CN102654696A - 显示装置以及电子器械 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的是提供一种不使用按照惯例所需要的氧化物透光导电膜的显示装置。此外，本发明的目的是提供一种包括使用新的电极材料的显示装置的电子器械。本发明的要点在于：使用含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物的透光导电膜形成像素或像素部的电极。通过复合空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，来获得1×106Ω·cm以下的电阻率，可以用作像素的电极。通过本发明，不需要使用特定稀有物质而形成透光电级，从而能够降低以平板显示器为代表的电子器械的制造成本。
Description
本申请是以下申请的分案申请：申请日：2007年7月4日；申请号：200710127140.5；发明名称：“显示装置以及电子器械”。
技术领域
本发明涉及显示装置的像素部的结构。
背景技术
近年来，对于比传统的显像管薄且轻的显示装置，即所谓的平板显示器（flat panel display）的开发不断发展。作为平板显示器的典型例子，液晶显示装置已经是众所周知的。此外，作为一种新平板显示器，已经进行了利用场致发光元件（EL元件）的显示装置的开发。
液晶显示装置在两个透基板明基板之间密封液晶，通过施加电压控制液晶分子的取向而使透光率改变，从而光学性地显示预定的图像等。因为液晶本身不是发光体，所以液晶显示装置在液晶显示面板背面部具有用作光源的背光灯单元。
另外，EL元件具有在一对电极之间夹住场致发光材料的结构。EL元件通过对一对电极之间施加电压而发光。使用该EL元件形成像素，可以构成显示装置。
总之，为了构成平板显示器的像素，需要电级。像素电极由透光导电膜形成，这是因为像素电极需要透过光线的缘故。作为透光导电膜的典型例子，氧化铟-氧化锡（ITO：Indium Tin Oxide）是众所周知的。
作为透光导电膜的主原料使用的铟是在锌精炼过程中产生的微量副产物，从世界范围来看，其生产量极少。因此，平板显示器的生产量越大，铟的稀有性和价格越高。铟的价格高涨不仅造成生产成本增加，如果不能满足市场的需求，也对平板显示器的生产量构成限制。也就是说，铟的供应不足成为阻碍产业进步的因素。由此，作为替代品，已知例如使用铪的透光导电膜（参照专利文件1）。然而，稀有金属铪的储量也很少，其供应的不稳定性是不能否认的。
专利文件1 日本特开2003-59343号公报。
发明内容
为了消除上述社会不稳定因素，本发明的目的是提供一种不使用按照惯例所需要的氧化物透光导电膜的显示装置。此外，本发明的目的是提供一种包括使用新的电极材料的显示装置的电子器械。
本发明的要点在于：使用含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物的透光导电膜形成像素或像素部的电极。通过复合空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，使电阻率达到1×106Ω·cm以下，从而可以发挥像素电极的作用。
通过本发明，不需要使用特定稀有物质来形成透明电级，从而能够降低以平板显示器为代表的电子器械的制造成本。此外，含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物的透光导电膜在化学上稳定性好，因此可以提高电子器械的质量。
附图说明
图1是说明本发明的显示装置的图；
图2是说明本发明的显示装置的图；
图3是说明本发明的显示装置的图；
图4A和4B是说明本发明的显示装置的图；
图5A和5B是说明本发明的显示装置的图；
图6A和6B是说明本发明的显示装置所具有的发光元件的图；
图7A和7B是说明本发明的显示装置所具有的发光元件的图；
图8A和8B是说明本发明的显示装置所具有的发光元件的图；
图9A和9B是说明本发明的显示装置所具有的发光元件的图；
图10是说明本发明的显示装置所具有的发光元件的图；
图11是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图12是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图13是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图14是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图15是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图16是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图17是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图18是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图19是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图20是说明实施方式7所涉及的液晶显示装置的图；
图21是说明实施方式8所涉及的液晶显示装置的图；
图22是说明实施方式8所涉及的液晶显示装置的图；
图23是说明实施方式8所涉及的液晶显示装置的图；
图24是说明实施方式8所涉及的液晶显示装置的图；
图25是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图26是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图27是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图28是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图29是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图30是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图31是说明实施方式9所涉及的液晶显示装置的图；
图32是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图33是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图34是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图35是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图36是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图37是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图38是说明实施方式10所涉及的液晶显示装置的图；
图39是说明实施方式11所涉及的液晶显示装置的图；
图40是说明实施方式11所涉及的液晶显示装置的图；
图41是说明实施方式12所涉及的电视装置的结构的图；
图42是说明实施方式12所涉及的电视装置的结构的图；
图43是说明实施方式13所涉及的手机的结构的图；
图44是说明实施方式13所涉及的手机的结构的图。
具体实施方式
下面，关于本发明的实施方式将参照附图给予详细说明。但是，本发明不局限于以下说明的内容，本领域普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为限定在以下所述的实施方式所记载的内容中。
实施方式1
在本实施方式中，将说明本发明的显示装置中所用的复合材料。注意，在本说明书中，复合不是指仅混合两种材料，而是指混合多种材料而成为能够在材料之间授受电荷的状态。
用于本发明的复合材料为通过复合有机化合物和无机化合物而成的复合材料。作为用于复合材料的有机化合物，可以使用各种化合物，如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃和高分子化合物（低聚物、树枝状聚合物或聚合物等）等。注意，用于复合材料的有机化合物优选为具有高空穴传输性的有机化合物。具体地，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。然而，还可以使用除这些之外的其它物质，只要其空穴传输性高于其电子传输性。下面具体列举可以用于复合材料的有机化合物。
例如，作为芳香胺化合物，可以列举4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯（缩写：NPB）；4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯（缩写：TPD）；4,4’,4’’-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺（缩写：TDATA）；以及4,4’,4’’-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺（缩写：MTDATA）等。
此外，可以通过使用下面所示的有机化合物，获得在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。另外，与此同时可以使电阻率为1×106Ω·cm以下，典型为5×104Ω·cm至1×106Ω·cm。
作为在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料中所包含的芳香胺，可以列举N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺（缩写：DTDPPA）；4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯（缩写：DPAB）；4,4’-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯（缩写：DNTPD）；以及1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯（缩写：DPA3B）等。
作为可以用于在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料的咔唑衍生物，具体地可以列举3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA1）；3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA2）；以及3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCN1）等。
