CN102576608A - 氧化还原电容器以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。

Description

氧化还原电容器以及其制造方法
技术领域
本发明涉及氧化还原电容器及其制造方法。
背景技术
电化学电容器已经在近年被研发。电化学电容器，在其范畴中，包括利用通过在电极以及电解质溶液之间的界面处静电地存储的正电荷和负电荷而形成的电容的双电层电容器(EDLC)，以及利用沿电极表面上的电子传输过程(法拉第过程)而存储的电容的氧化还原电容器。
使用诸如硫酸或盐酸、硫酸氢铯等之类的酸性液体溶液，作为氧化还原电容器的电解质(见专利文献1和专利文献2)。
[参考文献]
[专利文献1]日本公开专利申请No.2003-109875
[专利文献2]日本公开专利申请No.2007-123833
本发明的公开内容
然而，在使用酸性液体溶液作为氧化还原电容器的电解质的情况下，存在电极腐蚀的问题。此外，在使用硫酸氢铯作为氧化还原电容器的电解质的情况下，需要在高于或等于约143℃温度下使用硫酸氢铯：硫酸氢铯的结构相变在约143℃时发生。同时，对于室温下的使用，湿气是必然有的；因此，需要在湿度被增加的气氛中使用氧化还原电容器，这导致了氧化还原电容器尺寸增加的问题。
本发明的实施例的目的是提供可在室温被使用的氧化还原电容器以及其制造方法。
根据本发明的实施例，使用含有氢的非晶半导体作为氧化还原电容器的电解质。可使用非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗作为含有氢的非晶半导体。可使用含有氢的氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体。可给出氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)作为含有氢的非晶半导体。InMO3(ZnO)m(m＞0)的晶体可被包括在非晶结构中。进一步，镍可被包括在In-M-Zn-氧化物半导体中。当含有镍时，In-M-Zn-氧化物半导体中的氢的浓度可被减少。
根据本发明的实施例，用溅射法、CVD法、印刷法、溶凝胶法、浸涂法等来形成氧化还原电容器的电解质。在衬底或活性材料上沉积非晶半导体之后，在含有氢的气氛中执行加热，从而形成含有氢的非晶半导体作为电解质。可选地，在衬底或活性材料上沉积非晶半导体之后，通过离子掺杂方法或离子注入方法将氢添加到非晶半导体中，从而形成含有氢的非晶半导体作为电解质。
通过采用本发明的实施例，可制造出可在室温操作且具有简单结构的氧化还原电容器。
附图简述
在附图中：
图1是示出氧化还原电容器的结构的截面图；
图2A至图2C示出氧化还原电容器的充电机制；
图3A和3B是各自示出氧化还原电容器的结构的截面图；
图4A和4B是各自示出氧化还原电容器的结构的平面图；
图5A到5C是各自示出氧化还原电容器的结构的截面图；
图6A和6B是各自示出氧化还原电容器的结构的截面图；以及
图7示出氧化还原电容器的循环伏安图。
用于实现本发明的最佳模式
在下文中，将参考附图描述本发明的各实施例。注意，本发明不限于以下描述，而且本领域技术人员容易理解，此处公开的模式和细节可以各种方式修改，而不背离本发明的范围和精神。因此，本发明不应被解释为限于实施例的描述。在参考附图的描述中，在一些情况下，在不同附图中对于相同部分通常使用相同的参考标号。进一步，在一些情况下，对于类似部件应用相同的阴影图案，且类似部件并不必须用参考标号表示。
(实施例1)
在这个实施例中，将参考图1描述氧化还原电容器结构的实施例。
在衬底100上，含有第一集电器102、形成在第一集电器102上的第一活性材料104、形成在第一活性材料104上的电解质106、形成在电解质106上的第二活性材料108、以及形成在第二活性材料108上的第二集电器110。
对于衬底100，可使用玻璃、石英、诸如氧化铝之类的陶瓷、或塑料。可使用玻璃纤维增强塑料(FRP)板、聚氟乙烯(PVF)膜、聚酯膜、或丙烯酸类树脂膜作为塑料。
第一集电器102和第二集电器110之一用作正电极集电器，另一个用作负电极集电器。使用诸如铝、镍、钛、铜、金、银、铂、或钴之类的元素或者含有该元素的合金或组合物作为第一集电器102和第二集电器110。
可使用诸如活性碳之类的导电碳或者诸如聚苯胺、聚吩、或聚吡咯之类的导电聚合物作为第一集电器102和第二集电器110。
尽管在图1中没有示出，第一集电器102和第二集电器110之一连接至正电极端子和负电极端子之一，第一集电器102和第二集电器110之中另一个连接至正电极端子和负电极端子之中另一个。
第一活性材料104和第二活性材料108之一用作正电极活性材料，另一个用作负电极活性材料。
可使用氧化钌、氧化铱、氧化钴、氧化锰、氧化钨、氧化铌、氧化铁等作为第一活性材料104和第二活性材料108。
在使用诸如聚苯胺、聚吩、或聚吡咯之类的导电聚合物作为第一集电器102和第二集电器110的情况下，没有提供第一活性材料104和第二活性材料108的话，导电聚合物用作活性材料并用作集电器。
