CN103035536B - Emi封装及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

集成电路结构包括衬底、衬底第一侧上的光敏塑模、形成在塑模中的过孔以及沉积在衬底第一侧上以及过孔中的一致金属层。可以穿过衬底形成与塑模中的过孔对准的通孔，其具有沉积的通孔中的导电衬垫，与一致金属层电接触。集成电路结构还包括：诸如焊球的连接元件，在与第一侧相对的衬底的第二侧上的通孔的一端上。集成电路结构还可以包括：管芯，在衬底的第一侧上，与另一通孔或重新分布层电接触。

Description

EMI封装及其制造方法
技术领域
本发明总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及EMI封装及其制造方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，半导体管芯变得越来越小，并且将更多的功能集成到半导体管芯中。
在三维(3D)集成电路中通常使用通孔，有时在本文中被称为衬底通孔(“TSV”)。通孔透过衬底，并用于衬底相对侧上的电互连部件。
传统地，通孔形成工艺包括蚀刻或钻进衬底以形成通孔开口。然后，用导电材料填充通孔开口，然后导电材料被平面化以去除多余部分，并且衬底中导电材料的剩余部分形成通孔。然后，例如，使用镶嵌工艺，金属线和/或金属焊盘形成在通孔的上方并电连接至通孔。
传统地，形成盖子的金属零件被放置在半导体管芯上的部分结构的上方，并连接至用于EMI屏蔽的逻辑电路地。用于这种金属盖子的形状因子较大，并且不适合于制造充分小型化的设备，诸如移动应用所采用的高度集成的手持设备。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种用于制造集成电路结构的方法，包括提供衬底；在衬底的第一侧上形成塑模；在塑模中形成过孔；在衬底的第一侧的上方以及在过孔中沉积金属层。
该方法还包括：穿过衬底在塑模中形成与过孔对准的通孔；以及在通孔中形成与金属层电接触的导电衬垫。
其中，沉积金属层的步骤包括从由电镀、溅射、执行化学汽相沉积、和沉积焊料组成的组中至少选择一个。
其中，在塑模中形成过孔的步骤包括：将塑模暴露给图案化光源；以及去除塑模的一部分。
该方法还包括：在衬底的第一侧上定位管芯；穿过衬底在面对衬底的管芯的接触焊盘下方形成另一通孔；在另一通孔中形成另一导电衬垫；以及利用连接元件将管芯的接触焊盘连接至另一导电衬垫。
该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL(“重新分布层”)，RDL具有与金属层接触的导电路径；在塑模中形成与导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；以及在塑模与RDL相对的一侧上，在另一过孔的一端上形成另一连接元件。
该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，RDL具有与金属层接触的导电路径；在RDL的下方形成与衬底和RDL机械接触的另一塑模；在另一塑模中形成与RDL中的导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成另一RDL，另一RDL具有与另一过孔接触的另一导电路径；以及在另一RDL上形成与另一导电路径接触的另一连接元件。
其中，另一塑模为光敏塑模。
该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，RDL具有与金属层接触的导电路径；在衬底中形成与RDL中的导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成另一RDL，另一RDL具有与另一过孔接触的另一导电路径；以及在另一RDL上形成与另一导电路径接触的另一连接元件。
该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，RDL具有与金属层接触的导电路径；在衬底的第一侧上，在塑模中形成另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；以及在另一过孔上形成与另一导电衬垫接触的另一连接元件。
此外，还提出了一种集成电路结构，包括：衬底；塑模，位于衬底的第一侧上，在塑模中包括过孔；以及金属层，位于衬底的第一侧的上方且位于过孔中。
该集成电路结构还包括：通孔，穿过衬底，与塑模中的过孔对准；以及导电衬垫，位于通孔中，与金属层的电接触。
该集成电路结构还包括：连接元件，位于与第一侧相对的衬底的第二侧上的通孔的一端上。
其中，塑模为光敏塑模。
该集成电路结构还包括：管芯，位于衬底的第一侧上；另一通孔，穿过衬底，定位在管芯的面对衬底的接触焊盘的下方；另一导电衬垫，位于另一通孔中；以及连接元件，与另一通孔的另一导电衬垫和管芯的接触焊盘电接触。
该集成电路结构还包括：RDL，位于衬底的第一侧上，具有与金属层接触的导电路径；另一过孔，位于塑模中，与导电路径对准；导电衬垫，位于另一过孔中；以及连接元件，位于塑模的与RDL相对的一侧上，与另一过孔的一端电连接。
该集成电路结构还包括：RDL，位于衬底的第一侧上，具有与金属层接触的导电路径；另一塑模，位于RDL的下方，与衬底和RDL机械接触；另一过孔，位于另一塑模中，与RDL中的导电路径对准；另一导电衬垫，位于另一过孔中；另一RDL，位于与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上，具有与另一过孔接触的另一导电路径；以及连接元件，位于另一RDL上，与另一导电路径接触。
其中，金属层包括从由电镀层、溅射层、通过化学汽相沉积所沉积的层、以及焊料层所组成的组中选择的至少一个。
该集成电路结构还包括：RDL，位于衬底的第一侧上，具有与金属层接触的导电路径；另一过孔，位于衬底中，与RDL中的导电路径对准；另一导电衬垫，位于另一过孔中；另一RDL，位于与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上，具有与另一过孔接触的另一导电路径；以及连接元件，与另一RDL电接触，与另一导电路径电接触。
该集成电路结构还包括：RDL，位于衬底的第一侧上，具有与金属层接触的导电路径；另一过孔，位于衬底的第一侧上的塑模中；另一导电衬垫，位于另一过孔中；以及连接元件，位于另一过孔上，与另一导电衬垫电接触。
附图说明
将参照附图描述示例性实施例。应该理解，附图只是为了示出的目的，因此不按比例绘制：
图1、图2和图3示出了根据本公开各个方面的处理步骤序列中的集成电路结构的正面图；
图4至图9示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的示例性实施例的正面图；以及
图10至图13示出了根据本公开各个方面的用于制造具有可用作EMI屏蔽的一致(conformable)金属层的集成电路结构的方法的流程图。
具体实施方式
以下详细讨论本公开实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体情况下具体化的可应用发明概念。所讨论的具体实施例仅仅是示意性的，并不用于限制本公开的范围。
根据实施例提供了用于集成电路结构的新颖EMI屏蔽及其制造方法。新颖的EMI屏蔽用形成在集成电路结构的光敏塑模顶部上的金属层替换金属零件盖。新颖的EMI屏蔽提供了比金属零件盖更小的形状因子，并且对于诸如移动应用所采用的高度集成设备来说尤其有利。利用增加的金属化步骤制造EMI屏蔽，可以在光敏塑模的芯片安装和光刻处理之后执行该增加步骤。
以下示出制造实施例的中间阶段，然后讨论各种实施例。在各个附图和所示实施例中，类似的参考标号用于表示类似的元件。
首先，参照图1，出了初始处理步骤之后的集成电路结构的示例性实施例的正面图。
提供了插入件110，插入件110可以为硅插入件，或者为没有限制地由硅、硅锗、碳化硅或者甚至砷化镓或其他通用半导体材料形成的半导体衬底。可形成在半导体衬底中的器件结构的实例包括诸如晶体管的有源器件以及诸如电阻器、电容器、电感器和变容二极管的无源器件，它们可以通过互连层互连至附加集成电路。因此，插入件110可包括集成电路(“IC”)。插入件110可以由诸如氧化硅的电介质材料形成。可选地，插入件110可以没有有源器件，并且可以包括也可以不包括无源器件。
透过插入件110形成诸如TSV140的通孔，并且所述通孔回填有诸如电镀到通孔的内表面上的金属层或者沉积到通孔中的焊料或者溅射到通孔或通过化学汽相沉积而沉积的金属膜的导电材料。被定位在插入件110的顶侧上的、没有限制地可由硅形成的诸如RF管芯120、数字管芯121和模拟管芯122的一个或多个管芯是通过将诸如焊球的元件通过回流操作连接至通孔(诸如通过焊球130)的电“倒装芯片”。通常可以代替焊球使用其他连接元件，诸如焊料块或铜柱。诸如TSC140的通孔向管芯120、121和122提供信号、功率和地连接。诸如TSV150的附加通孔形成在插入件110中但是不耦合至管芯。
在示例性实施例中，通过在290C或以下的温度处于几十Torr压力下的室中引入铜金属前体(其下包括氮化钽(“TaN”)阻挡层)来产生通过化学汽相沉积而沉积的金属层或膜。
在定位在插入件110顶侧上的管芯的上方沉积塑模170。在示例性实施例中，塑模170为光敏塑模，诸如光界定的(photodefinable)聚苯并恶唑(“PBO”)或其他类型。诸如焊球160的连接元件沉积在插入件110的与其顶侧相对的底侧上，每个焊球都与对应的通孔进行电接触，以提供将集成电路结构电连接至诸如引线框架或印刷配线板的另一部件的机构。可以使用诸如焊料块、铜柱等的其他连接元件，它们在本文一般称为连接元件。
