JPH0341713A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0341713A JPH0341713A JP1176815A JP17681589A JPH0341713A JP H0341713 A JPH0341713 A JP H0341713A JP 1176815 A JP1176815 A JP 1176815A JP 17681589 A JP17681589 A JP 17681589A JP H0341713 A JPH0341713 A JP H0341713A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば、ウェハ上の
レジスト膜にパターンを転写するための露光装置に関し
、 転写されるパターンの描かれたレチクル又はマスクの転
写領域のみに光を透過させ、他の部分を遮光するための
遮光板の位置を直接検出して遮光板を正確に移動させる
ことにより、バターニング不良を低減するができる露光
装置を提供することを目的とし、 光の照射領域を画定するために設けられた遮光板と、転
写されるパターンが描かれ、前記画定された光の照射領
域を透過した光を受けるレチクルを有し、前記パターン
を基板上に形成されたレジスト膜に転写する半導体製造
装置において、前記遮光板に取り付けられた光反射板と
、前記光反射板に光を入射させる手段と、前記光反射板
により反射した光を検出して前記遮光板の位置を検出す
る手段とを含み構成する。
レジスト膜にパターンを転写するための露光装置に関し
、 転写されるパターンの描かれたレチクル又はマスクの転
写領域のみに光を透過させ、他の部分を遮光するための
遮光板の位置を直接検出して遮光板を正確に移動させる
ことにより、バターニング不良を低減するができる露光
装置を提供することを目的とし、 光の照射領域を画定するために設けられた遮光板と、転
写されるパターンが描かれ、前記画定された光の照射領
域を透過した光を受けるレチクルを有し、前記パターン
を基板上に形成されたレジスト膜に転写する半導体製造
装置において、前記遮光板に取り付けられた光反射板と
、前記光反射板に光を入射させる手段と、前記光反射板
により反射した光を検出して前記遮光板の位置を検出す
る手段とを含み構成する。
本発明は、半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば、
ウェハ上のレジスト膜にパターンを転写するための露光
装置に関する。
ウェハ上のレジスト膜にパターンを転写するための露光
装置に関する。
第２図は、縮小投影露光袋穴の構成図である。
同図において、４は遮光板としてのマスキングブレード
で、第３図に示すように、４枚のマスキングブレード４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄによりレチクル１２の転写領域の
みに光を透過させるための光透過領域１５を画定するた
めに設けられている。
で、第３図に示すように、４枚のマスキングブレード４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄによりレチクル１２の転写領域の
みに光を透過させるための光透過領域１５を画定するた
めに設けられている。
また、１２はレチクルで、第４図に示すように、光透過
領域１５を画定するためマスキングブレーＩ″４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄの端部が投影されるレチクルカバー領域
と、転写されるパターン１７とが描かれている。更に、
１３は縮小投影レンズ、１４はレチクル１２のパターン
１７が転写される不図示のレジスト膜の形成されている
ウェハである。
領域１５を画定するためマスキングブレーＩ″４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄの端部が投影されるレチクルカバー領域
と、転写されるパターン１７とが描かれている。更に、
１３は縮小投影レンズ、１４はレチクル１２のパターン
１７が転写される不図示のレジスト膜の形成されている
ウェハである。
また、第５図は、−のマスキングブレード部分を示す構
成図である。
成図である。
同図において、１はパルスモータ、３はパルスモータ１
の動力をマスキングブレード４に伝えるための送りネジ
、４は転写されるパターン１７の描かれたレチクル１２
の転写領域のみに光を透過させるようにするマスキング
ブレードである。
の動力をマスキングブレード４に伝えるための送りネジ
、４は転写されるパターン１７の描かれたレチクル１２
の転写領域のみに光を透過させるようにするマスキング
ブレードである。
次に、この露光装置を用いてウェハ上のレジスト膜にパ
ターンを転写する場合について説明する。
ターンを転写する場合について説明する。
まず、第２図に示すように、レジスト膜が形成されたウ
ェハ１４と転写されるパターン１７が掩かれたレチクル
１２をセットする。
ェハ１４と転写されるパターン１７が掩かれたレチクル
１２をセットする。
次に、第５図に示すように、パルスモータ１を駆動し、
動力を送りネジ３に伝えてマスキングブレード４を手多
動させる。このとき、マスキングツ。
動力を送りネジ３に伝えてマスキングブレード４を手多
動させる。このとき、マスキングツ。
レード４の位置はパルスモータ１の回転数を検出するこ
とによってモニターされている。
とによってモニターされている。
そして、４枚のマスキングブレード４ａ４．ｂ４ｃ、４
ｄの端部がレチクルカバー領域１６に投影されるように
移動して光透過領域１５を設定する。
ｄの端部がレチクルカバー領域１６に投影されるように
移動して光透過領域１５を設定する。
その後、光を照射するとウェハ１４上のレジスト膜にパ
ターン１７が転写される。
ターン１７が転写される。
ところで、マスキングブレード４ａ、４ｂ。
４ｃ、４ｄの位置はパルスモータ１の回転数を媒介とし
て間接的にモニターされている。
て間接的にモニターされている。
このため、送りネジ３とマスキングブレード４とがうま
く噛み合わなかった場合、モニターされたマスキングブ
レード４の位置と実際の位置とが異なるため、光透過領
域１５が正常に画定されず、パターン１７の領域にマス
キングブレード４の端部が投影されたり、レチクルカバ
ー領域１６の外にマスキングブレード４の端部が投影さ
れたりする。これにより、正常なバターニングが行われ
ず歩留りが低下するという問題がある。
く噛み合わなかった場合、モニターされたマスキングブ
レード４の位置と実際の位置とが異なるため、光透過領
域１５が正常に画定されず、パターン１７の領域にマス
キングブレード４の端部が投影されたり、レチクルカバ
ー領域１６の外にマスキングブレード４の端部が投影さ
れたりする。これにより、正常なバターニングが行われ
ず歩留りが低下するという問題がある。
そこで本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みてなされ
たものであり、転写されるパターンの描かれたレチクル
又はマスクの転写領域のみに光を透過させ、他の部分を
遮光するための遮光板の位置を直接検出して遮光板を正
確に移動させることによりバターニング不良を低減する
ことができる露光装置を提供することを目的とするもの
である。
たものであり、転写されるパターンの描かれたレチクル
又はマスクの転写領域のみに光を透過させ、他の部分を
遮光するための遮光板の位置を直接検出して遮光板を正
確に移動させることによりバターニング不良を低減する
ことができる露光装置を提供することを目的とするもの
である。
上記課題は、光の照射領域を画定するために設けられた
遮光板と、転写されるパターンが描かれ、前記画定され
た光の照射領域を透過した光を受けるレチクルを有し、
前記パターンを基板上に形成されたレジスト膜に転写す
る半導体製造装置において、前記遮光板に取り付けられ
た光反射板と、前記光反射板に光を入射させる手段と、
前記光反射板により反射した光を検出する手段とを有す
る半導体製造装置によって達成される。
遮光板と、転写されるパターンが描かれ、前記画定され
た光の照射領域を透過した光を受けるレチクルを有し、
前記パターンを基板上に形成されたレジスト膜に転写す
る半導体製造装置において、前記遮光板に取り付けられ
た光反射板と、前記光反射板に光を入射させる手段と、
前記光反射板により反射した光を検出する手段とを有す
る半導体製造装置によって達成される。
本発明の半導体製造装置においては、遮光板に取り付け
られた光反射板と、この光反射板に光を入射させる手段
と、この光反射板により反射した光を検出して遮光板の
位置を検出する手段と、遮光板を所定の位置に移動する
手段とを有している。
られた光反射板と、この光反射板に光を入射させる手段
と、この光反射板により反射した光を検出して遮光板の
位置を検出する手段と、遮光板を所定の位置に移動する
手段とを有している。
このため、光反射板に光を入射させ、光反射板により反
射した光を検出することにより、光反射板と一体となっ
ている遮光板の位置を直接に、かつ正確にモニターでき
る。そして、移動手段により露光のための光が転写領域
のみにあたるように正確に遮光板を移動することができ
る。
射した光を検出することにより、光反射板と一体となっ
ている遮光板の位置を直接に、かつ正確にモニターでき
る。そして、移動手段により露光のための光が転写領域
のみにあたるように正確に遮光板を移動することができ
る。
これにより、転写領域が正常に画定できるので、従来の
ようにパターン領域に遮光板が投影されたり、隣のパタ
ーン領域に遮光板が投影されたりすることがなくなり、
パターニング不良を低減できる。
ようにパターン領域に遮光板が投影されたり、隣のパタ
ーン領域に遮光板が投影されたりすることがなくなり、
パターニング不良を低減できる。
（実施例〕
以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
る。
第２図は、本発明の実施例のマスキングブレード部を４
か所備えた縮小投影露光装置の構成図である。
か所備えた縮小投影露光装置の構成図である。
同図において、７は遮光板としてのマスキングブレード
で、第３図に示すように、４枚のマスキングブレード７
ａ ７ｂ、７ｃ、７ｄによりレチクル１２の転写領域
のみに光を透過させるための光透過領域１５を確定する
ために設けられている。
で、第３図に示すように、４枚のマスキングブレード７
ａ ７ｂ、７ｃ、７ｄによりレチクル１２の転写領域
のみに光を透過させるための光透過領域１５を確定する
ために設けられている。
また、１２はレチクルで、第４図に示すように、光透過
領域１５を画定するためマスキングブレード７ａ、７ｂ
、７ｃ、７ｄの端部が投影されるレチクルカバー領域と
、転写されるパターン１７とが描かれている。更に、第
２図に示すように、１３は縮小投影レンズ、１４はレチ
クル１２のパターン１７が転写される不図示のレジスト
膜の形成されているウェハである。
領域１５を画定するためマスキングブレード７ａ、７ｂ
、７ｃ、７ｄの端部が投影されるレチクルカバー領域と
、転写されるパターン１７とが描かれている。更に、第
２図に示すように、１３は縮小投影レンズ、１４はレチ
クル１２のパターン１７が転写される不図示のレジスト
膜の形成されているウェハである。
また、第１図は、本発明の実施例のマスキングブレード
部を詳細に説明する構成図である。
部を詳細に説明する構成図である。
同図において、５はパルスモータ、６はパルスモータ５
の動力をマスキングブレード７に伝えるための送りネジ
、７は転写されるパターン１７の描かれたレチクル１２
の転写領域のみに光を透過させるようにするマスキング
ブレード、８はＨｅ−Ｃｄ レーザ発生装置、９はハー
フごラー、１０はマスキングブレード７に取り付けられ
たミラー１１はホトマルディテクタなどの光検出器であ
る。
の動力をマスキングブレード７に伝えるための送りネジ
、７は転写されるパターン１７の描かれたレチクル１２
の転写領域のみに光を透過させるようにするマスキング
ブレード、８はＨｅ−Ｃｄ レーザ発生装置、９はハー
フごラー、１０はマスキングブレード７に取り付けられ
たミラー１１はホトマルディテクタなどの光検出器であ
る。
次に、この縮小投影露光装置を用いてウェハ１４上のレ
ジスト膜にパターンを転写する場合について説明する。
ジスト膜にパターンを転写する場合について説明する。
まず、第２図に示すように、転写されるパターン１７が
描かれたレチクル１２とウェハ１４とをセットする。
描かれたレチクル１２とウェハ１４とをセットする。
次に、第１図に示すように、パルスモータ５を駆動し、
動力を送りネジ６に伝えてマスキングブレード７を移動
させる。このとき、同時にＨｅ −Ｃｄレーザ発生装置
８から光を発生させ、ハーフミラ−９を介してマスキン
グブレード７に取り付けられたミラー１０に入射させる
。光はミラーｌＯにより反射され、ハーフミラ−９を透
過して光検出器１１に到達する。
動力を送りネジ６に伝えてマスキングブレード７を移動
させる。このとき、同時にＨｅ −Ｃｄレーザ発生装置
８から光を発生させ、ハーフミラ−９を介してマスキン
グブレード７に取り付けられたミラー１０に入射させる
。光はミラーｌＯにより反射され、ハーフミラ−９を透
過して光検出器１１に到達する。
このようにして、マスキングブレード７の位置が直接モ
ニターされている。このため、４枚のマスキングブレー
ド７ａ ７ｂ、７ｃ、７ｄの端部が正確にレチクルカ
バー領域１６に投影されるように光透過領域１５を設定
することができる。
ニターされている。このため、４枚のマスキングブレー
ド７ａ ７ｂ、７ｃ、７ｄの端部が正確にレチクルカ
バー領域１６に投影されるように光透過領域１５を設定
することができる。
従って、その後、露光のための光を照射するとウェハ１
４上のレジスト膜には正常にパターン１７が転写される
。
４上のレジスト膜には正常にパターン１７が転写される
。
このように、本発明の実施例によれば、マスキングブレ
ード７ａ、７ｂ、７ｃ、１ｄの位置ずれによるバターニ
ング不良の発生を完全に防止できるので、歩留りを大幅
に向上することができる。
ード７ａ、７ｂ、７ｃ、１ｄの位置ずれによるバターニ