使用含有氢的固态非晶半导体形成电解质106。作为含有氢的非晶半导体的典型示例，可给出含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体。作为含有氢的非晶半导体的另一个示例，可给出含有氢的氧化物半导体，且典型地可给出包括诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒或氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体。进一步，通常可给出诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例：InMO3(ZnO)m(m＞0)的晶体可被包括在非晶结构中。进一步，镍可被包括在In-M-Zn-氧化物半导体中。当含有镍时，In-M-Zn-氧化物半导体中的氢的浓度可被减少。
作为上述的可选示例，可使用In-Sn-氧化物半导体、In-Sn-Zn-氧化物半导体、In-Al-Zn-氧化物半导体、Sn-Ga-Zn-氧化物半导体、Al-Ga-Zn-氧化物半导体、Sn-Al-Zn-氧化物半导体、In-Zn-氧化物半导体、Sn-Zn-氧化物半导体、或Al-Zn-氧化物半导体作为含有氢的氧化物半导体。另外，氧化硅可被包含在上述金属氧化物中。
含有氢的氧化物半导体可以是氢氧化物。氢氧化物的优选的氢的数量取决于金属的种类。
注意，可围绕氧化还原电容器提供保护层112。可使用氮化硅、类金刚石碳(DLC)、氧化硅等作为保护层112。围绕氧化还原电容器提供保护层112能使氧化还原电容器稳定操作且减少劣化。
将在下文描述本实施例中描述的氧化还原电容器的充电和放电机制。下文所作的描述中，使用的是其中用含有氢的氧化物半导体(M表示金属且O表示氧气)形成电解质的氧化还原电容器。
在充电反应的情况下，当从外部对氧化还原电容器施加电压时，如图2A所示的结合至O1的H400被重新排列为如图2B中所示，且然后形成如图2C中所示的与O2的键合。通过施加电压给含有氢的非晶半导体，非晶半导体中正电极侧的氢通过质子跳跃扩散，并转移至负电极。电子从正电极转移至负电极；因此，可执行充电。由于非晶半导体相比晶体半导体含有更多缺陷，在非晶半导体中更可能导致氢的质子跳跃。
在放电反应的情况下，以与充电反应相反的顺序进行这个反应，即，以图2C、图2B、以及图2A的顺序。换言之，在非晶半导体中负电极侧的氢通过质子跳跃扩散，并转移至正电极，且电子从负电极流向正电极；以此方式，电流流动。
注意，在非晶半导体是非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗的情况下，由于其中含有很多缺陷，氢以类似方式通过穿过这些缺陷的质子跳跃在电极之间转移；因此，可执行充电和放电。
如上所述，通过使用含有氢的非晶半导体作为电解质可制造氧化还原电容器。
(实施例2)
在这个实施例中，将参考图3A和3B描述不同于实施例1中的结构的氧化还原电容器的结构。
图3A中示出的氧化还原电容器包括形成在衬底120上的电解质126、形成在电解质126上的第一活性材料124和第二活性材料128、形成在第一活性材料124上的第一集电器122、以及形成在第二活性材料128上的第二集电器130。
图3B中示出的氧化还原电容器包括形成在衬底140上的第一集电器142和第二集电器150、形成在第一集电器142上的第一活性材料144、形成在第二集电器150上的第二活性材料148、以及覆盖了第一集电器142和第二集电器150的侧表面以及第一活性材料144和第二活性材料148的顶部表面和侧表面的电解质146。
可使用与实施例1中描述的第一集电器102和第二集电器110类似的材料形成图3A和3B中示出的第一集电器122和142以及第二集电器130和150。
可使用与实施例1中描述的第一活性材料104和第二活性材料108类似的材料形成图3A和3B中示出的第一活性材料124和144以及第二活性材料128和148。
可使用与实施例1中描述的电解质106类似的材料形成图3A和3B中示出的电解质126和146。
注意，可围绕氧化还原电容器提供保护层132和保护层152。可使用与实施例1中描述的保护层112类似的材料形成保护层132和152。
图4A和4B是示出图3A中所示的氧化还原电容器的平面图。
如图4A中所示，可将第一集电器122和第二集电器130设置为平行于彼此。可选地，第一集电器122和第二集电器130可具有如图4B中所示的梳形。当第一集电器122和第二集电器130以此方式被设置为平行或具有梳形时，第一集电器122和第二集电器130之间的面对区域可被增加，藉此可增加氧化还原电容器的放电电容。
第一集电器122连接至正电极端子和负电极端子中的一个136，第二集电器130连接至正电极端子和负电极端子中的另一个134。集电器与正或负电极端子的连接方法并不受限制，且可适当地改变集电器与正电极端子和负电极端子的组合。
注意，图3B中所示的氧化还原电容器的第一集电器142和第二集电器150也可被设置为与图4A和4B中所示的形状中的一个相类似的形状。
(实施例3)
在这个实施例中，将结合图5A到5C而描述相比实施例1和2的那些氧化还原电容器更能增加电容的氧化还原电容器。在这个实施例中所描述的氧化还原电容器其特征在于形成在衬底上的第一集电器或电解质具有凸出和凹入的形状。