此外，还可以使用4,4’-二(N-咔唑基)联苯（缩写：CBP）；1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯（缩写：TCPB）；9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽（缩写：CzPA）；以及2,3,5,6-四苯基-1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]苯等。
另外，作为可以用于在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料的芳烃，例如可以列举9,10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDNA）；9,10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽（缩写：DPPA）；9,10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDBA）；9,10-二(萘-2-基)蒽（缩写：DNA）；9,10-二苯基蒽（缩写：DPAnth）；2-叔丁基蒽（缩写：t-BuAnth）；9,10-二(4-甲基萘-1-基)蒽（缩写：DMNA）；2-叔丁基-9,10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9,10-双[2-(萘-l-基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-1-基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽；9,9’-联二蒽(bianthryl)；10,10’-二苯基-9,9’-联二蒽；10,10’-二(2-苯基苯基)-9,9’-联二蒽；10,10’-双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-联二蒽；蒽；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；以及2,5,8,11-四(叔丁基) 二萘嵌苯等。此外，还可以使用并五苯或晕苯等。像这样，更优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率且碳原子数为14到42的芳烃。
可以用于在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料的芳烃还可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如可以列举4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯（缩写：DPVBi）；以及9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽（缩写：DPVPA）等。
此外，还可以使用高分子化合物，诸如聚{4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基] 氨基苯乙烯}（缩写：PStDPA）、聚{4-[N-(9-咔唑-3-基)-N-苯基氨基] 苯乙烯}（缩写：PStPCA）、聚(N-乙烯基咔唑)（缩写：PVK）和聚(4-乙烯基三苯胺)（缩写：PVTPA）等。
此外，作为用于复合材料的无机化合物，优选使用过渡金属氧化物。而且，优选为属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体地，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，因为它们具有高电子接受性。其中特别优选使用氧化钼，因为它在大气中也稳定，且其吸湿性低，容易操作。
制造含有复合材料的层的方法无论是湿法或干法，可以使用任何方法。例如，可以通过共蒸镀上述的有机化合物和无机化合物来制造含有复合材料的层。注意，在使用气相沉积法形成含有复合材料的层的情况下，从制造工艺方面来看，优选使用氧化钼，因为氧化钼在真空中容易蒸发。此外，还可以通过涂敷含有上述有机化合物和金属醇盐的溶液并进行锻烧，从而获得含有复合材料的层。作为涂敷的方法，可以采用喷墨法和旋涂法等。
本实施方式所示的复合材料具有高导电性，因此可以用作像素电极。
此外，因为形成布线等的金属材料可能与本实施方式所示的复合材料形成欧姆接触，因此可以不考虑功函数而选择形成布线等的材料。
通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，可以获得在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。因此，在用于自发光型发光装置的情况下，可以使来自发光区域的发光不被吸收而高效地透过，从而提高外部取光效率。此外，也可以使来自背光灯的光不被吸收而高效地透过，提高外部取光效率。
此外，含有复合材料的层耐弯曲性能好。也就是说，在使用柔性基板来制作显示装置的情况下，可以适当地应用。
此外，含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层由与含有有机化合物而与EL层之间具有优异的密合性，因此，可以获得可靠性高的发光装置。
另外，含有复合材料的层能够有效地将空穴注入到EL层中。因此，当用作发光装置的像素电极时，可以获得发光效率高的发光装置。此外，由于含有复合材料的层能够有效地将空穴注入到EL层中，所以优选用作阳极。或者，当其用作阴极时，优选设置含有电子传输性材料和对该电子传输性材料显示电子供给性的物质的层作为与含有复合材料的层接触的层。
另外，由于含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层具有高导电性，所以即使在增加包含复合材料的层的厚度时，也可以抑制驱动电压的上升。因此，能够在抑制驱动电压上升的同时优化含有复合材料的层的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，在不使驱动电压上升的情况下，可以通过光学设计提高色纯度。
注意，本实施方式可以适当地与其他实施方式组合实施。
实施方式2
在本实施方式中，对使用实施方式1所示的复合材料作为发光装置所具有的发光元件中的电极的情况进行说明。
将参照图1和图2说明应用本发明的发光装置的一个模式。图2是表示发光装置的俯视图，图1是沿图2的线A-A’切割的截面图。
在图1中，被虚线包围的部分为用来驱动发光元件115的晶体管114。发光元件115在第一电极111和第二电极113之间具有EL层112。晶体管114的源电极或漏电极中的一个和第一电极111通过布线108、109相互电连接，所述布线108、109穿过第一层间绝缘膜106（106a、106b）。另外，通过隔壁层110将发光元件115与另一相邻设置的发光元件分隔开。在本实施方式中，具有上述结构的本发明的发光装置位于形成有基底膜102的基板101上。注意，在没有来自基板的杂质扩散的情况下，并不需要设置基底膜。
图1中所示的晶体管114为顶栅型晶体管，其中以半导体层为中心在与基板相反一侧设置有栅电极。然而，对于晶体管114的结构并没有特别的限制。例如，可以采用底栅型晶体管。当采用底栅型晶体管时，可以使用在形成沟道的半导体层上形成有保护膜的晶体管（沟道保护型晶体管），或者其中形成沟道的半导体层的一部分凹陷的晶体管（沟道蚀刻型晶体管）。注意，晶体管114包括栅电极105、栅绝缘膜104以及半导体层103。
另外，形成晶体管114的半导体层可以是结晶或非晶的，也可以是半非晶等的。
以下将描述半非晶半导体。半非晶半导体是具有在非晶和结晶（包括单晶和多晶）结构之间的中间结构的半导体，且具有在自由能方面稳定的第三态，其包括有近程有序和晶格应变的结晶区。而且，至少半非晶半导体膜的一部分区域包含0.5至20nm的晶粒。半非晶半导体的拉曼光谱向比520cm-1更低的波数侧位移。在X射线衍射中，观察到由于Si晶格所引起的（111）和（220）的衍射峰。在半非晶半导体中包括1原子%或更多的氢或卤素，以终止悬空键（dangling bond）。半非晶半导体也称作微晶半导体。通过辉光放电分解（等离子体CVD）含有硅化物的气体来形成半非晶半导体。作为含有硅化物的气体，除了SiH4之外，还可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiF4等。可以用H2或H2和选自He、Ar、Kr和Ne中的一种或多种稀有气体元素来稀释该含有硅化物的气体，其中稀释倍数在2~1000倍的范围。在辉光放电期间压强大约在0.1Pa至133Pa的范围，电源频率在1MHz至120MHz，优选为13MHz至60MHz的范围。基板加热温度可以是300℃以下，优选100℃至250℃。作为膜中的杂质元素，理想的是将诸如氧、氮或碳等大气杂质组分控制为1×1020 atoms/cm3以下的浓度，特别地，将氧浓度控制为5×1019 atoms /cm3以下，优选1×1019 atoms /cm3以下。另外，使用半非晶半导体的TFT（薄膜晶体管）有大约1至10m2/Vsec的迁移率。
另外，作为结晶半导体层的具体例子，可以举出由单晶或多晶硅或硅锗等构成的半导体层，其可以通过激光结晶化形成，或可以通过使用例如镍等元素的固相生长法的结晶化形成。
在使用非晶材料，例如非晶硅形成半导体层的情况下，优选的是发光装置具有晶体管114和其它晶体管（形成用于驱动发光元件的电路的晶体管）都由N沟道型晶体管构成的电路。除了该情况之外，发光装置可以具有由N沟道型晶体管和P沟道型晶体管中之一构成的电路，或者可以具有由N沟道型晶体管和P沟道型晶体管两者构成的电路。
进一步地，第一层间绝缘膜106可以为图1所示的多层结构，或者为单层结构。例如，如图1所示，可以采用层叠第一层间绝缘膜106a和第一层间绝缘膜106b的结构，其中第一层间绝缘膜106a由氧化硅或氮化硅构成，而第一层间绝缘膜106b由丙烯酸或硅氧烷树脂构成。硅氧烷树脂相当于包含Si-O-Si键的树脂。硅氧烷的骨架结构包含硅（Si）和氧（O）的键。作为取代基，使用至少包含氢的有机基团（例如烷基或芳香烃）。可以使用氟基团作为取代基。或者，可以使用至少包含氢的有机基团和氟基团作为取代基。另外，第一层间绝缘膜106例如可以由选自氮含量比氧含量更多的氮氧化硅膜（SiNO）、氧含量比氮含量更多的氧氮化硅膜（SiON）、氮化铝（AlN）、氧氮化铝（AlON）、氮含量比氧含量更多的氮氧化铝（AlNO）、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、含氮的碳膜(CN)、含有氩（Ar）的氮化硅膜、其他含有无机绝缘材料的物质中的材料而形成。此外，也可以使用有机绝缘材料，作为有机材料例如可以使用聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、苯并环丁烯或聚硅氮烷。可以使用通过平整度好的涂敷法形成的涂敷膜。对于构成各个层的材料没有特别的限制，可以采用本文所提及材料之外的材料。进一步地，可以组合由上述材料以外的材料构成的层。像这样，第一层间绝缘膜106可以使用无机膜和有机膜两者而形成，也可以使用无机膜和有机膜中的一种而形成。
对于隔壁层110，边缘部优选具有曲率半径连续变化的形状。隔壁层110使用丙烯酸、硅氧烷、抗蚀剂、氧化硅等形成。此外，隔壁层110可以使用无机膜和有机膜中之一或两者形成。
在图1中，晶体管114和发光元件115之间仅仅设置第一层间绝缘膜106。然而，除了第一层间绝缘膜106之外，还可以设置第二层间绝缘膜。像第一层间绝缘膜106那样，第二层间绝缘膜也可以为多层或单层。第二层间绝缘膜可以使用与第一层间绝缘膜同样的材料形成。另外，第二层间绝缘膜可以使用无机膜和有机膜两者而形成，也可以使用无机膜和有机膜中的一种而形成。
在发光元件115中，当第一电极111和第二电极113均为具有透光性的电极时，可以从第一电极111一侧和第二电极113一侧双方提取发光。当仅仅第二电极113为具有透光性的电极时，可以仅仅从第二电极113一侧提取发光。在此情况下，第一电极111优选由具有高反射率的材料构成，或者在第一电极111下方设置由具有高反射率的材料构成的膜（反射膜）。另外，当仅仅第一电极111为具有透光性的电极时，可以仅仅从第一电极111一侧提取发光。在此情况下，第二电极113优选由具有高反射率的材料构成，或者在第二电极113上方设置反射膜。
另外，发光元件115可以是使EL层112层叠来实现在施加电压而第二电极113的电位高于第一电极111的电位时开始工作的，或者，可以是使EL层112层叠来实现在施加电压而第二电极113的电位低于第一电极111的电位时开始工作的。在前一种情况下，所述晶体管114为N沟道型晶体管，在后一种情况下，所述晶体管114为P沟道型晶体管。
如上所述，在本实施方式中描述了借助于晶体管而控制发光元件的驱动的有源型发光装置，但是，也可以采用不特意设置晶体管等用于驱动的元件来驱动发光元件的无源型发光装置。
实施方式3
在本实施方式中，对将实施方式1所示的复合材料用作发光装置所具有的发光元件的电极的情况进行说明。
在本实施方式中，将参照图3至5说明与实施方式2不同的发光装置的一个模式。图3至5是表示显示装置的主要部分的概略结构图。
图3是表示显示装置的主要部分的概略结构图。在基板410上设置有第一电极416和在与该电极交叉的方向上延伸的第二电极418。至少在第一电极416和第二电极418的交叉部设置有与实施方式2所说明的相同的发光层，以形成发光元件。在图3所示的显示装置中配置有多个第一电极416和第二电极418，使将成为像素的发光元件取向成矩阵状，以形成显示部414。在该显示部414中，通过外部电路控制第一电极416和第二电极418的电位从而控制各个发光元件的发光及不发光，可以显示动像及静像。
这种发光装置通过将显示图像的信号分别施加到在基板410的一个方向上延伸设置的第一电极416和与它交叉的第二电极418，而选择发光元件的发光及不发光。换句话说，该显示装置为单纯矩阵型的显示装置，其中只使用由外部电路供给的信号而进行像素的驱动。由于这种显示装置的结构简单，所以即使进行大面积化，也可以容易制造。
此外，根据需要可以设置对置基板412，并且可以通过与显示部414的位置对应地设置对置基板412，使它作为保护构件。可以不是片状的硬材，而可以使用树脂薄膜或者涂敷树脂材料代替。第一电极416及第二电极418引出到基板410的端部，形成与外部电路连接的端子。即，第一电极416及第二电极418在基板410的端部与柔性线路板420、422形成接点。外部电路除了包括控制图像信号的控制电路以外，还包括电源电路和调谐电路等。
图4是表示显示部414的结构的部分放大图。图4的结构是使用含有实施方式1所示的复合材料的层作为第一电极的结构。在图4A中，绝缘层424覆盖第一电极416的端部。而且，在绝缘层424上设置有隔壁层428。隔壁层428的侧壁具有越接近于基板表面，一方侧壁和另一方侧壁的间隔越小的坡度。换句话说，隔壁层428的短边方向的截面为梯形，其底边（朝向与绝缘层424的面方向相同的方向且与绝缘层424接触的一边）短于上边（朝向与绝缘层424的面方向相同的方向且不与绝缘层424接触的一边）。像这样，可以通过设置隔壁层428，使用隔壁层428以自对准方式形成EL层426及第二电极418。
辅助电极430是当由含有实施方式1所示的复合材料的层形成第一电极416时，为了减少电阻损失而优选设置的。在此情况下，辅助电极430优选由导电率高的物质形成，可由钛、钨、铬和钽等高熔点金属；或者组合高熔点金属以及铝或银等低电阻金属而形成。
图5示出了使用含有实施方式1所示的复合材料的层作为第二电极的结构。在图5中，为了减少第二电极418的电阻损失，优选在第二电极的上部设置辅助电级432。在此情况下，辅助电极432优选由导电率高的物质形成，可由钛、钨、铬和钽等高熔点金属；或者组合高熔点金属以及铝或银等低电阻金属而形成。
在上述结构中，若将铝、钛或钽等用作第一电极416，并将含有实施方式1所示的复合材料的层用作第二电极418，则可以做出在对置基板412一侧形成有显示部414的显示装置。若将含有实施方式1所示的复合材料的层用作第一电极416，并将铝、钛或钽等用作第二电极418，则可以做出在基板410一侧形成有显示部414的显示装置。此外，若第一电极416和第二电极418都由含有实施方式1所示的复合材料的层形成，则可以做出双面显示型显示装置。
注意，本实施方式可以适当地与其他实施方式组合来实施。
实施方式4
下面参考图6描述应用本发明的发光装置所具有的发光元件的一个模式。
应用本发明的发光装置所具有的发光元件包括在一对电极之间的多个层。该多个层是组合层叠由具有高载流子注入性的物质制成的层和由具有高载流子传输性的物质制成的层而成的，以便在远离电极的地方形成发光区域，也就是，以便载流子在远离电极的部位再结合(recombine)。
在本实施方式中，发光元件包括第一电极202、第二电极204以及设在第一电极202和第二电极204之间的EL层203（也记为发光单元）。注意，在下面的本实施方式中，对于第一电极202用作阳极，而第二电极204用作阴极的情况进行说明。换言之，在将电压施加到第一电极202和第二电极204以使第一电极202的电位高于第二电极204的电位时，可以获得发光。
使用基板201作为发光元件的支撑体。基板201可以使用例如玻璃、塑料等。另外，只要在发光元件的制造步骤中能用作支撑体，也可以使用其它材料。
作为第一电极202，可以使用含有实施方式1所示的复合材料的层。因为含有实施方式1所示的复合材料的层可以与形成布线等的金属材料形成欧姆接触，从而可以不考虑功函数地选择形成布线的材料。
此外，可以通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，获得在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。因此，在用于自发光型发光装置的情况下，可以使来自发光区域的发光不被吸收而高效地透过，从而提高外部取光效率。
此外，含有复合材料的层耐弯曲性能好。也就是说，在使用柔性基板来制作显示装置的情况下，可以适当地应用。
此外，含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层由于包含有机化合物而与EL层之间具有优异的密合性，因此，可以获得可靠性高的发光装置。
另外，含有复合材料的层能够有效地将空穴注入到EL层中。因此，当用作发光装置的像素电极时，可以获得发光效率高的发光装置。此外，在本实施方式中，由于将含有复合材料的层用作阳极，所以能够有效地向EL层注入空穴。
另外，由于含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层具有高导电性，所以即使在增大包含复合材料的层厚度时，也可以抑制驱动电压的上升。因此，能够在抑制驱动电压上升的同时优化含有复合材料的层的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，在不使驱动电压上升的情况下，可以通过光学设计提高色纯度。
EL层203既可以为单层，又可以为层叠多层的结构。也就是说，EL层203的层的叠层结构没有特别的限制。可以通过适当地组合由具有高电子传输性的物质或具有高空穴传输性的物质、具有高电子注入性的物质、具有高空穴注入性的物质、具有双极性的物质（具有高电子传输性和高空穴传输性的物质）等制成的层和发光层来构成EL层203。例如，可以通过适当地组合空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层（hole blocking layer）、发光层、电子传输层和电子注入层等而构成EL层203。下面具体描述构成各个层的材料。注意，在图6中示出作为一个模式的EL层，其中层叠有第一层211、第二层212、第三层213、第四层214、第五层215。
第一层211是包含具有高空穴注入性的物质的层。作为具有高空穴注入性的物质，可以使用氧化钼（MoOx）、氧化钒（VOx）、氧化钌（RuOx）、氧化钨（WOx）、氧化锰（MnOx）等。此外，也可以使用诸如酞菁（缩写：H2Pc）和铜酞菁（CuPc）等酞菁类化合物或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸) (PEDOT/PSS)等高分子化合物等来形成空穴注入层。
另外，作为第一层211，可以使用将受体物质包含在具有高空穴传输性的材料中的复合材料。注意，通过使用将受体物质包含在具有高空穴传输性的材料中的复合材料，可以选择用于形成电极的材料而不用顾及电极的功函数。换句话说，除了具有高功函数的材料，也可使用具有低功函数的材料作为第一电极202。作为受体物质，可举出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称；F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可举出过渡金属氧化物。另外，可举出属于元素周期表第4至8族的金属的氧化物。具体地，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼是优选的，因为其电子接受性高。其中，氧化钼是特别优选的，因为它在空气中稳定并且其吸湿性低，容易操作。
注意，含有实施方式1所示的复合材料的层具有优异的空穴注入性，因此也可以不设置第一层211。
第二层212是包含具有高空穴传输性的物质的层。作为具有高空穴传输性的物质，例如可以使用芳族胺化合物等，例如4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4,4',4''-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(简称：TDATA)、4,4',4''-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(简称：MTDATA)、或4,4'-双[N-(螺-9,9'-联芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)等。上述物质主要是具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但也可以使用除此之外的其它材料，只要其空穴传输性高于电子传输性。此外，包含具有高空穴传输性的物质层不限于单层，也可以层叠两个或多个由前述物质制成的层。
