CN102214675A

CN102214675A - 有机发光二极管显示器及其制造方法

Info

Publication number: CN102214675A
Application number: CN2011100781981A
Authority: CN
Inventors: 吴一洙; 李昌浩; 高熙周; 赵世珍; 宋炯俊; 尹振渶; 李钟赫
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-04-08
Filing date: 2011-03-30
Publication date: 2011-10-12
Anticipated expiration: 2031-03-30
Also published as: CN102214675B; EP2375467B1; US20110248269A1; EP2375467A2; KR101708847B1; TW201138092A; TWI491035B; JP2011222475A; KR20110113023A; EP2375467A3; US8686420B2; JP5645251B2

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底，包括限定在基底上的多个像素；薄膜晶体管(TFT)，位于每个像素处；阴极，电连接到TFT；有机发射层，位于阴极上；阳极，位于有机发射层上，阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法

技术领域

示例实施例总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，更具体地说，涉及一种具有改进的OLED结构的OLED显示器及其制造方法。

背景技术

有源矩阵式OLED显示器包括具有阳极、有机发射层和阴极的有机发光元件以及用于驱动有机发光元件的薄膜晶体管(TFT)。在有源矩阵式OLED显示器中，从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机发射层中结合以产生激子，通过在激子从激发态降至基态时产生的能量来发射光。OLED显示器通过这种发光来显示图像。

有机发光元件可被形成为使得有机发射层和阴极可顺序地堆叠在与TFT连接的阳极上。在这种结构中，由于阳极与TFT连接，所以TFT是p型TFT，因此，TFT的半导体层由例如通过结晶工艺形成的多晶硅制成。

然而，在这种情况下，不容易执行或获得均匀的结晶，因而这样形成的半导体层的特性会不均匀。因此，具有这种不均匀的半导体层的OLED显示器会具有不均匀的发光特性，和/或该OLED显示器会变得有缺陷。如果OLED显示器的尺寸增大，则该问题将变得更加严重。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，因此可能包含在本国中的本领域技术人员已经知道的不构成现有技术的信息。

发明内容

因此，实施例涉及一种OLED显示器及其制造方法，该OLED显示器及其制造方法基本克服了由于现有技术的局限性和缺点导致的一个或多个问题。

因此，实施例的特征在于提供一种具有改进的阳极结构的OLED显示器。

因此，实施例的另一特征在于提供一种具有改进的阳极结构而不损坏有机发射层的OLED显示器的制造方法。

上述和其它特征和优点中的至少一个可通过提供一种OLED显示器来实现，所述OLED显示器包括：基底，在基底上限定有多个像素；TFT，位于每个像素处；阴极，电连接到TFT；有机发射层，位于阴极上；阳极，位于有机发射层上。阳极可包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

辅助层可包含氧化钨、氧化钼、富勒烯(C60)、铜酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、苝四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F₁₆CuPc)中的至少一种。导电层可包括银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种。绝缘层可包括氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种。

这里，辅助层可包含氧化钨，导电层可包含银，并且绝缘层可包含氧化钨。

这里，辅助层可通过堆叠包含能级低于构成有机发射层的层的材料的能级的低能级材料层以及包含偶极材料的偶极材料层来形成。低能级材料层可包含氧化钨。偶极材料层可包含氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、苝四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F₁₆CuPc)中的至少一种。

导电层可具有范围从大约8nm至大约24nm的厚度。绝缘层可具有范围从大约30nm至大约80nm的厚度。低能级材料层可具有范围从大约5nm至大约40nm的厚度，偶极材料层可具有大约10nm或更小的厚度。

辅助层、导电层和绝缘层可通过热蒸发形成。

上述和其它特征和优点中的至少一个也可通过提供一种制造OLED显示器的方法来实现，所述方法包括以下步骤：准备具有形成在基底上的多个像素的基底；在每个像素处形成TFT；形成阴极，使得阴极与TFT电连接；在阴极上形成有机发射层；在有机发射层上形成阳极。在形成阳极的步骤中，辅助层、导电层和绝缘层可通过热蒸发顺序地形成在有机发射层上。

辅助层可包含氧化钨、氧化钼、富勒烯(C60)、铜酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、苝四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F₁₆CuPc)中的至少一种。导电层可包含银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种。绝缘层可包含氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种。这里，辅助层可包含氧化钨，导电层可包含银，绝缘层可包含氧化钨。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，上述和其它特征和优点对本领域技术人员来讲将变得更加清楚，在附图中：

图1示出了根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的布局图；

图2示出了沿图2中的线II-II截取的剖视图；

图3示出了图2中的部分“A”的放大图；

图4示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的阳极部分的放大图；

图5示出了根据示例性实施例的制造OLED显示器的方法的工艺流程图。

具体实施方式

现在将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

在附图中，为了示出的清楚，可夸大层和区域的尺寸。还应理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可直接在所述另一层或基底上，或者也可存在中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的元件。

现在将参照图1至图4描述根据示例性实施例的OLED显示器。图1示出了根据示例性实施例的OLED显示器的布局图，图2示出了沿图1中的线II-II截取的剖视图。

如图1和图2所示，根据本示例性实施例的OLED显示器101可包括形成在限定在基底主体111上的多个像素中的每个像素处的开关薄膜晶体管(TFT)10、驱动TFT 20、存储电容器80和有机发光元件70(例如，OLED70)。OLED显示器101还可包括沿一个方向设置的栅极线151、与栅极线151交叉并与栅极线151绝缘的数据线171以及共电源线172。

这里，可由栅极线151、数据线171和共电源线172作为边界来限定各个像素，然而示例实施例不必局限于此。

缓冲层120可以额外地形成在基底主体111、开关TFT 10以及有机发光元件70等之间。缓冲层120用于使表面平滑同时防止不必要的组分(例如，杂质元素或湿气)的侵入。然而，缓冲层120不是必需的，并且可以根据基底主体111的类型和加工条件而省略。

有机发光元件70可包括：阴极710；有机发射层720，形成在阴极710上；阳极730，形成在有机发射层720上。这里，一个或更多个阴极710形成在每个像素处，因而OLED显示器101可具有多个单独的阴极710。当激子(即，由注入到有机发射层720中的空穴和电子结合而产生)从激发态降至基态时，发射光。

有机发射层720可包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。有机发射层720可形成为包括发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个的单层或多层结构。例如，如果有机发射层720包括上述层中的全部层，则EIL可设置在阴极710上，并且ETL、有机发射层、HTL和HIL可顺序地堆叠在EIL上。

应该注意的是，在本示例性实施例中，使用了倒置的结构，其中阴极710连接到驱动TFT 20，并且有机发射层720和阳极730顺序地堆叠在阴极710上。随后，将参照图3详细描述该倒置的结构。

存储电容器80包括设置有层间绝缘层160的一对存储板158和178，层间绝缘层160置于存储板158和178之间。这里，层间绝缘层160是介电材料。通过在充入到存储电容器80以及一对存储板158和178中的电荷之间形成的电压来确定电容。

开关TFT 10包括开关半导体层131、开关栅极152、开关源极173和开关漏极174。驱动TFT 20包括驱动半导体层132、驱动栅极155、驱动源极176和驱动漏极177。在本示例性实施例中，开关半导体层131和开关栅极152被形成为在它们之间设置栅绝缘层140，驱动半导体层132和驱动栅极155被形成为在它们之间设置栅绝缘层140。开关半导体层131、开关源极173和开关漏极174通过形成在栅绝缘层140和层间绝缘层160处的接触孔连接，驱动半导体层132、驱动源极176和驱动漏极177通过形成在栅绝缘层140和层间绝缘层160处的接触孔连接，然而示例实施例不限于这种结构。

开关TFT 10用作用于选择发光的像素的开关元件。开关栅极152连接到栅极线151，并且开关源极173连接到数据线171。开关漏极174被设置为与开关源极173分隔开并与一个存储板158连接。

驱动TFT 20将用于在选定的像素内使有机发光元件70的有机发射层720发光的驱动功率施加到阴极710。驱动栅极155与连接到开关漏极174的存储板158连接。驱动源极176和另一存储板178与共电源线172连接。驱动漏极177通过平坦化层180的接触孔连接到有机发光元件70的阴极710。然而，示例实施例不限于此，可不形成平坦化层180，例如，驱动漏极177和阴极710可形成在同一层上。与各个像素对应的阴极710通过像素限定膜190被保持为彼此绝缘。

利用这种结构，开关TFT 10由施加到栅极线151的栅电压操作，以将施加到数据线171的数据电压传输到驱动TFT 20。对应于由共电源线172施加到驱动TFT 20的共电压与从开关TFT 10施加的数据电压之间的差的电压被存储在存储电容器80中，与存储在存储电容器80中的电压对应的电流通过驱动TFT 20流至有机发光元件70，以使有机发光元件70能够发光。

现在将参照图2和图3详细描述根据本示例性实施例的有机发光元件70。图3示出了图2中的部分“A”的放大图。

在本示例性实施例中，如上所述，有机发光元件70可包括倒置的结构。因此，阴极710可连接到驱动TFT 20，有机发射层720和阳极730可顺序地堆叠在阴极710上，即，阴极710可在有机发射层720和驱动TFT 20之间。

如图2中所示，驱动半导体层132包括沟道区135以及源区136和漏区137，在沟道区135上未掺杂杂质，源区136和漏区137位于沟道区135的两侧并具有掺杂在其中的杂质。在本示例性实施例中，由于阴极710连接到驱动TFT 20，所以源区136和漏区137可掺杂有n型杂质。按这种方式，由于本示例性实施例具有倒置的结构，所以TFT(例如，驱动TFT 20)可被形成为n型TFT。

因此，开关半导体层131和驱动半导体层132可由不需要结晶工艺的氧化物半导体材料制成。因此，可省略结晶工艺并且可改善半导体层的形成的稳定性。

参照图3，在本示例性实施例中，阳极730可包括位于有机发射层720上(例如，直接位于有机发射层720上)的辅助层732，以帮助空穴注入到有机发射层720中。此外，阳极730可包括位于辅助层732上(例如，直接位于辅助层732上)的导电层734以及位于导电层734上(例如，直接位于导电层734上)的绝缘层736。

这里，辅助层732用于帮助空穴从阳极730注入到有机发射层720(或有机发射层720的空穴注入层)中。即，在本示例性实施例中，辅助层732可由能够调节导电层734和有机发射层720之间的能垒的材料制成。因此，辅助层732可置于导电层734和有机发射层720之间，以促使空穴从导电层734注入到有机发射层720中。

辅助层732可包含能级低于有机发射层720(或有机发射层720的空穴注入层)的能级的材料或偶极材料。例如，辅助层732可以基本上由具有低能级的材料组成(例如，可仅由具有低能级的材料制成)，或者辅助层732可以基本上由偶极材料组成(例如，可仅由偶极材料制成)。在另一示例中，辅助层723可同时包括具有低能级的材料和偶极材料。在又一示例中，如图4中所示，可通过堆叠偶极材料层733a和具有低能级的材料层733b来形成辅助层733。

具有比有机发射层720(或有机发射层720的空穴注入层)的能级低的能级的材料的示例可包括氧化钨等。偶极材料的示例可包括氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、苝四羧酸二酐(PTCDA)、十六氟代酞菁铜(F₁₆CuPc)等中的至少一种。这里，上述材料(例如，TCNQ、TTC、NTCDA、PTCDA和F₁₆CuPc等)可以容易地吸引电子，从而上述材料可以促使空穴注入到有机发射层720中。

形成在辅助层732上的导电层734可由具有良好导电性的材料制成。因此，导电层734可降低阳极730的电阻。例如，导电层734可由具有良好导电性的金属材料(例如，银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种)制成。

位于导电层734上的绝缘层736用于调节从OLED显示器101发射的光的透射率。绝缘层736可由诸如氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨的无机材料或者有机材料制成。这里，由于氧化钨具有高的透射率，所以绝缘层736可由氧化钨制成以具有较高的透射率。有机材料的示例可包括但不限于诸如官能化的喹啉铝(Alq3)的低分子有机材料等。无机材料的示例可包括但不限于例如氧化硅、氮化硅等。

因此，如上所述，阳极730可被构造为包括：辅助层732，帮助空穴注入；导电层734，降低电阻；绝缘层736，调节光透射率。因此，由于辅助层732帮助空穴注入到有机发射层720中，所以可提高OLED显示器101的发光效率。另外，阳极730可因导电层734的低电阻而具有低电阻。此外，由于辅助层732、导电层734和绝缘层736被顺序地堆叠形成阳极730，所以电阻被并联连接，从而进一步降低阳极730的电阻。因此，可提高OLED显示器101的发光效率并且可防止因电压降(IR降)而导致的面板亮度不均匀现象的出现。

另外，可通过用于调节透射率的绝缘层736来提高从OLED显示器101发射的光的透射率。另外，由于由具有良好反射率的材料制成的导电层734位于辅助层732和绝缘层736之间，所以可发生多次反射。结果，可改善由于微腔的输出耦合(out-coupling by microcavity)。因此，可进一步提高OLED显示器101的发光效率。

结果，在本示例性实施例中，由于阳极730包括辅助层732、导电层734和绝缘层736，所以可改善OLED显示器101的发光特性和发光效率。

这里，还可通过限制辅助层732、导电层734和绝缘层736的厚度来改善阳极730的特性。例如，当辅助层732由具有低能级的材料制成时，辅助层732可具有大约5nm至大约40nm的厚度范围，例如，厚度为大约10nm。如果辅助层732的厚度超过40nm，则辅助层732的空穴注入特性会劣化，而如果辅助层732的厚度小于5nm，则工艺稳定性会劣化，即，使得难以形成薄膜。在另一示例中，当辅助层732由偶极材料制成时，辅助层732的厚度可为大约10nm或更小以呈现偶极特性。在又一示例中，参照图4，当辅助层733包括偶极材料层733a和具有低能级的材料层733b时，基于上述原因，偶极材料层733a可具有大约10nm或更小的厚度，具有低能级的材料层733b可具有范围从大约5nm至大约40nm的厚度。

可通过调节导电层734的厚度来调节阳极730的电阻和透射特性。即，可通过增大导电层734的厚度来降低电阻，因此，可改善阳极730的电学特性。可通过减小导电层734的厚度来提高阳极730的透射率。通过减小导电层734的厚度，OLED显示器101也可被用作透明显示器。

同时考虑到电阻和透射特性，导电层734可具有范围从大约8nm至大约24nm的厚度。如果导电层734的厚度超过24nm，则阳极730的透射率会过低。如果导电层734的厚度小于8nm，则阳极730的电阻会过高。当意图进一步改善电阻特性时，导电层734可形成为具有范围从大约16nm至大约24nm的厚度。当意图进一步改善透射率时，导电层734可形成为具有范围从大约8nm至大约16nm的厚度。

绝缘层736可被形成为具有使光效率最大化的厚度。例如，绝缘层736可具有范围从大约30nm至大约80nm的厚度。当绝缘层736的厚度超过80nm或小于30nm时，光的波长会改变而使光学特性劣化。

在本示例性实施例中，构成阳极730的辅助层732、导电层734、绝缘层736可由能够通过热蒸发来沉积的材料制成。因此，可防止在形成阳极730时使有机发射层720损坏。现在将在下面参照图5更具体地描述这点。

图5示出了根据示例性实施例的制造OLED显示器的方法的流程图。如图5所示，根据本示例性实施例的制造OLED显示器的方法可包括：操作ST10，用于准备具有限定在其上的多个像素的基底；操作ST20，用于在每个像素处形成TFT；操作ST30，用于形成与TFT连接的阴极；操作ST40，用于在阴极上形成有机发射层；操作ST50，用于在有机发射层上形成阳极。应该注意的是，各种传统的方法可被应用于操作ST10至操作ST40，因此，将省略对它们的详细描述。

在本示例性实施例中，在用于形成阳极的操作ST50中，可通过热蒸发顺序地形成辅助层(图3中的732或图4中的733)、导电层(图3和图4中的734)和绝缘层(图3和图4中的736)。

在本示例性实施例中，辅助层732和733可由例如氧化钨、氧化钼、富勒烯或铜酞菁等制成，导电层734可由例如银、铝、铬、钐或它们的合金制成，绝缘层736可由诸如氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨的无机材料或者有机材料等制成。因此，由于构成阳极730的辅助层732或733、导电层734以及绝缘层736由可通过热蒸发形成的材料制成，所以可通过热蒸发顺序地形成辅助层732或733、导电层734以及绝缘层736。

用于热蒸发法的热蒸发设备可包括用于接收或容纳沉积材料的蒸发皿(boat)或坩埚以及用于加热蒸发皿或坩埚的热丝(或加热射线)。随着容纳在蒸发皿或坩埚中的沉积材料被热丝蒸发，可在有机发射层720上分别形成辅助层732或733、导电层734以及绝缘层736。例如，可通过热蒸发在大约800℃或更高的温度下处理氧化钨来形成辅助层732或733，可通过热蒸发在大约1000℃或更高的温度下处理银来形成导电层734，可通过热蒸发在大约800℃或更高的温度下处理氧化钨来形成绝缘层736。在上面的情况下，氧化钨可具有大约99.9％的纯度，银可具有大约99.999％的纯度。

按这种方式，当通过热蒸发形成阳极730时，例如，与通过溅射形成阳极相比，可形成阳极730而不损坏有机发射层720。即，在本示例性实施例中，即使有机发光元件70具有倒置的结构，阳极730也可被形成为表现出优良的特性而不损坏有机发射层720。

现在将参照实验性示例和对比示例来更详细地描述示例实施例。然而，这些仅仅是说明性的，并且不意图将示例实施例限制于此。

实验性示例

以800℃热蒸发氧化钨以形成厚度为40nm的辅助层。接下来，以1000℃将银热蒸发到辅助层上以形成厚度为12nm的导电层。接下来，以800℃热蒸发氧化钨以在导电层上形成厚度为40nm的绝缘层，从而制造阳极。按这种方式，将导电层的厚度变为16nm、24nm、29nm、40nm和50nm。

对比示例

溅射氧化铟锡(ITO)以形成阳极。

测量根据实验性示例制造的阳极的表面电阻并将其在下面的表1中示出，测量根据对比示例制造的阳极的表面电阻为10Ω/m²。

表1

应该注意的是，根据实验性示例制造的阳极表现出与根据对比示例制造的阳极相似或更小的表面电阻。具体地说，应该注意的是，与根据对比示例制造的阳极相比，具有厚度为16nm或更大的导电层的阳极具有优良的表面电阻。

根据示例性实施例的OLED显示器可包括有机发光元件，该有机发光元件具有连接到TFT的阴极以及具有辅助层、导电层和绝缘层的阳极。阳极的结构可提高亮度、降低电阻并提高透射率。因此，OLED显示器可具有优良的发光效率和发光特性。此外，由于通过热蒸发来形成阳极的辅助层、导电层和绝缘层，所以可防止有机发射层在形成阳极的工艺中被损坏。

相反，当传统的有机发光元件具有倒置的结构(即，阴极、有机发射层和阳极顺序地堆叠的结构)时，阴极与TFT连接以形成n型TFT。在这种情况下，通过溅射透明导电材料(例如，氧化铟锡(ITO)等)来形成阳极。然而，有机发射层会在溅射工艺过程中被损坏。另外，由于传统的阳极的ITO具有高电阻，所以会出现电压降(IR降)现象，从而导致不均匀的亮度。另外，在这种大尺寸OLED显示器中，显示器的中间部分可能没有被照亮。

<标号的描述>

720：有机发射层 732：辅助层

734：导电层 736：绝缘层

已经在此公开了示例性实施例，虽然使用了特定的术语，但是使用的这些术语仅以一般的和描述性的意义解释，而不出于限制的目的。因此，本领域普通技术人员应该理解，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

基底，包括限定在基底上的多个像素；

薄膜晶体管，位于每个像素处；

阴极，电连接到薄膜晶体管；

有机发射层，位于阴极上；

阳极，位于有机发射层上，阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，辅助层包含氧化钨、氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、苝四羧酸二酐和十六氟代酞菁铜中的至少一种。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，导电层包含银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，辅助层包含氧化钨，导电层包含银，绝缘层包含氧化钨。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，辅助层包括低能级材料层和偶极材料层的堆叠结构，低能级材料层包含能级低于有机发射层的能级的材料，偶极材料层包含偶极材料。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，低能级材料层包含氧化钨，偶极材料层包含氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、苝四羧酸二酐和十六氟代酞菁铜中的至少一种。

8.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，低能级材料层具有范围在5nm至40nm的厚度，偶极材料层具有10nm或更小的厚度。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，导电层具有范围在8nm至24nm的厚度。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，绝缘层具有范围在30nm至80nm的厚度。

11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，辅助层、导电层和绝缘层顺序地堆叠在有机发射层上。

12.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括以下步骤：

准备基底，在基底上限定有多个像素；

在每个像素处形成薄膜晶体管；

形成阴极，使得阴极电连接到薄膜晶体管；

在阴极上形成有机发射层；

在有机发射层上形成阳极，阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，辅助层由氧化钨、氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷、氯化三苯基四唑、萘四羧酸二酐、苝四羧酸二酐和十六氟代酞菁铜中的至少一种形成。

14.如权利要求12所述的方法，其中，导电层由银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种形成。

15.如权利要求12所述的方法，其中，绝缘层由氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种形成。

16.如权利要求12所述的方法，其中，辅助层由氧化钨形成，导电层由银形成，绝缘层由氧化钨形成。

17.如权利要求12所述的方法，其中，辅助层、导电层和绝缘层通过热蒸发顺序地形成在有机发射层上。