图5A中所示的氧化还原电容器包括形成在衬底160上的具有凸出和凹入形状的第一集电器162、形成在第一集电器162上的第一活性材料164、形成在第一活性材料164上的电解质166、形成在电解质166上的第二活性材料168、以及形成在第二活性材料168上的第二集电器170。
图5B中示出的氧化还原电容器包括形成在衬底180上的具有凸出和凹入形状的电解质186、形成在电解质186上的第一活性材料184和第二活性材料188、形成在第一活性材料184上的第一集电器182、以及形成在第二活性材料188上的第二集电器190。
图5C中示出的氧化还原电容器包括形成在衬底200上的每一个都具有凸出和凹入形状的第一集电器202和第二集电器210、形成在第一集电器202上的第一活性材料204、形成在第二集电器210上的第二活性材料208、以及覆盖了第一集电器202和第二集电器210的侧表面以及第一活性材料204和第二活性材料208的顶部表面和侧表面的电解质206。
可使用与实施例1中描述的第一集电器102和第二集电器110类似的材料形成图5A到5C中示出的第一集电器162、182和202以及第二集电器170、190和210。
可使用与实施例1中描述的第一活性材料104和第二活性材料108类似的材料形成图5A到5C中示出的第一活性材料164、184和204以及第二活性材料168、188和208。
可使用与实施例1中描述的电解质106类似的材料形成图5A到5C中示出的电解质166、186和206。
注意，可提供保护层172、保护层192、以及保护层212来覆盖氧化还原电容器。可使用与实施例1中描述的保护层112类似的材料形成保护层172、192和212。
当形成在衬底上的集电器具有凸出和凹入形状，活性材料和电解质(其堆叠在集电器之上)之间的接触面积被增加。进一步，当形成在衬底上的电解质具有凸出和凹入形状时，电解质和形成在电解质上的活性材料之间的接触面积被增加。相应地，相比于实施例1和2的情况，可增加氧化还原电容器的放电电容。
(实施例4)
在这个实施例中，将描述氧化还原电容器的制造方法。在这个实施例中，将描述在实施例1中所描述的氧化还原电容器的制造方法。
如图1中所示，在衬底100上形成第一集电器102。通过溅射法、蒸镀法、电镀法、印刷法、CVD法、喷墨法、等形成第一集电器102。
接着，在第一集电器102上形成第一活性材料104。第一活性材料104可通过溅射法、蒸镀法、印刷法等形成。
接着，在第一活性材料104上形成电解质106。通过溅射法、CVD法、印刷法、溶凝胶法、浸涂法、喷墨法、等形成电解质106。
在使用溅射法形成电解质的情况下，使用含有氢的半导体作为靶且使用稀有气体或稀有气体和氢作为溅射气体而执行溅射；因此，可在第一活性物质104上沉积含有氢的非晶半导体。注意，在使用氢作为溅射气体的情况下，靶并不需要一定含有氢。一般地，使用含有氢的硅靶、含有氢的锗靶、或含有氢的硅锗靶，并使用稀有气体和/或氢作为溅射气体而执行溅射，从而沉积非晶硅、非晶锗、或非晶硅锗。可选地，在溅射中，使用含有氢的氧化锌、含有氢的氧化钛、含有氢的氧化镍、含有氢的氧化钒、含有氢的氧化铟、或者含有氢的In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)作为靶，使用稀有气体和/或氢作为溅射气体从而在第一活性物质104上沉积含有氢的非晶半导体。注意，在使用氢作为溅射气体的情况下，靶并不需要一定含有氢。可使用反应溅射。一般，使用锌、钛、镍、钒、铟、或者In-M-Zn(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)作为靶，且使用稀有气体和氧、或者稀有气体、氧、以及氢作为溅射气体；因此，可在第一活性物质104上沉积含有氢的非晶半导体。注意，在靶中包括氢的情况下，并不一定必须使用氢作为溅射气体。
进一步，在使用CVD法形成电解质106的情况下，使用含有氢原子的气体作为CVD法中的源气；因此，可在第一活性物质104上沉积含有氢的非晶半导体。一般，可使用等离子CVD法，用硅烷、乙硅烷、和/或锗烷，在第一活性物质104上沉积含有氢的非晶半导体。注意，可使用氢或氢和稀有气体作为源气。
然后，在电解质106上形成第二活性材料108。可以用与第一活性材料104类似的方式形成第二活性材料108。
接着，在第二活性材料108上形成第二集电器110。可以用与第一集电器102类似的方式形成第二集电器110。
然后，通过溅射法、CVD法等形成保护层112。进一步，可附着粘合片。
通过上述步骤，可制造氧化还原电容器。
尽管在这个实施例中描述了具有实施例1的结构的氧化还原电容器的制造方法，可将这个实施例合适地应用于具有实施例2和3的结构的氧化还原电容器的制造方法。在实施例2的在图3A和3B的氧化还原电容器和实施例3的在图5B和5C的氧化还原电容器中，可同时形成第一集电器和第二集电器。此外，可同时形成第一活性材料和第二活性材料。因此，可减少制造氧化还原电容器的制造步骤的数量。
在实施例3中所描述的，具有凸出和凹入形状的第一集电器162、具有凸出和凹入形状的电解质186、以及每一个均具有凸出和凹入形状的第一集电器202和第二集电器210，可被如此形成：在衬底上形成薄膜、以光刻工艺在该薄膜上形成具有凸出和凹入形状的抗蚀剂掩模，并使用该抗蚀剂掩模各向异性地蚀刻在该衬底上的薄膜。注意，可在使用半色调掩模或灰色调掩模的光刻工艺中形成具有凸出和凹入形状的抗蚀剂掩模。可选地，可使用分档器(stepper)通过缩小的投影的曝光而形成具有凸出和凹入形状的抗蚀剂掩模。
在这个实施例中，使用半导体制造装置可在一个衬底上制造多个氧化还原电容器，这样可增加生产力。
(实施例5)
在这个实施例中，将描述电解质106的制造方法，其不同于实施例4中的方法。
这个实施例特征在于，在第一活性物质104上形成非晶半导体之后，将氢添加到非晶半导体中。一般，在第一活性物质104上沉积非晶半导体之后，在氢气氛中执行加热，藉此可形成含有氢的非晶半导体作为电解质106。可选地，在第一活性材料104上沉积非晶半导体之后，通过离子掺杂方法或离子注入方法将氢添加到非晶半导体中，从而形成含有氢的非晶半导体作为电解质。
在这个实施例中，使用半导体制造装置可在一个衬底上制造多个氧化还原电容器，这样可增加生产力。
(实施例6)
将参考图6A和6B描述在实施例1到3中所描述的氧化还原电容器的密封结构。在这个实施例中，将使用实施例2中所描述的氧化还原电容器做出描述。
如图6A中所示，用密封部件302密封氧化还原电容器。在这个情况下，尽管没有示出，连接至第一集电器122的外部端子和连接至第二集电器130的外部端子从密封部件302中突出。注意，在密封部件302以内的气氛可具有被压缩的压力。在密封部件302以内的区域可被填充惰性气体。可使用层叠膜、金属密封剂等作为密封部件302。在图6A中，在其上形成氧化还原电容器的多个衬底可被层叠，从而氧化还原电容器被串联或并联连接。
如图6B中所示，可用有机树脂304密封氧化还原电容器。在这个情况下，尽管没有示出，连接至第一集电器122的外部端子和连接至第二集电器130的外部端子从有机树脂304中突出。由于在实施例1到3的氧化还原电容器中的电解质是固体，易于用有机树脂304密封氧化还原电容器。注意，在图6B中，在其上形成氧化还原电容器的多个衬底可被层叠，从而氧化还原电容器被串联或并联连接，且然后可用有机树脂304密封氧化还原电容器。
当形成在不同衬底上的氧化还原电容器被串联地连接时，可增加充电电压和放电电压。当形成在不同衬底上的氧化还原电容器被并联地连接时，可增加电容。
(示例1)
在这个示例中，使用了其中用含有氢的In-Ga-Zn氧化物半导体作为电解质的氧化还原电容器的制造方法，且将描述通过循环伏安法的电特性的测量结果。
通过溅射法在玻璃衬底上形成具有100nm厚度的含有氢的In-Ga-Zn-氧化物半导体的膜作为电解质。此时的成膜条件如下。靶的组分为In∶Ga∶Zn＝1∶1∶0.5，使用30sccm的Ar和15sccm的O2作为溅射气体，压力为0.4Pa，电源电压为0.5kW，电极之间的距离是60nm，且成膜温度为室温。用电子探针X射线微分析仪(EPMA)来分析形成于玻璃衬底上的In-Ga-Zn-氧化物半导体的组成物，所以发现组成物如下：O∶Ga∶In∶Zn＝61.3∶15.8∶16.8∶6。此外，用二次离子质谱法(SIMS)发现氢的浓度为7×1020原子/立方厘米。
接着，制备具有0.5mm厚度、10mm宽度、以及63mm长度的两个碳板作为集电器，在碳板上施加含有氧化钌的混合物，然后在其上施加了含有氧化钌的混合物的表面被压在电解质上。此时两个碳板之间的距离为1mm。此时使用含有0.05g氧化钌和1ml水的混合物作为氧化钌的混合物。
然后，为了保持两个碳板之间的绝缘，粘合层被压力结合至暴露的In-Ga-Zn-氧化物半导体，这样制造出氧化还原电容器。
接着，通过循环伏安法测量该氧化还原电容器的电特性。此时的测量条件如下：充电电压和放电电压为0V到1V，扫描速度为100mV/s，循环的数量为五，且测量间隔是100ms。此时的循环伏安图被图示于图7中。
从图7中，可发现，可使用In-Ga-Zn-氧化物半导体作为电解质制造氧化还原电容器。
本申请基于2009年9月30日向日本专利局提交的日本专利申请2009-227354，该申请的全部内容通过引用结合于此。

Claims (25)

1.包括使用含有氢的非晶半导体形成的电解质的氧化还原电容器。
2.如权利要求1所述的氧化还原电容器，其特征在于，所述含有氢的非晶半导体是非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗。
3.如权利要求1所述的氧化还原电容器，其特征在于，所述含有氢的非晶半导体是含有氢的氧化物半导体。
4.包括使用含有氢的非晶半导体形成的电解质的氧化还原电容器，其特征在于，所述含有氢的非晶半导体是含有氢的氧化物半导体。
5.如权利要求4所述的氧化还原电容器，其特征在于，所述含有氢的氧化物半导体是氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、或者氧化铟。
6.如权利要求4所述的氧化还原电容器，其特征在于，其中所述含有氢的非晶半导体是In-M-Zn-氧化物半导体，其中M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素。
7.氧化还原电容器的制造方法，包括在形成于衬底上且与第一集电器相接触的第一活性物质上使用含有氢的非晶硅形成电解质的步骤。
8.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，形成与所述电解质相接触的第二活性物质和与所述第二活性物质相接触的第二集电器。
9.氧化还原电容器的制造方法，在衬底上使用含有氢的非晶半导体形成电解质的步骤之后，包括：形成与所述电解质相接触的第一活性物质和第二活性物质、并形成与所述第一活性物质相接触的第一集电器和与所述第二活性物质相接触的第二集电器的步骤。
10.氧化还原电容器的制造方法，在衬底上形成第一集电器和第二集电器、形成与所述第一集电器相接触的第一活性物质、并形成与所述第二集电器相接触的第二活性物质的步骤之后，包括：使用与所述第一活性物质和所述第二活性物质相接触的含有氢的非晶半导体形成电解质的步骤。
11.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢的靶通过溅射形成所述电解质。
12.如权利要求9所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢的靶通过溅射形成所述电解质。
13.如权利要求10所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢的靶通过溅射形成所述电解质。
14.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，通过用氢溅射靶形成所述电解质。
15.如权利要求9所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，通过用氢溅射靶形成所述电解质。
16.如权利要求10所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，通过用氢溅射靶形成所述电解质。
17.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢原子的源气通过CVD法形成所述电解质。
18.如权利要求9所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢原子的源气通过CVD法形成所述电解质。
19.如权利要求10所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，使用含有氢原子的源气通过CVD法形成所述电解质。
20.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在氢气氛中执行加热而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
21.如权利要求9所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在氢气氛中执行加热而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
22.如权利要求10所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在氢气氛中执行加热而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
23.如权利要求7所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在非晶半导体中添加氢而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
24.如权利要求9所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在非晶半导体添加氢而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
25.如权利要求10所述的氧化还原电容器的制造方法，其特征在于，在所述衬底、所述第一活性材料、或第二活性材料上沉积非晶半导体之后，通过在氢气氛中添加氢而形成含有氢的非晶半导体作为所述电解质。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105144383A (zh) * 2013-03-21 2015-12-09 汉阳大学校产学协力团 具有双向开关特性的双端子开关元件、包括它的电阻存储交叉点阵、以及制造双端子开关元件和交叉点电阻存储阵列的方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105719841B (zh) * 2009-09-30 2019-05-14 株式会社半导体能源研究所 电化学电容器
JP5912316B2 (ja) 2010-08-04 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 電気二重層キャパシタ、又は太陽光発電装置
JP5795941B2 (ja) 2010-11-19 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 充電装置
US11996517B2 (en) * 2011-06-29 2024-05-28 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US9646771B2 (en) 2012-03-26 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element including positive electrode and negative electrode in the same plane over substrate and power storage device
US9070950B2 (en) 2012-03-26 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device
KR102051424B1 (ko) * 2013-03-21 2019-12-03 한양대학교 산학협력단 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이 제조방법
JP2018013765A (ja) 2016-04-28 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子デバイス
WO2018011675A1 (en) 2016-07-13 2018-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene compound, method for forming graphene compound, and power storage device
WO2020235175A1 (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 株式会社村田製作所 キャパシタ
US20210012974A1 (en) * 2019-07-14 2021-01-14 University Of Southern California Fully-printed all-solid-state organic flexible artificial synapse for neuromorphic computing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1711612A (zh) * 2002-11-18 2005-12-21 索尼株式会社 质子导体、单离子导体、其制造方法、及电解质电容器
CN1794363A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 三星Sdi株式会社 质子导体和使用该质子导体的电化学装置
JP2008066681A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Osaka Prefecture Univ 電気化学キャパシタ及び電気化学キャパシタ亜鉛電極の作製方法
US20080203454A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20090098438A1 (en) * 2006-03-14 2009-04-16 Toyoki Kunitake Ion conductive material, conductive film for fuel cell, film electrode bonded body and fuel cell

Family Cites Families (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPS61163570A (ja) 1985-01-11 1986-07-24 Sharp Corp 固体水素電池
JPS63158761A (ja) 1986-12-19 1988-07-01 Sanyo Electric Co Ltd 固体水素電池
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH01248667A (ja) * 1988-03-30 1989-10-04 Nissan Motor Co Ltd 電界効果トランジスタ
JPH01260765A (ja) * 1988-04-08 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気化学素子
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5392191A (en) * 1994-08-04 1995-02-21 Motorola, Inc. Transition metal oxide anodes for aqueous pseudocapacitors
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH09260721A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Nikon Corp 非晶質シリコン光伝導体とその製造法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP2003109875A (ja) 2001-10-01 2003-04-11 Katsuhiko Naoi 電極材料およびその使用
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
CA2367290A1 (fr) * 2002-01-16 2003-07-16 Hydro Quebec Electrolyte polymere a haute stabilite > 4 volts comme electrolyte pour supercondensateur hybride et generateur electrochimique
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7872259B2 (en) 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
AU2005302962B2 (en) 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4689302B2 (ja) * 2005-03-02 2011-05-25 三菱電機株式会社 複合コンデンサ
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4634252B2 (ja) * 2005-08-09 2011-02-16 住友電気工業株式会社 酸化物プロトン導電性膜、水素透過構造体、及びその製造方法
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP2007123833A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 固体酸塩の活性化方法及びこれを用いた大容量キャパシター並びに燃料電池
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
JP2007117810A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 水素透過膜、及びそれを用いた燃料電池
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5153108B2 (ja) * 2006-09-29 2013-02-27 三洋電機株式会社 固体高分子膜を使用した燃料電池および燃料電池システム
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP2008262853A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Sony Corp プロトン伝導膜およびその製造方法ならびに燃料電池
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
CN105719841B (zh) * 2009-09-30 2019-05-14 株式会社半导体能源研究所 电化学电容器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1711612A (zh) * 2002-11-18 2005-12-21 索尼株式会社 质子导体、单离子导体、其制造方法、及电解质电容器
CN1794363A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 三星Sdi株式会社 质子导体和使用该质子导体的电化学装置
US20090098438A1 (en) * 2006-03-14 2009-04-16 Toyoki Kunitake Ion conductive material, conductive film for fuel cell, film electrode bonded body and fuel cell
JP2008066681A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Osaka Prefecture Univ 電気化学キャパシタ及び電気化学キャパシタ亜鉛電極の作製方法
US20080203454A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105144383A (zh) * 2013-03-21 2015-12-09 汉阳大学校产学协力团 具有双向开关特性的双端子开关元件、包括它的电阻存储交叉点阵、以及制造双端子开关元件和交叉点电阻存储阵列的方法

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