CN102741978B - 基板处理装置的维护方法以及安全装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置的维护方法以及安全装置。基板处理装置中,驱动区(DA1)被室本体部(51)覆盖,进行用以处理基板的规定动作的驱动部是配置于上述驱动区(DA1),利用间隔部(52)而区分上述驱动区、与上述驱动区的周围区(SA1)。基板处理装置的维护方法包括:第1步骤,在设置于室本体部(51)的堵住第1开口的第1门(DR1)被打开之前,使X射线照射装置成为无法照射X射线的状态;第2步骤,在第1门(DR1)被打开之后、设置于间隔部(52)的堵住第2开口的第2门(DR2)被打开之前,使驱动部成为无法进行规定动作的状态;以及维护步骤,进行成为无法进行规定动作的状态的驱动部及处理部的至少一方的维护。因此,驱动部的驱动状态的观察等的点检,可以在室的内部安全地进行。

Description

基板处理装置的维护方法以及安全装置
技术领域
本发明是有关于一种曝光装置等的基板处理装置的维护方法。
背景技术
就液晶显示面板或半导体装置等的制造的光刻(photolithography)步骤中所使用的曝光装置而言,为了对基板实施微细加工,所以使该曝光装置被室(chamber)所覆盖,以防止灰尘等的污染物或杂质进入至装置内。
通常,在曝光装置中,为了对装置进行维护,而需要由作业人员从设置于室的门进入至装置内部(被室所覆盖的室内)。为了确保此时的作业人员的安全,在先前的曝光装置中,设置着:在室的门被打开的情况下,使曝光装置内的驱动部停止的安全装置(联锁(interlock)机构)(例如,参照专利文献1)。
先行技术文献 
专利文献
专利文献1:日本专利特开2001-160534号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在专利文献1所记载的曝光装置中,与室的门的打开连动而停止的对象设为装置内的所有驱动部,因而无法在室内藉由驱动部的驱动状态的观察等来进行检查。
对此,本发明的目的在于,提供一种基板处理装置的维护方法及安全装置,能够进行曝光装置等的基板处理装置所包括的驱动部的驱动状态的检查,并且能够确保进行维护时的作业人员的安全。
本发明的第1态样为一种基板处理装置的维护方法,上述基板处理装置包括:进行用以处理基板的规定动作的驱动部;将配置着上述驱动部的驱动区、与上述驱动区的周围的周围区加以区分的间隔部;覆盖驱动区及周围区的室本体部;设置在驱动区及周围区的至少一方而照射软X射线的X射线照射装置;及对基板进行规定处理的处理部。上述基板处理装置的维护方法包括:第1步骤,在设置于室本体部的堵住第1开口的第1门被打开之前,使X射线照射装置成为无法照射 X射线的状态;第2步骤,在第1门被打开之后、设置于间隔部的堵住第2开口的第2门被打开之前,使驱动部成为无法进行规定动作的状态;以及维护步骤,进行已成为无法进行规定动作的状态的驱动部及处理部的至少一方的维护。
本发明的第2态样为一种基板处理装置的安全装置,上述基板处理装置包括:进行用以处理基板的规定动作的驱动部;将配置着上述驱动部的驱动区、与上述驱动区的周围的周围区加以区分的间隔部;覆盖驱动区及周围区的室本体部;及设置在驱动区及周围区的至少一方而照射软X射线的X射线照射装置。上述基板处理装置的安全装置包括:第1连动机构,与用以打开设置于室本体部的堵住第1开口的第1门的动作连动,而使X射线照射装置成为无法照射X射线的状态;以及第2连动机构,与用以打开设置于间隔部的堵住第2开口的第2门的动作连动,而使驱动部成为无法进行规定动作的状态。
发明的效果 
根据本发明的态样,能够进行曝光装置等的基板处理装置所包括的驱动部的驱动状态的检查,并且能够确保进行维护时的作业人员的安全。
附图说明
图1是表示基板处理装置EX的外观的立体图。
图2是已搬送有掩模(mask)M及基板P的曝光装置FX的概略构成图。
图3是已搬送有掩模M及基板P的曝光装置FX的立体图。
图4是表示掩模搭载器MR及基板搭载器PR的基板处理装置EX的平面图。
图5是用以说明基板处理装置EX的第一层的曝光室10A的内部构成的平面图。
图6是用以说明基板处理装置EX的第二层的曝光室10B的内部构成的平面图。
图7是表示第1门DR1、第2门DR 2及第3门DR3的构成的示意图。图7(a)是表示第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3已关闭的状态的图。图7(b)是表示第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3的单门D1(右手侧的单门)已打开的状态的图。
图8是表示将第1门DR1或第2门DR2或第3门DR3打开时的操作部23的状态的放大图。
图9是用以说明使驱动部停止的安全装置的电路概略图。
图10是表示作业人员进入曝光室10A的内部时的步骤与维护的步骤的流程图。
图11是表示作业人员结束维护后从曝光室10A退出时的步骤的流程图。