第三层213是包含具有高发光性的物质的层，可以由各种材料制成。例如，具有高发光性的物质可自由地与具有高载体传输性和良好膜质量的材料(即，难以结晶的材料)，如三(8-羟基喹啉)铝(简称：Alq)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、或4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)等组合。具体地，作为具有高发光性的材料，可以使用单重态发光材料(荧光材料)如N,N'-二甲基喹吖啶酮(简称：DMQd)、N,N'-二苯基喹吖酮(简称：DPQd)、香豆素6，4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(简称：DCM1)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(简称：DCM2)、9,10-二苯基蒽、5,12-二苯基并四苯(简称:DPT)、二萘嵌苯、红荧烯等；或三重态发光材料(磷光材料)如双[2-(2'-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶根合(pyridinato)-N,C3']铱(乙酰丙酮)(简称：Ir(btp)2(acac))。但因为Alq和DNA是具有高发光性能的材料，因此第三层213可以具有使用这些材料中的仅一种的结构而用作发光层。
第四层214是包含具有高电子传输性的物质的层。例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物等，如三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称：BeBq2)、或双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)等的层。另外，可以使用具有 
唑类配体或噻唑类配体的金属络合物等，如双[2-(2-苯并
唑基) 苯酚]锌(II)（简称：ZnPBO）或双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)（简称：ZnBTZ）等。除了金属络合物以外，也可使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
二唑(简称：PBD)、1,3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1,3,4-
二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、红菲咯啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等。这里所述的物质主要为具有1×10-6 cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。另外，只要其具有高于空穴传输性的电子传输性，就可以使用除上述之外的其它物质作为电子传输层。另外，电子传输层不限于单层，也可以层叠两个或多个由前述物质制成的层。
第五层215是包含具有高电子注入性的物质的层。作为第五层215，可以使用碱金属、碱土金属或其化合物诸如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)或氟化钙(CaF2)等。此外，可以使用其中包含碱金属、碱土金属或其化合物的由具有电子传输性的材料制成的层，如包含镁(Mg)的Alq层等。通过使用其中包含碱金属或碱土金属的由具有电子传输性的材料制成的层作为电子注入层，有效地从第二电极204进行电子的注入，因此这是优选的。
作为形成第二电极204的物质，可以使用具有低功函数(具体地，3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物或其混合物等。作为这样的阴极材料的具体例子，可以举出：属于元素周期表第1族或第2族的元素，即碱金属如锂(Li)或铯(Cs)等；碱土金属如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)等和包含这些的合金(如MgAg、AlLi)；稀土金属如铕（Eu）、镱（Yb）等和包含这些的合金等。然而，通过在第二电极204与第四层214之间设置第五层215，可以使用各种导电材料如Al、Ag、氧化铟-氧化锡（ITO）、含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌（IZO）、含有氧化钨和氧化锌的氧化铟（IWZO）等作为第二电极204，而与功函数的大小无关。
另外，作为EL层203的形成方法，不论干式或湿式可以使用各种方法。例如，可以使用真空气相沉积法、喷墨法或旋涂法等。另外，每一电极或每一层可以通过不同的成膜方法而形成。
在具有上述结构的本发明的发光元件中，由在第一电极202和第二电极204之间产生的电位差而使电流流动，且空穴和电子在含有具有高发光性的材料的第三层213中再结合而发射光。也就是说，在第三层213中形成有发光区域。
发光通过第一电极202和第二电极204中的一方或双方而被提取到外部。注意，由于第一电极202使用具有高透光性的复合材料而形成，所以优选采用通过第一电极将发光提取到外部的结构。当仅第一电极202为具有透光性的电极时，如图6(A)所示，发光通过第一电极202从基板一侧被提取。另外，当第一电极202和第二电极204都为具有透光性的电极时，如图6(B)所示，发光通过第一电极202和第二电极204从基板一侧和与基板相反一侧被提取。
注意，设置在第一电极202和第二电极204之间的层不限于上述结构。可以采用除上述之外的结构，只要将空穴和电子再结合的发光区域设置在远离第一电极202和第二电极204的部位以防止因发光区域和金属靠近而引发的猝灭。
也就是说，对层的叠层结构没有特别的限制，可以将由具有高电子传输性的物质或具有高空穴传输性的物质、具有高电子注入性的物质、具有高空穴注入性的物质、具有双极性的物质（具有高电子传输性和高空穴传输性的物质）、空穴阻挡材料等制成的层与发光层自由地组合而构成。
图7所示的发光元件具有这样的结构：在基板201上依次层叠有用作阴极的第二电极204、含有具有高电子注入性的物质的第五层215、含有具有高电子传输性的物质的第四层214、含有具有高发光性的物质的第三层213、含有具有高空穴传输性的物质的第二层212、含有具有高空穴注入性的物质的第一层211、用作阳极的第一电极202。
发光通过第一电极202和第二电极204中的一方或双方而被提取到外部。注意，由于第一电极202使用具有高透光性的复合材料而形成，所以优选采用通过第一电极将发光提取到外部的结构。当仅第一电极202为具有透光性的电极时，如图7(A)所示，发光通过第一电极202从与基板相反一侧被提取。另外，当第一电极202和第二电极204都是具有透光性的电极时，如图7(B)所示，发光通过第一电极202和第二电极204从基板一侧和与基板相反一侧被提取。
注意，本实施方式可以适当地与其他实施方式组合来实施。
实施方式5
下面参考图8描述与实施方式4不同的发光元件的一个模式。
在本实施方式中，发光元件包括第一电极302、第二电极304以及设在第一电极302和第二电极304之间的EL层303。注意，在下面的本实施方式中，对于第一电极302用作阴极，而第二电极304用作阳极的情况进行说明。换而言之，在以使第一电极302的电位低于第二电极304的电位的方式将电压施加到第一电极302和第二电极304时，可以获得发光。
作为第一电极302，可以使用含有实施方式1所示的复合材料的层。因为含有实施方式1所示的复合材料的层可能与形成布线等的金属材料形成欧姆接触，从而可以不考虑功函数地选择形成布线等的材料。
此外，可以通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，获得在450至800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。因此，在用于自发光型发光装置的情况下，可以使来自发光区域的发光不被吸收而高效地透过，从而提高外部取光效率。
此外，含有复合材料的层耐弯曲性能好。也就是说，在使用柔性基板来制作显示装置的情况下，可以适当地应用。
此外，含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层由含有有机化合物而与EL层之间具有优异的粘结性。因此，可以获得可靠性高的发光装置。
另外，由于含有复合了有机化合物和无机化合物的复合材料的层具有高导电性，所以即使在增大包含复合材料的层的厚度时，也可以抑制驱动电压的上升。因此，能够在抑制驱动电压上升的同时优化含有复合材料的层的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，可以在不使驱动电压上升的条件下通过光学设计提高色纯度。
如实施方式4所示那样，可以通过适当地组合由具有高电子传输性的物质或具有高空穴传输性的物质、具有高电子注入性的物质、具有高空穴注入性的物质、具有双极性的物质（具有高电子传输性和高空穴传输性的物质）等制成的层和发光层来构成EL层303。在图8中示出作为一个模式的结构，其中层叠有含有具有高电子注入性的物质的第二层312、含有具有高电子传输性的物质的第三层313、含有具有高发光性的物质的第四层314、含有具有高空穴传输性的物质的第五层315、含有具有高空穴注入性的物质的第六层316。注意，当设置后面描述的包含具有高电子传输性的物质和对该具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质的第一层311时，可以不设置含有具有高电子注入性的物质的第二层312。
注意，在EL层303中，优选设置包含具有高电子传输性的物质和对该具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质的第一层311作为与第一电极302接触的层。作为具有高电子传输性的物质，可以使用实施方式4所示的具有高电子传输性的物质。此外，作为对具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质，可以使用碱金属、碱土金属或它们的氧化物或盐。具体而言，可以举出锂、铯、钙、锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物、以及碳酸铯等。
通过层叠含有复合材料的层与包含具有高电子传输性的物质和对该具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质的第一层311，该叠层可以用作载流子产生层。因此，电子被从包含具有高电子传输性的物质和对该具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质的第一层311注入到含有具有高发光性的物质的第四层，并且与从用作阳极的第二电极304注入的空穴再结合，从而可以发光。
与实施方式4相同，发光通过第一电极302和第二电极304中的一方或双方而被提取到外部。注意，由于第一电极302使用具有高透光性的复合材料而形成，所以优选采用通过第一电极将发光提取到外部的结构。当仅第一电极302为具有透光性的电极时，如图8(A)所示，发光通过第一电极302从基板一侧被提取。另外，当第一电极302和第二电极304都为具有透光性的电极时，如图8(B)所示，发光通过第一电极302和第二电极304从基板一侧和与基板相反一侧提取。
