CN102592749A - 表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 - Google Patents
表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102592749A CN102592749A CN2012100598228A CN201210059822A CN102592749A CN 102592749 A CN102592749 A CN 102592749A CN 2012100598228 A CN2012100598228 A CN 2012100598228A CN 201210059822 A CN201210059822 A CN 201210059822A CN 102592749 A CN102592749 A CN 102592749A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- conductive film
- transparent conductive
- self assembly
- electric conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 18
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims abstract description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 8
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 claims description 4
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzene-1,2,3,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C1C1=CC=CC=C1 CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 5-[4-[2-[4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC2=CC=C(C=C2)C(C)(C=2C=CC(OC=3C=C4C(=O)OC(=O)C4=CC=3)=CC=2)C)=C1 MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 abstract 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 abstract 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,它涉及石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有柔性导电薄膜中柔性衬底与沉积层粘附力弱,无机导电层与有机基底不相容的技术问题。方法:一、将氧化石墨分放入N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮中,超声分散,加入还原剂,还原反应,获得石墨烯有机溶液体系;二、将二酐单体和二胺单体加入N,N-二甲基乙酰胺中,惰性气氛中搅拌,得到PAA溶液;三、将石墨烯有机溶液体系和PAA溶液混合,搅拌,再涂在洁净干燥的玻璃板上,溶剂挥发,固化。本发明制备的石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的表面电阻为10~20Ω,在可见光波段和近红外波段具有良好的光透过率。
Description
技术领域
本发明涉及石墨烯聚酰亚胺透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜。目前包括:金属系、氧化物膜系(TCO)、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等,其中应用最为广泛的是前两种。透明导电膜由于其在范围内的高透射比以及接近金属的导电率,广泛用于光电器件(如LED,薄可见光膜太阳能电池等)的窗口材料等领域。常见的透明导电薄膜为ITO(锡掺杂三氧化铟)、AZO(铝掺杂氧化锌)等,它们的禁带宽度大,只吸收紫外光,不吸收可见光,因此称之为“透明”。目前应用的主要的导电薄膜一般是在硬质材料(如玻璃和陶瓷)等衬底上通过沉积技术制备得到的。但硬质材料由于其本身材质较脆以及不易变形等缺点,同时,在红外波段吸收较强,限制了该导电薄膜的应用范围。
近几年来,随着半导体工艺水平的发展,电子元器件的小型化和轻便化,与硬质材料相对比的柔性导电薄膜材料的研究越来越受到人们广泛的关注。而柔性衬底相对于硬质衬底来说,具有可挠曲、重量轻、不易破碎、易于大面积生产、便于运输、设备投资少等优点。
柔性透明导电膜可通过真空溅射方法、化学气相沉积等沉积方法在有机柔性衬底膜片上沉积含银等金属的高导表面。具有极高透明度,克服常规屏蔽玻璃透明度低的缺点,同时膜片很薄,可以直接贴覆在常规玻璃或有机玻璃表面,实现EMI电磁干扰屏蔽,由于膜片本身带有保护层,可以在恶劣的工作环境中工作。但是有机柔性衬底最致命的缺点就是不耐高温,对氧气和水蒸气的阻隔性能差。并且制备的导电薄膜表面的导电层与柔性衬底的界面结合力弱。而且在柔性导电薄膜制备过程中柔性衬底表面的部分沉积技术无法工业化连续生产,并且膜的制备受很多因素的限制,因此不利于生产大面积、粘附力好的柔性透明导电薄膜。
表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法是一种气液相界面纳米片层自组装成导电层得技术,在聚酰亚胺薄膜制备过程中,可以同步获得表面透明导电层。不仅克服了透明导电层与基体之间的界面残余应力,同时二者同时成型,效率提高,有利于产业化和减少成本。同时石墨烯作为未来微电子工业和尖端技术的重要支撑,其应用前景可以应用到柔性太阳能电池、大型触摸屏、太空飞船舱体和电子计算机等诸多领域。
