CN103145405A - 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents

氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103145405A
CN103145405A CN2013100886291A CN201310088629A CN103145405A CN 103145405 A CN103145405 A CN 103145405A CN 2013100886291 A CN2013100886291 A CN 2013100886291A CN 201310088629 A CN201310088629 A CN 201310088629A CN 103145405 A CN103145405 A CN 103145405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
additive
medium ceramics
alumina base
content
base microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100886291A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103145405B (zh
Inventor
任海东
袁亮亮
成国权
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Prologis Communication Technology Suzhou Co Ltd
Original Assignee
Rosenberg (shanghai) Telecom Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rosenberg (shanghai) Telecom Technology Co Ltd filed Critical Rosenberg (shanghai) Telecom Technology Co Ltd
Priority to CN201310088629.1A priority Critical patent/CN103145405B/zh
Publication of CN103145405A publication Critical patent/CN103145405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103145405B publication Critical patent/CN103145405B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明提供一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）；R包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种。其制备方法为将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂，进行球磨，烘干得到粉体；将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷。本发明降低了烧结温度，降低能耗，提高了陶瓷的致密性，拓宽了生产和使用工艺条件。结果表明，所述氧化铝基微波介质陶瓷介电常数ε为9.4～9.9，瓷体密度＞3.8g/cm3，热膨胀系数为8～8.3ppm/℃。

Description

氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及介质陶瓷领域，特别涉及氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是一种在微波频段电路中作为介质材料的新型功能电子陶瓷，其具有介电常数高、损耗低、频率温度系数小等特点。微波介质陶瓷可以制成介质谐振器、双工器、介质滤波器等微波元器件，应用于移动通讯、卫星通讯军用雷达和卫星定位导航系统等领域，以满足上述基站天馈系统中滤波单元小型化及第损耗等高性能指标的需要。
Al2O3作为一种重要的微波介质材料，其具有高的品质因子（在10GHz条件下Q＞14000）、相对低的介电常数(e≈10)和良好的热学（导热率＞30W/mK，热膨胀系数≈8ppm/℃）及力学性能（抗弯强度＞3000kg/cm2）。它作为通信介质谐振器和关键支撑材料主要应用在10～300GHz微波～亚毫米波的频率范围内，以及用在时钟的超稳定振荡器上和电路基版上。
目前，我国生产的Al2O3基微波介质陶瓷，采用高纯α-Al2O3通过成型煅烧制备而成，但是烧结温度过高，一般在1700℃以上，而且陶瓷的致密性差。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种氧化铝基微波介质陶瓷，烧结温度低，致密性好。
本发明提供了一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
优选的，Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。
优选的，ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。
优选的，MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.4mol%～1.2mol%。
优选的，CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.04mol%～0.5mol%。
优选的，SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.3mol%。
本发明还提供了一种氧化铝基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（A）将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂进行球磨，烘干得到粉体；
所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
（B）将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；
（C）将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
优选的，所述步骤（A）中，所述α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂的粒径分布均满足D50≤0.2μm。
优选的，所述步骤（B）中，所述造粒时添加粘结剂，所述粘结剂为5～8wt%聚乙烯醇溶液。
优选的，所述步骤（C）中，所述烧结的时间为1～3小时。
与现有技术相比，本发明氧化铝基微波介质陶瓷的化学组成的表达式为：xα-Al2O3-（1-x）R，其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
本发明以α-Al2O3为基体，在其中掺杂了MgO、CaCO3和SiO2，以及K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种作为改性添加剂，提高了氧化铝的活性，从而降低了烧结温度，降低能耗。其次，氧化铝与改性添加剂配合使用，特别是束缚晶粒生长的Y2O3和细晶化ZnO，能够抑制氧化铝晶粒在高温反应过程的异常生长，提高了陶瓷的致密性，拓宽了生产和使用工艺条件。实验结果表明，本发明得到的氧化铝基微波介质陶瓷介电常数ε为9.4～9.9，品质因数Q＞12000（测试频率12GHz），瓷体密度＞3.8g/cm3，导热率＞30W/mK，热膨胀系数为8～8.3ppm/℃，抗弯强度＞3000kg/cm2，含水率＜0.01%。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明实施例公开了一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
本发明的氧化铝基微波介质陶瓷，以α-Al2O3为基体，R为改性添加剂，R包括第一添加剂和第二添加剂。所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种。
Y2O3的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。ZnO的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.3mol%。MgO的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0.4mol%～1.2mol%。CaCO3的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0.04mol%～0.5mol%。K2O的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.1mol%。Na2O的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.1mol%。SiO2的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.3mol%。B2O3的含量优选为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。
所述氧化铝基微波介质陶瓷更优选的化学组成为：x为0.965，
本发明公开了一种氧化铝基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（A）将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂进行球磨，烘干得到粉体；
所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
（B）将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；
（C）将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
本发明选用的原料为α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂，其纯度为分析纯或者更高纯度。α-Al2O3为基体材料，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种。所述α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂的粒径分布优选为D50≤0.2μm，更优选为D50≤0.1μm。如果选用的原料粒径较大，优选采用机械方法将原料研磨成粒径符合要求的粉末，即粒径分布D50≤0.2μm。
α-Al2O3的纯度优选为高于99.9wt%，其用量为96.5mol%～99mol%，优选为97mol%～98mol%。本发明对α-Al2O3的来源没有特殊限制，由市场购买即可。所述α-Al2O3的摩尔量占所有原料的0.965～0.99。
所述改性添加剂的摩尔量占所有原料的0.035～0.01。
CaCO3的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0.03mol%～1mol%，优选为0.04mol%～0.5mol%。本发明对碳酸钙的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
MgO的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0.2mol%～1.5mol%，优选为0.4mol%～1.2mol%。本发明对氧化镁的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
K2O的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0mol%～0.5mol%，优选为0mol%～0.1mol%。本发明对氧化钾的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
Na2O的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0mol%～0.6mol%，优选为0mol%～0.1mol%。本发明对氧化钠的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
Y2O3的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0mol%～0.4mol%，优选为0.1mol%～0.3mol%。本发明对Y2O3的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
ZnO的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0mol%～0.6mol%Y2O3，优选为0mol%～0.3mol%。本发明对氧化锌的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
SiO2的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0.3mol%～1.8mol%，优选为0.3mol%～1.3mol%。本发明对氧化锌的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
B2O3的纯度优选为99.9wt%以上，其用量为所有原料摩尔量之和的0mol%～0.5mol%，优选为0mol%～0.3mol%。本发明对氧化锌的来源没有特殊限制，由市场购买即可。
本发明中首先将将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂进行球磨，烘干得到粉体。本发明对球磨没有特殊限制，优选为在介质中利用磨球进行球磨，所述介质优选为乙醇，所述磨球可以为氧化锆磨球也可以为氮化硅磨球。在球磨过程中原料、磨球和介质的质量比优选为1:3:1.5。所述球磨的时间优选为2～6小时，更优选为3～4小时。球磨后的混合物为浆料状态，需要进行烘干得到粉体。所述烘干的温度优选为100～110℃。所述烘干后优选过筛后再进行造粒，所述过筛优选用40～50目的筛网。
得到粉体后，将其造粒，干压成型，得到压片。所述造粒优选为将粉体与粘结剂混合成浆料进行喷雾造粒。所述粘结剂优选为质量浓度为5～8wt%的聚乙烯醇溶液，所述粘结剂的用量优选为10～15wt%。本发明对喷雾造粒的方法没有特殊限制。所述干压成型的压力优选为100～150MPa。所述压片的形状没有特别限制，优选为圆柱块体，更优选为12×6mm的圆柱块体。得到压片后，优选去除成型的压片中的粘结剂，去除粘结剂的方法优选为将压片在550～650℃下保温1～3小时。
得到压片后，将其在1450～1550℃烧结，得到微波介质陶瓷。所述烧结温度优选为1455～1540℃，所述烧结时间优选为1～3小时。
采用网络分析仪（Agilent5071C）及相关配套夹具测试得到的微波介质陶瓷的微波介电性能和热力学性能，测试频率为12GHz，结果表明，本发明制备的微波介质陶瓷具有以下性能：本发明得到的氧化铝基微波介质陶瓷介电常数ε为9.4～9.9，品质因数Q＞12000，瓷体密度＞3.8g/cm3，导热率＞30W/mK，热膨胀系数为8～8.3ppm/℃，抗弯强度＞3000kg/cm2，含水率＜0.01%。
以上性能符合介质谐振器和滤波器对微波介质陶瓷的全部要求，另外本发明的微波介质陶瓷外观光泽，极易清洁，工艺范围宽，适合批量生产和应用。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
选用分析纯的α-Al2O3、MgO、CaCO3、K2O、Y2O3、SiO2和B2O3，所有原料需要采用机械方法将粉末状原料研磨成细颗粒，经研磨处理后的粉末状原料，由激光衍射散射方法测得的粒径分布中满足关系D50≤0.19μm。
取0.965molα-Al2O3、0.004molMgO、0.01molCaCO3、0.001molK2O、0.001molY2O3、0.018mol SiO2和0.001mol B2O3放入树脂球磨罐中，加入去离子水和ZrO2磨球；原料：磨球：去离子水重量比为1：3：1.5；球磨4小时，混合均匀后出料，将其在100℃下烘干，然后用研钵研碎后过40筛，得到粉体。
在所述粉体中加入15wt%的质量浓度为5wt%的聚乙烯醇溶液进行造粒，并过40目筛。
将造粒好的粉料放入模具在150MPa压力下干压成型为
Figure BDA00002937589500092
12×6mm的圆柱块体；然后将成型好的块体在600℃下恒温2小时以除去粘结剂，其升温速率为5℃/分钟；最后以相同升温速率在1500℃下烧结2小时，最终制得氧化铝基微波介质陶瓷。
对得到的陶瓷性能进行测试，结果参见表2，表2为各实施例制备的氧化铝基微波介质陶瓷的性能参数。
实施例2～24
按照表1的物料比例，参照实施例1的方法制备氧化铝基介质陶瓷。
表1制备氧化铝基介质陶瓷的物料比
Figure BDA00002937589500091
Figure BDA00002937589500101
Figure BDA00002937589500111
表2各实施例制备的氧化铝基微波介质陶瓷的性能参数
Figure BDA00002937589500112
Figure BDA00002937589500121
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%～0.3mol%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.4mol%～1.2mol%。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.04mol%～0.5mol%。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.3mol%。
7.一种氧化铝基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（A）将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂进行球磨，烘干得到粉体；
所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
（B）将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；
（C）将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：
xα-Al2O3-（1-x）R（I）；
其中，x为0.965～0.99；
R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.4mol%；
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%～1.8mol%；
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（A）中，所述α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂的粒径分布均满足D50≤0.2μm。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（B）中，所述造粒时添加粘结剂，所述粘结剂为5～8wt%聚乙烯醇溶液。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（C）中，所述烧结的时间为1～3小时。
CN201310088629.1A 2013-03-19 2013-03-19 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法 Active CN103145405B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310088629.1A CN103145405B (zh) 2013-03-19 2013-03-19 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310088629.1A CN103145405B (zh) 2013-03-19 2013-03-19 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103145405A true CN103145405A (zh) 2013-06-12
CN103145405B CN103145405B (zh) 2017-10-24

Family

ID=48543791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310088629.1A Active CN103145405B (zh) 2013-03-19 2013-03-19 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103145405B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103755321A (zh) * 2014-01-15 2014-04-30 云南银峰新材料有限公司 一种制备中温微波介电陶瓷材料的方法
CN103928731A (zh) * 2014-04-30 2014-07-16 华为技术有限公司 Tem模介质滤波器和制造方法
CN103951394A (zh) * 2014-04-23 2014-07-30 济南大学 一种高温抗热震氧化铝陶瓷承烧板及其制备工艺
CN104230315A (zh) * 2013-06-14 2014-12-24 上海好景新型陶瓷材料有限公司 氧化铝陶瓷造粒粉的配方
CN105777108A (zh) * 2016-04-01 2016-07-20 广东国华新材料科技股份有限公司 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法
CN106904950A (zh) * 2017-03-21 2017-06-30 华东理工大学 一种低温烧结的95氧化铝陶瓷材料
CN107010956A (zh) * 2017-05-12 2017-08-04 杭州电子科技大学 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN107475592A (zh) * 2017-10-09 2017-12-15 南昌工程学院 具有仿生结构的自润滑金属陶瓷复合材料及其制备方法
CN109415266A (zh) * 2017-12-15 2019-03-01 深圳市大富科技股份有限公司 一种介质陶瓷材料及其制备方法
CN109748575A (zh) * 2019-03-13 2019-05-14 南开大学 一种石墨烯陶瓷材料及其制备方法
CN113773060A (zh) * 2021-08-27 2021-12-10 广东泛瑞新材料有限公司 一种高q值陶瓷材料及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101830697A (zh) * 2010-05-10 2010-09-15 嘉兴佳利电子有限公司 一种中温烧结高q中介微波陶瓷及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101830697A (zh) * 2010-05-10 2010-09-15 嘉兴佳利电子有限公司 一种中温烧结高q中介微波陶瓷及其制备方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104230315A (zh) * 2013-06-14 2014-12-24 上海好景新型陶瓷材料有限公司 氧化铝陶瓷造粒粉的配方
CN103755321B (zh) * 2014-01-15 2015-07-01 云南银峰新材料有限公司 一种制备中温微波介电陶瓷材料的方法
CN103755321A (zh) * 2014-01-15 2014-04-30 云南银峰新材料有限公司 一种制备中温微波介电陶瓷材料的方法
CN103951394A (zh) * 2014-04-23 2014-07-30 济南大学 一种高温抗热震氧化铝陶瓷承烧板及其制备工艺
CN103951394B (zh) * 2014-04-23 2015-09-16 济南大学 一种高温抗热震氧化铝陶瓷承烧板及其制备工艺
CN103928731A (zh) * 2014-04-30 2014-07-16 华为技术有限公司 Tem模介质滤波器和制造方法
CN105777108B (zh) * 2016-04-01 2018-05-25 广东国华新材料科技股份有限公司 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法
CN105777108A (zh) * 2016-04-01 2016-07-20 广东国华新材料科技股份有限公司 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法
CN106904950A (zh) * 2017-03-21 2017-06-30 华东理工大学 一种低温烧结的95氧化铝陶瓷材料
CN107010956A (zh) * 2017-05-12 2017-08-04 杭州电子科技大学 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN107010956B (zh) * 2017-05-12 2020-04-10 杭州电子科技大学 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN107475592A (zh) * 2017-10-09 2017-12-15 南昌工程学院 具有仿生结构的自润滑金属陶瓷复合材料及其制备方法
CN107475592B (zh) * 2017-10-09 2019-05-03 南昌工程学院 具有仿生结构的自润滑金属陶瓷复合材料及其制备方法
CN109415266A (zh) * 2017-12-15 2019-03-01 深圳市大富科技股份有限公司 一种介质陶瓷材料及其制备方法
WO2019113973A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 深圳市大富科技股份有限公司 一种介质陶瓷材料及其制备方法
CN109415266B (zh) * 2017-12-15 2022-04-19 深圳市大富科技股份有限公司 一种介质陶瓷材料及其制备方法
CN109748575A (zh) * 2019-03-13 2019-05-14 南开大学 一种石墨烯陶瓷材料及其制备方法
CN113773060A (zh) * 2021-08-27 2021-12-10 广东泛瑞新材料有限公司 一种高q值陶瓷材料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103145405B (zh) 2017-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103145405A (zh) 氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法
JP2020526467A (ja) ボロアルミノシリケート鉱物材料、低温同時焼成セラミック複合材料、低温同時焼成セラミック、複合基板及びその製造方法
CN111635222B (zh) 一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101260001A (zh) 新型高q微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN107032774B (zh) 高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
CN109415266B (zh) 一种介质陶瓷材料及其制备方法
CN103482978B (zh) 固溶体微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用
CN105294138A (zh) 一种双峰氧化铝微粉及其制备方法
CN104860672A (zh) 一种高介微波陶瓷介质材料及其制备方法
CN105347781B (zh) 一种陶瓷材料及其制备方法
CN114349493B (zh) 一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法
WO2022071245A1 (ja) 六方晶窒化ホウ素粉末、及び焼結体の製造方法
CN109415265B (zh) 一种介质陶瓷材料及其制备方法
CN111470864B (zh) 一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101429009A (zh) 一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法
CN102276151B (zh) 微波等离子炬制备ltcc非晶玻璃瓷粉的工艺方法
CN109942295A (zh) 一种用作5g通讯器件的微波介质陶瓷材料及制备方法
CN108727023A (zh) 一种钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法
CN105777108B (zh) 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法
CN104496424A (zh) 一种玻璃陶瓷及其制备方法
CN115057695B (zh) 高q值低介电常数ltcc粉、ltcc材料及制备方法、生瓷带及制备方法和应用
CN110627480B (zh) MgO-Al2O3-GeO2三元体系微波介质材料的制备方法
CN115959893B (zh) 一种低成本非金属矿质微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN115466109B (zh) 一种钙硼硅系ltcc陶瓷材料及其制备方法
CN116789448B (zh) 一种中温烧结高q值微波介质材料及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200312

Address after: Kunshan Dianshan Lake Town City Suzhou city Jiangsu province 215345 Shen road, No. 6

Patentee after: Rosenberg Technology Co.,Ltd.

Address before: 201707, No. 303, Xinke Road, Huangpu District Industrial Park, Shanghai, B2

Patentee before: ROSENBERGER (SHANGHAI) TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 215300 No.6 Shen'an Road, Dianshanhu Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: ProLogis Communication Technology (Suzhou) Co.,Ltd.

Address before: 215345 No. 6 Shen'an Road, Dianshan Lake Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Rosenberg Technology Co.,Ltd.