符号的说明 
10、10A、10B:曝光室
11:掩模搭载器室
12:基板搭载器室
13:控制部
14:投影模块 
15:照明模块 
16:投影区域 
17:照明区域 
21、31、33、35、41:恢复按钮
23:操作部
24:推杆
51:外壁
52:间隔部
61:外壁
62:间隔部
DA、DA1、DA2:驱动区
DR1(DR11~DR13)、DR2(DR21~DR26)、DR3(DR31~DR33):门
EX:基板处理装置
FX:曝光装置 
IL:照明光学系统
LP1、LP2:电路
M:掩模
MR:掩模搭载器 
MS:掩模平台 
P:基板
PL:投影光学系统
PR:基板搭载器 
PS:基板平台 
R1、R2、R3:开口部
SA、SA1、SA2:周围区
ST11~ST13、ST21~ST26、ST31~ST33:开关
具体实施方式
基板处理装置的概要
图1是表示基板处理装置EX的外观的立体图。图1中,将铅垂方向设为Z轴方向,将与该Z轴方向垂直的平面设为XY平面。
如图1所示,基板处理装置EX包括:曝光室10、掩模搭载器室(mask loader chamber)11、基板搭载器室12、及控制部13。曝光室10收纳对基板进行曝光处理的曝光装置FX(参照图2)。掩模搭载器室11收纳掩模搭载器MR(参照图4)。基板搭载器室12收纳基板搭载器PR(参照图4)。控制部13进行基板处理装置EX的控制。
如图1所示,曝光室10配置于基板处理装置EX的中心部附近。掩模搭载器室11配置于曝光室10的-Y侧。基板搭载器室12配置于曝光室10的-X侧。而且,控制部13配置于曝光室10、掩模搭载器室11及基板搭载器室12的外侧。
曝光室10、掩模搭载器室11及基板搭载器室12具有:防止空气中的污染物或杂质进入至曝光装置FX内的防尘功能。
曝光装置的概要
一方面参照图2及图3,一方面对曝光装置FX的构成进行详细说明。此处,掩模M包括:形成着转印至基板P的组件图案(device pattern)的标线片(reticle)。基板P包括:例如于玻璃板等的基材上形成着感光膜、且基材的一边约为2000mm以上的矩形的基板。
图2是已搬送有掩模M及基板P的曝光装置FX的概略构成图。图2中为了便于理解而省略了对照射曝光光束的光源的描绘。图3是已搬送有掩模M及基板P的曝光装置FX的立体图。图3中为了便于理解而省略了对保持着掩模M及基板P的支柱(column)等的构件的描绘。
曝光装置FX包括:保持形成着转印至基板P的图案的掩模M且可移动的掩模平台MS、及使该掩模平台MS移动的未图标的掩模驱动马达。而且,曝光装置FX包括:保持基板P且可移动的基板平台PS、及使该基板平台PS移动的未图标的基板驱动马达。掩模驱动马达及基板驱动马达例如由线性马达等构成。
如图3所示,掩模平台MS藉由未图标的掩模驱动马达而可向箭头AR 1方向(X轴方向)移动。而且,掩模平台MS可向以Z轴为中心的旋转方向(θZ方向)旋转。基板平台PS藉由未图标的基板驱动马达而可向箭头AR 2方向(X轴方向)及箭头AR 3方向(Y轴方向)移动。此外,基板平台PS可向θZ方向、以X轴为中心的旋转方向(θX方向)及以Y轴为中心的旋转方向(θY方向)移动。
再次回到图2中,曝光装置FX包括:对掩模平台(mask stage)MS及基板平台PS的位置信息进行计测的、作为平台计测装置的干涉测长系统。干涉测长系统包括:对掩模平台MS的位置信息进行计测的掩模用雷射干涉测长器单元Mk、及对基板平台PS的位置信息进行计测的基板用雷射干涉测长器单元Pk。掩模用雷射干涉测长器单元Mk使用配置于掩模平台MS的计测镜18,可对掩模平台MS的位置信息进行计测。基板用雷射干涉测长器单元Pk使用配置于基板平台PS的计测镜19,可对基板平台PS的位置信息进行计测。
而且,曝光装置FX包括:对载置于基板平台PS的基板的位置进行计测的未图示的基板计测装置。例如,该基板计测装置包括如下装置的至少一个:图案位置计测装置,对设置于基板的计测用图案进行检测、且对基板的平面方向(X方向及Y方向的至少一个方向)的位置进行计测;及面位置计测装置,根据自相对于基板表面倾斜的方向入射的光的反射光,来对基板表面的法线方向(Z方向)的位置进行计测。
曝光装置FX更包括:照明光学系统IL,藉由来自未图示的光源的曝光光束来对掩模M进行照明的;以及作为投影光学装置的投影光学系统PL,将由曝光光束所照明的掩模M的图案的像投影至基板P。
如图3所示,投影光学系统PL具有7个投影模块14,照明光学系统IL以与7个投影模块14相对应的方式而具有7个照明模块15。图3中,7个投影模块14中,沿着X轴方向配置有3个,且与该3个投影模块14平行地配置有4个投影模块14。7个照明模块15与7个投影模块14相对应地成为相同的配置。
投影模块14及照明模块15的数目并不限于7个,例如投影光学系统PL可具有11个投影模块14,也可具有11个照明模块15。而且,如图3所示,由投影模块14形成的投影区域16是在箭头AR4方向上具有上底与下底的梯形形状。曝光装置FX一方面使掩模M与基板P分别沿箭头AR1方向及箭头AR2方向同步移动,一方面将掩模M的图案的像投影至基板P。
曝光装置FX利用来自照明光学系统IL的曝光光束来对掩模M进行照明。已透过掩模M的规定的图案是经由投影光学系统PL而被投影至基板P。掩模M及基板P藉由掩模平台MS及基板平台PS而同步移动,描绘至掩模M的规定图案是被曝光于基板P。
掩模搭载器及基板搭载器的构成
图4是表示掩模搭载器MR及基板搭载器PR的基板处理装置EX的 平面图。图4所示的基板处理装置EX在掩模搭载器室11内,包括:将掩模M朝曝光室10内搬送的掩模搭载器MR。而且,基板处理装置EX在基板搭载器室12内,包括:将基板P朝曝光室10内搬送的基板搭载器PR。
在掩模搭载器室11内配置着未图标的掩模缓冲器(mask buffer),在掩模缓冲器内储存着多个掩模M。掩模搭载器MR包括:在+Y轴方向上、自掩模搭载器室11至曝光室10为止移动自如的掩模移动手81。
掩模移动手81保持自掩模缓冲器送出的掩模M且向曝光室10内搬送。掩模移动手81将掩模M搬送至掩模平台MS上为止、并载置于掩模平台MS。而且,在该掩模M使用结束后,掩模移动手81使掩模M自掩模平台MS移动至掩模搭载器室11内。然后,掩模M被储存在掩模缓冲器内。
另一方面,基板搭载器PR包括:可自基板搭载器室12移动至曝光室10为止的未图示的基板移动机构。该基板移动机构将基板搭载器室12内的基板P搬送至曝光室10内的基板平台PS上为止、并载置于基板平台PS。已曝光的基板P再次藉由基板移动机构而朝曝光室10搬送。
第一层部分的曝光室的构成
图1所示的基板处理装置EX的曝光室10为两层建筑构成。首先,一方面参照图5,一方面说明曝光室10的第一层部分的曝光室10A的内部构成。图5是用以说明曝光室10A的内部构成的平面图。
如图5所示,曝光室10A包括:外壁51与间隔部52。间隔部52将驱动区DA 1与周围区SA 1加以区分。由间隔部52所包围的驱动区DA 1中,配置着曝光装置FX的驱动部(基板平台PS等)。设置于驱动区DA1的周围的周围区SA1是供作业人员能够进行维护作业或驱动区DA 1内的驱动部等的观察的区。另外,间隔部52较佳为具有格子状的栅栏或透明窗的镶板(panel board),从而能够自周围区SA1来对驱动区DA1内进行观察。
在驱动区DA 1,如图5所示,在两个部位设置着电离器(ionizer)20。作为X射线照射装置的电离器20照射软X射线以使环境气体离子化,从而使静电中和。自电离器20照射的软X射线有可能对人体造成不良影响,因而必须保证作业人员不会被照射到软X射线。另外,电离器20的设置场所并不仅限于驱动区DA1内,也可设置于周围区SA1内。
在曝光室10A的外壁51上形成着用以供作业人员进入或退出的第 1开口部R1(参照图7(b)),且设置着堵住该第1开口部R1的第1门DR1。外壁51上形成着三个第1开口部R1,该三个第1开口部R1上分别设置着第1门DR1(第1门DR11、第1门DR12及第1门DR13)。第1门DR11设置于-Y侧的外壁51,第1门DR 12及第1门DR13配置于+Y侧的外壁51。
而且,间隔部52中形成着用以供作业人员进入或退出的第2开口部R2(参照图7(b)),且设置着堵住该第2开口部R2的第2门DR2。间隔部52中形成着六个第2开口部R2,该六个第2开口部R2上分别设置着第2门DR2(第2门DR21~第2门DR26)。第2门DR21~第2门DR23设置于+Y侧的间隔部52,第2门DR24~第2门DR26配置于-Y侧的间隔部52。
第1门DR1(第1门DR11~第1门DR13)及第2门DR2(第2门DR 21~第2门DR26)上设置著作为安全装置的联锁(inter lock)机构,该联锁机构使掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR等的驱动部的动作停止而成为不能进行动作的状态。关于该联锁机构将于以下加以叙述。
而且,在第1门DR1的附近(例如1m以内的范围)设置着第2恢复按钮31。在第2门DR 2的附近(例如1m以内的范围)设置着第1恢复按钮21。第1恢复按钮21配置于第2门DR2附近的驱动区DA1侧,第2恢复按钮31配置于第1门DR1附近的周围区SA1侧。第1恢复按钮21包括:针对第2门DR21~第2门DR26而设置、且分别可识别的第1恢复按钮21a~第1恢复按钮21f。而且,第2恢复按钮31包括:针对第1门DR11~第1门DR13而设置、且分别可识别的第2恢复按钮31a~第2恢复按钮31c。
第1恢复按钮21是用以使配置于驱动区DA1内的掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR等的驱动部从联锁的动作状态恢复(亦即,解除无法进行动作的状态)的按钮。第2恢复按钮31是用以使电离器20自联锁的动作状态恢复(亦即,解除不能照射软X射线的状态)的按钮。
第二层部分的曝光室的构成
其次,对曝光室10的第二层部分的曝光室10B的内部构成进行说明。图6是用以说明曝光室10B的内部构成的平面图。