现在，参照图2，示出了根据所示实施例构造的在进一步处理步骤之后的图1所示集成电路结构的正面图。在所示实施例中，塑模是光敏的，并且通过光刻进行处理以在没有电连接至管芯的通孔(例如，TSV150)的上方制造过孔210、211。没有电连接至管芯的这些过孔将被用于使在后续步骤中针对下面的部件形成的EMI屏蔽接地。在可选实施例中，塑模170不是光敏的，并且通过激光器制造过孔。
现在，参照图3，示出了在进一步处理步骤之后的图2所示集成电路结构的正面图。可用作EMI屏蔽的金属层310现在被一致地沉积在塑模170的上方。金属层310和/或通孔中的导电材料可包括铝、铝合金、铜、铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、金属硅化物或它们的组合，并且可以通过电镀工艺进行沉积，例如通过无电镀、通过在通孔内表面上形成的薄镀层和/或集成电路结构的顶侧的上方沉积焊料，或者通过在通孔中和/或集成电路结构的顶侧溅射或化学汽相沉积金属层/膜。上文已经描述了可用于在塑模170的上方一致地沉积金属层/膜的示例性化学汽相沉积工艺。金属层310被沉积并形成为与可以没有直接连接至管芯通孔(诸如TSV150)的电接触。在塑模170上形成金属层310之前，可以蚀刻(诸如利用离子蚀刻)塑模170的露出表面，以改进塑模170和金属层310之间的接合。在所示实施例中，金属层310形成与塑模的化学接合。在所示实施例中，金属层310形成与塑模的化学结合而没有中间的粘合剂。管芯120、121和122上方区域中金属层310的所示厚度为大约10至15μm。在TSV壁上的金属层的示例性厚度为大约5至8μm。结果是可连接至局部电路地的一致形成的EMI屏蔽有利地具有小于尤其利于高度集成电路结构的金属零件的形状因子。
现在，参照图4，示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图4所示的实施例包括在具有多管芯散开的多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的对应插入件440、441的上方)提供电互连的重新分布层(“RDL”)450。通过沉积在插入件440和插入件441之间的塑模460，插入件可以通过图4所示的塑模机械地固定到一起。通过连接诸如焊球430(放置在塑模170中形成的过孔410上方并与其接触)的连接元件提供具有引线框架或印刷配线板的集成电路结构的电连接。利用光刻制造的塑模170中形成的过孔的示例性尺寸为大约50至100μm，以及利用激光器形成的过孔的示例性尺寸为大约100μm以上。由此，通过沉积在塑模170的通孔上方和其中的金属层310来提供EMI屏蔽。通过耦合至通过过孔(诸如通过过孔410)以及通过连接元件(诸如通过焊球430)接地的局部电路的RDL450提供金属层310的接地。
现在，参照图5，示出了包括金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图5所示的实施例包括在多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的对应插入件440、441的上方)利用多管芯散开提供电互连的第一RDL450。图5所示的实施例包括提供第一RF管芯420和第二RF管芯421以及金属层310与诸如引线框架或印刷配线板的部件的电连接的第二RDL550。图5所示的塑模560是光敏塑模，其被进行光刻工艺以在其中形成过孔，诸如过孔510、511和512。在可选实施例中，塑模560不是光敏的，并且利用激光器形成其中的过孔。利用光刻形成的光敏塑模560中过孔的示例性尺寸为大约50至100μm，并且利用激光器形成的过孔的示例性尺寸为大约100μm或更多。通过形成在塑模560中的过孔510、511和512与耦合至第二RDL550的连接元件(诸如焊球520)一起提供金属层310以及RF管芯420和421与诸如引线框架或印刷配线板的部件的连接。过孔510、511和512填充有焊料，其中，焊料可沉积在过孔中薄镀层上，或者过孔的内表面可以进行电镀(例如通过无电镀)、或者可以溅射导电金属层/膜、或者可以覆盖有通过化学汽相沉积形成的导电金属层/膜。
现在，参照图6，示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图6所示实施例包括在多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的对应插入件440、441的上方)利用多管芯散开提供电互连的第一RDL450。图6所示的实施例包括提供第一RF管芯420和第二RF管芯421以及金属层310与诸如印刷配线板的引线框架的电连接的第二RDL550。图6所示的塑模460不需要为光敏塑模以在其中形成过孔。穿过插入件440、441形成的过孔(诸如过孔660)填充有焊料，其中，焊料可沉积在过孔中薄镀层上，或者过孔的内表面可以进行电镀(例如通过无电镀)、或者可以溅射导电金属层/膜、或者内表面可形成有通过化学汽相沉积沉积的导电金属层/膜。通过第一RDL450和第二RDL550与穿过插入件440、441的过孔(诸如过孔660)和诸如焊球520的连接元件一起提供金属屏蔽310以及RF管芯420和421与引线框架的连接。
现在，参照图7，示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图7所示实施例包括在多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的插入件440的上方)利用多管芯散开提供电互连的RDL450。图7所示的实施例中，RDL450诸如通过过孔410和焊球430提供第一RF管芯420和第二RF管芯421以及金属层310与引线框架的电连接。图7所示的塑模460不需要为能够进行光刻工艺以在其中形成过孔的光敏塑模。穿过塑模170的过孔填充有焊料，其中，焊料可沉积在过孔中薄镀层上，或者过孔的内表面可以进行电镀(例如通过无电镀)、或者可以溅射导电金属层/膜、或者内表面可形成有通过化学汽相沉积沉积的导电金属膜。
现在，参照图8，示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图8所示实施例包括利用在多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的对应插入件440的上方)散开的多管芯提供电互连的第一RDL450。图8所示的实施例包括提供第一RF管芯420和第二RF管芯421以及金属层310与诸如印刷配线板的引线框架的电连接的第二RDL550。塑模560为可进行光刻处理以在其中形成过孔(诸如过孔510、512，将第一RDL450互连至第二RDL550)的光敏塑模。在可选实施例中，塑模560不是光敏的，并且通过激光工艺形成过孔。形成在塑模560中的过孔填充有焊料，其中，焊料可沉积在过孔中薄镀层上，或者过孔的内表面可以进行电镀(例如通过无电镀)、或者可以溅射导电金属层/膜、或者内表面可覆盖有通过化学汽相沉积而沉积的导电金属层/膜。通过第一和第二RDL、形成在塑模560中的过孔与诸如耦合至第二RDL550的焊球520的连接元件一起提供金属屏蔽310以及RF管芯420和421与引线框架的连接。
现在，参照图9，示出了包括可用作EMI屏蔽的金属层的集成电路结构的所示实施例的正面图。图9所示实施例包括在多个管芯之间(诸如在第一RF管芯420和第二RF管芯421之间，每一个管芯都定位在诸如半导体衬底或硅IC的对应插入件440的上方)利用多管芯散开提供电互连的第一RDL450。图9所示的实施例包括提供第一RF管芯420和第二RF管芯421以及金属层310与诸如印刷配线板的引线框架的电连接的第二RDL550。塑模560不需要为光敏塑模。过孔形成在插入件440中并填充有焊料，其中，焊料可沉积在过孔中薄镀层上，或者过孔的内表面可以进行电镀(例如通过无电镀)、或者可以溅射导电金属层/膜、或者过孔的内表面可覆盖有通过化学汽相沉积而沉积的导电金属层/膜。通过第一和第二RDL、形成在插入件440中的过孔与诸如耦合至第二RDL550的焊球520的连接元件一起提供金属屏蔽310以及RF管芯420和421与引线框架的连接。
现在，参照图10，示出了用于制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的方法1000。方法1000开始于块1010。在块1015中，提供诸如半导体衬底的衬底。半导体衬底可包括诸如晶体管的有源器件以及诸如电阻器、电容器、电感器、变容二极管的无源器件，如先前所描述的，其可以通过互连层互连至附加集成电路。
方法1000继续到块1020，其中，通孔穿过衬底形成，其与稍后步骤中形成的塑模中的过孔对准以提供与一致金属层的电接触。
方法1000继续到块1025，其中，在管芯(其在稍后步骤中将电连接至衬底)的接触焊盘的下方，穿过衬底形成另一通孔。
方法1000继续到块1030，其中，在通孔中分别形成导电衬垫。导电衬垫可以由铝、铝合金、铜、铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、金属硅化物或它们的组合来形成，并且可以通过电镀工艺进行沉积，例如通过无电镀、通过在通孔内表面上形成的薄镀层的上方沉积焊料，或者通过在通孔中溅射或化学汽相沉积金属层/膜。
方法1000继续到块1035，其中，管芯附着至衬底的第一侧，其中接触焊盘面对衬底的第一侧。
方法继续到块1040，其中，应用诸如焊球的连接元件以将采用倒装结构的面对衬底的管芯表面上的接触焊盘连接至与管芯的接触焊盘对准的通孔中的导电衬垫。可以代替焊球来使用其他连接元件，诸如焊料块或铜柱。
方法继续到块1045，其中，在衬底的第一侧上形成塑模。
方法继续到块1050，其中，在衬底第一侧上形成的塑模中形成过孔。在所示实施例中，块1045中形成的塑模为光敏塑模以能够通过光刻工艺在其中形成过孔。在可选实施例中，块1045中形成的塑模不是光敏的，而是采用激光技术在其中形成过孔。
方法继续到块1055，其中，在衬底的第一侧上方以及在塑模中形成的过孔中沉积一致金属层。包括沉积在过孔中的材料的一致金属层可包括铝、铝合金、铜、铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、金属硅化物或它们的组合，并且可以通过电镀工艺进行沉积，例如通过无电镀、通过在通孔内表面上形成的薄镀层和/或集成电路结构的第一侧的上方沉积焊料，或者通过在通孔中和/或集成电路结构的第一侧溅射或化学汽相沉积金属层/膜。
方法继续到块1060，其中，诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件形成在与衬底第一侧相对的衬底第二侧上的通孔的一端上。
方法1000结束于块1065，从而制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的实施例。
现在，参照图11，示出了用于制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的又一方法1100。方法1100开始于块1010。在块1115中，提供诸如半导体衬底的衬底。
在块1120中，管芯被定位在衬底的第一侧上，其中接触焊盘面对衬底的第一侧。
在块1125中，应用诸如焊球的连接元件，以将采用倒装芯片技术的管芯的面对衬底的表面上接触焊盘连接至RDL，其具有与管芯的接触焊盘对准的导电路径并且具有塑模中的过孔(在过孔之上将利用革新处理步骤沉积一致金属层)。
在块1130中，在衬底的第一侧上形成塑模。
在块1135中，在塑模中形成与RDL的接触焊盘对准的过孔。
在块1140中，在塑模中与RDL的接触焊盘对准的过孔中形成导电衬垫。
在块1145中，在衬底的第一侧上方以及在塑模中形成与RDL的接触焊盘对准的过孔中沉积一致金属层。
在块1150中，在与RDL中的接触焊盘对准的塑模中的过孔的一端上形成诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件。
方法1100结束于1165，从而制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的实施例。
现在，参照图12，示出了用于制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的又一方法1200。方法开始于块1210。在块1215中，提供诸如半导体衬底的衬底。
在块1220中，下塑模形成在衬底的外侧周围，并且与衬底的外侧进行机械接触。
在块1225中，第一RDL形成在衬底的第一侧和下塑模上。
在块1230中，管芯附着至衬底的第一侧，其中接触焊盘面对衬底的第一侧。
在块1235中，向例如采用倒装芯片技术的管芯应用诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件，以将管芯面对衬底第一侧的接触焊盘连接至第一RDL，其接触焊盘与管芯的接触焊盘对准。
在块1240中，在下塑模中形成与第一RDL的接触焊盘对准的过孔。在所示实施例中，块1220中形成的下塑模为光敏塑模以能够通过光刻工艺在其中形成过孔。在可选实施例中，块1220中形成的下塑模不是光敏的，而是采用激光技术在其中形成过孔。
在块1245中，在采用先前描述技术的下塑模中的过孔中形成导电衬垫。
在块1250中，在衬底的第二侧上以及在与衬底的第一侧相对的下塑模中形成第二RDL，其接触焊盘与下塑模中对应的过孔对准。
在块1255中，在衬底的第一侧上形成上塑模。如先前描述的，上塑模可以为光敏塑模或者其可以不是光敏塑模而是采用激光技术进行处理。
在块1260中，在上塑模中形成与第一RDL的接触焊盘对准的过孔。
在块1265中，在衬底的第一侧上方以及在塑模中形成与第一RDL的接触焊盘对准的过孔中沉积一致金属层。
在块1270中，在第二RDL的露出表面上的接触焊盘上形成诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件。
方法1200结束于1275，从而制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的实施例。
现在，参照图13，示出了用于制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的方法1300。方法开始于块1310。在块1315中，提供诸如半导体衬底的衬底。
在块1320中，下塑模形成在衬底的外侧周围，并且与衬底的外侧进行机械接触。
在块1325中，第一RDL形成在下塑模中衬底的第一侧上。
在块1330中，管芯附着至衬底的第一侧，其中接触焊盘面对衬底的第一侧。
在块1335中，向例如采用倒装芯片技术的管芯应用诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件，以将管芯面对衬底第一侧的接触焊盘连接至第一RDL，其接触焊盘与管芯的接触焊盘对准。
在块1340中，在衬底中形成与第一RDL的接触焊盘对准的过孔。
在块1345中，采用先前描述技术，在衬底的过孔中形成导电衬垫。
在块1350中，在衬底的第二侧上以及在与衬底的第一侧相对的下塑模中形成第二RDL，其接触焊盘与衬底中的过孔对准。
在块1355中，上塑模形成在衬底的第一侧上。上塑模可以为光敏塑模以能够通过光刻工艺在其中形成过孔。在可选实施例中，上塑模不是光敏的，而是采用激光技术在其中形成过孔。
在块1360中，在上塑模中形成与第一RDL中的接触焊盘对准的过孔。
在块1365中，在衬底的第一侧上方以及在塑模中形成与第一RDL的接触焊盘对准的过孔中沉积一致金属层。
在块1370中，在第二RDL的露出表面上的接触焊盘上形成诸如焊球、焊料块或铜柱的连接元件。
方法1300结束于1375，从而制造具有可用作EMI屏蔽的一致形成的金属层的集成电路结构的实施例。
本公开的各种实施例可用于改善先前的制造工艺。根据一个实施例，提供了用于制造具有EMI屏蔽的集成电路结构的方法。该方法包括：提供衬底。在衬底的第一侧上形成塑模。在塑模中形成过孔，并且在衬底的第一侧上方以及在过孔中沉积一致金属层。在示例性实施例中，该方法还包括：穿过衬底形成与塑模中的过孔对准的通孔；以及在通孔中形成与一致金属层电接触的导电衬垫。在示例性实施例中，沉积一致金属层的步骤包括电镀、溅射、执行化学汽相沉积和沉积焊料中的至少一个。在示例性实施例中，在塑模中形成过孔包括：将塑模暴露给图案化光源；以及诸如通过光刻工艺或利用激光形成通孔来去除塑模的一部分。在示例性实施例中，该方法还包括：在衬底的第一侧上定位管芯；在面对衬底的管芯的接触焊盘的下方穿过衬底形成另一通孔；在另一通孔中形成另一导电衬垫；以及利用连接元件将管芯的接触焊盘连接至另一导电衬垫。在示例性实施例中，该方法还包括：利用与一致金属层接触的导电路径，在衬底的第一侧上形成RDL；在塑模中形成与导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；以及在塑模与RDL相对的一侧上的另一过孔的一端上形成另一连接元件。在示例性实施例中，该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，其中导电路径与一致金属层接触；在RDL的下方形成另一塑模，与衬底和RDL进行机械接触；在另一塑模中形成与RDL的导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成另一RDL，其中另一导电路径与另一过孔接触；以及在另一RDL上形成与另一导电路径接触的另一连接元件。在示例性实施例中，另一塑模为光敏塑模。在示例性实施例中，该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，其中导电路径与一致金属层接触；在衬底中形成与RDL中的导电路径对准的另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成另一RDL，其中另一导电路径与另一过孔接触；在另一RDL上形成与另一导电路径接触的另一连接元件。在示例性实施例中，该方法还包括：在衬底的第一侧上形成RDL，其中导电路径与一致金属层接触；在衬底的第一侧上的塑模中形成另一过孔；在另一过孔中形成另一导电衬垫；以及在另一过孔上形成与另一导电衬垫接触的另一连接元件。
本公开的另一形式涉及集成电路结构。该集成电路结构包括：衬底；塑模，在衬底的第一侧上；过孔，在塑模中；以及一致金属层，在衬底的第一侧之上以及在过孔中。在示例性实施例中，集成电路结构包括：通孔，穿过衬底，与塑模中的过孔对准；以及导电衬垫，在通孔中，与一致金属层电接触。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：连接元件，在衬底与第一侧相对的第二侧上的通孔的一端上。在示例性实施例中，塑模为光敏塑模。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：管芯，在衬底的第一侧上；另一通孔，穿过衬底，位于管芯面对衬底的接触焊盘的下方；以及连接元件，与另一通孔的另一导电衬垫和管芯的接触焊盘电接触。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：RDL，在衬底的第一侧上，其中导电路径与一致金属层接触；另一过孔，在塑模中与导电路径对准；导电衬垫，在另一过孔中；以及连接元件，与RDL相对的塑模的一侧上的另一过孔的一端电接触。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：RDL，在衬底的第一侧上，其中导电路径与一致金属层接触；另一塑模，在RDL的下方，与衬底和RDL机械接触；另一过孔，在另一塑模中，与RDL中的导电路径对准；另一导电衬垫，在另一过孔中；另一RDL，在与衬底的第一侧相对的衬底的第二册上，其中另一导电路径与另一过孔接触；以及连接元件，在另一RDL上，与另一导电路径接触。在示例性实施例中，一致金属层包括电镀层、溅射层、通过化学汽相沉积而沉积的层以及焊料层中的至少一个。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：RDL，在衬底的第一侧上，其中导电路径与一致金属层接触；另一过孔，在衬底中，与RDL中的导电路径对准；另一导电衬垫，在另一过孔中；另一RDL，在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上，其中另一导电路径与另一过孔接触；以及连接元件，与另一RDL电接触，与另一导电路径电接触。在示例性实施例中，集成电路结构还包括：RDL，在衬底的第一侧上，其中导电路径与一致金属层接触；另一过孔，在衬底的第一侧上的塑模中；另一导电衬垫，在另一过孔中；以及连接元件，在另一过孔上，与另一导电衬垫电接触。
尽管详细描述了示例性实施例，但应该理解，在不背离公开的精神和范围的情况下，可以进行各种改变、替换和变化。此外，本申请的范围不限于说明书中描述的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的特定实施例。本领域的技术人员应该容易地从公开中理解，可以根据公开利用现有或稍后开发的执行与本文所描述对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤。因此，所附权利要求用于在它们的范围内包括这些工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤。

Claims (20)

1.一种用于制造集成电路结构的方法，包括
提供衬底；
在所述衬底的第一侧上形成管芯和塑模，其中，所述塑模沉积于所述管芯上方；
在所述塑模中形成过孔；
在所述衬底的所述第一侧的上方以及在所述过孔中沉积金属层，其中，所述金属层沿着所述过孔的第一侧壁、第二侧壁和底面延伸，并且位于所述第一侧壁上的所述金属层的第一部分与位于所述第二侧壁上的所述金属层的第二部分至少部分地分隔开。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
穿过所述衬底在所述塑模中形成与所述过孔对准的通孔；以及
在所述通孔中形成与所述金属层电接触的导电衬垫。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述金属层的步骤包括从由电镀、溅射、执行化学汽相沉积、和沉积焊料组成的组中至少选择一个。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述塑模中形成过孔的步骤包括：
将所述塑模暴露给图案化光源；以及
去除所述塑模的一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
穿过所述衬底在面对所述衬底的管芯的接触焊盘下方形成另一通孔；
在所述另一通孔中形成另一导电衬垫；以及
利用连接元件将所述管芯的所述接触焊盘连接至所述另一导电衬垫。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的所述第一侧上形成RDL(“重新分布层”)，所述RDL具有与所述金属层接触的导电路径；
在所述塑模中形成与所述导电路径对准的另一过孔；
在所述另一过孔中形成另一导电衬垫；以及
在所述塑模与所述RDL相对的一侧上，在所述另一过孔的一端上形成另一连接元件。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的所述第一侧上形成RDL，所述RDL具有与所述金属层接触的导电路径；
在所述RDL的下方形成与所述衬底和所述RDL机械接触的另一塑模；
在所述另一塑模中形成与所述RDL中的所述导电路径对准的另一过孔；
在所述另一过孔中形成另一导电衬垫；
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成另一RDL，所述另一RDL具有与所述另一过孔接触的另一导电路径；以及
在所述另一RDL上形成与所述另一导电路径接触的另一连接元件。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述另一塑模为光敏塑模。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的所述第一侧上形成RDL，所述RDL具有与所述金属层接触的导电路径；
在所述衬底中形成与所述RDL中的所述导电路径对准的另一过孔；
在所述另一过孔中形成另一导电衬垫；
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成另一RDL，所述另一RDL具有与所述另一过孔接触的另一导电路径；以及
在所述另一RDL上形成与所述另一导电路径接触的另一连接元件。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的所述第一侧上形成RDL，所述RDL具有与所述金属层接触的导电路径；
在所述衬底的所述第一侧上，在所述塑模中形成另一过孔；
在所述另一过孔中形成另一导电衬垫；以及
在所述另一过孔上形成与所述另一导电衬垫接触的另一连接元件。
11.一种集成电路结构，包括：
衬底；
管芯，位于所述衬底的第一侧上；
塑模，位于所述衬底的第一侧上和所述管芯上方，在所述塑模中包括过孔；以及
金属层，位于所述衬底的所述第一侧的上方且位于所述过孔中，其中，所述金属层沿着所述过孔的第一侧壁、第二侧壁和底面延伸，并且位于所述第一侧壁上的所述金属层的第一部分与位于所述第二侧壁上的所述金属层的第二部分至少部分地分隔开。
12.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
通孔，穿过所述衬底，与所述塑模中的所述过孔对准；以及
导电衬垫，位于所述通孔中，与所述金属层的电接触。
13.根据权利要求12所述的集成电路结构，还包括：连接元件，位于与所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上的所述通孔的一端上。
14.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中，所述塑模为光敏塑模。
15.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
另一通孔，穿过所述衬底，定位在所述管芯的面对所述衬底的接触焊盘的下方；
另一导电衬垫，位于所述另一通孔中；以及
连接元件，与所述另一通孔的所述另一导电衬垫和所述管芯的所述接触焊盘电接触。
16.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
RDL，位于所述衬底的所述第一侧上，具有与所述金属层接触的导电路径；
另一过孔，位于所述塑模中，与所述导电路径对准；
导电衬垫，位于所述另一过孔中；以及
连接元件，位于所述塑模的与所述RDL相对的一侧上，与所述另一过孔的一端电连接。
17.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
RDL，位于所述衬底的所述第一侧上，具有与所述金属层接触的导电路径；
另一塑模，位于所述RDL的下方，与所述衬底和所述RDL机械接触；
另一过孔，位于所述另一塑模中，与所述RDL中的所述导电路径对准；
另一导电衬垫，位于所述另一过孔中；
另一RDL，位于与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上，具有与所述另一过孔接触的另一导电路径；以及
连接元件，位于所述另一RDL上，与所述另一导电路径接触。
18.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中，所述金属层包括从由电镀层、溅射层、通过化学汽相沉积所沉积的层、以及焊料层所组成的组中选择的至少一个。
19.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
RDL，位于所述衬底的所述第一侧上，具有与所述金属层接触的导电路径；
另一过孔，位于所述衬底中，与所述RDL中的所述导电路径对准；
另一导电衬垫，位于所述另一过孔中；
另一RDL，位于与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上，具有与所述另一过孔接触的另一导电路径；以及
连接元件，与所述另一RDL电接触，与所述另一导电路径电接触。
20.根据权利要求11所述的集成电路结构，还包括：
RDL，位于所述衬底的所述第一侧上，具有与所述金属层接触的导电路径；
另一过孔，位于所述衬底的所述第一侧上的所述塑模中；
另一导电衬垫，位于所述另一过孔中；以及
连接元件，位于所述另一过孔上，与所述另一导电衬垫电接触。
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