发明内容
本发明要解决现有柔性导电薄膜中柔性衬底与沉积层粘附力弱,无机导电层与有机基底的不相容的技术问题;而提供表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法。
本发明中表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法是按下述步骤进行的:
步骤一、将0.05~0.1g质量纯度为99.9%以上的氧化石墨分放入100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)或N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,超声分散60min,然后加入还原剂,在120~130℃条件下进行还原反应1~2小时,获得石墨烯有机溶液体系(石墨烯有机溶液体系在室温下保存其大于30天);
步骤二、将0.02mol芳香二酐单体(二酐单体可以选择均苯四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、二苯醚四甲酸二酐、双酚A二酐、四甲酸二苯酮二酐,六氟亚异丙基-邻苯四甲酸二酐等)和0.02mol芳香二胺单体(二胺单体可以选择对苯二胺、二氨基二苯醚、二氨基二苯醚、二氨基二苯甲烷等单体)逐步加入到100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)溶剂中,在惰性气氛(N2、Ar或He等气氛)中机械搅拌5小时(特性粘度达到40dL/g),从而得到PAA溶液;
步骤三、将步骤一获得的石墨烯有机溶液体系和步骤二获得的PAA溶液按质量比为(0.1~1)∶10混合均匀,然后在惰性气氛(N2,Ar等气氛)中以300~1000r/min搅拌速度进行机械搅拌30min,再涂在洁净干燥的玻璃板上,然后在氮气气氛及50~70℃的温度下将控制气压恒定于101KPa(一个标准大气压),维持10~12小时(溶剂基本全部挥发),然后在300℃条件下固化1~3小时,获得石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜。
本发明的过程简单,工艺控制性好,可操作性强,降低了成本,便于市场化;界面结合牢固,改善了目前柔性导电薄膜中无机导电层与有机基底的不相容问题;工业化生产效率高,制备周期可以缩短到24小时以内,但是利用CVD的化学方法,获得同样质量的石墨烯薄膜需要一周以上的时间;与ITO等氧化物陶瓷透明导电薄膜相比,柔韧性好,这是由于无机材料与柔性基底结合力较差,而石墨烯透明导电层与聚酰亚胺是同步获得,界面处的内应力已经得到消除,而且两层界面随着温度改变时变形同步协调,不会出现无机-有机界面分离现象;降低制造成本,同时进行反复折叠使用,对未来柔性电子产品和高效率多层电池,电容等具有改变性作用;在可见光波段和近红外波段均具有良好的透过率。与一般柔性基体相比,使用温度范围较大。通常聚酯(PET)的使用温度范围小于150℃,而聚乙烯薄膜的使用温度也不过120℃,本方法制备聚酰亚胺为基底的透明导电薄膜最高使用温度在350℃以上可以在很宽的温度范围(-200~300度范围)使用,可以应用与地球南北极和太空等恶劣条件下,拓宽了透明导电材料的应用范围。本发明制备的石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的表面电阻为10~20Ω,当含量为0.5%时,表面电阻为10Ω左右,通常的聚酰亚胺薄膜表面电阻在1010Ω以上。
附图说明
图1是不同石墨烯质量分数的聚酰亚胺薄膜的表面电阻率分布图;图2是石墨烯表面导电层的透光率随光谱波长分布情况图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式,还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一:本实施方式中表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法是按下述步骤进行的:
步骤一、将0.05~0.1g质量纯度为99.9%以上的氧化石墨分放入100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)或N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,超声分散60min,然后加入还原剂,在120~130℃条件下进行还原反应1~2小时,获得石墨烯有机溶液体系(石墨烯有机溶液体系在室温下保存其大于30天);
步骤二、将0.02mol芳香二酐单体和0.02mol芳香二胺单体逐步加入到100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)溶剂中,在惰性气氛中机械搅拌5小时(特性粘度达到40dL/g),从而得到PAA溶液;
步骤三、将步骤一获得的石墨烯有机溶液体系和步骤二获得的PAA溶液按质量比为(0.1~1)∶10混合均匀,然后在惰性气氛中以300~1000r/min搅拌速度进行机械搅拌30min,再涂在洁净干燥的玻璃板上,然后在氮气气氛及50~70℃的温度下将控制气压恒定于101KPa(一个标准大气压),维持10~12小时(溶剂基本全部挥发),然后在300℃条件下固化1~3小时,获得石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:步骤一所述氧化石墨利是利用化学氧化法对天然鳞片石墨进行氧化获得的。其它步骤和参数与具体实施方式一相同