如图6所示,曝光室10B包括:外壁61与间隔部62。间隔部62将驱动区DA2与周围区SA2加以区分。由间隔部62包围的驱动区DA2 中配置着曝光装置FX的驱动部(掩模平台MS等)。设置于驱动区DA 2的周围的周围区SA2是供作业人员能够进行维护作业或可对驱动区DA2的驱动部进行观察的区。另外,间隔部62较佳为具有格子状的栅栏或透明窗,从而能够自周围区SA2对驱动区DA 2内进行观察。
在间隔部62形成着用以供作业人员自周围区SA2进入驱动区DA2或自驱动区DA2退出的第3开口部R3(参照图7(b)),且设置着堵住该第3开口部R 3的第3门DR3。间隔部62中形成着三个第3开口部R3,该三个第3开口部R3分别设置着第3门DR3(第3门DR31~第3门DR33)。第3门DR31及第3门DR32设置于+Y侧的间隔部62,第3门DR33配置于-Y侧的间隔部62。
而且,在第3门DR3的附近(例如1m以内的范围)设置着第3恢复按钮41。第3恢复按钮41配置于第3门DR3的附近驱动区DA2侧。第3恢复按钮41包括:针对第3门DR31~第3门DR33设置的、分别可识别的第3恢复按钮41a~第3恢复按钮41c。
门的构成
其次,对第1门DR1、第2门DR2及第3门DR3进行说明。
图7(a)是表示第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3关闭的状态的正面图。图7(b)是表示第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3的右侧的单门D1打开的状态的正面图。以下,因第1门DR1、第2门DR2及第3门DR3为相同构成,故而以第1门DR1为代表进行说明。
如图7(a)所示,第1门DR1为由单门D1及单门D2构成的双开门。而且,在第1门DR1的高度方向的中央部设置着:由单门D1及单门D2分开的操作部23。
如图7(b)所示,曝光室10A的外壁51形成着第1开口部R1(由斜线所示的部分)。该第1开口部R1由第1门DR1堵住。
图8是表示第1门DR1被打开时的6作部23的状态的放大图。如图8所示,操作部23为了将第1门DR1打开、而具有设置于第1门DR1的外部侧(曝光室10A的外部侧)的推杆(lever)24。而且,操作部23设置着与推杆24连动的开关(图8中未图示;与图9所示的ST11等对应)。此处,若作业人员使第1门DR1的推杆24自基准的位置(例如,沿着水平方向的位置)向顺时针(clockwise)方向旋转规定角度θ,则对应的开关被切断从而联锁动作。此时,电离器20(参照图5及图6)成为无法照射软X射线的状态,而配置于驱动区DA1或DA2内的掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR保持可驱动的状态。
若使设置于间隔部52或间隔部62的第2门DR21或第3门DR31的推杆24自基准的位置(例如,沿着水平方向的位置)向顺时针方向旋转规定角度θ,则分别对应的开关被切断从而使联锁动作。此时,配置于驱动区DA1或DA2内的掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR成为无法驱动的状态。另外,用以使该联锁动作的推杆24设置于第2门DR21的周围区SA1侧或第3门DR31的周围区SA2侧。
此处,即便在第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3未打开的状态下,藉由使与各门相对应的推杆24旋转规定角度θ以上,而使联锁动作。因此,仅藉由在第1门DR1被打开之前旋转推杆24,而使电离器20的软X射线的照射停止(成为无法照射的状态)。而且,仅藉由在第2门DR2或第3门DR3被打开之前旋转该推杆24,而使设置于驱动区DA1或驱动区DA2内的基板平台PS、掩模平台MS等的驱动部停止(成为无法进行驱动的状态)。因此,能够可靠确保自第1门DR1、第2门DR2或第3门DR3进入至周围区SA1、驱动区DA1或驱动区DA2的作业人员的安全。
另外,对于使门关闭的推杆24旋转后直到开关切断为止的规定角度θ而言,只要是开始旋转后直到能够打开第1门DR1为止的角度,则可为任意的角度。
联锁的概略构成
图9是表示基板处理装置EX所包括的联锁机构的概略的电路构成的模式图。图9所示的开关ST11~开关ST13分别与设置于外壁51的第1门DR11~第1门DR13相对应。开关ST21~开关ST26分别与设置于间隔部52的第2门DR21~第2门DR26相对应。而且,开关ST31~开关ST33分别与设置于间隔部62的第3门DR31~第3门DR33相对应。
此处,开关ST11~开关ST13彼此串联连结,开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33彼此串联连结。而且,开关ST11~开关ST13是与开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33并联连结,且经由AND闸(gate)AG而连接于电离器20。藉由这些电路而构成由一点链线包围的第1电路LP1。