ング不良の発生を完全に防止できるので、歩留りを大幅
に向上することができる。
以上のように、本発明の半導体製造装置によれば、遮光
板に取り付けられた光反射板に光を入射させ、光反射板
により反射した光を検出することにより、遮光板の位置
を直接に、かつ正確にモニタできる。
板に取り付けられた光反射板に光を入射させ、光反射板
により反射した光を検出することにより、遮光板の位置
を直接に、かつ正確にモニタできる。
このため、遮光板を移動させる際遮光板の位置ずれを防
止し、レチクルやマスクの所定の転写領域のみに正確に
光を透過させることが出来るので、パターニング不良９
完生を防止できる。これにより、半導体装置の歩留りの
向上を図ることができる。
止し、レチクルやマスクの所定の転写領域のみに正確に
光を透過させることが出来るので、パターニング不良９
完生を防止できる。これにより、半導体装置の歩留りの
向上を図ることができる。
第１図は、本発明の実施例の露光装置のマスキングブレ
ード部の構成図、 第２図は、縮小投影露光装置の構成図、第３図は、露光
装置のマスキングブレード部の平面図、 第４図は、レチクルの平面図、 第５図は、従来例の露光装置のマスキングブレード部の
構成図である。 （符号の説明） １、 ５・・・パルスモータ、 ３．６・・・送りネジ、 ４．７．７ａ、７ｂ、７ｃ、１ｄ−・・マスキングブレ
ード、 ８・・・Ｈｅ−Ｃｄ レーザ発生装置、９・・・ハーフ
ミラ− １０・・・ミラー １１・・・検出器、 １２・・・レチクル、 １３・・・縮小投影レンズ、 １４・・・ウェハ、 １５・・・光透過領域、 １６・・・レチクルカバー １７・・・パターン。 出１！ｊ人 冨士通株式会社
ード部の構成図、 第２図は、縮小投影露光装置の構成図、第３図は、露光
装置のマスキングブレード部の平面図、 第４図は、レチクルの平面図、 第５図は、従来例の露光装置のマスキングブレード部の
構成図である。 （符号の説明） １、 ５・・・パルスモータ、 ３．６・・・送りネジ、 ４．７．７ａ、７ｂ、７ｃ、１ｄ−・・マスキングブレ
ード、 ８・・・Ｈｅ−Ｃｄ レーザ発生装置、９・・・ハーフ
ミラ− １０・・・ミラー １１・・・検出器、 １２・・・レチクル、 １３・・・縮小投影レンズ、 １４・・・ウェハ、 １５・・・光透過領域、 １６・・・レチクルカバー １７・・・パターン。 出１！ｊ人 冨士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光の照射領域を画定するために設けられた遮光板と、転
写されるパターンが描かれ、前記画定された光の照射領
域を透過した光を受けるレチクル又はマスクを有し、前
記パターンを基板上に形成されたレジスト膜に転写する
半導体製造装置において、 前記遮光板に取り付けられた光反射板と、 前記光反射板に光を入射させる手段と、 前記光反射板により反射した光を検出して前記遮光板の
位置を検出する手段と、 前記遮光板を所定の位置に移動させる手段とを有する半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176815A JPH0341713A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176815A JPH0341713A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341713A true JPH0341713A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16020330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176815A Pending JPH0341713A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7150069B2 (en) | 2003-06-13 | 2006-12-19 | Twinbird Corporation | Electric vacuum cleaner |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176815A patent/JPH0341713A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7150069B2 (en) | 2003-06-13 | 2006-12-19 | Twinbird Corporation | Electric vacuum cleaner |
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