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:步骤一所述还原剂为肼或硼氢化钠,肼的用量为1mL,硼氢化钠的用量为0.1g。其它步骤和参数与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:步骤一在125℃条件下进行还原反应。其它步骤和参数与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:步骤二所述惰性气氛为N2气氛、Ar气氛或He气氛。其它步骤和参数与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:步骤二所述二酐单体为均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐(BPDA)、二苯醚四甲酸二酐、双酚A二酐、四甲酸二苯酮二酐或者六氟亚异丙基-邻苯四甲酸二酐。其它步骤和参数与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是:步骤二所述二胺单体为对苯二胺、4,4-二苯醚二胺(MDA)、二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯醚(ODA)或二氨基二苯甲烷。其它步骤和参数与具体实施方式一至六之一相同。
采用下述试验验证发明效果:
试验一:表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法是按下述步骤进行的:
步骤一、将0.05~0.1g质量纯度为99.9%的氧化石墨分放入100mL N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮中,超声分散60min,然后加入还原剂,在125℃条件下进行还原反应1.5小时,获得石墨烯混合物;
步骤二、将0.02mol3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐和0.02mol4,4-二苯醚二胺加入100mLN,N-二甲基乙酰胺(DMAC)中,在惰性气氛中机械搅拌5小时,得到PAA溶液;
步骤三、将步骤一获得的石墨烯混合物和步骤二获得的PAA溶液按1∶10质量比混合,然后在惰性气氛中以300r/min搅拌速度进行机械搅拌30min,再涂在洁净干燥的玻璃板上,然后在氮气气氛及60℃的温度下将控制气压恒定于101KPa直至溶剂挥发,然后在300℃条件下固化1~3小时,获得石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜。
由图1可知,石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的表面电阻为10~20Ω,当石墨烯的质量分数占聚酰亚胺薄膜含量为0.5%时,表面电阻为10Ω左右,通常的聚酰亚胺薄膜表面电阻在1010Ω以上。由图2可以看出,透明导电层在可见光波段和近红外波段均有较好的光学透过率,尤其是红外波段有很高的窗口,而目前广泛使用的ITO透明导电层在近红外波段是光学吸收的。
Claims (8)
1.表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法是按下述步骤进行的:
步骤一、将0.05~0.1g质量纯度为99.9%以上的氧化石墨分别放入100mL N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮中,超声分散60min,然后加入还原剂,在120~130℃条件下进行还原反应1~2小时,获得石墨烯有机溶液体系;
步骤二、将0.02mol二酐单体和0.02mol二胺单体加入100mL N,N-二甲基乙酰胺中,在惰性气氛中机械搅拌5小时,得到PAA溶液;
步骤三、将步骤一获得的石墨烯有机溶液体系和步骤二获得的PAA溶液按(0.1~1)∶10质量比混合,然后在惰性气氛中以300r/min~1000r/min搅拌速度进行机械搅拌30min,再涂在洁净干燥的玻璃板上,然后在氮气气氛及50~70℃的温度下将控制气压恒定于101KPa直至溶剂完全挥发,然后在300℃条件下固化1~3小时,获得石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤一所述氧化石墨利是利用化学氧化法对天然鳞片石墨进行氧化获得的。
3.根据权利要求2所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤一所述还原剂为肼或硼氢化钠,肼的用量为1mL,硼氢化钠的用量为0.1g。
4.根据权利要求3所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤一在125℃条件下进行还原反应。
5.根据权利要求4所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤二惰性气氛为氮气气氛、氩气气氛或氦气气氛。
6.根据权利要求5任一项权利要求所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤二所述二酐单体为均苯四甲酸二酐、3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐、二苯醚四甲酸二酐、双酚A二酐、四甲酸二苯酮二酐或者六氟亚异丙基-邻苯四甲酸二酐。
7.根据权利要求6所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤二所述二胺单体为对苯二胺、4,4-二苯醚二胺、二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯醚或二氨基二苯甲烷。
8.根据权利要求7所述表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤三惰性气氛为氮气气氛或氩气气氛。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201210059822 CN102592749B (zh) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201210059822 CN102592749B (zh) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102592749A true CN102592749A (zh) | 2012-07-18 |