而且,开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33分别将电源VS与各种驱动部加以连接,从而构成由二点链线包围的第2电路LP 2。此处,驱动部包括:配置于驱动区DA1及DA2内的掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR。
此外,开关ST11~开关ST13上分别连接着第2恢复按钮31a~第2恢复按钮31c,开关ST21~开关ST26上分别连接着第1恢复按钮21a~第1恢复按钮21f,开关ST31~开关ST33上分别连接着第3恢复按钮41a~第3恢复按钮41c。
如第1电路LP1所示,只要切断开关ST11~开关ST13、开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33中的任一个开关,则电离器20成为无法照射软X射线的状态。 
然而,即便切断开关ST11~开关ST13中的任一个开关,也可经由与掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR串联连结的开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33而连接于电源VS。因此,无论切断上述开关ST11~开关ST13中的哪一个,只要开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33为连接状态,则掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR可维持着可动作的状态。
而且,如第2电路LP 2所示,只要切断上述开关ST21~开关ST26及开关ST31~开关ST33中的任一个开关,则掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR成为不能进行驱动的状态。
例如,在作业人员从第1门DR12进入曝光室10A内时,若使第1门DR12的推杆24旋转规定角度θ,则与第1门DR12相对应的开关ST12被切断。因此,电离器20成为无法照射软X射线的状态。
而且,例如,在作业人员从第2门DR23进入曝光室10A的驱动区DA1内时,若使第2门DR23的推杆24旋转规定角度θ,则与第2门DR23相对应的开关ST23如图9所示成为切断的状态。藉此,包含开关ST23的第2电路LP2被切断。因而,掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR成为不能动作的状态。此时,即便错误地将开关ST12恢复,也使开关ST23成为被切断的状态,所以电离器20维持不能照射软X射线的状态。
基板处理装置EX的维护方法 
以下,对基板处理装置EX的维护方法的一例进行说明。图10是表示作业人员进入曝光室10A的内部进行维护时的作业顺序的流程图。
步骤S 111中,作业人员为了进入曝光室10A的内部,而旋转设置于曝光室10A的第1门DR1的推杆24。
步骤S112中,作业人员使第1门DR1的推杆24旋转规定角度θ以上,而使电离器20成为无法照射软X射线的状态。
步骤S113中,作业人员从第1门DR1被打开的第1开口部R1进入周围区SA1内,而进行配置于周围区SA1内的设备的维护、或驱动区DA1内的曝光装置FX动作等的观察。
步骤S114中,作业人员为了从周围区SA1进入驱动区DA1,而旋转设置于间隔部52的第2门DR2的推杆24。
步骤S115中,作业人员使第2门DR2的推杆24旋转规定角度θ以上,而使掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR成为无法动作的状态。藉此,成为作业人员能够安全地进入驱动区DA1内的状态。
步骤S116中,作业人员从第2门DR2被打开的第2开口部R 2进入驱动区DA1内,进行配置于驱动区DA1内的装置的维护。关于维护作业,例如,包含对掩模平台MS及基板平台PS等的检查、调整、清扫、零件更换、及消耗品的补充等中的至少一者。
图11是表示已结束维护的作业人员从曝光室10A退出时的作业顺序的流程图。
步骤S211中,已结束维护的作业人员确认驱动区DA1内部无其它作业人员。
步骤S212中,作业人员对设置在已打开的第2门DR2的附近的第1恢复按钮21进行长按压。
步骤S213中,作业人员从第2门DR2被打开的第2开口部R2进入周围区SA1,并从周围区侧关闭第2门DR2。藉由实施这些步骤S212、及步骤S213,而对掩模平台MS、基板平台PS、掩模搭载器MR及基板搭载器PR等的驱动部解除已动作的联锁(亦即,解除不能动作的状态)。
步骤S214中,从驱动区DA1退出的作业人员,确认周围区SA1内无其它作业人员。
步骤S215中,作业人员对设置在已打开的第1门DR1的附近的第2恢复按钮31进行长按压。
步骤S216中,作业人员从第1门DR1被打开的第1开口部R1退出到曝光室10A外,并从曝光室10A的外侧关闭第1门DR1。藉由实施该些步骤S215、及步骤S216,而对电离器20解除已动作的联锁(亦即,解除不能进行X照射的状态)。
步骤S217中,作业人员藉由初始化指令而将联锁已解除的各部(换言之,联锁已动作的各部)初始化。
产业上的可利用性
以上,对最佳实施形态进行了说明,本领域技术人员可知本发明在其技术范围内可对实施例添加各种变更而实施。例如,在上述实施形态中,已说明对于包括进行曝光处理的曝光装置来作为对基板进行规定处理的处理部的基板处理装置适用本发明的态样,但并不限于曝光装置,即便对于包括对基板进行感光剂等的成膜的成膜装置、进行感光剂等的显影的显影装置、进行基板的检查的检查装置等的基板处理装置,也可适用本发明的态样。

Claims (11)

1.一种基板处理装置的维护方法,上述基板处理装置包括:进行用以处理基板的规定动作的驱动部;将配置着上述驱动部的驱动区、与上述驱动区的周围的周围区加以区分的间隔部;覆盖上述驱动区及上述周围区的室本体部;设置在上述驱动区及上述周围区的至少一方而照射软X射线的X射线照射装置;及对上述基板进行规定处理的处理部,上述基板处理装置的维护方法的特征在于包括:
第1步骤,在设置于上述室本体部的堵住第1开口的第1门被打开之前,使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态;
第2步骤,在上述第1门被打开之后、设置于上述间隔部的堵住第2开口的第2门被打开之前,使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态;以及
维护步骤,进行已成为无法进行上述规定动作的状态的上述驱动部及上述处理部的至少一方的维护。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于:
上述第1步骤是当设置于上述第1门的外部侧的第1推杆旋转时,使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态,
上述第2步骤是当设置于上述第2门的上述周围区侧的第2推杆旋转时,使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于:
上述第1步骤是当设置于上述第1门的外部侧的第1推杆自基准位置旋转第1角度以上时,使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态,
上述第2步骤是当设置于上述第2门的上述周围区侧的第2推杆自基准位置旋转第2角度以上时,使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于包括:
第3步骤,在对上述间隔部的上述驱动区侧中的设置于上述第2门附近的第1恢复按钮进行长按压之后,关闭上述第2门,从而解除上述驱动部的无法进行上述规定动作的状态;以及
第4步骤,在对上述室本体部的上述周围区侧中的设置于上述第1门附近的第2恢复按钮进行长按压之后,关闭上述第1门,从而解除上述X射线照射装置的上述无法照射X射线的状态。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于包括:
初始化步骤,无法进行上述规定动作的状态已被解除之后,进行上述驱动部的初始化。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于:
上述维护包括检查、调整、清扫、零件更换、消耗品的补充中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于:
上述驱动部包括下述中的至少一个:
基板平台,保持上述基板并进行移动;
掩模平台,保持形成着转印至上述基板的图案的掩模并进行移动;
基板搬送装置,对上述基板平台进行上述基板的搬送;以及
掩模搬送装置,对上述掩模平台进行上述掩模的搬送。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置的维护方法,其特征在于:
上述处理部包括下述中的至少一个:
投影光学装置,将上述图案的像投影至上述基板;
平台计测装置,对上述基板平台及上述掩模平台的至少一方的位置进行计测;
基板计测装置,对上述基板的位置进行计测。
9.一种基板处理装置的安全装置,上述基板处理装置包括:进行用以处理基板的规定动作的驱动部;将配置着上述驱动部的驱动区、与上述驱动区的周围的周围区加以区分的间隔部;覆盖上述驱动区及上述周围区的室本体部;及设置在上述驱动区及上述周围区的至少一方而照射软X射线的X射线照射装置,上述基板处理装置的安全装置的特征在于包括:
第1连动机构,与用以打开设置于上述室本体部的堵住第1开口的第1门的动作连动,而使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态;以及
第2连动机构,与用以打开设置于上述间隔部的堵住第2开口的第2门的动作连动,而使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态。
10.权利要求9所述的基板处理装置的安全装置,其特征在于:
上述第1连动机构与使设置于上述第1门的外部侧的第1推杆旋转的动作连动,而使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态,
上述第2连动机构与使设置于上述第2门的上述周围区侧的第2推杆旋转的动作连动,而使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态。
11.权利要求10所述的基板处理装置的安全装置,其特征在于:
上述第1连动机构与使设置于上述第1门的外部侧的第1推杆自基准位置旋转第1角度以上的动作连动,而使上述X射线照射装置成为无法照射X射线的状态,
上述第2连动机构与使设置于上述第2门的上述周围区侧的第2推杆自基准位置旋转第2角度以上的动作连动,而使上述驱动部成为无法进行上述规定动作的状态。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016199738A1 (ja) * 2015-06-08 2016-12-15 株式会社ニコン 荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法
JP6812264B2 (ja) * 2017-02-16 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及びメンテナンス装置
JP6796200B2 (ja) * 2017-05-31 2020-12-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
KR102168381B1 (ko) 2018-06-07 2020-10-21 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456364B1 (en) * 1998-11-24 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing apparatus, and device manufacturing method
CN101385124A (zh) * 2006-05-23 2009-03-11 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335237A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置
JP2001160534A (ja) * 1999-09-22 2001-06-12 Nikon Corp 安全システム及び露光装置
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
JP2002353097A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Nikon Corp 除電装置及び露光装置
JP2002353096A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Nikon Corp 基板搬送方法、露光装置及び露光方法
JP2003154698A (ja) 2001-11-20 2003-05-27 Noritsu Koki Co Ltd レーザ露光装置用安全装置
JP4462912B2 (ja) * 2003-12-10 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置の管理方法
US7692764B2 (en) * 2004-08-30 2010-04-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method
JP5217239B2 (ja) * 2006-05-18 2013-06-19 株式会社ニコン 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456364B1 (en) * 1998-11-24 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing apparatus, and device manufacturing method
CN101385124A (zh) * 2006-05-23 2009-03-11 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法

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