另外，作为EL层303的形成方法，不论干法或湿法可以使用各种方法。例如，可以使用真空气相沉积法、喷墨法或旋涂法等。另外，每一电极或每一层可以通过不同的成膜方法而形成。
注意，设置在第一电极302和第二电极304之间的层不限于上述结构。可以采用除上述之外的结构，只要将空穴和电子再结合的发光区域设置在远离第一电极302和第二电极304的部位以防止因发光区域和金属靠近而引发的猝灭。
也就是说，对层的叠层结构没有特别的限制，可以将由具有高电子传输性的物质或具有高空穴传输性的物质、具有高电子注入性的物质、具有高空穴注入性的物质、具有双极性的物质（具有高电子传输性和高空穴传输性的物质）、空穴阻挡材料等制成的层与发光层自由地组合而构成。
图9所示的发光元件具有这样的结构：在基板301上依次层叠有用作阳极的第二电极304、含有具有高空穴注入性的物质的第六层316、含有具有高空穴传输性的物质的第五层315、含有具有高发光性的物质的第四层314、含有具有高电子传输性的物质的第三层313、含有具有高电子注入性的物质的第二层312、包含具有高电子传输性的物质和对该具有高电子传输性的物质显示电子供给性的物质的第一层311、用作阴极的第一电极302。
与图8所示的发光元件一样，发光通过第一电极302和第二电极304中的一方或双方而被提取到外部。注意，由于第一电极302使用具有高透光性的复合材料而形成，所以优选采用通过第一电极将发光提取到外部的结构。当仅第一电极302为具有透光性的电极时，如图9(A)所示，发光通过第一电极302从与基板相反一侧被提取。另外，当第一电极302和第二电极304都是具有透光性的电极时，如图9(B)所示，发光通过第一电极302和第二电极304从基板一侧和与基板相反一侧被提取。
注意，本实施方式可以适当地与其他实施方式组合来实施。
例如，通过以与用作阳极的第二电极接触的方式设置实施方式4所示的含有复合材料的层，可以提高来自第二电级的空穴注入性。
另外，也可以采用实施方式4所示的含有复合材料的层作为用作阳极的第二电极。当使用含有复合材料的层作为第二电极时，含有复合材料的层具有优异的空穴注入性，因此也可以不设置空穴注入层。此外，由于含有复合材料的层具有优异的透光性，所以可以有效地通过第一电极和第二电极将发光提取到外部。
实施方式6
下面参考图10A描述与实施方式4不同的发光元件的一个模式。
在本实施方式中，将参照图10说明一种发光元件（以下称为叠层元件）的模式，其中该发光元件具有层叠了多个发光单元（也记为EL层）的结构。该发光元件为在第一电极与第二电极之间具有多个发光单元的发光元件。
在图10中，在第一电极501和第二电极502之间层叠有第一发光单元511和第二发光单元512。对第一电极501和第二电极502可以采用与实施方式4和5相同的电极。此外，第一发光单元511和第二发光单元512可以具有彼此相同的结构或者彼此不同的结构，并且其结构可以采用与实施方式4和5相同的结构。
在电荷产生层513中含有有机化合物和无机化合物的复合材料。该有机化合物和无机化合物的复合材料是实施方式1所示的复合材料，含有有机化合物和V2O5、MoO3或WO3等无机化合物。作为有机化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃、高分子化合物（低聚物、树枝状聚合物、聚合物等）等各种化合物。注意，作为有机化合物，优选采用作为空穴传输性有机化合物具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的有机化合物。然而，只要是其空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用除此以外的物质。有机化合物和无机化合物的复合材料的载流子注入性及载流子传输性优异，所以可以实现低电压驱动及低电流驱动。
此外，电荷产生层513也可以通过组合包含有机化合物和无机化合物的复合材料以及其他材料来形成。例如，可以通过组合如下两种层来形成：含有有机化合物和无机化合物的复合材料的层；以及，含有选自电子供给性物质中的一种化合物和具有高电子传输性的化合物的层。此外，还可以通过组合含有有机化合物和无机化合物的复合材料的层以及透光导电膜来形成。
无论怎样，夹在第一发光单元511和第二发光单元512之间的电荷产生层513，只要是当将电压施加到第一电极501和第二电极502时，对一方的发光单元注入电子并对另一方的发光单元注入空穴的层即可。
在本实施方式中，虽然说明了具有两个发光单元的发光元件，然而，也可以相同地采用层叠有三个或更多个发光单元的发光元件。如根据本实施方式的发光元件，可以通过用电荷产生层使多个发光单元间隔并将它们配置在一对电极之间，在保持低电流密度的同时在高亮度区域中实现长使用寿命的元件。
注意，本实施方式可以适当地与其他实施方式组合来实施。
实施方式7
在本实施方式中，将参照附图说明用实施方式1所描述的复合材料形成其像素电极的液晶显示装置的一个实例。在本实施方式中，对VA（Vertical Alignment：垂直定向）型液晶进行描述。VA型液晶是指一种液晶面板的液晶分子取向的控制方式。VA型液晶是当没有施加电压时液晶分子朝垂直于面板表面的方向的方式。在本实施方式中，特别地，将像素（pixel）分成为几个子像素（sub pixel），并在该子像素中分别将分子向不同的方向推倒。这称为多区域（multi domain）化或多区域设计。在下面的说明中，对考虑多区域设计的液晶面板的像素按制造工序进行说明。
图11和图12表示形成栅电极、栅绝缘层以及半导体层的过程。注意，图11是平面图，并且图12示出了相应于图11中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
基板600可以使用由熔化方法或浮发方法(float method)制造的无碱玻璃基板例如钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃等、或陶瓷基板，还可以使用具有可承受本制造工艺加工温度的耐热性的塑料基板等。此外，还可以使用在不锈钢合金等金属基板表面上设置绝缘层的基板。
栅布线602由钛、钼、铬、钽、钨、铝等金属形成。为了使栅布线602低电阻化，优选采用铝，但在此情况下，优选铝层夹在用钛、钼、钽等高熔点金属形成的层之间。这是为了防止铝的腐蚀且提高其耐热性。注意，栅布线602在与半导体层重叠的位置用作所谓的栅电极。也就是说，在场效应晶体管之一的TFT中，用作施加栅电压的电极。在此，为了方便说明，下面将其称作栅布线来进行说明，但是在功能上具有作为栅电极的结构因素。另外，使用相同的层形成电容布线604。该电容布线604形成为了保持施加到像素中的电压而设置的保持电容的一个电极。
在栅布线602以及电容布线604的上层形成第一绝缘层606。作为第一绝缘层606，优选使用氮化硅或氮化硅和氧化硅的叠层而形成。第一绝缘层606用作栅绝缘层。第一绝缘层606通过溅射法或等离子体CVD法而形成。为了在低成膜温度下形成栅极漏电流小的致密绝缘膜，优选将诸如氩等稀有气体元素包含在反应气体内，且混合到所形成的绝缘膜中。
接着，形成半导体层608。半导体层608优选由氢化非晶硅或氢化微晶硅形成。氢化非晶硅膜或氢化微晶硅膜通过使用硅烷或乙硅烷作为半导体材料气体通过等离子体CVD法以100至250nm的厚度形成。此外，也可以采用溅射法而形成。以中间夹着第一绝缘层606与栅布线602重叠的方式形成半导体层608。而且，在半导体层608上形成20至50nm厚的n型氢化非晶硅膜或微晶硅膜作为n型半导体层610，以便形成TFT的源区及漏区。
此外，作为半导体层608可以应用有机半导体。作为有机半导体，优选使用其骨架由共轭双键构成的π电子共轭系的高分子材料。典型地，可以使用可溶于溶剂中的高分子材料诸如聚噻吩、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩衍生物等。
图13和图14表示形成布线的过程。注意，图13是平面图，并且图14示出了相应于图13中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
优选使用铝或添加有提高耐热性的元素或防止小丘（hillock）的元素诸如铜、硅、钛、钕、钪等的铝来形成布线616、布线618。通过溅射法或气相沉积法形成铝膜，并且利用光刻技术按预定的图案来形成布线616、布线618。此外，也可以使用银、铜等的导电纳米糊通过丝网印刷法、喷墨法、纳米压印法而形成。可以在布线616、布线618与n型半导体层610之间形成布线612、布线614，布线612、614用作提高布线616、布线618的粘合性且防止向基底的扩散的阻挡金属。层叠于布线612上的布线616以及层叠于布线614上的布线618形成一体而实际上用作布线。注意，布线616为形成像素部的矩阵的数据线，而布线618为连接TFT628和像素电极624的布线。
布线614、布线618具有中间夹着第一绝缘层606而与电容布线604重叠的区域。该重叠区域成为液晶面板的像素的保持电容部。
在形成布线616、布线618之后，使用该布线作为蚀刻掩模对n型半导体层610进行蚀刻。布线616和布线618相分离而形成在半导体层608上。通过蚀刻去除在布线616、布线618之间的n型半导体层610，形成TFT的沟道形成区域。
图15和图16表示形成像素电极的过程。注意，图15是平面图，并且图16示出了相应于图15中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
在布线616、布线618上形成第二绝缘层620。第二绝缘层620优选由氮化硅或氮氧化硅而形成。第二绝缘层620作为防止半导体层608的污染的保护膜而形成。此外，第二绝缘层620具有使布线616、布线618与像素电极绝缘分开的层间绝缘膜的功能。优选在第二绝缘层620上形成以表面的平坦化为目的的第三绝缘层622。第三绝缘层622优选由以聚酰亚胺和丙烯酸等为代表的有机树脂材料形成。通过在布线616、布线618与像素电极624之间形成第三绝缘层622作为平坦化膜，可以增大像素电极624的面积，并且可以提高开口率。
在第三绝缘层622上形成像素电极624。像素电极624通过穿过第二绝缘层620、第三绝缘层622的接触孔623连接到布线618。像素电极624通过使用实施方式1所示的复合材料而形成。该复合材料可以与由铝等金属材料形成的布线618形成欧姆接触。此外，通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，可以获得在450至800nm的可见光区域没有吸收峰的复合材料。该像素电极624可以以50至100nm的厚度形成。由此，当将该像素电极用作液晶面板的像素电极时，可以有效地利用背光灯的照明光。
在像素电极624中设置狭缝（slit）625。该狭缝625用来控制液晶的取向。
通过这样，在基板600上形成TFT628、与TFT628连接的像素电极624、以及保持电容部630。对于图15所示的TFT629、与TFT629连接的像素电极624、以及保持电容部630也是同样的。TFT628和TFT629都连接到布线616。该液晶面板的像素（pixel）由像素电极624和像素电极626构成。像素电极624和像素电极626为子像素。
图19示出了该像素结构的等效电路。TFT628和TFT629都连接到栅布线602、布线616。在此情况下，通过使电容布线604和电容布线605的电位不相同，可以使液晶元件651和液晶元件652进行不同的动作。也就是说，通过分别控制电容布线604和电容布线605的电位，来精密地控制液晶的取向并且扩大视角。
图17示出了对置电极基板一侧的结构。在遮光层632上形成有对置电极640。与像素电极624一样，优选使用实施方式1所示的复合材料来形成对置电极640。此外，也可以使用氧化铟、氧化铟-氧化锡、氧化锌等的透光导电膜来形成对置电极640。在对置电极640上形成有控制液晶的取向的突起644。此外，按照遮光层632的位置形成有间隔物642。
图18示出了将基板600和对置基板601重叠到一起，并注入液晶的状态。其中，所述基板600形成有TFT628、连接到TFT628的像素电极624、以及保持电容部630，而所述对置基板601形成有对置电极640等。在对置基板601的形成间隔物642的位置上形成有遮光层632、第一彩色层634、第二彩色层636、第三彩色层638、以及对置电极640。通过该结构，使用于控制液晶取向的突起644和间隔物642的高度彼此不同。在像素电极624上形成有定向膜648，与此同样地在对置基板640上形成有定向膜646。在此之间形成有液晶层650。
图20是说明具有上述像素结构的液晶面板的动作的图。当对设置有狭缝625的像素电极624施加电压时，在狭缝625附近发生电场的应变（倾斜电场）。通过互相咬合地配置所述狭缝625和对置基板601一侧的突起644，有效地产生倾斜电场来控制液晶的取向，从而根据其位置使液晶具有彼此不同的取向方向。也就是说，通过进行多区域化来扩大液晶面板的视角。
像这样，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作液晶面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。
实施方式8
在本实施方式中，将参照附图说明用实施方式1所描述的复合材料形成其像素电极的液晶显示装置的一个实例。在本实施方式中，对VA型液晶的另一个模式进行描述。
图21和图22表示VA型液晶面板的像素结构。图21是平面图，并且图22示出了相应于图21中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。此外，对与实施方式7相同的部分使用相同标号，省略其详细说明。
在该像素结构中，一个像素且有多个像素电极，并且各个像素电极连接到TFT。各个TFT以由不同的栅信号驱动的方式构成。也就是说，在以多区域方式设计的像素中，具有独立控制施加到各个像素电极的信号的结构。
像素电极624通过接触孔623用布线618连接到TFT628。像素电极626通过接触孔627用布线619连接到TFT629。TFT628的栅布线602和TFT629的栅布线603彼此分离，以便能够供应不同的栅信号。另一方面，TFT628和TFT629共同使用用作数据线的布线616。
像素电极624和像素电极626与实施方式7同样地通过使用实施方式1所示的复合材料而形成。像素电极624和像素电极626具有不同的形状，并且被狭缝625彼此分离。像素电极626被形成为围绕呈V字状扩大的像素电极624的外侧。通过使用TFT628及TFT629使施加到像素电极624和像素电极626的电压时序不相同，来控制液晶的取向。图24示出了该像素结构的等效电路。TFT628连接到栅布线602，而TFT629连接到栅布线603。通过对栅布线602和栅布线603施加不同的栅信号，可以使TFT628和TFT629的动作时序互不相同。
对置基板601形成有遮光层632、第二彩色层636、对置电极640。此外，第二彩色层636和对置电极640之间形成平坦化膜637，以便防止液晶取向的错乱。图23表示对置基板一侧的结构。不同的像素共同使用对置电极640，并且该对置电极640形成有狭缝641。通过互相咬合地配置所述狭缝641和在像素电极624及像素电极626一侧的狭缝625，可以有效地产生倾斜电场来控制液晶的取向。由此，可以根据其位置使液晶具有彼此不同的取向方向，从而扩大视角。
像这样，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作液晶面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。
实施方式9
在本实施方式中，将参照附图说明用实施方式1所描述的复合材料形成其像素电极的液晶显示装置的一个实例。在本实施方式中示出横向电场方式液晶显示装置的一个例子。横向电场方式是指通过对单元内的液晶分子沿水平方向施加电场来驱动液晶以便显示灰度级的方式。通过横向电场方式，可以使视角增大到大约180度。在下面的说明中，对采用横向电场方式的液晶面板的像素按制造工序进行说明。此外，对与实施方式7、实施方式8相同或类似的部分使用相同标号，省略其详细说明。
图25和图26表示形成栅电极、栅绝缘层以及半导体层的过程。注意，图25是平面图，并且图26示出了相应于图25中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
在基板600上形成第一像素电极607。第一像素电极607使用实施方式1所示的复合材料而形成。第一像素电极607以大致划分为像素形状的形状而形成。然后，形成栅布线602、电容布线604。电容布线604以与第一像素电极607重叠的方式形成。
以覆盖第一像素电极607、栅布线602、电容布线604的整个表面的方式形成第一绝缘层606。而且，形成半导体层608以及n型半导体层610。半导体层608及n型半导体层610以至少部分与栅布线602重叠的方式形成。
图27和图28表示形成布线的过程。注意，图27是平面图，并且图28示出了相应于图27中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
然后，形成布线616、布线618。布线616是在液晶面板中传送视频信号的数据线，且是沿一个方向延伸的布线，同时，还与n型半导体层610形成接触而成为源极和漏极中的一个电极。布线618是成为源极和漏极中的另一个电级且与像素电极接触的布线。
在形成布线616、布线618之后，使用该布线作为蚀刻掩模对n型半导体层610进行蚀刻。布线616和布线618相分离而形成在半导体层608上。通过蚀刻去除在布线616、布线618之间的n型半导体层610，形成TFT的沟道形成区域。
图29和图30表示形成像素电极的过程。注意，图29是平面图，并且图30示出了相应于图29中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
在布线616、布线618上形成第二绝缘层620。第二绝缘层620优选由氮化硅或氮氧化硅而形成。在第二绝缘层620中形成接触孔623，并且形成第二像素电极624。像素电极624通过穿过第二绝缘层620的接触孔623连接到布线618。像素电极624通过使用实施方式1所示的复合材料而形成。该复合材料可以与由铝等金属材料形成的布线618形成欧姆接触。此外，通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，可以获得在450至800nm的可见光区域没有吸收峰的复合材料。该像素电极624可以以50至100nm的厚度形成。由此，当将该像素电极用作液晶面板的像素电极时，可以有效地利用背光灯的照明光。
在像素电极624中设置狭缝625。该狭缝625用来控制液晶的取向。在此情况下，电场发生在第一像素电极607和第二像素电极624之间。第一像素电极607和第二像素电极624之间形成有第一绝缘层606，但是第一绝缘层606的厚度为50至200nm，该厚度与2至10μm的液晶层的厚度相比十分薄，因此在实质上沿平行于基板600的方向（水平方向）发生电场。该电场控制液晶的取向。通过利用该大致平行于基板的方向的电场使液晶分子在水平方向上旋转。在此情况下，由于液晶分子在任何状态下也处于水平，所以因观看角度的对比度等的影响很少，从而增大视角。而且，第一像素电极607和第二像素电极624都是透光电极，因此可以提高开口率。
通过这样，在基板600上形成TFT628以及连接到该TFT628的像素电极624。保持电容形成在第一像素电极607和第二像素电极624之间。
图31示出了将基板600和对置基板601重叠到一起，并注入液晶的状态。其中，所述基板600形成有TFT628以及连接到TFT628的像素电极624。在对置基板601上形成有遮光层632、第二彩色层636、平坦化膜637等。像素电极处于基板600一侧，所以不设置在对置基板601一侧。在基板600和对置基板601之间形成有液晶层650。
像这样，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作液晶面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。
实施方式10
在本实施方式中，将参照附图说明用实施方式1所描述的复合材料形成其像素电极的液晶显示装置的一个实例。在本实施方式中示出横向电场方式液晶显示装置的另一个实例。在下面的说明中，对采用横向电场方式的液晶面板的像素按制造工序进行说明。此外，对与实施方式9相同或类似的部分使用相同标号，省略其详细说明。
图32和图33表示形成栅电极、栅绝缘层以及半导体层的过程。注意，图32是平面图，并且图33示出了相应于图32中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
在基板600上形成栅布线602和共同电位线609。共同电位线609与栅布线602平行地配置。但该共同电位线609形成为梳齿形状以作为用来在像素中产生横向电场的一个电极。
以覆盖栅布线602、共同电位线609的整个表面的方式形成第一绝缘层606。而且，形成半导体层608以及n型半导体层610。半导体层608及n型半导体层610以至少部分与栅布线602重叠的方式形成。
图34和图35表示形成布线的过程。注意，图34是平面图，并且图35示出了相应于图34中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
形成布线616、布线618。布线616是在液晶面板中传送视频信号的数据线，并且是沿一个方向延伸的布线，同时，还与n型半导体层610形成接触而成为源极和漏极中的一个电极。布线618是成为源极和漏极中的另一个电级且与像素电极接触的布线。此外，与共同电位线609重叠地形成电容电级615。
在形成布线616、布线618之后，使用该布线作为蚀刻掩模对n型半导体层610进行蚀刻。布线616和布线618相分离而形成在半导体层608上。通过蚀刻去除在布线616、布线618之间的n型半导体层610，形成TFT的沟道形成区域。
图36和图37表示形成像素电极的过程。注意，图36是平面图，并且图37示出了相应于图36中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。
在布线616、布线618上形成第二绝缘层620。第二绝缘层620优选由氮化硅或氮氧化硅而形成。在第二绝缘层620中形成接触孔623，并且形成像素电极624。像素电极624通过穿过第二绝缘层620的接触孔623连接到布线618。像素电极624通过使用实施方式1所示的复合材料而形成。在像素电极624中设置狭缝625。该狭缝625用来控制液晶的取向。像素电极624被形成为和与共同电位线609同时形成的梳齿形电级之间产生横向电场。像素电极624的梳齿部以和与共同电位线609同时形成的梳齿形电级互相咬合的方式形成。在像素电极624中，通过选择复合材料中所包含的有机化合物的种类，可以获得在450至800nm的可见光区域没有吸收峰的复合材料。该像素电极624可以以50至100nm的厚度形成。由此，当将该像素电极用作液晶面板的像素电极时，可以有效地利用背光灯的照明光。
当施加到像素电极624的电位与共同电位线609的电位之间产生电场时，该电场控制液晶的取向。通过利用该大致平行于基板的方向的电场使液晶分子在水平方向上旋转。在此情况下，由于液晶分子在任何状态下都处于水平，所以因观看角度的对比度等的影响很少，从而扩大视角。
通过这样，在基板600上形成TFT628以及连接到该TFT628的像素电极624。保持电容通过在共同电位线609和电容电极615之间设置第一绝缘层606而形成。电容电级615和像素电极624通过接触孔633相互连接。
图38示出了将基板600和对置基板601重叠到一起，并注入液晶的状态。其中，所述基板600形成有TFT628以及连接到TFT628的像素电极624。在对置基板601上形成有遮光层632、第二彩色层636、平坦化膜637等。像素电极处于基板600一侧，所以不设置在对置基板601一侧。在基板600和对置基板601之间形成有液晶层650。
像这样，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作液晶面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。
实施方式11
在本实施方式中，将参照附图说明用实施方式1所描述的复合材料形成其像素电极的液晶显示装置的一个实例。在本实施方式中，对TN型液晶的显示装置的一个实例进行描述。
图39和图40表示TN型液晶面板的像素结构。图39是平面图，并且图40示出了相应于图39中所示的切断线A-B的截面结构。下面，参照这两个图来进行说明。此外，对与实施方式10相同的部分使用相同标号，省略其详细说明。
像素电极624通过接触孔623用布线618连接到TFT628。用作数据线的布线616连接到TFT628。
像素电极624与实施方式7同样地通过使用实施方式1所示的复合材料而形成。
对置基板601形成有遮光层632、第二彩色层636、对置电极640。此外，第二彩色层636和对置电极640之间形成平坦化膜637，以便防止液晶取向的错乱。在像素电极624和对置电极640之间形成有液晶层650。
像这样，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作液晶面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。
实施方式12
通过使用实施方式1至11中制造的显示面板可以完成电视装置的制作。图41示出了电视装置的主要结构的方框图。像素部901形成在显示面板900上。可以采用COG方法将信号线驱动电路902和扫描线驱动电路903安装在显示面板900上。
作为其它外部电路的结构，在该视频信号的输入一侧具有视频信号放大电路905、视频信号处理电路906、控制电路907等。其中，视频信号放大电路905放大调谐器904所接收信号中的视频信号，视频信号处理电路906将从视频信号放大电路905输出的信号转换成对应于红、绿和蓝各种颜色的色信号，控制电路907将该视频信号转换成驱动器IC输入规格。控制电路907将信号输出到扫描线侧和信号线侧。在进行数字驱动的情况下，可以采用如下结构：在信号线一侧设置信号分割电路908，并将输入数字信号划分成m片而供给。
由调谐器904接收的信号中的音频信号被发送到音频信号放大电路909，并经音频信号处理电路910供给到扬声器913。控制电路911从输入部912接收有关接收站（接收频率）或音量的控制信息，并将信号传送到调谐器904和音频信号处理电路910。
图42表示安装这种外部电路来制作的电视装置。通过将显示面板900等组装到框体920中，可以完成电视装置的制作。使用显示面板900形成显示屏幕921，且设置扬声器922、操作开关924等作为附属装置。像这样，通过本发明可以完成电视装置的制作。
当然，本发明并不限于电视装置。除了个人计算机的监视器之外，还可以应用于大面积显示介质的各种用途，例如火车站、机场等的信息显示板、或者街道上的广告显示板等。通过本实施方式，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作显示面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。因此，可以根据对电视装置的需求进行生产。
实施方式13
在本实施方式中，将参考图43和44描述一种手机的示例，该手机使用根据实施方式1至16制造的显示模块。
图43为示出手机组件的视图。该手机包括置于框体958内的模块950、键输入开关952、电路基板954、二次电池956等。如图43所示，在放置模块950时根据显示部的位置对框体959进行切割。此外，IC芯片或传感器芯片被安装在模块950上。
图44示出了这种手机的系统结构的示例。天线960、高频电路961、基带处理器962等包括通信电路、调制电路、解调电路等用于执行700至900MHz以及1.7至2.5GHz的无线电通信。处理音频及图像的处理器970与CPU971通信，从而将视频信号等传送给控制器975，此外还控制电源电路974，将音频输出到扬声器963，从麦克风964输入音频，处理从CCD模块965发送的图像数据等。该图像数据可以经辅助的存储器输入接口966而存储到存储卡内。控制器975将信号发送到显示面板976和显示面板977，并转换显示。
CPU971从探测外部光强度的光传感器967以及键输入开关968接收信号，并控制处理音频及图像的处理器970。此外，该CPU经通信接口969控制使用局域网的通信。为了存储电话号码或发送/接受的电子邮件等的信息，设置有存储器972。还可以添加诸如硬盘等的存储介质973以进一步增加存储容量。电源电路978向这些系统供电。
注意，图43示出了手机的外观形状的示例，涉及本实施方式的手机可以根据功能及用途被调整成各种模式。
尽管如上所述本实施方式中以手机作为示例，但本发明不限于此，可以实现设置有模块的各种电子器械诸如计算机、摄像机等。例如，可以举出电子书、便携式信息终端（PDA（个人数字助理）等）、便携式视频游戏机、家用视频游戏机、导航系统等。通过本实施方式，可以使用有机化合物和无机化合物相复合的复合材料作为像素电极来制作显示面板。通过采用这样的像素电极，不需要使用以铟为主要成分的透光导电膜，因此可以解决在原材料方面的瓶颈问题。因此，可以根据对电视装置的需求进行生产。
如上述实施方式1至实施方式13所描述，本发明包括以下结构。
一种显示装置，在像素中包括透光导电膜，该透光导电膜含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物。
一种显示装置，包括由含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物的透光导电膜形成的像素电极。
一种显示装置，包括：在透过光的像素开口部与绝缘表面接触的透光导电膜，其中，该透光导电膜含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物。
一种显示装置，包括：晶体管，其栅极连接于扫描线且其源极或漏极连接于信号线；形成在晶体管上的绝缘层；以及与绝缘层接触的透光导电膜，其中，该透光导电膜含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物。
一种显示装置，在像素中包括透光导电膜，该透光导电膜含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，且在450nm～800nm的波长区域中没有吸收峰。
一种显示装置，包括由透光导电膜形成的像素电极，该透光导电膜含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，且在450nm～800nm的波长区域中没有吸收峰。
一种显示装置，包括：在透过光的像素开口部与绝缘表面接触的透光导电膜，其中，该透光导电膜为含有空穴传输性有机化合物和对该空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，且在450nm～800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。
一种显示装置，包括：晶体管，其栅极连接于扫描线且其源极或漏极连接于信号线；形成在晶体管上的绝缘层；以及与绝缘层接触的透光导电膜，其中，透光导电膜为含有空穴传输性有机化合物和对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性的金属氧化物，且在450nm～800nm的波长区域中没有吸收峰的复合材料。
空穴传输性有机化合物可以具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。空穴传输性有机化合物可以为芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃或高分子化合物。
芳香胺可以为选自N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺（缩写：DTDPPA）；4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯（缩写：DPAB）；4,4’-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯（缩写：DNTPD）；以及1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯（缩写：DPA3B）中的一种或多种。
咔唑衍生物可以为选自3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA1）；3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA2）；以及3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCN1）；4,4’-二(N-咔唑基)联苯（缩写：CBP）；1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯（缩写：TCPB）；9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽（缩写：CzPA）；以及2,3,5,6-四苯基-1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]苯中的一种或多种。
芳烃可以为选自9,10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDNA）；9,10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽（缩写：DPPA）；9,10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDBA）；9,10-二(萘-2-基)蒽（缩写：DNA）；9,10-二苯基蒽（缩写：DPAnth）；2-叔丁基蒽（缩写：t-BuAnth）；9,10-二(4-甲基萘-1-基)蒽（缩写：DMNA）；2-叔丁基-9,10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9,10-双[2-(萘-l-基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-1-基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽；9,9’-联二蒽；10,10’-二苯基-9,9’-联二蒽；10,10’-二(2-苯基苯基)-9,9’-联二蒽；10,10’-双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-联二蒽；蒽；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；以及2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯；4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯（缩写：DPVBi）；以及9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽（缩写：DPVPA）中的一种或多种。
高分子化合物可以为选自聚{4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基] 氨基苯乙烯}（缩写：PStDPA）、聚{4-[N-(9-咔唑-3-基)-N-苯胺] 苯乙烯}（缩写：PStPCA）、聚(N-乙烯基咔唑)（缩写：PVK）和聚(4-乙烯基三苯胺)（缩写：PVTPA）中的一种或多种。
无机化合物可以为过渡金属氧化物。无机化合物可以为属于元素周期表第4至8族的金属的氧化物。无机化合物可以为选自氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼中的一种或多种。
本说明书根据2006年7月4日在日本专利局受理的日本专利申请编号2006-184495而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
Claims (21)
1.一种显示装置，包括：
包含第一电极的像素，所述第一电极与绝缘表面接触，
其中所述第一电极包含透光导电膜,
其中所述透光导电膜包含空穴传输性有机化合物和金属氧化物，
其中所述金属氧化物对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性，以及
其中所述空穴传输性有机化合物和所述金属氧化物在所述透光导电膜中呈混合状态。
2.一种显示装置，包括：
包含晶体管和第一电极的像素；
在所述晶体管上的绝缘膜；
第一布线；和
第二布线；
其中所述晶体管具有栅电极、源极区和漏极区；
其中所述第一布线与所述栅电极电连接；
其中所述第一电极与所述绝缘膜接触；
其中所述第二布线与所述源极区和漏极区中的任一个电连接；
其中所述第一电极包含透光导电膜；
其中所述透光导电膜包含空穴传输性有机化合物和金属氧化物；
其中所述金属氧化物对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性；以及
其中所述空穴传输性有机化合物和所述金属氧化物在所述透光导电膜中呈混合状态。
3.一种显示装置，包括：
包含第一电极、第二电极和在所述第一电极和第二电极之间的发光层的像素；
其中所述第一电极与绝缘表面接触；
其中所述第一电极包含透光导电膜；
其中所述透光导电膜包含空穴传输性有机化合物和金属氧化物；
其中所述金属氧化物对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性；以及
其中所述空穴传输性有机化合物和所述金属氧化物在所述透光导电膜中呈混合状态。
4.一种显示装置，包括：
包含第一电极、第二电极和含有在所述第一电极上的液晶的层；
其中所述第一电极与绝缘表面接触；
其中所述第一电极包含透光导电膜；
其中所述透光导电膜包含空穴传输性有机化合物和金属氧化物；
其中所述金属氧化物对所述空穴传输性有机化合物显示电子接受性；以及
其中所述空穴传输性有机化合物和所述金属氧化物在所述透光导电膜中呈混合状态。
5.权利要求1或2的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一电极上的液晶。
6.权利要求1或2的显示装置，所述装置为液晶显示装置。
7.权利要求1或2的显示装置，所述装置为发光显示装置。
8.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述第一电极为像素的阳极。
9.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述透光导电膜在450nm以上至800nm以下的波长区域中没有吸收峰。
10.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述空穴传输性有机化合物具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。
11.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述透光导电膜的电阻率为5×104Ω·cm至1×106Ω·cm。
12.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述空穴传输性有机化合物为芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃或高分子化合物。
13.权利要求12的显示装置，其中所述芳香胺化合物为选自N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺（缩写：DTDPPA）；4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯（缩写：DPAB）；4,4’-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯（缩写：DNTPD）；以及1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯（缩写：DPA3B）中的一种或多种。
14.权利要求12所述的装置，其中所述咔唑衍生物为选自3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA1）；3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCA2）；以及3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑（缩写：PCzPCN1）；4,4’-二(N-咔唑基)联苯（缩写：CBP）；1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯（缩写：TCPB）；9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽（缩写：CzPA）；以及2,3,5,6-四苯基-1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]苯中的一种或多种。
15.权利要求12所述的装置，其中，所述芳烃为选自9,10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDNA）；9,10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽（缩写：DPPA）；9,10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽（缩写：t-BuDBA）；9,10-二(萘-2-基)蒽（缩写：DNA）；9,10-二苯基蒽（缩写：DPAnth）；2-叔丁基蒽（缩写：t-BuAnth）；9,10-二(4-甲基萘-1-基)蒽（缩写：DMNA）；2-叔丁基-9,10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9,10-双[2-(萘-l-基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-1-基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽；9,9’-联二蒽；10,10’-二苯基-9,9’-联二蒽；10,10’-二(2-苯基苯基)-9,9’-联二蒽；10,10’-双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-联二蒽；蒽；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；2,5,8,11-四(叔丁基) 二萘嵌苯；4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯（缩写：DPVBi）；以及9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽（缩写：DPVPA）中的一种或多种。
16.权利要求12的显示装置，其中所述高分子化合物为选自聚{4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基] 氨基苯乙烯}（缩写：PStDPA）、聚{4-[N-(9-咔唑-3-基)-N-苯胺] 苯乙烯}（缩写：PStPCA）、聚(N-乙烯基咔唑)（缩写：PVK）和聚(4-乙烯基三苯胺)（缩写：PVTPA）中的一种或多种。
17.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述金属氧化物为过渡金属氧化物。
18.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述金属氧化物为属于元素周期表第4至8族的金属的氧化物。
19.权利要求1-4中任一项的显示装置，其中所述金属氧化物为选自氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼中的一种或多种。
20.权利要求3的显示装置，所述显示装置还包括：
在所述第一电极和所述发光层之间的第一载流子注入层；
在所述第一载流子注入层和所述发光层之间的第一载流子传输层；
在所述第二电极和所述发光层之间的第二载流子注入层；
在所述第二载流子注入层和所述发光层之间的第二载流子传输层。
21.权利要求20的显示装置，
其中所述第一载流子注入层为空穴注入层，
其中所述第一载流子传输层为空穴传输层，
其中所述第二载流子注入层为电子注入层，并且，
所述第二载流子传输层为电子传输层。
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