CN102592749B CN102592749B (zh) | 2013-11-06 |
Family
ID=46481254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201210059822 Expired - Fee Related CN102592749B (zh) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102592749B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102815695A (zh) * | 2012-08-02 | 2012-12-12 | 许子寒 | 一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法 |
CN102978674A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-03-20 | 哈尔滨工业大学 | 具有光子晶体结构的电致变色薄膜的制备方法 |
CN103540131A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-01-29 | 哈尔滨工业大学 | 聚酰亚胺/石墨烯x射线窗口薄膜及其制备方法 |
CN103613927A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种聚酰亚胺/氟化石墨烯复合薄膜及其制备方法 |
US9017805B2 (en) | 2012-10-31 | 2015-04-28 | Korea Institute Of Science And Technology | Polyimide-graphene composite material and method for preparing same |
CN104716262A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 纳米片超薄膜作为中间层的有机太阳能电池 |
CN105130210A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-12-09 | 哈尔滨工业大学 | 三维有序大孔聚苯胺/碳复合电致变色薄膜的制备方法 |
CN106750295A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-05-31 | 常州大学 | 一类羟基型聚酰亚胺/石墨烯纳米复合材料及其制备方法 |
CN108314033A (zh) * | 2017-01-18 | 2018-07-24 | 北京化工大学 | 一种石墨化膜及其制备方法和应用 |
CN114618583A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-06-14 | 中国科学院理化技术研究所 | 用于在室温下快速高转化率催化Knoevenagel缩合反应的膜催化材料 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101462717A (zh) * | 2007-12-17 | 2009-06-24 | 三星电子株式会社 | 单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极 |
CN101859858A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 |
CN102324279A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法 |
US20120012796A1 (en) * | 2009-01-16 | 2012-01-19 | Yongsheng Chen | Conductive films based on graphene and process for preparing the same |
-
2012
- 2012-03-08 CN CN 201210059822 patent/CN102592749B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101462717A (zh) * | 2007-12-17 | 2009-06-24 | 三星电子株式会社 | 单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极 |
US20120012796A1 (en) * | 2009-01-16 | 2012-01-19 | Yongsheng Chen | Conductive films based on graphene and process for preparing the same |
CN101859858A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 |
CN102324279A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102815695A (zh) * | 2012-08-02 | 2012-12-12 | 许子寒 | 一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法 |
US9017805B2 (en) | 2012-10-31 | 2015-04-28 | Korea Institute Of Science And Technology | Polyimide-graphene composite material and method for preparing same |
CN102978674A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-03-20 | 哈尔滨工业大学 | 具有光子晶体结构的电致变色薄膜的制备方法 |
CN102978674B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-04-15 | 哈尔滨工业大学 | 具有光子晶体结构的电致变色薄膜的制备方法 |
CN103540131B (zh) * | 2013-10-10 | 2016-03-30 | 哈尔滨工业大学 | 聚酰亚胺/石墨烯x射线窗口薄膜的制备方法 |
CN103540131A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-01-29 | 哈尔滨工业大学 | 聚酰亚胺/石墨烯x射线窗口薄膜及其制备方法 |
CN103613927A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种聚酰亚胺/氟化石墨烯复合薄膜及其制备方法 |
CN103613927B (zh) * | 2013-11-26 | 2015-11-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种聚酰亚胺/氟化石墨烯复合薄膜及其制备方法 |
CN104716262A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 纳米片超薄膜作为中间层的有机太阳能电池 |
CN105130210A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-12-09 | 哈尔滨工业大学 | 三维有序大孔聚苯胺/碳复合电致变色薄膜的制备方法 |
CN105130210B (zh) * | 2015-07-13 | 2018-01-26 | 哈尔滨工业大学 | 三维有序大孔聚苯胺/碳复合电致变色薄膜的制备方法 |
CN108314033A (zh) * | 2017-01-18 | 2018-07-24 | 北京化工大学 | 一种石墨化膜及其制备方法和应用 |
CN106750295A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-05-31 | 常州大学 | 一类羟基型聚酰亚胺/石墨烯纳米复合材料及其制备方法 |
CN114618583A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-06-14 | 中国科学院理化技术研究所 | 用于在室温下快速高转化率催化Knoevenagel缩合反应的膜催化材料 |
CN114618583B (zh) * | 2022-03-24 | 2023-07-21 | 中国科学院理化技术研究所 | 用于在室温下快速高转化率催化Knoevenagel缩合反应的膜催化材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102592749B (zh) | 2013-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102592749B (zh) | 表面自组装石墨烯/聚酰亚胺透明导电薄膜的方法 | |
CN101812183B (zh) | 含无机纳米粉体的聚酰亚胺多层复合膜的制备方法 | |
CN103345963B (zh) | 一种石墨烯复合材料透明电极及其制备方法和应用 | |
CN102337513B (zh) | 石墨烯透明导电薄膜的制备方法 | |
CN107275494A (zh) | 一种柔性钙钛矿太阳能电池的刮涂制备方法 | |
CN102290477B (zh) | 一种基于石墨烯pn结的光伏电池及其制备方法 | |
CN102496642B (zh) | 太阳能电池背板及其制备方法 | |
WO2016026190A1 (zh) | 石墨烯导电聚合物导电胶的制备方法及该石墨烯导电聚合物导电胶 | |
CN106853966A (zh) | 利用石墨烯掺杂聚酰胺酸树脂制备高导热石墨膜的方法 | |
CN104319012B (zh) | 一种基于石墨烯的柔性电极制备方法 | |
CN105280840B (zh) | 一种柔性透明电极及其制备方法 | |
CN104085143A (zh) | 石墨烯复合导热膜的制备方法和产品 | |
CN104637570A (zh) | 柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
WO2016011683A1 (zh) | 石墨烯球导电胶的制备方法及该石墨烯球导电胶 | |
CN105206352B (zh) | 一种石墨烯透明导电薄膜及其制备方法 | |
KR20140139588A (ko) | 폴리이미드 필름의 제조방법 및 폴리이미드 필름 | |
WO2018040954A1 (zh) | 一种经光照烧结处理的pet/纳米银线透明导电膜的制备 | |
JP2011119068A (ja) | 色素増感型太陽電池用電極および色素増感型太陽電池 | |
CN111752061A (zh) | 用于柔性电致变色薄膜的准固态电解质及其制备方法 | |
CN106279740A (zh) | 一种树脂混合物、透明导电膜及其制备方法 | |
CN109116640B (zh) | 一种石墨烯调光膜及其制备方法 | |
CN101054267B (zh) | 一种ito薄膜的制备方法 | |
CN102385999B (zh) | 一种染料敏化太阳能电池的柔性复合对电极及其制备方法 | |
CN105807451A (zh) | 一种基于石墨烯/有机物复合透明导电薄膜的智能调光膜 | |
CN103695856B (zh) | 柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜及制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131106 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |