节模块以及稳压器件
CN104640350A (zh) 电路板模块
CN117038662A (zh) 一种基于垂直嵌入式电容的GaN功率模块

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant